特開 2022-137801 電子部品、フィルタおよびマルチプレクサ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022137801

(43)【公開日】2022-09-22

(54)【発明の名称】電子部品、フィルタおよびマルチプレクサ

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/25 20060101AFI20220914BHJP

   H03H 9/64 20060101ALI20220914BHJP

   H03H 9/72 20060101ALI20220914BHJP

【ＦＩ】

H03H9/25 A

H03H9/64 Z

H03H9/72

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021037473

(22)【出願日】2021-03-09

(71)【出願人】

【識別番号】000204284

【氏名又は名称】太陽誘電株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100087480

【弁理士】

【氏名又は名称】片山 修平

(72)【発明者】

【氏名】川原 尚由

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 雅弘

(72)【発明者】

【氏名】黒坂 広幸

【テーマコード（参考）】

5J097

【Ｆターム（参考）】

5J097AA25

5J097BB02

5J097BB11

5J097BB15

5J097DD21

5J097FF04

5J097GG03

5J097HA04

5J097JJ06

5J097JJ09

5J097KK09

5J097KK10

(57)【要約】

【課題】封止性の劣化を抑制する電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品は、基板１０と、基板１０上に設けられた素子と、基板１０の上方に設けられたリッド３０と、基板１０とリッド３０とを接続し、第１はんだ層２２と、第１はんだ層に積層され第１はんだ層より厚い第１金属層２１と、を有し、素子を囲み素子を空隙に封止する第１封止部２０と、基板１０とリッド３０とを接続し、第２はんだ層２６と、第２はんだ層２６に積層され、第２はんだ層２６より厚く第１金属層２１と離れた第２金属層２５と、を有し、第１封止部２０を囲むように設けられた第２封止部２４とを備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上に設けられた素子と、
前記基板の上方に設けられたリッドと、
前記基板と前記リッドとを接続し、第１はんだ層と、前記第１はんだ層に積層され前記第１はんだ層より厚い第１金属層と、を有し、前記素子を囲み前記素子を空隙に封止する第１封止部と、
前記基板と前記リッドとを接続し、第２はんだ層と、前記第２はんだ層に積層され、前記第２はんだ層より厚く前記第１金属層と離れた第２金属層と、を有し、前記第１封止部を囲むように設けられた第２封止部と、
を備える電子部品。

【請求項2】

前記第１はんだ層は前記基板に接合され、前記第１金属層は前記リッドに接合され、
前記第２はんだ層は前記リッドに接合され、前記第２金属層は前記基板に接合される請求項１に記載の電子部品。

【請求項3】

前記第１はんだ層は前記リッドに接合され、前記第１金属層は前記基板に接合され、
前記第２はんだ層は前記基板に接合され、前記第２金属層は前記リッドに接合される請求項１に記載の電子部品。

【請求項4】

前記第１はんだ層および前記第２はんだ層は前記基板および前記リッドのいずれか一方に接合され、前記第１金属層および前記第２金属層は前記基板および前記リッドの他方に接合される請求項１に記載の電子部品。

【請求項5】

前記第１はんだ層と前記第２はんだ層とは離れている請求項４に記載の電子部品。

【請求項6】

前記第１封止部と前記第２封止部との間に別の空隙が設けられている請求項１から５のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項7】

前記第１金属層と前記第２金属層の融点は、前記第１はんだ層および前記第２はんだ層の融点より高い請求項１から６のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項8】

前記第１金属層のうち最も厚い層の主成分と前記第２金属層のうち最も厚い層の主成分とは同じであり、
前記第１はんだ層の主成分と前記第２はんだ層の主成分とは同じである請求項１から７のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項9】

前記素子は弾性波素子である請求項１から８のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項10】

請求項９に記載の電子部品を含むフィルタ。

【請求項11】

請求項１０に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電子部品、フィルタおよびマルチプレクサに関し、例えば封止部を有する電子部品、フィルタおよびマルチプレクサに関する。

【背景技術】

【0002】

基板上に素子が設けられ、素子を囲むように環状の封止部が設けられ、封止部上にリッドを設けることで、素子を空隙に封止する電子部品が知られている（例えば特許文献１～３）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１６－１５２６１２号公報

【特許文献2】特開２０１４－１４３６４０号公報

【特許文献3】特開２０１３－１１５６６４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

素子を囲む封止部がはんだ層とはんだ層より厚い金属層とを有するときに、封止部の幅が狭いと気密性が劣化する。封止部の幅が広いと熱応力により封止部と基板またはリッドとがはがれやすくなり、封止性が劣化する。

【0005】

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、封止性の劣化を抑制することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明は、基板と、前記基板上に設けられた素子と、前記基板の上方に設けられたリッドと、前記基板と前記リッドとを接続し、第１はんだ層と、前記第１はんだ層に積層され前記第１はんだ層より厚い第１金属層と、を有し、前記素子を囲み前記素子を空隙に封止する第１封止部と、前記基板と前記リッドとを接続し、第２はんだ層と、前記第２はんだ層に積層され、前記第２はんだ層より厚く前記第１金属層と離れた第２金属層と、を有し、前記第１封止部を囲むように設けられた第２封止部と、を備える電子部品である。

【0007】

上記構成において、前記第１はんだ層は前記基板に接合され、前記第１金属層は前記リッドに接合され、前記第２はんだ層は前記リッドに接合され、前記第２金属層は前記基板に接合される構成とすることができる。

【0008】

上記構成において、前記第１はんだ層は前記リッドに接合され、前記第１金属層は前記基板に接合され、前記第２はんだ層は前記基板に接合され、前記第２金属層は前記リッドに接合される構成とすることができる。

【0009】

上記構成において、前記第１はんだ層および前記第２はんだ層は前記基板および前記リッドのいずれか一方に接合され、前記第１金属層および前記第２金属層は前記基板および前記リッドの他方に接合される構成とすることができる。

【0010】

上記構成において、前記第１はんだ層と前記第２はんだ層とは離れている構成とすることができる。

【0011】

上記構成において、前記第１封止部と前記第２封止部との間に別の空隙が設けられている構成とすることができる。

【0012】

上記構成において、前記第１金属層と前記第２金属層の融点は、前記第１はんだ層および前記第２はんだ層の融点より高い構成とすることができる。

【0013】

上記構成において、前記第１金属層のうち最も厚い層の主成分と前記第２金属層のうち最も厚い層の主成分とは同じであり、前記第１はんだ層の主成分と前記第２はんだ層の主成分とは同じである構成とすることができる。

【0014】

上記構成において、前記素子は弾性波素子である構成とすることができる。

【0015】

本発明は、上記電子部品を含むフィルタである。

【0016】

本発明は、上記フィルタを含むマルチプレクサである。

【発明の効果】

【0017】

本発明によれば、封止性の劣化を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】図１（ａ）は、実施例１に係る電子部品の断面図、図１（ｂ）は、平面図である。

【図2】図２は、実施例１における封止部の層構造を示す断面拡大図である。

【図3】図３は、実施例１における弾性波素子の平面図である。

【図4】図４（ａ）および図４（ｂ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す平面図である。

【図5】図５は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図である。

【図6】図６（ａ）から図６（ｃ）は、それぞれ実施例１の変形例１～３に係る電子部品の断面図である。

【図7】図７（ａ）および図７（ｂ）は、それぞれ実施例１の変形例４および５に係る電子部品の断面図である。

【図8】図８は、実施例１の変形例５における弾性波素子を示す断面図である。

【図9】図９（ａ）および図９（ｂ）は、比較例１に係る電子部品の断面模式図、図９（ｃ）および図９（ｄ）は、それぞれ実施例１の変形例３および実施例１に係る電子部品の断面模式図である。

【図10】図１０（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図、図１０（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。

【実施例0020】

図１（ａ）は、実施例１に係る電子部品の断面図、図１（ｂ）は、平面図である。基板１０の厚さ方向をＺ方向、基板１０の平面方向をＸ方向およびＹ方向とする。図１（ｂ）は、基板１０、弾性波素子１２、封止部２０および２４を示している。

【0021】

図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、基板１０上に弾性波素子１２および配線１４が設けられている。弾性波素子１２は例えば弾性表面波素子である。基板１０を貫通するビア配線１６が設けられている。基板１０の下面に端子１８が設けられている。ビア配線１６は配線１４と端子１８とを電気的に接続する。基板１０の上方にリッド３０が設けられている。弾性波素子１２を囲むように環状の封止部２０が設けられ、封止部２０を囲むように封止部２４が設けられている。封止部２０および２４は、基板１０とリッド３０との間を接続する。封止部２０および２４とリッド３０は弾性波素子１２を空隙３２に封止する。

【0022】

封止部２０は、積層された金属層２１およびはんだ層２２を有する。金属層２１は、リッド３０の下面に接合されている。基板１０の上面に金属層２３が設けられている。はんだ層２２は金属層２１と２３とを接合する。封止部２４は、積層された金属層２５およびはんだ層２６を有する。金属層２５は、基板１０の上面に接合されている。リッド３０の下面に金属層２７が設けられている。はんだ層２６は金属層２５と２７とを接合する。金属層２１の厚さＴ１ははんだ層２２の厚さＴ２より大きい。金属層２５の厚さＴ５ははんだ層２６の厚さＴ６より大きい。

【0023】

基板１０は、例えば単結晶タンタル酸リチウム基板、単結晶ニオブ酸リチウム基板または単結晶水晶基板等の圧電基板である。単結晶タンタル酸リチウム基板、単結晶ニオブ酸リチウム基板は、例えば回転ＹカットＸ伝搬基板である。リッド３０は、コバール板等の金属板、シリコン板またはサファイア板等の絶縁板、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板等の圧電板である。リッド３０の下面に弾性波素子等の素子が設けられていてもよい。配線１４、ビア配線１６および端子１８は、例えば銅層、金層、銀層、チタン層、ニッケル層、タングステン層等の金属層の単層またはこれらの層の積層である。

【0024】

封止部２０および２４の例を説明する。図２は、実施例１における封止部の層構造を示す断面拡大図である。図２に示すように、金属層２１は積層された層２１ａ～２１ｄを有し、金属層２５は積層された層２５ａ～２５ｄを有する。層２１ａおよび２５ａは、厚さが０．０５μｍのチタン層であり、リッド３０と封止部２０との密着層および基板１０と封止部２４との密着層である。層２１ｂおよび２５ｂは、厚さが０．３μｍの銅層であり、めっきのためのシード層である。層２１ａ、２５ａ、２１ｂおよび２５ｂはスパッタリング法を用い形成する。層２１ｃおよび２５ｃは、厚さが２０μｍの銅層であり、封止部２０および２４の中で最も厚い。層２１ｄおよび２５ｄは、厚さが４μｍのニッケル層であり、層２１ｃとはんだ層２２とのバリア層および層２５ｃとはんだ層２６とのバリア層である。はんだ層２２および２６は、厚さが４μｍの金錫層である。層２１ｃ、２１ｄおよびはんだ層２２は、層２１ｂをシード層として電解めっき法により形成される。層２５ｃ、２５ｄおよびはんだ層２６は、層２５ｂをシード層として電解めっき法により形成される。金属層２３および２７は、厚さが０．２μｍの金層であり、金属層２３とリッド３０との密着性がよく、金属層２７と基板１０との密着性がよい。

【0025】

図２の例以外にも、金属層２１、２５は、例えば銅層、金層、銀層、チタン層、ニッケル層、タングステン層等の金属層の単層またはこれらの層の積層である。はんだ層２２および２６は、例えば金錫はんだ、銀錫はんだ、もしくは銀銅錫はんだ等の錫を主成分とするはんだ、またはインジウムを主成分とするはんだである。はんだ層２２および２６の融点は金属層２１、２３、２５、２７より低く、例えば３００℃以下である。金属層２３および２７は、はんだ層２２および２６との濡れ性がよい金属であり、例えば金層である。基板１０および／またはリッド３０がはんだ層２２および２６の濡れ性が良い場合、金属層２３および／または２７は設けられていなくてもよい。封止部２０の幅Ｗ１および封止部２４の幅Ｗ２は、一例として１０μｍであり、例えば５μｍ～２０μｍである。封止部２０と２４との間隔Ｗ３は、０μｍでもよいが、封止部２０と２４との合わせマージンを考慮すると、間隔Ｗ３は０μｍより大きく１０μｍ以下である。封止部２０と２４との間には空隙３３が形成される。基板１０の厚さは、例えば５０μｍ～２００μｍであり、リッド３０の厚さは、例えば１０μｍ～２００μｍである。基板１０およびリッド３０のＸ方向およびＹ方向の幅は、例えば０．１ｍｍ～５ｍｍである。

【0026】

図３は、実施例１における弾性波素子の平面図である。図３に示すように、弾性波素子１２は弾性表面波共振器またはＬａｍｂ波共振器である。基板１０は圧電基板であり、基板１０上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）４０と反射器４２が形成されている。ＩＤＴ４０は、互いに対向する１対の櫛型電極４０ａを有する。櫛型電極４０ａは、複数の電極指４０ｂと複数の電極指４０ｂを接続するバスバー４０ｃとを有する。反射器４２は、ＩＤＴ４０の両側に設けられている。ＩＤＴ４０が圧電基板である基板１０に弾性表面波を励振する。弾性波の波長は一対の櫛型電極４０ａの一方の櫛型電極４０ａの電極指４０ｂのピッチにほぼ等しい。すなわち、弾性波の波長は一対の櫛型電極４０ａの電極指４０ｂのピッチの２倍にほぼ等しい。ＩＤＴ４０および反射器４２は例えばアルミニウム膜、銅膜またはモリブデン膜により形成される。基板１０上にＩＤＴ４０および反射器４２を覆うように保護膜または温度補償膜が設けられていてもよい。弾性波素子１２は、弾性波を励振する電極を含む。このため、弾性波を制限しないように、弾性波素子１２は空隙３２に覆われている。

【0027】

図４（ａ）および図４（ｂ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す平面図である。図５は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図である。図４（ａ）に示すように、基板１０であるウエハ１０ａ上に複数の封止部２４を形成する。封止部２４はそれぞれ弾性波素子１２を囲む。封止部２４の内側に金属層２３（不図示）を形成する。図４（ｂ）に示すように、リッド３０であるウエハ３０ａ上に複数の封止部２０を形成する。封止部２０の外側に金属層２７を形成する。

【0028】

図５に示すように、ウエハ１０ａと３０ａとを加熱し、矢印５０および５１のように押圧する。これにより、ウエハ１０ａと３０ａとが熱圧着される。はんだ層２２および２６が金錫の場合、ウエハ１０ａおよび３０ａの温度を約３２０℃に加熱する。これにより、はんだ層２２および２６が溶融し金属層２３および２７と接合する。はんだ層２２および２６を各々金層と錫層と、熱圧着のときにはんだ層２２および２６が形成されてもよい。その後、ウエハ１０ａおよび３０ａを切断することにより個片化する。これにより、実施例１の電子部品が製造される。

【0029】

［実施例１の変形例１］
図６（ａ）は、実施例１の変形例１に係る電子部品の断面図である。図６（ａ）に示すように、封止部２０の金属層２１は基板１０に接合されており、はんだ層２２は、リッド３０の下面に接合された金属層２３と接合されている。封止部２４の金属層２５はリッド３０に接合されており、はんだ層２６は、基板１０の上面に接合された金属層２７と接合されている。このように、はんだ層２２がリッド３０側に設けられ、はんだ層２６が基板側に設けられている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

【0030】

［実施例１の変形例２］
図６（ｂ）は、実施例１の変形例２に係る電子部品の断面図である。図６（ｂ）に示すように、封止部２０の金属層２１および封止部２４の金属層２５は基板１０に接合されており、はんだ層２２および２６は、リッド３０の下面に接合された金属層２３および２７にそれぞれ接合されている。このように、はんだ層２２および２６がリッド３０側に設けられている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

【0031】

［実施例１の変形例３］
図６（ｃ）は、実施例１の変形例３に係る電子部品の断面図である。図６（ｃ）に示すように、金属層２３と２７は共通に設けられている。これにより、はんだ層２２および２６が濡れ広がったときに、はんだ層２２と２６とが接触し一体となる。その他の構成は実施例１の変形例２と同じであり説明を省略する。

【0032】

［実施例１の変形例４］
図７（ａ）は、実施例１の変形例４に係る電子部品の断面図である。図７（ａ）に示すように、基板１０上に絶縁層１１ａが設けられ、絶縁層１１ａ上に圧電層１１ｂが設けられている。圧電層１１ｂ上に弾性波素子１２が設けられている。領域５５および５６において絶縁層１１ａおよび圧電層１１ｂが除去されている。領域５５において、基板１０上に封止部２０および２４が設けられている。領域５６において、ビア配線１６は基板１０を貫通している。配線１４は領域５６のビア配線１６上から圧電層１１ｂ上まで設けられている。

【0033】

基板１０は、例えばサファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板、水晶基板またはシリコン基板である。絶縁層１１ａは、例えば酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化アルミニウム層または窒化アルミニウム層等の単層膜またはこれらの積層膜である。一例として、絶縁層１１ａは、基板１０上に設けられた酸化アルミニウム層と、酸化アルミニウム層上に設けられた酸化シリコン層である。圧電層１１ｂは、例えば単結晶タンタル酸リチウム層または単結晶ニオブ酸リチウム層である。単結晶タンタル酸リチウム層、単結晶ニオブ酸リチウム層は、例えば回転ＹカットＸ伝搬基板である。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。実施例１の変形例１～３において、絶縁層１１ａおよび圧電層１１ｂが設けられていてもよい。

【0034】

［実施例１の変形例５］
図７（ｂ）は、実施例１の変形例５に係る電子部品の断面図である。図７（ｂ）に示すように、基板１０上に弾性波素子１２として圧電薄膜共振器が設けられている。基板１０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、ガラス基板、水晶基板またはシリコン基板である。

【0035】

図８は、実施例１の変形例５における弾性波素子を示す断面図である。図８に示すように、弾性波素子１２は圧電薄膜共振器である。基板１０上に圧電膜４６が設けられている。圧電膜４６を挟むように下部電極４４および上部電極４８が設けられている。下部電極４４と基板１０との間に空隙４５が形成されている。圧電膜４６の少なくとも一部を挟み下部電極４４と上部電極４８とが対向する領域が共振領域４７である。共振領域４７において、下部電極４４および上部電極４８は圧電膜４６内に、厚み縦振動モードの弾性波を励振する。下部電極４４および上部電極４８は例えばルテニウム膜等の金属膜である。圧電膜４６は例えば窒化アルミニウム膜である。空隙４５の代わりに弾性波を反射する音響反射膜が設けられていてもよい。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。実施例１の変形例１～３において、弾性波素子１２は圧電薄膜共振器でもよい。

【0036】

図９（ａ）および図９（ｂ）は、比較例１に係る電子部品の断面模式図、図９（ｃ）および図９（ｄ）は、それぞれ実施例１の変形例３および実施例１に係る電子部品の断面模式図である。金属層２３および２７の図示を省略している。図９（ａ）に示すように、比較例１では、封止部２０が設けられ、封止部２４は設けられていない。封止部２０において金属層２１がはんだ層２２より厚い理由は、はんだ層２２が厚いと熱圧着のときにリッド３０と基板１０との距離を維持できないためである。封止部２０の幅が狭いとき、封止部２０と基板１０およびリッド３０との界面から空隙３２内に外部から水分等が侵入しやすく、封止性（例えば気密性）が悪い。熱応力等により、リッド３０が湾曲しても、封止部２０の金属層２１が湾曲しリッド３０からの応力を緩和する。このため、はんだ層２２による接合は良好である。

【0037】

図９（ｂ）に示すように、封止部２０の幅を広くすると、封止部２０と基板１０およびリッド３０との界面が広くなり、封止性が向上すると考えられる。しかし、金属層２１の幅が広いため金属層２１が湾曲し難い。このため、矢印５４のように、はんだ層２２とリッド３０との接合が破断することがある。これにより、空隙３２の気密性が低下してしまう。

【0038】

図９（ｃ）のように、実施例１の変形例３では、封止部２０の金属層２１と封止部２４の金属層２５とが離れて設けられている。これにより、リッド３０が湾曲したときに、金属層２１および２５がリッド３０に追従して湾曲する。これにより、はんだ層２２および２６とリッド３０との接合が破断することが抑制される。また、封止部２０および２４の合計の幅を広くできるため、封止性が向上する。

【0039】

図９（ｄ）に示すように、実施例１では、実施例１の変形例３と同様に、リッド３０が湾曲したときに、金属層２１および２５がリッド３０に追従して湾曲する。仮に、金属層２５の湾曲がリッド３０の湾曲に追従できずに、はんだ層２６とリッド３０との接合が破断しても、金属層２１とリッド３０との接合により、封止部２０の封止が維持され、気密性が保持できる。

【0040】

図９（ａ）から図９（ｄ）では、リッド３０とはんだ層２２との接合が基板１０と金属層２１との接合より弱い場合について説明した。基板１０と金属層２１との接合がリッド３０とはんだ層２２との接合より弱い場合には、基板１０と金属層２１または２５との接合が破断する。また、リッド３０が湾曲する例を説明したが、基板１０の湾曲がリッド３０の湾曲より大きい場合もある。

【0041】

実施例１およびその変形例によれば、封止部２０（第１封止部）は、はんだ層２２（第１はんだ層）と、はんだ層２２に積層されはんだ層２２より厚い金属層２１（第１金属層）と、を有する。封止部２４（第２封止部）は、はんだ層２６（第２はんだ層）と、はんだ層２６に積層され、はんだ層２６より厚く金属層２１と離れた金属層２５（第２金属層）と、を有する。このように、厚い金属層２１と２５とが離れているため、図９（ｃ）において説明したように、リッド３０および基板１０の少なくとも一方が湾曲しても金属層２１および２５が追従して湾曲するため、接合の破断を抑制できる。また、封止部２０と２４とで封止性を高めるため、封止性を向上できる。金属層２１および２５の厚さＴ１およびＴ５は、はんだ層２２および２６の厚さＴ２およびＴ６の２倍以上が好ましく、５倍以上がより好ましい。封止部２０および２４を湾曲させる観点から、封止部２０および２４の厚さは、封止部２０および２４の各々の幅の１．５倍以上が好ましく、２倍以上がより好ましい。

【0042】

実施例１のように、はんだ層２２は基板１０に接合され、金属層２１はリッド３０に接合される。はんだ層２６はリッド３０に接合され、金属層２５は基板１０に接合される。実施例１の変形例１のように、はんだ層２２はリッド３０に接合され、金属層２１は基板１０に接合される。はんだ層２６は基板１０に接合され、金属層２５はリッド３０に接合される。これにより、封止部２４において、リッド３０との接合が基板１０との接合より弱い場合、封止部２０において、リッド３０との接合は基板１０との接合より強くなる。よって、封止部２０とリッド３０との接合が破断しても封止部２４とリッド３０との破断は抑制される。よって、封止性が保持される。

【0043】

実施例１と実施例１の変形例１はどちらでもよいが、金属層２１および２５に含まれる材料が弾性波素子１２に影響する場合、または、金属層２１および２５をめっき法を用い形成するときにウィスカーが形成される場合は、実施例１のように、弾性波素子１２に近い封止部２０のはんだ層２２が基板１０に接合することが好ましい。

【0044】

実施例１の変形例２および３のように、はんだ層２２および２６はリッド３０に接合され、金属層２１および２５は基板１０に接合されていてもよい。また、はんだ層２２および２６は基板１０に接合され、金属層２１および２５はリッド３０に接合されていてもよい。このような構成でも、金属層２１と２５が離れていることにより、図９（ｃ）のように、リッド３０が湾曲しても金属層２１および２５が湾曲し追従するため、封止部２０または２４の破断を抑制できる。

【0045】

実施例１の変形例２のように、はんだ層２２と２６とは離れている。これにより、はんだ層２２と２６とが独立してリッド３０の湾曲に追従する。よって、封止部２０または２４の破断をより抑制できる。

【0046】

実施例１およびその変形例１および２のように、封止部２０と２４との間に別の空隙３３が設けられている。これにより、はんだ層２２と２６とが独立してリッド３０の湾曲に追従する。よって、封止部２０または２４の破断をより抑制できる。

【0047】

金属層２１と２５の融点は、はんだ層２２および２６の融点より高い。例えば、はんだ層２２および２６の融点は３００℃以下であり、金属層２１および２５の融点は５００℃以上である。このように、金属層２１と２５の融点は、はんだ層２２および２６の融点より２００°以上高い。

【0048】

金属層２１のうち最も厚い層２１ｃの主成分と金属層２５のうち最も厚い層２５ｃの主成分とは同じであり、はんだ層２２の主成分とはんだ層２６の主成分とは同じである。これにより、封止部２０と２４の形成を簡略化できる。なお、ある層の主成分とは、ある層に意図的または意図せず含まれる不純物を除いた成分であり、例えばある層の５０原子％以上の成分であり、８０原子％以上の成分である。最も厚い層２１ｃおよび２５ｃの厚さはそれぞれ封止部２０および２４の厚さの例えば１／２以上であり、２/３以上であることが好ましい。

【0049】

実施例１およびその変形例では、素子として弾性波素子１２（圧電薄膜共振器または弾性表面波共振器）の例を説明したが、素子は、インダクタまたはキャパシタ等の受動素子、トランジスタを含む能動素子、またはＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子でもよい。

【実施例0050】

図１０（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図である。図１０（ａ）に示すように、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に、１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４が直列に接続されている。入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に、１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ４が並列に接続されている。実施例２のフィルタを弾性波素子１２で形成してもよい。直列共振器および並列共振器の個数等は適宜設定できる。フィルタとしてラダー型フィルタを例に説明したが、フィルタは多重モード型フィルタでもよい。

【0051】

図１０（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。図１０（ｂ）に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ６０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ６２が接続されている。送信フィルタ６０は、送信端子Ｔｘから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ６２は、共通端子Ａｎｔから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ６０および受信フィルタ６２の少なくとも一方を実施例２のフィルタとすることができる。

【0052】

マルチプレクサとしてデュプレクサを例に説明したがトリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。

【0053】

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。