特開 2022-149303 半導体装置およびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022149303

(43)【公開日】2022-10-06

(54)【発明の名称】半導体装置およびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/28 20060101AFI20220929BHJP

   H01L 23/50 20060101ALI20220929BHJP

   H01L 21/301 20060101ALI20220929BHJP

【ＦＩ】

H01L23/28 J

H01L23/50 B

H01L21/78 F

H01L21/78 Q

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021051387

(22)【出願日】2021-03-25

(71)【出願人】

【識別番号】715010864

【氏名又は名称】エイブリック株式会社

(72)【発明者】

【氏名】市田 智也

(72)【発明者】

【氏名】秋野 勝

【テーマコード（参考）】

4M109

5F063

5F067

【Ｆターム（参考）】

4M109AA01

4M109BA01

4M109DA07

4M109DA10

5F063AA04

5F063AA35

5F063BA17

5F063BA48

5F063BB04

5F063BB11

5F063CA02

5F063CA04

5F063CB03

5F063CB05

5F063CB22

5F063CB25

5F067AA09

5F067BA01

5F067BB16

5F067BC11

5F067CA07

5F067DB01

(57)【要約】

【課題】リード間ショートを抑制する半導体装置を提供する。
【解決手段】隣接するリード２間の封止樹脂１の表面に、封止樹脂１が窪むように樹脂凹部４を設けることで、ダイシングによる個片化によってリード２間に発生する金属バリ３が分断され、金属バリ起因でリード２ａとリード２ｂの間、あるいは、リード２ｂとリード２ｃの間で電気的にショートすることを抑制する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体素子と、
前記半導体素子の周囲に離間して設けられ、前記半導体素子と電気的に接続された複数のリードと、
前記半導体素子及び前記複数のリードを封止する封止樹脂と、を備え、
前記封止樹脂の一側面に露出して隣接する前記複数のリード間に樹脂凹部が設けられていることを特徴とする半導体装置。

【請求項2】

前記一側面において、前記樹脂凹部の高さが前記複数のリードの高さよりも高いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

前記一側面において、前記樹脂凹部が複数の前記リードに接して設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。

【請求項4】

前記樹脂凹部が前記一側面に面するすべての前記封止樹脂の表面に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置

【請求項5】

前記樹脂凹部の奥行き方向の断面が直角三角形の斜辺部を円弧状とした形状であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。

【請求項6】

前記樹脂凹部の奥行き方向の断面が矩形であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。

【請求項7】

前記一側面において、前記樹脂凹部の高さが前記封止樹脂の上表面まで至ることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。

【請求項8】

半導体素子と、
前記半導体素子の周囲に離間して設けられ、前記半導体素子と電気的に接続された複数のリードと、
前記半導体素子及び前記複数のリードを封止する封止樹脂と、を備え、
前記封止樹脂の一側面に露出して隣接する前記複数のリード間に樹脂凹部が設けられる半導体装置の製造方法であって、
ダイパッドと前記ダイパッドの周囲に離間して設けられた前記複数のリードとからなる単位リードフレームが複数個格子状に配列されてなる多面付リードフレームを準備する工程と、
前記多面付リードフレーム上に前記半導体素子を載置する工程と、
前記半導体素子と前記複数のリードとを電気的に接続する工程と、
前記半導体素子と前記複数のリードを前記封止樹脂で封止して封止体を形成する工程と、
前記封止体の裏面側からレーザー照射して前記複数のリード間の前記封止樹脂を除去する工程と、
前記封止体をブレードダイシングによって個片化する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

【請求項9】

半導体素子と、
前記半導体素子の周囲に離間して設けられ、前記半導体素子と電気的に接続された複数のリードと、
前記半導体素子及び前記複数のリードを封止する封止樹脂と、を備え、
前記封止樹脂の一側面に露出して隣接する前記複数のリード間に樹脂凹部が設けられる半導体装置の製造方法であって、
ダイパッドと前記ダイパッドの周囲に離間して設けられた前記複数のリードとからなる単位リードフレームが複数個配列され、上段の前記単位リードフレームの前記複数のリードと下段の前記単位リードフレームの前記複数のリードとが互いに平行に配置され、前記上段の前記単位リードフレームに対し前記下段の前記単位リードフレームがずれてなる多面付リードフレームを準備する工程と、
前記多面付リードフレーム上に前記半導体素子を載置する工程と、
前記半導体素子と前記複数のリードとを電気的に接続する工程と、
前記半導体素子と前記複数のリードを前記封止樹脂で封止して封止体を形成する工程と、
前記封止体をブレードダイシングによって個片化するとともに、前記複数のリード間の前記封止樹脂を除去する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

【請求項10】

半導体素子と、
前記半導体素子の周囲に離間して設けられ、前記半導体素子と電気的に接続された複数のリードと、
前記半導体素子及び前記複数のリードを封止する封止樹脂と、を備え、
前記封止樹脂の一側面に露出して隣接する前記複数のリード間に樹脂凹部が設けられる半導体装置の製造方法であって、
ダイパッドと前記ダイパッドの周囲に離間して設けられた前記複数のリードとからなる単位リードフレームが複数個格子状に配列されてなる多面付リードフレームを準備する工程と、
前記多面付リードフレーム上に前記半導体素子を載置する工程と、
前記半導体素子と前記複数のリードとを電気的に接続する工程と、
前記多面付リードフレームを封止する金型であって、前記樹脂凹部を形成するための金型凸部を有する金型を準備する工程と、
前記金型を用いて、前記半導体素子を載置した多面付リードフレームを封止樹脂で封止して封止体を形成する工程と、
前記封止体をブレードダイシングによって個片化する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は半導体装置およびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体パッケージの形態の一つとしてＤＦＮ（Ｄｕａｌ Ｆｌａｔ Ｎｏｎｌｅａｄｅｄ）パッケージがある。ＤＦＮパッケージは一般的に、樹脂封止されたリードフレーをダイシングブレードによって個片化することで製造され、封止樹脂の側面からリードが露出し、リード端面と封止樹脂とが面一になる構造を持つものである。

【0003】

図２１は、一般的なＤＦＮパッケージの個片化後の側面を示したものであるが、ＤＦＮパッケージは上記の通りダイシングブレードによって個片化を行うため、パッケージ側面のリード端面に金属バリ３が発生する。金属バリ３が発生すると実質的なリード間距離Ｄ２は、設計上のリード間距離Ｄ１よりも短くなる。実質的なリード間距離Ｄ２が短くなると、特に高湿下での製品動作テストなどにおいて、リード間でショートに至り、目的とする電気特性を得ることが出来ないことがある。この問題を解決するために、リード先端を細くする半導体装置が提案されている。（例えば、特許文献１参照）

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０２０－７７６９４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、リード先端を細くすることで、基板実装時の半導体装置に対する半田接合面積が減少することになるため、実装信頼性が低下することになる。
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたもので、実装信頼性を損なうことなくリード間ショートを抑制する半導体装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子の周囲に離間して設けられ、前記半導体素子と電気的に接続された複数のリードと、前記半導体素子及び前記複数のリードを封止する封止樹脂と、を備え、前記封止樹脂の一側面に露出して隣接する前記複数のリード間に樹脂凹部が設けられていることを特徴とする。

【0007】

また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子と、前記半導体素子の周囲に離間して設けられ、前記半導体素子と電気的に接続された複数のリードと、前記半導体素子及び前記複数のリードを封止する封止樹脂と、を備え、前記封止樹脂の一側面に露出して隣接する前記複数のリード間に樹脂凹部が設けられる半導体装置の製造方法であって、ダイパッドと前記ダイパッドの周囲に離間して設けられた前記複数のリードとからなる単位リードフレームが複数個格子状に配列されてなる多面付リードフレームを準備する工程と、前記多面付リードフレーム上に前記半導体素子を載置する工程と、前記半導体素子と前記多面付リードフレームを構成する前記複数のリードを電気的に接続する工程と、前記半導体素子と前記複数のリードを封止樹脂で封止して封止体を形成する工程と、前記封止体の裏面側からレーザー照射して前記複数のリード間の前記封止樹脂を除去する工程と、前記封止体をブレードダイシングによって個片化する工程と、を備えることを特徴とする。

【0008】

また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子と、前記半導体素子の周囲に離間して設けられ、前記半導体素子と電気的に接続された複数のリードと、前記半導体素子及び前記複数のリードを封止する封止樹脂と、を備え、前記封止樹脂の一側面に露出して隣接する前記複数のリード間に樹脂凹部が設けられる半導体装置の製造方法であって、ダイパッドと前記ダイパッドの周囲に離間して設けられた前記複数のリードとからなる単位リードフレームが複数個配列され、上段の前記単位リードフレームの前記複数のリードと下段の前記単位リードフレームの前記複数のリードとが互いに平行に配置され、前記上段の前記単位リードフレームに対し前記下段の前記単位リードフレームがずれてなる多面付リードフレームを準備する工程と、前記多面付リードフレーム上に前記半導体素子を載置する工程と、前記半導体素子と前記多面付リードフレームを構成する前記複数のリードを電気的に接続する工程と、前記半導体素子と前記複数のリードを封止樹脂で封止して封止体を形成する工程と、前記封止体をブレードダイシングによって個片化するとともに、前記複数のリード間の前記封止樹脂を除去する工程と、を備えることを特徴とする。

【0009】

また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子と、前記半導体素子の周囲に離間して設けられ、前記半導体素子と電気的に接続された複数のリードと、前記半導体素子及び前記複数のリードを封止する封止樹脂と、を備え、前記封止樹脂の一側面に露出して隣接する前記複数のリード間に樹脂凹部が設けられる半導体装置の製造方法であって、ダイパッドと前記ダイパッドの周囲に離間して設けられた前記複数のリードとからなる単位リードフレームが複数個格子状に配列されてなる多面付リードフレームを準備する工程と、前記多面付リードフレーム上に前記半導体素子を載置する工程と、前記半導体素子と前記複数のリードとを電気的に接続する工程と、前記多面付リードフレームを封止する金型であって、前記樹脂凹部を形成するための金型凸部を有する金型を準備する工程と、前記金型を用いて、前記半導体素子を載置した多面付リードフレームを封止樹脂で封止して封止体を形成する工程と、前記封止体を個片化する工程と、を備えることを特徴とする。

【発明の効果】

【0010】

上記手段を用いることで、リード間ショートを抑制する半導体装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の構造図である。

【図2】本発明の第２実施形態にかかる半導体装置おける構造図である。

【図3】本発明の第３実施形態にかかる半導体装置おける構造図である。

【図4】本発明の第４実施形態にかかる半導体装置おける構造図である。

【図5】本発明の第５実施形態にかかる半導体装置おける構造図である。

【図6】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図である。

【図7】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図である。

【図8】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図である。

【図9】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図である。

【図10】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図である。

【図11】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図である。

【図12】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図である。

【図13】本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図である。

【図14】本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図である。

【図15】本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図である。

【図16】本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図である。

【図17】本発明の第５実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図である。

【図18】本発明の第５実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図である。

【図19】本発明の第５実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図である。

【図20】本発明の第５実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図である。

【図21】従来の半導体装置を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、本発明の半導体装置の実施形態について図を用いて説明する。

【0013】

図１は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の構造図である。図１（ａ）は、半導体装置の裏面図である。半導体装置２１の中央には半導体素子搭載部であるダイパッド５が配置され、ダイパッド５の左右の短辺には吊りリード９が設けられている。図示していないが、ダイパッド５の裏面と反対側の表面には半導体素子６が搭載されている。また、ダイパッド５と離間してその周囲に一定幅のリード２が複数配置され、リード２と半導体素子６は電気的に接続されている。ダイパッド５とリード２と半導体素子６は封止樹脂１で封止され、半導体装置２１の外形は矩形形状である。そして、隣接するリード２の間の封止樹脂１には樹脂凹部４が設けられている。具体的には、樹脂凹部４は３つのリード２の間にのみに設けられ、リード２ａとリード２ｂの間と、リード２ｂとリード２ｃの間にのみ樹脂凹部４が設けられている。
封止樹脂１の側面とリード２の端面は面一に形成されているが、隣接するリード２の間に位置する樹脂凹部４の部分においては封止樹脂１の表面が窪んだ凹形状をなしている。

【0014】

図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ－Ａ線に沿った断面図である。リード２はＡ－Ａ断面内には存在しないが破線で位置を示してある。半導体装置２１の底面にはダイパッド５の裏面が露出し、ダイパッド５の表面上に半導体素子６が載置されている。また、ダイパッド５と離間する一定幅のリード２は半導体装置２１の底面と側面に位置している。そして、ダイパッド５と半導体素子６とリード２は封止樹脂１によって矩形形状に一括封止されている。半導体装置２１の底面と側面がなす隅部に樹脂凹部４が位置しており、その奥行き方向の断面形状は、１／４円の一部を除去した形状であり、直角三角形の斜辺部を外側に凸の円弧状とした形状である。これは半導体装置を個片化する際のダイシングブレードによって樹脂凹部４を形成するためであるが、その詳細は後述する製造工程の説明にて明らかにする。

【0015】

樹脂凹部４の樹脂凹部高さＨ２はリード高さＨ１よりも高い必要がある。仮に、樹脂凹部高さＨ２よりもリード高さＨ１の方が高い場合、リード２の上部においては樹脂凹部４が無く、金属バリ３によるリード間ショートが発生する可能性があるためである。他方、樹脂凹部奥行長さＬ２については特に制約はない。また、リード奥行長さＬ１の方が樹脂凹部奥行長さＬ２よりも長くなっているが、リード奥行長さＬ１よりも樹脂凹部奥行長さＬ２の方が長くなってもよく、樹脂凹部形成に使用するダイシングブレードの口径や半導体装置自体の大きさを加味して自由に選択できる。

【0016】

樹脂凹部４は隣接するすべてのリード間に必ず存在しなくてはならないということはなく、金属バリ３を加味しても十分なリード間距離を保てる場合には樹脂凹部は必須ではなく、必要なリード間のみに樹脂凹部を設置することでも構わない。例えば、隣接するリード間の電位差が大きい場合やリード間ショートが許されない場合は樹脂凹部４を設置し、製品特性上リード間ショートが許される場合や十分なリード間距離を有するデザインの場合には樹脂凹部４を設置しない構造とすることで、樹脂凹部を設置する手間を省くことができる。また、隣接するリード間に設置される樹脂凹部４は一つでなくてもよく、複数の樹脂凹部４が存在していてもよい。樹脂凹部の数が増えるほど効果的にリード間の沿面距離を大きくすることができる。

【0017】

図１（ｃ）は、本発明の半導体装置のリードの露出する面からの側面図である。リード２は封止樹脂１から露出し、リード２の露出する面と封止樹脂１の表面は面一になっている。離間して設置されている複数のリード２の間に存在している封止樹脂１には樹脂凹部４が形成されている。リード２からは一定の方向に向かって金属バリ３が延びている。金属バリ３は意図して設置されたものではなく、パッケージダイシング工程によって半導体装置が個片化される際にリード２の金属がダイシングブレードの回転によって延び、封止樹脂１上に金属バリ３として発生したものである。そして、金属バリ３は隣接するリード２間に設けられた樹脂凹部４によって分断されている。

【0018】

仮に、樹脂凹部４が存在していない場合、隣接するリード間の実質的な距離は金属バリ３の長さ分だけ短くなる。実質的なリード間距離（図２１の「Ｄ２」に相当）が短くなると、隣接するリード２間にかかる電圧差が大きい場合や、高湿下での製品動作時に意図せずリード間ショートが発生することがある。金属バリ３はいつも一定の長さで存在するわけではなく、製造上のばらつきなどでその長さが変化する可能性があるが、樹脂凹部４を設置することで金属バリ３が分断されるだけでなく、一定以上の沿面距離を確保することができるため、リード間ショートを防ぐことができる。また、リード２は先端が細くなることもない一定幅であって、十分な実装面積を有するため実装信頼性を損なうこともない。一定以上の沿面距離を確保するためには樹脂凹部４を所定の奥行長さとする必要がある。

【0019】

以上の実施形態においては６つのリードを有するＤＦＮパッケージを例に説明したが、発明の趣旨を逸脱しない範囲で自由に変更を加えることができる。例えば、ダイパッドが存在しないＣＯＬ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｌｅａｄ）タイプなどのダイパッドレス構造のパッケージ、金属製の細線を使用せずリードと半導体素子とを金スタッドバンプなどを用いて電気的に接続するフリップチップ構造のパッケージ、複数の半導体素子を搭載したＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）、半導体素子に加えて受動部品を搭載した２ｉｎ１タイプのパッケージ、半導体装置の実装信頼性と基板実装時の半田フィレット視認性を上げるためのウェッタブルフランク構造を併用したパッケージ、等にも本発明の実施形態を適用することができる。

【0020】

図２は、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の構造図である。図１の半導体装置２１との違いは隣接するリード２の間に設けた樹脂凹部４の形状が異なる点である。図２（ａ）の裏面図に示すように、ダイパッド５と離間した一定幅のリード２が半導体装置２２の両側面に配置され、３つのリード２の間にのみ樹脂凹部４が設けられている。そして、樹脂凹部４はリード２ａの右端からリード２ｂの左端までのすべての領域にかけて設けられ、同様に、リード２ｂの右端からリード２ｃの左端にかけて設けられている。つまり、一方の樹脂凹部４はリード２ａとリード２ｂにかけてリード２ａとリード２ｂに接して設けられ、他方の樹脂凹部４はリード２ｂとリード２ｃにかけてリード２ｂとリード２ｃと接して設けられている。

【0021】

図２（ｂ）は、図２（ａ）におけるＢ－Ｂ線に沿った断面図である。半導体装置２２の底面と側面がなす隅部に樹脂凹部４が位置しており、その奥行き方向の断面形状は矩形である。樹脂凹部高さＨ２はリード高さＨ１よりも高く設ける必要がある。他方、樹脂凹部奥行長さＬ２については、一定以上の沿面距離を確保するために所定の樹脂凹部奥行長さＬ２とする必要があり、樹脂凹部奥行長さＬ２をリード奥行長さＬ１の半分以上であることが好ましい。

【0022】

図２（ｃ）は、本発明の半導体装置のリードの露出する面からの側面図である。リード２は封止樹脂１から露出し、リード２の露出する面と封止樹脂１の表面は面一になっている。樹脂凹部４はリード２ａの右端からリード２ｂの左端までのすべての領域にかけて設けられ、同様に、リード２ｂの右端からリード２ｃの左端にかけて設けられている。さらに樹脂凹部４の高さはリード２の高さよりも高く設けられることでリード２ａとリード２ｂ間、およびリード２ｂとリード２ｃ間に金属バリ３は見られない。リード２ｃの右端には樹脂凹部４が設けられていないため金属バリ３が存在しているが、リード２ｃの右側には他のリードが無く、この金属バリ３によってリード間ショートが起こる可能性は無い。
以上のように、本例の半導体装置２２においては、隣接するリード２間に金属バリ３がなく、リード間ショートを抑制できる。また、リード２は一定の幅を持ち、十分な実装面積を有するため実装信頼性を損なうこともない。

【0023】

図３は、本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の構造図である。図２の半導体装置２２との違いは隣接するリード２の間に設けた樹脂凹部４の配置領域が異なる点である。図３（ａ）の裏面図においては、樹脂凹部４はリード２ａの右端からリード２ｂの左端までのすべての領域にかけて設けられ、同様に、リード２ｂの右端からリード２ｃの左端にかけて設けられ、さらに、封止樹脂１の左側面からリード２ａまでのすべての領域、封止樹脂１の右側面からリード２ｃまでのすべての領域にかけて設けられている。すなわち、半導体装置２３の長辺側の封止樹脂１が露出する面のすべての領域に樹脂凹部４が設けられている。

【0024】

図３（ｂ）は、本発明の半導体装置のリードの露出する面からの側面図である。リード２は封止樹脂１から露出し、リード２の露出する面と封止樹脂１の表面は面一になっている。樹脂凹部４はリード２ａとリード２ｂまでの間、およびリード２ｂとリード２ｃまでの間のすべての領域だけでなく、リード２ａ、２ｃから封止樹脂１の側面までのすべての領域にかけて設けられている。さらに樹脂凹部４の高さはリード２の高さよりも高く設けられることで、リード２ａとリード２ｂ間、およびリード２ｂとリード２ｃ間だけでなく、リード２ｃの右端やリード２ａの左端にも金属バリ３は存在していない。

【0025】

図４は、本発明の第４実施形態にかかる半導体装置の構造図である。図４（ａ）の裏面図においては、樹脂凹部４はリード２ａの右端からリード２ｂの左端までのすべての領域にかけて設けられ、同様に、リード２ｂの右端からリード２ｃの左端にかけて設けられ、さらに、封止樹脂１の左側面からリード２ａまでのすべての領域、封止樹脂１の右側面からリード２ｃまでのすべての領域にかけて設けられている。すなわち、半導体装置２４の長辺側の封止樹脂１が露出する面のすべての領域に樹脂凹部４が設けられている。

【0026】

図４（ｂ）は、半導体装置のリードの露出する面からの側面図である。図３に示す半導体装置２３との違いは樹脂凹部４の左右の上端部に庇領域４１を設けた点である。庇領域４１を設けたことで極めて効率的にリード簡の金属バリの発生を抑制することができる。

【0027】

図５は、本発明の第５実施形態にかかる半導体装置の構造図である。図２の半導体装置２２との違いは隣接するリード２の間に設けた樹脂凹部４の配置領域が異なる点である。図５（ａ）の裏面図においては、樹脂凹部４はリード２ａとリード２ｂの間、同様に、リード２ｂとリード２ｃの間に設けられ、さらに、封止樹脂１の左側面からリード２ａの間、封止樹脂１の右側面とリード２ｃの間にも設けられている。

【0028】

図５（ｂ）は、図５（ａ）におけるＴ－Ｔ線に沿った断面図である。半導体装置２５の側面端部に樹脂凹部４が設けられており、その奥行き方向の断面形状は矩形である。樹脂凹部高さＨ２は封止樹脂１の底面から上表面まで至り、リード高さＨ１よりも高いものである。他方、樹脂凹部奥行長さＬ２については、一定以上の沿面距離を確保するために所定の樹脂凹部奥行長さＬ２とする必要があり、樹脂凹部奥行長さＬ２をリード奥行長さＬ１の半分以上とすることが好ましい。

【0029】

図５（ｃ）は、本発明の半導体装置のリードの露出する面からの側面図である。リード２は封止樹脂１から露出し、リード２の露出する面と封止樹脂１の表面は面一になっている。樹脂凹部４はリード２ａとリード２ｂの間、リード２ｂとリード２ｃの間に設けられ、さらに、封止樹脂１の左側面とリード２ａの間、封止樹脂１の右側面とリード２ｃの間にも設けられている。リード２からは一定の方向に向かって金属バリ３が延びているが、金属バリ３は隣接するリード２間に設けられた樹脂凹部４によって分断されている。そのため、本例の半導体装置２５においては、隣接するリード２間のショートを抑制できる。また、リード２は一定の幅を持ち、十分な実装面積を有するため実装信頼性を損なうこともない。

【0030】

本例では、樹脂凹部４を封止樹脂１の左側面とリード２ａの間、封止樹脂１の右側面とリード２ｃの間にも設けているが、樹脂凹部４はリード２ａとリード２ｂの間、リード２ｂとリード２ｃの間のみに設ける形状としても良い。

【0031】

図６は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図である。まず、図６（ａ）に示す銅合金もしくは鉄ニッケル合金などからなる多面付リードフレーム７を準備する。多面付リードフレーム７は、横方向（ｘ方向）のフレーム枠７ｘと縦方向（ｙ方向）のフレーム枠７ｙを備え、半導体素子搭載部となるダイパッド５はその横に設けられた吊りリード９を介してフレーム枠７ｙに接続され、ダイパッド５と上下方向に離間して配置された一定幅のリード２はフレーム枠７ｘに接続されている。フレーム枠７ｘ、７ｙに囲われる最小領域である単位リードフレーム１７には、１つのダイパッド５と６つのリード２が含まれるという構成である。

【0032】

隣接する単位リードフレーム１７は最密に配置されず、横方向にスペース部８ａ、縦方向にスペース部８ｂが設けられている。多面付リードフレーム７は上下２段の単位リードフレームが配列された形状で、上段の単位リードフレーム１７ａのダイパッド５の下方に離間した複数のリード２が第１フレーム枠７ｘと接続され、下段の単位リードフレーム１７ｂのダイパッド５の上方に離間した複数のリード２は第２フレーム枠７ｘに接続され、第１フレーム枠７ｘと第２フレーム枠７ｘはスペース部８ｂを挟んで平行に配置されている。また、上段の単位リードフレーム１７ａの複数のリード２と下段の単位リードフレーム１７ｂの複数のリード２はフレーム枠７ｘを挟んで平行に配置されている。そして、上段の単位リードフレーム１７ａに対して下段の単位リードフレーム１７ｂが行（横）方向にずれて配列されている。ダイパッド５の裏面の反対側の表面には半導体素子（図示せず）が搭載され、半導体素子とリード２は電気的に接続されている。ダイパッド５と半導体素子とリード２を含む多面付リードフレーム７が封止樹脂１で一括封止されている。図６（ａ）は、多面付リードフレーム７が封止樹脂１で一括封止された封止体１８を示す裏面図である。

【0033】

図６（ｂ）は、樹脂封止された多面付リードフレーム７を個片化する工程途中図である。多面付リードフレーム７の横方向のフレーム枠７ｘ（図示せず）に沿って裏面側からダイシングし、切削部１０ａを形成する。これによりリード２を多面付リードフレーム７から切り離す。ここではダイシングにフルカット方式を用いている。図示していないが、このとき切削部１０ａに露出した封止樹脂１とリード２は面一に形成され、ダイシングによって露出した封止樹脂１の表面には金属バリ（図示せず）が付着している。

【0034】

図７は、図６（ｂ）に続き、多面付リードフレーム７を個片化する工程を示す図である。多面付リードフレーム７の縦方向のフレーム枠７ｙ（図示せず）に沿って裏面側からダイシングし、切削部１０ｂを形成する。上下２段の単位リードフレーム１７ａ、１７ｂは上段の単位リードフレーム１７ａに対し下段の単位リードフレーム１７ｂが行（横）方向にずれて配列されており、例えば、下段の単位リードフレーム１７ｂのフレーム枠７ｙに沿ってダイシングして切削部１０ｂを形成すると同時に、上段の単位リードフレーム１７ａの隣接するリード２の間の封止樹脂１まで切削して、この領域に切削部１０ｃを形成する。この切削部１０ｃが樹脂凹部４に相当する。

【0035】

図６（ｂ）にて説明したように、横方向の切削を行っただけではリード２間の封止樹脂１の表面に金属バリが付着しているが、図７に示すように、縦方向の切削を行い、樹脂凹部４を形成した時点で金属バリは分断されることになる。これによりリード間ショートを防ぐことができる。以上の工程を経て、単位リードフレーム１７が切り出され個片化が完了する。
以上では、横方向（ｘ方向）の切削を行った後に縦方向（ｙ方向）の切削を行うという手順について説明したが、横縦を入れ替えて、縦方向の切削を行った後に横方向の切削を行うということでも良い。

【0036】

図８は、切削部を形成する工程をさらに詳しく説明するための図であり、図７のＣ－Ｃ断面において切削部１０ｂ、切削部１０ｃを形成する状況（図６（ｂ）から図７へ至る状況）を図示している。半導体装置１３、１４および多面付リードフレーム７の裏面側を上向きとして、半導体装置１３、１４の表面側がダイシングテープ１２に接着、固定されており、ダイシングブレード１１によってブレードダイシングされている状態である。なお、図７のＣ－Ｃ断面にリード２は存在しないが、半導体装置の上下の向き等の理解を助けるため破線でその位置を示している。

【0037】

ダイシングブレード１１は図中に記載の左向き矢印の方向に向かって進んでおり、半導体装置１３のフレーム枠７ｙ（図示せず）に沿って切削し切削部１０ｂを形成しながら、最後に半導体装置１４のリード間に切削部１０ｃ（樹脂凹部４）を形成する。ブレードダイシング法による個片化の場合、円形のダイシングブレード１１を高速で回転させることによって切削を行うため、切削部１０ｃは断面的に１／４円の一部を除去した形状であり、直角三角形の斜辺部を外側に凸の円弧状とした形状となる。

【0038】

半導体装置１３、１４の表面側をダイシングテープ１２に接着させ、裏面側から切削を行うのはダイシングブレード１１が円形であるためであり、仮に、半導体装置の裏面側がダイシングテープ１２と接着するように固定されていた場合、半導体装置１４の裏面側の側面に切削部１０ｃを形成するとともにダイシングブレード１１の下端側に樹脂凹部４を形成しなくてはならなくなり、ダイシングブレード１１が半導体装置１４内部深くまで切削する必要がある。半導体装置の内部には半導体素子や金属細線などの構造物がありダイシングブレード１１によってそれらの構造が破壊されないようにするためには半導体装置自体の大きさを十分大きく、内部構造を小さくする必要があるため、半導体装置全体が不必要に大きくなってしまう。本例のように、半導体装置の表面側をダイシングテープ１２に固定させるようにしてダイシングをすることで、半導体装置が不必要に大きくなることを回避することができる。なお、切削部１０ｃの切り込み形状は半導体装置１４の厚さ、ダイシングブレード１１の口径、ダイシングブレード１１の切り込み量、スペース部８ｂの幅、などを変えることで自在に変更することができる。

【0039】

図９は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す変形例である。本例では樹脂凹部の数を減らしつつ半導体装置間のスペース部を一部減らすことで、多面付リードフレーム一枚当たりの半導体装置の取れ個数を増やし、より生産性の高い製造方法について説明する。

【0040】

図９（ａ）は、多面付リードフレーム７が封止樹脂１で一括封止された封止体１８の裏面図である。図６（ａ）との違いは、リード２ａとリード２ｂのリード間距離が十分広く、個片化時に発生する金属バリを考慮しても十分絶縁性が保てる距離とし、リード２ｂとリード２ｃのリード間距離を相対的に狭くし、個片化時に発生する金属バリによって絶縁性が保たれない可能性のある距離とした点である。横方向の隣接する単位リードフレーム１７間にスペース部を設けない多面付リードフレーム７としている。また、上段の単位リードフレーム１７ａと下段の単位リードフレーム１７ｂの間にはスペース部８ｂ、８ｃを設け、上段の単位リードフレーム１７ａに対し下段の単位リードフレーム１７ｂを行（横）方向にずれて配列している。以上のように、横方向のスペース部がなくなることで多面付リードフレーム７内に設置できる半導体装置の数が増え、生産性の高いものとなっている。

【0041】

図９（ｂ）は、図９（ａ）に続き、多面付リードフレーム７を個片化する工程を示す図である。多面付リードフレーム７の横方向のフレーム枠７ｘ（図示せず）に沿って裏面側からダイシングして切削部１０ａを形成した後に、多面付リードフレーム７の縦方向のフレーム枠７ｙ（図示せず）に沿って裏面側からダイシングして切削部１０ｂを形成する。上段の単位リードフレーム１７ａに対し下段の単位リードフレーム１７ｂが行（横）方向にずれて配列されており、例えば、下段の単位リードフレーム１７ｂのフレーム枠７ｙに沿ってダイシングして切削部１０ｂを形成すると同時に、上段の単位リードフレーム１７ａの隣接するリード２の間の封止樹脂１まで切削して、この領域に切削部１０ｃ（樹脂凹部４）を形成する。図７との違いは切削部１０ｃ（樹脂凹部４）を設ける位置である。図７ではリード２ａとリード２ｂの間、およびリード２ｂとリード２ｃの間の両方に切削部１０ｃ（樹脂凹部４）を形成したが、本例ではリード２ｂとリード２ｃの間のみに切削部１０ｃ（樹脂凹部４）を形成している。これはリード２ａとリード２ｂのリード間距離が十分広く、個片化時に発生する金属バリを考慮しても十分絶縁性が保てる距離とし、リード２ｂとリード２ｃのリード間距離を相対的に狭くし、個片化時に発生する金属バリによって絶縁性が保たれない可能性のある距離としているからである。

【0042】

図１０は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す変形例である。図１０（ａ）は多面付リードフレーム７が封止樹脂１で一括封止された封止体１８の裏面図である。図６（ａ）との違いは、横方向の隣接する単位リードフレーム１７間にスペース部８ａを設け、縦方向の上下段の単位リードフレーム１７ａ、１７ｂ間にはスペース部を設けていない点である。以上のように、縦方向のスペース部がなくなることで多面付リードフレーム７内に設置できる半導体装置の数が増え、生産性の高いものとなっている。

【0043】

図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に続き、多面付リードフレーム７を個片化する工程を示す図である。多面付リードフレーム７の横方向のフレーム枠７ｘ（図示せず）に沿って裏面側からダイシングして切削部１０ａを形成した後に、多面付リードフレーム７の縦方向のフレーム枠７ｙ（図示せず）に沿って裏面側からダイシングして切削部１０ｂを形成する。上下２段の単位リードフレーム１７ａ、１７ｂは上段の単位リードフレーム１７ａに対し下段の単位リードフレーム１７ｂが行（横）方向にずれて配列されており、例えば、下段の単位リードフレーム１７ｂのフレーム枠７ｙに沿ってダイシングして切削部１０ｂを形成すると同時に、上段の単位リードフレーム１７ａの隣接するリード２の間の封止樹脂１まで切削して、この領域に切削部１０ｃ（樹脂凹部４）を形成する。図７と同様、リード２ａとリード２ｂの間、およびリード２ｂとリード２ｃの間の両方に切削部１０ｃ（樹脂凹部４）を形成している。本例の多面付リードフレーム７の縦方向の単位リードフレーム間にはスペース部を設けていないため、フルカット方式ではなく、ステップカット方式のダイシングを用いるのが良い。すなわち、半導体装置の裏面側からハーフカットし、残りを表面側からダイシングするという手法でダイシングする。その詳細を次に説明する。

【0044】

図１１は、図１０（ｂ）のＥ－Ｅ線に沿った断面図であり、切削部１０ｂ、切削部１０ｃを形成する状況を図示している。半導体装置１３、１４および多面付リードフレーム７の裏面側を上向きとして、半導体装置１３、１４の表面側がダイシングテープ１２に接着、固定されており、ダイシングブレード１１によって個片化されている状態である。なお、図１０のＥ－Ｅ断面にリード２は存在しないが、半導体装置の上下の向き等の理解を助けるため破線でその位置を示している。

【0045】

ダイシングブレード１１は図中に記載の左向き矢印の方向に向かって進んでおり、半導体装置１３のフレーム枠７ｙ（図示せず）に沿って切削し切削部１０ｂを形成しながら、最後に半導体装置１４のリード間に切削部１０ｃ（樹脂凹部４）を形成する。その際、ステップカット方式の様に、半導体装置１３側の側面を完全に切り離さず、上部だけをハーフカットして切り残し部１５を残してダイシングを行う。

【0046】

フルカット方式でダイシングを行う場合、半導体装置１３を完全に個片化するためにはダイシングブレード１１がダイシングテープ１２にわずかに切り込みを入れながら、半導体装置１３が個片化されるまで半導体装置１４側へ切削を続ける必要があり、半導体装置１４の裏面側に形成される樹脂凹部４ａが必要以上に大きくなってしまう。図８で示した製造方法においては半導体装置１３と半導体装置１４の間にスペース部８ｂを設けることで、フルカット方式の切削を行っても、半導体装置１４に形成される樹脂凹部４が大きくなりすぎないデザインになっているが、本例の多面付リードフレーム７には上段の単位リードフレーム１７ａと下段の単位リードフレーム１７ｂの間にスペース部が存在していないため、フルカット方式を用いると樹脂凹部４ａの横方向の切り込み幅が大きくなりすぎてしまう。不必要に大きい樹脂凹部４ａは半導体装置１４の品質低下や機能不全を招く恐れがあるため、樹脂凹部４ａはリード間ショートを防ぐことができる必要最低限の大きさが望ましく、そのためには半導体装置１３側に切り残し部１５を形成するようにダイシングブレード１１の切削深さを浅くしてダイシングを行う必要がある。

【0047】

次に、図１１（ｂ）に示すように、半導体装置１３、１４の裏面側をダイシングテープ１２に固着し、半導体装置１３、１４の表面側からダイシングを行う。これによって、図１１（ａ）で切削されずに残った切り残し部１５を切削し、半導体装置１３を完全に個片化することができる。ただし、切り残し部１５を切削するために表面側からダイシングを行うと、半導体装置１４の表面側に樹脂凹部４ｂが副次的に形成されるため、樹脂凹部４ｂの発生によって半導体装置１４の内部に存在している半導体素子や金属細線、その他構造を破壊しないように注意をして、半導体装置１４および樹脂凹部４ｂをデザインする必要がある。

【0048】

図１２は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す変形例である。図１２（ａ）は多面付リードフレーム７が封止樹脂１で一括封止された封止体１８の裏面図である。図６（ａ）との違いは、四リードタイプの単位リードフレーム１７とし、隣接する単位リードフレーム１７間のスペース部をなくし、単位リードフレーム１７ａ、１７ｂを最密配列した点である。スペース部がなくなることで多面付リードフレーム７内に設置できる半導体装置の数が増え、生産性の高いものとなっている。

【0049】

図１２（ｂ）は、図１２（ａ）に続き、多面付リードフレーム７を個片化する工程を示す図である。多面付リードフレーム７の横方向のフレーム枠７ｘ（図示せず）に沿って裏面側からダイシングして切削部１０ａを形成した後に、多面付リードフレーム７の縦方向のフレーム枠７ｙ（図示せず）に沿って裏面側からダイシングして切削部１０ｂを形成する。上下２段の単位リードフレーム１７ａ、１７ｂは上段の単位リードフレーム１７ａに対し下段の単位リードフレーム１７ｂが行（横）方向にずれて配列されており、例えば、下段の単位リードフレーム１７ｂのフレーム枠７ｙに沿ってダイシングして切削部１０ｂを形成すると同時に、上段の単位リードフレーム１７ａの隣接するリード２の間の封止樹脂１まで切削して、この領域に切削部１０ｃ（樹脂凹部４）を形成する。図７と同様、リード２ａとリード２ｂの間、およびリード２ｂとリード２ｃの間の両方に切削部１０ｃ（樹脂凹部４）を形成している。本例の多面付リードフレーム７の縦方向の単位リードフレーム間にはスペース部を設けていないため、フルカット方式ではなく、図１１に示すステップカット方式のダイシングを用いる。すなわち、半導体装置の裏面側からハーフカットし、残りを表面側からダイシングするという手法でダイシングする。
以上のように、四リードタイプとすることで、無駄の少ない生産性の高い半導体装置を得ることができる。

【0050】

図１３は、本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の製造工程を示す図である。まず、図１３（ａ）に示すように、多面付リードフレーム７を準備する。多面付リードフレーム７は矩形状のダイパッド５およびダイパッド５から離間して配置された複数のリード２を１つの単位リードフレーム１７として、その単位リードフレーム１７を格子状に複数配列するものである。破線で囲むように図示する単位リードフレーム１７はフレーム枠７ｘ、７ｙによって囲まれており、リード２はフレーム枠７ｘに接続され、ダイパッド５は吊りリード９を介してフレーム枠７ｙに接続されている。なお、多面付リードフレーム７は主に銅材や銅合金材からなるものである。

【0051】

ダイパッド５の裏面の反対側の表面には半導体素子（図示せず）が搭載され、半導体素子とリード２は電気的に接続されている。ダイパッド５とリード２を含む多面付リードフレーム７とダイパッド５上に搭載された半導体素子が封止樹脂１で一括封止されている。このとき、ダイパッド５の裏面とリード２の裏面は封止樹脂１から露出している。また、封止後にダイパッド５の裏面およびリード２の裏面に実装用のメッキ層が形成される。図１３（ａ）は、多面付リードフレーム７が封止樹脂１で一括封止された封止体１８の裏面図である。

【0052】

図１３（ｂ）は、図１３（ａ）に示されるＦ－Ｆ線に沿った断面図である。この段階で隣接する単位リードフレーム１７それぞれのリード２はフレーム枠７ｘを介して繋がっている。

【0053】

また、図１３（ｃ）は、図１３（ａ）に示されるＧ－Ｇ線に沿った断面図である。この断面にリードは無く、ダイパッド５上の半導体素子６とフレーム枠７ｘとそれらを被覆する封止樹脂１が図示されている。

【0054】

図１４は、図１３に続く、本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の製造工程を示す図である。図１４（ａ）の裏面図に示すように、フレーム枠７ｘに沿ってレーザー１６を照射し、リード２間の封止樹脂１を除去する。ここでは、封止樹脂１を選択的に除去できるレーザー１６を用いる。レーザー１６はフレーム枠７ｘに沿って、例えば左から右へ走査しながら照射されるが、一つのフレーム枠７ｘに対し、その上端側と下端側で２回走査するのが良い。上端側を走査する時は、平面視的にフレーム枠７ｘの上端部とその上の封止樹脂１の一部に跨るようなビーム径（入射加工径）でレーザー１６を照射しながら走査する。同様に、下端側を走査する時はフレーム枠７ｘの下端部とその下の封止樹脂１の一部に跨るようなビーム径でレーザー１６を照射しながら走査することで封止樹脂１を除去する。あるいは、２回走査に代えて１回走査にてフレーム枠７ｘの上部と下部の封止樹脂１を同時に除去する方法を用いても良い。１回走査の場合は、２回走査時に比べて大きいビーム径を用いる。すなわち、フレーム枠７ｘおよびその上端側の封止樹脂１の一部と下端側の封止樹脂１の一部を照射できるビーム径とする必要がある。

【0055】

図１４（ｂ）は、図１４（ａ）に示されるＫ－Ｋ線に沿った断面図である。リード２の裏面から照射されるレーザー１６はリード２によって遮蔽され、封止樹脂１には照射されない。

【0056】

また、図１４（ｃ）は、図１４（ａ）に示されるＭ－Ｍ線に沿った断面図である。この断面にリードは無く、フレーム枠７ｘとそれらを被覆する封止樹脂１に対しレーザー１６が照射される。照射されるレーザー１６の加工深さ（図３（ｂ）のＨ２に相当）はフレーム枠７ｘの高さ（図３（ｂ）のＨ１に相当）よりも大きいものとしている。このとき、必要に応じて焦点深度を変更しても良い、また、焦点深度の異なる走査を複数回行っても良い。レーザー１６照射時に封止体１８の裏面から垂直にレーザー入射させることで、図３（ｂ）に示す矩形形状の樹脂凹部４が形成され、封止体１８の裏面から斜めにレーザー入射させることで図４（ｂ）に示すような庇領域４１を有する形状の樹脂凹部４が形成される。

【0057】

レーザー１６の照射後に、除去しきれなかった封止樹脂の残りがある場合は残留樹脂を除去することが好ましい。残留樹脂を除去する方法としては、研磨剤を封止樹脂１に吹き付けるドライブラスト加工法やウェットブラスト加工法、または、ウォータージェット法がある。封止体１８のダメージを抑制しながら残留樹脂を除去するためにはウェットブラスト加工法やウォータージェット法が好適である。

【0058】

図１５は、図１４に続く、本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の製造工程を示す図である。図１５（ａ）の裏面図に示すように、ダイシングブレード１１を用いて個片化する。ダイシングブレード１１を用いてフレーム枠７ｘに沿って封止体１８を切断する。なお、ダイシングブレード１１による切断方向は封止体１８の横方向（ｘ方向）と縦方向（ｙ方向）の両方向で行う。

【0059】

図１５（ｂ）は、図１５（ａ）に示されるＮ－Ｎ線に沿った断面図である。リード２の間にあるフレーム枠７ｘに沿ってダイシングブレード１１を用いて切断される。ダイシングブレード１１の幅をフレーム枠７ｘの幅よりも大きくすることでフレーム枠７ｘを完全に除去することができ、ダイシングによってリード２の切断面が形成されることになる。

【0060】

また、図１５（ｃ）は、図１５（ａ）に示されるＰ－Ｐ線に沿った断面図である。樹脂凹部４の間にあるフレーム枠７ｘに沿ってダイシングブレード１１を用いて切断される。フレーム枠７ｘの中心を狙ってダイシングしてフレーム枠７ｘを完全に除去し、隣接する樹脂凹部４を残すようにダイシングを行う。

【0061】

図１６は、図１５に続く、本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の製造工程を示す図である。図１６（ａ）は、ダイシングして個片化された半導体装置の裏面図である。ダイシングによって、フレーム枠７ｘとフレーム枠７ｙが除去され、個々の半導体装置２３となる。

【0062】

図１６（ｂ）は、図１６（ａ）に示されるＲ－Ｒ線に沿った断面図である。リード２の側面は封止樹脂１から露出し、封止樹脂１の側面と面一となっている。

【0063】

図１６（ｃ）は、図１６（ａ）に示されるＳ－Ｓ線に沿った断面図である。リード２が無く、封止樹脂１の側面下部には樹脂凹部４が形成されている。樹脂凹部４は封止樹脂１の側面よりも窪んだ凹部となっているため樹脂凹部４には金属バリは付着しない。

【0064】

従来の半導体装置では、ダイシングによって図２１に示すように隣接するリード２間に金属バリ３が発生していたが、本発明の実施形態にかかる半導体装置では、窪んだ樹脂凹部４が存在するためリード２から金属バリが延びて樹脂凹部４の表面に付着することはない。これにより、半導体装置２３は、リード間ショートを抑制する半導体装置とすることができる。また、本例の半導体装置２１においては、リードの先端が細くなることがなく実装信頼性を損なうおそれもない。

【0065】

図１７は、本発明の第５実施形態にかかる半導体装置の製造工程を示す図である。まず、図１７（ａ）に示すように、多面付リードフレーム７を準備する。多面付リードフレーム７は矩形状のダイパッド５およびダイパッド５から離間して配置された複数のリード２を１つの単位リードフレーム１７として、その単位リードフレーム１７を格子状に複数配列するものである。破線で囲むように図示する単位リードフレーム１７はフレーム枠７ｘ、７ｙによって囲まれており、リード２はフレーム枠７ｘに接続され、ダイパッド５は吊りリード９を介してフレーム枠７ｙに接続されている。なお、多面付リードフレーム７は主に銅材や銅合金材からなるものである。

【0066】

ダイパッド５の裏面の反対側の表面には半導体素子（図示せず）が搭載され、半導体素子とリード２は電気的に接続されている。ダイパッド５とリード２を含む多面付リードフレーム７とダイパッド５上に搭載された半導体素子が封止樹脂１で一括封止されている。このとき、ダイパッド５の裏面とリード２の裏面は封止樹脂１から露出している。また、封止後にダイパッド５の裏面およびリード２の裏面に実装用のメッキ層が形成される。

【0067】

図１７（ａ）は、多面付リードフレーム７が封止樹脂１で一括封止された封止体１８の裏面図であるが、図１３（ａ）に示す封止体１８と異なるのは、隣接するリード２間の封止樹脂１の表面の一部が除去された樹脂凹部４を設けている点である。ここでは樹脂凹部４は隣接するリード２間だけでなく、フレーム枠７ｙとリード２の間の封止樹脂１の表面にも設けられている。

【0068】

図１７（ｂ）は、図１７（ａ）に示されるＵ－Ｕ線に沿った断面図である。この段階で上下に隣接する単位リードフレーム１７それぞれのリード２はフレーム枠７ｘを介して繋がっている。

【0069】

また、図１７（ｃ）は、図１７（ａ）に示されるＶ－Ｖ線に沿った断面図である。この断面にリードは図示されず、ダイパッド５上の半導体素子６とフレーム枠７ｘとフレーム枠７ｘの側面に設けられた樹脂凹部４、そして、それらを被覆する封止樹脂１が図示されている。樹脂凹部４は封止体１８の底面から上表面に渡って設けられている。

【0070】

図１８を用いて、図１７に図示した樹脂凹部４の付いた封止体１８の成形について説明する。図１８（ａ）は、図１７（ａ）のＵ―Ｕ線に沿った封止体１８の成形途中図である。半導体素子６を搭載した多面付リードフレーム７を封止するための金型１９を準備する。金型１９は上金型１９ａと下金型１９ｂとから構成され、それらの間にはキャビティ３０を有する。図の左側からキャビティ３０に封止樹脂１を流入させ、半導体素子６とダイパッド５とリード２等を封止樹脂１にて封止することが図示されている。

【0071】

図１８（ｂ）は、図１７（ａ）のＶ―Ｖ線に沿った封止体１６の成形途中図である。図示するように、上金型１９ａからキャビティ３０に向かって突出するように金型凸部２０が設けられている。金型凸部２０は上金型１９ａの下表面から下方に突出し、その側面はフレーム枠７ｘの側面と接し、さらに、金型凸部２０の先端は下金型１９ｂの上表面に接している。

【0072】

逆に、金型１９が、金型凸部２０は下金型１９ｂの上表面から上方に突出し、その側面がフレーム枠７ｘの側面に接し、さらに、金型凸部２０の先端が上金型１９ａの下表面に接するという構造であっても良い。金型凸部２０が下金型１９ｂの上表面から上方に突出する場合、金型凸部２０の先端が上金型１９ａの下表面に接する必要はなく、フレーム枠７ｘの上表面高さよりも金型凸部２０の上表面高さが高くなるような設定となっていれば良い。なお、図１７に示した封止体１８に形成された樹脂凹部４は、上述の金型凸部２０に相対して形成されるものである。

【0073】

図１９は、図１８に続く、本発明の第５実施形態にかかる半導体装置の製造工程を示す図である。図１９（ａ）の裏面図に示すように、ダイシングブレード１１を用いて個片化する。すなわち、ダイシングブレード１１を用いてフレーム枠７ｘに沿って封止体１８を切断することで個片化する。なお、ダイシングブレード１１による切断方向は封止体１８の横方向（ｘ方向）と縦方向（ｙ方向）の両方向である。

【0074】

図示する形状では、隣接するリード２の間だけでなく、樹脂凹部４を封止樹脂１の左側面とリード２ａの間、封止樹脂１の右側面とリード２ｃの間にも設けている。つまり、後に形成される半導体装置の角部となる部位にも樹脂凹部４が設けられている。一般に、横方向（ｘ方向）と縦方向（ｙ方向）のダイシングが交差する部位においては半導体装置の割れ欠けが発生しやすいが、本形状の場合は、該交差する部位が樹脂凹部４となっているため、半導体装置の割れ欠けを防止するという副次的な効果を有する。

【0075】

図１９（ｂ）は、図１９（ａ）に示されるＷ－Ｗ線に沿った断面図である。封止体１８はリード２の間にあるフレーム枠７ｘに沿ってダイシングブレード１１を用いて切断される。ダイシングブレード１１の幅をフレーム枠７ｘの幅よりも大きくすることでフレーム枠７ｘを完全に除去することができ、ダイシングによってリード２の切断面が形成されることになる。

【0076】

また、図１９（ｃ）は、図１９（ａ）に示されるＺ－Ｚ線に沿った断面図である。封止体１８は樹脂凹部４の間にあるフレーム枠７ｘに沿ってダイシングブレード１１を用いて切断される。フレーム枠７ｘの中心を狙ってダイシングしてフレーム枠７ｘを完全に除去し、隣接する樹脂凹部４を残すようにダイシングを行う。

【0077】

図２０は、図１９に続く、本発明の第５実施形態にかかる半導体装置の製造工程を示す図である。図２０（ａ）は、ダイシングして個片化された半導体装置の裏面図である。ダイシングによって、フレーム枠７ｘとフレーム枠７ｙが除去され、個々の半導体装置２５となる。

【0078】

図２０（ｂ）は、図２０（ａ）に示されるＡＡ－ＡＡ線に沿った断面図である。リード２の側面は封止樹脂１から露出し、封止樹脂１の側面と面一となっている。

【0079】

図２０（ｃ）は、図２０（ａ）に示されるＢＢ－ＢＢ線に沿った断面図である。リード２が無く、封止樹脂１の側面には樹脂凹部４が形成されている。樹脂凹部４は封止樹脂１の側面よりも窪んだ凹部となっているため樹脂凹部４には金属バリは付着しない。

【0080】

従来の半導体装置では、ダイシングによって図２１に示すように隣接するリード２間に金属バリ３が発生していたが、本発明の実施形態にかかる半導体装置２５の製造方法を用いた場合、図５に示すように、窪んだ樹脂凹部４が存在するためリード２から金属バリが延びて樹脂凹部４の表面に付着することはない。これにより、リード間ショートを抑制する半導体装置２５とすることができる。なお、本例の半導体装置２５においては、リードの先端が細くなることがなく実装信頼性を損なうおそれもない。

【符号の説明】

【0081】

１ 封止樹脂
２、２ａ、２ｂ、２ｃ リード
３ 金属バリ
４、４ａ、４ｂ 樹脂凹部
５ ダイパッド
６ 半導体素子
７ 多面付リードフレーム
７ｘ、７ｙ フレーム枠
８ａ、８ｂ、８ｃ スペース部
９ 吊りリード
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ 切削部
１１ ダイシングブレード
１２ ダイシングテープ
１３、１４，２１，２２，２３，２４ 半導体装置
１５ 切り残し部
１６ レーザー
１７、１７ａ、１７ｂ 単位リードフレーム
１８ 封止体
１９ 金型
１９ａ 上金型
１９ｂ 下金型
２０ 金型凸部
３０ キャビティ
４１ 庇領域
Ｈ１ リード高さ
Ｈ２ 樹脂凹部高さ
Ｌ１ リード奥行長さ
Ｌ２ 樹脂凹部奥行長さ
Ｄ１ 設計上のリード間距離
Ｄ２ 実質的なリード間距離

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】