特開 2022-137675 レーザ装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022137675

(43)【公開日】2022-09-22

(54)【発明の名称】レーザ装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/40 20060101AFI20220914BHJP

   H01L 23/473 20060101ALI20220914BHJP

   H05K 7/20 20060101ALI20220914BHJP

   H01S 5/022 20210101ALI20220914BHJP

【ＦＩ】

H01L23/40 Z

H01L23/46 Z

H05K7/20 N

H01S5/022

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021037273

(22)【出願日】2021-03-09

【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構、高輝度・高効率次世代レーザー技術開発、産業技術力強化法第１７条の適用を受ける特許出願

(71)【出願人】

【識別番号】000236436

【氏名又は名称】浜松ホトニクス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100140442

【弁理士】

【氏名又は名称】柴山 健一

(72)【発明者】

【氏名】幡野 佑真

(72)【発明者】

【氏名】関根 尊史

(72)【発明者】

【氏名】村松 侑輝

(72)【発明者】

【氏名】玉置 善紀

【テーマコード（参考）】

5E322

5F136

5F173

【Ｆターム（参考）】

5E322AA07

5E322AB01

5E322AB08

5E322DA00

5E322FA01

5F136BC07

5F136CB08

5F136DA34

5F136EA02

5F173MD64

5F173ME22

5F173ME56

5F173MF03

5F173MF27

5F173MF39

(57)【要約】

【課題】簡易な構成で高品質な光出力を確実に得ることができるレーザ装置を提供する。
【解決手段】レーザ装置１は、支持体２と、ヒートシンク７Ａと、支持体２に取り付けられた複数のレーザ光源３Ａと、複数のレーザ光源３Ａとヒートシンク７Ａとの間に掛け渡された複数の電極８Ａと、を備える。各レーザ光源３Ａは、支持体２に対して移動可能である。各電極８Ａは、第１接続箇所において各レーザ光源３Ａに電気的に接続されており、第２接続箇所においてヒートシンク７Ａに熱的に接続されている。各電極８Ａにおいて、第１接続箇所と第２接続箇所との間の延在部は、可撓性を有しており、延在部の長さは、第１接続箇所と第２接続箇所との間の直線距離よりも大きい。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

支持体と、
第１ヒートシンクと、
前記支持体に取り付けられた複数のレーザ光源と、
前記複数のレーザ光源と前記第１ヒートシンクとの間に掛け渡された複数の電極と、を備え、
前記複数のレーザ光源のそれぞれは、前記支持体に対して移動可能であり、
前記複数の電極のそれぞれは、第１接続箇所において前記複数のレーザ光源のそれぞれに電気的に接続されており、第２接続箇所において前記第１ヒートシンクに熱的に接続されており、
前記複数の電極のそれぞれにおいて、前記第１接続箇所と前記第２接続箇所との間の延在部は、可撓性を有しており、
前記延在部の長さは、前記第１接続箇所と前記第２接続箇所との間の直線距離よりも大きい、レーザ装置。

【請求項2】

前記複数の電極のそれぞれは、シート状を呈している、請求項１に記載のレーザ装置。

【請求項3】

前記延在部は、前記第１接続箇所と前記第２接続箇所との間において空中に浮いている、請求項１又は２に記載のレーザ装置。

【請求項4】

前記第１ヒートシンクには、第１冷媒流路が設けられている、請求項１～３のいずれか一項に記載のレーザ装置。

【請求項5】

前記複数のレーザ光源のそれぞれは、
第２ヒートシンクと、
前記第２ヒートシンクに熱的に接続された半導体レーザアレイと、を有する、請求項１～４のいずれか一項に記載のレーザ装置。

【請求項6】

前記第２ヒートシンクには、第２冷媒流路が設けられている、請求項５に記載のレーザ装置。

【請求項7】

可撓性を有する複数のホースを更に備え、
前記複数のホースのそれぞれは、前記第２冷媒流路に接続されている、請求項６に記載のレーザ装置。

【請求項8】

導電性部材を更に備え、
前記複数のレーザ光源は、第１レーザ光源及び第２レーザ光源を含み、
前記複数の電極は、前記第１レーザ光源の陰極に電気的に接続された第１電極、及び前記第２レーザ光源の陽極に電気的に接続された第２電極を含み、
前記第１電極と前記第２電極とは、前記導電性部材によって電気的に接続されている、請求項１～７のいずれか一項に記載のレーザ装置。

【請求項9】

前記導電性部材は、前記第１ヒートシンクに熱的に接続されている、請求項８に記載のレーザ装置。

【請求項10】

前記導電性部材の断面積は、前記第１電極及び前記第２電極のそれぞれの断面積よりも大きい、請求項８又は９に記載のレーザ装置。

【請求項11】

光学素子を更に備え、
前記複数のレーザ光源は、第１方向に沿って前記光学素子に向けてレーザ光を出射する第３レーザ光源、及び前記第１方向と交差する第２方向に沿って前記光学素子に向けてレーザ光を出射する第４レーザ光源を含み、
前記光学素子は、前記第３レーザ光源から出射された前記レーザ光を反射し、前記第４レーザ光源から出射された前記レーザ光を透過する、請求項１～１０のいずれか一項に記載のレーザ装置。

【請求項12】

前記光学素子は、ミラーである、請求項１１に記載のレーザ装置。

【請求項13】

前記第３レーザ光源及び前記第４レーザ光源のそれぞれは、前記第１方向及び前記第２方向の両方向と交差する第３方向に積層された複数の半導体レーザバーを有し、
前記第３レーザ光源及び前記第４レーザ光源のそれぞれは、前記第３方向において前記支持体に対して移動可能である、請求項１１又は１２に記載のレーザ装置。

【請求項14】

前記光学素子は、
前記第３レーザ光源から出射された前記レーザ光を反射する複数の光反射部と、
前記第４レーザ光源から出射された前記レーザ光を透過する複数の光透過部と、を有し、
前記複数の光反射部のそれぞれと前記複数の光透過部のそれぞれとは、前記第３方向において交互に並んでいる、請求項１３に記載のレーザ装置。

【請求項15】

前記複数のレーザ光源のそれぞれから出射されたレーザ光を所定領域に纏めるプリズム光学系を更に備える、請求項１～１４のいずれか一項に記載のレーザ装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、レーザ装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、冷却マニホールドと、冷却マニホールドに取り付けられた複数のレーザアレイユニットと、複数のレーザアレイユニットに電気的に接続された複数の引出電極と、を備えるレーザアレイモジュールが記載されている。特許文献１に記載のレーザアレイモジュールでは、冷却マニホールドに形成された複数の溝のそれぞれに複数の引出電極のそれぞれが配置されている。これにより、複数のレーザアレイユニット及び複数の引出電極について、効率良い冷却が実現されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００５－２６８６５０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかし、特許文献１に記載のレーザアレイモジュールでは、各レーザアレイユニットの位置を調整することが特に考慮されていないため、高品質な光出力を確実に得るためには、機差が小さくなるように構成部品の組付け精度を向上させる必要がある。

【0005】

本発明は、簡易な構成で高品質な光出力を確実に得ることができるレーザ装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明のレーザ装置は、支持体と、第１ヒートシンクと、支持体に取り付けられた複数のレーザ光源と、複数のレーザ光源と第１ヒートシンクとの間に掛け渡された複数の電極と、を備え、複数のレーザ光源のそれぞれは、支持体に対して移動可能であり、複数の電極のそれぞれは、第１接続箇所において複数のレーザ光源のそれぞれに電気的に接続されており、第２接続箇所において第１ヒートシンクに熱的に接続されており、複数の電極のそれぞれにおいて、第１接続箇所と第２接続箇所との間の延在部は、可撓性を有しており、延在部の長さは、第１接続箇所と第２接続箇所との間の直線距離よりも大きい。

【0007】

このレーザ装置では、各レーザ光源が支持体に対して移動可能であり、各電極において、第１接続箇所と第２接続箇所との間の延在部が可撓性を有しており、延在部の長さが第１接続箇所と第２接続箇所との間の直線距離よりも大きい。これにより、各レーザ光源に各電極が電気的に接続された状態で、各レーザ光源の位置を調整することができる。更に、各電極が第１ヒートシンクに熱的に接続されているため、発熱による各電極の劣化を抑制することができる。よって、このレーザ装置によれば、簡易な構成で高品質な光出力を確実に得ることができる。

【0008】

本発明のレーザ装置では、複数の電極のそれぞれは、シート状を呈していてもよい。これによれば、例えば、各電極が複数のワイヤによって構成されたものである場合に比べ、製造の容易化を図ることができる。また、例えば、各電極が複数のワイヤによって構成されたものである場合に比べ、延在部の可撓性を維持しつつ、発熱による各電極の劣化を抑制することができる。複数のワイヤによって構成された電極において発熱による電極の劣化を抑制するためには、各ワイヤを太くしたりワイヤの本数を増やしたりする必要があり、そのような場合には、電極の可撓性が損なわれるからである。更に、各電極がシート状を呈していると、例えば、各電極が複数のワイヤによって構成されたものである場合に比べ、各電極が曲げられたり捩じられたりしても物理的な断線が発生し難いという利点がある。

【0009】

本発明のレーザ装置では、延在部は、第１接続箇所と第２接続箇所との間において空中に浮いていてもよい。これによれば、各レーザ光源に各電極が電気的に接続された状態で、各レーザ光源の位置をより容易に調整することができる。

【0010】

本発明のレーザ装置では、第１ヒートシンクには、第１冷媒流路が設けられていてもよい。これによれば、各電極をより効率良く冷却することができる。

【0011】

本発明のレーザ装置では、複数のレーザ光源のそれぞれは、第２ヒートシンクと、第２ヒートシンクに熱的に接続された半導体レーザアレイと、を有してもよい。これによれば、各レーザ光源において、半導体レーザアレイを効率良く冷却することができる。半導体レーザアレイの発熱量は単素子の半導体レーザの発熱量に比べて大きくなるため、第２ヒートシンクを用いて半導体レーザアレイを冷却する構成は有効である。

【0012】

本発明のレーザ装置では、第２ヒートシンクには、第２冷媒流路が設けられていてもよい。これによれば、各レーザ光源において、半導体レーザアレイをより効率良く冷却することができる。

【0013】

本発明のレーザ装置は、可撓性を有する複数のホースを更に備え、複数のホースのそれぞれは、第２冷媒流路に接続されていてもよい。これによれば、各レーザ光源に各電極が電気的に接続された状態で、各レーザ光源の位置をより容易に調整することができる。

【0014】

本発明のレーザ装置は、導電性部材を更に備え、複数のレーザ光源は、第１レーザ光源及び第２レーザ光源を含み、複数の電極は、第１レーザ光源の陰極に電気的に接続された第１電極、及び第２レーザ光源の陽極に電気的に接続された第２電極を含み、第１電極と第２電極とは、導電性部材によって電気的に接続されていてもよい。これによれば、配線の単純化を図ることができ、延いては、レーザ装置の小型化を図ることができる。

【0015】

本発明のレーザ装置では、導電性部材は、第１ヒートシンクに熱的に接続されていてもよい。これによれば、発熱による導電性部材の劣化を抑制することができる。

【0016】

本発明のレーザ装置では、導電性部材の断面積は、第１電極及び第２電極のそれぞれの断面積よりも大きくてもよい。これによれば、第１電極及び第２電極並びに導電性部材の全体としての電気抵抗を下げて、それら全体としての発熱を抑制することができる。

【0017】

本発明のレーザ装置は、光学素子を更に備え、複数のレーザ光源は、第１方向に沿って光学素子に向けてレーザ光を出射する第３レーザ光源、及び第１方向と交差する第２方向に沿って光学素子に向けてレーザ光を出射する第４レーザ光源を含み、光学素子は、第３レーザ光源から出射されたレーザ光を反射し、第４レーザ光源から出射されたレーザ光を透過してもよい。これによれば、第３レーザ光源と第４レーザ光源との位置関係を調整することで、第３レーザ光源から出射されたレーザ光と第４レーザ光源から出射されたレーザ光とを所望の状態で結合させることがきる。

【0018】

本発明のレーザ装置では、光学素子は、ミラーであってもよい。これによれば、第３レーザ光源から出射されたレーザ光を反射し、第４レーザ光源から出射されたレーザ光を透過する構成を確実且つ容易に実現することができる。

【0019】

本発明のレーザ装置では、第３レーザ光源及び第４レーザ光源のそれぞれは、第１方向及び第２方向の両方向と交差する第３方向に積層された複数の半導体レーザバーを有し、第３レーザ光源及び第４レーザ光源のそれぞれは、前記第３方向において支持体に対して移動可能であってもよい。これによれば、第３レーザ光源と第４レーザ光源との位置関係を調整することで、第３レーザ光源の複数の半導体レーザバーのそれぞれから出射されたレーザ光の隙間を、第４レーザ光源の複数の半導体レーザバーのそれぞれから出射されたレーザ光で埋めることがきる。

【0020】

本発明のレーザ装置では、光学素子は、第３レーザ光源から出射されたレーザ光を反射する複数の光反射部と、第４レーザ光源から出射されたレーザ光を透過する複数の光透過部と、を有し、複数の光反射部のそれぞれと複数の光透過部のそれぞれとは、第３方向において交互に並んでいてもよい。これによれば、第３レーザ光源の位置を調整することで、第３レーザ光源から出射されたレーザ光を複数の光反射部に確実に入射させることができる。また、第４レーザ光源の位置を調整することで、第４レーザ光源から出射されたレーザ光を複数の光透過部に確実に入射させることができる。以上の結果として、光の損失を抑制しつつ、高品質な光出力を得ることができる。

【0021】

本発明のレーザ装置は、複数のレーザ光源のそれぞれから出射されたレーザ光を所定領域に纏めるプリズム光学系を更に備えてもよい。これによれば、所定領域において高品質な光出力を得ることができる。

【発明の効果】

【0022】

本発明によれば、簡易な構成で高品質な光出力を確実に得ることができるレーザ装置を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】一実施形態のレーザ装置の側面図である。

【図2】図１に示されるレーザ装置の平面図である。

【図3】図１に示されるレーザ光源ユニットの斜視図である。

【図4】図３に示されるIV－IV線に沿っての断面図である。

【図5】図４に示されるV－V線に沿っての断面図である。

【図6】図５に示されるレーザ光源ユニットの一部分の背面図である。

【図7】図３に示されるレーザ光源ユニットが有する配管ユニットの斜視図である。

【図8】図３に示されるレーザ光源ユニットが有する配管ユニットの斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
［レーザ装置の構成］

【0025】

図１及び図２に示されるように、レーザ装置１は、レーザ光源ユニット１０と、プリズム光学系１００と、を備えている。レーザ光源ユニット１０は、支持体２と、複数のレーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄと、複数の遅軸コリメータレンズ４と、複数のミラー（光学素子）５Ａ，５Ｂと、複数の遅軸コリメータレンズ６と、を有している。複数のレーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ、複数の遅軸コリメータレンズ４、複数のミラー５Ａ，５Ｂ及び複数の遅軸コリメータレンズ６は、支持体２によって支持されている。

【0026】

複数のミラー５Ａは、互いに間隔を取ってＸ軸方向に並んでいる。複数のミラー５Ｂは、複数のミラー５Ａに対して、Ｘ軸方向に垂直なＹ軸方向における一方の側に配置されており、互いに間隔を取ってＸ軸方向に並んでいる。各ミラー５Ａと各ミラー５Ｂとは、Ｙ軸方向から見た場合にＸ軸方向において交互に並んでいる。以下、Ｙ軸方向における一方の側を「下側」といい、その反対側を「上側」という。また、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方向に垂直なＺ軸方向における一方の側を「後側」といい、その反対側を「前側」という。

【0027】

各レーザ光源３Ａは、各ミラー５Ａの上側に配置されている。各レーザ光源３Ａは、Ｙ軸方向に沿って各ミラー５Ａに向けて（すなわち、下側に）レーザ光（図１及び図２では破線で示されている）を出射する。各レーザ光源３Ｂは、各ミラー５Ａの後側に配置されている。各レーザ光源３Ｂは、Ｚ軸方向に沿って各ミラー５Ａに向けて（すなわち、前側に）レーザ光を出射する。各ミラー５Ａは、各レーザ光源３Ａから出射されたレーザ光を前側に反射し、各レーザ光源３Ｂから出射されたレーザ光を前側に透過する。

【0028】

各レーザ光源３Ｃは、各ミラー５Ｂの下側に配置されている。各レーザ光源３Ｃは、Ｙ軸方向に沿って各ミラー５Ｂに向けて（すなわち、上側に）レーザ光を出射する。各レーザ光源３Ｄは、各ミラー５Ｂの後側に配置されている。各レーザ光源３Ｄは、Ｚ軸方向に沿って各ミラー５Ｂに向けて（すなわち、前側に）レーザ光を出射する。各ミラー５Ｂは、各レーザ光源３Ｃから出射されたレーザ光を前側に反射し、各レーザ光源３Ｄから出射されたレーザ光を前側に透過する。

【0029】

詳細については後述するが、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄは、同一の構造を有しており、マトリックス状に配置された複数の発光領域（図示省略）を含んでいる。各レーザ光源３Ａは、Ｘ軸方向を速軸方向とし且つＺ軸方向を遅軸方向として各発光領域から下側にレーザ光が出射されるように配置されている。各レーザ光源３Ｂは、Ｘ軸方向を速軸方向とし且つＹ軸方向を遅軸方向として各発光領域から前側にレーザ光が出射されるように配置されている。各レーザ光源３Ｃは、Ｘ軸方向を速軸方向とし且つＺ軸方向を遅軸方向として各発光領域から上側にレーザ光が出射されるように配置されている。各レーザ光源３Ｄは、Ｘ軸方向を速軸方向とし且つＹ軸方向を遅軸方向として各発光領域から前側にレーザ光が出射されるように配置されている。なお、本実施形態では、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄにおいて、複数の発光領域から出射された複数のレーザ光の集合を単に「レーザ光」という。

【0030】

複数の遅軸コリメータレンズ４は、各レーザ光源３Ａと各ミラー５Ａとの間、各レーザ光源３Ｂと各ミラー５Ａとの間、各レーザ光源３Ｃと各ミラー５Ｂとの間及び各レーザ光源３Ｄと各ミラー５Ｂとの間のそれぞれに１つの遅軸コリメータレンズ４が位置するように、配置されている。各遅軸コリメータレンズ４は、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄから出射されたレーザ光を遅軸方向においてコリメートする。複数の遅軸コリメータレンズ６は、各ミラー５Ａの前側及び各ミラー５Ｂの前側のそれぞれに１つの遅軸コリメータレンズ６が位置するように、配置されている。各遅軸コリメータレンズ６は、各ミラー５Ａ，５Ｂから出射されたレーザ光を遅軸方向においてコリメートする。

【0031】

プリズム光学系１００は、各遅軸コリメータレンズ６から出射されたレーザ光（すなわち、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄから出射されたレーザ光）を固体レーザ媒質（所定領域）Ｓに纏める。プリズム光学系１００は、固体レーザ媒質Ｓにおけるレーザ光の照射領域においてレーザ光の強度分布が均一となるように、各遅軸コリメータレンズ６から出射されたレーザ光を整形する。一例として、固体レーザ媒質Ｓは、レーザ装置１から出射されたレーザ光が励起光として照射されることで、レーザ共振器の共振光路上において放出光を発生させるものである。

【0032】

プリズム光学系１００は、複数のプリズム１１０Ａ，１１０Ｂと、結像光学系１２０と、を有している。複数のプリズム１１０Ａは、各ミラー５Ａの前側に配置された各遅軸コリメータレンズ６の前側に１つのプリズム１１０Ａの入射面が位置するように、配置されている。複数のプリズム１１０Ｂは、各ミラー５Ｂの前側に配置された各遅軸コリメータレンズ６の前側に１つのプリズム１１０Ｂの入射面が位置するように、配置されている。各プリズム１１０Ａ，１１０Ｂは、各レーザ光の光軸の位置がＹ軸方向において同一となった状態で、各レーザ光を出射する。結像光学系１２０は、例えば複数のシリンドリカルレンズによって構成されており、複数のプリズム１１０Ａ，１１０Ｂの前側に配置されている。結像光学系１２０は、各プリズム１１０Ａ，１１０Ｂから出射された各レーザ光を固体レーザ媒質Ｓに収束させる。
［レーザ光源ユニットの構成］

【0033】

図３、図４及び図５に示されるように、レーザ光源ユニット１０において、支持体２は、上側部分２１と、下側部分２２と、後側部分２３と、を含んでいる。上側部分２１は、Ｘ軸方向に延在しており、後側部分２３に対して上側に位置している。下側部分２２は、Ｘ軸方向に延在しており、後側部分２３に対して下側に位置している。後側部分２３は、Ｘ軸方向に延在しており、上側部分２１及び下側部分２２に対して後側に位置している。複数のレーザ光源３Ａ，３Ｂ、複数のミラー５Ａ、及びそれらに対応する複数の遅軸コリメータレンズ４，６（以下、「複数のレーザ光源３Ａ，３Ｂに関する構成」という）は、上述した位置関係で上側部分２１に取り付けられている。複数のレーザ光源３Ｃ，３Ｄ、複数のミラー５Ｂ、及びそれらに対応する複数の遅軸コリメータレンズ４，６（以下、「複数のレーザ光源３Ｃ，３Ｄに関する構成」という）は、上述した位置関係で下側部分２２に取り付けられている。

【0034】

上側部分２１は、後側に向いた支持面２１ａを有している。下側部分２２は、後側に向いた支持面２２ａを有している。後側部分２３は、上側に向いた支持面２３ａ、及び下側に向いた支持面２３ｂを有している。各支持面２１ａ，２２ａ，２３ａ，２３ｂは、Ｘ軸方向に延在している。

【0035】

上側部分２１の支持面２１ａには、複数のレーザ光源３Ａが取り付けられている。複数のレーザ光源３Ａは、互いに間隔を取ってＸ軸方向に並んでいる。後側部分２３の支持面２３ａには、複数のレーザ光源３Ｂが取り付けられている。複数のレーザ光源３Ｂは、互いに間隔を取ってＸ軸方向に並んでいる。下側部分２２の支持面２２ａには、複数のレーザ光源３Ｃが取り付けられている。複数のレーザ光源３Ｃは、互いに間隔を取ってＸ軸方向に並んでいる。後側部分２３の支持面２３ｂには、複数のレーザ光源３Ｄが取り付けられている。複数のレーザ光源３Ｄは、互いに間隔を取ってＸ軸方向に並んでいる。

【0036】

ここで、複数のレーザ光源３Ａ，３Ｂに関する構成について、図５及び図６を参照して説明する。図５及び図６に示されるように、各レーザ光源３Ａ，３Ｂは、ベース３１と、ヒートシンク（第２ヒートシンク）３２と、半導体レーザアレイ３３と、複数の速軸コリメータレンズ３４と、一対の端子３５と、を有している。ヒートシンク３２は、ベース３１に固定されている。半導体レーザアレイ３３は、ヒートシンク３２に固定されており、ヒートシンク３２に熱的に接続されている。複数の速軸コリメータレンズ３４は、半導体レーザアレイ３３の出射端面に固定されている（詳細については後述する）。一対の端子３５は、半導体レーザアレイ３３に電圧を印加するための端子であり、Ｘ軸方向おける半導体レーザアレイ３３の両側に設けられている。

【0037】

各レーザ光源３Ａ，３Ｂのヒートシンク３２には、冷媒流路（第２冷媒流路）３６が設けられている。冷媒流路３６には、配管（図示省略）によって冷媒（例えば、水等）が供給される。ヒートシンク３２において、冷媒は、冷媒流路３６の導入口３６ａから導入され、冷媒流路３６の導出口３６ｂから導出される（図３参照）。

【0038】

上側部分２１の支持面２１ａには、複数のレーザ光源３Ａに対応するように複数対のねじ穴２１ｂが形成されている。各レーザ光源３Ａのベース３１には、一対のねじ穴２１ｂに対応するように、Ｘ軸方向を長手方向とする一対の長穴３１ａが形成されている。各レーザ光源３Ａについては、一対のねじ穴２１ｂのそれぞれに一対の長穴３１ａのそれぞれを介して一対のボルト３７のそれぞれが螺合されることで、半導体レーザアレイ３３から下側にレーザ光（図５では破線で示されている）が出射されるように、各レーザ光源３Ａが支持面２１ａに取り付けられている。このような取付構造により、各レーザ光源３Ａは、Ｘ軸方向において支持体２に対して移動可能となっている。なお、図６では、複数のボルト３７の図示が省略されている。

【0039】

後側部分２３の支持面２３ａには、複数のレーザ光源３Ｂに対応するように複数対のねじ穴２３ｃが形成されている。各レーザ光源３Ｂのベース３１には、一対のねじ穴２３ｃに対応するように、Ｘ軸方向を長手方向とする一対の長穴３１ａが形成されている。各レーザ光源３Ｂについては、一対のねじ穴２３ｃのそれぞれに一対の長穴３１ａのそれぞれを介して一対のボルト３７のそれぞれが螺合されることで、半導体レーザアレイ３３から前側にレーザ光が出射されるように、各レーザ光源３Ｂが支持面２３ａに取り付けられている。このような取付構造により、各レーザ光源３Ｂは、Ｘ軸方向において支持体２に対して移動可能となっている。

【0040】

レーザ光源（第３レーザ光源）３Ａは、Ｙ軸方向（第１方向）に沿ってミラー５Ａに向けてレーザ光を出射する。レーザ光源３Ａの半導体レーザアレイ３３は、Ｘ軸方向に積層された複数の半導体レーザバー３３ａを有している。レーザ光源３Ａの各半導体レーザバー３３ａは、Ｚ軸方向に並んだ複数の発光領域（図示省略）を含んでいる。レーザ光源３Ａの各発光領域からは、Ｘ軸方向を速軸方向とし且つＺ軸方向を遅軸方向としてレーザ光が出射される。レーザ光源３Ａにおいて、各速軸コリメータレンズ３４は、各半導体レーザバー３３ａの出射端面に固定されており、各発光領域から出射されたレーザ光を速軸方向においてコリメートする。

【0041】

レーザ光源（第４レーザ光源）３Ｂは、Ｚ軸方向（第２方向）に沿ってミラー５Ａに向けてレーザ光を出射する。レーザ光源３Ｂの半導体レーザアレイ３３は、Ｘ軸方向に積層された複数の半導体レーザバー３３ａを有している。レーザ光源３Ｂの各半導体レーザバー３３ａは、Ｙ軸方向に並んだ複数の発光領域（図示省略）を含んでいる。レーザ光源３Ｂの各発光領域からは、Ｘ軸方向を速軸方向とし且つＹ軸方向を遅軸方向としてレーザ光が出射される。レーザ光源３Ｂにおいて、各速軸コリメータレンズ３４は、各半導体レーザバー３３ａの出射端面に固定されており、各発光領域から出射されたレーザ光を速軸方向においてコリメートする。

【0042】

ミラー５Ａは、複数の光反射部５１と、複数の光透過部５２と、を有している。各光反射部５１は、ミラー５Ａにおける前側且つ上側の主面５ａとＸ軸方向に垂直な平面との交線に平行な方向に延在している。同様に、複数の光透過部５２は、当該交線に平行な方向に延在している。各光反射部５１と各光透過部５２とは、Ｘ軸方向（第１方向及び第２方向の両方向と交差する第３方向）において交互に並んでいる。一例として、各光反射部５１は、主面５ａに沿って形成された高反射コートであり、各光透過部５２は、ミラー５Ａに形成されたスリットである。

【0043】

複数の光反射部５１は、レーザ光源３Ａから出射されたレーザ光を反射する。より具体的には、各光反射部５１は、レーザ光源３Ａの各半導体レーザバー３３ａから下側に出射されたレーザ光を前側に反射する。複数の光透過部５２は、レーザ光源３Ｂから出射されたレーザ光を透過する。より具体的には、各光透過部５２は、レーザ光源３Ｂの各半導体レーザバー３３ａから前側に出射されたレーザ光を前側に透過する。

【0044】

以上が複数のレーザ光源３Ａ，３Ｂに関する構成についての説明である。複数のレーザ光源３Ｃ，３Ｄに関する構成は、後側から見た場合における支持体２の中心点に関して複数のレーザ光源３Ａ，３Ｂに関する構成と点対称の関係にある（図４参照）だけであるため、複数のレーザ光源３Ｃ，３Ｄに関する構成についての説明は省略する。

【0045】

図３、図４及び図５に示されるように、レーザ光源ユニット１０は、一対のヒートシンク（第１ヒートシンク）７Ａ，７Ｂと、複数の電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄと、複数の導電性部材９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄと、を更に有している。ヒートシンク７Ａは、上側部分２１の後側且つ後側部分２３の上側において、Ｘ軸方向に延在している。ヒートシンク７Ｂは、下側部分２２の後側且つ後側部分２３の下側において、Ｘ軸方向に延在している。ヒートシンク７Ａは、支持体２の後側に立設されたプレート７０から延在する一対のアーム７０ａと後側部分２３とによって挟持されている。ヒートシンク７Ｂは、プレート７０から延在する別の一対のアーム７０ａと後側部分２３とによって挟持されている。各ヒートシンク７Ａ，７Ｂは、例えば、アルミニウム等の金属によって形成されている。

【0046】

各ヒートシンク７Ａ，７Ｂには、冷媒流路（第１冷媒流路）７１が設けられている。冷媒流路７１は、各ヒートシンク７Ａ，７Ｂ内においてＸ軸方向に延在している。冷媒流路７１には、配管（図示省略）によって冷媒（例えば、水等）が供給される。各ヒートシンク７Ａ，７Ｂにおいて、冷媒は、冷媒流路７１の導入口７１ａから導入され、冷媒流路７１の導出口７１ｂから導出される。

【0047】

複数の電極８Ａは、複数のレーザ光源３Ａとヒートシンク７Ａとの間に掛け渡されている。より具体的には、各電極８Ａは、各レーザ光源３Ａの各端子３５とヒートシンク７Ａにおける上側の表面７ａとの間に掛け渡されている。各電極８Ａは、第１接続箇所Ｐ１において各レーザ光源３Ａに電気的に接続されており、第２接続箇所Ｐ２においてヒートシンク７Ａに熱的に接続されている。なお、各電極８Ａは、第１接続箇所Ｐ１において各レーザ光源３Ａの各端子３５にボルト（図示省略）によって固定されている。

【0048】

複数の電極８Ｂは、複数のレーザ光源３Ｂとヒートシンク７Ａとの間に掛け渡されている。より具体的には、各電極８Ｂは、各レーザ光源３Ｂの各端子３５とヒートシンク７Ａにおける後側の表面７ｂとの間に掛け渡されている。各電極８Ｂは、第１接続箇所Ｐ１において各レーザ光源３Ｂに電気的に接続されており、第２接続箇所Ｐ２においてヒートシンク７Ａに熱的に接続されている。なお、各電極８Ｂは、第１接続箇所Ｐ１において各レーザ光源３Ｂの各端子３５にボルト（図示省略）によって固定されている。

【0049】

複数の電極８Ｃは、複数のレーザ光源３Ｃとヒートシンク７Ｂとの間に掛け渡されている。より具体的には、各電極８Ｃは、各レーザ光源３Ｃの各端子３５とヒートシンク７Ｂにおける下側の表面７ｃとの間に掛け渡されている。各電極８Ｃは、第１接続箇所Ｐ１において各レーザ光源３Ｃに電気的に接続されており、第２接続箇所Ｐ２においてヒートシンク７Ｂに熱的に接続されている。なお、各電極８Ｃは、第１接続箇所Ｐ１において各レーザ光源３Ｃの各端子３５にボルト（図示省略）によって固定されている。

【0050】

複数の電極８Ｄは、複数のレーザ光源３Ｄとヒートシンク７Ｂとの間に掛け渡されている。より具体的には、各電極８Ｄは、各レーザ光源３Ｄの各端子３５とヒートシンク７Ｂにおける後側の表面７ｂとの間に掛け渡されている。各電極８Ｄは、第１接続箇所Ｐ１において各レーザ光源３Ｄに電気的に接続されており、第２接続箇所Ｐ２においてヒートシンク７Ｂに熱的に接続されている。なお、各電極８Ｄは、第１接続箇所Ｐ１において各レーザ光源３Ｄの各端子３５にボルト（図示省略）によって固定されている。

【0051】

各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄは、シート状を呈している。各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄは、例えば、１００μｍ程度の厚さ、８ｍｍ程度の幅、及び４０ｍｍ程度の長さを有している。各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄは、例えば、銅によって形成されている。各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄにおいて、第１接続箇所Ｐ１と第２接続箇所Ｐ２との間の延在部８１は、可撓性を有している。各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄの延在部８１は、第１接続箇所Ｐ１と第２接続箇所Ｐ２との間において空中に浮いている。各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄにおいて、延在部８１の長さは、第１接続箇所Ｐ１と第２接続箇所Ｐ２との間の直線距離よりも大きい。各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄは、第１接続箇所Ｐ１と第２接続箇所Ｐ２との間において遊びを有しており、第１接続箇所Ｐ１と第２接続箇所Ｐ２との間において撓んでいる。本実施形態では、各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄは、延在部８１を含む全体において可撓性を有しており、曲げたり捩ったりすることが可能な部材である。なお、各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄについては、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄが支持体２に対して移動可能であるため、第１接続箇所Ｐ１の位置が変化し、第１接続箇所Ｐ１と第２接続箇所Ｐ２との間の直線距離が変化する。延在部８１の長さは、第１接続箇所Ｐ１と第２接続箇所Ｐ２との間の直線距離の最小値（各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄが支持体２に対して移動可能な範囲での最小値）よりも大きければよい。延在部８１の長さは、第１接続箇所Ｐ１と第２接続箇所Ｐ２との間の直線距離の最大値（各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄが支持体２に対して移動可能な範囲での最大値）以上であれば、より好ましい。

【0052】

各導電性部材９Ａは、ヒートシンク７Ａの表面７ａに配置されている。各導電性部材９Ａは、ヒートシンク７Ａに熱的に接続されている。隣り合う一対のレーザ光源３Ａに着目すると、一方のレーザ光源（第１レーザ光源）３Ａの陰極（すなわち、陰極側の端子３５）に電気的に接続された電極（第１電極）８Ａと、他方のレーザ光源（第２レーザ光源）３Ａの陽極（すなわち、陽極側の端子３５）に電気的に接続された電極（第２電極）８Ａとは、導電性部材９Ａによって電気的に接続されている。これにより、複数のレーザ光源３Ａにおいて、複数の半導体レーザアレイ３３は、電気的に直列に接続されている。

【0053】

各導電性部材９Ｂは、ヒートシンク７Ａの表面７ｂに配置されている。各導電性部材９Ｂは、ヒートシンク７Ａに熱的に接続されている。隣り合う一対のレーザ光源３Ｂに着目すると、一方のレーザ光源（第１レーザ光源）３Ｂの陰極（すなわち、陰極側の端子３５）に電気的に接続された電極（第１電極）８Ｂと、他方のレーザ光源（第２レーザ光源）３Ｂの陽極（すなわち、陽極側の端子３５）に電気的に接続された電極（第２電極）８Ｂとは、導電性部材９Ｂによって電気的に接続されている。これにより、複数のレーザ光源３Ｂにおいて、複数の半導体レーザアレイ３３は、電気的に直列に接続されている。

【0054】

各導電性部材９Ｃは、ヒートシンク７Ｂの表面７ｃに配置されている。各導電性部材９Ｃは、ヒートシンク７Ｂに熱的に接続されている。隣り合う一対のレーザ光源３Ｃに着目すると、一方のレーザ光源（第１レーザ光源）３Ｃの陰極（すなわち、陰極側の端子３５）に電気的に接続された電極（第１電極）８Ｃと、他方のレーザ光源（第２レーザ光源）３Ｃの陽極（すなわち、陽極側の端子３５）に電気的に接続された電極（第２電極）８Ｃとは、導電性部材９Ｃによって電気的に接続されている。これにより、複数のレーザ光源３Ｃにおいて、複数の半導体レーザアレイ３３は、電気的に直列に接続されている。

【0055】

各導電性部材９Ｄは、ヒートシンク７Ｂの表面７ｂに配置されている。各導電性部材９Ｄは、ヒートシンク７Ｂに熱的に接続されている。隣り合う一対のレーザ光源３Ｄに着目すると、一方のレーザ光源（第１レーザ光源）３Ｄの陰極（すなわち、陰極側の端子３５）に電気的に接続された電極（第１電極）８Ｄと、他方のレーザ光源（第２レーザ光源）３Ｄの陽極（すなわち、陽極側の端子３５）に電気的に接続された電極（第２電極）８Ｄとは、導電性部材９Ｄによって電気的に接続されている。これにより、複数のレーザ光源３Ｄにおいて、複数の半導体レーザアレイ３３は、電気的に直列に接続されている。

【0056】

各導電性部材９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄは、プレート状を呈している。各導電性部材９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄは、例えば、１ｍｍ程度の厚さ、８ｍｍ程度の幅、及び２２ｍｍ程度の長さを有している。各導電性部材９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄは、例えば、銅によって形成されている。各導電性部材９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄの断面積（配線として延在する方向に垂直な断面の面積）は、各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄの断面積（配線として延在する方向に垂直な断面の面積）よりも大きい。

【0057】

なお、各電極８Ａ及び各導電性部材９Ａは、電気絶縁性材料（例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等）によって形成された絶縁プレート７２を介して、ヒートシンク７Ａの表面７ａに配置されており、各第２接続箇所Ｐ２において、ボルト７３によってヒートシンク７Ａの表面７ａに固定されている。各電極８Ｂ及び各導電性部材９Ｂは、絶縁プレート７２を介して、ヒートシンク７Ａの表面７ｂに配置されており、各第２接続箇所Ｐ２において、ボルト７３によってヒートシンク７Ａの表面７ｂに固定されている。各電極８Ｃ及び各導電性部材９Ｃは、絶縁プレート７２を介して、ヒートシンク７Ｂの表面７ｃに配置されており、各第２接続箇所Ｐ２において、ボルト７３によってヒートシンク７Ｂの表面７ｃに固定されている。各電極８Ｄ及び各導電性部材９Ｄは、絶縁プレート７２を介して、ヒートシンク７Ｂの表面７ｂに配置されており、各第２接続箇所Ｐ２において、ボルト７３によってヒートシンク７Ｂの表面７ｂに固定されている。
［配管ユニットの構成］

【0058】

図４に示されるように、支持体２の後側部分２３における後側の表面２３ｄには、メイン導入口２４、複数のサブ導出口２５、複数のサブ導入口２６、及びメイン導出口２７が形成されている。メイン導入口２４は、Ｘ軸方向における一方の側に位置している。各サブ導出口２５は、各レーザ光源３Ｂの下側に位置している。各サブ導入口２６は、各レーザ光源３Ｄの上側に位置している。メイン導出口２７は、Ｘ軸方向における他方の側に位置している。後側部分２３には、メイン導入口２４から導入されて複数のサブ導出口２５から導出される冷媒（例えば、水等）が流れる冷媒供給流路（図示省略）、及び複数のサブ導入口２６から導入されてメイン導出口２７から導出される冷媒（例えば、水等）が流れる冷媒回収流路（図示省略）が設けられている。なお、図３に示されるように、メイン導入口２４には、メイン導入管１１が接続されており、メイン導出口２７には、メイン導出管１２が接続されている。メイン導入管１１及びメイン導出管１２は、後側部分２３によって支持されており、プレート７０から離間した状態で、プレート７０に形成された孔を通っている。

【0059】

レーザ光源ユニット１０は、図７及び図８に示されるように、複数の配管ユニット１３Ａ，１３Ｂを更に有している。各配管ユニット１３Ａ，１３Ｂは、接続部１４と、一対のホース１５Ａ，１５Ｂと、一対の継手部１６Ａ，１６Ｂと、複数のホース１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄと、複数の接続部１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄと、を含んでいる。各ホース１５Ａ，１５Ｂ，１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄは、可撓性を有している。なお、図３、図４、図５及び図６では、複数の配管ユニット１３Ａ，１３Ｂの図示が省略されている。

【0060】

ホース１５Ａの一端部は、接続部１４に接続されており、ホース１５Ａの他端部は、継手部１６Ａに接続されている。ホース１５Ｂの一端部は、接続部１４に接続されており、ホース１５Ｂの他端部は、継手部１６Ｂに接続されている。ホース１７Ａの一端部は、継手部１６Ａに接続されており、ホース１７Ａの他端部は、接続部１８Ａに接続されている。ホース１７Ｂの一端部は、継手部１６Ａに接続されており、ホース１７Ｂの他端部は、接続部１８Ｂに接続されている。ホース１７Ｃの一端部は、継手部１６Ｂに接続されており、ホース１７Ｃの他端部は、接続部１８Ｃに接続されている。ホース１７Ｄの一端部は、継手部１６Ｂに接続されており、ホース１７Ｄの他端部は、接続部１８Ｄに接続されている。

【0061】

図７に示されるように、各配管ユニット１３Ａの接続部１４は、各サブ導出口２５（図４参照）に接続されている。各配管ユニット１３Ａの接続部１８Ａは、各レーザ光源３Ａの導入口３６ａに接続されている（図３参照）。各配管ユニット１３Ａの接続部１８Ｂは、各レーザ光源３Ｂの導入口３６ａに接続されている（図３参照）。各配管ユニット１３Ａの接続部１８Ｃは、各レーザ光源３Ｃの導入口３６ａに接続されている。各配管ユニット１３Ａの接続部１８Ｄは、各レーザ光源３Ｄの導入口３６ａに接続されている。各配管ユニット１３Ａの各ホース１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄは、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄの冷媒流路３６に接続されている。

【0062】

図８に示されるように、各配管ユニット１３Ｂの接続部１４は、各サブ導入口２６（図４参照）に接続されている。各配管ユニット１３Ｂの接続部１８Ａは、各レーザ光源３Ａの導出口３６ｂに接続されている（図３参照）。各配管ユニット１３Ｂの接続部１８Ｂは、各レーザ光源３Ｂの導出口３６ｂに接続されている（図３参照）。各配管ユニット１３Ｂの接続部１８Ｃは、各レーザ光源３Ｃの導出口３６ｂに接続されている。各配管ユニット１３Ｂの接続部１８Ｄは、各レーザ光源３Ｄの導出口３６ｂに接続されている。各配管ユニット１３Ｂの各ホース１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄは、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄの冷媒流路３６に接続されている。

【0063】

レーザ装置１では、メイン導入管１１からメイン導入口２４を介して後側部分２３の冷媒供給流路に冷媒が導入され、各サブ導出口２５及び各配管ユニット１３Ａを介して各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄの冷媒流路３６に冷媒が導入される。そして、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄの冷媒流路３６から各配管ユニット１３Ｂ及び各サブ導入口２６を介して後側部分２３の冷媒回収流路に冷媒が導入され、メイン導出口２７を介してメイン導出管１２から冷媒が導出される。
［作用及び効果］

【0064】

レーザ装置１では、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄが支持体２に対して移動可能であり、各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄにおいて、第１接続箇所Ｐ１と第２接続箇所Ｐ２との間の延在部８１が可撓性を有しており、延在部８１の長さが第１接続箇所Ｐ１と第２接続箇所Ｐ２との間の直線距離よりも大きい。これにより、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄに各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄが電気的に接続された状態で、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄの位置を調整することができる。したがって、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄから出射されたレーザ光の照射パターン（すなわち、固体レーザ媒質Ｓに照射され得るレーザ光の照射パターン）を確認しつつ、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄの位置を調整することが可能となる。更に、各電極８Ａ，８Ｂがヒートシンク７Ａに熱的に接続されており、各電極８Ｃ，８Ｄがヒートシンク７Ｂに熱的に接続されているため、発熱による各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄの劣化を抑制することができる。よって、レーザ装置１によれば、簡易な構成で高品質な光出力を確実に得ることができる。

【0065】

レーザ装置１では、各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄがシート状を呈している。これにより、例えば、各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄが複数のワイヤによって構成されたものである場合に比べ、製造の容易化を図ることができる。また、例えば、各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄが複数のワイヤによって構成されたものである場合に比べ、延在部８１の可撓性を維持しつつ、発熱による各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄの劣化を抑制することができる。複数のワイヤによって構成された電極において発熱による電極の劣化を抑制するためには、各ワイヤを太くしたりワイヤの本数を増やしたりする必要があり、そのような場合には、電極の可撓性が損なわれるからである。更に、各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄがシート状を呈していると、例えば、各電極が複数のワイヤによって構成されたものである場合に比べ、各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄが曲げられたり捩じられたりしても物理的な断線が発生し難いという利点がある。

【0066】

レーザ装置１では、各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄの延在部８１が、第１接続箇所Ｐ１と第２接続箇所Ｐ２との間において空中に浮いている。これにより、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄに各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄが電気的に接続された状態で、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄの位置をより容易に調整することができる。

【0067】

レーザ装置１では、各ヒートシンク７Ａ，７Ｂに冷媒流路７１が設けられている。これにより、各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄをより効率良く冷却することができる。

【0068】

レーザ装置１では、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄが、ヒートシンク３２と、ヒートシンク３２に熱的に接続された半導体レーザアレイ３３と、を有している。これにより、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄにおいて、半導体レーザアレイ３３を効率良く冷却することができる。半導体レーザアレイ３３の発熱量は単素子の半導体レーザの発熱量に比べて大きくなるため、ヒートシンク３２を用いて半導体レーザアレイ３３を冷却する構成は有効である。

【0069】

レーザ装置１では、ヒートシンク３２に冷媒流路３６が設けられている。これにより、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄにおいて、半導体レーザアレイ３３をより効率良く冷却することができる。

【0070】

レーザ装置１では、可撓性を有する各ホース１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄが、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄの冷媒流路３６に接続されている。これにより、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄに各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄが電気的に接続された状態で、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄの位置をより容易に調整することができる。

【0071】

レーザ装置１では、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄにおいて、複数の半導体レーザアレイ３３が、各導電性部材９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄによって電気的に直列に接続されている。これにより、配線の単純化を図ることができ、延いては、レーザ装置１の小型化を図ることができる。

【0072】

レーザ装置１では、各導電性部材９Ａ，９Ｂがヒートシンク７Ａに熱的に接続されており、各導電性部材９Ｃ，９Ｄがヒートシンク７Ｂに熱的に接続されている。これにより、発熱による導電性部材９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄの劣化を抑制することができる。

【0073】

レーザ装置１では、各導電性部材９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄの断面積が各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄの断面積よりも大きい。これにより、複数の電極８Ａ及び複数の導電性部材９Ａの全体としての電気抵抗を下げて、それら全体としての発熱を抑制することができる。複数の電極８Ｂ及び複数の導電性部材９Ｂの全体、複数の電極８Ｃ及び複数の導電性部材９Ｃの全体、並びに、複数の電極８Ｄ及び複数の導電性部材９Ｄの全体についても、同様である。

【0074】

レーザ装置１では、各ミラー５Ａが、各レーザ光源３Ａから出射されたレーザ光を反射し、各レーザ光源３Ｂから出射されたレーザ光を透過する。これにより、対応するレーザ光源３Ａとレーザ光源３Ｂとの位置関係を調整することで、レーザ光源３Ａから出射されたレーザ光とレーザ光源３Ｂから出射されたレーザ光とを所望の状態で結合させることができる。同様に、各ミラー５Ｂが、各レーザ光源３Ｃから出射されたレーザ光を反射し、各レーザ光源３Ｄから出射されたレーザ光を透過する。これにより、対応するレーザ光源３Ｃとレーザ光源３Ｄとの位置を調整することで、レーザ光源３Ｃから出射されたレーザ光とレーザ光源３Ｄから出射されたレーザ光とを所望の状態で結合させることができる。

【0075】

レーザ装置１では、各レーザ光源３Ａ，３Ｂが、Ｘ軸方向に積層された複数の半導体レーザバー３３ａを有しており、各レーザ光源３Ａ，３Ｂが、Ｘ軸方向において支持体２に対して移動可能である。これにより、対応するレーザ光源３Ａとレーザ光源３Ｂとの位置関係を調整することで、レーザ光源３Ａの各半導体レーザバー３３ａから出射されたレーザ光の隙間を、レーザ光源３Ｂの各半導体レーザバー３３ａから出射されたレーザ光で埋めることがきる。同様に、各レーザ光源３Ｃ，３Ｄが、Ｘ軸方向に積層された複数の半導体レーザバー３３ａを有しており、各レーザ光源３Ｃ，３Ｄが、Ｘ軸方向において支持体２に対して移動可能である。これにより、対応するレーザ光源３Ｃとレーザ光源３Ｄとの位置関係を調整することで、レーザ光源３Ｃの各半導体レーザバー３３ａから出射されたレーザ光の隙間を、レーザ光源３Ｄの各半導体レーザバー３３ａから出射されたレーザ光で埋めることがきる。

【0076】

レーザ装置１では、各ミラー５Ａが、各レーザ光源３Ａから出射されたレーザ光を反射する複数の光反射部５１と、各レーザ光源３Ｂから出射されたレーザ光を透過する複数の光透過部５２と、を有しており、各ミラー５Ａにおいて、各光反射部５１と各光透過部５２とがＸ軸方向において交互に並んでいる。これにより、各レーザ光源３Ａの位置を調整することで、各レーザ光源３Ａから出射されたレーザ光を各光反射部５１に確実に入射させることができる。また、各レーザ光源３Ｂの位置を調整することで、各レーザ光源３Ｂから出射されたレーザ光を各光透過部５２に確実に入射させることができる。同様に、各ミラー５Ｂが、各レーザ光源３Ｃから出射されたレーザ光を反射する複数の光反射部５１と、各レーザ光源３Ｄから出射されたレーザ光を透過する複数の光透過部５２と、を有しており、各ミラー５Ｂにおいて、各光反射部５１と各光透過部５２とがＸ軸方向において交互に並んでいる。これにより、各レーザ光源３Ｃの位置を調整することで、各レーザ光源３Ｃから出射されたレーザ光を各光反射部５１に確実に入射させることができる。また、各レーザ光源３Ｄの位置を調整することで、各レーザ光源３Ｄから出射されたレーザ光を各光透過部５２に確実に入射させることができる。以上の結果として、光の損失を抑制しつつ、高品質な光出力を得ることができる。

【0077】

レーザ装置１では、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄから出射されたレーザ光が、プリズム光学系１００によって固体レーザ媒質Ｓに纏められる。これにより、固体レーザ媒質Ｓにおいて高品質な光出力を得ることができる。
［変形例］

【0078】

本発明は、上述した実施形態に限定されない。例えば、各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄは、少なくとも延在部８１において、可撓性を有していればよい。各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄは、シート状を呈しているものに限定されず、例えば、複数のワイヤによって構成されたもの、スプリング状の延在部８１を有するものであってもよい。各電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄにおいて、延在部８１は、第１接続箇所Ｐ１と第２接続箇所Ｐ２との間において空中に浮いていなくてもよい。

【0079】

各ヒートシンク７Ａ，７Ｂには、冷媒流路７１が設けられていなくてもよい。各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄは、ヒートシンク３２と、半導体レーザアレイ３３と、を有するものでなくてもよい。例えば、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄは、単素子の半導体レーザによって構成されたものであってもよい。各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄにおいて、ヒートシンク３２には、冷媒流路３６が設けられていなくてもよい。各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄは、Ｘ軸方向以外の方向において支持体２に対して移動可能であってもよい。プリズム光学系１００は、各レーザ光源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄから出射されたレーザ光を所定領域に纏めるものであればよい。

【0080】

レーザ光源ユニット１０は、各ミラー５Ａ，５Ｂに代えて、偏光結合素子、波長結合素子等の他の光学素子を有していてもよい。偏光結合素子は、第１偏光（例えば、Ｐ偏光及びＳ偏光の一方）のレーザ光を反射し、第１偏光とは異なる第２偏光（例えば、Ｐ偏光及びＳ偏光の他方）のレーザ光を透過するものであればよい。波長結合素子は、第１波長のレーザ光を反射し、第１波長とは異なる第２波長のレーザ光を透過するものであればよい。ただし、ミラー５Ａ，５Ｂによれば、Ｙ軸方向に沿って入射するレーザ光を反射し、Ｚ軸方向に沿って入射するレーザ光を透過する構成を確実且つ容易に実現することができる。

【0081】

上述した実施形態における各構成には、上述した材料及び形状に限定されず、様々な材料及び形状を適用することができる。また、上述した一の実施形態又は変形例における各構成は、他の実施形態又は変形例における各構成に任意に適用することができる。

【符号の説明】

【0082】

１…レーザ装置、２…支持体、３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ…レーザ光源、５Ａ，５Ｂ…ミラー（光学素子）、７Ａ，７Ｂ…ヒートシンク（第１ヒートシンク）、８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄ…電極、９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄ…導電性部材、１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄ…ホース、３２…ヒートシンク（第２ヒートシンク）、３３…半導体レーザアレイ、３３ａ…半導体レーザバー、３６…冷媒流路（第２冷媒流路）、５１…光反射部、５２…光透過部、７１…冷媒流路（第１冷媒流路）、８１…延在部、１００…プリズム光学系、Ｐ１…第１接続箇所、Ｐ２…第２接続箇所、Ｓ…固体レーザ媒質（所定領域）。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】