特開2022-147017IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

レーザリフトオフ装置およびレーザリフトオフ方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】成長用基板から剥離して個片化されたチップ部品にするまでのタクトタイムを減少させるレーザリフトオフ装置を提供すること。
【解決手段】所定の配列ピッチPCで行および列をなすようにマトリクス状に配置、固定されたチップ部品12の群を備える成長用基板に対向するように、チップ部品12の列のそれぞれに対して、チップ部品12の平面輪郭と同程度の大きさのビームスポットBSを有するレーザビームを集光する集光レンズ6Bを1つずつ備えるように配置された集光レンズ6Bの1周期分集合体を含む集光レンズ群が配置され、1周期分集合体における集光レンズ6B同士は、互いに干渉しない位置に分散して配置されている。
【選択図】図5

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

のレーザリフトオフ装置では、光学系とともにレーザビームをジグザグ状に移動させるため、サファイア基板上のLEDの配列におけるレーザビームの折り返し点付近においての移動方向が逆向きに変化するため、光学系の移動に加減速が必要となる。例えば直径が300mm程度のサファイア基板に設けられた多数のLEDのレーザリフトオフを行う場合には、多数の折り返し点付近の光学系の移動速度の加減速に伴い、タクトタイムが増加してしまうという問題がある。特に、マイクロLEDディスプレイでは、多数のLEDを用いるため、LEDの製造におけるタクトタイムの増加は、製造コストの増加を招いてしまうという課題がある。この課題は、レーザビームを生成する光学系を位置固定し、サファイア基板をXYステージに配置してXYステージ側を移動させる装置構成においても同様に存在する。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の態様は、一方の表面に、所定の配列ピッチで行および列をなすようにマトリクス状に配置、固定されたチップ部品の群を備える成長用基板に対して、前記チップ部品の平面輪郭と同程度の大きさのビームスポットを有するレーザビームを、前記成長用基板に対して列方向に沿って相対移動させ、前記チップ部品と前記成長用基板との界面にレーザビームを逐次照射して、前記チップ・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、成長用基板の表面にマトリクス状をなすように一体に形成された複数のチップ部品を、成長用基板から剥離して個片化されたチップ部品にするまでのタクトタイムを減少させることができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図1は、本発明の第1の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置の概略構成図である。
【図2】 図2は、本発明の第1の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置でレーザリフトオフ処理が施されるサファイア基板の平面説明図である。
【図3】 図3は、本発明の第1の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置の要部断面説明図である。
【図4】 図4は、本発明の第1の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置で用いるマイクロレンズアレイの平面説明図である。
【図5】 図5は、本発明の第1の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置を用いて1回目の照射を行う直前のLEDの群に対するマイクロレンズアレイの配置状態を示す平面説明図である。
【図6】 図6は、本発明の第1の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置を用いて2回目の照射を行う直前のLEDの群に対するマイクロレンズアレイの配置状態を示す平面説明図である。
【図7】 図7は、本発明の第1の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置を用いて3回目の照射を行う直前のLEDの群に対するマイクロレンズアレイの配置状態を示す平面説明図である。
【図8】 図8は、本発明の第1の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置を用いて4回目の照射を行う直前のLEDの群に対するマイクロレンズアレイの配置状態を示す平面説明図である。
【図9】 図9は、本発明の第1の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置を用いて5回目の照射を行う直前のLEDの群に対するマイクロレンズアレイの配置状態を示す平面説明図である。
【図10】 図10は、本発明の第1の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置を用いて6回目の照射を行う直前のLEDの群に対するマイクロレンズアレイの配置状態を示す平面説明図である。
【図11】 図11は、本発明の第1の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置を用いて7回目の照射を行う直前のLEDの群に対するマイクロレンズアレイの配置状態を示す平面説明図である。
【図12】 図12は、本発明の第1の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置を用いて8回目の照射を行う直前のLEDの群に対するマイクロレンズアレイの配置状態を示す平面説明図である。
【図13】 図13は、本発明の第1の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置を用いて9回目の照射を行う直前のLEDの群に対するマイクロレンズアレイの配置状態を示す平面説明図である。
【図14】 図14は、本発明の第2の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置を用いて1回目の照射を行う直前のLEDの群に対するマイクロレンズアレイの配置状態を示す平面説明図である。
【図15】 図15は、本発明の第2の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置を用いて2回目の照射を行う直前のLEDの群に対するマイクロレンズアレイの配置状態を示す平面説明図である。
【図16】 図16は、本発明の第2の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置を用いて3回目の照射を行う直前のLEDの群に対するマイクロレンズアレイの配置状態を示す平面説明図である。
【図17】 図17は、本発明の第2の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置を用いて4回目の照射を行う直前のLEDの群に対するマイクロレンズアレイの配置状態を示す平面説明図である。
【図18】 図18は、本発明の第2の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置を用いて5回目の照射を行う直前のLEDの群に対するマイクロレンズアレイの配置状態を示す平面説明図である。
【図19】 図19は、本発明の第2の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置を用いて6回目の照射を行う直前のLEDの群に対するマイクロレンズアレイの配置状態を示す平面説明図である。
【図20】 図20は、本発明の第2の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置を用いて7回目の照射を行う直前のLEDの群に対するマイクロレンズアレイの配置状態を示す平面説明図である。
【図21】 図21は、本発明の第2の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置を用いて8回目の照射を行う直前のLEDの群に対するマイクロレンズアレイの配置状態を示す平面説明図である。
【図22】 図22は、本発明の第2の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置を用いて9回目の照射を行う直前のLEDの群に対するマイクロレンズアレイの配置状態を示す平面説明図である。
【図23】 図23は、本発明の第2の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置を用いて10回目の照射を行う直前のLEDの群に対するマイクロレンズアレイの配置状態を示す平面説明図である。
【図24】 図24は、本発明の第3の実施の形態に係るレーザリフトオフ装置を用いてレーザビームの照射を開始するときのLEDの群に対するマイクロレンズアレイの配置状態を示す平面説明図である。

選択図 図5出願人が指定した本件の代表的な図

BS ビームスポット C 列方向 D 照射済み領域 LB レーザビーム OS オフセット PL ピッチ(マイクロレンズのレンズ行のピッチ) PC ピッチ(チップ部品の行方向のピッチ) R 行方向 R1 第1レンズ行 R2 第2レンズ行 R3 第3レンズ行 R4 第4レンズ行 R5 第5レンズ行 R6 第6レンズ行 R7 第7レンズ行 R8 第8レンズ行 R9 第9レンズ行 R10 第10レンズ行 S スキャン方向 1 レーザリフトオフ装置 2 搬送ステージ 3 レーザ光源 6 マイクロレンズアレイ(集光レンズアレイ) 6A アレイ基板 6B マイクロレンズ(集光レンズ) 8A,8B 遮光板 11 サファイア基板(成長用基板) 12 LED(チップ部品) 12R1 LEDの群の相対移動方向の最も上流側の行 12Rn LEDの群の相対移動方向の最も下流側の行 13 LEDの群 15 1周期分集合体

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