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特開2022-161029有機電界発光素子及び有機電界発光素子用有機金属化合物
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022161029
(43)【公開日】2022-10-20
(54)【発明の名称】有機電界発光素子及び有機電界発光素子用有機金属化合物
(51)【国際特許分類】
C07F 15/00 20060101AFI20221013BHJP
H01L 51/50 20060101ALI20221013BHJP
C09K 11/06 20060101ALI20221013BHJP
【ＦＩ】
C07F15/00 F
H05B33/14 B
C09K11/06 660
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022063617
(22)【出願日】2022-04-06
(31)【優先権主張番号】10-2021-0045146
(32)【優先日】2021-04-07
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110002619
【氏名又は名称】弁理士法人ＰＯＲＴ
(72)【発明者】
【氏名】イ ヒュンジュン
(72)【発明者】
【氏名】キム スンブム
(72)【発明者】
【氏名】アン ウンソ
(72)【発明者】
【氏名】イ ウンヨン
(72)【発明者】
【氏名】イ ジェスン
(72)【発明者】
【氏名】チョン ミナ
【テーマコード（参考）】
3K107
4H050
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC04
3K107CC21
3K107DD53
3K107DD64
3K107DD67
3K107DD69
4H050AA01
4H050AA03
4H050AB92
(57)【要約】 （修正有）
【課題】優れた発光効率及び長寿命特性を有する有機金属化合物及び有機電界有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】一実施形態に係る有機電界有機電界発光素子は、第１電極と、第１電極の上に配置される正孔輸送領域と、正孔輸送領域の上に配置される発光層と、発光層の上に配置される電子輸送領域と、電子輸送領域の上に配置される第２電極と、を含み、発光層は、例えば下記化学式１～４で表される有機金属化合物を含むことで長寿命及び高効率を示す。
【選択図】図３
【解決手段】一実施形態に係る有機電界有機電界発光素子は、第１電極と、第１電極の上に配置される正孔輸送領域と、正孔輸送領域の上に配置される発光層と、発光層の上に配置される電子輸送領域と、電子輸送領域の上に配置される第２電極と、を含み、発光層は、例えば下記化学式１～４で表される有機金属化合物を含むことで長寿命及び高効率を示す。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記化学式１で表される有機金属化合物。
・・・（化学式１）
（前記化学式１において、
Ｍはイリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、テルビウム（Ｔｂ）、ツリウム（Ｔｍ）、またはロジウム（Ｒｈ）であり、
環Ａ～環Ｄのうち少なくとも２つの環はそれぞれ下記化学式２で表され、残りはそれぞれ独立して置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上６０以下の炭化水素環、または置換若しくは無置換の環形成炭素数１以上６０以下のヘテロ環であり、
・・・（化学式２）
前記化学式２において、
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であるか、または隣接する基と互いに結合して環を形成する。）
【化1】
（前記化学式１において、
Ｍはイリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、テルビウム（Ｔｂ）、ツリウム（Ｔｍ）、またはロジウム（Ｒｈ）であり、
環Ａ～環Ｄのうち少なくとも２つの環はそれぞれ下記化学式２で表され、残りはそれぞれ独立して置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上６０以下の炭化水素環、または置換若しくは無置換の環形成炭素数１以上６０以下のヘテロ環であり、
【化2】
前記化学式２において、
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であるか、または隣接する基と互いに結合して環を形成する。）
【請求項2】
前記Ｍはイリジウム（Ｉｒ）または白金（Ｐｔ）である、請求項１に記載の有機金属化合物。
【請求項3】
前記環Ａ～環Ｄのうち２つの環は、それぞれ前記化学式２で表され、残りの２つの環はそれぞれ独立して置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基である、請求項１に記載の有機金属化合物。
【請求項4】
前記化学式１は、下記化学式２－１で表される、請求項１に記載の有機金属化合物。
・・・（化学式２－１）
（前記化学式２－１において、
Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であるか、または隣接する基と互いに結合して環を形成する。）
【化3】
（前記化学式２－１において、
Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であるか、または隣接する基と互いに結合して環を形成する。）
【請求項5】
前記化学式２－１は、下記化学式３で表される、請求項４に記載の有機金属化合物。
・・・（化学式３）
（前記化学式３において、
Ｘ１～Ｘ３、及びＹ１～Ｙ３はそれぞれ独立してＮまたはＣＲａであり、
Ｒａは水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基である。）
【化4】
（前記化学式３において、
Ｘ１～Ｘ３、及びＹ１～Ｙ３はそれぞれ独立してＮまたはＣＲａであり、
Ｒａは水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基である。）
【請求項6】
前記化学式２－１は、下記化学式４で表される、請求項４に記載の有機金属化合物。
・・・（化学式４）
（前記化学式４において、
Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であるか、または隣接する基と互いに結合して環を形成し、
ｅ及びｆはそれぞれ独立して０以上３以下の整数である。）
【化5】
（前記化学式４において、
Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であるか、または隣接する基と互いに結合して環を形成し、
ｅ及びｆはそれぞれ独立して０以上３以下の整数である。）
【請求項7】
前記ｅ及びｆはそれぞれ独立して１以上３以下の整数であり、
前記Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立してシアノ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であるか、または隣接する基と互いに結合して環を形成する、請求項６に記載の有機電界発光素子。
前記Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立してシアノ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であるか、または隣接する基と互いに結合して環を形成する、請求項６に記載の有機電界発光素子。
【請求項8】
前記化学式１で表される有機金属化合物は、下記第１化合物群に示した化合物のうちから選択される少なくとも一つである、請求項１に記載有機金属化合物。
［第１化合物群］
［第１化合物群］
【化6】
【化7】
【化8】
【化9】
【化10】
【化11】
【化12】
【化13】
【請求項9】
第１電極と、
前記第１電極の上に配置される正孔輸送領域と、
前記正孔輸送領域の上に配置される発光層と、
前記発光層の上に配置される電子輸送領域と、
前記電子輸送領域の上に配置される第２電極と、を含み、
前記発光層は、請求項１乃至請求項８のうちいずれか一項に記載の有機金属化合物を含む、有機電界発光素子。
前記第１電極の上に配置される正孔輸送領域と、
前記正孔輸送領域の上に配置される発光層と、
前記発光層の上に配置される電子輸送領域と、
前記電子輸送領域の上に配置される第２電極と、を含み、
前記発光層は、請求項１乃至請求項８のうちいずれか一項に記載の有機金属化合物を含む、有機電界発光素子。
【請求項10】
前記発光層は、りん光発光する、請求項９に記載の有機電界発光素子。
【請求項11】
前記発光層は、ホスト及びドーパントを含み、
前記ドーパントは、請求項１乃至請求項８のうちいずれか一項に記載の有機金属化合物を含む、請求項９に記載の有機電界発光素子。
前記ドーパントは、請求項１乃至請求項８のうちいずれか一項に記載の有機金属化合物を含む、請求項９に記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機電界発光素子及び有機電界発光素子用有機金属化合物に関する。
【背景技術】
【0002】
最近、映像表示装置として、有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｉｓｐｌａｙ）の開発が盛んに行われている。有機電界発光表示装置は液晶表示装置などとは異なって、第１電極及び第２電極から注入された正孔及び電子を発光層において再結合させることで、発光層において有機化合物を含む発光材料を発光させて表示を実現するいわゆる自発光型表示装置である。
【0003】
有機電界発光素子を表示装置に応用するに当たっては、有機電界発光素子の低駆動電圧化、高発光効率化及び長寿命化が要求されており、これを安定的に実現し得る有機電界発光素子用材料の開発が持続的に要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】米国特許第７６５５３２３号明細書
【特許文献2】米国特許第９４６１２５４号明細書
【特許文献3】米国特許第７６５５３２２号明細書
【特許文献4】韓国特許第１０－２０１９－００４２４５９号公報
【特許文献5】米国特許第７２７９７０４号明細書
【特許文献6】韓国特許第１０－２０１４－００２９４７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の目的の一つは、優れた発光効率及び長寿命特性を有する有機金属化合物を提供することである。
【0006】
また、本発明の別の目的は、上記有機金属化合物を発光層に含むことにより高効率及び長寿命特性を有する有機電界発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
一実施形態によれば、下記化学式１で表される有機金属化合物が提供される。
・・・（化学式１）
化学式１において、Ｍはイリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、テルビウム（Ｔｂ）、ツリウム（Ｔｍ）、またはロジウム（Ｒｈ）であり、環Ａ～環Ｄのうち少なくとも２つはそれぞれ下記化学式２で表され、残りはそれぞれ独立して置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上６０以下の炭化水素環、または置換若しくは無置換の環形成炭素数１以上６０以下のヘテロ環である。
・・・（化学式２）
化学式２において、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であるか、または隣接する基と互いに結合して環を形成する。
【化1】
化学式１において、Ｍはイリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、テルビウム（Ｔｂ）、ツリウム（Ｔｍ）、またはロジウム（Ｒｈ）であり、環Ａ～環Ｄのうち少なくとも２つはそれぞれ下記化学式２で表され、残りはそれぞれ独立して置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上６０以下の炭化水素環、または置換若しくは無置換の環形成炭素数１以上６０以下のヘテロ環である。
【化2】
化学式２において、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であるか、または隣接する基と互いに結合して環を形成する。
【0008】
前記Ｍはイリジウム（Ｉｒ）または白金（Ｐｔ）であってもよい。
【0009】
前記環Ａ～環Ｄのうち２つの環はそれぞれ前記化学式２で表され、残りの２つの環はそれぞれ独立して置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であってもよい。
【0010】
前記化学式１は、下記化学式２－１で表されてもよい。
・・・（化学式２－１）
化学式２－１において、Ｒ３～Ｒ４はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であるか、または隣接する基と互いに結合して環を形成し、Ｍ、環Ｂ、環Ｄ、Ｒ１、及びＲ２は化学式１及び化学式２で定義した通りである。
【化3】
化学式２－１において、Ｒ３～Ｒ４はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であるか、または隣接する基と互いに結合して環を形成し、Ｍ、環Ｂ、環Ｄ、Ｒ１、及びＲ２は化学式１及び化学式２で定義した通りである。
【0011】
前記化学式２－１は、下記化学式３で表されてもよい。
・・・（化学式３）
化学式３において、Ｘ１～Ｘ３、及びＹ１～Ｙ３はそれぞれ独立してＮまたはＣＲａであり、Ｒａは水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であり、Ｍ、環Ｂ、環Ｄ、及びＲ１～Ｒ４は化学式１及び化学式２－１で定義した通りである。
【化4】
化学式３において、Ｘ１～Ｘ３、及びＹ１～Ｙ３はそれぞれ独立してＮまたはＣＲａであり、Ｒａは水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であり、Ｍ、環Ｂ、環Ｄ、及びＲ１～Ｒ４は化学式１及び化学式２－１で定義した通りである。
【0012】
前記Ｘ１～Ｘ３のうち少なくとも２つはそれぞれ独立してＣＲａであり、前記Ｙ１乃至Ｙ３のうち少なくとも２つはそれぞれ独立してＣＲａであってもよい。
【0013】
化学式２－１は、下記化学式４で表されてもよい。
・・・（化学式４）
化学式４において、Ｒ５～Ｒ６はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であるか、または隣接する基と互いに結合して環を形成し、ｅ及びｆはそれぞれ独立して０以上３以下の整数であり、Ｍ及びＲ１～Ｒ４は化学式２－１で定義した通りである。
【化5】
化学式４において、Ｒ５～Ｒ６はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であるか、または隣接する基と互いに結合して環を形成し、ｅ及びｆはそれぞれ独立して０以上３以下の整数であり、Ｍ及びＲ１～Ｒ４は化学式２－１で定義した通りである。
【0014】
化学式４のｅ及びｆはそれぞれ独立して１以上３以下の整数であり、化学式４のＲ５及びＲ６はそれぞれ独立してシアノ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であってもよく、または隣接する基と互いに結合して環を形成してもよい。
【0015】
化学式１～化学式４において、Ｒ１～Ｒ４はそれぞれ独立して水素原子または重水素原子であってもよい。
【0016】
化学式１で表される有機金属化合物は、下記第１化合物群に示した化合物のうちから選択される少なくとも一つであってもよい。
［第１化合物群］
［第１化合物群］
【化6】
【化7】
【化8】
【0017】
一実施形態によれば、第１電極と、前記第１電極の上に設けられる正孔輸送領域と、前記正孔輸送領域の上に設けられる発光層と、前記発光層の上に設けられる電子輸送領域と、前記電子輸送領域の上に設けられる第２電極と、を含み、前記発光層は一実施形態に係る有機金属化合物を含む有機電界発光素子が提供される。
【0018】
前記発光層は、りん光発光してもよい。
【0019】
前記発光層はホスト及びドーパントを含み、前記ドーパントは前記一実施形態に係る有機金属化合物を含む。
【発明の効果】
【0020】
本発明の一実施形態による有機電界発光素子は、発光効率が優れている。
【0021】
本発明の一実施形態による有機金属化合物は、有機電界発光素子の発光層の材料として使用される、これを使用することで有機電界発光素子の効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【図1】本発明の一実施形態による表示装置を示す平面図である。
【図2】本発明の一実施形態による表示装置を示す断面図である。
【図3】本発明の一実施形態による有機電界発光素子を概略的に示す断面図である。
【図4】本発明の一実施形態による有機電界発光素子を概略的に示す断面図である。
【図5】本発明の一実施形態による有機電界発光素子を概略的に示す断面図である。
【図6】本発明の一実施形態による有機電界発光素子を概略的に示す断面図である。
【図7】本発明の一実施形態による表示装置を示す断面図である。
【図8】本発明の一実施形態による表示装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0023】
本発明は、多様な変更を加えることができ、多様な形態を有することができるため、特定の実施形態を図面に例示し、本文に詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に対して限定しようと意図するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物または代替物を含むと理解すべきである。
【0024】
各図面を説明しながら、類似した参照符号を類似した構成要素に対して使用している。添付した図面において、構造物の寸法は本発明の明確性のために実際より拡大して示している。第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するために使用されるが、構成要素は該用語に限らない。該用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的でのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しない限り第１構成要素は第２構成要素と称されてもよく、同様に第２構成要素は第１構成要素と称されてもよい。単数の表現は、文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
【0025】
本出願において、「含む」または「有する」などの用語は明細書に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを意味するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部分品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないと理解すべきである。
【0026】
本出願において、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」または「上部に」あるとする場合、これは他の部分の「直上」にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。逆に、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「下に」または「下部に」にあるとする場合、これは他の部分の「直下」にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。また、本出願において、「上に」配置されるとは、上部だけでなく下部に配置される場合も含む。
【0027】
本明細書において、「置換若しくは無置換の」とは、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、シリル基、オキシ基、チオ基、スルフィニル基、スルホニル基、カルボニル基、ボリル基、ホスフィンオキシド基、ホスフィンスルフィド基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、炭化水素環基、アリール基、及びヘテロ環基からなる群より選択される一つ以上の置換基に置換される若しくは無置換であることを意味する。また、前記例示した置換基それぞれは、上記置換基に置換されていてもよく、無置換であってもよい。例えば、ビフェニリル基はアリール基と解釈されてもよく、フェニル基に置換されたフェニル基と解釈されてもよい。
【0028】
本明細書において、「隣接する基と互いに結合して環を形成」するとは、隣接する基と互いに結合して置換若しくは無置換の炭化水素環、または置換若しくは無置換のヘテロ環を形成することを意味する。炭化水素環は、脂肪族炭化水素環及び芳香族炭化水素環を含む。ヘテロ環は、脂肪族ヘテロ環及び芳香族ヘテロ環を含む。炭化水素環及びヘテロ環は、単環または多環である。また、互いに結合して形成される環は、他の環と結合されてスピロ構造を形成してもよい。
【0029】
本明細書において、「隣接する基」とは当該置換基が置換された原子と直接結合された原子に置換された置換基、当該置換基が置換された原子に置換された他の置換基、または当該置換基と立体構造的に最も隣接した置換基を意味する。例えば、１，２－ジメチルベンゼンにおける２つのメチル基は互いに「隣接する基」と解釈され、１，１－ジエチルシクロペンタンにおける２つのエチル基は互いに「隣接する基」と解釈される。また、４，５－ジメチルフェナントレンにおける２つのメチル基は互いに「隣接する基」と解釈される。
【0030】
本明細書において、ハロゲン原子の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子が挙げられる。
【0031】
本明細書において、アルキル基は直鎖、分枝鎖、または環状である。アルキル基の炭素数は、１以上５０以下、１以上３０以下、１以上２０以下、１以上１０以下、または１以上６以下である。アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｉ－ブチル基、２－エチルブチル基、３，３－ジメチルブチル基、ｎ－ペンチル基、ｉ－ペンチル基、ネオペンチル基、ｔ－ペンチル基、シクロペンチル基、１－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、２－エチルペンチル基、４－メチル－２－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、１－メチルヘキシル基、２－エチルヘキシル基、２－ブチルヘキシル基、シクロヘキシル基、４－メチルシクロヘキシル基、４－ｔ－ブチルシクロヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、１－メチルペプチル基、２，２－ジメチルヘプチル基、２－エチルヘプチル基、２－ブチルヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｔ－オクチル基、２－エチルオクチル基、２－ブチルオクチル基、２－ヘキシルオクチル基、３，７－ジメチルオクチル基、シクロオクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、アダマンチル基、２－エチルデシル基、２－ブチルデシル基、２－ヘキシルデシル基、２－オクチルデシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基、２－エチルドデシル基、２－ブチルドデシル基、２－ヘキシルドデシル基、２－オクチルデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、２－エチルヘキサデシル基、２－ブチルヘキサデシル基、２－ヘキシルヘキサデシル基、２－オクチルヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－ノナデシル基、ｎ－イコシル基、２－エチルイコシル基、２－ブチルイコシル基、２－ヘキシルイコシル基、２－オクチルイコシル基、ｎ－ヘンイコシル基、ｎ－ドコシル基、ｎ－トリコシル基、ｎ－テトラコシル基、ｎ－ペンタコシル基、ｎ－ヘキサコシル基、ｎ－ヘプタコシル基、ｎ－オクタコシル基、ｎ－ノナコシル基、及びｎ－トリアコンチル基などが挙げられるが、これらに限らない。
【0032】
本明細書において、炭化水素環基は、脂肪族炭化水素環基及び芳香族炭化水素環基を含む。芳香族炭化水素環基はアリール基である。脂肪族炭化水素環及び芳香族炭化水素環は、単環または多環である。
【0033】
本明細書において、脂肪族炭化水素環基は環形成炭素数５以上２０以下の飽和炭化水素環から誘導される任意の作用基または置換基を意味する。
【0034】
本明細書において、アリール基は芳香族炭化水素環から誘導される任意の作用基または置換基を意味する。アリール基は、単環式アリール基または多環式アリール基である。アリール基の環形成炭素数は、６以上３０以下、６以上２０以下、または６以上１５以下である。アリール基の例としては、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、クォーターフェニリル基、キインクフェニリル基、セクシフェニリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、ベンゾフルオランテニル基、クリセニル基などが挙げられるが、これらに限らない。
【0035】
本明細書において、フルオレニル基は置換されてもよく、２つの置換基が互いに結合してスピロ構造を形成してもよい。フルオレニル基が置換される場合の例示は以下のようである。但し、これに限らない。
【化9】
【0036】
本明細書において、ヘテロ環基はヘテロ原子としてＢ、Ｏ、Ｎ、Ｐ、Ｓｉ、及びＳのうち一つ以上を含む環から誘導される任意の作用基または置換基を意味する。ヘテロ環基は、脂肪族ヘテロ環基及び芳香族ヘテロ環基を含む。芳香族ヘテロ環基はヘテロアリール基であってもよい。脂肪族ヘテロ環及び芳香族ヘテロ環は、単環または多環である。
【0037】
本明細書において、ヘテロ環基がヘテロ原子を２つ以上含む場合、２つ以上のヘテロ原子は互いに同じであってもよく、異なってもよい。ヘテロ環基は単環式ヘテロ環基または多環式ヘテロ環基であってもよく、ヘテロアリール基を含む概念である。ヘテロ環基の環形成炭素数は、２以上３０以下、２以上２０以下、または２以上１０以下である。
【0038】
本明細書において、脂肪族ヘテロ環基の環形成炭素数は、２以上３０以下、２以上２０以下、または２以上１０以下である。脂肪族ヘテロ環基の例としては、オキシラン、チイラン、ピロリジン、ピペリジン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロチオフェン、チアン、テトラヒドロピラン、１，４－ジオキサンから誘導される基などが挙げられるが、これらに限らない。
【0039】
本明細書において、ヘテロアリール基は、単環式ヘテロ環基または多環式ヘテロ環基である。ヘテロアリール基の環形成炭素数は、２以上３０以下、２以上２０以下、または２以上１０以下である。ヘテロアリール基の例としては、チオフェン、フラン、ピロール、イミダゾール、トリアゾール、ピリジン、ビピリジン、ピリミジン、トリアジン、トリアゾール、アクリジル、ピリダジン、ピリジニル、キノリン、キナゾリン、キノキサリン、フェノキサン、フタラジン、ピリドピリミジン、ピリドピラジン、ピラジノピラジン、イソキノリン、インドール、カルバゾール、Ｎ－アリールカルバゾール、Ｎ－ヘテロアリールカルバゾール、Ｎ－アルキルカルバゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾカルバゾール、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、チエノチオフェン、ベンゾフラン、フェナントロリン、チアゾール、イソオキサゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェノチアジン、ジベンゾシロール、及びジベンゾフランから誘導される基などが挙げられるが、これらに限らない。
【0040】
本明細書において、アリーレン基は２価基であることを除いては、上述したアリール基に関する説明が適用される。ヘテロアリーレン基は２価基であることを除いては、上述したヘテロアリール基に関する説明が適用される。
【0041】
本明細書において、シリル基はアルキルシリル基及びアリールシリル基を含む。シリル基の例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ－ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ジフェニルシリル基、フェニルシリル基などが挙げられるが、これらに限らない。
【0042】
本明細書において、チオ基はアルキルチオ基及びアリールチオ基を含む。チオ基は、前記定義されたアルキル基またはアリール基に硫黄原子が結合されている基を意味する。チオ基の例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基、フェニルチオ基、ナフチルチオ基などが挙げられるが、これらに限らない。
【0043】
本明細書において、アルケニル基は直鎖または分枝鎖であってもよい。炭素数は特に限らないが、２以上３０以下、２以上２０以下、または２以上１０以下である。アルケニル基の例としては、ビニル基、１－ブテニル基、１－ペンテニル基、１，３－ブタジエニルアリール基、スチレニル基、スチリルビニル基などが挙げられるが、これらに限らない。
【0044】
本明細書において、アミノ基の炭素数は特に限らないが、１以上３０以下である。アミノ基は、アルキルアミノ基及びアリールアミノ基を含む。アミノ基の例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、９－メチル－アントラセニルアミノ基などが挙げられるが、これらに限らない。
【0045】
本明細書において、アルキルチオ基、アルキルスルホキシ基、アルキルアリール基、アルキルアミノ基、アルキルボリル基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基のうち、アルキル基は上述したアルキル基の例示のとおりである。
【0046】
本明細書において、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールスルホキシ基、アリールアミノ基、アリールボリル基、アリールシリル基のうち、アリール基は上述したアリールのとおりである。
【0047】
本明細書において、直接結合（ｄｉｒｅｃｔ ｌｉｎｋａｇｅ）は単結合を意味する。
【0048】
【0049】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。
【0050】
【0051】
表示装置ＤＤは、表示パネルＤＰと、表示パネルＤＰの上に配置される光学層ＰＰとを含む。表示パネルＤＰは有機電界発光素子ＥＤ－１、ＥＤ－２、ＥＤ－３を含む。表示装置ＤＤは複数個の有機電界発光素子ＥＤ－１、ＥＤ－２、ＥＤ－３を含む。光学層ＰＰは表示パネルＤＰの上に設けられ、外部光による表示パネルＤＰにおける反射光を制御する。光学層ＰＰは、例えば偏光層を含むか、またはカラーフィルタ層を含んでもよい。一方、図示とは異なって、一実施形態に係る表示装置ＤＤにおいて、光学層ＰＰは省略されてもよい。
【0052】
光学層ＰＰの上にはベース基板ＢＬが配置される。ベース基板ＢＬは、光学層ＰＰが配置されるベース面を提供する部材である。ベース基板ＢＬは、ガラス基板、金属基板、プラスチック基板などである。しかし、これに限らず、ベース基板ＢＬは無機層、有機層、または複合材料層であってもよい。また、図示とは異なって、一実施形態に係る表示装置ＤＤにおいて、ベース基板ＢＬは省略されてもよい。
【0053】
一実施形態による表示装置ＤＤは、充填層（図示せず）を更に含んでもよい。充填層（図示せず）は、表示パネルＤＰの表示素子層ＤＰ－ＥＤとベース基板ＢＬとの間に配置されてもよい。充填層（図示せず）は有機物層であってもよい。充填層（図示せず）は、例えば、アクリル系樹脂、シリコン系樹脂、及びエポキシ系樹脂のうち少なくとも一つを含んでもよい。
【0054】
表示パネルＤＰは、ベース層ＢＳ、ベース層ＢＳの上に設けられる回路層ＤＰ－ＣＬ、及び表示素子層ＤＰ－ＥＤを含む。表示素子層ＤＰ－ＥＤは、画素定義膜ＰＤＬ、互いに隣接する画素定義膜ＰＤＬの間に設けられる有機電界発光素子ＥＤ－１、ＥＤ－２、ＥＤ－３、及び有機電界発光素子ＥＤ－１、ＥＤ－２、ＥＤ－３の上に設けられる封止層ＴＦＥを含む。
【0055】
ベース層ＢＳは、表示素子層ＤＰ－ＥＤが配置されるベース面を提供する部材である。ベース層ＢＳは、ガラス基板、金属基板、プラスチック基板などである。しかし、これらに限らず、ベース層ＢＳは無機層、有機層、または複合材料層であってもよい。
【0056】
一実施形態において、回路層ＤＰ－ＣＬはベース層ＢＳの上に配置され、回路層ＤＰ－ＣＬは複数のトランジスタ（図示せず）を含む。トランジスタ（図示せず）は、それぞれ制御電極、入力電極、及び出力電極を含む。例えば、回路層ＤＰ－ＥＤは、表示素子層ＤＰ－ＥＤの有機電界発光素子ＥＤ－１、ＥＤ－２、ＥＤ－３を駆動するためのスイッチングトランジスタ及び駆動トランジスタを含んでもよい。
【0057】
有機電界発光素子ＥＤ－１、ＥＤ－２、ＥＤ－３それぞれは、後述する図３～図６に示す一実施形態に係る有機電界発光素子ＥＤの構造を有する。有機電界発光素子ＥＤ－１、ＥＤ－２、ＥＤ－３それぞれは、第１電極ＥＬ１、正孔輸送領域ＨＴＲ、発光層ＥＭＬ－Ｒ、ＥＭＬ－Ｇ、ＥＭＬ－Ｂ、電子輸送領域ＥＴＲ、及び第２電極ＥＬ２を含む。
【0058】
図２では、画素定義膜ＰＤＬに定義された開口部ＯＨ内に有機電界発光素子ＥＤ－１、ＥＤ－２、ＥＤ－３の発光層ＥＭＬ－Ｒ、ＥＭＬ－Ｇ、ＥＭＬ－Ｂが配置され、正孔輸送領域ＨＴＲ、電子輸送領域ＥＴＲ、及び第２電極ＥＬ２は有機電界発光素子ＥＤ－１、ＥＤ－２、ＥＤ－３全体で共通層として設けられる例を示している。しかし、実施形態はこれに限らず、図２に示す構造とは異なって、正孔輸送領域ＨＴＲ及び電子輸送領域ＥＴＲは画素定義膜ＰＤＬに定義された開口部ＯＨの内部にパターニングされてもよい。例えば、一実施形態において、有機電界発光素子ＥＤ－１、ＥＤ－２、ＥＤ－３の正孔輸送領域ＨＴＲ、発光層ＥＭＬ－Ｒ、ＥＭＬ－Ｇ、ＥＭＬ－Ｂ、及び電子輸送領域ＥＴＲなどはインクジェットプリント法でパターニングされてもよい。
【0059】
封止層ＴＦＥは、有機電界発光素ＥＤ－１、ＥＤ－２、ＥＤ－３をカバーする。封止層ＴＦＥは、表示素子層ＤＰ－ＥＤを密封する。封止層ＴＦＥは薄膜封止層である。封止層ＴＦＥは一層または複数の層が積層されている構造を有してもよい。封止層ＴＦＥは少なくとも一つの絶縁層を含む。一実施形態による封止層ＴＦＥは、少なくとも一つの無機膜（以下、封止無機膜）を含む。また、一実施形態による封止層ＴＦＥは、少なくとも一つの有機膜（以下、封止有機膜）、及び少なくとも一つの封止無機膜を含む。
【0060】
封止無機膜は水分／酸素から表示素子層ＤＰ－ＥＤを保護し、封止有機膜はほこり粒子のような異物から表示素子層ＤＰ－ＥＤを保護する。封止無機膜は、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライド、シリコンオキシド、チタンオキシド、またはアルミニウムオキシドなどを含んでもよいが、特にこれらに限らない。封止有機膜は、アクリル系化合物、エポキシ系化合物などを含んでもよい。封止有機膜は、光重合可能な有機物質を含むが、特にこれに限らない。
【0061】
封止層ＴＦＥは、第２電極ＥＬ２の上に配置され、開口部ＯＨを埋めるように設けられる。
【0062】
図１及び図２を参照すると、表示装置ＤＤは、非発光領域ＮＰＸＡ、及び発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂを含む。発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂそれぞれは、有機電界発光素子ＥＤ－１、ＥＤ－２、ＥＤ－３それぞれから生成された光が放出される領域である。発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂは平面上で互いに離隔されている。
【0063】
発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂそれぞれは、画素定義膜ＰＤＬで区分される領域である。非発光領域ＮＰＸＡは、隣り合う発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの間の領域であって、画素定義膜ＰＤＬと対応する領域である。一方、本明細書において、発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂそれぞれは、画素（Ｐｉｘｅｌ）に対応する。画素定義膜ＰＤＬは、有機電界発光素子ＥＤ－１、ＥＤー２、ＥＤ－３を区分する。有機電界発光素子ＥＤ－１、ＥＤ－２、ＥＤ－３の発光層ＥＭＬ－Ｒ、ＥＭＬ－Ｇ、ＥＭＬ－Ｂは、画素定義膜ＰＤＬに定義される開口部ＯＨに配置されて区分される。
【0064】
発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂは、有機電界発光素子ＥＤ－１、ＥＤ－２、ＥＤ－３から生成される光のカラーに応じて複数個のグループに区分される。図１及び図２に示した一実施形態に係る表示装置ＤＤでは、赤色光、緑色光、及び青色光を発光する３つの発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂを例示的に示している。例えば、表示装置ＤＤは、互いに区分される赤色発光領域ＰＸＡ－Ｒ、緑色発光領域ＰＸＡ－Ｇ、及び青色発光領域ＰＸＡ－Ｂを含んでもよい。
【0065】
表示装置ＤＤにおいて、複数の有機電界発光素子ＥＤ－１、ＥＤ－２、ＥＤ－３は互いに異なる波長領域の光を放出する。例えば、一実施形態において、表示装置ＤＤは、赤色光を放出する第１有機電界発光素子ＥＤ－１、緑色光を放出する第２有機電界発光素子ＥＤ－２、及び青色光を放出する第３有機電界発光素子ＥＤ－３を含んでもよい。つまり、表示装置ＤＤの赤色発光領域ＰＸＡ－Ｒ、緑色発光領域ＰＸＡ－Ｇ、及び青色発光領域ＰＸＡ－Ｂは、それぞれ第１有機電界発光素子ＥＤ－１、第２有機電界発光素子ＥＤ－２、及び第３有機電界発光素子ＥＤ－３に対応する。
【0066】
しかし、実施形態はこれに限らず、第１～第３有機電界発光素子ＥＤ－１、ＥＤ－２、ＥＤ－３は、同じ波長領域の光を放出してもよく、または、少なくとも一つが異なる波長領域の光を放出してもよい。また、第１～第３有機電界発光素子ＥＤ－１、ＥＤ－２、ＥＤ－３は、いずれも青色光を放出してもよい。
【0067】
一実施形態による表示装置ＤＤにおける発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂは、ストライプ状に配列されている。図１を参照すると、複数個の赤色発光領域ＰＸＡ－Ｒ、複数個の緑色発光領域ＰＸＡ－Ｇ、及び複数個の青色発光領域ＰＸＡ－Ｂは、それぞれ第２方向軸ＤＲ２に沿って整列されている。また、第１方向軸ＤＲ１に沿って赤色発光領域ＰＸＡ－Ｒ、緑色発光領域ＰＸＡ－Ｇ、及び青色発光領域ＰＸＡ－Ｂの順に交互に配列されている。
【0068】
図１及び図２では、発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの面積がいずれも類似しているように示したが、実施形態はこれにかぎらず、発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの面積は放出する光の波長領域によって互いに異なっていてもよい。ここで、発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの面積は、第１方向軸ＤＲ１と第２方向軸ＤＲ２とにより定義される平面上から見た際の発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの面積を意味する。
【0069】
また、発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの配列形態は図１に示した配列に限らず、赤色発光領域ＰＸＡ－Ｒ、緑色発光領域ＰＸＡ－Ｇ、及び青色発光領域ＰＸＡ－Ｂが配列される順番は、表示装置ＤＤに要求される表示品質の特性に応じて多様に組み合わせられる。例えば、発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの配列形態は、ペンタイル（ｐｅｎｔｉｌｅ）配列形態であってもよく、ダイヤモンド配列形態であってもよい。
【0070】
また、発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの面積は互いに異なってもよい。例えば、一実施形態において、緑色発光領域ＰＸＡ－Ｇの面積は青色発光領域ＰＸＡ－Ｂの面積より小さくてもよいが、実施形態はこれに限らない。
【0071】
以下、図３～図６は、一実施形態に係る有機電界発光素子を概略的に示す断面図である。本発明の一実施形態による有機電界発光素子ＥＤは、順次に積層される第１電極ＥＬ１、正孔輸送領域ＨＴＲ、発光層ＥＭＬ、電子輸送領域ＥＴＲ、及び第２電極ＥＬ２を含む。
【0072】
図４は図３とは異なり、正孔輸送領域ＨＴＲが正孔注入層ＨＩＬ及び正孔輸送層ＨＴＬを含み、電子輸送領域ＥＴＲが電子注入層ＥＩＬ及び電子輸送層ＥＴＬを含む一実施形態に係る有機電界発光素子ＥＤの断面図である。また、図５は図３とは異なり、正孔輸送領域ＨＴＲが正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、及び電子阻止層ＥＢＬを含み、電子輸送領域ＥＴＲが電子注入層ＥＩＬ、電子輸送層ＥＴＬ、及び正孔阻止層ＨＢＬを含む一実施形態に係る有機電界発光素子ＥＤの断面図を示す。図６は図４とは異なり、第２電極ＥＬ２の上に配置されるキャッピング層ＣＰＬを含む一実施形態に係る有機電界発光素子ＥＤの断面図を示す。
【0073】
第１電極ＥＬ１は導電性を有する。第１電極ＥＬ１は、金属合金または導電性化合物からなる。第１電極ＥＬ１はアノード（ａｎｏｄｅ）またはカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）である。しかし、実施形態はこれに限らない。また、第１電極ＥＬ１は画素電極である。第１電極ＥＬ１は、透過型電極、半透過型電極、または反射型電極である。第１電極ＥＬ１が透過型電極であれば、第１電極ＥＬ１は、透明金属酸化物、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）などを含む。第１電極ＥＬ１が半透過型電極または反射型電極であれば、第１電極ＥＬ１は、Ａｇ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、またはこれらの化合物や混合物（例えば、ＡｇとＭｇの合金）を含む。または、第１電極ＥＬ１は、前記物質からなる反射膜や半透過膜、及びＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＩＴＺＯなどからなる透明導電膜を含む複数の層構造を有してもよい。例えば、第１電極ＥＬ１はＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの３槽構造を有してもよいが、これに限らない。第１電極ＥＬ１の厚さは約７０ｎｍ～約１０００ｎｍである。例えば、第１電極ＥＬ１の厚さは、約１００ｎｍ～約３００ｎｍであってもよい。
【0074】
正孔輸送領域ＨＴＲは、第１電極ＥＬ１の上に配置される。正孔輸送領域ＨＴＲは、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、正孔バッファ層（図示せず）、及び電子阻止層ＥＢＬのうち少なくとも一つを含む。正孔輸送領域ＨＴＲの厚さは、例えば、約５ｎｍ～約１５００ｎｍあってもよい。
【0075】
正孔輸送領域ＨＴＲは、単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層、または複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有する。
【0076】
例えば、正孔輸送領域ＨＴＲは、正孔注入層ＨＩＬまたは正孔輸送層ＨＴＬの単一層の構造を有してもよく、正孔注入物質及び正孔輸送物質からなる単一層の構造を有してもよい。また、正孔輸送領域ＨＴＲは、複数の互いに異なる物質からなる単一層の構造を有してもよく、第１電極ＥＬ１から順番に積層される正孔注入層ＨＩＬ／正孔輸送層ＨＴＬ、正孔注入層ＨＩＬ／正孔輸送層ＨＴＬ／正孔バッファ層（図示せず）、正孔注入層ＨＩＬ／正孔バッファ層（図示せず）、正孔輸送層ＨＴＬ／正孔バッファ層（図示せず）、または正孔注入層ＨＩＬ／正孔輸送層ＨＴＬ／電子阻止層ＥＢＬの構造を有してもよいが、実施形態はこれらに限らない。
【0077】
正孔輸送領域ＨＴＲは、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法（Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）、インクジェットプリント法、レーザプリント法、レーザ熱転写法（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ、ＬＩＴＩ）などのような多様な方法を利用して形成される。
【0078】
正孔輸送領域ＨＴＲは下記化学式Ｈ－１で表される化合物を含む。
・・・（化学式Ｈ－１）
【化10】
【0079】
化学式Ｈ－１において、Ｌ１及びＬ２はそれぞれ独立して単結合、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリーレン基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリーレン基である。ａ及びｂはそれぞれ独立して０以上１０以下の整数であり、ａが０の場合Ｌ１は単結合であり、ｂが０の場合Ｌ２は単結合である。一方、ａまたはｂが２以上の整数であれば、複数のＬ１及びＬ２はそれぞれ独立して置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリーレン基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリーレン基である。
【0080】
化学式Ｈ－１において、Ａｒ１～Ａｒ２はそれぞれ独立して置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基である。また、化学式Ｈ－１において、Ａｒ３は置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基である。
【0081】
化学式Ｈ－１で表される化合物は、モノアミン化合物であってもよい。または、化学式Ｈ－１で表される化合物は、Ａｒ１～Ａｒ３のうち少なくとも一つがアミノ基を置換基として含むジアミン化合物であってもよい。または、化学式Ｈ－１で表される化合物は、Ａｒ１～Ａｒ２のうち少なくとも一つに置換若しくは無置換のカルバゾリル基を含むカルバゾール系化合物、またはＡｒ１～Ａｒ２のうち少なくとも一つに置換若しくは無置換フルオレニル基を含むフルオレン系化合物であってもよい。
【0082】
化学式Ｈ－１で表される化合物は、下記化合物群Ｈの化合物のうちいずれか一つで表されてもよい。しかし、下記化合物群Ｈに並べられた化合物は例示的なものであって、化学式Ｈ－１で表される化合物は下記化合物群Ｈに示されたものに限らない。
［化合物群Ｈ］
［化合物群Ｈ］
【化11】
【化12】
【化13】
【化14】
【化15】
【0083】
正孔輸送領域ＨＴＲは、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物、ＤＮＴＰＤ（Ｎ１，Ｎ１’－（［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジイル）ビス（Ｎ１－フェニル－Ｎ４，Ｎ４－ジ－ｍ－トリルベンゼン－１，４－ジアミン））、ｍ－ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”－［トリス（３－メチルフェニル）フェニルアミノ）トリフェニルアミノ］、ＴＤＡＴＡ（４，４’，４”－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン）、１－ＴＮＡＴＡ（４，４’，４”－トリス［Ｎ-（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］－トリフェニルアミン）、２－ＴＮＡＴＡ（４，４’，４”－トリス［Ｎ-（２－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］－トリフェニルアミン）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルフォナート））、ＰＡＮＩ／ＤＢＳＡ（ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸）、ＰＡＮＩ／ＣＳＡ（ポリアニリン／カンファースルホン酸）、ＰＡＮＩ／ＰＳＳ（ポリアニリン／ポリ（４－スチレンスルフォナート））、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ベンジジン）、トリフェニルアミンを含むポリエテールケトン（ＴＰＡＰＥＫ）、４－イソプロピル－４’－メチルジフェニルヨードニウム［テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート］、ＨＡＴＣＮ（ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル）などを含んでもよい。
【0084】
正孔輸送領域ＨＴＲは、例えば、Ｎ－フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカルバゾール系誘導体、フルオレン系誘導体、ＴＰＤ（Ｎ、Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン）、ＴＣＴＡ（４，４’，４”－トリス（Ｎ－カルバゾリル）トリフェニルアミン）などのようなトリフェニルアミン系誘導体、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ベンジジン）、ＴＡＰＣ（４，４’－シクロへキシリデンビス［Ｎ，Ｎ－ビス（４－メチルフェニル）ベンゼンアミン］）、ＨＭＴＰＤ（４，４’－ビス［Ｎ，Ｎ’－（３－トリル）アミノ］－３，３’－ジメチルビフェニル）、ｍＣＰ（１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン）などを含んでもよい。
【0085】
正孔輸送領域ＨＴＲは、ＣｚＳｉ（９－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３，６－ビス（トリフェニルシリル）－９Ｈ－カルバゾール）、ＣＣＰ（９－フェニル－９Ｈ－３，９’－ビカルバゾール）、またはｍＤＣＰ（１，３－ビス（１，８－ジメチル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ベンゼン）などを更に含んでもよい。
【0086】
正孔輸送領域ＨＴＲは、上述した正孔輸送領域の化合物を正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、及び電子阻止層ＥＢＬのうち少なくとも一つに含む。
【0087】
正孔輸送領域ＨＴＲの厚さは、約１０ｎｍ～約１０００ｎｍ、例えば約１０ｎｍ～約５００ｎｍであってもよい。正孔注入層ＨＩＬの厚さは、例えば約３ｎｍ～約１００ｎｍであり、正孔輸送層ＨＴＬの厚さは、約３ｎｍ～約１００ｎｍである。例えば、電子阻止層ＥＢＬの厚さは、約１ｎｍ～約１００ｎｍであってもよい。正孔輸送領域ＨＴＲ、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、及び電子阻止層ＥＢＬの厚さが上述したような範囲を満たす場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに十分な正孔輸送特性が得られる。
【0088】
正孔輸送領域ＨＴＲは、上述した物質以外に、導電性を向上するために電荷生成物質を更に含んでもよい。電荷発生物質は、正孔輸送領域ＨＴＲ内に均一にまたは不均一に分散されている。電荷発生物質は、例えば、ｐ－ドーパント（ｄｏｐａｎｔ）である。ｐ－ドーパントはキノン誘導体、金属酸化物及びシアノ基含有化合物のうち一つであってもよいが、これらに限らない。例えば、ｐ－ドーパントの例としては、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）及びＦ４－ＴＣＮＱ（２，３，５，６－テトラフルオロ－７，７’，８，８－テトラシアノキノジメタン）などのようなキノン誘導体、タングステン酸化物、及びモリブデン酸化物のような金属酸化物などが挙げられるが、これらに限らない。
【0089】
上述したように、正孔輸送領域ＨＴＲは、正孔注入層ＨＩＬ及び正孔輸送層ＨＴＬ以外に、正孔バッファ層（図示せず）及び電子阻止層ＥＢＬのうち少なくとも一つを更に含んでもよい。正孔バッファ層（図示せず）は、発光層ＥＭＬから放出される光の波長による共振距離を補償して光放出効率を増加させる。正孔バッファ層（図示せず）に含まれる物質としては、正孔輸送領域ＨＴＲに含まれ得る物質を使用する。電子阻止層ＥＢＬは、電子輸送領域ＥＴＲから正孔輸送領域ＨＴＲへの電子の注入を防止する役割をする層である。
【0090】
発光層ＥＭＬは正孔輸送領域ＨＴＲの上に配置される。発光層ＥＭＬは、例えば、約１０ｎｍ～約１００ｎｍ、または約１０ｎｍ～約３０ｎｍの厚さを有する。発光層ＥＭＬは、単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層、または複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有する。
【0091】
一実施形態に係る有機電界発光素子ＥＤにおいて、発光層ＥＭＬは後述する一実施形態に係る有機金属化合物を含む。
【0092】
一実施形態に係る有機金属化合物は、下記化学式１で表される。
・・・（化学式１）
【化16】
【0093】
化学式１において、Ｍはイリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、テルビウム（Ｔｂ）、ツリウム（Ｔｍ）、またはロジウム（Ｒｈ）である。化学式１における結合を示す実線は、Ｍと環Ａ～環Ｄ、及び環Ａ～環Ｄ同士が結合していることのみを示しており、結合は単結合及び二重結合を含む。
【0094】
化学式１において、環Ａ～環Ｄのうち少なくとも２つの環は、それぞれ下記化学式２で表され、残りはそれぞれ独立して置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上６０以下の炭化水素環基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数１以上６０以下のヘテロ環基である。
・・・（化学式２）
【化17】
【0095】
化学式２において、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であり、隣接する基と互いに結合して環を形成してもよい。
【0096】
【0097】
一実施形態において、Ｍはイリジウム（Ｉｒ）または白金（Ｐｔ）であってもよい。
【0098】
化学式１で表される一実施形態に係る有機金属化合物は、化学式２で表されるリガンド（配位子）を含むことにより、改善されたＭＬＣＴ（Ｍｅｔａｌ ｔｏ Ｌｉｇａｎｄ Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）割合を示す。一実施形態の有機金属化合物は、高いＭＬＣＴ割合を示すことで、発光層の材料として使用される場合、有機電界発光素子の効率の向上に寄与する。一方、本明細書で説明されたＭＬＣＴ割合は３ＭＬＣＴ（ｔｒｉｐｌｅｔ Ｍｅｔａｌ ｔｏ Ｌｉｇａｎｄ Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）割合を意味し、中心金属原子（Ｍ）からリガンド（配位子）に１００％電荷移動される場合を基準にする際の相対的な割合を示す。
【0099】
一実施形態において、化学式１の環Ａ～環Ｄのうち２つの環はそれぞれ上記化学式２で表され、残りの２つの環はそれぞれ独立して置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基である。
【0100】
一実施形態において、化学式１は下記化学式２－１で表されてもよい。
・・・・（化学式２－１）
【化18】
【0101】
化学式２－１において、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であり、隣接する基と互いに結合して環を形成してもよい。
【0102】
化学式２－１において、Ｍ、環Ｂ、環Ｄ、Ｒ１、及びＲ２は化学式１及び化学式２で定義した通りである。
【0103】
一実施形態において、化学式２－１は下記化学式３で表されてもよい。
・・・（化学式３）
【化19】
【0104】
化学式３において、Ｘ１～Ｘ３、及びＹ１～Ｙ３はそれぞれ独立してＮまたはＣＲａであり、Ｒａは水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基である。
【0105】
化学式３において、Ｍ、環Ｂ、環Ｄ、及びＲ１～Ｒ４は化学式２－１で定義した通りである。
【0106】
一実施形態において、化学式３のＸ１～Ｘ３のうち少なくとも２つはそれぞれ独立してＣＲａであってもよく、化学式３のＹ１～Ｙ３のうち少なくとも２つはそれぞれ独立してＣＲａであってもよい。
【0107】
一実施形態において、化学式２－１は下記化学式４で表されてもよい。
・・・（化学式４）
【化20】
【0108】
化学式４において、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であり、隣接する基と互いに結合して環を形成してもよい。
【0109】
化学式４において、ｅ及びｆはそれぞれ独立して０以上３以下の整数である。ｅが０の場合、Ｒ５は水素原子であり、ｆが０の場合、Ｒ６は水素原子である。一方、ｅが２以上であれば複数のＲ５は互いに同じであっても異なってもよく、ｆが２以上であれば複数のＲ６は互いに同じであっても異なってもよい。
【0110】
化学式４において、Ｍ及びＲ１～Ｒ４は化学式２－１で定義した通りである。
【0111】
一実施形態において、化学式４のｅ及びｆはそれぞれ独立して１以上３以下の整数であり、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立してシアノ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であり、隣接する基と互いに結合して環を形成してもよい。
【0112】
一実施形態において、化学式４のＲ１～Ｒ４はそれぞれ独立して水素原子または重水素原子であってもよい。
【0113】
一実施形態の有機金属化合物は、下記第１化合物群に示した化合物のうちいずれか一つで表されてもよい。発光層ＥＭＬは、下記第１化合物群に示した化合物のうち少なくとも一つを含む。
［第１化合物群］
［第１化合物群］
【化21】
【化22】
【化23】
【0114】
一実施形態の有機電界発光素子ＥＤにおいて、発光層ＥＭＬは、上記一実施形態に係る有機金属化合物を含むことにより、改善された発光効率特性を示す。一実施形態に係る有機金属化合物は、オキサゾリジンカルベンからなる環状リガンドを含むことにより、向上された３ＭＬＣＴ割合を示す。
【0115】
【0116】
一実施形態において、発光層ＥＭＬはりん光発光する。例えば、化学式１で表される一実施形態に係る有機金属化合物はりん光ドーパントであってもよい。
【0117】
発光層ＥＭＬは、上述した一実施形態に係る有機金属化合物以外にホスト材料を更に含んでもよい。一実施形態の有機電界発光素子ＥＤにおいて、発光層ＥＭＬはホスト材料として当技術分野で知られている一般的な材料を含む。一実施形態の有機電界発光素子ＥＤにおいて、発光層ＥＭＬは、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、フルオランテン誘導体、クリセン誘導体、ジヒドロベンズアントラセン誘導体、またはトリフェニレン誘導体を含む。詳しくは、発光層ＥＭＬは、アントラセン誘導体またはピレン誘導体を含んでもよい。
【0118】
一実施形態において、発光層ＥＭＬは下記化学式Ｅ－１で表される化合物を含んでもよい。下記化学式Ｅ－１で表される化合物は蛍光ホスト材料として使用される。
・・・（化学式Ｅ－１）
【化24】
【0119】
化学式Ｅ－１において、Ｒ３１～Ｒ４０はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換のシリル基、置換若しくは無置換のチオ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以上１０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数2以上１０以下のアルケニル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であり、隣接する基と結合して環を形成してもよい。Ｒ３１～Ｒ４０は、隣接する基と互いに結合して飽和炭化水素環、不飽和炭化水素環、飽和ヘテロ環、または不飽和ヘテロ環を形成してもよい。
【0120】
化学式Ｅ－１において、ｃ及びｄはそれぞれ独立して０以上５以下の整数である。ｃが０の場合、Ｒ３９は水素原子であり、ｄが０の場合、Ｒ４０は水素原子である。
【0121】
化学式Ｅ－１は、下記化合物Ｅ１～化合物Ｅ１９のうちいずれか一つで表されてもよい。
【化25】
【化26】
【化27】
【化28】
【化29】
【化30】
【化31】
【0122】
一実施形態において、発光層ＥＭＬは下記化学式Ｅ－２ａまたは化学式Ｅ－２ｂで表される化合物を含んでもよい。下記化学式Ｅ－２ａまたは化学式Ｅ－２ｂで表される化合物は、りん光ホスト材料として使用される。
・・・・（化学式Ｅ－２ａ）
【化32】
【0123】
化学式Ｅ－２ａにおいて、ａは０以上１０以下の整数であリ、Ｌａは単結合、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリーレン基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリーレン基である。ａが０の場合、Ｌａは単結合である。一方、ａが２以上の整数であれば、複数個のＬａはそれぞれ独立して置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリーレン基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリーレン基である。
【0124】
化学式Ｅ－２ａにおいて、Ａ１～Ａ５はそれぞれ独立してＮまたはＣＲｉである。Ｒａ～Ｒｉはそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換のチオ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数２以上２０以下のアルケニル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であり、隣接する基と互いに結合して環を形成してもよい。Ｒａ～Ｒｉは、隣接する基と互いに結合して炭化水素環またはＮ、Ｏ、Ｓなどを環形成原子として含むヘテロ環を形成してもよい。
【0125】
化学式Ｅ－２ａにおいて、Ａ１～Ａ５のうちから選択される２つまたは３つはＮで、残りはＣＲｉであってもよい。
【0126】
化学式Ｅ－２ｂは、次のように表される。
・・・・（化学式Ｅ－２ｂ）
【化33】
【0127】
化学式Ｅ－２ｂにおいて、Ｃｂｚ１及びＣｂｚ２はそれぞれ独立して無置換のカルバゾリル基、または環形成炭素数６以上３０以下のアリール基に置換されたカルバゾリル基である。Ｌｂは単結合、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下アリーレン基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリーレン基である。ｂは０以上１０以下の整数であり、ｂが０であればＬｂは単結合であり、ｂが２以上の整数であれば、複数個のＬｂはそれぞれ独立して置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリーレン基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリーレン基である。
【0128】
化学式Ｅ－２ａまたは化合物Ｅ－２ｂで表される化合物は、下記化合物群Ｅ－２の化合物のうちいずれか一つで表されてもよい。しかし、下記化合物群Ｅ－２に記載された化合物は例示的なものであって、化学式Ｅ－２ａまたは化学式Ｅ－２ｂで表される化合物は、下記化合物群Ｅ－２に示されたものに限らない。
［化合物群Ｅ－２］
［化合物群Ｅ－２］
【化34】
【化35】
【化36】
【0129】
発光層ＥＭＬは、ホスト物材料として該当技術分野で知られている一般的な材料を更に含んでもよい。例えば、発光層ＥＭＬはホスト材料として、ＢＣＰＤＳ（ビス（４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル）ジフェニルシラン）、ＰＯＰＣＰＡ（（４－（１－（４－（ジフェニルアミノ）フェニル）シクロヘキシル）フェニル）ジフェニル－ホスフィンオキシド）、ＤＰＥＰＯ（ビス［２－（ジフェニルホスフィノ）フェニル］エーテルオキシド）、ＣＢＰ（４，４’－ビス（Ｎ－カルバゾリル）－１，１’－ビフェニル）、ｍＣＰ（１，３－ビス（カルバゾール－９－イル）ベンゼン）、ＰＰＦ（２，８－ビス（ジフェニルホスホリル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン）、ＴＣＴＡ（４，４’，４”－トリス（カルバゾール－９－イル）－トリフェニルアミン）、及びＴＰＢｉ（１，３，５－トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－イル）ベンゼン）のうち少なくとも一つを含んでもよい。但し、これに限らず、例えば、Ａｌｑ３（トリス（８－ヒドロキシキノリノ）アルミニウム）、ＡＤＮ（９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン）、ＴＢＡＤＮ（３－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（ナフト－２－イル）アントラセン）、ＤＳＡ（ジスチリルアリーレン）、ＣＤＢＰ（４，４’－ビス（９－カルバゾリル）－２，２’－ジメチル－ビフェニル）、ＭＡＤＮ（２－メチル－９、１０－ビス（ナフタレン－２－イル）アントラセン）、ＣＰ１（ヘキサフェニルシクロトリホスファゼン）、ＵＧＨ２（１，４－ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン）、ＤＰＳｉＯ３（ヘキサフェニルシクロトリシロキサン）、ＤＰＳｉＯ４（オクタフェニルシクロテトラシロキサン）などをホスト材料として使用してもよい。
【0130】
発光層ＥＭＬは下記化学式Ｍ－ａまたは化学式Ｍ－ｂで表される化合物を含んでもよい。下記化学式Ｍ－ａまたは化学式Ｍ－ｂで表される化合物は、りん光ドーパント材料として使用される。
・・・（化学式Ｍ－ａ）
【化37】
【0131】
化学式Ｍ－ａにおいて、Ｙ１～Ｙ４、及びＺ１～Ｚ４はそれぞれ独立してＣＲ１またはＮであり、Ｒ１～Ｒ４はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換のチオ基、置換若しくは無置換のオキシ基、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数２以上２０以下のアルケニル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であり、隣接する基と互いに結合して環を形成してもよい。化学式Ｍ－ａにおいて、ｍは０または１で、ｎは２または３である。化学式Ｍ－ａにおいて、ｍが０であればｎは３で、ｍが１であればｎは２である。
【0132】
化学式Ｍ－ａで表される化合物は、下記化合物群Ｍ－ａ１～Ｍ－ａ２５の化合物のうちいずれか一つで表されてもよい。しかし、下記化合物Ｍ－ａ１～Ｍ－ａ２５は例示的なものであって、化学式Ｍ－ａで表される化合物は下記化合物Ｍ－ａ１～Ｍ－ａ２５で表されるものに限らない。
【化38】
【化39】
【化40】
【0133】
化合物Ｍ－ａ１及び化合物Ｍ－ａ２は赤色ドーパント材料として使用され、化合物Ｍ－ａ３及び化合物Ｍ－ａ４は緑色ドーパント材料として使用される。
【0134】
化学式Ｍ－ｂは、次のように表される。
・・・（化学式Ｍ－ｂ）
【化41】
【0135】
【0136】
化学式Ｍ－ｂで表される化合物は青色りん光ドーパントまたは緑色りん光ドーパントとして使用される。
【0137】
化学式Ｍ－ｂで表される化合物は、下記化合物のうちいずれか一つで表されてもよい。しかし、下記化合物は例示的なものであって、化学式Ｍ－ｂで表される化合物は下記化合物で表されるものに限らない。
【化42】
【0138】
化合物Ｍ－ｂ－１～Ｍ－ｂ－１２において、Ｒ、Ｒ３８、及びＲ３９はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基である。
【0139】
発光層ＥＭＬは、下記化学式Ｆ－ａ～化学式Ｆ－ｃのうちいずれか一つで表される化合物を含んでもよい。下記化学式Ｆ－ａ～化学式Ｆ－ｃで表される化合物は蛍光ドーパント材料として使用される。
・・・（化学式Ｆ－ａ）
【化43】
【0140】
【0141】
化学式Ｆ－ｂは、次のように表される。
・・・（化学式Ｆ－ｂ）
【化44】
【0142】
化学式Ｆ－ｂにおいて、Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立して水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上２０以下のアルケニル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であり、隣接する基と互いに結合して環を形成してもよい。Ａｒ１～Ａｒ４はそれぞれ独立に、環形成炭素数６～３０の置換若しくは無置換のアリール基、または環形成炭素数２～３０の置換若しくは無置換のヘテロアリール基であってもよい。
【0143】
化学式Ｆ－ｂにおいて、Ｕ及びＶは、それぞれ独立して置換若しくは無置換の環形成炭素数５以上３０以下の炭化水素環、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロ環である。
【0144】
化学式Ｆ－ｂにおいて、Ｕ及びＶで表される環の個数はそれぞれ独立して０または１である。例えば、化学式Ｆ－ｂにおいて、ＵまたはＶの個数が１であればＵまたはＶで記載された部分に一つの環が縮合環を構成し、ＵまたはＶの個数が０であればＵまたはＶが記載された環は存在しないことを意味する。詳しくは、Ｕの個数が０でＶの個数が１であれば、またはＵの個数が１でＶの個数が０であれば、化学式Ｆ－ｂのフルオレンコアを有する縮合環は４環の環式化合物である。また、Ｕ及びＶの個数がいずれも０であれば、化学式Ｆ－ｂの縮合環は３環の環式化合物である。また、Ｕ及びＶの個数がいずれも１であれば、化学式Ｆ－ｂのフルオレンコアを有する縮合環は５環の環式化合物である。
【0145】
化学式Ｆ－ｃは、次のように表される。
・・・（化学式Ｆ－ｃ）
【化45】
【0146】
化学式Ｆ－ｃにおいて、Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立してＯ、Ｓ、Ｓｅ、またはＮＲｍであり、Ｒｍは水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基である。Ｒ１～Ｒ１１はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換のボリル基、置換または置換のオキシ基、置換若しくは無置換のチオ基、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であり、隣接する基と互いに結合して環を形成してもよい。
【0147】
化学式Ｆ－ｃにおいて、Ａ１及びＡ２はそれぞれ独立して隣り合う環の置換基と結合して縮合環を形成する。例えば、Ａ１及びＡ２がそれぞれ独立してＮＲｍであれば、Ａ１はＲ４またはＲ５と結合して環を形成する。また、Ａ２はＲ７またはＲ８と結合して環を形成する。
【0148】
一実施形態において、発光層ＥＭＬは、公知のドーパント材料として、スチリル誘導体（例えば、１，４－ビス［２－（３－Ｎ－エチルカルバゾリル）ビニル］ベンゼン（ＢＣｚＶＢ）、４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）－４’－［（ジ－ｐ－トリルアミノ）スチリル］スチルベン（ＤＰＡＶＢ）、Ｎ－（４－（（Ｅ）－２－（６－（（Ｅ）－４－（ジフェニルアミノ）スチリル）ナフタレン－２－イル）ビニル）フェニル）－Ｎ－フェニルベンゼンアミン（Ｎ－ＢＤＡＶＢｉ））、ぺリレン及びその誘導体（例えば、２，５，８，１１－テトラ－ｔ－ブチルぺリレン（ＴＢＰ））、ピレン及びその誘導体（例えば、１，１’－ジピレン、１，４－ジピレニルベンゼン、１，４－ビス（Ｎ、Ｎ－ジフェニルアミノ）ピレン）などを含んでもよい。
【0149】
発光層ＥＭＬは公知のりん光ドーパント材料を含んでもよい。例えば、りん光ドーパントとしては、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、テルビウム（Ｔｂ）、またはツリウム（Ｔｍ）を含む金属錯体が使用されてもよい。詳しくは、ＦＩｒｐｉｃ（イリジウム（ＩＩＩ）ビス（４，６－ジフルオロフェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）ピコリナート）、ＦＩｒ６（ビス（２，４－ジフルオロフェニルピリジナト）－テトラキス（１－ピラゾリル）ボラートイリジウム（ＩＩＩ））、またはＰｔＯＥＰ（白金－オクタエチルポルフィリン）がりん光ドーパントとして使用されてもよい。しかし、実施形態はこれらに限らない。
【0150】
図３～図６に示した一実施形態の発光素子ＥＤにおいて、電子輸送領域ＥＴＲは発光層ＥＭＬの上に配置される。電子輸送領域ＥＴＲは、正孔阻止層ＨＢＬ、電子輸送層ＥＴＬ、及び電子注入層のＥＩＬうち少なくとも一つを含むが、実施形態はこれに限らない。
【0151】
電子輸送領域ＥＴＲは、単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層、または複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有する。
【0152】
例えば、電子輸送領域ＥＴＲは電子注入層ＥＩＬまたは電子輸送層ＥＴＬの単一層構造を有してもよく、電子注入物質と電子輸送物質からなる単一層構造を有してもよい。また、電子輸送領域ＥＴＲは、複数の互いに異なる物質からなる単一層の構造を有してもよく、発光層ＥＭＬから順番に積層される電子輸送層ＥＴＬ／電子注入層ＥＩＬ、正孔阻止層ＨＢＬ／電子輸送層ＥＴＬ／電子注入層ＥＩＬの構造を有してもよいが、これらに限らない。電子輸送領域ＥＴＲの厚さは、例えば、約１００ｎｍ～約１５０ｎｍであってもよい。
【0153】
電子輸送領域ＥＴＲは、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法（Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）、インクジェットプリント法、レーザプリント法、レーザ熱転写法（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ、ＬＩＴＩ）などのような多様な方法を利用して形成される。
【0154】
電子輸送領域ＥＴＲは下記化学式ＥＴ－１で表される化合物を含んでもよい。
・・・（化学式ＥＴ－１）
【化46】
【0155】
化学式ＥＴ－１において、Ｘ１～Ｘ３のうち少なくとも一つはＮで残りはＣＲａである。Ｒａは水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であり、Ａｒ１～Ａｒ３は、それぞれ独立して水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基である。
【0156】
化学式ＥＴ－１において、ａ～ｃはそれぞれ独立して０以上１０以下の整数である。化学式ＥＴ－１において、Ｌ１及びＬ３はそれぞれ独立して単結合、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリーレン基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリーレン基である。ａ～ｃが０の場合、Ｌ１～Ｌ３は単結合である。一方、ａ～ｃが２以上の整数であれば、複数のＬ１～Ｌ３はそれぞれ独立して置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリーレン基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリーレン基である。
【0157】
電子輸送領域ＥＴＲはアントラセン系化合物を含んでもよい。但し、これに限らず、電子輸送領域ＥＴＲは、例えば、Ａｌｑ３（トリス（８－ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）、１，３，５－トリ［（３－ピリジル）－フェン－３－イル］ベンゼン、２，４，６－トリス（３’－ピリジン－３－イル）ビフェニル－３－イル）－１，３，５－トリアジン、２－（４－（Ｎ－フェニルベンゾイミダゾール－１－イル）フェニル）－９，１０－ジナフチルアントラセン、ＴＰＢｉ（１，３，５－トリ（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－イル）ベンゼン）、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、Ｂｐｈｅｎ（４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、ＴＡＺ（３－（４－ビフェニルイル）－４－フェニル－５－テルト－ブチルフェニル－１，２，４－トリアゾール）、ＮＴＡＺ（４－（ナフタレン－１－イル）－３，５－ジフェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール）、ｔＢｕ－ＰＢＤ（２－（４－ビフェニルイル）－５－（４－テルトーブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール）、ＢＡｌｑ（ビス（２－メチル－８－キノリノラト－Ｎ１，Ｏ８）－（１，１’－ビフェニル－４－オラト）アルミニウム）、Ｂｅｂｑ２（ベリリウムビス（ベンゾキノリン－１０－オラト））、ＡＤＮ（９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン）、ＢｍＰｙＰｈＢ（１，３－ビス［３，５－ジ（ピリジン－３－イル）フェニル］ベンゼン）、及びこれらの混合物を含んでもよい。
【0158】
電子輸送領域ＥＴＲは下記化合物ＥＴ１～ＥＴ３６のうち少なくとも一つを含んでもよい。
【化47】
【化48】
【化49】
【化50】
【0159】
また、電子輸送領域ＥＴＲは、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、ＲｂＣｌ、Ｒｂｌ、Ｃｕｌ、Ｋｌのようなハロゲン化金属、Ｙｂのようなランタノイド族金属、または上述のハロゲン化金属とランタノイド族金属の共蒸着材料を含む。例えば、電子輸送領域ＥＴＲは共蒸着材料としてＫｌ：Ｙｂ、Ｒｂｌ：Ｙｂなどを含んでもよい。一方、電子輸送領域ＥＴＲには、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯのような金属酸化物、またはＬｉｑ（８－ヒドロキシ－リチウムキノラート）などが使用されてもよいが、実施形態はこれに限らない。電子輸送領域ＥＴＲはまた、電子輸送物質と絶縁性の有機金属塩（ｏｒｇａｎｏ ｍｅｔａｌ ｓａｌｔ）が混合された物質からなってもよい。有機金属塩は、エネルギーバンドギャップ（ｅｎｅｒｇｙ ｂａｎｄ ｇａｐ）が約４ｅＶ以上の物質が好ましい。詳しくは、例えば、有機金属塩は、酢酸金属塩（ｍｅｔａｌ ａｃｅｔａｔｅ）、安息香酸金属塩（ｍｅｔａｌ ｂｅｎｚｏａｔｅ）、アセト酢酸金属塩（ｍｅｔａｌ ａｃｅｔｏａｃｅｔａｔｅ）、金属アセチルアセトネート（ｍｅｔａｌ ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）、またはステアリン酸金属塩（ｓｔｅａｒａｔｅ）を含む。
【0160】
電子輸送領域ＥＴＲは、上述した材料以外に、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、及びＢｐｈｅｎ（４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）のうち少なくとも一つを更に含んでもよいが、これらに限らない。
【0161】
電子輸送領域ＥＴＲは、上述した電子輸送領域の化合物を電子注入層ＥＩＬ、電子輸送層ＥＴＬ、及び正孔阻止層ＨＢＬのうち少なくとも一つに含む。
【0162】
電子輸送領域ＥＴＲが電子輸送層ＥＴＬを含む場合、電子輸送層ＥＴＬの厚さは、約１０ｎｍ～約１００ｎｍ、例えば約１５ｎｍ～約５０ｎｍであってもよい。電子輸送層ＥＴＬの厚さが上述したような範囲を満たす場合、実質的な駆動電圧の上昇なく十分な電子輸送特性が得られる。電子輸送領域ＥＴＲが電子注入層ＥＩＬを含む場合、電子注入層ＥＩＬの厚さは約０．１ｎｍ～約１０ｎｍ、約０．３ｎｍ～約９ｎｍである。電子注入層ＥＩＬの厚さが上述したような範囲を満たす場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに十分な電子注入特性が得られる。
【0163】
第２電極ＥＬ２は、電子輸送領域ＥＴＲの上に配置される。第２電極ＥＬ２は共通電極である。第２電極ＥＬ２はカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）またはアノード（ａｎｏｄｅ）であってもよいが、実施形態はこれに限らない。例えば、第１電極ＥＬ１がアノードであれば第２電極はカソードで、第１電極ＥＬ１がカソードであれば第２電極はアノードであってもよい。
【0164】
第２電極ＥＬ２は、透過型電極、半透過型電極、または反射型電極である。第２電極ＥＬ２が透過型電極であれば、第２電極ＥＬ２は透明金属酸化物、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）などからなる。
【0165】
第２電極ＥＬ２が半透過型電極または反射型電極であれば、第２電極ＥＬ２はＡｇ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｙｂ、Ｗ、またはこれらを含む化合物や混合物（例えば、ＡｇＭｇ、ＡｇＹｂ、またはＭｇＡｇ）を含む。または、第２電極ＥＬ２は、上記物質からなる反射膜や半透過膜、及びＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＩＴＺＯなどからなる透明導電膜を含む複数の層構造を有してもよい。例えば、第２電極ＥＬ２は、上述した金属材料、上述した金属材料のうちから選択される２種以上の金属材料の組み合わせ、または上述した金属材料の酸化物などを含んでもよい。
【0166】
図示していないが、第２電極ＥＬ２は補助電極と接続されてもよい。第２電極ＥＬ２が補助電極と接続されれば、第２電極ＥＬ２の抵抗を減少させることができる。
【0167】
一実施形態に係る発光素子ＥＤの第２電極ＥＬ２の上には、キャッピング層ＣＰＬが更に配置されてもよい。キャッピング層ＣＰＬは、多層または単層であってもよい。
【0168】
一実施形態において、キャッピング層ＣＰＬは有機層または無機層である。例えば、キャッピング層ＣＰＬが無機物を含む場合、無機物はＬｉＦなどのアルカリ金属化合物、ＭｇＦ２などのアルカリ土類化合物、ＳｉＯＮ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｙなどを含んでもよい。
【0169】
例えば、キャッピング層ＣＰＬが有機物を含む場合、有機物は、α－ＮＰＤ、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ｍ－ＭＴＤＡＴＡ、Ａｌｑ３、ＣｕＰｃ、ＴＰＤ１５（Ｎ４，Ｎ４，Ｎ４’，Ｎ４’－テトラ（ビフェニル－４－イル）ビフェニル－４，４’－ジアミン）、ＴＣＴＡ（４，４’，４”－トリス（カルバゾール ソル－９－イル）トリフェニルアミン）などを含むか、エポキシ樹脂、またはメタクリレートなどのようなアクリレートを含んでもよい。但し、実施形態はこれらに限らず、これ以外にも下記のような化合物Ｐ１～Ｐ５を含んでもよい。
【化51】
【化52】
【0170】
キャッピング層ＣＰＬの屈折率は１．６以上である。詳しくは、５５０ｎｍ以上６６０ｎｍ以下の波長範囲の光に対して、キャッピング層ＣＰＬの屈折率は１．６以上である。
【0171】
図７及び図８は、それぞれ一実施形態に係る表示装置の一例の断面図である。以下、図７及び図８を参照して説明する一実施形態に係る表示装置に関する説明において、上述した図１～至図６で説明した内容と重複する内容は再度説明せず、差を中心に説明する。
【0172】
図７を参照すると、一実施形態による表示装置ＤＤは、表示素子層ＤＰ－ＥＤを含む表示パネルＤＰと、表示パネルＤＰの上に配置される光制御層ＣＣＬと、カラーフィルタ層ＣＦＬとを含む。
【0173】
図７に示した一実施形態において、表示パネルＤＰは、ベース層ＢＳと、ベース層ＢＳの上に配置される回路層ＤＰ－ＣＬと、表示素子層ＤＰ－ＥＤとを含み、表示素子層ＤＰ－ＥＤは有機電界発光素子ＥＤを含む。
【0174】
発光素子ＥＤは、第１電極ＥＬ１、第１電極ＥＬ１の上に配置される正孔輸送領域ＨＴＲ、正孔輸送領域ＨＴＲの上に配置される発光層ＥＭＬ、発光層ＥＭＬの上に配置される電子輸送領域ＥＴＲ、及び電子輸送領域ＥＴＲの上に配置される第２電極ＥＬ２を含む。図７に示した発光素子ＥＤの構造は、上述した図３～図６の発光素子の構造が適用される。
【0175】
図７を参照すると、発光層ＥＭＬは画素定義膜ＰＤＬによって定義される開口部ＯＨ内に配置される。例えば、画素定義膜ＰＤＬによって区分されて、各発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂに対応して設けられる発光層ＥＭＬは同じ波長領域の光を放出する。一実施形態に係る表示装置ＤＤにおいて、発光層ＥＭＬは青色光を放出する。一方、図示とは異なって、一実施形態に係る発光層ＥＭＬは、発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ全体で共通に設けられてもよい。
【0176】
光制御層ＣＣＬは表示パネルＤＰの上に配置される。光制御層ＣＣＬは、光変換体を含む。光変換体は量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ）または蛍光体などである。光変換体は、入射された光を波長変換して放出する。つまり、光制御層ＣＣＬは、量子ドットを含む層であるか、または蛍光体を含む層である。
【0177】
量子ドットのコアはＩＩ－ＶＩ族化合物、ＩＩＩ－ＶＩ族化合物、Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族、ＩＩＩ－Ｖ族化合物、ＩＩＩ－ＩＩ－Ｖ族化合物、ＩＶ－ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素、ＩＶ族化合物、及びこれらの組み合わせから選択される。
【0178】
ＩＩ－ＶＩ族化合物は、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元化合物、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｅＺｎＳｅ、ＨｅＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳ、及びこれらの混合物からなる群より選択される三元化合物、及びＨｇＺｎＴｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される四元化合物からなる群より選択される。
【0179】
ＩＩＩ－ＶＩ族化合物は、Ｉｎ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｓｅ３などのような二元化合物、ＩｎＧａＳ３、ＩｎＧａＳｅ３などのような三元化合物、またはこれらの任意の組み合わせを含む。
【0180】
Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族化合物は、ＡｇＩｎＳ、ＡｇＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳ、ＣｕＩｎＳ２、ＡｇＧａＳ２、ＣｕＧａＳ２、ＣｕＧａＯ２、ＡｇＧａＯ２、ＡｇＡｌＯ２、及びこれらの混合物からなる群より選択される三元化合物、またはＡｇＩｎＧａＳ２、ＣｕＩｎＧａＳ２などの四元化合物から選択される。
【0181】
ＩＩＩ－Ｖ族化合物は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元化合物と、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、及びこれらの混合物からなる群より選択される三元化合物と、ＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ、及びこれらの混合物からなる群より選択される四元化合物とからなる群より選択される。ＩＩＩ－Ｖ族化合物はＩＩ族金属を更に含んでもよい。例えば、ＩＩＩ－ＩＩ－Ｖ族化合物としてＩｎＺｎＰなどが選択されてもよい。
【0182】
ＩＶ－ＶＩ族化合物は、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元化合物と、ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される三元化合物と、ＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される四元化合物とからなる群より選択される。ＩＶ族元素は、Ｓｉ、Ｇｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される。ＩＶ族化合物は、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元化合物である。
【0183】
二元化合物、三元化合物、または四元化合物は、均一な濃度で粒子内に存在するか、濃度分布が部分的に異なる状態に分けられて同一粒子内に存在する。また、一つの量子ドットが他の量子ドットを囲むコア／シェル構造を有してもよい。コア／シェル構造において、シェルに存在する元素の濃度がコアに行くほど低くなる濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有する。
【0184】
いくつかの実施形態において、量子ドットは上述したナノ結晶を含むコア、及び該コアを囲むシェルを含むコア－シェル構造を有する。量子ドットのシェルは、コアの化学的変性を防止して半導体特性を維持するための保護層の役割、及び／または量子ドットに電気泳動特性を与えるためのチャージング層（ｃｈａｒｇｉｎｇ ｌａｙｅｒ）としての役割をする。シェルは単層または多重層である。量子ドットのシェルの例としては、金属または非金属の酸化物、半導体化合物、またはこれらの組み合わせなどが挙げられる。
【0185】
例えば、シェルとして用いられる金属または非金属の酸化物は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＭｎＯ、Ｍｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４、ＣｕＯ、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯなどの二元化合物、またはＭｇＡｌ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＣｏＭｎ２Ｏ４などの三元化合物が挙げられるが、これらに限らない。
【0186】
また、シェルとして用いられる半導体化合物は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＴｅＳ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂなどが挙げられるが、これらに限らない。
【0187】
量子ドットは約４５ｎｍ以下、好ましくは約４０ｎｍ以下、より好ましくは約３０ｎｍ以下の発光波長スペクトルの半値幅（ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ｏｆ ｈａｌｆ ｍａｘｉｍｕｍ、ＦＷＨＭ）を有し、この範囲で色純度や色再現性を向上させることができる。また、このような量子ドットを介して発光される光は全方向に放出されるため、光視野角が向上される。
【0188】
また、量子ドットの形態は当分野で一般的に使用する形態のものであって特に限らないが、より詳しくは、球状、ピラミッド状、多腕（ｍｕｌｔｉ－ａｒｍ）状、立方体（ｃｕｂｉｃ）のナノ粒子、ナノチューブ、ナノワイヤ、ナノ繊維、ナノ板状粒子などの形態のものを使用してもよい。
【0189】
量子ドットは、粒子のサイズに応じて放出する光の色相を調節することができる。そのため、量子ドットは青色、赤色、緑色など多様な発光色相を有する。
【0190】
光制御層ＣＣＬは、複数個の光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３を含む。光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３は互いに離隔されている。
【0191】
図７を参照すると、互いに離隔されている光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３の間に分割パターンＢＭＰが配置されるが、実施形態はこれに限らない。図７において、分割パターンＢＭＰは、光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３と重畳しないように示されているが、光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３のエッジは分割パターンＢＭＰと少なくとも一部が重畳してもよい。
【0192】
光制御層ＣＣＬは、発光素子ＥＤから入射する第１色光を第２色光に変換する第１量子ドットＱＤ１を含む第１光制御部ＣＣＰ１と、第１色光を第３色光に変換する第２量子ドットＱＤ２を含む第２光制御部ＣＣＰ２と、第１色光を透過させる第３光制御部ＣＣＰ３とを含む。
【0193】
一実施形態において、第１光制御部ＣＣＰ１は第２色光である赤色光を提供し、第２光制御部ＣＣＰ２は第３色光である緑色光を提供する。第３光制御部ＣＣＰ３は、発光素子ＥＤから入射する第１色光である青色光をそのまま透過させて提供する。例えば、第１量子ドットＱＤ１は赤色量子ドットであり、第２量子ドットＱＤ２は緑色量子ドットであってもよい。量子ドットＱＤ１、ＱＤ２については上述した内容と同じ内容が適用される。
【0194】
また、光制御層ＣＣＬは散乱体ＳＰを更に含む。第１光制御部ＣＣＰ１は第１量子ドットＱＤ１と散乱体ＳＰを含み、第２光制御部ＣＣＰ２は第２量子ドットＱＤ２と散乱体ＳＰを含み、第３光制御部ＣＣＰ３は量子ドットを含まずに散乱体ＳＰを含む。
【0195】
散乱体ＳＰは無機粒子である。例えば、散乱体ＳＰは、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、及び中空シリカのうち少なくとも一つを含んでもよい。散乱体ＳＰは、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、及び中空シリカのうち少なくともいずれか一つを含むか、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、及び中空シリカのうちから選択される２種以上の物質が混合されたものであってもよい。
【0196】
第１光制御部ＣＣＰ１、第２光制御部ＣＣＰ２、及び第３光制御部ＣＣＰ３それぞれは、量子ドットＱＤ１、ＱＤ２及び散乱体ＳＰを分散させるベース樹脂ＢＲ１、ＢＲ２、ＢＲ３を含む。一実施形態において、第１光制御部ＣＣＰ１は第１ベース樹脂ＢＲ１内に分散されている第１量子ドットＱＤ１と散乱体ＳＰを含み、第２光制御部ＣＣＰ２は第２ベース樹脂ＢＲ２内に分散されている第２量子ドットＱＤ２と散乱体ＳＰを含み、第３光制御部ＣＣＰ１は第３ベース樹脂ＢＲ３内に分散されている散乱体ＳＰを含む。ベース樹脂ＢＲ１、ＢＲ２、ＢＲ３は、量子ドットＱＤ１、ＱＤ２及び散乱体ＳＰが分散される媒質であって、一般にバインダと称される多様な樹脂組成物からなる。例えば、ベース樹脂ＢＲ１、ＢＲ２、ＢＲ３は、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂などである。ベース樹脂ＢＲ１、ＢＲ２、ＢＲ３は、透明樹脂である。一実施形態において、第１ベース樹脂ＢＲ１、第２ベース樹脂ＢＲ２、及び第３ベース樹脂ＢＲ３それぞれは、互いに同じであってもよく異なっていてもよい。
【0197】
光制御層ＣＣＬはバリア層ＢＦＬ１を含む。バリア層ＢＦＬ１は、水分及び／または酸素（以下、「水分／酸素」と称する）の浸透を防ぐ役割をする。バリア層ＢＦＬ１は、光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３の上に配置されて、光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３が水分／酸素に露出されることを防止する。一方、バリア層ＢＦＬ１は、光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３をカバーする。また、光制御部ＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３とカラーフィルタ層ＣＦＬとの間にもバリア層ＢＬＦ２が設けられてもよい。
【0198】
バリア層ＢＦＬ１、ＢＦＬ２は少なくとも一つの無機層を含む。つまり、バリア層ＢＦＬ１、ＢＦＬ２は無機物質を含んで形成される。例えば、バリア層ＢＦＬ１、ＢＦＬ２は、シリコン窒化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物、錫酸化物、セリウム酸化物、及びシリコン酸窒化物や、光透過率が確保された金属薄膜などを含んで形成される。バリア層ＢＦＬ１、ＢＦＬ２は有機膜を更に含んでもよい。バリア層ＢＦＬ１、ＢＦＬ２は単一層または複数の層からなる。
【0199】
一実施形態の表示装置ＤＤにおいて、カラーフィルタ層ＣＦＬは、光制御層ＣＣＬの上に配置される。例えば、カラーフィルタ層ＣＦＬは、光制御層ＣＣＬの上に直接配置されてもよい。この場合、バリア層ＢＦＬ２は省略されてもよい。
【0200】
カラーフィルタ層ＣＦＬは、遮光部ＢＭとフィルタＣＦ－１、ＣＦ－２、ＣＦ－３を含む。カラーフィルタ層ＣＦＬは、第２色光を透過させる第１フィルタＣＦ１、第３色光を透過させる第２フィルタＣＦ２、及び第１色光を透過させる第３フィルタＣＦ３を含む。例えば、第１フィルタＣＦ１は赤色フィルタ、第２フィルタＣＦ２は緑色フィルタで、第３フィルタＣＦ３は青色フィルタであってもよい。フィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３それぞれは、高分子感光樹脂と、顔料または染料とを含む。第１フィルタＣＦ１は赤色の顔料または染料を含み、第２フィルタＣＦ２は緑色の顔料または染料を含み、第３フィルタＣＦ３は青色の顔料または染料を含む。一方、実施形態はこれに限らず、第３フィルタＣＦ３は顔料または染料を含まなくてもよい。この場合、第３フィルタＣＦ３は高分子感光樹脂を含み、顔料または染料を含まない。第３フィルタＣＦ３は透明であってもよい。第３フィルタＣＦ３は透明な感光樹脂からなってもよい。
【0201】
また、一実施形態において、第１フィルタＣＦ１と第２フィルタＣＦ２は、黄色（ｙｅｌｌｏｗ）フィルタであってもよい。この場合、第１フィルタＣＦ１と第２フィルタＣＦ２は互いに区分されずに一体で設けられてもよい。
【0202】
遮光部ＢＭは、ブラックマトリクスである。遮光部ＢＭは、黒色顔料または黒色染料を含む有機遮光物質または無機遮光物質を含んで形成される。遮光部ＢＭは、光漏れ現象を防止し、隣接するフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３の間の境界を区分する。また、一実施形態において、遮光部ＢＭは青色フィルタで形成されてもよい。
【0203】
第１～第３フィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３それぞれは、赤色発光領域ＰＸＡ－Ｒ、緑色発光領域ＰＸＡ－Ｇ、及び青色発光領域ＰＸＡ－Ｂそれぞれに対応して配置される。
【0204】
カラーフィルタ層ＣＦＬの上にはベース基板ＢＬが配置される。ベース基板ＢＬは、カラーフィルタ層ＣＦＬ及び光制御層ＣＣＬなどが配置されるベース面を提供する部材である。ベース基板ＢＬは、ガラス基板、金属基板、プラスチック基板などである。しかし、実施形態はこれらに限らず、ベース基板ＢＬは、無機層、有機層、または複合材料層であってもよい。また、図示とは異なって、一実施形態において、ベース基板ＢＬは省略されてもよい。
【0205】
図８は、一実施形態による表示装置の一部を示す断面図である。図８では図７の表示パネルＤＰに対応する一部分の断面図を示す。図８に示すように、一実施形態に係る表示装置ＤＤ－ＴＤにおいて、発光素子ＥＤ－ＢＴは、複数個の発光構造ＯＬ－Ｂ１、ＯＬ－Ｂ２、ＯＬ－Ｂ３を含んでもよい。発光素子ＥＤ－ＢＴは、互いに向かい合う第１電極ＥＬ１と第２電極ＥＬ２と、第１電極ＥＬ１と第２電極ＥＬ２との間に厚さ方向に順次に積層されて設けられる複数の発光構造ＯＬ－Ｂ１、ＯＬ－Ｂ２、ＯＬ－Ｂ３とを含む。発光構造ＯＬ－Ｂ１、ＯＬ－Ｂ２、ＯＬ－Ｂ３それぞれは、発光層ＥＭＬ（図７）と、発光層ＥＭＬ（図７）を間に挟んで配置される正孔輸送領域ＨＴＲと、電子輸送領域ＥＴＲとを含む。
【0206】
つまり、一実施形態の表示装置ＤＤ－ＴＤに含まれる発光素子ＥＤ－ＢＴは、複数の発光層を含むタンデム（Ｔａｎｄｅｍ）構造の発光素子であってもよい。
【0207】
図８に示した一実施形態において、発光構造ＯＬ－Ｂ１、ＯＬ－Ｂ２、ＯＬ－Ｂ３それぞれから放出される光はいずれも青色光である。しかし、実施形態はこれに限らず、発光構造ＯＬ－Ｂ１、ＯＬ－Ｂ２、ＯＬ－Ｂ３それぞれから放出される光の波長領域は互いに異なっていてもよい。例えば、互いに異なる波長領域の光を放出する複数個の発光構造ＯＬ－Ｂ１、ＯＬ－Ｂ２、ＯＬ－Ｂ３を含む発光素子ＥＤ－ＢＴは、白色光を放出してもよい。
【0208】
隣り合う発光構造ＯＬ－Ｂ１、ＯＬ－Ｂ２、ＯＬ－Ｂ３の間には、電荷生成層ＣＧＬが配置される。電荷生成層ＣＧＬは、ｐ型電荷生成層及び／またはｎ型電荷生成層を含む。
【実施例0209】
以下、具体的な実施例及び比較例を介して本発明をより詳細に説明する。下記実施例は、本発明の理解を助けるための例示に過ぎず、本発明の範囲はこれに限らない。
【0210】
（合成例）
本発明の一実施形態による有機金属化合物は、例えば、下記のように合成される。但し、本発明の一実施形態による有機金属化合物の合成方法はこれに限らない。
本発明の一実施形態による有機金属化合物は、例えば、下記のように合成される。但し、本発明の一実施形態による有機金属化合物の合成方法はこれに限らない。
【0211】
１．化合物１の合成
【化53】
【0212】
（１）中間体化合物［１－ａ］の合成
１－（３－（ｔｅｒｔ－ブチル）－５－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）フェニル）－２－メトキシエタン－１－アミン（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［１－ａ］を得た。（収率：７６％）
１－（３－（ｔｅｒｔ－ブチル）－５－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）フェニル）－２－メトキシエタン－１－アミン（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［１－ａ］を得た。（収率：７６％）
【0213】
（２）中間体化合物［１－ｂ］の合成
中間体化合物［１－ａ］（１．０ｅｑ）とＳｎ（７．０ｅｑ）を無水エタノール（０．１Ｍ）に溶解させた後、８０℃に加熱した。３７％ＨＣｌ溶液（１１ｅｑ）を添加した後、１２時間還流した。反応混合物は冷却してからろ過して、残りのＳｎを除去し、０℃でＮａＯＨで中和した。ジクロロメタンと水を利用して３回抽出し、有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮して、中間体化合物［１－ｂ］（収率９５％）を得た。
中間体化合物［１－ａ］（１．０ｅｑ）とＳｎ（７．０ｅｑ）を無水エタノール（０．１Ｍ）に溶解させた後、８０℃に加熱した。３７％ＨＣｌ溶液（１１ｅｑ）を添加した後、１２時間還流した。反応混合物は冷却してからろ過して、残りのＳｎを除去し、０℃でＮａＯＨで中和した。ジクロロメタンと水を利用して３回抽出し、有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮して、中間体化合物［１－ｂ］（収率９５％）を得た。
【0214】
（３）中間体化合物［１－ｃ］の合成
中間体化合物［１－ｂ］（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄しろ過して中間体化合物［１－ｃ］を得た。（収率：７１％）
中間体化合物［１－ｂ］（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄しろ過して中間体化合物［１－ｃ］を得た。（収率：７１％）
【0215】
（４）中間体化合物［１－ｄ］の合成
中間体化合物［１－ｃ］（１．０ｅｑ）、ＨＢｒ（０．４ｅｑ）及び酢酸（０．２ｅｑ）を１２０℃で１６時間撹拌した。反応混合物を常温に冷やした後、０℃でＮａＯＨで中和し、酢酸エチルと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させて、中間体化合物［１－ｄ］（収率９０％）を得た。
中間体化合物［１－ｃ］（１．０ｅｑ）、ＨＢｒ（０．４ｅｑ）及び酢酸（０．２ｅｑ）を１２０℃で１６時間撹拌した。反応混合物を常温に冷やした後、０℃でＮａＯＨで中和し、酢酸エチルと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させて、中間体化合物［１－ｄ］（収率９０％）を得た。
【0216】
（５）中間体化合物［１－ｅ］の合成
中間体化合物［１－ｄ］（１．０ｅｑ）とＳＯＣｌ２（３８ｅｑ）を８０℃で２時間撹拌した。ＨＢｒ（０．４ｅｑ）及び酢酸（０．２ｅｑ）を入れて１２０℃で１６時間撹拌した。過量のＳＯＣｌ２は減圧して除去し、この際、生成された固体化合物をｎ－へプタンで再結晶して中間体化合物［１－ｅ］（収率：９４％）を得た。
中間体化合物［１－ｄ］（１．０ｅｑ）とＳＯＣｌ２（３８ｅｑ）を８０℃で２時間撹拌した。ＨＢｒ（０．４ｅｑ）及び酢酸（０．２ｅｑ）を入れて１２０℃で１６時間撹拌した。過量のＳＯＣｌ２は減圧して除去し、この際、生成された固体化合物をｎ－へプタンで再結晶して中間体化合物［１－ｅ］（収率：９４％）を得た。
【0217】
（６）中間体化合物［１－ｆ］の合成
ｎ－Ｂｕ４ＮＢｒ（１．０ｅｑ）をジクロロメタン（０．０２５Ｍ）に溶解させた後、撹拌しながら、ＮａＯＨ水溶液（２．５ｅｑ）と中間体化合物［１－ｅ］（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は室温で１２時間撹拌した。反応が完了した後、水を利用して反応をクエンチングし、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮して中間体化合物［１－ｆ］（収率４５％）を得た。
ｎ－Ｂｕ４ＮＢｒ（１．０ｅｑ）をジクロロメタン（０．０２５Ｍ）に溶解させた後、撹拌しながら、ＮａＯＨ水溶液（２．５ｅｑ）と中間体化合物［１－ｅ］（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は室温で１２時間撹拌した。反応が完了した後、水を利用して反応をクエンチングし、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮して中間体化合物［１－ｆ］（収率４５％）を得た。
【0218】
（７）中間体化合物［１－ｇ］の合成
中間体化合物［１－ｆ］（１．０ｅｑ）をジクロロメタンに溶解させた後、室温で撹拌しながらＡｇＯＴｆ（１．２ｅｑ）とｔ－ＢｕＣＯＯＣＨ２Ｃｌ（１．２ｅｑ）を添加した。反応混合物は２４時間撹拌しながら還流した。生成された固体化合物をジクロロメタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［１－ｇ］（収率６５％）を得た。
中間体化合物［１－ｆ］（１．０ｅｑ）をジクロロメタンに溶解させた後、室温で撹拌しながらＡｇＯＴｆ（１．２ｅｑ）とｔ－ＢｕＣＯＯＣＨ２Ｃｌ（１．２ｅｑ）を添加した。反応混合物は２４時間撹拌しながら還流した。生成された固体化合物をジクロロメタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［１－ｇ］（収率６５％）を得た。
【0219】
（８）化合物１の合成
中間体化合物［１－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（３．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物１（収率２７％）を得た。
中間体化合物［１－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（３．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物１（収率２７％）を得た。
【0220】
２．化合物２の合成
【化54】
【0221】
（１）中間体化合物［２－ａ］の合成
２－メトキシ－１－（３－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）フェニル）エタン－１－アミン（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［２－ａ］を得た。（収率：７３％）
２－メトキシ－１－（３－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）フェニル）エタン－１－アミン（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［２－ａ］を得た。（収率：７３％）
【0222】
（２）中間体化合物［２－ｂ］の合成
中間体化合物［２－ａ］（１．０ｅｑ）とＴｉｎ（７．０ｅｑ）を無水エタノール（０．１Ｍ）に溶解させた後、８０℃に加熱した。３７％ＨＣｌ溶液（１１ｅｑ）を添加した後、１２時間還流した。反応混合物は冷却してからろ過して、残りのＳｎを除去し、０℃でＮａＯＨで中和した。ジクロロメタンと水を利用して３回抽出し、有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮して中間体化合物［２－ｂ］（収率９２％）を得た。
中間体化合物［２－ａ］（１．０ｅｑ）とＴｉｎ（７．０ｅｑ）を無水エタノール（０．１Ｍ）に溶解させた後、８０℃に加熱した。３７％ＨＣｌ溶液（１１ｅｑ）を添加した後、１２時間還流した。反応混合物は冷却してからろ過して、残りのＳｎを除去し、０℃でＮａＯＨで中和した。ジクロロメタンと水を利用して３回抽出し、有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮して中間体化合物［２－ｂ］（収率９２％）を得た。
【0223】
（３）中間体化合物［２－ｃ］の合成
中間体化合物［２－ｂ］（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［２－ｃ］を得た。（収率：７１％）
中間体化合物［２－ｂ］（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［２－ｃ］を得た。（収率：７１％）
【0224】
（４）中間体化合物［２－ｄ］の合成
中間体化合物［２－ｃ］（１．０ｅｑ）、ＨＢｒ（０．４ｅｑ）及び酢酸（０．２ｅｑ）を１２０℃で１６時間撹拌した。反応混合物を常温に冷やした後、０℃でＮａＯＨで中和し、酢酸エチルと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させて、中間体化合物［２－ｄ］（収率９０％）を得た。
中間体化合物［２－ｃ］（１．０ｅｑ）、ＨＢｒ（０．４ｅｑ）及び酢酸（０．２ｅｑ）を１２０℃で１６時間撹拌した。反応混合物を常温に冷やした後、０℃でＮａＯＨで中和し、酢酸エチルと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させて、中間体化合物［２－ｄ］（収率９０％）を得た。
【0225】
（５）中間体化合物［２－ｅ］の合成
中間体化合物［２－ｄ］（１．０ｅｑ）とＳＯＣｌ２（３８ｅｑ）を８０℃で２時間撹拌した。ＨＢｒ（０．４ｅｑ）及び酢酸（０．２ｅｑ）を入れて１２０℃で１６時間撹拌した。過量のＳＯＣｌ２は減圧して除去した。生成された固体化合物はｎ－へプタンで再結晶して中間体化合物［２－ｅ］（収率：９４％）を得た。
中間体化合物［２－ｄ］（１．０ｅｑ）とＳＯＣｌ２（３８ｅｑ）を８０℃で２時間撹拌した。ＨＢｒ（０．４ｅｑ）及び酢酸（０．２ｅｑ）を入れて１２０℃で１６時間撹拌した。過量のＳＯＣｌ２は減圧して除去した。生成された固体化合物はｎ－へプタンで再結晶して中間体化合物［２－ｅ］（収率：９４％）を得た。
【0226】
（６）中間体化合物［２－ｆ］の合成
ｎ－Ｂｕ４ＮＢｒ（１．０ｅｑ）をジクロロメタン（０．０２５Ｍ）に溶解させた後、撹拌しながら、ＮａＯＨ水溶液（２．５ｅｑ）と中間体化合物［２－ｅ］（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は室温で１２時間撹拌した。反応が完了した後、水を利用して反応をクエンチングし、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出し有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮して中間体化合物［２－ｆ］（収率４５％）を得た。
ｎ－Ｂｕ４ＮＢｒ（１．０ｅｑ）をジクロロメタン（０．０２５Ｍ）に溶解させた後、撹拌しながら、ＮａＯＨ水溶液（２．５ｅｑ）と中間体化合物［２－ｅ］（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は室温で１２時間撹拌した。反応が完了した後、水を利用して反応をクエンチングし、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出し有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮して中間体化合物［２－ｆ］（収率４５％）を得た。
【0227】
（７）中間体化合物［２－ｇ］の合成
中間体化合物［２－ｆ］（１．０ｅｑ）をジクロロメタンに溶解させた後、室温で撹拌しながらＡｇＯＴｆ（１．２ｅｑ）とｔ－ＢｕＣＯＯＣＨ２Ｃｌ（１．２ｅｑ）を添加した。反応混合物は２４時間撹拌しながら還流した。生成された固体化合物をジクロロメタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［２－ｇ］（収率６１％）を得た。
中間体化合物［２－ｆ］（１．０ｅｑ）をジクロロメタンに溶解させた後、室温で撹拌しながらＡｇＯＴｆ（１．２ｅｑ）とｔ－ＢｕＣＯＯＣＨ２Ｃｌ（１．２ｅｑ）を添加した。反応混合物は２４時間撹拌しながら還流した。生成された固体化合物をジクロロメタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［２－ｇ］（収率６１％）を得た。
【0228】
（８）化合物２の合成
中間体化合物［２－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（３．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物２（収率２３％）を得た。
中間体化合物［２－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（３．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物２（収率２３％）を得た。
【0229】
３．化合物３の合成
【化55】
【0230】
（１）中間体化合物［３－ａ］の合成
２－メトキシ－１－（３－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）－５－メチルフェニル）エタン－１－アミン（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［３－ａ］を得た。（収率：６５％）
２－メトキシ－１－（３－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）－５－メチルフェニル）エタン－１－アミン（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［３－ａ］を得た。（収率：６５％）
【0231】
（２）中間体化合物［３－ｂ］の合成
中間体化合物［３－ａ］（１．０ｅｑ）とＴｉｎ（７．０ｅｑ）を無水エタノール（０．１Ｍ）に溶解させた後、８０℃に加熱した。３７％ＨＣｌ溶液（１１ｅｑ）を添加した後、１２時間還流した。反応混合物は冷却してからろ過して、残りのＳｎを除去し、０℃でＮａＯＨで中和した。ジクロロメタンと水を利用して３回抽出し、有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮して中間体化合物［３－ｂ］（収率８９％）を得た。
中間体化合物［３－ａ］（１．０ｅｑ）とＴｉｎ（７．０ｅｑ）を無水エタノール（０．１Ｍ）に溶解させた後、８０℃に加熱した。３７％ＨＣｌ溶液（１１ｅｑ）を添加した後、１２時間還流した。反応混合物は冷却してからろ過して、残りのＳｎを除去し、０℃でＮａＯＨで中和した。ジクロロメタンと水を利用して３回抽出し、有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮して中間体化合物［３－ｂ］（収率８９％）を得た。
【0232】
（３）中間体化合物［３－ｃ］の合成
中間体化合物［３－ｂ］（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［３－ｃ］を得た。（収率：７５％）
中間体化合物［３－ｂ］（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［３－ｃ］を得た。（収率：７５％）
【0233】
（４）中間体化合物［３－ｄ］の合成
中間体化合物［３－ｃ］（１．０ｅｑ）、ＨＢｒ（０．４ｅｑ）及び酢酸（０．２ｅｑ）を１２０℃で１６時間撹拌した。反応混合物を常温に冷やした後、０℃でＮａＯＨで中和し、酢酸エチルと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させて、中間体化合物［３－ｄ］（収率８６％）を得た。
中間体化合物［３－ｃ］（１．０ｅｑ）、ＨＢｒ（０．４ｅｑ）及び酢酸（０．２ｅｑ）を１２０℃で１６時間撹拌した。反応混合物を常温に冷やした後、０℃でＮａＯＨで中和し、酢酸エチルと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させて、中間体化合物［３－ｄ］（収率８６％）を得た。
【0234】
（５）中間体化合物［３－ｅ］の合成
中間体化合物［３－ｄ］（１．０ｅｑ）とＳＯＣｌ２（３８ｅｑ）を８０℃で２時間撹拌した。ＨＢｒ（０．４ｅｑ）及び酢酸（０．２ｅｑ）を入れて１２０℃で１６時間撹拌した。過量のＳＯＣｌ２は減圧して除去した。生成された固体化合物はｎ－へプタンで再結晶して中間体化合物［３－ｅ］（収率：９１％）を得た。
中間体化合物［３－ｄ］（１．０ｅｑ）とＳＯＣｌ２（３８ｅｑ）を８０℃で２時間撹拌した。ＨＢｒ（０．４ｅｑ）及び酢酸（０．２ｅｑ）を入れて１２０℃で１６時間撹拌した。過量のＳＯＣｌ２は減圧して除去した。生成された固体化合物はｎ－へプタンで再結晶して中間体化合物［３－ｅ］（収率：９１％）を得た。
【0235】
（６）中間体化合物［３－ｆ］の合成
ｎ－Ｂｕ４ＮＢｒ（１．０ｅｑ）をジクロロメタン（０．０２５Ｍ）に溶解させた後、撹拌しながら、ＮａＯＨ水溶液（２．５ｅｑ）と中間体化合物［３－ｅ］（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は室温で１２時間撹拌した。反応が完了した後、水を利用して反応をクエンチングし、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出し有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮して中間体化合物［３－ｆ］（収率５１％）を得た。
ｎ－Ｂｕ４ＮＢｒ（１．０ｅｑ）をジクロロメタン（０．０２５Ｍ）に溶解させた後、撹拌しながら、ＮａＯＨ水溶液（２．５ｅｑ）と中間体化合物［３－ｅ］（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は室温で１２時間撹拌した。反応が完了した後、水を利用して反応をクエンチングし、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出し有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮して中間体化合物［３－ｆ］（収率５１％）を得た。
【0236】
（７）中間体化合物［３－ｇ］の合成
中間体化合物［３－ｆ］（１．０ｅｑ）をジクロロメタンに溶解させた後、室温で撹拌しながらＡｇＯＴｆ（１．２ｅｑ）とｔ－ＢｕＣＯＯＣＨ２Ｃｌ（１．２ｅｑ）を添加した。反応混合物は２４時間撹拌しながら還流した。生成された固体化合物をジクロロメタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［３－ｇ］（収率６０％）を得た。
中間体化合物［３－ｆ］（１．０ｅｑ）をジクロロメタンに溶解させた後、室温で撹拌しながらＡｇＯＴｆ（１．２ｅｑ）とｔ－ＢｕＣＯＯＣＨ２Ｃｌ（１．２ｅｑ）を添加した。反応混合物は２４時間撹拌しながら還流した。生成された固体化合物をジクロロメタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［３－ｇ］（収率６０％）を得た。
【0237】
（８）化合物３の合成
中間体化合物［３－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（３．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物３（収率２０％）を得た。
中間体化合物［３－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（３．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物３（収率２０％）を得た。
【0238】
４．化合物４の合成
【化56】
【0239】
（１）中間体化合物［４－ａ］の合成
２－メトキシ－１－（５－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）エタン－１－アミン（５．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［４－ａ］を得た。（収率：７０％）
２－メトキシ－１－（５－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）エタン－１－アミン（５．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［４－ａ］を得た。（収率：７０％）
【0240】
（２）中間体化合物［４－ｂ］の合成
中間体化合物［４－ａ］（１．０ｅｑ）とＳｎ（７．０ｅｑ）を無水エタノール（０．１Ｍ）に溶解させた後、８０℃に加熱した。３７％ＨＣｌ溶液（１１ｅｑ）を添加した後、１２時間還流した。反応混合物は冷却してからろ過して、残りのＳｎを除去し、０℃でＮａＯＨで中和した。ジクロロメタンと水を利用して３回抽出し、有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮して中間体化合物［４－ｂ］（収率８５％）を得た。
中間体化合物［４－ａ］（１．０ｅｑ）とＳｎ（７．０ｅｑ）を無水エタノール（０．１Ｍ）に溶解させた後、８０℃に加熱した。３７％ＨＣｌ溶液（１１ｅｑ）を添加した後、１２時間還流した。反応混合物は冷却してからろ過して、残りのＳｎを除去し、０℃でＮａＯＨで中和した。ジクロロメタンと水を利用して３回抽出し、有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮して中間体化合物［４－ｂ］（収率８５％）を得た。
【0241】
（３）中間体化合物［４－ｃ］の合成
中間体化合物［４－ｂ］（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［４－ｃ］を得た。（収率：７３％）
中間体化合物［４－ｂ］（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［４－ｃ］を得た。（収率：７３％）
【0242】
（５）中間体化合物［４－ｄ］の合成
中間体化合物［４－ｃ］（１．０ｅｑ）、ＨＢｒ（０．４ｅｑ）及び酢酸（０．２ｅｑ）を１２０℃で１６時間撹拌した。反応混合物を常温に冷やした後、０℃でＮａＯＨで中和し、酢酸エチルと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させて、中間体化合物［４－ｄ］（収率９４％）を得た。
中間体化合物［４－ｃ］（１．０ｅｑ）、ＨＢｒ（０．４ｅｑ）及び酢酸（０．２ｅｑ）を１２０℃で１６時間撹拌した。反応混合物を常温に冷やした後、０℃でＮａＯＨで中和し、酢酸エチルと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させて、中間体化合物［４－ｄ］（収率９４％）を得た。
【0243】
（５）中間体化合物［４－ｅ］の合成
中間体化合物［４－ｄ］（１．０ｅｑ）とＳＯＣｌ２（３８ｅｑ）を８０℃で２時間撹拌した。過量のＳＯＣｌ２は減圧して除去した。生成された固体化合物はｎ－へプタンで再結晶して中間体化合物［４－ｅ］（収率：８０％）を得た。
中間体化合物［４－ｄ］（１．０ｅｑ）とＳＯＣｌ２（３８ｅｑ）を８０℃で２時間撹拌した。過量のＳＯＣｌ２は減圧して除去した。生成された固体化合物はｎ－へプタンで再結晶して中間体化合物［４－ｅ］（収率：８０％）を得た。
【0244】
（６）中間体化合物［４－ｆ］の合成
ｎ－Ｂｕ４ＮＢｒ（１．０ｅｑ）をジクロロメタン（０．０２５Ｍ）に溶解させた後、撹拌しながら、ＮａＯＨ水溶液（２．５ｅｑ）と中間体化合物［４－ｅ］（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は室温で１２時間撹拌した。反応が完了した後、水を利用して反応をクエンチングし、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出し有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮して中間体化合物［４－ｆ］（収率４５％）を得た。
ｎ－Ｂｕ４ＮＢｒ（１．０ｅｑ）をジクロロメタン（０．０２５Ｍ）に溶解させた後、撹拌しながら、ＮａＯＨ水溶液（２．５ｅｑ）と中間体化合物［４－ｅ］（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は室温で１２時間撹拌した。反応が完了した後、水を利用して反応をクエンチングし、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出し有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮して中間体化合物［４－ｆ］（収率４５％）を得た。
【0245】
（７）中間体化合物［４－ｇ］の合成
中間体化合物［４－ｆ］（１．０ｅｑ）をジクロロメタンに溶解させた後、室温で撹拌しながらＡｇＯＴｆ（２．４ｅｑ）とｔ－ＢｕＣＯＯＣＨ２Ｃｌ（２．５ｅｑ）を添加した。反応混合物は２４時間撹拌しながら還流した。生成された固体化合物をジクロロメタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［４－ｇ］（収率６１％）を得た。
中間体化合物［４－ｆ］（１．０ｅｑ）をジクロロメタンに溶解させた後、室温で撹拌しながらＡｇＯＴｆ（２．４ｅｑ）とｔ－ＢｕＣＯＯＣＨ２Ｃｌ（２．５ｅｑ）を添加した。反応混合物は２４時間撹拌しながら還流した。生成された固体化合物をジクロロメタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［４－ｇ］（収率６１％）を得た。
【0246】
（８）化合物４の合成
中間体化合物［４－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（６．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物４（収率２４％）を得た。
中間体化合物［４－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（６．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物４（収率２４％）を得た。
【0247】
５．化合物５の合成
【化57】
【0248】
（１）中間体化合物［５－ａ］の合成
１－（４’－（ｔｅｒｔ－ブチル）－５－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）－２メトキシエタン－１－アミン（５．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［５－ａ］を得た。（収率：７４％）
１－（４’－（ｔｅｒｔ－ブチル）－５－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）－２メトキシエタン－１－アミン（５．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［５－ａ］を得た。（収率：７４％）
【0249】
（２）中間体化合物［５－ｂ］の合成
中間体化合物［５－ａ］（１．０ｅｑ）とＳｎ（７．０ｅｑ）を無水エタノール（０．１Ｍ）に溶解させた後、８０℃に加熱した。３７％ＨＣｌ溶液（１１ｅｑ）を添加した後、１２時間還流した。反応混合物は冷却してからろ過して、残りのＳｎを除去し、０℃でＮａＯＨで中和した。ジクロロメタンと水を利用して３回抽出し、有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮して中間体化合物［５－ｂ］（収率７９％）を得た。
中間体化合物［５－ａ］（１．０ｅｑ）とＳｎ（７．０ｅｑ）を無水エタノール（０．１Ｍ）に溶解させた後、８０℃に加熱した。３７％ＨＣｌ溶液（１１ｅｑ）を添加した後、１２時間還流した。反応混合物は冷却してからろ過して、残りのＳｎを除去し、０℃でＮａＯＨで中和した。ジクロロメタンと水を利用して３回抽出し、有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮して中間体化合物［５－ｂ］（収率７９％）を得た。
【0250】
（３）中間体化合物［５－ｃ］の合成
中間体化合物［５－ｂ］（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［５－ｃ］を得た。（収率：７８％）
中間体化合物［５－ｂ］（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［５－ｃ］を得た。（収率：７８％）
【0251】
（４）中間体化合物［５－ｄ］の合成
中間体化合物［５－ｃ］（１．０ｅｑ）、ＨＢｒ（０．４ｅｑ）及び酢酸（０．２ｅｑ）を１２０℃で１６時間撹拌した。反応混合物を常温に冷やした後、０℃でＮａＯＨで中和し、酢酸エチルと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させて、中間体化合物［５－ｄ］（収率８５％）を得た。
中間体化合物［５－ｃ］（１．０ｅｑ）、ＨＢｒ（０．４ｅｑ）及び酢酸（０．２ｅｑ）を１２０℃で１６時間撹拌した。反応混合物を常温に冷やした後、０℃でＮａＯＨで中和し、酢酸エチルと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させて、中間体化合物［５－ｄ］（収率８５％）を得た。
【0252】
（５）中間体化合物［５－ｅ］の合成
中間体化合物［５－ｄ］（１．０ｅｑ）とＳＯＣｌ２（３８ｅｑ）を８０℃で２時間撹拌した。過量のＳＯＣｌ２は減圧して除去した。生成された固体化合物はｎ－へプタンで再結晶して中間体化合物［５－ｅ］（収率：８１％）を得た。
中間体化合物［５－ｄ］（１．０ｅｑ）とＳＯＣｌ２（３８ｅｑ）を８０℃で２時間撹拌した。過量のＳＯＣｌ２は減圧して除去した。生成された固体化合物はｎ－へプタンで再結晶して中間体化合物［５－ｅ］（収率：８１％）を得た。
【0253】
（６）中間体化合物［５－ｆ］の合成
ｎ－Ｂｕ４ＮＢｒ（１．０ｅｑ）をジクロロメタン（０．０２５Ｍ）に溶解させた後、撹拌しながら、ＮａＯＨ水溶液（２．５ｅｑ）と中間体化合物［５－ｅ］（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は室温で１２時間撹拌した。反応が完了した後、水を利用して反応をクエンチングし、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出し有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮して中間体化合物［５－ｆ］（収率５６％）を得た。
ｎ－Ｂｕ４ＮＢｒ（１．０ｅｑ）をジクロロメタン（０．０２５Ｍ）に溶解させた後、撹拌しながら、ＮａＯＨ水溶液（２．５ｅｑ）と中間体化合物［５－ｅ］（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は室温で１２時間撹拌した。反応が完了した後、水を利用して反応をクエンチングし、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出し有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮して中間体化合物［５－ｆ］（収率５６％）を得た。
【0254】
（７）中間体化合物［５－ｇ］の合成
中間体化合物［５－ｆ］（１．０ｅｑ）をジクロロメタンに溶解させた後、室温で撹拌しながらＡｇＯＴｆ（２．４ｅｑ）とｔ－ＢｕＣＯＯＣＨ２Ｃｌ（２．５ｅｑ）を添加した。反応混合物は２４時間撹拌しながら還流した。生成された固体化合物をジクロロメタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［５－ｇ］（収率６３％）を得た。
中間体化合物［５－ｆ］（１．０ｅｑ）をジクロロメタンに溶解させた後、室温で撹拌しながらＡｇＯＴｆ（２．４ｅｑ）とｔ－ＢｕＣＯＯＣＨ２Ｃｌ（２．５ｅｑ）を添加した。反応混合物は２４時間撹拌しながら還流した。生成された固体化合物をジクロロメタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［５－ｇ］（収率６３％）を得た。
【0255】
（８）化合物５の合成
中間体化合物［５－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（６．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物５（収率２０％）を得た。
中間体化合物［５－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（６．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物５（収率２０％）を得た。
【0256】
６．化合物６の合成
【化58】
【0257】
（１）中間体化合物［６－ａ］の合成
１－（３’－（ｔｅｒｔ－ブチル）－５－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）－２－メトキシエタン－１－アミン（５．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［６－ａ］を得た。（収率：７４％）
１－（３’－（ｔｅｒｔ－ブチル）－５－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）－２－メトキシエタン－１－アミン（５．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［６－ａ］を得た。（収率：７４％）
【0258】
（２）中間体化合物［６－ｇ］の合成
中間体化合物［６－ｇ］は上述した合成法と同じ方法で合成した。（収率：７０～７７％）
中間体化合物［６－ｇ］は上述した合成法と同じ方法で合成した。（収率：７０～７７％）
【0259】
（３）化合物６の合成
中間体化合物［６－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（６．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物６（収率２５％）を得た。
中間体化合物［６－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（６．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物６（収率２５％）を得た。
【0260】
７．化合物７の合成
【化59】
【0261】
（１）中間体化合物［７－ａ］の合成
１－（３’－（ｔｅｒｔ－ブチル）－５－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）－２－メトキシエタン－１－アミン（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［７－ａ］を得た。（収率：７０％）
１－（３’－（ｔｅｒｔ－ブチル）－５－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）－２－メトキシエタン－１－アミン（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［７－ａ］を得た。（収率：７０％）
【0262】
（２）中間体化合物［７－ｇ］の合成
中間体化合物［７－ｇ］は上述した合成法と同じ方法で合成した。（収率：７１％）
中間体化合物［７－ｇ］は上述した合成法と同じ方法で合成した。（収率：７１％）
【0263】
（３）化合物７の合成
中間体化合物［７－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（６．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物７（収率２１％）を得た。
中間体化合物［７－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（６．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物７（収率２１％）を得た。
【0264】
８．化合物８の合成
【化60】
【0265】
（１）中間体化合物［８－ａ］の合成
３’－（１－アミノ－２－メトキシエチル）－５’－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）－［１，１’－ビフェニル］－４－カルボノトリル（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［８－ａ］を得た。（収率：６５％）
３’－（１－アミノ－２－メトキシエチル）－５’－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）－［１，１’－ビフェニル］－４－カルボノトリル（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［８－ａ］を得た。（収率：６５％）
【0266】
（２）中間体化合物［８－ｇ］の合成
中間体化合物［８－ｇ］は上述した合成法と同じ方法で合成した。（収率：７６％）
中間体化合物［８－ｇ］は上述した合成法と同じ方法で合成した。（収率：７６％）
【0267】
（３）化合物８の合成
中間体化合物［８－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（６．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物８（収率２０％）を得た。
中間体化合物［８－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（６．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物８（収率２０％）を得た。
【0268】
９．化合物９の合成
【化61】
【0269】
（１）中間体化合物［９－ａ］の合成
３’－（１－アミノ－２－メトキシエチル）－５’－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）－［１，１’－ビフェニル］－３，５－ジカルボノトリル（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［９－ａ］を得た。（収率：４３％）
３’－（１－アミノ－２－メトキシエチル）－５’－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）－［１，１’－ビフェニル］－３，５－ジカルボノトリル（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［９－ａ］を得た。（収率：４３％）
【0270】
（２）中間体化合物［９－ｇ］の合成
中間体化合物［９－ｇ］は上述した合成法と同じ方法で合成した。（収率：７０％）
中間体化合物［９－ｇ］は上述した合成法と同じ方法で合成した。（収率：７０％）
【0271】
（３）化合物９の合成
中間体化合物［９－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（６．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物９（収率１４％）を得た。
中間体化合物［９－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（６．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物９（収率１４％）を得た。
【0272】
１０．化合物１０の合成
【化62】
【0273】
（１）中間体化合物［１０－ａ］の合成
１－（４’－（（３ｒ，５ｒ，７ｒ）－アダマンタン－１－イル）－５－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）－２－メトキシエタン－１－アミン（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［１０－ａ］を得た。（収率：７２％）
１－（４’－（（３ｒ，５ｒ，７ｒ）－アダマンタン－１－イル）－５－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）－２－メトキシエタン－１－アミン（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［１０－ａ］を得た。（収率：７２％）
【0274】
（２）中間体化合物［１０－ｇ］の合成
中間体化合物［１０－ｇ］は上述した合成法と同じ方法で合成した。（収率：７１％）
中間体化合物［１０－ｇ］は上述した合成法と同じ方法で合成した。（収率：７１％）
【0275】
（３）化合物１０の合成
中間体化合物［１０－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（６．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物１０（収率２２％）を得た。
中間体化合物［１０－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（６．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物１０（収率２２％）を得た。
【0276】
１１．化合物２２の合成
【化63】
【0277】
（１）中間体化合物［２２－ａ］の合成
２－メトキシ－１－（５－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）－６’－フェニル－［１，１’：２’，１”－テルフェニル］－３－イル）エタン－１－アミン（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［２２－ａ］を得た。（収率：７５％）
２－メトキシ－１－（５－（２－メトキシ－１－ニトロエチル）－６’－フェニル－［１，１’：２’，１”－テルフェニル］－３－イル）エタン－１－アミン（８．５ｅｑ）をトルエン（０．５Ｍ）に室温で撹拌しながら、シュウ酸ジエチル（１．０ｅｑ）を添加した。反応混合物は４時間還流した。反応が完了した後、ｎ－へプタンで洗浄し、ろ過して中間体化合物［２２－ａ］を得た。（収率：７５％）
【0278】
（２）中間体化合物［２２－ｇ］の合成
中間体化合物［２２－ｇ］は上述した合成法と同じ方法で合成した。（収率：７５％）
中間体化合物［２２－ｇ］は上述した合成法と同じ方法で合成した。（収率：７５％）
【0279】
（３）化合物２２の合成
中間体化合物［２２－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（６．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物２２（収率２３％）を得た。
中間体化合物［２２－ｇ］（１．０ｅｑ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）（１．２ｅｑ）及び酢酸ナトリウム（６．０ｅｑ）を無水１，４－ジオキサンに溶解させた後、窒素条件下、１２０℃で４日間撹拌した。常温で冷やした後、ジクロロメタンと水を利用して３回抽出して有機層を得た。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させてから濃縮し、カラムクロマトグラフィを利用して（ＭＣ：５０ｖｏｌ％ヘキサン）化合物２２（収率２３％）を得た。
【0280】
（有機金属化合物の特性評価）
実施例化合物１～１０及び２２と比較例化合物Ｃ１及びＣ２の有機金属化合物の発光特性を評価し、下記表１に示した。
実施例化合物１～１０及び２２と比較例化合物Ｃ１及びＣ２の有機金属化合物の発光特性を評価し、下記表１に示した。
【0281】
実施例化合物と比較例化合物は以下のようである。
［実施例化合物］
［比較例化合物］
［実施例化合物］
【化64】
［比較例化合物］
【化65】
【0282】
【表1】
【0283】
表１において、それぞれの化合物に対する３ＭＣ ｓｔａｔｅエネルギーレベル値はＢ３ＬＹＰ ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌを使用して評価し、３ＭＬＣＴ（％）値は同じＧａｕｓｓｉａｎプログラムのＤＦＴ（ｄｅｎｓｉｔｙ ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ｔｈｅｏｒｙ）計算方法でＢ３ＬＹＰ、６－３１Ｇ（ｄ，ｐ）レベルで構造最適化で測定した。
【0284】
一実施形態に係る有機金属化合物は、３ＭＬＣＴ値が高く、３ＭＣ状態のエネルギーレベル値が高いため、励起状態での安定性が向上される。
【0285】
（有機電界発光素子の作製）
一実施形態に係る有機金属化合物を発光層に含む有機電界発光素子を以下の方法で作製した。上述した実施例化合物及び比較例化合物を発光層のドーパント材料として使用し、有機電界発光素子を作製した。
一実施形態に係る有機金属化合物を発光層に含む有機電界発光素子を以下の方法で作製した。上述した実施例化合物及び比較例化合物を発光層のドーパント材料として使用し、有機電界発光素子を作製した。
【0286】
詳しくは、基板及びアノードとしてコーニング（ｃｏｒｎｉｎｇ）社の１５Ω／ｃｍ２（１２０ｎｍ）ＩＴＯが形成されたガラス基板を５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍのサイズに切って、イソプロピルアルコールと純水を利用して各５分間超音波洗浄した後、３０分間紫外線を照射し、オゾンに露出させて洗浄して、真空蒸着装置に該ガラス基板を設置した。
【0287】
ガラス基板に形成されたＩＴＯアノードの上部に２－ＴＮＡＴＡを真空蒸着し、厚さ６０ｎｍの正孔注入層を形成し、正孔注入層の上部にＮＰＢを真空蒸着して、厚さ３０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【0288】
正孔輸送層の上部にホストであるＢＣＰＤＳ及びＰＯＰＣＰＡ（ＢＣＰＤＳとＰＯＰＣＰＡの重量比は１：１）と、ドーパントである実施例化合物または比較例化合物をホストとドーパントの重量比が９０：１０になるように共蒸着して、厚さ３０ｎｍの発光層を形成した。
【化66】
【化67】
【0289】
発光層の上部にＴＳＰ０１を蒸着して厚さ５ｎｍの正孔阻止層を形成し、正孔阻止層の上部にＡｌｑ３を蒸着して厚さ３０ｎｍの電子輸送層を形成し、電子輸送層の上部にＬｉＦを蒸着して厚さ１ｎｍの電子注入層を形成し、電子注入層の上部にＡｌを真空蒸着して厚さ３００ｎｍのカソードを形成して、有機電界発光素子を作製した。
【0290】
実施例１～１１、及び比較例１～２による測定値を下記表２に示す。
【表2】
【0291】
一実施形態の有機電界発光素子は、一実施形態に係る有機金属化合物を含むことで、低い駆動電圧、改善された発光効率及び寿命を同時に実現することができる。また、一実施形態の有機電界発光素子は、一実施形態に係る有機金属化合物を発光層材料として使用することで、青色光波長領域で発光素子の低い駆動電圧、改善された発光効率及び寿命を同時に実現することができる。
【0292】
以上に本発明の実施形態を説明したが、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明がその技術的思想や必須的特徴を変更せずに他の具体的な形態に実施され得ることを理解できるはずである。よって、上述した実施形態は全ての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解すべきである。
【符号の説明】
【0293】
ＤＤ、ＤＤ－ＴＤ：表示装置 ＥＤ：有機電界発光素子
ＥＬ１：第１電極 ＥＬ２：第２電極
ＨＴＲ：正孔輸送領域 ＥＭＬ：発光層
ＥＴＲ：電子輸送領域
ＥＬ１：第１電極 ＥＬ２：第２電極
ＨＴＲ：正孔輸送領域 ＥＭＬ：発光層
ＥＴＲ：電子輸送領域
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
