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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022151164
(43)【公開日】2022-10-07
(54)【発明の名称】インダクタ
(51)【国際特許分類】
H01F 27/29 20060101AFI20220929BHJP
H01F 17/04 20060101ALI20220929BHJP
H01F 27/28 20060101ALI20220929BHJP
【ＦＩ】
H01F27/29 Q
H01F17/04 A
H01F27/28 152
H01F17/04 F
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021054099
(22)【出願日】2021-03-26
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110001081
【氏名又は名称】弁理士法人クシブチ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】新井 工
(72)【発明者】
【氏名】遠山 元気
【テーマコード（参考）】
5E043
5E070
【Ｆターム（参考）】
5E043AA06
5E070AA01
5E070AB01
5E070BB03
5E070CA07
5E070EA06
(57)【要約】 （修正有）
【課題】十分な特性を維持しつつも、低背化を実現可能にするインダクタを提供する。
【解決手段】磁性粉を含むコア３０に、所定の板厚ＧＴの導体２０が埋設されたインダクタ１であって、コアは、実装時に実装基板の側に向けられる実装面１０と、実装面に対向する上面１２と、実装面に直交する一対の端面１４と、を備える。導体は、コアの内部を一対の端面に亘って延びる導線２２と、一対の電極端子２４と、を備える。電極端子は、導線の両側の端部２２Ａのそれぞれに設けられ、実装面に露出する電極部２７と、導線の端部と電極部との間に設けられ、第１曲げＲを有する第１曲部７０及び第２曲げＲを有する第２曲部７２と、を備える。第１曲げＲ及び第２曲げＲは、導体の板厚の２.０倍以上３.０倍以下であり、なおかつ、第１曲げＲ及び第２曲げＲのいずれか一方が導体の板厚の２.０倍以上のとき、他方が導体の板厚の３.０倍未満である。
【選択図】図７
【解決手段】磁性粉を含むコア３０に、所定の板厚ＧＴの導体２０が埋設されたインダクタ１であって、コアは、実装時に実装基板の側に向けられる実装面１０と、実装面に対向する上面１２と、実装面に直交する一対の端面１４と、を備える。導体は、コアの内部を一対の端面に亘って延びる導線２２と、一対の電極端子２４と、を備える。電極端子は、導線の両側の端部２２Ａのそれぞれに設けられ、実装面に露出する電極部２７と、導線の端部と電極部との間に設けられ、第１曲げＲを有する第１曲部７０及び第２曲げＲを有する第２曲部７２と、を備える。第１曲げＲ及び第２曲げＲは、導体の板厚の２.０倍以上３.０倍以下であり、なおかつ、第１曲げＲ及び第２曲げＲのいずれか一方が導体の板厚の２.０倍以上のとき、他方が導体の板厚の３.０倍未満である。
【選択図】図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
磁性粉を含むコアに、所定の板厚の導体が埋設されたインダクタであって、
前記コアは、
実装時に実装基板の側に向けられる実装面と、前記実装面に対向する上面と、前記実装面に直交する一対の端面と、
を備え、
前記導体は、
前記コアの内部を前記一対の端面に亘って延びる導線と、一対の電極端子と、
を備え、
前記電極端子は、
前記導線の両側の端部のそれぞれに設けられ、前記実装面に露出する電極部と、
前記導線の端部と前記電極部との間に設けられ、第１曲げＲを有する第１曲部、及び、第２曲げＲを有する第２曲部と、
を備え、
前記第１曲げＲ及び前記第２曲げＲは、前記導体の板厚の２.０倍以上３.０倍以下であり、なおかつ、前記第１曲げＲ及び前記第２曲げＲのいずれか一方が前記導体の板厚の２.０倍以上のとき他方は前記導体の板厚の３.０倍未満である
ことを特徴とするインダクタ。
前記コアは、
実装時に実装基板の側に向けられる実装面と、前記実装面に対向する上面と、前記実装面に直交する一対の端面と、
を備え、
前記導体は、
前記コアの内部を前記一対の端面に亘って延びる導線と、一対の電極端子と、
を備え、
前記電極端子は、
前記導線の両側の端部のそれぞれに設けられ、前記実装面に露出する電極部と、
前記導線の端部と前記電極部との間に設けられ、第１曲げＲを有する第１曲部、及び、第２曲げＲを有する第２曲部と、
を備え、
前記第１曲げＲ及び前記第２曲げＲは、前記導体の板厚の２.０倍以上３.０倍以下であり、なおかつ、前記第１曲げＲ及び前記第２曲げＲのいずれか一方が前記導体の板厚の２.０倍以上のとき他方は前記導体の板厚の３.０倍未満である
ことを特徴とするインダクタ。
【請求項2】
前記電極部の電極幅は、前記導線の導線幅よりも広い
ことを特徴とする請求項１に記載のインダクタ。
ことを特徴とする請求項１に記載のインダクタ。
【請求項3】
前記導体の板厚は、０．１ｍｍ以上、かつ、０．１２ｍｍ以下である、
ことを特徴とする請求項２に記載のインダクタ。
ことを特徴とする請求項２に記載のインダクタ。
【請求項4】
前記導体は、
前記第１曲部と前記第２曲部との間に、前記導体の板厚に等しい長さの中間部を有する
ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のインダクタ。
前記第１曲部と前記第２曲部との間に、前記導体の板厚に等しい長さの中間部を有する
ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のインダクタ。
【請求項5】
前記第１曲部、及び前記第２曲部の曲げＲがいずれも前記導体の板厚の２．０倍であり、
前記コアは、
前記導体の前記導線から前記実装面までの厚みである下部コア厚みと、前記導線から前記上面までの厚みである上部コア厚みとの差が前記導体の板厚以下である
ことを特徴とする請求項４に記載のインダクタ。
前記コアは、
前記導体の前記導線から前記実装面までの厚みである下部コア厚みと、前記導線から前記上面までの厚みである上部コア厚みとの差が前記導体の板厚以下である
ことを特徴とする請求項４に記載のインダクタ。
【請求項6】
前記上部コア厚みは前記下部コア厚みよりも厚く、かつ、前記上部コア厚みと前記下部コア厚みとの差が前記導体の板厚未満である
ことを特徴とする請求項５に記載のインダクタ。
ことを特徴とする請求項５に記載のインダクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、インダクタに関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１は、インダクタンス値を低くすることが可能となると共に、小型化が容易となる磁性素子を開示する。この磁性素子は、コア部材の内部に直線状の導体が設けられ、また、コア部材の外面に端子電極を具備している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】国際公開２００６／０７０５４４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
近年、高密度実装化への対応のために、小型だけではなく低背なインダクタが求められているものの、特許文献１の技術は、低背化に関して不十分であった。
本発明は、十分な特性を維持しつつも、低背化を実現可能なインダクタを提供することを目的とする。
本発明は、十分な特性を維持しつつも、低背化を実現可能なインダクタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の一態様は、磁性粉を含むコアに、所定の板厚の導体が埋設されたインダクタであって、前記コアは、実装時に実装基板の側に向けられる実装面と、前記実装面に対向する上面と、前記実装面に直交する一対の端面と、を備え、前記導体は、前記コアの内部を前記一対の端面に亘って延びる導線と、一対の電極端子と、を備え、前記電極端子は、前記導線の両側の端部のそれぞれに設けられ、前記実装面に露出する電極部と、前記導線の端部と前記電極部との間に設けられ、第１曲げＲを有する第１曲部、及び、第２曲げＲを有する第２曲部と、を備え、前記第１曲げＲ及び前記第２曲げＲは、前記導体の板厚の２.０倍以上３.０倍以下であり、なおかつ、前記第１曲げＲ及び前記第２曲げＲのいずれか一方が前記導体の板厚の２.０倍以上のとき他方は前記導体の板厚の３.０倍未満であることを特徴とするインダクタ。
【発明の効果】
【0006】
本発明によれば、十分な特性を維持しつつも、低背化を実現可能なインダクタが得られる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本発明の実施形態に係るインダクタを上面の側から視た斜視図である。
【図2】インダクタの側面を視た平面図である。
【図3】インダクタの端面を視た平面図である。
【図4】インダクタの実装面を視た平面図である。
【図5】インダクタの内部構成を示す透視斜視図である。
【図6】インダクタの製造工程の概要図である。
【図7】インダクタのＬＴ断面を模式的に示す図である。
【図8】導体の各部の寸法が異なるインダクタの特性評価結果を示す図である。
【図9】上部コア厚み及び下部コア厚みが異なるインダクタの特性評価結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図１は本実施形態に係るインダクタ１を上面１２の側から視た斜視図である。図２はインダクタ１の側面１６を視た平面図、図３はインダクタ１の端面１４を視た平面図、図４はインダクタ１の実装面１０を視た平面図である。
本実施形態のインダクタ１は、表面実装型の電子部品として構成されており、略直方体形状の素体２と、当該素体２の表面に設けられた一対の外部電極４とを備えている。
以下、素体２において、実装時に図示しない実装基板に向けられる面を実装面１０（図４）と定義し、実装面１０に対向する面を上面１２と言い、実装面１０に直交する一対の面を端面１４と言い、これら実装面１０、及び一対の端面１４に直交する一対の面を側面１６と言う。
また、図１に示すように、実装面１０から上面１２までの距離を素体２の厚みＴと定義し、一対の側面１６の間の距離を素体２の幅Ｗと定義し、一対の端面１４の間の距離を素体２の長さＬと定義する。
図１は本実施形態に係るインダクタ１を上面１２の側から視た斜視図である。図２はインダクタ１の側面１６を視た平面図、図３はインダクタ１の端面１４を視た平面図、図４はインダクタ１の実装面１０を視た平面図である。
本実施形態のインダクタ１は、表面実装型の電子部品として構成されており、略直方体形状の素体２と、当該素体２の表面に設けられた一対の外部電極４とを備えている。
以下、素体２において、実装時に図示しない実装基板に向けられる面を実装面１０（図４）と定義し、実装面１０に対向する面を上面１２と言い、実装面１０に直交する一対の面を端面１４と言い、これら実装面１０、及び一対の端面１４に直交する一対の面を側面１６と言う。
また、図１に示すように、実装面１０から上面１２までの距離を素体２の厚みＴと定義し、一対の側面１６の間の距離を素体２の幅Ｗと定義し、一対の端面１４の間の距離を素体２の長さＬと定義する。
【0009】
図５はインダクタ１の内部構成を示す透視斜視図である。
素体２は、導体２０と、当該導体２０が埋設された略直方形状のコア３０と、を備え、かかる導体２０をコア３０に封入した導体封入型磁性部品として構成されている。
素体２は、導体２０と、当該導体２０が埋設された略直方形状のコア３０と、を備え、かかる導体２０をコア３０に封入した導体封入型磁性部品として構成されている。
【0010】
コア３０は、磁性粉と樹脂を混合した混合粉を、導体２０を内包した状態で加圧及び加熱することで略直方体形状に圧縮成型された成型体である。コア３０の表面には、コア３０の内部よりも酸化された酸化膜を含んでいる。また本実施形態の混合粉には、磁性粉及び樹脂以外に硫酸バリウムが滑剤として混合されている。
【0011】
本実施形態の混合粉は、磁性粉に対する樹脂量が約３．１ｗｔ％となっている。
また本実施形態の磁性粉は、平均粒径が比較的大きな大粒子の第１磁性粒子と、平均粒径が比較的小さな小粒子の第２磁性粒子との２種の粒度の粒子を含み、圧縮成型時において、大粒子の第１磁性粒子の間に、小粒子である第２磁性粒子が樹脂とともに入り込むことでコア３０の充填率を大きくし、また透磁率も高めることができる。
また本実施形態の磁性粉は、平均粒径が比較的大きな大粒子の第１磁性粒子と、平均粒径が比較的小さな小粒子の第２磁性粒子との２種の粒度の粒子を含み、圧縮成型時において、大粒子の第１磁性粒子の間に、小粒子である第２磁性粒子が樹脂とともに入り込むことでコア３０の充填率を大きくし、また透磁率も高めることができる。
【0012】
ここで、第１磁性粒子と第２磁性粒子との配合比（重量比）は、７０:３０から８５:１５、好ましくは７０:３０から８０:２０であり、本実施形態では７５：２５となっている。
また、第１磁性粒子と第２磁性粒子の平均粒径の比は５．０以上であることが好ましい。
なお、磁性粉が第１磁性粒子と第２磁性粒子の間の平均粒径の粒子を含むことで、３種以上の粒度の粒子を含んでもよい。
また、第１磁性粒子と第２磁性粒子の平均粒径の比は５．０以上であることが好ましい。
なお、磁性粉が第１磁性粒子と第２磁性粒子の間の平均粒径の粒子を含むことで、３種以上の粒度の粒子を含んでもよい。
【0013】
本実施形態において、第１磁性粒子及び第２磁性粒子はいずれも、金属粒子と、その表面を覆う絶縁膜とを有した粒子であり、金属粒子にはＦｅ－Ｓｉ系アモルファス合金粉が用いられ、絶縁膜にはリン酸亜鉛が用いられている。金属粒子が絶縁膜で覆われることで、絶縁抵抗と耐電圧とが高められる。
【0014】
なお、第１磁性粒子において、金属粒子には、ＣｒレスのＦｅ－Ｃ－Ｓｉ合金粉、Ｆｅ－Ｎｉ－Ａｌ合金粉、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金粉、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金粉、Ｆｅ－Ｎｉ合金粉、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ合金粉を用いてもよい。
【0015】
また、第１磁性粒子及び第２磁性粒子において、絶縁膜には、他のリン酸塩（リン酸マグネシウム、リン酸カルシウム、リン酸マンガン、リン酸カドミウムなど）、又は、樹脂材料（シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリフェニレンサルファイド系樹脂など）を用いてもよい。
【0016】
本実施形態の混合粉において、樹脂の材料には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を主剤としたエポキシ樹脂が用いられている。
なお、エポキシ樹脂は、フェノールノボラック型エポキシ樹脂であってもよい。
また、樹脂の材料は、エポキシ樹脂以外であってもよく、また、１種ではなく２種以上であってもよい。例えば、樹脂の材料には、エポキシ樹脂の他にも、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂などの熱硬化性樹脂を用いることができる。
なお、エポキシ樹脂は、フェノールノボラック型エポキシ樹脂であってもよい。
また、樹脂の材料は、エポキシ樹脂以外であってもよく、また、１種ではなく２種以上であってもよい。例えば、樹脂の材料には、エポキシ樹脂の他にも、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂などの熱硬化性樹脂を用いることができる。
【0017】
導体２０は、図５に示すように、コア３０の内部を一対の端面１４に亘って延びる導線２２と、当該導線２２の両端に一体形成された電極端子２４と、を備えている。
電極端子２４は、その表面２４Ａがコア３０の端面１４及び実装面１０のそれぞれから露出し、実装性を確保するために、それらの表面２４Ａにニッケル（Ｎｉ）めっき、及びスズ（Ｓｎ）めっきが順に施されことで上記外部電極４が構成されている。そして、実装面１０に構成された外部電極４が回路基板の配線に、はんだなどの適宜の実装手段によって電気的に接続される。
電極端子２４は、その表面２４Ａがコア３０の端面１４及び実装面１０のそれぞれから露出し、実装性を確保するために、それらの表面２４Ａにニッケル（Ｎｉ）めっき、及びスズ（Ｓｎ）めっきが順に施されことで上記外部電極４が構成されている。そして、実装面１０に構成された外部電極４が回路基板の配線に、はんだなどの適宜の実装手段によって電気的に接続される。
【0018】
本実施形態において、図１から図５に示すように、導体２０の電極端子２４は、実装面１０及び端面１４において、概ね表面２４Ａのみを露出させた状態でコア３０に埋もれ、コア３０からの突出量が抑えられるように構成されている。これにより、電極端子２４の突出を殆ど考慮する必要がないため、コア３０をインダクタ１の規定サイズと同程度まで大きくすることができ、小型かつ低背でありながらも高性能なインダクタ１を実現できる。
【0019】
コア３０の幅Ｗの方向における導線２２の長さを導線幅ＷＡと定義し、電極端子２４の長さを電極幅ＷＢと定義すると、本実施形態の電極端子２４の電極幅ＷＢは、図５に示すように、導線幅ＷＡよりも広くなっており、直流抵抗の低抵抗化が図られている。
【0020】
かかる電極端子２４は、コア３０の長さＬ及び厚みＴのそれぞれの方向を含むＬＴ面でのＬＴ切断面において略Ｌ字状に形成されている。
詳細には、電極端子２４は、導線２２の端部２２Ａで略垂直に折れ曲がって延びるリード部２６と、当該リード部２６の下端部２６Ａで略垂直に折れ曲がって延びる電極部２７とを有し、これらリード部２６及び電極部２７がＬ字形状を構成している。そして、これらリード部２６及び電極部２７の表面２４Ａがコア３０の端面１４及び実装面１０から露出し、外部電極４を構成している。また、本実施形態の導体２０は、後述する折曲加工によって形成されることで、導線２２の端部２２Ａと電極部２７とのリード部２６が、第１曲げＲを有する第１曲部７０（図７）、及び、第２曲げＲを有する第２曲部７２（図７）を有している。
かかる電極端子２４によれば、導線２２と電極端子２４（外部電極４）とを別体で構成した場合に比べ、外部電極４のうち、主に電流が流れる低電気抵抗な領域である導線２２と電極端子２４（外部電極４）との間に接合面が存在しないため抵抗値を抑えることができ、大きな電流を流すことができる。
さらに本実施形態の導体２０はタフピッチ銅から形成されており、より大きな電流を流すことを可能にしている。
詳細には、電極端子２４は、導線２２の端部２２Ａで略垂直に折れ曲がって延びるリード部２６と、当該リード部２６の下端部２６Ａで略垂直に折れ曲がって延びる電極部２７とを有し、これらリード部２６及び電極部２７がＬ字形状を構成している。そして、これらリード部２６及び電極部２７の表面２４Ａがコア３０の端面１４及び実装面１０から露出し、外部電極４を構成している。また、本実施形態の導体２０は、後述する折曲加工によって形成されることで、導線２２の端部２２Ａと電極部２７とのリード部２６が、第１曲げＲを有する第１曲部７０（図７）、及び、第２曲げＲを有する第２曲部７２（図７）を有している。
かかる電極端子２４によれば、導線２２と電極端子２４（外部電極４）とを別体で構成した場合に比べ、外部電極４のうち、主に電流が流れる低電気抵抗な領域である導線２２と電極端子２４（外部電極４）との間に接合面が存在しないため抵抗値を抑えることができ、大きな電流を流すことができる。
さらに本実施形態の導体２０はタフピッチ銅から形成されており、より大きな電流を流すことを可能にしている。
【0021】
かかるインダクタ１は、コンデンサとスイッチとによって電圧を昇圧するチャージポンプ方式のＤＣＤＣコンバータ及びＬＣフィルタを有した電源回路や、高周波回路のインピーダンス整合用コイル（マッチングコイル）として用いられ、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジカメ、ＴＶ、携帯電話、スマートフォン、カーエレクトロニクス、医療用・産業用機械などの電子機器に用いられる。ただし、インダクタ１の用途はこれに限られず、例えば、同調回路、フィルタ回路や整流平滑回路などにも用いることもできる。
【0022】
なお、インダクタ１において、外部電極４の範囲を除く素体２の表面全体に、素体保護層を形成してもよい。素体保護層の材料には、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、又は、ポリエチレン樹脂、ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。なお、これらの樹脂は酸化ケイ素、酸化チタン等を含むフィラーを更に含んでいても良い。
【0023】
図６は、インダクタ１の製造工程の概要図である。
同図に示すように、インダクタ１の製造工程は、導体部材成型工程、素体用タブレット成型工程、第１タブレット挿入工程、第２タブレット配置工程、熱成型・硬化工程、バレル研磨工程、前処理工程、及び、めっき工程を含んでいる。
同図に示すように、インダクタ１の製造工程は、導体部材成型工程、素体用タブレット成型工程、第１タブレット挿入工程、第２タブレット配置工程、熱成型・硬化工程、バレル研磨工程、前処理工程、及び、めっき工程を含んでいる。
【0024】
導体部材成型工程は、上記導体２０を成型する工程である。
本実施形態では、先ず、所定厚みの銅板の打抜加工によって所定形状の銅片が形成され、次いで、この銅片の折曲加工によって上記導体２０が形成される。このとき、電極端子２４のリード部２６及び電極部２７も折曲加工される。すなわち、この導体部材成型工程により、上記導線２２及び電極端子２４を一体に有し、なおかつ、コア３０に埋設される前に、電極端子２４のリード部２６及び電極部２７も予め成型された（すなわちプリフォーミングされた）導体２０が形成される。
本実施形態では、先ず、所定厚みの銅板の打抜加工によって所定形状の銅片が形成され、次いで、この銅片の折曲加工によって上記導体２０が形成される。このとき、電極端子２４のリード部２６及び電極部２７も折曲加工される。すなわち、この導体部材成型工程により、上記導線２２及び電極端子２４を一体に有し、なおかつ、コア３０に埋設される前に、電極端子２４のリード部２６及び電極部２７も予め成型された（すなわちプリフォーミングされた）導体２０が形成される。
【0025】
タブレット成型工程は、第１タブレット４０及び第２タブレット４２の２つの予備成型体を成型する工程である。
予備成型体は、素体２の材料である上記混合粉を加圧することで、取り扱いが容易な固形状に成型したものである。第１タブレット４０及び第２タブレット４２はそれぞれ、導体２０の導線２２の下側及び上側に配置される予備成型体であり、いずれも略板状に成型されている。
予備成型体は、素体２の材料である上記混合粉を加圧することで、取り扱いが容易な固形状に成型したものである。第１タブレット４０及び第２タブレット４２はそれぞれ、導体２０の導線２２の下側及び上側に配置される予備成型体であり、いずれも略板状に成型されている。
【0026】
第１タブレット挿入工程は、成型金型に導体２０をセットした後、当該導体２０の導線２２の下側であって、一対の電極端子２４の間に第１タブレット４０を挿入する工程である。より詳細には、導体２０は、導線２２の両側の端部２２Ａに、ＬＴ断面においてＬの字状を成す電極端子２４が設けられることで、このＬＴ断面の形状が略Ｃの字状を成しており、これら導線２２及び一対の電極端子２４で包囲される空間内に、第１タブレット４０が挿入される。
第２タブレット配置工程は、導体２０の導線２２の上に第２タブレット４２を載せる工程である。
第２タブレット配置工程は、導体２０の導線２２の上に第２タブレット４２を載せる工程である。
【0027】
熱成型・硬化工程は、成型金型にセットした第１タブレット４０及び第２タブレット４２に熱を加えながら、第１タブレット４０と第２タブレット４２の重なり方向に加圧し、これらを硬化させることとで、第１タブレット４０、導体２０、及び第２タブレット４２を一体化する。これにより、導体２０を内包した成型体が成型される。
上述の通り、導線２２及び一対の電極端子２４で包囲される空間内に第１タブレット４０を収めた状態で成型されるため、導線２２が成型体に埋設され、リード部２６及び電極部２７からなる電極端子２４の表面がコア３０と概ね面一に露出した成型体が得られる。また、電極端子２４のリード部２６及び電極部２７は、事前の上記導体部材成型工程で形成されているため、成型後の成型体に対し、これらリード部２６及び電極部２７を形成するための加工が不要となる。
上述の通り、導線２２及び一対の電極端子２４で包囲される空間内に第１タブレット４０を収めた状態で成型されるため、導線２２が成型体に埋設され、リード部２６及び電極部２７からなる電極端子２４の表面がコア３０と概ね面一に露出した成型体が得られる。また、電極端子２４のリード部２６及び電極部２７は、事前の上記導体部材成型工程で形成されているため、成型後の成型体に対し、これらリード部２６及び電極部２７を形成するための加工が不要となる。
【0028】
バレル研磨工程は、この成型体をバレル研磨する工程であり、当該工程により、成型体の角部へのＲ付けが行われる。
【0029】
前処理工程は、電極端子２４の表面２４Ａに、めっきを施すために行われる前処理であり、加熱工程と洗浄工程とを含んでいる。
加熱工程は、バレル研磨後の成型体を加熱して、成型体の表面を酸化させる工程である。
洗浄工程は、電極端子２４（導体２０）の部材のみを溶解する液剤に成型体を浸すことで（すなわちウエットエッチングすることで）、電極端子２４の表面２４Ａを洗浄する工程である。
また、めっき工程は、バレルめっきによって、電極端子２４の表面２４Ａにニッケル（Ｎｉ）めっき、及びスズ（Ｓｎ）めっきを順に施す工程である。ここで、成型体の表面が上記加熱工程において酸化さることで、めっき工程において、電極端子２４の表面２４Ａから成型体の表面にまで、めっきが伸びる、いわゆる「めっき伸び」の発生が抑えられる。
加熱工程は、バレル研磨後の成型体を加熱して、成型体の表面を酸化させる工程である。
洗浄工程は、電極端子２４（導体２０）の部材のみを溶解する液剤に成型体を浸すことで（すなわちウエットエッチングすることで）、電極端子２４の表面２４Ａを洗浄する工程である。
また、めっき工程は、バレルめっきによって、電極端子２４の表面２４Ａにニッケル（Ｎｉ）めっき、及びスズ（Ｓｎ）めっきを順に施す工程である。ここで、成型体の表面が上記加熱工程において酸化さることで、めっき工程において、電極端子２４の表面２４Ａから成型体の表面にまで、めっきが伸びる、いわゆる「めっき伸び」の発生が抑えられる。
【0030】
次いで、かかるインダクタ１の低背化について更に詳述する。
【0031】
図７は、インダクタ１のＬＴ断面を模式的に示す図である。
インダクタ１（コア３０）のＬＴ断面形状は、上記厚みＴを短辺とし、上記長さＬを長辺とした略矩形状である。
また導体２０は、実装時の底面に相当する実装面１０に略平行に、長さＬの方向に向かって直線状に延びる導線２２と、当該導線２２の両側の端部２２Ａに繋がる略Ｌの字状の電極端子２４とを備え、当該電極端子２４が端面１４及び実装面１０に沿って延在することで、導体２０は、ＬＴ断面において、実装面１０の側で開放した略Ｃの字状形状を成している。
インダクタ１（コア３０）のＬＴ断面形状は、上記厚みＴを短辺とし、上記長さＬを長辺とした略矩形状である。
また導体２０は、実装時の底面に相当する実装面１０に略平行に、長さＬの方向に向かって直線状に延びる導線２２と、当該導線２２の両側の端部２２Ａに繋がる略Ｌの字状の電極端子２４とを備え、当該電極端子２４が端面１４及び実装面１０に沿って延在することで、導体２０は、ＬＴ断面において、実装面１０の側で開放した略Ｃの字状形状を成している。
【0032】
かかる導体２０は、上述の通り、コア３０に埋設される前に、金属片の折曲加工によって形成されている。かかる折曲加工は、金属片において、Ｌの字状に折り曲げる箇所に、曲げＲ（曲率半径）を有する曲げ工具を当接させた状態で、当該当接箇所をＬの字状に折り曲げる加工である。かかる折曲加工が導線２２の端部２２Ａと電極端子２４のリード部２６との接続部、及び、リード部２６の下端部２６Ａと電極部２７との接続部のそれぞれに施されることで、それぞれの箇所が曲げＲ（曲率半径）を有したＬの字状の第１曲部７０及び第２曲部７２として形成される。そして、かかる折曲加工によって導体２０が形成されることで、上述したように、導体２０は、導線２２の端部２２Ａと電極部２７との間に、順に第１曲部７０、及び第２曲部７２の２つの曲げ部を備えることとなる。
【0033】
以下では、第１曲部７０の曲げＲを第１曲げＲ１と称し、第２曲部７２の曲げＲを第２曲げＲ２と称する。本実施形態において、第１曲げＲ１及び第２曲げＲ２は、いわゆる外Ｒを指し、導体２０のＬＴ断面において、コア３０の表面側の面である外周面２３の曲率である。
これら第１曲げＲ１及び第２曲げＲ２の値は、導体２０のＬＴ断面において、インダクタ１の長さＬ方向、厚みＴ方向、及び、長さＬ方向と厚みＴ方向の中間方向（長さＬ方向から厚みＴ方向に４５度だけ傾いた方向）のそれぞれにおける、曲げの中心から外周面２３までの距離の測定値に基づいて計算によって求められる。
また、本実施形態において、導体２０の板厚ＧＴは、第１曲部７０における導線２２の端部２２Ａとの接続箇所の厚みである。
これら第１曲げＲ１及び第２曲げＲ２の値は、導体２０のＬＴ断面において、インダクタ１の長さＬ方向、厚みＴ方向、及び、長さＬ方向と厚みＴ方向の中間方向（長さＬ方向から厚みＴ方向に４５度だけ傾いた方向）のそれぞれにおける、曲げの中心から外周面２３までの距離の測定値に基づいて計算によって求められる。
また、本実施形態において、導体２０の板厚ＧＴは、第１曲部７０における導線２２の端部２２Ａとの接続箇所の厚みである。
【0034】
ここで、本実施形態のインダクタ１は、導体２０の電極端子２４がプリフォーミング（コア３０への埋設前の事前形成）されることで、実装面１０と電極部２７の表面２４Ａが概ね面一となっている。
したがって、図７に示すように、導体２０の厚みを導体厚みＧとし、当該導体２０よりも上側のコア３０の厚みを上部コア厚みＴＵとした場合、インダクタ１の厚みＴは、（導体厚みＧ＋上部コア厚みＴＵ）となり、導体厚みＧを小さくするほど低背化される。
したがって、図７に示すように、導体２０の厚みを導体厚みＧとし、当該導体２０よりも上側のコア３０の厚みを上部コア厚みＴＵとした場合、インダクタ１の厚みＴは、（導体厚みＧ＋上部コア厚みＴＵ）となり、導体厚みＧを小さくするほど低背化される。
【0035】
第１曲部７０と第２曲部７２との間を中間部８０と定義し、当該中間部８０の長さをＧＢとした場合、導体厚みＧは、図７に示すように、第１曲げＲ１、第２曲げＲ２、及び、中間部８０の長さＧＢを加算した長さに等しくなる。したがって、例えば中間部８０の長さＧＢをゼロとし、第１曲げＲ１及び第２曲げＲ２を最小とすることで、導体厚みＧは最小に抑えられる。なお、第１曲部７０、第２曲部７２、及び中間部８０のうち、端面１４に露出する箇所が上記リード部２６に対応する。
【0036】
ここで、曲加工において、導体２０の板厚ＧＴの薄肉化を曲げ部に生じさせることなく曲げることが可能な最小曲げＲは当該板厚ＧＴの約２倍である、との知見が得られている。すなわち、第１曲げＲ１及び第２曲げＲ２の曲げＲが板厚ＧＴの２倍未満であると、第１曲部７０及び第２曲部７２において板厚が薄く変形するため抵抗値が高くなり、インダクタ１の直流抵抗特性が劣化することになる。
したがって、第１曲げＲ１及び第２曲げＲ２を、導体２０の板厚ＧＴの２倍以上とすることで、直流抵抗特性の劣化を回避することができ、加えて、第１曲げＲ１及び第２曲げＲ２を、板厚ＧＴの２倍とすることで、直流抵抗特性の劣化を回避しつつ、導体厚みＧを最小にすることができ、インダクタ１を低背化できる。
したがって、第１曲げＲ１及び第２曲げＲ２を、導体２０の板厚ＧＴの２倍以上とすることで、直流抵抗特性の劣化を回避することができ、加えて、第１曲げＲ１及び第２曲げＲ２を、板厚ＧＴの２倍とすることで、直流抵抗特性の劣化を回避しつつ、導体厚みＧを最小にすることができ、インダクタ１を低背化できる。
【0037】
また、本実施形態のインダクタ１は、第１曲げＲ１及び第２曲げＲ２を板厚ＧＴの２倍とした上で、長さＬが２．５±０．２ｍｍ、幅Ｗが２．０±０．２ｍｍ、厚みＴが１．０ｍｍ未満という小型かつ低背なサイズでありながらも、直流抵抗値が１ｍΩ未満であり、インダクタンス値が１０ｎＨを超え、温度上昇定格電流（４０度温度上昇時）が１５Ａ以上、かつ、直流重畳電流値（周波数１ＭＨｚ時）が１５Ａ以上という優れた特性を実現するように構成されている。
以下、かかる構成について詳述する。
以下、かかる構成について詳述する。
【0038】
図８は、導体２０の各部の寸法が異なるインダクタ１の特性評価結果を示す図である。
同図において、下部コア厚みＴＤは、導体２０よりも下のコア３０の厚みであり、特性評価結果は、低背、インダクタンス値、及び直流抵抗値の評価結果である。低背評価においては、１ｍｍ未満の厚みＴのインダクタ１が「Ｇ」（良品）と評価され、インダクタンス値評価においては、１０ｎＨよりも大きなインダクタンス値のインダクタ１が「Ｇ」（良品）と評価され、直流抵抗値評価においては、１ｍΩ未満の直流抵抗値のインダクタ１が「Ｇ」（良品）と評価されている。なお、いずれのインダクタ１においてもコア３０の比透磁率は２３．５から２９．５の範囲である。
同図において、下部コア厚みＴＤは、導体２０よりも下のコア３０の厚みであり、特性評価結果は、低背、インダクタンス値、及び直流抵抗値の評価結果である。低背評価においては、１ｍｍ未満の厚みＴのインダクタ１が「Ｇ」（良品）と評価され、インダクタンス値評価においては、１０ｎＨよりも大きなインダクタンス値のインダクタ１が「Ｇ」（良品）と評価され、直流抵抗値評価においては、１ｍΩ未満の直流抵抗値のインダクタ１が「Ｇ」（良品）と評価されている。なお、いずれのインダクタ１においてもコア３０の比透磁率は２３．５から２９．５の範囲である。
【0039】
インダクタ１の直流抵抗は、板厚ＧＴが薄くなるほど上昇するため、直流抵抗を所望値以下に抑えるためには、当該所望値に対応する最小板厚よりも板厚ＧＴを厚くする必要がある。そして、インダクタ１が上記サイズに形成され、かつ、電極端子２４（電極部２７）の電極幅ＷＢが導線２２の導線幅ＷＡよりも広い構成において、直流抵抗値を１ｍΩ未満に抑え、比較的大きさ温度上昇定格電流を実現するためには、少なくとも０．１ｍｍ以上の板厚ＧＴが必要であることが、図８におけるサンプルＡ１からサンプルＢ３までのサンプル群と、サンプルＣ１からサンプルＤ２までサンプル群との直流抵抗値評価の比較によって分かる。
ただし、板厚ＧＴが０．１ｍｍよりも厚くなるほど低背化は困難となるものの、サンプルＤ１についての低背評価結果によれば、少なくとも０．１２ｍｍの板厚ＧＴであれば１ｍｍ未満の厚みＴを実現できることが分かる。
ただし、板厚ＧＴが０．１ｍｍよりも厚くなるほど低背化は困難となるものの、サンプルＤ１についての低背評価結果によれば、少なくとも０．１２ｍｍの板厚ＧＴであれば１ｍｍ未満の厚みＴを実現できることが分かる。
【0040】
またサンプルＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４及び、サンプルＤ１、Ｄ２の低背評価結果によれば、板厚ＧＴが０．１ｍｍ以上かつ０．１２ｍｍ以下であっても、第１曲げＲ１及び第２曲げＲ２が板厚ＧＴの３．０倍以上になると厚みＴが１ｍｍを超えてしまうため、１ｍｍ未満の厚みＴを実現するためには、これら第１曲げＲ１及び第２曲げＲ２は、一方が板厚ＧＴの２.０倍以上のとき、他方は板厚ＧＴの３．０倍未満とする必要があることが分かる。
【0041】
図９は、上部コア厚みＴＵ及び下部コア厚みＴＤが異なるインダクタ１の特性評価結果を示す図である。なお、同図において、インダクタ１のサンプルは全て、板厚ＧＴが０．１ｍｍであり、第１曲げＲ１及び第２曲げＲ２が板厚ＧＴの２．０倍である。
本実施形態のインダクタ１において下部コア厚みＴＤは、前掲図７に示すように、導体厚みＧから板厚ＧＴを引いた厚みに相当するため、導体２０の寸法が同一であれば下部コア厚みＴＤも略一定となる。
これに対し、上部コア厚みＴＵは導体２０の寸法によらずに変更可能であり、図９に示されるように、上部コア厚みＴＵが厚くなるほど高いインダクタンス値が得られることが分かる。したがって、低背評価が「Ｇ」となる範囲（すなわち、厚みＴが１ｍｍ未満となる範囲）で上部コア厚みＴＵを大きくすることでインダクタンス値を高めることができる。
本実施形態のインダクタ１において下部コア厚みＴＤは、前掲図７に示すように、導体厚みＧから板厚ＧＴを引いた厚みに相当するため、導体２０の寸法が同一であれば下部コア厚みＴＤも略一定となる。
これに対し、上部コア厚みＴＵは導体２０の寸法によらずに変更可能であり、図９に示されるように、上部コア厚みＴＵが厚くなるほど高いインダクタンス値が得られることが分かる。したがって、低背評価が「Ｇ」となる範囲（すなわち、厚みＴが１ｍｍ未満となる範囲）で上部コア厚みＴＵを大きくすることでインダクタンス値を高めることができる。
【0042】
また、導体２０において、中間部８０の長さＧＢをゼロから長くするほど、下部コア厚みＴＤが厚くなり、インダクタ１における上部コア厚みＴＵと下部コア厚みＴＤとのバランスが変わることでインダクタンス値にも影響が生じる。
具体的には、図９において、中間部８０の長さＧＢがゼロの場合と、０．１ｍｍ（概ね板厚ＧＴ）の場合とでインダクタンス値を比較すると、上部コア厚みＴＵが同じであれば、中間部８０の長さＧＢが０．１ｍｍである場合の方がインダクタンス値は大きくなることが分かる。
すなわち、板厚ＧＴ相当の長さＧＢの中間部８０を導体２０に設けることで、より大きなインダクタンス値が得られることとなる。特に、インダクタ１が、０．１ｍｍの長さＧＢの中間部８０を備える場合、下部コア厚みＴＤと、上部コア厚みＴＵとの差が板厚ＧＴに相当する０．１ｍｍであれば、１２ｎＨを超えるインダクタンス値が得られることが、サンプルＣＡ５からサンプルＣＡ７、及びサンプルＣＡ９の結果から分かる。
ただし、上部コア厚みＴＵが下部コア厚みＴＤよりも厚い場合、両者の差が板厚ＧＴ以上になると、厚みＴが１ｍｍとなって低背評価が「ＮＧ」になることがサンプルＣＡ９の結果から分かる。換言すれば、上部コア厚みＴＵが下部コア厚みＴＤよりも大きい場合には、両者の差を板厚ＧＴ未満とすることで、厚みＴを１ｍｍ未満に抑えることができる。
具体的には、図９において、中間部８０の長さＧＢがゼロの場合と、０．１ｍｍ（概ね板厚ＧＴ）の場合とでインダクタンス値を比較すると、上部コア厚みＴＵが同じであれば、中間部８０の長さＧＢが０．１ｍｍである場合の方がインダクタンス値は大きくなることが分かる。
すなわち、板厚ＧＴ相当の長さＧＢの中間部８０を導体２０に設けることで、より大きなインダクタンス値が得られることとなる。特に、インダクタ１が、０．１ｍｍの長さＧＢの中間部８０を備える場合、下部コア厚みＴＤと、上部コア厚みＴＵとの差が板厚ＧＴに相当する０．１ｍｍであれば、１２ｎＨを超えるインダクタンス値が得られることが、サンプルＣＡ５からサンプルＣＡ７、及びサンプルＣＡ９の結果から分かる。
ただし、上部コア厚みＴＵが下部コア厚みＴＤよりも厚い場合、両者の差が板厚ＧＴ以上になると、厚みＴが１ｍｍとなって低背評価が「ＮＧ」になることがサンプルＣＡ９の結果から分かる。換言すれば、上部コア厚みＴＵが下部コア厚みＴＤよりも大きい場合には、両者の差を板厚ＧＴ未満とすることで、厚みＴを１ｍｍ未満に抑えることができる。
【0043】
本実施形態によれば、次の効果を奏する。
【0044】
本実施形態のインダクタ１は、磁性粉を含むコア３０に、所定の板厚ＧＴの導体２０が埋設されたインダクタ１である。コア３０は、実装時に実装基板の側に向けられる実装面１０と、実装面１０に対向する上面１２と、実装面１０に直交する一対の端面１４と、を備える。また導体２０は、コア３０の内部を一対の端面１４に亘って延びる導線２２と、一対の電極端子２４と、を備えている。一対の電極端子２４は、導線２２の両方の端部２２Ａのそれぞれに設けられ、実装面１０に露出する電極部２７と、導線２２の両側の端部２２Ａと、一対の電極部２７とのそれぞれの間に設けられ、第１曲げＲ１を有する第１曲部７０、及び、第２曲げＲ２を有する第２曲部７２と、を備える。これら第１曲げＲ１、及び、第２曲げＲ２は、導体２０の板厚ＧＴの２.０倍以上３.０倍以下であり、なおかつ、第１曲げＲ１、及び、第２曲げＲ２のいずれか一方が導体２０の板厚ＧＴの２.０倍以上のとき他方は導体２０の板厚ＧＴの３.０倍未満となっている。
【0045】
この構成によれば、第１曲げＲ及び前記第２曲げＲは、導体２０の板厚ＧＴの２.０倍以上３.０倍以下であり、なおかつ、第１曲げＲ及び第２曲げＲのいずれか一方が導体２０の板厚ＧＴの２.０倍以上のとき他方は導体２０の板厚ＧＴの３.０倍未満であるため、第１曲部７０及び第２曲部７２における抵抗値の増加による直流抵抗特性の劣化を回避しつつ導体２０の導体厚みＧを制限し、インダクタ１の低背化を実現できる。
また、かかるインダクタ１において、下部コア厚みＴＤは導体厚みＧから板厚ＧＴを差し引いた厚みとなるものの、インダクタ１の厚みＴが許す限りにおいて（低背化が損なわれない範囲で）上部コア厚みＴＵを厚くすることで、インダクタンス値を適宜に高めることができる。
また、かかるインダクタ１において、下部コア厚みＴＤは導体厚みＧから板厚ＧＴを差し引いた厚みとなるものの、インダクタ１の厚みＴが許す限りにおいて（低背化が損なわれない範囲で）上部コア厚みＴＵを厚くすることで、インダクタンス値を適宜に高めることができる。
【0046】
本実施形態のインダクタ１は、上記電極部２７の電極幅ＷＢが導線２２の導線幅ＷＡよりも広いため、直流抵抗値を下げることができる。
【0047】
本実施形態のインダクタ１は、上記導体２０の板厚ＧＴが０．１ｍｍ以上、かつ、０．１２ｍｍ以下である。
これにより、十分に低い直流抵抗値を実現しながらも、インダクタ１の厚みＴを１ｍｍ未満に抑えることができる。
これにより、十分に低い直流抵抗値を実現しながらも、インダクタ１の厚みＴを１ｍｍ未満に抑えることができる。
【0048】
本実施形態のインダクタ１は、上記第１曲部７０と第２曲部７２との間に、導体２０の板厚ＧＴに等しい長さの中間部８０を有する。
これにより、中間部８０を設けない（中間部８０の長さＧＢが略ゼロ）の場合に比べ、インダクタンス値を高めることができる。
これにより、中間部８０を設けない（中間部８０の長さＧＢが略ゼロ）の場合に比べ、インダクタンス値を高めることができる。
【0049】
本実施形態のインダクタ１は、上記第１曲部７０及び第２曲部７２の曲げＲがいずれも導体２０の板厚ＧＴの２．０倍であり、また、コア３０は、下部コア厚みＴＤと上部コア厚みＴＵとの差が当該板厚ＧＴ以下となっている。
この構成によれば、導体２０が導体２０の板厚ＧＴに等しい長さの中間部８０を有する場合でも、第１曲部７０及び第２曲部７２の曲げＲが導体２０の板厚ＧＴの２．０倍に設定されることで、直流抵抗特性の劣化を回避可能な範囲で導体厚みＧが最小に抑えられ、インダクタ１の低背化を実現できる。
この構成によれば、導体２０が導体２０の板厚ＧＴに等しい長さの中間部８０を有する場合でも、第１曲部７０及び第２曲部７２の曲げＲが導体２０の板厚ＧＴの２．０倍に設定されることで、直流抵抗特性の劣化を回避可能な範囲で導体厚みＧが最小に抑えられ、インダクタ１の低背化を実現できる。
【0050】
本実施形態のインダクタ１は、上記上部コア厚みＴＵが下部コア厚みＴＤよりも厚く、かつ、上部コア厚みＴＵと下部コア厚みＴＤとの差が導体２０の板厚ＧＴ未満となっている。
これにより、上部コア厚みＴＵが下部コア厚みＴＤよりも厚い場合であっても、厚みＴを１ｍｍ未満に収めることができる。
これにより、上部コア厚みＴＵが下部コア厚みＴＤよりも厚い場合であっても、厚みＴを１ｍｍ未満に収めることができる。
【0051】
なお、上述した実施形態は、あくまでも本発明の一態様の例示であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲において任意に変形、及び応用が可能である。
【0052】
例えば、上述した実施形態において、導体２０は、第１曲部７０の第１曲げＲ１の大きさと第２曲部７２の第２曲げＲ２の大きさとが入れ替わってもよい。
【0053】
上述した実施形態における水平、及び垂直等の方向や各種の数値、形状、材料は、特段の断りがない限り、それら方向や数値、形状、材料と同じ作用効果を奏する範囲（いわゆる均等の範囲）を含む。
【符号の説明】
【0054】
１ インダクタ
２ 素体
４ 外部電極
１０ 実装面
１２ 上面
１４ 端面
１６ 側面
２０ 導体
２２ 導線
２４ 電極端子
２７ 電極部
３０ コア
７０ 第１曲部
７２ 第２曲部
８０ 中間部
Ｔ 厚み
ＧＴ 板厚
ＴＤ 下部コア厚み
ＴＵ 上部コア厚み
ＷＡ 導線幅
ＷＢ 電極幅
２ 素体
４ 外部電極
１０ 実装面
１２ 上面
１４ 端面
１６ 側面
２０ 導体
２２ 導線
２４ 電極端子
２７ 電極部
３０ コア
７０ 第１曲部
７２ 第２曲部
８０ 中間部
Ｔ 厚み
ＧＴ 板厚
ＴＤ 下部コア厚み
ＴＵ 上部コア厚み
ＷＡ 導線幅
ＷＢ 電極幅
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】