2022-159807 チップ抵抗器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022159807

(43)【公開日】2022-10-18

(54)【発明の名称】チップ抵抗器

(51)【国際特許分類】

   H01C 7/00 20060101AFI20221011BHJP

   H01C 1/016 20060101ALI20221011BHJP

   H01C 1/14 20060101ALI20221011BHJP

【ＦＩ】

H01C7/00 110

H01C1/016

H01C1/14 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021064227

(22)【出願日】2021-04-05

(71)【出願人】

【識別番号】000105350

【氏名又は名称】ＫＯＡ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000442

【氏名又は名称】弁理士法人武和国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】木村 太郎

【テーマコード（参考）】

5E028

5E033

【Ｆターム（参考）】

5E028BA04

5E028BB01

5E028CA02

5E028DA04

5E028EA01

5E028JA13

5E028JC02

5E028JC07

5E033AA27

5E033BC01

5E033BD01

5E033BE02

5E033BG02

5E033BG03

5E033BH02

(57)【要約】

【課題】ヒートショック耐性を向上できるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器１の裏面電極１４は、絶縁基板１０の端面から離れた内方側に設けられた第１裏面電極１４ａと、第１裏面電極１４ａと接触する（隣接する）ように絶縁基板１０の端面に近い外方側に設けられた第２裏面電極と１４ｂと、を有する。第１裏面電極１４ａの電気抵抗率は、第２裏面電極１４ｂの電気抵抗率よりも低い。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

直方体形状の絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面における長手方向両端部に設けられた一対の表面電極と、
前記一対の表面電極に跨るように設けられた抵抗体と、
前記絶縁基板の裏面における長手方向両端部に設けられ、導電性粒子を含有する合成樹脂材料からなる一対の裏面電極と、
前記絶縁基板の長手方向両端面に設けられ、前記表面電極と前記裏面電極とを電気的に接続する一対の端面電極と、
前記裏面電極および前記端面電極を覆うように電解めっきにより形成された外部電極と、を備え、
前記裏面電極は、
少なくとも前記絶縁基板の端面から離れた内方側に設けられた第１裏面電極と、
前記第１裏面電極と隣接するように前記絶縁基板の端面に近い外方側に設けられた第２裏面電極と、を有し、
前記第１裏面電極の電気抵抗率は、前記第２裏面電極の電気抵抗率よりも低いことを特徴とするチップ抵抗器。

【請求項2】

請求項１に記載のチップ抵抗器において、
前記第１裏面電極は、前記第２裏面電極の一部を覆うことを特徴とするチップ抵抗器。

【請求項3】

請求項１に記載のチップ抵抗器において、
前記第１裏面電極は、少なくとも前記絶縁基板と前記第２裏面電極との間に介在する部分を有することを特徴とするチップ抵抗器。

【請求項4】

請求項３に記載のチップ抵抗器において、
前記第１裏面電極は、前記絶縁基板上に設けられ、
前記第２裏面電極は、前記第１裏面電極上に設けられることを特徴とするチップ抵抗器。

【請求項5】

請求項３に記載のチップ抵抗器において、
前記第２裏面電極は、前記絶縁基板の外方側において前記絶縁基板と接触していることを特徴とするチップ抵抗器。

【請求項6】

請求項１～５の何れか１項に記載のチップ抵抗器において、
前記第１裏面電極が含有する前記導電性粒子は、金属粒子であり、
前記第２裏面電極が含有する前記導電性粒子は、カーボン粒子であることを特徴とするチップ抵抗器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、回路基板のランド上に半田接合される面実装タイプのチップ抵抗器に関する。

【背景技術】

【0002】

一般的にチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、絶縁基板の表面における長手方向両端部に設けられた一対の表面電極と、一対の表面電極に跨るように設けられた抵抗体と、絶縁基板の裏面における長手方向両端部に設けられた一対の裏面電極と、絶縁基板の長手方向両端面に設けられ、表面電極と裏面電極とを電気的に接続する一対の端面電極と、裏面電極および端面電極を覆うように設けられた外部電極と、を備える。この種のチップ抵抗器は、回路基板に設けられたランド上に裏面電極を下に向けた姿勢で搭載され、半田接合されることで面実装される。

【0003】

上記のように面実装されたチップ抵抗器では、熱環境の変化が繰り返されること（以下「ヒートショック」という。）により、回路基板の熱膨張率とチップ抵抗器の絶縁基板の熱膨張率との差に起因して熱応力が発生する。そして、この熱応力は回路基板とチップ抵抗器とを接合する半田接合部に作用してクラックを生じさせてしまう。そこで、特許文献１に記載のチップ抵抗器は、裏面電極が、絶縁基板上に設けられた合成樹脂材料からなる応力緩和層と、応力緩和層上に設けられた金属薄膜層と、を備えている。このようなチップ抵抗器は、回路基板に面実装されたときにヒートショックに晒されても、応力緩和層によって半田接合部に作用する熱応力を緩和できるため、ヒートショック耐性を有するようになっている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】国際公開第２０１８／１２３４２２号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

特許文献１に記載のチップ抵抗器では、裏面電極に電解めっきにより外部電極を安定して形成できるように、応力緩和層の表面は全体的に金属薄膜層によって覆われている。そのため、外部電極は安定して形成できるものの、金属薄膜層が応力緩和層による熱応力の緩和を阻害する虞があり、ヒートショック耐性については未だ改良の余地がある。

【0006】

本発明は、このような実情に鑑みてなされたもので、その目的は、ヒートショック耐性を向上できるチップ抵抗器を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記目的を達成するために、本発明は、直方体形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の表面における長手方向両端部に設けられた一対の表面電極と、前記一対の表面電極に跨るように設けられた抵抗体と、前記絶縁基板の裏面における長手方向両端部に設けられ、導電性粒子を含有する合成樹脂材料からなる一対の裏面電極と、前記絶縁基板の長手方向両端面に設けられ、前記表面電極と前記裏面電極とを電気的に接続する一対の端面電極と、前記裏面電極および前記端面電極を覆うように電解めっきにより形成された外部電極と、を備え、前記裏面電極は、少なくとも前記絶縁基板の端面から離れた内方側に設けられた第１裏面電極と、前記第１裏面電極と隣接するように前記絶縁基板の端面に近い外方側に設けられた第２裏面電極と、を有し、前記第１裏面電極の電気抵抗率は、前記第２裏面電極の電気抵抗率よりも低いことを特徴とする。

【0008】

このように構成されたチップ抵抗器によれば、導電性粒子を含有する合成樹脂材料からなる第１裏面電極および第２裏面電極の双方の可撓性によって、ヒートショック時の熱応力を吸収して緩和できる。よって、チップ抵抗器のヒートショック耐性を向上できる。しかも、第１裏面電極は、チップ抵抗器の製造工程において電解めっきにより外部電極を形成する際の起点となり、裏面電極の周りに安定して外部電極を形成できる。

【0009】

また、上記構成において、前記第１裏面電極は、前記第２裏面電極の一部を覆う構成にすると、電解めっきを行う際に、第１裏面電極から第２裏面電極に電流を流し易くすることができる。

【0010】

また、上記構成において、前記第１裏面電極は、少なくとも前記絶縁基板と前記第２裏面電極との間に介在する部分を有する構成にすると、電解めっきを行う際に、第１裏面電極から第２裏面電極に電流を流し易くすることができる。

【0011】

また、上記構成において、前記第１裏面電極は、前記絶縁基板上に設けられ、前記第２裏面電極は、前記第１裏面電極上に設けられる構成にすると、電解めっきを行う際に、第１裏面電極から第２裏面電極にさらに電流を流し易くすることができる。

【0012】

また、上記構成において、前記第２裏面電極は、前記絶縁基板の外方側において前記絶縁基板と接触している構成にすると、チップ抵抗器の製造工程において、裏面電極が形成された絶縁基板を分割し易くすることができる。

【0013】

また、上記構成において、前記第１裏面電極が含有する前記導電性粒子は、金属粒子であり、前記第２裏面電極が含有する前記導電性粒子は、カーボン粒子である構成にすると、第１裏面電極によって電解めっきにより外部電極を形成する際の起点を形成できるとともに、第２裏面電極によってヒートショック時の熱応力を緩和できる。

【発明の効果】

【0014】

本発明によれば、ヒートショック耐性を向上できる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】第１実施形態に係るチップ抵抗器の平面図である。

【図2】図１のＩＩ－ＩＩ線断面図である。

【図3】チップ抵抗器の裏面電極を示す平面図である。

【図4】（ａ）～（ｄ）はチップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。

【図5】（ｅ）～（ｈ）はチップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。

【図6】（ｉ）はチップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。

【図7】チップ抵抗器の製造工程を示すフローチャートである。

【図8】チップ抵抗器の実装状態を示す断面図である。

【図9】第２実施形態に係るチップ抵抗器の断面図である。

【図10】変形例に係るチップ抵抗器の断面図である。

【図11】第３実施形態に係るチップ抵抗器の断面図である。

【図12】変形例に係るチップ抵抗器の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。

【0017】

（第１実施形態）
図１は第１実施形態に係るチップ抵抗器１の平面図であり、図２は図１のＩＩ－ＩＩ線断面図である。

【0018】

図１および図２に示すように、チップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁基板１０と、この絶縁基板１０の表面（図２において上面）における長手方向両端部に設けられた一対の表面電極１１と、これら表面電極１１に跨るように設けられた抵抗体１２と、抵抗体１２を覆うように設けられた２層構造の保護層１３と、絶縁基板１０の裏面（図２において下面）における長手方向両端部に設けられた一対の裏面電極１４と、絶縁基板１０の長手方向両端面に設けられ、表面電極１１と裏面電極１４とを電気的に接続する一対の端面電極１５と、裏面電極１４および端面電極１５を覆うように設けられた２層構造の一対の外部電極１６と、を備える。

【0019】

絶縁基板１０は例えばアルミナを主成分とするセラミック基板からなる。絶縁基板１０は、後述する大判基板（図４参照）上に格子状に延びる分割溝に沿ってブレイク（分割）して多数個取りされたものである。

【0020】

一対の表面電極１１は、Ａｇ系ペーストを大判基板の表面にスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。

【0021】

抵抗体１２は、酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストを大判基板の表面にスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。抵抗体１２の長手方向両端部は、一対の表面電極１１と重なる。なお、図示は省略するが、抵抗体１２には抵抗値を調整するためのトリミング溝が形成される。

【0022】

保護層１３は、抵抗体１２を覆うアンダーコート層１３ａと、アンダーコート層１３ａを覆うオーバーコート層１３ｂと、を有する。アンダーコート層１３ａは、ガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。オーバーコート層１３ｂは、エポキシ樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化（焼付け）させたものである。なお、アンダーコート層１３ａは抵抗体１２にトリミング溝が形成される前に設けられ、オーバーコート層１３ｂは抵抗体１２にトリミング溝が形成された後に設けられる。

【0023】

一対の裏面電極１４は、導電性粒子を含有する合成樹脂（例えばエポキシ樹脂）ペーストを大判基板の裏面にスクリーン印刷して加熱硬化させたものである。裏面電極１４は、絶縁基板１０の端面から絶縁基板１０の中央側に延びるように形成される。裏面電極１４の詳細については後述する。

【0024】

一対の端面電極１５は、ニッケル（Ｎｉ）／クロム（Ｃｒ）等をスパッタリングすることによって形成されたものである。端面電極１５は、絶縁基板１０の端面を介して離間する表面電極１１と裏面電極１４とを導通させる。なお、端面電極１５は、表面電極１１の表面において長手方向の途中位置まで延び、オーバーコート層１３ｂを覆うことなく露出させる。また、端面電極１５は、裏面電極１４の表面において長手方向の途中位置まで延びて裏面電極１４の一部を覆い、その残りを露出させる。

【0025】

一対の外部電極１６は、バリヤ―層として機能するＮｉめっき層１６ａと、外部接続層として機能するＳｎめっき層１６ｂと、を有する。Ｎｉめっき層１６ａは、裏面電極１４および端面電極１５を覆うように電解めっきにより形成されたものである。Ｓｎめっき層１６ｂは、Ｎｉめっき層１６ａを覆うように電解めっきにより形成されたものである。外部電極１６は、端面電極１５、および端面電極１５から露出している裏面電極１４を覆うように形成される。

【0026】

次に、図３を参照してチップ抵抗器１の一対の裏面電極１４について説明する。図３はチップ抵抗器１の裏面電極１４を示す平面図である。なお、裏面電極１４の形状を分かり易くするために、端面電極１５および外部電極１６の図示は省略されている。

【0027】

図３に示すように、一対の裏面電極１４は各々、第１裏面電極１４ａと、第２裏面電極１４ｂと、を有する。第１裏面電極１４ａは、絶縁基板１０の端面から離れた内方側に設けられる。第２裏面電極１４ｂは、第１裏面電極１４ａと接触する（隣接する）ように絶縁基板１０の端面に近い外方側に設けられる。

【0028】

第１裏面電極１４ａおよび第２裏面電極１４ｂは何れも矩形状に形成され、第２裏面電極１４ｂの表面積は第１裏面電極１４ａの表面積よりも大きい。また、第２裏面電極１４ｂは、第１裏面電極１４ａによって覆われることなくその表面全体を露出させる。

【0029】

上述したように、第１裏面電極１４ａおよび第２裏面電極１４ｂは導電性粒子を含有する合成樹脂材料からなり、双方とも可撓性を有することでヒートショック時の熱応力を吸収可能である。第１裏面電極１４ａが含有する導電性粒子は金属粒子（例えばＡｇ）であり、第２裏面電極１４ｂが含有する導電性粒子はカーボン粒子である。

【0030】

また、第２裏面電極１４ｂのカーボン粒子の含有率は、第１裏面電極１４ａの金属粒子の含有率よりも低い。そのため、第２裏面電極１４ｂ全体における合成樹脂（例えばエポキシ樹脂）が占める割合は、第１裏面電極１４ａ全体における合成樹脂が占める割合よりも高く、第２裏面電極１４ｂは第１裏面電極１４ａよりも高い可撓性を有する。なお、第２裏面電極１４ｂの一部は端面電極１５によって覆われるが、その残りは露出しているため、第２裏面電極１４ｂによる熱応力の緩和は阻害されない。

【0031】

第１裏面電極１４ａの表面粗さは、第２裏面電極１４ｂの表面粗さよりも大きく、外部電極１６（Ｎｉめっき層１６ａ）と強固に接合する。また、第１裏面電極１４ａの電気抵抗率は、第２裏面電極１４ｂの電気抵抗率よりも低い（つまり、第１裏面電極１４ａの電気伝導率は、第２裏面電極１４ｂの電気伝導率よりも高い）。具体的には、第１裏面電極１４ａの電気抵抗率は概ね１０^-３［Ω・ｃｍ］以下の範囲内で設定され、第２裏面電極１４ｂの電気抵抗率は概ね１０^-２［Ω・ｃｍ］以下の範囲内で設定される。よって、第１裏面電極１４ａは、第２裏面電極１４ｂに比べて電流が流れ易く、チップ抵抗器１の製造工程において電解めっきにより外部電極１６（Ｎｉめっき層１６ａ）を形成する際の起点となる。

【0032】

このように、裏面電極１４（第１裏面電極１４ａおよび第２裏面電極１４ｂ）はヒートショック時の熱応力を吸収して緩和し、第１裏面電極１４ａは電解めっきによる外部電極１６（Ｎｉめっき層１６ａ）の形成時の起点となる。そのため、裏面電極１４は、熱応力の緩和とともに外部電極１６の安定した形成を可能とする。

【0033】

次に、図４～図７を参照してチップ抵抗器１の製造工程について説明する。図４（ａ）～（ｄ）、図５（ｅ）～（ｈ）、および図６（ｉ）はチップ抵抗器１の製造工程を示す断面図であり、図７は同工程を示すフローチャートである。

【0034】

まず、図７のステップＳ１に示すように、絶縁基板１０が多数個取りされるシート状の大判基板１７を準備する（大判基板の準備工程）。この大判基板１７には格子状に延びる１次分割溝と２次分割溝（何れも不図示）が設けられ、これら両分割溝で区切られたマス目の１つ１つが１個分のチップ形成領域となる。なお、図４～図６には１個のチップ形成領域に対応する断面図が示されているが、実際は多数個分のチップ形成領域に相当する大判基板１７に対して以下に説明する各工程が一括して行われる。

【0035】

図７のステップＳ２において、大判基板１７の表面における２次分割溝で挟まれた領域内に、各１次分割溝を跨ぐようにＡｇ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成する。これにより、図４（ａ）に示すように、大判基板１７の表面にチップ形成領域を挟んで対向する一対の表面電極１１を形成する（表面電極形成工程）。

【0036】

次に、図７のステップＳ３において、大判基板１７の表面に酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成する。これにより、図４（ｂ）に示すように、一対の表面電極１１に跨る抵抗体１２を形成する（抵抗体形成工程）。

【0037】

次に、図７のステップＳ４において、ガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成する。これにより、図４（ｃ）に示すように、抵抗体１２を覆うアンダーコート層１３ａを形成する（アンダーコート層形成工程）。その後、アンダーコート層１３ａ上から抵抗体１２に不図示のトリミング溝を形成して抵抗値を調整する。

【0038】

次に、図７のステップＳ５において、アンダーコート層１３ａ上からエポキシ樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させる。これにより、図４（ｄ）に示すように、表面電極１１の一部とアンダーコート層１３ａの全体を覆うオーバーコート層１３ｂを形成する（オーバーコート層形成工程）。なお、これらアンダーコート層１３ａおよびオーバーコート層１３ｂによって保護層１３を形成することになる。

【0039】

次に、図７のステップＳ６において、大判基板１７の裏面における２次分割溝で挟まれた領域内に、各１次分割溝を跨ぐようにカーボン粒子を含有するエポキシ樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させる。これにより、図５（ｅ）に示すように、大判基板１７の外方側に第２裏面電極１４ｂを形成する（第２裏面電極形成工程）。

【0040】

次に、図７のステップＳ７において、金属粒子（例えばＡｇ）を含有するエポキシ樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させる。これにより、図５（ｆ）に示すように、第２裏面電極１４ｂに対して大判基板１７の内方側に第１裏面電極１４ａを形成する（第１裏面電極形成工程）。この場合、第１裏面電極１４ａを第２裏面電極１４ｂと接触する（隣接する）ように形成することで、第１裏面電極１４ａを介して第２裏面電極１４ｂに電流が確実に流れるようにする。

【0041】

これまでの工程は大判基板１７に対する一括処理であるが、次に、大判基板１７を１次分割溝に沿って１次ブレイク（１次分割）して短冊状基板１８を得る。

【0042】

その後、図７ステップＳ８において、短冊状基板１８の分割面にＮｉ―Ｃｒをスパッタリングする。その際に、裏面電極１４が形成された複数の短冊状基板１８を所定の治具に上下方向に積み重ねて配置する。そして、一の短冊状基板の裏面電極１４と、その下側に配置された他の短冊状基板のオーバーコート層１３ｂとが当接することで、両短冊状基板の両端側に所定の隙間を形成し、これら短冊状基板１８の分割面にスパッタリングする。これにより、図５（ｇ）に示すように、短冊状基板１８の両端面およびその両端面から表面電極１１の表面と裏面電極１４の表面とに回り込むように、これらを電気的に接続する端面電極１５を形成する（端面電極形成工程）。なお、端面電極１５は、表面電極１１の一部を覆ってその残りを露出させるとともに、裏面電極１４（第２裏面電極１４ｂ）の一部を覆ってその残りを露出させる。また、上記のようにスパッタリングにより端面電極１５を形成する代わりに、例えばＡｇ系ペーストをディップ塗布して加熱硬化させることで、端面電極１５を形成しても良い。

【0043】

次に、短冊状基板１８の２次分割溝に沿って２次ブレイク（２次分割）することにより、チップ抵抗器１と同等の大きさのチップ単体１ａを得る。

【0044】

最後に、図７のステップＳ９において、個片化されたチップ単体１ａに対して電解めっきを２度施す。具体的には、１度目の電解めっきにより、図５（ｈ）に示すように、裏面電極１４および端面電極１５の表面全体にＮｉめっき層１６ａを形成する。この場合、裏面電極１４の周りでは、第１裏面電極１４ａが電解めっきの起点となって当該第１裏面電極１４ａに電流が十分に流れることで、この第１裏面電極１４ａを覆うようにＮｉめっき層１６ａを形成できる。また、それと同時に、この第１裏面電極１４ａを介して第２裏面電極１４ｂにも電流が十分に流れることで、第２裏面電極１４ｂを覆うようにＮｉめっき層１６ａを形成できる。その後、２度目の電解めっきにより、図６（ｉ）に示すように、Ｎｉめっき層１６ａを覆うＳｎめっき層１６ｂを形成する。なお、これらＮｉめっき層１６ａおよびＳｎめっき層１６ｂによって一対の外部電極１６を形成することになる。

【0045】

次に、図８を参照してチップ抵抗器１の実装状態について説明する。図８はチップ抵抗器１の実装状態を示す断面図である。

【0046】

図８に示すように、チップ抵抗器１は、回路基板１９に設けられたランド２０上に裏面電極１４を下に向けた姿勢で搭載される。その際に、裏面電極１４および端面電極１５に被着された一対の外部電極１６を対応するランド２０にそれぞれ半田２１を介して接合することで、チップ抵抗器１が回路基板１９に面実装される。このとき、可撓性を有する第１裏面電極１４ａおよび第２裏面電極１４ｂの双方が回路基板１９側を向いた状態となる。そのため、ヒートショック時に熱応力が発生しても、その熱応力を第１裏面電極１４ａおよび第２裏面電極１４ｂによって吸収して緩和できる。

【0047】

以上のように構成されたチップ抵抗器１によれば、以下の効果を奏することができる。

【0048】

導電性粒子を含有する合成樹脂材料からなる第１裏面電極１４ａおよび第２裏面電極１４ｂの双方の可撓性によって、ヒートショック時の熱応力を吸収して緩和できる。よって、チップ抵抗器１のヒートショック耐性を向上できる。

【0049】

また、チップ抵抗器１が回路基板１９に面実装されたときに、これらを接合する半田２１の量が比較的多い方、つまり、絶縁基板１０の端面に近い外方側に可撓性の高い第２裏面電極１４ｂが配置される。よって、ヒートショック時に半田２１が受ける熱応力を効果的に吸収できる。さらに、第２裏面電極１４ｂの表面積は第１裏面電極１４ａの表面積よりも大きいので、第２裏面電極１４ｂによって熱応力の緩和を極めて効果的に行える。

【0050】

しかも、第１裏面電極１４ａの電気抵抗率は、第２裏面電極１４ｂの電気抵抗率よりも低いので、第１裏面電極１４ａは、チップ抵抗器１の製造工程において電解めっきにより外部電極１６（Ｎｉめっき層１６ａ）を形成する際の起点となる。よって、裏面電極１４の周りに安定して外部電極１６を形成できる。特に、第１裏面電極１４ａは、絶縁基板１０の端面から離れた内方側に設けられるので、電解めっきにより外部電極１６を形成し難い絶縁基板１０の内方側にも安定して外部電極１６を形成できる。

【0051】

さらに、上記のように熱応力を緩和する第２裏面電極１４ｂには、電解めっきの際に第１裏面電極１４ａに比べて電流が流れ難いが、第１裏面電極１４ａを介して第２裏面電極１４ｂに十分な電流を流すことができる。よって、第２裏面電極１４ｂの周りにも外部電極１６を安定して形成できる。

【0052】

このようにチップ抵抗器１においては、第２裏面電極１４ｂによってヒートショック時の熱応力を緩和できるとともに、第１裏面電極１４ａによって電解めっきの際に外部電極１６を安定して形成できる。

【0053】

また、第１裏面電極１４ａおよび第２裏面電極１４ｂは双方とも合成樹脂材料からなるので、第１裏面電極１４ａが焼成銀からなるとともに第２裏面電極１４ｂが合成樹脂材料からなる場合に比べて、両者の熱膨張率の差を小さくでき、ヒートショック時の熱応力を抑制できる。また、合成樹脂同士の結合力は高いので、両者の界面にクラックが発生することも抑制できる。

【0054】

さらに、第１裏面電極１４ａは、外部電極１６（Ｎｉめっき層１６ａ）と強固に接合するため、裏面電極１４に熱応力を緩和する第２裏面電極１４ｂが含まれていても、裏面電極１４からＮｉめっき層１６ａが剥離することを防止できる。

【0055】

なお、上記第１実施形態では、第１裏面電極１４ａは、第２裏面電極１４ｂよりも絶縁基板１０の内方側に形成されていたが、この構成に限定されない。第１裏面電極１４ａは、少なくとも絶縁基板１０の内方側に形成されていれば良く、例えば第１裏面電極１４ａは第２裏面電極１４ｂの周りを囲むようにチャネル状（コの字状）に形成されても良い。この場合でも、上記第１実施形態と同様の効果を奏することができる。

【0056】

（第２実施形態）
次に、図９を参照して第２実施形態に係るチップ抵抗器２について説明する。図９は第２実施形態に係るチップ抵抗器２の断面図である。チップ抵抗器２は、第１裏面電極１４ａが第２裏面電極１４ｂの一部を覆っている点で上記第１実施形態と異なる。

【0057】

図９に示すように、第１裏面電極１４ａは、金属粒子（例えばＡｇ）を含有する合成樹脂（例えばエポキシ樹脂）ペーストを大判基板の裏面に複数回スクリーン印刷して加熱硬化させたものである。第１裏面電極１４ａは、第２裏面電極１４ｂよりも下方に突出し、第２裏面電極１４ｂの内方側の端部を覆っている。第１裏面電極１４ａの膜厚Ｔ１は第２裏面電極１４ｂの膜厚Ｔ２よりも大きい。なお、第２裏面電極１４ｂの大半は第１裏面電極１４ａによって覆われることなく露出しているため、第２裏面電極１４ｂによるヒートショック時の熱応力の緩和は十分に確保される。

【0058】

このようなチップ抵抗器２の製造工程において、裏面電極形成工程（第２裏面電極形成工程および第１裏面電極形成工程）が終了すると、裏面電極１４は膜厚Ｔ１，Ｔ２の差分に相当する大きさの段差部１４ｃを有する。そして、端面電極形成工程においてスパッタリングをする際に、上記第１実施形態と同様に、複数の短冊状基板（図４（ｇ）参照）を所定の治具に上下方向に積み重ねて配置すると、上下方向に接触し合う２つの短冊状基板の両端側に、段差部１４ｃによって十分な隙間が確保される。そのため、上側の短冊状基板の第２裏面電極１４ｂと、下側の短冊状基板の表面電極１１と、が十分離れた状態となる。よって、スパッタリングにより短冊状基板の両端面から表面電極１１の表面および裏面電極１４の表面に回り込むように、端面電極１５を容易に形成可能となる。

【0059】

このように構成されたチップ抵抗器２によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏することができる。また、端面電極形成工程においてスパッタリングをする際に、上下方向に積み重ねて配置された複数の短冊状基板（絶縁基板）のうち、一の短冊状基板の第２裏面電極１４ｂの表面と、その下側に配置された他の短冊状基板の表面電極１１と、の間に十分な隙間を確保できる。よって、一の短冊状基板の第２裏面電極１４ｂが、他の短冊状基板の表面電極１１に付着することを防止できる。特に、第２裏面電極１４ｂは、カーボン粒子を含有する合成樹脂材料からなるため他の基材に付着し易いため、この効果は極めて有益である。

【0060】

また、短冊状基板の両端面にスパッタリングをする際に、上記のように十分な隙間が確保されるので、短冊状基板の両端面から表面電極１１の表面および裏面電極１４の表面に回り込むように、端面電極１５を容易に形成できる。よって、端面電極１５を短冊状基板の端面から離れた内方側にも十分に形成できる。

【0061】

また、第１裏面電極１４ａが第２裏面電極１４ｂの内方側の端部を覆っているので、電解めっきの際に第１裏面電極１４ａから第２裏面電極１４ｂに電流を流し易くすることができる。

【0062】

（変形例）
次に、図１０を参照して、第２実施形態の変形例に係るチップ抵抗器２－１について説明する。図１０は変形例に係るチップ抵抗器２－１の断面図である。チップ抵抗器２－１は、第１裏面電極１４ａの膜厚が第２裏面電極１４ｂの膜厚よりも僅かに厚い点で上記第２実施形態と異なる。

【0063】

図１０に示すように、第１裏面電極１４ａは、第２裏面電極１４ｂの内方側の端部を薄く覆っている。第１裏面電極１４ａの膜厚は第２裏面電極１４ｂの膜厚よりも僅かに大きい。

【0064】

このように構成されたチップ抵抗器２－１によれば、必要となる第１裏面電極１４ａの量をできるだけ抑えつつ、電解めっきの際に第１裏面電極１４ａから第２裏面電極１４ｂに電流を流し易くすることができる。

【0065】

上記第２実施形態では、第１裏面電極１４ａおよび第２裏面電極１４ｂが互いに異なる材料からなる構成であったが、この構成に限定されず、両者が同一の材料からなる構成でも良い。この場合、第１裏面電極１４ａの膜厚Ｔ１を第２裏面電極１４ｂの膜厚Ｔ２よりも大きくすることで、第１裏面電極１４ａの抵抗値［Ω］を第２裏面電極１４ｂの抵抗値［Ω］よりも小さくできる。このように構成すれば、チップ抵抗器の製造を容易化できるとともに、電解めっきの際に第１裏面電極１４ａから第２裏面電極１４ｂに電流を流し易くすることができる。

【0066】

（第３実施形態）
次に、図１１を参照して第３実施形態に係るチップ抵抗器３について説明する。図１１は第３実施形態に係るチップ抵抗器３の断面図である。チップ抵抗器３は第１裏面電極１４ａが絶縁基板１０と第２裏面電極１４ｂとの間に介在する部分を有する点で第１実施形態と異なる。

【0067】

図１１に示すように、第１裏面電極１４ａは絶縁基板１０の裏面においてその端面から内方側に延びるように設けられる。また、第２裏面電極１４ｂは第１裏面電極１４ａの表面においてその端面から内方側に延びるように設けられる。第２裏面電極１４ｂは、第１裏面電極１４ａの大半を覆っており、その残りを露出させる。

【0068】

なお、チップ抵抗器３の製造工程においては、上記第１実施形態で説明したオーバーコート層形成工程後（図７のステップＳ５参照）に、第１裏面電極形成工程（図７のステップＳ７参照）を行い、その後第２裏面電極形成工程（図７のステップＳ６参照）を行えば良い。

【0069】

このように構成されたチップ抵抗器３によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏することができる。また、第２裏面電極１４ｂにおける第１裏面電極１４ａ側の全表面が、第１裏面電極１４ａと接触するので、電解めっきの際に第１裏面電極１４ａから第２裏面電極１４ｂにさらに電流を流し易くすることができる。

【0070】

（変形例）
次に、図１２を参照して第２実施形態の変形例に係るチップ抵抗器３－１について説明する。図１２は変形例に係るチップ抵抗器３－１の断面図である。チップ抵抗器３－１は、第２裏面電極１４ｂが絶縁基板１０の外方側において絶縁基板１０と接触している点で上記第３実施形態と異なる。

【0071】

図１２に示すように、第１裏面電極１４ａは絶縁基板１０の端面から所定間隔Ｄを存して内方側に設けられる。つまり、第１裏面電極１４ａは、大判基板（図４参照）上に延びる１次分割溝を跨いで形成されない。第２裏面電極１４ｂは、絶縁基板１０の外方側で絶縁基板１０と接触し、絶縁基板１０の内方側で第１裏面電極１４ａの一部を覆い、その残りを露出させる。

【0072】

このように構成されたチップ抵抗器３－１によれば、第１裏面電極１４ａは大判基板上に延びる１次分割溝を跨いで形成されないため、チップ抵抗器３の製造工程において大判基板を１次分割溝に沿って１次ブレイク（１次分割）し易くすることができる。

【0073】

なお、本発明は上記実施形態および変形例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であり、特許請求の範囲に記載された技術思想に含まれる技術的事項の全てが本発明の対象となる。上記実施形態および変形例は、好適な例を示したものであるが、当業者ならば、本明細書に開示の内容から、各種の代替例、修正例、変形例あるいは改良例を実現することができ、これらは添付の特許請求の範囲に記載された技術的範囲に含まれる。

【0074】

例えば上記第１実施形態では、第１裏面電極１４ａおよび第２裏面電極１４ｂは互いに接触していたが、この構成に限定されない。チップ抵抗器１の製造工程において、裏面電極１４を覆うように電解めっきによりＮｉめっき層１６ａを十分に形成できる範囲内で、第１裏面電極１４ａと第２裏面電極１４ｂとが隣接するように配置されれば良い。このように配置された第２裏面電極１４ｂも、本発明を構成する第２裏面電極に含まれる。

【0075】

また、上記実施形態では、第１裏面電極１４ａが含有する金属粒子として例えばＡｇを挙げて説明をしたが、この構成に限定されることなく、導電性を有する種々の金属粒子（例えばＣｕ等）を採用できる。

【0076】

また、上記実施形態では、第２裏面電極１４ｂは、カーボン粒子が含有された合成樹脂材料からなる構成であったが、この構成に限定されない。第１裏面電極１４ａの電気抵抗率が第２裏面電極１４ｂの電気抵抗率よりも小さくなる範囲内であれば、第２裏面電極１４ｂの合成樹脂材料にカーボン粒子に加えて金属粒子（例えばＡｇ）が含有されても良い。

【0077】

また、上記実施形態では、裏面電極１４に含まれる合成樹脂としてエポキシ樹脂を挙げて説明をしたが、この構成に限定されることなく、可撓性を有する種々の合成樹脂（例えばフェノール樹脂）を採用できる。

【0078】

さらに、上記実施形態では、第１裏面電極１４ａおよび第２裏面電極１４ｂは、同じ種類の合成樹脂材料（例えばエポキシ樹脂）を採用した構成であったが、これに限定されることなく、互いに異なる種類の合成樹脂材料を採用しても良い。例えば、第１裏面電極１４ａにはエポキシ樹脂を採用し、第２裏面電極１４ｂにはフェノール樹脂を採用しても良い。

【0079】

また、上記実施形態では、第２裏面電極１４ｂの可撓性の方が第１裏面電極１４ａの可撓性よりも大きい構成であったが、これに限定されることなく、第１裏面電極１４ａの可撓性の方が第２裏面電極１４ｂの可撓性よりも大きくしても良い。

【符号の説明】

【0080】

１，２，３，２－１，３－１ チップ抵抗器
１０ 絶縁基板
１１ 表面電極
１２ 抵抗体
１４ 裏面電極
１４ａ 第１裏面電極
１４ｂ 第２裏面電極
１５ 端面電極
１６ 外部電極

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】