特開 2022-151377 プリント基板、プリント基板の製造方法、固体撮像装置及び電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022151377

(43)【公開日】2022-10-07

(54)【発明の名称】プリント基板、プリント基板の製造方法、固体撮像装置及び電子機器

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20220929BHJP

   H05K 3/42 20060101ALI20220929BHJP

   H01L 27/146 20060101ALI20220929BHJP

   H05K 3/46 20060101ALN20220929BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 C

H05K3/42 610A

H05K3/42 620

H01L27/146 D

H05K3/46 Z

H05K3/46 Q

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021054416

(22)【出願日】2021-03-26

(71)【出願人】

【識別番号】316005926

【氏名又は名称】ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100080160

【弁理士】

【氏名又は名称】松尾 憲一郎

(74)【代理人】

【識別番号】100149205

【弁理士】

【氏名又は名称】市川 泰央

(72)【発明者】

【氏名】原田 真行

【テーマコード（参考）】

4M118

5E316

5E317

5E338

【Ｆターム（参考）】

4M118AB01

4M118BA14

4M118CA02

4M118GC08

4M118GC14

4M118GD04

4M118GD07

4M118HA02

4M118HA27

4M118HA30

5E316AA02

5E316AA13

5E316AA27

5E316AA42

5E316AA53

5E316CC04

5E316CC09

5E316CC32

5E316DD02

5E316DD12

5E316DD22

5E316DD32

5E316FF02

5E316FF07

5E316GG15

5E316GG16

5E316GG19

5E316GG22

5E316GG28

5E316HH40

5E317AA25

5E317AA28

5E317BB02

5E317BB12

5E317CC25

5E317CC31

5E317CD01

5E317CD25

5E317CD27

5E317CD32

5E317CD34

5E317GG20

5E338AA02

5E338AA03

5E338AA16

5E338BB13

5E338BB23

5E338BB25

5E338BB75

5E338EE60

(57)【要約】

【課題】マイグレーションによりスルホールビア間が電気的にショートに至ることのないプリント基板、プリント基板の製造方法、固体撮像装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】固体撮像装置等に用いられるプリント基板において、隣接して穿設されたスルホールビア間にトレンチビアを穿設し、さらにそのトレンチビア及びスルホールビアを樹脂で埋めることにより、マイグレーションに起因するスルホールビア間のショートの発生を防止できるように構成した。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

隣接して穿設されたスルホールビアと、
前記スルホールビア間に穿設されたトレンチビアと、
を有するプリント基板。

【請求項2】

前記トレンチビアは、前記プリント基板の基材であるガラスクロスを横断するように配設された請求項１に記載のプリント基板。

【請求項3】

前記トレンチビアは、前記プリント基板の内層の配線パターン同士を貫通接続する前記スルホールビア間に配設された請求項１に記載のプリント基板。

【請求項4】

前記トレンチビアは、前記プリント基板の外層の配線パターン同士又は外層の前記配線パターンと内層の前記配線パターン同士を貫通接続する前記スルホールビア間に配設された請求項１に記載のプリント基板。

【請求項5】

前記トレンチビアの平面視の形状は、隣接する前記スルホールビア間を結ぶ直線に対して直交する方向に前記スルホールビアの径よりも前記トレンチビアの幅員の方が長くなるように形成された請求項１に記載のプリント基板。

【請求項6】

隣接する前記スルホールビア間において、いずれか一方の前記スルホールビアを取り囲む前記トレンチビアを形成された請求項１に記載のプリント基板。

【請求項7】

隣接する前記スルホールビア間において、全てのスルホールビアを取り囲むトレンチビアを形成された請求項１に記載のプリント基板。

【請求項8】

隣接する３個以上の前記スルホールビアの略中間の位置に略多芒星状又は略放射状の前記トレンチビアの中心を配置し、前記スルホールビアの周面で形成される空間が前記トレンチビアの端部の先端において、その伸長方向に対して直交する線を結んで構成される多角形の中に納まるように形成された請求項１に記載のプリント基板。

【請求項9】

前記絶縁用のトレンチビアは、樹脂埋めされた請求項１に記載のプリント基板。

【請求項10】

銅張積層板に隣接するスルホールビア用の貫通孔を穿設する工程と、
前記貫通孔を洗浄する工程と、
前記貫通孔の内周面を銅メッキする工程と、
前記スルホールビア間にトレンチビア用の貫通孔を穿設する工程と、
前記トレンチビア用貫通孔を洗浄する工程と、
前記トレンチビア用の貫通孔を樹脂埋めする工程と、
前記樹脂埋めされた個所を研磨する工程と、
前記樹脂埋め個所の蓋メッキ及び前記銅張積層板に配線パターンを形成する工程と、
を有するプリント基板の製造方法。

【請求項11】

隣接して穿設されたスルホールビアと、
前記スルホールビア間に穿設され樹脂で埋められたトレンチビアと、
を有するプリント基板を備えた固体撮像装置。

【請求項12】

隣接して穿設されたスルホールビアと、前記スルホールビア間に穿設され樹脂で埋められたトレンチビアと、を有するプリント基板を備えた固体撮像装置を有する電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、プリント基板、プリント基板の製造方法、当該プリント基板を有する固体撮像装置及び当該固体撮像装置を有する電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、プリント基板の製造工程において、配線パターンの微細化及び多層化に伴い、配線材料である銅（Ｃｕ）がプリント基板のガラス繊維基材の絶縁層中に拡散し、配線間でショートを引き起こすことが問題となっている。プリント基板とは、例えばガラス繊維基材の絶縁層と、銅箔からなる金属パターンが形成された配線層とを交互に積層することによって立体的に電気回路を構成するものである。

【0003】

かかるプリント基板においては、内層間や外層と内層又は外層同士を電気的に接続する個所に貫通孔を穿設し、貫通孔の内周面に銅メッキを施したスルホールビアを設けることにより当該個所が接続される。このスルホールビアは、隣接して設けられ、しかも両者に異電圧が印加されて、電界が生じた状態で使用されることが多い。このような使用状態において、プリント基板の銅が絶縁層中に拡散するマイグレーションという現象を生じることがある。その要因としては、電界、電流、温度、湿度などがあげられる。また、このような現象は、ガラス繊維基材のプリント基板の孔あけ加工工程や孔あけ加工後の樹脂残渣を除去する洗浄工程（デスミア工程）において、スルホールビアの内周面に露出するガラス繊維の方向に沿ってクラック（空隙）生成された場合に、そのガラス繊維の方向に沿って生じやすい。

【0004】

プリント基板の使用環境により、隣接するスルホールビア間に介在する絶縁層の表面が吸湿した場合には、スルホールビア間には、通常直流電圧が印加されているために、その層が電解質として作用する。隣接するスルホールビア間に電界が存在する場合は、電界の陽極側となるスルホールビアの界面において、電子を放出する酸化反応であるアノード反応が起こる。その結果、陽極側となるスルホールビアから銅イオンが溶出する。

【0005】

溶出した銅イオンは、クーロン力により陰極側となるスルホールビアに向かってガラス繊維の方向に沿って移動し、析出される。そして、陰極側となるスルホールビアから陽極側となるスルホールビアに向かって基板表面においては、デンドライト（ｄｅｎｄｒｉｔｅ：樹枝状晶）が生成される。また、プリント基板の内層においては、基板のガラス繊維の方向に沿ってＣＡＦ（Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ａｎｏｄｉｃ Ｆｉｌａｍｅｎｔ）が生成される。このような現象は、マイグレーションと呼ばれている。その結果、スルホールビア間でガラス繊維基材のガラス繊維の方向に沿って電気回路が形成されてショートに至るという問題がある。なお、マイグレーションの詳細については後述する。

【0006】

かかる問題点に対して、特許文献１には、配線材料の拡散バリア層を設けることにより、配線材料が絶縁膜中を拡散して配線間でショートが発生することを防止し、信頼度を向上させる多層プリント基板に関する技術が開示されている。

【0007】

当該技術では、多層プリント基板は、基板本体上に銅膜配線パターンと絶縁層パターンが交互に積層されている。そして、銅膜配線パターンと絶縁層パターンとの間には、絶縁層パターン中への銅の拡散を抑制する銅拡散バリア層が形成されている。
このように、銅拡散バリア層を形成することにより、絶縁膜パターン中へ銅が拡散することに起因する配線間のショート（短絡）の発生を防止することができる。このため、信頼性の高い多層プリント基板を得ることができるというものである。

【0008】

また、前記絶縁膜パターンは低誘電率（比誘電率３.５以下）を有し、且つ光照射部分又はプラズマ照射部分のエッチング特性が変化する感光性有機絶縁膜により形成されている。また、低誘電率であるために配線間容量Ｃの値が小さい。このため、導電膜の抵抗をＲとしたときの時定数ＣＲの値によって定まる信号遅延を小さくすることができるので、多層プリント基板の信号伝送速度を高速にすることができるというものである。

【0009】

特許文献２には、表面に金属電極が形成され、絶縁膜によりＳｉＯ２よりなる非金属領域が形成され、電極及び非金属領域を含む最表面に絶縁膜が形成された後、電極を囲むように金属の非金属領域での拡散を防止する構造として空隙が形成された基板が、表面を、電極が対向するように２枚貼り合わされるようにする技術が開示されている。そして、当該技術は、半導体装置及び半導体装置の製造方法、固体撮像素子であるＣＭＯＳイメージセンサ、固体撮像素子を利用した撮像装置、並びに電子機器に適用することができるというものである。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0010】

【特許文献1】特開２００１－１１９１４９号公報

【特許文献2】特開２０１６－１８１５３１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0011】

しかしながら、特許文献１に開示された多層プリント基板に関する技術は、スルホールビア間のショートを防止する技術ではなく，配線間のショートを防止する技術であるため、本技術が解決しようとする課題が異なるものである。

【0012】

特許文献２に開示された半導体装置及び半導体装置の製造方法、固体撮像素子、固体撮像素子を利用した撮像装置、並びに電子機器に関する技術は、単に空隙を設けるだけであり、空隙についてさらに対策を施すものではない。

【0013】

したがって、空隙を形成する面が露出状態のままであるため、湿度により当該露出面が吸湿し、絶縁性能の低下や加工に伴う応力による膨張等の変形を生ずるおそれがあるという問題がある。

【0014】

本開示は、上述した問題点に鑑みてなされたものであり、プリント基板において隣接して穿設されたスルホールビアとスルホールビアとの間にトレンチビアを設け、さらにそのトレンチビアを樹脂で埋めるよう構成するものである。このように構成することにより、スルホールビア間にガラス繊維の裁断面が露出することがなくなり、マイグレーションに起因して電気的にショートに至ることのないプリント基板、プリント基板の製造方法、固体撮像装置及び電子機器を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0015】

本開示は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第１の態様は、隣接して穿設されたスルホールビアと、前記スルホールビア間に穿設され樹脂で埋められたトレンチビアと、を有するプリント基板である。

【0016】

また、第１の態様において、前記トレンチビアは、前記プリント基板の基材であるガラスクロスを横断するように配設されてもよい。

【0017】

また、第１の態様において、前記トレンチビアは、前記プリント基板の内層の配線パターン同士を貫通接続する前記スルホールビア間に配設されてもよい。

【0018】

また、第１の態様において、前記トレンチビアは、前記プリント基板の外層の配線パターン同士又は外層の前記配線パターンと内層の前記配線パターン同士を貫通接続する前記スルホールビア間に配設されてもよい。

【0019】

また、第１の態様において、前記トレンチビアの平面視の形状は、隣接する前記スルホールビア間を結ぶ直線に対して直交する方向に前記スルホールビアの径よりも前記トレンチビアの幅員の方が長くなるように形成されてもよい。

【0020】

また、第１の態様において、隣接する前記スルホールビア間において、いずれか一方の前記スルホールビアを取り囲む前記トレンチビアを形成してもよい。

【0021】

また、第１の態様において、隣接する前記スルホールビア間において、全ての前記スルホールビアを取り囲む前記トレンチビアを形成してもよい。

【0022】

また、第１の態様において、隣接する３個以上の前記スルホールビアの略中間の位置に略多芒星状又は略放射状の前記トレンチビアの中心を配置し、前記スルホールビアの周面で形成される空間が前記トレンチビアの端部の先端において、その伸長方向に対して直交する線を結んで構成される多角形の中に納まるように形成してもよい。

【0023】

また、第１の態様において、前記絶縁用の前記トレンチビアは、樹脂埋めしてもよい。

【0024】

また、その第２の態様は、銅張積層板に隣接するスルホールビア用の貫通孔を穿設する工程と、前記貫通孔を洗浄する工程と、前記貫通孔の内周面を銅メッキする工程と、前記スルホールビア間にトレンチビア用の貫通孔を穿設する工程と、前記トレンチビア用貫通孔を洗浄する工程と、前記トレンチビア用の貫通孔を樹脂埋めする工程と、前記樹脂埋めされた個所を研磨する工程と、前記樹脂埋め個所の蓋メッキ及び前記銅張積層板に配線パターンを形成する工程と、を有するプリント基板の製造方法である。

【0025】

また、その第３の態様は、隣接して穿設されたスルホールビアと、前記スルホールビア間に穿設され樹脂で埋められたトレンチビアと、を有するプリント基板を備えた固体撮像装置である。

【0026】

また、その第４の態様は、隣接して穿設されたスルホールビアと、前記スルホールビア間に穿設され樹脂で埋められたトレンチビアと、を有するプリント基板を備えた固体撮像装置を有する電子機器である。

【0027】

上記の態様を取ることにより、マイグレーションに起因してスルホールビア間が電気的にショートに至ることを防止することができる。

【0028】

本開示によれば、プリント基板に穿設されたスルホールビアとスルホールビアとの間にトレンチビアを設け、さらにそのトレンチビアを樹脂で埋めるよう構成することにより、スルホールビア間にガラス繊維の裁断面が露出することがなくなり、マイグレーションにより電気的にショートに至ることのないプリント基板、プリント基板の製造方法、固体撮像装置及び電子機器を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0029】

【図1】本開示に係るプリント基板を有する固体撮像装置の断面図である。

【図2】固体撮像装置のカラーフィルタの平面図である。

【図3】プリント基板に穿設されたスルホールビアとスルホールビアとの間で生じるマイグレーションを説明する内層部分の断面図である。

【図4】本開示に係るプリント基板の第１実施形態の部分拡大断面図である。

【図5】本開示に係るプリント基板の第１実施形態の工程を示す図である。

【図6】本開示に係るプリント基板の主要工程の部分拡大断面図（その１）である。

【図7】本開示に係るプリント基板の主要工程の部分拡大断面図（その２）である。

【図8】本開示に係るプリント基板の主要工程の部分拡大断面図（その３）である。

【図9】本開示に係るプリント基板の主要工程の部分拡大断面図（その４）である。

【図10】本開示に係るプリント基板の第２実施形態の部分拡大断面図である。

【図11】本開示に係るプリント基板の第２実施形態の工程を示す図である。

【図12】本開示に係るプリント基板のスルホールビアの第１実施形態を示す図である。

【図13】本開示に係るプリント基板のスルホールビアの第２実施形態を示す図である。

【図14】本開示に係るプリント基板のスルホールビアの第３実施形態を示す図である。

【図15】本開示に係るプリント基板のスルホールビアの第４実施形態を示す図である。

【図16】本開示に係るプリント基板のスルホールビアの第５実施形態を示す図である。

【図17】本開示に係るプリント基板を有する電子機器の例を示すブロック図である。

【発明を実施するための形態】

【0030】

次に、図面を参照して、本開示を実施するための形態（以下、「実施形態」と称する。）を下記の順序で説明する。以下の図面において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は、模式的なものであり、各部の寸法の比率等は現実のものとは必ずしも一致しない。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれることは勿論である。
１．マイグレーションの発生原因
２．本開示に係るプリント基板の第１実施形態
３．本開示に係るプリント基板の第２実施形態
４．トレンチビアの第１実施形態
５．トレンチビアの第２実施形態
６．トレンチビアの第３実施形態
７．トレンチビアの第４実施形態
８．トレンチビアの第５実施形態
９．本開示に係るプリント基板を有する電子機器の構成例

【0031】

＜１．マイグレーションの発生原因＞
以下に、マイグレーションについて、さらに詳しく説明する。マイグレーションには、イオンマイグレーションとエレクトロマイグレーションがある。
イオンマイグレーションとは、基板の電極間に電圧を印加すると配線パターン（銅）の陽極側となる部分が電子をもらうことで表面から金属原子が基板表面や基材内部に含まれる水分やイオン化促進物質に溶出し、電界によるクーロン力で陰極側に移動し、電子交換により金属を析出する現象をさす。電界強度が大きい場合に生じやすい。

【0032】

一方、エレクトロマイグレーションとは、金属配線に電流を流すことにより金属配線中を移動する電子と金属原子の間で衝突が起こり、金属原子が徐々に陽極側に輸送されることにより陰極側に金属の欠損が生じてオープン（断線）となり、陽極側では金属が析出してショートに至る現象である。高温で電流密度が高い場合に生じやすい。
なお、プリント基板で発生するマイグレーションは、主としてイオンマイグレーションである。以下、プリント基板におけるイオンマイグレーションを例に説明する。

【0033】

プリント基板１０は、図４に示すように、銅箔１０ｃで形成された導電層である配線パターン１２ａ～１２ｄと、ガラス繊維１０ａとエポキシ樹脂３３の基材で形成された絶縁層１３ａ～１３ｃを交互にサンドイッチ状に積層した構造を有している。そして、プリント基板１０の両面の表面部分を外層３５といい、内部の層を内層３４という。外層３５及び内層３４には絶縁層１３ａ～１３ｃに張り合わされた銅箔１０ｃにエッチングが施されることにより、配線パターン１２ａ～１２ｄが形成される。プリント基板１０は、まず最初に内層３４が形成され、さらにその両面に外層３５が積層されて形成される。

【0034】

すなわち、内層３４のみの場合は両面基板と呼ばれる。両面基板の両面に外層３５を積層したものは４層基板と呼ばれる。さらに、その両面に外層３５を積層したものは６層基板と呼ばれる。以下同様である。これからもわかるように、ｎ層基板と呼ぶときの「ｎ」とは、配線パターンの数のことを意味する。本開示に係るプリント基板１０は、特定の層数に限定されるものではない。すなわち、本開示に係るプリント基板１０は、両面基板や４層基板等の多層基板などにも適用することができるものである。

【0035】

ここで、マイグレーションの発生原因について、説明を簡単にするために、図３の内層３４の断面図及び図６の主要工程の部分拡大断面図を例に説明する。
内層３４を形成する銅張積層板３１は、図６Ａに示すように、絶縁層１３ｂの両面に銅箔１０ｃ、１０ｃを張り合わせて形成されている。絶縁層１３ｂは、ガラス繊維１０ａを織ったガラス布１０ｂにエポキシ樹脂３３を含浸させて形成されている。

【0036】

銅張積層板３１は、図６Ｂに示すように、ドリル９０により貫通孔３０が穿設される。銅張積層板３１を構成する絶縁層１３ｂにはガラス繊維１０ａが積層されているために、貫通孔３０は絶縁層１３ｂを形成するガラス繊維１０ａを裁断する。したがって、貫通孔３０の内周面にはガラス繊維１０ａの裁断面が露出する。

【0037】

しかもガラス繊維１０ａは所定の硬度を有しているために裁断は容易でない。したがって、裁断面はバリを形成しやすく、ガラス繊維１０ａの裁断面において繊維方向に沿ってクラック３２を生じる。さらに、図６Ｃに示すように、洗浄工程において、切削されたエポキシ樹脂３３やガラス繊維１０ａの残渣を除去するために貫通孔３０の内周面に負荷がかかり、同様にしてガラス繊維１０ａの方向に沿って微小なクラック３２を生じる。

【0038】

プリント基板１０のスルホールビア１４、１４間に直流電圧が印加されている場合には、隣接するスルホールビア１４、１４間に電界が存在する。ここで、陽極となるスルホールビアを１４ａ、陰極となるスルホールビアを１４ｂとする（以下、単なるスルホールビアを指し示す場合には符号を１４と、極性を有する場合を指し示す場合には符号を１４ａ、１４ｂと表記する。）。そこで、隣接するスルホールビア１４ａ、１４ｂ間に介在する絶縁層１３ａ～１３ｃの表面が、使用環境により吸湿した場合には、その層が電解質として作用する。このために、電界の陽極側のスルホールビア１４ａの界面において、酸化反応である電子を放出するアノード反応が起こる。その結果、陽極側のスルホールビア１４ａから銅イオンが溶出する。

【0039】

溶出した銅イオンは、クーロン力により陰極側となるスルホールビア１４ｂに向かってガラス繊維１０ａの方向に沿って移動し、析出される。その結果、図３に示すように、陰極側となるスルホールビア１４ｂから陽極側となるスルホールビア１４ａに向かってＣＡＦ１７が形成される。そして、ＣＡＦ１７が伸長することによりスルホールビア１４ａ、１４ｂ間に電気回路が形成されてショートに至る。
以上のようにしてマイグレーションの発生に起因する不適合を生じる。

【0040】

＜２．本開示に係るプリント基板の第１実施形態＞
［本開示に係るプリント基板を有する固体撮像装置の構成例］
図１は、プリント基板１０を有する半導体装置１００の、例えば固体撮像装置１０１の断面図である。以下、半導体装置１００の例としてＣＭＯＳセンサなどの固体撮像装置１０１について説明する。固体撮像装置１０１は、図１に示すように、プリント基板１０上にセンサ基板６が接着されている。プリント基板１０は、その下面に外部回路と接続するためのハンダボールによる複数の外部接続端子９を配設している。

【0041】

センサ基板６は、例えば、単結晶シリコンで形成されている。センサ基板６の上面（表面）には、図１に示すように、画素領域２３と周辺領域２４とが設けられている。センサ基板６の上方には、センサ基板６の受光部２１に対向してカバーガラス３が配設されている。また、受光部２１とカバーガラス３とは、図１に示すように、受光部２１の周辺領域２４の周縁を囲繞するようにシール樹脂４が塗布され、センサ基板６とカバーガラス３はシール樹脂４を介して接着されている。このように両者が接着されることにより、センサ基板６とカバーガラス３の対向面との間には、空洞であるキャビティ部８が形成されている。

【0042】

センサ基板６の画素領域２３には、複数の画素２２が平面視マトリクス状に配列して形成されている。これらの画素２２は、その集合体が全体として被写体像を形成する。
画素２２は、光学系（図示せず。）によって結像された被写体像の一部分を構成する光信号をそれぞれ電気信号に変換する光電変換素子である。光電変換素子は、例えば、フォトダイオードであり、外付けの撮像レンズを含む光学系を介して被写体像として入射する光を受光面で受光し、光電変換することで信号電荷を生成する。

【0043】

複数の画素２２のそれぞれの上面には、それぞれの画素２２を覆うようにカラーフィルタ２５が形成されている。カラーフィルタ２５は、例えば図２の平面図に示すように、色の３原色であるＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタ２５が、ベイヤー（Ｂａｙａｅｒ）配列をもってオンチップカラーフィルタ（ＯＣＣＦ：Ｏｎ Ｃｈｉｐ Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）としてアレイ状に形成されている。なお、カラーフィルタ２５の配列パターンはベイヤーパターンに限定されるものではない。
また、カラーフィルタ２５に重なるように、赤外カットフィルタ（ＩＲ Ｃｕｔ Ｆｉｌｔｅｒ）２７を設けてもよい。

【0044】

カラーフィルタ２５の上面には、直接に、又は赤外カットフィルタ２７を介して、それぞれの画素２２が集光するためのマイクロレンズアレイ２６がそれぞれ設けられている。そして、マイクロレンズアレイ２６は、カバーガラス３、カラーフィルタ２５及び赤外カットフィルタ２７を透過してきた光を、それぞれの画素２２が受光して光電変換するよう構成している。

【0045】

周辺領域２４は、画素領域２３を囲繞するように周りを取り囲んだ領域である。周辺領域２４の上面には、画像信号を外部へ取り出すための各信号に対応した複数のパッド２９が形成されている。また、プリント基板１０の上面のセンサ基板６を囲繞する領域には、外部と接続するための各信号に対応した複数のパッド１１が配設されている。

【0046】

そして、センサ基板６の上面の周辺領域２４の周縁に設けられたパッド２９と、プリント基板１０のパッド１１とは、金線などのボンディングワイヤ７により、それぞれ接続されている。プリント基板１０には、図４に示すように、内層３４に配線パターン１２ｂ、１２ｃが、外層３５に配線パターン１２ａ、１２ｄが形成されている。そして、各配線パターン１２ａ～１２ｄは、スルホールビア１４を介して各パッド１１やプリント基板１０の下面に配設された先述のハンダボールなどで形成された外部接続端子９と接続されている。なお、詳細は後述する。

【0047】

［本開示に係るプリント基板の製造方法例］
図４は、本開示に係るプリント基板１０の第１実施形態の部分拡大断面図である。ここで、プリント基板１０は、いわゆる４層基板を例に説明する。

【0048】

図４において、プリント基板１０は、内層３４と、その両面（本図の上下面）に積層された外層３５、３５とから構成されている。内層３４と外層３５、３５とは、配線パターン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ及び１２ｄと絶縁層１３ａ、１３ｂ及び１３ｃが交互に積み重ねられたサンドイッチ構造を形成している。

【0049】

配線パターン１２ａ～１２ｄは、銅箔１０ｃで形成された導電層である。そして、先述のとおり、各配線パターン１２ａ～１２ｄのそれぞれの間には、それぞれ絶縁層１３ａ、１３ｂ及び１３ｃが配設されており、いわば、銅箔１０ｃで形成された導電層とガラス繊維１０ａ基材で形成された絶縁層１３ａ～１３ｃとを交互にサンドイッチ状に積層した構造を形成している。そして配線パターン１２ａ～１２ｄは、銅箔１０ｃをエッチングする等により形成され、電気回路を構成する。

【0050】

また、内層３４の銅箔１０ｃ、１０ｃ間にスルホールビア１４ａ、１４ｂが設けられ、樹脂１６が充填されている。これにより、配線パターン１２ｂ、１２ｃ間が電気的に接続されている。
また、スルホールビア１４ａ、１４ｂ間に、ガラス繊維１０ａを横断する方向、すなわち裁断するようにトレンチビア１８を穿設し、その内部を樹脂１６で充填している。したがって、スルホールビア１４ａ、１４ｂの外周面にガラス繊維１０ａの方向に沿って微小なクラック３２が存在したとしても、当該トレンチビア１８を配設することによりＣＡＦ１７の伸長を阻止することができる。これにより、マイグレーションに起因するスルホールビア１４ａ、１４ｂ間のショートの発生を防止することができる。

【0051】

プリント基板１０は、具体的には、概略、図５の工程図に示すようにして製造される。また、主要工程におけるプリント基板１０の概略断面を図４及び図６～図９に示す。

【0052】

プリント基板１０の製造には、図６Ａに示すように、例えば、ガラス布１０ｂ（ガラスクロス）にエポキシ樹脂３３を含侵させた絶縁層１３ｂの両面に銅箔１０ｃを張り合わせて形成された銅張積層板３１を準備する。すなわち、銅張積層板３１は基材となる絶縁性の高いガラス繊維１０ａで織られたガラス布１０ｂに、例えばエポキシ樹脂３３を含浸させて絶縁層１３ｂを形成し、その両面に銅箔１０ｃ、１０ｃを重ね合わせてプレス機で加熱及び加圧することで形成される（ステップＳ１１）。このようにして形成された銅張積層板３１は、プリント基板１０の内層３４を構成する。

【0053】

次に、図６Ｂに示すように、内層３４の銅箔１０ｃ、１０ｃ間を接続するために、ドリル９０により銅箔１０ｃ、１０ｃ間の所定の個所にスルホールビア１４ａ、１４ｂ用の貫通孔３０を穿設する（ステップＳ１２）。

【0054】

そして、図７Ｃに示すように、貫通孔３０の内部に残留しているガラス繊維１０ａやエポキシ樹脂３３などの切削屑を洗浄により除去する（ステップＳ１３）。

【0055】

次に、洗浄が終わった貫通孔３０の内周面に、図７Ｄに示すように、銅メッキを行う。これにより、スルホールビア１４ａ、１４ｂが形成される（ステップＳ１４）。
このように、内層３４の銅箔１０ｃ、１０ｃ間にスルホールビア１４ａ、１４ｂを設けることにより銅箔１０ｃ、１０ｃが電気的に接続される。

【0056】

次に、図８Ｅに示すように、スルホールビア１４ａ、１４ｂ間に、ドリル９０により所定の径の貫通孔３０であるトレンチビア１８を穿設する（ステップＳ１５）。

【0057】

次に、図７Ｃに示すと同様に、穿設されたトレンチビア１８の内部に残留しているガラス繊維１０ａやエポキシ樹脂３３などの切削屑を洗浄により除去する（ステップＳ１６）。

【0058】

次に、図８Ｆに示すように、銅メッキがされたスルホールビア１４ａ、１４ｂの内部及びトレンチビア１８の内部に樹脂１６を充填する（ステップＳ１７）。

【0059】

樹脂１６の充填が完了すると、樹脂１６を充填したスルホールビア１４ａ、１４ｂ及びトレンチビア１８の樹脂１６の充填口を研磨して平坦化する（ステップＳ１８）。

【0060】

平坦化されたスルホールビア１４ａ、１４ｂの充填口の上面は、図９Ｇに示すように、銅により蓋メッキされる。併せて配線パターン１２ｂ、１２ｃが形成される。ここで、配線パターン１２ｂ、１２ｃは、次のようにして形成される。すなわち、銅張積層板３１の両面に張り合わされた銅箔１０ｃ、１０ｃに露光・現像及びエッチングを行うことで内層３４の配線パターン１２ｂ、１２ｃが形成される（ステップＳ１９）。
以上のようにして４層基板の内層３４の部分である第２層４２と第３層４３が形成される。ここで、第２層４２と第３層４３上に、ステップＳ２２で説明しているソルダレジスト１９を塗布すると両面基板になる。４層基板にするには、ステップ１９に引き続き、ステップ２０以下の工程を行う。

【0061】

次に、内層３４の上下の両面に絶縁層１３ａ、１３ｃを張り合わせ、さらに各面に配線パターン１２ａ、１２ｄとなる銅箔１０ｃ、１０ｃを重ね合わせてプレス機で加熱及び加圧する。これにより外層３５である第１層４１と第４層４４を積層する（ステップＳ２０）。

【0062】

次に、第１層４１及び第４層４４の配線パターン１２ａ、１２ｄを形成する。具体的には、内層３４となる第２層４２と第３層４３のそれぞれの外面に絶縁層１３ａ、１３ｃを介して張り合わされた第１層４１と第４層４４となる銅箔１０ｃ、１０ｃに露光・現像及びエッチングを行うことで外層３５の配線パターン１２ａ、１２ｄが形成される。

【0063】

また、第１層４１と第２層４２及び／又は第３層４３と第４層４４を接続する場合には、第１層４１の銅箔１０ｃと絶縁層１３ａ及び／又は第４層４４の銅箔１０ｃと絶縁層１３ｃの所定の個所をドリル９０により穿孔する。そして、切削屑を除去した後、穿設された穴の内周面を銅メッキすることで、接続ビア１５が形成される。その結果、所定の配線パターン１２ａと１２ｄ同士が電気的に接続される。以上のようにして、図９Ｈに示すように、第１層４１と第４層４４が形成される（ステップＳ２１）。

【0064】

上記の工程が終わると第１層４１と第４層４４の上面にソルダレジスト１９を塗布し、配線パターン１２ａ、１２ｄを絶縁する。ソルダレジスト１９は、絶縁膜を形成する保護インキであり、ハンダなどの導電体が不必要な部分へ付着してショートするのを防止する。また、塵埃や熱、湿気などから配線パターン１２ａ、１２ｄを保護し、絶縁性を維持するものである（ステップＳ２２）。

【0065】

以上のような工程を経ることにより、本開示に係るプリント基板１０を製造することができる。なお、上記説明では４層基板を例に説明したが、同様の工程を繰り返すことにより６層や８層のプリント基板１０を製造することができる。このようにして形成されたプリント基板１０の板厚は、例えば、０．６ｍｍである。しかし、この寸法に限定されるものではない。

【0066】

本開示によれば、プリント基板１０は、上記のように、電位差を有するスルホールビア１４ａ、１４ｂ間にトレンチビア１８を穿設し、その内部を樹脂１６で充填して形成したものである。スルホールビア１４ａ、１４ｂ間にトレンチビア１８を配設することにより、例えば、スルホールビア１４ａ、１４ｂ間にガラス繊維１０ａの裁断面にクラック３２が発生したとしても、トレンチビア１８及びその内部に充填された樹脂１６を介在させることによりＣＡＦ１７の伸長を阻止することができる。これにより、マイグレーションによるスルホールビア１４ａ、１４ｂ間のショートの発生を防止することができる。

【0067】

また、スルホールビア１４ａ、１４ｂ及びトレンチビア１８の内部に充填する樹脂１６は、プリント基板１０の絶縁層１３ａ～１３ｃを形成する材料よりも誘電率の小さな絶縁性を有する樹脂１６を充填することにより絶縁性を確保することができる。また、配線パターン１２ａ～１２ｄ相互間に生成される静電容量を小さくすることができるため、信号の遅延を防止することができ、高速処理を実現することができる。

【0068】

さらに、スルホールビア１４ａ、１４ｂ及びトレンチビア１８の内部に充填する樹脂１６の材料を同じものとすることにより、樹脂１６を同時に充填することができる。これにより樹脂１６の充填は１回の工程で済み、段取りや充填作業の作業性の改善につながり、コストを下げることができる。

【0069】

また、隣接するスルホールビア１４ａ、１４ｂに印加される電位差が大きく、しかも絶縁距離が十分確保できない場合には、スルホールビア１４ａ、１４ｂ間の電界強度が大きくなり絶縁性能を維持できない場合がある。さらに、電位差が大きいとマイグレーションを生じやすい。このような場合には、隣接するスルホールビア１４ａ、１４ｂ間にトレンチビア１８を設けるとともに、その内部には誘電率の大きな絶縁性を有する樹脂１６を充填してもよい。誘電率の大きな絶縁性を有する樹脂１６は、耐絶縁性能が優れているため、絶縁距離が小さい場合においても絶縁性を確保することができる。
また、これに関連して、誘電率の大きな絶縁性を有する樹脂１６をトレンチビア１８に充填すると樹脂１６は誘電分極を起こし、誘電分極によって発生した電荷が新たな電界を作るため、絶縁層１３ａ～１３ｃの電界強度が弱められる。これによりマイグレーションの発生を抑制する効果も生ずる。

【0070】

このように、スルホールビア１４ａ、１４ｂ及びトレンチビア１８の内部に充填される樹脂６は、いずれも誘電率の小さな絶縁性を有する樹脂１６であってもよい。また、スルホールビア１４ａ、１４ｂの内部には、誘電率の小さな絶縁性を有する樹脂１６を充填し、トレンチビア１８の内部には、誘電率の大きな絶縁性を有する樹脂１６を充填してもよい。

【0071】

＜３．本開示に係るプリント基板の第２実施形態＞
本開示に係るプリント基板１０の第２実施形態は、図１０に示すように、隣接しているスルホールビア１４ａ、１４ｂが第１層４１から第４層４４に貫通して設けられ、トレンチビア１８を、ガラス繊維１０ａを横断する方向すなわち裁断するように貫通し、その内部を樹脂１６で充填するものである。したがって、スルホールビア１４ａ、１４ｂの外周面にガラス繊維１０ａの方向に沿って微小なクラック３２が存在したとしても、当該トレンチビア１８を穿設することによりＣＡＦ１７の伸長を阻止することができる。これにより、マイグレーションに起因するスルホールビア１４ａ、１４ｂ間のショートの発生を防止することができる。

【0072】

以下、プリント基板１０は、４層基板を例に説明する。本図において、配線パターン１２ａ、１２ｂ、１２ｃ及び１２ｄは、銅箔１０ｃで形成された導電層である。そして、各配線パターン１２ａ～１２ｄのそれぞれの間には、絶縁層１３ａ、１３ｂ及び１３ｃがそれぞれ配設されている。すなわち、本図に示すプリント基板１０は、銅箔１０ｃで形成された導電層である配線パターン１２ａ～１２ｄと、ガラス繊維１０ａエポキシ樹脂３３を含浸させた基材で形成された絶縁層１３ａ～１３ｃとを交互にサンドイッチ状に積層した構造をしている。そして配線パターン１２ａ～１２ｄは、銅箔１０ｃをエッチングする等により形成され、電気回路を構成する。

【0073】

スルホールビア１４ａ、１４ｂは、内層３４に設けられたスルホールビア１４と重ならない位置に、第１層４１から第４層４４まで貫通している。そして、スルホールビア１４ａ、１４ｂ間には、トレンチビア１８が同じく貫通している。第２層４２及び第３層４３において、スルホールビア１４ａ、１４ｂを配線パターン１２ｂ、１２ｃに接続しない場合には、これらの配線パターン１２ｂ、１２ｃと所定の距離だけ離隔する。また、これらと接続する場合には、所定の配線パターン１２ｂ、１２ｃにランドを設けて、そこを貫通接続する。

【0074】

スルホールビア１４ａ、１４ｂ及びトレンチビア１８は、その内部に樹脂１６を充填し、スルホールビア１４ａ、１４ｂの開口部には銅メッキにより蓋部が設けられている。
プリント基板１０の表面と裏面の配線パターン１２ａ、１２ｄの上面はソルダレジスト１９が塗布されて配線パターン１２ａ、１２ｄを絶縁し保護する。

【0075】

このように、第１層４１から第４層４４まで貫通するスルホールビア１４ａ、１４ｂにおいても、両者の間にトレンチビア１８が貫通し、その内部を樹脂１６で充填している。このため、絶縁層１３ａ～１３ｃに生じたクラック３２に沿ってＣＡＦ１７が伸長してきてもスルホールビア１４ａ、１４ｂ間のショートの発生を防止することができる。

【0076】

次に、第１層４１から第４層４４まで貫通するスルホールビア１４ａ、１４ｂ及びトレンチビア１８を穿設する工程について図１１により説明する。第１層４１から第４層４４までを貫通するスルホールビア１４ａ、１４ｂ及びトレンチビア１８を穿設する工程は、第１層４１及び第４層４４を積層した後である（図５のステップＳ２０参照）。

【0077】

すなわち、図１１のステップＳ３１からＳ４０までは、図５のステップＳ１１から２０までと同様である。したがって、図１１のステップＳ３１からＳ４０までの説明は省略する。また、ステップＳ１２からステップＳ２０で説明した図６～図９に示す工程に相当する工程は、これらの図を参照することとする。
図１１において、内層３４に第１層４１及び第４層４４を積層した後（ステップＳ４０）、第１層４１から第４層４４まで貫通するスルホールビア１４ａ、１４ｂ用の貫通孔３０を穿設する（ステップＳ４１）。

【0078】

次に、貫通孔３０の内部に残留しているガラス繊維１０ａやエポキシ樹脂３３などの切削屑を洗浄により除去する（ステップＳ４２）。

【0079】

洗浄が終わった貫通孔３０の内周面に銅メッキを行う（ステップＳ４３）。これにより、スルホールビア１４ａ、１４ｂが形成され、両配線パターン１２ａ、１２ｄ間が電気的に接続される。

【0080】

次に、スルホールビア１４ａ、１４ｂ間に、図１０に示すように、ドリル９０により所定の径の貫通孔であるトレンチビア１８を穿設する（ステップＳ４４）。

【0081】

次に、穿設されたトレンチビア１８の内部に残留しているガラス繊維１０ａやエポキシ樹脂３３などの切削屑を洗浄により除去する（ステップＳ４５）。

【0082】

次に、銅メッキがされたスルホールビア１４ａ、１４ｂの内部及びトレンチビア１８の内部に、図１０に示すように、樹脂１６を充填する（ステップＳ４６）。

【0083】

樹脂１６の充填が完了すると、樹脂１６を充填したスルホールビア１４ａ、１４ｂ及びトレンチビア１８の樹脂１６の充填口を研磨して平坦化する（ステップＳ４７）。

【0084】

平坦化されたスルホールビア１４ａ、１４ｂの充填口の上面は、銅により蓋メッキされる。併せて配線パターン１２ｂ、１２ｃが形成される（ステップＳ４８）。
以上のようにして４層基板の外層３５である第１層４１と第４層４４が形成され、スルホールビア１４ａ、１４ｂにより所定の配線パターン１２ａ～１２ｄ間が電気的に接続される。

【0085】

上記の工程が終わると第１層４１と第４層４４の上面にソルダレジスト１９を塗布し、配線パターン１２ａ、１２ｄを絶縁する（ステップＳ４９）。
以上のような工程を経ることにより、本開示に係るプリント基板１０を製造することができる。なお、上記説明では４層基板を例に説明したが、同様の工程を繰り返すことにより６層や８層のプリント基板１０を製造することができる。

【0086】

また、図１０では、スルホールビア１４ａ、１４ｂの両方とも第１層４１から第４層４４まで貫通する場合を例に説明したが、いずれか一方が第２層４２から第４層４４まで貫通し、他方は第１層４１から第４層４４まで貫通する場合でもよい。すなわち、スルホールビア１４ａ、１４ｂの両方とも同一の層同士である必要はない。
上記以外は、本開示に係るプリント基板１０の第１実施形態と同様であるため説明を省略する。

【0087】

＜４．トレンチビアの第１実施形態＞
次に、本開示に係るプリント基板１０のトレンチビア１８の第１実施形態について説明する。なお、以下に説明するトレンチビア１８の第１実施形態から第５実施形態は前記プリント基板１０の第１実施形態及び第２実施形態のいずれにも適用し得るものである。

【0088】

トレンチビア１８の第１実施形態は、図１２Ａに示すように、隣接するスルホールビア１４ａと１４ｂの間に略円形状のトレンチビア１８を穿設し、それぞれの内部に樹脂１６を充填したものである。
トレンチビア１８の径は、スルホールビア１４ａ、１４ｂのそれぞれの径と同一にしてもよいが、マイグレーションに起因するＣＡＦ１７の伸長によるショートの発生を阻止するためには、これらの径よりも大きく形成するのが望ましい。例えば、スルホールビア１４ａ、１４ｂの径を０．３１ｍｍとすれば、トレンチビア１８の径は少なくとも０．４ｍｍあることが好ましい。さらに穿設するドリル９０の位置公差±０．１ｍｍを考慮すると、スルホールビア１４ａ、１４ｂの離間間隔（本図の破線で記載した円の直径）は、０．６ｍｍ以上あることが望ましい。しかし、上記寸法に限定されるものではない。以下同じ。

【0089】

また、図１２Ｂに示すように、隣接するスルホールビア１４ａ、１４ｂ間に長方形状のトレンチビア１８を穿設し、それぞれの内部に樹脂１６を充填してもよい。このように形成することにより隣接するスルホールビア１４ａと１４ｂとの間隔が短い場合でもマイグレーションに起因するＣＡＦ１７の伸長によるショートの発生を防止することができる。

【0090】

なお、本図では、トレンチビア１８の形状を長方形状としたが、楕円状でもよいし、長円形状に形成してもよい。要は、隣接するスルホールビア１４ａと１４ｂを結ぶ直線に対して、これに直交する方向にトレンチビア１８の幅員が長くなるように形成すると、ＣＡＦ１７が伸長したとしても、ショートの発生を阻止することができる。このために、マイグレーションによる不適合の発生を防止する効果を向上することができる。

【0091】

＜５．トレンチビアの第２実施形態＞
トレンチビア１８の第２実施形態は、図１３に示すように、隣接するスルホールビア１４ａ、１４ｂ間において、いずれかの、例えば、スルホールビア１４ａを取り囲んで略円形状のトレンチビア１８を穿設し、それぞれの内部に樹脂１６を充填したものである。
トレンチビア１８の径は、スルホールビア１４ａの径よりも大きく形成する。なお、スルホールビア１４ａの外周面に絶縁層１３ａ～１３ｃがあってもトレンチビア１８の内周面から樹脂１６により分離されているのであれば差支えない。

【0092】

また、本図では、トレンチビア１８の形状を略円形状としたが、長円状や楕円状でもよいし、長方形に形成してもよい。また、三角形、五角形や六角形でもよい。要は、いずれかの、例えば、スルホールビア１４ａをトレンチビア１８が取り囲んでその内部に樹脂１６が充填されておればよい。このように構成することにより、いかなる方向からＣＡＦ１７が伸長してきても、マイグレーションに起因するＣＡＦ１７の伸長によるショートの発生を防止することができる。

【0093】

また、本図の例では、高電位のスルホールビア１４ａを取り囲んで円形状のトレンチビア１８を穿設し、それぞれの内部に樹脂１６を充填する説明をしたが、低電位のスルホールビア１４ｂを取り囲んで円形状のトレンチビア１８を穿設し、それぞれの内部に樹脂１６を充填してもよい。

【0094】

＜６．トレンチビアの第３実施形態＞
トレンチビア１８の第３実施形態は、図１４に示すように、隣接するスルホールビア１４ａと１４ｂにおいて、両方のスルホールビア１４ａ、１４ｂを取り囲んで略長方形状のトレンチビア１８を穿設し、それぞれの内部に樹脂１６を充填したものである。
トレンチビア１８の内径は、スルホールビア１４ａ、１４ｂの外径よりも大きく形成する。なお、スルホールビア１４ａの外周面に絶縁層１３ａ～１３ｃがあってもトレンチビア１８の内周面から樹脂１６により分離されているのであれば差支えない。

【0095】

また、本図では、トレンチビア１８の形状を略長方形状としたが、円形状や楕円状でもよいし、略長円状に形成してもよい。要は、両方のスルホールビア１４ａ、１４ｂをトレンチビア１８が取り囲んでその内部に樹脂１６が充填されておればよい。このように構成することにより、スルホールビア１４ａ、１４ｂ間はもとより、いかなる方向からＣＡＦ１７が伸長してきても、マイグレーションに起因するＣＡＦ１７の伸長によるショートの発生を防止することができる。

【0096】

＜７．トレンチビアの第４実施形態＞
トレンチビア１８の第４実施形態は、図１５に示すように、スルホールビア１４、１４、１４の３個が隣接している場合である。この場合において、３個のスルホールビア１４、１４、１４の略中間の位置に略三芒星状又は略Ｙ字状のトレンチビア１８を穿設し、それぞれの内部に樹脂１６を充填したものである。

【0097】

なお、本図では、トレンチビア１８の略三芒星状の端部１８ａの形状を略半円状としたが、略三角形状でもよいし、略方形状に形成してもよい。また、略三芒星状又は略Ｙ字状の端部１８ａはできるだけ伸長させて形成することが望ましい。要は、隣接するスルホールビア１４、１４、１４の外周を囲む線が略三芒星状又は略Ｙ字状の端部１８ａの先端において、その伸長方向に対して直交する線を結んで構成される三角形（本図の破線）の中に納まるように形成することが望ましい。このように形成することにより、マイグレーションに起因するＣＡＦ１７の伸長によるショートの発生を防止することができる。

【0098】

＜８．トレンチビアの第５実施形態＞
トレンチビア１８の第５実施形態は、図１６に示すように、スルホールビア１４、１４、１４、１４の４個が隣接している場合である。この場合において、４個の各スルホールビア１４の略中間の位置に略四芒星状又は略十文字状のトレンチビア１８を穿設し、それぞれの内部に樹脂１６を充填したものである。

【0099】

なお、本図では、トレンチビア１８の略四芒星状又は略十文字状の端部１８ａの形状を略半円状としたが、略三角形状でもよいし、略方形状に形成してもよい。また、略四芒星状又は略十文字状の端部１８ａはできるだけ伸長させて形成することが望ましい。要は、隣接する各スルホールビア１４の外周を囲む線が略四芒星状又は略十文字状の端部１８ａの先端において、その伸長方向に対して直交する線を結んで構成される四角形（本図の破線）の中に納まるよう形成することが望ましい。このように構成することにより、マイグレーションに起因するＣＡＦ１７の伸長によるショートの発生を防止することができる。

【0100】

同様にして、スルホールビア１４が５個以上隣接している場合は、これらの略中間の位置から外方に伸びる細めの略五芒星状や略六芒星状などの略多芒星状又は略放射状のトレンチビア１８を形成することにより、マイグレーションに起因するＣＡＦ１７の伸長によるショートの発生を防止することができる。
これらの端部１８ａの形状は、同様に略半円状や略三角形状でもよいし、略方形状に形成してもよい。また、スルホールビア１４の配置によっては、各端部１８ａの長さを同一に揃える必要はなく、それぞれの長さを変えてもよい。

【0101】

また、スルホールビア１４が５個以上隣接している場合は、本実施形態のほかに、前記の第１実施形態から第４実施形態を適宜組み合わせてもよい。例えば、隣接する４個のスルホールビア１４が存在する場合には、トレンチビアの第３実施形態のように、これらの４個のスルホールビア１４の全てを取り囲む略長方形状のトレンチビア１８を形成し、樹脂１６を充填してもよい。
このように、複数のスルホールビア１４が隣接して配置されている場合には、第５実施形態のほかに、前記の第１実施形態から第４実施形態を適宜組み合わせることにより、マイグレーションに起因するＣＡＦ１７の伸長によるショートなどの不適合の発生を防止することができる。

【0102】

＜９．本開示に係るプリント基板を有する電子機構の構成例＞
上述した実施形態に係るプリント基板１０は、半導体装置１００に幅広く使用することができる。ここでは、その適用の一例として、プリント基板１０を有する固体撮像装置１０１の電子機器への適用例について、図１７を用いて説明する。なお、この適用例は、プリント基板１０の第１実施形態又は第２実施形態及び／又はトレンチビア１８に係る第１実施形態から第５実施形態を用いたプリント基板１０を有する固体撮像装置１０１に共通である。

【0103】

固体撮像装置１０１は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像装置１０１を用いる複写機など、画像取込部（光電変換部）に固体撮像装置１０１を用いる電子機器全般に対して適用可能である。固体撮像装置１０１は、ワンチップとして形成された形態のものであってもよいし、撮像部と信号処理部又は光学系とをまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態のものであってもよい。

【0104】

図１７に示すように、電子機器としての撮像装置２００は、光学部２０２と、固体撮像装置１０１と、カメラ信号処理回路であるＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）回路２０３と、フレームメモリ２０４と、表示部２０５と、記録部２０６と、操作部２０７と、電源部２０８とを備える。ＤＳＰ回路２０３、フレームメモリ２０４、表示部２０５、記録部２０６、操作部２０７および電源部２０８が、バスライン２０９を介して相互に接続されている。

【0105】

光学部２０２は、複数の撮像レンズを含み、被写体からの入射光（像光）を取り込んで固体撮像装置１０１の画素領域２３上に結像する。固体撮像装置１０１は、光学部２０２によって画素領域２３上に結像された入射光の光量を画素２２単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。

【0106】

表示部２０５は、例えば、液晶パネルや有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネル等のパネル型表示装置からなり、固体撮像装置１０１で撮像された動画又は静止画を表示する。記録部２０６は、固体撮像装置１０１で撮像された動画又は静止画を、ハードディスクや半導体メモリ等の記録媒体に記録する。

【0107】

操作部２０７は、ユーザによる操作の下に、撮像装置２００が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源部２０８は、ＤＳＰ回路２０３、フレームメモリ２０４、表示部２０５、記録部２０６および操作部２０７の動作電源となる各種の電源を、これらの供給対象に対して適宜供給する。

【0108】

以上のように本開示に係るプリント基板１０を用いた固体撮像装置１０１を有する撮像装置２００は、長期間にわたり使用してもマイグレーションに起因する故障や不具合を生じることがないため、安心して使用することができる。

【0109】

最後に、上述した各実施の形態の説明は本開示の一例であり、本開示は上述の実施の形態に限定されることはない。このため、上述した各実施の形態以外であっても、本開示に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。例えば、上記説明におけるプリント基板は、インターポーザ基板の例であるが、マザーボード基板や、産業用機器等の制御基板等に適用できることはいうまでもない。また、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものではなく、さらに他の効果があってもよい。

【0110】

なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
隣接して穿設されたスルホールビアと、
前記スルホールビア間に穿設されたトレンチビアと、
を有するプリント基板。
（２）
前記トレンチビアは、前記プリント基板の基材であるガラスクロスを横断するように配設された前記（１）に記載のプリント基板。
（３）
前記トレンチビアは、前記プリント基板の内層の配線パターン同士を貫通接続する前記スルホールビア間に配設された前記（１）に記載のプリント基板。
（４）
前記トレンチビアは、前記プリント基板の外層の配線パターン同士又は外層の前記配線パターンと内層の前記配線パターン同士を貫通接続する前記スルホールビア間に配設された前記（１）に記載のプリント基板。
（５）
前記トレンチビアの平面視の形状は、隣接する前記スルホールビア間を結ぶ直線に対して直交する方向に前記スルホールビアの径よりも前記トレンチビアの幅員の方が長くなるように形成された前記（１）に記載のプリント基板。
（６）
隣接する前記スルホールビア間において、いずれか一方の前記スルホールビアを取り囲む前記トレンチビアを形成された前記（１）に記載のプリント基板。
（７）
隣接する前記スルホールビア間において、全てのスルホールビアを取り囲むトレンチビアを形成された前記（１）に記載のプリント基板。
（８）
隣接する３個以上の前記スルホールビアの略中間の位置に略多芒星状又は略放射状の前記トレンチビアの中心を配置し、前記スルホールビアの周面で形成される空間が前記トレンチビアの端部の先端において、その伸長方向に対して直交する線を結んで構成される多角形の中に納まるように形成された前記（１）に記載のプリント基板。
（９）
前記絶縁用の前記トレンチビアは、樹脂埋めされた前記（１）から（８）のいずれか１つに記載のプリント基板。
（１０）
銅張積層板に隣接するスルホールビア用の貫通孔を穿設する工程と、
前記貫通孔を洗浄する工程と、
前記貫通孔の内周面を銅メッキする工程と、
前記スルホールビア間にトレンチビア用の貫通孔を穿設する工程と、
前記トレンチビア用貫通孔を洗浄する工程と、
前記トレンチビア用の貫通孔を樹脂埋めする工程と、
前記樹脂埋めされた個所を研磨する工程と、
前記樹脂埋め個所の蓋メッキ及び前記銅張積層板に配線パターンを形成する工程と、
を有するプリント基板の製造方法。
（１１）
隣接して穿設されたスルホールビアと、
前記スルホールビア間に穿設され樹脂で埋められたトレンチビアと、
を有するプリント基板を備えた固体撮像装置。
（１２）
隣接して穿設されたスルホールビアと、前記スルホールビア間に穿設され樹脂で埋められたトレンチビアと、を有するプリント基板を備えた固体撮像装置を有する電子機器。

【符号の説明】

【0111】

３ カバーガラス
４ シール樹脂
６ センサ基板
７ ボンディングワイヤ
８ キャビティ部
９ 外部接続端子
１０ プリント基板
１０ａ ガラス繊維
１０ｂ ガラス布
１０ｃ 銅箔
１１ パッド
１２ａ～ｄ 配線パターン
１３ａ～ｃ 絶縁層
１４、１４ａ、１４ｂ スルホールビア
１５ 接続ビア
１６ 樹脂
１７ ＣＡＦ
１８ トレンチビア
１８ａ 端部
１９ ソルダレジスト
２１ 受光部
２２ 画素
２３ 画素領域
２４ 周辺領域
２５ カラーフィルタ
２６ マイクロレンズアレイ
２７ 赤外カットフィルタ
２９ パッド
３０ 貫通孔
３１ 銅張積層板
３２ クラック
３３ エポキシ樹脂
３４ 内層
３５ 外層
４１ 第１層
４２ 第２層
４３ 第３層
４４ 第４層
９０ ドリル
１００ 半導体装置
１０１ 固体撮像装置
２００ 撮像装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】