特開 2022-134322 チップ製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022134322

(43)【公開日】2022-09-15

(54)【発明の名称】チップ製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20220908BHJP

   C03B 33/09 20060101ALI20220908BHJP

   B28D 5/00 20060101ALI20220908BHJP

   B26F 3/00 20060101ALI20220908BHJP

   B23K 26/53 20140101ALI20220908BHJP

【ＦＩ】

H01L21/78 Q

C03B33/09

B28D5/00 Z

B26F3/00 Z

B23K26/53

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021033383

(22)【出願日】2021-03-03

(71)【出願人】

【識別番号】304000836

【氏名又は名称】学校法人 名古屋電気学園

(71)【出願人】

【識別番号】000236436

【氏名又は名称】浜松ホトニクス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100140442

【弁理士】

【氏名又は名称】柴山 健一

(72)【発明者】

【氏名】高木 誠

(72)【発明者】

【氏名】坂 公恭

(72)【発明者】

【氏名】河口 大祐

(72)【発明者】

【氏名】関本 祐介

【テーマコード（参考）】

3C060

3C069

4E168

4G015

5F063

【Ｆターム（参考）】

3C060AA08

3C060AA10

3C060CC12

3C060CC20

3C069AA03

3C069BA08

3C069CA05

3C069CA11

3C069EA00

4E168AE01

4E168CB07

4E168JA12

4G015FA06

4G015FB02

4G015FC02

5F063AA06

5F063CB07

5F063CB29

5F063CC60

5F063DD27

5F063DD68

5F063DD89

(57)【要約】

【課題】抗折強度のバラつきを抑制しつつ抗折強度を向上可能なチップ製造方法を提供する。
【解決手段】チップ製造方法は、対象物１１にラインＡに沿ってレーザ光Ｌを照射することにより、ラインＡに沿って対象物１１に改質領域１２を形成する第１工程と、第１工程の後に、改質領域１２を利用してラインＡに沿って対象物１１を切断することにより、対象物１１からチップ５０を形成する第２工程と、第２工程の後に、Ｚ方向に沿ってチップ５０に応力Ｆを付加する第３工程と、を備える。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面と前記第１面の反対側の第２面とを含む対象物に、前記第１面及び前記第２面に沿って設定されたラインに沿ってレーザ光を照射することにより、前記ラインに沿って前記対象物に改質領域を形成する第１工程と、
前記第１工程の後に、前記改質領域を利用して前記ラインに沿って前記対象物を切断することにより、前記対象物からチップを形成する第２工程と、
前記第２工程の後に、前記第１面及び前記第２面に交差する方向に沿って前記チップに応力を付加する第３工程と、
を備えるチップ製造方法。

【請求項2】

前記第３工程では、複数回にわたって前記チップに前記応力を付加する、
請求項１に記載のチップ製造方法。

【請求項3】

前記第３工程では、前記チップに前記応力を付加した状態を維持する、
請求項１又は２に記載のチップ製造方法。

【請求項4】

前記対象物には、複数の前記ラインが設定されており、
前記第１工程では、複数の前記ラインのそれぞれに沿って前記レーザ光を照射することにより、複数の前記ラインのそれぞれに沿って前記対象物に前記改質領域を形成し、
前記第２工程では、複数の前記ラインのそれぞれに沿って前記対象物を切断することにより、前記対象物から複数の前記チップを形成し、
前記第３工程では、複数の前記チップに一括して前記応力を付加する、
請求項１～３のいずれか一項に記載のチップ製造方法。

【請求項5】

前記応力は、前記チップの平均破壊強度の８０％以上の値である、
請求項１～３のいずれか一項に記載のチップ製造方法。

【請求項6】

前記応力は、前記チップの平均破壊強度の９０％以上の値である、
請求項１～５のいずれか一項に記載のチップ製造方法。

【請求項7】

前記応力は、前記チップの平均破壊強度よりも大きな値である、
請求項１～６のいずれか一項に記載のチップ製造方法。

【請求項8】

第１面と前記第１面の反対側の第２面とを含む対象物に、前記第１面及び前記第２面に沿って設定されたラインに沿ってレーザ光を照射することにより、前記ラインに沿って前記対象物に改質領域を形成する第１工程と、
前記第１工程の後に、前記改質領域を利用して前記ラインに沿って前記対象物を切断することにより、前記対象物からチップを形成すると共に、前記第１面及び前記第２面に交差する方向に沿って前記チップに応力を付加する第２工程と、
を備えるチップ製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、チップ製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、板ガラスの端面加工方法が記載されている。この方法では、まず、複数の素材板ガラスを積み重ねると共に、固着材を介して一体化して素材ガラスブロックを形成する。続いて、素材ガラスブロックを受け台に一体的に固着すると共に、円板カッターにより分割線に沿って縦横に分割し、長方形状の分割ガラスブロックを多数形成する。続いて、円板体の上面に平坦な研磨面を有する回転研磨盤を回転させ、研磨面に研磨材を供給しながら分割ガラスブロックの各端面を順次に回転研磨盤の研磨面に摺接させて研磨する。これにより、一次研磨分割ガラスブロックを得る。そして、一次研磨分割ガラスブロックを複数段積み重ねると共に、これらの各端面を回転ブラシにより研磨する。その後、各分割板ガラスを温水の張られた容器に収容することにより、固着材を剥離して板ガラス製品が得られる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特許第５３６３１９０号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載の方法では、ガラス板の端面を研磨することによりガラス板の抗折強度の向上を図っている。しかし、本発明者の知見によれば、特許文献１のように、板ガラスといったチップの製造に際して円板カッターを用いた場合には、例えば、レーザ光の照射により形成される改質領域を起点とした切断によりチップを製造する場合と比較して、抗折強度が低く、且つ、抗折強度のバラつきが大きくなる。

【0005】

本発明は、抗折強度のバラつきを抑制しつつ抗折強度を向上可能なチップ製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明に係るチップ製造方法は、第１面と第１面の反対側の第２面とを含む対象物に、第１面及び第２面に沿って設定されたラインに沿ってレーザ光を照射することにより、ラインに沿って対象物に改質領域を形成する第１工程と、第１工程の後に、改質領域を利用してラインに沿って対象物を切断することにより、対象物からチップを形成する第２工程と、第２工程の後に、第１面及び第２面に交差する方向に沿ってチップに応力を付加する第３工程と、を備える。

【0007】

また、本発明に係るチップ製造方法は、第１面と第１面の反対側の第２面とを含む対象物に、第１面及び第２面に沿って設定されたラインに沿ってレーザ光を照射することにより、ラインに沿って対象物に改質領域を形成する第１工程と、第１工程の後に、改質領域を利用してラインに沿って対象物を切断することにより、対象物からチップを形成すると共に、第１面及び第２面に交差する方向に沿ってチップに応力を付加する第２工程と、を備える。

【0008】

これらの製造方法では、対象物にレーザ光を照射することによって対象物に改質領域を形成し、それらを利用して対象物を切断してチップを形成する。これと共に、チップに対して応力を付加する。本発明者の知見によれば、このようにチップに応力を付加することにより、抗折強度のバラつきを抑制しつつ抗折強度を向上可能である。

【0009】

本発明に係るチップ製造方法では、第３工程では、複数回にわたってチップに応力を付加してもよい。この場合、抗折強度をより確実に向上可能である。

【0010】

本発明に係るチップ製造方法では、第３工程では、チップに応力を付加した状態を所定時間維持してもよい。この場合、抗折強度をより確実に向上可能である。

【0011】

本発明に係るチップ製造方法では、対象物には、複数のラインが設定されており、第１工程では、複数のラインのそれぞれに沿って前記レーザ光を照射することにより、複数のラインのそれぞれに沿って対象物に改質領域を形成し、第２工程では、複数のラインのそれぞれに沿って対象物を切断することにより、対象物から複数のチップを形成し、第３工程では、複数のチップに一括して応力を付加としてもよい。この場合、抗折強度の向上された複数のチップを一括して製造可能である。

【0012】

本発明に係るチップ製造方法では、応力は、チップの平均破壊強度の８０％以上の値であってもよく、チップの平均破壊強度の９０％以上の値であってもよく、チップの平均破壊強度よりも大きな値であってもよい。これらの場合、抗折強度をより確実に向上可能である。

【発明の効果】

【0013】

本発明によれば、抗折強度のバラつきを抑制しつつ抗折強度を向上可能なチップ製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】図１は、一実施形態に係るレーザ加工装置の構成を示す模式図である。

【図2】図２は、対象物を支持した状態のステージを示す平面図である。

【図3】図３は、図１に示されたレーザ照射部の構成を示す模式図である。

【図4】図４は、チップ製造方法の一工程を説明するための図である。

【図5】図５は、チップ製造方法の一工程を説明するための図である。

【図6】図６は、チップ製造方法の一工程を説明するための図である。

【図7】図７は、チップ製造方法の一工程の別の例を説明するための図である。

【図8】図８は、各種のチップの切断面を示す写真である。

【図9】図９は、図８に示された各チップの抗折強度を示すグラフである。

【図10】図１０は、本発明者が得た第１の知見を説明するためのグラフである。

【図11】図１１は、本発明者が得た第２の知見を説明するためのグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、一実施形態について、図面を参照して説明する。なお、各図において、同一又は相当する部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。また、各図には、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸によって規定される直交座標系を示す場合がある。

【0016】

図１は、一実施形態に係るレーザ加工装置の構成を示す模式図である。図１に示されるように、レーザ加工装置１は、ステージ２と、レーザ照射部３と、駆動部４，５と、制御部６と、を備えている。レーザ加工装置１は、対象物１１にレーザ光Ｌを照射することにより、対象物１１に改質領域１２を形成するためのものである。また、ここでは、レーザ加工装置１は、改質領域１２等を用いて対象物１１を切断することにより、対象物１１からチップを製造するためのチップ製造装置でもある。

【0017】

図２は、対象物を支持した状態のステージを示す平面図である。図２には、レーザ加工の予定を示す仮想的なラインＡが示されている。図１，２に示されるように、ステージ２は、対象物１１が貼り付けられるフィルム２１と、フィルム２１の外縁を保持するフレーム２２と、を有している。すなわち、ステージ２は、対象物１１が貼り付けられたフィルム２１を保持することにより対象物１１を支持するためのものである。

【0018】

なお、ステージ２は、フィルム２１を対象物１１と反対側から（後述するＺ方向に）押し上げることによりフィルム２１を拡張するための押圧部材２３をさらに有している。ステージ２は、Ｚ方向に平行な軸線を回転軸として回転可能である。ステージ２は、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれに沿って移動可能とされてもよい。なお、Ｘ方向及びＹ方向は、互いに交差（直交）する第１水平方向及び第２水平方向であり、Ｚ方向は鉛直方向である。

【0019】

レーザ照射部３は、対象物１１に対して透過性を有するレーザ光Ｌを集光して対象物１１に照射する。ステージ２に支持された対象物１１の内部にレーザ光Ｌが集光されると、レーザ光Ｌの集光点Ｃに対応する部分においてレーザ光Ｌが特に吸収され、対象物１１の内部に改質領域１２が形成される。

【0020】

改質領域１２は、密度、屈折率、機械的強度、その他の物理的特性が周囲の非改質領域とは異なる領域である。改質領域１２としては、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等がある。改質領域１２は、改質領域１２からレーザ光Ｌの入射側及びその反対側に亀裂が延びるように形成され得る。そのような改質領域１２及び亀裂は、例えば対象物１１の切断に利用される。

【0021】

図３は、図１に示されたレーザ照射部の構成を示す模式図である。図３には、レーザ加工の予定を示す仮想的なラインＡを示している。図３に示されるように、レーザ照射部３は、光源３１と、空間光変調器７と、集光レンズ３３と、を有している。光源３１は、例えばパルス発振方式によって、レーザ光Ｌを出力する。なお、レーザ照射部３は、光源３１を有さず、レーザ照射部３の外部からレーザ光Ｌを導入するように構成されてもよい。空間光変調器７は、光源３１から出力されたレーザ光Ｌを変調する。集光レンズ３３は、空間光変調器７によって変調されて空間光変調器７から出力されたレーザ光Ｌを対象物１１に向けて集光する。

【0022】

一例として、ステージ２をＸ方向に沿って移動させ、対象物１１に対して集光点ＣをＸ方向に沿って相対的に移動させると、複数の改質スポット１２ｓがＸ方向に沿って１列に並ぶように形成される。１つの改質スポット１２ｓは、１パルスのレーザ光Ｌの照射によって形成される。１列の改質領域１２は、１列に並んだ複数の改質スポット１２ｓの集合である。隣り合う改質スポット１２ｓは、対象物１１に対する集光点Ｃの相対的な移動速度及びレーザ光Ｌの繰り返し周波数によって、互いに繋がる場合も、互いに離れる場合もある。

【0023】

図１に示されるように、駆動部４は、ステージ２をＺ方向に交差（直交）する面内の一方向に移動させる第１移動部４１と、ステージ２をＺ方向に交差（直交）する面内の別方向に移動させる第２移動部４２と、を含む。一例として、第１移動部４１は、ステージ２をＸ方向に沿って移動させ、第２移動部４２は、ステージ２をＹ方向に沿って移動させる。また、駆動部４は、ステージ２をＺ方向に平行な軸線を回転軸として回転させる。駆動部５は、レーザ照射部３を支持している。駆動部５は、レーザ照射部３をＸ方向、Ｙ方向、及びＺ方向に沿って移動させる。レーザ光Ｌの集光点Ｃが形成されている状態においてステージ２及び/又はレーザ照射部３が移動させられることにより、集光点Ｃが対象物１１に対して相対移動させられる。すなわち、駆動部４，５は、対象物１１に対してレーザ光Ｌの集光点Ｃが相対移動するように、ステージ２及びレーザ照射部３の少なくとも一方を移動させる移動部である。

【0024】

制御部６は、ステージ２、レーザ照射部３、及び駆動部４，５の動作を制御する。制御部６は、処理部、記憶部、及び入力受付部を有している（不図示）。処理部は、プロセッサ、メモリ、ストレージ及び通信デバイス等を含むコンピュータ装置として構成されている。処理部では、プロセッサが、メモリ等に読み込まれたソフトウェア（プログラム）を実行し、メモリ及びストレージにおけるデータの読み出し及び書き込み、並びに、通信デバイスによる通信を制御する。記憶部は、例えばハードディスク等であり、各種データを記憶する。入力受付部は、各種情報を表示すると共に、ユーザから各種情報の入力を受け付けるインターフェース部である。入力受付部は、ＧＵＩ（Graphical User Interface）を構成している。

【0025】

引き続いて、上記のレーザ加工装置１等を用いたチップ製造方法について説明する。この製造方法では、まず、図２，３に示されるように、ステージ２に対象物１１が支持される。対象物１１は、第１面１１ａと、第１面１１ａの反対側の第２面１１ｂと、を含む。対象物１１は、第１面１１ａが集光レンズ３３側に臨むように、第２面１１ｂがフィルム２１に保持（接触）されることにより、ステージ２に支持される。対象物１１は、例えば、ガラスウェハや半導体ウェハである。ここでは、一例として、対象物１１はシリコンウェハである。ここでのシリコンウェハは、半導体デバイスが形成されたものであってもよいし、ベアウェハであってもよい。対象物１１には、一例として、第１面１１ａ及び第２面１１ｂに沿って２次元格子状にラインＡが設定されている。

【0026】

引き続いて、第１工程が実施される。すなわち、ここでは、制御部６がレーザ照射部３及び駆動部４，５を制御することにより、レーザ光Ｌの集光点Ｃが対象物１１の内部に位置されると共に、１つのラインＡに沿って集光点Ｃが相対移動される。これにより、ラインＡに沿ってレーザ光が照射されることとなり、ラインＡに沿って対象物１１に改質領域１２及び改質領域１２から延びる亀裂を形成する。第１工程では、複数のラインＡのそれぞれに沿ってレーザ光Ｌを照射することにより、複数のラインＡのそれぞれに沿って対象物１１に改質領域１２を形成する。

【0027】

引き続いて、第２工程が実施される。すなわち、図４の（ａ）及び（ｂ）に示されるように、制御部６が、押圧部材２３を用いて、フィルム２１を対象物１１と反対側から、すなわち第２面１１ｂ側からＺ方向に押し上げることによりフィルム２１を拡張させる。これにより、改質領域１２から延びる亀裂が開く方向に対象物１１に応力が付加され、当該亀裂が進展される。この結果、対象物１１がラインＡに沿って切断され、対象物１１から複数のチップ５０が一括して形成される。すなわち、この第２工程では、改質領域１２（及び改質領域１２から延びる亀裂）を利用してラインＡに沿って対象物１１を切断することにより、対象物１１からチップ５０を形成する。

【0028】

引き続いて、第３工程が実施される。第３工程では、第２工程で形成されたチップ５０のそれぞれに対して応力を付加する。そのために、図５及び図６に示されるように、応力付加用のジグ１００を用意する。ジグ１００は、Ｚ方向からみて第１方向に沿って延びる棒状の複数の第１部材１０１と、Ｚ方向からみて第１方向に交差する（直交する）第２方向に沿って延びる棒状の複数の第２部材１０２と、を含む。ジグ１００では、第１部材１０１と第２部材１０２とが格子状に組み合わされている。１つのチップ５０に着目すると、当該チップ５０の中心を通りつつ、チップ５０のＹ方向の外縁５０ｅを横切ってＹ方向に延びるように第１部材１０１が配置され、且つ、当該チップの中心をとおりつつ、チップ５０のＸ方向の外縁５０ｆを横切ってＸ方向に延びるように第２部材１０２が配置される。ジグ１００は、それぞれのチップ５０の（第１面１１ａの一部である）第１面５０ａに例えば接触保持されている。

【0029】

その状態において、制御部６は、押圧部材２３を用いて、フィルム２１ごと、対象物１１、すなわちチップ５０を（第２面１１ｂの一部である）第２面５０ｂ側からＺ方向に押し上げる。これにより、複数のチップ５０に対して、一括して、第１面１１ａ（チップ５０の第１面５０ａ）及び第２面１１ｂ（チップ５０の第２面５０ｂ）に交差するＺ方向に沿って、ジグ１００から応力Ｆが付加される。ここでは、制御部６は、これを繰り返し行うことにより、複数回にわたってチップ５０に応力Ｆを付加することができる。或いは、制御部６は、チップ５０に応力Ｆを付加した状態を所定時間維持することができる。

【0030】

応力Ｆは、チップ５０の平均破壊強度の８０％以上の値とすることができる。例えば、チップ５０の単純曲げ試験での破壊強度の平均値（平均破壊強度）が３６３ＭＰａであった場合には、例えば、応力Ｆは２９０ＭＰａ程度以上の値とすることができる。或いは、応力Ｆは、チップ５０の平均破壊強度の９０％以上の値である。この場合、チップ５０の平均破壊強度が３６３ＭＰａであった場合には、例えば、応力Ｆは３２６ＭＰａ程度以上の値とすることができる。さらには、応力Ｆは、平均破壊強度よりも大きな値であってもよい。なお、一例として、応力Ｆが平均破壊強度の８０％以上の値であるとは、応力Ｆの値が、当該値に基づいてチップ５０の抗折強度を算出したときに、算出された抗折強度がチップ５０の平均破壊強度の８０％以上となる値であることを意味する。同様に、一例として、応力Ｆが２９０ＭＰａ程度であるとは、応力Ｆの値が、当該値に基づいてチップ５０の抗折強度を算出したときに、算出された抗折強度が概ね２９０ＭＰａとなる値であることを意味する。

【0031】

なお、ここでは、ステージ２及びジグ１００を用いてチップ５０に応力Ｆを付加したが、図７に示されるように、第２工程の後にチップ５０を移送して、通常の応力付加装置（例えば４点曲げの試験装置）を利用してチップ５０に応力Ｆを付加してもよい。ここでは、支持台１１０にチップ５０を載置した後に、応力付加部材１２０により第１面５０ａ側から応力Ｆをチップ５０に付加する。ここでも、図７の（ａ）のように、複数回にわたってチップ５０に応力Ｆを付加してもよいし、図７の（ｂ）のように、チップ５０に応力Ｆを付加した状態を所定時間維持するようにしてもよい。

【0032】

引き続いて、切断方法及び切断面の処理に応じたチップの抗折強度に関する発明者の知見について説明する。図８の（ａ）は、ブレードでの切断（以下、「ブレードダイシング」という）により形成されたチップ（以下、「ＢＤチップ」という）の切断面を示している。図８の（ｂ）は、上記のように改質領域を利用した切断（以下、「ステルスダイシング」という）により形成されたチップ（以下、「ＳＤチップ」という）の切断面を示している。また、図８の（ｃ）は、ＳＤチップの切断面にエッチングを施したチップ（以下、「ＳＤエッチングチップ」という）の切断面を示している。また、図８の（ｄ）は、厚さ方向の片側のみに改質領域を形成しつつ劈開を利用して得られたチップ（以下、「ＳＤ片側集光チップ」という）の切断面を示している。さらに、図８の（ｅ）は、ＳＤ片側集光チップの切断面にさらにエッチングを施したチップ（以下、「ＳＤ片側集光エッチングチップ」という）の切断面を示している。

【0033】

図９は、図８に示された各チップの抗折強度を示すグラフである。図９の点群Ａ１は、ＢＤチップの抗折強度を示し、図９の点群Ａ２は、ＳＤチップの抗折強度を示し、図９の点群Ａ３は、ＳＤエッチングチップの抗折強度を示し、図９の点群Ａ４は、ＳＤ片側集光チップの抗折強度を示し、図９の点群Ａ５は、ＳＤ片側集光エッチングチップの抗折強度を示している。点群Ａ１と点群Ａ２とを比較すると、ブレードダイシングを利用したＢＤチップに比べて、ステルスダイシングを利用したＳＤチップの方が、抗折強度が向上し、且つ、抗折強度のバラつきが抑制されていることが理解される。さらに、ステルスダイシングを利用したチップについては、エッチングを行ったり（点群Ａ３，Ａ５）劈開を利用したしたり（点群Ａ４，Ａ５）することにより、抗折強度は向上するものの、抗折強度のバラつきも大きくなる。

【0034】

これに対して、本発明者は、ＳＤチップに対して応力を付加することにより、抗折強度のバラつきを抑制しつつ、抗折強度を向上可能であるとの知見を得た。図１０は、本発明者が得た第１の知見を説明するためのグラフである。図１０の点群Ｂ０は、通常の（応力の負荷を行っていない）ＳＤチップの抗折強度（静的破壊応力）を示している。点群Ｂ０に属するＳＤチップの平均破壊強度は３６３ＭＰａであり、最大破壊強度は３９６ＭＰａであり、最小破壊強度は３１８ＭＰａであり、ワイブル係数は１９．３であった。ＢＤチップのワイブル係数が３～４程度であることを勘案すると、通常のＳＤチップであっても、抗折強度のバラつきが抑制されている。

【0035】

これに対して、点群Ｂ１は、通常のＳＤチップの平均破壊強度である３６３ＭＰａの８４％程度に相当する３０６ＭＰａの応力Ｆを１００００回繰り返し付加した場合の抗折強度を示している。点群Ｂ０と点群Ｂ１とを比較すると、最大破壊強度の変化は少ないものの、点群Ｂ１は平均的に高い値に分布しており、抗折強度のバラつきが抑制されて平均破壊強度が向上されていることが理解される。

【0036】

点群Ｃ１、点群Ｃ２、及び、点群Ｃ３は、通常のＳＤチップの平均破壊強度である３６３ＭＰａの９８％程度に相当する３５７ＭＰａの応力Ｆを、それぞれ、１０００回、１００００回、及び、１０００００回付加した場合の抗折強度を示している。点群Ｂ０とこれらの点群Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３とを比較すると、点群Ｃ１から点群Ｃ３にかけて、平均的に、抗折強度のバラつきが抑制されつつも分布の中心が高くなり、平均破壊強度が向上されていることが理解される。

【0037】

点群Ｄ１、点群Ｄ２、点群Ｄ３、点群Ｄ４、及び、点群Ｄ５は、通常のＳＤチップの平均破壊強度である３６３ＭＰａの１０５％程度に相当する３８２ＭＰａの応力Ｆ（すなわち、平均破壊強度よりも大きな値）を、それぞれ、１回、１０回、１０００回、１００００回、及び、１０００００回付加した場合の抗折強度を示している。点群Ｂ０と点群Ｄ１とを比較すると、相対的に大きな応力Ｆを付加する場合には、１回の付加でも抗折強度のバラつきを抑制しつつ抗折強度を向上可能であることがわかる。

【0038】

さらに、点群Ｄ２から点群Ｄ５にかけて、平均的に、抗折強度のバラつきが抑制されつつも（点群Ｂ０と比較して）分布の中心が高くなり、平均破壊強度が向上されていることが理解される。特に、点群Ｄ４では、平均破壊強度が４２５Ｍａであり、最大破壊強度が４７６ＭＰａであり、最小破壊強度が３８４ＭＰａであり、ワイブル係数が１９．２であった。すなわち、点群Ｂ０と点群Ｄ４とを比較すると、ワイブル係数の変化が少ない状況で、すなわち、ＢＤチップと比較してバラつきが抑制された状況で、通常のＳＤチップに対して１１７％程度も抗折強度が向上されている。

【0039】

図１１は、本発明者が得た第２の知見を説明するためのグラフである。点群Ｅ１、点群Ｅ２、点群Ｅ３、点群Ｅ４、点群Ｅ５、点群Ｅ６は、通常のＳＤチップの平均破壊強度である３６３ＭＰａの９８％程度に相当する３５７ＭＰａの応力Ｆを、それぞれ、１時間、５時間、１日、２日、３日、及び、１９日だけ保持した場合の抗折強度を指名している。点群Ｂ０と点群Ｅ１とを比較すると、応力Ｆを保持する時間が１時間であっても、点群Ｅ１は平均的に高い値に分布しており、抗折強度のバラつきが抑制されて平均破壊強度が向上されていることが理解される。

【0040】

さらに、点群Ｅ１から点群Ｅ６にかけて、平均的に、抗折強度のバラつきが抑制されつつも（点群Ｂ０を比較して）分布の中心が高くなり、平均破壊強度が向上されていることが理解される。特に、点群Ｅ１から点群Ｅ６の全体では、平均破壊強度が４１８Ｍａであり、最大破壊強度が４９９ＭＰａであり、最小破壊強度が３７６ＭＰａであり、ワイブル係数が１５．７であった。すなわち、例えばＢＤチップと比較してワイブル係数の変化が少ない状況で、すなわち、ＢＤチップと比較してバラつきが抑制された状況で、通常のＳＤチップに対して１１５％程度も抗折強度が向上されている。つまり、いずれかの方法でもＳＤチップに応力を付加すれば、ワイブル係数を大きく低下させることなく、２０％近く抗折強度を向上可能であるとの知見が得られた。

【0041】

本実施形態に係るチップ製造方法では、以上の知見に基づいて、次のような作用効果が得られるのである。すなわち、本実施形態に係るチップ製造方法では、対象物１１にレーザ光Ｌを照射することによって対象物１１に改質領域１２を形成し、それらを利用して対象物１１を切断してチップ５０を形成する。これと共に、チップ５０に対して応力Ｆを付加する。上記知見によれば、このようにチップ５０に応力Ｆを付加することにより、抗折強度のバラつきを抑制しつつ抗折強度を向上可能である。

【0042】

また、本実施形態に係るチップ製造方法では、第３工程では、複数回にわたってチップ５０に応力Ｆを付加してもよい。この場合、抗折強度をより確実に向上可能である。或いは、本実施形態に係るチップ製造方法では、第３工程では、チップ５０に応力Ｆを付加した状態を所定時間維持してもよい。この場合、抗折強度をより確実に向上可能である。

【0043】

また、本実施形態に係るチップ製造方法では、対象物１１には、複数のラインＡが設定されており、第１工程では、複数のラインＡのそれぞれに沿ってレーザ光Ｌを照射することにより、複数のラインＡのそれぞれに沿って対象物１１に改質領域１２を形成する。また、第２工程では、複数のラインＡのそれぞれに沿って対象物１１を切断することにより、対象物１１から複数のチップ５０を形成する。そして、第３工程では、複数のチップ５０に一括して応力Ｆを付加する。このため、抗折強度の向上された複数のチップ５０を一括して製造可能である。

【0044】

また、本実施形態に係るチップ製造方法では、応力Ｆは、チップ５０の平均破壊強度の８０％以上（例えば８４％以上）の値であってもよく、チップ５０の平均破壊強度の９０％以上（例えば９８％以上）の値であってもよく、さらに、チップ５０の平均破壊強度よりも大きな値（例えば１０５％以上の値）であってもよい。これらの場合、抗折強度をより確実に向上可能である。

【0045】

以上の実施形態は、本発明の一側面を説明したものである。したがって、本発明は、上記実施形態に限定されず、任意に変形され得る。

【0046】

例えば、上記実施形態では、第２工程でチップ５０を形成した後に、レーザ加工装置１において、又は、別の装置に移送して、第３工程でチップ５０に応力Ｆを付加する場合について説明した。しかし、第２工程と第３工程とは同時に実施されてもよい。すなわち、チップ製造方法では、第１工程の後に、改質領域１２を利用してラインＡに沿って対象物１１を切断することにより、対象物１１からチップ５０を形成すると共にＺ方向に沿ってチップ５０に応力Ｆを付加する第２工程を実施することができる。この場合、一例として、押圧部材２３によりフィルム２１を突き上げる際に、既に対象物１１上にジグ１００を配置しておけばよい。或いは、ジグ１００を用いることなく、押圧部材２３の突き上げによる応力をチップ５０に付加するようにしてもよい。

【符号の説明】

【0047】

１…レーザ加工装置、１１…対象物、１１ａ…第１面、１１ｂ…第２面、５０…チップ、Ａ…ライン、Ｆ…応力、Ｌ…レーザ光。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】