特開2022-151654多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランク及びその製造方法、並びに反射型マスクの製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022151654
(43)【公開日】2022-10-07
(54)【発明の名称】多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランク及びその製造方法、並びに反射型マスクの製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 1/24 20120101AFI20220929BHJP
G03F 1/84 20120101ALI20220929BHJP
G03F 7/20 20060101ALI20220929BHJP
【ＦＩ】
G03F1/24
G03F1/84
G03F7/20 501
G03F7/20 521
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022026612
(22)【出願日】2022-02-24
(31)【優先権主張番号】P 2021050261
(32)【優先日】2021-03-24
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000113263
【氏名又は名称】ＨＯＹＡ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100137969
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 憲昭
(74)【代理人】
【識別番号】100104824
【弁理士】
【氏名又は名称】穐場 仁
(74)【代理人】
【識別番号】100121463
【弁理士】
【氏名又は名称】矢口 哲也
(72)【発明者】
【氏名】岩本 健太郎
(72)【発明者】
【氏名】浜本 和宏
【テーマコード（参考）】
2H195
2H197
【Ｆターム（参考）】
2H195BA10
2H195BD04
2H195BD27
2H195BE08
2H195CA11
2H195CA22
2H197BA11
2H197CA10
2H197GA01
(57)【要約】
【課題】 欠陥検査に基づいた描画データの補正を、より正確に行うことのできる反射型マスクを製造するための多層反射膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板と、該基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜とを含む多層反射膜付き基板の製造方法であって、前記多層反射膜付き基板に対して、第１の波長を用いて第１の欠陥検査を行い、第１の欠陥情報を取得する工程と、前記多層反射膜付き基板に対して、前記第１の波長とは異なる第２の波長を用いて第２の欠陥検査を行い、第２の欠陥情報を取得する工程と、前記第１の欠陥情報と、前記第２の欠陥情報とを照合して不一致欠陥及び一致欠陥の有無を判定することにより、第３の欠陥情報を取得する工程とを含むことを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法である。
【選択図】 図１
【解決手段】 基板と、該基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜とを含む多層反射膜付き基板の製造方法であって、前記多層反射膜付き基板に対して、第１の波長を用いて第１の欠陥検査を行い、第１の欠陥情報を取得する工程と、前記多層反射膜付き基板に対して、前記第１の波長とは異なる第２の波長を用いて第２の欠陥検査を行い、第２の欠陥情報を取得する工程と、前記第１の欠陥情報と、前記第２の欠陥情報とを照合して不一致欠陥及び一致欠陥の有無を判定することにより、第３の欠陥情報を取得する工程とを含むことを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法である。
【選択図】 図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、該基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜とを含む多層反射膜付き基板の製造方法であって、
前記多層反射膜付き基板に対して、第１の波長を用いて第１の欠陥検査を行い、第１の欠陥情報を取得する工程と、
前記多層反射膜付き基板に対して、前記第１の波長とは異なる第２の波長を用いて第２の欠陥検査を行い、第２の欠陥情報を取得する工程と、
前記第１の欠陥情報と、前記第２の欠陥情報とを照合して不一致欠陥及び一致欠陥の有無を判定することにより、第３の欠陥情報を取得する工程とを含むことを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
前記多層反射膜付き基板に対して、第１の波長を用いて第１の欠陥検査を行い、第１の欠陥情報を取得する工程と、
前記多層反射膜付き基板に対して、前記第１の波長とは異なる第２の波長を用いて第２の欠陥検査を行い、第２の欠陥情報を取得する工程と、
前記第１の欠陥情報と、前記第２の欠陥情報とを照合して不一致欠陥及び一致欠陥の有無を判定することにより、第３の欠陥情報を取得する工程とを含むことを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
【請求項2】
前記第２の波長は、露光波長と同程度の波長であり、
前記第１の波長は、前記第２の波長よりも長い波長であることを特徴とする請求項１に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
前記第１の波長は、前記第２の波長よりも長い波長であることを特徴とする請求項１に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
【請求項3】
前記多層反射膜付き基板は、基準マークＲＭを含み、
前記第１の欠陥情報は、前記基準マークＲＭの第１のマーク座標ＲＭ１及び第１の欠陥座標を含み、
前記第２の欠陥情報は、前記基準マークＲＭの第２のマーク座標ＲＭ２及び第２の欠陥座標を含み、
前記第３の欠陥情報を取得する工程は、前記第１のマーク座標ＲＭ１と前記第２のマーク座標ＲＭ２との相対位置座標に基づいて、前記第１のマーク座標ＲＭ１を基準とした前記第１の欠陥座標を、前記第２のマーク座標ＲＭ２を基準とした座標に変換することに基づくことを特徴とする請求項１又は２に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
前記第１の欠陥情報は、前記基準マークＲＭの第１のマーク座標ＲＭ１及び第１の欠陥座標を含み、
前記第２の欠陥情報は、前記基準マークＲＭの第２のマーク座標ＲＭ２及び第２の欠陥座標を含み、
前記第３の欠陥情報を取得する工程は、前記第１のマーク座標ＲＭ１と前記第２のマーク座標ＲＭ２との相対位置座標に基づいて、前記第１のマーク座標ＲＭ１を基準とした前記第１の欠陥座標を、前記第２のマーク座標ＲＭ２を基準とした座標に変換することに基づくことを特徴とする請求項１又は２に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
【請求項4】
前記第１の欠陥情報と前記第２の欠陥情報との間で前記不一致欠陥がある場合には、前記不一致欠陥は、前記第１のマーク座標ＲＭ１を基準とした第１の欠陥マップの欠陥とし、
前記第１の欠陥情報と前記第２の欠陥情報との間で前記一致欠陥がある場合には、前記一致欠陥は、前記第２のマーク座標ＲＭ２を基準とした第２の欠陥マップの欠陥とすることを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
前記第１の欠陥情報と前記第２の欠陥情報との間で前記一致欠陥がある場合には、前記一致欠陥は、前記第２のマーク座標ＲＭ２を基準とした第２の欠陥マップの欠陥とすることを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
【請求項5】
前記第１の欠陥情報と前記第２の欠陥情報との間で前記不一致欠陥がある場合には、前記第１の欠陥検査でのみ検出される第１の不一致欠陥及び第２の欠陥検査でのみ検出される第２の不一致欠陥を特定する工程と、
前記多層反射膜付き基板に対して、前記第１の欠陥検査及び前記第２の欠陥検査とは異なる第３の欠陥検査を行う工程とを更に含み、
前記第３の欠陥検査は、前記一致欠陥、及び前記第１の不一致欠陥のうちの少なくとも１つの欠陥寸法を測定することを含み、
前記第３の欠陥検査で測定された前記欠陥寸法が、前記第３の欠陥情報に追加されることを含むことを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
前記多層反射膜付き基板に対して、前記第１の欠陥検査及び前記第２の欠陥検査とは異なる第３の欠陥検査を行う工程とを更に含み、
前記第３の欠陥検査は、前記一致欠陥、及び前記第１の不一致欠陥のうちの少なくとも１つの欠陥寸法を測定することを含み、
前記第３の欠陥検査で測定された前記欠陥寸法が、前記第３の欠陥情報に追加されることを含むことを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
【請求項6】
多層反射膜付き基板が、前記多層反射膜の上に保護膜を更に含むことを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
【請求項7】
請求項１～６のいずれか１項に記載の多層反射膜付き基板の製造方法で作製された多層反射膜付き基板と、該多層反射膜付き基板の上に形成された吸収体膜とを有することを特徴とする反射型マスクブランク。
【請求項8】
前記吸収体膜は、該吸収体膜に形成された第２基準マークＦＭと、前記吸収体膜に前記基準マークＲＭが転写された転写基準マークＲＭ’とを含むことを特徴とする請求項７に記載の反射型マスクブランク。
【請求項9】
請求項７又は８に記載の反射型マスクブランクの前記第１の欠陥情報と前記第２の欠陥情報との間で前記不一致欠陥がある場合には、前記第１の欠陥検査でのみ検出される第１の不一致欠陥及び第２の欠陥検査でのみ検出される第２の不一致欠陥を特定する工程と、
前記反射型マスクブランクに対して、前記第１の波長及び前記第２の波長とは異なる第３の波長で第３の欠陥検査を行う工程とを更に含み、
前記第３の欠陥検査は、前記吸収体膜に転写された前記一致欠陥、及び前記第１の不一致欠陥のうちの少なくとも１つの欠陥寸法を測定することを含み、
前記第３の欠陥検査で測定された前記欠陥寸法が、前記第３の欠陥情報に追加されることを含むことを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
前記反射型マスクブランクに対して、前記第１の波長及び前記第２の波長とは異なる第３の波長で第３の欠陥検査を行う工程とを更に含み、
前記第３の欠陥検査は、前記吸収体膜に転写された前記一致欠陥、及び前記第１の不一致欠陥のうちの少なくとも１つの欠陥寸法を測定することを含み、
前記第３の欠陥検査で測定された前記欠陥寸法が、前記第３の欠陥情報に追加されることを含むことを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項10】
請求項７若しくは８に記載の反射型マスクブランク、又は請求項９に記載の反射型マスクブランクの製造方法により製造される反射型マスクブランクの前記吸収体膜をパターニングして、吸収体パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置の製造などに使用される反射型マスク、反射型マスクを製造するために用いられる反射型マスクブランク及びその製造方法、並びに反射型マスクブランクを製造するために用いられる多層反射膜付き基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体産業において、半導体装置の高集積化に伴い、従来の紫外光を用いたフォトリソグラフィ法の転写限界を上回る微細パターンが必要とされてきている。このような微細パターン形成を可能とするため、極紫外（Extreme Ultra Violet：以下、「ＥＵＶ」と呼ぶ。）光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。ここで、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２～１００ｎｍ程度の光のことである。このＥＵＶリソグラフィにおいて用いられる転写用マスクとして反射型マスクが提案されている。このような反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、その多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成されたものである。
【0003】
露光装置にセットされた反射型マスクに入射した光は、吸収体膜のある部分では吸収され、吸収体膜のない部分では多層反射膜により反射される。反射された像は反射光学系を通して半導体基板上に転写されることでマスクパターンを形成する。上記多層反射膜としては、例えば１３～１４ｎｍの波長を有するＥＵＶ光を反射するものとして、数ｎｍの厚さのＭｏとＳｉを交互に積層させたものなどが知られている。
【0004】
このような反射型マスクブランクの製造方法として、特許文献１には、基板上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に、積層膜が形成されている反射型マスクブランクの製造方法が記載されている。具体的には、特許文献１には、製造方法が、前記基板上に、前記多層反射膜を成膜して多層反射膜付き基板を形成する工程と、前記多層反射膜付き基板に対して欠陥検査を行う工程と、前記多層反射膜付き基板の前記多層反射膜上に、前記積層膜を成膜する工程と、前記積層膜の上部に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成して、該基準マークが形成された反射型マスクブランクを形成する工程と、前記基準マークを基準にして前記反射型マスクブランクの欠陥検査を行う工程と、を含むことが記載されている。
【0005】
特許文献２には、基板上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜が少なくとも形成されている反射型マスクブランクの製造方法が記載されている。具体的には、特許文献２には、製造方法が、前記基板上に、前記多層反射膜を成膜して多層反射膜付き基板を形成する工程と、前記多層反射膜付き基板に対して欠陥検査を行う工程と、前記多層反射膜付き基板の前記多層反射膜上に、前記吸収体膜を成膜する工程と、パターン形成領域の外周縁領域に、前記吸収体膜を除去して、前記多層反射膜上の欠陥情報の基準となるものを含む領域の前記多層反射膜が露出したアライメント領域が形成された反射型マスクブランクを形成する工程と、前記アライメント領域を用いて前記反射型マスクブランクの欠陥管理を行う工程と、を含むことが記載されている。
【0006】
また、特許文献３には、基板と、該基板上に形成されたＥＵＶ光を反射する多層反射膜とを有する多層反射膜付き基板が記載されている。具体的には、特許文献３には、多層反射膜付き基板が、前記多層反射膜付き基板における欠陥の位置の基準となる基準マークを備えており、前記基準マークの個数は、所定の手順によって予め求められた個数であることが記載されている。所定の手順として次のことが記載されている。すなわち、所定の手順の（１）では、第１の座標系を有する欠陥検査装置によって、複数の基準マークを有する別の多層反射膜付き基板における欠陥の第１の欠陥座標、及び、基準マークの第１の基準マーク座標を取得する。所定の手順の（２）では、第２の座標系を有する座標計測器によって、前記別の多層反射膜付き基板における前記欠陥の第２の欠陥座標、及び、前記基準マークの第２の基準マーク座標を取得する。所定の手順の（３）では、前記第１の基準マーク座標及び前記第２の基準マーク座標に基づいて、前記第１の座標系から前記第２の座標系へ座標を変換するための変換係数を算出する。所定の手順の（４）では、上記（３）で算出された変換係数を用いて、上記（１）において前記欠陥検査装置によって取得された前記第１の欠陥座標を、前記第２の座標系を基準とした第３の欠陥座標へ変換する。所定の手順の（５）では、上記（２）において前記座標計測器によって取得された前記第２の欠陥座標と、上記（４）で変換された第３の欠陥座標との間の差について、３σの値を求める。所定の手順の（６）では、基準マークの個数と３σとの対応関係を取得する。所定の手順の（７）では、３σの値が、５０ｎｍ未満となる基準マークの個数を決定する。
【0007】
また、特許文献４及び５には、リソグラフィに使用されるマスクブランク用基板が記載されている。また、特許文献４及び５には、検査光源波長１９３ｎｍの高感度欠陥検査装置（ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製「Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ」）、及び検査光源波長２６６ｎｍの高感度欠陥検査装置（レーザーテック社製「MAGICS M7360」）を使用して、多層反射膜付き基板の欠陥検査をすることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】国際公開第２０１４／１２９５２７号
【特許文献2】国際公開第２０１７／１６９９７３号
【特許文献3】国際公開第２０２０／９５９５９号
【特許文献4】国際公開第２０１４／１０４２７６号
【特許文献5】国際公開第２０１５／０４６３０３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
マスクブランクの欠陥データとデバイスパターンデータとを元に、欠陥が存在している箇所に吸収体パターンが形成されるように描画データを補正して、欠陥を軽減させる技術（Defect Mitigation Technology、本明細書では、「ＤＭ技術」という。）が提案されている。ＤＭ技術を実現するために、例えば、多層反射膜上に吸収体膜が形成された反射型マスクブランクにおいて、吸収体膜上に形成されたレジスト膜に電子線描画装置を用いてパターンを描画する際に、電子線描画装置においても電子線で基準マークを検出する。ＤＭ技術では、電子線描画装置で検出した基準点に基づいて、補正・修正した描画データを元に、レジスト膜にパターンを描画する。
【0010】
一方、ＥＵＶ光を使用したリソグラフィにおける急速なパターンの微細化に伴い、反射型マスクであるＥＵＶマスクに要求される欠陥寸法（Defect Size）も年々微細になっている。このような微細欠陥を発見するために、欠陥検査で使用する検査光源波長は露光光（例えばＥＵＶ光）の光源波長に近づきつつある。
【0011】
ＥＵＶマスク、ＥＵＶマスクの原版であるＥＵＶマスクブランク、多層反射膜付き基板、及び基板（サブストレート）の欠陥検査装置としては、例えば、検査光源波長が２６６ｎｍであるレーザーテック社製のＥＵＶ露光用のマスク・サブストレート／ブランク欠陥検査装置「MAGICS M7360」、検査光源波長が１９３ｎｍであるＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製のＥＵＶ・マスク／ブランク欠陥検査装置「Teron600シリーズ（例えば「Teron610」）」などが普及している。近年では、検査光源波長が露光光源波長の１３．５ｎｍであるＡＢＩ（Actinic Blank Inspection）装置が提案されている。
【0012】
しかしながら、検査光源波長が２６６ｎｍ又は１９３ｎｍの欠陥検査装置では、微細欠陥を発見することが困難である。一方、検査光源波長１３．５ｎｍのＡＢＩ装置を用いて反射型マスクブランクの高精度な欠陥検査を行った場合でも、すべての欠陥及び寸法を特適することが困難である。そのため、ＤＭ技術による描画データの補正に問題が生じる場合がある。
【0013】
そこで本発明は、欠陥検査に基づいた描画データの補正を、より正確に行うことのできる反射型マスクの製造方法を提供することを目的とする。
【0014】
また、本発明は、欠陥検査に基づいた描画データの補正を、より正確に行うことのできる反射型マスクを製造するための多層反射膜付き基板、及び反射型マスクブランクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0015】
本発明は、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
【0016】
（構成１）
本発明の構成１は、基板と、該基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜とを含む多層反射膜付き基板の製造方法であって、
前記多層反射膜付き基板に対して、第１の波長を用いて第１の欠陥検査を行い、第１の欠陥情報を取得する工程と、
前記多層反射膜付き基板に対して、前記第１の波長とは異なる第２の波長を用いて第２の欠陥検査を行い、第２の欠陥情報を取得する工程と、
前記第１の欠陥情報と、前記第２の欠陥情報とを照合して不一致欠陥及び一致欠陥の有無を判定することにより、第３の欠陥情報を取得する工程とを含むことを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法である。
本発明の構成１は、基板と、該基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜とを含む多層反射膜付き基板の製造方法であって、
前記多層反射膜付き基板に対して、第１の波長を用いて第１の欠陥検査を行い、第１の欠陥情報を取得する工程と、
前記多層反射膜付き基板に対して、前記第１の波長とは異なる第２の波長を用いて第２の欠陥検査を行い、第２の欠陥情報を取得する工程と、
前記第１の欠陥情報と、前記第２の欠陥情報とを照合して不一致欠陥及び一致欠陥の有無を判定することにより、第３の欠陥情報を取得する工程とを含むことを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法である。
【0017】
（構成２）
本発明の構成２は、前記第２の波長は、露光波長と同程度の波長であり、前記第１の波長は、前記第２の波長よりも長い波長であることを特徴とする構成１の多層反射膜付き基板の製造方法である。
本発明の構成２は、前記第２の波長は、露光波長と同程度の波長であり、前記第１の波長は、前記第２の波長よりも長い波長であることを特徴とする構成１の多層反射膜付き基板の製造方法である。
【0018】
（構成３）
本発明の構成３は、前記多層反射膜付き基板は、基準マークＲＭを含み、
前記第１の欠陥情報は、前記基準マークＲＭの第１のマーク座標ＲＭ１及び第１の欠陥座標を含み、
前記第２の欠陥情報は、前記基準マークＲＭの第２のマーク座標ＲＭ２及び第２の欠陥座標を含み、
前記第３の欠陥情報を取得する工程は、前記第１のマーク座標ＲＭ１と前記第２のマーク座標ＲＭ２との相対位置座標に基づいて、前記第１のマーク座標ＲＭ１を基準とした前記第１の欠陥座標を、前記第２のマーク座標ＲＭ２を基準とした座標に変換することに基づくことを特徴とする構成１又は２の多層反射膜付き基板の製造方法である。
本発明の構成３は、前記多層反射膜付き基板は、基準マークＲＭを含み、
前記第１の欠陥情報は、前記基準マークＲＭの第１のマーク座標ＲＭ１及び第１の欠陥座標を含み、
前記第２の欠陥情報は、前記基準マークＲＭの第２のマーク座標ＲＭ２及び第２の欠陥座標を含み、
前記第３の欠陥情報を取得する工程は、前記第１のマーク座標ＲＭ１と前記第２のマーク座標ＲＭ２との相対位置座標に基づいて、前記第１のマーク座標ＲＭ１を基準とした前記第１の欠陥座標を、前記第２のマーク座標ＲＭ２を基準とした座標に変換することに基づくことを特徴とする構成１又は２の多層反射膜付き基板の製造方法である。
【0019】
（構成４）
本発明の構成４は、前記第１の欠陥情報と前記第２の欠陥情報との間で前記不一致欠陥がある場合には、前記不一致欠陥は、前記第１のマーク座標ＲＭ１を基準とした第１の欠陥マップの欠陥とし、
前記第１の欠陥情報と前記第２の欠陥情報との間で前記一致欠陥がある場合には、前記一致欠陥は、前記第２のマーク座標ＲＭ２を基準とした第２の欠陥マップの欠陥とすることを特徴とする構成１～３のいずれかの多層反射膜付き基板の製造方法である。
本発明の構成４は、前記第１の欠陥情報と前記第２の欠陥情報との間で前記不一致欠陥がある場合には、前記不一致欠陥は、前記第１のマーク座標ＲＭ１を基準とした第１の欠陥マップの欠陥とし、
前記第１の欠陥情報と前記第２の欠陥情報との間で前記一致欠陥がある場合には、前記一致欠陥は、前記第２のマーク座標ＲＭ２を基準とした第２の欠陥マップの欠陥とすることを特徴とする構成１～３のいずれかの多層反射膜付き基板の製造方法である。
【0020】
（構成５）
本発明の構成５は、前記第１の欠陥情報と前記第２の欠陥情報との間で前記不一致欠陥がある場合には、前記第１の欠陥検査でのみ検出される第１の不一致欠陥及び第２の欠陥検査でのみ検出される第２の不一致欠陥を特定する工程と、
前記多層反射膜付き基板に対して、前記第１の欠陥検査及び前記第２の欠陥検査とは異なる第３の欠陥検査を行う工程とを更に含み、
前記第３の欠陥検査は、前記一致欠陥、及び前記第１の不一致欠陥のうちの少なくとも１つの欠陥寸法を測定することを含み、
前記第３の欠陥検査で測定された前記欠陥寸法が、前記第３の欠陥情報に追加されることを含むことを特徴とする構成１～４のいずれかの多層反射膜付き基板の製造方法である。
本発明の構成５は、前記第１の欠陥情報と前記第２の欠陥情報との間で前記不一致欠陥がある場合には、前記第１の欠陥検査でのみ検出される第１の不一致欠陥及び第２の欠陥検査でのみ検出される第２の不一致欠陥を特定する工程と、
前記多層反射膜付き基板に対して、前記第１の欠陥検査及び前記第２の欠陥検査とは異なる第３の欠陥検査を行う工程とを更に含み、
前記第３の欠陥検査は、前記一致欠陥、及び前記第１の不一致欠陥のうちの少なくとも１つの欠陥寸法を測定することを含み、
前記第３の欠陥検査で測定された前記欠陥寸法が、前記第３の欠陥情報に追加されることを含むことを特徴とする構成１～４のいずれかの多層反射膜付き基板の製造方法である。
【0021】
（構成６）
本発明の構成６は、多層反射膜付き基板が、前記多層反射膜の上に保護膜を更に含むことを特徴とする構成１～５のいずれかの多層反射膜付き基板の製造方法である。
本発明の構成６は、多層反射膜付き基板が、前記多層反射膜の上に保護膜を更に含むことを特徴とする構成１～５のいずれかの多層反射膜付き基板の製造方法である。
【0022】
（構成７）
本発明の構成７は、構成１～６のいずれかの多層反射膜付き基板の製造方法で作製された多層反射膜付き基板と、該多層反射膜付き基板の上に形成された吸収体膜とを有することを特徴とする反射型マスクブランクである。
本発明の構成７は、構成１～６のいずれかの多層反射膜付き基板の製造方法で作製された多層反射膜付き基板と、該多層反射膜付き基板の上に形成された吸収体膜とを有することを特徴とする反射型マスクブランクである。
【0023】
（構成８）
本発明の構成８は、前記吸収体膜は、該吸収体膜に形成された第２基準マークＦＭと、前記吸収体膜に前記基準マークＲＭが転写された転写基準マークＲＭ’とを含むことを特徴とする構成７の反射型マスクブランクである。
本発明の構成８は、前記吸収体膜は、該吸収体膜に形成された第２基準マークＦＭと、前記吸収体膜に前記基準マークＲＭが転写された転写基準マークＲＭ’とを含むことを特徴とする構成７の反射型マスクブランクである。
【0024】
（構成９）
本発明の構成９は、構成７又は８の反射型マスクブランクの前記第１の欠陥情報と前記第２の欠陥情報との間で前記不一致欠陥がある場合には、前記第１の欠陥検査でのみ検出される第１の不一致欠陥及び第２の欠陥検査でのみ検出される第２の不一致欠陥を特定する工程と、
反射型マスクブランクに対して、前記第１の波長及び前記第２の波長とは異なる第３の波長で第３の欠陥検査を行う工程とを更に含み、
前記第３の欠陥検査は、前記吸収体膜に転写された前記一致欠陥、及び前記第１の不一致欠陥のうちの少なくとも１つの欠陥寸法を測定することを含み、
前記第３の欠陥検査で測定された前記欠陥寸法が、前記第３の欠陥情報に追加されることを含むことを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法である。
本発明の構成９は、構成７又は８の反射型マスクブランクの前記第１の欠陥情報と前記第２の欠陥情報との間で前記不一致欠陥がある場合には、前記第１の欠陥検査でのみ検出される第１の不一致欠陥及び第２の欠陥検査でのみ検出される第２の不一致欠陥を特定する工程と、
反射型マスクブランクに対して、前記第１の波長及び前記第２の波長とは異なる第３の波長で第３の欠陥検査を行う工程とを更に含み、
前記第３の欠陥検査は、前記吸収体膜に転写された前記一致欠陥、及び前記第１の不一致欠陥のうちの少なくとも１つの欠陥寸法を測定することを含み、
前記第３の欠陥検査で測定された前記欠陥寸法が、前記第３の欠陥情報に追加されることを含むことを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法である。
【0025】
（構成１０）
本発明の構成１０は、構成７若しくは８の反射型マスクブランク、又は構成９の反射型マスクブランクの製造方法により製造される反射型マスクブランクの前記吸収体膜をパターニングして、吸収体パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法である。
本発明の構成１０は、構成７若しくは８の反射型マスクブランク、又は構成９の反射型マスクブランクの製造方法により製造される反射型マスクブランクの前記吸収体膜をパターニングして、吸収体パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法である。
【発明の効果】
【0026】
本発明により、欠陥検査に基づいた描画データの補正を、より正確に行うことのできる反射型マスクの製造方法を提供することができる。
【0027】
また、本発明により、欠陥検査に基づいた描画データの補正を、より正確に行うことのできる反射型マスクを製造するための多層反射膜付き基板、及び反射型マスクブランクの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0028】
【図1】本実施形態の多層反射膜付き基板の一例の断面模式図である。
【図2】本実施形態の多層反射膜付き基板の別の一例の断面模式図である。
【図3】本実施形態の反射型マスクブランクの一例の断面模式図である。
【図4】本実施形態の反射型マスクの製造方法を断面模式図にて示した工程図である。
【図5】本実施形態の多層反射膜付き基板の一例を示す平面模式図である。
【図6】本実施形態の多層反射膜付き基板の別の一例を示す平面模式図である。
【図7】本実施形態の反射型マスクブランクの一例を示す平面模式図である。
【図8】基準マーク（第２基準マークＦＭ）の形状の一例を示す平面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0029】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。なお、以下の実施形態は、本発明を具体的に説明するための形態であって、本発明をその範囲内に限定するものではない。
【0030】
図１に、本実施形態の多層反射膜付き基板１１０の一例の断面模式図を示す。本実施形態は、基板１と、基板１上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜５とを含む多層反射膜付き基板１１０の製造方法である。
【0031】
図１に示すように、本実施形態の多層反射膜付き基板１１０は、基板１の上に多層反射膜５を備える。多層反射膜５は、露光光を反射するための膜であり、低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層させた多層膜からなる。なお、本実施形態の多層反射膜付き基板１１０は、基板１の裏面（多層反射膜５が形成された主表面とは反対側の主表面）に、裏面導電膜２を含むことができる。
【0032】
【0033】
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０を用いて、反射型マスクブランク１００を製造することができる。図３に、本実施形態の反射型マスクブランク１００の一例の断面模式図を示す。反射型マスクブランク１００は、吸収体膜７を更に含む。
【0034】
具体的には、本実施形態の反射型マスクブランク１００は、多層反射膜付き基板１１０の最表面（例えば、多層反射膜５又は保護膜６の表面）の上に、吸収体膜７を有する。本実施形態の反射型マスクブランク１００を用いることにより、欠陥検査に基づいた描画データの補正を、より正確に行うことのできる反射型マスク２００を得ることができる。
【0035】
本明細書において、「多層反射膜付き基板１１０」とは、所定の基板１の上に多層反射膜５が形成されたものをいう。図１及び図２に、多層反射膜付き基板１１０の断面模式図の例を示す。なお、多層反射膜付き基板１１０は、多層反射膜５以外の薄膜、例えば保護膜６及び／又は裏面導電膜２が形成されたものを含む。
【0036】
本明細書において、「反射型マスクブランク１００」とは、多層反射膜付き基板１１０の上に吸収体膜７が形成されたものをいう。なお、反射型マスクブランク１００は、多層反射膜付き基板１１０の上に、吸収体膜７以外の薄膜（例えば、エッチングマスク膜及び／又はレジスト膜８等）が更に形成されたものを含む。
【0037】
本明細書において、「多層反射膜５の上に吸収体膜７を配置（形成）する」とは、吸収体膜７が、多層反射膜５の表面に接して配置（形成）されることを意味する場合の他、多層反射膜５と、吸収体膜７との間に他の膜を有することを意味する場合も含む。その他の膜についても同様である。また、本明細書において、例えば「膜Ａが膜Ｂの表面に接して配置される」とは、膜Ａと膜Ｂとの間に他の膜を介さずに、膜Ａと膜Ｂとが直接、接するように配置されていることを意味する。
【0038】
＜多層反射膜付き基板１１０＞
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０を構成する基板１及び各薄膜について説明をする。
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０を構成する基板１及び各薄膜について説明をする。
【0039】
＜＜基板１＞＞
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０における基板１は、ＥＵＶ露光時の熱による吸収体パターン７ａの歪みの発生を防止することが必要である。そのため、基板１としては、０±５ｐｐｂ／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましく用いられる。この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、例えば、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２系ガラス、多成分系ガラスセラミックス等を用いることができる。
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０における基板１は、ＥＵＶ露光時の熱による吸収体パターン７ａの歪みの発生を防止することが必要である。そのため、基板１としては、０±５ｐｐｂ／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましく用いられる。この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、例えば、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２系ガラス、多成分系ガラスセラミックス等を用いることができる。
【0040】
基板１の転写パターン（後述の吸収体パターン７ａに相当する。）が形成される側の第１主表面は、少なくともパターン転写精度、位置精度を得る観点から、所定の平坦度となるように表面加工される。ＥＵＶ露光の場合、基板１の転写パターンが形成される側の主表面の１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域において、平坦度が０．１μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．０５μｍ以下、更に好ましくは０．０３μｍ以下である。また、吸収体膜７が形成される側と反対側の第２主表面（裏面）は、露光装置にセットするときに静電チャックされる表面である。第２主表面は、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が０．１μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．０５μｍ以下、更に好ましくは０．０３μｍ以下である。
【0041】
また、基板１の表面平滑性の高さも極めて重要な項目である。転写用吸収体パターン７ａが形成される第１主表面の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（Ｒｍｓ）で０．１５ｎｍ以下、より好ましくはＲｍｓで０．１０ｎｍ以下であることが好ましい。なお、表面平滑性は、原子間力顕微鏡で測定することができる。
【0042】
更に、基板１は、基板１の上に形成される膜（多層反射膜５など）の膜応力による変形を防止するために、高い剛性を有しているものが好ましい。特に、基板１は、６５ＧＰａ以上の高いヤング率を有しているものが好ましい。
【0043】
＜＜多層反射膜５＞＞
多層反射膜５は、反射型マスク２００において、ＥＵＶ光を反射する機能を付与する。多層反射膜５は、屈折率の異なる元素を主成分とする各層が周期的に積層された多層膜の構成である。
多層反射膜５は、反射型マスク２００において、ＥＵＶ光を反射する機能を付与する。多層反射膜５は、屈折率の異なる元素を主成分とする各層が周期的に積層された多層膜の構成である。
【0044】
一般的には、高屈折率材料である軽元素又はその化合物の薄膜（高屈折率層）と、低屈折率材料である重元素又はその化合物の薄膜（低屈折率層）とが交互に４０から６０周期程度積層された多層膜が、多層反射膜５として用いられる。多層膜は、基板１側から高屈折率層と低屈折率層をこの順に積層した高屈折率層／低屈折率層の積層構造を１周期として複数周期積層してもよい。また、多層膜は、基板１側から低屈折率層と高屈折率層をこの順に積層した低屈折率層／高屈折率層の積層構造を１周期として複数周期積層してもよい。なお、多層反射膜５の最表面の層、すなわち多層反射膜５の基板１と反対側の表面層は、高屈折率層とすることが好ましい。上述の多層膜において、基板１から高屈折率層と低屈折率層をこの順に積層した高屈折率層／低屈折率層の積層構造を１周期として複数周期積層する場合は最上層が低屈折率層となる。この場合、低屈折率層が多層反射膜５の最表面を構成すると容易に酸化されてしまい反射型マスク２００の反射率が減少する。そのため、最上層の低屈折率層上に高屈折率層を更に形成して多層反射膜５とすることが好ましい。一方、上述の多層膜において、基板１側から低屈折率層と高屈折率層をこの順に積層した低屈折率層／高屈折率層の積層構造を１周期として複数周期積層する場合は、最上層が高屈折率層となるので、そのままでよい。
【0045】
本実施形態において、高屈折率層としては、ケイ素（Ｓｉ）を含む層が採用される。Ｓｉを含む材料としては、Ｓｉ単体の他に、Ｓｉに、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、及び酸素（Ｏ）を含むＳｉ化合物でもよい。Ｓｉを含む層を高屈折率層として使用することによって、ＥＵＶ光の反射率に優れたＥＵＶリソグラフィ用の反射型マスク２００が得られる。また、本実施形態において基板１としてはガラス基板が好ましく用いられる。Ｓｉはガラス基板との密着性においても優れている。また、低屈折率層としては、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及び白金（Ｐｔ）から選ばれる金属単体、又はこれらの合金が用いられる。例えば波長１３ｎｍから１４ｎｍのＥＵＶ光に対する多層反射膜５としては、好ましくはＭｏ膜とＳｉ膜を交互に４０から６０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜が用いられる。なお、多層反射膜５の最上層である高屈折率層をケイ素（Ｓｉ）で形成し、最上層（Ｓｉ）とＲｕ系保護膜６との間に、ケイ素と酸素とを含むケイ素酸化物層を形成するようにしてもよい。これにより、マスク洗浄耐性を向上させることができる。
【0046】
このような多層反射膜５の単独での反射率は通常６５％以上であり、上限は通常７３％である。なお、多層反射膜５の各構成層の膜厚及び周期は、露光波長により適宜選択すればよく、ブラッグ反射の法則を満たすように選択される。多層反射膜５において高屈折率層及び低屈折率層はそれぞれ複数存在する。高屈折率層同士、そして低屈折率層同士の膜厚が同じでなくてもよい。また、多層反射膜５の最表面のＳｉ層の膜厚は、反射率を低下させない範囲で調整することができる。最表面のＳｉ（高屈折率層）の膜厚は、３ｎｍから１０ｎｍとすることができる。
【0047】
多層反射膜５の形成方法は当該技術分野において公知である。例えばイオンビームスパッタリング法により、多層反射膜５の各層を成膜することで形成できる。上述したＭｏ／Ｓｉ周期多層膜の場合、例えばイオンビームスパッタリング法により、まずＳｉターゲットを用いて厚さ４ｎｍ程度のＳｉ膜を基板１の上に成膜する。その後、Ｍｏターゲットを用いて厚さ３ｎｍ程度のＭｏ膜を成膜する。このＳｉ膜及びＭｏ膜を１周期として、４０から６０周期積層して、多層反射膜５を形成する（最表面の層はＳｉ層とする）。また、多層反射膜５の成膜の際に、イオン源からクリプトン（Ｋｒ）イオン粒子を供給して、イオンビームスパッタリングを行うことにより多層反射膜５を形成することが好ましい。なお、多層反射膜５は、積層周期数の増加による反射率の向上、及び工程数が増加することによるスループットの低下などの点から、４０周期程度であることが好ましい。ただし、多層反射膜５の積層周期数は、４０周期に限るものではなく、例えば６０周期でも良い。６０周期とした場合、４０周期よりも工程数は増えるが、ＥＵＶ光に対する反射率を高めることができる。
【0048】
＜＜保護膜６＞＞
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０では、図２に示すように、多層反射膜５の上に保護膜６を有することが好ましい。多層反射膜５の上に保護膜６が形成されていることにより、多層反射膜付き基板１１０を用いて反射型マスク２００を製造する際の多層反射膜５の表面へのダメージを抑制することができる。そのため、得られる反射型マスク２００のＥＵＶ光に対する反射率特性が良好となる。
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０では、図２に示すように、多層反射膜５の上に保護膜６を有することが好ましい。多層反射膜５の上に保護膜６が形成されていることにより、多層反射膜付き基板１１０を用いて反射型マスク２００を製造する際の多層反射膜５の表面へのダメージを抑制することができる。そのため、得られる反射型マスク２００のＥＵＶ光に対する反射率特性が良好となる。
【0049】
保護膜６は、後述する反射型マスク２００の製造工程におけるドライエッチング及び洗浄から、多層反射膜５を保護するために、多層反射膜５の上に形成される。また、保護膜６は、電子線（ＥＢ）を用いたマスクパターンの黒欠陥修正の際の多層反射膜５の保護という機能も兼ね備える。ここで、図２では、保護膜６が１層の場合を示している。しかしながら、保護膜６を２層の積層構造としてもよいし、又は、保護膜６を３層以上の積層構造とし、最下層及び最上層を、例えばＲｕを含有する物質からなる層とし、最下層と最上層との間に、Ｒｕ以外の金属、若しくは合金を介在させたものすることができる。保護膜６は、例えば、ルテニウムを主成分として含む材料により形成される。ルテニウムを主成分として含む材料としては、Ｒｕ金属単体、Ｒｕにチタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ロジウム（Ｒｈ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）、ホウ素（Ｂ）、ランタン（Ｌａ）、コバルト（Ｃｏ）及びレニウム（Ｒｅ）から選択される少なくとも１つの金属を含有したＲｕ合金、及びそれらに窒素を含む材料が挙げられる。
【0050】
保護膜６に用いるＲｕ合金のＲｕ含有比率は５０原子％以上１００原子％未満、好ましくは８０原子％以上１００原子％未満、より好ましくは９５原子％以上１００原子％未満である。特に、Ｒｕ合金のＲｕ含有比率が９５原子％以上１００原子％未満の場合には、保護膜６に対する多層反射膜５の構成元素（例えば、ケイ素）の拡散を抑えることが可能になる。また、この場合の保護膜６は、ＥＵＶ光の反射率を十分確保しながら、マスク洗浄耐性、吸収体膜７をエッチング加工した時のエッチングストッパ機能、及び多層反射膜５の経時的変化防止の機能を兼ね備えることが可能となる。
【0051】
保護膜６の膜厚は、保護膜６としての機能を果たすことができる限り特に制限されない。ＥＵＶ光の反射率の観点から、保護膜６の膜厚は、好ましくは、１．０ｎｍから８．０ｎｍ、より好ましくは、１．５ｎｍから６．０ｎｍである。
【0052】
保護膜６の形成方法としては、公知の膜形成方法を特に制限なく採用することができる。具体例としては、保護膜６の形成方法として、スパッタリング法及びイオンビームスパッタリング法が挙げられる。
【0053】
＜多層反射膜付き基板１１０の製造方法＞
次に、本実施形態の多層反射膜付き基板１１０の製造方法を説明する。
次に、本実施形態の多層反射膜付き基板１１０の製造方法を説明する。
【0054】
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０の製造方法では、まず、上述の基板１を用意し、基板１の第１主表面の上に、上述の多層反射膜５を形成する（図１参照）。必要に応じて、多層反射膜５の上に、上述の保護膜６を形成することができる（図２参照）。なお、本実施形態の多層反射膜付き基板１１０の製造方法では、更に、基板１の裏面（多層反射膜５が形成された主表面とは反対側の主表面）に、裏面導電膜２を形成することができる（図２参照）。
【0055】
＜＜第１の欠陥情報を取得する工程＞＞
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０の製造方法は、多層反射膜付き基板１１０の多層反射膜５が形成された主表面に対して、第１の波長を用いて第１の欠陥検査を行い、第１の欠陥情報を取得する工程を含む。
なお、本明細書における「欠陥情報」とは、欠陥検査において検出された欠陥と評価され得る構造についての情報、例えば、位置情報を含むデータであり、欠陥情報は、必ずしも欠陥として扱われない構造についての情報も含む。
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０の製造方法は、多層反射膜付き基板１１０の多層反射膜５が形成された主表面に対して、第１の波長を用いて第１の欠陥検査を行い、第１の欠陥情報を取得する工程を含む。
なお、本明細書における「欠陥情報」とは、欠陥検査において検出された欠陥と評価され得る構造についての情報、例えば、位置情報を含むデータであり、欠陥情報は、必ずしも欠陥として扱われない構造についての情報も含む。
【0056】
なお、保護膜６の膜厚は、上述のように最も厚くても８ｎｍであり、非常に薄い。そのため、多層反射膜５の上に保護膜６を形成した場合であっても、欠陥検査により、多層反射膜５の欠陥を検出することができる。他の欠陥検査についても同様である。
【0057】
第１の欠陥検査で用いられる「第１の波長」とは、後述する第２の欠陥検査のための第２の波長とは異なる波長である。第１の波長は、例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２６６ｎｍ、２１３ｎｍ及び１９３ｎｍなどの波長であることができる。第１の波長が３６５ｎｍの場合、第１の欠陥検査のための欠陥検査装置としては、例えば、波長３６５ｎｍのレーザで座標計測を行うＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製の座標計測器「ＬＭＳ－ＩＰＲＯ４」を用いることができる。第１の波長が２６６ｎｍ又は３５５ｎｍの場合、第１の欠陥検査のための欠陥検査装置としては、例えば、検査光源波長が２６６ｎｍ又は３５５ｎｍであるレーザーテック社製のＥＵＶ露光用のマスク・サブストレート／ブランク欠陥検査装置「MAGICS M7360」又は「MAGICS M8650」を用いることができる。第１の波長が２１３ｎｍの場合、検査波長が２１３ｎｍであるレーザーテック社製のＥＵＶ露光用のマスク・サブストレート／ブランク欠陥検査装置「MAGICS M9650」を用いることができる。第１の波長が１９３ｎｍの場合、検査光源波長が１９３ｎｍであるＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製のＥＵＶ・マスク／ブランク欠陥検査装置「Teron600シリーズ、例えばTeron610」、又は波長１９３ｎｍのレーザで座標計測を行うＣａｒｌ Ｚｅｉｓｓ社製の座標計測器「ＰＲＯＶＥ」を用いることができる。欠陥検査装置による欠陥検査、又は座標計測器による欠陥座標の測定によって、多層反射膜付き基板１１０の欠陥の位置及び寸法に関する情報（第１の欠陥情報）を得ることができる。
【0058】
精度よく欠陥検査を行うことができることから、第１の欠陥検査には、第１の波長が３５５ｎｍであるマスク・サブストレート／ブランク欠陥検査装置「MAGICS M8650」を用いることが好ましい。
【0059】
多層反射膜付き基板１１０は、基準マークＲＭ（例えば、ドットマーク）を含むことが好ましい。基準マークＲＭは、ＡＭ（アライメントマーク）と呼ばれることもある。ＡＭは、欠陥検査装置で多層反射膜付き基板１１０上の欠陥を検査した際に、欠陥座標の基準として使用できるマークである。しかし、ＡＭは、電子線描画装置によってパターンを描画する際には、直接使用されない。基準マークＲＭの形状は、例えば、ドットマーク、略十字型マーク又は四角形マークであることができる。基準マークＲＭの形状は、欠陥検査装置による検出が容易であることから、ドットマーク又は略十字型マークであることが好ましく、円形のドットマークであることがより好ましい。図５に、基準マークＲＭとして、円形のドットマークである基準マーク２０を形成した例を示す。多層反射膜付き基板１１０が、基準マークＲＭを有することにより、欠陥検査によって得られた欠陥の位置座標を、基準マークＲＭの位置座標と関連付けることができる。そのため、多層反射膜付き基板１１０の欠陥の位置を、より正確に特定することができる。
【0060】
第１の欠陥情報は、前記基準マークＲＭの第１のマーク座標ＲＭ１及び第１の欠陥座標を含むことが好ましい。
【0061】
本明細書では、第１の欠陥検査で測定された基準マークＲＭの位置座標のことを、「第１のマーク座標ＲＭ１」という場合がある。第１の欠陥情報は、基準マークＲＭの第１のマーク座標ＲＭ１を含むことができる。基準マークＲＭの位置座標を関連付けて多層反射膜付き基板１１０の欠陥の位置を特定することにより、第１の欠陥検査で測定された欠陥の位置を、より正確に特定することができる。
【0062】
図５は、本実施形態の多層反射膜付き基板１１０の平面図である。図５に示す例では、略矩形状の多層反射膜付き基板１１０の４つの角部の近傍には、基準マークＲＭの一例として、基準マーク２０がそれぞれ２つずつ形成されている。基準マーク２０は、欠陥情報における欠陥位置の基準として使用されるマークである。図５では、基準マーク２０が８個形成されている例を示している。基準マーク２０は、４つの角部のうち少なくとの３つの角部に配置する必要がある。したがって、基準マーク２０の個数は、３個以上であればよく、４個以上であることが好ましい。また、基準マーク２０は、４つの角部に各１個配置されることが好ましく、４つの角部に各２個配置されることがより好ましい。また、３個以上の基準マーク２０は、少なくとも２軸上に配置することが必要である。
【0063】
図５に示す多層反射膜付き基板１１０において、基板１の大きさが１５２ｍｍ×１５２ｍｍの場合、破線Ａの内側のパターン形成領域（１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域）には、反射型マスク２００を製造するときに吸収体パターン７ａが形成される。破線Ａの外側の領域には、反射型マスク２００を製造するときに吸収体パターン７ａが形成されない。基準マーク２０は、好ましくは、吸収体パターン７ａが形成されない領域、すなわち、破線Ａの上、あるいは、破線Ａの外側の領域に形成される。
【0064】
図５に示すように、基準マーク２０は、円形のドット形状を有している。円形のドット形状を有する基準マーク２０の直径は、例えば、２００ｎｍ以上１０μｍ以下である。図５では、円形のドット形状を有する基準マーク２０の例を示しているが、基準マーク２０の形状はこれに限定されない。基準マーク２０の形状は、例えば、略十字型、平面視で略Ｌ字型、三角形又は四角形等であってもよい。
【0065】
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０は、上述の基準マークＲＭとは形状又は寸法が異なる基準マークＣＭを更に有することができる。図６に、円形のドット形状の基準マーク２０（基準マークＲＭ）と共に、略十字型の基準マーク２２（基準マークＣＭ）を有する多層反射膜付き基板１１０を示す。基準マークＣＭは、略十字型の基準マーク２２であることが好ましい。多層反射膜付き基板１１０が、基準マークＣＭを含む場合、第１の欠陥情報及び／又は第２の欠陥情報は、基準マークＣＭのマーク座標ＣＭ１を更に含むことができる。多層反射膜付き基板１１０の上に吸収体膜７及びレジスト膜８を形成したときに、基準マークＣＭは、吸収体膜７及びレジスト膜８に転写されるように、基準マークＣＭの寸法（大きさ及び深さ）を調節することができる。このような基準マークＣＭは、第２基準マークＦＭ（図７に示す基準マーク２４）として用いることができる。また、基準マークＣＭは、ＡＭ（アライメントマーク）として用いることもできる。多層反射膜付き基板１１０が基準マークＣＭを有することにより、第１及び第２の欠陥検査に基づく欠陥マップ（欠陥座標を示すマップ）を、第２基準マークＦＭを基準とした欠陥マップに変換することが可能になる。
【0066】
基準マーク２０の断面形状は、例えば凹状であることができる。「凹状」とは、多層反射膜付き基板１１０の断面（多層反射膜付き基板１１０の主表面に垂直な断面）を見たときに、基準マーク２０が下方に向けて例えば段差状あるいは湾曲状に凹むようにして形成されていることを意味する。凹状に形成された基準マーク２０の深さＤは、好ましくは、３０ｎｍ以上であり、４０ｎｍ以上がより好ましい。また、基準マーク２０の深さＤは、基板１が露出する深さとすることもできる。深さＤとは、多層反射膜付き基板１１０の表面から、基準マーク２０の底部の最も深い位置までの垂直方向の距離のことを意味する。
【0067】
基準マーク２０の形成方法は、特に制限されない。基準マーク２０は、例えば、多層反射膜付き基板１１０の表面にレーザ加工によって形成することができる。このとき、多層反射膜５を成膜した後に基準マーク２０を形成し、その後、保護膜６を成膜することができる。また、先に多層反射膜５及び保護膜６を成膜し、その後、基準マーク２０を形成することができる。レーザ加工の条件は、例えば、以下の通りである。
レーザの種類（波長）：紫外線～可視光領域。例えば、波長４０５ｎｍの半導体レーザ
レーザ出力：１～１２０ ｍＷ
スキャン速度：０．１～２０ ｍｍ／ｓ
パルス周波数：１～１００ ＭＨｚ
パルス幅：３ｎｓ～１０００ｓ
レーザの種類（波長）：紫外線～可視光領域。例えば、波長４０５ｎｍの半導体レーザ
レーザ出力：１～１２０ ｍＷ
スキャン速度：０．１～２０ ｍｍ／ｓ
パルス周波数：１～１００ ＭＨｚ
パルス幅：３ｎｓ～１０００ｓ
【0068】
基準マーク２０をレーザ加工する際に使用するレーザは、連続波でもよく、パルス波でもよい。パルス波を用いた場合、連続波と比較して、基準マーク２０の深さＤが同程度であっても、基準マーク２０の幅Ｗをより小さくすることが可能である。このため、パルス波を用いた場合、連続波と比較して、よりコントラストが大きく、欠陥検査装置や電子線描画装置によって検出し易い基準マーク２０を形成することができる。
【0069】
基準マーク２０の形成方法は、レーザに限定されない。基準マーク２０は、例えば、フォトリソグラフィ法、ＦＩＢ（集束イオンビーム）、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、微小圧子によるインデンション、及びインプリント法による型押しなどの方法で形成することができる。
【0070】
基準マーク２０の断面形状は、凹状に限定されない。例えば、基準マーク２０の断面形状は、上方に突出する凸状であってもよい。基準マーク２０の断面形状が凸状の場合、ＦＩＢやスパッタリング法などによる部分成膜などで形成することができる。凸状に形成された基準マーク２０の高さＨは、好ましくは、３０ｎｍ以上であり、４０ｎｍ以上がより好ましい。高さＨとは、多層反射膜付き基板１１０の表面から、基準マーク２０の最も高い位置までの垂直方向の距離のことを意味する。
【0071】
多層反射膜付き基板１１０に基準マーク２０を形成した場合には、欠陥検査装置によって、基準マーク２０（基準マークＲＭ）の座標（マーク座標ＲＭ１）及び欠陥の座標を高精度に取得する必要がある。したがって、多層反射膜付き基板１１０に形成された基準マーク２０は、欠陥検査装置又は座標計測器によって検出可能な程度に高いコントラストを有している必要がある。
【0072】
＜＜第２の欠陥情報を取得する工程＞＞
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０の製造方法は、多層反射膜付き基板１１０の多層反射膜５が形成された主表面に対して、第１の波長とは異なる第２の波長を用いて第２の欠陥検査を行い、第２の欠陥情報を取得する工程を含む。
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０の製造方法は、多層反射膜付き基板１１０の多層反射膜５が形成された主表面に対して、第１の波長とは異なる第２の波長を用いて第２の欠陥検査を行い、第２の欠陥情報を取得する工程を含む。
【0073】
「第２の波長」とは第２の欠陥検査に用いられる波長であり、上述の第１の欠陥検査のための第１の波長とは異なる波長である。本実施形態の多層反射膜付き基板１１０の製造方法において、第２の波長は、露光波長と同程度の波長であることが好ましい。「露光波長と同程度の波長」とは、露光波長λとして、λ±１ｎｍの波長であることができる。例えば、露光波長λ＝１３．５ｎｍの場合には、第２の波長は、１２．５～１４．５ｎｍの波長とすることができる。具体的には、第２の欠陥検査のための装置として、検査光源波長が露光光源波長の１３．５ｎｍと同じであるＡＢＩ（Actinic Blank Inspection）装置を用いることができる。第２の波長が、露光波長と同程度の波長であることにより、微細な欠陥を検出することができる。
【0074】
第１の波長は、第２の波長よりも長い波長であることが好ましい。具体的には、第１の欠陥検査のための第１の波長として、１９３～３６５ｎｍ程度の波長を用い、第２の欠陥検査のための第２の波長として、１２．５～１４．５ｎｍの波長を用いることができる。第１の波長が、第２の波長よりも長い波長であることにより、第２の波長で検出できる欠陥とは異なった欠陥を検出することができる場合がある。
【0075】
第２の欠陥検査では、第２の波長を用いて欠陥検査を行い、第２の欠陥座標を測定する。第２の欠陥検査では、第１の欠陥検査とは異なった波長を用いるため、第２の欠陥検査で得られる欠陥座標（第２の欠陥座標）は、同じ欠陥であっても、第１の欠陥座標とは異なる場合がある。また、第１の欠陥検査では検出できなかった欠陥が、第２の欠陥検査では検出される場合がある。また、第１の欠陥検査では検出できた欠陥が、第２の欠陥検査では検出されない場合がある。また、第１の欠陥検査では検出できた欠陥の寸法が、第２の欠陥検査では検出されたその欠陥の寸法と異なる場合がある。したがって、第１の欠陥検査の後に、第２の欠陥検査を行い、２つの欠陥検査から得られた情報を比較することにより、より正確な欠陥情報を得ることができる。
【0076】
第２の欠陥情報は、基準マークＲＭの第２のマーク座標ＲＭ２及び第２の欠陥座標を含むことが好ましい。
【0077】
本明細書では、第２の欠陥検査で測定された基準マークＲＭ（例えば、図５に示す基準マーク２０）の位置座標のことを、「第２のマーク座標ＲＭ２」という場合がある。基準マークＲＭは、上述の第１の欠陥検査で述べたものと同じである。第２の欠陥情報は、基準マークＲＭの第２のマーク座標ＲＭ２を含むことができる。基準マークＲＭの位置座標を関連付けて多層反射膜付き基板１１０の欠陥の位置を特定することにより、第２の欠陥検査で測定された欠陥の位置を、より正確に特定することができる。
【0078】
また、本実施形態の別の実施形態として、第１の欠陥情報と、第２の欠陥情報とは、高さ方向の情報が異なることができる。
【0079】
すなわち、別の実施形態は、基板１と、基板１上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜５を有する多層反射膜付き基板１１０の製造方法である。別の実施形態は、多層反射膜付き基板１１０に対して、第１の波長で第１の欠陥検査を行い、第１の欠陥情報を取得する工程、及び多層反射膜付き基板１１０に対して、第１の波長とは異なる第２の波長で第２の欠陥検査を行い、第２の欠陥情報を取得する工程とを備える。別の実施形態では、第１の欠陥情報と、第２の欠陥情報とは、高さ方向の情報が異なる。高さ方向とは、基板１の主表面に対して垂直な方向である。高さ方向の情報とは、欠陥の存在する高さ方向の位置、及び／又は欠陥の寸法のうちの高さ方向の大きさを意味する。例えば、第１の欠陥情報は、多層反射膜５の表層近傍に位置する欠陥の座標及び／又は高さ方向の大きさを含み、第２の欠陥情報は、多層反射膜５の内部に位置する欠陥の座標及び／又は高さ方向の大きさを含んでもよい。
【0080】
＜＜第３の欠陥情報を取得する工程＞＞
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０の製造方法は、第１の欠陥情報と、第２の欠陥情報とを照合して不一致欠陥及び一致欠陥の有無を判定することにより、第３の欠陥情報を取得する工程を含む。
なお、本明細書における「第３の欠陥情報」とは、第１の欠陥情報及び第２の欠陥情報に基づき得られる欠陥情報を含むデータであり、第３の欠陥情報は、第１の欠陥情報及び第２の欠陥情報に基づき行われる第３の欠陥検査によって得られる欠陥情報も含む。
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０の製造方法は、第１の欠陥情報と、第２の欠陥情報とを照合して不一致欠陥及び一致欠陥の有無を判定することにより、第３の欠陥情報を取得する工程を含む。
なお、本明細書における「第３の欠陥情報」とは、第１の欠陥情報及び第２の欠陥情報に基づき得られる欠陥情報を含むデータであり、第３の欠陥情報は、第１の欠陥情報及び第２の欠陥情報に基づき行われる第３の欠陥検査によって得られる欠陥情報も含む。
【0081】
第１の欠陥検査と、第２の欠陥検査とでは、異なった波長を用いて欠陥検査をするため、第１の欠陥検査では検出できなかった欠陥が、第２の欠陥検査では検出される場合がある。また、第１の欠陥検査では検出できた欠陥が、第２の欠陥検査では検出されない場合がある。また、第１の欠陥検査と同様の欠陥が、第２の欠陥検査で検出される場合がある。また、第２の欠陥検査で得られる欠陥座標（第２の欠陥座標）は、同じ欠陥であっても、第１の欠陥座標とは欠陥の寸法が異なる場合がある。そのため、第３の欠陥情報を取得するために、第１の欠陥情報と、第２の欠陥情報とを照合して不一致欠陥及び一致欠陥の有無を判定する。例えば、第１の欠陥検査の第１のマーク座標ＲＭ１と第２の欠陥検査の第２のマーク座標ＲＭ２とに基づいて、第１の欠陥検査の座標系を第２の欠陥検査の座標系にアフィン変換する。アフィン変換した第１の欠陥座標と第２の欠陥座標との距離及び第１の欠陥検査の座標精度と第２の欠陥検査の座標精度を考慮して算出した値（欠陥距離）と、第１の欠陥及び第２の欠陥の各寸法とに基づいて算出した値（欠陥長さ、すなわち距離）とを比較し、欠陥距離が欠陥長さより短い場合に、一致欠陥と判定することができる。この結果、欠陥の位置座標などの情報を、より正確に特定することができる。
【0082】
なお、本明細書で、「不一致欠陥」とは、第１の欠陥検査では検出できた欠陥が、第２の欠陥検査では検出されない欠陥、又は第２の欠陥検査では検出できた欠陥が、第１の欠陥検査では検出されない欠陥のことをいう。
【0083】
また、本明細書で、「一致欠陥」とは、第１の欠陥検査では検出できた欠陥が、第２の欠陥検査でも検出された欠陥のことをいう。
【0084】
第３の欠陥情報を取得する工程では、第１のマーク座標ＲＭ１と第２のマーク座標ＲＭ２との相対位置座標に基づいて、第１のマーク座標ＲＭ１を基準とした第１の欠陥座標を、第２のマーク座標ＲＭ２を基準とした座標に変換することによって第３の欠陥情報を取得することが好ましい。第３の欠陥情報を取得する際に、第１の欠陥検査の座標系である第１の欠陥座標を、第２の欠陥検査の座標系に変換することができる。
【0085】
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０の製造方法では、第１の欠陥情報と第２の欠陥情報との間で不一致欠陥がある場合には、不一致欠陥は、第１のマーク座標ＲＭ１を基準とした第１の欠陥マップの欠陥とすることが好ましい。なお、第１の欠陥マップとは、第１のマーク座標ＲＭ１（第１の欠陥検査で測定された基準マークＲＭの位置座標）を基準とした欠陥の座標を示す欠陥マップのことを意味する。
【0086】
第１の波長より短波長の第２の波長を用いる第２の欠陥検査では、反射防止膜の表面近傍にある欠陥を検出できない場合がある。その場合には、不一致欠陥の欠陥情報として、第１の波長を用いて第１の欠陥検査により得られた第１の欠陥情報を採用して、第３の欠陥情報とすることができる。
【0087】
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０の製造方法では、第１の欠陥情報と第２の欠陥情報との間で一致欠陥がある場合には、一致欠陥は、第２のマーク座標ＲＭ２を基準とした第２の欠陥マップの欠陥とすることが好ましい。なお、第２の欠陥マップとは、第２のマーク座標ＲＭ２（第２の欠陥検査で測定された基準マークＲＭの位置座標）を基準とした欠陥の座標を示す欠陥マップのことを意味する。
【0088】
一般的に、短波長の検査光を用いる第２の欠陥検査の方が、測定精度が高い。そのため、第１の欠陥検査及び第２の欠陥検査の両方で検出された欠陥（一致欠陥）の場合には、より精度の高い第２の欠陥検査により得られた第２の欠陥情報を採用して、第３の欠陥情報とすることができる。
【0089】
なお、不一致欠陥のうち、第２の欠陥検査では検出されない欠陥については、第３の欠陥情報として、第１の欠陥情報を用いることができる。また、不一致欠陥のうち、第２の欠陥検査では検出できた欠陥については、第３の欠陥情報として、第２の欠陥情報を用いることができる。また、一致欠陥については、第３の欠陥情報として、第２の欠陥情報を用いることができる。一般的に短波長の検査光を用いる第２の欠陥検査の方が、通常は、測定精度が高いためである。
【0090】
第３の欠陥情報は、第１の欠陥情報及び／又は第２の欠陥情報における欠陥寸法を変換した情報を含む。すなわち、多層反射膜付き基板の製造方法は、多層反射膜付き基板に対して、第１の座標精度を有する第１の欠陥検査を行い、第１の欠陥情報を取得する工程と、多層反射膜付き基板に対して、前記第１の座標精度とは異なる第２の座標精度を有する第２の欠陥検査を行い、第２の欠陥情報を取得する工程とを含み、第１の欠陥情報における欠陥寸法及び第２の欠陥情報における欠陥寸法のうちの少なくとも１つの欠陥寸法のサイズ変換を行って第３の欠陥情報を取得する。
【0091】
また、多層反射膜付き基板の製造方法は、多層反射膜付き基板に対して、第１の座標精度を有する第１の欠陥検査を行い、第１の欠陥情報を取得する工程と、多層反射膜付き基板に対して、前記第１の座標精度とは異なる第２の座標精度を有する第２の欠陥検査を行い、第２の欠陥情報を取得する工程とを含み、前記第１の欠陥情報と前記第２の欠陥情報とを照合して、一致欠陥、第１の欠陥検査でのみ検出される第１の不一致欠陥及び第２の欠陥検査でのみ検出される第２の不一致欠陥を特定し、一致欠陥、第１の不一致欠陥及び第２の不一致欠陥のうちの少なくとも１つの欠陥寸法のサイズ変換を行って第３の欠陥情報を取得する。
【0092】
第１の座標精度を有する第１の欠陥検査は、上述の第１の波長を用いる欠陥検査装置を用いることができる。第２の座標精度を有する第２の欠陥検査は、上述の第２の波長を用いる欠陥検査装置を用いることができる。
【0093】
欠陥寸法は、多層反射膜付き基板１１０に対してＸ方向及びＹ方向の各々の長さ（幅）、高さまたは深さを含む。
【0094】
サイズ変換は、第１の欠陥情報における欠陥寸法及び第２の欠陥情報における欠陥寸法の両方に対して行ってもよいし、第１の欠陥情報における欠陥寸法又は第２の欠陥情報における欠陥寸法の何れか一方にのみ行ってもよい。第１の座標精度が第２の座標精度よりも低い場合には、第１の欠陥情報における欠陥寸法に対してサイズ変換を行うことが好ましい。また、第２の座標精度が第１の座標精度よりも高い場合には、第１の欠陥情報における欠陥寸法及び第２の欠陥情報における欠陥寸法のうち、第１の欠陥情報における欠陥寸法に対してのみサイズ変換を行うことができ得る。
【0095】
また、サイズ変換は、一致欠陥寸法、第１の不一致欠陥寸法及び第２の不一致欠陥寸法のすべてに対して行ってもよいし、一致欠陥寸法、第１の不一致欠陥寸法及び第２の不一致欠陥寸法の何れか１つのみに対して行ってもよい。第１の座標精度が第２の座標精度よりも低い場合には、第１の不一致欠陥寸法に対してサイズ変換を行うことが好ましい。また、第２の座標精度が第１の座標精度よりも高い場合には、一致欠陥寸法、第１の不一致欠陥寸法及び第２の不一致欠陥寸法のうち、第１の欠陥情報における欠陥寸法に対してのみサイズ変換を行うことができ得る。
【0096】
サイズ変換は、取得した欠陥寸法に所定の大きさ（バッファ値）を加えることにより行われる。例えば、第１の欠陥情報又は第１の不一致欠陥における欠陥寸法のＸ方向の長さにバッファ値としてαｎｍを加え、Ｙ方向の長さにαｎｍを加える。第２の欠陥情報、第２の不一致欠陥又は一致欠陥における欠陥寸法のＸ方向の長さにバッファ値としてβｎｍを加え、Ｙ方向の長さにβｎｍを加える。
αは第１の座標精度に応じて設定され、βは第２の座標精度に応じて設定される。第１の座標精度が第２の座標精度よりも低い場合には、α＞β（βはゼロを含む）であることが好ましい。
αは第１の座標精度に応じて設定され、βは第２の座標精度に応じて設定される。第１の座標精度が第２の座標精度よりも低い場合には、α＞β（βはゼロを含む）であることが好ましい。
【0097】
第２の不一致欠陥及び一致欠陥における欠陥寸法のＸ方向の長さとＹ方向の長さにバッファ値を加える場合において、第２の不一致欠陥寸法に対するバッファ値と一致欠陥寸法に対するバッファ値を異なる値としてもよい。例えば、第２の不一致欠陥寸法のＸ方向の長さ及びＹ方向の長さに、バッファ値としてβ１ｎｍをそれぞれ加え、一致欠陥寸法のＸ方向の長さ及びＹ方向の長さに、バッファ値としてβ２ｎｍをそれぞれ加える。第１の座標精度が第２の座標精度よりも低い場合には、β２＞β１（β１はゼロを含む）であることが好ましい。
【0098】
第３の欠陥情報を有する多層反射膜付き基板１１０を製造することにより、欠陥検査に基づいた描画データの補正を、より正確に行うことのできる反射型マスク２００を製造するための多層反射膜付き基板１１０を得ることができる。
【0099】
＜＜第３の欠陥検査＞＞
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０の製造方法は、第３の欠陥検査を含むことができる。第３の欠陥検査は、以下の工程を含むことができる。
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０の製造方法は、第３の欠陥検査を含むことができる。第３の欠陥検査は、以下の工程を含むことができる。
【0100】
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０の製造方法では、第３の欠陥検査のために、第１の欠陥情報と第２の欠陥情報との間で不一致欠陥がある場合には、第１の欠陥検査でのみ検出される第１の不一致欠陥及び第２の欠陥検査でのみ検出される第２の不一致欠陥を特定する工程を更に含むことが好ましい。
【0101】
第１の不一致欠陥とは、第１の欠陥検査でのみ検出され、第２の欠陥検査では検出されない欠陥である。第２の不一致欠陥とは、第２の欠陥検査でのみ検出され、第１の欠陥検査では検出されない欠陥である。第１の不一致欠陥及び第２の不一致欠陥を特定することにより、第１の欠陥情報及び第２の欠陥情報のうちのどちらを採用すべきかを決定するための指針を得ることができる。
【0102】
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０の製造方法では、多層反射膜付き基板１１０に対して、第１の波長及び第２の波長とは異なる第３の波長で第３の欠陥検査を行う工程を更に含むことが好ましい。また、多層反射膜付き基板１１０に対して、第１の欠陥検査及び第２の欠陥検査とは異なる装置又は測定方法で第３の欠陥検査を行う工程を更に含んでもよい。また、第３の欠陥検査では、一致欠陥、及び第１の不一致欠陥のうちの少なくとも１つの欠陥寸法を測定することを含むことが好ましい。なお、第３の欠陥検査では、欠陥寸法と共に、欠陥の座標を測定することができる。欠陥寸法は、多層反射膜付き基板１１０に対してＸ方向及びＹ方向の各々の長さ（幅）、高さまたは深さを含む。
【0103】
第３の欠陥検査で測定された欠陥寸法は、第３の欠陥情報に追加されることが好ましい。また、第３の欠陥検査で欠陥の座標を測定した場合には、欠陥の座標についても第３の欠陥情報に追加することができる。
【0104】
第３の欠陥検査のための欠陥検査装置としては、例えば、波長３６５ｎｍのレーザで座標計測を行うＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製の座標計測器「ＬＭＳ－ＩＰＲＯ４」、又は波長１９３ｎｍのレーザで座標計測を行うＣａｒｌ Ｚｅｉｓｓ社製の座標計測器「ＰＲＯＶＥ」を用いることができる。鮮明な観察像を得る点から、第３の欠陥検査のための欠陥検査装置としては、「ＰＲＯＶＥ」を用いることが好ましい。
【0105】
また、第３の欠陥検査としては、欠陥の表面形態を測定する方法を含んでもよい。例えば、欠陥の表面の凹凸情報を得ることができる原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）、又はＥＵＶ光顕微鏡を用いることができる。また、第３の欠陥検査は、一致欠陥及び第１の不一致欠陥のうちの少なくとも１つを含む所定の領域（例えば、１μｍ×１μｍの領域）を測定する部分検査を含んでもよい。また、第３の欠陥検査は、一致欠陥を少なくとも１つ含む所定の領域、第１の不一致欠陥を少なくとも１つ含む所定の領域及び第２の不一致欠陥を少なくとも１つ含む所定の領域が存在し、第１の座標精度が第２の座標精度よりも低い場合に、第２の不一致欠陥のみを含む所定の領域を測定せず、第１の不一致欠陥を少なくとも１つ含む所定の領域と一致欠陥を少なくとも１つ含む所定の領域を測定する部分検査を含んでもよい。さらに、第３の欠陥検査は、一致欠陥を少なくとも１つ含む所定の領域、第１の不一致欠陥を少なくとも１つ含む所定の領域及び第２の不一致欠陥を少なくとも１つ含む所定の領域が存在し、第１の座標精度が第２の座標精度よりも低い場合に、一致欠陥又は第２の不一致欠陥のみを含む所定の領域を測定せず、第１の不一致欠陥を少なくとも１つ含む所定の領域を測定する部分検査を含んでもよい。
【0106】
第３の欠陥検査を行うことにより、より正確な欠陥中心の座標を得ることができる。このため、第１の欠陥検査及び／又は第２の欠陥検査の欠陥中心の座標と、第３の欠陥検査の欠陥中心の座標とでずれが生じた場合には、第３の欠陥検査の欠陥座標を用いることができる。これにより、欠陥検査に基づいた描画データの補正を、より正確に行うことのできる反射型マスク２００を製造するための多層反射膜付き基板１１０を得ることができる。また、第３の欠陥検査を所定の領域のみを測定する部分検査とすることにより、第３の欠陥検査にかかる時間を短縮し、欠陥検査に基づいた描画データの補正を、更に正確に行うことのできる反射型マスク２００を製造するための多層反射膜付き基板１１０をより効率的に得ることができる。第１の欠陥情報と第２の欠陥情報に基づき行う第３の欠陥検査を部分検査とすることは、第３の欠陥検査が、測定精度は高いけれど、所定の領域を測定するためにかかる時間が長い検査である場合に、特に優れた効果をもたらす。
【0107】
本実施形態の多層反射膜付き基板１１０の製造方法が、第３の欠陥検査を更に含むことにより、欠陥検査に基づいた描画データの補正を、更に正確に行うことのできる反射型マスク２００を製造するための多層反射膜付き基板１１０を得ることができる。
【0108】
＜＜欠陥情報を含む多層反射膜付き基板１１０＞＞
多層反射膜付き基板１１０の構成として、基板１及び多層反射膜５という物理的な構成と共に、多層反射膜５の欠陥の位置及び寸法に関する情報である欠陥情報（第３の欠陥情報）を含むことができる。
多層反射膜付き基板１１０の構成として、基板１及び多層反射膜５という物理的な構成と共に、多層反射膜５の欠陥の位置及び寸法に関する情報である欠陥情報（第３の欠陥情報）を含むことができる。
【0109】
多層反射膜付き基板１１０（及び／又は反射型マスクブランク１００）は、通常、欠陥情報をデータとして伴って、顧客に納品される。したがって、欠陥情報は多層反射膜付き基板１１０の一部であるといえる。例えば、欠陥情報は、多層反射膜付き基板１１０（及び／又は反射型マスクブランク１００）と紐づけしたり、多層反射膜付き基板１１０（及び／又は反射型マスクブランク１００）が収納された基板ケースと紐づけしたりした記憶媒体と共に顧客に納品される、又は所謂インターネット等のネットワークに接続されたサーバを経由して顧客に納品される。なお、欠陥情報は、多層反射膜５の欠陥の位置及び寸法に関する情報であることができる。そのため、本実施形態の上述の多層反射膜付き基板１１０の製造方法は、第１の欠陥情報及び第２の欠陥情報から得られた第３の欠陥情報を、その多層反射膜５の欠陥情報として顧客に提供することが可能である。多層反射膜付き基板１１０が欠陥情報（第３の欠陥情報）を含むことにより、欠陥検査に基づいた描画データの補正を、より正確に行うことのできる反射型マスク２００を製造することができる。
【0110】
＜反射型マスクブランク１００＞
本実施形態の反射型マスクブランク１００の実施形態について説明する。
本実施形態の反射型マスクブランク１００の実施形態について説明する。
【0111】
図３に示すように、本実施形態の反射型マスクブランク１００は、上述のように製造された多層反射膜付き基板１１０と、その多層反射膜付き基板１１０の上に形成された吸収体膜７とを有する。本実施形態の反射型マスクブランク１００を用いることにより、欠陥検査に基づいた描画データの補正を、より正確に行うことのできる反射型マスク２００を製造することができる。
【0112】
＜＜吸収体膜７＞＞
反射型マスクブランク１００は、上述の多層反射膜付き基板１１０の上に、吸収体膜７を有する。すなわち、吸収体膜７は、多層反射膜５の上（保護膜６が形成されている場合には、保護膜６の上）に形成される。吸収体膜７の基本的な機能は、ＥＵＶ光を吸収することである。吸収体膜７は、ＥＵＶ光の吸収を目的とした吸収体膜７であっても良いし、ＥＵＶ光の位相差も考慮した位相シフト機能を有する吸収体膜７であっても良い。位相シフト機能を有する吸収体膜７とは、ＥＵＶ光を吸収するとともに一部を反射させて位相をシフトさせるものである。すなわち、位相シフト機能を有する吸収体膜７がパターニングされた反射型マスク２００において、吸収体膜７が形成されている部分では、ＥＵＶ光を吸収して減光しつつパターン転写に悪影響がないレベルで一部の光を反射させる。また、吸収体膜７が形成されていない領域（フィールド部）では、ＥＵＶ光は、保護膜６を介して多層反射膜５から反射する。そのため、位相シフト機能を有する吸収体膜７からの反射光と、フィールド部からの反射光との間に所望の位相差を有することになる。位相シフト機能を有する吸収体膜７は、吸収体膜７からの反射光と、多層反射膜５からの反射光との位相差が１７０度から１９０度となるように形成される。１８０度近傍の反転した位相差の光同士がパターンエッジ部で干渉し合うことにより、投影光学像の像コントラストが向上する。その像コントラストの向上に伴って解像度が上がり、露光量裕度、焦点裕度等の露光に関する各種裕度を大きくすることができる。
反射型マスクブランク１００は、上述の多層反射膜付き基板１１０の上に、吸収体膜７を有する。すなわち、吸収体膜７は、多層反射膜５の上（保護膜６が形成されている場合には、保護膜６の上）に形成される。吸収体膜７の基本的な機能は、ＥＵＶ光を吸収することである。吸収体膜７は、ＥＵＶ光の吸収を目的とした吸収体膜７であっても良いし、ＥＵＶ光の位相差も考慮した位相シフト機能を有する吸収体膜７であっても良い。位相シフト機能を有する吸収体膜７とは、ＥＵＶ光を吸収するとともに一部を反射させて位相をシフトさせるものである。すなわち、位相シフト機能を有する吸収体膜７がパターニングされた反射型マスク２００において、吸収体膜７が形成されている部分では、ＥＵＶ光を吸収して減光しつつパターン転写に悪影響がないレベルで一部の光を反射させる。また、吸収体膜７が形成されていない領域（フィールド部）では、ＥＵＶ光は、保護膜６を介して多層反射膜５から反射する。そのため、位相シフト機能を有する吸収体膜７からの反射光と、フィールド部からの反射光との間に所望の位相差を有することになる。位相シフト機能を有する吸収体膜７は、吸収体膜７からの反射光と、多層反射膜５からの反射光との位相差が１７０度から１９０度となるように形成される。１８０度近傍の反転した位相差の光同士がパターンエッジ部で干渉し合うことにより、投影光学像の像コントラストが向上する。その像コントラストの向上に伴って解像度が上がり、露光量裕度、焦点裕度等の露光に関する各種裕度を大きくすることができる。
【0113】
吸収体膜７は単層の膜であることができる。また、吸収体膜７は、複数の膜からなる多層膜であることができる。吸収体膜７が単層膜の場合は、マスクブランク製造時の工程数を削減できて生産効率が上がるという特徴がある。多層膜の場合には、上層吸収体膜が、光を用いたマスクパターン検査時の反射防止膜になるように、その光学定数と膜厚を適当に設定することができる。このことにより、光を用いたマスクパターン検査時の検査感度が向上する。また、上層吸収体膜に酸化耐性が向上する酸素（Ｏ）及び窒素（Ｎ）等が添加された膜を用いると、経時的安定性が向上する。このように、吸収体膜７を多層膜にすることによって様々な機能を付加させることが可能となる。吸収体膜７が位相シフト機能を有する吸収体膜７の場合には、多層膜にすることによって光学面での調整の範囲を大きくすることができるので、所望の反射率を得ることが容易になる。
【0114】
吸収体膜７の材料としては、ＥＵＶ光を吸収する機能を有し、エッチング等により加工が可能（好ましくは塩素（Ｃｌ）やフッ素（Ｆ）系ガスのドライエッチングでエッチング可能）である限り、特に限定されない。そのような機能を有するものとして、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、マンガン（Ｍｎ）、スズ（Ｓｎ）、タンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、ニッケル（Ｎｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、テルル（Ｔｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）、及びケイ素（Ｓｉ）から選ばれる少なくとも１つの金属、又はこれらの化合物を好ましく用いることができる。
【0115】
吸収体膜７は、ＤＣスパッタリング法及びＲＦスパッタリング法などのマグネトロンスパッタリング法で形成することができる。例えば、タンタル及びホウ素を含むターゲットを用い、酸素又は窒素を添加したアルゴンガスを用いた反応性スパッタリング法により、吸収体膜７を成膜することができる。
【0116】
多層反射膜付き基板１１０に形成された凹状の基準マーク２０（基準マークＲＭ）は、吸収体膜７及びレジスト膜８に転写されることができる。吸収体膜７とレジスト膜８との間にエッチングマスク膜が形成される場合、多層反射膜付き基板１１０に形成された凹状の基準マーク２０は、吸収体膜７、エッチングマスク膜及びレジスト膜８に転写されることができる。基準マーク２２（基準マークＣＭ）を多層反射膜付き基板１１０に形成した場合についても同様である。
【0117】
本実施形態の反射型マスクブランク１００の吸収体膜７は、吸収体膜７に形成された第２基準マークＦＭと、吸収体膜７に基準マークＲＭが転写された転写基準マークＲＭ’とを含むことが好ましい。
【0118】
第２基準マークＦＭは、多層反射膜付き基板１１０には形成せず、反射型マスクブランク１００の吸収体膜７に形成することができる。図７に、第２基準マークＦＭである略十字型の基準マーク２４を形成した反射型マスクブランク１００の平面図を示す。なお、図７に示す反射型マスクブランク１００には、図５に示すような多層反射膜付き基板１１０の多層反射膜５に形成された基準マーク２０（基準マークＲＭ）が、吸収体膜７に基準マーク２０ａ（転写基準マークＲＭ’）として転写された様子が図示されている。
【0119】
第２基準マークＦＭは、基準マークＣＭとして、多層反射膜付き基板１１０に形成することができる。すなわち、図６に示す多層反射膜付き基板１１０には、基準マーク２０（基準マークＲＭ）及び基準マーク２２（基準マークＣＭ）が形成されている。図６に示す多層反射膜付き基板１１０の上に吸収体膜７を形成した場合、これらの基準マーク２０及び２２は吸収体膜７に転写される。その結果、図７に示す反射型マスクブランク１００において、基準マーク２０ａ（転写基準マークＲＭ’）及び基準マーク２４になる。基準マーク２４は、第２基準マークＦＭとして用いることができる。
【0120】
基準マーク２４（第２基準マークＦＭ）は、例えば、ＦＭ（フィデュシャルマーク）として使用できる。ＦＭとは、電子線描画装置によってパターンを描画する際に、欠陥座標の基準として使用されるマークである。ＦＭは、通常、図７に符号２４として示すような十字型形状である。
【0121】
図８に、ＦＭ（フィデュシャルマーク）として使用できる基準マーク２４（第２基準マークＦＭ）の形状の模式図を示す。略十字型形状を有する基準マーク２４の幅Ｗ１及び幅Ｗ２は、例えば、２００ｎｍ以上１０μｍ以下である。基準マーク２４の長さＬは、例えば、１００μｍ以上１５００μｍ以下である。図８では、略十字型形状を有する基準マーク２４の例を示しているが、基準マーク２４の形状はこれに限定されない。基準マーク２４の形状は、例えば、平面視で略Ｌ字型、円形、三角形又は四角形等であってもよい。
【0122】
基準マーク２４（第２基準マークＦＭ）をＦＭとして使用することにより、欠陥座標を高精度に管理することができる。電子線描画装置によってレジスト膜８にパターンを描画する際、レジスト膜８に転写された基準マーク２４は、欠陥位置の基準であるＦＭとして使用される。例えば、電子線描画装置の座標計測器によってＦＭを検出することにより、欠陥検査装置で取得した欠陥座標を、電子線描画装置の座標系に変換することができる。これにより、例えば、欠陥が吸収体パターン７ａの下に配置するように、電子線描画装置によって描画されるパターンの描画データを補正することができる（ＤＭ技術）。描画データを補正することによって、最終的に製造される反射型マスク２００への欠陥による影響を低減することができる。
【0123】
吸収体膜７は、吸収体膜７に形成された第２基準マークＦＭと、吸収体膜７に基準マークＲＭが転写された転写基準マークＲＭ’及び／又は吸収体膜７に基準マークＣＭが転写された転写基準マークＣＭ’とを含んでもよい。
【0124】
図６に示す基準マーク２２（基準マークＣＭ）は、ＡＭ（アライメントマーク）として使用できる。吸収体膜７に基準マークＲＭが転写されにくかったり、吸収体膜７に転写された転写基準マークＲＭ’が電子線で検出しにくかったりする場合に、吸収体膜７に基準マークＣＭが転写された転写基準マークＣＭ’を用いることができる。
【0125】
基準マーク２２（基準マークＣＭ）をＡＭとして使用する場合、例えば略十字型形状を有する基準マーク２２の幅Ｗ１、Ｗ２は、例えば、２００ｎｍ以上１０μｍ以下である。基準マーク２２の長さＬは、例えば、１００μｍ以上１５００μｍ以下である。基準マーク２２の形状は、略十字型形状に限定されず、例えば、平面視で略Ｌ字型、円形、三角形又は四角形等であってもよい。
【0126】
多層反射膜付き基板１１０上にＡＭ（基準マーク２０、又は基準マーク２０及び基準マーク２２）を形成した場合には、多層反射膜付き基板１１０上の吸収体膜７にＦＭ（基準マーク２４である第２基準マークＦＭ）を形成する。ＡＭは、吸収体膜７に転写される。ＡＭは、欠陥検査装置及び座標計測器で検出可能である。ＦＭは、座標計測器及び電子線描画装置で検出可能である。ＡＭとＦＭは共に座標計測器で検出することが可能であるため、これらの相対的な位置関係を高精度に管理することができる。したがって、欠陥検査装置によって取得されたＡＭを基準とする欠陥座標を、電子線描画装置で使用するＦＭを基準とする欠陥座標に高精度に変換することができる。なお、ＡＭの個数は、ＦＭの個数よりも多くすることができる。また、ＡＭ上の吸収体膜７を一部除去することにより、ＡＭの検出精度を上げることもできる。
【0127】
本実施形態の反射型マスクブランク１００の製造方法では、上述の多層反射膜付き基板１１０に対する第３の欠陥検査と同様の手順による欠陥検査を、反射型マスクブランク１００に対して行うことが好ましい。
【0128】
本実施形態の反射型マスクブランク１００の製造方法では、第３の欠陥検査を行う前に、上述の多層反射膜付き基板１１０に対する第１の欠陥情報と第２の欠陥情報との間で不一致欠陥がある場合には、第１の欠陥検査でのみ検出される第１の不一致欠陥及び第２の欠陥検査でのみ検出される第２の不一致欠陥を特定する工程を更に含むことが好ましい。
【0129】
第１の不一致欠陥とは、多層反射膜付き基板１１０の製造方法の第１の欠陥検査でのみ検出され、第２の欠陥検査では検出されない欠陥である。第２の不一致欠陥とは、多層反射膜付き基板１１０の製造方法の第２の欠陥検査でのみ検出され、第１の欠陥検査では検出されない欠陥である。第１の不一致欠陥及び第２の不一致欠陥を特定することにより、第１の欠陥情報及び第２の欠陥情報のうちのどちらを採用すべきかを決定するための指針を得ることができる。
【0130】
本実施形態の反射型マスクブランク１００の製造方法では、反射型マスクブランク１００に対して、第１の波長及び第２の波長とは異なる第３の波長で第３の欠陥検査を行う工程を更に含むことが好ましい。また、反射型マスクブランク１００に対して、第１の欠陥検査及び第２の欠陥検査とは異なる装置又は測定方法で第３の欠陥検査を行う工程を更に含んでもよい。また、第３の欠陥検査は、吸収体膜７に転写された一致欠陥、及び第１の不一致欠陥のうちの少なくとも１つの欠陥寸法を測定することを含むことが好ましい。なお、第３の欠陥検査では、欠陥寸法と共に、欠陥の座標を測定することができる。欠陥寸法は、多層反射膜付き基板１１０に対してＸ方向及びＹ方向の各々の長さ（幅）、高さまたは深さを含む。
【0131】
また、第３の欠陥検査で測定された欠陥寸法が、第３の欠陥情報に追加されることが好ましい。また、第３の欠陥検査で欠陥の座標を測定した場合には、欠陥の座標についても第３の欠陥情報に追加することができる。
【0132】
反射型マスクブランク１００に対する第３の欠陥検査のための欠陥検査装置としては、例えば、波長３６５ｎｍのレーザで座標計測を行うＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製の座標計測器「ＬＭＳ－ＩＰＲＯ４」、又は波長１９３ｎｍのレーザで座標計測を行うＣａｒｌ Ｚｅｉｓｓ社製の座標計測器「ＰＲＯＶＥ」を用いることができる。鮮明な観察像を得る点から、第３の欠陥検査のための欠陥検査装置としては、「ＰＲＯＶＥ」を用いることが好ましい。
また、第３の欠陥検査としては、欠陥の表面形態を測定する方法を含んでもよい。例えば、欠陥の表面の凹凸情報を得ることができる原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）、又はＥＵＶ光顕微鏡を用いることができる。また、第３の欠陥検査は、一致欠陥及び第１の不一致欠陥のうちの少なくとも１つを含む所定の領域（例えば、１μｍ×１μｍの領域）を測定する部分検査を含んでもよい。
また、第３の欠陥検査としては、欠陥の表面形態を測定する方法を含んでもよい。例えば、欠陥の表面の凹凸情報を得ることができる原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）、又はＥＵＶ光顕微鏡を用いることができる。また、第３の欠陥検査は、一致欠陥及び第１の不一致欠陥のうちの少なくとも１つを含む所定の領域（例えば、１μｍ×１μｍの領域）を測定する部分検査を含んでもよい。
【0133】
本実施形態の反射型マスクブランク１００の製造方法が、第３の欠陥検査を更に含むことにより、欠陥検査に基づいた描画データの補正を、更に正確に行うことのできる反射型マスク２００を製造するための反射型マスクブランク１００を得ることができる。
【0134】
＜＜裏面導電膜２＞＞
基板１の第２主表面（裏面）の上（多層反射膜５の形成面の反対側であり、基板１に水素侵入抑制膜等の中間層が形成されている場合には中間層の上）には、静電チャック用の裏面導電膜２が形成される。静電チャック用として、裏面導電膜２に求められるシート抵抗は、通常１００Ω／□以下である。裏面導電膜２の形成方法は、例えば、クロム又はタンタル等の金属、又はそれらの合金のターゲットを使用したマグネトロンスパッタリング法又はイオンビームスパッタリング法である。裏面導電膜２がクロム（Ｃｒ）を含む材料の場合は、Ｃｒにホウ素、窒素、酸素、及び炭素から選択した少なくとも１つを含有したＣｒ化合物であることが好ましい。Ｃｒ化合物としては、例えば、ＣｒＮ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣＮ、ＣｒＣＯＮ、ＣｒＢＮ、ＣｒＢＯＮ、ＣｒＢＣＮ及びＣｒＢＯＣＮなどを挙げることができる。裏面導電膜２のタンタル（Ｔａ）を含む材料としては、Ｔａ（タンタル）、Ｔａを含有する合金、又はこれらのいずれかにホウ素、窒素、酸素、炭素の少なくとも１つを含有したＴａ化合物を用いることが好ましい。Ｔａ化合物としては、例えば、ＴａＢ、ＴａＮ、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＣＯＮ、ＴａＢＮ、ＴａＢＯ、ＴａＢＯＮ、ＴａＢＣＯＮ、ＴａＨｆ、ＴａＨｆＯ、ＴａＨｆＮ、ＴａＨｆＯＮ、ＴａＨｆＣＯＮ、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＯ、ＴａＳｉＮ、ＴａＳｉＯＮ、及びＴａＳｉＣＯＮなどを挙げることができる。裏面導電膜２の膜厚は、静電チャック用としての機能を満足する限り特に限定されないが、通常１０ｎｍから２００ｎｍである。また、この裏面導電膜２はマスクブランク１００の第２主表面側の応力調整も兼ね備えている。すなわち、裏面導電膜２は、第１主表面側に形成された各種膜からの応力とバランスをとって、平坦な反射型マスクブランク１００が得られるように調整される。
基板１の第２主表面（裏面）の上（多層反射膜５の形成面の反対側であり、基板１に水素侵入抑制膜等の中間層が形成されている場合には中間層の上）には、静電チャック用の裏面導電膜２が形成される。静電チャック用として、裏面導電膜２に求められるシート抵抗は、通常１００Ω／□以下である。裏面導電膜２の形成方法は、例えば、クロム又はタンタル等の金属、又はそれらの合金のターゲットを使用したマグネトロンスパッタリング法又はイオンビームスパッタリング法である。裏面導電膜２がクロム（Ｃｒ）を含む材料の場合は、Ｃｒにホウ素、窒素、酸素、及び炭素から選択した少なくとも１つを含有したＣｒ化合物であることが好ましい。Ｃｒ化合物としては、例えば、ＣｒＮ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣＮ、ＣｒＣＯＮ、ＣｒＢＮ、ＣｒＢＯＮ、ＣｒＢＣＮ及びＣｒＢＯＣＮなどを挙げることができる。裏面導電膜２のタンタル（Ｔａ）を含む材料としては、Ｔａ（タンタル）、Ｔａを含有する合金、又はこれらのいずれかにホウ素、窒素、酸素、炭素の少なくとも１つを含有したＴａ化合物を用いることが好ましい。Ｔａ化合物としては、例えば、ＴａＢ、ＴａＮ、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＣＯＮ、ＴａＢＮ、ＴａＢＯ、ＴａＢＯＮ、ＴａＢＣＯＮ、ＴａＨｆ、ＴａＨｆＯ、ＴａＨｆＮ、ＴａＨｆＯＮ、ＴａＨｆＣＯＮ、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＯ、ＴａＳｉＮ、ＴａＳｉＯＮ、及びＴａＳｉＣＯＮなどを挙げることができる。裏面導電膜２の膜厚は、静電チャック用としての機能を満足する限り特に限定されないが、通常１０ｎｍから２００ｎｍである。また、この裏面導電膜２はマスクブランク１００の第２主表面側の応力調整も兼ね備えている。すなわち、裏面導電膜２は、第１主表面側に形成された各種膜からの応力とバランスをとって、平坦な反射型マスクブランク１００が得られるように調整される。
【0135】
なお、上述の吸収体膜７を形成する前に、多層反射膜付き基板１１０に対して裏面導電膜２を形成することができる。その場合には、図２に示すような裏面導電膜２を備えた多層反射膜付き基板１１０を得ることができる。
【0136】
＜＜エッチングマスク膜＞＞
本実施形態の製造方法で製造される反射型マスクブランク１００は、吸収体膜７の上にエッチングマスク膜（「エッチング用ハードマスク膜」ともいう。）を備えることができる。エッチングマスク膜の代表的な材料としては、ケイ素（Ｓｉ）、並びにケイ素に酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）及び水素（Ｈ）から選択される少なくとも１つの元素を加えた材料、又は、クロム（Ｃｒ）、並びにクロムに酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）及び水素（Ｈ）から選択される少なくとも１つの元素を加えた材料等がある。具体的には、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＣＯ、ＳｉＣＮ、ＳｉＣＯＮ、Ｃｒ、ＣｒＮ、ＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣ、ＣｒＣＯ、ＣｒＣＮ、及びＣｒＯＣＮ等が挙げられる。ただし、吸収体膜７が酸素を含む化合物の場合、エッチングマスク膜として酸素を含む材料（例えばＳｉＯ２）はエッチング耐性の観点から避けたほうが良い。反射型マスクブランク１００がエッチングマスク膜を有する場合には、反射型マスク２００を製造する際に、レジスト膜８の膜厚を薄くすることが可能となり、パターンの微細化に対して有利である。
本実施形態の製造方法で製造される反射型マスクブランク１００は、吸収体膜７の上にエッチングマスク膜（「エッチング用ハードマスク膜」ともいう。）を備えることができる。エッチングマスク膜の代表的な材料としては、ケイ素（Ｓｉ）、並びにケイ素に酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）及び水素（Ｈ）から選択される少なくとも１つの元素を加えた材料、又は、クロム（Ｃｒ）、並びにクロムに酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）及び水素（Ｈ）から選択される少なくとも１つの元素を加えた材料等がある。具体的には、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＣＯ、ＳｉＣＮ、ＳｉＣＯＮ、Ｃｒ、ＣｒＮ、ＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣ、ＣｒＣＯ、ＣｒＣＮ、及びＣｒＯＣＮ等が挙げられる。ただし、吸収体膜７が酸素を含む化合物の場合、エッチングマスク膜として酸素を含む材料（例えばＳｉＯ２）はエッチング耐性の観点から避けたほうが良い。反射型マスクブランク１００がエッチングマスク膜を有する場合には、反射型マスク２００を製造する際に、レジスト膜８の膜厚を薄くすることが可能となり、パターンの微細化に対して有利である。
【0137】
＜＜その他の薄膜＞＞
本実施形態の製造方法で製造される反射型マスクブランク１００は、吸収体膜７の上、又は上述のエッチングマスク膜の上に、レジスト膜８を備えることができる。すなわち、レジスト膜８を含む反射型マスクブランク１００は、本実施形態の反射型マスクブランク１００に含まれる。
本実施形態の製造方法で製造される反射型マスクブランク１００は、吸収体膜７の上、又は上述のエッチングマスク膜の上に、レジスト膜８を備えることができる。すなわち、レジスト膜８を含む反射型マスクブランク１００は、本実施形態の反射型マスクブランク１００に含まれる。
【0138】
＜反射型マスク２００＞
本実施形態の反射型マスク２００の製造方法は、上述の反射型マスクブランク１００の吸収体膜７をパターニングして、多層反射膜５の上に吸収体パターン７ａを形成することを含む。すなわち、本実施形態の反射型マスク２００は、多層反射膜５の上に吸収体パターン７ａを有する。本実施形態の反射型マスクブランク１００を用いることにより、欠陥検査に基づいた描画データの補正を、より正確に行うことのできる反射型マスク２００を得ることができる。
本実施形態の反射型マスク２００の製造方法は、上述の反射型マスクブランク１００の吸収体膜７をパターニングして、多層反射膜５の上に吸収体パターン７ａを形成することを含む。すなわち、本実施形態の反射型マスク２００は、多層反射膜５の上に吸収体パターン７ａを有する。本実施形態の反射型マスクブランク１００を用いることにより、欠陥検査に基づいた描画データの補正を、より正確に行うことのできる反射型マスク２００を得ることができる。
【0139】
本実施形態の反射型マスクブランク１００を使用して、反射型マスク２００を製造することができる。ここでは概要説明のみを行い、後に実施例において図面を参照しながら詳細に説明する。
【0140】
反射型マスクブランク１００を準備して、その第１主表面の最表面（以下の実施例で説明するように、吸収体膜７の上）に、レジスト膜８を形成し（反射型マスクブランク１００としてレジスト膜８を備えている場合は不要）、このレジスト膜８に回路パターン等の所望のパターンを描画（露光）し、更に現像、リンスすることによって所定のレジストパターン８ａを形成する。
【0141】
このレジストパターン８ａをマスクとして使用して、吸収体膜７をドライエッチングすることにより、吸収体パターン７ａを形成する。なお、エッチングガスとしては、Ｃｌ２、ＳｉＣｌ４、及びＣＨＣｌ３等の塩素系のガス、塩素系ガスとＯ２とを所定の割合で含む混合ガス、塩素系ガスとＨｅとを所定の割合で含む混合ガス、塩素系ガスとＡｒとを所定の割合で含む混合ガス、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、Ｃ３Ｆ８、ＳＦ６及びＦ２等のフッ素系のガス、並びにフッ素系ガスとＯ２とを所定の割合で含む混合ガス等から選択したガスを用いることができる。ここで、エッチングの最終段階でエッチングガスに酸素が含まれていると、Ｒｕ系保護膜６に表面荒れが生じる。このため、Ｒｕ系保護膜６がエッチングに曝されるオーバーエッチング段階では、酸素が含まれていないエッチングガスを用いることが好ましい。
【0142】
その後、アッシングやレジスト剥離液によりレジストパターン８ａを除去し、所望の回路パターンが形成された吸収体パターン７ａを作製する。
【0143】
以上の工程により、本実施形態の反射型マスク２００を得ることができる。
【0144】
本実施形態の反射型マスク２００の製造方法により、欠陥検査に基づいた描画データの補正を、より正確に行うことのできる反射型マスク２００を製造することができる。すなわち、本実施形態によれば、反射型マスク２００の製造の際に、欠陥を軽減させる技術（ＤＭ技術）を、より適切に適用することができる。
【0145】
＜半導体装置の製造方法＞
本実施形態の半導体装置の製造方法は、上述の反射型マスク２００を用いて、露光装置を使用したリソグラフィプロセスを行い、被転写体に転写パターンを形成する工程を有する。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、上述の反射型マスク２００を用いて、露光装置を使用したリソグラフィプロセスを行い、被転写体に転写パターンを形成する工程を有する。
【0146】
本実施形態では、反射型マスク２００の製造の際に、欠陥検査に基づいた描画データの補正を、より正確に行うことができる。すなわち、本実施形態によれば、反射型マスク２００の製造の際に、欠陥を軽減させる技術（ＤＭ技術）を、より適切に適用することができる。その結果、半導体装置の製造の際のスループットを向上することができる。また、多層反射膜５の上に転写に影響を及ぼす欠陥がない反射型マスク２００を使用して半導体装置を製造することができるので、多層反射膜５の欠陥に起因する半導体装置の歩留まり低下を抑制することができる。
【0147】
本実施形態の反射型マスク２００を使用してＥＵＶ露光を行うことにより、半導体基板上に所望の転写パターンを形成することができる。このリソグラフィ工程に加え、被加工膜のエッチング、絶縁膜、及び導電膜の形成、ドーパントの導入、並びにアニールなど種々の工程を経ることで、所望の電子回路が形成された半導体装置を高い歩留まりで製造することができる。
【実施例0148】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。なお、以下の実施形態は、本発明を具体化する際の形態であって、本発明をその範囲内に限定するものではない。
【0149】
＜実施例１＞
実施例１の多層反射膜付き基板１１０は、図１に示すように、基板１と、多層反射膜５とを有する。
実施例１の多層反射膜付き基板１１０は、図１に示すように、基板１と、多層反射膜５とを有する。
【0150】
第１主表面及び第２主表面の両表面が研磨された６０２５サイズ（約１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５ｍｍ）の低熱膨張ガラス基板であるＳｉＯ２－ＴｉＯ２系ガラス基板を準備し、基板１とした。平坦で平滑な主表面となるように、粗研磨加工工程、精密研磨加工工程、局所加工工程、及びタッチ研磨加工工程よりなる研磨を行った。
【0151】
基板１の裏面導電膜２が形成される側と反対側の主表面上に、Ｍｏ膜／Ｓｉ膜を周期的に積層することで多層反射膜５を形成した。
【0152】
具体的には、ＭｏターゲットとＳｉターゲットを使用し、イオンビームスパッタリング（Ａｒを使用）により、基板１上に、Ｍｏ膜及びＳｉ膜を交互に積層した。Ｍｏ膜の厚みは、２．８ｎｍである。Ｓｉ膜の厚みは、４．２ｎｍである。１周期のＭｏ／Ｓｉ膜の厚みは、７．０ｎｍである。このようなＭｏ／Ｓｉ膜を、４０周期積層し、最後にＳｉ膜を４．０ｎｍの膜厚で成膜し、多層反射膜５を形成した。
【0153】
多層反射膜５の上に、Ｒｕ化合物を含む保護膜６を形成した。具体的には、ＲｕＮｂターゲット（Ｒｕ：８０原子％、Ｎｂ：２０原子％）を使用し、Ａｒガス雰囲気にて、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、多層反射膜５の上に、ＲｕＮｂ膜からなる保護膜６を形成した。保護膜６の厚みは、２．５ｎｍであった。
【0154】
次に、保護膜６の上に、多層反射膜５まで達するレーザ加工によって、基準マークＲＭ（基準マーク２０）を形成した。レーザ加工の条件は、以下の通りであった。
レーザの種類：波長４０５ｎｍの半導体レーザ
レーザの出力：７ｍＷ（連続波）
スポットサイズ：４３０ｎｍφ
レーザの種類：波長４０５ｎｍの半導体レーザ
レーザの出力：７ｍＷ（連続波）
スポットサイズ：４３０ｎｍφ
【0155】
基準マーク２０の形状及び寸法は、以下の通りであった。
形状：円形（ドットマーク）
深さＤ：４０ｎｍ
直径：１．５μｍ
形状：円形（ドットマーク）
深さＤ：４０ｎｍ
直径：１．５μｍ
【0156】
【0157】
次に、検査光源波長が３５５ｎｍであるレーザーテック社製のＥＵＶ露光用のマスク・サブストレート／ブランク欠陥検査装置「MAGICS M8650」を用いて、多層反射膜付き基板１１０の欠陥に対する第１の欠陥検査行い、第１の欠陥情報として、第１の欠陥座標、及びその欠陥に対応する寸法を取得した。なお、第１の欠陥座標は、基準マークＲＭを基準として測定した。そのため、第１の欠陥座標は、基準マークＲＭの第１のマーク座標ＲＭ１を含む。このようにして、第１の欠陥情報として、第１の欠陥マップを得ることができた。表１に、実施例１の第１の欠陥検査での欠陥の個数を示す。
【0158】
次に、検査光源波長が露光光源波長の１３．５ｎｍと同じであるＡＢＩ（Actinic Blank Inspection）装置を用いて、多層反射膜付き基板１１０の欠陥に対する第２の欠陥検査行い、第２の欠陥情報として、第２の欠陥座標、及びその欠陥に対応する寸法を取得した。なお、第２の欠陥座標は、基準マークＲＭを基準として測定した。そのため、第２の欠陥座標は、基準マークＲＭの第２のマーク座標ＲＭ２を含む。このようにして、第２の欠陥情報として、第２の欠陥マップを得ることができた。表１に、実施例１の第２の欠陥検査での欠陥の個数を示す。
【0159】
次に、第１のマーク座標ＲＭ１と第２のマーク座標ＲＭ２との相対位置座標に基づいて、第１のマーク座標ＲＭ１を基準とした第１の欠陥座標を、第２のマーク座標ＲＭ２を基準とした座標に変換した。
【0160】
次に、第１の欠陥情報を座標変換したものと、第２の欠陥情報とを照合して不一致欠陥及び一致欠陥の有無を判定した。表１に、不一致欠陥及び一致欠陥の個数を示す。なお、不一致欠陥については、第１の欠陥検査（第１検査）のみで検出された不一致欠陥の個数と、第２の欠陥検査（第２検査）のみで検出された不一致欠陥の個数とを記載した。
【0161】
次に、第１の欠陥情報と第２の欠陥情報との間で一致欠陥がある場合には、一致欠陥は、第３の欠陥情報として、第２のマーク座標ＲＭ２を基準とした第２の欠陥マップの欠陥を採用した。また、不一致欠陥のうち、第２の欠陥検査では検出されない欠陥については、第３の欠陥情報として、第１の欠陥情報を座標変換したもの（第１の欠陥マップの欠陥）を用いた。また、不一致欠陥のうち、第２の欠陥検査では検出できた欠陥については、第３の欠陥情報として、第２の欠陥情報（第２の欠陥マップの欠陥）を用いた。
【0162】
以上のようにして、第１の欠陥情報と第２の欠陥情報に基づく第３の欠陥情報を有する実施例１の多層反射膜付き基板１１０を製造した。
【0163】
次に、実施例１の多層反射膜付き基板１１０の保護膜６の上に吸収体膜７を形成して、反射型マスクブランク１００を製造した。具体的には、ＴａＢＮ（厚み５６ｎｍ）とＴａＢＯ（厚み１４ｎｍ）の積層膜からなる吸収体膜７を、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより形成した。ＴａＢＮ膜は、ＴａＢターゲットを使用し、ＡｒガスとＮ２ガスの混合ガス雰囲気における反応性スパッタリングにより形成した。ＴａＢＯ膜は、ＴａＢターゲットを使用し、ＡｒガスとＯ２ガスの混合ガス雰囲気における反応性スパッタリングにより形成した。このようにして、実施例１の反射型マスクブランク１００を製造した。
【0164】
次に、実施例１の反射型マスクブランク１００の表面に、第２基準マークＦＭを形成した。図７に、第２基準マークＦＭとして、基準マーク２４を形成した状態を図示する。図７の例では、８個の第２基準マークＦＭ（基準マーク２４）を形成した。基準マーク２４の形成箇所は、図７に示す通りであり、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの有効領域（破線Ａの内側の領域）の外側であった。
【0165】
第２基準マークＦＭ（基準マーク２４）は、吸収体膜７の上に、レーザ加工によって形成した。レーザ加工の条件は、以下の通りであった。
レーザの種類：波長４０５ｎｍの半導体レーザ
レーザの出力：２０ｍＷ（連続波）
スポットサイズ：４３０ｎｍφ
レーザの種類：波長４０５ｎｍの半導体レーザ
レーザの出力：２０ｍＷ（連続波）
スポットサイズ：４３０ｎｍφ
【0166】
【0167】
その後、波長３６５ｎｍのレーザで座標計測を行うＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製の座標計測器「ＬＭＳ－ＩＰＲＯ４」を用いて、吸収体膜７に転写された８個の転写基準マークＲＭ’及び上記８個の第２基準マークＦＭ（基準マーク２４）を測定した。転写基準マークＲＭ’と第２基準マークＦＭとの相対位置座標に基づいて、第２基準マークＦＭを基準として、上述の第３の欠陥情報を座標変換し、欠陥座標を有する欠陥マップを得た。
【0168】
上述のように製造した実施例１の反射型マスクブランク１００を用いて、反射型マスク２００を製造した。図４に、反射型マスクの製造方法を断面模式図にて示した工程図を示す。
【0169】
【0170】
次に、電子線描画装置を用いて、レジスト膜８にパターンを描画した。パターンを描画する際には、第２基準マークＦＭ（基準マーク２４）を欠陥座標の基準として使用した欠陥マップを用い、欠陥が、吸収体パターン７ａの多層反射膜５の露出領域に存在しないようにした（ＤＭ技術）。パターンを描画した後、所定の現像処理を行い、吸収体膜７上にレジストパターン８ａを形成した（図４（ｃ）参照）。
【0171】
レジストパターン８ａをマスクとして、吸収体膜７に吸収体パターン７ａを形成した（図４（ｄ）参照）。具体的には、フッ素系ガス（ＣＦ４ガス）により、上層のＴａＢＯ膜をドライエッチングした後、塩素系ガス（Ｃｌ２ガス）により、下層のＴａＢＮ膜をドライエッチングした。
【0172】
吸収体パターン７ａ上に残ったレジストパターン８ａを、熱硫酸で除去することで、実施例１の反射型マスク２００を得た（図４（ｅ）参照）。
【0173】
実施例１のＥＵＶ反射型マスク２００についてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査した。表１に示すように、この欠陥検査では、吸収体パターン７ａの多層反射膜５の露出領域に欠陥は確認されなかった。
【0174】
＜実施例２＞
実施例２の多層反射膜付き基板１１０では、第１の波長及び第２の波長とは異なる第３の波長で第３の欠陥検査した以外は、上記実施例１と同様に、多層反射膜付き基板１１０及び反射型マスクブランク１００を製造した。
実施例２の多層反射膜付き基板１１０では、第１の波長及び第２の波長とは異なる第３の波長で第３の欠陥検査した以外は、上記実施例１と同様に、多層反射膜付き基板１１０及び反射型マスクブランク１００を製造した。
【0175】
すなわち、実施例２の多層反射膜付き基板１１０を製造する際に、実施例１と同様に、第１の欠陥情報と第２の欠陥情報に基づく第３の欠陥情報を有する多層反射膜付き基板１１０を製造した。次に、この多層反射膜付き基板１１０に対して、第３の欠陥検査を行うことにより、実施例２の多層反射膜付き基板１１０を製造した。表１に、実施例２の第１から第３の欠陥検査での欠陥の個数を示す。
【0176】
実施例２の多層反射膜付き基板１１０に対する第３の欠陥検査は、波長１９３ｎｍのレーザで座標計測を行うＣａｒｌ Ｚｅｉｓｓ社製の座標計測器「ＰＲＯＶＥ」を用いた。第３の欠陥検査は、一致欠陥、及び第１の不一致欠陥（第１の欠陥検査でのみ検出され、第２の欠陥検査では検出されない欠陥）の欠陥の座標及び欠陥寸法を測定した。第３の欠陥検査では、座標の基準となる基準マークとして、基準マークＲＭ（基準マーク２０）を用いた。
【0177】
第３の欠陥検査により得られた欠陥情報に基づき、第３の欠陥情報のうち、一致欠陥の欠陥寸法を、第３の欠陥検査で得られた欠陥寸法に変更した。また、第３の欠陥情報のうち、第１の不一致欠陥の欠陥寸法及び座標を、第３の欠陥検査で得られた欠陥寸法及び座標に変更した。これらの測定値については、第３の欠陥検査による測定値の方が、第１及び第２の欠陥検査の測定値より、信頼性が高いためである。
【0178】
以上のようにして、第１の欠陥情報、第２の欠陥情報及び第３の欠陥検査の測定値に基づく第３の欠陥情報を有する実施例２の多層反射膜付き基板１１０を製造した。
【0179】
次に、実施例１と同様に、実施例２の反射型マスクブランク１００を製造した。実施例２の反射型マスクブランク１００を用いて、実施例１と同様に、実施例２の反射型マスク２００を製造した。
【0180】
実施例２のＥＵＶ反射型マスク２００についてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査した。表１に示すように、この欠陥検査では、吸収体パターン７ａの多層反射膜５の露出領域に欠陥は確認されなかった。
【0181】
＜実施例３＞
実施例３の多層反射膜付き基板１１０を、実施例１と同様に製造した。次に、実施例３の反射型マスクブランク１００の製造の際に、第１の波長及び第２の波長とは異なる第３の波長で第３の欠陥検査した以外は、実施例１と同様に、反射型マスクブランク１００を製造した。
実施例３の多層反射膜付き基板１１０を、実施例１と同様に製造した。次に、実施例３の反射型マスクブランク１００の製造の際に、第１の波長及び第２の波長とは異なる第３の波長で第３の欠陥検査した以外は、実施例１と同様に、反射型マスクブランク１００を製造した。
【0182】
すなわち、まず、実施例３の多層反射膜付き基板１１０を製造する際に、実施例１と同様に、第１の欠陥情報と第２の欠陥情報に基づく第３の欠陥情報を有する多層反射膜付き基板１１０を製造した。表１に、実施例３の第１及び第２の欠陥検査での欠陥の個数を示す。
【0183】
次に、実施例３の反射型マスクブランク１００を製造する際に、実施例１と同様に、吸収体膜７を有する反射型マスクブランク１００を製造した。次に、実施例３の反射型マスクブランク１００に対して、第３の欠陥検査の欠陥検査を行った。表１に、実施例３の第３の欠陥検査での欠陥の個数を示す。
【0184】
実施例３の反射型マスクブランク１００に対する第３の欠陥検査は、波長１９３ｎｍのレーザで座標計測を行うＣａｒｌ Ｚｅｉｓｓ社製の座標計測器「ＰＲＯＶＥ」を用いた。第３の欠陥検査は、一致欠陥、及び第１の不一致欠陥（第１の欠陥検査でのみ検出され、第２の欠陥検査では検出されない欠陥）の欠陥の座標及び欠陥寸法を測定した。なお、第３の欠陥検査では、座標の基準となる基準マークは、転写基準マークＲＭ’（基準マーク２０ａ）を用いた。
【0185】
第３の欠陥検査により得られた欠陥情報に基づき、第３の欠陥情報のうち、一致欠陥の欠陥寸法を、第３の欠陥検査で得られた欠陥寸法に変更した。また、第３の欠陥情報のうち、第１の不一致欠陥の欠陥寸法及び座標を、第３の欠陥検査で得られた欠陥寸法及び座標に変更した。これらの測定値については、第３の欠陥検査による測定値の方が、第１及び第２の欠陥検査の測定値より、信頼性が高いためである。
【0186】
以上のようにして、第１の欠陥情報、第２の欠陥情報及び第３の欠陥検査の測定値に基づく第３の欠陥情報を有する実施例３の反射型マスクブランク１００を製造した。
【0187】
次に、実施例３の反射型マスクブランク１００を用いて、実施例１と同様に、実施例３の反射型マスク２００を製造した。
【0188】
実施例３のＥＵＶ反射型マスク２００についてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査した。表１に示すように、この欠陥検査では、吸収体パターン７ａの多層反射膜５の露出領域に欠陥は確認されなかった。
【0189】
＜実施例４＞
実施例４の多層反射膜付き基板１１０では、第１の欠陥検査及び第２の欠陥検査とは異なる第３の欠陥検査した以外は、上記実施例１と同様に、多層反射膜付き基板１１０及び反射型マスクブランク１００を製造した。
実施例４の多層反射膜付き基板１１０では、第１の欠陥検査及び第２の欠陥検査とは異なる第３の欠陥検査した以外は、上記実施例１と同様に、多層反射膜付き基板１１０及び反射型マスクブランク１００を製造した。
【0190】
すなわち、実施例４の多層反射膜付き基板１１０を製造する際に、実施例１と同様に、第１の欠陥情報と第２の欠陥情報に基づく第３の欠陥情報を有する多層反射膜付き基板１１０を製造した。次に、この多層反射膜付き基板１１０に対して、第３の欠陥検査を行うことにより、実施例４の多層反射膜付き基板１１０を製造した。
その結果、第１の欠陥検査のみで検出された第１の不一致欠陥は２個であり、第２の欠陥検査のみで検出された第２の不一致欠陥は４個であり、一致欠陥は５個であった。
その結果、第１の欠陥検査のみで検出された第１の不一致欠陥は２個であり、第２の欠陥検査のみで検出された第２の不一致欠陥は４個であり、一致欠陥は５個であった。
【0191】
実施例４の多層反射膜付き基板１１０に対する第３の欠陥検査は、Ｐａｒｋ ｓｙｓｔｅｍｓ社製の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いた。第３の欠陥検査は、第１の不一致欠陥（第１の欠陥検査でのみ検出され、第２の欠陥検査では検出されない欠陥）の欠陥の座標及び表面形態を測定した。第１の欠陥検査で得られた欠陥中心の座標と、第３の欠陥検査で得られた欠陥中心の座標とが異なっていたため、第１の不一致欠陥の座標は、第３の欠陥検査で得られた座標を用いた。第３の欠陥検査では、座標の基準となる基準マークとして、基準マークＲＭ（基準マーク２０）を用いた。
【0192】
以上のようにして、第１の欠陥情報、第２の欠陥情報及び第３の欠陥検査の測定値に基づく第３の欠陥情報を有する実施例４の多層反射膜付き基板１１０を製造した。
【0193】
次に、実施例１と同様に、実施例４の反射型マスクブランク１００を製造した。実施例４の反射型マスクブランク１００を用いて、実施例１と同様に、実施例４の反射型マスク２００を製造した。
【0194】
実施例４のＥＵＶ反射型マスク２００についてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査した。この欠陥検査では、吸収体パターン７ａの多層反射膜５の露出領域に欠陥は確認されなかった。
【0195】
＜比較例１＞
比較例１の多層反射膜付き基板１１０の製造の際には、第１の欠陥検査を行わなかった以外は、実施例１と同様に、多層反射膜付き基板１１０を製造した。したがって、比較例１の多層反射膜付き基板１１０は、実施例１の第２の欠陥検査の第２の欠陥情報に対応する欠陥情報のみを有する多層反射膜付き基板１１０である。表１に、比較例１の第２の欠陥検査での欠陥の個数を示す。
比較例１の多層反射膜付き基板１１０の製造の際には、第１の欠陥検査を行わなかった以外は、実施例１と同様に、多層反射膜付き基板１１０を製造した。したがって、比較例１の多層反射膜付き基板１１０は、実施例１の第２の欠陥検査の第２の欠陥情報に対応する欠陥情報のみを有する多層反射膜付き基板１１０である。表１に、比較例１の第２の欠陥検査での欠陥の個数を示す。
【0196】
比較例１の反射型マスクブランク１００の製造の際には、実施例１と同様に、反射型マスクブランク１００を製造した。
【0197】
その際、波長３６５ｎｍのレーザで座標計測を行うＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製の座標計測器「ＬＭＳ－ＩＰＲＯ４」を用いて、吸収体膜７に転写された８個の転写基準マークＲＭ’及び上記８個の第２基準マークＦＭ（基準マーク２４）を測定した。転写基準マークＲＭ’と第２基準マークＦＭとの相対位置座標に基づいて、第２基準マークＦＭを基準として、上述の第２の欠陥情報を座標変換し、欠陥座標を有する欠陥マップを得た。
【0198】
比較例１の反射型マスク２００の製造の際には、反射型マスクブランク１００の吸収体膜７の上に、レジスト膜８を形成した。
【0199】
次に電子線描画装置を用いて、レジスト膜８にパターンを描画した。パターンを描画する際には、第２基準マークＦＭ（基準マーク２４）を欠陥座標の基準として使用した欠陥マップを用い、欠陥が、吸収体パターン７ａの多層反射膜５の露出領域に存在しないようにした。パターンを描画した後、所定の現像処理を行い、吸収体膜７上にレジストパターン８ａを形成した。
【0200】
次に、実施例１と同様に、吸収体パターン７ａを形成し、比較例１の反射型マスク２００を得た。
【0201】
比較例１のＥＵＶ反射型マスク２００についてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査した。表１に示すように、この欠陥検査では、吸収体パターン７ａの多層反射膜５の露出領域に、欠陥が２個検出された。
【0202】
以上のことから、本実施形態の実施例１～３の多層反射膜付き基板１１０及び反射型マスクブランク１００を用いるならば、欠陥検査に基づいた描画データの補正を、より正確に行うことのできる反射型マスク２００を製造することができることが明らかになった。したがって、本実施形態の多層反射膜付き基板１１０及び反射型マスクブランク１００を用いることにより、欠陥データとデバイスパターンデータとを元に、欠陥が存在している箇所に吸収体パターン７ａが形成されるように描画データを補正して、欠陥を軽減させる技術（ＤＭ技術）を適切に適用することができることは明らかである。
【0203】
【表1】
【符号の説明】
【0204】
１ 基板
２ 裏面導電膜
５ 多層反射膜
６ 保護膜
７ 吸収体膜
７ａ 吸収体パターン
８ レジスト膜
８ａ レジストパターン
２０ 基準マーク（基準マークＲＭ）
２０ａ 基準マーク（転写基準マークＲＭ’）
２２ 基準マーク（基準マークＣＭ）
２４ 基準マーク（第２基準マークＦＭ）
１００ 反射型マスクブランク
１１０ 多層反射膜付き基板
２００ 反射型マスク
２ 裏面導電膜
５ 多層反射膜
６ 保護膜
７ 吸収体膜
７ａ 吸収体パターン
８ レジスト膜
８ａ レジストパターン
２０ 基準マーク（基準マークＲＭ）
２０ａ 基準マーク（転写基準マークＲＭ’）
２２ 基準マーク（基準マークＣＭ）
２４ 基準マーク（第２基準マークＦＭ）
１００ 反射型マスクブランク
１１０ 多層反射膜付き基板
２００ 反射型マスク
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
