特開2022-142151セラミック膜およびその製造方法、静電チャック装置およびその製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022142151
(43)【公開日】2022-09-30
(54)【発明の名称】セラミック膜およびその製造方法、静電チャック装置およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/683 20060101AFI20220922BHJP
C04B 35/117 20060101ALI20220922BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 R
C04B35/117
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021042191
(22)【出願日】2021-03-16
(71)【出願人】
【識別番号】000153591
【氏名又は名称】株式会社巴川製紙所
(74)【代理人】
【識別番号】100106909
【弁理士】
【氏名又は名称】棚井 澄雄
(74)【代理人】
【識別番号】100139686
【弁理士】
【氏名又は名称】鈴木 史朗
(74)【代理人】
【識別番号】100152272
【弁理士】
【氏名又は名称】川越 雄一郎
(72)【発明者】
【氏名】津田 統
(72)【発明者】
【氏名】安藤 大悟
【テーマコード（参考）】
5F131
【Ｆターム（参考）】
5F131AA02
5F131AA03
5F131CA09
5F131DA02
5F131DA33
5F131DA42
5F131EA03
5F131EB11
5F131EB78
5F131EB79
(57)【要約】
【課題】耐電圧が高く、かつ機械的強度が高いセラミック膜およびその製造方法、並びに、前記セラミック膜を備える静電チャック装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック粒子１１と、金属酸化物１２と、を含有し、セラミック粒子１１間の少なくとも一部が金属酸化物１２を介して結着している、セラミック膜１０。
【選択図】図１
【解決手段】セラミック粒子１１と、金属酸化物１２と、を含有し、セラミック粒子１１間の少なくとも一部が金属酸化物１２を介して結着している、セラミック膜１０。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
セラミック粒子と、金属酸化物と、を含有し、
前記セラミック粒子間の少なくとも一部が前記金属酸化物を介して結着している、セラミック膜。
前記セラミック粒子間の少なくとも一部が前記金属酸化物を介して結着している、セラミック膜。
【請求項2】
前記セラミック粒子が、アルミナ、マグネシア、イットリア、ジルコニア、シリカおよび酸化亜鉛からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１に記載のセラミック膜。
【請求項3】
前記セラミック粒子の平均一次粒子径が０．１μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１または２に記載のセラミック膜。
【請求項4】
前記金属酸化物が、有機金属化合物の熱処理によって有機成分が分解除去されると共に、前記有機金属化合物を構成する金属が酸化されることによって得られた金属酸化物である、請求項１～３のいずれか１項に記載のセラミック膜。
【請求項5】
前記有機金属化合物を構成する金属が、イットリウム、マグネシウムである、請求項４に記載のセラミック膜。
【請求項6】
前記請求項１～５のいずれか１項に記載のセラミック膜を少なくとも１層有する、静電チャック装置。
【請求項7】
被塗布物に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を塗工して塗工膜を形成する工程と、
前記塗工膜を加熱する工程と、を有する、セラミック膜の製造方法。
前記塗工膜を加熱する工程と、を有する、セラミック膜の製造方法。
【請求項8】
電極の表面または前記電極を覆う層の表面に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を塗工して塗工膜を形成する工程と、
前記塗工膜を加熱する工程と、を有する、静電チャック装置の製造方法。
前記塗工膜を加熱する工程と、を有する、静電チャック装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、セラミック膜およびその製造方法、静電チャック装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体ウエハを使用して半導体集積回路を製造する場合や、ガラス基板、フィルム等の絶縁性基板を使用した液晶パネルを製造する場合には、半導体ウエハ、ガラス基板、絶縁性基板等の基材を所定部位に吸着保持する必要がある。そのため、それらの基材を吸着保持するために、機械的方法によるメカニカルチャックや、真空チャック等が用いられていた。しかしながら、これらの保持方法は、基材（被吸着体）を均一に保持することが困難である、真空中で使用することができない、基材表面の温度が上昇し過ぎる等の課題があった。そこで、近年、被吸着体の保持には、これらの問題を解決することができる静電チャック装置が用いられている。
【0003】
静電チャック装置は、内部電極となる導電性支持部材と、それを被覆する誘電性材料からなる誘電層と、を主要部として備える。この主要部により、被吸着体を吸着させることができる。静電チャック装置内の内部電極に電圧を印加して、被吸着体と導電性支持部材（内部電極）との間に電位差を生じさせると、誘電層に静電気的な吸着力が発生する。これにより、被吸着体は、導電性支持部材に対しほぼ平坦に支持される。
【0004】
従来の静電チャック装置としては、例えば、セラミック焼結体からなる基体上に、溶射によるセラミック膜を形成したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
また、静電チャック装置としては、例えば、セラミック焼結体からなる基体上に、低抵抗セラミックス溶射膜と高抵抗セラミックス溶射膜とが順に積層された静電チャック装置も知られている（例えば、特許文献２参照）。
さらに、静電チャック装置としては、例えば、ポリイミド樹脂フィルム上に、セラミックス溶射膜が形成された静電チャック装置も知られている（例えば、特許文献３参照）。
また、静電チャック装置としては、例えば、セラミック焼結体からなる基体上に、低抵抗セラミックス溶射膜と高抵抗セラミックス溶射膜とが順に積層された静電チャック装置も知られている（例えば、特許文献２参照）。
さらに、静電チャック装置としては、例えば、ポリイミド樹脂フィルム上に、セラミックス溶射膜が形成された静電チャック装置も知られている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２００１－２８４３２８号公報
【特許文献2】特開２００６－６００４０号公報
【特許文献3】特開平７－３３５７３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
従来の静電チャック装置では、セラミック膜を溶射で形成しているため、セラミック膜に空隙が生じて、セラミック膜は耐電圧が低く、機械的強度が低いという課題があった。
【0007】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、耐電圧が高く、かつ機械的強度が高いセラミック膜およびその製造方法、並びに、前記セラミック膜を備える静電チャック装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明は、以下の態様を有する。
［１］セラミック粒子と、金属酸化物と、を含有し、前記セラミック粒子間の少なくとも一部が前記金属酸化物を介して結着している、セラミック膜。
［２］前記セラミック粒子が、アルミナ、マグネシア、イットリア、ジルコニア、シリカおよび酸化亜鉛からなる群から選択される少なくとも１種である、［１］に記載のセラミック膜。
［３］前記セラミック粒子の平均一次粒子径が０．１μｍ以上５０μｍ以下である、［１］または［２］に記載のセラミック膜。
［４］前記金属酸化物が、有機金属化合物の熱処理によって有機成分が分解除去されると共に、前記有機金属化合物を構成する金属が酸化されることによって得られた金属酸化物である、［１］～［３］のいずれかに記載のセラミック膜。
［５］前記有機金属化合物を構成する金属が、イットリウム、マグネシウムである、［４］に記載のセラミック膜。
［６］［１］～［５］のいずれかに記載のセラミック膜を少なくとも１層有する、静電チャック装置。
［７］被塗布物に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を塗工して塗工膜を形成する工程と、前記塗工膜を加熱する工程と、を有する、セラミック膜の製造方法。
［８］電極の表面または前記電極を覆う層の表面に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を塗工して塗工膜を形成する工程と、前記塗工膜を加熱する工程と、を有する、静電チャック装置の製造方法。
［１］セラミック粒子と、金属酸化物と、を含有し、前記セラミック粒子間の少なくとも一部が前記金属酸化物を介して結着している、セラミック膜。
［２］前記セラミック粒子が、アルミナ、マグネシア、イットリア、ジルコニア、シリカおよび酸化亜鉛からなる群から選択される少なくとも１種である、［１］に記載のセラミック膜。
［３］前記セラミック粒子の平均一次粒子径が０．１μｍ以上５０μｍ以下である、［１］または［２］に記載のセラミック膜。
［４］前記金属酸化物が、有機金属化合物の熱処理によって有機成分が分解除去されると共に、前記有機金属化合物を構成する金属が酸化されることによって得られた金属酸化物である、［１］～［３］のいずれかに記載のセラミック膜。
［５］前記有機金属化合物を構成する金属が、イットリウム、マグネシウムである、［４］に記載のセラミック膜。
［６］［１］～［５］のいずれかに記載のセラミック膜を少なくとも１層有する、静電チャック装置。
［７］被塗布物に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を塗工して塗工膜を形成する工程と、前記塗工膜を加熱する工程と、を有する、セラミック膜の製造方法。
［８］電極の表面または前記電極を覆う層の表面に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を塗工して塗工膜を形成する工程と、前記塗工膜を加熱する工程と、を有する、静電チャック装置の製造方法。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、耐電圧が高く、かつ機械的強度が高いセラミック膜およびその製造方法、並びに、前記セラミック膜を備える静電チャック装置およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の一実施形態に係るセラミック膜を示す概略断面図である。
【図2】本発明の一実施形態に係る静電チャック装置を示す概略断面図である。
【図3】本発明の一実施形態に係る静電チャック装置を示す概略断面図である。
【図4】本発明の一実施形態に係る静電チャック装置を示す概略断面図である。
【図5】本発明の一実施形態に係る静電チャック装置を示す概略断面図である。
【図6】本発明の一実施形態に係る静電チャック装置を示す概略断面図である。
【図7】実施例１の静電チャック装置におけるセラミック膜の走査型電子顕微鏡像である。
【図8】実施例１の静電チャック装置におけるセラミック膜の走査型電子顕微鏡像である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、図面を参照して本発明に係るセラミック膜の実施の形態について説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、便宜上、特徴となる部分を拡大して示しており、各構成要素の寸法比率等は、実際とは異なる場合がある。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更できる。
【0012】
［セラミック膜］
本発明の一実施形態に係るセラミック膜は、セラミック粒子と、金属酸化物と、を含有し、セラミック粒子間の少なくとも一部が金属酸化物を介して結着している。
本発明の一実施形態に係るセラミック膜は、セラミック粒子と、金属酸化物と、を含有し、セラミック粒子間の少なくとも一部が金属酸化物を介して結着している。
【0013】
図１を参照しながら、本発明の一実施形態に係るセラミック膜について説明する。
図１は、本実施形態に係るセラミック膜を示す概略断面図である。
図１に示す本実施形態のセラミック膜１０は、複数のセラミック粒子１１と複数の金属酸化物１２とを含むセラミック組成物から構成される。セラミック膜１０は、例えば、静電チャック装置を構成する電極等の被塗布物２０の表面２０ａに形成される。本実施形態のセラミック膜１０では、セラミック粒子１１間の少なくとも一部が金属酸化物１２を介して結着している。すなわち、図１に示すように、セラミック膜１０に含まれる１つのセラミック粒子１１（１１Ａ）が、金属酸化物１２を介して他のセラミック粒子１１（１１Ｂ）と結着している。また、セラミック膜１０に含まれる１つのセラミック粒子１１（１１Ｃ）が、金属酸化物１２（１２Ａ）を介して他のセラミック粒子１１（１１Ｄ）と結着するとともに、金属酸化物１２（１２Ｂ）を介して他のセラミック粒子１１（１１Ｅ）と結着している。同様に、１つのセラミック粒子１１は、３つ以上の金属酸化物１２と接し、それぞれの金属酸化物１２を介して、３つの以上の他のセラミック粒子１１と結合していてもよい。
図１は、本実施形態に係るセラミック膜を示す概略断面図である。
図１に示す本実施形態のセラミック膜１０は、複数のセラミック粒子１１と複数の金属酸化物１２とを含むセラミック組成物から構成される。セラミック膜１０は、例えば、静電チャック装置を構成する電極等の被塗布物２０の表面２０ａに形成される。本実施形態のセラミック膜１０では、セラミック粒子１１間の少なくとも一部が金属酸化物１２を介して結着している。すなわち、図１に示すように、セラミック膜１０に含まれる１つのセラミック粒子１１（１１Ａ）が、金属酸化物１２を介して他のセラミック粒子１１（１１Ｂ）と結着している。また、セラミック膜１０に含まれる１つのセラミック粒子１１（１１Ｃ）が、金属酸化物１２（１２Ａ）を介して他のセラミック粒子１１（１１Ｄ）と結着するとともに、金属酸化物１２（１２Ｂ）を介して他のセラミック粒子１１（１１Ｅ）と結着している。同様に、１つのセラミック粒子１１は、３つ以上の金属酸化物１２と接し、それぞれの金属酸化物１２を介して、３つの以上の他のセラミック粒子１１と結合していてもよい。
【0014】
セラミック膜１０の厚さは、１μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上８０μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下であることがさらに好ましい。セラミック膜１０の厚さが前記下限値以上であると、十分な耐プラズマ性および耐電圧性を示す。セラミック膜１０の厚さが前記上限値以下であると、十分な吸着力が発生する。
【0015】
セラミック膜１０の表面１０ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下であることが好ましい。セラミック膜１０の表面１０ａの算術平均粗さ（Ｒａ）が前記範囲内であると、セラミック膜１０を静電チャック装置に適用した場合に、被吸着体を良好に吸着することができる。セラミック膜１０の表面１０ａの算術平均粗さ（Ｒａ）が大きくなると、被吸着体とセラミック膜１０との接触面積が小さくなるため、吸着力も小さくなる。
【0016】
セラミック膜１０の表面１０ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ Ｂ０６０１－１９９４に規定される方法に準拠して測定することができる。
【0017】
セラミック膜１０におけるセラミック粒子１１と金属酸化物１２との含有量の比率は、質量で、セラミック粒子１１：金属酸化物１２が８０：２０～９８：２であることが好ましく、９０：１０～９６：４であることがより好ましい。セラミック粒子１１と金属酸化物１２との含有量の比率が前記範囲内であると、セラミック粒子１１間を金属酸化物１２で良好に結着することができる。
【0018】
＜セラミック粒子＞
セラミック粒子１１としては、特に限定されない。
セラミック粒子１１の形状としては、例えば、球状、真球状、無定形、針状、繊維状、板状等が挙げられる。これらの形状のセラミック粒子１１は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
セラミック粒子１１としては、特に限定されない。
セラミック粒子１１の形状としては、例えば、球状、真球状、無定形、針状、繊維状、板状等が挙げられる。これらの形状のセラミック粒子１１は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0019】
セラミック粒子１１の材質としては、例えば、酸化物系セラミックス、非酸化物系セラミックス、およびこれらの複合セラミックス等を主体として構成されるセラミック粒子等が挙げられる。
【0020】
酸化物系セラミックスとしては、例えば、アルミナ（酸化アルミニウム、Ａｌ２Ｏ３）、ジルコニア（酸化ジルコニウム、ＺｒＯ２）、イットリア（酸化イットリウム、Ｙ２Ｏ３）、タルク（含水珪酸マグネシウム、Ｍｇ３Ｓｉ４Ｏ１０（ＯＨ）１０）、ヘマタイト（酸化鉄（ＩＩＩ）、Ｆｅ２Ｏ３）、クロミア（酸化クロム（ＩＩＩ）、Ｃｒ２Ｏ３）、チタニア（酸化チタン（ＩＶ）、Ｔｉ２Ｏ）、マグネシア（酸化マグネシウム、ＭｇＯ）、シリカ（二酸化ケイ素、ＳｉＯ２）、カルシア（酸化カルシウム、ＣａＯ）、セリア（酸化セリウム（ＩＶ）、ＣｅＯ２）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ステアタイト（メタ珪酸マグネシウム、ＭｇＯ・ＳｉＯ２）、コーディエライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２）、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）、フェライト（ＭｎＦｅ２Ｏ４）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）、ジルコン（ＺｒＳｉＯ４）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、リンドープ酸化スズ（ＰＴＯ）、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等が挙げられる。
酸化物系セラミックスは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
酸化物系セラミックスは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0021】
非酸化物系セラミックスとしては、例えば、窒化物セラミックス、炭化物系セラミックス、硼化物系セラミックス、珪化物系セラミックス、リン酸化合物等が挙げられる。
窒化物セラミックスとしては、例えば、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化炭素（ＣＮｘ）、サイアロン（Ｓｉ３Ｎ４－ＡｌＮ－Ａｌ２Ｏ３固溶体）等が挙げられる。
炭化物系セラミックスとしては、例えば、タングステンカーバイド（ＷＣ）、クロムカーバイド（ＣｒＣ）、炭化バナジウム（ＶＣ）、炭化ニオブ（ＮｂＣ）、炭化モリブデン（ＭｏＣ）、炭化タンタル（ＴａＣ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、炭化ジルコニウム（ＺｒＣ）、炭化ハフニウム（ＨｆＣ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）等が挙げられる。
硼化物系セラミックスとしては、例えば、ホウ化モリブデン（ＭｏＢ）、ホウ化クロム（ＣｒＢ２）、ホウ化ハフニウム（ＨｆＢ２）、ホウ化ジルコニウム（ＺｒＢ２）、ホウ化タンタル（ＴａＢ２）、ホウ化チタン（ＴｉＢ２）等が挙げられる。
珪化物系セラミックスとしては、例えば、酸化ジルコニウムシリケート、酸化ハフニウムシリケート、酸化チタンシリケート、酸化ランタンシリケート、酸化イットリウムシリケート、酸化チタンシリケート、酸化タンタルシリケート、酸窒化タンタルシリケート等が挙げられる。
リン酸化合物としては、例えば、ハイドロキシアパタイト、リン酸カルシウム等が挙げられる。
非酸化物系セラミックスは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
窒化物セラミックスとしては、例えば、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化炭素（ＣＮｘ）、サイアロン（Ｓｉ３Ｎ４－ＡｌＮ－Ａｌ２Ｏ３固溶体）等が挙げられる。
炭化物系セラミックスとしては、例えば、タングステンカーバイド（ＷＣ）、クロムカーバイド（ＣｒＣ）、炭化バナジウム（ＶＣ）、炭化ニオブ（ＮｂＣ）、炭化モリブデン（ＭｏＣ）、炭化タンタル（ＴａＣ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、炭化ジルコニウム（ＺｒＣ）、炭化ハフニウム（ＨｆＣ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）等が挙げられる。
硼化物系セラミックスとしては、例えば、ホウ化モリブデン（ＭｏＢ）、ホウ化クロム（ＣｒＢ２）、ホウ化ハフニウム（ＨｆＢ２）、ホウ化ジルコニウム（ＺｒＢ２）、ホウ化タンタル（ＴａＢ２）、ホウ化チタン（ＴｉＢ２）等が挙げられる。
珪化物系セラミックスとしては、例えば、酸化ジルコニウムシリケート、酸化ハフニウムシリケート、酸化チタンシリケート、酸化ランタンシリケート、酸化イットリウムシリケート、酸化チタンシリケート、酸化タンタルシリケート、酸窒化タンタルシリケート等が挙げられる。
リン酸化合物としては、例えば、ハイドロキシアパタイト、リン酸カルシウム等が挙げられる。
非酸化物系セラミックスは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0022】
セラミック粒子１１は、アルミナ、マグネシア、イットリア、ジルコニア、シリカおよび酸化亜鉛からなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。セラミック粒子１１が前記の群から選択される少なくとも１種の化合物であると、プラズマ耐性が向上する。
【0023】
セラミック粒子１１の平均一次粒子径は、０．１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上１０μｍ以下であることがより好ましく、０．１μｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。セラミック粒子１１の平均一次粒子径が前記範囲内であると、セラミック膜１０の空隙が減少し、セラミック膜１０の耐電圧が向上する。
【0024】
セラミック粒子１１の平均一次粒子径の測定方法は、レーザー回折・散乱法で行うことができる。
【0025】
セラミック膜１０におけるセラミック粒子１１の含有量は、セラミック膜１０の全質量１００質量％中、８０質量％以上９８質量％以下であることが好ましく、９０質量％以上９６質量％以下であることがより好ましい。セラミック粒子１１の含有量が前記下限値未満であると、セラミック粒子量が少なく、所定の膜厚の確保ができなくなるとともに、金属酸化物比率が多くなり、加熱処理時に収縮が大きくなり割れが発生しやすい。セラミック粒子１１の含有量が前記上限値を超えると、金属酸化物比率が少なくなり、セラミック粒子２１間を結着できずに膜の強度が確保できにくい。
【0026】
＜金属酸化物＞
金属酸化物１２は、有機金属化合物（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）の熱処理によって有機成分が分解除去されると共に、有機金属化合物を構成する金属が酸化されることによって得られた金属酸化物である。
金属酸化物１２としては、例えば、金、銀、白金、パラジウム、イリジウム、ロジウム、ルテニウム、鉛、ビスマス、ケイ素、クロム、コバルト、ニッケル、鉄、ホウ素、アンチモン、カドミウム、バナジウム、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、マンガン、亜鉛、ジルコニウム、バリウム、ストロンチウム、イットリウム、ランタン等の酸化物が挙げられる。
金属酸化物１２の具体例としては、酸化イットリウム、酸化マグネシウム、酸化ニッケル、酸化亜鉛等が挙げられる。
金属酸化物１２は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
金属酸化物１２は、有機金属化合物（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）の熱処理によって有機成分が分解除去されると共に、有機金属化合物を構成する金属が酸化されることによって得られた金属酸化物である。
金属酸化物１２としては、例えば、金、銀、白金、パラジウム、イリジウム、ロジウム、ルテニウム、鉛、ビスマス、ケイ素、クロム、コバルト、ニッケル、鉄、ホウ素、アンチモン、カドミウム、バナジウム、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、マンガン、亜鉛、ジルコニウム、バリウム、ストロンチウム、イットリウム、ランタン等の酸化物が挙げられる。
金属酸化物１２の具体例としては、酸化イットリウム、酸化マグネシウム、酸化ニッケル、酸化亜鉛等が挙げられる。
金属酸化物１２は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0027】
金属酸化物１２は、イットリウムの酸化物、マグネシウムの酸化物であることが好ましい。すなわち、金属酸化物１２は、イットリア（酸化イットリウム、Ｙ２Ｏ３）、マグネシア（酸化マグネシウム、ＭｇＯ）であることが好ましい。金属酸化物１２がイットリア（酸化イットリウム、Ｙ２Ｏ３）、マグネシア（酸化マグネシウム、ＭｇＯ）であると、よりプラズマ耐性が向上する。
【0028】
セラミック膜１０における金属酸化物１２の含有量は、セラミック膜１０の全質量１００質量％中、２質量％以上２０質量％以下であることが好ましく、４質量％以上１０質量％以下であることがより好ましい。金属酸化物１２の含有量が前記下限値未満であると、セラミック粒子間の結着ができずに、膜の強度が確保できにくくなる。金属酸化物１２の含有量が前記上限値を超えると、乾燥時の収縮が大きくなり膜にクラックなどの欠点を生じやすい。
【0029】
セラミック膜１０は、セラミック粒子１１と金属酸化物１２以外の成分を含んでいてもよい。セラミック粒子１１と金属酸化物１２以外の成分としては、例えば、樹脂等が挙げられる。樹脂を含むことで膜強度が向上したり、耐電圧が向上したりする。
【0030】
本実施形態のセラミック膜１０によれば、耐電圧が高く、かつ機械的強度が高いセラミック膜を提供することができる。
【0031】
［セラミック膜の製造方法］
本実施形態のセラミック膜の製造方法は、被塗布物に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を塗工して塗工膜を形成する工程（以下、「塗工工程」と言う。）と、塗工膜を加熱する工程（以下、「加熱工程」と言う。）と、を有する。
以下、図１を参照して、本実施形態のセラミック膜の製造方法を説明する。
本実施形態のセラミック膜の製造方法は、被塗布物に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を塗工して塗工膜を形成する工程（以下、「塗工工程」と言う。）と、塗工膜を加熱する工程（以下、「加熱工程」と言う。）と、を有する。
以下、図１を参照して、本実施形態のセラミック膜の製造方法を説明する。
【0032】
「塗料を調製する工程（塗料調製工程）」
本実施形態のセラミック膜の製造方法は、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を調製する塗料調製工程を有していてもよい。
セラミック粒子としては、上記のものが用いられる。
本実施形態のセラミック膜の製造方法は、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を調製する塗料調製工程を有していてもよい。
セラミック粒子としては、上記のものが用いられる。
【0033】
塗料におけるセラミック粒子の含有量は、塗料の全質量１００質量％中、２０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以上７０質量％以下であることがより好ましい。セラミック粒子の含有量が前記下限値未満であると、膜強度が低くなり、膜の欠けが発生し、パーティクル発生の原因となりやすい。セラミック粒子の含有量が前記上限値を超えると、塗料の粘度が高くなり、塗工が困難になりやすい。
【0034】
塗料における金属レジネートの含有量は、塗料の全質量１００質量％中、２０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以上６０質量％以下であることがより好ましい。金属レジネートの含有量が前記下限値未満であると、塗料の粘度が高くなり、塗工が困難になりやすい。金属レジネートの含有量が前記上限値を超えると、塗膜中にバルクが生じ、強度が下がる。これによって塗膜の欠けが生じやすくなり、パーティクル発生の原因となりやすい。
【0035】
塗料におけるセラミック粒子と金属レジネートの含有量の比率は、質量比で、セラミック粒子：金属レジネートが２：８～８：２であることが好ましく、４：６～６：４であることがより好ましい。セラミック粒子と金属レジネートの含有量の比率が前記範囲内であると、セラミック粒子間を金属酸化物で結着することができる。
【0036】
＜金属レジネート＞
金属レジネートは、有機金属化合物を含む液状物またはペースト状物である。金属レジネートは、熱処理することにより有機成分が酸化分解して除去されると共に、有機金属化合物を構成する金属が酸化されることによって、高純度の金属酸化物を生成するものである。得られた金属酸化物は、極めて薄い金属膜を形成している。金属レジネートを用いることにより、例えば、厚さが０．１μｍ以上０．６μｍ以下程度の金属膜が得られる。この金属膜が、セラミック粒子間の少なくとも一部を結着してセラミック膜を形成する。
金属レジネートは、有機金属化合物を含む液状物またはペースト状物である。金属レジネートは、熱処理することにより有機成分が酸化分解して除去されると共に、有機金属化合物を構成する金属が酸化されることによって、高純度の金属酸化物を生成するものである。得られた金属酸化物は、極めて薄い金属膜を形成している。金属レジネートを用いることにより、例えば、厚さが０．１μｍ以上０．６μｍ以下程度の金属膜が得られる。この金属膜が、セラミック粒子間の少なくとも一部を結着してセラミック膜を形成する。
【0037】
金属レジネートは、下記の金属成分のハロゲン化物、硝酸塩、酢酸塩または酸化物等と、カルボン酸、アビエチン酸の多核脂肪酸またはアビエチン酸を主成分とするガムロジン等とを反応させて合成したものである。カルボン酸としては、脂肪族カルボン酸、環式脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が用いられる。
【0038】
金属成分としては、例えば、金、銀、白金、パラジウム、イリジウム、ロジウム、ルテニウム、鉛、ビスマス、ケイ素、クロム、コバルト、ニッケル、鉄、ホウ素、アンチモン、カドミウム、バナジウム、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、マンガン、亜鉛、ジルコニウム、バリウム、ストロンチウム、イットリウム、ランタン等が挙げられる。
金属成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
金属成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0039】
＜溶媒＞
上記の塗料には、溶媒を混合することが好ましい。溶媒としては、例えば、アルコール類、ケトン類、エステル類、炭化水素類、エーテル類等が挙げられる。
アルコール類としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等が挙げられる。
ケトン類としては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等が挙げられる。
エステル類としては、例えば、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等が挙げられる。
炭化水素類としては、例えば、トルエン、キシレン等が挙げられる。
エーテル類としては、例えば、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、テトラヒドロフラン等が挙げられる。
上記の塗料には、溶媒を混合することが好ましい。溶媒としては、例えば、アルコール類、ケトン類、エステル類、炭化水素類、エーテル類等が挙げられる。
アルコール類としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等が挙げられる。
ケトン類としては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等が挙げられる。
エステル類としては、例えば、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等が挙げられる。
炭化水素類としては、例えば、トルエン、キシレン等が挙げられる。
エーテル類としては、例えば、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、テトラヒドロフラン等が挙げられる。
【0040】
＜他の成分＞
上記の塗料には、セラミック粒子、金属レジネート、溶媒以外の成分を含んでいてもよい。セラミック粒子、金属レジネート、溶媒以外の成分としては、例えば、分散剤、界面活性剤等が挙げられる。
上記の塗料には、セラミック粒子、金属レジネート、溶媒以外の成分を含んでいてもよい。セラミック粒子、金属レジネート、溶媒以外の成分としては、例えば、分散剤、界面活性剤等が挙げられる。
【0041】
塗料の調製方法としては、例えば、セラミック粒子、金属レジネートおよび溶媒を攪拌、混合する方法が挙げられる。混合方法としては、例えば、自転公転式攪拌機、ホモジナイザー、高圧ジェットミル、超音波等の攪拌機を用いた混合方法が用いられる。
【0042】
「塗工工程」
塗工工程では、静電チャック装置を構成する電極等の被塗布物（被塗布物の表面等）に、上記の塗料を塗工して塗工膜を形成する。本実施形態では、電極等の被塗布物２０の表面２０ａに上記の塗料を塗工して塗工膜を形成する。
塗工工程では、静電チャック装置を構成する電極等の被塗布物（被塗布物の表面等）に、上記の塗料を塗工して塗工膜を形成する。本実施形態では、電極等の被塗布物２０の表面２０ａに上記の塗料を塗工して塗工膜を形成する。
【0043】
被塗布物２０に対する塗料の塗工方法としては、例えば、グラビアコーター、ロールコーター、ブレードコーター、エアナイフコーター、ロッドコーター、スプレーコーター等の塗工装置を用いた塗工方法や、ディップ塗工、または、オフセット印刷、スクリーン印刷等の印刷方法等が用いられる。
【0044】
塗工膜の厚さは、１μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。塗工膜の厚さが前記下限値以上であると、加熱工程を経て得られるセラミック膜が十分な耐プラズマ性および耐電圧性を示す。塗工膜の厚さが前記上限値以下であると、加熱工程を経て得られるセラミック膜が十分な吸着力を発生する。
【0045】
「加熱工程」
加熱工程では、塗工工程で被塗布物２０に形成した塗工膜を加熱する。これにより、被塗布物２０の表面２０ａに、上述のセラミック粒子１１と金属酸化物１２とを含有するセラミック膜１０が形成される。
加熱工程では、塗工工程で被塗布物２０に形成した塗工膜を加熱する。これにより、被塗布物２０の表面２０ａに、上述のセラミック粒子１１と金属酸化物１２とを含有するセラミック膜１０が形成される。
【0046】
塗工膜の加熱方式としては、熱方式、プラズマ加熱、赤外線方式、ランプ方式等が挙げられる。これらの加熱方法に紫外線照射を加えることで、より低温で有機分を除去し、金属酸化膜をえることができる。
【0047】
塗工膜の加熱温度および加熱時間は、例えば、次のようにする。塗工膜を１００℃以上１５０℃以下で１分間以上１０分間以下加熱して乾燥し、塗工膜に含まれる溶媒を除去する。その後、塗工膜を５００℃以上７００℃以下で３０分間以上２時間以下加熱することによって、セラミック膜を得る。紫外線照射によりレジネート中の有機物を分解しやすい状態にしておくことで、より低温（４００℃以下）で加熱処理することもできる。
【0048】
また、本実施形態のセラミック膜の製造方法では、加熱工程を経て得られたセラミック膜１０の表面（被塗布物２０と接していない面）１０ａを研磨する研磨工程を有していてもよい。
研磨工程により、セラミック膜１０の表面１０ａを、上記の算術平均粗さ（Ｒａ）の範囲内となるように研磨することにより、セラミック膜１０の吸着力を向上することができる。
研磨工程により、セラミック膜１０の表面１０ａを、上記の算術平均粗さ（Ｒａ）の範囲内となるように研磨することにより、セラミック膜１０の吸着力を向上することができる。
【0049】
本実施形態のセラミック膜の製造方法によれば、耐電圧が高く、かつ機械的強度が高いセラミック膜を提供することができる。
【0050】
［静電チャック装置］
本発明の一実施形態に係る静電チャック装置は、本実施形態のセラミック膜を少なくとも１層有する。
本発明の一実施形態に係る静電チャック装置は、本実施形態のセラミック膜を少なくとも１層有する。
【0051】
図２を参照しながら、本発明の一実施形態に係る静電チャック装置について説明する。
図２は、本実施形態に係る静電チャック装置を示す概略断面図である。
図２に示す本実施形態の静電チャック装置１００は、基台１１０と、電極１２０と、セラミック膜１３０と、を備える。電極１２０は、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａに形成されている。セラミック膜１３０は、基台１１０の一方の面１１０ａ上において、電極１２０を覆うように、すなわち、電極１２０の一方の面（上面）１２０ａおよび側面１２０ｂを覆うように形成されている。セラミック膜１３０は、上述の実施形態のセラミック膜１０と同様のものである。
図２は、本実施形態に係る静電チャック装置を示す概略断面図である。
図２に示す本実施形態の静電チャック装置１００は、基台１１０と、電極１２０と、セラミック膜１３０と、を備える。電極１２０は、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａに形成されている。セラミック膜１３０は、基台１１０の一方の面１１０ａ上において、電極１２０を覆うように、すなわち、電極１２０の一方の面（上面）１２０ａおよび側面１２０ｂを覆うように形成されている。セラミック膜１３０は、上述の実施形態のセラミック膜１０と同様のものである。
【0052】
＜基台＞
基台１１０としては、特に限定されないが、例えば、セラミックス基台、炭化ケイ素基台、アルミニウムやステンレス等からなる金属基台等が挙げられる。
基台１１０としては、特に限定されないが、例えば、セラミックス基台、炭化ケイ素基台、アルミニウムやステンレス等からなる金属基台等が挙げられる。
【0053】
＜電極＞
電極１２０としては、電圧を印加した際に静電吸着力を発現できる導電性物質からなるものであれば特に限定されない。電極１２０としては、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、白金、クロム、ニッケル、タングステン等の金属からなる薄膜、および前記金属の群から選択される少なくとも２種の金属からなる薄膜が好適に用いられる。このような金属の薄膜としては、例えば、蒸着、メッキ、スパッタリング等により成膜されたものや、導電性ペーストを塗布乾燥して成膜されたものが挙げられる。電極１２０の具体例としては、例えば、銅箔等の金属箔が挙げられる。
電極１２０としては、電圧を印加した際に静電吸着力を発現できる導電性物質からなるものであれば特に限定されない。電極１２０としては、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、白金、クロム、ニッケル、タングステン等の金属からなる薄膜、および前記金属の群から選択される少なくとも２種の金属からなる薄膜が好適に用いられる。このような金属の薄膜としては、例えば、蒸着、メッキ、スパッタリング等により成膜されたものや、導電性ペーストを塗布乾燥して成膜されたものが挙げられる。電極１２０の具体例としては、例えば、銅箔等の金属箔が挙げられる。
【0054】
電極１２０は、単一層からなる単極であってもよいし、２箇所以上に分割された双極であってもよい。電極１２０の電極パターンや形状は、特に限定されない。電極１２０の配置は、適宜設計することができる。
【0055】
電極１２０の厚さは、特に限定されない。電極１２０の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上２０μｍ以下であることがより好ましい。電極１２０の厚さが前記下限値以上であると、電極１２０を覆うようにセラミック膜１３０を形成する際に、電極１２０の一方の面（上面）１２０ａに凹凸が生じ難い。電極１２０の厚さが前記上限値以下であると、電極１２０と、他の層との接合強度が十分に得られる。
【0056】
本実施形態の静電チャック装置１００によれば、耐電圧が高く、かつ機械的強度が高いセラミック膜を備えた静電チャック装置を提供することができる。
【0057】
［静電チャック装置の製造方法］
本実施形態の静電チャック装置の製造方法は、上述の静電チャック装置の一部となる電極の表面に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を塗工して塗工膜を形成する工程（塗工工程）と、塗工膜を加熱する工程（加熱工）と、を有する。
以下、図２を参照して、本実施形態の静電チャック装置の製造方法を説明する。
本実施形態の静電チャック装置の製造方法は、上述の静電チャック装置の一部となる電極の表面に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を塗工して塗工膜を形成する工程（塗工工程）と、塗工膜を加熱する工程（加熱工）と、を有する。
以下、図２を参照して、本実施形態の静電チャック装置の製造方法を説明する。
【0058】
「塗料を調製する工程（塗料調製工程）」
本実施形態の静電チャック装置の製造方法は、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を調製する塗料調製工程を有していてもよい。
塗料としては、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様のものが用いられる。
本実施形態の静電チャック装置の製造方法は、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を調製する塗料調製工程を有していてもよい。
塗料としては、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様のものが用いられる。
【0059】
「電極を形成する工程（電極形成工程）」
本実施形態の静電チャック装置の製造方法は、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａに、電極１２０を形成する電極形成工程を有していてもよい。
電極形成工程では、基台１１０の一方の面１１０ａに、銅等の金属を蒸着して、金属の薄膜（金属薄膜）を形成する。その後、エッチングを行って、金属の薄膜を所定の形状にパターニングして、電極１２０を形成する。
本実施形態の静電チャック装置の製造方法は、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａに、電極１２０を形成する電極形成工程を有していてもよい。
電極形成工程では、基台１１０の一方の面１１０ａに、銅等の金属を蒸着して、金属の薄膜（金属薄膜）を形成する。その後、エッチングを行って、金属の薄膜を所定の形状にパターニングして、電極１２０を形成する。
【0060】
「塗工工程」
塗工工程では、基台１１０の一方の面１１０ａに形成された電極１２０の表面（一方の面（上面）１２０ａおよび側面１２０ｂ）に、上記の塗料を塗工して塗工膜を形成する。
塗工工程では、基台１１０の一方の面１１０ａに形成された電極１２０の表面（一方の面（上面）１２０ａおよび側面１２０ｂ）に、上記の塗料を塗工して塗工膜を形成する。
【0061】
電極に対する塗料の塗工方法は、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法における被塗布物への塗料の塗工方法と同様である。
【0062】
塗工膜の厚さは、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様である。
【0063】
「加熱工程」
加熱工程では、塗工工程で電極１２０の表面に形成した塗工膜を加熱する。これにより、電極１２０の表面に、上述の実施形態のセラミック膜と同様のセラミック膜１３０が形成される。
加熱工程では、塗工工程で電極１２０の表面に形成した塗工膜を加熱する。これにより、電極１２０の表面に、上述の実施形態のセラミック膜と同様のセラミック膜１３０が形成される。
【0064】
塗工膜の加熱方式は、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様である。
【0065】
塗工膜の加熱温度および加熱時間は、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様である。
【0066】
また、本実施形態の静電チャック装置の製造方法では、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様に、セラミック膜１３０の表面（電極と接していない面）１３０ａを研磨する研磨工程を有していてもよい。
【0067】
本実施形態の静電チャック装置の製造方法によれば、耐電圧が高く、かつ機械的強度が高いセラミック膜を備えた静電チャック装置を提供することができる。
【0068】
＜他の実施形態＞
なお、本発明は、上記の実施形態に限定するものではない。
なお、本発明は、上記の実施形態に限定するものではない。
【0069】
例えば、図３に示すような第１の変形例に係る静電チャック装置２００、図４に示すような第２の変形例に係る静電チャック装置３００、図５に示すような第３の変形例に係る静電チャック装置４００、図６に示すような第６の変形例に係る静電チャック装置５００を採用してもよい。なお、変形例に係る静電チャック装置２００，３００，４００，５００では、前記実施形態における構成要素と同一の部分については同一の符号を付し、その説明を省略し、異なる点についてのみ説明する。
【0070】
［第１の変形例］
図３に示す第１の変形例に係る静電チャック装置２００は、基台１１０と、電極１２０と、セラミック膜１３０と、接着層２１０と、絶縁性有機フィルム２２０と、を備える。絶縁性有機フィルム２２０は、接着層２１０を介して、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａに積層（接着）されている。電極１２０は、絶縁性有機フィルム２２０の一方の面（上面）２２０ａに形成されている。セラミック膜１３０は、絶縁性有機フィルム２２０の一方の面２２０ａ上において、電極１２０を覆うように形成されている。
図３に示す第１の変形例に係る静電チャック装置２００は、基台１１０と、電極１２０と、セラミック膜１３０と、接着層２１０と、絶縁性有機フィルム２２０と、を備える。絶縁性有機フィルム２２０は、接着層２１０を介して、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａに積層（接着）されている。電極１２０は、絶縁性有機フィルム２２０の一方の面（上面）２２０ａに形成されている。セラミック膜１３０は、絶縁性有機フィルム２２０の一方の面２２０ａ上において、電極１２０を覆うように形成されている。
【0071】
＜接着層＞
接着層２１０を構成する接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、スチレン系ブロック共重合体、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、アミン化合物、ビスマレイミド化合物等からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂を主成分とする接着剤が挙げられる。
接着層２１０を構成する接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、スチレン系ブロック共重合体、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、アミン化合物、ビスマレイミド化合物等からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂を主成分とする接着剤が挙げられる。
【0072】
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラグリシジルフェノールアルカン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジグリシジルジフェニルメタン型エポキシ樹脂、ジグリシジルビフェニル型エポキシ樹脂等の２官能基または多官能エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ビスフェノール型エポキシ樹脂が好ましい。ビスフェノール型エポキシ樹脂の中でも、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が特に好ましい。また、エポキシ樹脂を主成分とする場合、接着剤には、必要に応じて、イミダゾール類、第３アミン類、フェノール類、ジシアンジアミド類、芳香族ジアミン類、有機過酸化物等のエポキシ樹脂用の硬化剤や硬化促進剤を配合することもできる。
【0073】
フェノール樹脂としては、例えば、アルキルフェノール樹脂、ｐ－フェニルフェノール樹脂、ビスフェノールＡ型フェノール樹脂等のノボラックフェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂、ポリフェニルパラフェノール樹脂等が挙げられる。
【0074】
スチレン系ブロック共重合体としては、例えば、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、スチレン－エチレン－プロピレン－スチレン共重合体（ＳＥＰＳ）等が挙げられる。
【0075】
接着層２１０の厚さは、特に限定されない。接着層２１０の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上２０μｍ以下であることがより好ましい。接着層２１０の厚さが前記下限値未満であると、耐電圧が低下しやすい。接着層２１０の厚さが前記上限値を超えると、熱伝導が悪くなりやすい。
【0076】
＜絶縁性有機フィルム＞
絶縁性有機フィルム２２０を構成する材料としては、特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル類、ポリエチレン等のポリオレフィン類、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルイミド、トリアセチルセルロース、シリコーンゴム、ポリテトラフルオロエチレン等が挙げられる。これらの中でも、絶縁性に優れることから、ポリエステル類、ポリオレフィン類、ポリイミド、シリコーンゴム、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリテトラフルオロエチレンが好ましく、ポリイミドがより好ましい。ポリイミドフィルムとして、例えば、東レ・デュポン社製のカプトン（商品名）、宇部興産社製のユーピレックス（商品名）等が用いられる。
絶縁性有機フィルム２２０を構成する材料としては、特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル類、ポリエチレン等のポリオレフィン類、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルイミド、トリアセチルセルロース、シリコーンゴム、ポリテトラフルオロエチレン等が挙げられる。これらの中でも、絶縁性に優れることから、ポリエステル類、ポリオレフィン類、ポリイミド、シリコーンゴム、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリテトラフルオロエチレンが好ましく、ポリイミドがより好ましい。ポリイミドフィルムとして、例えば、東レ・デュポン社製のカプトン（商品名）、宇部興産社製のユーピレックス（商品名）等が用いられる。
【0077】
絶縁性有機フィルム２２０の厚さは、特に限定されない。絶縁性有機フィルム２２０の厚さは、１０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、２５μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。絶縁性有機フィルム２２０の厚さが前記下限値以上であると、絶縁性を確保することができる。絶縁性有機フィルム２２０の厚さが前記上限値以下であると、電極１２０による十分な吸着力が発生する。
【0078】
第１の変形例の静電チャック装置２００によれば、耐電圧が高く、かつ機械的強度が高いセラミック膜を備えた静電チャック装置を提供することができる。
【0079】
［第１の変形例の静電チャック装置の製造方法］
第１の変形例の静電チャック装置の製造方法は、基台等の一方の面（上面）に、接着層を介して絶縁性有機フィルムを積層する工程（以下、「絶縁性有機フィルム積層工程」と言う。）と、絶縁性有機フィルムの一方の面（上面）に電極を形成する工程（電極形成工程）と、電極の表面に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を塗工して塗工膜を形成する工程（塗工工程）と、塗工膜を加熱する工程（加熱工程）と、を有する。
以下、図３を参照して、第１の変形例の静電チャック装置の製造方法を説明する。
第１の変形例の静電チャック装置の製造方法は、基台等の一方の面（上面）に、接着層を介して絶縁性有機フィルムを積層する工程（以下、「絶縁性有機フィルム積層工程」と言う。）と、絶縁性有機フィルムの一方の面（上面）に電極を形成する工程（電極形成工程）と、電極の表面に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を塗工して塗工膜を形成する工程（塗工工程）と、塗工膜を加熱する工程（加熱工程）と、を有する。
以下、図３を参照して、第１の変形例の静電チャック装置の製造方法を説明する。
【0080】
「塗料調製工程」
本実施形態の静電チャック装置の製造方法は、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を調製する塗料調製工程を有していてもよい。
塗料としては、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様のものが用いられる。
本実施形態の静電チャック装置の製造方法は、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を調製する塗料調製工程を有していてもよい。
塗料としては、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様のものが用いられる。
【0081】
「絶縁性有機フィルム積層工程」
絶縁性有機フィルム積層工程では、まず、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａに、上記の接着剤を塗工して接着層２１０を形成する。
絶縁性有機フィルム積層工程では、まず、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａに、上記の接着剤を塗工して接着層２１０を形成する。
【0082】
基台等に対する接着剤の塗工方法としては、例えば、スプレー、グラビアコーター、ロールコーター、ブレードコーター、エアナイフコーター、ロッドコーター等の塗工装置を用いた塗工方法や、ディップ塗工、またオフセット印刷、スクリーン印刷等の印刷方法等が用いられる。
【0083】
次いで、接着層２１０を介して、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａに絶縁性有機フィルム２２０を積層する。
その後、基台１１０、接着層２１０および絶縁性有機フィルム２２０を含む積層体を所定の温度で所定の時間加熱するか、室温で所定の時間放置することにより、接着層２１０を硬化させる。
その後、基台１１０、接着層２１０および絶縁性有機フィルム２２０を含む積層体を所定の温度で所定の時間加熱するか、室温で所定の時間放置することにより、接着層２１０を硬化させる。
【0084】
「電極形成工程」
電極形成工程では、基台１１０の一方の面１１０ａに積層した絶縁性有機フィルム２２０の一方の面（上面）２２０ａに、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、金属の薄膜（金属薄膜）を形成する。その後、エッチングを行って、金属の薄膜を所定の形状にパターニングして、電極１２０を形成する。
電極形成工程では、基台１１０の一方の面１１０ａに積層した絶縁性有機フィルム２２０の一方の面（上面）２２０ａに、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、金属の薄膜（金属薄膜）を形成する。その後、エッチングを行って、金属の薄膜を所定の形状にパターニングして、電極１２０を形成する。
【0085】
「塗工工程」
塗工工程では、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、絶縁性有機フィルム２２０の一方の面２２０ａに形成された電極１２０の表面（一方の面（上面）１２０ａおよび側面１２０ｂ）に、上記の塗料を塗工して塗工膜を形成する。
塗工工程では、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、絶縁性有機フィルム２２０の一方の面２２０ａに形成された電極１２０の表面（一方の面（上面）１２０ａおよび側面１２０ｂ）に、上記の塗料を塗工して塗工膜を形成する。
【0086】
「加熱工程」
加熱工程では、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、塗工工程で電極１２０の表面に形成した塗工膜を加熱し、セラミック膜１３０を得る。
加熱工程では、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、塗工工程で電極１２０の表面に形成した塗工膜を加熱し、セラミック膜１３０を得る。
【0087】
また、本実施形態の静電チャック装置の製造方法では、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様に、セラミック膜１３０の表面（電極と接していない面）１３０ａを研磨する研磨工程を有していてもよい。
【0088】
第１の変形例の静電チャック装置の製造方法によれば、耐電圧が高く、かつ機械的強度が高いセラミック膜を備えた静電チャック装置を提供することができる。
【0089】
［第２の変形例］
図４に示す第２の変形例に係る静電チャック装置３００は、基台１１０と、電極１２０と、セラミック膜１３０と、接着層３１０と、セラミック焼結体３２０と、を備える。セラミック焼結体３２０は、接着層３１０を介して、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａに積層（接着）されている。電極１２０は、セラミック焼結体３２０の一方の面（上面）３２０ａに形成されている。セラミック膜１３０は、セラミック焼結体３２０の一方の面３２０ａ上において、電極１２０を覆うように形成されている。
図４に示す第２の変形例に係る静電チャック装置３００は、基台１１０と、電極１２０と、セラミック膜１３０と、接着層３１０と、セラミック焼結体３２０と、を備える。セラミック焼結体３２０は、接着層３１０を介して、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａに積層（接着）されている。電極１２０は、セラミック焼結体３２０の一方の面（上面）３２０ａに形成されている。セラミック膜１３０は、セラミック焼結体３２０の一方の面３２０ａ上において、電極１２０を覆うように形成されている。
【0090】
接着層３１０は、上記の接着層２１０と同様の構成を有する。
【0091】
＜セラミック焼結体＞
セラミック焼結体３２０を構成する材料としては、特に限定されず、例えば、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化スズ、酸化インジウム、石英ガラス、ソーダガラス、鉛ガラス、硼珪酸ガラス、窒化ジルコニウム、酸化チタン等が挙げられる。これらの材料は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
セラミック焼結体３２０を構成する材料としては、特に限定されず、例えば、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化スズ、酸化インジウム、石英ガラス、ソーダガラス、鉛ガラス、硼珪酸ガラス、窒化ジルコニウム、酸化チタン等が挙げられる。これらの材料は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0092】
これらの材料は、平均一次粒子径が１μｍ以上２５μｍ以下の粉体であることが好ましい。このような粉体を用いることにより、セラミック焼結体３２０の空隙を減少させ、セラミック焼結体３２０の耐電圧を向上させることができる。
【0093】
セラミック焼結体３２０の厚さは、特に限定されない。セラミック焼結体３２０の厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上１００μｍ以下であることがより好ましい。セラミック焼結体３２０の厚さが前記下限値以上であると、絶縁性を確保することができる。セラミック焼結体３２０の厚さが前記上限値以下であると、電極１２０による十分な吸着力が発生する。
【0094】
第２の変形例の静電チャック装置３００によれば、耐電圧が高く、かつ機械的強度が高いセラミック膜を備えた静電チャック装置を提供することができる。
【0095】
［第２の変形例の静電チャック装置の製造方法］
第２の変形例の静電チャック装置の製造方法は、基台等の一方の面（上面）に、接着層を介してセラミック焼結体を積層する工程（以下、「セラミック焼結体積層工程」と言う。）と、セラミック焼結体の一方の面（上面）に電極を形成する工程（電極形成工程）と、電極の表面に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を塗工して塗工膜を形成する工程（塗工工程）と、塗工膜を加熱する工程（加熱工程）と、を有する。
以下、図４を参照して、第２の変形例の静電チャック装置の製造方法を説明する。
第２の変形例の静電チャック装置の製造方法は、基台等の一方の面（上面）に、接着層を介してセラミック焼結体を積層する工程（以下、「セラミック焼結体積層工程」と言う。）と、セラミック焼結体の一方の面（上面）に電極を形成する工程（電極形成工程）と、電極の表面に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を塗工して塗工膜を形成する工程（塗工工程）と、塗工膜を加熱する工程（加熱工程）と、を有する。
以下、図４を参照して、第２の変形例の静電チャック装置の製造方法を説明する。
【0096】
「塗料調製工程」
本実施形態の静電チャック装置の製造方法は、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を調製する塗料調製工程を有していてもよい。
塗料としては、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様のものが用いられる。
本実施形態の静電チャック装置の製造方法は、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を調製する塗料調製工程を有していてもよい。
塗料としては、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様のものが用いられる。
【0097】
「セラミック焼結体積層工程」
セラミック焼結体積層工程では、まず、第１の変形例と同様にして、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａに、上記の接着剤を塗工して接着層３１０を形成する。
セラミック焼結体積層工程では、まず、第１の変形例と同様にして、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａに、上記の接着剤を塗工して接着層３１０を形成する。
【0098】
次いで、接着層３１０を介して、第１の変形例と同様にして、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａにセラミック焼結体３２０を積層する。
【0099】
「電極形成工程」
電極形成工程では、基台１１０の一方の面１１０ａに積層したセラミック焼結体３２０の一方の面（上面）３２０ａに、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、金属の薄膜（金属薄膜）を形成する。その後、エッチングを行って、金属の薄膜を所定の形状にパターニングして、電極１２０を形成する。
電極形成工程では、基台１１０の一方の面１１０ａに積層したセラミック焼結体３２０の一方の面（上面）３２０ａに、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、金属の薄膜（金属薄膜）を形成する。その後、エッチングを行って、金属の薄膜を所定の形状にパターニングして、電極１２０を形成する。
【0100】
「塗工工程」
塗工工程では、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、セラミック焼結体３２０の一方の面３２０ａに形成された電極１２０の表面（一方の面（上面）１２０ａおよび側面１２０ｂ）に、上記の塗料を塗工して塗工膜を形成する。
塗工工程では、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、セラミック焼結体３２０の一方の面３２０ａに形成された電極１２０の表面（一方の面（上面）１２０ａおよび側面１２０ｂ）に、上記の塗料を塗工して塗工膜を形成する。
【0101】
「加熱工程」
加熱工程では、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、塗工工程で電極１２０の表面に形成した塗工膜を加熱し、セラミック膜１３０を得る。
加熱工程では、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、塗工工程で電極１２０の表面に形成した塗工膜を加熱し、セラミック膜１３０を得る。
【0102】
また、本実施形態の静電チャック装置の製造方法では、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様に、セラミック膜１３０の表面（電極と接していない面）１３０ａを研磨する研磨工程を有していてもよい。
【0103】
第２の変形例の静電チャック装置の製造方法によれば、耐電圧が高く、かつ機械的強度が高いセラミック膜を備えた静電チャック装置を提供することができる。
【0104】
［第３の変形例］
図５に示す第３の変形例に係る静電チャック装置４００は、基台１１０と、電極１２０と、セラミック膜１３０と、セラミック溶射体４１０と、を備える。電極１２０は、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａに形成されている。セラミック溶射体４１０は、基台１１０の一方の面１１０ａ上において、電極１２０を覆うように、すなわち、電極１２０の一方の面（上面）１２０ａおよび側面１２０ｂを覆うように形成されている。セラミック膜１３０は、セラミック溶射体４１０の一方の面（上面）４１０ａに形成されている。
図５に示す第３の変形例に係る静電チャック装置４００は、基台１１０と、電極１２０と、セラミック膜１３０と、セラミック溶射体４１０と、を備える。電極１２０は、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａに形成されている。セラミック溶射体４１０は、基台１１０の一方の面１１０ａ上において、電極１２０を覆うように、すなわち、電極１２０の一方の面（上面）１２０ａおよび側面１２０ｂを覆うように形成されている。セラミック膜１３０は、セラミック溶射体４１０の一方の面（上面）４１０ａに形成されている。
【0105】
＜セラミック溶射体＞
セラミック溶射体４１０を構成する材料としては、特に限定されず、例えば、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化スズ、酸化インジウム、石英ガラス、ソーダガラス、鉛ガラス、硼珪酸ガラス、窒化ジルコニウム、酸化チタン等が挙げられる。これらの材料は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
セラミック溶射体４１０を構成する材料としては、特に限定されず、例えば、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化スズ、酸化インジウム、石英ガラス、ソーダガラス、鉛ガラス、硼珪酸ガラス、窒化ジルコニウム、酸化チタン等が挙げられる。これらの材料は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0106】
これらの材料は、平均一次粒子径が１μｍ以上２５μｍ以下の粉体であることが好ましい。このような粉体を用いることにより、セラミック溶射体４１０の空隙を減少させ、セラミック溶射体４１０の耐電圧を向上させることができる。
【0107】
セラミック溶射体４１０の厚さは、特に限定されない。セラミック溶射体４１０の厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上１００μｍ以下であることがより好ましい。セラミック溶射体４１０の厚さが前記下限値以上であると、絶縁性を確保することができる。セラミック溶射体４１０の厚さが前記上限値以下であると、電極１２０による十分な吸着力が発生する。
【0108】
第３の変形例の静電チャック装置４００によれば、耐電圧が高く、かつ機械的強度が高いセラミック膜を備えた静電チャック装置を提供することができる。
【0109】
［第３の変形例の静電チャック装置の製造方法］
第３の変形例の静電チャック装置の製造方法は、基台の一方の面（上面）に、電極を形成する工程（電極形成工程）と、前記の電極の表面に、上記の材料を溶射してセラミック溶射体を形成する工程（以下、「セラミック溶射体形成工程」と言う。）と、セラミック溶射体の一方の面（上面）に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を塗工して塗工膜を形成する工程（塗工工程）と、塗工膜を加熱する工程（加熱工程）と、を有する。
以下、図５を参照して、第３の変形例の静電チャック装置の製造方法を説明する。
第３の変形例の静電チャック装置の製造方法は、基台の一方の面（上面）に、電極を形成する工程（電極形成工程）と、前記の電極の表面に、上記の材料を溶射してセラミック溶射体を形成する工程（以下、「セラミック溶射体形成工程」と言う。）と、セラミック溶射体の一方の面（上面）に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を塗工して塗工膜を形成する工程（塗工工程）と、塗工膜を加熱する工程（加熱工程）と、を有する。
以下、図５を参照して、第３の変形例の静電チャック装置の製造方法を説明する。
【0110】
「塗料調製工程」
本実施形態の静電チャック装置の製造方法は、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を調製する塗料調製工程を有していてもよい。
塗料としては、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様のものが用いられる。
本実施形態の静電チャック装置の製造方法は、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を調製する塗料調製工程を有していてもよい。
塗料としては、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様のものが用いられる。
【0111】
「電極形成工程」
電極形成工程では、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａに、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、金属の薄膜（金属薄膜）を形成する。その後、エッチングを行って、金属の薄膜を所定の形状にパターニングして、電極１２０を形成する。
電極形成工程では、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａに、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、金属の薄膜（金属薄膜）を形成する。その後、エッチングを行って、金属の薄膜を所定の形状にパターニングして、電極１２０を形成する。
【0112】
「セラミック溶射体形成工程」
セラミック溶射体形成工程では、電極を覆うように、上記の材料を溶射してセラミック溶射体を形成する。溶射によりセラミック溶射体を形成する方法としては、プラズマ溶射法等が用いられる。
セラミック溶射体形成工程では、電極を覆うように、上記の材料を溶射してセラミック溶射体を形成する。溶射によりセラミック溶射体を形成する方法としては、プラズマ溶射法等が用いられる。
【0113】
「塗工工程」
塗工工程では、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、セラミック溶射体４１０の一方の面（上面）４１０ａに、上記の塗料を塗工して塗工膜を形成する。
塗工工程では、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、セラミック溶射体４１０の一方の面（上面）４１０ａに、上記の塗料を塗工して塗工膜を形成する。
【0114】
「加熱工程」
加熱工程では、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、塗工工程でセラミック溶射体４１０の一方の面４１０ａに形成した塗工膜を加熱し、セラミック膜１３０を得る。
加熱工程では、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、塗工工程でセラミック溶射体４１０の一方の面４１０ａに形成した塗工膜を加熱し、セラミック膜１３０を得る。
【0115】
また、本実施形態の静電チャック装置の製造方法では、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様に、セラミック膜１３０の表面（電極と接していない面）１３０ａを研磨する研磨工程を有していてもよい。
【0116】
第３の変形例の静電チャック装置の製造方法によれば、耐電圧が高く、かつ機械的強度が高いセラミック膜を備えた静電チャック装置を提供することができる。
【0117】
［第４の変形例］
図６に示す第４の変形例に係る静電チャック装置５００は、基台１１０と、セラミック膜（以下、「第１のセラミック膜」と言う。）５１０と、電極１２０と、セラミック膜（以下、「第２のセラミック膜」と言う。）１３０と、を備える。第１のセラミック膜５１０は、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａに形成されている。電極１２０は、第１のセラミック膜５１０の一方の面（上面）５１０ａに形成されている。第２のセラミック膜１３０は、第１のセラミック膜５１０の一方の面５１０ａ上において、電極１２０を覆うように、すなわち、電極１２０の一方の面（上面）１２０ａおよび側面１２０ｂを覆うように形成されている。
図６に示す第４の変形例に係る静電チャック装置５００は、基台１１０と、セラミック膜（以下、「第１のセラミック膜」と言う。）５１０と、電極１２０と、セラミック膜（以下、「第２のセラミック膜」と言う。）１３０と、を備える。第１のセラミック膜５１０は、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａに形成されている。電極１２０は、第１のセラミック膜５１０の一方の面（上面）５１０ａに形成されている。第２のセラミック膜１３０は、第１のセラミック膜５１０の一方の面５１０ａ上において、電極１２０を覆うように、すなわち、電極１２０の一方の面（上面）１２０ａおよび側面１２０ｂを覆うように形成されている。
【0118】
＜第１のセラミック膜＞
第１のセラミック膜５１０を構成する材料は、上記のセラミック膜（第２のセラミック膜）１３０を構成する材料と同様のものである。
第１のセラミック膜５１０を構成する材料は、上記のセラミック膜（第２のセラミック膜）１３０を構成する材料と同様のものである。
【0119】
第１のセラミック膜５１０の厚さは、特に限定されない。第１のセラミック膜５１０の厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上１００μｍ以下であることがより好ましい。第１のセラミック膜５１０の厚さが前記下限値未満であると、セラミック膜の強度が弱く、十分な耐電圧を得ることができにくい。第１のセラミック膜５１０の厚さが前記上限値を超えると、膜厚が厚くなり熱伝導性が悪く、熱の応答性が低くなりやすい。
【0120】
第４の変形例の静電チャック装置５００によれば、耐電圧が高く、かつ機械的強度が高いセラミック膜を備えた静電チャック装置を提供することができる。
【0121】
［第４の変形例の静電チャック装置の製造方法］
第４の変形例の静電チャック装置の製造方法は、基台の一方の面（上面）に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を塗工して第１の塗工膜を形成する工程（以下、「第１の塗工工程」と言う。）と、第１の塗工膜を加熱して、第１のセラミック膜を形成する工程（以下、「第１の加熱工程」と言う。）と、第１のセラミック膜の一方の面（上面）に電極を形成する工程（電極形成工程）と、電極の表面に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を塗工して第２の塗工膜を形成する工程（以下、「第２の塗工工程」と言う。）と、第２の塗工膜を加熱して、第２のセラミック膜を形成する工程（以下、「第２の加熱工程」と言う。）と、を有する。
以下、図６を参照して、第４の変形例の静電チャック装置の製造方法を説明する。
第４の変形例の静電チャック装置の製造方法は、基台の一方の面（上面）に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を塗工して第１の塗工膜を形成する工程（以下、「第１の塗工工程」と言う。）と、第１の塗工膜を加熱して、第１のセラミック膜を形成する工程（以下、「第１の加熱工程」と言う。）と、第１のセラミック膜の一方の面（上面）に電極を形成する工程（電極形成工程）と、電極の表面に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を塗工して第２の塗工膜を形成する工程（以下、「第２の塗工工程」と言う。）と、第２の塗工膜を加熱して、第２のセラミック膜を形成する工程（以下、「第２の加熱工程」と言う。）と、を有する。
以下、図６を参照して、第４の変形例の静電チャック装置の製造方法を説明する。
【0122】
「塗料調製工程」
本実施形態の静電チャック装置の製造方法は、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を調製する塗料調製工程を有していてもよい。
塗料としては、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様のものが用いられる。
本実施形態の静電チャック装置の製造方法は、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様に、セラミック粒子および金属レジネートを含有する塗料を調製する塗料調製工程を有していてもよい。
塗料としては、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様のものが用いられる。
【0123】
「第１の塗工工程」
第１の塗工工程では、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａに、上記の塗料を塗工して第１の塗工膜を形成する。
第１の塗工工程では、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、基台１１０の一方の面（上面）１１０ａに、上記の塗料を塗工して第１の塗工膜を形成する。
【0124】
「第１の加熱工程」
第１の加熱工程では、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、第１の塗工工程で基台１１０の一方の面１１０ａに形成した第１の塗工膜を加熱する。これにより、基台１１０の一方の面１１０ａに第１のセラミック膜５１０を形成する。
第１の加熱工程では、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、第１の塗工工程で基台１１０の一方の面１１０ａに形成した第１の塗工膜を加熱する。これにより、基台１１０の一方の面１１０ａに第１のセラミック膜５１０を形成する。
【0125】
「電極形成工程」
電極形成工程では、第１のセラミック膜５１０の一方の面（上面）５１０ａに、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、金属の薄膜（金属薄膜）を形成する。その後、エッチングを行って、金属の薄膜を所定の形状にパターニングして、電極１２０を形成する。
電極形成工程では、第１のセラミック膜５１０の一方の面（上面）５１０ａに、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、金属の薄膜（金属薄膜）を形成する。その後、エッチングを行って、金属の薄膜を所定の形状にパターニングして、電極１２０を形成する。
【0126】
「第２の塗工工程」
第２の塗工工程では、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、第１のセラミック膜５１０の一方の面５１０ａに形成された電極１２０の表面（一方の面（上面）１２０ａおよび側面１２０ｂ）に、上記の塗料を塗工して第２の塗工膜を形成する。
第２の塗工工程では、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、第１のセラミック膜５１０の一方の面５１０ａに形成された電極１２０の表面（一方の面（上面）１２０ａおよび側面１２０ｂ）に、上記の塗料を塗工して第２の塗工膜を形成する。
【0127】
「第２の加熱工程」
第２の加熱工程では、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、第２の塗工工程で電極１２０の表面に形成した塗第２の工膜を加熱する。これにより、第１のセラミック膜５１０一方の面５１０ａに第２のセラミック膜１３０を形成する。
第２の加熱工程では、上述の実施形態の静電チャック装置の製造方法と同様にして、第２の塗工工程で電極１２０の表面に形成した塗第２の工膜を加熱する。これにより、第１のセラミック膜５１０一方の面５１０ａに第２のセラミック膜１３０を形成する。
【0128】
また、本実施形態の静電チャック装置の製造方法では、上述の実施形態のセラミック膜の製造方法と同様に、第２のセラミック膜１３０の表面（電極と接していない面）１３０ａを研磨する研磨工程を有していてもよい。
【0129】
第４の変形例の静電チャック装置の製造方法によれば、耐電圧が高く、かつ機械的強度が高いセラミック膜を備えた静電チャック装置を提供することができる。
【0130】
以上、この発明の実施の形態を図面により詳述してきたが、実施の形態はこの発明の例示にしか過ぎないものである。よって、この発明は実施の形態の構成にのみ限定されるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれることは勿論である。また、例えば、各実施の形態に複数の構成が含まれている場合には、特に記載がなくとも、これらの構成の可能な組合せが含まれることは勿論である。また、実施の形態に複数の実施例や変形例がこの発明のものとして開示されている場合には、特に記載がなくとも、これらに跨がった構成の組合せのうちの可能なものが含まれることは勿論である。また、図面に描かれている構成については、特に記載がなくとも、含まれることは勿論である。さらに、「等」の用語がある場合には、同等のものを含むという意味で用いられている。
【実施例0131】
以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【0132】
［実施例１］
「セラミック膜形成用の塗料の調製」
平均一次粒子径が０．３μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）６質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を４質量部添加して、自転公転式攪拌機（写真化学社製、商品名：カクハンター）で混合し、セラミック膜形成用の塗料を得た。
「セラミック膜形成用の塗料の調製」
平均一次粒子径が０．３μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）６質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を４質量部添加して、自転公転式攪拌機（写真化学社製、商品名：カクハンター）で混合し、セラミック膜形成用の塗料を得た。
【0133】
「静電チャック装置の作製」
図４に示す第２の変形例と同様の構成を有する静電チャック装置を作製した。
厚さ５０μｍのセラミック焼結体の一方の面にメッキを施し、厚さ９μｍの銅箔を形成した。その銅箔表面にフォトレジストを塗布した後、パターン露光後に現像処理を行い、エッチングにより不要な銅箔を除去した。
その後、セラミック焼結体上の銅箔を洗浄することにより、フォトレジストを除去し、電極を形成し、セラミック焼結体と銅箔から構成される積層体を得た。なお、この電極は、幅５ｍｍの導電性部分と幅５ｍｍの絶縁性部分とが交互に配置された櫛形形状を２つ有する、櫛形形状電極である。
上記の積層体における電極が形成された面とは反対側の面に、接着層（厚さ２０μｍ）として乾燥および加熱により半硬化させた絶縁性接着剤シートを積層した。絶縁性接着剤シートとしては、ビスマレイミド樹脂２７質量部、ジアミノシロキサン３質量部、レゾールフェノール樹脂２０質量部、ビフェニルエポキシ樹脂１０質量部、およびエチルアクリレート－ブチルアクリレート－アクリロニトリル共重合体２４０質量部を、適量のテトラヒドロフランに混合溶解したものをシート状に成形したものを用いた。
その後、絶縁性接着剤シートをアルミニウムからなる基台の一方の面に貼着し、熱処理により接着させた。
次に、セラミック膜形成用の塗料を電極が露出している全面に塗工し、大気中で乾燥して溶媒を除去した。その後、バーナーで塗料表面をあぶり、塗膜の色が黒くなった（有機分の酸化）後に白くなるまで（有機分の除去および金属の酸化）あぶり続けることで熱処理を行い、厚さ５０μｍのセラミック膜を形成し、実施例１の静電チャック装置を得た。
図４に示す第２の変形例と同様の構成を有する静電チャック装置を作製した。
厚さ５０μｍのセラミック焼結体の一方の面にメッキを施し、厚さ９μｍの銅箔を形成した。その銅箔表面にフォトレジストを塗布した後、パターン露光後に現像処理を行い、エッチングにより不要な銅箔を除去した。
その後、セラミック焼結体上の銅箔を洗浄することにより、フォトレジストを除去し、電極を形成し、セラミック焼結体と銅箔から構成される積層体を得た。なお、この電極は、幅５ｍｍの導電性部分と幅５ｍｍの絶縁性部分とが交互に配置された櫛形形状を２つ有する、櫛形形状電極である。
上記の積層体における電極が形成された面とは反対側の面に、接着層（厚さ２０μｍ）として乾燥および加熱により半硬化させた絶縁性接着剤シートを積層した。絶縁性接着剤シートとしては、ビスマレイミド樹脂２７質量部、ジアミノシロキサン３質量部、レゾールフェノール樹脂２０質量部、ビフェニルエポキシ樹脂１０質量部、およびエチルアクリレート－ブチルアクリレート－アクリロニトリル共重合体２４０質量部を、適量のテトラヒドロフランに混合溶解したものをシート状に成形したものを用いた。
その後、絶縁性接着剤シートをアルミニウムからなる基台の一方の面に貼着し、熱処理により接着させた。
次に、セラミック膜形成用の塗料を電極が露出している全面に塗工し、大気中で乾燥して溶媒を除去した。その後、バーナーで塗料表面をあぶり、塗膜の色が黒くなった（有機分の酸化）後に白くなるまで（有機分の除去および金属の酸化）あぶり続けることで熱処理を行い、厚さ５０μｍのセラミック膜を形成し、実施例１の静電チャック装置を得た。
【0134】
［実施例２］
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が０．３μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）４質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を６質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例２の静電チャック装置を作製した。
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が０．３μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）４質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を６質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例２の静電チャック装置を作製した。
【0135】
［実施例３］
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が０．３μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）２質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を８質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例３の静電チャック装置を作製した。
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が０．３μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）２質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を８質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例３の静電チャック装置を作製した。
【0136】
［実施例４］
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が０．３μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）８質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を２質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例４の静電チャック装置を作製した。
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が０．３μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）８質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を２質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例４の静電チャック装置を作製した。
【0137】
［実施例５］
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が０．１μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）６質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を４質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例５の静電チャック装置を作製した。
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が０．１μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）６質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を４質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例５の静電チャック装置を作製した。
【0138】
［実施例６］
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が５０μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）６質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を４質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例６の静電チャック装置を作製した。
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が５０μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）６質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を４質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例６の静電チャック装置を作製した。
【0139】
［比較例１］
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が０．３μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）６質量部の代わりに、平均一次粒子径が０．０５μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）６質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、比較例１の静電チャック装置を作製した。
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が０．３μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）６質量部の代わりに、平均一次粒子径が０．０５μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）６質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、比較例１の静電チャック装置を作製した。
【0140】
［比較例２］
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が０．３μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）６質量部の代わりに、平均一次粒子径が１００μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）６質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、比較例２の静電チャック装置を作製した。
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が０．３μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）６質量部の代わりに、平均一次粒子径が１００μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）６質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、比較例２の静電チャック装置を作製した。
【0141】
［比較例３］
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が０．３μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）１質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を９質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして静電チャック装置を作製しようとした。しかしながら、電極が露出している全面上にセラミック膜が点在して形成され、セラミック膜の層として形成することができなかった。
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が０．３μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）１質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を９質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして静電チャック装置を作製しようとした。しかしながら、電極が露出している全面上にセラミック膜が点在して形成され、セラミック膜の層として形成することができなかった。
【0142】
［比較例４］
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が０．３μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）９質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を１質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして静電チャック装置を作製した。しかしながら、作製された静電チャック装置のセラミック膜は、アルミナ粒子間の結着が弱く、手で擦ると剥がれるという問題を有していた。
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が０．３μｍの球形アルミナ粒子（デンカ社製、Ａｌ２Ｏ３）９質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を１質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして静電チャック装置を作製した。しかしながら、作製された静電チャック装置のセラミック膜は、アルミナ粒子間の結着が弱く、手で擦ると剥がれるという問題を有していた。
【0143】
［実施例７］
セラミック膜形成用の塗料として、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を４質量部の代わりに、ステアリン酸マグネシウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を４質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例７の静電チャック装置を作製した。
セラミック膜形成用の塗料として、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を４質量部の代わりに、ステアリン酸マグネシウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を４質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例７の静電チャック装置を作製した。
【0144】
［実施例８］
セラミック膜形成用の塗料として、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を４質量部の代わりに、ステアリン酸ニッケルのトルエン溶液（固形分１０質量％）を４質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例８の静電チャック装置を作製した。
セラミック膜形成用の塗料として、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を４質量部の代わりに、ステアリン酸ニッケルのトルエン溶液（固形分１０質量％）を４質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例８の静電チャック装置を作製した。
【0145】
［実施例９］
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が０．３μｍの球形マグネシア粒子（デンカ社製、ＭｇＯ）６質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を４質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例９の静電チャック装置を作製した。
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が０．３μｍの球形マグネシア粒子（デンカ社製、ＭｇＯ）６質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を４質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例９の静電チャック装置を作製した。
【0146】
［実施例１０］
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が０．３μｍの球形マグネシア粒子（デンカ社製、ＭｇＯ）４質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を６質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例１０の静電チャック装置を作製した。
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が０．３μｍの球形マグネシア粒子（デンカ社製、ＭｇＯ）４質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を６質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例１０の静電チャック装置を作製した。
【0147】
［比較例５］
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が１００μｍの球形マグネシア粒子（デンカ社製、ＭｇＯ）６質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を４質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、比較例５の静電チャック装置を作製した。
セラミック膜形成用の塗料として、平均一次粒子径が１００μｍの球形マグネシア粒子（デンカ社製、ＭｇＯ）６質量部に、ラウリン酸イットリウムのトルエン溶液（固形分１０質量％）を４質量部添加したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、比較例５の静電チャック装置を作製した。
【0148】
［セラミック膜の確認］
実施例１～実施例１０における各静電チャック装置の表面に形成されたセラミック膜を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で撮像し、各粒子の状態を確認した。その結果、実施例１～実施例１０における各静電チャック装置の表面に形成されたセラミック膜は、セラミック粒子間の少なくとも一部が金属酸化物を介して結着していることが確認された。
実施例１におけるセラミック膜の走査型電子顕微鏡像を図７および図８に示した。図７および図８に示したように、セラミック粒子間の少なくとも一部が金属酸化物を介して結着している。
実施例１～実施例１０における各静電チャック装置の表面に形成されたセラミック膜を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で撮像し、各粒子の状態を確認した。その結果、実施例１～実施例１０における各静電チャック装置の表面に形成されたセラミック膜は、セラミック粒子間の少なくとも一部が金属酸化物を介して結着していることが確認された。
実施例１におけるセラミック膜の走査型電子顕微鏡像を図７および図８に示した。図７および図８に示したように、セラミック粒子間の少なくとも一部が金属酸化物を介して結着している。
【0149】
［評価］
実施例１～実施例１０および比較例１～比較例５にて得られた静電チャック装置を用いて、耐電圧性の試験を行った。結果を表１～表３に示す。
実施例１～実施例１０および比較例１～比較例５にて得られた静電チャック装置を用いて、耐電圧性の試験を行った。結果を表１～表３に示す。
【0150】
「耐電圧性」
静電チャック装置の吸着面（セラミック膜面）に銅箔を載置し、この銅箔と基台をアースした。
次に、櫛形形状電極の両端に設けられた端子間に電圧を印加し、次いで、印加する電圧差（端子間の電圧差）を徐々に上げていき、絶縁破壊を起こした時点での印加電圧差を記録した。
絶縁破壊時の印加電圧差から、下記の電気特性の判定基準により耐電圧性を評価した。
印加電圧差が２０ｋＶ以上である場合「○」、印加電圧差が１０ｋＶ以上２０ｋＶ未満である場合「△」、印加電圧差が１０ｋＶ未満である場合「×」と評価した。
静電チャック装置の吸着面（セラミック膜面）に銅箔を載置し、この銅箔と基台をアースした。
次に、櫛形形状電極の両端に設けられた端子間に電圧を印加し、次いで、印加する電圧差（端子間の電圧差）を徐々に上げていき、絶縁破壊を起こした時点での印加電圧差を記録した。
絶縁破壊時の印加電圧差から、下記の電気特性の判定基準により耐電圧性を評価した。
印加電圧差が２０ｋＶ以上である場合「○」、印加電圧差が１０ｋＶ以上２０ｋＶ未満である場合「△」、印加電圧差が１０ｋＶ未満である場合「×」と評価した。
【0151】
【表1】
【0152】
【表2】
【0153】
【表3】
【0154】
表１～表３に示すように、実施例１～実施例１０の静電チャック装置は、十分な耐電圧性を有していた。
一方、比較例１～比較例５は、十分な耐電圧性を有していなかった。
一方、比較例１～比較例５は、十分な耐電圧性を有していなかった。
【産業上の利用可能性】
【0155】
本発明のセラミック膜によれば、セラミック粒子と、金属酸化物と、を含有し、前記セラミック粒子間の少なくとも一部が前記金属酸化物を介して結着しているため、従来の溶射によるセラミック膜に比べて、低温での膜化が可能であるとともに、使用するセラミック粒子に任意の粒子径を選択することができるために、ち密なセラミック膜を作成することができ、耐電圧が高く、かつ機械的強度が高い膜をえることができる。
【符号の説明】
【0156】
１０ セラミック膜
１１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ，１１Ｅ セラミック粒子
１２，１２Ａ，１２Ｂ 金属酸化物
２０ 被塗布物
１００，２００，３００，４００，５００ 静電チャック装置
１１０ 基台
１２０ 電極
１３０ セラミック膜（第２のセラミック膜）
２１０，３１０ 接着層
２２０ 絶縁性有機フィルム
３２０ セラミック焼結体
４１０ セラミック溶射体
５１０ セラミック膜（第１のセラミック膜）
１１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ，１１Ｅ セラミック粒子
１２，１２Ａ，１２Ｂ 金属酸化物
２０ 被塗布物
１００，２００，３００，４００，５００ 静電チャック装置
１１０ 基台
１２０ 電極
１３０ セラミック膜（第２のセラミック膜）
２１０，３１０ 接着層
２２０ 絶縁性有機フィルム
３２０ セラミック焼結体
４１０ セラミック溶射体
５１０ セラミック膜（第１のセラミック膜）
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
