特開 2022-160194 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022160194

(43)【公開日】2022-10-19

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/22 20060101AFI20221012BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20221012BHJP

   H01L 27/32 20060101ALI20221012BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20221012BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20221012BHJP

【ＦＩ】

H05B33/22 Z

H05B33/14 A

H01L27/32

H05B33/12 B

G09F9/30 365

G09F9/30 349Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021064807

(22)【出願日】2021-04-06

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】軍司 雅和

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC45

3K107DD89

3K107FF15

5C094BA27

5C094EA10

5C094FA01

5C094FB12

5C094FB15

(57)【要約】

【課題】 表示素子の性能劣化を抑制することが可能な表示装置を提供すること。
【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、基材と、基材の上に配置された画素回路と、基材および画素回路を覆う第１絶縁層と、第１絶縁層の上に配置された第１下部電極および第２下部電極と、第１絶縁層の上において第１下部電極と第２下部電極との間に配置され、第１絶縁層に形成された開口部を通じて画素回路に接続される隔壁と、第１下部電極の上に配置された第１有機層と、第１有機層の上に配置された第１上部電極と、を備える。隔壁は、第１絶縁層の上に配置され、開口部を通じて画素回路に接続される部分であり、かつ、第１下部電極に面する第１側面と第２下部電極に面する第２側面とを有する導電層と、導電層の上に配置された第２絶縁層と、を含む。第１下部電極は、第１側面に接し、第２下部電極は、第２側面から離間している。
【選択図】 図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材と、
前記基材の上に配置された画素回路と、
前記基材および前記画素回路を覆う第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に配置された第１下部電極および第２下部電極と、
前記第１絶縁層の上において前記第１下部電極と前記第２下部電極との間に配置され、前記第１絶縁層に形成された開口部を通じて前記画素回路に接続される隔壁と、
前記第１下部電極の上に配置された第１有機層と、
前記第１有機層の上に配置された第１上部電極と、を備え、
前記隔壁は、
前記第１絶縁層の上に配置され、前記開口部を通じて前記画素回路に接続される部分であり、かつ、前記第１下部電極に面する第１側面と前記第２下部電極に面する第２側面とを有する導電層と、
前記導電層の上に配置された第２絶縁層と、を含み、
前記第１下部電極は、前記第１側面に接し、前記第２下部電極は、前記第２側面から離間している、
表示装置。

【請求項2】

前記第２絶縁層は、前記第１側面から前記第１下部電極に向けて張り出した第１部分と、前記第２側面から前記第２下部電極に向けて張り出した第２部分と、を有し、
前記第１部分の幅は、前記第２部分の幅に比べて小さい、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記第２絶縁層は、前記第１側面から前記第１下部電極に向けて張り出した第１部分と、前記第２側面から前記第２下部電極に向けて張り出した第２部分と、を有し、
前記第１部分の幅と前記第２部分の幅とは等しい、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

前記第２下部電極と前記第２側面との間の距離は、前記第２部分の幅とほぼ同等である、
請求項２または請求項３に記載の表示装置。

【請求項5】

前記第１絶縁層の上面からの前記導電層の厚さは、前記第１下部電極の厚さと前記第１有機層の厚さとの和以下である、
請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項6】

前記第２下部電極の上に配置された第２有機層と、
前記第２有機層の上に配置された第２上部電極と、
前記隔壁の上に配置され、前記第１下部電極および前記第２下部電極と同一材料によって形成された第１電極と、をさらに備え、
前記第１上部電極と前記第２上部電極とは、前記第１電極を介して互いに接続されている、
請求項１～請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項7】

前記第１電極の上に配置され、前記第１上部電極および前記第２上部電極と同一材料によって形成された第２電極、をさらに備え、
前記第１上部電極と前記第２上部電極とは、前記第１電極および前記第２電極を介して互いに接続されている、
請求項６に記載の表示装置。

【請求項8】

前記隔壁は、前記第１下部電極および前記第１有機層と、前記第２下部電極および前記第２有機層とを分断している、
請求項６または請求項７に記載の表示装置。

【請求項9】

前記導電層は、平面視において、前記第１下部電極の一辺に沿って配置され、前記第２下部電極の一辺からは離間して配置されている、
請求項１～請求項８のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項10】

平面視において、前記第１下部電極の一辺と交差する方向に延びる前記第１下部電極の別の一辺に沿って配置された第３絶縁層、をさらに備える、
請求項９に記載の表示装置。

【請求項11】

前記第３絶縁層の厚さは、前記第１下部電極の厚さと前記第１有機層の厚さとの和より大きい、
請求項１０に記載の表示装置。

【請求項12】

前記第３絶縁層の厚さは、前記隔壁の厚さとほぼ同等である、
請求項１１に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。表示素子は、画素電極と共通電極との間に有機層を備えている。有機層は、発光層の他に、ホール輸送層や電子輸送層等の機能層を含んでいる。このような有機層は、例えば真空蒸着法によって形成される。

【0003】

例えば、マスク蒸着の場合、各画素に対応した開口を有するファインマスクが適用される。しかしながら、ファインマスクの加工精度、開口形状の変形等に起因して、蒸着によって形成される薄膜の形成精度が低下するおそれがある。例えば、有機層の端面が所望の位置に形成されず、表示素子の性能劣化を招くおそれがある。このため、ファインマスクを適用することなく、所望の形状の有機層を形成することが要望されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報

【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報

【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報

【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報

【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報

【特許文献6】国際公開第２０１９／０２６５１１号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本開示は、表示素子の性能劣化を抑制することが可能な表示装置を提供することを目的の１つとする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一実施形態に係る表示装置は、
基材と、前記基材の上に配置された画素回路と、前記基材および前記画素回路を覆う第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に配置された第１下部電極および第２下部電極と、前記第１絶縁層の上において前記第１下部電極と前記第２下部電極との間に配置され、前記第１絶縁層に形成された開口部を通じて前記画素回路に接続される隔壁と、前記第１下部電極の上に配置された第１有機層と、前記第１有機層の上に配置された第１上部電極と、を備える。前記隔壁は、前記第１絶縁層の上に配置され、前記開口部を通じて前記画素回路に接続される部分であり、かつ、前記第１下部電極に面する第１側面と前記第２下部電極に面する第２側面とを有する導電層と、前記導電層の上に配置された第２絶縁層と、を含む。前記第１下部電極は、前記第１側面に接し、前記第２下部電極は、前記第２側面から離間している。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、一実施形態に係る表示装置の一構成例を示す図である。

【図2】図２は、図１に示した副画素の構成例を示す断面図である。

【図3】図３は、図１に示した副画素の別の構成例を示す断面図である。

【図4】図４は、図１に示した副画素の別の構成例を示す断面図である。

【図5】図５は、副画素の一部の構成を示す平面図である。

【図6】図６は、副画素の一部の構成を示す平面図である。

【図7】図７は、図２に示した断面構造の形成工程を説明するための図である。

【図8】図８は、図２に示した断面構造の形成工程を説明するための図である。

【図9】図９は、図２に示した断面構造の形成工程を説明するための図である。

【図10】図１０は、下部電極の形成方法の一例を説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

いくつかの実施形態につき、図面を参照しながら説明する。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実施の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。

【0009】

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、および、Ｚ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向をＸ方向または第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向をＹ方向または第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向をＺ方向または第３方向と称する。Ｘ軸およびＹ軸によって規定される面をＸ－Ｙ平面と称し、Ｘ軸およびＺ軸によって規定される面をＸ－Ｚ平面と称する。Ｘ－Ｙ平面を見ることを平面視という。

【0010】

いくつかの実施形態に係る表示装置ＤＳＰは、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パソコン、携帯端末、携帯電話等に搭載される。なお、以下に説明する表示素子は照明装置の発光素子として適用することができ、表示装置ＤＳＰは照明装置等の他の電子機器に転用することができる。

【0011】

図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基材１０の上に、画像を表示する表示部ＤＡを備えている。基材１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

【0012】

表示部ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３を備えている。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２、および、青色の副画素ＳＰ３を備えている。なお、画素ＰＸは、上記した３色の副画素の他に、白色等の他の色の副画素を加えた４個以上の副画素を備えていてもよい。

【0013】

画素ＰＸに含まれる１つの副画素ＳＰの一構成例について簡単に説明する。
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動制御される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により構成されたスイッチ素子である。

【0014】

画素スイッチ２について、ゲート電極は走査線ＧＬに接続され、ソース電極は信号線ＳＬに接続され、ドレイン電極はキャパシタ４を構成する一方の電極および駆動トランジスタ３のゲート電極に接続されている。駆動トランジスタ３について、ソース電極はキャパシタ４を構成する他方の電極および電源線ＰＬに接続され、ドレイン電極は表示素子２０のアノードに接続されている。表示素子２０のカソードは、給電線ＦＬに接続されている。なお、画素回路１の構成は、図示した例に限らない。

【0015】

表示素子２０は、発光素子である有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。例えば、副画素ＳＰ１は赤波長に対応した光を出射する表示素子を備え、副画素ＳＰ２は緑波長に対応した光を出射する表示素子を備え、副画素ＳＰ３は青波長に対応した光を出射する表示素子を備えている。画素ＰＸが表示色の異なる複数の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３を備えることで、多色表示を実現できる。

【0016】

但し、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の各々の表示素子２０が同一色の光を出射するように構成されてもよい。これにより、単色表示を実現できる。

【0017】

また、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の各々の表示素子２０が白色の光を出射するように構成された場合、表示素子２０に対向するカラーフィルタが配置されてもよい。例えば、副画素ＳＰ１は表示素子２０に対向する赤カラーフィルタを備え、副画素ＳＰ２は表示素子２０に対向する緑カラーフィルタを備え、副画素ＳＰ３は表示素子２０に対向する青カラーフィルタを備える。これにより、多色表示を実現できる。

【0018】

あるいは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の各々の表示素子２０が紫外光を出射するように構成された場合、表示素子２０に対向する光変換層が配置されることで、多色表示を実現できる。

【0019】

表示素子２０の詳細な構成については、後述する。

【0020】

図２は、図１に示した副画素ＳＰに含まれる表示素子２０の一例を示す断面図である。
図１に示した画素回路１は、基材１０の上に配置され、絶縁層１１（第１絶縁層）によって覆われている。図２では、画素回路１に含まれる駆動トランジスタ３のみを簡略化して図示している。絶縁層１１は、表示素子２０の下地層に相当し、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ）等の絶縁材料によって形成されている。

【0021】

絶縁層１１には、開口部ＯＰ１が形成されている。開口部ＯＰ１は、駆動トランジスタ３に重畳する領域に形成され、当該駆動トランジスタ３まで貫通した貫通孔である。開口部ＯＰ１には、柱状の導電体３１と、絶縁性の庇３２とによって構成される隔壁３０が配置されている。以下では、柱状の導電体３１を単に導電層と称し、絶縁性の庇３２を単に絶縁層と称する場合がある。

【0022】

表示素子２０は、下部電極Ｅ１と、有機層ＯＲと、上部電極Ｅ２と、を備えている。有機層ＯＲは、下部電極Ｅ１と上部電極Ｅ２とに挟まれて配置されている。

【0023】

下部電極Ｅ１は、副画素毎あるいは表示素子毎に配置された電極であり、駆動トランジスタ３と電気的に接続されている。このような下部電極Ｅ１は、画素電極、反射電極、アノード等と称される場合がある。

【0024】

上部電極Ｅ２は、複数の副画素あるいは複数の表示素子に亘って配置された電極であり、給電線ＦＬと電気的に接続されている。このような上部電極Ｅ２は、共通電極、対向電極、カソード等と称される場合がある。

【0025】

下部電極Ｅ１は、絶縁層１１の上に配置され、その周縁部が隔壁３０を構成する導電層３１に接続している。下部電極Ｅ１は、導電層３１を介して駆動トランジスタ３と電気的に接続されている。

【0026】

下部電極Ｅ１は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電材料によって形成された透明電極である。なお、下部電極Ｅ１は、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の金属材料によって形成された金属電極であってもよい。また、下部電極Ｅ１は、透明電極および金属電極の積層体であってもよい。例えば、下部電極Ｅ１は、透明電極、金属電極、および、透明電極の順に積層された積層体として構成されてもよいし、３層以上の積層体として構成されてもよい。

【0027】

有機層ＯＲは、下部電極Ｅ１の上に配置されている。有機層ＯＲは、白色、赤色、緑色、青色のうちのいずれかの色で発光する発光層を含む、有機層ＯＲは、発光層の他に、ホール注入層、ホール輸送層、電子ブロック層、ホールブロック層、電子輸送層、電子注入層、等の機能層を含んでいてもよい。このため、図２では、有機層ＯＲを単層体として図示したが、有機層ＯＲは、発光層の他に、上記した機能層のうちの少なくとも１つを含む複数の層が積層された積層体であってもよい。

【0028】

上部電極Ｅ２は、有機層ＯＲの上に配置されている。上部電極Ｅ２は、複数の副画素あるいは複数の表示素子に亘って共通に用いられる共通層である。上部電極Ｅ２は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電材料によって形成された透明電極である。なお、上部電極Ｅ２は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属材料によって形成された半透過性の金属電極であってもよい。上部電極Ｅ２は、表示部ＤＡに配置された給電線ＦＬ、あるいは、表示部ＤＡの外側に配置された給電線ＦＬと電気的に接続されている。

【0029】

下部電極Ｅ１の電位が上部電極Ｅ２の電位よりも相対的に高い場合、下部電極Ｅ１がアノードに相当し、上部電極Ｅ２がカソードに相当する。また、上部電極Ｅ２の電位が下部電極Ｅ１の電位よりも相対的に高い場合、上部電極Ｅ２がアノードに相当し、下部電極Ｅ１がカソードに相当する。
本実施形態では、一例として、下部電極Ｅ１がアノードに相当し、上部電極Ｅ２がカソードに相当する場合を想定している。

【0030】

ここで、隣接する２つの表示素子２０Ａ，２０Ｂに着目する。なお、以下では、便宜的に、表示素子２０Ａに関する要素には符号の末尾に「Ａ」を付し、表示素子２０Ｂに関する要素には符号の末尾に「Ｂ」を付して説明する。

【0031】

隔壁３０は、表示素子２０Ａと表示素子２０Ｂとの間に位置している。隔壁３０は、導電層３１と、絶縁層３２（第２絶縁層）とを有している。

【0032】

導電層３１は、下部電極Ｅ１Ａ（第１下部電極）と下部電極Ｅ１Ｂ（第２下部電極）との間、および、有機層ＯＲＡ（第１有機層）と有機層ＯＲＢ（第２有機層）との間に位置している。導電層３１は、絶縁層１１に形成された開口部ＯＰ１Ａを通じて駆動トランジスタ３Ａに接続されている。導電層３１は、絶縁層１１の表面から第３方向Ｚに沿って延出し、厚さＴ１を有する突出部３１ａを有している。突出部３１ａは、表示素子２０Ａに面する第１側面Ｓ１と、表示素子２０Ｂに面する第２側面Ｓ２と、第１側面Ｓ１と第２側面Ｓ２との間の上面Ｕ１と、を有している。

【0033】

導電層３１は、隣接する２つの表示素子２０Ａ，２０Ｂのうちの一方の表示素子２０Ａの下部電極Ｅ１Ａと接続し、他方の表示素子２０Ｂの下部電極Ｅ１Ｂと接続しない。より詳しくは、導電層３１の突出部３１ａは、第１側面Ｓ１において当該第１側面Ｓ１と面する表示素子２０Ａの下部電極Ｅ１Ａと接し、第２側面Ｓ２において当該第２側面Ｓ２と面する表示素子２０Ｂの下部電極Ｅ１Ｂと離間している。つまり、表示素子２０Ａの下部電極Ｅ１Ａのみが、導電層３１を介して駆動トランジスタ３Ａと電気的に接続されている。

【0034】

導電層３１は、突出部３１ａの厚さＴ１が、第１側面Ｓ１において接している表示素子２０Ａの下部電極Ｅ１Ａの厚さＴ２と、当該下部電極Ｅ１Ａの上に配置される有機層ＯＲＡの厚さＴ３との和以下になるように形成されることが望ましい。図２では、突出部３１ａの厚さＴ１が、下部電極Ｅ１Ａの厚さＴ２と、有機層ＯＲＡの厚さＴ３との和と等しくなるように、導電層３１が形成された場合を示している。実際には、突出部３１ａの厚さＴ１は例えば６００ｎｍ程度である。

【0035】

なお、突出部３１ａの厚さＴ１は、発光色に応じて調整されてもよい。例えば、発光色が赤色、緑色、青色のうちのいずれかの色である場合（つまり、有機層の塗り分けが行われる場合）、突出部３１ａの厚さＴ１が薄目になるように、導電層３１が形成され、発光色が白色である場合（つまり、タンデム構造の有機層が実装される場合）、突出部３１ａの厚さＴ１が上記した塗り分けが行われる場合に比べて厚目になるように、導電層３１が形成されてもよい。

【0036】

導電層３１は、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の金属材料によって形成される。

【0037】

絶縁層３２は、導電層３１の突出部３１ａの上面Ｕ１の上に配置されている。絶縁層３２は、上記した第１側面Ｓ１から表示素子２０Ａに向かって張り出し、さらには、第２側面Ｓ２から表示素子２０Ｂに向かって張り出している。第１側面Ｓ１から表示素子２０Ａに向かって張り出す第１部分の幅Ｗ１は、第２側面Ｓ２から表示素子２０Ｂに向かって張り出す第２部分の幅Ｗ２に比べて小さい。つまり、絶縁層３２は、導電層３１を境に非対称な形状を有している。

【0038】

絶縁層３２は、ポリイミド、アクリル樹脂、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ）等の絶縁材料によって形成されている。

【0039】

絶縁層３２の上には、第１電極３３、有機層３４、第２電極３５が、当該絶縁層３２の側からこの順で積層されている。詳しくは後述するが、第１電極３３は、下部電極Ｅ１を形成した際に絶縁層３２の上に積層された層であり、下部電極Ｅ１と同一材料によって形成されている。また、有機層３４は、有機層ＯＲを形成した際に第１電極３３の上に積層された層であり、有機層ＯＲと同一材料によって形成されている。さらに、第２電極３５は、上部電極Ｅ２を形成した際に有機層３４の上に積層された層であり、上部電極Ｅ２と同一材料によって形成されている。

【0040】

絶縁層３２の上に積層された第１電極３３は、その両端において、表示素子２０Ａの上部電極Ｅ２Ａ（第１上部電極）と、表示素子２０Ｂの上部電極Ｅ２Ｂ（第２上部電極）とに接続されている。つまり、表示素子２０Ａの上部電極Ｅ２Ａと、表示素子２０Ｂの上部電極Ｅ２Ｂとは、第１電極３３を介して互いに電気的に接続されている。これによれば、上部電極Ｅ２を、複数の副画素あるいは複数の表示素子に亘って共通に用いられる共通層として機能させることが可能である。

【0041】

なお、図２では、表示素子２０Ａの上部電極Ｅ２Ａと表示素子２０Ｂの上部電極Ｅ２Ｂとが第１電極３３を介して接続されることにより、複数の副画素あるいは複数の表示素子に亘って共通に用いられる上部電極Ｅ２が形成される構成を示したが、これに限定されず、例えば図３に示すように、表示素子２０Ａの上部電極Ｅ２Ａと表示素子２０Ｂの上部電極Ｅ２Ｂとが、第２電極３５を介して接続され、これにより、共通に用いられる上部電極Ｅ２が形成される構成であってもよい。あるいは、図４に示すように、表示素子２０Ａの上部電極Ｅ２Ａと表示素子２０Ｂの上部電極Ｅ２Ｂとが、第１電極３３および第２電極３５の双方と接続され、これにより、共通に用いられる上部電極Ｅ２が形成される構成であってもよい。

【0042】

以上説明した図２に示す構成によれば、下部電極Ｅ１と上部電極Ｅ２との間に配置された有機層ＯＲが位置する部分に、表示素子２０の発光領域を形成することができる。なお、絶縁層３２の上に積層された有機層３４は、下部電極Ｅ１と上部電極Ｅ２との間に配置されていないため、発光しない。

【0043】

また、以上説明した図２に示す構成によれば、隔壁３０は、隣接する２つの表示素子２０の間に配置されている。換言すると、表示素子２０は、２つの隔壁３０の間に配置されている。表示素子２０を構成する下部電極Ｅ１は、２つの隔壁３０のうちの一方の隔壁３０を構成する導電層３１に接続し、当該導電層３１を介して駆動トランジスタ３と電気的に接続されている。表示素子２０を構成する上部電極Ｅ２は、隔壁３０を構成する絶縁層３２の上に配置された第１電極３３および第２電極３５のうちの少なくとも一方を介して、隣接する表示素子２０の上部電極Ｅ２と電気的に接続されている。

【0044】

図５は、図２に示した導電層３１と下部電極Ｅ１とを示す平面図である。図５では、第１方向Ｘに隣接する２つの副画素ＳＰにそれぞれ含まれる導電層３１と下部電極Ｅ１とを示している。

【0045】

導電層３１は、絶縁層１１の上において、下部電極Ｅ１の第２方向Ｙに沿って延びる一辺ＬＹ１に沿って配置され、当該下部電極Ｅ１と接続している。導電層３１は、第２方向Ｙに沿って延び、下部電極Ｅ１に接続される一辺ＬＹ２が、当該下部電極Ｅ１の第２方向Ｙに沿って延びる一辺ＬＹ１以上になるように形成されることが望ましい。図５では、第２方向Ｙに沿って延びる一辺ＬＹ２が、下部電極Ｅ１の第２方向Ｙに沿って延びる一辺ＬＹ１と等しくなるように、導電層３１が形成された場合を示している。

【0046】

導電層３１は、絶縁層１１に形成された開口部ＯＰ１を通じて、画素回路（駆動トランジスタ）に接続されている。下部電極Ｅ１と平面視において重なる領域が、副画素ＳＰ（に含まれる表示素子２０）の発光領域に相当する。

【0047】

副画素ＳＰに含まれる下部電極Ｅ１と、隣接する副画素ＳＰに含まれる導電層３１との間には、所定のスペースが空いている。この所定のスペースは、図２に示した幅Ｗ２を有する絶縁層３２の第２部分と平面視において重なる部分に相当する。

【0048】

下部電極Ｅ１の第２方向Ｙに沿って延びる一辺ＬＹ１に沿って配置された導電層３１は、当該下部電極Ｅ１が、隣接する副画素ＳＰに含まれる下部電極Ｅ１と接続してしまうことを防止するための壁として、さらには、各副画素ＳＰに含まれる下部電極Ｅ１の上に配置される有機層が互いに接続してしまうことを防止するための壁として機能する。

【0049】

図６は、図２に示した導電層３１、絶縁層３２および下部電極Ｅ１と、第２方向Ｙに隣接する副画素ＳＰ間に配置される絶縁層４０とを示す平面図である。
絶縁層３２は導電層３１の上に配置されている。絶縁層３２は、第１方向Ｘに隣接する２つの副画素ＳＰに含まれる下部電極Ｅ１の間に配置されている。絶縁層３２は、第１方向Ｘに沿って延びる一辺が、平面視において重なる導電層３１の第１方向Ｘに沿って延びる一辺に比べて長く、第２方向Ｙに沿って延びる一辺が、平面視において重なる導電層３１の第２方向Ｙに沿って延びる一辺と等しくなるように形成されている。

【0050】

絶縁層１１の上において、第２方向Ｙに隣接する２つの副画素ＳＰの間には、絶縁層４０（第３絶縁層）が第１方向Ｘに沿って配置されている。絶縁層４０は、絶縁層１１の上に配置される有機絶縁層であり、絶縁層１１の表面から第３方向Ｚに沿って、上記した厚さＴ１以上の厚さを有するように形成される。好ましくは、絶縁層４０は、隔壁３０の厚さとほぼ同等の厚さを有するように形成されることが望ましい。絶縁層４０は、第２方向Ｙに隣接する２つの副画素ＳＰに含まれる下部電極Ｅ１や有機層が互いに接続してしまうことを防止するための壁として機能する。

【0051】

図６に示すように、副画素ＳＰ（に含まれる表示素子２０）の発光領域（つまり、下部電極Ｅ１と平面視において重なる領域）は、絶縁層３２および絶縁層４０によって囲まれている。

【0052】

図７～図９は、図２に示した断面構造の形成工程を説明するための図である。
まず、基材１０の上に駆動トランジスタ３が配置される。続いて、絶縁層１１が、基材１０および駆動トランジスタ３を覆うように形成される。次に、駆動トランジスタ３と重なる領域に開口部ＯＰ１が形成される。

【0053】

続いて、隔壁３０を構成する柱状の導電体３１のもととなる導電層が開口部ＯＰ１を覆うように形成され、さらに、隔壁３０を構成する絶縁性の庇３２のもととなる絶縁層が当該導電層の上に形成される。その後、絶縁層をパターニングして絶縁性の庇３２を形成した後に、導電層をサイドエッチングによりパターニングして柱状の導電体３１を形成することで、隔壁３０が形成される。柱状の導電体３１を形成するにあたっては、第２側面Ｓ２側からのエッチングが第１側面Ｓ１側からのエッチングに比べて促進される条件を設定することで、図７に示すような非対称な形状の庇３２を有した隔壁３０が形成される。

【0054】

次に、例えばスパッタリング法により、下部電極Ｅ１を形成する。このとき、ターゲットからの材料は、例えば等方的に放射される。等方的に放射された材料は、絶縁層１１および絶縁性の庇３２の上に堆積すると共に、その一部が絶縁性の庇３２の内側に回り込んで堆積する。上記したように、絶縁性の庇３２は非対称な形状を有しているため、図８に示すように、幅の狭い庇側の第１側面Ｓ１にのみ接続する下部電極Ｅ１が形成される。また、絶縁性の庇３２の上には、第１電極３３が形成される。

【0055】

続いて、例えば真空蒸着法により、有機層ＯＲを形成する。このとき、蒸着源からの蒸気は、例えば等方的に放射される。これによれば、図９に示すように、下部電極Ｅ１の上に有機層ＯＲが形成される。また、第１電極３３の上には、有機層３４が形成される。

【0056】

しかる後、例えばスパッタリング法により、上部電極Ｅ２を形成する。このとき、ターゲットからの材料は、例えば等方的に放射される。これによれば、図２に示したように、有機層ＯＲの上に上部電極Ｅ２が形成され、その両端が第１電極３３と接続される。また、有機層３４の上には、第２電極３５が形成される。

【0057】

以上説明した本実施形態に係る構成によれば、隣接する２つの表示素子２０の間には隔壁３０が配置され、ファインマスクを介することなく形成した有機層ＯＲは、隔壁３０によって分断される。このため、所望の形状の有機層ＯＲを備えた表示素子２０が提供される。したがって、ファインマスクを適用する場合と比較して、製造コストを削減することができ、しかも、ファインマスクの位置合わせ等の工程が不要となり、容易に所望の形状の有機層ＯＲを形成することができる。また、表示素子２０において、所定の領域に発光領域を形成することができる。

【0058】

また、上部電極Ｅ２も有機層ＯＲと同様に隔壁３０によって分断されるが、各上部電極Ｅ２は、隔壁３０に積層される第１電極３３および第２電極３５のうちの少なくとも一方を介して電気的に接続される。第１電極３３および第２電極３５は、表示部ＤＡ、あるいは、表示部ＤＡの外側において所定の電位の給電線と電気的に接続されている。このため、各表示素子２０の上部電極Ｅ２には、第１電極３３および第２電極３５のうちの少なくとも一方を介して所定の電位が供給される。つまり、上部電極Ｅ２の一部での電位降下が抑制される。

【0059】

また、隣接する表示素子２０において、有機層ＯＲが繋がったことに起因する不所望な電流リーク（クロストーク）が抑制される。したがって、表示素子２０において、所望の表示性能を実現することができる。

【0060】

なお、本実施形態では、絶縁性の庇３２の形状を柱状の導電体３１を境に非対称な形状にすることで、柱状の導電体３１の一方の側面にのみ下部電極Ｅ１を接続させるとしたが、これに限定されず、例えば下部電極Ｅ１を形成する材料の放射角に異方性を持たせることで、柱状の導電体３１の一方の側面にのみ下部電極Ｅ１を接続させることを実現してもよい。

【0061】

この場合、図１０に示すように、絶縁性の庇３２は非対称な形状を有していなくて構わない。図１０では、第１側面Ｓ１から張り出した幅と、第２側面Ｓ２から張り出した幅とが共に幅Ｗ３であり、絶縁性の庇３２が対称形状である場合を示している。

【0062】

図１０に示すように、柱状の導電体３１の第１側面Ｓ１にのみ下部電極Ｅ１を接続させるために、ターゲットからの材料は図中右方向から図中左方向に向けて所定の放射角を有して放射される。これによれば、柱状の導電体３１の第１側面Ｓ１に接続し、隣接する別の柱状の導電体３１の第２側面Ｓ２からは離間している下部電極Ｅ１を形成することが可能である。なお、上記したように、ターゲットからの材料は図中右方向から図中左方向に向けて所定の放射角を有して放射されるため、絶縁層３２の上に積層される第１電極３３は、図中右側ほど厚く積層され、図中左側ほど薄く積層される。

【0063】

以上説明した一実施形態によれば、表示素子の性能劣化を抑制することが可能な表示装置を提供することが可能である。

【0064】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0065】

１０…基材、３…駆動トランジスタ、１１…絶縁層、ＯＰ１…開口部、２０…表示素子、Ｅ１…下部電極、ＯＲ…有機層、Ｅ２…上部電極、３０…隔壁、３１…柱状の導電体、３２…絶縁性の庇、３３…第１電極、３４…有機層、３５…第２電極、ＳＰ…副画素。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】