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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022136636
(43)【公開日】2022-09-21
(54)【発明の名称】ＦＯＵＰ
(51)【国際特許分類】
H01L 21/673 20060101AFI20220913BHJP
B65D 85/38 20060101ALI20220913BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 T
B65D85/38 300
【審査請求】未請求
【請求項の数】4
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021036341
(22)【出願日】2021-03-08
(71)【出願人】
【識別番号】500296147
【氏名又は名称】大日商事株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】397049158
【氏名又は名称】株式会社ハーモテック
(74)【代理人】
【識別番号】100162396
【弁理士】
【氏名又は名称】山田 泰之
(74)【代理人】
【識別番号】100194803
【弁理士】
【氏名又は名称】中村 理弘
(72)【発明者】
【氏名】渡邊 直哉
(72)【発明者】
【氏名】中野 遼
(72)【発明者】
【氏名】服部 哲大
(72)【発明者】
【氏名】河西 裕二
(72)【発明者】
【氏名】徳永 英幸
(72)【発明者】
【氏名】田中 秀光
(72)【発明者】
【氏名】輿石 克洋
【テーマコード（参考）】
3E096
5F131
【Ｆターム（参考）】
3E096AA03
3E096BA16
3E096BB04
3E096CA02
3E096CB03
3E096DA01
3E096DA03
3E096DA09
3E096DB02
3E096FA19
3E096FA28
3E096GA04
3E096GA09
3E096GA12
5F131AA02
5F131BA32
5F131CA09
5F131CA23
5F131GA14
5F131GA33
5F131GA53
5F131GA69
5F131GA82
5F131JA33
(57)【要約】
【課題】薄型ウエハの搬送・保管に適したＦＯＵＰを提供すること。
【解決手段】半導体基板の搬入出を行う開口と半導体基板を収容する内部空間とを備えるカセットと、前記開口に開閉自在に設けられるドアとを有し、
前記カセットが、両側壁内面にウエハティースを備え、
前記ウエハティースが、半導体基板を支持する支持凸条を備え、
前記支持凸条の少なくとも先端を含む部分が、内方に向かって下方に傾斜しており、その先端の高さが、所定位置に収容した半導体基板外縁が位置する部分の高さより、７０μｍ以上低いＦＯＵＰ。
【選択図】図４
【解決手段】半導体基板の搬入出を行う開口と半導体基板を収容する内部空間とを備えるカセットと、前記開口に開閉自在に設けられるドアとを有し、
前記カセットが、両側壁内面にウエハティースを備え、
前記ウエハティースが、半導体基板を支持する支持凸条を備え、
前記支持凸条の少なくとも先端を含む部分が、内方に向かって下方に傾斜しており、その先端の高さが、所定位置に収容した半導体基板外縁が位置する部分の高さより、７０μｍ以上低いＦＯＵＰ。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体基板の搬入出を行う開口と半導体基板を収容する内部空間とを備えるカセットと、前記開口に開閉自在に設けられるドアとを有し、
前記カセットが、両側壁内面にウエハティースを備え、
前記ウエハティースが、半導体基板を支持する支持凸条を備え、
前記支持凸条の少なくとも先端を含む部分が、内方に向かって下方に傾斜しており、その先端の高さが、所定位置に収容した半導体基板の外縁が位置する部分の高さより、７０μｍ以上低いことを特徴とするＦＯＵＰ。
前記カセットが、両側壁内面にウエハティースを備え、
前記ウエハティースが、半導体基板を支持する支持凸条を備え、
前記支持凸条の少なくとも先端を含む部分が、内方に向かって下方に傾斜しており、その先端の高さが、所定位置に収容した半導体基板の外縁が位置する部分の高さより、７０μｍ以上低いことを特徴とするＦＯＵＰ。
【請求項2】
両側壁内面の前記ウエハティースが、それぞれ少なくとも２個の支持凸条を備え、
１枚の半導体基板を支持する支持凸条のうち、半導体基板の搬入出方向に最も離れた２個の支持凸条間の距離であるティース内支持距離が、１１０ｍｍ以上１７０ｍｍ以下であり、最も開口寄りに位置する２個の支持凸条間の距離である開口部支持距離が、２４５ｍｍ以上２７０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のＦＯＵＰ。
１枚の半導体基板を支持する支持凸条のうち、半導体基板の搬入出方向に最も離れた２個の支持凸条間の距離であるティース内支持距離が、１１０ｍｍ以上１７０ｍｍ以下であり、最も開口寄りに位置する２個の支持凸条間の距離である開口部支持距離が、２４５ｍｍ以上２７０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のＦＯＵＰ。
【請求項3】
前記ドアが、内面に半導体基板の移動を防止するストッパーを備え、
前記ドアを閉じた際に、前記ストッパーと収容された半導体基板との間に、１５００μｍ以下の間隔を有することを特徴とする請求項１または２に記載のＦＯＵＰ。
前記ドアを閉じた際に、前記ストッパーと収容された半導体基板との間に、１５００μｍ以下の間隔を有することを特徴とする請求項１または２に記載のＦＯＵＰ。
【請求項4】
半導体基板の搬入出を行う開口と半導体基板を収容する内部空間とを備えるカセットと、前記開口に開閉自在に設けられるドアとを有し、
前記ドアが、内面に半導体基板の移動を防止するストッパーを備え、
前記ドアを閉じた際に、前記ストッパーと収容された半導体基板との間に、１５００μｍ以下の間隔を有することを特徴とするＦＯＵＰ。
前記ドアが、内面に半導体基板の移動を防止するストッパーを備え、
前記ドアを閉じた際に、前記ストッパーと収容された半導体基板との間に、１５００μｍ以下の間隔を有することを特徴とするＦＯＵＰ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、３００ｍｍ径半導体基板を搬送・保管等するための半導体搬送容器であるＦＯＵＰ、特に、薄型ウエハ用のＦＯＵＰに関する。
【背景技術】
【0002】
半導体の技術分野において、半導体基板をクリーン環境下で搬送・保管等するために内部をクリーンに保った半導体搬送容器が用いられており、３００ｍｍ径半導体基板用の容器として、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）が用いられている（非特許文献１）。
【0003】
ＦＯＵＰは、半導体基板の搬入出を行う開口と半導体基板を収容する内部空間とを備えるカセットと、この開口に開閉自在に設けられるドアとを有する。
カセットは、その内部空間が開口から見て略左右対称であり、両側壁内面には、左右一対のウエハティースを備える。ウエハティースは、複数枚の支持片を有し、この支持片の上面に内方に向かって伸びる支持凸条が形成されている。半導体基板は、この支持凸条の上に載置される。
ドアは、収容した半導体基板が動かないように、その内面に、ドアを閉じた際に半導体基板を奥側へ軽く押し付けるリテーナーを備える。
カセットは、その内部空間が開口から見て略左右対称であり、両側壁内面には、左右一対のウエハティースを備える。ウエハティースは、複数枚の支持片を有し、この支持片の上面に内方に向かって伸びる支持凸条が形成されている。半導体基板は、この支持凸条の上に載置される。
ドアは、収容した半導体基板が動かないように、その内面に、ドアを閉じた際に半導体基板を奥側へ軽く押し付けるリテーナーを備える。
【0004】
半導体基板は、その外周部に半導体製造に用いることのできない周辺部除外領域（Ｅｄｇｅ Ｅｘｃｌｕｓｉｏｎ Ａｒｅａ）を有し、この周辺部除外領域の内部に半導体製造に用いられる平坦度適用領域（Ｆｉｘｅｄ Ｑｕａｌｉｔｙ Ａｒｅａ）を有する。
ＳＥＭＩスタンダードでは、３００ｍｍ径ウエハの厚さは７７５μｍである。しかし、３００ｍｍ径ウエハの中には、半導体チップを小型化するために、厚さ２００μｍ以下とした薄型ウエハが存在する。薄型ウエハは、厚さが２００μｍ以下と薄いため、例えば、金属結晶からなるシリコンウエハであっても柔軟となり、取り扱い性に劣るという問題がある。薄型ウエハの取り扱い性を向上させるために、ウエハの外周部はそのままで、内側部分のみ研削して薄膜部としたＴＡＩＫＯウエハが提案されている（特許文献１、２、非特許文献２）。
ＳＥＭＩスタンダードでは、３００ｍｍ径ウエハの厚さは７７５μｍである。しかし、３００ｍｍ径ウエハの中には、半導体チップを小型化するために、厚さ２００μｍ以下とした薄型ウエハが存在する。薄型ウエハは、厚さが２００μｍ以下と薄いため、例えば、金属結晶からなるシリコンウエハであっても柔軟となり、取り扱い性に劣るという問題がある。薄型ウエハの取り扱い性を向上させるために、ウエハの外周部はそのままで、内側部分のみ研削して薄膜部としたＴＡＩＫＯウエハが提案されている（特許文献１、２、非特許文献２）。
【0005】
従来のＦＯＵＰにＴＡＩＫＯウエハである薄型ウエハＷを複数枚収容した際に開口側から見た模式図と、その支持片部分の拡大模式図を図９に示す。
カセットは、その両側壁内面に左右一対のウエハティース１１を備える。ウエハティース１１は、上下方向に一定間隔で配列した複数枚の支持片１２を備え、支持片１２の上面に内方に向かって伸びる支持凸条１３が形成されている。
収容された薄型ウエハＷは、その薄膜部が下方に撓んでしまうが、支持凸条１３に支えられた部分は撓むことができない。そのため、薄型ウエハＷの支持凸条１３に支えられた部分、特に支持凸条の先端部１３Ｅと接触する部分は、他の部分と比較して大きく変形し、負荷が集中する。この負荷が集中した部分、具体的には、先端部１３Ｅと接触した部分とその周辺部分は、欠陥が生じやすくなるため、半導体製造に用いることができず、１枚のウエハから取れるチップ数が少なくなり歩留まりが低下してしまう場合がある。
カセットは、その両側壁内面に左右一対のウエハティース１１を備える。ウエハティース１１は、上下方向に一定間隔で配列した複数枚の支持片１２を備え、支持片１２の上面に内方に向かって伸びる支持凸条１３が形成されている。
収容された薄型ウエハＷは、その薄膜部が下方に撓んでしまうが、支持凸条１３に支えられた部分は撓むことができない。そのため、薄型ウエハＷの支持凸条１３に支えられた部分、特に支持凸条の先端部１３Ｅと接触する部分は、他の部分と比較して大きく変形し、負荷が集中する。この負荷が集中した部分、具体的には、先端部１３Ｅと接触した部分とその周辺部分は、欠陥が生じやすくなるため、半導体製造に用いることができず、１枚のウエハから取れるチップ数が少なくなり歩留まりが低下してしまう場合がある。
【0006】
また、図９に示すように、ウエハティース１１は、上下に１０～２０ｍｍ程度の間隔で複数枚の支持片１２を備えるが、薄型ウエハＷが下方に撓むと、上下に収容された薄型ウエハＷの間に搬送アーム（厚さ６ｍｍ程度）を挿入する隙間が狭くなり、搬送不良が生じる場合がある。上下に収容した薄型ウエハＷの間に十分な隙間を設けるために、ウエハティース１１の支持片１２の一段置き等に薄型ウエハＷを収容することが行われているが、一つのＦＯＵＰに収容できるウエハの枚数が半分以下となるため生産性が低下し、また、必要なＦＯＵＰの個数が少なくとも２倍となってしまう。
【0007】
さらに、薄型ウエハをＦＯＵＰに収容してドアを閉じると、ドア内面のリテーナーが薄型ウエハを奥側へ軽く押し付けるが、この際、薄型ウエハに割れが発生する場合がある。薄型ウエハに割れが生じると、破片が飛び散ってＦＯＵＰ内部が汚染されるため、割れが生じたウエハのみならず、収容されているウエハの全てが不良となり、歩留まりが大きく低下してしまう。また、割れの発生したＦＯＵＰは、洗浄・乾燥が終わるまで使用できないため、生産性を落とさないためには、予備のＦＯＵＰを保有しておく必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】特開２００７－１９４６１号公報
【特許文献2】特開２００７－３５７５６号公報
【非特許文献】
【0009】
【非特許文献1】ＳＥＭＩ Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｅ４７．１、“ＭＥＣＨＡＮＩＣＡＬ ＳＰＥＣＩＦＩＣＡＴＩＯＮ ＦＯＲ ＦＯＵＰＳ ＵＳＥＤ ＴＯ ＴＲＡＮＳＰＯＲＴ ＡＮＤ ＳＴＯＲＥ ３００ｍｍ ＷＡＦＥＲＳ”
【非特許文献2】ＴＡＩＫＯプロセス、［ｏｎｌｉｎｅ］、令和２年１２月２日検索、株式会社ディスコ、インターネット＜URL：https://www.disco.co.jp/jp/solution/library/grinder/taiko_process.html＞
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
本発明は、特に、薄型ウエハの搬送・保管に適したＦＯＵＰを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の課題を解決するための手段は、以下の通りである。
１．半導体基板の搬入出を行う開口と半導体基板を収容する内部空間とを備えるカセットと、前記開口に開閉自在に設けられるドアとを有し、
前記カセットが、両側壁内面にウエハティースを備え、
前記ウエハティースが、半導体基板を支持する支持凸条を備え、
前記支持凸条の少なくとも先端を含む部分が、内方に向かって下方に傾斜しており、その先端の高さが、所定位置に収容した半導体基板の外縁が位置する部分の高さより、７０μｍ以上低いことを特徴とするＦＯＵＰ。
２．両側壁内面の前記ウエハティースが、それぞれ少なくとも２個の支持凸条を備え、
１枚の半導体基板を支持する支持凸条のうち、半導体基板の搬入出方向に最も離れた２個の支持凸条間の距離であるティース内支持距離が、１１０ｍｍ以上１７０ｍｍ以下であり、最も開口寄りに位置する２個の支持凸条間の距離である開口部支持距離が、２４５ｍｍ以上２７０ｍｍ以下であることを特徴とする１．に記載のＦＯＵＰ。
３．前記ドアが、内面に半導体基板の移動を防止するストッパーを備え、
前記ドアを閉じた際に、前記ストッパーと収容された半導体基板との間に、１５００μｍ以下の間隔を有することを特徴とする１．または２．に記載のＦＯＵＰ。
４．半導体基板の搬入出を行う開口と半導体基板を収容する内部空間とを備えるカセットと、前記開口に開閉自在に設けられるドアとを有し、
前記ドアが、内面に半導体基板の移動を防止するストッパーを備え、
前記ドアを閉じた際に、前記ストッパーと収容された半導体基板との間に、１５００μｍ以下の間隔を有することを特徴とするＦＯＵＰ。
１．半導体基板の搬入出を行う開口と半導体基板を収容する内部空間とを備えるカセットと、前記開口に開閉自在に設けられるドアとを有し、
前記カセットが、両側壁内面にウエハティースを備え、
前記ウエハティースが、半導体基板を支持する支持凸条を備え、
前記支持凸条の少なくとも先端を含む部分が、内方に向かって下方に傾斜しており、その先端の高さが、所定位置に収容した半導体基板の外縁が位置する部分の高さより、７０μｍ以上低いことを特徴とするＦＯＵＰ。
２．両側壁内面の前記ウエハティースが、それぞれ少なくとも２個の支持凸条を備え、
１枚の半導体基板を支持する支持凸条のうち、半導体基板の搬入出方向に最も離れた２個の支持凸条間の距離であるティース内支持距離が、１１０ｍｍ以上１７０ｍｍ以下であり、最も開口寄りに位置する２個の支持凸条間の距離である開口部支持距離が、２４５ｍｍ以上２７０ｍｍ以下であることを特徴とする１．に記載のＦＯＵＰ。
３．前記ドアが、内面に半導体基板の移動を防止するストッパーを備え、
前記ドアを閉じた際に、前記ストッパーと収容された半導体基板との間に、１５００μｍ以下の間隔を有することを特徴とする１．または２．に記載のＦＯＵＰ。
４．半導体基板の搬入出を行う開口と半導体基板を収容する内部空間とを備えるカセットと、前記開口に開閉自在に設けられるドアとを有し、
前記ドアが、内面に半導体基板の移動を防止するストッパーを備え、
前記ドアを閉じた際に、前記ストッパーと収容された半導体基板との間に、１５００μｍ以下の間隔を有することを特徴とするＦＯＵＰ。
【発明の効果】
【0012】
支持凸条の少なくとも先端部分が、内方に向かって下方に傾斜した傾斜部を備え、この傾斜部の内側先端の高さ（ｈ１）が、所定位置に収容した半導体基板の外縁が位置する部分の高さ（ｈ２）より、７０μｍ以上低い（ｈ２－ｈ１≧７０μｍ）ＦＯＵＰは、収容した薄型ウエハの薄膜部と支持凸条先端との接触を防ぐことができるため、平坦度適用領域における不良の発生を減らし、歩留まりを高く保つことができる。
ティース内支持距離が１１０ｍｍ以上１７０ｍｍ以下であり、開口部支持距離が２４５ｍｍ以上２７０ｍｍ以下であるＦＯＵＰは、薄型ウエハを収容しても撓み量が小さく、ウエハティースの全段に薄型ウエハを収容しても、収容した薄型ウエハの間に搬送アームを挿入することができるため、生産性に優れている。
ドアを閉じた際に、ストッパーと収容された半導体基板との間に、１５００μｍ以下の間隔を有するＦＯＵＰは、収容した半導体基板が押圧されないため、薄型ウエハを収容しても割れの発生を防止することができ、歩留まりと生産性を高く保つことができる。
ティース内支持距離が１１０ｍｍ以上１７０ｍｍ以下であり、開口部支持距離が２４５ｍｍ以上２７０ｍｍ以下であるＦＯＵＰは、薄型ウエハを収容しても撓み量が小さく、ウエハティースの全段に薄型ウエハを収容しても、収容した薄型ウエハの間に搬送アームを挿入することができるため、生産性に優れている。
ドアを閉じた際に、ストッパーと収容された半導体基板との間に、１５００μｍ以下の間隔を有するＦＯＵＰは、収容した半導体基板が押圧されないため、薄型ウエハを収容しても割れの発生を防止することができ、歩留まりと生産性を高く保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】第一実施態様であるＦＯＵＰを閉じた状態の概略図。
【図2】第一実施態様であるＦＯＵＰを開けた状態の概略図。
【図3】左側のウエハティースの斜視断面図。
【図4】第一実施態様であるＦＯＵＰの支持凸条に薄型ウエハを載置した状態の水平方向から見た拡大模式図。
【図5】第一実施態様であるＦＯＵＰが、所定の収容位置に薄型ウエハを収容した際の上方からの模式図。
【図6】ストッパーの概略図。
【図7】第一実施態様であるＦＯＵＰが、所定の収容位置に薄型ウエハを収容した際のストッパー近傍の上方からの模式図。
【図8】第二実施態様であるＦＯＵＰが、所定の収容位置に薄型ウエハを収容した際の上方からの模式図。
【図9】従来のＦＯＵＰが薄型ウエハを複数枚収容した際に開口側から見た断面模式図と、その支持片部分の拡大模式図。
【発明を実施するための形態】
【0014】
本発明は、ＦＯＵＰに関し、特に平坦度適用領域の厚さが２００μｍ以下である薄型ウエハの保管、搬送等に好適なＦＯＵＰに関する。本発明のＦＯＵＰは、基本的には、ＳＥＭＩ Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｅ４７．１（非特許文献１）を満足する。
【0015】
「第一実施態様」
本発明の第一実施態様であるＦＯＵＰを図１、２に示す。なお、本明細書全体において、図面は、具体的な構成を理解するための模式図に過ぎず、実際の形状を正確に反映したものではない。そのため、本発明を理解するために、一部の構造については誇張して表現している。
本発明の第一実施態様であるＦＯＵＰを図１、２に示す。なお、本明細書全体において、図面は、具体的な構成を理解するための模式図に過ぎず、実際の形状を正確に反映したものではない。そのため、本発明を理解するために、一部の構造については誇張して表現している。
【0016】
第一実施態様であるＦＯＵＰ１００は、半導体基板の搬入出を行う開口Ｏと半導体基板を収容する内部空間Ｓとを備えるカセット１１０と、この開口Ｏに開閉自在に設けられるドア１２０と、を有する。
カセット１１０は、その両側壁内面に一対のウエハティース１１１を備える。ウエハティースは、上下方向に一定間隔で配列した２５枚の支持片１１２を備える。支持片の枚数は、収容する半導体基板の枚数に応じ、例えば、１３枚とすることもできる。本発明のＦＯＵＰにおいて、ウエハティースは、カセットとは別々に成形してカセットに着脱自在とすることもでき、カセットと一体に成形することもできる。
ドア１２０は、その内面に半導体基板の移動を防止するストッパー１２１を備える。
カセット１１０は、その両側壁内面に一対のウエハティース１１１を備える。ウエハティースは、上下方向に一定間隔で配列した２５枚の支持片１１２を備える。支持片の枚数は、収容する半導体基板の枚数に応じ、例えば、１３枚とすることもできる。本発明のＦＯＵＰにおいて、ウエハティースは、カセットとは別々に成形してカセットに着脱自在とすることもでき、カセットと一体に成形することもできる。
ドア１２０は、その内面に半導体基板の移動を防止するストッパー１２１を備える。
【0017】
図３に、左側のウエハティースの斜視断面図を示す。
支持片１１２の上面には、内方に向かって伸びる２本の支持凸条１１３が、搬入出方向（開口から見て前後方向）に１４０ｍｍ間隔で形成されている。支持凸条１１３は、少なくとも先端を含む部分が、内方に向かって下方に傾斜している。
支持片１１２の上面には、内方に向かって伸びる２本の支持凸条１１３が、搬入出方向（開口から見て前後方向）に１４０ｍｍ間隔で形成されている。支持凸条１１３は、少なくとも先端を含む部分が、内方に向かって下方に傾斜している。
【0018】
図４に、支持凸条１１３にＴＡＩＫＯウエハである薄型ウエハＷを載置した状態の水平方向から見た断面概略図を示す。
支持凸条１１３は、薄型ウエハＷの厚膜部（周辺部除外領域）の途中から先端部１１３Ｅにかけて内方に向かって下方に傾斜し、その先端部１１３Ｅの高さ（ｈ１）が、所定位置に収容した半導体基板の外縁Ｗｏが位置する部分の高さ（ｈ２）より、７０μｍ以上低くなっている（ｈ２－ｈ１≧７０μｍ）。なお、図４では、支持片１１２の上面と下面は水平としているが、例えば、支持片の上面を内方に向けて下方に傾斜させ、支持凸条の上面を支持片の上面と平行とすることもできる。
本発明において、支持凸条は、少なくとも先端を含む部分が内方に向かって下方に傾斜すればよく、所定位置に収容した半導体基板の下方に位置する部分が全て下方に傾斜してもよい。また、支持凸条の下方に傾斜する部分は、内方に向けて上方に傾斜しなければよく、その一部に水平部分を有することもできる。また、下方への傾斜は、傾きが一定である平面に限定されず、傾きが変化する曲面であってもよく、傾きが異なる２以上の平面、１以上の平面と１以上の曲面を組み合わせたものでもよい。
支持凸条１１３は、薄型ウエハＷの厚膜部（周辺部除外領域）の途中から先端部１１３Ｅにかけて内方に向かって下方に傾斜し、その先端部１１３Ｅの高さ（ｈ１）が、所定位置に収容した半導体基板の外縁Ｗｏが位置する部分の高さ（ｈ２）より、７０μｍ以上低くなっている（ｈ２－ｈ１≧７０μｍ）。なお、図４では、支持片１１２の上面と下面は水平としているが、例えば、支持片の上面を内方に向けて下方に傾斜させ、支持凸条の上面を支持片の上面と平行とすることもできる。
本発明において、支持凸条は、少なくとも先端を含む部分が内方に向かって下方に傾斜すればよく、所定位置に収容した半導体基板の下方に位置する部分が全て下方に傾斜してもよい。また、支持凸条の下方に傾斜する部分は、内方に向けて上方に傾斜しなければよく、その一部に水平部分を有することもできる。また、下方への傾斜は、傾きが一定である平面に限定されず、傾きが変化する曲面であってもよく、傾きが異なる２以上の平面、１以上の平面と１以上の曲面を組み合わせたものでもよい。
【0019】
支持凸条１１３に支持された薄型ウエハＷは、外周の厚膜部は撓まず、薄膜部のみが下方に撓んでいる。第一実施態様であるＦＯＵＰ１００は、支持凸条１１３の先端１１３Ｅの高さ（ｈ１）を、半導体基板外縁Ｗｏが位置する部分の高さ（ｈ２）より、７０μｍ以上低く（ｈ２－ｈ１≧７０μｍ）することにより、支持凸条１１３と薄型ウエハＷの薄膜部との接触を防ぐものであり、これにより、支持凸条１１３の先端部１１３Ｅ付近に位置する平坦度適用領域での不良の発生を減らすことができる。さらに、平坦度適用領域のすぐ外側の部分が支持凸条１１３と接触すると、直接の接触ほどではないにしても負荷がかかるため、平坦度適用領域から１ｍｍ以内の部分が支持凸条の先端部１１３Ｅと接触しないことが好ましく、２ｍｍ以内の部分が接触しないことがより好ましい。支持凸条１１３の先端１１３Ｅの高さ（ｈ１）と、半導体基板外縁Ｗｏが位置する部分の高さ（ｈ２）の差（ｈ２－ｈ１（ｈ２＞ｈ１））は、８０μｍ以上であることが好ましく、１００μｍ以上であることがさらに好ましい。また、この差（ｈ２－ｈ１）は、１０００μｍ以下であることが好ましく、５００μｍ以下であることがより好ましく、３００μｍ以下であることがさらに好ましい。
【0020】
ここで、ＦＯＵＰは、３００ｍｍ径である半導体基板の搬送、保管等に用いるものであるが、半導体基板が内部で動かないように、半導体基板の収容位置は所定の一点となるように設計されている。
図５に、第一実施態様であるＦＯＵＰ１００が、所定の収容位置に薄型ウエハＷを収容した際の上方からの模式図を示す。
図５に、第一実施態様であるＦＯＵＰ１００が、所定の収容位置に薄型ウエハＷを収容した際の上方からの模式図を示す。
【0021】
薄型ウエハＷは、左右一対のウエハティース１１１の支持片１１２上に載置されるから、左右で２点ずつ計４点の支持凸条１１３に支持される。
第一実施態様であるＦＯＵＰ１００において、１枚の薄型ウエハＷを支持する支持凸条１１３のうち、薄型ウエハＷの搬入出方向に最も離れた２個の支持凸条間の距離であるティース内支持距離d１は１４０ｍｍ、最も開口寄りに位置する２個の支持凸条間の距離である開口部支持距離d２は２５１ｍｍである。なお、これらの距離の起点は、支持凸条１１３の薄型ウエハ（半導体基板）の外周縁との接触点である。
本発明のＦＯＵＰにおいて、ティース内支持距離ｄ１が１１０ｍｍ以上１７０ｍｍ以下、かつ、開口部支持距離ｄ２が２４５ｍｍ以上２７０ｍｍ以下であることが好ましい。ティース内支持距離ｄ１と開口部支持距離ｄ２をこの範囲内とすることにより、支持片１１２が半導体基板の搬入出の妨げとなることを防ぎながらも半導体基板をバランス良く支持することができ、特に薄型ウエハを収容した際の撓み量を小さくすることができる。また、支持片上に形成される支持凸条のうち、薄型ウエハＷの搬入出方向に最も離れた２個の支持凸条は、半導体基板の左右方向での中心線に対し、線対称な位置に形成されることが好ましい。このように形成することで、４つの支持凸条が、半導体基板の左右方向での中心線に対し、線対称な位置で半導体基板を支持するため、半導体基板をバランス良く支持することができ、特に薄型ウエハを収容した際の撓み量を小さくすることができる。そして、本発明のＦＯＵＰにおいて、ティース内支持距離ｄ１と開口部支持距離ｄ２をこの範囲内とすることにより、ウエハティース１１１が有する複数枚の支持片１１２の上下方向の間隔を１０ｍｍ以下としても、上下に隣接する支持片に載置した薄型ウエハの間に搬送アームを挿入することが容易となる。
第一実施態様であるＦＯＵＰ１００において、１枚の薄型ウエハＷを支持する支持凸条１１３のうち、薄型ウエハＷの搬入出方向に最も離れた２個の支持凸条間の距離であるティース内支持距離d１は１４０ｍｍ、最も開口寄りに位置する２個の支持凸条間の距離である開口部支持距離d２は２５１ｍｍである。なお、これらの距離の起点は、支持凸条１１３の薄型ウエハ（半導体基板）の外周縁との接触点である。
本発明のＦＯＵＰにおいて、ティース内支持距離ｄ１が１１０ｍｍ以上１７０ｍｍ以下、かつ、開口部支持距離ｄ２が２４５ｍｍ以上２７０ｍｍ以下であることが好ましい。ティース内支持距離ｄ１と開口部支持距離ｄ２をこの範囲内とすることにより、支持片１１２が半導体基板の搬入出の妨げとなることを防ぎながらも半導体基板をバランス良く支持することができ、特に薄型ウエハを収容した際の撓み量を小さくすることができる。また、支持片上に形成される支持凸条のうち、薄型ウエハＷの搬入出方向に最も離れた２個の支持凸条は、半導体基板の左右方向での中心線に対し、線対称な位置に形成されることが好ましい。このように形成することで、４つの支持凸条が、半導体基板の左右方向での中心線に対し、線対称な位置で半導体基板を支持するため、半導体基板をバランス良く支持することができ、特に薄型ウエハを収容した際の撓み量を小さくすることができる。そして、本発明のＦＯＵＰにおいて、ティース内支持距離ｄ１と開口部支持距離ｄ２をこの範囲内とすることにより、ウエハティース１１１が有する複数枚の支持片１１２の上下方向の間隔を１０ｍｍ以下としても、上下に隣接する支持片に載置した薄型ウエハの間に搬送アームを挿入することが容易となる。
【0022】
本発明のＦＯＵＰにおいて、ティース内支持距離ｄ１は、１１５ｍｍ以上であることがより好ましく、１２０ｍｍ以上であることがさらに好ましく、１６５ｍｍ以下であることが好ましく、１６０ｍｍ以下であることがより好ましく、１５５ｍｍ以下であることがさらに好ましい。開口部支持距離ｄ２は、２５０ｍｍ以上であることがより好ましく、２６５ｍｍ以下であることがより好ましい。
【0023】
本発明の第一実施態様であるＦＯＵＰ１００において、ドア１２０は、その内面に半導体基板の移動を防止するストッパー１２１を備える。
ストッパー１２１の概略図を図６に、このＦＯＵＰ１００の所定の収容位置に薄型ウエハＷを収容した際のストッパー１２１近傍の上方からの模式図を図７に示す。
ストッパー１２１は、ドアの内面に固定される本体部１２２と、本体部の左右に弾性部１２４を介して接続された２枚の羽根部１２３を備える。
第一実施態様であるＦＯＵＰ１００は、ドア１２０を閉じた際に、所定位置に収容された薄型ウエハＷとストッパー１２１とは、その羽根部１２３との距離が最も近く、１００μｍの間隔を有する。第一実施態様であるＦＯＵＰ１００は、ストッパー１２１が所定位置に収容された薄型ウエハＷと接触せず、ドア１２０を閉じた際に薄型ウエハＷは奥側へ押し付けられないため、薄型ウエハＷの割れを防止することができる。
ストッパー１２１の概略図を図６に、このＦＯＵＰ１００の所定の収容位置に薄型ウエハＷを収容した際のストッパー１２１近傍の上方からの模式図を図７に示す。
ストッパー１２１は、ドアの内面に固定される本体部１２２と、本体部の左右に弾性部１２４を介して接続された２枚の羽根部１２３を備える。
第一実施態様であるＦＯＵＰ１００は、ドア１２０を閉じた際に、所定位置に収容された薄型ウエハＷとストッパー１２１とは、その羽根部１２３との距離が最も近く、１００μｍの間隔を有する。第一実施態様であるＦＯＵＰ１００は、ストッパー１２１が所定位置に収容された薄型ウエハＷと接触せず、ドア１２０を閉じた際に薄型ウエハＷは奥側へ押し付けられないため、薄型ウエハＷの割れを防止することができる。
【0024】
薄型ウエハ（半導体基板）を収容したＦＯＵＰを運搬等する際に、予期せず半導体基板がＦＯＵＰ内で動いてしまうことがあるが、動いた半導体基板がストッパーの羽根部と衝突しても、この衝撃を弾性部により緩和することができるため、半導体基板、特に薄型ウエハの割れを防ぐことができる。半導体基板が勢いよく動かないように、ストッパーと半導体基板との間隔は狭いほうが好ましく、具体的には、本発明のＦＯＵＰにおいて、ストッパーと所定位置に収容された半導体基板との間隔は、１５００μｍ以下であればよい。１２００μｍ以下であることが好ましく、８００μｍ以下であることがより好ましく、４００μｍ以下であることがさらに好ましく、１００μｍ以下であることがよりさらに好ましい。この間隔の下限値は特に制限されないが、間隔が小さすぎると製造時の公差等でストッパー１２１と半導体基板Ｗとが接触してしまう場合があるため、０．１μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましい。
【0025】
第一実施態様であるＦＯＵＰ１００にＴＡＩＫＯウエハを収容し、ドア１２０を閉めたところ、支持凸条１１３先端とＴＡＩＫＯウエハの平坦度適用領域とは接触しなかった。また、ドア１２０を閉めた際に、ストッパー１２１とＴＡＩＫＯウエハとは接触せず、ＴＡＩＫＯウエハの割れの発生を防止することができた。収容したＴＡＩＫＯウエハを、水平方向から観察し、ウエハ中心部の下方への撓み量を測定したところ、撓み量は１．７７ｍｍであり、上下に１０ｍｍピッチで複数枚の支持片１１２を設けても、収容されたＴＡＩＫＯウエハ間には８．２ｍｍ以上の間隔があり、搬送アームを挿入する際に支障とならないことが確かめられた。
【0026】
「第二実施態様」
第二実施態様であるＦＯＵＰは、ティース内支持距離ｄ１が１２０ｍｍ、開口部支持距離ｄ２が２６０ｍｍである以外は、第一実施態様であるＦＯＵＰ１００と同一である。
図８に、第二実施態様であるＦＯＵＰ２００が、所定の収容位置に薄型ウエハＷを収容した際の上方からの模式図を示す。
ＦＯＵＰ２００に収容したＴＡＩＫＯウエハを、水平方向から観察し、ウエハ中心部の下方への撓み量を測定したところ、撓み量は１．８５ｍｍであり、上下に１０ｍｍピッチで複数枚の支持片を設けても、収容されたＴＡＩＫＯウエハ間には８．１ｍｍ以上の間隔があり、搬送アームを挿入する際に支障とならないことが確かめられた。
第二実施態様であるＦＯＵＰは、ティース内支持距離ｄ１が１２０ｍｍ、開口部支持距離ｄ２が２６０ｍｍである以外は、第一実施態様であるＦＯＵＰ１００と同一である。
図８に、第二実施態様であるＦＯＵＰ２００が、所定の収容位置に薄型ウエハＷを収容した際の上方からの模式図を示す。
ＦＯＵＰ２００に収容したＴＡＩＫＯウエハを、水平方向から観察し、ウエハ中心部の下方への撓み量を測定したところ、撓み量は１．８５ｍｍであり、上下に１０ｍｍピッチで複数枚の支持片を設けても、収容されたＴＡＩＫＯウエハ間には８．１ｍｍ以上の間隔があり、搬送アームを挿入する際に支障とならないことが確かめられた。
【符号の説明】
【0027】
１００ 第一実施態様であるＦＯＵＰ
１１０ カセット
Ｏ 開口
Ｓ 内部空間
１１１ ウエハティース
１１２ 支持片
１１３ 支持凸条
１１３Ｅ 支持凸条の先端部
１２０ ドア
１２１ ストッパー
１２２ 本体部
１２３ 羽根部
１２４ 弾性部
２００ 第二実施態様であるＦＯＵＰ
Ｗ 薄型ウエハ
１１０ カセット
Ｏ 開口
Ｓ 内部空間
１１１ ウエハティース
１１２ 支持片
１１３ 支持凸条
１１３Ｅ 支持凸条の先端部
１２０ ドア
１２１ ストッパー
１２２ 本体部
１２３ 羽根部
１２４ 弾性部
２００ 第二実施態様であるＦＯＵＰ
Ｗ 薄型ウエハ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】