(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022161321
(43)【公開日】2022-10-21
(54)【発明の名称】コイル部品
(51)【国際特許分類】
H01F 17/00 20060101AFI20221014BHJP
H01F 1/34 20060101ALI20221014BHJP
【ＦＩ】
H01F17/00 D
H01F1/34 140
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021066042
(22)【出願日】2021-04-08
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100145403
【弁理士】
【氏名又は名称】山尾 憲人
(74)【代理人】
【識別番号】100132252
【弁理士】
【氏名又は名称】吉田 環
(74)【代理人】
【識別番号】100221501
【弁理士】
【氏名又は名称】式見 真行
(72)【発明者】
【氏名】酒井 崇史
【テーマコード（参考）】
5E041
5E070
【Ｆターム（参考）】
5E041AB01
5E041BD01
5E070AA01
5E070AB08
5E070CB13
5E070CB17
(57)【要約】
【課題】耐電圧性が高いコイル部品の提供。
【解決手段】絶縁体部と、前記絶縁体部に埋設され、複数のコイル導体層が電気的に接続されたコイルと、前記絶縁体部の表面に設けられ、前記コイルと電気的に接続された外部電極とを含むコイル部品であって、前記絶縁体部は、少なくともＦｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、及びＣｕを含む磁性体相と、少なくともＳｉ及びＺｎを含む非磁性体相を含み、隣接する前記コイル導体層間に位置する前記絶縁体部のポア面積率は、０．３％以上３．０％以下であり、隣接する前記コイル導体層間に位置する前記絶縁体部の結晶粒子の平均結晶粒径は、０．２μｍ以上０．８μｍ以下である、コイル部品。
【選択図】図１
【解決手段】絶縁体部と、前記絶縁体部に埋設され、複数のコイル導体層が電気的に接続されたコイルと、前記絶縁体部の表面に設けられ、前記コイルと電気的に接続された外部電極とを含むコイル部品であって、前記絶縁体部は、少なくともＦｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、及びＣｕを含む磁性体相と、少なくともＳｉ及びＺｎを含む非磁性体相を含み、隣接する前記コイル導体層間に位置する前記絶縁体部のポア面積率は、０．３％以上３．０％以下であり、隣接する前記コイル導体層間に位置する前記絶縁体部の結晶粒子の平均結晶粒径は、０．２μｍ以上０．８μｍ以下である、コイル部品。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁体部と、
前記絶縁体部に埋設され、複数のコイル導体層が電気的に接続されたコイルと、
前記絶縁体部の表面に設けられ、前記コイルと電気的に接続された外部電極と
を含むコイル部品であって、
前記絶縁体部は、少なくともＦｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、及びＣｕを含む磁性体相と、少なくともＳｉ及びＺｎを含む非磁性体相を含み、
隣接する前記コイル導体層間に位置する前記絶縁体部のポア面積率は、０．３％以上３．０％以下であり、
隣接する前記コイル導体層間に位置する前記絶縁体部の結晶粒子の平均結晶粒径は、０．２μｍ以上０．８μｍ以下である、
コイル部品。
前記絶縁体部に埋設され、複数のコイル導体層が電気的に接続されたコイルと、
前記絶縁体部の表面に設けられ、前記コイルと電気的に接続された外部電極と
を含むコイル部品であって、
前記絶縁体部は、少なくともＦｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、及びＣｕを含む磁性体相と、少なくともＳｉ及びＺｎを含む非磁性体相を含み、
隣接する前記コイル導体層間に位置する前記絶縁体部のポア面積率は、０．３％以上３．０％以下であり、
隣接する前記コイル導体層間に位置する前記絶縁体部の結晶粒子の平均結晶粒径は、０．２μｍ以上０．８μｍ以下である、
コイル部品。
【請求項2】
前記絶縁体部の略中央部におけるポア面積率は、隣接する前記コイル導体層間に位置する前記絶縁体部のポア面積率よりも大きい、請求項１に記載のコイル部品。
【請求項3】
前記絶縁体部の略中央部におけるポア面積率は、２．０％以上６．０％以下である、請求項２に記載のコイル部品。
【請求項4】
前記絶縁体部は、
Ｆｅを、Ｆｅ2Ｏ3に換算して、２８モル％以上４１モル％以下、
Ｎｉを、ＮｉＯに換算して、１６モル％以上２４モル％以下、
Ｚｎを、ＺｎＯに換算して、２３モル％以上３７モル％以下、
Ｃｕを、ＣｕＯに換算して、５モル％以上９モル％以下、
Ｓｉを、ＳｉＯ2に換算して、４モル％以上１４モル％以下
含む、請求項１～３のいずれか１項に記載のコイル部品。
Ｆｅを、Ｆｅ2Ｏ3に換算して、２８モル％以上４１モル％以下、
Ｎｉを、ＮｉＯに換算して、１６モル％以上２４モル％以下、
Ｚｎを、ＺｎＯに換算して、２３モル％以上３７モル％以下、
Ｃｕを、ＣｕＯに換算して、５モル％以上９モル％以下、
Ｓｉを、ＳｉＯ2に換算して、４モル％以上１４モル％以下
含む、請求項１～３のいずれか１項に記載のコイル部品。
【請求項5】
前記コイル導体層の積層方向は、コイル実装面に対して平行である、請求項１～４のいずれか１項に記載のコイル部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、コイル部品に関する。
【背景技術】
【0002】
コイル部品において、フェライト組成物と珪酸亜鉛とを含む複合磁性材料を用いることにより、素体の比抵抗が高い電子部品を提供することができると報告されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１９－２１０２０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１では、素体の比抵抗が高い電子部品が開示されているが、特許文献１に記載の複合磁性材料を用いた場合であっても、コイル部品のコイル導体間の絶縁性が十分でない場合がある。
【0005】
本開示の目的は、高い耐電圧性を有するコイル部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示は、以下の態様を含む。
［１］ 絶縁体部と、
前記絶縁体部に埋設され、複数のコイル導体層が電気的に接続されたコイルと、
前記絶縁体部の表面に設けられ、前記コイルと電気的に接続された外部電極と
を含むコイル部品であって、
前記絶縁体部は、少なくともＦｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、及びＣｕを含む磁性体相と、少なくともＳｉ及びＺｎを含む非磁性体相を含み、
隣接する前記コイル導体層間に位置する前記絶縁体部のポア面積率は、０．３％以上３．０％以下であり、
隣接する前記コイル導体層間に位置する前記絶縁体部の結晶粒子の平均結晶粒径は、０．２μｍ以上０．８μｍ以下である、
コイル部品。
［２］ 前記絶縁体部の略中央部におけるポア面積率は、隣接する前記コイル導体層間に位置する前記絶縁体部のポア面積率よりも大きい、上記［１］に記載のコイル部品。
［３］ 前記絶縁体部の略中央部におけるポア面積率は、２．０％以上６．０％以下である、上記［２］に記載のコイル部品。
［４］ 前記絶縁体部は、
Ｆｅを、Ｆｅ2Ｏ3に換算して、２８モル％以上４１モル％以下、
Ｎｉを、ＮｉＯに換算して、１６モル％以上２４モル％以下、
Ｚｎを、ＺｎＯに換算して、２３モル％以上３７モル％以下、
Ｃｕを、ＣｕＯに換算して、５モル％以上９モル％以下、
Ｓｉを、ＳｉＯ2に換算して、４モル％以上１４モル％以下
含む、上記［１］～［３］のいずれか１項に記載のコイル部品。
［５］ 前記コイル導体層の積層方向は、コイル実装面に対して平行である、上記［１］～［４］のいずれか１項に記載のコイル部品。
［１］ 絶縁体部と、
前記絶縁体部に埋設され、複数のコイル導体層が電気的に接続されたコイルと、
前記絶縁体部の表面に設けられ、前記コイルと電気的に接続された外部電極と
を含むコイル部品であって、
前記絶縁体部は、少なくともＦｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、及びＣｕを含む磁性体相と、少なくともＳｉ及びＺｎを含む非磁性体相を含み、
隣接する前記コイル導体層間に位置する前記絶縁体部のポア面積率は、０．３％以上３．０％以下であり、
隣接する前記コイル導体層間に位置する前記絶縁体部の結晶粒子の平均結晶粒径は、０．２μｍ以上０．８μｍ以下である、
コイル部品。
［２］ 前記絶縁体部の略中央部におけるポア面積率は、隣接する前記コイル導体層間に位置する前記絶縁体部のポア面積率よりも大きい、上記［１］に記載のコイル部品。
［３］ 前記絶縁体部の略中央部におけるポア面積率は、２．０％以上６．０％以下である、上記［２］に記載のコイル部品。
［４］ 前記絶縁体部は、
Ｆｅを、Ｆｅ2Ｏ3に換算して、２８モル％以上４１モル％以下、
Ｎｉを、ＮｉＯに換算して、１６モル％以上２４モル％以下、
Ｚｎを、ＺｎＯに換算して、２３モル％以上３７モル％以下、
Ｃｕを、ＣｕＯに換算して、５モル％以上９モル％以下、
Ｓｉを、ＳｉＯ2に換算して、４モル％以上１４モル％以下
含む、上記［１］～［３］のいずれか１項に記載のコイル部品。
［５］ 前記コイル導体層の積層方向は、コイル実装面に対して平行である、上記［１］～［４］のいずれか１項に記載のコイル部品。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、耐電圧性が高いコイル部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本開示について、図面を参照しながら詳細に説明する。但し、本実施形態のコイル部品及び各構成要素の形状及び配置等は、図示する例に限定されない。
【0010】
【0011】
図１及び図２に示されるように、本実施形態のコイル部品１は、略直方体形状を有するコイル部品である。コイル部品１において、図１のＬ軸に垂直な面を「端面」と称し、Ｗ軸に垂直な面を「側面」と称し、Ｔ軸に垂直な面を「上面」及び「下面」と称する。コイル部品１は、概略的には、絶縁体部２と、該絶縁体部２の両端面に設けられた外部電極４，５とを含む。絶縁体部２には、コイル３が埋設されている。コイル３は、コイル部品の実装面（本実施形態では、下面）に平行に積層されたコイル導体層６が、絶縁体部２を貫通する接続導体によりコイル状に接続されることにより構成される。コイル導体層６のうち両端に位置するコイル導体層は、それぞれ、引出部７，８により、外部電極４，５に接続される。
【0012】
本実施形態のコイル部品１において、絶縁体部２は、複数の絶縁体層が積層されて構成される。
【0013】
上記絶縁体層は、好ましくはコイル部品１の実装面に平行に積層される。即ち、図２において、絶縁体層は、水平方向に積層される。
【0014】
上記コイル導体層６間の絶縁体層の厚さは、好ましくは３μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは３μｍ以上４０μｍ以下、さらに好ましくは３μｍ以上２０μｍ以下であり得る。かかる厚さを３μｍ以上とすることにより、コイル導体層間の絶縁性をより確実に確保できる。また、かかる厚さを５０μｍ以下とすることにより、より優れた電気特性を得ることができる。
【0015】
上記絶縁体部２は、磁性体相及び非磁性体相を含む。絶縁体部が磁性体相及び非磁性体相を含むことにより、優れた電気特性を得ることができる。
【0016】
上記磁性体相は、少なくともＦｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、及びＮｉを含む。
【0017】
上記磁性体相は、好ましくは、主成分として、少なくともＦｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、及びＮｉを含む焼結磁性材料から構成される。
【0018】
上記焼結磁性材料において、Ｆｅ含有量は、Ｆｅ2Ｏ3に換算して、好ましくは４０．０モル％以上４９．５モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは４５．０モル％以上４９．５モル％以下であり得る。
【0019】
上記焼結磁性材料において、Ｚｎ含有量は、ＺｎＯに換算して、好ましくは２．０モル％以上３５．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは５．０モル％以上３０．０モル％以下であり得る。
【0020】
上記焼結磁性材料において、Ｃｕ含有量は、ＣｕＯに換算して、好ましくは６．０モル％以上１３．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは７．０モル％以上１０．０モル％以下である。
【0021】
上記焼結磁性材料において、Ｎｉ含有量は、特に限定されず、上記した他の主成分であるＦｅ、Ｚｎ及びＣｕの残部とし得、ＮｉＯに換算して、好ましくは１０．０モル％以上４５．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは１５．０モル％以上４０．０モル％以下である。
【0022】
Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、及びＮｉの含有量を、上記の範囲とすることにより、優れた電気特性を得ることができる。
【0023】
本開示において、上記焼結磁性材料は、さらに添加成分を含んでいてもよい。焼結磁性材料における添加成分としては、例えばＭｎ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｓｉ等が挙げられるが、これに限定されるものではない。Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｂｉ及びＳｉの含有量（添加量）は、主成分（Ｆｅ（Ｆｅ2Ｏ3換算）、Ｚｎ（ＺｎＯ換算）、Ｃｕ（ＣｕＯ換算）及びＮｉ（ＮｉＯ換算））の合計１００質量部に対して、それぞれ、Ｍｎ3Ｏ4、Ｃｏ3Ｏ4、ＳｎＯ2、Ｂｉ2Ｏ3、及びＳｉＯ2に換算して、０．１質量部以上１質量部以下であることが好ましい。また、上記焼結磁性材料は、さらに製造上不可避な不純物を含んでいてもよい。
【0024】
上記非磁性体相は、少なくともＳｉ、及びＺｎを含む。
【0025】
上記非磁性体相は、好ましくは、主成分として、少なくともＳｉ、及びＺｎを含む焼結非磁性材料から構成される。
【0026】
上記焼結非磁性材料において、Ｓｉの含有量に対するＺｎの含有量のモル比（Ｚｎ／Ｓｉ）は、Ｓｉ含有量はＳｉＯ2に換算して、Ｚｎ含有量はＺｎＯに換算して、好ましくは１．８以上２．２以下、より好ましくは１．９以上２．１以下である。Ｓｉの含有量に対するＺｎの含有量の比を上記の範囲とすることにより、優れた電気特性を得ることができる。
【0027】
上記焼結非磁性材料は、さらに製造上不可避な不純物を含んでいてもよい。
【0028】
上記絶縁体部において、Ｆｅ含有量は、Ｆｅ2Ｏ3に換算して、好ましくは２８．０モル％以上４１．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは３０．０モル％以上３８．０モル％以下であり得る。
【0029】
上記絶縁体部において、Ｎｉ含有量は、ＮｉＯに換算して、好ましくは１６．０モル％以上２４．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは１７．０モル％以上２０．０モル％以下である。
【0030】
上記絶縁体部において、Ｚｎ含有量は、ＺｎＯに換算して、好ましくは２３．０モル％以上３７．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは２５．０モル％以上３５．０モル％以下であり得る。
【0031】
上記絶縁体部において、Ｃｕ含有量は、ＣｕＯに換算して、好ましくは５．０モル％以上９．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは６．０モル％以上８．０モル％以下である。
【0032】
上記絶縁体部において、Ｓｉ含有量は、ＳｉＯ2に換算して、好ましくは４．０モル％以上１４．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは６．０モル％以上１２．０モル％以下である。
【0033】
上記絶縁体部において、隣接するコイル導体層間に位置する絶縁体部（図２におけるＡ）の結晶粒子の平均結晶粒径は、０．２μｍ以上０．８μｍ以下、好ましくは０．２μｍ以上０．５μｍ以下である。当該平均結晶粒径を上記の範囲とすることにより、コイル部品の耐電圧性が向上する。
【0034】
上記絶縁体部において、絶縁体部の略中央部（図２におけるＢ）における結晶粒子の平均結晶粒径は、好ましくは０．２μｍ以上０．８μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上０．５μｍ以下である。当該平均結晶粒径を上記の範囲とすることにより、コイル部品の耐電圧性が向上する。
【0035】
上記絶縁体部において、絶縁体部の略中央部におけるポア面積率は、隣接する前記コイル導体層間に位置する絶縁体部のポア面積率よりも大きい。絶縁体部の略中央部におけるポア面積率を、隣接する前記コイル導体層間に位置する絶縁体部のポア面積率よりも大きくすることにより、コイル部品の耐電圧性が向上する。
【0036】
上記絶縁体部において、絶縁体部の略中央部における結晶粒子の平均結晶粒径は、隣接する前記コイル導体層間に位置する絶縁体部の結晶粒子の平均結晶粒径の、好ましくは１．０１倍以上２．０倍以下、より好ましくは１．０１倍以上１．５倍以下、さらに好ましくは１．０１倍以上１．２倍以下、さらにより好ましくは１．０２倍以上１．２倍以下である。
【0037】
上記平均結晶粒径は、以下のようにして測定することができる。
コイル部品を、ＬＴ面が露出するように試料の周囲を樹脂で固めて、研磨機でＷ方向に絶縁体部２の略中央部が露出するまで研磨する。研磨後に、断面を集束イオンビーム（ＦＩＢ）で加工し、観察用断面を得る。ＦＩＢ加工した断面について、観察領域（８μｍ×８μｍ）において結晶粒径を測定し、平均結晶粒径を求める。ここに、平均結晶粒径とは、結晶粒子の面積円相当径が個数基準で５０％となる粒径である。
コイル部品を、ＬＴ面が露出するように試料の周囲を樹脂で固めて、研磨機でＷ方向に絶縁体部２の略中央部が露出するまで研磨する。研磨後に、断面を集束イオンビーム（ＦＩＢ）で加工し、観察用断面を得る。ＦＩＢ加工した断面について、観察領域（８μｍ×８μｍ）において結晶粒径を測定し、平均結晶粒径を求める。ここに、平均結晶粒径とは、結晶粒子の面積円相当径が個数基準で５０％となる粒径である。
【0038】
上記絶縁体部において、隣接するコイル導体層間に位置する絶縁体部のポア面積率は、０．３％以上３．０％以下、好ましくは０．５％以上２．５％以下、より好ましくは１．０％以上２．５％以下である。当該ポア面積率を上記の範囲とすることにより、コイル部品の耐電圧性が向上する。
【0039】
上記絶縁体部において、絶縁体部の略中央部におけるポア面積率は、好ましくは２．０％以上６．０％以下、より好ましくは２．５％以上５．０％以下、さらに好ましくは３．０％以上４．５％以下である。当該ポア面積率を上記の範囲とすることにより、コイル部品の耐電圧性が向上する。
【0040】
上記絶縁体部において、絶縁体部の略中央部におけるポア面積率は、隣接するコイル導体層間に位置する絶縁体部のポア面積率よりも大きい。絶縁体部の略中央部におけるポア面積率を、隣接するコイル導体層間に位置する絶縁体部のポア面積率よりも大きくすることにより、コイル部品の耐電圧性が向上する。
【0041】
上記絶縁体部において、絶縁体部の略中央部におけるポア面積率は、隣接するコイル導体層間に位置する絶縁体部のポア面積率の、好ましくは１．１倍以上７．０倍以下、より好ましくは１．１倍以上５．０倍以下、さらに好ましくは１．５倍以上４．０倍以下、さらにより好ましくは２．０倍以上３．０倍以下である。
【0042】
上記ポア面積率は、以下のようにして測定することができる。
コイル部品を、ＬＴ面が露出するように試料の周囲を樹脂で固めて、研磨機でＷ方向に絶縁体部２の略中央部が露出するまで研磨する。研磨後に、断面を集束イオンビーム（ＦＩＢ）で加工し、観察用断面を得る。ＦＩＢ加工した断面について、観察領域（８μｍ×８μｍ）を、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で撮影する。得られたＳＥＭ画像を、画像解析ソフトを用いて、全体の面積に対するポアが占める面積の割合を求め、これをポア面積率とする。
コイル部品を、ＬＴ面が露出するように試料の周囲を樹脂で固めて、研磨機でＷ方向に絶縁体部２の略中央部が露出するまで研磨する。研磨後に、断面を集束イオンビーム（ＦＩＢ）で加工し、観察用断面を得る。ＦＩＢ加工した断面について、観察領域（８μｍ×８μｍ）を、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で撮影する。得られたＳＥＭ画像を、画像解析ソフトを用いて、全体の面積に対するポアが占める面積の割合を求め、これをポア面積率とする。
【0043】
上記コイル３は、コイル導体層６がコイル状に相互に電気的に接続されることにより構成されている。積層方向に互いに隣接するコイル導体層６は、絶縁体部２を貫通する接続導体により接続されている。
【0044】
上記コイル導体層を構成する材料は、特に限定されないが、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ等が挙げられる。上記コイル導体層を構成する材料は、好ましくはＡｇ又はＣｕ、より好ましくはＡｇである。導電性材料は、１種のみであっても、２種以上であってもよい。
【0045】
上記コイル導体層の厚さは、好ましくは５μｍ以上２５μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１５μｍ以下であり得る。コイル導体層の厚さを大きくすることにより、コイル部品の抵抗値がより小さくなる。ここにコイル導体層の厚さとは、積層方向に沿ったコイル導体層の厚さをいう。
【0046】
上記コイル導体層の厚さは、以下のようにして測定することができる。
コイル部品を、ＬＴ面が露出するように試料の周囲を樹脂で固めて、研磨機でＷ方向に絶縁体部２の略中央部が露出するまで研磨する。研磨後に、断面を集束イオンビーム（ＦＩＢ）で加工し、観察用断面を得る。ＦＩＢ加工した断面について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で断面を観察し、コイル導体層のＬ寸中央部の厚さを、ＳＥＭに付属している測定機能にて測定する。
コイル部品を、ＬＴ面が露出するように試料の周囲を樹脂で固めて、研磨機でＷ方向に絶縁体部２の略中央部が露出するまで研磨する。研磨後に、断面を集束イオンビーム（ＦＩＢ）で加工し、観察用断面を得る。ＦＩＢ加工した断面について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で断面を観察し、コイル導体層のＬ寸中央部の厚さを、ＳＥＭに付属している測定機能にて測定する。
【0047】
上記接続導体は、コイル導体層間の絶縁体部を貫通するように設けられる。接続導体を構成する材料は、上記コイル導体層に関して記載した材料であり得る。接続導体を構成する材料は、コイル導体層を構成する材料と同じであっても異なっていてもよい。好ましい態様において、接続導体を構成する材料は、コイル導体層を構成する材料と同じである。好ましい態様において、接続導体を構成する材料は、Ａｇである。
【0048】
上記引出部７，８は、それぞれ、複数のランド導体層９が電気的にビア導体１０により接続されることにより構成されている。
【0049】
上記ランド導体層を構成する材料は、特に限定されないが、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ等が挙げられる。上記ランド導体層を構成する材料は、好ましくはＡｇ又はＣｕ、より好ましくはＡｇである。ランド導体層を構成する材料は、１種のみであっても、２種以上であってもよい。上記ランド導体層を構成する材料は、上記コイル導体層を構成する材料と同じであっても、異なっていてもよいが、好ましくは同じである。
【0050】
上記ランド導体層の厚さは、好ましくは５μｍ以上２５μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１５μｍ以下であり得る。ランド導体層の厚さを大きくすることにより、コイル部品の抵抗値がより小さくなる。ここにランド導体層の厚さとは、積層方向に沿ったランド導体層の厚さをいう。
【0051】
上記ランド導体層の厚さは、上記コイル導体層の厚さと同様にして測定することができる。
【0052】
上記ビア導体は、ランド導体層間の絶縁体部を貫通するように設けられる。ビア導体を構成する材料は、上記ランド導体層に関して記載した材料であり得る。ビア導体を構成する材料は、ランド導体層を構成する材料と同じであっても異なっていてもよい。好ましい態様において、ビア導体を構成する材料は、ランド導体層を構成する材料と同じである。好ましい態様において、ビア導体を構成する材料は、Ａｇである。
【0053】
本実施形態において、各引出部におけるビア導体について、積層方向から平面視した場合に、積層方向に隣接するビア導体の中心は一致しない（図３）。即ち、積層方向に隣接するビア導体の中心は、互いにずれている。積層方向に隣接するビア導体の中心を互いにずらすことにより、コイル部品のクラックの発生を抑制することができる。
【0054】
本実施形態において、積層方向に隣接するビア導体は、交互にずれている。即ち、積層方向から平面視した場合に、ビア導体が存在する位置は２箇所であり、隣接するビア導体は、それぞれ別の箇所に位置するように設けられる。
【0055】
別の態様において、積層方向から平面視した場合に、積層方向に隣接するビア導体が存在する位置は、３箇所以上であってもよい。例えば、積層方向から平面視した場合に、積層方向に隣接するビア導体が存在する位置が３箇所である場合、該３箇所に位置するビア導体の中心が三角形、好ましくは正三角形を描くように、ビア導体を設けてもよい。
【0056】
積層方向に隣接するビア導体の中心のずれ幅（図３におけるｄ）は、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上２０μｍ以下である。
【0057】
積層方向に隣接するビア導体の中心のずれ幅は、ビア導体の直径の、好ましくは０．０５倍以上０．５倍以下、より好ましくは０．１倍以上０．４倍以下、さらに好ましくは０．１倍以上０．３倍以下である。ここに、ビア導体の直径とは、ビア導体の断面（積層面に平行な断面）のうち、最も大きい箇所の直径をいう。
【0058】
好ましい態様において、積層方向に隣接するビア導体は、積層方向から平面視した場合に重ならない。即ち、積層方向に隣接するビア導体は、積層方向から平面視した場合に、それぞれ完全に独立している。即ち、積層方向に隣接するビア導体の中心のずれ幅（図３におけるｄ）は、隣接するビア導体の半径の合計よりも大きい。
【0059】
別の態様において、積層方向から平面視した場合に、積層方向に隣接するビア導体の中心は一致する（図４）。
【0060】
外部電極４，５は、絶縁体部２の両端面を覆うように設けられる。上記外部電極は、導電性材料、好ましくはＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＣｕから選択される１種又はそれ以上の金属材料から構成される。
【0061】
上記外部電極は、単層であっても、多層であってもよい。一の態様において、上記外部電極は、多層、好ましくは２層以上４層以下、例えば３層であり得る。
【0062】
一の態様において、外部電極は多層であり、Ａｇ又はＰｄを含む層、Ｎｉを含む層、又はＳｎを含む層を含み得る。好ましい態様において、上記外部電極は、Ａｇ又はＰｄを含む層、Ｎｉを含む層、及びＳｎを含む層からなる。好ましくは、上記の各層は、コイル導体層側から、Ａｇ又はＰｄ、好ましくはＡｇを含む層、Ｎｉを含む層、Ｓｎを含む層の順で設けられる。好ましくは、上記Ａｇ又はＰｄを含む層はＡｇペースト又はＰｄペーストを焼き付けた層であり、上記Ｎｉを含む層及びＳｎを含む層は、めっき層であり得る。
【0063】
本開示のコイル部品は、好ましくは、長さ（Ｌ）が０．４ｍｍ以上３．２ｍｍ以下であり、幅（Ｗ）が０．２ｍｍ以上１．６ｍｍ以下であり、高さ（Ｔ）が０．２ｍｍ以上１．６ｍｍ以下であり、より好ましくは長さが０．６ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であり、幅が０．３ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であり、高さが０．３ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である。
【0064】
上記した本実施形態のコイル部品１の製造方法を以下に説明する。
【0065】
（１）磁性材料（仮焼磁性粉末）の調製
【0066】
まず、磁性材料の原料を準備する。磁性材料の原料は、主成分としてＦｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、及びＮｉを含む。通常、上記原料の主成分は、実質的にＦｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、及びＮｉの酸化物（理想的には、Ｆｅ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＣｕＯ及びＮｉＯ）から成る。
【0067】
上記原料として、Ｆｅ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＮｉＯ、及び必要に応じて添加成分を所定の組成になるように秤量し、混合及び粉砕する。得られた粉末を乾燥し、仮焼し、仮焼磁性粉末を得る。好ましくは、得られた仮焼磁性粉末を粉砕し、微粉化する。
【0068】
上記仮焼磁性粉末の粒径は、Ｄ５０で、好ましくは０．１μｍ以上０．２μｍ以下である。ここに、Ｄ５０は、レーザー回折散乱式粒度分布測定法を用いて得られる体積累積５０％相当径である。
【0069】
上記仮焼磁性粉末において、Ｆｅ含有量は、Ｆｅ2Ｏ3に換算して、好ましくは４０．０モル％以上４９．５モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは４５．０モル％以上４９．５モル％以下であり得る。
【0070】
上記仮焼磁性粉末において、Ｚｎ含有量は、ＺｎＯに換算して、好ましくは２．０モル％以上３５．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは５．０モル％以上３０．０モル％以下であり得る。
【0071】
上記仮焼磁性粉末において、Ｃｕ含有量は、ＣｕＯに換算して、好ましくは６．０モル％以上１３．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは７．０モル％以上１０．０モル％以下である。
【0072】
上記仮焼磁性粉末において、Ｎｉ含有量は、特に限定されず、上記した他の主成分であるＦｅ、Ｚｎ及びＣｕの残部とし得、ＮｉＯに換算して、好ましくは１０．０モル％以上４５．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは１５．０モル％以上４０．０モル％以下である。
【0073】
本開示において、上記仮焼磁性粉末は、さらに添加成分を含んでいてもよい。仮焼磁性粉末における添加成分としては、例えばＭｎ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｓｉ等が挙げられるが、これに限定されるものではない。Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｂｉ及びＳｉの含有量（添加量）は、主成分（Ｆｅ（Ｆｅ2Ｏ3換算）、Ｚｎ（ＺｎＯ換算）、Ｃｕ（ＣｕＯ換算）及びＮｉ（ＮｉＯ換算））の合計１００質量部に対して、それぞれ、Ｍｎ3Ｏ4、Ｃｏ3Ｏ4、ＳｎＯ2、Ｂｉ2Ｏ3、及びＳｉＯ2に換算して、０．１質量部以上１質量部以下であることが好ましい。また、上記仮焼磁性粉末は、さらに製造上不可避な不純物を含んでいてもよい。
【0074】
なお、上記仮焼磁性粉末におけるＦｅ含有量（Ｆｅ2Ｏ3換算）、Ｚｎ含有量（ＺｎＯ換算）、Ｃｕ含有量（ＣｕＯ換算）、及びＮｉ含有量（ＮｉＯ換算）は、焼成後の上記焼結磁性材料におけるＦｅ含有量（Ｆｅ2Ｏ3換算）、Ｚｎ含有量（ＺｎＯ換算）、Ｃｕ含有量（ＣｕＯ換算）、及びＮｉ含有量（ＮｉＯ換算）と実質的に相違ないと考えて差し支えない。
【0075】
（２）非磁性材料（仮焼非磁性粉末）の調製
まず、非磁性材料の原料を準備する。非磁性材料の原料は、主成分としてＳｉ及びＺｎを含む。通常、上記原料の主成分は、実質的にＳｉ及びＺｎの酸化物（理想的には、ＳｉＯ2及びＺｎＯ）から成る。
まず、非磁性材料の原料を準備する。非磁性材料の原料は、主成分としてＳｉ及びＺｎを含む。通常、上記原料の主成分は、実質的にＳｉ及びＺｎの酸化物（理想的には、ＳｉＯ2及びＺｎＯ）から成る。
【0076】
上記原料として、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、及び必要に応じて添加成分を所定の組成になるように秤量し、混合及び粉砕する。得られた粉末を乾燥し、仮焼し、仮焼非磁性粉末を得る。好ましくは、得られた仮焼非磁性粉末を粉砕し、微粉化する。
【0077】
上記仮焼非磁性粉末の粒径は、Ｄ５０で、好ましくは０．１μｍ以上０．２μｍ以下である。ここに、Ｄ５０は、レーザー回折散乱式粒度分布測定法を用いて得られる体積累積５０％相当径である。
【0078】
上記仮焼非磁性粉末において、Ｓｉ含有量は、ＳｉＯ2に換算して、好ましくは３１モル％以上３６モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは３２モル％以上３５モル％以下である。
【0079】
上記仮焼非磁性粉末において、Ｚｎ含有量は、ＺｎＯに換算して、好ましくは６４モル％以上６９モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、より好ましくは６５モル％以上６８モル％以下である。
【0080】
なお、上記仮焼非磁性粉末におけるＳｉ含有量（ＳｉＯ2換算）、及びＺｎ含有量（ＺｎＯ換算）は、焼成後の上記焼結非磁性材料におけるＳｉ含有量（ＳｉＯ2換算）、及びＺｎ含有量（ＺｎＯ換算）と実質的に相違ないと考えて差し支えない。
【0081】
（３）導電性ペーストの調製
まず、導電性材料を準備する。導電性材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ等が挙げられ、好ましくはＡｇ又はＣｕ、より好ましくはＡｇである。所定量の導電性材料の粉末を秤量し、所定量の溶剤（オイゲノールなど）、樹脂（エチルセルロースなど）、及び分散剤と、プラネタリーミキサー等で混錬した後、３本ロールミル等で分散することで、導電性ペーストを作製することができる。
まず、導電性材料を準備する。導電性材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ等が挙げられ、好ましくはＡｇ又はＣｕ、より好ましくはＡｇである。所定量の導電性材料の粉末を秤量し、所定量の溶剤（オイゲノールなど）、樹脂（エチルセルロースなど）、及び分散剤と、プラネタリーミキサー等で混錬した後、３本ロールミル等で分散することで、導電性ペーストを作製することができる。
【0082】
（４）シート作製
上記で調製した磁性材料及び非磁性材料を、所定の配合になるように混合する。これらの混合物を、例えばＰＳＺメディアとともにボールミルに入れ、さらにポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤、及び可塑剤を加え混合して、スラリーを得る。次に、このスラリーをドクターブレード法等でシート状に成形し、これを矩形状に打ち抜きグリーンシートを作製する。
上記で調製した磁性材料及び非磁性材料を、所定の配合になるように混合する。これらの混合物を、例えばＰＳＺメディアとともにボールミルに入れ、さらにポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤、及び可塑剤を加え混合して、スラリーを得る。次に、このスラリーをドクターブレード法等でシート状に成形し、これを矩形状に打ち抜きグリーンシートを作製する。
【0083】
上記グリーンシートの厚さは、例えば５μｍ以上４０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上２５μｍ以下であり得る。グリーンシートの厚さを、上記の範囲とすることにより、高い絶縁性と、優れた電気特性を得ることができる。
【0084】
上記混合物における、磁性材料及び非磁性材料の配合比（磁性材料：非磁性材料（質量比））は、好ましくは９０：１０～５：９５、より好ましくは９０：１０～５０：５０であり得る。磁性材料及び非磁性材料の配合比を上記の範囲とすることにより、優れた電気特性を得ることができる。
【0085】
次いで、上記で作製したグリーンシートに、レーザー照射を行い所定箇所にビアホールを形成する。上記で調製した導電性ペーストをスクリーン印刷することで、ビアホールに導電性ペーストを充填して、接続導体パターン、及び接続ビアパターンを形成する。また、グリーンシートに、導電性ペーストをスクリーン印刷することにより、コイルパターン、及びランドパターンを形成した。
【0086】
（５）積層、圧着及び個片化
上記で得られたグリーンシートを、所定のコイルパターンが得られるように積層し、熱圧着した積層ブロックを作製する。得られた積層ブロックを、ダイサー等で切断し、個片化し、未焼成素体を得る。
上記で得られたグリーンシートを、所定のコイルパターンが得られるように積層し、熱圧着した積層ブロックを作製する。得られた積層ブロックを、ダイサー等で切断し、個片化し、未焼成素体を得る。
【0087】
（６）焼成
上記で得られた未焼成素体を、焼成し、コイル部品の素体を得る。
上記で得られた未焼成素体を、焼成し、コイル部品の素体を得る。
【0088】
焼成温度は、好ましくは８５０℃以上９５０℃以下、より好ましくは９００℃以上９２０℃以下であり得る。
【0089】
焼成時間は、好ましくは１時間以上６時間以下、より好ましくは２時間以上４時間以下であり得る。
【0090】
好ましい態様において、焼成のトップ温度では、低酸素雰囲気とする。低酸素雰囲気とは、酸素濃度が、０．０１体積％以上１体積％以下である雰囲気をいう。焼成のトップ温度において低酸素雰囲気とすることにより、焼成後の結晶粒径を小さくすることができる。好ましくは、トップ温度からの降温過程においては、大気雰囲気とする。降温過程を大気雰囲気とすることにより、異相の生成を抑制することができる。
【0091】
焼成後には、得られた素体をメディアとともに回転バレル機に入れ、回転することにより、素体の稜線やコーナーにＲを形成してもよい。
【0092】
（７）電極形成
まず、下地電極を形成する。下地電極は、コイルが引き出された端面に、例えばＡｇとガラスを含んだ導電性ペーストを塗布し、焼き付けることにより形成することができる。
まず、下地電極を形成する。下地電極は、コイルが引き出された端面に、例えばＡｇとガラスを含んだ導電性ペーストを塗布し、焼き付けることにより形成することができる。
【0093】
上記下地電極の厚さは、例えば０．１μｍ以上２０μｍ以下、好ましくは３μｍ以上１７μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１５μｍ以下であり得る。
【0094】
上記焼き付け時の温度は、例えば８００℃以上８２０℃以下であり得る。
【0095】
下地電極を形成した素体に、電解めっきにより、下地電極上に金属層の被膜を形成する。当該被膜は、単層であっても、多層であってもよく、例えば下地電極上にＮｉ被膜を形成し、次いで、Ｓｎ被膜を形成してもよい。
【0096】
以上、本発明の１つの実施形態について説明したが、本実施形態は種々の改変が可能である。
【0097】
以下、本開示のコイル部品を実施例を挙げて説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定されるものではない。
【実施例0098】
実施例
・磁性材料の調製
Ｆｅ2Ｏ3を４７．０ｍｏｌ％、ＺｎＯを１６．０ｍｏｌ％、ＮｉＯを２７．０ｍｏｌ％、ＣｕＯを１０．０ｍｏｌ％の割合で配合し、さらに、Ｆｅ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＮｉＯ、及びＣｕＯの合計１００質量部に対し、Ｂｉ2Ｏ3を１．０質量部となるように配合し、混合物を得た。この混合物を湿式で混合、粉砕した後、乾燥することで水分を除去した。得られた乾燥物を８００℃の温度で２時間仮焼した。得られた仮焼物を湿式でＤ５０が０．２μｍになるまで粉砕し、磁性材料を作製した。
・磁性材料の調製
Ｆｅ2Ｏ3を４７．０ｍｏｌ％、ＺｎＯを１６．０ｍｏｌ％、ＮｉＯを２７．０ｍｏｌ％、ＣｕＯを１０．０ｍｏｌ％の割合で配合し、さらに、Ｆｅ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＮｉＯ、及びＣｕＯの合計１００質量部に対し、Ｂｉ2Ｏ3を１．０質量部となるように配合し、混合物を得た。この混合物を湿式で混合、粉砕した後、乾燥することで水分を除去した。得られた乾燥物を８００℃の温度で２時間仮焼した。得られた仮焼物を湿式でＤ５０が０．２μｍになるまで粉砕し、磁性材料を作製した。
【0099】
・非磁性材料の調製
ＺｎＯとＳｉＯ2をモル比が２：１の割合で配合し、湿式で混合、粉砕した後、乾燥することで水分を除去した。得られた乾燥物を１１００℃の温度で２時間仮焼した。得られた仮焼物を湿式でＤ５０が０．２μｍになるまで粉砕し、非磁性材料を作製した。
ＺｎＯとＳｉＯ2をモル比が２：１の割合で配合し、湿式で混合、粉砕した後、乾燥することで水分を除去した。得られた乾燥物を１１００℃の温度で２時間仮焼した。得られた仮焼物を湿式でＤ５０が０．２μｍになるまで粉砕し、非磁性材料を作製した。
【0100】
・グリーンシートの作製
得られた磁性材料と非磁性材料を、主成分含有量が下記表に示す３種類（試料番号１～３）の割合となるように秤量し、所定量のポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤、及び可塑剤をボールミルに入れ、混合した。次に、ドクターブレード法で、膜厚が約２５μｍのシート状に成形し、これを矩形状に打ち抜きグリーンシート１２を作製した。次いで、グリーンシートに、レーザー照射を行い所定箇所にビアホールを形成し、上記で調製した導電性ペーストをスクリーン印刷することにより、ビアホールに導電性ペーストを充填し、接続導体パターン２１、及び接続ビアパターン２０を形成した。また、グリーンシートに、導電性ペーストをスクリーン印刷することにより、コイルパターン１６、及びランドパターン１９を形成した。
得られた磁性材料と非磁性材料を、主成分含有量が下記表に示す３種類（試料番号１～３）の割合となるように秤量し、所定量のポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤、及び可塑剤をボールミルに入れ、混合した。次に、ドクターブレード法で、膜厚が約２５μｍのシート状に成形し、これを矩形状に打ち抜きグリーンシート１２を作製した。次いで、グリーンシートに、レーザー照射を行い所定箇所にビアホールを形成し、上記で調製した導電性ペーストをスクリーン印刷することにより、ビアホールに導電性ペーストを充填し、接続導体パターン２１、及び接続ビアパターン２０を形成した。また、グリーンシートに、導電性ペーストをスクリーン印刷することにより、コイルパターン１６、及びランドパターン１９を形成した。
【0101】
・コイル部品の作製
上記で得られたグリーンシートを、所定のコイルパターンが得られるように積層し（図５参照）、熱圧着した積層ブロックを作製した。得られた積層ブロックを、ダイサーで切断し、個片化し、未焼成素体を得た。なお、引出部におけるビア導体は、隣接するビア導体の中心が焼成後に１３μｍずれるように形成した（図３におけるｄを１３μｍとした）。
上記で得られたグリーンシートを、所定のコイルパターンが得られるように積層し（図５参照）、熱圧着した積層ブロックを作製した。得られた積層ブロックを、ダイサーで切断し、個片化し、未焼成素体を得た。なお、引出部におけるビア導体は、隣接するビア導体の中心が焼成後に１３μｍずれるように形成した（図３におけるｄを１３μｍとした）。
【0102】
上記で得られた未焼成素体を、トップ温度を９２０℃として４時間、酸素濃度０．１体積％下で、焼成して、コイル部品の素体を得た。得られた素体をメディアとともに回転バレル機に入れ、回転することにより、素体の稜線やコーナーにＲを形成した。
【0103】
上記得られた素体の端面に、Ａｇとガラスを含んだ導電性ペーストを塗布し、焼き付けることにより下地電極を形成し、電解めっきにより、下地電極上にＮｉ被膜、及びＳｎ被膜を形成して、外部電極とした。
【0104】
作製したコイル部品（試料番号１～３）の絶縁体部の組成を誘導結合プラズマ発光／質量分光法（ＩＣＰ－ＡＥＳ／ＭＳ）用いて分析した。結果を下記表１に示す。
【0105】
【表1】
【0106】
比較例
磁性材料及び非磁性材料の仮焼物の粉砕を行わなかったこと、及び焼成を全域大気雰囲気下で行ったこと以外は、上記実施例の試料番号１と同様にして、比較例のコイル部品（試料番号４）を作製した。
磁性材料及び非磁性材料の仮焼物の粉砕を行わなかったこと、及び焼成を全域大気雰囲気下で行ったこと以外は、上記実施例の試料番号１と同様にして、比較例のコイル部品（試料番号４）を作製した。
【0107】
＜評価＞
作製した試料番号１～４の試料について、試料を垂直になるように立てて、ＬＴ面が露出するように試料の周りを樹脂で固めた。研磨機で試料のＷ方向に積層体の略中央部が露出する深さで研磨を終了した。その断面を集束イオンビーム加工（ＦＩＢ加工）し、ＳＥＭ観察用の断面を得た。ＦＩＢ加工はエスアイアイ・ナノテクノロジー（株）のＦＩＢ加工装置ＳＭＩ３０５０Ｒを用いた。
作製した試料番号１～４の試料について、試料を垂直になるように立てて、ＬＴ面が露出するように試料の周りを樹脂で固めた。研磨機で試料のＷ方向に積層体の略中央部が露出する深さで研磨を終了した。その断面を集束イオンビーム加工（ＦＩＢ加工）し、ＳＥＭ観察用の断面を得た。ＦＩＢ加工はエスアイアイ・ナノテクノロジー（株）のＦＩＢ加工装置ＳＭＩ３０５０Ｒを用いた。
【0108】
ＦＩＢ加工した断面について、コイル導体間（図２のＡ）、及び積層体の略中央部（図２のＢ）をＳＥＭで撮影し、それぞれポア面積率と平均結晶粒径を測定した。なお、観察領域は、８×８μｍとした。結果を下記表２に示す。
【0109】
【表2】
【0110】
＜耐電圧試験＞
作製した試料について、それぞれ５０個について、２００Ｖのパルス電圧を３００回印加して耐電圧試験を行った。試料番号１～３において、耐電圧試験でショートは発生しなかったが、試料番号４においてはショートが発生した。
作製した試料について、それぞれ５０個について、２００Ｖのパルス電圧を３００回印加して耐電圧試験を行った。試料番号１～３において、耐電圧試験でショートは発生しなかったが、試料番号４においてはショートが発生した。
【0111】
上記の結果から、隣接する前記コイル導体層間に位置する絶縁体部のポア面積率、及び隣接する前記コイル導体層間に位置する絶縁体部の結晶粒子の平均結晶粒径が、本発明の範囲内にある場合、高い耐電圧を有することが示された。
【産業上の利用可能性】
【0112】
本開示のコイル部品は、幅広く様々な用途に使用され得る。
【符号の説明】
【0113】
１…コイル部品
２…絶縁体部
３…コイル
４，５…外部電極
６…コイル導体層
７，８…引出部
９…ランド導体層
１０…ビア導体
１２…グリーンシート
１６…コイルパターン
１９…ランドパターン
２０…接続ビアパターン
２１…接続導体パターン
２…絶縁体部
３…コイル
４，５…外部電極
６…コイル導体層
７，８…引出部
９…ランド導体層
１０…ビア導体
１２…グリーンシート
１６…コイルパターン
１９…ランドパターン
２０…接続ビアパターン
２１…接続導体パターン
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】