(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022141087
(43)【公開日】2022-09-29
(54)【発明の名称】発光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/50 20100101AFI20220921BHJP
H01L 33/18 20100101ALI20220921BHJP
H01L 33/46 20100101ALI20220921BHJP
G09F 9/33 20060101ALI20220921BHJP
【ＦＩ】
H01L33/50
H01L33/18
H01L33/46
G09F9/33
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021041226
(22)【出願日】2021-03-15
(71)【出願人】
【識別番号】000241463
【氏名又は名称】豊田合成株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000648
【氏名又は名称】特許業務法人あいち国際特許事務所
(74)【代理人】
【識別番号】100087723
【弁理士】
【氏名又は名称】藤谷 修
(74)【代理人】
【識別番号】100165962
【弁理士】
【氏名又は名称】一色 昭則
(74)【代理人】
【識別番号】100206357
【弁理士】
【氏名又は名称】角谷 智広
(72)【発明者】
【氏名】五所野尾 浩一
【テーマコード（参考）】
5C094
5F142
5F241
【Ｆターム（参考）】
5C094AA16
5C094AA42
5C094AA43
5C094BA12
5C094BA25
5C094BA32
5C094CA24
5C094DB04
5C094EA05
5C094EB02
5C094ED01
5C094ED11
5C094ED20
5C094FA02
5F142AA54
5F142BA32
5F142CA13
5F142CB14
5F142CD02
5F142CG05
5F142DA12
5F142DB24
5F241AA36
5F241AA40
5F241CA04
5F241CA40
5F241CA65
5F241CA74
5F241CA85
5F241CA86
5F241CA88
5F241CB04
5F241CB11
5F241CB15
5F241CB27
5F241CB36
(57)【要約】
【課題】 駆動回路基板と成長基板とを有するとともに波長変換部と半導体層との間に距離があくことを抑制する発光装置を提供することである。
【解決手段】 第１発光領域Ｒ１は、ｎ型コンタクト層１２０と第１発光層１３０とｐ型コンタクト層１９０と波長変換層ＷＭ１とを有する。第２発光領域Ｒ２は、ｎ型コンタクト層１２０と第１発光層１３０と第１中間層１４０と第２発光層１５０とｐ型コンタクト層１９０とを有する。第３発光領域Ｒ３は、ｎ型コンタクト層１２０と第１発光層１３０と第１中間層１４０と第２発光層１５０と第２中間層１６０と第３発光層１７０とｐ型コンタクト層１９０とを有する。波長変換層ＷＭ１は、第１発光領域Ｒ１のｐ型コンタクト層１９０と駆動回路基板ＭＢ１との間に配置されている。
【選択図】図１
【解決手段】 第１発光領域Ｒ１は、ｎ型コンタクト層１２０と第１発光層１３０とｐ型コンタクト層１９０と波長変換層ＷＭ１とを有する。第２発光領域Ｒ２は、ｎ型コンタクト層１２０と第１発光層１３０と第１中間層１４０と第２発光層１５０とｐ型コンタクト層１９０とを有する。第３発光領域Ｒ３は、ｎ型コンタクト層１２０と第１発光層１３０と第１中間層１４０と第２発光層１５０と第２中間層１６０と第３発光層１７０とｐ型コンタクト層１９０とを有する。波長変換層ＷＭ１は、第１発光領域Ｒ１のｐ型コンタクト層１９０と駆動回路基板ＭＢ１との間に配置されている。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
駆動回路基板と、
透明基板と、
前記駆動回路基板と前記透明基板との間の半導体層と、
第１発光領域と第２発光領域と第３発光領域と、
波長変換層と、
を有し、
前記透明基板は、
第１面と前記第１面の反対側の第２面とを有し、
前記透明基板の前記第１面は、
前記半導体層と対面しており、
前記透明基板の前記第２面の側に、
光取り出し面を有し、
前記半導体層は、
ｎ型半導体層と、第１発光層と、第１中間層と、第２発光層と、第２中間層と、第３発光層と、ｐ型半導体層と、を有し、
前記第１発光領域は、
前記ｎ型半導体層と前記第１発光層と前記ｐ型半導体層と前記波長変換層とを有し、
前記第２発光領域は、
前記ｎ型半導体層と前記第１発光層と前記第１中間層と前記第２発光層と前記ｐ型半導体層とを有し、
前記第３発光領域は、
前記ｎ型半導体層と前記第１発光層と前記第１中間層と前記第２発光層と前記第２中間層と前記第３発光層と前記ｐ型半導体層とを有し、
前記第３発光層の井戸層のバンドギャップは、前記第２発光層の井戸層のバンドギャップよりも小さく、
前記第２発光層の井戸層のバンドギャップは、前記第１発光層の井戸層のバンドギャップよりも小さく、
前記波長変換層は、
前記第１発光領域の前記ｐ型半導体層と前記駆動回路基板との間に配置されていること
を含む発光装置。
透明基板と、
前記駆動回路基板と前記透明基板との間の半導体層と、
第１発光領域と第２発光領域と第３発光領域と、
波長変換層と、
を有し、
前記透明基板は、
第１面と前記第１面の反対側の第２面とを有し、
前記透明基板の前記第１面は、
前記半導体層と対面しており、
前記透明基板の前記第２面の側に、
光取り出し面を有し、
前記半導体層は、
ｎ型半導体層と、第１発光層と、第１中間層と、第２発光層と、第２中間層と、第３発光層と、ｐ型半導体層と、を有し、
前記第１発光領域は、
前記ｎ型半導体層と前記第１発光層と前記ｐ型半導体層と前記波長変換層とを有し、
前記第２発光領域は、
前記ｎ型半導体層と前記第１発光層と前記第１中間層と前記第２発光層と前記ｐ型半導体層とを有し、
前記第３発光領域は、
前記ｎ型半導体層と前記第１発光層と前記第１中間層と前記第２発光層と前記第２中間層と前記第３発光層と前記ｐ型半導体層とを有し、
前記第３発光層の井戸層のバンドギャップは、前記第２発光層の井戸層のバンドギャップよりも小さく、
前記第２発光層の井戸層のバンドギャップは、前記第１発光層の井戸層のバンドギャップよりも小さく、
前記波長変換層は、
前記第１発光領域の前記ｐ型半導体層と前記駆動回路基板との間に配置されていること
を含む発光装置。
【請求項2】
請求項１に記載の発光装置において、
前記波長変換層は、
前記第２発光領域の前記ｐ型半導体層と前記駆動回路基板との間に配置されておらず、
前記第３発光領域の前記ｐ型半導体層と前記駆動回路基板との間に配置されていないこと
を含む発光装置。
前記波長変換層は、
前記第２発光領域の前記ｐ型半導体層と前記駆動回路基板との間に配置されておらず、
前記第３発光領域の前記ｐ型半導体層と前記駆動回路基板との間に配置されていないこと
を含む発光装置。
【請求項3】
請求項１または請求項２に記載の発光装置において、
前記ｐ型半導体層と接触する透明電極を有し、
前記波長変換層は、
前記第１発光領域の前記透明電極と接触していること
を含む発光装置。
前記ｐ型半導体層と接触する透明電極を有し、
前記波長変換層は、
前記第１発光領域の前記透明電極と接触していること
を含む発光装置。
【請求項4】
請求項１または請求項２に記載の発光装置において、
前記ｐ型半導体層と接触する透明電極と、
前記透明電極と接触するｐコンタクト電極と、
を有し、
前記波長変換層は、
前記第１発光領域の前記ｐコンタクト電極と接触していること
を含む発光装置。
前記ｐ型半導体層と接触する透明電極と、
前記透明電極と接触するｐコンタクト電極と、
を有し、
前記波長変換層は、
前記第１発光領域の前記ｐコンタクト電極と接触していること
を含む発光装置。
【請求項5】
請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の発光装置において、
前記ｎ型半導体層と前記透明基板との間に、
前記第１発光層の発光波長の光を吸収する光吸収層を有すること
を含む発光装置。
前記ｎ型半導体層と前記透明基板との間に、
前記第１発光層の発光波長の光を吸収する光吸収層を有すること
を含む発光装置。
【請求項6】
請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の発光装置において、
前記透明基板の前記第２面の側に、
前記第１発光層の発光波長の光を吸収する光吸収層を有すること
を含む発光装置。
前記透明基板の前記第２面の側に、
前記第１発光層の発光波長の光を吸収する光吸収層を有すること
を含む発光装置。
【請求項7】
請求項５または請求項６に記載の発光装置において、
前記光吸収層は、
前記第１発光領域と前記第２発光領域と前記第３発光領域とにわたって形成されていること
を含む発光装置。
前記光吸収層は、
前記第１発光領域と前記第２発光領域と前記第３発光領域とにわたって形成されていること
を含む発光装置。
【請求項8】
請求項５から請求項７までのいずれか１項に記載の発光装置において、
前記光吸収層は、
半導体であること
を含む発光装置。
前記光吸収層は、
半導体であること
を含む発光装置。
【請求項9】
請求項１から請求項８までのいずれか１項に記載の発光装置において、
前記波長変換層は、
紫外光を赤色光に変換すること
を含む発光装置。
前記波長変換層は、
紫外光を赤色光に変換すること
を含む発光装置。
【請求項10】
請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載の発光装置において、
前記波長変換層は、
半導体であること
を含む発光装置。
前記波長変換層は、
半導体であること
を含む発光装置。
【請求項11】
請求項１から請求項１０までのいずれか１項に記載の発光装置において、
前記波長変換層と前記駆動回路基板との間に反射層を有すること
を含む発光装置。
前記波長変換層と前記駆動回路基板との間に反射層を有すること
を含む発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書の技術分野は、発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
表示装置には、マイクロＬＥＤ素子を有するものがある。マイクロＬＥＤ素子が発する光を必要に応じて、他の色に変換する波長変換部が用いられることがある。これにより、表示装置の各所において赤緑青の３色の発光を実現する表示装置が開発されてきている。
【0003】
例えば、特許文献１には、駆動回路基板の上に赤色光を発する領域と、緑色光を発する領域と、青色光を発する領域と、を有する表示装置が開示されている。マイクロＬＥＤ素子１００が青色光を発光する。赤色光を発する領域には赤色波長変換部２２が配置されており、緑色光を発する領域には緑色波長変換部２３が配置されている（特許文献１の段落［００２１］）。赤色波長変換部２２は青色光を赤色光に変換する。緑色波長変換部２３は青色光を緑色光に変換する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１９－１５２８５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献１では、成長基板９上に窒化物半導体層１４を成長させ、成長基板９を駆動回路基板５０に貼り合わせる（特許文献１の段落［００３１］）。その後、成長基板９を剥離する（特許文献１の段落［００３２］）。この後、赤色波長変換部２２および緑色波長変換部２３を形成する。
【0006】
このように、特許文献１の技術では、成長基板を剥離させる必要がある。特許文献１には、研削、研磨、プラズマエッチング、ウェットエッチング等を組み合わせることにより、成長基板を剥離する技術が開示されている（特許文献１の段落［００３２］）。しかし、これらの工程のうちの複数の工程を実施すると、表示装置の製造工程が複雑になる。また、タクトタイムも長くなる。また、成長基板を剥離させる場合に半導体層にダメージを与えてしまう場合がある。このため、成長基板を剥離させない発光装置を製造することが好ましい。
【0007】
しかし、成長基板を剥離させない場合には、特許文献１における波長変換部と半導体層との間に距離があいてしまう。距離があくと、隣接するサブピクセルに光が漏れる可能性がある。これにより、光の像がぼやけるおそれがある。
【0008】
本明細書の技術が解決しようとする課題は、駆動回路基板と成長基板とを有するとともに波長変換部と半導体層との間に距離があくことを抑制する発光装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
第１の態様における発光装置は、駆動回路基板と、透明基板と、駆動回路基板と透明基板との間の半導体層と、第１発光領域と第２発光領域と第３発光領域と、波長変換層と、を有する。透明基板は、第１面と第１面の反対側の第２面とを有する。透明基板の第１面は、半導体層と対面している。透明基板の第２面の側に、光取り出し面を有する。半導体層は、ｎ型半導体層と、第１発光層と、第１中間層と、第２発光層と、第２中間層と、第３発光層と、ｐ型半導体層と、を有する。第１発光領域は、ｎ型半導体層と第１発光層とｐ型半導体層と波長変換層とを有する。第２発光領域は、ｎ型半導体層と第１発光層と第１中間層と第２発光層とｐ型半導体層とを有する。第３発光領域は、ｎ型半導体層と第１発光層と第１中間層と第２発光層と第２中間層と第３発光層とｐ型半導体層とを有する。第３発光層の井戸層のバンドギャップは、第２発光層の井戸層のバンドギャップよりも小さい。第２発光層の井戸層のバンドギャップは、第１発光層の井戸層のバンドギャップよりも小さい。波長変換層は、第１発光領域のｐ型半導体層と駆動回路基板との間に配置されている。
【0010】
この発光装置は、駆動回路基板と、成長基板である透明基板と、を有する。また、波長変換層と半導体層との間に成長基板が存在しない。波長変換層と半導体層との間の距離は、十分に近い。このため、透明基板が除去されずに残留していても、光の像がぼやけるおそれはほとんどない。
【発明の効果】
【0011】
本明細書では、駆動回路基板と成長基板とを有するとともに波長変換部と半導体層との間に距離があくことを抑制する発光装置が提供されている。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】第１の実施形態の発光装置Ｄ１の概略構成図である。
【図2】第１の実施形態の発光装置Ｄ１におけるバンド構造と電子および正孔の振舞を概念的に示す図である。
【図3】第１の実施形態の発光装置Ｄ１の製造方法を説明するための図（その１）である。
【図4】第１の実施形態の発光装置Ｄ１の製造方法を説明するための図（その２）である。
【図5】第１の実施形態の発光装置Ｄ１の製造方法を説明するための図（その３）である。
【図6】第１の実施形態の発光装置Ｄ１の製造方法を説明するための図（その４）である。
【図7】第１の実施形態の発光装置Ｄ１の製造方法を説明するための図（その５）である。
【図8】第１の実施形態の発光装置Ｄ１の製造方法を説明するための図（その６）である。
【図9】第１の実施形態の発光装置Ｄ１の製造方法を説明するための図（その７）である。
【図10】第１の実施形態の発光装置Ｄ１の製造方法を説明するための図（その８）である。
【図11】第１の実施形態の発光装置Ｄ１の製造方法を説明するための図（その９）である。
【図12】第１の実施形態の発光装置Ｄ１の製造方法を説明するための図（その１０）である。
【図13】第１の実施形態の発光装置Ｄ１の製造方法を説明するための図（その１１）である。
【図14】第１の実施形態の変形例における発光装置Ｄ２の概略構成図である。
【図15】第１の実施形態の変形例における発光装置Ｄ３の概略構成図である。
【図16】第１の実施形態の変形例における発光装置Ｄ４の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、具体的な実施形態について、発光装置を例に挙げて図を参照しつつ説明する。しかし、本明細書の技術はこれらの実施形態に限定されるものではない。また、後述する発光装置の各層の積層構造および電極構造は、例示である。実施形態とは異なる積層構造であってももちろん構わない。そして、それぞれの図における各層の厚みの比は、概念的に示したものであり、実際の厚みの比を示しているわけではない。
【0014】
（第１の実施形態）
１．発光装置
図１は、第１の実施形態の発光装置Ｄ１の概略構成図である。発光装置Ｄ１は、III 族窒化物半導体から成る複数の半導体層を有する。図１に示すように、発光装置Ｄ１は、透明基板ＴＳ１と、下地層１１０と、光吸収層ＵＡ１と、ｎ型コンタクト層１２０と、第１発光層１３０と、第１中間層１４０と、第２発光層１５０と、第２中間層１６０と、第３発光層１７０と、キャップ層１８０と、ｐ型コンタクト層１９０と、透明電極ＴＥ１、ＴＥ２、ＴＥ３と、ｎコンタクト電極Ｎ１と、ｐコンタクト電極Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３と、半田層ＳＤＮ１、ＳＤＰ１、ＳＤＰ２、ＳＤＰ３と、ｎ電極ＮＥ１と、ｐ電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３と、波長変換層ＷＭ１と、反射層ＲＦ１と、絶縁層Ｉ１、Ｉ２と、駆動回路基板ＭＢ１と、を有する。
１．発光装置
図１は、第１の実施形態の発光装置Ｄ１の概略構成図である。発光装置Ｄ１は、III 族窒化物半導体から成る複数の半導体層を有する。図１に示すように、発光装置Ｄ１は、透明基板ＴＳ１と、下地層１１０と、光吸収層ＵＡ１と、ｎ型コンタクト層１２０と、第１発光層１３０と、第１中間層１４０と、第２発光層１５０と、第２中間層１６０と、第３発光層１７０と、キャップ層１８０と、ｐ型コンタクト層１９０と、透明電極ＴＥ１、ＴＥ２、ＴＥ３と、ｎコンタクト電極Ｎ１と、ｐコンタクト電極Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３と、半田層ＳＤＮ１、ＳＤＰ１、ＳＤＰ２、ＳＤＰ３と、ｎ電極ＮＥ１と、ｐ電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３と、波長変換層ＷＭ１と、反射層ＲＦ１と、絶縁層Ｉ１、Ｉ２と、駆動回路基板ＭＢ１と、を有する。
【0015】
透明基板ＴＳ１の第１面ＴＳ１ａ上には、下地層１１０と、光吸収層ＵＡ１と、ｎ型コンタクト層１２０と、第１発光層１３０と、第１中間層１４０と、第２発光層１５０と、第２中間層１６０と、第３発光層１７０と、キャップ層１８０と、ｐ型コンタクト層１９０と、がこの順序で形成されている。これらの半導体層は、駆動回路基板ＭＢ１と透明基板ＴＳ１との間に位置している。ｎコンタクト電極Ｎ１は、ｎ型コンタクト層１２０の上に形成されている。ｐコンタクト電極Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は、それぞれ、透明電極ＴＥ１、ＴＥ２、ＴＥ３の上に形成されている。
【0016】
ｎ型コンタクト層１２０はｎ型半導体層である。ｐ型コンタクト層１９０はｐ型半導体層である。第１発光層１３０と、第１中間層１４０と、第２発光層１５０と、第２中間層１６０と、第３発光層１７０とは、ノンドープの半導体層である。下地層１１０およびキャップ層１８０は、ｎ型半導体層またはノンドープの半導体層である。ここで、ノンドープの半導体層とは、意図的にドープされていない半導体層である。
【0017】
透明基板ＴＳ１は、半導体層を成長させるための成長基板である。透明基板ＴＳ１は、第１面ＴＳ１ａと第２面ＴＳ１ｂとを有する。第２面ＴＳ１ｂは第１面ＴＳ１ａの反対側の面である。第１面ＴＳ１ａは、半導体層を成長させるための面である。このため、第１面ＴＳ１ａは、半導体層と対面している。第２面ＴＳ１ｂは、光取り出し面である。透明基板ＴＳ１の第１面ＴＳ１ａは、例えば、ｃ面である。透明基板ＴＳ１は、例えば、サファイア基板、ＡｌＮ基板、等の異種基板である。透明基板ＴＳ１は、ＧａＮ基板であってもよい。
【0018】
下地層１１０は、透明基板ＴＳ１の第１面ＴＳ１ａの上に形成された半導体層である。透明基板ＴＳ１と下地層１１０との間にはバッファ層があるとよい。
【0019】
光吸収層ＵＡ１は、第１発光層１３０の発光波長の光を吸収する。光吸収層ＵＡ１は、下地層１１０の上に形成されている。光吸収層ＵＡ１は、ｎ型コンタクト層１２０と透明基板ＴＳ１との間に配置されている。例えば、第１発光層１３０が紫外線を発する場合には、光吸収層ＵＡ１は紫外線を吸収する。光吸収層ＵＡ１は、半導体である。光吸収層ＵＡ１は、例えば、ＧａＮである。
【0020】
ｎ型コンタクト層１２０は、ｎコンタクト電極Ｎ１と接触する層である。ｎ型コンタクト層１２０は、透明基板ＴＳ１の第１面ＴＳ１ａの上に形成されている。ｎ型コンタクト層１２０は、例えば、Ｓｉをドープされたｎ型ＧａＮ層である。ｎ型コンタクト層１２０は、ｎ型ＡｌＧａＮ層であってもよい。
【0021】
第１発光層１３０は、電子と正孔とが再結合することにより発光する活性層である。第１発光層１３０は、ｎ型コンタクト層１２０と第１中間層１４０との間の位置に位置している。第１発光層１３０は、井戸層と障壁層とを有する。第１発光層１３０の井戸層は、例えば、ＧａＮ層またはＡｌＧａＮ層である。第１発光層１３０の障壁層は、例えば、ＡｌＧａＮ層である。第１発光層１３０の発光波長は、例えば、２８０ｎｍ以上４４０ｎｍ以下である。
【0022】
第１中間層１４０は、第１発光層１３０と第２発光層１５０との間に位置する層である。第１中間層１４０のバンドギャップは、第１発光層１３０、第２発光層１５０、第３発光層１７０の井戸層のバンドギャップよりも大きい。第１中間層１４０の材質は、例えば、ＡｌＩｎＧａＮである。
【0023】
第２発光層１５０は、電子と正孔とが再結合することにより発光する活性層である。第２発光層１５０は、第１中間層１４０と第２中間層１６０との間の位置に位置している。第２発光層１５０は、井戸層と障壁層とを有する。第２発光層１５０の井戸層は、例えば、ＩｎＧａＮ層である。第２発光層１５０の障壁層は、例えば、ＧａＮ層である。第２発光層１５０の発光波長は、例えば、４４０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下である。
【0024】
第２中間層１６０は、第２発光層１５０と第３発光層１７０との間に位置する層である。第２中間層１６０のバンドギャップは、第１発光層１３０、第２発光層１５０、第３発光層１７０の井戸層のバンドギャップよりも大きい。第２中間層１６０の材質は、例えば、ＡｌＩｎＧａＮである。
【0025】
第３発光層１７０は、電子と正孔とが再結合することにより発光する活性層である。第３発光層１７０は、第２中間層１６０とキャップ層１８０との間の位置に位置している。第３発光層１７０は、井戸層と障壁層とを有する。第３発光層１７０の井戸層は、例えば、ＩｎＧａＮ層である。第３発光層１７０の障壁層は、例えば、ＧａＮ層である。第３発光層１７０の発光波長は、例えば、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である。
【0026】
キャップ層１８０は、第３発光層１７０とｐ型コンタクト層１９０との間に位置する層である。キャップ層１８０のバンドギャップは、第１発光層１３０、第２発光層１５０、第３発光層１７０の井戸層のバンドギャップよりも大きい。キャップ層１８０の材質は、例えば、ＡｌＩｎＧａＮである。
【0027】
ｐ型コンタクト層１９０は、ｐコンタクト電極Ｐ１と電気的に接続されたｐ型半導体層である。ｐ型コンタクト層１９０は、透明電極ＴＥ１、ＴＥ２、ＴＥ３と接触している。ｐ型コンタクト層１９０は、第１中間層１４０の上と第２中間層１６０の上とキャップ層１８０の上とに形成されている。また、ｐ型コンタクト層１９０は、第１中間層１４０と、第２発光層１５０と、第２中間層１６０と、第３発光層１７０と、キャップ層１８０との側面を覆っている。ｐ型コンタクト層１９０は、透明基板ＴＳ１の第１面ＴＳ１ａの側の半導体層を覆っている。ｐ型コンタクト層１９０は、例えば、Ｍｇをドープされたｐ型ＧａＮ層である。ｐ型コンタクト層１９０は、ｐ型ＡｌＧａＮ層であってもよい。
【0028】
透明電極ＴＥ１、ＴＥ２、ＴＥ３は、ｐ型コンタクト層１９０の上に形成されている。透明電極ＴＥ１、ＴＥ２、ＴＥ３は、ｐ型コンタクト層１９０に接触している。透明電極ＴＥ１、ＴＥ２、ＴＥ３の材質は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＣＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ2 、ＮｂＴｉＯ2 、ＴａＴｉＯ2 等の透明な導電性酸化物である。
【0029】
ｐコンタクト電極Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は、ｐ型コンタクト層１９０と電気的に接続されている。ｐコンタクト電極Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は、それぞれ、透明電極ＴＥ１、ＴＥ２、ＴＥ３の上に透明電極ＴＥ１、ＴＥ２、ＴＥ３と接触した状態で形成されている。ｐコンタクト電極Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｉｎ等の金属層または合金層を含んでいてもよい。ｐコンタクト電極Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は、互いに独立した領域に形成されている。
【0030】
ｎコンタクト電極Ｎ１は、ｎ型コンタクト層１２０と電気的に接続されている。ｎコンタクト電極Ｎ１は、ｎ型コンタクト層１２０の上にｎ型コンタクト層１２０と接触した状態で形成されている。ｎコンタクト電極Ｎ１の材質は、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｉｎ、Ｔｉ等の金属である。
【0031】
半田層ＳＤＮ１、ＳＤＰ１、ＳＤＰ２、ＳＤＰ３は、発光素子１００と駆動回路基板ＭＢ１の電極とを接合するとともに電気的に接続する接合層である。半田層ＳＤＮ１は、ｎコンタクト電極Ｎ１と、駆動回路基板ＭＢ１のｎ電極ＮＥ１と、を電気的に接続している。半田層ＳＤＰ１は、ｐコンタクト電極Ｐ１と、駆動回路基板ＭＢ１のｐ電極ＰＥ１と、を電気的に接続している。半田層ＳＤＰ２は、ｐコンタクト電極Ｐ２と、駆動回路基板ＭＢ１のｐ電極ＰＥ２と、を電気的に接続している。半田層ＳＤＰ３は、ｐコンタクト電極Ｐ３と、駆動回路基板ＭＢ１のｐ電極ＰＥ３と、を電気的に接続している。
【0032】
ｎ電極ＮＥ１は、駆動回路基板ＭＢ１の電極である。ｎ電極ＮＥ１は、ｎコンタクト電極Ｎ１に電気的に接続されている。
【0033】
ｐ電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３は、駆動回路基板ＭＢ１の電極である。ｐ電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３は、それぞれ、半田層ＳＤＰ１、ＳＤＰ２、ＳＤＰ３を介してｐコンタクト電極Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３に電気的に接続されている。
【0034】
波長変換層ＷＭ１は、第１発光層１３０から発せられる光の波長を変換する層である。例えば、第１発光層１３０が紫外線を発する場合には、波長変換層ＷＭ１は紫外線を吸収するとともに赤色光を発する。波長変換層ＷＭ１は、第１発光領域Ｒ１のｐ型コンタクト層１９０と駆動回路基板ＭＢ１との間に配置されている。波長変換層ＷＭ１は、絶縁層Ｉ１と反射層ＲＦ１との間にこれらに接触した状態で配置されている。波長変換層ＷＭ１は、第１発光領域Ｒ１に配置されているが、第２発光領域Ｒ２および第３発光領域Ｒ３には配置されていない。つまり、波長変換層ＷＭ１は、第２発光領域Ｒ２のｐ型コンタクト層１９０と駆動回路基板ＭＢ１との間には配置されておらず、第３発光領域Ｒ３のｐ型コンタクト層１９０と駆動回路基板ＭＢ１との間には配置されていない。
【0035】
反射層ＲＦ１は、第１発光層１３０、第２発光層１５０、第３発光層１７０の側から駆動回路基板ＭＢ１に向かう光を反射する反射膜である。反射層ＲＦ１は、駆動回路基板ＭＢ１と波長変換層ＷＭ１との間に配置されている。反射層ＲＦ１は、金属層であってもよいし、ＤＢＲ膜であってもよい。
【0036】
絶縁層Ｉ１は、半導体層の表面を覆うとともにｎコンタクト電極Ｎ１、ｐコンタクト電極Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を絶縁するための層である。絶縁層Ｉ１は、波長変換層ＷＭ１または反射層ＲＦ１と透明電極ＴＥ１との間に配置されている。絶縁層Ｉ１の材質は、例えば、ＳｉＯ2 である。
【0037】
絶縁層Ｉ２は、駆動回路基板ＭＢ１の表面を覆う層である。絶縁層Ｉ２は、ｎ電極ＮＥ１、ｐ電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３を互いに絶縁する。
【0038】
駆動回路基板ＭＢ１は、発光素子１００を実装するための基板である。駆動回路基板ＭＢ１は、駆動回路ＤＣ１を有する。駆動回路ＤＣ１は、発光素子１００のそれぞれのサブピクセルを個別に発光させる回路である。
【0039】
ｎ型コンタクト層１２０は、第１発光領域Ｒ１および第２発光領域Ｒ２および第３発光領域Ｒ３にわたって共通である。発光装置Ｄ１は、ｎ型コンタクト層１２０の上に一つのｎコンタクト電極Ｎ１を有する。一方、発光装置Ｄ１は、サブピクセルごとに一つのｐコンタクト電極Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を有する。
【0040】
ｎ型コンタクト層１２０の膜厚は、例えば、１μｍ以上５μｍ以下である。第１発光層１３０、第２発光層１５０、第３発光層１７０の膜厚は、例えば、６ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。第１中間層１４０、第２中間層１６０の膜厚は、例えば、２ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。キャップ層１８０の膜厚は、例えば、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。ｐ型コンタクト層１９０の膜厚は、例えば、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
【0041】
２．バンド構造と電子および正孔の振舞
２－１．バンド構造
図２は、第１の実施形態の発光装置Ｄ１におけるバンド構造と電子および正孔の振舞を概念的に示す図である。図２では、説明の簡単のために、各発光層は単一量子井戸構造を有するものとして描かれている。各発光層は、多重量子井戸構造であってもよい。
２－１．バンド構造
図２は、第１の実施形態の発光装置Ｄ１におけるバンド構造と電子および正孔の振舞を概念的に示す図である。図２では、説明の簡単のために、各発光層は単一量子井戸構造を有するものとして描かれている。各発光層は、多重量子井戸構造であってもよい。
【0042】
図２に示すように、第３発光層１７０の井戸層のバンドギャップは、第２発光層１５０の井戸層のバンドギャップよりも小さい。第２発光層１５０の井戸層のバンドギャップは、第１発光層１３０の井戸層のバンドギャップよりも小さい。第１発光層１３０の井戸層のバンドギャップは、その他の障壁層等のバンドギャップよりも小さい。このため、第１発光層１３０、第２発光層１５０、第３発光層１７０の発光波長は、互いに異なっている。
【0043】
２－２．電子および正孔の振舞
ｐコンタクト電極ｐ３から注入された正孔は容易に第３発光層１７０に進入する。正孔は第３発光層１７０からほとんど出ることなく第３発光層１７０に留まる。第３発光層１７０から見た第２中間層１６０の障壁が十分に高いからである。
ｐコンタクト電極ｐ３から注入された正孔は容易に第３発光層１７０に進入する。正孔は第３発光層１７０からほとんど出ることなく第３発光層１７０に留まる。第３発光層１７０から見た第２中間層１６０の障壁が十分に高いからである。
【0044】
ｎコンタクト電極Ｎ１から注入された電子は第１発光層１３０に進入する。第１発光層１３０から見た第１中間層１４０の障壁はそれほど高くない。このため、電子は第１発光層１３０から第２発光層１５０に移動しやすい。第２発光層１５０から見た第２中間層１６０の障壁はそれほど高くない。このため、電子は第２発光層１５０から第３発光層１７０に移動しやすい。第３発光層１７０に進入した電子はほとんど移動せずに第３発光層１７０に留まる。第３発光層１７０に隣接する障壁が十分に高いからである。
【0045】
このように、電子は第３発光層１７０に存在しやすく、正孔は第３発光層１７０に存在しやすい。つまり、電子の波動関数および正孔の波動関数は、第３発光層１７０の位置で大きな振幅をもつとともに、互いによく重なり合う。このため、第３発光層１７０で集中的に発光し、第１発光層１３０および第２発光層１５０ではそれほど発光しない。
【0046】
第３発光層１７０が存在しない場合には、第２発光層１５０で集中的に発光し、第１発光層１３０ではそれほど発光しない。
【0047】
３．発光領域
発光装置Ｄ１は、第１発光領域Ｒ１と、第２発光領域Ｒ２と、第３発光領域Ｒ３と、ｎ電極領域ＮＲ１と、を有する。第１発光領域Ｒ１と、第２発光領域Ｒ２と、第３発光領域Ｒ３と、ｎ電極領域ＮＲ１とは、透明基板ＴＳ１の第１面ＴＳ１ａの上に並んで配置されている。第１発光領域Ｒ１と、第２発光領域Ｒ２と、第３発光領域Ｒ３とは、サブピクセルに相当する。
発光装置Ｄ１は、第１発光領域Ｒ１と、第２発光領域Ｒ２と、第３発光領域Ｒ３と、ｎ電極領域ＮＲ１と、を有する。第１発光領域Ｒ１と、第２発光領域Ｒ２と、第３発光領域Ｒ３と、ｎ電極領域ＮＲ１とは、透明基板ＴＳ１の第１面ＴＳ１ａの上に並んで配置されている。第１発光領域Ｒ１と、第２発光領域Ｒ２と、第３発光領域Ｒ３とは、サブピクセルに相当する。
【0048】
第１発光領域Ｒ１は、例えば、赤色光を発する。第１発光領域Ｒ１は、下地層１１０と、光吸収層ＵＡ１と、ｎ型コンタクト層１２０と、第１発光層１３０と、第１中間層１４０と、ｐ型コンタクト層１９０と、波長変換層ＷＭ１と、反射層ＲＦ１と、を有する。第１発光領域Ｒ１においては、ｐ型コンタクト層１９０は、第１中間層１４０の上に形成されている。
【0049】
第１発光領域Ｒ１は、第１中間層１４０を有さなくてもよい。その場合には、第１発光領域Ｒ１のｐ型コンタクト層１９０は、第１発光層１３０の上に形成されている。
【0050】
第１発光領域Ｒ１では、第１発光層１３０から発せられた紫外線が、波長変換層ＷＭ１により赤色光に変換される。赤色光は、反射層ＲＦ１により反射されて透明基板ＴＳ１の第２面ＴＳ１ｂから発せられる。
【0051】
第２発光領域Ｒ２は、例えば、青色光を発する。第２発光領域Ｒ２は、下地層１１０と、光吸収層ＵＡ１と、ｎ型コンタクト層１２０と、第１発光層１３０と、第１中間層１４０と、第２発光層１５０と、第２中間層１６０と、ｐ型コンタクト層１９０と、反射層ＲＦ１と、を有する。第２発光領域Ｒ２においては、ｐ型コンタクト層１９０は、第２中間層１６０の上に形成されている。
【0052】
第２発光領域Ｒ２は、第２中間層１６０を有さなくてもよい。その場合には、第２発光領域Ｒ２のｐ型コンタクト層１９０は、第２発光層１５０の上に形成されている。
【0053】
第３発光領域Ｒ３は、例えば、緑色光を発する。第３発光領域Ｒ３は、下地層１１０と、光吸収層ＵＡ１と、ｎ型コンタクト層１２０と、第１発光層１３０と、第１中間層１４０と、第２発光層１５０と、第２中間層１６０と、第３発光層１７０と、キャップ層１８０と、ｐ型コンタクト層１９０と、反射層ＲＦ１と、を有する。第３発光領域Ｒ３においては、ｐ型コンタクト層１９０は、キャップ層１８０の上に形成されている。
【0054】
第３発光領域Ｒ３は、キャップ層１８０を有さなくてもよい。その場合には、第３発光領域Ｒ３のｐ型コンタクト層１９０は、第３発光層１７０の上に形成されている。
【0055】
ｐ型コンタクト層１９０は、連続した層である。第１発光領域Ｒ１と第２発光領域Ｒ２と第３発光領域Ｒ３とにわたってつながった状態で形成されている。第１発光領域Ｒ１では、ｐ型コンタクト層１９０は、第１発光層１３０または第１中間層１４０に接触している。第２発光領域Ｒ２では、ｐ型コンタクト層１９０は、第２発光層１５０または第２中間層１６０に接触している。第３発光領域Ｒ３では、ｐ型コンタクト層１９０は、第３発光層１７０またはキャップ層１８０に接触している。
【0056】
光吸収層ＵＡ１は、第１発光領域Ｒ１と第２発光領域Ｒ２と第３発光領域とにわたって形成されている。このため、第１発光層１３０が発する紫外線は、光吸収層ＵＡ１により吸収される。
【0057】
４．半導体発光素子の製造方法
４－１．半導体層形成工程
図３に示すように、透明基板ＴＳ１の第１面ＴＳ１ａの上に半導体層をエピタキシャル成長させる。その際には、ＭＯＣＶＤ法等の気相成長法を用いればよい。透明基板ＴＳ１の第１面ＴＳ１ａの上に下地層１１０、光吸収層ＵＡ１、ｎ型コンタクト層１２０、第１発光層１３０、第１中間層１４０、第２発光層１５０、第２中間層１６０、第３発光層１７０、キャップ層１８０をこの順序で形成する。
４－１．半導体層形成工程
図３に示すように、透明基板ＴＳ１の第１面ＴＳ１ａの上に半導体層をエピタキシャル成長させる。その際には、ＭＯＣＶＤ法等の気相成長法を用いればよい。透明基板ＴＳ１の第１面ＴＳ１ａの上に下地層１１０、光吸収層ＵＡ１、ｎ型コンタクト層１２０、第１発光層１３０、第１中間層１４０、第２発光層１５０、第２中間層１６０、第３発光層１７０、キャップ層１８０をこの順序で形成する。
【0058】
４－２．領域形成工程
図４に示すように、半導体層に凹部Ｕ１、Ｕ２を形成する。そのために、マスクを用いて半導体層をエッチングすればよい。これにより、第１発光領域Ｒ１および第２発光領域Ｒ２および第３発光領域Ｒ３に領域を分ける。
図４に示すように、半導体層に凹部Ｕ１、Ｕ２を形成する。そのために、マスクを用いて半導体層をエッチングすればよい。これにより、第１発光領域Ｒ１および第２発光領域Ｒ２および第３発光領域Ｒ３に領域を分ける。
【0059】
４－３．ｐ型半導体層形成工程
図５に示すように、半導体層の上にｐ型コンタクト層１９０を成長させる。
図５に示すように、半導体層の上にｐ型コンタクト層１９０を成長させる。
【0060】
４－４．透明電極形成工程
図６に示すように、ｐ型コンタクト層１９０の上に透明電極ＴＥ１、ＴＥ２、ＴＥ３を形成する。
図６に示すように、ｐ型コンタクト層１９０の上に透明電極ＴＥ１、ＴＥ２、ＴＥ３を形成する。
【0061】
４－５．メサ形成工程
図７に示すように、凹部Ｕ３を形成する。凹部Ｕ３には、ｎ型コンタクト層１２０が露出している。
図７に示すように、凹部Ｕ３を形成する。凹部Ｕ３には、ｎ型コンタクト層１２０が露出している。
【0062】
４－６．絶縁層形成工程
図８に示すように、半導体層および透明電極ＴＥ１、ＴＥ２、ＴＥ３の上に絶縁層Ｉ１を形成する。
図８に示すように、半導体層および透明電極ＴＥ１、ＴＥ２、ＴＥ３の上に絶縁層Ｉ１を形成する。
【0063】
４－７．波長変換層貼り付け工程
図９に示すように、波長変換層ＷＭ１を一面に形成した基板ＳＢ１を絶縁層Ｉ１に貼り付ける。基板ＳＢ１は、犠牲層ＳＦ１と、波長変換層ＷＭ１と、を有する。
図９に示すように、波長変換層ＷＭ１を一面に形成した基板ＳＢ１を絶縁層Ｉ１に貼り付ける。基板ＳＢ１は、犠牲層ＳＦ１と、波長変換層ＷＭ１と、を有する。
【0064】
４－８．基板除去工程
図１０に示すように、波長変換層ＷＭ１から基板ＳＢ１を除去する。
図１０に示すように、波長変換層ＷＭ１から基板ＳＢ１を除去する。
【0065】
４－９．波長変換層成形工程
図１１に示すように、波長変換層ＷＭ１の一部を除去して、第１発光領域Ｒ１の箇所のみ残留させる。このために、マスクを用いたエッチングを実施する。
図１１に示すように、波長変換層ＷＭ１の一部を除去して、第１発光領域Ｒ１の箇所のみ残留させる。このために、マスクを用いたエッチングを実施する。
【0066】
【0067】
４－１１．電極形成工程
図１３に示すように、凹部にｎコンタクト電極Ｎ１、ｐコンタクト電極Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を形成する。これらの電極を形成されたものが発光素子１００である。
図１３に示すように、凹部にｎコンタクト電極Ｎ１、ｐコンタクト電極Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を形成する。これらの電極を形成されたものが発光素子１００である。
【0068】
４－１２．実装工程
駆動回路基板ＭＢ１に発光素子１００を実装する。そのために、半田を用いればよい。
駆動回路基板ＭＢ１に発光素子１００を実装する。そのために、半田を用いればよい。
【0069】
５．第１の実施形態の効果
第１の実施形態の発光装置Ｄ１は、第１発光層１３０と、第２発光層１５０と、第３発光層１７０と、波長変換層ＷＭ１と、を有する。第１発光層１３０は紫外線を発し、波長変換層ＷＭ１はその紫外線を赤色光に変換する。また、第２発光層１５０が青色光を発し、第３発光層１７０が緑色光を発する。このため、発光装置Ｄ１のサブピクセルは、赤色光、緑色光、青色光の３色の光を発することができる。そして、反射層ＲＦ１が、これらの光を光取り出し面の側に反射する。
第１の実施形態の発光装置Ｄ１は、第１発光層１３０と、第２発光層１５０と、第３発光層１７０と、波長変換層ＷＭ１と、を有する。第１発光層１３０は紫外線を発し、波長変換層ＷＭ１はその紫外線を赤色光に変換する。また、第２発光層１５０が青色光を発し、第３発光層１７０が緑色光を発する。このため、発光装置Ｄ１のサブピクセルは、赤色光、緑色光、青色光の３色の光を発することができる。そして、反射層ＲＦ１が、これらの光を光取り出し面の側に反射する。
【0070】
６．変形例
６－１．波長変換層とｐ電極
図１４は、第１の実施形態の変形例における発光装置Ｄ２の概略構成図である。図１４に示すように、発光装置Ｄ２は、波長変換層ＷＭ２を有する。波長変換層ＷＭ２は、反射層ＲＦ１に接触するとともに絶縁層Ｉ１に接触している。波長変換層ＷＭ２は、ｐコンタクト電極Ｐ１に接触している。波長変換層ＷＭ２は、第１発光層１３０から発せられる紫外線を赤色光に変換することができる。
６－１．波長変換層とｐ電極
図１４は、第１の実施形態の変形例における発光装置Ｄ２の概略構成図である。図１４に示すように、発光装置Ｄ２は、波長変換層ＷＭ２を有する。波長変換層ＷＭ２は、反射層ＲＦ１に接触するとともに絶縁層Ｉ１に接触している。波長変換層ＷＭ２は、ｐコンタクト電極Ｐ１に接触している。波長変換層ＷＭ２は、第１発光層１３０から発せられる紫外線を赤色光に変換することができる。
【0071】
６－２．波長変換層の位置
図１５は、第１の実施形態の変形例における発光装置Ｄ３の概略構成図である。図１５に示すように、発光装置Ｄ３は、波長変換層ＷＭ３を有する。波長変換層ＷＭ３は、透明電極ＴＥ１の上に透明電極ＴＥ１に接触して形成されている。波長変換層ＷＭ３は、絶縁層Ｉ１に接触している。また、波長変換層ＷＭ３は、反射層ＲＦ１に接触していない。この場合であっても、波長変換層ＷＭ３は、第１発光層１３０から発せられる紫外線を赤色光に変換することができる。また、透明電極ＴＥ１を厚くしてもよい。
図１５は、第１の実施形態の変形例における発光装置Ｄ３の概略構成図である。図１５に示すように、発光装置Ｄ３は、波長変換層ＷＭ３を有する。波長変換層ＷＭ３は、透明電極ＴＥ１の上に透明電極ＴＥ１に接触して形成されている。波長変換層ＷＭ３は、絶縁層Ｉ１に接触している。また、波長変換層ＷＭ３は、反射層ＲＦ１に接触していない。この場合であっても、波長変換層ＷＭ３は、第１発光層１３０から発せられる紫外線を赤色光に変換することができる。また、透明電極ＴＥ１を厚くしてもよい。
【0072】
６－３．光吸収層
図１６は、第１の実施形態の変形例における発光装置Ｄ４の概略構成図である。図１６に示すように、発光装置Ｄ４は、光吸収層ＵＡ２を有する。光吸収層ＵＡ２は、透明基板ＴＳ１の第２面ＴＳ１ｂの上に形成されている。すなわち、光吸収層ＵＡ２は、透明基板ＴＳ１の第２面ＴＳ１ｂの側に形成されている。光吸収層ＵＡ２は、紫外線を吸収する。光吸収層ＵＡ２は、III 族窒化物半導体であってもよいし、それ以外の紫外線吸収層であってもよい。この場合であっても、光吸収層ＵＡ２は、紫外線が発光装置Ｄ４の外部に出射することを抑制する。発光装置Ｄ４は、透明基板ＴＳ１の第２面ＴＳ１ｂの側に光取り出し面を有する。
図１６は、第１の実施形態の変形例における発光装置Ｄ４の概略構成図である。図１６に示すように、発光装置Ｄ４は、光吸収層ＵＡ２を有する。光吸収層ＵＡ２は、透明基板ＴＳ１の第２面ＴＳ１ｂの上に形成されている。すなわち、光吸収層ＵＡ２は、透明基板ＴＳ１の第２面ＴＳ１ｂの側に形成されている。光吸収層ＵＡ２は、紫外線を吸収する。光吸収層ＵＡ２は、III 族窒化物半導体であってもよいし、それ以外の紫外線吸収層であってもよい。この場合であっても、光吸収層ＵＡ２は、紫外線が発光装置Ｄ４の外部に出射することを抑制する。発光装置Ｄ４は、透明基板ＴＳ１の第２面ＴＳ１ｂの側に光取り出し面を有する。
【0073】
６－４．組成
第１発光層１３０、第２発光層１５０、第３発光層１７０の障壁層はＧａＮ層以外のＡｌＩｎＧａＮ層であってもよい。
第１発光層１３０、第２発光層１５０、第３発光層１７０の障壁層はＧａＮ層以外のＡｌＩｎＧａＮ層であってもよい。
【0074】
６－５．組み合わせ
上記の変形例を自由に組み合わせてもよい。
上記の変形例を自由に組み合わせてもよい。
【0075】
（付記）
第１の態様における発光装置は、駆動回路基板と、透明基板と、駆動回路基板と透明基板との間の半導体層と、第１発光領域と第２発光領域と第３発光領域と、波長変換層と、を有する。透明基板は、第１面と第１面の反対側の第２面とを有する。透明基板の第１面は、半導体層と対面している。透明基板の第２面の側に、光取り出し面を有する。半導体層は、ｎ型半導体層と、第１発光層と、第１中間層と、第２発光層と、第２中間層と、第３発光層と、ｐ型半導体層と、を有する。第１発光領域は、ｎ型半導体層と第１発光層とｐ型半導体層と波長変換層とを有する。第２発光領域は、ｎ型半導体層と第１発光層と第１中間層と第２発光層とｐ型半導体層とを有する。第３発光領域は、ｎ型半導体層と第１発光層と第１中間層と第２発光層と第２中間層と第３発光層とｐ型半導体層とを有する。第３発光層の井戸層のバンドギャップは、第２発光層の井戸層のバンドギャップよりも小さい。第２発光層の井戸層のバンドギャップは、第１発光層の井戸層のバンドギャップよりも小さい。波長変換層は、第１発光領域のｐ型半導体層と駆動回路基板との間に配置されている。
第１の態様における発光装置は、駆動回路基板と、透明基板と、駆動回路基板と透明基板との間の半導体層と、第１発光領域と第２発光領域と第３発光領域と、波長変換層と、を有する。透明基板は、第１面と第１面の反対側の第２面とを有する。透明基板の第１面は、半導体層と対面している。透明基板の第２面の側に、光取り出し面を有する。半導体層は、ｎ型半導体層と、第１発光層と、第１中間層と、第２発光層と、第２中間層と、第３発光層と、ｐ型半導体層と、を有する。第１発光領域は、ｎ型半導体層と第１発光層とｐ型半導体層と波長変換層とを有する。第２発光領域は、ｎ型半導体層と第１発光層と第１中間層と第２発光層とｐ型半導体層とを有する。第３発光領域は、ｎ型半導体層と第１発光層と第１中間層と第２発光層と第２中間層と第３発光層とｐ型半導体層とを有する。第３発光層の井戸層のバンドギャップは、第２発光層の井戸層のバンドギャップよりも小さい。第２発光層の井戸層のバンドギャップは、第１発光層の井戸層のバンドギャップよりも小さい。波長変換層は、第１発光領域のｐ型半導体層と駆動回路基板との間に配置されている。
【0076】
第２の態様における発光装置においては、波長変換層は、第２発光領域のｐ型半導体層と駆動回路基板との間に配置されておらず、第３発光領域のｐ型半導体層と駆動回路基板との間に配置されていない。
【0077】
第３の態様における発光装置は、ｐ型半導体層と接触する透明電極を有する。波長変換層は、第１発光領域の透明電極と接触している。
【0078】
第４の態様における発光装置は、ｐ型半導体層と接触する透明電極と、透明電極と接触するｐコンタクト電極と、を有する。波長変換層は、第１発光領域のｐコンタクト電極と接触している。
【0079】
第５の態様における発光装置は、ｎ型半導体層と透明基板との間に、第１発光層の発光波長の光を吸収する光吸収層を有する。
【0080】
第６の態様における発光装置は、透明基板の第２面の側に、第１発光層の発光波長の光を吸収する光吸収層を有する。
【0081】
第７の態様における発光装置においては、光吸収層は、第１発光領域と第２発光領域と第３発光領域とにわたって形成されている。
【0082】
第８の態様における発光装置においては、光吸収層は、半導体である。
【0083】
第９の態様における発光装置においては、波長変換層は、紫外光を赤色光に変換する。
【0084】
第１０の態様における発光装置においては、波長変換層は、波長変換層は、半導体である。
【0085】
第１１の態様における発光装置は、波長変換層と駆動回路基板との間に反射層を有する。
【符号の説明】
【0086】
Ｄ１…発光装置
１００…発光素子
１１０…下地層
ＵＡ１…光吸収層
１２０…ｎ型コンタクト層
１３０…第１発光層
１４０…第１中間層
１５０…第２発光層
１６０…第２中間層
１７０…第３発光層
１８０…キャップ層
１９０…ｐ型コンタクト層
ＴＥ１、ＴＥ２、ＴＥ３…透明電極
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３…ｐコンタクト電極
Ｎ１…ｎコンタクト電極
Ｒ１…第１発光領域
Ｒ２…第２発光領域
Ｒ３…第３発光領域
１００…発光素子
１１０…下地層
ＵＡ１…光吸収層
１２０…ｎ型コンタクト層
１３０…第１発光層
１４０…第１中間層
１５０…第２発光層
１６０…第２中間層
１７０…第３発光層
１８０…キャップ層
１９０…ｐ型コンタクト層
ＴＥ１、ＴＥ２、ＴＥ３…透明電極
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３…ｐコンタクト電極
Ｎ１…ｎコンタクト電極
Ｒ１…第１発光領域
Ｒ２…第２発光領域
Ｒ３…第３発光領域
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】