知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022134311
(43)【公開日】2022-09-15
(54)【発明の名称】電子部品収納用パッケージ
(51)【国際特許分類】
H01L 23/10 20060101AFI20220908BHJP
【ＦＩ】
H01L23/10 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】3
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021033366
(22)【出願日】2021-03-03
(71)【出願人】
【識別番号】000006666
【氏名又は名称】アズビル株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100098394
【弁理士】
【氏名又は名称】山川 茂樹
(74)【代理人】
【識別番号】100064621
【弁理士】
【氏名又は名称】山川 政樹
(72)【発明者】
【氏名】津嶋 鮎美
(57)【要約】
【課題】センサケースの封止部を局所的に加熱して封止するにあたって、小型のチャンバーを使用することが可能な電子部品収納用パッケージを提供する。
【解決手段】電子部品搭載用の凹部を有する絶縁基体２２と、絶縁基体２２に重ねられた蓋体２３と、熱溶融性接合材料からなるプリフォーム（AuSnプリフォーム５２）とを備える。AuSnプリフォーム５２は、加熱前の状態では少なくとも１つの開口５１（段差部５５）を有し、加熱により溶融することにより開口５１が全て塞がった状態で絶縁基体２２と蓋体２３とを接合し、凹部を密封するものである。
【選択図】 図６
【解決手段】電子部品搭載用の凹部を有する絶縁基体２２と、絶縁基体２２に重ねられた蓋体２３と、熱溶融性接合材料からなるプリフォーム（AuSnプリフォーム５２）とを備える。AuSnプリフォーム５２は、加熱前の状態では少なくとも１つの開口５１（段差部５５）を有し、加熱により溶融することにより開口５１が全て塞がった状態で絶縁基体２２と蓋体２３とを接合し、凹部を密封するものである。
【選択図】 図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電子部品が搭載される凹部を有する絶縁基体と、
前記凹部の開口部を塞ぐように前記絶縁基体に重ねられた蓋体と、
前記絶縁基体と前記蓋体との間に介在配置され、加熱されて溶融することにより前記絶縁基体に前記蓋体を接合する熱溶融性接合材料からなるプリフォームとを備えた電子部品収納用パッケージであって、
前記プリフォームは、加熱前の状態では少なくとも１つの開口を有し、加熱により溶融することにより前記開口が全て塞がった状態で前記絶縁基体と前記蓋体とを接合し、前記凹部を密封するものであることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
前記凹部の開口部を塞ぐように前記絶縁基体に重ねられた蓋体と、
前記絶縁基体と前記蓋体との間に介在配置され、加熱されて溶融することにより前記絶縁基体に前記蓋体を接合する熱溶融性接合材料からなるプリフォームとを備えた電子部品収納用パッケージであって、
前記プリフォームは、加熱前の状態では少なくとも１つの開口を有し、加熱により溶融することにより前記開口が全て塞がった状態で前記絶縁基体と前記蓋体とを接合し、前記凹部を密封するものであることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
【請求項2】
請求項１に記載の電子部品収納用パッケージにおいて、
前記プリフォームは、その一部に段差部が形成され、
前記プリフォームが前記絶縁基体と前記蓋体との接合領域に介在配置された状態で前記段差部と前記絶縁基体または前記蓋体との間の隙間により前記開口が形成されることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
前記プリフォームは、その一部に段差部が形成され、
前記プリフォームが前記絶縁基体と前記蓋体との接合領域に介在配置された状態で前記段差部と前記絶縁基体または前記蓋体との間の隙間により前記開口が形成されることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
【請求項3】
請求項１に記載の電子部品収納用パッケージにおいて、
前記プリフォームは、複数の部分プリフォームを積層して構成され、
前記複数の部分プリフォームのうち少なくとも一つの部分プリフォームは切欠き部を有し、
前記部分プリフォームの前記切欠き部と当該部分プリフォームに隣接する他の部分プリフォームの非切欠き部とで囲まれた隙間により前記開口が形成されることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
前記プリフォームは、複数の部分プリフォームを積層して構成され、
前記複数の部分プリフォームのうち少なくとも一つの部分プリフォームは切欠き部を有し、
前記部分プリフォームの前記切欠き部と当該部分プリフォームに隣接する他の部分プリフォームの非切欠き部とで囲まれた隙間により前記開口が形成されることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子部品が搭載される凹部を有する絶縁基体に蓋体が気密に接合されて形成された電子部品収納用パッケージに関する。
【背景技術】
【0002】
従来、例えば半導体によって形成されたセンサチップを収納するパッケージは、内部が不活性の状態となるように気密に封止されることが多い。センサチップは、例えば特許文献１に記載されているような圧力測定装置に用いられている。
【0003】
特許文献１に開示された圧力測定装置は、センサチップがボディの一端側の内部空間に収容され、ボディの他端側の導圧路からセンサチップに圧力を導く細管を備えている。ボディの他端側には、測定流体に接するバリアダイアフラムと、バリアダイアフラムが壁の一部となる圧力伝達室とが設けられている。上述した導圧路は、圧力伝達室と細管とを連通している。
【0004】
細管とボディとの接合は、細管が貫通する金属製のワッシャを介して行うことができる。細管は、ワッシャの貫通孔に挿入された状態でワッシャに溶接される。ワッシャは、ボディに抵抗溶接によって溶接される。
細管とセンサチップとの接合は、例えば接着剤を使用して行うことができる。接着剤としてエポキシ系の接着剤を使用する場合は、この接着剤が吸湿して劣化することを防ぐために、センサチップ搭載用の凹部を有する絶縁基体と蓋体とからなるセンサケース（電子部品収納用パッケージ）にセンサチップが収納される。
細管とセンサチップとの接合は、例えば接着剤を使用して行うことができる。接着剤としてエポキシ系の接着剤を使用する場合は、この接着剤が吸湿して劣化することを防ぐために、センサチップ搭載用の凹部を有する絶縁基体と蓋体とからなるセンサケース（電子部品収納用パッケージ）にセンサチップが収納される。
【0005】
接着部を内包するセンサケースの内部は、N2などの不活性ガスあるいは真空雰囲気下で封止する必要がある。そこで、センサケースは、高い気密性が得られるとともに、センサケースの外部へセンサ信号を取り出す構造を簡単に実現できるように、セラミックス材料によって形成することが好ましい。
セラミックス製のセンサパッケージの封止方法の一つとして、例えば特許文献２に開示されているようなAuSn封止がある。半田封止と比較して半田成分のガス化の懸念がなく高信頼性が求められる製品に広く応用されている。
セラミックス製のセンサパッケージの封止方法の一つとして、例えば特許文献２に開示されているようなAuSn封止がある。半田封止と比較して半田成分のガス化の懸念がなく高信頼性が求められる製品に広く応用されている。
【0006】
一般的にAuSn封止は、封止炉と呼ばれる設備を用い、センサパッケージ全体をN2や真空など所望の雰囲気下で、高温（320℃程度）を印加し、AuSnを溶融する方法である。しかし、このようなAuSn封止では、加熱時の熱ダメージがパッケージ内のセンサチップに印加されてしまうという問題がある。例えばSiで構成される半導体センサ（センサチップ）の耐熱温度は125℃前後である。このような半導体センサに熱ダメージを与えない様にするためには、例えば特許文献３に開示されているようなシーム溶接による封止など、加熱部が限定されている構造とする必要がある。
【0007】
シーム溶接の場合は、シールリングと呼ばれる溶接用の金属部品をセラミックス製の絶縁基体にあらかじめロウ付けする必要があり、部品コストがかかる。そこで、セラミックス製の蓋（LID）と絶縁基体との封止部にメタライズ（Au、Ni）を形成し、これら両者の間にAuSnプリフォームを挟み、封止部のみを局所的に加熱して封止することが考えられる。局所的に封止部を加熱する方法は、レーザー光を照射したり、誘導加熱（IH）により加熱する方法などがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】特許第５０８９０１８号公報
【特許文献2】特開２００８－１８６９１７号公報
【特許文献3】特開２００６－４９３５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
センサケース内がN2の雰囲気や真空雰囲気となるように封止部のみを局所的に加熱するためには、N2の雰囲気や真空雰囲気となるチャンバー内で絶縁基体の凹部を蓋体で塞ぎ、その後にレーザー光や誘導加熱で封止部を加熱する必要がある。このため、チャンバー内にレーザー光照射装置や誘導加熱装置と、蓋体を搬送する搬送機構とを配置する必要があり、チャンバーが大型化したり、チャンバー内のシール部が増加するといった課題があった。
【0010】
本発明の目的は、絶縁基体と蓋体とからなるセンサケースの封止部を局所的に加熱して封止するにあたり蓋体をチャンバー内で搬送する必要がなく、小型のチャンバーを使用してシール部を最少にすることが可能な電子部品収納用パッケージを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0011】
この目的を達成するために本発明に係る電子部品収納用パッケージは、電子部品が搭載される凹部を有する絶縁基体と、前記凹部の開口部を塞ぐように前記絶縁基体に重ねられた蓋体と、前記絶縁基体と前記蓋体との間に介在配置され、加熱されて溶融することにより前記絶縁基体に前記蓋体を接合する熱溶融性接合材料からなるプリフォームとを備えた電子部品収納用パッケージであって、前記プリフォームは、加熱前の状態では少なくとも１つの開口を有し、加熱により溶融することにより前記開口が全て塞がった状態で前記絶縁基体と前記蓋体とを接合し、前記凹部を密封するものである。
【0012】
本発明は、前記電子部品収納用パッケージにおいて、前記プリフォームは、その一部に段差部が形成され、前記プリフォームが前記絶縁基体と前記蓋体との接合領域に介在配置された状態で前記段差部と前記絶縁基体または前記蓋体との間の隙間により前記開口が形成されてもよい。
【0013】
本発明は、前記電子部品収納用パッケージにおいて、前記プリフォームは、複数の部分プリフォームを積層して構成され、前記複数の部分プリフォームのうち少なくとも一つの部分プリフォームは切欠き部を有し、前記部分プリフォームの前記切欠き部と当該部分プリフォームに隣接する他の部分プリフォームの非切欠き部とで囲まれた隙間により前記開口が形成されてもよい。
【発明の効果】
【0014】
本発明においては、絶縁基体に熱溶融性接合材料からなるプリフォームを介して蓋体を載置させることにより、絶縁基体の内部がプリフォームの開口を通して外部に連通される。蓋体を絶縁基体に載置する作業は、チャンバーの外で行うことができる。このため、絶縁基体に熱溶融性接合材料からなるプリフォームを介して蓋体を載せて形成された未封止の電子部品収納用パッケージをチャンバー内に装填することにより、チャンバーを使用してパッケージ内をチャンバー内と同じ不活性の雰囲気とすることができる。すなわち、チャンバー内で蓋体を搬送することなく、プリフォームの開口を通して絶縁基体の内部をN2ガスで置換したり真空雰囲気とすることができる。
絶縁基体と蓋体とからなる未封止の電子部品収納用パッケージの内部がN2ガスや真空雰囲気になっている状態でプリフォームがチャンバー内で局所的に加熱されて溶融することにより、開口が閉じて絶縁基体と蓋体との間が気密に封止される。
したがって、本発明によれば、絶縁基体と蓋体とからなるセンサケースの封止部を局所的に加熱して封止するにあたり蓋体をチャンバー内で搬送する必要がないから、小型のチャンバーを使用してシール部を最少にすることが可能な電子部品収納用パッケージを提供することができる。
絶縁基体と蓋体とからなる未封止の電子部品収納用パッケージの内部がN2ガスや真空雰囲気になっている状態でプリフォームがチャンバー内で局所的に加熱されて溶融することにより、開口が閉じて絶縁基体と蓋体との間が気密に封止される。
したがって、本発明によれば、絶縁基体と蓋体とからなるセンサケースの封止部を局所的に加熱して封止するにあたり蓋体をチャンバー内で搬送する必要がないから、小型のチャンバーを使用してシール部を最少にすることが可能な電子部品収納用パッケージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本発明に係る電子部品収納用パッケージの一実施の形態を図１～図９を参照して詳細に説明する。この実施の形態においては、圧力測定装置に搭載される電子部品収納用パッケージについて説明する。
図１に示す圧力測定装置１は、図１において中央部に描かれているボディ２に後述する複数の機能部品を組み付けて構成されている。ボディ２は、図１において下側に描かれている受圧部３と、上側に描かれている検出部４とを有している。この実施の形態によるボディ２は、ステンレス鋼によって形成されている。
図１に示す圧力測定装置１は、図１において中央部に描かれているボディ２に後述する複数の機能部品を組み付けて構成されている。ボディ２は、図１において下側に描かれている受圧部３と、上側に描かれている検出部４とを有している。この実施の形態によるボディ２は、ステンレス鋼によって形成されている。
【0017】
受圧部３の一端部には、第１のプロセス流体（図示せず）の圧力を受圧する第１の受圧ダイアフラム５が設けられているとともに、この第１の受圧ダイアフラム５が壁の一部となる第１の圧力伝達室６が形成されている。
受圧部３の他端部には、第２のプロセス流体（図示せず）の圧力を受圧する第２の受圧ダイアフラム７が設けられているとともに、この第２の受圧ダイアフラム７が壁の一部となる第２の圧力伝達室８が形成されている。
受圧部３の他端部には、第２のプロセス流体（図示せず）の圧力を受圧する第２の受圧ダイアフラム７が設けられているとともに、この第２の受圧ダイアフラム７が壁の一部となる第２の圧力伝達室８が形成されている。
【0018】
第１の圧力伝達室６と第２の圧力伝達室８は、ボディ２内に形成された第１の導圧路９および第２の導圧路１０と、後述する検出部４の第１および第２のワッシャ１１，１２と、第１および第２の細管１３，１４とを介して圧力センサチップ１５に連通されている。第１および第２の圧力伝達室６，８から圧力センサチップ１５に至る圧力伝達系は、圧力伝達媒体１６（図３参照）で満たされている。圧力センサチップ１５は、第１および第２の受圧ダイアフラム５，７との間に充填された圧力伝達媒体１６の圧力を受圧して圧力を検出する。
【0019】
ボディ２の検出部４は、円筒状に形成され、受圧部３とは反対の方向に向けて開口している。検出部４内にボディ２の内部空間１７が形成されている。検出部４の開口部分は、図示していないカバーが取付けられ、カバーによって閉塞される。
検出部４の内側底部には、第１および第２の導圧路９，１０がそれぞれ開口している。第１および第２の導圧路９，１０は、ボディ２の内部に、第１および第２の圧力伝達室６，８からボディ２の内部空間１７に通じるように形成されている。
検出部４の内側底部には、第１および第２の導圧路９，１０がそれぞれ開口している。第１および第２の導圧路９，１０は、ボディ２の内部に、第１および第２の圧力伝達室６，８からボディ２の内部空間１７に通じるように形成されている。
【0020】
第１の導圧路９の内部空間１７に通じる開口端には、第１のワッシャ１１が装着されている。第２の導圧路１０の内部空間１７に通じる開口端には第２のワッシャ１２が装着されている。第１および第２のワッシャ１１，１２は、それぞれステンレス鋼によって円板状に形成されており、ボディ２に溶接されている。
第１および第２のワッシャ１１，１２の中心部には第１および第２の細管１３，１４の一端が挿入されて接合されている。
第１の細管１３と第２の細管１４は、それぞれステンレス鋼によって形成され、所定の形状に曲げられている。第１の細管１３と第２の細管１４の他端には、センサケース２１および圧力センサチップ１５が接合されている。
第１および第２のワッシャ１１，１２の中心部には第１および第２の細管１３，１４の一端が挿入されて接合されている。
第１の細管１３と第２の細管１４は、それぞれステンレス鋼によって形成され、所定の形状に曲げられている。第１の細管１３と第２の細管１４の他端には、センサケース２１および圧力センサチップ１５が接合されている。
【0021】
センサケース２１は、図２に示すように、絶縁基体２２と蓋体２３とを用いて形成されている。この実施の形態においては、センサケース２１が本発明でいう「電子部品収納用パッケージ」に相当する。
絶縁基体２２と蓋体２３は、セラミックス材料によって形成されている。圧力センサチップ１５は、図３に示すように、複数のシリコン製の板状部材を厚み方向に重ねて立方体状に形成され、センサケース２１の中に収容されている。この実施の形態においては、圧力センサチップ１５が本発明でいう「電子部品」に相当する。上述した第１および第２の細管１３，１４は、圧力センサチップ１５の内部に挿入されて接着されている。
絶縁基体２２と蓋体２３は、セラミックス材料によって形成されている。圧力センサチップ１５は、図３に示すように、複数のシリコン製の板状部材を厚み方向に重ねて立方体状に形成され、センサケース２１の中に収容されている。この実施の形態においては、圧力センサチップ１５が本発明でいう「電子部品」に相当する。上述した第１および第２の細管１３，１４は、圧力センサチップ１５の内部に挿入されて接着されている。
【0022】
センサケース２１の絶縁基体２２は、図３に示すように、図３において上側であってボディ２の受圧部３とは反対の方向に向けて開口する凹部２４を有する有底角筒状に形成されている。絶縁基体２２の底壁２２ａには、第１および第２の細管１３，１４を通すための開口部２５，２６が形成されている。第１および第２の細管１３，１４は、先端に圧力センサチップ１５が接着された状態で開口部２５，２６に通され、例えば半田付けによって接合される。
【0023】
蓋体２３は、絶縁基体２２が開口する方向とは反対の方向に向けて開口する有底角筒状に形成され、絶縁基体２２と開口どうしが向かい合う状態（凹部２４の開口部分を閉塞する状態）で絶縁基体２２の先端面２２ｂに気密に接合されている。絶縁基体２２と蓋体２３の接合部の詳細については後述する。
【0024】
センサケース２１の底面、すなわち絶縁基体２２の底壁２２ａにおけるケース外側の面には、図示してはいないが、圧力センサチップ１５の複数の端子と個別に電気的に接続される複数の半田付け用ランドが形成されている。これらの半田付け用ランドは、基板２７（図１参照）に形成された半田付け用ランド（図示せず）に重ねて半田付けされる。この半田付けが行われることにより、センサケース２１が基板２７上に実装される。
【0025】
基板２７は、円板状に形成されて樹脂ケース２８（図１参照）に支持され、樹脂ケース２８を介してボディ２に支持されている。
ている。基板２７には、第１および第２のワッシャ１１，１２を通すことが可能な円形の二つの貫通穴２９，２９と、これらの貫通穴２９どうしを接続するスリット３０とが形成されている。センサケース２１を基板２７に重ねる作業は、貫通穴２９，２９に第１および第２のワッシャ１１，１２を通すとともに、第１および第２の細管１３，１４をスリット３０に通して行う。
ている。基板２７には、第１および第２のワッシャ１１，１２を通すことが可能な円形の二つの貫通穴２９，２９と、これらの貫通穴２９どうしを接続するスリット３０とが形成されている。センサケース２１を基板２７に重ねる作業は、貫通穴２９，２９に第１および第２のワッシャ１１，１２を通すとともに、第１および第２の細管１３，１４をスリット３０に通して行う。
【0026】
図３に示すように、絶縁基体２２の底壁２２ａには、圧力センサチップ１５の両側部を支承する取付座４１が形成されているとともに、圧力伝達媒体１６の圧力を圧力センサチップ１５に導入するための第１および第２の開口部２５，２６が形成されている。
圧力センサチップ１５は、第１の細管１３の他端が挿入される第１の孔４２と、第２の細管１４の他端が挿入される第２の孔４３とが形成されており、絶縁基体２２の取付座４１にたとえばろう付けによって固着されている。圧力センサチップ１５は、第１の孔４２に伝達された圧力と、第２の孔４３に伝達された圧力との差圧を検出するように構成されている。
圧力センサチップ１５は、第１の細管１３の他端が挿入される第１の孔４２と、第２の細管１４の他端が挿入される第２の孔４３とが形成されており、絶縁基体２２の取付座４１にたとえばろう付けによって固着されている。圧力センサチップ１５は、第１の孔４２に伝達された圧力と、第２の孔４３に伝達された圧力との差圧を検出するように構成されている。
【0027】
第１および第２の細管１３，１４は、圧力センサチップ１５に接着剤４４によって接着されている。この接着剤４４としては、エポキシ系の接着剤を用いることができる。センサケース２１の内部は、エポキシ系の接着剤が吸湿することがない状態になっている。この状態は、真空状態あるいはN2ガスなどの不活性ガスで満たされた状態である。センサケース２１内をこのような不活性な状態に保つために、第１および第２の細管１３，１４におけるセンサケース２１の第１および第２の開口部２５，２６を貫通する部分は、半田付けによって封止されている。半田付けは、半田４５が第１および第２の開口部２５，２６の周囲の全域にわたって濡れ拡がるように行われている。
【0028】
センサケース２１内が上述した不活性な状態となるように絶縁基体２２に蓋体２３を接合するためには、絶縁基体２２と蓋体２３との間に通気用の開口５１（図６参照）を有する熱溶融性接合材料からなるプリフォーム５２（図４参照）を介在させ、不活性な雰囲気の中で絶縁基体２２と蓋体２３との接続部のみを局所的に加熱して行う。熱溶融性接合材料からなるプリフォーム５２は、たとえばAuとSnとを所定の混合比で混ぜて成形したプリフォーム（以下、単にAuSnプリフォーム５２という）を用いることができる。
【0029】
この実施の形態によるAuSnプリフォーム５２は、図５に示すように、複数の部分プリフォーム５２ａ，５２ｂを積層して構成されている。図５に示すAuSnプリフォーム５２は、矩形の枠状に形成されたシートからなる第１層の部分プリフォーム５２ａと第２層の部分プリフォーム５２ｂとによって構成されている。
第１層の部分プリフォーム５２ａと第２層の部分プリフォーム５２ｂとのうち、上側に位置する第２層の部分プリフォーム５２ｂは、切欠き部５３と、途切れることなく一連に延びる非切欠き部５４とを有し、内側空間と外側とが切欠き部５３を通して連通されるように形成されている。第１層の部分プリフォーム５２ａは、途切れることなく一連に延びる非切欠き部５４のみによって形成されている。
第１層の部分プリフォーム５２ａと第２層の部分プリフォーム５２ｂとのうち、上側に位置する第２層の部分プリフォーム５２ｂは、切欠き部５３と、途切れることなく一連に延びる非切欠き部５４とを有し、内側空間と外側とが切欠き部５３を通して連通されるように形成されている。第１層の部分プリフォーム５２ａは、途切れることなく一連に延びる非切欠き部５４のみによって形成されている。
【0030】
第２層の部分プリフォーム５２ｂを第１層の部分プリフォーム５２ａに重ねることにより、図６に示すように、第２層の部分プリフォーム５２ｂの切欠き部５３と、第１層の部分プリフォーム５２ａの非切欠き部５４とによって溝状の段差部５５が形成される。このような段差部５５を有するAuSnプリフォーム５２が絶縁基体２２と蓋体２３との接合領域に介在配置されることにより、図７に示すように、段差部５５と蓋体２３との間の隙間により開口５１が形成される。なお、AuSnプリフォーム５２を第２層の部分プリフォーム５２ｂが絶縁基体２２に接するように配置した場合は、段差部５５と絶縁基体２２との間の隙間により開口５１が形成される。
絶縁基体２２の開口側の先端面２２ｂには、加熱されて溶融したAuSnプリフォーム５２が濡れ拡がるようにメタライズ層５６が設けられている。なお、図示してはいないが、蓋体２３の開口側の先端面にも絶縁基体２２と同様にメタライズ層が設けられている。
絶縁基体２２の開口側の先端面２２ｂには、加熱されて溶融したAuSnプリフォーム５２が濡れ拡がるようにメタライズ層５６が設けられている。なお、図示してはいないが、蓋体２３の開口側の先端面にも絶縁基体２２と同様にメタライズ層が設けられている。
【0031】
絶縁基体２２にAuSnプリフォーム５２を介して蓋体２３を接合するためには、先ず、絶縁基体２２の先端面２２ｂ上（メタライズ層５６上）にAuSnプリフォーム５２を載せ、さらに、このAuSnプリフォーム５２の上に蓋体２３を載せる。なお、絶縁基体２２には、圧力センサチップ１５と第１、第２の細管１３，１４とを予め接合し、絶縁基体２２内の配線部と圧力センサチップ１５の端子とを電気的に接続しておく。そして、これらの絶縁基体２２と、AuSnプリフォーム５２と、蓋体２３とからなる封止前のセンサケース２１を図８に示すようにチャンバー６１内に装填する。
【0032】
チャンバー６１は、気密容器となるように構成されており、センサケース２１内にN2を充填する場合には、チャンバー６１内を真空雰囲気とするための真空装置６２と、チャンバー６１内にN2ガスを供給するガス供給装置６３とが接続されている。チャンバー６１内には、上述した封止前のセンサケース２１の一部を局所的に加熱するための加熱装置６４が設けられている。センサケース２１の局所的に加熱する一部とは、絶縁基体２２と蓋体２３との接続部分である。加熱装置６４は、例えばレーザー光を照射するレーザー加熱装置や、電磁誘導により加熱する誘導加熱装置などを用いることができる。
【0033】
チャンバー６１内に封止前のセンサケース２１を装填した後、真空装置６２によってチャンバー６１内を真空雰囲気とする。この工程で封止前のセンサケース２１内の空気がAuSnプリフォーム５２の開口５１から吸い出され、センサケース２１内も真空雰囲気となる。センサケース２１内を真空雰囲気として封止する場合は、この状態で後述する加熱工程に移る。センサケース２１内をN2雰囲気として封止する場合は、この状態でガス供給装置６３によってチャンバー６１内にN2ガスを供給する。このN2ガスは、AuSnプリフォーム５２の開口５１を通って封止前のセンサケース２１内にも流入する。このようにセンサケース２１内を真空雰囲気あるいはN2雰囲気とした後、加熱装置６４によって絶縁基体２２と蓋体２３の接続部分を加熱し、AuSnプリフォーム５２を溶融させる。
【0034】
このとき、AuSnプリフォーム５２の段差部５５からなるセンサケース２１の開口部分は、図９（Ａ）に示す加熱前の状態からAuSnプリフォーム５２が溶融することにより図９（Ｂ）に示すように徐々に狭くなり、最終的には図９（Ｃ）に示すように閉じられる。すなわち、溶融したAuSnプリフォーム５２によって絶縁基体２２と蓋体２３とが接合されるのと同時に開口部分が閉じられ、絶縁基体２２と蓋体２３との間が気密封止される。
【0035】
このようにセンサケース２１を気密封止するにあたっては、絶縁基体２２に蓋体２３を載せた状態で行うことができ、チャンバー６１の中で蓋体２３を移動させる必要はない。
したがって、この実施の形態によれば、絶縁基体２２と蓋体２３とからなるセンサケース２１の封止部を局所的に加熱して封止するにあたり蓋体２３をチャンバー６１内で搬送する必要がないから、小型のチャンバーを使用してシール部を最少にすることが可能な電子部品収納用パッケージを提供することができる。
したがって、この実施の形態によれば、絶縁基体２２と蓋体２３とからなるセンサケース２１の封止部を局所的に加熱して封止するにあたり蓋体２３をチャンバー６１内で搬送する必要がないから、小型のチャンバーを使用してシール部を最少にすることが可能な電子部品収納用パッケージを提供することができる。
【0036】
この実施の形態によるAuSnプリフォーム５２は、その一部に段差部５５が形成されている。このAuSnプリフォーム５２が絶縁基体２２と蓋体２３との接合領域に介在配置されることにより、段差部５５と絶縁基体２２または蓋体２３との間の隙間によって開口５１が形成される。このため、AuSnプリフォーム５２の加熱が開始されるまで開口５１が開いた状態に保たれるから、センサケース２１内を確実に不活性の状態とすることができる。
【0037】
（熱溶融性接合材料からなるプリフォームの変形例）
次に、AuSnプリフォーム５２の変形例を図１０～図１３を参照して説明する。
上述した実施の形態によるAuSnプリフォーム５２は、複数の部分プリフォーム（第１層の部分プリフォーム５２ａと第２層の部分プリフォーム５２ｂ）を積層して構成されている。複数の部分プリフォームのうち一つの部分プリフォーム（第２層の部分プリフォーム５２ｂ）は切欠き部５３を有している。この第２層の部分プリフォーム５２ｂの切欠き部５３と、当該部分プリフォームに隣接する他の部分プリフォーム（第１層の部分プリフォーム５２ａ）の非切欠き部５４とで囲まれた隙間により開口５１が形成されている。このため、開口５１の開口面積を切欠き部５３の幅と第２層の部分プリフォーム５２ｂの厚みとによって規定することができるから、センサケース２１の容積に適した開口面積となるように開口５１を形成することができる。
次に、AuSnプリフォーム５２の変形例を図１０～図１３を参照して説明する。
上述した実施の形態によるAuSnプリフォーム５２は、複数の部分プリフォーム（第１層の部分プリフォーム５２ａと第２層の部分プリフォーム５２ｂ）を積層して構成されている。複数の部分プリフォームのうち一つの部分プリフォーム（第２層の部分プリフォーム５２ｂ）は切欠き部５３を有している。この第２層の部分プリフォーム５２ｂの切欠き部５３と、当該部分プリフォームに隣接する他の部分プリフォーム（第１層の部分プリフォーム５２ａ）の非切欠き部５４とで囲まれた隙間により開口５１が形成されている。このため、開口５１の開口面積を切欠き部５３の幅と第２層の部分プリフォーム５２ｂの厚みとによって規定することができるから、センサケース２１の容積に適した開口面積となるように開口５１を形成することができる。
【0038】
上述した実施の形態によるAuSnプリフォーム５２は、第１層の部分プリフォーム５２ａと第２層の部分プリフォーム５２ｂとを重ねて構成されている。しかし、AuSnプリフォーム５２は、図１０に示すように、１枚のプリフォーム７１のみによって形成することができる。
図１０に示すAuSnプリフォーム７１は、溝状の段差部５５が形成されている。図１１に示すように、このAuSnプリフォーム７１が絶縁基体２２と蓋体２３との接合領域に介在配置されることにより、段差部５５と蓋体２３との間の隙間により開口５１が形成される。なお、AuSnプリフォーム５２は、段差部５５が絶縁基体２２に向けて開放されるような姿勢で絶縁基体２２に載置することができる。この場合は、段差部５５と絶縁基体２２との間の隙間により開口５１が形成される。
図１０に示すAuSnプリフォーム７１は、溝状の段差部５５が形成されている。図１１に示すように、このAuSnプリフォーム７１が絶縁基体２２と蓋体２３との接合領域に介在配置されることにより、段差部５５と蓋体２３との間の隙間により開口５１が形成される。なお、AuSnプリフォーム５２は、段差部５５が絶縁基体２２に向けて開放されるような姿勢で絶縁基体２２に載置することができる。この場合は、段差部５５と絶縁基体２２との間の隙間により開口５１が形成される。
【0039】
複数の部分プリフォームを積層して形成されるAuSnプリフォーム５２は、図１２に示すように３枚の部分プリフォーム５２ａ～５２ｃを重ねて構成することができる。図１２に示すAuSnプリフォーム５２は、矩形の枠状に形成されたシートからなる第１層～第３層の部分プリフォーム５２ａ～５２ｃによって構成されている。
【0040】
第１層～第３層の部分プリフォーム５２ａ～５２ｃのうち、中央に位置する第２層の部分プリフォーム５２ｂは、切欠き部５３と、途切れることなく一連に延びる非切欠き部５４とを有し、内側空間と外側とが切欠き部５３を通して連通されるように形成されている。第１層の部分プリフォーム５２ａと第３層の部分プリフォーム５２ｃは、途切れることなく一連に延びる非切欠き部５４のみによって形成されている。
【0041】
第２層の部分プリフォーム５２ｂを第１層の部分プリフォーム５２ａと第３層の部分プリフォーム５２ｃとによって挟むことにより、第２層の部分プリフォーム５２ｂの切欠き部５３と、当該部分プリフォーム５２に隣接する第１層および第３層の部分プリフォーム５２ａ，５２ｃの非切欠き部５４，５４とで囲まれた隙間により開口５１が形成される。
【0042】
AuSnプリフォーム５２に形成する切欠き部５３（開口５１）は、上述した実施の形態で示したように１箇所に設ける他に、複数の箇所に設けることができる。AuSnプリフォーム５２の開口の開口面積は、センサ搭載空間の内容積に応じてガス置換が可能になる開口面積とする必要がある。この開口面積が大きければ大きい程、ガス置換は容易となる。しかし、プリフォーム５２が溶融したときに開口を塞ぎきれなくなることを防ぐために、一箇所で大きな開口とするよりも、狭い開口部を複数設けることが望ましい。複数の開口を有するAuSnプリフォーム５２は、例えば図１３に示すように構成することができる。
【0043】
図１３に示すAuSnプリフォーム５２は、第１層～第３層の部分プリフォーム５２ｃによって構成されている。第１層～第３層の部分プリフォーム５２ｃのうち中央に位置する第２層の部分プリフォーム５２ｂは、矩形の４箇所の角部にそれぞれ開口部が形成されるように、４つに分割されて形成されている。
なお、図５に示した第２層の部分プリフォーム５２ｂや、図１３に示した第２層の部分プリフォーム５２ｂ、すなわち開口部を有する部分プリフォームの単体によってAuSnプリフォームを構成することも可能である。この場合は、例えば厚みを厚くするなど、溶融時に開口部が残存することがない構成を採る必要がある。
なお、図５に示した第２層の部分プリフォーム５２ｂや、図１３に示した第２層の部分プリフォーム５２ｂ、すなわち開口部を有する部分プリフォームの単体によってAuSnプリフォームを構成することも可能である。この場合は、例えば厚みを厚くするなど、溶融時に開口部が残存することがない構成を採る必要がある。
【0044】
上述した実施の形態においては、熱溶融性接合材料からなるプリフォームとしてAuSnプリフォーム５２を用いる例を示した。しかしながら、本発明はこのような限定にとらわれることはない。たとえば、熱溶融性接合材料からなるプリフォームとしては、加熱されることにより分解（昇華）する接着剤によって形成することができる。この種の接着剤としては、250℃～350℃に加熱されることにより分解するエポキシ樹脂などで構成される接着剤がある。
【符号の説明】
【0045】
１…圧力測定装置、１５…圧力センサチップ（電子部品）、２２…絶縁基体、２３…蓋体、２４…凹部、２１…センサケース（電子部品収納用パッケージ）、５１…開口、５２，７１…熱溶融性接合材料からなるプリフォーム、５２ａ…第１層の部分プリフォーム、５２ｂ…第２層の部分プリフォーム、５２ｃ…第３層の部分プリフォーム、５３…切欠き部、５４…非切欠き部、５５…段差部。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】