特開 2022-145056 テンプレート、テンプレートの製造方法、パターン形成方法、半導体装置の製造方法、テンプレート測定装置、および、テンプレート測定方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022145056

(43)【公開日】2022-10-03

(54)【発明の名称】テンプレート、テンプレートの製造方法、パターン形成方法、半導体装置の製造方法、テンプレート測定装置、および、テンプレート測定方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20220926BHJP

   G03F 7/20 20060101ALI20220926BHJP

   B29C 59/02 20060101ALI20220926BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 502D

G03F7/20 504

G03F7/20 505

B29C59/02 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021046305

(22)【出願日】2021-03-19

(71)【出願人】

【識別番号】318010018

【氏名又は名称】キオクシア株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100091487

【弁理士】

【氏名又は名称】中村 行孝

(74)【代理人】

【識別番号】100120031

【弁理士】

【氏名又は名称】宮嶋 学

(74)【代理人】

【識別番号】100107582

【弁理士】

【氏名又は名称】関根 毅

(74)【代理人】

【識別番号】100118843

【弁理士】

【氏名又は名称】赤岡 明

(72)【発明者】

【氏名】高居 康介

(72)【発明者】

【氏名】金光 真吾

(72)【発明者】

【氏名】櫻井 典子

【テーマコード（参考）】

2H197

4F209

5F146

【Ｆターム（参考）】

2H197AA26

2H197AA29

2H197AB15

2H197CA07

2H197CA09

2H197HA10

2H197JA12

2H197JA15

4F209AA44

4F209AF01

4F209AG05

4F209AH33

4F209PA02

4F209PB01

4F209PN09

4F209PQ11

5F146AA09

5F146AA32

5F146BA07

5F146CA03

5F146DA30

5F146EA18

5F146EA23

5F146EA26

5F146EB02

(57)【要約】

【課題】適切にパターンを形成することができるテンプレート、テンプレートの製造方法、パターン形成方法、半導体装置の製造方法、テンプレート測定装置、および、テンプレート測定方法を提供する。
【解決手段】本実施形態によるテンプレートは、半導体製造工程のリソグラフィ工程に用いられるテンプレートである。第１基板は、第１面と、該第１面の一部から突出している第２面と、第２面と第１面との間に位置する側面であって第２面との接続部において第２面に対して傾斜する側面とを含む。導電膜は、少なくとも第１面上に設けられる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体製造工程のリソグラフィ工程に用いられるテンプレートであって、
第１面と、該第１面の一部から突出している第２面と、前記第２面と前記第１面との間に位置する側面であって、前記第２面との接続部において前記第２面に対して傾斜する第１側面と、を含む第１基板、および、
少なくとも前記第１側面に設けられた材料膜を備える、テンプレート。

【請求項2】

前記第２面に対して前記側面の傾斜角は２０度より大きく、かつ、８０度未満である、請求項１に記載のテンプレート。

【請求項3】

前記側面は、前記第２面の外周の一部分に繋がる第１側面部分において前記第２面に対して傾斜する、請求項１または請求項２に記載のテンプレート。

【請求項4】

前記材料膜は、導電膜であって、前記第１側面部分において、前記第２面、前記側面および前記第１面上に電気的に接続されている、請求項３に記載のテンプレート。

【請求項5】

半導体製造工程のリソグラフィ工程に用いられるテンプレートであって、
第１面と、該第１面の一部から突出している第２面と、前記第２面と前記第１面との間を繋ぐ側面とを含む第１基板を備え、
前記側面は、
前記第１面に繋がっており、前記第１面に対して第１角度で傾斜する第１傾斜面と、
前記第２面に繋がっており、前記第２面に対して第２角度で傾斜する第２傾斜面と、
前記第１傾斜面と前記第２傾斜面との間に設けられ、前記第１面または前記第２面に対する角度が前記第１または第２角度よりも小さいステップ面とを含む、テンプレート。

【請求項6】

前記第１基板は、前記リソグラフィ工程における転写パターンを前記第１面に有する、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のテンプレート。

【請求項7】

半導体製造工程のリソグラフィ工程に用いられるテンプレート製造方法であって、
請求項１または請求項５に記載のテンプレートの導電膜上にレジスト膜を形成し、
前記レジスト膜を所望のパターンに加工し、
前記レジスト膜に電子線を照射し、
前記レジスト膜をマスクとして用いて前記導電膜を加工し、
前記導電膜をマスクとして用いて前記第１基板を加工する、ことを具備するテンプレートの製造方法。

【請求項8】

請求項１または請求項５に記載のテンプレートの前記第１面を転写対象に接触させ、
前記転写対象を硬化させ、
前記テンプレートの前記第１面を前記転写対象から離す、ことを具備するパターン形成方法。

【請求項9】

基板上にレジスト膜を形成し、
請求項１または請求項５に記載のテンプレートの前記第１面を前記レジスト膜に接触させ、
前記レジスト膜を硬化させ、
前記テンプレートの前記第１面を前記レジスト膜から離す、ことを具備する半導体装置の製造方法。

【請求項10】

テンプレートを保持する保持部と、
前記テンプレート上の導電膜に電気的に接続可能な第１電極部と、
前記保持部に設けられ、前記テンプレートの前記第２面とは反対側の第３面側に配置される第２電極部と、
前記第１電極部と前記第２電極部との間に電力を印加する電源と、
前記導電膜と前記第２電極部との間のインピーダンスを測定する測定部と、を備える測定装置。

【請求項11】

テンプレートを保持する保持部と、第１電極部と、前記保持部に設けられた第２電極部と、前記第１電極部と前記第２電極部との間に交流電圧を印加する電圧源と、を備える測定装置を用いた測定方法であって、
前記保持部に前記テンプレートを載置し、
前記テンプレートの前記導電膜に前記第１電極部を電気的に接続し、
前記第１電極部と前記第２電極部との間に電力を印加し、
前記導電膜と前記第２電極部との間のインピーダンスを測定する、ことを具備する測定方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本実施形態は、テンプレート、テンプレートの製造方法、パターン形成方法、半導体装置の製造方法、テンプレート測定装置、および、テンプレート測定方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ＮＩＬ（Nano Imprint Lithography）に用いられるテンプレート用基板は、その表面に段差を有する場合がある。この場合、基板からテンプレートを作成する際に、基板の表面の段差がテンプレートのパターン形成に悪影響を及ぼすおそれがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特許登録第６５９６１３６号公報（米国特許公開第２０１９／０１０１８２２号公報）

【特許文献2】特許登録第６１６７６０９号公報

【特許文献3】特開２０１９－１６５０９５号公報（米国特許公開第２０１９／０２８７７９４号公報）

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

適切にパターンを形成することができるテンプレート、テンプレートの製造方法、パターン形成方法、半導体装置の製造方法、テンプレート測定装置、および、テンプレート測定方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本実施形態によるテンプレートは、半導体製造工程のリソグラフィ工程に用いられるテンプレートである。第１基板は、第１面と、該第１面の一部から突出している第２面と、第２面と第１面との間に位置する側面であって第２面との接続部において第２面に対して傾斜する側面とを含む。導電膜は、少なくとも第１面上に設けられる。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】第１実施形態によるテンプレート用基板の構成例を示す断面図。

【図2】第１実施形態によるテンプレート用基板の構成例を示す平面図。

【図3】第１実施形態によるテンプレートの製造方法の一例を示す断面図。

【図4】図３に続く、テンプレートの製造方法の一例を示す断面図。

【図5】図４に続く、テンプレートの製造方法の一例を示す断面図。

【図6】図５に続く、テンプレートの製造方法の一例を示す断面図。

【図7】図６に続く、テンプレートの製造方法の一例を示す断面図。

【図8】図７に続く、テンプレートの製造方法の一例を示す断面図。

【図9】図８に続く、テンプレートの製造方法の一例を示す断面図。

【図10】図９に続く、テンプレートの製造方法の一例を示す断面図。

【図11】図１０に続く、テンプレートの製造方法の一例を示す断面図。

【図12】図１１に続く、テンプレートの製造方法の一例を示す断面図。

【図13】図１２に続く、テンプレートの製造方法の一例を示す断面図。

【図14】図１３に続く、テンプレートの製造方法の一例を示す断面図。

【図15】図１４に続く、テンプレートの製造方法の一例を示す断面図。

【図16】図１５に続く、テンプレートの製造方法の一例を示す断面図。

【図17】図１６に続く、テンプレートの製造方法の一例を示す断面図。

【図18】図１７に続く、テンプレートの製造方法の一例を示す断面図。

【図19】図１８に続く、テンプレートの製造方法の一例を示す断面図。

【図20】図１９に続く、テンプレートの製造方法の一例を示す断面図。

【図21】第２実施形態によるテンプレート用基板の構成例を示す断面図。

【図22】第２実施形態によるテンプレート用基板の構成例を示す平面図。

【図23】導電膜３を有するテンプレート用基板の構成例を示す断面図。

【図24】第３実施形態によるテンプレート用基板の構成例を示す断面図。

【図25】第３実施形態によるテンプレート用基板の製造方法の一例を示す断面図。

【図26】第３実施形態によるテンプレート用基板の製造方法の一例を示す断面図。

【図27】第３実施形態によるテンプレート用基板の製造方法の一例を示す断面図。

【図28】第３実施形態によるテンプレート用基板の製造方法の一例を示す断面図。

【図29】第４実施形態によるテンプレートの構成例を示す断面図。

【図30】第５実施形態によるテンプレートの構成例を示す断面図。

【図31】第６実施形態によるテンプレートの構成例を示す断面図。

【図32】第７実施形態によるパターン形成方法の一例を示す断面図。

【図33】図３２に続く、テンプレートの製造方法の一例を示す断面図。

【図34】図３３に続く、テンプレートの製造方法の一例を示す断面図。

【図35】テンプレート用基板の測定装置の一例を示すブロック図。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

【0008】

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態によるテンプレート用基板１の構成例を示す断面図である。図２は、第１実施形態によるテンプレート用基板１の構成例を示す平面図である。尚、テンプレート用基板１の主面Ｆ１に対して垂直方向をＺ方向とする。Ｚ方向に対して直交する方向をＸ方向とし、Ｚ方向およびＸ方向に直交する方向をＹとする。

【0009】

テンプレート用基板１は、ＮＩＬ（Nano Imprint Lithography）で用いられるテンプレート（レプリカテンプレート）の基板であり、所謂パターンが形成される前のテンプレートである。レプリカテンプレートは、半導体ウェハのリソグラフィ工程において、パターンを転写するために用いられる、所謂パターンが形成されたテンプレートである。テンプレート用基板１には、例えば、石英等の透光性材料が用いられる。テンプレートは、例えば、半導体製造工程のリソグラフィ工程において、微細パターンを半導体基板（図示せず）上のレジスト膜に転写するために用いられる。

【0010】

テンプレートは、転写パターンを有する面がそれ以外の面よりも突出したメサ構造を有する。これは、半導体ウェハのレジストにパターンを転写する際に、転写パターン以外の領域においてテンプレートがレジストに接触することを抑制するためである。従って、テンプレートのもととなるテンプレート用基板１も、同様にメサ構造を有する。

【0011】

図１に示すように、テンプレート用基板１は、第１基板としての基板２と、導電膜３とを備える。基板２は、主面Ｆ１と、突出面Ｆ２と、側面Ｆ３とを備える。基板２には、例えば、石英等の透光性材料が用いられる。第１面としての主面Ｆ１は、Ｘ－Ｙ面に対して略平行な平坦面である。第２面としての突出面Ｆ２は、主面Ｆ１の中心部からＺ方向に突出しており、主面Ｆ１と同様に、Ｘ－Ｙ面に対して略平行な平坦面である。側面Ｆ３は、主面Ｆ１と突出面Ｆ２との間を繋ぐ面であり、図２に示すように、突出面Ｆ２の外周に沿って設けられている。側面Ｆ３は、少なくとも突出面Ｆ２との接続部において突出面Ｆ２に対して傾斜する。このように、基板２は、突出面Ｆ２が主面Ｆ１から突出した、所謂、メサ構造を有する。

【0012】

導電膜３は、主面Ｆ１、突出面Ｆ２および側面Ｆ３上を被覆するように設けられている。突出面Ｆ２上の導電膜３は、主面Ｆ１上の導電膜３と側面Ｆ３上の導電膜３を介して電気的に接続されている。側面Ｆ３は、図１に示すように、突出面Ｆ２および主面Ｆ１に対して傾斜しているので、導電膜３の材料は、Ｚ方向から異方的にスパッタされても側面Ｆ３上に十分に成膜可能である。導電膜３には、例えば、クロム等の導電性金属が用いられる。

【0013】

図２に示すように、Ｚ方向から見た平面視において、主面Ｆ１および突出面Ｆ２は、例えば、略四角形を有し、略正方向または略長方形を有する。側面Ｆ３は、突出面Ｆ２の外周に沿って突出面Ｆ２を囲むように設けられるので、略四角形の枠形状を有する。また、側面Ｆ３は、突出面Ｆ２に対して傾斜するので、Ｚ方向からの平面視においてその全体が見えている。

【0014】

また、本実施形態において、導電膜３は、主面Ｆ１、突出面Ｆ２および側面Ｆ３上を全体的に被覆している。導電膜３は、突出面Ｆ２の外周全体において側面Ｆ３上に設けられており、突出面Ｆ２から主面Ｆ１に亘って設けられている。主面Ｆ１の導電膜３の一部には、電極４が接続されており、導電膜３をグランド（基準電位源）に接続することができる。これにより、突出面Ｆ２上の導電膜３にチャージされた電荷は、側面Ｆ３上の導電膜３を介して主面Ｆ１上電極４からグランドへ逃がすことができる。

【0015】

もし、側面Ｆ３が突出面Ｆ２または主面Ｆ１に対してほぼ垂直面または逆テーパー面を含む場合、導電膜３の材料は、側面Ｆ３のうちその垂直面上にはほとんど形成されない。この場合、突出面Ｆ２上の導電膜３は、主面Ｆ１上の導電膜３と電気的に切断されてしまい、突出面Ｆ２上の導電膜３にチャージされた電荷を逃がすことができなくなる。

【0016】

テンプレート用基板１の突出面Ｆ２に転写パターンを形成するために、突出面Ｆ２上にレジスト膜（図示せず）が塗布される。レジスト膜には、マスタテンプレートを用いてパターンを転写した後、ＥＢ（Electron Beam）を照射する。ＥＢ照射により、レジスト膜を改質させ、ドライエッチングにおけるレジスト膜の耐加工性を向上させることができる。しかし、このＥＢ露光の電荷が突出面Ｆ２上の導電膜３に蓄積され意図しない放電が生じると、テンプレート用基板１が損傷するおそれがある。

【0017】

これに対し、本実施形態では、側面Ｆ３が主面Ｆ１および突出面Ｆ２に対して順テーパー状に傾斜しており、導電膜３によって被覆されている。これにより、突出面Ｆ２上の導電膜３は、側面Ｆ３上の導電膜３を介して主面Ｆ１上の導電膜３に電気的に接続されるので、突出面Ｆ２上の導電膜３にチャージされた電荷は、電極４からグランドへ放出することができる。その結果、突出面Ｆ２上の導電膜３はチャージアップしないので、上記レジスト膜にＥＢを充分に照射し、レジスト膜のエッチング耐性を向上させることができる。

【0018】

図１に示すように、主面Ｆ１と突出面Ｆ２は平行面であり、側面Ｆ３は主面Ｆ１と突出面Ｆ２をつなぐ線上となっている。ここで、側面Ｆ３の傾斜角（メサ角）は、ＹまたはＸ方向から見た側面Ｆ３に対する接線と、突出面Ｆ２とのなす角のうち最大値とする。図１の例では、側面Ｆ３の接線はＦ３ａ、Ｆ３ｂ、Ｆ３ｃを例示したが、側面Ｆ３の全ての接線のうち、突出面Ｆ２とのなす角が最大となるのはＦ３ｂであり、この角度を傾斜角θと定義する。

【0019】

また、例えば、ＹまたはＸ方向から見た側面Ｆ３が複数の斜辺で構成されている場合、側面Ｆ３の傾斜角（メサ角）θは、それらの斜辺のうち主面Ｆ１または突出面Ｆ２に対して傾斜の最も大きな角とする。ＹまたはＸ方向から見た側面Ｆ３が曲線で構成されている場合、側面Ｆ３の傾斜角（メサ角）θは、側面Ｆ３に対する接線と主面Ｆ１または突出面Ｆ２との成す角のうち最大値とする。

【0020】

側面Ｆ３が順テーパー面であるためには、側面Ｆ３の傾斜角θは、０度より大きく、かつ、９０度より小さい必要がある。導電膜３が側面Ｆ３を充分に被覆するためには、側面Ｆ３の傾斜角は、２０度～８０度であることが好ましい。より好ましくは、側面Ｆ３の傾斜角は、３０度～７０度である。また、側面Ｆ３は、傾斜角θが上記範囲内であれば、曲面で構成されていてもよい。順テーパーは、換言すると、図１に示すように、突出面Ｆ２に対して垂直断面において、側面Ｆ３は突出面Ｆ２から主面Ｆ１に近づくに従って突出面Ｆ２の中心から外方へ広がっている状態を示す。

【0021】

このように、側面Ｆ３の傾斜角を上記範囲内にすることによって、側面Ｆ３が導電膜３によって十分に被覆され、突出面Ｆ２上の導電膜３を主面Ｆ１上の電極４に電気的に接続することができる。これにより、突出面Ｆ２上の導電膜３の電荷を、電極４からグランドへ逃がすことができる。

【0022】

次に、テンプレートの製造方法を説明する。

【0023】

図３～図２０は、第１実施形態によるテンプレートの製造方法の一例を示す断面図である。まず、主面Ｆ１が平坦な基板２を準備する。図３に示すように、基板２の主面Ｆ１上にマスク材１０１を形成する。基板２には、例えば、石英等の透光性材料が用いられる。基板２の厚みは、例えば、約６．３５ｍｍである。マスク材１０１には、例えば、クロム等のエッチング耐性の高い材料が用いられる。マスク材１０１の厚みは、例えば、約１００ｎｍである。

【0024】

次に、図４に示すように、リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、マスク材１０１を加工する。例えば、マスク材１０１上にレジスト膜（図示せず）を形成し、レーザ描画法、電子線描画法またはフォトリソグラフィ法等を用いて、レジスト膜をパターニングする。次に、レジスト膜をマスクとして用いて、ドライエッチング法、あるいは、硝酸セリウム水溶液等を用いたウェットエッチング法でマスク材１０１を加工する。これにより、図４に示す構造が得られる。このときマスク材１０１は、その外縁が、突出面Ｆ２の外側に位置するように加工される。

【0025】

レジスト膜を除去した後、マスク材１０１をマスクとして用いて、ＤＨＦ（Diluted HydroFluoric acid）またはＢＨＦ（Buffered HydroFluoric acid）等のエッチング液で基板２を加工する。このとき、基板２は、等方的にエッチングされ、主面Ｆ１がＺ方向にエッチングされるとともに、ＸおよびＹ方向にもエッチングされる。これにより、基板２は、マスク材１０１の下部にも入り込むようにエッチングされ、側面Ｆ３が順テーパー面として形成される。例えば、２０％に希釈したＤＨＦ溶液を用いて、約１００分間エッチングした場合、主面Ｆ１に対する突出面Ｆ２の高さが約３０μｍとなり、側面Ｆ３の傾斜角は、約４５度となった。また、例えば、ＢＨＦ溶液を用いて、約１００分間エッチングした場合、主面Ｆ１に対する突出面Ｆ２の高さが約３０μｍとなり、側面Ｆ３の傾斜角は、約８５度となった。このように、側面Ｆ３の傾斜角は、マスク材１０１の材料、エッチング液の種類、濃度等を変更することによって制御することができる。本実施形態では、側面Ｆ３の傾斜角は、エッチング液を変えることにより調整可能であるが、必要に応じて、基板２とマスク材１０１との間にシリコン酸化膜等の犠牲層（図示せず）を介在させてもよい。犠牲膜と基板２とのエッチングレートの差を利用して、側面Ｆ３の傾斜角を制御してもよい。

【0026】

次に、マスク材１０１を剥離し、基板２を洗浄する。これにより、図６に示すようなメサ構造を有する基板２が形成される。基板２は、主面Ｆ１から突出する突出面Ｆ２を有し、主面Ｆ１と突出面Ｆ２との間の側面Ｆ３が突出面Ｆ２に対して傾斜する。

【0027】

次に、機械研磨を用いて基板２の主面とは反対側の裏面を加工し、図７に示すように、コアアウト７を形成する。コアアウト７は、基板２の裏面の中心部をくり抜いた凹部である。図１に示すように、コアアウト７は、テンプレート用基板１には必ずしも設けられていなくてもよく、テンプレート用基板１からテンプレートを作成する際に形成してもよい。

【0028】

次に、図７に示すように、反応性スパッタ法等を用いて、主面Ｆ１、突出面Ｆ２および側面Ｆ３上に、導電膜３を形成する。導電膜３は異方的に成膜されるが、側面Ｆ３が傾斜しているので、導電膜３は、主面Ｆ１、突出面Ｆ２および側面Ｆ３の全体を被覆するように形成され得る。導電膜３は、例えば、厚み約３ｎｍのクロム膜でよい。反応性スパッタは、異方性成膜法であるため、平坦な主面Ｆ１または突出面Ｆ２と傾斜する側面Ｆ３との間で導電膜３の膜厚が異なる。従って、主面Ｆ１および突出面Ｆ２上の導電膜３の厚みが約３ｎｍであるのに対し、側面Ｆ３上の導電膜３の厚みは３ｎｍ未満となる。例えば、側面Ｆ３の傾斜角が４５度である場合、突出面Ｆ２上の導電膜３と電極４との間の抵抗値は、２００キロオームであった。これに対し、側面Ｆ３の傾斜角が８５度である場合、突出面Ｆ２上の導電膜３と電極４との間の抵抗値は、２０メガオームであった。このように、側面Ｆ３の傾斜角が８０度を超えると、突出面Ｆ２上の導電膜３と電極４との間の抵抗値がかなり上昇することが分かった。従って、本実施形態では、側面Ｆ３の傾斜角は、８０度以下であることが好ましい。一方、側面Ｆ３の傾斜角が２０度未満の場合、突出面Ｆ２は、主面Ｆ１から十分に突出せず、メサ構造として不十分となる。この場合、隣接する他の転写パターンに影響する可能性があるため、ＮＩＬのテンプレートとしての機能が得られなくなるおそれがある。従って、側面Ｆ３の傾斜角は、２０度～８０度であることが好ましい。

【0029】

また、突出面Ｆ２上の導電膜３と電極４との間の抵抗値を２００キロオームより低くし、かつ、隣接する転写パターン間の間隔を狭くするために、側面Ｆ３の傾斜角は、３０度～７０度、さらには、４０度～６０度にしてもよい。

【0030】

このようにして、図１に示すテンプレート用基板１が完成する。

【0031】

続いて、図７（図１）に示すテンプレート用基板１を用いてパターンが形成されたテンプレートを作成する工程を説明する。

【0032】

突出面Ｆ２上の導電膜３上にレジスト膜１０２を形成し、ＮＩＬ法によりレジスト膜１０２にマスタテンプレート６０６のパターンを転写する。例えば、ＮＩＬ用レジスト膜１０２の材料を突出面Ｆ２の上方から導電膜３へ滴下する。次に、突出面Ｆ２上の導電膜３へマスタテンプレート６０６を押し付け、図８に示すように、マスタテンプレート６０６のパターンを突出面Ｆ２上の導電膜３へ転写する。

【0033】

次に、ＵＶ（Ultra Violet）光を照射してＮＩＬ用レジストを硬化させたのち、マスタテンプレート６０６をレジスト膜１０２から引き離す。これにより、図９に示す構造が得られる。尚、マスタテンプレート６０６と導電膜３との接触を避けるために、マスタテンプレート６０６にレジスト膜１０２の一部を残してもよい。

【0034】

次に、図１０に示すように、レジスト膜１０２にＥＢを照射してレジスト膜１０２を改質させる。例えば、真空中に基板２を配置し、直上の電子銃から突出面Ｆ２の上方のレジスト膜１０２に対してＥＢを照射する。この手法を「ＥＢキュア」とも称する。このとき、電極４はプローブを介して接地されており、電極４と電気的に接続された導電膜３に照射された電荷または電子は、電極４およびプローブを介してグランドへ放出される。側面Ｆ３の傾斜角が２０度～８０度である場合、突出面Ｆ２上の導電膜３は、側面Ｆ３上の導電膜３を介して主面Ｆ１上の導電膜３および電極４（図２参照）に電気的に低抵抗で接続される。従って、ＥＢ照射の電荷は突出面Ｆ２上の導電膜３に蓄積されない。

【0035】

もし、側面Ｆ３の傾斜角が８０度を超えている場合、突出面Ｆ２上の導電膜３と電極４との間の抵抗値が高くなり、導電膜３はチャージアップするおそれがある。これにより導電膜３が放電すると、基板２が損傷するおそれがある。

【0036】

これに対し、本実施形態によれば、突出面Ｆ２上の導電膜３の電荷をグランドへ逃がすことができる。これにより、基板２を損傷することなく、テンプレートを形成することができる。

【0037】

次に、ドライエッチング法を用いて、レジスト膜１０２のパターンを導電膜３に転写する。次に、導電膜３をハードマスクとして用いてドライエッチング法で基板２を加工する。これにより、図１１に示す構造が得られる。このとき、レジスト膜１０２がＥＢ露光によって十分に改質されていない場合（例えば、側面Ｆ３の傾斜角が８０度を超えている場合）、レジスト膜１０２のパターンが加工途中で消失してしまい、該パターンが導電膜３に正確に転写されなくなってしまう。これに対し、レジスト膜１０２がＥＢ露光によって十分に改質されている場合（例えば、側面Ｆ３の傾斜角が８０度未満の場合）、レジスト膜１０２のパターンが導電膜３および基板２に正確に転写され得る。

【0038】

次に、図１２に示すように、ハードマスクとしての導電膜３が剥離され、洗浄される。これにより、テンプレートの突出面Ｆ２にパターンが形成される。次に、必要に応じてテンプレートのパターンの計測および検査が実施される。
なお、図１１および図１２に示す工程の後に、突出面Ｆ２に形成されたパターンを覆いつつ、突出面Ｆ２の外周部を露出させたマスクをさらに形成し、突出面Ｆ２の外周部を部分的にエッチングしてもよい。これにより、側面Ｆ３の上部が部分的にエッチングされ、複数の面を有する側面が形成される。すなわち、多段のメサ構造が形成される。

【0039】

次に、図１３に示すように、テンプレート用基板１の主面Ｆ１、突出面Ｆ２および側面Ｆ３上に遮光膜５の材料を成膜する。遮光膜５の材料には、例えば、クロム等の遮光性導電材料が用いられる。遮光膜５の材料は、例えば、１２０ｎｍの厚みのクロム膜でもよい。このとき、遮光膜５の材料は、突出面Ｆ２上のパターンの上面および底面にも成膜される。

【0040】

次に、主面Ｆ１、突出面Ｆ２および側面Ｆ３上にレジスト膜１０３を塗布し、レーザ描画法を用いて、突出面Ｆ２上のレジスト膜１０３および側面Ｆ３上のレジスト膜１０３の一部を描画し、現像する。これにより、図１４に示すように、レジスト膜１０３がパターニングされて、突出面Ｆ２上の遮光膜５の材料および側面Ｆ３の一部（上部）の遮光膜５の材料が露出される。

【0041】

次に、レジスト膜１０３をマスクとして用いて、ドライエッチング法で遮光膜５の材料を加工する。これにより、図１５に示すように、突出面Ｆ２上の遮光膜５の材料および側面Ｆ３の一部（上部）の遮光膜５の材料を除去する。突出面Ｆ２のパターン上に堆積された遮光膜５の材料も除去される。よって、遮光膜５は、側面Ｆ３の途中から下部と主面Ｆ１上に残置される。

【0042】

次に、図１６に示すように、主面Ｆ１、突出面Ｆ２および側面Ｆ３上にマーク膜６を堆積する。マーク膜６は、突出面Ｆ２および側面Ｆ３の一部（上部）の上、並びに、遮光膜５の上に形成される。マーク膜６は、突出面Ｆ２のパターンの上面および底面にも形成される。マーク膜６には、例えば、クロム等の遮光性導電材料が用いられる。マーク膜６の材料は、例えば、約１０ｎｍの厚みのクロム膜でよい。マーク膜６は、半導体ウェハにパターンを転写する際に必要なアライメントマークとなる。

【0043】

突出面Ｆ２および側面Ｆ３の上部のマーク膜６上にレジスト膜１０４を形成し、ＮＩＬ法によりレジスト膜１０４にマスタテンプレート６０７のパターンを転写する。例えば、ＮＩＬ用レジスト膜１０４の材料を突出面Ｆ２の上方からマーク膜６へ滴下する。このとき、レジスト膜１０４の材料は、突出面Ｆ２および側面Ｆ３のうち遮光膜５の無い領域に滴下される。レジスト膜１０４の材料は、側面Ｆ３上の遮光膜５の端部に或る程度重複して設けられてもよい。

【0044】

次に、突出面Ｆ２および側面Ｆ３の上のレジスト膜１０４へマスタテンプレート６０７を押印し、図１７に示すように、マスタテンプレート６０７のパターンを突出面Ｆ２上の導電膜３へ転写する。アライメントマークとなるパターンの端部にレジスト膜１０４を残置させるために、マスタテンプレート６０７は、突出面Ｆ２のパターンの中心部に相当する位置に凸部を有する。

【0045】

次に、ＵＶ光を照射してレジスト膜１０４を硬化させたのち、マスタテンプレート６０７をレジスト膜１０４から引き離す。これにより、図１８に示す構造が得られる。レジスト膜１０４は、側面Ｆ３の上部から突出面Ｆ２のパターンのうちアライメントマークに用いられる端部パターンＰＥに亘って厚く形成され、端部パターンＰＥ以外のパターン領域には比較的薄く形成される。

【0046】

次に、図１９に示すように、レジスト膜１０４をエッチバックする。これにより、レジスト膜１０４は、端部パターンＰＥおよび側面Ｆ３の上部に残り、端部パターンＰＥ以外のパターン領域から除去される。

【0047】

次に、レジスト膜１０４をマスクとして用いて、マーク膜６をドライエッチング法で加工する。これにより、図２０に示すように、マーク膜６が、端部パターンＰＥおよび側面Ｆ３のうち遮光膜５から露出されている領域に残置される。マーク膜６が、突出面Ｆ２の中心部のパターン領域からは除去される。これにより、図２０に示すように、端部パターンＰＥにマーク膜６を残置させるとともに、側面Ｆ３および主面Ｆ１を遮光膜５またはマーク膜６で被覆することができる。マーク膜６には、例えば、クロムが用いられるので、マーク膜６は、遮光膜としても機能し得る。これにより、本実施形態によるテンプレート１０が完成する。

【0048】

テンプレート１０は、図示しない半導体ウェハ上に塗布されたＮＩＬ用レジスト膜に押し付けられる。このとき、ＵＶを照射してレジスト膜を硬化させ、その後、テンプレート１０をレジスト膜から離す。このような転写処理により、突出面Ｆ２のパターンがレジスト膜に転写される。この転写処理を繰り返し実行することによって、同じパターンを半導体ウェハ上のレジスト膜に転写することができる。

【0049】

ここで、転写処理を繰り返すと、レジスト膜とテンプレート１０との摩擦により、静電気が発生する。本実施形態によるテンプレート１０は、側面Ｆ３および主面Ｆ１が導電性の遮光膜５およびマーク膜６で被覆されている。これにより、静電気の電荷は、遮光膜５およびマーク膜６を介して電極４からグランドへ放出することができる。よって、テンプレート１０におけるチャージアップが抑制され、テンプレート１０の寿命を長くすることができる。

【0050】

尚、遮光膜５とマーク膜６には、同じ材料（例えば、クロム）が用いられているが、これに限定されず、遮光膜５とマーク膜６には導電性の異種材料が用いられてもよい。

【0051】

（第２実施形態：テンプレート用基板１）
図２１は、第２実施形態によるテンプレート用基板１の構成例を示す断面図である。図２２は、第２実施形態によるテンプレート用基板１の構成例を示す平面図である。図２１は、図２２のＡ－Ａ線に沿った断面を示す。図２３は、導電膜３を有するテンプレート用基板１の構成例を示す断面図である。

【0052】

第２実施形態では、図２２に示すように、側面Ｆ３は、突出面Ｆ２の外周の一部分に繋がる側面部分Ｆ３＿１において突出面Ｆ２または主面Ｆ１に対して順テーパー状に傾斜している。即ち、側面部分Ｆ３＿１における傾斜角度θ２は、２０度～８０度である。一方、側面部分Ｆ３＿１以外の側面部分Ｆ３＿２は、突出面Ｆ２または主面Ｆ１に対して略垂直または逆テーパーとなっている個所を含む。

【0053】

このようなテンプレート用基板１では、図２３に示すように、導電膜３は、側面部分Ｆ３＿２には成膜されない場合があるが、順テーパー状の傾斜面になっている側面部分Ｆ３＿１には成膜される。従って、突出面Ｆ２上の導電膜３は、側面部分Ｆ３＿１上の導電膜３を介して主面Ｆ１上の導電膜３に連続的にかつ電気的に接続される。これにより、図１０を参照して説明したＥＢ照射による電荷は、突出面Ｆ２上の導電膜３から側面部分Ｆ３＿１上の導電膜３を介して主面Ｆ１上の電極４に排出され得る。

【0054】

第２実施形態のその他の構成は第１実施形態の対応する構成と同様でよい。これにより、第２実施形態は、第１実施形態のテンプレート用基板１と同様の効果を得ることができる。

【0055】

（第３実施形態：テンプレート用基板１）
図２４は、第３実施形態によるテンプレート用基板１の構成例を示す断面図である。第３実施形態では、側面Ｆ３がステップ状に形成されており、複数の傾斜面で構成される。例えば、側面Ｆ３は、傾斜面Ｆ３＿１と、傾斜面Ｆ３＿２と、ステップ面Ｆ３ｓとを含む。傾斜面Ｆ３＿１は、主面Ｆ１に繋がっており、主面Ｆ１の面に対して角度θ１で傾斜している。傾斜面Ｆ３＿２は、突出面Ｆ２に繋がっており、突出面Ｆ２の面に対して角度θ２で傾斜している。ステップ面Ｆ３ｓは、傾斜面Ｆ３＿１と傾斜面Ｆ３＿２との間を接続しており、主面Ｆ１および突出面Ｆ２に対して略平行に近い面（平坦面）である。即ち、ステップ面Ｆ３ｓは、主面Ｆ１および突出面Ｆ２に対する角度が角度θ１およびθ２よりも小さい。これにより、側面Ｆ３は、傾斜面Ｆ３＿１、ステップ面Ｆ３ｓ、傾斜面Ｆ３＿２のように、異なる複数の角度で傾斜する（または平坦な）複数の面で構成される。尚、図２４では図示しないが、テンプレートのパターンの計測および検査を行う場合、図２３で示した導電膜３が図２４のテンプレート用基板１上にも設けられている。

【0056】

角度θ１、θ２は、等しくてもよいが、互いに異なっていてもよい。角度θ２が角度θ１より小さいと、半導体基板のＮＩＬ工程において半導体基板上のレジストと接触する箇所が増え、転写パターン（ショット）間の距離を大きくする必要がある。転写パターン（ショット）間の距離を小さくするために。角度θ２は、角度θ１より大きくすることが好ましい。角度θ１は、例えば、２０度～６０度であり、角度θ２は、例えば、４０度～８０度である。その理由は第１実施形態と同様に、導電膜３の抵抗値をより低くし、かつ、隣接する転写パターン間の間隔を狭くするためであり、転写パターン間距離に影響する角度θ２は比較的大きいことが好ましく、かつ、導電膜３の全体的な抵抗値を低くするため角度θ１は小さくすることが望ましい。

【0057】

また、主面Ｆ１からステップ面Ｆ３ｓまでの厚み（高さ）ｄ１、および、ステップ面Ｆ３ｓから突出面Ｆ２までの厚み（高さ）ｄ２は、等しくてもよいが、互いに異なっていてもよい。

【0058】

第３実施形態のその他の構成は、第１実施形態の対応する構成と同様でよい。従って、第３実施形態も第１実施形態のテンプレート用基板１と同様の効果を得ることができる。

【0059】

次に、第３実施形態によるテンプレート用基板１の製造方法について説明する。

【0060】

図２５～図２８は、第３実施形態によるテンプレート用基板１の製造方法の一例を示す断面図である。

【0061】

まず、基板２の主面Ｆ１上に犠牲層１１０を形成し、犠牲層１１０上にマスク材１１１を形成する。犠牲層１１０には、基板２およびマスク材１１１よりもエッチングレートの高い材料が用いられる。犠牲層１１０には、例えば、シリコン酸化膜等が用いられる。マスク材１１１には、エッチングレートが基板２よりも高く、かつ、犠牲層１１０よりも低い材料が用いられる。マスク材１１１には、例えば、クロム等の金属材料が用いられる。

【0062】

次に、リソグラフィ技術（例えば、レーザ描画法、電子線描画法またはフォトリソグラフィ法等）およびエッチング技術を用いて、マスク材１１１をメサ構造の形成領域のパターンに加工する。これにより図２５に示す構造が得られる。

【0063】

次に、マスク材１１１をマスクとして用いて、基板２および犠牲層１１０をＤＨＦまたはＢＨＦでウェットエッチングする。これにより、図２６に示すように、マスク材１１１の下の犠牲膜１１０が端部から等方的にエッチングされ、さらに犠牲膜１１０の下の基板２の主面Ｆ１も等方的にエッチングされる。マスク材１１１の下の基板２がエッチングされ、傾斜面Ｆ３＿１が形成される。

【0064】

次に、リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、マスク材１１１を突出面Ｆ２の形成領域のパターンに加工する。このとき、Ｚ方向から見た平面視において、マスク材１１１の大きさは、ステップ面Ｆ３ｓの分だけ犠牲膜１１０よりも小さくする。これにより、図２７に示す構造が得られる。なお、本構造を得る際、マスク材１１１は一度目のウェットエッチング後に一旦全て除去した後、再度、基板２の上面全体にマスク材の材料を成膜し、この材料を突出面Ｆ２の形成領域のパターンに加工してマスク材１１１として形成しも構わない。

【0065】

次に、マスク材１１１をマスクとして用いて、基板２および犠牲層１１０をＤＨＦまたはＢＨＦで再度ウェットエッチングする。これにより、図２８に示すように、マスク材１１１の下の犠牲膜１１０が端部から等方的にエッチングされ、さらに犠牲膜１１０の下の基板２の主面Ｆ１も等方的にエッチングされる。マスク材１１１の下の基板２が等方的にエッチングされると、傾斜面Ｆ３＿２が形成される。また、傾斜面Ｆ３＿１とＦ３＿２との間にステップ面Ｆ３ｓが形成される。

【0066】

その後、マスク材１１１および犠牲層１１０を除去することによって、第３実施形態によるテンプレート用基板１が完成する。

【0067】

尚、基板２とマスク材１１１との密着性が悪い場合、犠牲層１１０を省略しても、傾斜面Ｆ３＿１、Ｆ３＿２を形成可能である場合もある。第３実施形態は、他の実施形態に適用してもよい。

【0068】

（第４実施形態：テンプレート１０）
図２９は、第４実施形態によるテンプレート１０の構成例を示す断面図である。第４実施形態では、側面Ｆ３に遮光膜５が設けられている。図２０のテンプレート１０は、側面Ｆ３および主面Ｆ１上に遮光膜５またはマーク膜６を備えている。これに対し、第４実施形態のテンプレート１０は、側面Ｆ３に遮光膜５が設けられ、主面Ｆ１には遮光膜５が設けられていない。

【0069】

この場合、半導体ウェハ上のレジスト膜にテンプレート１０の突出面Ｆ２を押し付けて該レジスト膜にＵＶ露光する際に、遮光膜５が傾斜面Ｆ３からのＵＶ光を遮るので、突出面Ｆ２からのＵＶ光のみをレジスト膜に照射することができる。これにより、隣接する他の転写パターンへＵＶ光が漏洩することを抑制することができる。

【0070】

（第５実施形態：テンプレート１０）
図３０は、第５実施形態によるテンプレート１０の構成例を示す断面図である。第５実施形態では、主面Ｆ１および側面Ｆ３に遮光膜５が設けられている。主面Ｆ１上の遮光膜５および側面Ｆ３上の遮光膜５は、連続しており、電気的に接続されている。これにより、半導体ウェハ上のレジスト膜からの電荷は、遮光膜５を介して電極４からグランドへ放出することができる。よって、テンプレート１０におけるチャージアップが抑制され得る。

【0071】

また、第４実施形態と同様に、側面Ｆ３に遮光膜５が設けられているので、隣接する他の転写パターンの形成領域へのＵＶ光の漏洩することを抑制することができる。

【0072】

（第６実施形態）
図３１は、第６実施形態によるテンプレート１０の構成例を示す断面図である。図２０または図３０に示すように、側面Ｆ３に遮光膜５またはマーク膜６が設けられている場合、遮光膜５またはマーク膜６の先端Ｅ５が、突出面Ｆ２よりもＺ方向に突き出る場合がある。この場合、遮光膜５またはマーク膜６の先端Ｅ５が、ＮＩＬ工程において半導体ウェハ上のレジスト膜を貫通して、半導体ウェハ上の構造に接触し、半導体ウェハ上の構造を損傷させるおそれがある。

【0073】

一方、遮光膜５またはマーク膜６の先端Ｅ５が突出面Ｆ２のパターンの底部よりもＺ方向に低い位置にある場合、遮光膜５またはマーク膜６が半導体ウェハ上のレジスト膜に接触できないおそれがある。この場合、遮光膜５またはマーク膜６がレジスト膜からの電荷をグランドへ流すことができなくなる。

【0074】

従って、遮光膜５またはマーク膜６の先端Ｅ５は、突出面Ｆ２（転写パターンの上面）の高さレベルＨ１と転写パターンの底面の高さレベルＨ２との間に位置することが好ましい。これにより、遮光膜５またはマーク膜６は、半導体ウェハの構造を損傷することなく、レジスト膜に接触し、該レジスト膜からの電荷をグランドへ逃がすことができる。

【0075】

（第７実施形態：パターン形成方法）
図３２～図３４は、第７実施形態によるパターン形成方法の一例を示す断面図である。第７実施形態では、ＮＩＬ法を用いて、テンプレート１０の転写パターンを半導体ウェハＷ上に設けられたレジスト膜１０６に転写する。

【0076】

まず、半導体ウェハＷ上にレジスト膜１０６を塗布する。図３２に示すように、テンプレート１０のメサ構造を有する突出面Ｆ２をレジスト膜１０６に押し付ける。

【0077】

次に、図３３に示すように、ＵＶ生成装置２００からＵＶ光をレジスト膜１０６へ照射する。このとき、ＵＶ光は、テンプレート１０の裏面側のコアアウト７から照射され、透光性の基板２を介してレジスト膜１０６に照射される。これにより、レジスト膜１０６が硬化される。このとき、遮光膜５またはマーク膜６は、電極４を介してグランドＧＮＤに接続されており、接地されている。レジスト膜１０６とテンプレート１０の基板２との間の静電気により発生する電荷は、遮光膜５またはマーク膜６を介してグランドへ放出される。よって、テンプレート１０がチャージアップして破損することを抑制することができる。

【0078】

次に、図３４に示すように、テンプレート１０をレジスト膜１０６から離す。このとき、レジスト膜１０６は硬化されているので、テンプレート１０の転写パターンはレジスト膜１０６に転写される。この転写処理は、半導体ウェハＷの表面の他のショット領域にも繰り返し実行（ステップ・アンド・リピート）される。

【0079】

このようなパターン形成方法は、半導体装置を製造するためのリソグラフィ工程に用いることができる。パターニングされたレジスト膜１０６をマスクとして用いてエッチング技術等で半導体ウェハＷまたはその上の材料を所望のパターンに加工することができる。

【0080】

（第８実施形態：テンプレート用基板の測定装置および測定方法）
図３５は、テンプレート用基板１の測定装置５００の一例を示すブロック図である。測定装置５００は、保持部５０１と、支持部５０２と、電極部５０３、５０４と、交流電圧源５０５と、測定演算部５０６とを備えたＬＣＲメータである。測定装置５００は、テンプレート用基板１の導電膜３と、テンプレート用基板１のコアアウト７の中心部に配置される電極部５０３との間のインピーダンスを測定する。これにより、突出面Ｆ２上の導電膜３が側面Ｆ３上の導電膜３を介して電極部５０４まで電気的に接続されているか否かを確認する。

【0081】

保持部５０１は、上記実施形態のいずれかによるテンプレート用基板１を保持可能に構成されている。例えば、テンプレート用基板１が突出面Ｆ２とは反対側の裏面Ｆ４にコアアウト（凹部）７を有する場合、保持部５０１は、コアアウト（凹部）７に対応する凸形状を有している。テンプレート用基板１のコアアウト７を保持部５０１の凸部に嵌めるようにテンプレート用基板１を載置することによって、テンプレート用基板１は、保持部５０１上の所定位置に固定される。これにより、テンプレート用基板１に対する電極部５０３の相対位置が固定され、上記インピーダンスを正確に測定することができる。従って、突出面Ｆ２上の導電膜３が電極部５０４まで電気的に接続されているか否かを正確に判断することができる。

【0082】

保持部５０１は、支持部５０２と、電極部５０３とを含む。支持部５０２は、テンプレート用基板１を裏面Ｆ４から支持する。支持部５０２には、例えば、樹脂等の絶縁材料が用いられる。電極部５０３は、保持部５０１の中心部にテンプレート用基板１の裏面Ｆ４の直下に対向するように配置されている。これにより、電極部５０３は、保持部５０１の中心部において、コアアウト７の中心部に向かって突出し、テンプレート用基板１の突出面Ｆ２上の導電膜３に近接するように配置される。これにより、導電膜３が側面Ｆ３上で電気的に接続されている場合の上記インピーダンスと、導電膜３が側面Ｆ３上で電気的に切断されている場合の上記インピーダンスとの差が大きく現れる。電極部５０３には、例えば、銅等の導電性金属材料が用いられる。電極部５０３は、支持部５０２の底面にも設けられていてもよい。ただし、支持部５０２の底面の電極部５０３の部分は省略してもよい。

【0083】

電極部５０４は、電極４を介して導電膜３に電気的に接続可能なプローブでよい。電極部５０４には、例えば、銅等の導電性金属材料が用いられる。

【0084】

電圧源５０５は、電極部５０３、５０４のそれぞれに電気的に接続されており、電極部５０３と電極部５０４との間に交流電圧を印加する。これにより、導電膜３と電極部５０３との間の容量に応じた交流電流が流れる。

【0085】

測定演算部５０６は、測定された交流電圧および交流電流から導電膜３と電極部５０３との間のインピーダンスを測定する。また、測定演算部５０６は、インピーダンスに基づいて、導電膜３と電極部５０３との間の静電容量を算出し、突出面Ｆ２上の導電膜３が電極４と電気的に接続されているか否かを判断する。例えば、突出面Ｆ２上の導電膜３が電極４と電気的に接続されている場合、導電膜３と電極部５０３との間の静電容量は、Ｃ１となる。例えば、突出面Ｆ２上の導電膜３が側面Ｆ３において電極４と電気的に切断されている場合、導電膜３と電極部５０３との間の静電容量は、Ｃ２（Ｃ２＜Ｃ１）となる。測定演算部５０６は、静電容量Ｃ１とＣ２との差に基づいて、突出面Ｆ２上の導電膜３が電極４に電気的に接続されているか否かを判断することができる。測定演算部５０６は、例えば、ＣＰＵまたはコンピュータ等でよい。

【0086】

このインピーダンス測定は、図７～図９の工程のいずれかにおいて実行すればよい。例えば、図７のテンプレート用基板１の突出面Ｆ２上の導電膜３上にレジスト膜１０２を形成し、図９に示すように、リソグラフィ技術（ＮＩＬ法、電圧選択描画法、フォトリソグラフィ法）を用いてレジスト膜１０２をパターニングする。次に、本実施形態によるリソグラフィ測定を実行し、その後、図１０に示すように、ＥＢキュアを行う。これにより、突出面Ｆ２上の導電膜３が電極４に接続されていることを確認した後に、ＥＢキュアを行うことができる。その結果、突出面Ｆ２上の導電膜３に電荷が蓄積することを抑制し、テンプレート用基板１が損傷することを抑制することができる。突出面Ｆ２上の導電膜３が電極４から電気的に切断されている場合には、ＥＢキュアを行わないという判断もできる。

【0087】

その後、図１１～図２０を参照して説明した工程を経て、テンプレート１０が完成する。尚、本実施形態において、交流電源を用いている。しかし、直流電源を用いて導電膜３と電極部５０３との間の静電容量に定電流を流し、静電容量の充電時間および放電時間を計測してもよい。これにより、測定演算部５０６は、充電時間または放電時間の長さに基づいて、導電膜３と電極部５０３との間の静電容量を判断することができる。測定演算部５０６は、充電時間または放電時間の長さに基づいて、突出面Ｆ２上の導電膜３が電極４に電気的に接続されているか否かを直接判断してもよい。

【0088】

上記実施形態のうち任意に選択した２つ以上の実施形態を組み合わせてもよい。

【0089】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

【符号の説明】

【0090】

１ テンプレート用基板、２ 基板、３ 導電膜、Ｆ１ 主面、Ｆ２ 突出面、Ｆ３ 側面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】

【図32】

【図33】

【図34】

【図35】