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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022146048
(43)【公開日】2022-10-05
(54)【発明の名称】半導体記憶装置および放熱用部品
(51)【国際特許分類】
H01L 23/36 20060101AFI20220928BHJP
H05K 7/20 20060101ALI20220928BHJP
【ＦＩ】
H01L23/36 D
H01L23/36 Z
H05K7/20 F
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021046831
(22)【出願日】2021-03-22
(71)【出願人】
【識別番号】318010018
【氏名又は名称】キオクシア株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001634
【氏名又は名称】弁理士法人志賀国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】長澤 和也
(72)【発明者】
【氏名】森田 伴明
(72)【発明者】
【氏名】船山 貴久
(72)【発明者】
【氏名】石井 憲弘
(72)【発明者】
【氏名】田中 秀典
【テーマコード（参考）】
5E322
5F136
【Ｆターム（参考）】
5E322AA01
5E322AA03
5E322AA11
5E322AB01
5E322AB02
5E322AB04
5E322AB11
5E322BA01
5E322FA04
5F136BB18
5F136BC03
5F136EA13
5F136FA32
5F136FA33
5F136FA51
5F136FA55
5F136FA82
(57)【要約】
【課題】放熱性の向上を図ることができる半導体記憶装置および放熱用部品を提供することである。
【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、基板と、発熱部品と、電子部品と、第１部材と、第２部材とを持つ。前記発熱部品は、前記基板に実装されている。前記電子部品の少なくとも一部は、前記基板の厚さ方向で、前記基板および前記発熱部品のうち少なくとも一方と少なくとも一部が重なって位置する。前記第１部材は、前記基板の厚さ方向で、前記基板および前記発熱部品のうち少なくとも一方と前記電子部品との間に位置した第１部分を含み、第１熱伝導率を持つ材料で形成されている。前記第２部材は、前記第１部材と前記電子部品との間に位置した部分を含み、前記第１熱伝導率よりも小さい第２熱伝導率を持つ材料で形成されている。
【選択図】図４
【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、基板と、発熱部品と、電子部品と、第１部材と、第２部材とを持つ。前記発熱部品は、前記基板に実装されている。前記電子部品の少なくとも一部は、前記基板の厚さ方向で、前記基板および前記発熱部品のうち少なくとも一方と少なくとも一部が重なって位置する。前記第１部材は、前記基板の厚さ方向で、前記基板および前記発熱部品のうち少なくとも一方と前記電子部品との間に位置した第１部分を含み、第１熱伝導率を持つ材料で形成されている。前記第２部材は、前記第１部材と前記電子部品との間に位置した部分を含み、前記第１熱伝導率よりも小さい第２熱伝導率を持つ材料で形成されている。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板に実装された発熱部品と、
前記基板に実装され、前記基板の厚さ方向で前記基板および前記発熱部品のうち少なくとも一方と少なくとも一部が重なって位置した電子部品と、
前記基板の厚さ方向で前記基板および前記発熱部品のうち少なくとも一方と前記電子部品との間に位置した第１部分を含み、第１熱伝導率を持つ材料で形成された第１部材と、
前記基板の厚さ方向で前記第１部材と前記電子部品との間に位置した部分を含み、前記第１熱伝導率よりも小さい第２熱伝導率を持つ材料で形成された第２部材と、
を備えた半導体記憶装置。
前記基板に実装された発熱部品と、
前記基板に実装され、前記基板の厚さ方向で前記基板および前記発熱部品のうち少なくとも一方と少なくとも一部が重なって位置した電子部品と、
前記基板の厚さ方向で前記基板および前記発熱部品のうち少なくとも一方と前記電子部品との間に位置した第１部分を含み、第１熱伝導率を持つ材料で形成された第１部材と、
前記基板の厚さ方向で前記第１部材と前記電子部品との間に位置した部分を含み、前記第１熱伝導率よりも小さい第２熱伝導率を持つ材料で形成された第２部材と、
を備えた半導体記憶装置。
【請求項2】
前記第１部材の前記第１部分は、前記基板の厚さ方向で前記発熱部品と前記電子部品との間に位置する、
請求項１に記載の半導体記憶装置。
請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項3】
前記第１部材の前記第１部分は、直接または第１熱伝導部材を介して前記発熱部品と接続されている、
請求項２に記載の半導体記憶装置。
請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項4】
前記第１部材の前記第１部分は、前記発熱部品の表面に面する第１平面部を有し、当該第１平面部が直接または前記第１熱伝導部材を介して前記発熱部品と接続されている、
請求項３に記載の半導体記憶装置。
請求項３に記載の半導体記憶装置。
【請求項5】
前記発熱部品の前記表面と平行な方向における前記第１平面部の幅は、前記方向における前記電子部品の幅よりも大きい、
請求項４に記載の半導体記憶装置。
請求項４に記載の半導体記憶装置。
【請求項6】
前記第１部材は、前記基板の厚さ方向で前記電子部品に対して前記第１部分とは反対側に位置する第２部分を含む、
請求項１から請求項５のうちいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
請求項１から請求項５のうちいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項7】
筐体をさらに備え、
前記基板は、前記筐体の中に収容され、
前記第１部材の前記第２部分は、直接または第２熱伝導部材を介して前記筐体と接続されている、
請求項６に記載の半導体記憶装置。
前記基板は、前記筐体の中に収容され、
前記第１部材の前記第２部分は、直接または第２熱伝導部材を介して前記筐体と接続されている、
請求項６に記載の半導体記憶装置。
【請求項8】
前記第１部材の前記第２部分は、前記筐体の内面に面する第２平面部を有し、当該第２平面部が直接または前記第２熱伝導部材を介して前記筐体と接続されている、
請求項７に記載の半導体記憶装置。
請求項７に記載の半導体記憶装置。
【請求項9】
前記第１部材の前記第１部分は、前記基板の厚さ方向で前記発熱部品と前記電子部品との間に位置し、
前記第１部材は、前記基板の厚さ方向で前記発熱部品とは重ならない領域で直接または第３熱伝導部材を介して前記基板と接続された第１放熱部をさらに含む、
請求項１から請求項８のうちいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
前記第１部材は、前記基板の厚さ方向で前記発熱部品とは重ならない領域で直接または第３熱伝導部材を介して前記基板と接続された第１放熱部をさらに含む、
請求項１から請求項８のうちいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項10】
前記第１放熱部は、半田により前記基板に固定されている、
請求項９に記載の半導体記憶装置。
請求項９に記載の半導体記憶装置。
【請求項11】
前記基板は、第１固定穴を有し、
前記第１放熱部の少なくとも一部は、前記第１固定穴に挿入されている、
請求項１０に記載の半導体記憶装置。
前記第１放熱部の少なくとも一部は、前記第１固定穴に挿入されている、
請求項１０に記載の半導体記憶装置。
【請求項12】
前記基板は、グラウンド層を有し、
前記第１放熱部は、前記グラウンド層と接続されている、
請求項１０または請求項１１に記載の半導体記憶装置。
前記第１放熱部は、前記グラウンド層と接続されている、
請求項１０または請求項１１に記載の半導体記憶装置。
【請求項13】
前記基板を収容する筐体と、
前記筐体と前記基板とを固定する固定部材と、をさらに備え、
前記第１部材は、前記基板の厚さ方向で前記発熱部品とは重ならない領域で直接または第４熱伝導部材を介して前記固定部材と接続された第１放熱部をさらに含む、
請求項６に記載の半導体記憶装置。
前記筐体と前記基板とを固定する固定部材と、をさらに備え、
前記第１部材は、前記基板の厚さ方向で前記発熱部品とは重ならない領域で直接または第４熱伝導部材を介して前記固定部材と接続された第１放熱部をさらに含む、
請求項６に記載の半導体記憶装置。
【請求項14】
前記電子部品は、部品本体と、前記部品本体から突出するとともに前記基板に向けて折り曲げられて前記基板と接続されたリードとを有し、
前記第１部材および前記第２部材のうち少なくとも一方は、前記基板に固定された支持部を有する、
請求項１から請求項８のうちいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
前記第１部材および前記第２部材のうち少なくとも一方は、前記基板に固定された支持部を有する、
請求項１から請求項８のうちいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項15】
前記基板は、第１固定穴と第２固定穴とを有し、
前記支持部は、固定部を有し、
前記固定部は、前記第１固定穴に挿入され、
前記固定部は、前記リードよりも太く、
前記リードは、前記第２固定穴に挿入される
請求項１４に記載の半導体記憶装置。
前記支持部は、固定部を有し、
前記固定部は、前記第１固定穴に挿入され、
前記固定部は、前記リードよりも太く、
前記リードは、前記第２固定穴に挿入される
請求項１４に記載の半導体記憶装置。
【請求項16】
前記支持部は、それぞれ前記基板に固定された第１支持部と第２支持部とを有し、
前記第１支持部および前記第２支持部は、前記リードが前記部品本体から突出する方向から見て前記リードの両側に分かれて配置されている、
請求項１４または請求項１５に記載の半導体記憶装置。
前記第１支持部および前記第２支持部は、前記リードが前記部品本体から突出する方向から見て前記リードの両側に分かれて配置されている、
請求項１４または請求項１５に記載の半導体記憶装置。
【請求項17】
前記電子部品は、コンデンサであり、
前記コンデンサは、円柱状の部品本体を含み、
前記第２部材の少なくとも一部は、前記部品本体の外形に沿う円弧状または環状であり、
前記第１部材の少なくとも一部は、前記第２部材の外形に沿う円弧状または環状である、
請求項１から請求項１６のうちいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
前記コンデンサは、円柱状の部品本体を含み、
前記第２部材の少なくとも一部は、前記部品本体の外形に沿う円弧状または環状であり、
前記第１部材の少なくとも一部は、前記第２部材の外形に沿う円弧状または環状である、
請求項１から請求項１６のうちいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項18】
前記基板の厚さ方向と直交する方向で前記電子部品と並んで配置された第２電子部品をさらに備え、
前記第１部材は、前記電子部品の少なくとも一部を収容する第１収容部と、前記第２電子部品の少なくとも一部を収容する第２収容部とを有する、
請求項１から請求項１７のうちいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
前記第１部材は、前記電子部品の少なくとも一部を収容する第１収容部と、前記第２電子部品の少なくとも一部を収容する第２収容部とを有する、
請求項１から請求項１７のうちいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項19】
前記第１部材は、前記基板の厚さ方向と直交する方向で前記第１収容部と前記第２収容部との間の領域に通気孔を有する、
請求項１８に記載の半導体記憶装置。
請求項１８に記載の半導体記憶装置。
【請求項20】
円筒状または円弧状に形成されて電子部品が収容される収容部を有し、第１熱伝導率を持つ材料で形成された第１部材と、
前記収容部の内側に配置され、前記収容部に前記電子部品が収容された場合に前記電子部品と前記第１部材との間に位置する部分を含み、前記第１熱伝導率よりも小さい第２熱伝導率を持つ材料で形成された第２部材と、
前記第１部材から延びる支持部と、
を備え、
前記支持部は、前記収容部に前記電子部品を挿入可能な第１方向に延びた第１部分と、
前記第１部分の一端から前記第１方向とは直交する第２方向に延びる第２部分と、
前記第２部分の一端から前記第２方向に延び、前記第２部よりも細い第３部分と、を含む、
放熱用部品。
前記収容部の内側に配置され、前記収容部に前記電子部品が収容された場合に前記電子部品と前記第１部材との間に位置する部分を含み、前記第１熱伝導率よりも小さい第２熱伝導率を持つ材料で形成された第２部材と、
前記第１部材から延びる支持部と、
を備え、
前記支持部は、前記収容部に前記電子部品を挿入可能な第１方向に延びた第１部分と、
前記第１部分の一端から前記第１方向とは直交する第２方向に延びる第２部分と、
前記第２部分の一端から前記第２方向に延び、前記第２部よりも細い第３部分と、を含む、
放熱用部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、半導体記憶装置および放熱用部品に関する。
【背景技術】
【0002】
基板と、基板に実装された発熱部品と、基板に実装された電子部品とを備えた半導体記憶装置が知られている。半導体記憶装置は、放熱性の向上が期待されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開平６－６１１０８号公報
【特許文献2】特許第６６５８９１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の実施形態は、放熱性の向上を図ることができる半導体記憶装置および放熱用部品を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態の半導体記憶装置は、基板と、発熱部品と、電子部品と、第１部材と、第２部材とを持つ。前記発熱部品は、前記基板に実装されている。前記電子部品の少なくとも一部は、前記基板の厚さ方向で、前記基板および前記発熱部品のうち少なくとも一方と少なくとも一部が重なって位置する。前記第１部材は、前記基板の厚さ方向で、前記基板および前記発熱部品のうち少なくとも一方と前記電子部品との間に位置した第１部分を含み、第１熱伝導率を持つ材料で形成されている。前記第２部材は、前記第１部材と前記電子部品との間に位置した部分を含み、前記第１熱伝導率よりも小さい第２熱伝導率を持つ材料で形成されている。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【図1】第１実施形態の半導体記憶装置を示す斜視図。
【図2】第１実施形態の半導体記憶装置を一部分解して示す斜視図。
【図3】第１実施形態の放熱キャップに関連する構造を一部分解して示す斜視図。
【図4】第１実施形態の半導体記憶装置を示す断面図。
【図5】第１実施形態の放熱キャップの取り付け方法の一例を示す断面図。
【図6】第１実施形態の第１変形例の半導体記憶装置を示す断面図。
【図7】第１実施形態の第２変形例の半導体記憶装置を示す断面図。
【図8】第１実施形態の第３変形例の半導体記憶装置を示す断面図。
【図9】第１実施形態の第４変形例の半導体記憶装置を示す断面図。
【図10】第１実施形態の第４変形例の半導体記憶装置を示す断面図。
【図11】第１実施形態の第５変形例の半導体記憶装置を示す断面図。
【図12】第２実施形態の半導体記憶装置を示す断面図。
【図13】第２実施形態の半導体記憶装置を別の方向から見た断面図。
【図14】第２実施形態の変形例の半導体記憶装置を示す断面図。
【図15】第３実施形態の半導体記憶装置を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、実施形態の半導体記憶装置および放熱用部品を、図面を参照して説明する。以下の説明では、同一または類似の機能を有する構成に同一の符号を付す。そして、それら構成の重複する説明は省略する場合がある。本出願で「重なる」とは、２つの対象物の仮想的な投影像同士が重なることを意味し、２つの対象物が直接に接しない場合も含み得る。本出願で「平行」、「直交」、または「同一」とは、それぞれ「略平行」、「略直交」、または「略同一」である場合も含み得る。本出願で「接続」とは、機械的な接続に限定されず、電気的な接続である場合も含み得る。すなわち「接続」とは、対象物と直接に接続された場合に限定されず、別の要素を間に介在させて接続される場合も含み得る。また、本出願で「接続」とは、互いに連結された場合に限定されず、接しているだけの場合も含み得る。
【0008】
ここで先に、＋Ｘ方向、－Ｘ方向、＋Ｙ方向、－Ｙ方向、＋Ｚ方向、および－Ｚ方向について定義する。＋Ｘ方向、－Ｘ方向、＋Ｙ方向、および－Ｙ方向は、後述する基板２１の第１面２１ａ（図２参照）と平行な方向である。＋Ｘ方向は、後述する筐体１０の第１端部１０ａから第２端部１０ｂに向かう方向である（図１参照）。－Ｘ方向は、＋Ｘ方向とは反対の方向である。＋Ｘ方向と－Ｘ方向とを区別しない場合は、単に「Ｘ方向」と称する。＋Ｙ方向および－Ｙ方向は、Ｘ方向とは交差する（例えば直交する）方向である。＋Ｙ方向は、後述する筐体１０の第３端部１０ｃから第４端部１０ｄに向かう方向である（図１参照）。－Ｙ方向は、＋Ｙ方向とは反対の方向である。＋Ｙ方向と－Ｙ方向とを区別しない場合は、単に「Ｙ方向」と称する。＋Ｚ方向および－Ｚ方向は、Ｘ方向およびＹ方向とは交差する（例えば直交する）方向であり、後述する基板２１の厚さ方向である。＋Ｚ方向は、基板２１から後述する筐体１０の第２主壁１５に向かう方向である（図２参照）。－Ｚ方向は、＋Ｚ方向とは反対の方向である。＋Ｚ方向と－Ｚ方向とを区別しない場合は、単に「Ｚ方向」と称する。
【0009】
（第１実施形態）
＜１．半導体記憶装置の全体構成＞
図１から図５を参照し、第１実施形態の半導体記憶装置１について説明する。半導体記憶装置１は、例えばＳＳＤ（Solid State Drive）のような記憶装置である。半導体記憶装置１は、例えば、サーバやパーソナルコンピュータなどの情報処理装置に取り付けられ、情報処理装置の記憶領域として利用される。本出願では、半導体記憶装置１が取り付けられる情報処理装置を「ホスト装置」と称する。
＜１．半導体記憶装置の全体構成＞
図１から図５を参照し、第１実施形態の半導体記憶装置１について説明する。半導体記憶装置１は、例えばＳＳＤ（Solid State Drive）のような記憶装置である。半導体記憶装置１は、例えば、サーバやパーソナルコンピュータなどの情報処理装置に取り付けられ、情報処理装置の記憶領域として利用される。本出願では、半導体記憶装置１が取り付けられる情報処理装置を「ホスト装置」と称する。
【0010】
図１は、半導体記憶装置１を示す斜視図である。図２は、半導体記憶装置１を一部分解して示す斜視図である。図１および図２に示すように、半導体記憶装置１は、例えば、筐体１０、基板ユニット２０、支持フレーム３０、および複数の固定部材４０を有する。
【0011】
＜１．１ 筐体＞
図１に示すように、筐体１０は、例えば扁平な矩形箱状である。筐体１０は、例えば金属製である。筐体１０は、当該筐体１０の長手方向（Ｘ方向）に分かれた一対の端部として、第１端部１０ａと、第２端部１０ｂとを有する。第２端部１０ｂは、第１端部１０ａとは反対側の端部である。第１端部１０ａには、後述する基板ユニット２０の外部接続コネクタ２２（図２参照）を筐体１０の外部に露出される開口（図示せず）が設けられている。一方で、筐体１０は、当該筐体１０の短手方向（Ｙ方向）に分かれた一対の端部として、第３端部１０ｃと、第４端部１０ｄとを有する。第４端部１０ｄは、第３端部１０ｃとは反対側の端部である。
図１に示すように、筐体１０は、例えば扁平な矩形箱状である。筐体１０は、例えば金属製である。筐体１０は、当該筐体１０の長手方向（Ｘ方向）に分かれた一対の端部として、第１端部１０ａと、第２端部１０ｂとを有する。第２端部１０ｂは、第１端部１０ａとは反対側の端部である。第１端部１０ａには、後述する基板ユニット２０の外部接続コネクタ２２（図２参照）を筐体１０の外部に露出される開口（図示せず）が設けられている。一方で、筐体１０は、当該筐体１０の短手方向（Ｙ方向）に分かれた一対の端部として、第３端部１０ｃと、第４端部１０ｄとを有する。第４端部１０ｄは、第３端部１０ｃとは反対側の端部である。
【0012】
図２に示すように、筐体１０は、ベース１１とカバー１２とを含み、ベース１１とカバー１２とが組み合わされることで形成されている。ベース１１は、例えば、第１主壁１４と、３つの側壁１１ｂ，１１ｃ，１１ｄとを含む。第１主壁１４は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う壁である。３つの側壁１１ｂ，１１ｃ，１１ｄは、それぞれ筐体１０の第２、第３、第４の端部１０ｂ，１０ｃ，１０ｄにおいて第１主壁１４から＋Ｚ方向に延びている。カバー１２は、第２主壁１５と、４つの側壁１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄとを有する。第２主壁１５は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う壁である。４つの側壁１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄは、それぞれ筐体１０の第１から第４の端部１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄにおいて第２主壁１５から－Ｚ方向に延びている。ベース１１は、「第１筐体部材」の一例である。カバー１２は、「第２筐体部材」の一例である。
【0013】
本実施形態では、筐体１０は、ベース１１とカバー１２とが組み合わされることで、第１から第４の側壁１６，１７，１８，１９を有する（図１参照）。第１側壁１６は、－Ｘ方向側の側壁であり、カバー１２の側壁１２ａにより形成されている。第２側壁１７は、＋Ｘ方向側の側壁であり、ベース１１の側壁１１ｂとカバー１２の側壁１２ｂとにより形成されている。第１側壁１６および第２側壁１７の各々は、Ｙ方向およびＺ方向に沿う壁である。第３側壁１８は、－Ｙ方向側の側壁であり、ベース１１の側壁１１ｃとカバー１２の側壁１２ｃとにより形成されている。第４側壁１９は、＋Ｙ方向側の側壁であり、ベース１１の側壁１１ｄとカバー１２の側壁１２ｄとにより形成されている。第３側壁１８および第４側壁１９の各々は、Ｘ方向およびＺ方向に沿う壁である。
【0014】
図２に示すように、筐体１０の第１側壁１６は、複数の第１通気孔１６ａを有する。同様に、筐体１０の第２側壁１７は、複数の第２通気孔１７ａを有する。第１通気孔１６ａおよび第２通気孔１７ａは、いずれが吸気孔として機能し、いずれが排気孔として機能してもよい。例えば、＋Ｘ方向に風が流れる設置環境に半導体記憶装置１が置かれる場合、筐体１０の外部の空気は第１通気孔１６ａから筐体１０の内部に流入し、第２通気孔１７ａから筐体１０の外部に排気される。一方で、－Ｘ方向に風が流れる設置環境に半導体記憶装置１が置かれる場合、筐体１０の外部の空気は第２通気孔１７ａから筐体１０の内部に流入し、第１通気孔１６ａから筐体１０の外部に排気される。
【0015】
ベース１１は、後述する基板２１が載置される複数の支持部１１ｓを有する。複数の支持部１１ｓは、筐体１０の４つの角部に対応して設けられている。各支持部１１ｓは、後述する固定部材４０が挿入されて固定される固定穴１１ｈを有する。カバー１２は、それぞれ固定部材４０が通される複数の挿通穴１２ｈを有する。挿通穴１２ｈは、固定穴１１ｈに対応する位置に設けられている。
【0016】
＜１．２ 基板ユニット＞
基板ユニット２０は、筐体１０のベース１１とカバー１２との間に位置し、筐体１０に収容されている。基板ユニット２０は、基板２１、外部接続コネクタ２２、コントローラ２３、複数のＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）２４、複数のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２５（以下では「ＮＡＮＤ２５」と称する）、複数のコンデンサ２６、および複数の放熱キャップ２７を有する。
基板ユニット２０は、筐体１０のベース１１とカバー１２との間に位置し、筐体１０に収容されている。基板ユニット２０は、基板２１、外部接続コネクタ２２、コントローラ２３、複数のＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）２４、複数のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２５（以下では「ＮＡＮＤ２５」と称する）、複数のコンデンサ２６、および複数の放熱キャップ２７を有する。
【0017】
基板２１は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う板状である。基板２１は、プリント配線板であり、絶縁基材と、当該絶縁基材に設けられた配線パターンとを有する。基板２１は、第１面２１ａと、第１面２１ａとは反対側に位置した第２面２１ｂとを有する。第１面２１ａは、－Ｚ方向に向いており、筐体１０の第１主壁１４の内面に面する。一方で、第２面２１ｂは、＋Ｚ方向に向いており、筐体１０の第２主壁１５の内面に面する。基板２１は、ベース１１に設けられた複数の支持部１１ｓの上に載置される。基板２１は、それぞれ固定部材４０が通される複数の挿通穴２１ｈを有する。挿通穴２１ｈは、ベース１１の支持部１１ｓの固定穴１１ｈに対応する位置に設けられている。
【0018】
外部接続コネクタ２２は、基板２１の－Ｘ方向側の端部に設けられている。外部接続コネクタ２２は、複数の金属端子を有する。外部接続コネクタ２２は、筐体１０の第１端部１０ａに設けられた開口（図示せず）を通じて筐体１０の外部に露出されている。外部接続コネクタ２２は、ホスト装置のコネクタと接続可能である。
【0019】
コントローラ２３は、例えば、基板２１の第１面２１ａに実装されている。コントローラ２３は、半導体記憶装置１の全体を統括的に制御する。コントローラ２３は、例えば、ホスト装置に対するホストインターフェース回路、複数のＤＲＡＭ２４を制御する制御回路、および複数のＮＡＮＤ２５を制御する制御回路などが１つの半導体チップに集積されたＳｏＣ（System on a Chip）を含む半導体パッケージである。コントローラ２３は、不図示の熱接続部材を介して、筐体１０の第１主壁１４に接続されている。これにより、コントローラ２３で発生する熱の一部は、筐体１０の第１主壁１４に移動し、筐体１０の第１主壁１４から筐体１０の外部に放散される。
【0020】
ＤＲＡＭ２４は、例えば、基板２１の第２面２１ｂに実装されている。ＤＲＡＭ２４は、揮発性の半導体メモリチップを含む半導体パッケージである。ＤＲＡＭ２４は、ホスト装置から受信した書き込み対象データ、およびＮＡＮＤ２５から読み出された読み出し対象データなどが一時的に格納されるデータバッファである。ただし、半導体記憶装置１は、ＤＲＡＭ２４を有しなくてもよい。
【0021】
ＮＡＮＤ２５は、例えば、基板２１の第２面２１ｂに実装されている。複数のＮＡＮＤ２５は、Ｘ方向およびＹ方向に並べて配置されている。ＮＡＮＤ２５は、不揮発性の半導体メモリチップを含む半導体パッケージである。ＮＡＮＤ２５は、「半導体メモリ部品」の一例である。ＮＡＮＤ２５は、動作時に発熱する部品であり、「発熱部品」の一例である。ただし、「発熱部品」は、ＮＡＮＤ２５に限定されず、コントローラ２３、ＤＲＡＭ２４、または別の部品が該当してもよい。
【0022】
コンデンサ２６は、例えば、基板２１の第２面２１ｂに実装されている。コンデンサ２６は、予期せぬ電力遮断時のデータ保護を目的とする電源バックアップ機能を担う。例えば、コンデンサ２６は、ホスト装置からの電力供給が予期せず遮断された場合、コントローラ２３、複数のＤＲＡＭ２４、および複数のＮＡＮＤ２５などに対して電力を一定時間にわたり供給する。コンデンサ２６は、例えば電解コンデンサである。さらに言えば、コンデンサ２６は、例えばアルミ電解コンデンサである。ただし、コンデンサ２６は、上記例に限定されない。コンデンサ２６は、「電子部品」の一例である。
【0023】
放熱キャップ２７は、コンデンサ２６に取り付けられている。放熱キャップ２７は、「放熱用部品」の一例である。本出願で「放熱用部品」とは、ヒートシンクのような熱放散機能を持つ部品に限定されず、ある部品の熱を別の部品に伝える熱伝導用の部品も該当し得る。本実施形態では、放熱キャップ２７は、ＮＡＮＤ２５で発生する熱の一部を筐体１０の第２主壁１５に伝える機能を持つ。放熱キャップ２７については、詳しく後述する。
【0024】
＜１．３ 支持フレーム＞
支持フレーム３０は、基板２１とカバー１２との間に位置する。支持フレーム３０は、基板２１とカバー１２との間の隙間を埋めるスペーサである。支持フレーム３０は、例えば、基板２１の外周に沿う枠状である。支持フレーム３０は、基板２１の第２面２１ｂの上に載置される。支持フレーム３０は、それぞれ固定部材４０が通される複数の挿通穴３０ｈを有する。挿通穴３０ｈは、ベース１１の支持部１１ｓの固定穴１１ｈに対応する位置に設けられている。なお、支持フレーム３０は、省略されてもよい。この場合、カバー１２、基板２１、およびベース１１が固定部材４０によって共締めされることで一体に固定されてもよい。
支持フレーム３０は、基板２１とカバー１２との間に位置する。支持フレーム３０は、基板２１とカバー１２との間の隙間を埋めるスペーサである。支持フレーム３０は、例えば、基板２１の外周に沿う枠状である。支持フレーム３０は、基板２１の第２面２１ｂの上に載置される。支持フレーム３０は、それぞれ固定部材４０が通される複数の挿通穴３０ｈを有する。挿通穴３０ｈは、ベース１１の支持部１１ｓの固定穴１１ｈに対応する位置に設けられている。なお、支持フレーム３０は、省略されてもよい。この場合、カバー１２、基板２１、およびベース１１が固定部材４０によって共締めされることで一体に固定されてもよい。
【0025】
＜１．４ 固定部材＞
固定部材４０は、カバー１２の挿通穴１２ｈ、支持フレーム３０の挿通穴３０ｈ、基板２１の挿通穴２１ｈ、およびベース１１の固定穴１１ｈに挿入され、カバー１２、支持フレーム３０、基板２１、およびベース１１を一体に固定する。固定部材４０は、ねじでもよいし、ピンのような嵌合部材でもよい。ただし、本出願でいう「固定部材」は、上記例に限定されない。固定部材４０は、ベース１１とカバー１２とを固定する固定部材に限定されず、ベース１１とカバー１２とのうちいずれか一方のみと基板２１とを固定する固定部材でもよい。
固定部材４０は、カバー１２の挿通穴１２ｈ、支持フレーム３０の挿通穴３０ｈ、基板２１の挿通穴２１ｈ、およびベース１１の固定穴１１ｈに挿入され、カバー１２、支持フレーム３０、基板２１、およびベース１１を一体に固定する。固定部材４０は、ねじでもよいし、ピンのような嵌合部材でもよい。ただし、本出願でいう「固定部材」は、上記例に限定されない。固定部材４０は、ベース１１とカバー１２とを固定する固定部材に限定されず、ベース１１とカバー１２とのうちいずれか一方のみと基板２１とを固定する固定部材でもよい。
【0026】
＜２．放熱キャップ＞
＜２．１ 放熱キャップの設置場所の周辺構造＞
次に、放熱キャップ２７について説明する。
図３は、放熱キャップ２７に関連する構造を一部分解して示す斜視図である。図４は、本実施形態の半導体記憶装置１を示す断面図である。図３および図４は、例えば、基板２１の＋Ｘ方向側の端部に位置する放熱キャップ２７に関連する構造を示す。図３および図４は、説明の便宜上、１つのＮＡＮＤ２５上に１つのコンデンサ２６および１つの放熱キャップ２７が配置された場合を示す。ただし、図２に示すように、１つのＮＡＮＤ２５上に複数のコンデンサ２６および複数の放熱キャップ２７が配置されてもよい。
＜２．１ 放熱キャップの設置場所の周辺構造＞
次に、放熱キャップ２７について説明する。
図３は、放熱キャップ２７に関連する構造を一部分解して示す斜視図である。図４は、本実施形態の半導体記憶装置１を示す断面図である。図３および図４は、例えば、基板２１の＋Ｘ方向側の端部に位置する放熱キャップ２７に関連する構造を示す。図３および図４は、説明の便宜上、１つのＮＡＮＤ２５上に１つのコンデンサ２６および１つの放熱キャップ２７が配置された場合を示す。ただし、図２に示すように、１つのＮＡＮＤ２５上に複数のコンデンサ２６および複数の放熱キャップ２７が配置されてもよい。
【0027】
図３に示すように、基板２１は、コンデンサ２６が固定される一対の第２固定穴５１と、放熱キャップ２７が固定される一対の第１固定穴５２とを有する。第１固定穴５２の直径は、第２固定穴５１の直径よりも大きい。第２固定穴５１および第１固定穴５２は、例えば、基板２１に設けられたスルーホールである。第２固定穴５１および第１固定穴５２の内周面には、例えばめっき処理により形成された導電層５５が設けられている。基板２１の第１面２１ａおよび第２面２１ｂにおいて、第２固定穴５１および第１固定穴５２の周囲には、めっき処理により形成されたランド５６が設けられている。第１固定穴５２の周囲に設けられたランド５６は、例えば、基板２１のグラウンド層５７（図４参照）に接続されている。グラウンド層５７は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う面状の導電層であり、基板２１の内部で比較的広い面積を持つ。
【0028】
コンデンサ２６は、コンデンサ本体６１と、一対のリード６２とを有する。コンデンサ本体６１は、中心軸ＣＬがＸ方向に沿う円柱状である。コンデンサ本体６１は、「部品本体」の一例である。リード６２は、基板２１と接続される。リード６２は、「接続部」の一例である。リード６２は、コンデンサ本体６１の端部から＋Ｘ方向に突出するとともに、－Ｚ方向に折り曲げられている。すなわち、コンデンサ２６は、基板２１からの実装高さを低くするために、リード６２が折り曲げられ、コンデンサ本体６１がＸ方向に沿うように、基板２１に実装される。
【0029】
図４に示すように、コンデンサ本体６１は、ＮＡＮＤ２５に対して、基板２１とは反対側に配置されている。コンデンサ本体６１の少なくとも一部は、Ｚ方向で、ＮＡＮＤ２５と重なって位置する。本実施形態では、コンデンサ本体６１の少なくとも一部は、Ｚ方向で、ＮＡＮＤ２５と筐体１０の第２主壁１５の内面との間に位置する。本実施形態では、コンデンサ本体６１の全体がＮＡＮＤ２５と筐体１０の第２主壁１５の内面との間に位置する。これに代えて、コンデンサ本体６１の一部のみがＮＡＮＤ２５と筐体１０の第２主壁１５の内面との間に位置してもよい。コンデンサ本体６１のＺ方向の厚さＴ１（例えば最大厚さ）は、ＮＡＮＤ２５のＺ方向の厚さＴ２（例えば最大厚さ）よりも大きい。
【0030】
リード６２は、コンデンサ本体６１の端部から＋Ｘ方向に突出し、Ｚ方向でＮＡＮＤ２５と重ならない位置まで延びている。リード６２は、Ｚ方向でＮＡＮＤ２５と重ならない位置で基板２１に向けて折り曲げられ、基板２１の第２固定穴５１に挿入されている。リード６２は、基板２１の第１面２１ａおよび第２面２１ｂのランド５６に供給される半田Ｓによって基板２１に固定されている。
【0031】
＜２．２ 放熱キャップの構造＞
図４に示すように、放熱キャップ２７は、コンデンサ２６に取り付けられる。放熱キャップ２７は、外層部材７１と、内層部材７２とを有する。例えば、放熱キャップ２７は、外層部材７１と内層部材７２とからなる２層構造を持つ。外層部材７１は、「第１部材」の一例である。内層部材７２は、「第２部材」の一例である。
図４に示すように、放熱キャップ２７は、コンデンサ２６に取り付けられる。放熱キャップ２７は、外層部材７１と、内層部材７２とを有する。例えば、放熱キャップ２７は、外層部材７１と内層部材７２とからなる２層構造を持つ。外層部材７１は、「第１部材」の一例である。内層部材７２は、「第２部材」の一例である。
【0032】
＜２．２．１ 外層部材＞
外層部材７１は、ＮＡＮＤ２５の放熱促進の機能を担う部分である。本実施形態では、外層部材７１は、コンデンサ２６の耐衝撃性向上の機能を担う部分でもある。外層部材７１は、熱伝導性が比較的大きい第１熱伝導率を持つ材料により形成されている。例えば、外層部材７１は、銅またはアルミニウムのような金属材料により形成されている。これに代えて、外層部材７１は、導電性フィラー（例えば金属フィラー）を含む樹脂材料などにより形成されてもよい。外層部材７１は、例えば、環状部７５と、支持部７６とを有する。
外層部材７１は、ＮＡＮＤ２５の放熱促進の機能を担う部分である。本実施形態では、外層部材７１は、コンデンサ２６の耐衝撃性向上の機能を担う部分でもある。外層部材７１は、熱伝導性が比較的大きい第１熱伝導率を持つ材料により形成されている。例えば、外層部材７１は、銅またはアルミニウムのような金属材料により形成されている。これに代えて、外層部材７１は、導電性フィラー（例えば金属フィラー）を含む樹脂材料などにより形成されてもよい。外層部材７１は、例えば、環状部７５と、支持部７６とを有する。
【0033】
環状部７５は、例えば、コンデンサ本体６１の外形に沿う円環状である。環状部７５は、コンデンサ本体６１の周面を外周側から囲う。言い換えると、環状部７５の内部に、コンデンサ本体６１および後述する内層部材７２が収容される収容部Ｃが形成されている。コンデンサ本体６１の中心軸ＣＬに沿う方向（Ｘ方向）における環状部７５の長さＬ１は、Ｘ方向におけるコンデンサ本体６１の長さＬ２の半分以上である。図４は、環状部７５の長さＬ１と、コンデンサ本体６１の長さＬ２とが同一である場合を図示する。
【0034】
環状部７５は、第１部分７５ａ、第２部分７５ｂ、および第３部分７５ｃを含む。ただし、これら第１から第３部分７５ａ，７５ｂ，７５ｃは、説明の便宜の区分であり、互いの間に物理的な境界が存在しなくてもよい。本実施形態では、第１部分７５ａ、第２部分７５ｂ、および第３部分７５ｃは、互いに一体に形成されている。
【0035】
第１部分７５ａは、Ｚ方向で、ＮＡＮＤ２５とコンデンサ本体６１との間に位置する。第１部分７５ａは、ＮＡＮＤ２５と接続されて、ＮＡＮＤ２５で発生する熱をＮＡＮＤ２５から受け取る受熱部である。本実施形態では、第１部分７５ａは、ＮＡＮＤ２５の表面に対して直接に接することでＮＡＮＤ２５に接続されている。これに代えて、第１部分７５ａは、当該第１部分７５ａとＮＡＮＤ２５との間に挟まれた熱伝導部材ＨＴ１（図３参照、例えば熱伝導性シート）を介してＮＡＮＤ２５と接続されてもよい。熱伝導部材ＨＴ１は、「第１熱伝導部材」の一例である。
【0036】
本実施形態では、第１部分７５ａは、Ｙ方向におけるコンデンサ本体６１の両側において、環状部７５の径方向の外側に向けて張り出す一対の張出部７５ａａを含む。これにより、第１部分７５ａは、ＮＡＮＤ２５の表面に面する平面部８１を有する。Ｙ方向は、ＮＡＮＤ２５の表面と平行な方向である。平面部８１は、例えば、ＮＡＮＤ２５の表面に対して平行に広がる。平面部８１は、直接（または熱伝導部材ＨＴ１を介して）ＮＡＮＤ２５と接続されている。本実施形態では、Ｙ方向における平面部８１の幅Ｗ１（例えば最大幅）は、Ｙ方向におけるコンデンサ２６の幅Ｗ２（例えば最大幅）よりも大きい。平面部８１は、「第１平面部」の一例である。
【0037】
第２部分７５ｂは、第１部分７５ａがＮＡＮＤ２５から受け取った熱を、放散または別部品に伝導させる放熱部である。第２部分７５ｂは、Ｚ方向で、コンデンサ２６の少なくとも一部に対して第１部分７５ａとは反対側に位置する。本実施形態では、第２部分７５ｂは、コンデンサ２６の一部よりも筐体１０の第２主壁１５の内面の近くに位置する。本実施形態では、第２部分７５ｂは、第１部分７５ａがＮＡＮＤ２５から受け取った熱の一部を筐体１０の第２主壁１５に伝導させる放熱部である。例えば、第２部分７５ｂは、当該第２部分７５ｂと筐体１０の第２主壁１５との間に挟まれた熱伝導部材ＨＴ２（例えば熱伝導性シート）を介して筐体１０の第２主壁１５の内面と接続されている。熱伝導部材ＨＴ２は、「第２熱伝導部材」の一例である。これに代えて、第２部分７５ｂは、熱伝導部材ＨＴ２を介さずに、筐体１０の第２主壁１５の内面に対して直接に接することで筐体１０の第２主壁１５と接続されてもよい。
【0038】
本実施形態では、第２部分７５ｂは、コンデンサ本体６１の外形に沿う円弧状に形成されている。熱伝導部材ＨＴ２は、第２部分７５ｂと筐体１０の第２主壁１５との間で変形可能な弾性または可撓性を有する。これにより、第２部分７５ｂと筐体１０の第２主壁１５との間の熱接続面積が増加されている。
【0039】
第３部分７５ｃは、第１部分７５ａと第２部分７５ｂとの間に設けられている。第３部分７５ｃは、第１部分７５ａがＮＡＮＤ２５から受け取った熱を、第２部分７５ｂに伝える熱伝導部である。本実施形態では、第３部分７５ｃは、コンデンサ本体６１の外形に沿う円弧状に形成されている。
【0040】
次に、外層部材７１の支持部７６について説明する。
支持部７６は、環状部７５から突出して基板２１に固定され、環状部７５を支持する。加えて、支持部７６は、基板２１に固定される（基板２１に接続される）ことで、ＮＡＮＤ２５から環状部７５に伝わる熱の一部を基板２１に伝える。支持部７６は、「放熱部」の一例である。本実施形態では、支持部７６は、リード６２がコンデンサ本体６１から突出する方向から見てコンデンサ２６の両側に分かれて設けられた第１支持部７６ａおよび第２支持部７６ｂを含む（図３参照）。第１支持部７６ａおよび第２支持部７６ｂの各々は、延伸部９１と、固定部９２とを含む。
支持部７６は、環状部７５から突出して基板２１に固定され、環状部７５を支持する。加えて、支持部７６は、基板２１に固定される（基板２１に接続される）ことで、ＮＡＮＤ２５から環状部７５に伝わる熱の一部を基板２１に伝える。支持部７６は、「放熱部」の一例である。本実施形態では、支持部７６は、リード６２がコンデンサ本体６１から突出する方向から見てコンデンサ２６の両側に分かれて設けられた第１支持部７６ａおよび第２支持部７６ｂを含む（図３参照）。第１支持部７６ａおよび第２支持部７６ｂの各々は、延伸部９１と、固定部９２とを含む。
【0041】
延伸部９１は、第１部分９１ａと、第２部分９１ｂとを有する。第１部分９１ａは、環状部７５の端部から＋Ｘ方向に突出し、Ｚ方向でＮＡＮＤ２５と重ならない位置まで＋Ｘ方向に延びている。第２部分９１ｂは、Ｚ方向でＮＡＮＤ２５と重ならない位置で第１部分９１ａの一端から－Ｚ方向に折れ曲がり、基板２１に向けて延びている。第２部分９１ｂの先端は、基板２１の第２面２１ｂに接している。延伸部９１は、基板２１と直接に接することで基板２１と接続されることに代えて、熱伝導部材ＨＴ３（図３参照）を間に挟んで基板２１と接続されてもよい。熱伝導部材ＨＴ３は、「第３熱伝導部材」の一例である。
【0042】
固定部９２は、延伸部９１の－Ｚ方向の端部（すなわち第２部分９１ｂの一端）に設けられている。固定部９２は、基板２１の第１固定穴５２に挿入されている。第１支持部７６ａおよび第２支持部７６ｂの各々は、基板２１の第１面２１ａおよび第２面２１ｂのランド５６に供給される半田Ｓによって、ランド５６に接続されて基板２１に固定される。本実施形態では、第１支持部７６ａおよび第２支持部７６ｂの各々は、ランド５６を介して基板２１のグラウンド層５７と接続されている。固定部９２は、例えば、リード６２よりも太い。なお、半田Ｓが設けられるランド５６は、基板２１の第１面２１ａおよび第２面２１ｂのうちいずれか一方のみに設けられてもよい。
【0043】
本実施形態では、固定部９２は、延伸部９１よりも細い。例えば、固定部９２は、延伸部９１の第２部分９１ｂよりも細い。これにより、延伸部９１の第２部分９１ｂと固定部９２との間には、段差部９３が形成されている。本実施形態では、段差部９３を基板２１の第２面２１ｂに当接させることで、放熱キャップ２７の取り付け時の高さ位置の位置合わせが行われる。固定部９２は、「第３部分」の一例である。
【0044】
本実施形態では、第１支持部７６ａおよび第２支持部７６ｂは、Ｙ方向において、コンデンサ２６のリード６２の両側に分かれて配置されている。これにより、第１支持部７６ａおよび第２支持部７６ｂによって、コンデンサ２６の両側に、コンデンサ２６を支持する支持構造が形成されている。
【0045】
＜２．２．２ 内層部材＞
次に、内層部材７２について説明する。
内層部材７２は、外層部材７１がＮＡＮＤ２５から受け取った熱がコンデンサ２６に伝導することを抑制する機能を担う部分である。本実施形態では、内層部材７２は、外層部材７１と合わせて用いられることで、コンデンサ２６の耐衝撃性向上の機能の一部を担う部分でもある。内層部材７２は、第２熱伝導率を持つ材料により形成されている。第２熱伝導率は、外層部材７１を形成する材料の熱伝導率（第１熱伝導率）よりも小さい。例えば、内層部材７２は、ウレタン樹脂のような樹脂材料により形成されている。
次に、内層部材７２について説明する。
内層部材７２は、外層部材７１がＮＡＮＤ２５から受け取った熱がコンデンサ２６に伝導することを抑制する機能を担う部分である。本実施形態では、内層部材７２は、外層部材７１と合わせて用いられることで、コンデンサ２６の耐衝撃性向上の機能の一部を担う部分でもある。内層部材７２は、第２熱伝導率を持つ材料により形成されている。第２熱伝導率は、外層部材７１を形成する材料の熱伝導率（第１熱伝導率）よりも小さい。例えば、内層部材７２は、ウレタン樹脂のような樹脂材料により形成されている。
【0046】
図４に示すように、内層部材７２は、例えば、コンデンサ本体６１の外形に沿う円環状である。内層部材７２は、外層部材７１の環状部７５とコンデンサ本体６１との間に設けられる。内層部材７２の一部は、Ｚ方向で、外層部材７１の環状部７５とコンデンサ本体６１との間に位置する。内層部材７２は、外層部材７１の環状部７５の内側において、コンデンサ本体６１の周面を外周側から囲う。すなわち本実施形態では、外層部材７１の環状部７５と、内層部材７２とにより二重の円環構造が形成されている。コンデンサ本体６１の中心軸ＣＬに沿う方向（Ｘ方向）における内層部材７２の長さＬ３は、例えば、Ｘ方向における外層部材７１の環状部７５の長さＬ１以上である。
【0047】
本実施形態では、内層部材７２の外径は、外層部材７１の環状部７５の内径と比べて、僅かに小さい。外層部材７１の環状部７５の内周面と、内層部材７２の外周面とは、隙間嵌めの関係にある。言い換えると、外層部材７１の環状部７５の内周面と、内層部材７２の外周面との間には、微小な隙間が設けられている。このため、内層部材７２と外層部材７１とは、互いに着脱可能であり、コンデンサ２６に対して別々に取り付け可能である。これに代えて、内層部材７２と外層部材７１とは、中間嵌め、または締まり嵌めの関係を有し、一体に構成されてもよい。
【0048】
＜２．３ 放熱キャップの取り付け方法＞
図５は、放熱キャップ２７の取り付け方法の一例を示す図である。
本実施形態では、コンデンサ２６が基板２１に取り付けられる前に、放熱キャップ２７がコンデンサ２６に取り付けられる。詳しく述べると、まず、内層部材７２がコンデンサ２６に対して取り付けられる（図５中の（ａ）参照）。すなわち、内層部材７２の内側にコンデンサ本体６１が挿入される。
図５は、放熱キャップ２７の取り付け方法の一例を示す図である。
本実施形態では、コンデンサ２６が基板２１に取り付けられる前に、放熱キャップ２７がコンデンサ２６に取り付けられる。詳しく述べると、まず、内層部材７２がコンデンサ２６に対して取り付けられる（図５中の（ａ）参照）。すなわち、内層部材７２の内側にコンデンサ本体６１が挿入される。
【0049】
次に、外層部材７１が内層部材７２に対して取り付けられる（図５中の（ｂ）参照）。すなわち、外層部材７１の環状部７５の内側に内層部材７２およびコンデンサ本体６１が挿入される。これにより、２層構造の放熱キャップ２７の内側にコンデンサ本体６１が収容された状態になる（図５中の（ｃ）参照）。
【0050】
次に、コンデンサ２６および放熱キャップ２７が一体として、基板２１に取り付けられる（図５中の（ｄ）参照）。すなわち、放熱キャップ２７がＮＡＮＤ２５の上に載置され、コンデンサ２６のリード６２が基板２１の第２固定穴５１に挿入され、放熱キャップ２７の支持部７６の固定部９２が基板２１の第１固定穴５２に挿入される。最後に、基板２１の第１面２１ａおよび第２面２１ｂにおいて第２固定穴５１および第１固定穴５２の周囲に半田Ｓが供給され、コンデンサ２６のリード６２と基板２１とが半田Ｓにより固定されるとともに、放熱キャップ２７の支持部７６と基板２１とが半田Ｓにより固定される。
【0051】
＜３．作用＞
＜３．１ 放熱に関する作用＞
図４に示すように、放熱キャップ２７の外層部材７１がＮＡＮＤ２５と接続されていると、ＮＡＮＤ２５で発生した熱の一部は、ＮＡＮＤ２５から外層部材７１に伝わる。ＮＡＮＤ２５から外層部材７１に伝わった熱の一部は、外層部材７１が熱伝導部材ＨＴ２を介して筐体１０の第２主壁１５と接続されているため、外層部材７１から筐体１０に移動し、筐体１０の表面から筐体１０の外部に放散される。これにより、ＮＡＮＤ２５の放熱が促進される。
＜３．１ 放熱に関する作用＞
図４に示すように、放熱キャップ２７の外層部材７１がＮＡＮＤ２５と接続されていると、ＮＡＮＤ２５で発生した熱の一部は、ＮＡＮＤ２５から外層部材７１に伝わる。ＮＡＮＤ２５から外層部材７１に伝わった熱の一部は、外層部材７１が熱伝導部材ＨＴ２を介して筐体１０の第２主壁１５と接続されているため、外層部材７１から筐体１０に移動し、筐体１０の表面から筐体１０の外部に放散される。これにより、ＮＡＮＤ２５の放熱が促進される。
【0052】
さらに本実施形態では、ＮＡＮＤ２５から外層部材７１に伝わった熱の別の一部は、外層部材７１の支持部７６から基板２１に伝わり、基板２１の表面から筐体１０の内部空間に放散される。これにより、ＮＡＮＤ２５の放熱が促進される。例えば、外層部材７１の支持部７６が基板２１のグラウンド層５７に接続されていると、ＮＡＮＤ２５から外層部材７１に伝わった熱の一部は、グラウンド層５７を通じて基板２１の内部で広範囲に拡散される。この場合、外層部材７１の支持部７６から基板２１に伝わる熱は、基板２１のより多くの領域から筐体１０の内部空間に放散される。
【0053】
＜３．２ 耐衝撃性に関する作用＞
図４に示すように、コンデンサ本体６１は、ＮＡＮＤ２５の上に載置された放熱キャップ２７によって支持されている。これにより、半導体記憶装置１に衝撃が作用した場合でもコンデンサ本体６１が大きく動くことが規制され、リード６２と基板２１との接続部に大きな力が作用しにくい。このため、耐衝撃性が向上する。また別の観点では、コンデンサ本体６１は、基板２１に固定された支持部７６を有した放熱キャップ２７によって支持されている。これにより、半導体記憶装置１に衝撃が作用した場合でもコンデンサ本体６１が大きく動くことが規制され、リード６２と基板２１との接続部に大きな力が作用しにくい。このため、耐衝撃性が向上する。
図４に示すように、コンデンサ本体６１は、ＮＡＮＤ２５の上に載置された放熱キャップ２７によって支持されている。これにより、半導体記憶装置１に衝撃が作用した場合でもコンデンサ本体６１が大きく動くことが規制され、リード６２と基板２１との接続部に大きな力が作用しにくい。このため、耐衝撃性が向上する。また別の観点では、コンデンサ本体６１は、基板２１に固定された支持部７６を有した放熱キャップ２７によって支持されている。これにより、半導体記憶装置１に衝撃が作用した場合でもコンデンサ本体６１が大きく動くことが規制され、リード６２と基板２１との接続部に大きな力が作用しにくい。このため、耐衝撃性が向上する。
【0054】
＜４．利点＞
比較例として、放熱キャップ２７が設けられていない構成について説明する。すなわち、半導体記憶装置の小型化のため、ＮＡＮＤ２５の上方にコンデンサ本体６１を水平に沿わせて配置し、コンデンサ２６のリード６２を折り曲げて基板２１に接続する構成が考えられる。この場合、コンデンサ本体６１の直下に位置するＮＡＮＤ２５の放熱性が低下しやすい。さらに、コンデンサ本体６１から、リード６２と基板２１との接続部までの距離が長くなる。このため、半導体記憶装置に衝撃が作用した場合、リード６２と基板２１との接続部に大きな力が作用しやすい。その結果、リード６２と基板２１との接続部に含まれる半田にクラックが生じる可能性がある。このため、半導体記憶装置の耐衝撃性が小さくなりやすい。
比較例として、放熱キャップ２７が設けられていない構成について説明する。すなわち、半導体記憶装置の小型化のため、ＮＡＮＤ２５の上方にコンデンサ本体６１を水平に沿わせて配置し、コンデンサ２６のリード６２を折り曲げて基板２１に接続する構成が考えられる。この場合、コンデンサ本体６１の直下に位置するＮＡＮＤ２５の放熱性が低下しやすい。さらに、コンデンサ本体６１から、リード６２と基板２１との接続部までの距離が長くなる。このため、半導体記憶装置に衝撃が作用した場合、リード６２と基板２１との接続部に大きな力が作用しやすい。その結果、リード６２と基板２１との接続部に含まれる半田にクラックが生じる可能性がある。このため、半導体記憶装置の耐衝撃性が小さくなりやすい。
【0055】
一方で、本実施形態では、放熱キャップ２７は、外層部材７１と、内層部材７２とを有する。外層部材７１は、Ｚ方向で、ＮＡＮＤ２５とコンデンサ２６との間に位置した第１部分７５ａを含み、第１熱伝導率を持つ材料で形成されている。内層部材７２は、外層部材７１とコンデンサ２６との間に位置した部分を含み、第１熱伝導率よりも小さい第２熱伝導率を持つ材料で形成されている。このような構成によれば、ＮＡＮＤ２５で発生する熱の一部を外層部材７１により放散させる、または別の部品へ伝導させることができる。これにより、ＮＡＮＤ２５の放熱を促進し、半導体記憶装置１の放熱性の向上を図ることができる。また上記構成によれば、内層部材７２が設けられていることで、外層部材７１がＮＡＮＤ２５から熱を受け取る場合でも、コンデンサ２６に熱が伝わりにくい。このため、コンデンサ２６に熱が伝わることによるコンデンサ２６の寿命低下を抑制することができる。
【0056】
本実施形態では、外層部材７１の第１部分７５ａは、直接または熱伝導部材ＨＴ１を介してＮＡＮＤ２５と接続されている。このような構成によれば、ＮＡＮＤ２５で発生した熱をより効果的に外層部材７１で受け取ることができる。これにより、半導体記憶装置１の放熱性のさらなる向上を図ることができる。
【0057】
本実施形態では、外層部材７１の第１部分７５ａは、ＮＡＮＤ２５の表面に面する平面部８１を有する。平面部８１は、直接または熱伝導部材ＨＴ１を介してＮＡＮＤ２５と接続されている。このような構成によれば、外層部材７１とＮＡＮＤ２５との間の熱接続面積を大きく確保することができる。これにより、半導体記憶装置１の放熱性のさらなる向上を図ることができる。
【0058】
本実施形態では、外層部材７１の第２部分７５ｂは、直接または熱伝導部材ＨＴ２を介して筐体１０と接続されている。このような構成によれば、外層部材７１がＮＡＮＤ２５から受け取る熱の一部を、筐体１０を通じて筐体１０の外部に放散させることができる。これにより、半導体記憶装置１の放熱性のさらなる向上を図ることができる。
【0059】
本実施形態では、外層部材７１は、Ｚ方向でＮＡＮＤ２５とは重ならない領域に位置して直接または熱伝導部材ＨＴ３を介して基板２１と接続された支持部７６（放熱部）を含む。このような構成によれば、外層部材７１がＮＡＮＤ２５から受け取る熱の一部を基板２１に伝え、基板２１を通じて熱を放散させることができる。これにより、半導体記憶装置１の放熱性のさらなる向上を図ることができる。
【0060】
本実施形態では、外層部材７１の支持部７６（放熱部）は、半田Ｓにより基板２１に固定されている。このような構成によれば、外層部材７１がＮＡＮＤ２５から受け取る熱の一部を、より効率的に基板２１に伝えることができる。これにより、半導体記憶装置１の放熱性のさらなる向上を図ることができる。
【0061】
本実施形態では、コンデンサ２６は、コンデンサ本体６１と、コンデンサ本体６１から突出するとともに基板２１に向けて折り曲げられて基板２１と接続されたリード６２とを有する。外層部材７１は、基板２１に固定された支持部７６を有する。このような構成によれば、コンデンサ本体６１から、リード６２と基板２１との接続部までの距離が長い場合でも、基板２１に固定された支持部７６を含む放熱キャップ２７によりコンデンサ本体６１が支持されるため、リード６２と基板２１との接続部に大きな力が作用しにくい。これにより、半導体記憶装置１の耐衝撃性の向上を図ることができる。
【0062】
本実施形態では、外層部材７１の支持部７６の固定部９２は、コンデンサ２６のリード６２よりも太い。このような構成によれば、外層部材７１と基板２１との固定強度が高くなる。これにより、半導体記憶装置１の耐衝撃性のさらなる向上を図ることができる。
【0063】
本実施形態では、外層部材７１の支持部７６は、それぞれ基板２１に固定された第１支持部７６ａと第２支持部７６ｂとを有する。第１支持部７６ａおよび第２支持部７６ｂは、コンデンサ２６のリード６２の両側に分かれて配置されている。このような構成によれば、第１支持部７６ａおよび第２支持部７６ｂによってコンデンサ２６が両側から支持される。これにより、半導体記憶装置１の耐衝撃性のさらなる向上を図ることができる。
【0064】
本実施形態では、外層部材７１の支持部７６は、延伸部９１と、固定部９２とを有する。延伸部９１は、基板２１に向けて延びた部分を含む。固定部９２は、延伸部９１の先端に設けられて延伸部９１よりも細い。このような構成によれば、延伸部９１と固定部９２との間の段差部９３により、基板２１に対して放熱キャップ２７およびコンデンサ２６の高さ位置が規定される。このような構成によれば、コンデンサ２６の取り付け高さを調整するための治具が不要になる、または治具を簡素化することができる。これにより、半導体記憶装置１の製造性を高めることができる。
【0065】
以下、第１実施形態のいくつかの変形例について説明する。各変形例で以下に説明する以外の構成は、第１実施形態と同様である。
【0066】
（第１変形例）
図６は、第１変形例の半導体記憶装置１Ａを示す断面図である。第１変形例では、放熱キャップ２７Ａの外層部材７１の環状部７５の第２部分７５ｂは、Ｙ方向におけるコンデンサ本体６１の両側において、環状部７５の径方向の外側に向けて張り出す一対の張出部７５ｂａを含む。これにより、第２部分７５ｂは、筐体１０の第２主壁１５の内面に面する平面部８２を有する。平面部８２は、例えば、筐体１０の第２主壁１５の内面に対して平行に広がる。平面部８２は、筐体１０の第２主壁１５と直接に接することで、筐体１０の第２主壁１５と接続されている。本実施形態では、Ｙ方向における平面部８２の幅Ｗ３（例えば最大幅）は、Ｙ方向におけるコンデンサ２６の幅Ｗ２（例えば最大幅）よりも大きい。上記例に代えて、平面部８２は、当該平面部８２と筐体１０の第２主壁１５の内面との間に挟まれた熱伝導部材ＨＴ２（図４参照）を介して、筐体１０の第２主壁１５と接続されてもよい。平面部８２は、「第２平面部」の一例である。
図６は、第１変形例の半導体記憶装置１Ａを示す断面図である。第１変形例では、放熱キャップ２７Ａの外層部材７１の環状部７５の第２部分７５ｂは、Ｙ方向におけるコンデンサ本体６１の両側において、環状部７５の径方向の外側に向けて張り出す一対の張出部７５ｂａを含む。これにより、第２部分７５ｂは、筐体１０の第２主壁１５の内面に面する平面部８２を有する。平面部８２は、例えば、筐体１０の第２主壁１５の内面に対して平行に広がる。平面部８２は、筐体１０の第２主壁１５と直接に接することで、筐体１０の第２主壁１５と接続されている。本実施形態では、Ｙ方向における平面部８２の幅Ｗ３（例えば最大幅）は、Ｙ方向におけるコンデンサ２６の幅Ｗ２（例えば最大幅）よりも大きい。上記例に代えて、平面部８２は、当該平面部８２と筐体１０の第２主壁１５の内面との間に挟まれた熱伝導部材ＨＴ２（図４参照）を介して、筐体１０の第２主壁１５と接続されてもよい。平面部８２は、「第２平面部」の一例である。
【0067】
このような構成によれば、外層部材７１と筐体１０の第２主壁１５との間の熱接続面積を大きく確保することができる。これにより、半導体記憶装置１Ａの放熱性のさらなる向上を図ることができる。
【0068】
（第２変形例）
図７は、第２変形例の半導体記憶装置１Ｂを示す断面図である。第２変形例では、筐体１０の第２主壁１５は、コンデンサ本体６１に対応する位置に、開口１５ａを有する。Ｙ方向における開口１５ａの幅Ｗ４は、Ｙ方向におけるコンデンサ２６の幅Ｗ２よりも小さい。開口１５ａは、例えば、筐体１０の外側から貼られたシール１５ｂにより塞がれている。
図７は、第２変形例の半導体記憶装置１Ｂを示す断面図である。第２変形例では、筐体１０の第２主壁１５は、コンデンサ本体６１に対応する位置に、開口１５ａを有する。Ｙ方向における開口１５ａの幅Ｗ４は、Ｙ方向におけるコンデンサ２６の幅Ｗ２よりも小さい。開口１５ａは、例えば、筐体１０の外側から貼られたシール１５ｂにより塞がれている。
【0069】
第２変形例では、放熱キャップ２７Ｂの内層部材７２は、第１実施形態と同様に、円環状である。内層部材７２の一部は、Ｚ方向において、筐体１０の第２主壁１５の開口１５ａの内側に位置する。
【0070】
外層部材７１は、第１実施形態で説明した環状部７５に代えて、周方向の一部が＋Ｚ方向側に開放された円弧部１０１を有する。円弧部１０１は、内層部材７２の外形に沿う円弧状である。円弧部１０１は、第１部分７５ａ、一対の第２部分７５ｂ、および一対の第３部分７５ｃを含む。
【0071】
一対の第２部分７５ｂは、Ｙ方向において、筐体１０の第２主壁１５の開口１５ａの両側に分かれて位置する。第２部分７５ｂの各々は、筐体１０の第２主壁１５の内面に面する平面部８２Ｂを有する。平面部８２Ｂは、筐体１０の第２主壁１５の内面と平行である。平面部８２Ｂは、筐体１０の第２主壁１５の内面に対して直接に接することで、筐体１０の第２主壁１５と接続されている。これに代えて、平面部８２Ｂは、当該平面部８２Ｂと筐体１０の第２主壁１５の内面との間に挟まれた熱伝導部材ＨＴ２（図４参照）を介して、筐体１０の第２主壁１５と接続されてもよい。
【0072】
このような構成によれば、内層部材７２の一部が筐体１０の第２主壁１５の開口１５ａの内側に位置することで、半導体記憶装置１Ｂの小型化（例えばＺ方向の薄型化）を図ることができる。
【0073】
（第３変形例）
図８は、第３変形例の半導体記憶装置１Ｃを示す断面図である。第３変形例では、放熱キャップ２７Ｃの外層部材７１は、第２変形例と同様に、＋Ｚ方向側が開放された円弧部１０１を有する。第３変形例では、内層部材７２も、周方向の一部が＋Ｚ方向側に開放された円弧状である。すなわち、内層部材７２は、コンデンサ本体６１の外形に沿う円弧状である。第３変形例では、コンデンサ本体６１の一部は、Ｚ方向において、筐体１０の第２主壁１５の開口１５ａの内側に位置する。
図８は、第３変形例の半導体記憶装置１Ｃを示す断面図である。第３変形例では、放熱キャップ２７Ｃの外層部材７１は、第２変形例と同様に、＋Ｚ方向側が開放された円弧部１０１を有する。第３変形例では、内層部材７２も、周方向の一部が＋Ｚ方向側に開放された円弧状である。すなわち、内層部材７２は、コンデンサ本体６１の外形に沿う円弧状である。第３変形例では、コンデンサ本体６１の一部は、Ｚ方向において、筐体１０の第２主壁１５の開口１５ａの内側に位置する。
【0074】
このような構成によれば、コンデンサ本体６１の一部が筐体１０の第２主壁１５の開口１５ａの内側に位置することで、半導体記憶装置１Ｃの小型化（例えばＺ方向の薄型化）を図ることができる。
【0075】
（第４変形例）
図９および図１０は、第４変形例の半導体記憶装置１Ｄを示す断面図である。図９は、筐体１０と組み合わされる前の状態における放熱キャップ２７Ｄを示す。図１０は、筐体１０と組み合わされた状態における放熱キャップ２７Ｄを示す。
図９および図１０は、第４変形例の半導体記憶装置１Ｄを示す断面図である。図９は、筐体１０と組み合わされる前の状態における放熱キャップ２７Ｄを示す。図１０は、筐体１０と組み合わされた状態における放熱キャップ２７Ｄを示す。
【0076】
図９に示すように、放熱キャップ２７Ｄの外層部材７１は、一対の当接部１１１を有する。当接部１１１は、外層部材７１の円弧部１０１の第２部分７５ｂを起点として、コンデンサ２６から離れる方向に延びている。例えば、当接部１１１は、コンデンサ２６から離れるに従い基板２１からも離れるように傾いて延びている。当接部１１１は、円弧部１０１と一体に形成され、第２部分７５ｂに対して弾性変形可能である。言い換えると、当接部１１１は、円弧部１０１に対して板ばね状に形成されている。
【0077】
図１０に示すように、放熱キャップ２７Ｄと筐体１０とが組み合わされた場合、放熱キャップ２７Ｄの当接部１１１は、筐体１０の第２主壁１５の内面に当接する。これにより、放熱キャップ２７Ｄの当接部１１１は、筐体１０の第２主壁１５の内面によって押圧され、筐体１０の第２主壁１５の内面と平行な姿勢に弾性変形する。
【0078】
このような構成によれば、円弧部１０１に対して弾性変形可能な当接部１１１によって、外層部材７１と筐体１０の第２主壁１５との接続関係をより強固に維持することができる。これにより、半導体記憶装置１Ｄの放熱性のさらなる向上を図ることができる。
【0079】
（第５変形例）
図１１は、第５変形例の半導体記憶装置１Ｅを示す断面図である。第５変形例では、放熱キャップ２７Ｅの外層部材７１の第３部分７５ｃは、複数のフィン１２１ａを含むヒートシンク１２１を有する。複数のフィン１２１ａは、例えば、Ｘ方向およびＹ方向に沿う板状である。例えば、フィン１２１ａは、Ｘ方向において、外層部材７１の全長に亘って設けられている。ヒートシンク１２１は、複数のフィン１２１ａに代えて、複数の円柱状のピンを有してもよい。
図１１は、第５変形例の半導体記憶装置１Ｅを示す断面図である。第５変形例では、放熱キャップ２７Ｅの外層部材７１の第３部分７５ｃは、複数のフィン１２１ａを含むヒートシンク１２１を有する。複数のフィン１２１ａは、例えば、Ｘ方向およびＹ方向に沿う板状である。例えば、フィン１２１ａは、Ｘ方向において、外層部材７１の全長に亘って設けられている。ヒートシンク１２１は、複数のフィン１２１ａに代えて、複数の円柱状のピンを有してもよい。
【0080】
このような構成によれば、ＮＡＮＤ２５から外層部材７１に伝わる熱の一部を、ヒートシンク１２１によって筐体１０の内部空間に放散することができる。これにより、半導体記憶装置１Ｅの放熱性のさらなる向上を図ることができる。
【0081】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、複数のコンデンサ２６に対して１つの放熱キャップ２７Ｆが設けられる点で、第１実施形態とは異なる。以下に説明する以外の構成は、第１実施形態の構成と同様である。
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、複数のコンデンサ２６に対して１つの放熱キャップ２７Ｆが設けられる点で、第１実施形態とは異なる。以下に説明する以外の構成は、第１実施形態の構成と同様である。
【0082】
図１２は、第２実施形態の半導体記憶装置１Ｆを示す断面図である。本実施形態では、２つのコンデンサ２６（以下では説明の便宜上、「第１コンデンサ２６Ａ」および「第２コンデンサ２６Ｂ」と称する）に対して１つの放熱キャップ２７Ｆが設けられている。
【0083】
図１２に示すように、第１コンデンサ２６Ａおよび第２コンデンサ２６Ｂは、例えば、Ｙ方向に並んで配置されている。第１コンデンサ２６Ａのコンデンサ本体６１の少なくとも一部は、ＮＡＮＤ２５と筐体１０の第２主壁１５の内面との間に位置する。第２コンデンサ２６Ｂのコンデンサ本体６１の少なくとも一部は、ＮＡＮＤ２５と筐体１０の第２主壁１５の内面との間に位置する。第１コンデンサ２６Ａは、「第１電子部品」の一例である。第２コンデンサ２６Ｂは、「第２電子部品」の一例である。
【0084】
本実施形態では、放熱キャップ２７Ｆは、１つの外層部材７１と、２つの内層部材７２（以下では「第１内層部材７２Ａ」および「第２内層部材７２Ｂ」と称する）とを有する。第１内層部材７２Ａは、第１コンデンサ２６Ａのコンデンサ本体６１の周面を囲む円環状である。第１内層部材７２Ａは、後述する外層部材７１と、第１コンデンサ２６Ａのコンデンサ本体６１との間に設けられている。一方で、第２内層部材７２Ｂは、第２コンデンサ２６Ｂのコンデンサ本体６１の周面を囲む円環状である。第２内層部材７２Ｂは、後述する外層部材７１と、第２コンデンサ２６Ｂのコンデンサ本体６１との間に設けられている。
【0085】
本実施形態では、外層部材７１は、第１内層部材７２Ａおよび第２内層部材７２Ｂを一体に囲う。言い換えると、外層部材７１は、第１コンデンサ２６Ａのコンデンサ本体６１および第１内層部材７２Ａを収容する第１収容部Ｃ１と、第２コンデンサ２６Ｂのコンデンサ本体６１および第２内層部材７２Ｂを収容する第２収容部Ｃ２とを有する。さらに、外層部材７１は、第１平面部８１と、第２平面部８２とを有する。
【0086】
第１平面部８１は、外層部材７１の－Ｚ方向側の端部に設けられ、ＮＡＮＤ２５の表面に面する。第１平面部８１は、例えば、ＮＡＮＤ２５の表面に対して平行に広がる。第１平面部８１は、Ｚ方向で第１コンデンサ２６Ａのコンデンサ本体６１の少なくとも一部と重なるとともに、Ｚ方向で第２コンデンサ２６Ｂのコンデンサ本体６１の少なくとも一部と重なる。例えば、Ｙ方向における第１平面部８１の幅Ｗ１は、Ｙ方向におけるＮＡＮＤ２５の幅Ｗ５の半分以上である。図１２は、第１平面部８１の幅Ｗ１と、ＮＡＮＤ２５の幅Ｗ５とが同じ場合を示す。
【0087】
一方で、第２平面部８２は、外層部材７１の＋Ｚ方向側の端部に設けられ、筐体１０の第２主壁１５の内面に面する。第２平面部８２は、例えば、筐体１０の第２主壁１５の内面に対して平行に広がる。第２平面部８２は、Ｚ方向で第１コンデンサ２６Ａのコンデンサ本体６１の少なくとも一部と重なるとともに、Ｚ方向で第２コンデンサ２６Ｂのコンデンサ本体６１の少なくとも一部と重なる。
【0088】
本実施形態では、外層部材７１は、第１領域１３１と、第２領域１３２とを有する。第１領域１３１は、コンデンサ本体６１の中心よりも－Ｚ方向側に位置し、Ｙ方向で第１収容部Ｃ１と第２収容部Ｃ２との間に位置する領域である。言い換えると、第１領域１３１は、放熱キャップ２７ＦをＸ方向から見た場合、第１平面部８１と、第１収容部Ｃ１と、第２収容部Ｃ２とにより３方向から囲まれる領域である。一方で、第２領域１３２は、コンデンサ本体６１の中心よりも＋Ｚ方向側に位置し、Ｙ方向で第１収容部Ｃ１と第２収容部Ｃ２との間に位置する領域である。言い換えると、第２領域１３２は、放熱キャップ２７ＦをＸ方向から見た場合、第２平面部８２と、第１収容部Ｃ１と、第２収容部Ｃ２とにより３方向から囲まれる領域である。
【0089】
本実施形態では、第１領域１３１および第２領域１３２の各々は、通気孔１３３を有する。通気孔１３３は、放熱キャップ２７ＦをＸ方向に貫通している。すなわち、通気孔１３３は、筐体１０内における空気の流れの方向に沿って設けられている。通気孔１３３には、筐体１０の第１通気孔１６ａ（または第２通気孔１７ａ）を通じて外部から筐体１０の内部に流入した空気が流れる。
【0090】
図１３は、第２実施形態の半導体記憶装置１Ｆを別の方向から見た断面図である。図１３では、説明の便宜上、リード６２および放熱キャップ２７Ｆを基板２１に固定する半田Ｓの図示を省略している。本実施形態では、外層部材７１は、３つの支持部７６（以下では、「第１支持部７６ａ」、「第２支持部７６ｂ」、および「第３支持部７６ｃ」と称する）を有する。第１支持部７６ａ、第２支持部７６ｂ、および第３支持部７６ｃの各々は、第１実施形態の第１支持部７６ａおよび第２支持部７６ｂと同様に、延伸部９１と、固定部９２とを有する。
【0091】
第１支持部７６ａは、第１コンデンサ２６Ａのリード６２に対して＋Ｙ方向側に設けられている。第２支持部７６ｂは、第２コンデンサ２６Ｂのリード６２に対して－Ｙ方向側に設けられている。第３支持部７６ｃは、第１コンデンサ２６Ａのリード６２と第２コンデンサ２６Ｂのリード６２との間に設けられている。例えば、Ｙ方向における第３支持部７６ｃの幅Ｗ６（例えば延伸部９１の幅）は、Ｙ方向における第１支持部７６ａの幅Ｗ７（例えば延伸部９１の幅）よりも大きく、Ｙ方向の第２支持部７６ｂの幅Ｗ８（例えば延伸部９１の幅）よりも大きい。
【0092】
以上のような構成によれば、第１実施形態と同様に、半導体記憶装置１Ｆの放熱性の向上を図ることができる。本実施形態では、放熱キャップ２７Ｆの外層部材７１は、第１コンデンサ２６Ａの少なくとも一部を収容する第１収容部Ｃ１と、第２コンデンサ２６Ｂの少なくとも一部を収容する第２収容部Ｃ２とを有する。このような構成によれば、複数のコンデンサ２６を収容する比較的大型の放熱キャップ２７ＦによりＮＡＮＤ２５の熱を受け取ることができる。これにより、半導体記憶装置１Ｆの放熱性のさらなる向上を図ることができる。
【0093】
また、このような比較的大型の放熱キャップ２７Ｆによれば、２つの収容部Ｃ１，Ｃ２の間に位置する中央の支持部（第３支持部７６ｃ）を太く設計しやすくなる。中央の支持部（第３支持部７６ｃ）を太く形成すると、半導体記憶装置１Ｆの耐振動性および耐衝撃性の向上を図りやすくなる。
【0094】
本実施形態では、放熱キャップ２７Ｆの外層部材７１は、Ｙ方向で第１収容部Ｃ１と第２収容部Ｃ２との間の第１領域１３１（または第２領域１３２）に通気孔１３３を有する。このような構成によれば、通気孔１３３に空気が流れることで、外層部材７１がＮＡＮＤ２５から受け取った熱の一部をより効率的に放散させることができる。これにより、半導体記憶装置１Ｆの放熱性のさらなる向上を図ることができる。
【0095】
以下、第２実施形態の変形例について説明する。本変形例で以下に説明する以外の構成は、第２実施形態と同様である。
【0096】
（変形例）
図１４は、変形例の半導体記憶装置１Ｇを示す断面図である。図１４は、説明の便宜上、半導体記憶装置１Ｇの構成を簡略化して模式的に示している。また図１４では、リード６２を基板２１に固定する半田Ｓの図示を省略している。
図１４は、変形例の半導体記憶装置１Ｇを示す断面図である。図１４は、説明の便宜上、半導体記憶装置１Ｇの構成を簡略化して模式的に示している。また図１４では、リード６２を基板２１に固定する半田Ｓの図示を省略している。
【0097】
本変形例では、放熱キャップ２７Ｇの支持部７６は、第１支持部７６ａおよび第２支持部７６ｂを有する。第１支持部７６ａおよび第２支持部７６ｂの各々は、基板２１の第２面２１ｂに沿って固定部材４０に向けて延びており、固定部材４０に接続されている。例えば、第１支持部７６ａおよび第２支持部７６ｂの各々は、固定部材４０が通される挿通穴７６ｈを有する。第１支持部７６ａおよび第２支持部７６ｂの各々は、固定部材４０によって基板２１とともに筐体１０に固定される。固定部材４０は、上述したように、ねじ、またはピンのような嵌合部材であり、例えば金属製である。第１支持部７６ａおよび第２支持部７６ｂの各々は、固定部材４０を介して筐体１０に接続されている。なお、第１支持部７６ａおよび第２支持部７６ｂの各々と固定部材４０との間には、熱伝導部材ＨＴ４が設けられてもよい。すなわち、第１支持部７６ａおよび第２支持部７６ｂの各々は、熱伝導部材ＨＴ４を介して固定部材４０と接続されてもよい。熱伝導部材ＨＴ４は、「第４熱伝導部材」の一例である。
【0098】
このような構成によれば、放熱キャップ２７Ｇの外層部材７１がＮＡＮＤ２５から受け取った熱の一部は、第１支持部７６ａおよび第２支持部７６ｂから固定部材４０を介して筐体１０に伝わり、筐体１０の表面から筐体１０の外部に放散される。これにより、半導体記憶装置１Ｇの放熱性の向上を図ることができる。また上記構成によれば、第１実施形態のように、半田Ｓを用いて第１支持部７６ａおよび第２支持部７６ｂを基板２１に固定する必要がなくなる。これにより、半導体記憶装置１Ｇの製造性を向上させることができる。
【0099】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態について説明する。第３実施形態は、放熱キャップ２７ＨがＮＡＮＤ２５に代えて基板２１に接続される点で、第１実施形態とは異なる。以下に説明する以外の構成は、第１実施形態の構成と同様である。
次に、第３実施形態について説明する。第３実施形態は、放熱キャップ２７ＨがＮＡＮＤ２５に代えて基板２１に接続される点で、第１実施形態とは異なる。以下に説明する以外の構成は、第１実施形態の構成と同様である。
【0100】
図１５は、第３実施形態の半導体記憶装置１Ｈを示す断面図である。本実施形態では、基板２１の第１面２１ａには、コントローラ２３が実装されている。コントローラ２３は、「発熱部品」の一例である。ただし、「発熱部品」は、コントローラ２３に限定されず、ＤＲＡＭ２４、ＮＡＮＤ２５、または別の部品でもよい。
【0101】
本実施形態では、コンデンサ本体６１の少なくとも一部は、Ｚ方向で、基板２１と重なって位置する。本実施形態では、コンデンサ本体６１の少なくとも一部は、Ｚ方向で、基板２１と筐体１０の第２主壁１５の内面との間に位置する。コンデンサ２６は、第１実施形態と同様に、基板２１からの実装高さを低くするために、リード６２が折り曲げられ、コンデンサ本体６１がＸ方向に沿うように、基板２１に実装されている。
【0102】
本実施形態では、放熱キャップ２７Ｈの外層部材７１の少なくとも一部は、基板２１の第２面２１ｂのなかでもＺ方向でコントローラ２３と重なる領域に配置されている。外層部材７１は、Ｚ方向で、基板２１とコンデンサ本体６１との間に位置する第１部分７５ａを含む。第１部分７５ａは、基板２１と接続されて、コントローラ２３で発生する熱を基板２１から受け取る受熱部である。本実施形態では、第１部分７５ａは、基板２１の表面に対して直接に接することで基板２１に接続されている。これに代えて、第１部分７５ａは、当該第１部分７５ａと基板２１との間に挟まれた熱伝導部材ＨＴ１（図３参照）を介して基板２１と接続されてもよい。
【0103】
以上のような構成によれば、第１実施形態と同様に、半導体記憶装置１Ｈの放熱性の向上を図ることができる。例えば、本実施形態の構成によれば、基板２１の裏側に位置する発熱部品から生じる熱を、基板２１を通じて放熱キャップ２７Ｈによって受け取ることができる。これにより、半導体記憶装置１Ｈの放熱性の向上を図ることができる。
【0104】
以上、いくつかの実施形態および変形例について説明したが、実施形態は上記例に限定されない。例えば、上述した実施形態および変形例は、適宜組み合わせて実現可能である。
また、上述した第１実施形態では放熱キャップ２７がＮＡＮＤ２５に接続され、上述した第３実施形態では放熱キャップ２７Ｇが基板２１に接続されている。これらに代えて、放熱キャップは、ＮＡＮＤ２５と基板２１の両方に接続されてもよい。
また、上述した第１実施形態では放熱キャップ２７がＮＡＮＤ２５に接続され、上述した第３実施形態では放熱キャップ２７Ｇが基板２１に接続されている。これらに代えて、放熱キャップは、ＮＡＮＤ２５と基板２１の両方に接続されてもよい。
【0105】
上述した第１実施形態では、基板２１に固定される支持部７６は、外層部材７１の一部として設けられている。これに代えて、支持部７６は、内層部材７２の一部として設けられてもよく、外層部材７１および内層部材７２の両方に設けられてもよい。放熱キャップは、１つまたは２つのコンデンサ２６に限らず、３つ以上のコンデンサ２６を収容するものでもよい。上述した実施形態では「半導体メモリ部品」がＮＡＮＤ型フラッシュメモリである例を取り上げて説明した。ただし、「半導体メモリ部品」は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに限定されず、ＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）や抵抗変化型メモリ、またはその他のタイプの記憶装置でもよい。すなわち、「半導体メモリ部品」は、電荷の蓄積状態によってデータを記憶するメモリ素子を含むものに限定されず、磁気状態または抵抗状態などによりデータを記憶するメモリ素子を含むものでもよい。これら半導体メモリ部品のいずれも「発熱部品」の一例に該当し得る。
【0106】
以上説明した少なくともひとつの実施形態によれば、放熱用部品は、第１部材と、第２部材とを有する。第１部材は、基板の厚さ方向で、基板および発熱部品のうち少なくとも一方と電子部品との間に位置した第１部分を含み、第１熱伝導率を持つ材料で形成されている。第２部材は、前記第１部材と前記電子部品との間に位置した部分を含み、前記第１熱伝導率よりも小さい第２熱伝導率を持つ材料で形成されている。このような構成によれば、半導体記憶装置の放熱性の向上を図ることができる。
【0107】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【0108】
１～１Ｇ…半導体記憶装置、１０…筐体、２１…基板、２５…ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（発熱部品）、２６…コンデンサ（電子部品）、２７～２７Ｇ…放熱キャップ（放熱用部品）、５７…グラウンド層、６１…コンデンサ本体（部品本体）、６２…リード、７１…外層部材（第１部材）、７２…内層部材（第２部材）、７５ａ…第１部分、７５ｂ…第２部分、７６…支持部（放熱部）、７６ａ…第１支持部、７６ｂ…第２支持部。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】