特開 2022-134687出願番号 特願 2021-33988
半導体駆動回路及び電力変換装置
出願人 新電元工業株式会社（識別番号 2037）
2026年 特許公開件数ランキング 699位 28件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 332位 65件（※）
公報発行日 2022年9月15
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2022-134687 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】ノイズ等によりスイッチング素子が誤点弧する恐れが低い場合に、そのスイッチング素子のソースからドレインへの逆電流導通時の逆導通電圧降下を減少させ、逆導通損失を低減する。
【解決手段】ＬＬＣ回路等の電力変換装置は、半導体駆動回路を有している。半導体駆動回路は、スイッチング素子３２，３３が直列に接続されたアームと、そのスイッチング素子３２と３３とを同時にオフ状態になるデッドタイムをおいて相補的にオン／オフ駆動する駆動回路３４，３５と、を備えている。各駆動回路３４，３５は、スイッチング素子３２又は３３の誤点弧が発生し易くなる情報を基に、そのスイッチング素子３２又は３３をオフ状態にするための負バイアスのバイアス量を変化させる。
【選択図】図１
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は、ＬＬＣ回路や位相シフト回路等の従来の電力変換装置において、軽負荷時にＺＶＳが困難となり、ハードスイッチングによるノイズ発生により、ゲートの誤点弧が発生し易く、逆に重負荷時はＺＶＳによりノイズが発生しにくい点に着目し、第１スイッチング素子又は第２スイッチング素子の誤点弧が発生し易くなる情報（例えば、負荷の状態が重負荷か又は軽負荷かの情報等）を基に、第１スイッチング素子又は第２スイッチング素子をオフ状態にするための負バイアスのバイアス量を変化させている。これにより、ノイズ等により誤点弧する恐れが低い場合に、スイッチオフ時の負バイアス量を変化させることで、ＬＬＣ回路や位相シフト回路等のデッドタイム期間中に生じるような、ソースからドレインへの逆電流導通時の電圧降下を減少させ、逆導通損失を低減することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
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