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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022151725
(43)【公開日】2022-10-07
(54)【発明の名称】ウェハ
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20220929BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 631
【審査請求】有
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2022039925
(22)【出願日】2022-03-15
(31)【優先権主張番号】110110536
(32)【優先日】2021-03-24
(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW
(31)【優先権主張番号】111102292
(32)【優先日】2022-01-20
(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW
(71)【出願人】
【識別番号】515087558
【氏名又は名称】環球晶圓股▲ふん▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】Ｇｌｏｂａｌ Ｗａｆｅｒｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．８ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｅａｓｔ Ｒｏａｄ ２，Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｋ，Ｈｓｉｎｃｈｕ Ｃｉｔｙ， Ｔａｉｗａｎ
(74)【代理人】
【識別番号】100081961
【弁理士】
【氏名又は名称】木内 光春
(74)【代理人】
【識別番号】100112564
【弁理士】
【氏名又は名称】大熊 考一
(74)【代理人】
【識別番号】100163500
【弁理士】
【氏名又は名称】片桐 貞典
(74)【代理人】
【識別番号】230115598
【弁護士】
【氏名又は名称】木内 加奈子
(72)【発明者】
【氏名】温 禪儒
(72)【発明者】
【氏名】張 志▲ウェイ▼
(72)【発明者】
【氏名】周 素蓮
【テーマコード（参考）】
5F057
【Ｆターム（参考）】
5F057AA03
5F057AA05
5F057AA21
5F057BA11
5F057BB03
5F057BB05
5F057BB07
5F057BB08
5F057BB09
5F057CA15
5F057DA01
5F057DA10
5F057DA11
5F057EB20
(57)【要約】 （修正有）
【課題】厚い縁部を残す設計のウェハの研磨において、研磨の間に生成された微粒子の除去能力を改善できるウェハを提供する。
【解決手段】環状部１１０と加工部１２０とを含むウェハ１００は、研磨された加工部の上面Ｔ１と、上面の反対側の底面Ｂ２と、を有する。加工部は環状部により囲まれ、加工部の上面が環状部に連接する領域Ｒ３は、上向きに湾曲した曲面である。
【選択図】図２
【解決手段】環状部１１０と加工部１２０とを含むウェハ１００は、研磨された加工部の上面Ｔ１と、上面の反対側の底面Ｂ２と、を有する。加工部は環状部により囲まれ、加工部の上面が環状部に連接する領域Ｒ３は、上向きに湾曲した曲面である。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
環状部と、
前記環状部と連接した加工部と
を含み、
前記加工部が、研磨された上面と、前記上面と反対側の底面とを有し、前記加工部が前記環状部に囲まれ、前記上面が前記環状部に連接する領域が上向きに湾曲した曲面であり、前記曲面が前記加工部に対して、前記環状部に近いほど前記環状部に連接する局所領域における前記加工部の厚さを増加させる、
ウェハ。
前記環状部と連接した加工部と
を含み、
前記加工部が、研磨された上面と、前記上面と反対側の底面とを有し、前記加工部が前記環状部に囲まれ、前記上面が前記環状部に連接する領域が上向きに湾曲した曲面であり、前記曲面が前記加工部に対して、前記環状部に近いほど前記環状部に連接する局所領域における前記加工部の厚さを増加させる、
ウェハ。
【請求項2】
前記加工部が前記環状部に連接する箇所の最大厚さがＴＥμｍであり、前記加工部の幅がＬｍｍであり、前記環状部から０．１５Ｌ～０．３Ｌの距離に位置する前記加工部の部分が第１領域として定義され、前記環状部から０．３Ｌ～０．５Ｌの距離に位置する前記加工部の部分が第２領域として定義され、前記加工部の最薄部が前記第１領域に位置しており、前記加工部の前記最薄部の厚さがＴＬμｍであり、前記第２領域に位置する前記加工部の最厚部の厚さがＴＨμｍであり、（ＴＥ－ＴＬ）が４μｍ以上であり、前記環状部の厚さがＲｉｍＨμｍであり、ＴＨが０．１ＲｉｍＨ～０．７ＲｉｍＨである、
請求項１に記載のウェハ。
請求項１に記載のウェハ。
【請求項3】
ＴＥがＴＨよりも大きく、ＴＨがＴＬよりも大きい、
請求項２に記載のウェハ。
請求項２に記載のウェハ。
【請求項4】
前記第２領域における前記加工部の平均厚さが、前記第１領域における前記加工部の平均厚さよりも厚い、
請求項２に記載のウェハ。
請求項２に記載のウェハ。
【請求項5】
前記環状部の内側の側壁の延伸方向が前記加工部の前記底面に垂直であり、前記環状部の前記側壁と前記加工部の前記上面との間の境界から前記環状部の底面までの距離がＴＥμｍであり、前記加工部の前記上面から前記加工部の前記底面までの前記最薄部の厚さがＴＬμｍであり、前記第２領域における前記加工部の前記上面から前記第２領域における前記加工部の前記底面までの前記最厚部の厚さがＴＨμｍである、
請求項２に記載のウェハ。
請求項２に記載のウェハ。
【請求項6】
前記加工部が前記環状部に連接する箇所の最大厚さがＴＥμｍであり、前記加工部の幅がＬｍｍであり、前記環状部から０．１５Ｌ～０．５Ｌの距離に位置する前記加工部の部分が第１領域として定義され、前記第１領域における前記加工部の最薄部の厚さがＴＬμｍであり、前記第１領域における前記加工部の最厚部の厚さがＴＨμｍであり、（ＴＥ－ＴＬ）が（ＴＨ－ＴＬ＋１．５μｍ）以上であり、前記環状部の厚さがＲｉｍＨμｍであり、ＴＨが０．１ＲｉｍＨ～０．７ＲｉｍＨである、
請求項１に記載のウェハ。
請求項１に記載のウェハ。
【請求項7】
ＴＨがＴＬに等しく、（ＴＥ－ＴＬ）が１．５μｍ以上である、
請求項６に記載のウェハ。
請求項６に記載のウェハ。
【請求項8】
前記環状部の内側の側壁の延伸方向が前記加工部の前記底面に垂直であり、前記環状部の前記側壁と前記加工部の前記上面との間の境界から前記環状部の底面までの距離がＴＥμｍであり、前記第１領域における前記加工部の前記上面から前記第１領域における前記加工部の前記底面までの前記最薄部の厚さがＴＬμｍであり、前記第１領域における前記加工部の前記上面から前記第１領域における前記加工部の前記底面までの前記最厚部の厚さがＴＨμｍである、
請求項６に記載のウェハ。
請求項６に記載のウェハ。
【請求項9】
前記加工部の幅がＬｍｍであり、前記環状部から０．１５Ｌ内の距離に位置する前記加工部の部分が縁部領域として定義され、前記曲面が前記加工部に対して、前記環状部から遠いほど前記縁部領域における前記加工部の厚さを減少させ、前記曲面が前記縁部領域に位置しており、前記曲面の横幅がＸであり、０．０１Ｌ≦Ｘ≦０．１５Ｌであり、前記曲面の丸みの曲率半径がＣＲであり、０．０１Ｌ≦ＣＲ≦Ｌである、
請求項１に記載のウェハ。
請求項１に記載のウェハ。
【請求項10】
前記加工部の前記底面が前記環状部の底面と実質的に面一である、
請求項１に記載のウェハ。
請求項１に記載のウェハ。
【請求項11】
前記加工部が前記環状部に連接する箇所の最大厚さがＴＥμｍであり、前記環状部の厚さがＲｉｍＨμｍであり、０．５≦ＴＥ／ＲｉｍＨ≦１である、
請求項１に記載のウェハ。
請求項１に記載のウェハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はウェハに関するものであり、特に加工されたウェハに関する。
【背景技術】
【0002】
半導体産業において、ウェハ製造の工程は、インゴットを形成することと、次いでウェハを得るためにインゴットをスライスすることとを含む。インゴットは、例えば高温環境において製造される。現在、インゴットを形成する工程は、チョクラルスキー法、物理的気相輸送法（ＰＶＴ）、高温化学気相蒸着法（ＨＴ－ＣＶＤ）、液相エピタキシ法（ＬＰＥ）等を含む。
【0003】
インゴットを製造するとき、種結晶を高温炉に配置することが一般的である。所望のサイズのインゴットが得られるまで、種結晶を気体又は液体の原材料と接触させて種結晶の表面に半導体材料を形成させる。インゴットは製造方法及び使用される原材料によって結晶構造が異なる。
【0004】
成長が完了すると、インゴットは炉冷却又は他の工程により室温まで冷却される。結晶インゴットが冷やされると、研削用ホイールにより所望のサイズ（例えば３～１２インチ）まで研磨される前に、形状が整っていない頭部と尾部が切断機で除去される。場合によっては、研磨により結晶インゴットの縁部に平坦な縁部又はＶ字状溝が形成される。平坦な縁部及びＶ字状溝は、インゴットを結晶配向させる、又はインゴットを固定させるのに適する。
【0005】
複数のウェハを得るため、次の工程でインゴットがスライスされる。例えば、結晶インゴットをスライスする工程は、刃又は研磨材粒子（例えばダイヤモンド粒子）を含む鋼線で切断することを含む。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
一般的に、インゴットがスライスされた後、研磨工程によりウェハの厚さが調整され、この研磨工程はウェハの表面を比較的平坦にもする。しかし、ウェハ研磨の間、研磨材又は研磨により生成された粒子がウェハの表面を容易に傷つける可能性がある。
【0007】
現在一般的に採用されているウェハ研磨工程では、ウェハが比較的薄い厚さに加工されるとき、過度の処理強度のためにウェハのひび割れを起こしやすい。この問題に対し、ウェハの厚さが２００μｍ未満（又は５０μｍ未満）である必要があるとき、ＴＡＩＫＯ研磨プロセスが採用される。ウェハを研磨するとき、ＴＡＩＫＯ研磨プロセスはウェハの構造的強度を高めるために縁部に一定の厚さを残す。しかし、このようなウェハに比較的厚い縁部を残す設計は、ウェハの研削又は研磨の間に生成された微粒子が適切に除去されることも妨げ、これは不要な傷を容易に生むこととなり、加工中のウェハに影響を与え、ウェハの加工品質及び幾何学的形状を損なう可能性すらある。このため、研削又は研磨の間のウェハの粒子除去能力を改善することはやはり解決すべき課題である。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明はウェハを提供する。該ウェハは環状部と加工部とを含む。加工部は環状部に連接される。加工部は、研磨された上面と、該上面と反対側の底面とを有する。加工部は環状部により囲まれる。該上面が環状部に連接する領域は上向きに湾曲した曲面であり、曲面は加工部に対して、環状部に近いほど環状部が連接される局所領域における加工部の厚さを増加させる。
【発明の効果】
【0009】
本発明は、加工部の縁部における傷の問題を改善することのできるウェハを提供する。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【0011】
【0012】
【0013】
【0014】
【0015】
【0016】
【0017】
【0018】
【0019】
【発明を実施するための形態】
【0020】
【0021】
図１と図２において、ウェハ１００に研磨工程が実行される。例えば、ウェハ１００は、ウェハ１００の上面を研磨ヘッドＰで研磨するため作業台Ｃに配置される。いくつかの実施形態において、作業台Ｃと研磨ヘッドＰのうちの一方が時計回り方向に回転し、他方が逆時計回り方向に回転するが、本発明はこれに限定されない。本実施形態において、研磨工程はＴＡＩＫＯ研磨である。本実施形態において、ウェハ１００の材料は、例えば、シリコン（Ｓｉ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、又は他の適する半導体材料を含む。
【0022】
研磨されたウェハ１００は、環状部１１０と加工部１２０とを含む。加工部１２０は環状部１１０に連接される。加工部１２０は、研磨された上面Ｔ１と、上面Ｔ１と反対側の底面Ｂ１とを有する。加工部１２０は環状部１１０により囲まれる。環状部１１０の厚さは加工部１２０の厚さよりも厚く、このため環状部１１０はウェハ１００の強度を高め、ウェハ１００の反りを減少させる。加えて、ウェハ１００の環状部１１０が厚いことから、ウェハ１００の縁部は加工の間にひび割れ又は欠けが生じ難い。
【0023】
本実施形態において、加工部１２０の上面Ｔ１が環状部１１０に連接する領域は、上向きに湾曲した曲面ＣＳ（即ち、環状部１１０の上面Ｔ２に近い方向へ湾曲した面）であり、曲面ＣＳは加工部１２０に対して、環状部１１０に近いほど環状部１１０に連接する局所領域における加工部１２０の厚さを増加させる。
【0024】
図８Ａに示すように、加工部１２０に対して環状部１１０に近いほど環状部１１０と連接する局所領域における加工部１２０の厚さが増加されるとき、曲面ＣＳにおいて、環状部１１０に比較的近い加工部１２０の厚さＸ１が環状部１１０から比較的遠い加工部１２０の厚さＸ２よりも厚いことが見て取れる。このようにして、ウェハの研磨工程の間に生成された微粒子Ｚは曲面ＣＳに沿って（例えば、方向Ｄに沿って）容易に除去されることができ、加工部１２０の縁部の傷を減少させるため、微粒子Ｚが加工部１２０と環状部１１０との境界で引っ掛かることを防止する。いくつかの実施形態において、加工部１２０の上面Ｔ１の断面形状はＷ字状又はＵ字状である。ただし、本実施形態は加工部１２０に対して環状部１１０に近いほど加工部１２０全体の厚さを増加させることに限定しないことに注意されたい。
【0025】
加工部１２０の上面Ｔ１が環状部１１０に連接する領域が下向きの曲面ＣＳ（即ち、環状部１１０の上面Ｔ２から離れる方向に湾曲した表面）、又は環状部の側面に垂直な面である場合、ウェハ１００の研磨工程の間に生成された微粒子Ｚは加工部１２０と環状部１１０との間の境界で引っ掛かりやすく、加工部１２０の縁部に傷をもたらしやすい。これら傷は、ウェハ１００に後に堆積される膜層（例えば、エピタキシャル層、金属層、又は絶縁層）の不良歩留まりを引き起こす可能性がある。例えば、図８Ｂに示すように、加工部１２０の上面Ｔ１が環状部１１０に連接する領域が、下向きに湾曲した曲面ＣＳである。曲面ＣＳにおいて、環状部１１０に比較的近い加工部１２０の厚さＸ１が環状部１１０から比較的遠い加工部１２０の厚さＸ２よりも薄いことが見て取れる。このため、ウェハの研磨工程の間に生成された微粒子Ｚは加工部１２０と環状部１１０との間の境界で引っ掛かりやすく、加工部１２０の縁部に傷をもたらすこととなる。いくつかの実施形態において、加工部１２０の上面Ｔ１が環状部１１０に連接する領域は下向きの曲面ＣＳであり、これは加工部１２０の上面Ｔ１の断面形状をＭ字状又はｎ字状にする。
【0026】
再び図２を参照し、本実施形態において、加工部１２０の上面Ｔ１の構造は、ウェハ１００の加工部１２０の縁部での傷を更に避けるために調整される。本実施形態において、環状部１１０の厚さはＲｉｍＨμｍである。ＲｉｍＨは、２００μｍ～１５００μｍであり、３００μｍ～９００μｍであることが好ましく、４００μｍ～８００μｍであることが最適である。いくつかの実施形態において、ウェハ１００の環状部１１０は面取りされ、環状部１１０の上面Ｔ２と環状部１１０の底面Ｂ２は湾曲又は傾斜しており、環状部１１０の厚さＲｉｍＨは環状部１１０の最大厚さ（即ち、上面Ｔ２から底面Ｂ２までの最大厚さ）として定義される。本実施形態において、研磨ヘッドＰは環状部１１０の側壁Ｓ２に沿って下向きに研磨し、環状部１１０の側壁Ｓ２の延伸方向は作業台Ｃ（又は加工部１２０の底面Ｂ１）に対し実質的に垂直である。加工部１２０の底面Ｂ１は環状部１１０の底面Ｂ２と実質的に面一にされており、換言すれば、底面Ｂ１と底面Ｂ２は実質的に連続面である。
【0027】
加工部１２０が環状部１１０に連接する場所の最大厚さはＴＥμｍである。換言すれば、加工部１２０が環状部１１０の側壁Ｓ２に連接する部分の最大厚さはＴＥμｍである。更に換言すれば、環状部１１０の側壁Ｓ２と加工部１２０の上面Ｔ１との間の境界から環状部１１０の底面Ｂ２までの距離はＴＥμｍである。曲面ＣＳの設計は、工程の間に生成されるチップを取り外しやすくするものである。このため、厚さＲｉｍＨと厚さＴＥとの差が小さいほうがよい。いくつかの実施形態において、０．５≦厚さＴＥ／厚さＲｉｍＨ≦１であり、０．７５≦厚さＴＥ／厚さＲｉｍＨ≦１であることが好ましい。
【0028】
加工部１２０の幅（又は直径）はＬｍｍであり、Ｌは７０ｍｍ～３００ｍｍである。環状部１１０から０．１５Ｌ内の距離に位置する加工部の部分は、縁部領域Ｒ３として定義される。曲面ＣＳは縁部領域Ｒ３に位置しており、曲面ＣＳは加工部１２０に対して、環状部１１０から遠いほど縁部領域Ｒ３における加工部１２０の厚さを減少させる。本実施形態において、加工部１２０の縁部領域Ｒ３全体の上面が曲面ＣＳである。即ち、曲面ＣＳの横幅Ｘ（又は垂直投影の幅）は０．１５Ｌであるが、本発明はこれに限定されない。いくつかの実施形態において、縁部領域Ｒ３において上向きに湾曲した曲面ＣＳの横幅はＸであり、０．０１Ｌ≦Ｘ≦０．１５Ｌである。好ましい実施形態において、０．０２Ｌ≦Ｘ≦０．１４Ｌである。更に好ましい実施形態において、０．０３Ｌ≦Ｘ≦０．１３Ｌである。
【0029】
環状部１１０から０．１５Ｌ～０．３Ｌの距離に位置する加工部１２０の部分は、第１領域Ｒ１として定義される。加工部の最薄部は第１領域Ｒ１に位置しており、加工部１２０の最薄部の厚さはＴＬμｍである。本実施形態において、（ＴＥ－ＴＬ）は４μｍ以上であり、ウェハ１００を研磨することで生成された微粒子を曲面ＣＳに沿って除去することが容易である。本実施形態において、加工部１２０の上面Ｔ１から加工部１２０の底面Ｂ１までの最薄部の厚さはＴＬμｍである。
【0030】
環状部１１０から０．３Ｌ～０．５Ｌの距離に位置する加工部１２０の部分は、第２領域Ｒ２として定義される。第２領域Ｒ２における加工部１２０の最厚部の厚さはＴＨμｍであり、ＴＨは０．１ＲｉｍＨ～０．７ＲｉｍＨである。本実施形態において、第２領域Ｒ２における加工部１２０の上面Ｔ１から第２領域Ｒ２における加工部１２０の底面Ｂ１までの最厚部の厚さはＴＨμｍである。本実施形態において、ＴＥはＴＨよりも大きく、ＴＨはＴＬよりも大きい。本実施形態において、曲面ＣＳは第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２を囲む。
【0031】
本実施形態において、第２領域Ｒ２における加工部１２０の平均厚さは、第１領域Ｒ１における加工部１２０の平均厚さよりも厚く、これは加工部１２０の最薄部が第２領域Ｒ２において現れることを防ぎ、ＴＬ未満の厚さの部分が第２領域Ｒ２において現れる可能性を低減させ、これにより加工によって生成された微小な屑が第２領域Ｒ２に留まることを防止し、微小な屑が縁部領域Ｒ３から排出される可能性を高める。
【0032】
本実施形態において、加工部１２０の上面Ｔ１の断面形状はＷ字状に類似する。
【0033】
上記に基づき、本実施形態のウェハ１００は研磨後の加工部１２０の縁部の傷の問題を防止する。
【0034】
図３は、本発明の１つの実施形態によるウェハの概略断面図である。
【0035】
図３の実施形態は、図１と図２の実施形態の部材符号及び一部内容を援用している。同一又は類似の符号は同一又は類似の部材を表し、このため同一の技術内容は省略する。省略された部分の説明については上述の実施形態を参照されたい。
【0036】
図３において、研磨されたウェハ１００ａは環状部１１０と加工部１２０とを含む。加工部１２０は環状部１１０と連接される。加工部１２０は、研磨された上面Ｔ１と、上面Ｔ１と反対側の底面Ｂ１とを有する。加工部１２０は環状部１１０に囲まれる。環状部１１０の厚さは加工部１２０の厚さよりも厚く、このため環状部１１０はウェハ１００ａの強度を高め、ウェハ１００ａの反りを減少させる。加えて、ウェハ１００ａの環状部１１０が加工部１２０よりも厚いことから、ウェハ１００ａの縁部は加工の間にひび割れ又は欠けが生じ難い。
【0037】
本実施形態において、加工部１２０の上面Ｔ１が環状部１１０に連接する領域は、上向きに湾曲した曲面ＣＳ（即ち、環状部１１０の上面Ｔ２に近い方向へ湾曲した面）であり、ウェハの研磨加工の間に生成された微粒子は曲面ＣＳに沿って容易に除去することができ、これは微粒子が加工部１２０と環状部１１０との境界で引っ掛かることを防止し、加工部１２０の縁部での傷を減少させる。
【0038】
本実施形態において、環状部１１０から０．１５Ｌ内の距離に位置する加工部１２０の部分は、縁部領域Ｒ３として定義される。曲面ＣＳは加工部１２０に対して、環状部１１０から遠いほど縁部領域Ｒ３における加工部１２０の厚さを減少させ、曲面ＣＳは縁部領域Ｒ３に位置している。本実施形態において、加工部１２０の縁部領域Ｒ３全体の上面が曲面ＣＳである。即ち、曲面ＣＳの横幅Ｘは０．１５Ｌであるが、本発明はこれに限定されない。いくつかの実施形態において、縁部領域Ｒ３において上向きに湾曲した曲面ＣＳの横幅はＸであり、０．０１Ｌ≦Ｘ≦０．１５Ｌである。好ましい実施形態において、０．０２Ｌ≦Ｘ≦０．１４Ｌである。更に好ましい実施形態において、０．０３Ｌ≦Ｘ≦０．１３Ｌである。
【0039】
本実施形態において、環状部１１０から０．１５Ｌ～０．５Ｌの距離に位置する加工部１２０の部分は、第１領域Ｒ１として定義される。第１領域Ｒ１における加工部１２０の最薄部の厚さはＴＬμｍである。換言すれば、第１領域Ｒ１における加工部１２０の上面Ｔ１から第１領域Ｒ１における加工部１２０の底面Ｂ１までの最薄部の厚さはＴＬμｍである。第１領域Ｒ１における加工部１２０の最厚部の厚さはＴＨμｍである。更に換言すれば、第１領域Ｒ１に位置する加工部１２０の上面Ｔ１から第１領域Ｒ１に位置する加工部１２０の底面Ｂ１までの最厚部の厚さはＴＨμｍである。いくつかの実施形態において、曲面ＣＳは第１領域Ｒ１を囲む。
【0040】
本実施形態において、第１領域Ｒ１における加工部１２０の最厚部は、第１領域Ｒ１が縁部領域Ｒ３に最も近い部分において現れるが、本発明はこれに限定されない。第１領域Ｒ１における加工部１２０の最厚部は、他の実施形態において他の場所に現れてよい。
【0041】
本実施形態において、（ＴＥ－ＴＬ）は（ＴＨ－ＴＬ＋１．５μｍ）以上であり、ＴＨは０．１ＲｉｍＨ～０．７ＲｉｍＨである。いくつかの実施形態において、加工部１２０の第１領域Ｒ１は実質的に平坦であり、即ち、ＴＨはＴＬに等しく、このため（ＴＥ－ＴＬ）は１．５μｍ以上である。
【0042】
本実施形態において、加工部１２０の上面Ｔ１の断面形状はＵ字状に類似する。
【0043】
上記に基づき、本実施形態のウェハ１００ａは研磨後の加工部１２０の縁部の傷の問題を回避することができる。
【0044】
【0045】
ここで、図４の実施形態及び図５の実施形態は図１と図２の実施形態の部材符号及び一部内容を援用している。同一又は類似の符号は同一又は類似の部材を表し、このため同一の技術内容は省略する。省略された部分の説明については上述の実施形態を参照されたい。
【0046】
図４と図５において、横軸はウェハの加工部の断面の横方向位置をミリメートルで表しており、縦軸は異なる位置でのウェハの加工部の厚さをμｍで表している。図４の実施形態及び図５の実施形態において、ＴＥはＴＨよりも大きく、ＴＨはＴＬよりも大きい。（ＴＥ－ＴＬ）は４μｍ以上である。
【0047】
上記に基づき、ウェハは研磨後の加工部の縁部の傷の問題を回避することができる。
【0048】
【0049】
ここで、図６の実施形態及び図７の実施形態は図３の実施形態の部材符号及び一部内容を援用している。同一又は類似の符号は同一又は類似の部材を表し、このため同一の技術内容は省略する。省略された部分の説明については上述の実施形態を参照されたい。
【0050】
図６と図７において、横軸はウェハの加工部の断面の横方向位置をミリメートルで表しており、縦軸は異なる位置でのウェハの加工部の厚さをμｍで表している。図６の実施形態及び図７の実施形態において、ＴＥはＴＨよりも大きく、ＴＨはＴＬよりも大きい。（ＴＥ－ＴＬ）は（ＴＨ－ＴＬ＋１．５μｍ）以上である。
【0051】
上記に基づき、ウェハは研磨後の加工部の縁部の傷の問題を回避することができる。
【0052】
【0053】
図９において、ウェハ１００は研磨ヘッドＰにより研磨される。本実施形態において、研磨ヘッドＰは研磨材Ｐ１と研削用ホイールＰ２とを含む。複数の研磨材（grinding abrasives）Ｐ１が研削用ホイールＰ２に配置される。本実施形態において、加工部１２０の上面Ｔ１が環状部１１０に連接する領域は、上向きに湾曲した曲面ＣＳ（即ち、環状部１１０の上面Ｔ２に近い方向へ湾曲した面）であり、曲面ＣＳは加工部１２０に対して、環状部１１０に近いほど環状部１１０と連接する局所領域における加工部１２０の厚さを増加させる。いくつかの実施形態において、加工部１２０の幅（又は直径）はＬｍｍであり（図２又は図３を参照）、曲面ＣＳの丸みの曲率半径はＣＲであり、０．０１Ｌ≦ＣＲ≦Ｌである。好ましい実施形態において、０．０１Ｌ≦ＣＲ≦０．５Ｌである。より好ましい実施形態において、０．０１Ｌ≦ＣＲ≦０．２５Ｌである。いくつかの実施形態において、研磨ヘッドＰの研磨材Ｐ１の幅Ｗ（又は直径）は曲面ＣＳの丸みの曲率半径よりも小さい。このため、研磨ヘッドＰは、０．０１Ｌ＜ＣＲ＜Ｌとするため曲面ＣＳの幅及び形状をより好ましく制御することができる。
【産業上の利用可能性】
【0054】
本発明のウェハは、半導体産業における製造プロセスにおいて適用することができる。
【符号の説明】
【0055】
１００、１００ａ：ウェハ
１１０：環状部
１２０：加工部
Ｂ１、Ｂ２：底面
Ｃ：作業台
ＣＳ：曲面
Ｄ：方向
Ｌ、Ｗ：幅
Ｐ：研磨ヘッド
Ｐ１：研磨材
Ｐ２：研削用ホイール
Ｒ１：第１領域
Ｒ２：第２領域
Ｒ３：縁部領域
ＲｉｍＨ、ＴＥ、ＴＬ、ＴＨ、Ｘ１、Ｘ２：厚さ
Ｓ２：側壁
Ｔ１、Ｔ２：上面
Ｚ：粒子
１１０：環状部
１２０：加工部
Ｂ１、Ｂ２：底面
Ｃ：作業台
ＣＳ：曲面
Ｄ：方向
Ｌ、Ｗ：幅
Ｐ：研磨ヘッド
Ｐ１：研磨材
Ｐ２：研削用ホイール
Ｒ１：第１領域
Ｒ２：第２領域
Ｒ３：縁部領域
ＲｉｍＨ、ＴＥ、ＴＬ、ＴＨ、Ｘ１、Ｘ２：厚さ
Ｓ２：側壁
Ｔ１、Ｔ２：上面
Ｚ：粒子
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図9】
【外国語明細書】