特開 2022-138815 めっき処理方法、及びその方法を用いて得られる配線板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022138815

(43)【公開日】2022-09-26

(54)【発明の名称】めっき処理方法、及びその方法を用いて得られる配線板

(51)【国際特許分類】

   C23C 18/20 20060101AFI20220915BHJP

   C23C 18/30 20060101ALI20220915BHJP

   C23C 18/32 20060101ALI20220915BHJP

   H05K 3/18 20060101ALI20220915BHJP

【ＦＩ】

C23C18/20 A

C23C18/30

C23C18/32

H05K3/18 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021038913

(22)【出願日】2021-03-11

(71)【出願人】

【識別番号】599141227

【氏名又は名称】学校法人関東学院

(71)【出願人】

【識別番号】391028339

【氏名又は名称】日本カニゼン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100124327

【弁理士】

【氏名又は名称】吉村 勝博

(72)【発明者】

【氏名】小岩 一郎

(72)【発明者】

【氏名】森田 顕

(72)【発明者】

【氏名】川口 純

【テーマコード（参考）】

4K022

5E343

【Ｆターム（参考）】

4K022AA13

4K022AA14

4K022AA16

4K022AA18

4K022AA31

4K022AA42

4K022BA08

4K022BA14

4K022BA16

4K022BA32

4K022CA03

4K022CA12

4K022DA01

4K022DB29

5E343AA16

5E343AA17

5E343BB24

5E343BB44

5E343CC73

5E343DD33

5E343DD43

5E343EE32

5E343ER04

5E343GG20

(57)【要約】

【課題】本発明の課題は、樹脂材と金属からなる配線との密着性を安定的に高めると共に処理コストを抑えながらも、高周波回路用として好適な配線を形成することのできるめっき方法及びそれを用いて得られる配線板を提供することにある。
【解決手段】上記課題を解決するため、樹脂材表面の紫外線照射箇所にのみ導体層を形成するめっき方法であって、当該樹脂材のレーザー顕微鏡を用いた非接触式の測定による算術平均高さＳａが５００ｎｍ以下であるめっき被処理面に対して形状変形が生じない程度の紫外線を照射する紫外線照射工程と、当該紫外線照射工程を行った後、当該樹脂材のめっき被処理面に対して２５～６０℃の脱脂剤を５分間～１０分間接触させて脱脂を行う脱脂工程とを含み、その後、めっき処理を行い当該導体層を形成することを特徴とするめっき方法等を提供する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

樹脂材表面の紫外線照射箇所にのみ導体層を形成するめっき方法であって、
当該樹脂材のレーザー顕微鏡を用いた非接触式の測定による算術平均高さＳａが５００ｎｍ以下であるめっき被処理面に対して形状変形が生じない程度の紫外線を照射する紫外線照射工程と、
当該紫外線照射工程を行った後、当該樹脂材のめっき被処理面に対して２５～６０℃の脱脂剤を５分間～１０分間接触させて脱脂を行う脱脂工程とを含み、
その後、めっき処理を行い当該導体層を形成することを特徴とするめっき方法。

【請求項2】

前記紫外線照射工程の直前と直後における、前記めっき被処理面の前記算術平均高さＳａの差を１０ｎｍ～１０００ｎｍとする請求項１に記載のめっき方法。

【請求項3】

前記脱脂工程の直前と直後における、前記めっき被処理面の前記算術平均高さＳａの差を３ｎｍ～１０ｎｍとする請求項１又は請求項２に記載のめっき方法。

【請求項4】

前記めっき処理は、前記めっき被処理面に対して、塩化第一スズを主成分として含む溶液を３０秒間～３分間接触させてスズイオンを吸着させるセンシタイジング処理工程と、
当該センシタイジング処理工程の後、当該めっき被処理面に対して、塩化パラジウムを主成分として含む溶液を３０秒間～３分間接触させてパラジウムを析出させるアクティベーティング処理工程と、
当該アクティベーティング処理工程の後、当該めっき被処理面にめっきにより前記導体層を形成する導体層形成工程とを含む請求項１～請求項３のいずれかに記載のめっき方法。

【請求項5】

前記導体層形成工程は、前記めっき被処理面に厚さ０．１～５μｍのニッケル－リン層を形成した後に、
当該ニッケル－リン層の表面に厚さ１０～３５μｍの銅層を形成する請求項４に記載のめっき方法。

【請求項6】

前記導体層形成工程で用いるめっき浴の浴温が５０℃～８０℃である請求項４又は請求項５に記載のめっき方法。

【請求項7】

前記樹脂材がエポキシ樹脂材、液晶ポリマー材、ポリフェニレンサルファイド樹脂材、又はＡＢＳ樹脂材である請求項１～請求項６のいずれかに記載のめっき方法。

【請求項8】

請求項１～請求項７のいずれかに記載のめっき方法を用いて得られることを特徴とする配線板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、めっき処理方法、及びその方法を用いて得られる配線板に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、電子機器の軽薄短小化、高性能化、形状の多様化が進んでいる。また、近年はＩｏＴ（Ｉｎｔｅｒｎｅｔ ｏｆ Ｔｈｉｎｇｓ）時代であるために種々のセンサが用いられ、配線回路を形成する基材が平板形状だと適応が難しい場合がある。そのため、小型で複雑形状の基材の表面に配線回路を形成できる立体回路成形部品（ＭＩＤ：Ｍｏｌｄｅｄ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）が、通信、医療、及び自動車等の様々な産業分野で今後の潮流になると予測される。こうした背景から、今後の電子機器においては、構成する配線板の配線に関して更なる微細化が求められると共に、当該配線と配線基材との密着性の更なる向上が求められている。

【0003】

配線基材の原料には、信号の伝送損失を低減すべく、低誘電率である樹脂材料が主に用いられている。そのため、樹脂材の表面に金属からなる配線（導体層）を形成するに際しては、主に無電解めっきが使用される。しかしながら、無電解めっき処理を行って、樹脂材の表面に導体層を形成した場合には、当該樹脂材と当該導体層との密着性が不十分となりやすい。このとき、樹脂材の表面をエッチング液（従来の過マンガン酸カリウムやマンガン酸ナトリウムや、近年の硫酸一過酸化水素系薬液等）を用いてエッチングすることにより粗面化し、アンカー効果を利用して当該樹脂材と当該導体層との密着性を得る従来の手法では、当該樹脂材の表面平滑度が低下し、微細な配線パターンを精度よく形成することができないといった問題が生じる。また、アンカー効果を利用した従来の手法を経て得られる導体層は、その表面粗度も大きくなり、１ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送した際に表皮効果の影響が現われて伝送特性の低下を招くおそれがある。表面粗度の大きな導体層を電子機器に用いた場合には、電気的特性の向上を図ることができないといった問題が生じてしまう。

【0004】

上述した問題に対して、レーザーダイレクトストラクチャリング（ＬＤＳ：Ｌａｓｅｒ Ｄｉｒｅｃｔ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｉｎｇ）工法が実用化されている。ＬＤＳ工法では、配線回路形成用の樹脂材として、レーザー照射により活性化される有機金属化合物（金属錯体）を含んだＬＤＳ添加剤を配合したものを用いる。そして、現行においては当該樹脂材の配線形成予定箇所に赤外光のレーザーを照射することで、レーザー照射領域に存在するこの有機金属化合物を、表面に露出させると共に触媒として活性化させる。その結果、配線形成予定領域に選択的に無電解めっき被膜を形成することができる。さらに、ＬＤＳ工法では、樹脂材にレーザー処理を施すことにより、この配線形成予定領域の表面に粗化処理を施すことができる。そのため、アンカー効果により、配線となるめっき被膜を当該樹脂材の表面に強固に固定させることが可能となる。なお、ＬＤＳ工法に関する技術としては、例えば特許文献１や特許文献２等に開示がされている。ＬＤＳ工法は、レーザー処理を採用するため、立体配線板であっても、レーザーを走査して微細で複雑な配線を高精度で形成することが可能である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特表２００４－５３４４０８号公報

【特許文献2】特表２０１０－５３６９４７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかし、ＬＤＳ工法では、樹脂材に配合されたＬＤＳ添加剤を表出させなければならず、その分余計にレーザー照射を行う必要がある。そのため、ＬＤＳ工法を用いた場合には、めっき被処理面の粗さが大きくなってしまい、最終的に得られる配線板が高周波回路用として適さなくなるおそれがある。また、ＬＤＳ工法では、樹脂材にＬＤＳ添加剤を配合する必要があるため、このＬＤＳ添加剤の種類によっては、当該樹脂材の特性（機械的強度等）に悪影響が生じるおそれがある。さらに、ＬＤＳ工法では、用いるＬＤＳ添加剤が特殊であるため、めっき工程の管理が煩雑化する場合もある。

【0007】

以上のことから、本発明の課題は、樹脂材と導体層との密着性を高めると共に処理コストを抑えながらも、高周波回路用として好適な導体層を安定的に形成することのできるめっき方法及びそれを用いて得られる配線板を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明者は、鋭意研究を行った結果、以下のめっき方法、及びその方法を用いて得られる配線板を採用することで上記課題を達成するに到った。

【0009】

本発明に係るめっき方法は、樹脂材表面の紫外線照射箇所にのみ導体層を形成するめっき方法であって、当該樹脂材のレーザー顕微鏡を用いた非接触式の測定による算術平均高さＳａが５００ｎｍ以下であるめっき被処理面に対して形状変形が生じない程度の紫外線を照射する紫外線照射工程と、当該紫外線照射工程を行った後、当該樹脂材のめっき被処理面に対して２５～６０℃の脱脂剤を５分間～１０分間接触させて脱脂を行う脱脂工程とを含み、その後、めっき処理を行い当該導体層を形成することを特徴とする。

【0010】

本発明に係るめっき方法は、前記紫外線照射工程の直前と直後における、前記めっき被処理面の前記算術平均高さＳａの差を１０ｎｍ～１０００ｎｍとすることが好ましい。

【0011】

本発明に係るめっき方法は、前記脱脂工程の直前と直後における、前記めっき被処理面の前記算術平均高さＳａの差を３ｎｍ～１０ｎｍとすることが好ましい。

【0012】

本発明に係るめっき方法において、前記めっき処理は、前記めっき被処理面に対して、塩化第一スズを主成分として含む溶液を３０秒間～３分間接触させてスズイオンを吸着させるセンシタイジング処理工程と、当該センシタイジング処理工程の後、当該めっき被処理面に対して、塩化パラジウムを主成分として含む溶液を３０秒間～３分間接触させてパラジウムを析出させるアクティベーティング処理工程と、当該アクティベーティング処理工程の後、当該めっき被処理面にめっきにより前記導体層を形成する導体層形成工程とを含むことが好ましい。

【0013】

本発明に係るめっき方法において、前記導体層形成工程は、前記めっき被処理面に厚さ０．１～５μｍのニッケル－リン層を形成した後に、当該ニッケル－リン層の表面に厚さ１０～３５μｍの銅層を形成することが好ましい。

【0014】

本発明に係るめっき方法は、前記導体層形成工程で用いるめっき浴の浴温が５０℃～８０℃であることが好ましい。

【0015】

本発明に係るめっき方法は、前記樹脂材がエポキシ樹脂材、液晶ポリマー材、ポリフェニレンサルファイド樹脂材、又はＡＢＳ樹脂材であることが好ましい。

【0016】

本発明に係る配線板は、上述しためっき方法を用いて得られることを特徴とする。

【発明の効果】

【0017】

本発明によれば、樹脂材と金属からなる配線との密着性を高めると共に処理コストを抑えながらも、高周波回路用として好適な配線を安定的に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】本実施形態における配線形成方法の構成を示すフロー図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下、本発明に係るめっき方法、及びその方法を用いて得られる配線板の実施の形態について説明する。なお、本発明の態様は、以下に示す実施の形態に限定されるものではない。

【0020】

Ａ．本発明に係るめっき方法
本発明に係るめっき方法は、樹脂材表面の紫外線照射箇所にのみ導体層を形成するめっき方法である。そして、「当該樹脂材のレーザー顕微鏡を用いた非接触式の測定による算術平均高さＳａ（ＩＳＯ２５１７８に規定される面粗さパラメータ。以下同様。）が５００ｎｍ以下であるめっき被処理面に対して形状変形が生じない程度の紫外線を照射する紫外線照射工程」と、「当該紫外線照射工程を行った後、当該樹脂材のめっき被処理面に対して２５～６０℃の脱脂剤を５分間～１０分間接触させて脱脂を行う脱脂工程」を必須としている。その後、めっき処理を行い当該導体層を形成する。以下に、本発明のめっき前処理としての、当該紫外線照射工程と当該脱脂工程について説明する。

【0021】

Ａ－１．めっき前処理
以下、紫外線照射工程と脱脂工程とに分けて説明する。

【0022】

＜紫外線照射工程について＞
本発明に係るめっき方法は、アンカー効果を得るためのエッチング処理工程や触媒付与を促進させるための界面活性剤吸着工程の代わりに、めっき被処理面に対して形状変形が生じない程度の紫外線を照射する工程を有するものである。本発明に係るめっき方法は、この紫外線照射工程において、導体層を形成する樹脂材のめっき被処理面に紫外線を照射することで、当該めっき被処理面を親水性に改質する。めっき被処理面の親水性を向上させることで、当該めっき被処理面に触媒として機能し得る金属を吸着させやすくなり、当該樹脂材と当該導体層との界面における密着力を化学的に向上させることが可能となる。

【0023】

ここで、上述した、樹脂材の表面を親水性に変化させるための改質に関して説明する。この改質は、紫外線の照射により、樹脂材のめっき被処理面の構造特性や機能性を向上させるものである。具体的には、樹脂材に対する適切な波長の紫外線の照射により、樹脂材表面の高分子の化学結合が切断され、当該樹脂材表面に酸化に伴う官能基（ヒドロキシル基（－ＯＨ）やカルボキシル基（－ＣＯＯＨ）等の親水性基）が生成されることを言う。この改質により、無電解めっきを行う場合に、当該樹脂材に対して触媒イオンを選択的に吸着させることが可能となる。

【0024】

ところで、本発明に係るめっき方法において、樹脂材に照射する紫外線の波長域は、当該樹脂材の材質にもよるが、１５０～４００ｎｍの範囲で適宜選択することができる。樹脂材のめっき被処理面に対して当該樹脂材の材質に適切な波長の紫外線を照射することによって当該めっき被処理面が酸化され、親水性基が付与される。一般的に、この親水性基が多くなるほど、親水性が増大するとされる。

【0025】

なお、本発明に係るめっき方法において、上述した紫外線の発生源は、特に限定されるものではなく、ＵＶランプ、気体レーザー、固体レーザー等から適宜選択して用いることができる。ここで、気体レーザーとしては、例えばＫｒＦレーザーやＡｒＦレーザー等のエキシマレーザーが挙げられる。また、固体レーザーとしては、例えばＹＡＧレーザーが挙げられる。参考までに、エキシマレーザーは、波長が短いため細密な加工を行うことができる。さらに、走査性にも優れるため、樹脂材の形状が複雑な三次元形状であったとしても、その樹脂材の表面に所謂立体配線を形成することが他の紫外線発生源に比べて容易となる。

【0026】

また、本発明に係るめっき方法において、上述した樹脂材としては紫外線の照射によって当該樹脂材のめっき被処理面が改質し得るものであれば用いることができる。例えば、当該樹脂材として、ＬＣＰ（液晶ポリマー）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイト樹脂）、ＰＯＭ（ポリアセタール）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタアクリレート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥ（ポリエチレン）、ＰＰ（ポリプロピレン）、ＰＳ（ポリスチレン）、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）、ＡＢＳ（アクリロニトリル・ブタジエン・スチレンポリマー）等の熱可塑性樹脂や、ＰＥ（フェノール樹脂）、ＥＰ（エポキシ樹脂）等の熱硬化性樹脂を用いることができる。ここに挙げた樹脂材の中でも、配線基板材料としての有用性や高周波用配線基板への適合性を考慮すると、特にエポキシ樹脂材、液晶ポリマー材、ポリフェニレンサルファイド樹脂材、又はＡＢＳ樹脂材を用いることが好ましい。

【0027】

そして、本発明に係るめっき方法において、用いる樹脂材は、めっき被処理面の算術平均高さＳａが５００ｎｍ以下となるものである。この条件を満たすめっき被処理面に対して形状変形が生じない程度の紫外線を照射することで、当該めっき被処理面を親水性に改質しながらも、当該めっき被処理面をナノメートルオーダーの微細構造に維持することができる。めっき被処理面の表面平滑度がこの水準であれば、当該めっき被処理面に導体層を形成した際に当該導体層の高周波領域における伝送損失が小さくなる。なお、当該導体層において、高周波領域における伝送損失抑制の安定化や、１０ＧＨｚ以上の超高周波領域での伝送損失の改善を図る場合には、当該めっき被処理面の算術平均高さＳａは３００ｎｍ以下であることがより好ましく、６０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。当該めっき被処理面の算術平均高さＳａが６０ｎｍ以下となる高周波回路であれば、次世代通信規格「５Ｇ」、「６Ｇ」の高周波を用いた電子機器等にも好適に用いることが可能となる。

【0028】

本発明に係るめっき方法では、樹脂材のめっき被処理面に対する紫外線の照射条件を、当該めっき被処理面に形状変形が生じない程度としている。しかし、高速電送に対応した回路用として好適な導体層を形成することと、樹脂材と当該導体層との密着性を高周波回路基板に求められる水準まで向上させることを考慮すると、紫外線照射工程の直前と直後における、めっき被処理面の算術平均高さＳａの差を１０ｎｍ～１０００ｎｍとすることが好ましい。ここで、紫外線照射工程の直前と直後における、めっき被処理面の算術平均高さＳａの差が１０ｎｍ未満の場合には、当該めっき被処理面を十分に親水性に改質させることができず、樹脂材と導体層との密着性を安定的に高めることができない。一方、めっき被処理面の算術平均高さＳａの差が１０００ｎｍを超える場合には、当該めっき被処理面に形成した導体層において、高周波信号を伝送する際にシグナル電流に大きな伝送損失が発生し好ましくない。このめっき被処理面の算術平均高さＳａの差の上限値は、上述した「高速電送に対応した回路用として好適な導体層を形成する」効果を安定的且つ十分に得る上で、２００ｎｍであることがより好ましく、６０ｎｍであることがさらに好ましい。

【0029】

＜脱脂工程について＞
本発明に係るめっき方法は、上述した紫外線照射工程を行った後に、樹脂材のめっき被処理面に対して以下に示す条件の脱脂工程を行うことで、当該めっき被処理面の表面粗さを極力変化させずに、樹脂材と導体層との界面における密着力を物理的にも向上させることができる。すなわち、上述した紫外線照射工程で樹脂材のめっき被処理面に紫外線を照射すると、当該めっき被処理面において、分子間結合の分子鎖を切断する光分解加工が施される。その後、本発明の脱脂工程を行うことで、この光分解加工を行った際に生じる加工残渣が取り除かれて、当該めっき被処理面にアンカー効果を有するナノメートルオーダーの微細凹凸を備える表面が形成される。その結果、当該めっき被処理面の表面粗さの増大を最小限に抑えつつ、当該樹脂材と当該導体層との密着性を必要十分に確保することが可能となる。

【0030】

本発明の脱脂工程は、樹脂材のめっき被処理面に対して２５～６０℃の脱脂剤を５分間～１０分間接触させて脱脂を行うものである。本発明の脱脂工程で用いる脱脂剤は特に限定されないが、例えば、水酸化ナトリウム溶液を含むアルカリ脱脂剤や酸性脱脂剤等の公知の脱脂剤を適宜採用することができる。ここで、脱脂剤の温度が２５℃未満又は樹脂材の表面に脱脂剤を接触させる時間が５分間未満の場合には、上述した紫外線照射工程で生じた加工残渣を十分に取り除くことができず、樹脂材と導体層との密着性を安定的に向上させることができない。また、当該樹脂材に付着している油脂や汚れ等を完全に取り除くことも困難であるため、後工程において金属触媒の吸着力を向上させることができず、当該めっき被処理面にめっきを十分に析出させることができない。一方、脱脂剤の温度が６０℃を超え又は樹脂材の表面に脱脂剤を接触させる時間が１０分間を超える場合には、樹脂材のめっき被処理面のみならず全面が親水化してしまい選択めっき性の低下を招くおそれがある。なお、本発明の脱脂工程において、脱脂剤を樹脂材の表面に接触させる方法は特に限定されず、浸漬法や噴霧法を採用することができる。

【0031】

また、本発明に係るめっき方法では、脱脂工程の直前と直後における、樹脂材のめっき被処理面の算術平均高さＳａの差を３ｎｍ～１０ｎｍとすることが好ましい。樹脂材のめっき被処理面に対してこの条件を満たすように脱脂剤を接触させることで、樹脂材と導体層との密着性を十分に確保して、高速電送に対応した回路用として好適な導体層をより安定的に形成することが可能となる。ここで、脱脂工程の直前と直後における、当該めっき被処理面の算術平均高さＳａの差が３ｎｍ未満の場合には、樹脂材と導体層との密着強度の向上を必要十分に図れなくなってしまう。一方、当該めっき被処理面の算術平均高さＳａの差が１０ｎｍを超える場合には、当該めっき被処理面に形成した導体層は、高周波シグナルへの表皮効果の影響が顕著となり、伝送信号の遅延を引き起こすおそれがある。

【0032】

以上のことから、本発明に係るめっき方法は、上述しためっき前処理を採用することで、ＬＤＳ工法のように特殊なＬＤＳ添加剤を用いなくとも、樹脂材と導体層とが所望する密着強度を維持しつつ、高精度にパターニングされた回路配線を形成するのに必要な選択めっき性を向上させることが可能となる。さらに、上述しためっき前処理を採用することで、処理工程の簡素化も図ることができる。

【0033】

次に、本発明に係るめっき方法は、めっき処理として、「樹脂材の表面に対して、塩化第一スズを主成分として含む溶液を３０秒間～３分間接触させてスズイオンを吸着させるセンシタイジング処理工程」と、「当該センシタイジング処理工程の後、当該樹脂材のめっき被処理面に対して、塩化パラジウムを主成分として含む溶液を３０秒間～３分間接触させてパラジウムを析出させるアクティベーティング処理工程」と、「当該アクティベーティング処理工程の後、当該樹脂材のめっき被処理面にめっきにより導体層を形成する導体層形成工程」とを含むことが好ましい。

【0034】

本発明に係るめっき方法では、上述したセンシタイジング処理工程とアクティベーティング処理工程とをこの順番で行うことにより、紫外線照射面の触媒吸着量が多くなり、紫外線非照射面に対する活性度の差により導体層形成工程で選択的なめっき析出が可能となる。なお、本発明に係るめっき方法において、センシタイジング処理工程とアクティベーティング処理工程とは、繰り返して複数回行うこともできる。以下に、本発明のめっき処理である、センシタイジング処理工程、アクティベーティング処理工程、及び導体層形成工程について説明する。

【0035】

Ａ－２．めっき処理
以下、センシタイジング処理工程とアクティベーティング処理工程と導体層形成工程とに分けて説明する。

【0036】

＜センシタイジング処理工程について＞
本発明のセンシタイジング（感受性化）処理工程では、樹脂材の表面に対して、塩化第一スズを主成分として含む溶液を３０秒間～３分間接触させてスズイオン（Ｓｎ^２＋）を吸着させる。上述した脱脂工程の後にこの条件で樹脂材のめっき被処理面に還元力の強いスズイオンを吸着させることで、後のアクティベーティング処理工程で活性なパラジウム触媒核を当該めっき被処理面に吸着させることができ、当該めっき被処理面の表面に導体層を均一に形成することが可能となる。なお、このような効果を安定的に得るには、当該溶液中のスズ濃度は、１～１００ｍｍｏｌ／Ｌであることが好ましい。ここで、樹脂材の表面に塩化第一スズを主成分として含む溶液を接触させる時間が３０秒間未満の場合には、樹脂材のめっき被処理面にスズイオンを十分に吸着させることができないため、選択めっき性の向上を十分に図ることができない。一方、樹脂材の表面に塩化第一スズを主成分として含む溶液を接触させる時間が３分間を超える場合には、当該めっき被処理面の表面に導体層を均一に形成する効果が飽和してコストメリットがない。

【0037】

＜アクティベーティング処理工程について＞
本発明のアクティベーティング（触媒化）処理工程では、樹脂材の表面に対して、塩化パラジウムを主成分として含む溶液を３０秒間～３分間接触させてパラジウムイオン（Ｐｄ^２＋）をパラジウム金属（Ｐｄ）として析出させる。上述したセンシタイジング処理工程の後にこの条件で樹脂材のめっき被処理面に触媒核となるパラジウムを析出（パラジウム活性化）させることで、後工程において無電解めっき反応を良好にすることができ、当該めっき被処理面に導体層を均一に形成することが可能となる。パラジウムは塩酸酸性で可溶のため、濃塩酸を０．１～１０ｍｌ／Ｌ添加する。なお、このような効果を安定的に得るには、当該溶液中のパラジウム濃度は、０．１～５ｍｍｏｌ／Ｌであることが好ましい。ここで、樹脂材の表面に塩化パラジウムを主成分として含む溶液を接触させる時間が３０秒間未満の場合には、樹脂材のめっき被処理面にパラジウムを十分に析出させることができないため、選択めっき性の向上を十分に図ることができない。一方、樹脂材の表面に塩化パラジウムを主成分として含む溶液を接触させる時間が３分間を超える場合には、当該めっき被処理面の表面に導体層を均一に形成する効果が飽和してコストメリットがない。

【0038】

なお、本発明に係るめっき方法では、上述したアクティベーティング処理工程と後述する導体層形成工程との間で、樹脂材の紫外線照射していない部分に吸着したパラジウムを除去する脱パラジウム工程を含むことも好ましい。本脱パラジウム工程を採用することで、選択めっき性の更なる向上を図ることができる。ここで、パラジウムを除去する方法は特に限定されるものではなく、例えばクエン酸三ナトリウム溶液や市販のパラジウム除去剤等を含有する水溶液に当該樹脂材を浸漬する方法を採用することができる。

【0039】

上述したセンシタイジング処理工程、及びアクティベーティング処理工程は、樹脂材等の不導体素地への触媒付与方法の一つとして知られており、スズイオンの還元力を利用した「センシタイザー－アクティベーター法（ｓｅｎｓｉｔｉｚｅｒ－ａｃｔｉｖａｔｏｒ ｐｒｏｃｅｓｓ）」で経る工程である。本発明では、めっき処理として、このセンシタイザー－アクティベーター法を採用することで、後の導体層形成工程で安定的に均一な導体層を形成することが可能となる。

【0040】

また、以上ではパラジウム活性化方法として、センシタイザー－アクティベーター法を示したが、本発明に係るめっき方法はこの方法に限定されない。センシタイザー－アクティベーター法はセンシタイザー処理とアクティベーター処理とが別々の処理液を用いる所謂二液型処理であるが、本発明に係るめっき方法では、１つの処理液を用いてパラジウム活性化を行う所謂１液型処理を採用することもできる。１液型処理では、例えば、塩酸酸性水溶液中に塩化パラジウムと塩化スズとを含む溶液、また、酸性が弱い食塩タイプの水溶液に塩化パラジウムと塩化スズとを含む溶液、パラジウム錯体を含有する水溶液等の処理液を用いることができる。また、その後必要に応じて余分なスズを取り除く促進処理を行うこともできる。

【0041】

＜導体層形成工程について＞
本発明の導体層形成工程は、上述したアクティベーティング処理工程の後、樹脂材のめっき被処理面に導体層を形成するものである。当該導体層形成工程で形成される導体層は、センシタイザー－アクティベーター法を経ることで、めっき被処理面をナノメートルオーダーの微細構造に維持しつつ、当該めっき被処理面に対する当該導体層の密着性を高めることができる。従って、本発明の導体層形成工程で形成される導体層は、高周波信号を遅延なく安定的に伝送させることができ、電子機器に用いた場合に電気的特性のさらなる向上を図ることができるようになる。なお、この導体層形成工程では、導体層を形成する方法として、電解めっき処理及び無電解めっき処理のいずれを用いてもよい。また、これらめっき処理の条件は特に限定されるものではなく、公知の条件を適宜採用することができる。従って、当該めっき処理で用いるめっき浴には、任意の添加剤（クエン酸等の錯化剤や鉛またはビスマス等の安定剤等）を添加することも可能である。

【0042】

上述のめっき処理で用いるめっき浴の浴温は、特に限定されないが、５０℃～８０℃であることが好ましい。めっき浴の浴温がこの条件を満たす場合には、このめっき浴に触媒付与された樹脂材が浸漬されたときに、当該樹脂材の表面にめっきが安定的に析出される。ここで、当該めっき浴の浴温が５０℃未満の場合には、めっきの析出速度が低下する場合があるため好ましくない。一方、当該めっき浴の浴温が８０℃を超える場合には、形成しためっき被膜に膨れ、割れ、剥離等の不良が生じるおそれがあるため好ましくない。

【0043】

また、本発明の導体層形成工程は、樹脂材のめっき被処理面に厚さ０．１～５μｍのニッケル－リン層を形成した後に、当該ニッケル－リン層の表面に厚さ１０～３５μｍの銅層を形成することが好ましい。ニッケル－リン層は、めっき処理によって樹脂材のめっき被処理面の形状に影響されずに均一な厚みに形成することができ、また、樹脂材との密着力をより強固なものとすることができる。従って、本発明の導体層は、このような層構成とすることで、樹脂材と導体層との界面における接合強度を維持しつつ、高周波信号の伝送損失を小さく抑えることができる。

【0044】

ここで、上述したニッケル－リン層の厚さが０．１μｍ未満の場合には、導体層の強度低下を招くと共に、当該ニッケル－リン層の被覆が不十分となり、樹脂材に対するアンカー効果を十分に得ることができない。一方、上述したニッケル－リン層の厚さが５μｍを超える場合には、当該ニッケル被膜の形成に時間がかかり、コストメリットがない。

【0045】

また、上述した銅層の厚さが１０μｍ未満の場合には、上述したニッケル－リン層との接合強度を向上させる効果を十分に得ることができない。一方、上述した銅層の厚さが３５μｍを超える場合には、当該銅層の形成に時間がかかり、コストメリットがない。

【0046】

Ｂ．本発明に係る配線板
本発明に係る配線板は、上述した本発明に係るめっき方法を用いて得られることを特徴とする。ゆえに、本発明に係る配線板は、配線（導体層）が微細化しても当該配線と配線基材との密着性に優れたものとなる。また、本発明に係る配線板は、配線の表面粗度が低く抑えられたものとなり、表皮効果による信号の遅延が抑制されるため、高周波回路用として好適である。

【0047】

以上に、本発明に係るめっき方法、及びそれを用いた配線板に関して説明したが、以下に本発明の実施例を示し、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明はこれらの例により何ら限定されるものではない。

【実施例0048】

本実施例１では、試験体として、５０ｍｍ×５０ｍｍ×厚さ５ｍｍの大きさで、算術平均高さＳａが５００ｎｍのＬＣＰ基板を樹脂材として用意した。そして、当該樹脂材の表面に幅１０ｍｍで長さ５０ｍｍの矩形状の導体層をめっきにより形成した。具体的には、図１のフローチャートに示す如く、紫外線照射工程（ステップＳ１０）、アルカリ脱脂工程（ステップＳ２０）、センシタイジング処理工程（ステップＳ３０）、アクティベーティング処理工程（ステップＳ４０）、脱パラジウム工程（ステップＳ５０）、無電解ニッケル－リンめっき処理工程（ステップＳ６０）、無電解銅めっき処理工程（ステップＳ７０）を順に行い、当該樹脂材の表面に導体層を形成した。そして、このめっき方法を用いて形成された導体層（めっき被膜）について、めっきの選択性、めっき被膜表面の平滑性、及び樹脂材に対するめっき被膜の密着性の確認を行った。

【0049】

本実施例１では、めっき前処理として、紫外線照射工程、及びアルカリ脱脂工程を実施した。紫外線照射工程では、この樹脂材のめっき被処理面に対してＫｒＦレーザーにより紫外線を照射した。このとき、紫外線照射工程の直前と直後における、めっき被処理面の算術平均高さＳａの差は１２ｎｍであった。その後、アルカリ脱脂工程では、当該樹脂材を、４０℃の水酸化ナトリウム溶液（日本カニゼン株式会社製「品番：Ｋ－３５０」）に５分間浸漬させてアルカリ脱脂を行った。このとき、脱脂工程の直前と直後における、めっき被処理面の算術平均高さＳａの差は５ｎｍであった。

【0050】

次いで、めっき処理として、センシタイジング処理工程、アクティベーティング処理工程、脱パラジウム工程、無電解ニッケル－リンめっき処理工程、及び無電解銅めっき処理工程を実施した。センシタイジング処理工程では、試験体となる樹脂材を、塩化第一スズを主成分として含む溶液（日本カニゼン株式会社製「品名：ピンクシューマー」）に３分間浸漬した。その後、アクティベーティング処理工程では、当該樹脂材を、塩化パラジウムを主成分として含む溶液（日本カニゼン株式会社製「品名：レッドシューマー」）を通常の４分の１に希釈した溶液に３分間浸漬して、めっき被処理面に対して触媒を吸着させた。その後、脱パラジウム工程では、当該樹脂材を、クエン酸三ナトリウム溶液（２０ｇ／Ｌ）に５分間攪拌（３００ｒｐｍ）させながら浸漬した。その後、無電解ニッケル－リンめっき処理工程では、当該めっき被処理面に対し、無電解ニッケルめっき液（日本カニゼン株式会社製「品番：シューマーＳＫ１０１」）（温度：７０℃、ｐＨ：１０）を用いて１５分間のめっき処理を施した。その後、無電解銅めっき処理工程では、当該無電解ニッケル－リンめっき処理工程を行った後直ぐに無電解銅めっき液（奥野製薬工業社製「ＯＰＣカッパーＭＩＣ－ＢＬ」）（温度：７０℃、ｐＨ：１０）を用いて１５分間のめっき処理を施した。

【0051】

実施例１では、上述した各工程を経て得られためっき被膜について、選択めっき性を評価した。具体的に、選択めっき性の評価では、めっき被処理面における所定の箇所にめっきが正確に析出しているかを電子顕微鏡（倍率１００倍）により確認した。ここで、選択めっき性の評価は、紫外線照射部には完全に無電解ニッケル－リンめっき被膜が形成され、且つ紫外線未照射部には全くめっき析出がみられない場合を「〇」とし、紫外線照射部に少しでもめっき未析出がみられる場合、又は紫外線未照射部に少しでもめっき析出がみられた場合を「△」とし、紫外線照射部においてめっき未析出が顕著な場合、又は紫外線未照射部においてめっき析出が顕著な場合を「×」とした。

【0052】

また、実施例１では、上述した各工程を経て得られためっき被膜において、めっき被膜表面の平滑性を評価した。めっき被膜表面の平滑性の評価は、算術平均高さＳａで評価した。このとき、算術平均高さＳａは、レーザー顕微鏡「株式会社キーエンス製 ＶＫ－Ｘ型」を使用して測定した。当該めっき被膜の表面粗さは、１ＧＨｚ帯の高周波信号を伝送することを想定して、算術平均高さＳａが６００ｎｍ未満を「〇」とし、算術平均高さＳａが６００ｎｍ以上で且つ１０００ｎｍ未満の場合を「△」とし、算術平均高さＳａが１０００ｎｍ以上の場合を「×」とした。参考までに、実施例１におけるめっき被膜の表面粗さは、算術平均高さＳａの平均値で約５５０ｎｍであった。

【0053】

さらに、実施例１では、上述した各工程を経て得られためっき被膜の密着性を、スタッドプル（ｓｔｕｄ ｐｕｌｌ）と称される試験方法で評価した。具体的には、樹脂材表面に形成しためっき被膜の表面にアルミニウム製のスタッドピン（直径７．１ｍｍ）を接着剤を用いて接合し、当該樹脂材を支えた上で当該スタッドピンに垂直引張荷重（１．０ｋｇ／ｓ）を加えていき、破断点での荷重（ｋｇ／ｃｍ^２）を測定した。

【0054】

以下に示す表１には、上述した条件で選択めっき性、めっき平滑性、及びめっき密着力について確認を行った結果を示す。表１には、実施例１以外にも、実施例２，３、比較例１～３の結果を併せて示す。

【実施例0055】

実施例２では、実施例１と同様に、めっきの選択性、めっき被膜表面の平滑性、及び樹脂材に対するめっき被膜の密着性の確認を行った。実施例２では、試験体として実施例１と同じ樹脂材を用意した。また、実施例２では、実施例１と同様に図１のフローチャートに示す工程を行い、当該樹脂材の表面に導体層を形成した。

【0056】

実施例２において実施例１と異なる条件は、紫外線照射工程で紫外線照射工程の直前と直後におけるめっき被処理面の算術平均高さＳａの差が５８ｎｍである点、アルカリ脱脂工程で２５℃の水酸化ナトリウム溶液に浸漬させ、脱脂工程の直前と直後におけるめっき被処理面の算術平均高さＳａの差が３ｎｍである点、センシタイジング処理工程及びアクティベーティング処理工程で樹脂材を浸漬させる時間が１分間である点である。図１のフローチャートに示す各工程に関する詳細は、既に実施例１で説明しているため、ここでは省略する。

【0057】

表１には、上述した条件で選択めっき性、めっき平滑性、及びめっき密着力について確認を行った結果を示す。参考までに、実施例２におけるめっき被膜の表面粗さは、算術平均高さＳａの平均値で約５９０ｎｍであった。ここで、これらの確認を行うに際して、実施例１と同じ方法を採用した。そのため、これら方法に関する説明は省略する。