特開 2022-158622 フレキシブル基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022158622

(43)【公開日】2022-10-17

(54)【発明の名称】フレキシブル基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20221006BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20221006BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 B

H05K3/46 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021063650

(22)【出願日】2021-04-02

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】佐野 匠

【テーマコード（参考）】

5E316

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA35

5E316AA43

5E316BB02

5E316BB13

5E316CC08

5E316CC10

5E316CC31

5E316HH11

5E316JJ02

5E338AA03

5E338AA12

5E338AA16

5E338BB01

5E338BB75

5E338CC01

5E338CD17

5E338EE21

(57)【要約】

【課題】伸縮性の向上が可能なフレキシブル基板を提供する。
【解決手段】 第１方向に延出し第２方向に並んだ複数の第１帯部と、前記第２方向に延出し前記第１方向に並んだ複数の第２帯部と、前記第１帯部と前記第２帯部の交差部に位置する複数の島状部と、を有する絶縁基材と、前記島状部に重なる複数の電気素子と、それぞれ前記第１帯部と重なって延出した複数の走査線と、それぞれ前記第２帯部と重なって延出した複数の信号線と、それぞれ前記第２帯部及び前記信号線と重なって延出した複数の接続配線と、前記接続配線が接続された走査線ドライバと、前記信号線が接続された信号線ドライバと、第１側縁を有する支持体と、を備え、複数の前記走査線は、それぞれ異なる前記島状部上において、それぞれ異なる前記接続配線と接続され、前記走査線ドライバと前記信号線ドライバは、前記第１側縁側に位置するフレキシブル基板。
【選択図】 図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１方向に延出し前記第１方向と交差する第２方向に並んだ複数の第１帯部と、前記第２方向に延出し前記第１方向に並んだ複数の第２帯部と、前記第１帯部と前記第２帯部の交差部に位置する複数の島状部と、を有する絶縁基材と、
前記島状部に重なる複数の電気素子と、
それぞれ前記第１帯部と重なって延出した複数の走査線と、
それぞれ前記第２帯部と重なって延出した複数の信号線と、
それぞれ前記第２帯部及び前記信号線と重なって延出した複数の接続配線と、
前記接続配線が接続された走査線ドライバと、
前記信号線が接続された信号線ドライバと、
前記絶縁基材、前記走査線ドライバ、及び、前記信号線ドライバを支持し、第１側縁を有する支持体と、を備え、
複数の前記走査線は、それぞれ異なる前記島状部上において、それぞれ異なる前記接続配線と接続され、
前記走査線ドライバと前記信号線ドライバは、前記第１側縁側に位置する、フレキシブル基板。

【請求項2】

前記走査線は、第１部分と、前記第１部分と第１コンタクトホールを介して接続された第２部分と、前記第２部分と第２コンタクトホールを介して接続された第３部分と、を備え、
前記第１部分及び前記第３部分は、前記第１帯部と重なり、
前記第２部分は、平面視で前記第１部分と前記第３部分との間に位置し、前記島状部と重なり、
前記接続配線は、前記島状部と重なる位置において、前記島状部まで延出した前記第３部分と第３コンタクトホールを介して接続され、
前記第３コンタクトホール、前記第２コンタクトホール、及び、前記第１コンタクトホールは、この順に前記第１方向に並んでいる、請求項１に記載のフレキシブル基板。

【請求項3】

さらに、積層された第１絶縁層及び第２絶縁層を備え、
前記接続配線及び前記第２部分は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に位置し、
前記第１部分及び前記第３部分は、前記第２絶縁層の上に位置し、
前記第１コンタクトホール、前記第２コンタクトホール、及び、前記第３コンタクトホールは、前記第２絶縁層を貫通している、請求項２に記載のフレキシブル基板。

【請求項4】

前記信号線ドライバは、前記走査線ドライバと前記第１側縁との間に位置し、
複数の前記信号線は、前記走査線ドライバが位置する領域を通っている、請求項１乃至３の何れか１項に記載のフレキシブル基板。

【請求項5】

前記走査線ドライバは、前記信号線ドライバと前記第１側縁との間に位置し、
複数の前記接続配線は、前記信号線ドライバが位置する領域を通っている、請求項１乃至３の何れか１項に記載のフレキシブル基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、フレキシブル基板に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、可撓性及び伸縮性を有したフレキシブル基板の利用が種々の分野で検討されている。一例を挙げると、マトリクス状に電気的素子が配列されたフレキシブル基板を電子機器の筐体や人体等の曲面に貼り付ける利用形態が考えられる。電気的素子としては、例えばタッチセンサや温度センサ等の各種センサや表示素子が適用され得る。

【0003】

フレキシブル基板においては、屈曲や伸縮による応力で配線が損傷しないように対策を講じる必要がある。このような対策としては、例えば、配線を支持する基材にハニカム形状の開口を設けることや、配線を蛇行した形状（ミアンダ形状）とすることが提案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１５－１９８１０１号公報

【特許文献2】特開２０１５－１９８１０２号公報

【特許文献3】特開２０１７－１１８１０９号公報

【特許文献4】特開２０１７－１１３０８８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本実施形態の目的は、伸縮性の向上が可能なフレキシブル基板を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本実施形態によれば、第１方向に延出し前記第１方向と交差する第２方向に並んだ複数の第１帯部と、前記第２方向に延出し前記第１方向に並んだ複数の第２帯部と、前記第１帯部と前記第２帯部の交差部に位置する複数の島状部と、を有する絶縁基材と、前記島状部に重なる複数の電気素子と、それぞれ前記第１帯部と重なって延出した複数の走査線と、それぞれ前記第２帯部と重なって延出した複数の信号線と、それぞれ前記第２帯部及び前記信号線と重なって延出した複数の接続配線と、前記接続配線が接続された走査線ドライバと、前記信号線が接続された信号線ドライバと、前記絶縁基材、前記走査線ドライバ、及び、前記信号線ドライバを支持し、第１側縁を有する支持体と、を備え、複数の前記走査線は、それぞれ異なる前記島状部上において、それぞれ異なる前記接続配線と接続され、前記走査線ドライバと前記信号線ドライバは、前記第１側縁側に位置する、フレキシブル基板が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、本実施形態に係るフレキシブル基板の概略的な平面図である。

【図2】図２は、図１に示したフレキシブル基板の一部を拡大した平面図である。

【図3】図３は、図２に示した島状部を拡大した平面図である。

【図4】図４は、図２に示した島状部を拡大した平面図である。

【図5】図５は、図３及び図４において図示を省略した電気素子を示す平面図である。

【図6】図６は、図４に示したＡ－Ｂ線に沿ったフレキシブル基板の断面図である。

【図7】図７は、図４に示したＣ－Ｄ線に沿ったフレキシブル基板の断面図である。

【図8】図８は、本実施形態の変形例を示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0009】

図１は、本実施形態に係るフレキシブル基板１００の概略的な平面図である。
本実施形態においては、図示したように第１方向Ｄ１、第２方向Ｄ２、第３方向Ｄ３を定義する。第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２は、フレキシブル基板１００の主面と平行であり、互いに交わる方向である。第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１、第２方向Ｄ２に対して垂直な方向であり、フレキシブル基板１００の厚さ方向に相当する。第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２は、本実施形態では垂直に交わるが、垂直以外の角度で交わってもよい。本明細書において、第３方向Ｄ３を示す矢印の先端に向かう方向を「上」と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を「下」と称する。また、第３方向Ｄ３を示す矢印の先端側にフレキシブル基板１００を観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２で規定されるＤ１－Ｄ２平面に向かって見ることを平面視という。

【0010】

図１に示すように、フレキシブル基板１００は、複数の走査線１と、複数の信号線２と、複数の接続配線ＷＲと、複数の電気素子３と、樹脂層（支持体）８１と、走査線ドライバＤＲ１と、信号線ドライバＤＲ２と、を備えている。

【0011】

複数の走査線１、複数の信号線２、複数の接続配線ＷＲ、複数の電気素子３、走査線ドライバＤＲ１、信号線ドライバＤＲ２は、樹脂層８１の上に設けられている。すなわち、樹脂層８１は、後述する絶縁基材４、走査線ドライバＤＲ１、及び、信号線ドライバＤＲ２を支持している。図示した例では、樹脂層８１は、平面視で矩形状に形成されている。樹脂層８１は、第１方向Ｄ１に延出した第１側縁ＥＧ１及び第２側縁ＥＧ２と、第２方向Ｄ２に延出した第３側縁ＥＧ３及び第４側縁ＥＧ４と、を有している。

【0012】

走査線ドライバＤＲ１及び信号線ドライバＤＲ２は、第１側縁ＥＧ１側に位置している。信号線ドライバＤＲ２は、走査線ドライバＤＲ１と第１側縁ＥＧ１との間に位置している。

【0013】

複数の走査線１は、それぞれ第１方向Ｄ１に延出し第２方向Ｄ２に並んでいる。複数の走査線１は、それぞれ異なる電気素子３と重なる位置において、それぞれ異なる接続配線ＷＲと接続されている。走査線１は、コンタクトホールＣＨ１２を介して接続配線ＷＲと接続されている。

【0014】

複数の接続配線ＷＲは、それぞれ第２方向Ｄ２に延出し第１方向Ｄ１に並んでいる。複数の接続配線ＷＲは、それぞれ走査線ドライバＤＲ１に接続されている。例えば、接続配線ＷＲの本数は、走査線１の本数と等しい。

【0015】

複数の信号線２は、それぞれ第２方向Ｄ２に延出し第１方向Ｄ１に並んでいる。複数の信号線２は、それぞれ信号線ドライバＤＲ２に接続されている。複数の信号線２は、走査線ドライバＤＲ１が位置する領域を通っている。

【0016】

複数の電気素子３は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２にマトリクス状に配置されている。複数の電気素子３は、それぞれ走査線１と信号線２との交差部に位置し、走査線１及び信号線２と電気的に接続されている。

【0017】

例えば、走査線１を第２側縁ＥＧ２側からｍ本目（ｍは正の整数）とし、接続配線ＷＲを第３側縁ＥＧ３側からｎ本目（ｎは正の整数）とする。ｍ本目の走査線１は、ｎ本目の接続配線ＷＲと接続され、ｍとｎとは等しい。また、ｍ行目かつｎ列目に位置する電気素子３と重なる位置において、走査線１と接続配線ＷＲとは接続されている。なお、走査線１と接続配線ＷＲとの接続位置は、この例に限らない。

【0018】

電気素子３には接続配線ＷＲ及び走査線１を介して走査信号が供給される。例えば電気素子３がセンサのような信号の出力を伴うものである場合、信号線２には電気素子３からの出力信号が供給される。なお、走査線１、信号線２、及び、接続配線ＷＲは、フレキシブル基板１００が備える配線の一例である。フレキシブル基板１００は、走査線１、信号線２、及び、接続配線ＷＲの他に、電気素子３に給電する電源線などの他種の配線を備えていてもよい。

【0019】

走査線ドライバＤＲ１は、接続配線ＷＲを介して走査線１の各々に走査信号を供給する供給源として機能する。また、信号線ドライバＤＲ２は、信号線２の各々に駆動信号を供給する供給源、又は、信号線２の各々に出力された出力信号を処理する信号処理部として機能する。

【0020】

本実施形態によれば、走査線ドライバＤＲ１及び信号線ドライバＤＲ２は、同一の第１側縁ＥＧ１側に位置している。走査線ドライバＤＲ１及び信号線ドライバＤＲ２は、フレキシブル基板１００の伸縮の妨げとなる場合があるが、走査線ドライバＤＲ１及び信号線ドライバＤＲ２を同一の第１側縁ＥＧ１側に配置することで、第２側縁ＥＧ２、第３側縁ＥＧ３、第４側縁ＥＧ４付近の伸縮の妨げとなるのを抑制することができる。つまり、走査線ドライバＤＲ１及び信号線ドライバＤＲ２が互いに異なる側縁に配置されている場合と比べて、フレキシブル基板１００の伸縮性を向上することができる。

【0021】

図２は、図１に示したフレキシブル基板１００の一部を拡大した平面図である。
図２に示すように、フレキシブル基板１００は、上記に加えて、走査線１、信号線２、及び、接続配線ＷＲを支持する絶縁基材４を備えている。絶縁基材４は、伸縮性及び可撓性を有している。絶縁基材４は、例えばポリイミドを用いて形成されているが、この例に限られない。

【0022】

絶縁基材４は、複数の島状部４０と、島状部４０と一体的に形成された複数の第１帯部４１及び複数の第２帯部４２と、を備えている。絶縁基材４は、網目状に形成されている。複数の島状部４０は、互いに間隔を置いて第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２にマトリクス状に並んでいる。島状部４０の各々は、平面視において、例えば四角形状に形成されている。なお、島状部４０は、他の多角形状に形成されていてもよいし、円形状や楕円形状に形成されていてもよい。電気素子３は、島状部４０に重なっている。

【0023】

第１帯部４１は、概ね第１方向Ｄ１に延出し、第２方向Ｄ２に並んでいる。第１帯部４１は、第１方向Ｄ１に並んだ複数の島状部４０を接続している。第２帯部４２は、概ね第２方向Ｄ２に延出し、第１方向Ｄ１に並んでいる。第２帯部４２は、第２方向Ｄ２に並んだ複数の島状部４０を接続している。第１帯部４１及び第２帯部４２は、それぞれ平面視で波状に形成されている。換言すると、第１帯部４１及び第２帯部４２は、平面視で蛇行形状（ミアンダ形状）に形成されている。島状部４０は、第１帯部４１と第２帯部４２の交差部に位置している。

【0024】

走査線１は、それぞれ第１帯部４１と重なって延出している。信号線２は、それぞれ第２帯部４２と重なって延出している。接続配線ＷＲは、それぞれ第２帯部４２及び信号線２と重なって延出している。つまり、走査線１、信号線２、及び、接続配線ＷＲは、何れも蛇行形状に形成されている。複数の走査線１は、それぞれ異なる島状部４０上において、それぞれ異なる接続配線ＷＲと接続される。

【0025】

図３は、図２に示した島状部４０を拡大した平面図である。図３は、走査線１と接続配線ＷＲとが互いに接続されない位置の島状部４０を示している。また、図３においては、電気素子３の図示を省略している。

【0026】

接続配線ＷＲは、図中において点描で示された領域に配置されている。接続配線ＷＲは、第２帯部４２と重なる位置において、第１幅Ｗ１を有し、島状部４０と重なる位置において、第２幅Ｗ２を有している。第１幅Ｗ１は、第２幅Ｗ２より大きい。

【0027】

走査線１は、第１部分１１、第２部分１２、及び、第３部分１３を有している。第１部分１１及び第３部分１３は、第１帯部４１と重なっている。第１部分１１及び第３部分１３は、信号線２と同層に形成されている。第３部分１３は、接続配線ＷＲと交差している。第２部分１２は、平面視で第１部分１１と第３部分１３との間に位置し、島状部４０と重なっている。第２部分１２は、信号線２とは異なる層に形成されている。第２部分１２は、島状部４０と重なる位置において、平面視で接続配線ＷＲと信号線２との間に位置し、その一部が信号線２と交差している。第１部分１１と第２部分１２とはコンタクトホール（第１コンタクトホール）ＣＨ１０を介して接続され、第２部分１２と第３部分１３とはコンタクトホール（第２コンタクトホール）ＣＨ１１を介して接続されている。

【0028】

フレキシブル基板１００は、スイッチング素子ＳＷを備えている。スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣ、ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２、ソース電極ＳＥ、及び、ドレイン電極ＤＥを備えている。半導体層ＳＣは、第２方向Ｄ２に延出している。半導体層ＳＣの一端部ＳＣＡは、信号線２に重なり、半導体層ＳＣの他端部ＳＣＢは、ドレイン電極ＤＥに重なっている。信号線２において、半導体層ＳＣと重畳する領域がソース電極ＳＥとして機能する。半導体層ＳＣは、ドレイン電極ＤＥと重なる位置において走査線１の第２部分１２と２箇所で交差している。走査線１において、半導体層ＳＣと重畳する領域がそれぞれゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２として機能する。すなわち、図示した例のスイッチング素子ＳＷは、ダブルゲート構造を有している。半導体層ＳＣは、その一端部ＳＣＡにおいてコンタクトホールＣＨ２０を介して信号線２と電気的に接続され、また、その他端部ＳＣＢにおいてコンタクトホールＣＨ２１を介してドレイン電極ＤＥと電気的に接続されている。ドレイン電極ＤＥは、コンタクトホールＣＨ２２を介して後述する下部電極ＥＬ１と接続されている。

【0029】

図４は、図２に示した島状部４０を拡大した平面図である。図４は、走査線１と接続配線ＷＲとが互いに接続される位置の島状部４０を示している。また、図４においては、電気素子３の図示を省略している。図４に示す構成のうち、走査線１と接続配線ＷＲとの接続部以外の構成は、図３に示した構成と同一である。
接続配線ＷＲは、島状部４０と重なる位置において、島状部４０まで延出した第３部分１３とコンタクトホール（第３コンタクトホール）ＣＨ１２を介して接続されている。コンタクトホールＣＨ１２、コンタクトホールＣＨ１１、及び、コンタクトホールＣＨ１０は、この順に第１方向Ｄ１に並んでいる。

【0030】

図５は、図３及び図４において図示を省略した電気素子３を示す平面図である。
電気素子３は、下部電極ＥＬ１と、下部電極ＥＬ１の上に位置する上部電極ＥＬ２と、後述する活性層３０と、を備えている。下部電極ＥＬ１及び上部電極ＥＬ２は、例えば、同一形状に形成されている。図示した例では、下部電極ＥＬ１及び上部電極ＥＬ２は、島状部４０に矩形状に形成されている。

【0031】

図６は、図４に示したＡ－Ｂ線に沿ったフレキシブル基板１００の断面図である。
図６に示すように、フレキシブル基板１００は、さらに、絶縁層５１乃至５６、封止層５７、遮光層ＬＳ、及び、樹脂層８２を備えている。

【0032】

絶縁基材４は、樹脂層８１の上に位置している。絶縁層５１は、絶縁基材４の上に位置している。遮光層ＬＳは、絶縁層５１の上に位置している。遮光層ＬＳは、ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２に重なっている。これにより、遮光層ＬＳは、下側からゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２に向かう光を遮蔽することができる。遮光層ＬＳは、例えばアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料によって形成されている。

【0033】

絶縁層５２は、絶縁層５１の上に位置し、遮光層ＬＳを覆っている。半導体層ＳＣは、絶縁層５２の上に位置している。半導体層ＳＣは、例えば多結晶シリコン（例えば低温ポリシリコン）によって形成されるが、アモルファスシリコンや酸化物半導体によって形成されてもよい。絶縁層５３は、絶縁層５２の上に位置し、半導体層ＳＣを覆っている。接続配線ＷＲ、及び、ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２は、絶縁層５３の上に位置している。絶縁層５４は、絶縁層５３の上に位置し、接続配線ＷＲ、ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２を覆っている。

【0034】

信号線２及びドレイン電極ＤＥは、絶縁層５４の上に位置している。信号線２は、絶縁層５３及び５４に形成されたコンタクトホールＣＨ２０を介して半導体層ＳＣに接続されている。信号線２は、例えば金属材料や透明導電材料で形成することができ、単層構造であってもよいし積層構造であってもよい。ドレイン電極ＤＥは、絶縁層５３及び５４に形成されたコンタクトホールＣＨ２１を介して半導体層ＳＣに接続されている。ドレイン電極ＤＥは、例えば信号線２と同一材料によって形成されている。ドレイン電極ＤＥは、ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２を覆っている。これにより、ドレイン電極ＤＥは、上側からゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２に向かう光を遮蔽することができる。絶縁層５５は、絶縁層５４の上に位置し、信号線２及びドレイン電極ＤＥを覆っている。絶縁層５６は、絶縁層５５の上に位置している。絶縁層５１乃至５６は、この順に積層されている。

【0035】

スイッチング素子ＳＷは、絶縁基材４の島状部４０と下部電極ＥＬ１との間に位置している。図示したスイッチング素子ＳＷは、ダブルゲート構造であるが、シングルゲート構造であってもよい。また、図示したスイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣの上にゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２が配置されるトップゲート構造であるが、半導体層ＳＣの下にゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２が配置されるボトムゲート構造であってもよい。

【0036】

絶縁層５１乃至５５は、いずれも、シリコン酸化物（ＳｉＯ）、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁材料によって形成された無機絶縁層である。絶縁層５６は、アクリル樹脂などの有機絶縁材料によって形成された有機絶縁層である。絶縁層５６の上面は実質的に平坦化されている。

【0037】

電気素子３は、絶縁層５６の上に位置している。電気素子３は、例えば有機受光素子（ＯＰＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ）である。電気素子３は、上述したように、下部電極ＥＬ１と、活性層３０と、上部電極ＥＬ２と、を備えている。

【0038】

下部電極ＥＬ１は、絶縁層５６の上に位置している。下部電極ＥＬ１は、積層された第１層Ｌ１及び第２層Ｌ２を備えている。第１層Ｌ１は、絶縁層５５及び５６に形成されたコンタクトホールＣＨ２２を介してドレイン電極ＤＥに接続されている。すなわち、第１層Ｌ１は、スイッチング素子ＳＷと接している。第１層Ｌ１及び第２層Ｌ２は、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成された透明電極である。また、第１層Ｌ１は、外周縁ＰＬ１を有している。第２層Ｌ２は、外周縁ＰＬ２を有している。外周縁ＰＬ２は、外周縁ＰＬ１の内側に位置している。

【0039】

活性層３０は、下部電極ＥＬ１の上に位置している。活性層３０は、有機材料で形成された電子供与体（ｐ型半導体）及び電子受容体（ｎ型半導体）で形成されている。

【0040】

上部電極ＥＬ２は、活性層３０の上に位置している。つまり、活性層３０は、下部電極ＥＬ１と上部電極ＥＬ２との間に位置している。上部電極ＥＬ２は、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成された透明電極である。上部電極ＥＬ２は、図示しない給電線に接続され、例えばコモン電位が供給される。なお、図示しないが、下部電極ＥＬ１と活性層３０との間には電子輸送層が形成され、上部電極ＥＬ２と活性層３０との間には正孔輸送層が形成されている。

【0041】

活性層３０は、受光すると正孔及び電子の対を発生させる。活性層３０より発生した正孔及び電子の対によって電流が流れ、この電流の強度に応じた電気信号が信号線２を介して読み出される。

【0042】

封止層５７は、上部電極ＥＬ２を覆っている。封止層５７は、活性層３０に外部から水分が侵入するのを抑制する。樹脂層８２は、封止層５７を覆っている。

【0043】

図７は、図４に示したＣ－Ｄ線に沿ったフレキシブル基板１００の断面図である。
接続配線ＷＲ及び走査線１の第２部分１２は、絶縁層５３の上に位置し、絶縁層５４によって覆われている。つまり、接続配線ＷＲ及び第２部分１２は、絶縁層５３（第１絶縁層）と絶縁層５４（第２絶縁層）との間に位置している。

【0044】

走査線１の第１部分１１及び第３部分１３、及び、ドレイン電極ＤＥは、絶縁層５４の上に位置し、絶縁層５５によって覆われている。第１部分１１は、絶縁層５４に形成されたコンタクトホールＣＨ１０を介して第２部分１２に接続されている。第３部分１３は、絶縁層５４に形成されたコンタクトホールＣＨ１１を介して第２部分１２に接続されている。また、第３部分１３は、絶縁層５４に形成されたコンタクトホールＣＨ１２を介して接続配線ＷＲに接続されている。コンタクトホールＣＨ１０、コンタクトホールＣＨ１１、及び、コンタクトホールＣＨ１２は、絶縁層５４を貫通している。

【0045】

第１部分１１及び第３部分１３は、例えば金属材料や透明導電材料で形成することができ、単層構造であってもよいし積層構造であってもよい。第２部分１２及び接続配線ＷＲは、上記金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。

【0046】

図８は、本実施形態の変形例を示す平面図である。図８に示す構成は、図１に示した構成と比較して、走査線ドライバＤＲ１と信号線ドライバＤＲ２の位置が入れ替わっている点で相違している。
走査線ドライバＤＲ１は、信号線ドライバＤＲ２と第１側縁ＥＧ１との間に位置している。複数の接続配線ＷＲは、信号線ドライバＤＲ２が位置する領域を通っている。
このような変形例においても上記したのと同様の効果を得ることができる。

【0047】

以上説明したように、本実施形態によれば、伸縮性の向上が可能なフレキシブル基板を得ることができる。

【0048】

なお、本実施形態では、電気素子３がＯＰＤである場合について説明したが、電気素子３は、ＯＰＤ以外のセンサであってもよい。また、上部電極ＥＬ２は、矩形状でなくてもよく、フレキシブル基板１００の全面に配置されていてもよい。その場合、上部電極ＥＬ２の材料としては、ＩＴＯやＩＺＯではなく、伸縮性を有する電極材料が用いられる。もしくは、上部電極ＥＬ２は、絶縁基材４のパターンと同様に形成されていてもよい。

【0049】

また、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0050】

１００…フレキシブル基板、４０…島状部、４１…第１帯部、４２…第２帯部、
１…走査線、２…信号線、３…電気素子、ＷＲ…接続配線、
ＤＲ１…走査線ドライバ、ＤＲ２…信号線ドライバ、８１…樹脂層、
ＥＧ１…第１側縁、ＥＧ２…第２側縁、ＥＧ３…第３側縁、ＥＧ４…第４側縁、
１１…第１部分、１２…第２部分、１３…第３部分、
ＣＨ１０、ＣＨ１１、ＣＨ１２…コンタクトホール、
５１、５２、５３、５４、５５、５６…絶縁層。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】