特開 2022-135151 はんだの溶融持続時間算出方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022135151

(43)【公開日】2022-09-15

(54)【発明の名称】はんだの溶融持続時間算出方法

(51)【国際特許分類】

   B23K 1/00 20060101AFI20220908BHJP

   H01L 21/52 20060101ALI20220908BHJP

   B23K 1/20 20060101ALI20220908BHJP

   B23K 35/30 20060101ALN20220908BHJP

   C22C 5/02 20060101ALN20220908BHJP

【ＦＩ】

B23K1/00 Z

H01L21/52 E

B23K1/20 Z

B23K35/30 310A

C22C5/02

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021034772

(22)【出願日】2021-03-04

(71)【出願人】

【識別番号】000166948

【氏名又は名称】シチズンファインデバイス株式会社

(71)【出願人】

【識別番号】000001960

【氏名又は名称】シチズン時計株式会社

(72)【発明者】

【氏名】宮本 光教

【テーマコード（参考）】

5F047

【Ｆターム（参考）】

5F047BA01

5F047BA42

(57)【要約】      （修正有）

【課題】はんだ、特に薄膜はんだにおける溶融持続時間の算出方法を提供し、算出されたはんだの溶融持続時間に基づいて適切な厚さ、組成のはんだを設計し、信頼性の高い接合体を提供する。
【解決手段】金属材料表面に形成されたはんだの溶融持続時間算出方法であって、前記はんだを融点以上で加熱し溶融したときに前記はんだと前記金属材料との界面において生成される前記はんだと前記金属材料からなる金属間化合物の組成比と、当該金属間化合物の生成速度と、に基づき前記はんだの溶融持続時間を算出する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

金属材料表面に形成されたはんだの溶融持続時間算出方法であって、前記はんだを融点以上で加熱し溶融したときに前記はんだと前記前記金属材料との界面において生成される前記はんだと前記金属材料からなる金属間化合物の組成比と、当該金属間化合物の生成速度と、に基づき前記はんだの溶融持続時間を算出することを特徴とするはんだの溶融持続時間算出方法。

【請求項2】

前記はんだが共晶点を有する２元合金を主成分とする共晶はんだであって、前記はんだの共晶点から過共晶側と、共晶点から亜共晶側とのそれぞれの溶融持続時間を算出し、そのそれぞれの溶融持続時間の和を前記はんだの総溶融持続時間とすることを特徴とする溶融持続時間算出方法。

【請求項3】

前記はんだはＡｕＳｎはんだ、前記金属材料はＰｔであり、前記はんだに含まれるＡｕとＳｎの原子比をそれぞれＭ_Ａｕ、Ｍ_Ｓｎ、前記金属間化合物のＡｕ、Ｓｎの原子比をそれぞれＲ_Ｓｎ、Ｒ_Ａｕ、前記金属材料の原子数消費速度をＭ_Ｐｔ、前記はんだの共晶点におけるＡｕとＳｎの原子数をそれぞれＭ_{Ｓｎ０２９}とＭ_{Ａｕ０７１}、前記はんだが所定温度で溶融停止するＳｎの組成をＣ’_Ｓｎとしたとき、前記はんだの溶融持続時間Ｓは数式１によって算出されることを特徴とする請求項２に記載のはんだの溶融持続時間算出方法。

【数1】

【請求項4】

前記はんだの膜厚が１０μｍ以下の薄膜はんだであることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載の溶融持続時間算出方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、部材同士を接合するために用いる、はんだの溶融持続時間の算出方法に関する。

【背景技術】

【0002】

電子機器の内部には、多数の電子部品が用いられており、これらの部材の多くは回路基板上にはんだ材料を用いて接合される。接合には、古くはＰｂＳｎはんだが用いられてきたが、近年では、環境影響の観点からＰｂフリーはんだが広く使われている。

【0003】

Ｐｂフリーはんだとしては、ＩｎＳｎ、ＳｎＡｇＣｕ、ＡｕＳｎなどのＳｎ系はんだや、Ｓｎ系はんだより高融点であるＡｕＧｅ、ＡｕＳｉなどのＡｕ系はんだ等が用いられている。中でもＳｎＡｇＣｕはんだは安価で融点も低いため広く用いられ、高い信頼性を要求される部材には、ＡｕＳｎはんだが好ましく用いられている。特許文献１には、このようなＰｂフリーはんだによって電子部品と回路基板とを高い接合強度で接続するための接続条件を算出する方法が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特許第４１３６６４１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

はんだ接合において、はんだと接合される電子部品や回路基板には、はんだとの接合のための金属材料からなる金属膜が形成されており、この金属膜とはんだとが接合される。はんだ接合の際、はんだは溶融すると、はんだと金属膜とが反応してはんだと金属膜との界面にはんだと金属膜とを構成する材料からなる金属間化合物が生成される。この金属間化合物の生成は、はんだの溶融時間の経過とともに進行する。

【0006】

多くの電子部品の場合、電子部品と回路基板とは多量のはんだ材料を用いて接合される。このように多量のはんだ材料を用いた接合の場合、はんだの溶融が長時間に及んでも、はんだのうち金属間化合物となる部分の占める割合は小さく、はんだの大部分の組成に変化はない。したがって、はんだの溶融持続時間に大きな影響はなく、はんだを融点以上の温度で加熱すれば、何度でも溶融させ、接合することができる。

【0007】

しかし、電子部品の中でも特にレーザー素子等の部品は、高い位置精度での実装と、高い接合信頼性が要求されるため、厚さ１～３μｍ程度の薄膜はんだを用いて接合するのが一般的である。このような薄膜はんだを利用した接合の場合、はんだの溶融時間の経過とともに金属間化合物の生成が進み、はんだの量が少ない（薄膜である）ことより、短い溶融時間の間ではんだの大部分の組成が金属化合物の組成へと変化してしまう。このようにはんだの組成が変動すれば、はんだの融点が変動し、たちまちはんだが固化してしまい、適切な接合が行えないといった問題が発生する。したがって、はんだにより部材が接合された接合体において、高い信頼性を有する接合体を得るためには、はんだの溶融持続時間は一つの重要な要素であり、はんだの溶融持続時間を制御すること、すなわち、はんだ組成の時間的変動を適切に制御することが重要である。

【0008】

本発明は、上記課題を鑑みて成されたものであり、はんだ、特に薄膜はんだにおける溶融持続時間の算出方法を提供し、算出されたはんだの溶融持続時間に基づいて適切な厚さ、組成のはんだを設計し、信頼性の高い接合体の提供に寄与するためのものである。

【課題を解決するための手段】

【0009】

金属材料表面に形成されたはんだの溶融持続時間算出方法であって、前記はんだを融点以上で加熱し溶融したときに前記はんだと前記前記金属材料との界面において生成される前記はんだと前記金属材料からなる金属間化合物の組成比と、当該金属間化合物の生成速度と、に基づき前記はんだの溶融持続時間を算出するはんだの溶融持続時間算出方法とする。
さらに、前記はんだが共晶点を有する２元合金を主成分とする共晶はんだであって、前記はんだの共晶点から過共晶側と、共晶点から亜共晶側とのそれぞれの溶融持続時間を算出し、そのそれぞれの溶融持続時間の和を前記はんだの総溶融持続時間とする溶融持続時間算出方法とする。
さらにまた、前記はんだはＡｕＳｎはんだ、前記金属材料はＰｔであり、前記はんだに含まれるＡｕとＳｎの原子比をそれぞれＭ_Ａｕ、Ｍ_Ｓｎ、前記金属間化合物のＡｕ、Ｓｎの原子比をそれぞれＲ_Ｓｎ、Ｒ_Ａｕ、前記金属材料の原子数消費速度をＭ_Ｐｔ、前記はんだの共晶点におけるＡｕとＳｎの原子数をそれぞれＭ_{Ｓｎ０２９}とＭ_{Ａｕ０７１}、前記はんだが所定温度で溶融停止するＳｎの組成をＣ’_Ｓｎとしたとき、前記はんだの溶融持続時間Ｓは次式によって算出されるはんだの溶融持続時間算出方法とする。

また、前記はんだの膜厚が１０μｍ以下の薄膜はんだである溶融持続時間算出方法とする。

【発明の効果】

【0010】

本発明によれば、はんだの溶融持続時間を算出することができ、算出されたはんだの溶融持続時間に基づいて適切な厚さ、組成のはんだを設計することで信頼性の高い接合体の提供に寄与することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】ＡｕＳｎ共晶はんだの溶融持続時間を算出する計算モデル図であり、半導体レーザー素子を接合するための薄膜サブマウントの断面構造を模式的に示した図である。

【図2】実験より推定されたＰｔ消費速度を示す図である。

【図3】ＡｕＳｎ状態図の共晶点近傍を示した図である。

【図4】ＡｕＳｎ状態図上の共晶点より亜共晶側の液相線をプロットし、グラフ化した図である。

【図5】ＡｕＳｎはんだの溶融持続時間の実験値と計算値とを比較した図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、図面を参照して、本発明に係るはんだの溶融持続時間算出方法について説明する。ここでは、はんだとして、薄膜のＡｕＳｎ共晶はんだを例としてはんだの溶融持続時間の算出方法を説明する。但し、本発明の技術的範囲はそれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶ点に留意されたい。

【0013】

図１は、ＡｕＳｎ共晶はんだの溶融持続時間を算出する計算モデル図であり、半導体レーザー素子を接合するための薄膜サブマウントの断面構造を模式的に示した図である。薄膜サブマウント１００は、ＡｌＮ基板（セラミック基板）１０１の表面に、半導体レーザー素子等の電子部品と薄膜サブマウント１００とを接合するためのＡｕＳｎはんだ２０３を備える。ＡｌＮ基板１０１とＡｕＳｎはんだ２０３の間には、ＡｕＳｎはんだ２０３側より、バリア層と呼ばれるＰｔ層２０２、Ｐｔ層２０２とＡｌＮ基板（セラミック基板）１０１と密着するためのＴｉ層２０１が配置されている。薄膜サブマウント１００のＡｕＳｎはんだ２０３の上面には、電子部品（不図示）のメタライズ（Ａｕ）面が接合される。

【0014】

ＡｕＳｎはんだ２０３が溶融したとき、仮にＡｕＳｎはんだ２０３の組成変動がゼロであれば理論上、半永久的に溶け続ける。しかし現実には、ＡｕＳｎはんだ２０３が溶融すると、ＡｕＳｎはんだ２０３とＰｔ層２０２との間で界面反応が起こり、界面にＰｔとＡｕとＳｎからなる金属間化合物（ＩＭＣ：ＩｎｔｅｒＭｅｔａｌｌｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）が生成される。ここで、Ｐｔ層２０２の下層に配置されたＴｉ層２０１は、ＡｕＳｎ層２０３と反応しないため、ＩＭＣにはＴｉは含まれない。ＡｕＳｎはんだ２０３とＰｔ層２０２との間で生成されるＩＭＣは、代表的にはＰｔＳｎ_４ＡｕのようにＳｎリッチの組成と考えられるので、ＩＭＣの生成量に比例してＡｕＳｎはんだ２０３中のＳｎは、その多くがＩＭＣの組成へと置き換わる。換言すると、ＡｕＳｎはんだ２０３中のＳｎはＩＭＣ生成によって大量に消費されることとなる。また、同様にＰｔ層２０２のＰｔもＩＭＣの生成により消費される。このようにＩＭＣが生成されると、ＩＭＣに含まれるＳｎはＡｕＳｎはんだ２０３中から供給されたものであるため、結果的にＡｕＳｎの組成はＡｕリッチ側に組成変化し、ＡｕＳｎはんだ２０３の加熱温度が一定であってもやがて固化し、溶融が停止することとなる。

【0015】

本発明は、このＩＭＣの生成に着目し、ＡｕＳｎはんだ２０３の溶融持続時間を算出するものであり、より具体的には、金属材料表面に形成されたはんだにおいて、はんだと金属材料との界面に形成される金属間化合物（ＩＭＣ）の組成（原子数）と、ＩＭＣの生成速度とに基づいて、はんだの溶融持続時間を算出するものである。本発明は、特にはんだが薄膜（体積が極めて小さい）の場合に特に有用である。なお、ここでいう薄膜とは、１０μｍ以下の膜厚のことである。

【0016】

上記モデルケースにおいて、ＡｕＳｎはんだ２０３の溶融持続時間は、以下の算出方法により求めることができる。ＡｕＳｎはんだ２０３の溶融持続時間を得るため、まず、ＡｕＳｎはんだ２０３を構成する材料である、Ａｕ、Ｓｎの組成を求める。ＡｕＳｎはんだ２０３中のＡｕの組成は、ＡｕとＳｎの密度と厚さから数式１で表すことができる。ここで、ｄ_Ａｕとｄ_ＳｎはそれぞれＡｕとＳｎの密度（ｇ／ｃｍ^３）であり、Ｄ_ＡｕとＤ_ＳｎはＡｕＳｎはんだ２０３中のＡｕとＳｎに対応する厚さ（ｍ）である。ＡｕＳｎはんだ２０３の反応場の面積は一定であると仮定すれば、Ｄ_ＡｕとＤ_Ｓｎは体積と等価と考えて差し支えない。

【0017】

【数1】

【0018】

次に、数式１で求められるＡｕの組成より、ＡｕＳｎはんだ２０３を構成する材料であるＡｕ、Ｓｎの組成（原子数）を算出する。数式１からＤ_ＡｕとＤ_Ｓｎについて解けば、Ｄ_ＡｕとＤ_Ｓｎはそれぞれ数式２、数式３となる。

【0019】

【数2】

【0020】

【数3】

【0021】

数式２、数式３により求められたＡｕとＳｎの厚さＤ_ＡｕとＤ_Ｓｎを用い、数式４、数式５によってＡｕとＳｎの原子数Ｍ_ＡｕとＭ_Ｓｎが求められる。ここで、Ｓ_ｒはＡｕＳｎが融解する面積（反応場の面積）、Ｎ_Ａはアボガドロ定数（６．０２×１０２３ａｔｏｍｓ／ｍｏｌ）、ｍ_Ａｕとｍ_ＳｎはそれぞれＡｕとＳｎのモル質量（ｇ／ｍｏｌ）である。

【0022】

【数4】

【0023】

【数5】

【0024】

次に、ＡｕＳｎはんだ２０３のＡｕとＳｎの組成変動がすなわち溶融持続時間を決定することより、この組成変動量を求めるために、ＡｕＳｎと反応するＰｔ層２０２のＰｔ原子の消費速度を求める。図２は、実験より推定されたＰｔ消費速度を示す図である。図２は、ＡｌＮ基板１０１上にＰｔ層２０２を蒸着により形成したときの、ＡｌＮ基板１０１の加熱温度とＰｔ層２０２の消費速度との関係を示す。図２に示すように、Ｐｔ消費速度Ｃ_Ｐｔは、加熱温度Ｔの２次関数に近似することができ、ＡｌＮ基板１０１の加熱温度Ｔが３００℃＜Ｔ＜３８０℃においては、数式６に示す２次関数で近似できる。

【0025】

【数6】

【0026】

なお、数式６は、Ｐｔ層２０２を蒸着法で成膜した場合のＰｔ消費速度Ｃ_Ｐｔであり、Ｐｔ層２０２の製法を例えばスパッタ法等に変更した場合、Ｐｔ消費速度Ｃ_Ｐｔは変化する。このように、Ｐｔ層２０２に代表されるはんだの下地層となる金属材料の消費速度はその製法や加熱温度により変化するため、消費速度を適宜調整することで、はんだの溶融持続時間を調整することが可能である。

【0027】

数式６で得られるＰｔ消費速度Ｃ_Ｐｔ （ｎｍ／ｓ）から、Ｐｔ原子数消費速度Ｍ_Ｐｔ （ａｔｏｍｓ／ｓ）について数式７を使って求めることができる。ここで、ｄ_ＰｔはＰｔの密度、ｍ_ＰｔはＰｔのモル質量である。なお、Ｐｔ消費速度Ｃ_Ｐｔ、Ｐｔ原子数消費速度Ｍ_Ｐｔは、ＡｕＳｎはんだ２０３とＰｔ層２０２とが反応する速度であり、換言すれば、ＩＭＣ生成速度を示している。

【0028】

【数7】

【0029】

次に、ＡｕＳｎはんだ２０３の溶融持続時間を求めていく。図３は、ＡｕＳｎ状態図の共晶点近傍を示した図である。ＡｕＳｎはんだ２０３を融点以上で加熱した時、ＰｔとＳｎとＡｕからなるＩＭＣ（例えば、ＰｔＳｎ_４Ａｕ）で大量のＳｎが消費されるため、ＡｕＳｎはんだ２０３のＡｕ組成が上がる（Ｓｎ組成が下がる）方向に組成変化する。つまり、溶融されたＡｕＳｎはんだ２０３の状態は、例えば、溶融開始点を溶融開始点Ａ（過共晶）とすると、溶融とともに組成が変化していき、共晶点Ｅｐを通って溶融終了点Ｂ（亜共晶）に達することになる。溶融持続時間を（１）開始点Ａ～共晶点Ｅｐ、（２）共晶点Ｅｐ～溶融終了点Ｂまで、の２つのプロセスに分解して計算する。プロセス（１）では、ＡｕＳｎはんだ２０３の組成変動が進行する（Ｓｎ組成が下がる）にしたがい、共晶点に向かい液相線が下がるため、ＡｕＳｎはんだ２０３は途中で固化することは無い。プロセス（２）では、組成変動が進行する（Ｓｎ組成が下がる）にしたがい液相線が上がるため、所定の加熱温度ＴにおけるＡｕＳｎはんだ２０３の組成が液相線を越え固液共存または固相となるまでＡｕＳｎはんだ２０３は溶融持続し、液相線を超えると固化する。

【0030】

第一に、プロセス（１）の溶融持続時間Ｓ１（ｓ）を求める。ＡｕＳｎはんだ２０３のＳｎの組成Ｃ_Ｓｎ（ａｔｏｍｉｃ％）は数式８で表せる。ここで、Ｍ’_ＡｕとＭ’_ＳｎはＡｎＳｎ溶融中のＡｕとＳｎの原子数である。

【0031】

【数8】

【0032】

ＡｕとＳｎの原子数Ｍ’_ＡｕとＭ’_Ｓｎは、以下のようにＩＭＣの化合物原子比Ｒ_Ｓｎ、Ｒ_ＡｕとＰｔ消費原子数Ｍ_Ｐｔによって数式９、数式１０により計算できる。ここで、Ｒ_ＳｎとＲ_ＡｕはそれぞれＩＭＣ中のＡｕ、Ｓｎの原子比である。例えば、ＩＭＣがＰｔＳｎ_４Ａｕと仮定すれば、Ｒ_Ｓｎ＝４、Ｒ_Ａｕ＝１である。なお、プロセス（１）では共晶点までの溶融であるのでＡｕＳｎはんだ２０３のＳｎの組成Ｃ_Ｓｎ＝０．２９である。

【0033】

【数9】

【0034】

【数10】

【0035】

そして、数式８に数式９，数式１０を代入してＳ１について解けば、プロセス（１）のＡｕＳｎはんだ２０３の溶融持続時間Ｓ１は数式１１となる。但し、ここではＩＭＣの組成および生成速度は、溶融経過時間によらず不変としている。

【0036】

【数11】

【0037】

第二に、プロセス（２）の溶融持続時間Ｓ２（ｓ）を求める。まず、温度Ｔで溶融停止するＡｕＳｎはんだ２０３のＳｎの組成Ｃ’_Ｓｎを求める。図４は、ＡｕＳｎ状態図上の共晶点より亜共晶側（図３の左側）の液相線をプロットし、グラフ化した図である。図４の近似曲線を数式化し、Ｃ’_ＳｎはＴの関数として、数式１２で表すことができる。

【0038】

【数12】

【0039】

そして、Ｓ１を求めた時と同様に、ＡｕＳｎはんだ２０３の溶融中のＡｕＳｎ組成Ｃ’_ＳｎとＡｕとＳｎの原子数Ｍ’’_ＡｕとＭ’’_Ｓｎは数式１３、数式１４、数式１５で表される。ここで、Ｍ_{Ｓｎ０２９}とＭ_{Ａｕ０７１}は、共晶点におけるＡｕとＳｎの原子数である。

【0040】

【数13】

【0041】

【数14】

【0042】

【数15】

【0043】

数式１３に数式１４，数式１５を代入してＳ２について解けば、プロセス（２）におけるＡｕＳｎはんだ２０３の溶融持続時間Ｓ１は数式１６となる。

【0044】

【数16】

【0045】

最後に、ＡｕＳｎはんだ２０３の総溶融持続時間Ｓ_{ｔｏｔａｌ}（ｓ）は、数式１７で求められる。

【0046】

【数17】

【0047】

ここで、上記により算出されたはんだの溶融持続時間について検証する。図５は、ＡｕＳｎ組成Ａｕ＝６８ｗｔ％（Ｓｎ＝３２ｗｔ％）、膜厚５μｍのＡｕＳｎを蒸着法で成膜したＰｔ層上で溶融させたときの溶融持続時間の実験値と、上述した算出方法で計算した計算値をプロットし比較した図である。図５に示す通り、実験値と計算値は概ね、一致していることがわかる。

【0048】

本発明のはんだの溶融持続時間算出方法は、次のような場合に活用できる。例えば、半導体レーザー素子を基板に接合する場合、はんだの接合温度に加え、パルス加熱（短時間）やリフロー加熱（長時間）など、接合条件範囲は様々考えられる。上述のモデルケースで考えた場合、Ｐｔ層とＡｕＳｎはんだ間で生成されるＩＭＣ（ＰｔＳｎ_４Ａｕ）は、後の接合強度に関係しており、ＩＭＣの生成が少ないと接合強度が低下し、逆に生成が多すぎると、ＡｕやＳｎ、Ｐｔの拡散速度の違いからカーケンダルボイドが生成してしまい、これもまた接合強度低下につながってしまう。すなわち、ＩＭＣ生成量を適度に調整する必要がある。

【0049】

上述した溶融持続時間算出方法で明らかになったように、ＡｕＳｎはんだ２０３の溶融持続時間は、主にＡｕＳｎはんだ２０３の組成と膜厚、Ｐｔ消費速度の３つの因子から成る。従って、溶融持続時間が、要求される接合条件の下で、最適な時間となるように３つの因子を任意調整することで、接合構造体を設計することが可能となる。

【0050】

具体的には、ＡｕＳｎはんだ２０３の組成は、ＡｕＳｎはんだ２０３成膜時のＡｕとＳｎの蒸発レートを変更することによって調整し、ＡｕＳｎはんだ２０３の膜厚は、成膜時の時間を変更することによって調整し、Ｐｔ消費速度は、成膜法および成膜時の温度を変更することにより調整可能である。以上の手段によって、任意の溶融持続時間を有する接合構造体を設計・製造することが可能となる。

【0051】

以上、本発明のはんだの溶融持続時間算出方法を、実施例に基づき説明してきたが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。例えば、実施例では、はんだはを２元系合金からなるＡｕＳｎはんだ２０３としたが、例えば、ＳｎＡｇＣｕ系合金の３元共晶はんだとしてもよい。その場合においても、はんだと接する金属材料とはんだとの金属間化合物の組成比と、その生成速度を実施例と同様の考えで求めて溶融持続時間を求めることができる。また、はんだは共晶型に限らずＳｎＳｂ包晶型はんだ等の非共晶であってもよい。その場合、共晶はんだを例とする実施例ではプロセス（１）、プロセス（２）に分割し、それぞれのプロセスにおけるはんだの溶融持続時間を算出し、その総和を最終的な溶融持続時間としたが、はんだ材料の状態図により、一つのプロセスで溶融持続時間を算出してもよい。また、実施例では、ＡｕＳｎはんだ２０３と接する金属材料をＰｔ層２０２としたが、他の金属材料でもよいことはいうまでもない。

【符号の説明】

【0052】

１００ 薄膜サブマウント
１０１ ＡｌＮ基板
２０１ Ｔｉ層
２０２ Ｐｔ層
２０３ ＡｕＳｎはんだ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】