特開 2022-142564 半導体パッケージ及び半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022142564

(43)【公開日】2022-09-30

(54)【発明の名称】半導体パッケージ及び半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20220922BHJP

   H05K 3/34 20060101ALN20220922BHJP

【ＦＩ】

H01L23/12 501W

H01L23/12 501B

H01L23/12 N

H05K3/34 501E

H05K3/34 512C

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021042776

(22)【出願日】2021-03-16

(71)【出願人】

【識別番号】318010018

【氏名又は名称】キオクシア株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002907

【氏名又は名称】特許業務法人イトーシン国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】沖嶋 拓也

(72)【発明者】

【氏名】赤間 圭一

【テーマコード（参考）】

5E319

【Ｆターム（参考）】

5E319AA03

5E319AA08

5E319AC02

5E319AC16

5E319BB04

5E319BB08

5E319CC22

5E319GG11

5E319GG20

(57)【要約】

【課題】動作の信頼性を向上させ、かつ、長寿命化を図ることができる、半導体パッケージ及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体パッケージは、ボンディングパッド１４が形成された第１面１２ａと、第１面１２ａに対して反対側にある第２面１２ｂと、第１面１２ａと第２面１２ｂとの間に形成された配線層１２０と、配線層１２０から第１面１２ａまでを貫通する金属プラグ１２２ａと、配線層１２０から第２面１２ｂまでを貫通する金属プラグ１２２ｂとを有する配線基板１２を有する。また、配線基板１２の第１面１２ａの上方に設けられ、ボンディングパッド１４と電気的に接続されたパッド１０１を有する半導体チップ１０と、配線基板１２の第２面１２ｂの下方に設けられた半田ボール３ａ、３ｂとも含む。ボンディングパッド１４は、半田ボール３ａと半田ボール３ｂとに電気的に接続される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ボンディングパッドが形成された第１面と、前記第１面に対して反対側にある第２面と、前記第１面と前記第２面との間に形成された配線層と、前記配線層から前記第１面までを貫通する第１導電性プラグと、前記配線層から前記第２面までを貫通する第２導電性プラグとを有する配線基板と、
前記配線基板の前記第１面の上方に設けられ、前記ボンディングパッドと電気的に接続されたパッドを有する半導体チップと、
前記配線基板の前記第２面の下方に設けられた第１及び第２半田ボールと
を含み、
前記ボンディングパッドは、前記第１半田ボールと前記第２半田ボールとに電気的に接続されていることを特徴とする半導体パッケージ。

【請求項2】

前記第１半田ボールは前記第２半田ボールよりも熱疲労に対する耐性が高く、前記第２半田ボールは前記第１半田ボールよりも落下衝撃に対する耐性が高い、請求項１に記載の半導体パッケージ。

【請求項3】

前記配線基板は、前記配線層から前記第２面までを貫通する第３導電性プラグをさらに有し、
前記第２及び第３導電性プラグは、前記配線層と電気的に接続され、
前記第２導電性プラグは、前記第１半田ボールと電気的に接続され、
前記第３導電性プラグは、前記第２半田ボールと電気的に接続される、請求項１又は請求項２に記載の半導体パッケージ。

【請求項4】

前記第１半田ボールと前記第２半田ボールの材料組成は等しく、前記第２面から前記第１面に向かう第１方向において、前記第１半田ボールの高さは前記第２半田ボールの高さよりも大きい、請求項３に記載の半導体パッケージ。

【請求項5】

前記第３導電性プラグと前記第２半田ボールとの間に設けられた第４導電性プラグをさらに有し、
前記第１方向における前記第４導電性プラグの高さと前記第２半田ボールの高さの和は、前記第１半田ボールの高さに等しい、請求項４に記載の半導体パッケージ。

【請求項6】

前記第１半田ボールと前記第２半田ボールの材料組成が異なる、請求項１～３のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。

【請求項7】

前記第１及び第２半田ボールは銀を含む合金で構成され、前記第２半田ボールは前記第１半田ボールよりも銀の含有比率が低い、請求項６に記載の半導体パッケージ。

【請求項8】

前記第１及び第２半田ボールは銅を含む合金で構成され、前記第１半田ボールは前記第２半田ボールよりも銅の含有比率が高い、請求項６に記載の半導体パッケージ。

【請求項9】

前記第１半田ボールは、ビスマスを含む合金で構成される、請求項６に記載の半導体パッケージ。

【請求項10】

請求項６～９のいずれか１つに記載の半導体パッケージと、
複数の端子が設けられたプリント配線板と、を備え、
前記複数の端子のうちの一つに前記第１及び第２半田ボールが電気的に接続される、半導体装置。

【請求項11】

請求項６～９のいずれか１つに記載の半導体パッケージと、
第１及び第２端子が設けられたプリント配線板と、を備え、
前記第１端子に前記第１半田ボールが電気的に接続され、前記第２端子に前記第２半田ボールが電気的に接続される、半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本実施形態は、半導体パッケージ及び半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

内部に半導体チップを搭載した半導体パッケージを、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）によってプリント配線板と電気的に接続した半導体装置が知られている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００７-２４２７８３号公報

【特許文献2】米国特許第８８９６１３３号明細書

【特許文献3】米国特許第８０１２７９７号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本実施形態は、動作の信頼性を向上させ、かつ、長寿命化を図ることができる、半導体パッケージ及び半導体装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本実施形態の半導体パッケージは、ボンディングパッドが形成された第１面と、前記第１面に対して反対側にある第２面と、前記第１面と前記第２面との間に形成された配線層と、前記配線層から前記第１面までを貫通する第１導電性プラグと、前記配線層から前記第２面までを貫通する第２導電性プラグとを有する配線基板を有する。また、前記配線基板の前記第１面の上方に設けられ、前記ボンディングパッドと電気的に接続されたパッドを有する半導体チップも有する。更に、前記配線基板の前記第２面の下方に設けられた第１及び第２半田ボールも有する。前記ボンディングパッドは、前記第１半田ボールと前記第２半田ボールとに電気的に接続されている。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の構造を示す断面図。

【図2A】図１に示す半導体パッケージの上面図。

【図2B】図１に示す半導体パッケージの下面図。

【図3】本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の構造を示す断面図。

【図4】図３に示す半導体パッケージの下面図。

【図5】本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の構造を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、図面を参照して実施形態を説明する。
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置１００の構造を示す断面図である。また、図２Ａは、図１に示す半導体パッケージの上面図である。さらに、図２Ｂは、図１に示す半導体パッケージの下面図である。以下の説明では、直交座標系の一例であるｘｙｚ座標系を用いる。すなわち、半導体装置１００を構成する配線基板１２の表面と平行な平面をｘｙ平面とし、ｘｙ平面と直交する方向をｚ軸とする。また、ｘ軸とｙ軸は、ｘｙ平面内における直交する２方向とする。なお、以下においては、説明の便宜上、ｚ軸正方向側（配線基板１２の第１面１２ａ側）を上側、ｚ軸負方向側（配線基板１２の第２面１２ｂ側）を下側とする上下関係を用いて説明するが、普遍的な上下関係を表すものではない。

【0008】

図１には、半導体装置１００をｘｚ平面に沿って切断した断面（以下、ｘｚ断面と示す）の構造を示す。図１に示す半導体装置１００は、半導体パッケージ１と、プリント配線板２とを備えている。半導体パッケージ１は、外部端子３と、半導体チップ１０と、フィルム状接着剤１１と、配線基板１２と、封止樹脂１３と、ボンディングパッド１４と、導電性部材１５と、凸状部材１２１とを備えている。

【0009】

配線基板１２は、配線層１２０と、金属プラグ１２２ａと、金属プラグ１２２ｂとを備えている。配線基板１２は、例えば表面や内部に多層の配線層１２０が設けられた絶縁樹脂配線基板やセラミックス配線基板などである。具体的には、例えば、ガラス―エポキシ樹脂を使用したプリント配線基板等が用いられる。なお、図１には、配線層１２０の一部を示している。一般的に、配線基板１２の表面は、配線の保護としてソルダーレジストで覆われている。配線基板１２は、第１面１２ａと第２面１２ｂとを備える。

【0010】

配線基板１２の第１面１２ａ上には、ボンディングパッド１４が形成されている。配線基板１２の第１面１２ａ側に塗布されているソルダーレジストに、第１面１２ａから配線層１２０までを貫通するビアが設けられている。ビアの内部には導電性金属が充填されており、第１導電性プラグとしての金属プラグ１２２ａが形成されている。この金属プラグ１２２ａを介して、ボンディングパット１４と配線層１２０とが電気的に接続されている。

【0011】

配線基板１２の第１面１２ａには、半導体チップ１０が設けられる。半導体チップ１０は、例えばＮＡＮＤフラッシュメモリのような半導体チップがあげられるが、これに限定されない。例えば、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などの記憶素子や、マイクロプロセッサなどの演算素子、あるいは信号処理素子など、任意の半導体チップを用いることができる。半導体チップ１０は、裏面の全体にフィルム状接着剤１１が貼り付けられている。

【0012】

フィルム状接着剤１１は、熱硬化樹脂（例えばエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、または、これらを混合した樹脂）を用いた接着剤である。フィルム状接着剤１１は、例えば、ＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）や、導電性ワイヤの埋め込みが可能なＦＯＷ（Ｆｉｌｍ Ｏｎ Ｗｉｒｅ）などが用いられる。半導体チップ１０は、フィルム状接着剤１１を介して配線基板１２と固着されている。図２Ａに示すように、半導体チップ１０の表面にはパッド１０１が形成されている。パッド１０１とボンディングパッド１４とは、導電性ワイヤなどの導電性部材１５を用いて電気的に接続される。パッド１０１とボンディングパッド１４とは、一対一で接続される。例えば、パッド１０１ａはボンディングパッド１４ａと接続され、パッド１０１ｂはボンディングパッド１４ｂと接続され、パッド１０１ｃはボンディングパッド１４ｃと接続される。半導体チップ１０の外周は、配線基板１２の上面側に設けられた封止樹脂１３によって封止されている。

【0013】

配線基板１２の第２面１２ｂには、ＢＧＡパッケージ用の外部端子３が設けられている。外部端子３は、半田ボール等の突起状端子である。以下の説明では、外部端子３を半田ボール３と称する。半田ボール３は、配線基板１２の配線層１２０に電気的に接続されている。具体的には、配線基板１２の第２面１２ｂを覆っているソルダーレジストに、第２面１２ｂから配線層１２０までを貫通するビアが設けられている。ビアの内部には導電性金属が充填されており、第２導電性プラグとしての金属プラグ１２２ｂが形成されている。この金属プラグ１２２ｂを介して、半田ボール３と配線層１２０とが電気的に接続されている。金属プラグ１２２ｂは、ランド１２２ｂとも称され得る。第１実施形態の半導体装置１００は、２種類の半田ボール３ａ、３ｂが用いられる。第１実施形態の説明において、半田ボール３の表記は、半田ボール３ａと半田ボール３ｂの両方を示すものとする。半田ボール３ａ、３ｂについては、後に詳述する。

【0014】

プリント配線板２は、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁材料からなる実装基板２３の上面に、回路パターンが設けられた配線層２４が形成されている。配線層２４は、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）などの導電性金属を用いて形成される。配線層２４の表面には、ソルダーレジストからなる回路保護層２０が形成されている。回路保護層２０には、配線層２４と半導体パッケージ１に設けられた半田ボール３とを電気的に接続するために、回路保護層２０を貫通するビアが設けられており、ビアの内部には導電性金属を用いた実装基板端子２１が形成されている。実装基板端子２１の上面側には、半田ボール３と実装基板端子２１とを接続するために、半田ペースト２２が塗布（プリント）されている。

【0015】

次に、半田ボール３ａ、３ｂについて説明する。半田ボール３ｂと半田ボール３ａとは、ｚ方向の長さを除き同様の構成を有する。以降の説明では、半田ボール３のｚ方向の長さを、高さと称する場合もある。すなわち、半田ボール３ｂを構成する材料の組成は、半田ボール３ａを構成する材料の組成と等しい。例えば、半田ボール３ａ、３ｂは、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系（ＳＡＣ系）の合金で構成される。合金成分は、例えば、ＪＥＩＤＡ（Ｊａｐａｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）の推奨成分であるＳｎ－３．０Ａｇ－０．５Ｃｕ（ｗｔ％）である。

【0016】

ただし、半田ボール３ｂのｚ方向の長さは、半田ボール３ａのｚ方向の長さよりも短く形成されている。半田ボール３ｂは、凸状部材１２１を介して、配線基板１２の金属プラグ１２２ｂに接続されている。凸状部材１２１は、例えば円柱形状を有する。凸状部材１２１は、基台部材１２３と、金属プラグ１２４とから構成される。基台部材１２３は、円柱状の絶縁樹脂にｚ方向に貫通する貫通孔が形成されたドーナツ状の部材である。金属プラグ１２４は、基台部材１２３の内部に充填された導電性金属である。すなわち、半田ボール３ｂは、金属プラグ１２４を介して、配線基板１２の金属プラグ１２２ｂに接続されている。なお、凸状部材１２１のｚ方向の長さと半田ボール３ｂのｚ方向の長さとを足した値が、半田ボール３ａのｚ方向の長さと同じ程度になるように、凸状部材１２１のｚ方向の長さが設定されている。

【0017】

図２Ｂに示すように、配線基板１２の第２面１２ｂには、複数のプラググループＰＧが配置されている。プラググループＰＧは、１つ以上の金属プラグ１２２ｂと、１つ以上の金属プラグ１２４とから構成される。金属プラグ１２２ｂには半田ボール３ａが接続される。金属プラグ１２４には半田ボール３ｂが接続される。１つのプラググループＰＧは、１つのボンディングパッド１４と電気的に接続される。例えば、図２Ａに示すボンディングパッド１４ａは、図２Ｂに示すプラググループＰＧ１と電気的に接続される。すなわち、パッド１０１からボンディングパッド１４を介して出力される信号は、該ボンディングパッド１４と電気的に接続されるプラググループＰＧに含まれる複数の金属プラグ１２２ｂ及び１２４に伝達される。例えば、パッド１０１ａからボンディングパッド１４ａを介して出力される信号は、プラググループＰＧ１に含まれる金属プラグ１２２ｂ＿１１と、金属プラグ１２４＿１２に伝達される。すなわち、１つのパッド１０１は、１つ以上の半田ボール３ａと１つ以上の半田ボール３ｂと電気的に接続される。

【0018】

ＢＧＡを用いた半導体装置１００は、リードフレームを介して半導体パッケージ１とプリント配線板２とを接続するＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）に比べ、接続端子の高密度化や半導体装置１００自身の小型化に適している。故に、ＢＧＡを用いた半導体装置１００は、モバイルデジタル機器に積極的に用いられている。モバイルデジタル機器は、機器のオンオフによる熱サイクル疲労に対する耐性（以下、熱疲労に対する耐性と示す）が要求されるだけでなく、使用時の不注意による落下の危険性に対する耐性（以下、落下衝撃に対する耐性と示す）も要求される。

【0019】

一般的に、半田ボール３の高さが高いほど、半田ボール３自体のバネ効果が高くなり、ストレスを吸収するため、熱疲労に対する耐性は高い。一方で、半田ボール３の高さが高いほど、半田ボール３と金属プラグ１２２ｂとの接合部に応力が集中しやすいため、落下衝撃に対する耐性は低い。即ち、半田ボール３の高さが高いほど、熱疲労に対する耐性は高いが落下衝撃に対する耐性は低い。また、半田ボール３の高さが低いほど、落下衝撃に対する耐性は高いが熱疲労に対する耐性は低い。熱疲労に対する耐性は、例えば、温度サイクル試験によって測定され得る。落下衝撃に対する耐性は、例えば、衝撃試験によって測定され得る。

【0020】

第１実施形態の半導体装置１００は、高さが異なる２種類の半田ボール３ａ、３ｂを有する。そして、１つのボンディングパッド１４が、１つ以上の半田ボール３ａと、１つ以上の半田ボール３ｂに接続されている。すなわち、１つのボンディングパッド１４が、熱疲労に対する耐性が高い半田ボール３ａと、落下衝撃に対する耐性が高い半田ボール３ｂとに接続されている。このような構成により、熱疲労により半田ボール３ｂが破損した場合には半田ボール３ａを介してプリント配線板２と信号の送受信を行うことができ、落下衝撃により半田ボール３ａが破損した場合には半田ボール３ｂを介してプリント配線板２と信号を送受信することができる。故に、動作の信頼性が向上し、長寿命化を図ることができる。

【0021】

なお、凸状部材１２１の形状は柱状形状に限定されない。半田ボール３ｂと配線基板１２の金属プラグ１２２ｂとを安定的に接続可能な部材であれば、他の形状であってもよい。また、半田ボール３ａ、３ｂの材料組成は、上述の材料組成に限定されない。例えば、Ｓｎ－Ｃｕ系やＳｎ－Ａｇ系など、他の合金を用いてもよい。また、材料組成は、例えば、ＮＥＭＩ（Ｔｈｅ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｉｎｉｔｉａｔｉｖｅ）の推奨成分であるＳｎ－４．０Ａｇ－０．５Ｃｕ（ｗｔ％）など、上述以外の組成比でもよい。
（第２実施形態）
次に、第２実施形態にかかる半導体装置について説明する。第２実施形態の半導体装置は、半田ボール３の構成が、上述した第１実施形態の半導体装置と異なる。以下、第１実施形態と同一の構成要素については同じ符号を付して詳細な説明は省略する。

【0022】

図３は、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。また、図４は、図３に示す半導体パッケージの下面図である。第２実施形態の半導体装置は、２種類の半田ボール３ｃ、３ｄにより、半導体パッケージ１とプリント配線板２とが接続される。半田ボール３ｃと半田ボール３ｄとは、同じ大きさで形成されているが、材料組成が異なる。例えば、半田ボール３ｃ、３ｄは、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系（ＳＡＣ系）の合金で構成される。合金成分は、例えば、半田ボール３ｃは、Ｓｎ－３．０Ａｇ－０．８Ｃｕ－３Ｂｉ－０．０２Ｎｉ（ｗｔ％）である。一方、半田ボール３ｄは、Ｓｎ－１．２Ａｇ－０．５Ｃｕ－０．０５Ｎｉ（ｗｔ％）である。

【0023】

半田ボール３ｃは、熱疲労に対する耐性が高いという特徴を有する。半田ボール３ｃの合金成分は、第１実施形態に示す半田ボール３ａ、３ｂの合金成分（Ｓｎ－３．０Ａｇ－０．５Ｃｕ（ｗｔ％））に比べて、Ｂｉが添加されている点と、Ｃｕが増量されている点が異なっている。Ｂｉが添加されることにより、固溶が強化される。Ｃｕが増量されることにより、析出が強化される。すなわち、Ｂｉの固溶強化と、Ｃｕの析出強化により、半田ボールが硬質化され、変形が抑制される。従って、熱疲労に対する耐性が高まる。

【0024】

一方、半田ボール３ｄは、落下衝撃に対する耐性が高いという特徴を有する。半田ボール３ｄの合金成分は、第１実施形態に示す半田ボール３ａ、３ｂの合金成分（Ｓｎ－３．０Ａｇ－０．５Ｃｕ（ｗｔ％））に比べて、Ａｇが減量されている点が異なっている。Ａｇが減量されることにより、半田ボールが軟質化されるため、落下衝撃に対する耐性が高まる。なお、半田ボール３ｃ、３ｄの材料組成は一例であり、他の材料組成であってもよい。

【0025】

図４に示すように、配線基板１２の第２面１２ｂには、複数のプラググループＰＧが配置されている。プラググループＰＧは、複数の金属プラグ１２２ｂで構成される。１つのプラググループＰＧに属する１つ以上の金属プラグ１２２ｂには半田ボール３ｃが接続される。また、１つのプラググループＰＧに属する１つ以上の金属プラグ１２２ｂには半田ボール３ｄが接続される。例えば、金属プラグ１２２ｂ＿１１及び１２２ｂ＿１２は、プラググループＰＧ１に属する。金属プラグ１２２ｂ＿１１には半田ボール３ｃが接続され、金属プラグ１２２ｂ＿１２には半田ボール３ｄが接続される。すなわち、１つのプラググループＰＧには、１つ以上の半田ボール３ｃと、1つ以上の半田ボール３ｄとが接続される。

【0026】

１つのプラググループＰＧは、１つのボンディングパッド１４と電気的に接続される。パッド１０１からボンディングパッド１４を介して出力される信号は、該ボンディングパッド１４と電気的に接続されるプラググループＰＧに含まれる複数の金属プラグ１２２ｂに伝達される。すなわち、１つのパッド１０１は、１つ以上の半田ボール３ｃと１つ以上の半田ボール３ｄと電気的に接続される。

【0027】

第２実施形態の半導体装置１００は、材料組成が異なる２種類の半田ボール３ｃ、３ｄを有する。第２実施形態に係る半導体装置１００は、第１実施形態と同様に、熱疲労により半田ボール３ｄが破損した場合には半田ボール３ｃを介してプリント配線板２と信号の送受信を行うことができ、落下衝撃により半田ボール３ｃが破損した場合には半田ボール３ｄを介してプリント配線板２と信号を送受信することができる。故に、動作の信頼性が向上し、長寿命化を図ることができる。
（第３実施形態）
次に、第３実施形態にかかる半導体装置について説明する。第３実施形態の半導体装置は、実装基板端子２１と半田ボール３との接続部分が、上述した第２実施形態の半導体装置と異なる。以下、第２実施形態と同一の構成要素については同じ符号を付して詳細な説明は省略する。

【0028】

図５は、本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。また、第３実施形態の半導体装置は、２種類の半田ボール３ｃ、３ｄにより、半導体パッケージ１とプリント配線板２とが接続される。半田ボール３ｃは、熱疲労に対する耐性が高い特性を有し、半田ボール３ｄは、落下衝撃に対する耐性が高い特性を有する。半田ボール３ｃ、３ｄの材料組成は、例えば、第２実施形態と同様である。

【0029】

金属プラグ１２２ｂ１には、半田ボール３ｃが接続される。また、金属プラグ１２２ｂ２には、半田ボール３ｄが接続される。１つのボンディングパッド１４は、２つの金属プラグ１２２ｂ１、１２２ｂ２と接続される。パッド１０１からボンディングパッド１４を介して出力される信号は、２つの金属プラグ１２２ｂ１、１２２ｂ２に伝達される。すなわち、１つのパッド１０１は、２つの金属プラグ１２２ｂ１、１２２ｂ２を介し、半田ボール３ｃ及び半田ボール３ｄと電気的に接続される。そして、１つのパッド１０１と電気的に接続された複数の半田ボール３ｃ、３ｄは、半田ペースト２２を介して１つの実装基板端子２１に電気的に接続される。

【0030】

このように、第３実施形態の半導体パッケージ１は、第２実施形態と同様に、材料組成が異なる２種類の半田ボール３ｃ、３ｄを有する。半導体装置１００に対して大きな熱疲労が加えられ、半田ボール３ｄが破壊されてしまった場合、半田ボール３ｃを介してプリント配線板２と信号の送受信を行うことができる。また、半導体装置１００に対して大きな落下衝撃が加えられ、半田ボール３ｃが破壊されてしまった場合には、半田ボール３ｄを介してプリント配線板２と信号を送受信することができる。また、１つのパッド１０１と電気的に接続された異なる２種類の半田ボール３ｃ、３ｄが、１つの実装基板端子２１に接続されているので、上述の第２実施形態に比べてより多くの信号を伝達することができる。

【0031】

なお、上述の各実施形態では、半導体チップ１０からプリント配線板２に対して信号を出力する場合について説明したが、プリント配線板２から半導体チップ１０に対して信号を入力する場合についても適用可能である。

【0032】

上述の各実施形態は、互いに可能な範囲で組み合わされてもよい。例えば、第１実施形態は、第３実施形態と組み合わされ得る。

【0033】

本発明の実施形態を説明したが、本実施形態は一例として示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0034】

１…半導体パッケージ、
２…プリント配線板、
３、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ…半田ボール、
１０…半導体チップ、
１１…フィルム状接着剤、
１２…配線基板、
１２ａ…第１面、
１２ｂ…第２面、
１３…封止樹脂、
１４…ボンディングパッド
１５…導電性部材
２０…回路保護層、
２１…実装基板端子、
２２…半田ペースト、
２３…実装基板、
２４、１２０…配線層、
１００…半導体装置、
１０１…パッド、
１２１…凸状部材、
１２２ａ、１２２ｂ、１２４…金属プラグ、
１２３…基台部材、
ＰＧ…プラググループ、

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図3】

【図4】

【図5】