(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022144436
(43)【公開日】2022-10-03
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/60 20060101AFI20220926BHJP
H01L 25/07 20060101ALI20220926BHJP
【ＦＩ】
H01L21/60 321E
H01L25/04 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021045452
(22)【出願日】2021-03-19
(71)【出願人】
【識別番号】000005234
【氏名又は名称】富士電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002918
【氏名又は名称】特許業務法人扶桑国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】金子 悟史
(57)【要約】
【課題】損傷の発生を抑制し、絶縁耐量の低下を防止することができる。
【解決手段】第１配線部材７１は、側面視で、第１屈曲部７１ｃでＬ字状に屈曲し、半導体チップの主面に平行な第１水平部７１ａと第１水平部７１ａに垂直な第１垂直部７１ｂとを含んでいる。第２配線部材７２は、側面視で、第１配線部材７１に対して反対方向に第２屈曲部７２ｃでＬ字状に屈曲し、第１水平部７１ａと同一平面を成す第２水平部７２ａと第１垂直部７１ｂに対して所定距離、隙間を空けて第１垂直部７１ｂに平行な第２垂直部７２ｂとを含んでいる。さらに、配線保持部７３は、第１，第２垂直部７１ｂ，７２ｂの隙間、及び、第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃの隙間に充填されている。このため、第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃの近傍に生じる応力を緩和することができる。
【選択図】図８
【解決手段】第１配線部材７１は、側面視で、第１屈曲部７１ｃでＬ字状に屈曲し、半導体チップの主面に平行な第１水平部７１ａと第１水平部７１ａに垂直な第１垂直部７１ｂとを含んでいる。第２配線部材７２は、側面視で、第１配線部材７１に対して反対方向に第２屈曲部７２ｃでＬ字状に屈曲し、第１水平部７１ａと同一平面を成す第２水平部７２ａと第１垂直部７１ｂに対して所定距離、隙間を空けて第１垂直部７１ｂに平行な第２垂直部７２ｂとを含んでいる。さらに、配線保持部７３は、第１，第２垂直部７１ｂ，７２ｂの隙間、及び、第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃの隙間に充填されている。このため、第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃの近傍に生じる応力を緩和することができる。
【選択図】図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１半導体チップ及び第２半導体チップと、
一端部が前記第１半導体チップに電気的に接続された第１配線部材と、一端部が前記第２半導体チップに電気的に接続された第２配線部材と、前記第１配線部材及び前記第２配線部材のそれぞれの一部を包含する配線保持部と、を有する配線ユニットと、
を備え、
前記第１配線部材は、側面視で、第１屈曲部でＬ字状に屈曲し、前記第１半導体チップの主面に平行な第１水平部と前記第１水平部に垂直な第１垂直部とを含み、
前記第２配線部材は、側面視で、前記第１配線部材に対して反対方向に第２屈曲部でＬ字状に屈曲し、前記第１水平部と同一平面を成す第２水平部と前記第１垂直部に対して所定距離、隙間を空けて前記第１垂直部に平行な第２垂直部とを含み、
前記配線保持部は、前記第１垂直部と前記第２垂直部との隙間、及び、前記第１屈曲部と前記第２屈曲部との隙間に充填されている、
半導体装置。
一端部が前記第１半導体チップに電気的に接続された第１配線部材と、一端部が前記第２半導体チップに電気的に接続された第２配線部材と、前記第１配線部材及び前記第２配線部材のそれぞれの一部を包含する配線保持部と、を有する配線ユニットと、
を備え、
前記第１配線部材は、側面視で、第１屈曲部でＬ字状に屈曲し、前記第１半導体チップの主面に平行な第１水平部と前記第１水平部に垂直な第１垂直部とを含み、
前記第２配線部材は、側面視で、前記第１配線部材に対して反対方向に第２屈曲部でＬ字状に屈曲し、前記第１水平部と同一平面を成す第２水平部と前記第１垂直部に対して所定距離、隙間を空けて前記第１垂直部に平行な第２垂直部とを含み、
前記配線保持部は、前記第１垂直部と前記第２垂直部との隙間、及び、前記第１屈曲部と前記第２屈曲部との隙間に充填されている、
半導体装置。
【請求項2】
前記配線保持部は、さらに、
前記第１水平部の前記第１半導体チップに対向する面及び前記第１垂直部の前記第２垂直部に対向する面との角部である前記第１屈曲部の外角側を包含し、
前記第２水平部の前記第２半導体チップに対向する面及び前記第２垂直部の前記第１垂直部に対向する面との角部である前記第２屈曲部の外角側を包含する、
請求項１に記載の半導体装置。
前記第１水平部の前記第１半導体チップに対向する面及び前記第１垂直部の前記第２垂直部に対向する面との角部である前記第１屈曲部の外角側を包含し、
前記第２水平部の前記第２半導体チップに対向する面及び前記第２垂直部の前記第１垂直部に対向する面との角部である前記第２屈曲部の外角側を包含する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記配線保持部は、さらに、
前記第１垂直部の前記第２垂直部の反対側を包含し、
前記第２垂直部の前記第１垂直部の反対側を包含する、
請求項１または２に記載の半導体装置。
前記第１垂直部の前記第２垂直部の反対側を包含し、
前記第２垂直部の前記第１垂直部の反対側を包含する、
請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第１半導体チップが電気的に接続された第１導電板と、
前記第２半導体チップが電気的に接続された第２導電板と、
前記第１半導体チップと前記第２半導体チップと前記第１配線部材と前記第２配線部材と前記配線ユニットとを収納するケースと、
をさらに備え、
前記第１配線部材の第１一端部が前記第１導電板に電気的に接続されて、前記第１配線部材の第１他端部は前記ケースの外部に延伸し、
前記第２配線部材の第２一端部が前記第２導電板に電気的に接続されて、前記第２配線部材の第２他端部は前記ケースの外部に延伸する、
請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置。
前記第２半導体チップが電気的に接続された第２導電板と、
前記第１半導体チップと前記第２半導体チップと前記第１配線部材と前記第２配線部材と前記配線ユニットとを収納するケースと、
をさらに備え、
前記第１配線部材の第１一端部が前記第１導電板に電気的に接続されて、前記第１配線部材の第１他端部は前記ケースの外部に延伸し、
前記第２配線部材の第２一端部が前記第２導電板に電気的に接続されて、前記第２配線部材の第２他端部は前記ケースの外部に延伸する、
請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項5】
前記ケース内を充填し、
前記第１半導体チップと前記第２半導体チップと前記第１導電板と前記第２導電板と前記第１配線部材の一部と前記第２配線部材の一部とを封止し、
封止面が前記第１水平部及び前記第２水平部よりも上位であって、前記配線保持部の包含上面よりも下位である封止部材をさらに備える、
請求項４に記載の半導体装置。
前記第１半導体チップと前記第２半導体チップと前記第１導電板と前記第２導電板と前記第１配線部材の一部と前記第２配線部材の一部とを封止し、
封止面が前記第１水平部及び前記第２水平部よりも上位であって、前記配線保持部の包含上面よりも下位である封止部材をさらに備える、
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第１配線部材は、さらに、前記第１水平部から前記第１導電板に延伸し、前記第１導電板に接続された前記第１一端部を含む第１脚部を含み、
前記第２配線部材は、さらに、前記第２水平部から前記第２導電板に延伸し、前記第２導電板に接続された前記第２一端部を含む第２脚部を含む、
請求項４または５に記載の半導体装置。
前記第２配線部材は、さらに、前記第２水平部から前記第２導電板に延伸し、前記第２導電板に接続された前記第２一端部を含む第２脚部を含む、
請求項４または５に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記第１配線部材は、前記第１半導体チップに対して上方に延伸し、前記ケースの外部から延伸する前記第１他端部を含む第１外部接続部を含み、
前記第２配線部材は、前記第２半導体チップに対して上方に延伸し、前記ケースの外部から延伸する前記第２他端部を含む第２外部接続部を含む、
請求項４乃至６のいずれかに記載の半導体装置。
前記第２配線部材は、前記第２半導体チップに対して上方に延伸し、前記ケースの外部から延伸する前記第２他端部を含む第２外部接続部を含む、
請求項４乃至６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第２配線部材は、前記第２垂直部に前記第１垂直部から離れる方向に延伸する連結部をさらに備える、
請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置。
請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項9】
前記配線保持部は前記連結部をさらに封止する、
請求項８に記載の半導体装置。
請求項８に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記第１垂直部と前記第２垂直部との前記所定距離は、０．２５ｍｍ以上、４．０ｍｍ以下である、
請求項１乃至９のいずれかに記載の半導体装置。
請求項１乃至９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項11】
前記第２配線部材は、上アーム部を構成するＰ端子であって、
前記第１配線部材は、下アーム部を構成するＮ端子である、
請求項１乃至１０のいずれかに記載の半導体装置。
前記第１配線部材は、下アーム部を構成するＮ端子である、
請求項１乃至１０のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項12】
前記第１屈曲部及び前記第２屈曲部を包含する前記配線保持部の前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップに対向する包含下面は、前記第１水平部及び前記第２水平部に対して前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップの主面側に突出している、
請求項１乃至１１のいずれかに記載の半導体装置。
請求項１乃至１１のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項13】
前記第１屈曲部の曲率は、前記第１配線部材の板厚Ｔ１に対して、１／Ｔ１よりも小さく、
前記第２屈曲部の曲率は、前記第２配線部材の板厚Ｔ２に対して、１／Ｔ２よりも小さい、
請求項１乃至１２のいずれかに記載の半導体装置。
前記第２屈曲部の曲率は、前記第２配線部材の板厚Ｔ２に対して、１／Ｔ２よりも小さい、
請求項１乃至１２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項14】
前記第１屈曲部及び前記第２屈曲部は、前記隙間側に切り欠き部がそれぞれ形成されている、
請求項１乃至１２のいずれかに記載の半導体装置。
請求項１乃至１２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項15】
平面視で、前記第１垂直部の幅は、前記第２垂直部の幅よりも長い、
請求項１乃至１４のいずれかに記載の半導体装置。
請求項１乃至１４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項16】
前記配線保持部は、前記第２垂直部の全体を包含し、平面視で、前記第２垂直部の幅方向の端部を除いて前記第１垂直部を包含する、
請求項１５に記載の半導体装置。
請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項17】
平面視で前記第２水平部に対する幅方向の端面の裏面側の角部に、曲面を有する、
請求項１５または１６の半導体装置。
請求項１５または１６の半導体装置。
【請求項18】
前記第１垂直部及び前記第２垂直部の少なくともいずれか一方に複数の開口部が形成されている、
請求項１乃至１７のいずれかに記載の半導体装置。
請求項１乃至１７のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置は、パワーデバイスを含み、例えば、インバータを構成する電力変換装置として用いられる。パワーデバイスは、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）である。半導体装置は、パワーデバイスを含む半導体チップと複数の絶縁回路基板とを含む。また、半導体装置は、半導体チップに電気的に接続される複数のリードフレームをさらに含む。電力変換装置の高周波数化に伴い、このような複数のリードフレームから発生するインダクタンスを低減することが求められている。インダクタンスを低減するために、例えば、内部電極を構成する第１の電源電位出力電極（リードフレーム）と負荷電極と第２の電源電位出力電極（リードフレーム）とをそれぞれ板状に形成し、互いに絶縁物を挟み近接して配置することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００４－２１４４５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上記の半導体装置において、リードフレーム間には高電圧が印加されている。そのため、リードフレーム間は絶縁物で絶縁する必要がある。また、一端が露出している場合、半導体装置内部への水分の侵入を防ぐため、絶縁物はリードフレームに密着している必要がある。しかし、絶縁物が樹脂である場合、リードフレーム間が近接して配置されていると樹脂にクラックや剥離等の損傷が発生する場合がある。リードフレーム間を絶縁する樹脂に損傷が生じている場合、リードフレームの絶縁性を維持することができなくなってしまうおそれがある。この結果、半導体装置の信頼性が低下してしまうおそれがある。
【0005】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、損傷の発生を抑制し、絶縁耐量の低下を防止することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一観点によれば、第１半導体チップ及び第２半導体チップと、一端部が前記第１半導体チップに電気的に接続された第１配線部材と、一端部が前記第２半導体チップに電気的に接続された第２配線部材と、前記第１配線部材及び前記第２配線部材のそれぞれの一部を包含する配線保持部と、を有する配線ユニットと、を備え、前記第１配線部材は、側面視で、第１屈曲部でＬ字状に屈曲し、前記第１半導体チップの主面に平行な第１水平部と前記第１水平部に垂直な第１垂直部とを含み、前記第２配線部材は、側面視で、前記第１配線部材に対して反対方向に第２屈曲部でＬ字状に屈曲し、前記第１水平部と同一平面を成す第２水平部と前記第１垂直部に対して所定距離、隙間を空けて前記第１垂直部に平行な第２垂直部とを含み、前記配線保持部は、前記第１垂直部と前記第２垂直部との隙間、及び、前記第１屈曲部と前記第２屈曲部との隙間に充填されている、半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【0007】
開示の技術によれば、損傷の発生を抑制し、絶縁耐量の低下を防止して、半導体装置の破損を予防でき、半導体装置の信頼性の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】第１の実施の形態の半導体装置の外観図である。
【図2】第１の実施の形態の半導体装置の平面図である。
【図3】第１の実施の形態の半導体装置の側断面図である。
【図4】第１の実施の形態の半導体装置に含まれる絶縁回路基板の平面図である。
【図5】第１の実施の形態の半導体装置の等価回路を示す図である。
【図6】第１の実施の形態の半導体装置に含まれる配線ユニットの配線部材の図（その１）である。
【図7】第１の実施の形態の半導体装置に含まれる配線ユニットの配線部材の図（その２）である。
【図8】第１の実施の形態の半導体装置に含まれる配線ユニットの要部断面図である。
【図9】第１の実施の形態の変形例１の半導体装置に含まれる配線ユニットの要部断面図である。
【図10】第１の実施の形態の変形例２の半導体装置に含まれる配線ユニットの要部断面図である。
【図11】第１の実施の形態の変形例３の半導体装置に含まれる配線ユニットの要部断面図である。
【図12】第２の実施の形態の半導体装置に含まれる配線ユニットの図である。
【図13】第２の実施の形態の半導体装置に含まれる配線ユニットの平面図である。
【図14】第３の実施の形態の半導体装置に含まれる配線ユニットの第１，第２配線部材の要部斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、図面を参照して、実施の形態について説明する。なお、以下の説明において、「おもて面」及び「上面」とは、図の半導体装置１０において、上側（＋Ｚ方向）を向いたＸ－Ｙ面を表す。同様に、「上」とは、図の半導体装置１０において、上側（＋Ｚ方向）の方向を表す。「裏面」及び「下面」とは、図の半導体装置１０において、下側（－Ｚ方向）を向いたＸ－Ｙ面を表す。同様に、「下」とは、図の半導体装置１０において、下側（－Ｚ方向）の方向を表す。必要に応じて他の図面でも同様の方向性を意味する。「おもて面」、「上面」、「上」、「裏面」、「下面」、「下」、「側面」は、相対的な位置関係を特定する便宜的な表現に過ぎず、本発明の技術的思想を限定するものではない。例えば、「上」及び「下」は、必ずしも地面に対する鉛直方向を意味しない。つまり、「上」及び「下」の方向は、重力方向に限定されない。また、以下の説明において「主成分」とは、８０ｖｏｌ％以上含む場合を表す。
【0010】
［第１の実施の形態］
第１の実施の形態の半導体装置の外観について、図１を用いて説明する。図１は、第１の実施の形態の半導体装置の外観図である。半導体装置１０は、後述する構成部品が、図１に示されるように、ケース６０に覆われている。なお、半導体装置１０の裏面（ケース６０の裏側）には、平面視で矩形状の放熱板３０が設けられている（図３を参照）。
第１の実施の形態の半導体装置の外観について、図１を用いて説明する。図１は、第１の実施の形態の半導体装置の外観図である。半導体装置１０は、後述する構成部品が、図１に示されるように、ケース６０に覆われている。なお、半導体装置１０の裏面（ケース６０の裏側）には、平面視で矩形状の放熱板３０が設けられている（図３を参照）。
【0011】
ケース６０は、蓋部６１と側壁部６２ａ～６２ｄと端子口６３，６４とを含んでいる。蓋部６１は、さらに、中心部に長手方向に沿って端子台６１ａ，６１ｂ，６１ｃが形成されている。端子台６１ａ，６１ｂ，６１ｃのおもて面にはネジ孔６１ａ１，６１ｂ１，６１ｃ１が形成されている。端子台６１ａ，６１ｂ，６１ｃは、第１，第２，第３配線部材７１，７２，７４が上方に延伸している。なお、図１では、第１，第２，第３配線部材７１，７２，７４が上方に延伸している場合を示している。延伸している第１，第２，第３配線部材７１，７２，７４は端子台６１ａ，６１ｂ，６１ｃのおもて面側に折り曲げられて、第１，第２，第３配線部材７１，７２，７４に形成されている開口孔がネジ孔６１ａ１，６１ｂ１，６１ｃ１に対応して、それぞれの開口孔を通じて、ネジ孔６１ａ１，６１ｂ１，６１ｃ１がネジ留めされる。
【0012】
側壁部６２ａ～６２ｄは、放熱板３０の四方を囲んでいる。すなわち、側壁部６２ａ～６２ｄは放熱板３０上に配置された構成部品を囲む（図２を参照）。なお、側壁部６２ａ～６２ｄは放熱板３０に対して接着剤により固着される。端子口６３，６４は、側壁部６２ｃに設けられている。端子口６３，６４から制御端子７５，７６がそれぞれ表出されている。なお、側壁部６２ａ～６２ｄで囲まれる領域の角部近傍には固定孔６５がそれぞれ形成されている。半導体装置１０を所望の位置に取り付ける際に固定孔６５を介してネジ留めすることができる。
【0013】
このようなケース６０に含まれる側壁部６２ａ～６２ｄと端子口６３，６４と固定孔６５とは、樹脂を用いて一体成形により形成されている。また、蓋部６１もまた、樹脂を用いて一体成形により形成されている。このような樹脂は、熱可塑性樹脂を主成分として構成されている。熱可塑性樹脂は、例えば、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンサクシネート樹脂、ポリアミド樹脂、または、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂である。ケース６０は、別途形成された蓋部６１が側壁部６２ａ～６２ｄの開口に接着剤により取り付けられてもよい。
【0014】
次いで、半導体装置１０に収納されている構成部品について、図２～図８を用いて説明する。図２は、第１の実施の形態の半導体装置の平面図であり、図３は、第１の実施の形態の半導体装置の側断面図である。図４は、第１の実施の形態の半導体装置に含まれる絶縁回路基板の平面図である。図５は、第１の実施の形態の半導体装置の等価回路を示す図である。図６及び図７は、第１の実施の形態の半導体装置に含まれる配線ユニットの配線部材の図である。図８は、第１の実施の形態の半導体装置に含まれる配線ユニットの要部断面図である。なお、図２では、半導体装置１０のケース６０から蓋部６１を取り除き、封止部材８０の図示を省略した場合を示している。また、図２及び図３では、制御端子７５，７６と端子口６３，６４と固定孔６５との図示を省略している。図２及び図３では、第１配線部材７１、第２配線部材７２、第３配線部材７４を折り曲げている場合を示している。図３は、図２の一点鎖線Ｘ－Ｘにおける断面図である。また、図３では、蓋部６１の端子台６１ａ，６１ｂ，６１ｃ等を省略して簡素化して示している。図６は、第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２脚部７１ｄ，７２ｄの一部を省略している。図７（Ａ）は、第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２垂直部７１ｂ，７２ｂ及び第１，第２水平部７１ａ，７２ａの斜視図である。図７（Ｂ）は、図７（Ａ）における断面Ｃにおける矢視方向の断面図である。
【0015】
図２～図４に示されるように、半導体装置１０は、絶縁回路基板２０ａ，２０ｂと、絶縁回路基板２０ａ，２０ｂがおもて面に設けられた放熱板３０と、を有している。絶縁回路基板２０ａ，２０ｂには、半導体チップ４１ａ～４４ａ，４１ｂ～４４ｂがそれぞれ配置されている。また、半導体装置１０は、第１～第３配線部材７１，７２，７４を備えている。第１～第３配線部材７１，７２，７４は、例えば、板状のリードフレームである。
【0016】
ケース６０は、放熱板３０の周縁部に設けられて、絶縁回路基板２０ａ，２０ｂを取り囲む側壁部６２ａ～６２ｄと、側壁部６２ａ～６２ｄの開口上部に設けられた蓋部６１と、を有している。そして、ケース６０及び放熱板３０で取り囲まれる内部に、半導体チップ４１ａ～４４ａ，４１ｂ～４４ｂ、絶縁回路基板２０ａ，２０ｂ（及びボンディングワイヤ５１ａ～５４ａ，５１ｂ～５４ｂ，５５，５６）が収納されている。さらに、半導体チップ４１ａ～４４ａ，４１ｂ～４４ｂ、絶縁回路基板２０ａ，２０ｂ（及びボンディングワイヤ５１ａ～５４ａ，５１ｂ～５４ｂ，５５，５６）は、封止部材８０により封止されている。また、蓋部６１には、外部機器との電気接続を行う第１～第３配線部材７１，７２，７４が取り付けられている。なお、制御端子７５，７６は図示を省略している。
【0017】
第１～第３配線部材７１，７２，７４は、それぞれの一端部がケース６０の内部で絶縁回路基板２０ａまたは絶縁回路基板２０ｂに接続されている。また、それぞれの他端部がケース６０から外部に延出している。他端部は、図示しない外部機器に接続されていてよい。具体的には、第１配線部材７１の一端部は、絶縁回路基板２０ａの導電パターン２３ａ３，２３ａ５に電気的及び機械的に接続されている。そして、導電パターン２３ａ３，２３ａ５及びボンディングワイヤ５３ａ，５４ａの導電部材を介して、半導体チップ４１ａ，４２ａ，４３ａ，４４ａと電気的に接続されている。また、他端部の第１外部接続部７１ｅが、蓋部６１からケース６０の外部へ延出し、蓋部６１のおもて面に沿って露出されている。第２配線部材７２の一端部は、絶縁回路基板２０ｂの導電パターン２３ｂ２に電気的及び機械的に接続されている。そして、導電パターン２３ｂ２を介して半導体チップ４１ｂ，４２ｂ，４３ｂ，４４ｂと電気的に接続されている。また、他端部の第２外部接続部７２ｅが、蓋部６１からケース６０の外部へ延出し、蓋部６１のおもて面に沿って露出されている。第３配線部材７４の一端部は、絶縁回路基板２０ａの導電パターン２３ａ２に電気的及び機械的に接続されている。そして、導電パターン２３ａ２を介して半導体チップ４１ａ，４２ａ，４３ａ，４４ａと電気的に接続されている。また、他端部の第３外部接続部７４ｅが、蓋部６１からケース６０の外部へ延出し、蓋部６１のおもて面に沿って露出されている。
【0018】
また、配線ユニット７０は、第１，第２配線部材７１，７２及び配線保持部７３を含む。配線ユニット７０は、第１，第２配線部材７１，７２の一部が配線保持部７３に一体成形されている。また、この際、第１，第２配線部材７１，７２の間は、配線保持部７３により絶縁性が保たれている。なお、配線ユニット７０の詳細については後述する。
【0019】
絶縁回路基板２０ａ，２０ｂは、絶縁板２１ａ，２１ｂと、絶縁板２１ａ，２１ｂの裏面に形成された金属板２２ａ，２２ｂと、絶縁板２１ａ，２１ｂのおもて面に形成された導電パターン２３ａ１～２３ａ５，２３ｂ１～２３ｂ５と、を有している。なお、絶縁板２１ａ，２１ｂ及び金属板２２ａ，２２ｂは、平面視で矩形状である。また、絶縁板２１ａ，２１ｂ及び金属板２２ａ，２２ｂは、角部がＲ形状や、Ｃ形状に面取りされていてもよい。金属板２２ａ，２２ｂのサイズは、平面視で、絶縁板２１ａ，２１ｂのサイズより小さく、絶縁板２１ａ，２１ｂの内側に形成されている。
【0020】
絶縁板２１ａ，２１ｂは、熱伝導性のよいセラミックスを主成分として構成されている。当該セラミックスは、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、または、窒化珪素を主成分とする材料により構成されている。また、絶縁板２１ａ，２１ｂの厚さは、０．２ｍｍ以上、２．５ｍｍ以下である。
【0021】
金属板２２ａ，２２ｂは、熱伝導性に優れた金属を主成分として構成されている。このような金属は、例えば、銅、アルミニウム、または、少なくともこれらの一種を含む合金である。また、金属板２２ａ，２２ｂの厚さは、０．１ｍｍ以上、５．０ｍｍ以下である。金属板の表面に対して、耐食性を向上させるために、めっき処理を行ってもよい。この際、用いられるめっき材は、例えば、ニッケル、ニッケル－リン合金、ニッケル－ボロン合金が挙げられる。
【0022】
導電パターン２３ａ１～２３ａ５，２３ｂ１～２３ｂ５は、導電性に優れた金属を主成分として構成されている。このような金属は、例えば、銅、アルミニウム、または、少なくともこれらの一種を含む合金が挙げられる。また、導電パターン２３ａ１～２３ａ５，２３ｂ１～２３ｂ５の厚さは、０．１ｍｍ以上、５．０ｍｍ以下である。導電パターン２３ａ１～２３ａ５，２３ｂ１～２３ｂ５の表面に対して、耐食性を向上させるために、めっき処理を行ってもよい。この際、用いられるめっき材は、例えば、ニッケル、ニッケル－リン合金、ニッケル－ボロン合金が挙げられる。導電パターン２３ａ１～２３ａ５，２３ｂ１～２３ｂ５は、絶縁板２１ａ，２１ｂのおもて面に金属層を形成し、この金属層に対してエッチング等の処理を行って得られる。または、あらかじめ金属層から切り出した導電パターン２３ａ１～２３ａ５，２３ｂ１～２３ｂ５を絶縁板２１ａ，２１ｂのおもて面に圧着させてもよい。なお、図２～図４に示す導電パターン２３ａ１～２３ａ５，２３ｂ１～２３ｂ５の形状、個数は一例である。
【0023】
このような構成を有する絶縁回路基板２０ａ，２０ｂとして、例えば、ＤＣＢ（Direct Copper Bonding）基板、ＡＭＢ（Active Metal Brazed）基板を用いてよい。絶縁回路基板２０ａ，２０ｂは、半導体チップ４１ａ～４４ａ，４１ｂ～４４ｂで発生した熱を導電パターン２３ａ２，２３ｂ２、絶縁板２１ａ，２１ｂ及び金属板２２ａ，２２ｂを介して、外側に伝導させることができる。
【0024】
また、このような絶縁回路基板２０ａの導電パターン２３ａ３，２３ａ５には、第１配線部材７１の一端部（第１脚部７１ｄ（図３を参照））がはんだ（図示を省略）を介して接続されている。絶縁回路基板２０ｂの導電パターン２３ｂ２には、第２配線部材７２の一端部（第２脚部７２ｄ（図３を参照））がはんだ（図示を省略）を介して接続されている。絶縁回路基板２０ａの導電パターン２３ａ２には、第３配線部材７４の一端部（第３脚部７４ｄ（図３を参照））がはんだ（図示を省略）を介して接続されている。なお、導電パターン２３ａ２，２３ａ３，２３ａ５，２３ｂ２に示されている四角は、第３，第１，第２配線部材７４，７１，７２の接合領域をそれぞれ表している。
【0025】
半導体チップ４１ａ～４４ａ，４１ｂ～４４ｂは、シリコンまたは炭化シリコンを主成分として構成されている。半導体チップ４１ａ，４２ａ，４１ｂ，４２ｂは、スイッチング素子である。スイッチング素子は、例えば、ＩＧＢＴ、パワーＭＯＳＦＥＴである。このような半導体チップ４１ａ，４２ａ，４１ｂ，４２ｂは、裏面に入力電極（主電極）としてドレイン電極またはコレクタ電極を備えている。また、半導体チップ４１ａ，４２ａ，４１ｂ，４２ｂは、おもて面に、制御電極としてゲート電極４１ａ１，４２ａ１，４１ｂ１，４２ｂ１及び出力電極（主電極）としてソース電極またはエミッタ電極をそれぞれ備えている。上記の半導体チップ４１ａ，４２ａ，４１ｂ，４２ｂは、その裏面側が導電パターン２３ａ２，２３ｂ２上にはんだ（図示を省略）により接合されている。
【0026】
このような半導体チップ４１ａ～４４ａ，４１ｂ～４４ｂと導電パターン２３ａ２，２３ｂ２とを接合するはんだは、鉛フリーはんだが用いられる。鉛フリーはんだは、例えば、錫、銀、銅、亜鉛、アンチモン、インジウム、ビスマスの少なくとも２つを含む合金を主成分とする。さらに、はんだには、添加物が含まれてもよい。はんだに代わり、金属焼結体を用いてもよい。金属焼結体の材料は、銀または銀合金を主成分とする。また、このようなはんだ及び金属焼結体は、半導体チップ４１ａ～４４ａ，４１ｂ～４４ｂと導電パターン２３ａ２，２３ｂ２との接合に限らず、第１～第３配線部材７１，７２，７４の導電パターン２３ａ３，２３ａ５，２３ｂ２，２３ａ２に対する接合にも用いてもよい。
【0027】
半導体チップ４３ａ，４４ａ，４３ｂ，４４ｂは、ダイオード素子である。ダイオード素子は、ＦＷＤ（Free Wheeling Diode）である。このようなダイオード素子は、例えば、ＳＢＤ（Schottky Barrier Diode）、ＰＮ接合ダイオードを含んでいる。このような半導体チップ４３ａ，４４ａ，４３ｂ，４４ｂは、裏面に出力電極（主電極）としてカソード電極を、おもて面に入力電極（主電極）として、アノード電極をそれぞれ備えている。上記の半導体チップ４３ａ，４４ａ，４３ｂ，４４ｂは、その裏面側が導電パターン２３ａ２，２３ｂ３上にはんだ（図示を省略）により接合されている。なお、半導体チップ４１ａ～４４ａ，４１ｂ～４４ｂは、スイッチング素子とダイオード素子を一つの半導体チップとしたＲＣ（Reverse Conductive）－ＩＧＢＴ素子であってもよい。
【0028】
このような絶縁回路基板２０ａ，２０ｂ及び半導体チップ４１ａ～４４ａ，４１ｂ～４４ｂに対して以下のようなボンディングワイヤ５１ａ～５４ａ，５１ｂ～５４ｂ，５５，５６が配線されている。制御用配線であるボンディングワイヤ５１ａ，５２ａは、導電パターン２３ａ１と半導体チップ４１ａ，４２ａのゲート電極４１ａ１，４２ａ１とにそれぞれ電気的に接続している。ボンディングワイヤ５３ａ，５４ａは、導電パターン２３ａ３，２３ａ５と半導体チップ４１ａ，４２ａの主電極と半導体チップ４３ａ，４４ａの主電極をそれぞれ電気的に接続している。
【0029】
制御用配線であるボンディングワイヤ５１ｂ，５２ｂは、導電パターン２３ｂ１と半導体チップ４１ｂ，４２ｂのゲート電極４１ｂ１，４２ｂ１にそれぞれ電気的に接続している。ボンディングワイヤ５３ｂ，５４ｂは、導電パターン２３ｂ３，２３ｂ５と半導体チップ４１ｂ，４２ｂの主電極と半導体チップ４３ｂ，４４ｂの主電極をそれぞれ電気的に接続している。
【0030】
そして、ボンディングワイヤ５５，５６は、絶縁回路基板２０ａの導電パターン２３ａ２と絶縁回路基板２０ｂの導電パターン２３ｂ３，２３ｂ５とをそれぞれ電気的に接続している。なお、ボンディングワイヤ５１ａ～５４ａ，５１ｂ～５４ｂ，５５，５６は、導電性に優れたアルミニウムや銅等の金属、または、少なくともこれらの一種を含む合金等により構成されている。制御用のボンディングワイヤ５１ａ，５２ａ，５１ｂ，５２ｂの径は、例えば、５０μｍ以上、４００μｍ以下であり、主電流用のボンディングワイヤ５３ａ，５４ａ，５３ｂ，５４ｂ，５５，５６の径は、３００μｍ以上、６００μｍ以下である。
【0031】
このような絶縁回路基板２０ａ，２０ｂにおいて、第１配線部材７１の一端部は、導電パターン２３ａ３，２３ａ５上に接合されている。導電パターン２３ａ３，２３ａ５は、ボンディングワイヤ５３ａ，５４ａを経由して半導体チップ４１ａ，４２ａ，４３ａ，４４ａのおもて面の主電極に接合されている。そのため、第１配線部材７１は、半導体チップ４１ａ，４２ａ，４３ａ，４４ａの主電極と電気的に接続され、主電流が流れる。
【0032】
また、第２配線部材７２の一端部は、導電パターン２３ｂ２上に接合されている。導電パターン２３ｂ２は、半導体チップ４１ｂ，４２ｂ，４３ｂ，４４ｂの裏面の主電極と電気的に接続されている。そのため、第２配線部材７２は、半導体チップ４１ｂ，４２ｂ，４３ｂ，４４ｂの主電極と電気的に接続され、主電流が流れる。
【0033】
また、第３配線部材７４の一端部は、導電パターン２３ａ２上に接合されている。導電パターン２３ａ２は、半導体チップ４１ａ～４４ａの裏面の主電極と電気的に接続されている。そのため、第３配線部材７４は、半導体チップ４１ａ～４４ａの主電極と電気的に接続され、主電流が流れる。
【0034】
なお、詳細な図示を省略するものの、制御端子７５，７６は、導電パターン２３ａ１，２３ｂ１にそれぞれ電気的に接続されている。外部から入力された制御信号は、導電パターン２３ａ１，２３ｂ１、ボンディングワイヤ５１ａ，５２ａ，５１ｂ，５２ｂを経由して、半導体チップ４１ａ，４２ａ，４１ｂ，４２ｂのゲート電極４１ａ１，４２ａ１，４１ｂ１，４２ｂ１に入力される。
【0035】
放熱板３０は、板状であって、平面視で、矩形状を成している。放熱板３０は、導電性に優れた金属を主成分として構成されている。このような金属は、例えば、銅、アルミニウム、または、少なくともこれらの一種を含む合金が挙げられる。
【0036】
また、このような半導体装置１０の放熱板３０の裏面に冷却ユニットを、サーマルグリースを介して取り付けてもよい。サーマルグリースは、例えば、金属酸化物のフィラーが混入されたシリコーンである。この冷却ユニットもまた、熱伝導性に優れた材料を主成分として構成され、必要に応じて、表面にめっき処理を行ってもよい。冷却ユニットは、例えば、複数のフィンから構成されるヒートシンク並びに水冷による冷却装置である。また、放熱板３０は、このような冷却ユニットと一体的に構成されてもよい。
【0037】
図５に示されるように、半導体装置１０は、上アーム部Ａ及び下アーム部Ｂを含むハーフブリッジ回路を構成する。半導体装置１０の上アーム部Ａは、絶縁回路基板２０ｂ及び絶縁回路基板２０ｂ上に配置されたボンディングワイヤ５１ｂ～５４ｂ、半導体チップ４１ｂ～４４ｂ、第２配線部材７２を含む。さらに、絶縁回路基板２０ａの導電パターン２３ａ２及び導電パターン２３ａ２上に配置された第３配線部材７４を含む。半導体装置１０の下アーム部Ｂは、絶縁回路基板２０ａ及び絶縁回路基板２０ａ上に配置されたボンディングワイヤ５１ａ～５４ａ、半導体チップ４１ａ～４４ａ、第１配線部材７２を含む。さらに、第３配線部材７４を含む。そして、２つの絶縁回路基板２０ａ，２０ｂ間は、ボンディングワイヤ５５，５６により接続されている。これにより、上アーム部Ａと下アーム部Ｂとが接続される。こうすることで、半導体装置１０は、上アーム部Ａ及び下アーム部Ｂを含むハーフブリッジ回路として機能させることができる。
【0038】
この場合の半導体装置１０では、外部電源（図示を省略）の正極に接続される接続点Ｐと半導体チップ４１ｂ，４２ｂのコレクタ側の接続点Ｃ１とを繋ぐ配線が、第２配線部材７２に対応する。つまり、第２配線部材７２は、ハーフブリッジ回路で正極側の入力端子を構成するＰ端子である。負荷（図示を省略）の端子に接続される接続点Ｍと半導体チップ４１ｂ，４２ｂのエミッタ側及び半導体チップ４１ａ，４２ａのコレクタ側の接続点Ｅ１Ｃ２とを繋ぐ配線が、第３配線部材７４に対応する。つまり、第３配線部材７４は、ハーフブリッジ回路で出力端子を構成するＭ端子である。外部電源の負極に接続される接続点Ｎと半導体チップ４１ａ，４２ａのエミッタ側の接続点Ｅ２とを繋ぐ配線が、第１配線部材７１に対応する。つまり、第１配線部材７１は、ハーフブリッジ回路で負極側の入力端子を構成するＮ端子である。
【0039】
次いで、配線ユニット７０は、図３に示されるように、第１，第２配線部材７１，７２と第１，第２配線部材７１，７２を包含して保持する配線保持部７３とを有している。第１，第２配線部材７１，７２は、板状のリードフレームである。すなわち、第１，第２配線部材７１，７２は、半導体装置１０のおもて面及び裏面に対応するＸ－Ｙ面、及び、半導体装置１０の一方の対向する側面に対応するＹ－Ｚ面に、主面を有する。第１，第２配線部材７１，７２は、半導体装置１０の他方の対向する側面に対応するＸ－Ｚ面に側面を有する。
【0040】
第１配線部材７１は、図３及び図６に示されるように、主面に平行な方向（Ｙ方向）から見た側面視で、第１水平部７１ａと第１垂直部７１ｂとが第１屈曲部７１ｃでＬ字状に屈曲している。具体的には、第１水平部７１ａの一端と第１垂直部７１ｂの一端とは第１屈曲部７１ｃで接続されている。そして、第１水平部７１ａは、第１屈曲部７１ｃから半導体チップ４１ａ～４４ａ及び絶縁回路基板２０ａの主面（Ｘ－Ｙ面）に平行であって第２配線部材７２に対して反対方向（－Ｘ方向）に延伸している。第１垂直部７１ｂは、第１屈曲部７１ｃから半導体チップ４１ａ～４４ａ及び絶縁回路基板２０ａの主面（Ｘ－Ｙ面）に垂直な上方（＋Ｚ方向）に延伸している。なお、第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃは、第１，第２水平部７１ａ，７２ｂの裏面（半導体チップ４１ａ～４４ａ，４１ｂ～４４ｂと対向する面）と第１，第２垂直部７１ｂ，７２ｂのそれぞれが対向する面との角部である外角側に曲面を有する。第１屈曲部７１ｃの外角側の曲率は、第２屈曲部７２ｃの外角側の曲率と同じであってよい。例えば、第１屈曲部７１ｃの外角側の曲率は、第１配線部材７１の板厚Ｔ１に対して、１／Ｔ１である。第２屈曲部７２ｃの外角側の曲率は、第２配線部材７２の板厚Ｔ２に対して、１／Ｔ２である。さらに、第１配線部材７１は、第１脚部７１ｄと第１外部接続部７１ｅとを含んでいる。第１水平部７１ａと第１垂直部７１ｂとは、絶縁回路基板２０ａとケース６０の蓋部６１との間で高さ方向（Ｚ方向）に所定の間隔をあけて形成されている。一方、第１配線部材７１は、既述の通り、一端部が導電パターン２３ａ３，２３ａ５に電気的に接続されて、他端部はケース６０の蓋部６１から外部に延伸している。第１脚部７１ｄは、第１水平部７１ａの他端から下方（－Ｚ方向）に延伸し、導電パターン２３ａ３，２３ａ５に接続された当該一端部を含む。第１外部接続部７１ｅは、半導体チップ４１ａ～４４ａ（絶縁回路基板２０ａ）に対して第１垂直部７１ｂの他端からさらに上方（＋Ｚ方向）に延伸し、ケース６０の蓋部６１から外部に延伸する当該他端部を含んでいる。なお、図６では、第１外部接続部７１ｅが上方に延伸されている場合を示している。第１外部接続部７１ｅは、破線部で蓋部６１から外部に露出し屈曲されて、蓋部６１の上面に平行で第２配線部材７２に対して反対方向（－Ｘ方向）に延伸されてもよい。
【0041】
第２配線部材７２は、図３及び図６に示されるように、主面に平行な方向（Ｙ方向）から見た側面視で、第２水平部７２ａと第２垂直部７２ｂとが第２屈曲部７２ｃでＬ字状に屈曲している。具体的には、第２水平部７２ａの一端と第２垂直部７２ｂの一端とは第２屈曲部７２ｃで接続されている。そして、第２水平部７２ａは、第２屈曲部７２ｃから半導体チップ４１ａ～４４ａ及び絶縁回路基板２０ａの主面（Ｘ－Ｙ面）に平行で、第１配線部材７１に対して反対方向（＋Ｘ方向）に延伸している。第２水平部７２ａは、第１水平部７１ａと同一平面を成す。第２垂直部７２ｂは、第２屈曲部７２ｃから半導体チップ４１ａ～４４ａ及び絶縁回路基板２０ａの主面（Ｘ－Ｙ面）に垂直な上方（＋Ｚ方向）に延伸している。つまり、第２垂直部７２ｂの主面は、第１垂直部７１ｂの主面に対して平行であって、所定距離、隙間を空けて形成されている。第１垂直部７１ｂの主面と第２垂直部７２ｂの主面との隙間の間隔は、第１配線部材７１と第２配線部材７２とに印加される電流及び電圧によって設定されればよい。その間隔は、好ましくは、０．２５ｍｍ以上、４．０ｍｍ以下である。より好ましくは、０．５ｍｍ以上、２．０ｍｍ以下である。間隔が小さすぎると、第１配線部材７１と第２配線部材７２との間で絶縁性が低下し短絡する恐れがある。また、間隔が大きすぎると、インダクタンスが低減できない。また、第２垂直部７２ｂの幅（Ｙ方向の長さ）は、第１垂直部７１ｂの幅（Ｙ方向の長さ）よりも短い。このような第１，第２垂直部７１ｂ，７２ｂは、平面視で、幅方向に対して直交する互いの中心線が一致するように位置している（図１３を参照）。また、この場合に限らず、第１垂直部７１ｂの幅（Ｙ方向の長さ）と第２垂直部７２ｂの幅（Ｙ方向の長さ）とが異なっていればよい。例えば、第１垂直部７１ｂの幅（Ｙ方向の長さ）は、第２垂直部７２ｂの幅（Ｙ方向の長さ）よりも短くてよい。そうすることで、第１垂直部７１ｂ及び第２垂直部７２ｂの側面から配線保持部７３にかかる応力の集中が抑制されて、配線保持部７３のクラック等の発生をより抑制することができる。
【0042】
さらに、第２配線部材７２は、第１脚部７１ｄと第１外部接続部７１ｅと連結部７２ｆとを含んでいる。第２水平部７２ａと第２垂直部７２ｂとは、絶縁回路基板２０ａとケース６０の蓋部６１との間で高さ方向（Ｚ方向）に所定の間隔をあけて形成されている。一方、第２配線部材７２は、既述の通り、一端部が導電パターン２３ｂ２に電気的に接続されて、他端部はケース６０の蓋部６１から外部に延伸している。第２脚部７２ｄは、第２水平部７２ａの他端から下方（－Ｚ方向）に延伸し、導電パターン２３ｂ２に接続された当該一端部を含む。第２外部接続部７２ｅは、半導体チップ４１ｂ～４４ｂ（絶縁回路基板２０ｂ）に対して第２垂直部７２ｂからさらに上方（＋Ｚ方向）に延伸し、ケース６０の蓋部６１から外部に延伸する当該他端部を含んでいる。なお、図６では、第２外部接続部７２ｅが上方に延伸されている場合を示している。第２外部接続部７２ｅは、破線部で蓋部６１から外部に露出し屈曲されて、蓋部６１の上面に平行で第１配線部材７１に対して反対方向（＋Ｘ方向）に延伸されてもよい。連結部７２ｆは、第２垂直部７２ｂに第１垂直部７１ｂから離れる方向に延伸する。すなわち、連結部７２ｆは、第２水平部７２ａと平行であって、第２垂直部７２ｂの上方の端部と第２外部接続部７２ｅの下方の端部とを接続している。このため、第１，第２外部接続部７１ｅ，７２ｅは第１，第２垂直部７１ｂ，７２ｂの隙間と連結部７２ｆの長さとを合わせた距離、離間している。
【0043】
図７に示すように、第１，第２配線部材７１，７２は、第２配線部材７２の屈曲部７２ｃの幅（Ｙ方向の長さ）が、第１配線部材７１の屈曲部７１ｃの幅（Ｙ方向の長さ）よりも短い。そして、第２配線部材７２の第２水平部７２ａは、裏面（絶縁回路基板２０ａのおもて面に対向するＸ－Ｙ面）と幅方向の側面（Ｘ－Ｚ面）とが交差する角部に曲面を有している。例えば、所定の曲率を有するＲ形状が形成されている。この際の曲率１／Ｒは、例えば、第２水平部７２ａの板厚Ｔ７２ａに対して、０．０５／Ｔ７２ａ以上、０．５／Ｔ７２ａ以下である。
【0044】
なお、図３に示す第１，第２脚部７１ｄ，７２ｄ及び第１外部接続部７１ｅ，７２ｅの形状は一例である。第１，第２脚部７１ｄ，７２ｄは、導電パターン２３ａ３，２３ａ５，２３ｂ２に電気的に接続できる形状であればよい。また、第１，第２外部接続部７１ｅ，７２ｅは、蓋部６１から露出して外部装置と電気的に接続できる形状であればよい。
【0045】
さらに、第３配線部材７４は、図３に示されるように、側面視で、半導体チップ４１ａ～４４ａ（絶縁回路基板２０ａ）の主面に平行な第３水平部７４ａと第３脚部７４ｄと第３水平部７４ａに垂直な第３外部接続部７４ｅとを含んでいる。第３配線部材７４もまた、一端部が導電パターン２３ａ２に電気的に接続されて、他端部はケース６０の蓋部６１から外部に延伸している。第３脚部７４ｄは、第３水平部７４ａから導電パターン２３ａ２に延伸して接続された当該一端部を含む。第３外部接続部７４ｅは、半導体チップ４１ａ～４４ａ（絶縁回路基板２０ａ）に対して第３水平部７４ａから上方に延伸し、ケース６０の蓋部６１の外部から延伸する当該他端部を含んでいる。なお、図３では、第３外部接続部７４ｅが蓋部６１から上方に延伸されて、蓋部６１のおもて面側に折り曲げている場合を示している。
【0046】
第１～第３配線部材７１，７２，７４は、導電性に優れた金属を主成分として構成されている。このような金属は、例えば、アルミニウム、銅、鉄、ニッケル、または、少なくともこれらの一種を含む合金が挙げられる。第１～第３配線部材７１，７２，７４の表面に対しても、耐食性を向上させるために、めっき処理を行ってもよい。この際、用いられるめっき材は、例えば、ニッケル、ニッケル－リン合金、ニッケル－ボロン合金が挙げられる。また、第１～第３配線部材７１，７２，７４と導電パターン２３ａ３，２３ａ５，２３ｂ２，２３ａ２との接合は、半導体チップ４１ａ～４４ａ，４１ｂ～４４ｂの接合と同様にはんだ並びに金属焼結体が用いられる。また、第１～第３配線部材７１，７２，７４と導電パターン２３ａ３，２３ａ５，２３ｂ２，２３ａ２との接合は、超音波、レーザを用いて直接接合してもよい。
【0047】
配線保持部７３は、図８に示されるように、少なくとも、第１，第２配線部材７１，７２の第１垂直部７１ｂと第２垂直部７２ｂとの隙間、及び、第１屈曲部７１ｃと第２屈曲部７２ｃとの隙間に充填されている第１部分７３ａを含む。さらに、第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃの外角側を包含していてよい。なお、第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃの外角側とは、第１，第２水平部７１ａ，７２ａの裏面及び第１，第２垂直部７２ａ，７２ｂの互いに対向する面との角部である。
【0048】
さらに、配線保持部７３は、第１垂直部７１ｂの第２垂直部７２ｂと反対側（－Ｘ側）の主面と、第１屈曲部７１ｃの内角側とを包含する第２部分７３ｂ１を含む。また、配線保持部７３は、第２垂直部７２ｂの第１垂直部７１ｂと反対側（＋Ｘ側）の主面と第２屈曲部７２ｃの内角側を包含する第２部分７３ｂ２を含む。さらに、第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２水平部７１ａ，７２ａの主面の一部を包含している。また、図２に示されるように、配線保持部７３は、第１，第２垂直部７１ｂ，７２ｂの側面も覆っていてよい。そのため、第１，第２垂直部７１ｂ，７２ｂのいずれか一方または両方が、完全に配線保持部７３に包含されていてよい。また、図３に示されるように、配線保持部７３は、第２配線部材７２の連結部７２ｆを包含している。このように、配線保持部７３の包含上面は、連結部７２ｆを完全に包含できる高さであればよい。また、第１部分７３ａの包含下面７３ａ１は、第１，第２水平部７１ａ，７２ａの下面と同一平面を成している。
【0049】
このような配線保持部７３は、絶縁性を有する樹脂であり、例えば、熱可塑性樹脂により構成されている。このような樹脂は、例えば、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンサクシネート樹脂、ポリアミド樹脂、または、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂である。また、このような樹脂に、絶縁性のセラミックスフィラーが添加されていてもよい。このようなセラミックスフィラーは、例えば、酸化物、窒化物、炭化物である。この具体例としては、シリコン、アルミニウム、ボロンが挙げられる。
【0050】
配線ユニット７０は、第１，第２配線部材７１，７２の近接する範囲が配線保持部７３により上記のように包含されている。このため、第１，第２配線部材７１，７２の絶縁性を維持しつつ、特に、応力が集中しやすい第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃ近傍の配線保持部７３に対する応力を緩和することができる。そして、第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃ近傍の配線保持部７３に対してクラック等の損傷の発生が低減される。また、第２配線部材７２の第２外部接続部７２ｅは、連結部７２ｆにより第２垂直部７２ｂから離間している。このため、第２配線部材７２を導電パターン２３ｂ２に取り付ける際、第２屈曲部７２ｃに対する応力は緩和される。これもまた、第２屈曲部７２ｃ近傍の配線保持部７３に対する損傷の発生の低減に寄与する。
【0051】
また、第１，第２水平部７１ａ，７２ａは、互いに反対方向に延伸している。このため、第１，第２脚部７１ｄ，７２ｄは、離間されている。したがって、第１，第２脚部７１ｄ，７２ｄは、離間されているために絶縁性が保たれており、配線保持部７３で包含する必要がない。そのため、第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃ近傍の配線保持部７３に対する損傷の発生を低減することができる。また、配線保持部７３の包含上面より上位の第１，第２外部接続部７１ｅ，７２ｅは、連結部７２ｆにより離間されているために絶縁性が保たれている。このため、第１，第２外部接続部７１ｅ，７２ｅを配線保持部７３で包含する必要がなく、第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃ近傍の配線保持部７３に対する損傷の発生を低減することができる。なお、配線保持部７３が包含されていない第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２水平部７１ａ，７２ａ及び第１，第２脚部７１ｄ，７２ｄは、後述するように、封止部材８０により封止されていてもよい。
【0052】
また、第２配線部材７２の第２水平部７２ａの裏面の角部が小さな曲率の曲面が形成されている（図７を参照）。このため、第２配線部材７２の第２水平部７２ａに対するストレスを分散することができる。これもまた、第２水平部７２ａ近傍の配線保持部７３に対する損傷の発生の低減に寄与する。このように配線保持部７３に対する損傷の発生が低減されることで、第１，第２配線部材７１，７２の、特に、第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃ近傍の絶縁性が維持される。
【0053】
封止部材８０は、放熱板３０上の絶縁回路基板２０ａ，２０ｂ及び半導体チップ４１ａ～４４ａ，４１ｂ～４４ｂ並びにボンディングワイヤ５１ａ～５４ａ，５１ｂ～５４ｂ，５５，５６を封止する。また、封止部材８０は、これらを封止しつつ、図３に示されている配線ユニット７０の第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２水平部７１ａ，７２ａより上位であって、配線保持部７３の包含上面以下まで充填される。より好ましくは、封止部材８０は、連結部７２ｆに対応する配線保持部７３まで充填される。
【0054】
この時、配線ユニット７０は、既述の通り、第１，第２配線部材７１，７２の近接する範囲が配線保持部７３により包含されている。配線保持部７３が包含されていない第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２水平部７１ａ，７２ａ及び第１，第２脚部７１ｄ，７２ｄは、封止部材８０により封止され絶縁性が保たれている。また、配線保持部７３の包含上面より上位の第１，第２外部接続部７１ｅ，７２ｅは、封止部材８０により封止されていなくても、連結部７２ｆにより離間されているために絶縁性が保たれている。また、第１，第２外部接続部７１ｅ，７２ｅは、蓋部６１から外部に延伸されて、お互い反対方向に折れ曲がって離間しているために絶縁性が保たれている。
【0055】
また、ケース６０の側壁部６２ａ～６２ｄは、封止部材８０を充填できるように、その高さを封止部材８０より高くする必要がある。そのため、側壁部６２ａ～６２ｄは、その高さが絶縁回路基板２０ａ，２０ｂや４１ａ～４４ａ，４１ｂ～４４ｂ並びにボンディングワイヤ５１ａ～５４ａ，５１ｂ～５４ｂ，５５，５６に対応する高さ以上を要する。
【0056】
ここで用いられる封止部材８０は、シリコーンゲルである。または、封止部材８０は、熱硬化性樹脂と熱硬化性樹脂に含有される充填剤とを含んでいる。熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂またはマレイミド樹脂である。このような封止部材８０の一例として、充填剤が含有されたエポキシ樹脂がある。充填剤は、無機物が用いられる。無機物の例として、酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化ホウ素または窒化アルミニウムがある。
【0057】
上記半導体装置１０は、半導体チップ４１ａ～４４ａ，４１ｂ～４４ｂと、配線ユニット７０とを備えている。配線ユニット７０は、一端部が半導体チップ４１ａ～４４ａ，４１ｂ～４４ｂにそれぞれ電気的に接続された第１，第２配線部材７１，７２と第１，第２配線部材７１，７２の一部を包含する配線保持部と、を備えている。
【0058】
第１配線部材７１は、側面視で、第１屈曲部７１ｃでＬ字状に屈曲し、半導体チップ４１ａ～４４ａの主面に平行な第１水平部７１ａと第１水平部７１ａに垂直な第１垂直部７１ｂとを含んでいる。第２配線部材７２は、側面視で、第１配線部材７１に対して反対方向に第２屈曲部７２ｃでＬ字状に屈曲し、第１水平部７１ａと同一平面を成す第２水平部７２ａと第１垂直部７１ｂに対して所定距離、隙間を空けて第１垂直部７１ｂに平行な第２垂直部７２ｂとを含んでいる。さらに、配線保持部７３は、第１，第２垂直部７１ｂ，７２ｂの隙間、及び、第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃの隙間に充填されている。
【0059】
このような半導体装置１０では、第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃが配線保持部７３により包含されているために、第１，第２配線部材７１，７２の絶縁性を確保することができる。その上で、第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃの近傍に生じる応力を緩和することができる。このため、配線保持部７３に対するクラック等の損傷の発生が防止されて、配線保持部７３で包含される第１，第２配線部材７１，７２の絶縁性が保たれる。また、配線保持部７３が包含されていない第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２水平部７１ａ，７２ａ及び第１，第２脚部７１ｄ，７２ｄは、お互いに離間され、封止部材８０により封止されて、絶縁性が保たれている。また、配線保持部７３の包含上面より上位の第１，第２外部接続部７１ｅ，７２ｅは、封止部材８０により封止されていなくても、連結部７２ｆにより離間されているために絶縁性が保たれている。したがって、配線ユニット７０の絶縁耐量の減少が抑制され、半導体装置１０の破損を予防でき、信頼性の低下が抑制される。
【0060】
このような半導体装置１０が含まれる配線ユニット７０では、配線保持部７３の包含下面７３ａ１と第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃとの距離を空けることでより第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃ付近に生じる応力を緩和することができ、絶縁性を向上することができる。以下では、配線保持部７３の包含下面７３ａ１と第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃとの距離を空けた様々な変形例について説明する。
【0061】
［変形例１］
変形例１の配線ユニット７０について、図９を用いて説明する。図９は、第１の実施の形態の変形例１の半導体装置に含まれる配線ユニットの要部断面図である。変形例１の配線ユニット７０は、図８の配線ユニット７０に対して、配線保持部７３の第１部分７３ａの包含下面７３ａ１が第１，第２水平部７１ａ，７２ａの裏面よりも絶縁回路基板２０ａ，２０ｂのおもて面（図９中において－Ｚ方向）に突出している。第１部分７３ａの包含下面７３ａ１の、第１，第２水平部７１ａ，７２ａの裏面からの突出量は、第１垂直部の主面と第２垂直部７２ｂの主面との隙間の間隔の、５０％以上、２００％以下であってよい。例えば、０．２５ｍｍ以上、４．０ｍｍ以下である。より好ましくは、０．５ｍｍ以上、２．０ｍｍ以下である。このため、配線保持部７３の第１部分７３ａの包含下面７３ａ１と第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃとの距離を図８の場合よりも長くすることができる。第１部分７３ａのＸ方向の幅は、少なくとも、第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃの間の幅Ｗ以上であればよい。こうすることで、第１部分７３ａは、第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃの外角側の曲面に垂直な方向に所定の厚さを確保して包含することができる。このため、第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃ付近の配線保持部７３に対する応力を緩和し、損傷が生じにくくなる。したがって、配線ユニット７０の配線保持部７３における損傷発生の耐量を向上させることができる。そして、損傷の発生が抑制されることで、絶縁性が保持されるようになる。
変形例１の配線ユニット７０について、図９を用いて説明する。図９は、第１の実施の形態の変形例１の半導体装置に含まれる配線ユニットの要部断面図である。変形例１の配線ユニット７０は、図８の配線ユニット７０に対して、配線保持部７３の第１部分７３ａの包含下面７３ａ１が第１，第２水平部７１ａ，７２ａの裏面よりも絶縁回路基板２０ａ，２０ｂのおもて面（図９中において－Ｚ方向）に突出している。第１部分７３ａの包含下面７３ａ１の、第１，第２水平部７１ａ，７２ａの裏面からの突出量は、第１垂直部の主面と第２垂直部７２ｂの主面との隙間の間隔の、５０％以上、２００％以下であってよい。例えば、０．２５ｍｍ以上、４．０ｍｍ以下である。より好ましくは、０．５ｍｍ以上、２．０ｍｍ以下である。このため、配線保持部７３の第１部分７３ａの包含下面７３ａ１と第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃとの距離を図８の場合よりも長くすることができる。第１部分７３ａのＸ方向の幅は、少なくとも、第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃの間の幅Ｗ以上であればよい。こうすることで、第１部分７３ａは、第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃの外角側の曲面に垂直な方向に所定の厚さを確保して包含することができる。このため、第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃ付近の配線保持部７３に対する応力を緩和し、損傷が生じにくくなる。したがって、配線ユニット７０の配線保持部７３における損傷発生の耐量を向上させることができる。そして、損傷の発生が抑制されることで、絶縁性が保持されるようになる。
【0062】
［変形例２］
変形例２の配線ユニット７０について、図１０を用いて説明する。図１０は、第１の実施の形態の変形例２の半導体装置に含まれる配線ユニットの要部断面図である。変形例２の配線ユニット７０では、第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃの曲率を、図８の配線ユニット７０に含まれる第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃの曲率よりも小さくしている。すなわち、変形例２の配線ユニット７０では、第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃは、図８の配線ユニット７０に含まれる第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃよりも緩やかなカーブを描く。例えば、第１屈曲部７１ｃの外角側の曲率は、第１配線部材７１の板厚Ｔ１に対して、１／Ｔ１よりも小さい。第２屈曲部７２ｃの外角側の曲率は、第２配線部材７２の板厚Ｔ２に対して、１／Ｔ２よりも小さい。また、この場合でも、第１屈曲部７１ｃの外角側の曲率は、第２屈曲部７２ｃの外角側の曲率と同じであってよい。このため、配線保持部７３の第１部分７３ａの包含下面７３ａ１と第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃとの距離を図８の場合よりも長くすることができる。このため、第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃ付近の配線保持部７３に対する応力を緩和し、損傷が生じにくくなる。したがって、配線ユニット７０の配線保持部７３における損傷発生の耐量を向上させることができる。そして、損傷の発生が抑制されることで、絶縁性が保持されるようになる。
変形例２の配線ユニット７０について、図１０を用いて説明する。図１０は、第１の実施の形態の変形例２の半導体装置に含まれる配線ユニットの要部断面図である。変形例２の配線ユニット７０では、第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃの曲率を、図８の配線ユニット７０に含まれる第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃの曲率よりも小さくしている。すなわち、変形例２の配線ユニット７０では、第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃは、図８の配線ユニット７０に含まれる第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃよりも緩やかなカーブを描く。例えば、第１屈曲部７１ｃの外角側の曲率は、第１配線部材７１の板厚Ｔ１に対して、１／Ｔ１よりも小さい。第２屈曲部７２ｃの外角側の曲率は、第２配線部材７２の板厚Ｔ２に対して、１／Ｔ２よりも小さい。また、この場合でも、第１屈曲部７１ｃの外角側の曲率は、第２屈曲部７２ｃの外角側の曲率と同じであってよい。このため、配線保持部７３の第１部分７３ａの包含下面７３ａ１と第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃとの距離を図８の場合よりも長くすることができる。このため、第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃ付近の配線保持部７３に対する応力を緩和し、損傷が生じにくくなる。したがって、配線ユニット７０の配線保持部７３における損傷発生の耐量を向上させることができる。そして、損傷の発生が抑制されることで、絶縁性が保持されるようになる。
【0063】
なお、変形例２において、さらに、変形例１のように配線保持部７３の第１部分７３ａの包含下面７３ａ１を第１，第２水平部７１ａ，７２ａの裏面よりも絶縁回路基板２０ａ，２０ｂのおもて面に突出させてもよい。これにより、配線ユニット７０の配線保持部７３における損傷の発生をより防止することができる。
【0064】
［変形例３］
変形例３の配線ユニット７０について、図１１を用いて説明する。図１１は、第１の実施の形態の変形例３の半導体装置に含まれる配線ユニットの要部断面図である。変形例３の配線ユニット７０では、図８の第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃの隙間側に切り欠き部がそれぞれ形成されている。このため、配線保持部７３の第１部分７３ａの包含下面７３ａ１と第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃとの距離を図８の場合よりも長くすることができる。このため、第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃ付近の配線保持部７３に対する応力を緩和し、損傷が生じにくくなる。したがって、配線ユニット７０の配線保持部７３における損傷発生の耐量を向上させることができる。そして、損傷の発生が抑制されることで、絶縁性が保持されるようになる。
変形例３の配線ユニット７０について、図１１を用いて説明する。図１１は、第１の実施の形態の変形例３の半導体装置に含まれる配線ユニットの要部断面図である。変形例３の配線ユニット７０では、図８の第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃの隙間側に切り欠き部がそれぞれ形成されている。このため、配線保持部７３の第１部分７３ａの包含下面７３ａ１と第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃとの距離を図８の場合よりも長くすることができる。このため、第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃ付近の配線保持部７３に対する応力を緩和し、損傷が生じにくくなる。したがって、配線ユニット７０の配線保持部７３における損傷発生の耐量を向上させることができる。そして、損傷の発生が抑制されることで、絶縁性が保持されるようになる。
【0065】
なお、変形例３においてもさらに変形例１のように配線保持部７３の第１部分７３ａの包含下面７３ａ１を第１，第２水平部７１ａ，７２ａの裏面よりも絶縁回路基板２０ａ，２０ｂのおもて面に突出させてもよい。これにより、配線ユニット７０の配線保持部７３における損傷の発生をより防止することができる。
【0066】
［第２の実施の形態］
第２の実施の形態の配線ユニット７０では、配線保持部７３の包含する範囲を図２の配線ユニット７０に対して異ならせている場合について、図１２及び図１３を用いて説明する。図１２及び図１３は、第２の実施の形態の半導体装置に含まれる配線ユニットの図である。なお、図１２（Ａ），（Ｂ）は、配線ユニット７０に対して異なる方向からの斜視図をそれぞれ表している。図１３は、第２の実施の形態の配線ユニット７０の上方（＋Ｚ方向）からの平面図である。
第２の実施の形態の配線ユニット７０では、配線保持部７３の包含する範囲を図２の配線ユニット７０に対して異ならせている場合について、図１２及び図１３を用いて説明する。図１２及び図１３は、第２の実施の形態の半導体装置に含まれる配線ユニットの図である。なお、図１２（Ａ），（Ｂ）は、配線ユニット７０に対して異なる方向からの斜視図をそれぞれ表している。図１３は、第２の実施の形態の配線ユニット７０の上方（＋Ｚ方向）からの平面図である。
【0067】
配線ユニット７０では、図２の配線ユニット７０の配線保持部７３に対して、第２垂直部７２ｂの幅（Ｙ方向）方向の外縁端部に開口部７３ｃ１，７３ｃ２が形成されている。すなわち、配線保持部７３に包含される第２垂直部７２ｂの幅方向の外縁端部が開口部７３ｃ１，７３ｃ２から露出されている。なお、開口部７３ｃ１，７３ｃ２は、配線保持部７３の外縁端部に第２垂直部７２ｂの延伸方向（Ｚ方向）に沿って形成されている。
この場合、第２配線部材７２の第２垂直部７２ｂの幅方向の外縁端部に応力が生じても、第２配線部材７２を包含する配線保持部７３は開口部７３ｃ１，７３ｃ２により開口されるため、配線保持部７３は損傷を受けることがない。このため、配線保持部７３の絶縁性が低下することをより抑制できる。また、第１配線部材７１の第１水平部７１ａ及び第１屈曲部７１ｃは配線保持部７３で包含されているため、第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２水平部７１ａ，７２ａの間の絶縁性はより適切に維持される。したがって、図２の場合よりも、配線保持部７３の絶縁性が低下することを抑制できる。
この場合、第２配線部材７２の第２垂直部７２ｂの幅方向の外縁端部に応力が生じても、第２配線部材７２を包含する配線保持部７３は開口部７３ｃ１，７３ｃ２により開口されるため、配線保持部７３は損傷を受けることがない。このため、配線保持部７３の絶縁性が低下することをより抑制できる。また、第１配線部材７１の第１水平部７１ａ及び第１屈曲部７１ｃは配線保持部７３で包含されているため、第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２水平部７１ａ，７２ａの間の絶縁性はより適切に維持される。したがって、図２の場合よりも、配線保持部７３の絶縁性が低下することを抑制できる。
【0068】
［第３の実施の形態］
第３の実施の形態では、配線ユニット７０に含まれる第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２垂直部７１ｂ，７２ｂの少なくとも一方が開口されている場合について、図１４を参照して説明する。図１４は、第３の実施の形態の半導体装置に含まれる配線ユニットの第１，第２配線部材の要部斜視図である。なお、図１４（Ａ），（Ｂ）は、それぞれ、異なる場合を示している。
第３の実施の形態では、配線ユニット７０に含まれる第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２垂直部７１ｂ，７２ｂの少なくとも一方が開口されている場合について、図１４を参照して説明する。図１４は、第３の実施の形態の半導体装置に含まれる配線ユニットの第１，第２配線部材の要部斜視図である。なお、図１４（Ａ），（Ｂ）は、それぞれ、異なる場合を示している。
【0069】
図１４（Ａ）の第２配線部材７２は、図６の第２配線部材７２の第２垂直部７２ｂに開口として複数の貫通孔７２ｂ１が形成されている。なお、貫通孔７２ｂ１の大きさ、個数、位置は一例である。貫通孔７２ｂ１は、第２垂直部７２ｂに対して、第２垂直部７２ｂの強度が低下しない程度に、形成することができる。また、図１４（Ｂ）の第２配線部材７２は、図６の第２配線部材７２の第２垂直部７２ｂの幅方向の外縁端部に開口として複数の貫通孔７２ｂ１が形成されている。なお、切り欠き部７２ｂ２の大きさ、個数、位置も一例である。切り欠き部７２ｂ２は、第２垂直部７２ｂに対して、第２垂直部７２ｂの強度が低下しない程度に、形成することができる。また、このような貫通孔７２ｂ１並びに切り欠き部７２ｂ２は、第２配線部材７２の第２垂直部７２ｂに限らず、第１配線部材７１の第１垂直部７１ｂにも、または、第１垂直部７１ｂだけに形成してもよい。
【0070】
このような第１，第２配線部材７１，７２に対して配線保持部７３により一体成形すると、配線保持部７３の材料が貫通孔７２ｂ１及び切り欠き部７２ｂ２に入り込む。このため、配線保持部７３の第１，第２配線部材７１，７２に対する密着力が向上し、配線保持部７３の第１，第２配線部材７１，７２に対する位置ずれ、第１，第２配線部材７１，７２間の位置ずれが抑制される。したがって、第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃ近傍の配線保持部７３への応力を緩和することができる。したがって、第１，第２配線部材７１，７２の第１，第２屈曲部７１ｃ，７２ｃ近傍の配線保持部７３に対する損傷の発生が抑制されて、配線ユニット７０の絶縁性が維持される。この結果、半導体装置１０の破損を予防でき、信頼性の低下が抑制される。
【符号の説明】
【0071】
１０ 半導体装置
２０ａ，２０ｂ 絶縁回路基板
２１ａ，２１ｂ 絶縁板
２２ａ，２２ｂ 金属板
２３ａ１～２３ａ５，２３ｂ１～２３ｂ５ 導電パターン
３０ 放熱板
４１ａ～４４ａ，４１ｂ～４４ｂ 半導体チップ
４１ａ１，４２ａ１，４１ｂ１，４２ｂ１ ゲート電極
５１ａ～５４ａ，５１ｂ～５４ｂ，５５，５６ ボンディングワイヤ
６０ ケース
６１ 蓋部
６１ａ，６１ｂ，６１ｃ 端子台
６１ａ１，６１ｂ１，６１ｃ１ ネジ孔
６２ａ～６２ｄ 側壁部
６３，６４ 端子口
６５ 固定孔
７０ 配線ユニット
７１ 第１配線部材
７１ａ 第１水平部
７１ｂ 第１垂直部
７１ｃ 第１屈曲部
７１ｄ 第１脚部
７１ｅ 第１外部接続部
７２ 第２配線部材
７２ａ 第２水平部
７２ｂ 第２垂直部
７２ｂ１ 貫通孔
７２ｂ２ 切り欠き部
７２ｃ 第２屈曲部
７２ｄ 第２脚部
７２ｅ 第２外部接続部
７２ｆ 連結部
７３ 配線保持部
７３ａ 第１部分
７３ａ１ 包含下面
７３ｂ１ 第２部分
７３ｃ１，７３ｃ２ 開口部
７４ 第３配線部材
７４ａ 第３水平部
７４ｄ 第３脚部
７４ｅ 第３外部接続部
７５，７６ 制御端子
８０ 封止部材
２０ａ，２０ｂ 絶縁回路基板
２１ａ，２１ｂ 絶縁板
２２ａ，２２ｂ 金属板
２３ａ１～２３ａ５，２３ｂ１～２３ｂ５ 導電パターン
３０ 放熱板
４１ａ～４４ａ，４１ｂ～４４ｂ 半導体チップ
４１ａ１，４２ａ１，４１ｂ１，４２ｂ１ ゲート電極
５１ａ～５４ａ，５１ｂ～５４ｂ，５５，５６ ボンディングワイヤ
６０ ケース
６１ 蓋部
６１ａ，６１ｂ，６１ｃ 端子台
６１ａ１，６１ｂ１，６１ｃ１ ネジ孔
６２ａ～６２ｄ 側壁部
６３，６４ 端子口
６５ 固定孔
７０ 配線ユニット
７１ 第１配線部材
７１ａ 第１水平部
７１ｂ 第１垂直部
７１ｃ 第１屈曲部
７１ｄ 第１脚部
７１ｅ 第１外部接続部
７２ 第２配線部材
７２ａ 第２水平部
７２ｂ 第２垂直部
７２ｂ１ 貫通孔
７２ｂ２ 切り欠き部
７２ｃ 第２屈曲部
７２ｄ 第２脚部
７２ｅ 第２外部接続部
７２ｆ 連結部
７３ 配線保持部
７３ａ 第１部分
７３ａ１ 包含下面
７３ｂ１ 第２部分
７３ｃ１，７３ｃ２ 開口部
７４ 第３配線部材
７４ａ 第３水平部
７４ｄ 第３脚部
７４ｅ 第３外部接続部
７５，７６ 制御端子
８０ 封止部材
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】