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特開2022-161846蒸着マスク、蒸着マスク装置、蒸着装置及び有機デバイスの製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022161846
(43)【公開日】2022-10-21
(54)【発明の名称】蒸着マスク、蒸着マスク装置、蒸着装置及び有機デバイスの製造方法
(51)【国際特許分類】
C23C 14/04 20060101AFI20221014BHJP
H01L 51/50 20060101ALI20221014BHJP
H05B 33/10 20060101ALI20221014BHJP
【ＦＩ】
C23C14/04 A
H05B33/14 A
H05B33/10
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022052480
(22)【出願日】2022-03-28
(31)【優先権主張番号】P 2021066651
(32)【優先日】2021-04-09
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000002897
【氏名又は名称】大日本印刷株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100091487
【弁理士】
【氏名又は名称】中村 行孝
(74)【代理人】
【識別番号】100120031
【弁理士】
【氏名又は名称】宮嶋 学
(74)【代理人】
【識別番号】100127465
【弁理士】
【氏名又は名称】堀田 幸裕
(74)【代理人】
【識別番号】100150717
【弁理士】
【氏名又は名称】山下 和也
(72)【発明者】
【氏名】宮谷 勲
(72)【発明者】
【氏名】池永 知加雄
(72)【発明者】
【氏名】中村 陽子
(72)【発明者】
【氏名】井上 功
【テーマコード（参考）】
3K107
4K029
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC35
3K107CC45
3K107FF15
3K107GG04
3K107GG28
3K107GG32
3K107GG33
3K107GG34
4K029AA09
4K029AA24
4K029BA62
4K029BB03
4K029BC07
4K029BD01
4K029CA01
4K029DB06
4K029HA01
4K029HA02
4K029HA03
4K029HA04
4K029JA02
4K029JA06
(57)【要約】 （修正有）
【課題】機械的強度を向上できる蒸着マスク、蒸着マスク装置、蒸着装置及び有機デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本開示による蒸着マスクは、第１面と、第１面とは反対側に位置する第２面２０ｂと、２つ以上の貫通孔２５と、を備えている。貫通孔は、第１面に位置する第１凹部３０と、第２面に位置する第２凹部３５と、を含んでいる。蒸着マスクは、第２面が残存している面積の比率を示す第１面残存率を有するマスク第１領域Ｍ１と、第２面が残存している面積の比率を示す第２面残存率であって、第１面残存率よりも大きい第２面残存率を有するマスク第２領域Ｍ２と、を備えている。
【選択図】図１２
【解決手段】本開示による蒸着マスクは、第１面と、第１面とは反対側に位置する第２面２０ｂと、２つ以上の貫通孔２５と、を備えている。貫通孔は、第１面に位置する第１凹部３０と、第２面に位置する第２凹部３５と、を含んでいる。蒸着マスクは、第２面が残存している面積の比率を示す第１面残存率を有するマスク第１領域Ｍ１と、第２面が残存している面積の比率を示す第２面残存率であって、第１面残存率よりも大きい第２面残存率を有するマスク第２領域Ｍ２と、を備えている。
【選択図】図１２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
蒸着マスクであって、
第１面と、
前記第１面とは反対側に位置する第２面と、
前記第１面から前記第２面に延びる２つ以上の貫通孔と、を備え、
前記貫通孔は、前記第１面に位置する第１凹部と、前記第２面に位置する、前記第１凹部に連通した第２凹部と、前記第１凹部の壁面と前記第２凹部の壁面に接続され、前記第１凹部の壁面及び前記第２凹部の壁面から前記貫通孔の内側に突き出された稜線と、を含み、
前記稜線は、前記第２面よりも前記第１面の側に位置し、
前記蒸着マスクは、前記第２面が残存している面積の比率を示す第１面残存率を有するマスク第１領域と、前記第２面が残存している面積の比率を示す第２面残存率であって、前記第１面残存率よりも大きい第２面残存率を有するマスク第２領域と、を備えた、蒸着マスク。
第１面と、
前記第１面とは反対側に位置する第２面と、
前記第１面から前記第２面に延びる２つ以上の貫通孔と、を備え、
前記貫通孔は、前記第１面に位置する第１凹部と、前記第２面に位置する、前記第１凹部に連通した第２凹部と、前記第１凹部の壁面と前記第２凹部の壁面に接続され、前記第１凹部の壁面及び前記第２凹部の壁面から前記貫通孔の内側に突き出された稜線と、を含み、
前記稜線は、前記第２面よりも前記第１面の側に位置し、
前記蒸着マスクは、前記第２面が残存している面積の比率を示す第１面残存率を有するマスク第１領域と、前記第２面が残存している面積の比率を示す第２面残存率であって、前記第１面残存率よりも大きい第２面残存率を有するマスク第２領域と、を備えた、蒸着マスク。
【請求項2】
前記マスク第１領域は、前記貫通孔の面積の比率を示す第１開口率を有し、
前記マスク第２領域は、前記貫通孔の面積の比率を示す第２開口率であって、前記第１開口率よりも小さい第２開口率を有する、請求項１に記載の蒸着マスク。
前記マスク第２領域は、前記貫通孔の面積の比率を示す第２開口率であって、前記第１開口率よりも小さい第２開口率を有する、請求項１に記載の蒸着マスク。
【請求項3】
互いに隣り合う前記第２凹部の前記壁面の間に、前記壁面を接続する接続面を含む桟が位置し、
前記第２凹部は、平面視において前記接続面に囲まれており、
平面視において１つの前記第２凹部を取り囲む前記接続面は、最も前記第２面の側に位置する最高点を含み、
前記接続面の任意の点を通るとともに前記第１面に垂直な断面であって、平面視において当該点からの距離が最短となる前記稜線上の点を通る断面を定義断面とし、
前記定義断面において、前記接続面と前記稜線とに接する直線を傾斜定義直線とし、
前記定義断面が前記最高点を通るとき、前記傾斜定義直線と前記第１面とがなす角度は、２５°以上且つ４５°以下である、請求項１又は２に記載の蒸着マスク。
前記第２凹部は、平面視において前記接続面に囲まれており、
平面視において１つの前記第２凹部を取り囲む前記接続面は、最も前記第２面の側に位置する最高点を含み、
前記接続面の任意の点を通るとともに前記第１面に垂直な断面であって、平面視において当該点からの距離が最短となる前記稜線上の点を通る断面を定義断面とし、
前記定義断面において、前記接続面と前記稜線とに接する直線を傾斜定義直線とし、
前記定義断面が前記最高点を通るとき、前記傾斜定義直線と前記第１面とがなす角度は、２５°以上且つ４５°以下である、請求項１又は２に記載の蒸着マスク。
【請求項4】
１つの前記第２凹部を取り囲む前記接続面は、２つ以上の前記最高点を含み、
２つ以上の前記最高点のうち対応する前記最高点を通る２つ以上の前記定義断面が定義され、
２つ以上の前記定義断面のうちの少なくとも１つの前記定義断面における前記傾斜定義直線と前記第１面とがなす角度が、２５°以上且つ４５°以下である、請求項３に記載の蒸着マスク。
２つ以上の前記最高点のうち対応する前記最高点を通る２つ以上の前記定義断面が定義され、
２つ以上の前記定義断面のうちの少なくとも１つの前記定義断面における前記傾斜定義直線と前記第１面とがなす角度が、２５°以上且つ４５°以下である、請求項３に記載の蒸着マスク。
【請求項5】
前記最高点は、前記第１面に垂直な方向において前記第２面と同じ位置に位置する、請求項３又は４に記載の蒸着マスク。
【請求項6】
前記接続面は、残存している前記第２面を構成するトップ面を含み、
前記最高点は、平面視において前記トップ面のうち前記稜線に最も近い点である、請求項５に記載の蒸着マスク。
前記最高点は、平面視において前記トップ面のうち前記稜線に最も近い点である、請求項５に記載の蒸着マスク。
【請求項7】
前記接続面のうちの任意の点を通る前記定義断面における前記傾斜定義直線と前記第１面とがなす角度は、２５°以上且つ４５°以下である、請求項３～６のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
【請求項8】
２つ以上の前記貫通孔は、平面視において、第１方向に配列され、
前記マスク第１領域に位置するとともに前記第１方向において隣り合う前記貫通孔の配列ピッチは、２０μｍ以上且つ１７０μｍ以下である、請求項１～７のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
前記マスク第１領域に位置するとともに前記第１方向において隣り合う前記貫通孔の配列ピッチは、２０μｍ以上且つ１７０μｍ以下である、請求項１～７のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
【請求項9】
２つ以上の前記貫通孔は、平面視において、前記第１方向に直交する第２方向に配列され、
前記マスク第１領域に位置するとともに前記第２方向において隣り合う前記貫通孔の配列ピッチは、２０μｍ以上且つ１７０μｍ以下である、請求項８に記載の蒸着マスク。
前記マスク第１領域に位置するとともに前記第２方向において隣り合う前記貫通孔の配列ピッチは、２０μｍ以上且つ１７０μｍ以下である、請求項８に記載の蒸着マスク。
【請求項10】
前記蒸着マスクの厚みは、５μｍ以上且つ３５μｍ以下である、請求項１～９のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
【請求項11】
フレーム開口を含むフレームと、
前記フレームに固定され、平面視において前記フレーム開口に重なる前記貫通孔を含む、請求項１～１０のいずれか一項に記載の蒸着マスクと、を備えた、蒸着マスク装置。
前記フレームに固定され、平面視において前記フレーム開口に重なる前記貫通孔を含む、請求項１～１０のいずれか一項に記載の蒸着マスクと、を備えた、蒸着マスク装置。
【請求項12】
蒸着材料を蒸発させる蒸着源と、
前記蒸着源に対向する、請求項１１に記載の蒸着マスク装置と、を備えた、蒸着装置。
前記蒸着源に対向する、請求項１１に記載の蒸着マスク装置と、を備えた、蒸着装置。
【請求項13】
前記蒸着源に対して前記蒸着マスクを回転させる回転駆動機構を備えた、請求項１２に記載の蒸着装置。
【請求項14】
請求項１１に記載の蒸着マスク装置の前記蒸着マスクを基板に密着させる工程と、
蒸着材料を、前記フレーム開口及び前記蒸着マスクの前記貫通孔を通過させることにより、前記基板に前記蒸着材料を蒸着させて蒸着層を形成する工程と、を備えた、有機デバイスの製造方法。
蒸着材料を、前記フレーム開口及び前記蒸着マスクの前記貫通孔を通過させることにより、前記基板に前記蒸着材料を蒸着させて蒸着層を形成する工程と、を備えた、有機デバイスの製造方法。
【請求項15】
前記蒸着層を形成する工程において、前記蒸着材料を蒸発させる蒸着源に対して前記蒸着マスク装置及び前記基板を回転させる、請求項１４に記載の有機デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、蒸着マスク、蒸着マスク装置、蒸着装置及び有機デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
スマートフォン又はタブレットＰＣ等の電子デバイスにおいて、高精細な表示装置が、市場から求められている。表示装置は、例えば、４００ｐｐｉ以上又は８００ｐｐｉ以上等の画素密度を有する。
【0003】
このような表示装置として、応答性の良さと、又は／及びコントラストの高さと、を有する有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として、画素を構成する材料を、基板に蒸着させる方法が知られている。この場合、まず、貫通孔を含む蒸着マスクと、蒸着マスクを支持するフレームと、を備える蒸着マスク装置を準備する。次に、蒸着装置内で、蒸着マスクを基板に密着させた状態で、有機材料又は無機材料等の蒸着材料を蒸着させる。このことにより、基板に、蒸着材料が付着して蒸着層が形成される。蒸着層は、有機ＥＬ表示装置の表示領域を構成する。
【0004】
蒸着材料を基板に蒸着させる際、蒸着材料の一部は、蒸着マスクの貫通孔の壁面及び蒸着源に対向する蒸着マスクの面に付着し得る。このことにより、基板への蒸着材料の付着が、貫通孔の壁面及び蒸着源に対向する蒸着マスクの面によって阻害される。この現象をシャドーとも称する。シャドーの発生を抑制するために、蒸着マスクの厚みは小さくなる傾向にある。このことにより、蒸着マスクの機械的強度が低下し得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０１９－０６００２８号公報
【特許文献2】特開２００５－１８３１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本開示の実施の形態は、機械的強度を向上できる蒸着マスク、蒸着マスク装置、蒸着装置及び有機デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示による蒸着マスクは、第１面と、第１面とは反対側に位置する第２面と、第１面から第２面に延びる２つ以上の貫通孔と、を備えている。貫通孔は、第１面に位置する第１凹部と、第２面に位置する、第１凹部に連通した第２凹部と、第１凹部の壁面と第２凹部の壁面に接続され、第１凹部の壁面及び第２凹部の壁面から貫通孔の内側に突き出された稜線と、を含んでいる。稜線は、第２面よりも第１面の側に位置している。蒸着マスクは、第２面が残存している面積の比率を示す第１面残存率を有するマスク第１領域と、第２面が残存している面積の比率を示す第２面残存率であって、第１面残存率よりも大きい第２面残存率を有するマスク第２領域と、を備えている。
【0008】
本開示による蒸着マスク装置は、フレーム開口を含むフレームと、フレームに固定され、平面視においてフレーム開口に重なる貫通孔を含む、上述の蒸着マスクと、を備えている。
【0009】
本開示による蒸着装置は、蒸着材料を蒸発させる蒸着源と、蒸着源に対向する、上述の蒸着マスク装置と、を備えている。
【0010】
本開示による有機デバイスの製造方法は、上述の蒸着マスク装置の蒸着マスクを基板に密着させる工程と、蒸着材料を、フレーム開口及び蒸着マスクの貫通孔を通過させることにより、基板に蒸着材料を蒸着させて蒸着層を形成する工程と、を備えている。
【発明の効果】
【0011】
本開示によれば、機械的強度を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【発明を実施するための形態】
【0013】
本明細書及び本図面において、特別な説明が無い限りは、「基板」や「基材」や「板」や「シート」や「フィルム」などのある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。
【0014】
本明細書及び本図面において、特別な説明が無い限りは、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待してもよい程度の範囲を含めて解釈することとする。
【0015】
本明細書及び本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。また、特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。
【0016】
本明細書及び本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号又は類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。
【0017】
本明細書及び本図面において、特別な説明が無い限りは、矛盾の生じない範囲で、その他の実施の形態や変形例と組み合わせられてもよい。また、その他の実施の形態同士や、その他の実施の形態と変形例も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられてもよい。また、変形例同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられてもよい。
【0018】
本明細書及び本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、開示されている工程の順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。
【0019】
本明細書及び本図面において、特別な説明が無い限りは、「～」という記号によって表現される数値範囲は、「～」という符号の前後に置かれた数値を含んでいる。例えば、「３４～３８質量％」という表現によって画定される数値範囲は、「３４質量％以上且つ３８質量％以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。
【0020】
本明細書の一実施の形態においては、有機デバイスを製造する際に有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる蒸着マスクやその製造方法に関した例をあげて説明する。ただし、このような適用に限定されることなく、種々の用途に用いられる蒸着マスクに対し、本実施の形態を適用できる。例えば、仮想現実いわゆるＶＲや拡張現実いわゆるＡＲを表現するための画像や映像を表示又は投影するための装置を製造するために、本実施の形態のマスクを用いてもよい。
【0021】
本開示の第１の態様は、
蒸着マスクであって、
第１面と、
前記第１面とは反対側に位置する第２面と、
前記第１面から前記第２面に延びる２つ以上の貫通孔と、を備え、
前記貫通孔は、前記第１面に位置する第１凹部と、前記第２面に位置する、前記第１凹部に連通した第２凹部と、前記第１凹部の壁面と前記第２凹部の壁面に接続され、前記第１凹部の壁面及び前記第２凹部の壁面から前記貫通孔の内側に突き出された稜線と、を含み、
前記稜線は、前記第２面よりも前記第１面の側に位置し、
前記蒸着マスクは、前記第２面が残存している面積の比率を示す第１面残存率を有するマスク第１領域と、前記第２面が残存している面積の比率を示す第２面残存率であって、前記第１面残存率よりも大きい第２面残存率を有するマスク第２領域と、を備えた、蒸着マスク、
である。
蒸着マスクであって、
第１面と、
前記第１面とは反対側に位置する第２面と、
前記第１面から前記第２面に延びる２つ以上の貫通孔と、を備え、
前記貫通孔は、前記第１面に位置する第１凹部と、前記第２面に位置する、前記第１凹部に連通した第２凹部と、前記第１凹部の壁面と前記第２凹部の壁面に接続され、前記第１凹部の壁面及び前記第２凹部の壁面から前記貫通孔の内側に突き出された稜線と、を含み、
前記稜線は、前記第２面よりも前記第１面の側に位置し、
前記蒸着マスクは、前記第２面が残存している面積の比率を示す第１面残存率を有するマスク第１領域と、前記第２面が残存している面積の比率を示す第２面残存率であって、前記第１面残存率よりも大きい第２面残存率を有するマスク第２領域と、を備えた、蒸着マスク、
である。
【0022】
本開示の第２の態様は、上述した第１の態様による蒸着マスクにおいて、
前記マスク第１領域は、前記貫通孔の面積の比率を示す第１開口率を有し、
前記マスク第２領域は、前記貫通孔の面積の比率を示す第２開口率であって、前記第１開口率よりも小さい第２開口率を有する、
ようにしてもよい。
前記マスク第１領域は、前記貫通孔の面積の比率を示す第１開口率を有し、
前記マスク第２領域は、前記貫通孔の面積の比率を示す第２開口率であって、前記第１開口率よりも小さい第２開口率を有する、
ようにしてもよい。
【0023】
本開示の第３の態様は、上述した第１の態様又は上述した第２の態様による蒸着マスクにおいて、
互いに隣り合う前記第２凹部の前記壁面の間に、前記壁面を接続する接続面を含む桟が位置し、
前記第２凹部は、平面視において前記接続面に囲まれており、
平面視において１つの前記第２凹部を取り囲む前記接続面は、最も前記第２面の側に位置する最高点を含み、
前記接続面の任意の点を通るとともに前記第１面に垂直な断面であって、平面視において当該点からの距離が最短となる前記稜線上の点を通る断面を定義断面とし、
前記定義断面において、前記接続面と前記稜線とに接する直線を傾斜定義直線とし、
前記定義断面が前記最高点を通るとき、前記傾斜定義直線と前記第１面とがなす角度は、２５°以上且つ４５°以下である、蒸着マスク、
である。
互いに隣り合う前記第２凹部の前記壁面の間に、前記壁面を接続する接続面を含む桟が位置し、
前記第２凹部は、平面視において前記接続面に囲まれており、
平面視において１つの前記第２凹部を取り囲む前記接続面は、最も前記第２面の側に位置する最高点を含み、
前記接続面の任意の点を通るとともに前記第１面に垂直な断面であって、平面視において当該点からの距離が最短となる前記稜線上の点を通る断面を定義断面とし、
前記定義断面において、前記接続面と前記稜線とに接する直線を傾斜定義直線とし、
前記定義断面が前記最高点を通るとき、前記傾斜定義直線と前記第１面とがなす角度は、２５°以上且つ４５°以下である、蒸着マスク、
である。
【0024】
本開示の第４の態様は、上述した第３の態様による蒸着マスクにおいて、
１つの前記第２凹部を取り囲む前記接続面は、２つ以上の前記最高点を含み、
２つ以上の前記最高点のうち対応する前記最高点を通る２つ以上の前記定義断面が定義され、
２つ以上の前記定義断面のうちの少なくとも１つの前記定義断面における前記傾斜定義直線と前記第１面とがなす角度が、２５°以上且つ４５°以下である、
ようにしてもよい。
１つの前記第２凹部を取り囲む前記接続面は、２つ以上の前記最高点を含み、
２つ以上の前記最高点のうち対応する前記最高点を通る２つ以上の前記定義断面が定義され、
２つ以上の前記定義断面のうちの少なくとも１つの前記定義断面における前記傾斜定義直線と前記第１面とがなす角度が、２５°以上且つ４５°以下である、
ようにしてもよい。
【0025】
本開示の第５の態様は、上述した第３の態様又は上述した第４の態様による蒸着マスクにおいて、
前記最高点は、前記第１面に垂直な方向において前記第２面と同じ位置に位置する、
ようにしてもよい。
前記最高点は、前記第１面に垂直な方向において前記第２面と同じ位置に位置する、
ようにしてもよい。
【0026】
本開示の第６の態様は、上述した第５の態様による蒸着マスクにおいて、
前記接続面は、残存している前記第２面を構成するトップ面を含み、
前記最高点は、平面視において前記トップ面のうち前記稜線に最も近い点である、
ようにしてもよい。
前記接続面は、残存している前記第２面を構成するトップ面を含み、
前記最高点は、平面視において前記トップ面のうち前記稜線に最も近い点である、
ようにしてもよい。
【0027】
本開示の第７の態様は、上述した第３の態様から上述した第６の態様のそれぞれによる蒸着マスクにおいて、
前記接続面のうちの任意の点を通る前記定義断面における前記傾斜定義直線と前記第１面とがなす角度は、２５°以上且つ４５°以下である、
ようにしてもよい。
前記接続面のうちの任意の点を通る前記定義断面における前記傾斜定義直線と前記第１面とがなす角度は、２５°以上且つ４５°以下である、
ようにしてもよい。
【0028】
本開示の第８の態様は、上述した第１の態様から上述した第７の態様のそれぞれによる蒸着マスクにおいて、
２つ以上の前記貫通孔は、平面視において、第１方向に配列され、
前記マスク第１領域に位置するとともに前記第１方向において隣り合う前記貫通孔の配列ピッチは、２０μｍ以上且つ１７０μｍ以下である、
ようにしてもよい。
２つ以上の前記貫通孔は、平面視において、第１方向に配列され、
前記マスク第１領域に位置するとともに前記第１方向において隣り合う前記貫通孔の配列ピッチは、２０μｍ以上且つ１７０μｍ以下である、
ようにしてもよい。
【0029】
本開示の第９の態様は、上述した第８の態様による蒸着マスクにおいて、
２つ以上の前記貫通孔は、平面視において、前記第１方向に直交する第２方向に配列され、
前記マスク第１領域に位置するとともに前記第２方向において隣り合う前記貫通孔の配列ピッチは、２０μｍ以上且つ１７０μｍ以下である、
ようにしてもよい。
２つ以上の前記貫通孔は、平面視において、前記第１方向に直交する第２方向に配列され、
前記マスク第１領域に位置するとともに前記第２方向において隣り合う前記貫通孔の配列ピッチは、２０μｍ以上且つ１７０μｍ以下である、
ようにしてもよい。
【0030】
本開示の第１０の態様は、上述した第１の態様から上述した第９の態様のそれぞれによる蒸着マスクにおいて、
前記蒸着マスクの厚みは、５μｍ以上且つ３５μｍ以下である、
ようにしてもよい。
前記蒸着マスクの厚みは、５μｍ以上且つ３５μｍ以下である、
ようにしてもよい。
【0031】
本開示の第１１の態様は、
フレーム開口を含むフレームと、
前記フレームに固定され、平面視において前記フレーム開口に重なる前記貫通孔を含む、上述した第１の態様から上述した第１０の態様のそれぞれによる蒸着マスクと、を備えた、蒸着マスク装置、
である。
フレーム開口を含むフレームと、
前記フレームに固定され、平面視において前記フレーム開口に重なる前記貫通孔を含む、上述した第１の態様から上述した第１０の態様のそれぞれによる蒸着マスクと、を備えた、蒸着マスク装置、
である。
【0032】
本開示の第１２の態様は、
蒸着材料を蒸発させる蒸着源と、
前記蒸着源に対向する、上述した第１１の態様による蒸着マスク装置と、を備えた、蒸着装置、
である。
蒸着材料を蒸発させる蒸着源と、
前記蒸着源に対向する、上述した第１１の態様による蒸着マスク装置と、を備えた、蒸着装置、
である。
【0033】
本開示の第１３の態様は、上述した第１２の態様による蒸着装置において、
前記蒸着源に対して前記蒸着マスクを回転させる回転駆動機構を備える、
ようにしてもよい。
前記蒸着源に対して前記蒸着マスクを回転させる回転駆動機構を備える、
ようにしてもよい。
【0034】
本開示の第１４の態様は、
上述した第１１の態様による蒸着マスク装置の前記蒸着マスクを基板に密着させる工程と、
蒸着材料を、前記フレーム開口及び前記蒸着マスクの前記貫通孔を通過させることにより、前記基板に前記蒸着材料を蒸着させて蒸着層を形成する工程と、を備えた、有機デバイスの製造方法、
である。
上述した第１１の態様による蒸着マスク装置の前記蒸着マスクを基板に密着させる工程と、
蒸着材料を、前記フレーム開口及び前記蒸着マスクの前記貫通孔を通過させることにより、前記基板に前記蒸着材料を蒸着させて蒸着層を形成する工程と、を備えた、有機デバイスの製造方法、
である。
【0035】
本開示の第１５の態様は、上述した第１４の態様による有機デバイスの製造方法において、
前記蒸着層を形成する工程において、前記蒸着材料を蒸発させる蒸着源に対して前記蒸着マスク装置及び前記基板を回転させる、
ようにしてもよい。
前記蒸着層を形成する工程において、前記蒸着材料を蒸発させる蒸着源に対して前記蒸着マスク装置及び前記基板を回転させる、
ようにしてもよい。
【0036】
以下、本開示の一実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施の形態は本開示の実施の形態の一例であって、本開示はこれらの実施の形態のみに限定して解釈されない。
【0037】
本実施の形態による有機デバイス１００について説明する。有機デバイス１００は、複数の素子１１５を備える。素子１１５は、例えば、後述する基板１１０上に形成された画素であってもよい。有機デバイス１００は、有機ＥＬ表示装置であってもよい。図１は、有機デバイス１００の基板１１０の法線方向に沿って見た場合における有機デバイス１００の一例を示す平面図である。以下の説明において、基板などの基礎となる物質の面の法線方向に沿って見ることを、平面視とも称する。
【0038】
有機デバイス１００は、図１に示すように、平面視において第１表示領域１０１及び第２表示領域１０２を含んでいてもよい。第２表示領域１０２は、第１表示領域１０１よりも小さい面積を有していてもよい。図１に示すように、第２表示領域１０２は、第１表示領域１０１によって囲まれていてもよい。図示はしないが、第２表示領域１０２の外縁の一部が、第１表示領域１０１の外縁の一部と同一直線上に位置していてもよい。
【0039】
図２は、第１表示領域１０１の素子１１５及び第２表示領域１０２の素子１１５を拡大して示す平面図である。図２では、後述する第２電極１４０は省略されている。図示しない第２電極１４０は、第１表示領域１０１及び第２表示領域１０２のいずれにおいても、平面視において素子１１５を構成する有機層１３０に重なっていてもよい。
【0040】
第１表示領域１０１において、素子１１５は、異なる２方向に沿って並んでいてもよい。第１表示領域１０１の２つ以上の素子１１５は、素子第１方向Ｇ１に沿って並んでいてもよい。第１表示領域１０１の２つ以上の素子１１５は、素子第１方向Ｇ１に交差する素子第２方向Ｇ２に沿って並んでいてもよい。素子第２方向Ｇ２は、素子第１方向Ｇ１に直交していてもよい。素子１１５は、後述するように、第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃを含んでいてもよい。図２には、各素子１１５Ａ、１１５Ｂ、１１５Ｃの配列の一例が示されている。しかしながら、このことに限られることはなく、各素子１１５Ａ、１１５Ｂ、１１５Ｃの配列は任意である。
【0041】
図２に示すように、第１表示領域１０１において、有機層１３０は、素子第１方向Ｇ１に沿って第１ピッチＰ１で並んでいてもよい。第２表示領域１０２において、有機層１３０は、素子第１方向Ｇ１に沿って第２ピッチＰ２で並んでいてもよい。第２ピッチＰ２は、第１ピッチＰ１よりも大きくてもよい。このことにより、透過領域１０４の面積が大きくなる。このため、第２表示領域１０２の透過率を大きくきる。
【0042】
第１ピッチＰ１に対する第２ピッチＰ２の比は、例えば、１．１以上でもよく、１．３以上でもよく、１．５以上でもよい。第１ピッチＰ１に対する第２ピッチＰ２の比は、例えば、２．０以下でもよく、３．０以下でもよく、４．０以下でもよい。第１ピッチＰ１に対する第２ピッチＰ２の比の範囲は、１．１、１．３及び１．５からなる第１グループ、及び／又は、２．０、３．０及び４．０からなる第２グループによって定められてもよい。第１ピッチＰ１に対する第２ピッチＰ２の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１ピッチＰ１に対する第２ピッチＰ２の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１ピッチＰ１に対する第２ピッチＰ２の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１．１以上４．０以下でもよく、１．１以上３．０以下でもよく、１．１以上２．０以下でもよく、１．１以上１．５以下でもよく、１．１以上１．３以下でもよく、１．３以上４．０以下でもよく、１．３以上３．０以下でもよく、１．３以上２．０以下でもよく、１．３以上１．５以下でもよく、１．５以上４．０以下でもよく、１．５以上３．０以下でもよく、１．５以上２．０以下でもよく、２．０以上４．０以下でもよく、２．０以上３．０以下でもよく、３．０以上４．０以下でもよい。第１ピッチＰ１に対する第２ピッチＰ２の比が小さい場合、第１表示領域１０１の画素密度に対する第２表示領域１０２の画素密度の差が小さくなる。これにより、第１表示領域１０１と第２表示領域１０２の間に視覚的な差が生じることを抑制できる。
【0043】
図２に示すように、第１表示領域１０１において、有機層１３０は、素子第２方向Ｇ２に沿って第３ピッチＰ３で並んでいてもよい。第２表示領域１０２において、有機層１３０は、素子第２方向Ｇ２に沿って第４ピッチＰ４で並んでいてもよい。第４ピッチＰ４は、第３ピッチＰ３よりも大きくてもよい。
【0044】
第３ピッチＰ３に対する第４ピッチＰ４の比は、例えば、１．１以上でもよく、１．３以上でもよく、１．５以上でもよい。第３ピッチＰ３に対する第４ピッチＰ４の比は、例えば、２．０以下でもよく、３．０以下でもよく、４．０以下でもよい。第３ピッチＰ３に対する第４ピッチＰ４の比の範囲は、１．１、１．３及び１．５からなる第１グループ、及び／又は、２．０、３．０及び４．０からなる第２グループによって定められてもよい。第３ピッチＰ３に対する第４ピッチＰ４の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第３ピッチＰ３に対する第４ピッチＰ４の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第３ピッチＰ３に対する第４ピッチＰ４の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１．１以上４．０以下でもよく、１．１以上３．０以下でもよく、１．１以上２．０以下でもよく、１．１以上１．５以下でもよく、１．１以上１．３以下でもよく、１．３以上４．０以下でもよく、１．３以上３．０以下でもよく、１．３以上２．０以下でもよく、１．３以上１．５以下でもよく、１．５以上４．０以下でもよく、１．５以上３．０以下でもよく、１．５以上２．０以下でもよく、２．０以上４．０以下でもよく、２．０以上３．０以下でもよく、３．０以上４．０以下でもよい。第３ピッチＰ３に対する第４ピッチＰ４の比が小さい場合、第１表示領域１０１の画素密度に対する第２表示領域１０２の画素密度の差が小さくなる。これにより、第１表示領域１０１と第２表示領域１０２の間に視覚的な差が生じることを抑制できる。
【0045】
図２に示すように、第２表示領域１０２は、非透過領域１０３及び透過領域１０４を含んでいてもよい。非透過領域１０３は、平面視において素子１１５と重なる領域であって、素子第２方向Ｇ２に沿って延びる領域であってもよい。非透過領域１０３において、素子１１５が、素子第２方向Ｇ２に並んでいてもよい。透過領域１０４は、平面視において素子１１５が存在していない領域であって、素子第２方向Ｇ２に沿って延びる領域であってもよい。非透過領域１０３及び透過領域１０４は、素子第１方向Ｇ１に交互に並んでいてもよい。
【0046】
非透過領域１０３の透過率を、第１透過率とも称する。透過領域１０４の透過率を、第２透過率とも称する。透過領域１０４が素子１１５を含まないため、第２透過率が第１透過率よりも高い。このため、透過領域１０４を含む第２表示領域１０２においては、有機デバイス１００に到達した光が透過領域１０４を透過して基板１１０の裏側の光学部品などに到達できる。光学部品は、例えばカメラなどの、光を検出することにより何らかの機能を実現する部品である。第２表示領域１０２が非透過領域１０３を含むため、素子１１５が画素である場合、第２表示領域１０２に映像を表示できる。このように、第２表示領域１０２は、光を検出し、且つ映像を表示できる。光を検出することによって実現される第２表示領域１０２の機能は、例えば、カメラ、指紋センサ、顔認証センサなどのセンサなどである。透過領域１０４の第２透過率が高いほど、センサが受光する光量を増やすことができる。
【0047】
素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における非透過領域１０３の寸法、及び素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における透過領域１０４の寸法のいずれかが１ｍｍ以下である場合、顕微分光光度計を用いて第１透過率及び第２透過率が測定される。顕微分光光度計としては、オリンパス株式会社製ＯＳＰ－ＳＰ２００が用いられる。石英がレファレンスとして用いられる５５０ｎｍにおける測定結果が、第１透過率及び第２透過率として用いられる。
【0048】
素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における非透過領域１０３の寸法、及び素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における透過領域１０４の寸法のいずれもが１ｍｍより大きい場合、分光光度計を用いて第１透過率及び第２透過率が測定される。分光光度計としては、株式会社島津製作所製の紫外可視分光光度計ＵＶ－２６００ｉが用いられる。分光光度計に微小光束絞りユニットを取り付けることにより、最大で１ｍｍの寸法を有する領域の透過率を測定できる。大気をレファレンスとして用いる。５５０ｎｍにおける測定結果が、第１透過率及び第２透過率として用いられる。
【0049】
第１透過率ＴＲ１に対する第２透過率ＴＲ２の比であるＴＲ２／ＴＲ１は、例えば、１．２以上でもよく、１．５以上でもよく、１．８以上でもよい。ＴＲ２／ＴＲ１は、例えば、２以下でもよく、３以下でもよく、４以下でもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、１．２、１．５及び１．８からなる第１グループ、及び／又は、２、３及び４からなる第２グループによって定められてもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１．２以上４以下でもよく、１．２以上３以下でもよく、１．２以上２以下でもよく、１．２以上１．８以下でもよく、１．２以上１．５以下でもよく、１．５以上４以下でもよく、１．５以上３以下でもよく、１．５以上２以下でもよく、１．５以上１．８以下でもよく、１．８以上４以下でもよく、１．８以上３以下でもよく、１．８以上２以下でもよく、２以上４以下でもよく、２以上３以下でもよく、３以上４以下でもよい。
【0050】
有機デバイス１００について、より詳細に説明する。図３は、図２に示す有機デバイス１００のＡ－Ａ線に沿った断面図である。図４は、図２に示す有機デバイス１００のＢ－Ｂ線に沿った断面図である。有機デバイス１００は、本実施の形態による後述の蒸着マスク装置１０を用いることによって基板１１０に形成された有機層１３０を備えている。１つの有機デバイス１００は、１つの表示領域を含んでいてもよい。
【0051】
図３に示すように、有機デバイス１００は、基板１１０と、基板１１０上に位置する素子１１５と、を備える。素子１１５は、第１電極１２０と、第１電極１２０上に位置する有機層１３０と、有機層１３０上に位置する第２電極１４０と、を含んでいてもよい。
【0052】
有機デバイス１００は、平面視において隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０を備えていてもよい。絶縁層１６０は、例えばポリイミドを含んでいてもよい。絶縁層１６０は、第１電極１２０の端部に重なっていてもよい。
【0053】
有機デバイス１００は、アクティブマトリクス型であってもよい。例えば、図示はしないが、有機デバイス１００は、複数の素子１１５のそれぞれに電気的に接続されているスイッチを備えていてもよい。スイッチは、例えばトランジスタであってもよい。スイッチは、対応する素子１１５に対する電圧又は電流のＯＮ／ＯＦＦを制御してもよい。
【0054】
基板１１０は、素子１１５が位置する第１面１１０ａと、第１面１１０ａとは反対側に位置する第２面１１０ｂと、を含んでいてもよい。基板１１０は、絶縁性を有する板状の部材であってもよい。基板１１０は、可視光を透過させる光透過性を有していてもよい。例えば、基板１１０は、ガラス基板であってもよい。
【0055】
基板１１０が、所定の光透過性を有する場合、基板１１０の光透過性は、有機層１３０からの発光を透過させて表示できる光透過性であってもよい。例えば、可視光領域における基板１１０の透過率が７０％以上であってもよく、８０％以上であってもよく、９０％以上であってもよい。基板１１０の透過率は、ＪＩＳ Ｋ７３６１－１に準ずるプラスチック－透明材料の全光透過率の試験方法によって測定されてもよい。
【0056】
基板１１０は、可撓性を有していてもよく、又は可撓性を有していなくてもよい。有機デバイス１００の用途に応じて基板１１０の材料は選択されてもよい。
【0057】
基板１１０の厚みは、基板１１０に用いられる材料や有機デバイス１００の用途等に応じて適宜選択されてもよい。例えば、基板１１０の厚みは、０．００５ｍｍ以上であってもよい。基板１１０の厚みは、５ｍｍ以下であってもよい。
【0058】
素子１１５は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧が印加されることによって、何らかの機能を実現するように構成されていてもよい。又は、素子１１５は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電流が流れることによって、何らかの機能を実現するよう構成されていてもよい。例えば、素子１１５が、有機デバイス１００の画素である場合、素子１１５は、映像を構成する光を放出してもよい。
【0059】
第１電極１２０は、導電性を有する材料を含む。例えば、第１電極１２０は、金属、導電性を有する金属酸化物又は、その他の導電性を有する無機材料などを含んでいてもよい。第１電極１２０は、インジウム・スズ酸化物などの、光透過性及び導電性を有する金属酸化物を含んでいてもよい。第１電極１２０を構成する材料としては、ＩＴＯと称される酸化インジウム錫、ＩＺＯと称される参加インジウム亜鉛等を用いてもよい。
【0060】
有機層１３０は、有機材料を含む。有機層１３０に通電されると、有機層１３０は、何らかの機能を発揮できる。通電とは、有機層１３０に電圧が印加されること、又は有機層１３０に電流が流れることを意味する。有機層１３０には、通電によって光を放出する発光層、又は通電によって光の透過率若しくは屈折率が変化する層等であってもよい。有機層１３０は、有機半導体材料を含んでいてもよい。
【0061】
図２及び図３に示すように、有機層１３０は、第１有機層１３０Ａと、第２有機層１３０Ｂと、第３有機層１３０Ｃと、を含んでいてもよい。有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃは、本実施の形態による蒸着マスク２０を用いる蒸着法によって形成されてもよい。例えば、第１有機層１３０Ａは、赤色発光層であってもよい。例えば、第２有機層１３０Ｂは、青色発光層であってもよい。例えば、第３有機層１３０Ｃは、緑色発光層であってもよい。例えば、第１有機層１３０Ａの形成に用いられる蒸着マスク２０の貫通孔２５は、第１有機層１３０Ａのパターンに対応するように形成されていてもよい。第２有機層１３０Ｂの形成に用いられる蒸着マスク２０の貫通孔２５は、第２有機層１３０Ｂのパターンに対応するように形成されていてもよい。第３有機層１３０Ｃの形成に用いられる蒸着マスク２０の貫通孔２５は、第３有機層１３０Ｃのパターンに対応するように形成され炊いてもよい。以下の説明において、有機層の構成のうち、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃに共通する構成を説明する場合には、「有機層１３０」という用語及び符号を用いる。
【0062】
上述した第１素子１１５Ａは、第１電極１２０、第１有機層１３０Ａ及び第２電極１４０を含んでいてもよい。第２素子１１５Ｂは、第１電極１２０、第２有機層１３０Ｂ及び第２電極１４０を含んでいてもよい。第３素子１１５Ｃは、第１電極１２０、第３有機層１３０Ｃ及び第２電極１４０を含んでいてもよい。第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃはそれぞれ、サブ画素である。第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃの組み合わせによって、１つの画素が構成されてもよい。
【0063】
以下の説明において、素子の構成のうち、第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃに共通する構成を説明する場合には、「素子１１５」という用語及び符号を用いる。図２のような平面図において、素子１１５の輪郭は、平面視において第１電極１２０及び第２電極１４０と重なる有機層１３０の輪郭であってもよい。有機デバイス１００が絶縁層１６０を備える場合、素子１１５の輪郭は平面視において第１電極１２０及び第２電極１４０と重なるとともに絶縁層１６０と重ならない有機層１３０の輪郭であってもよい。
【0064】
第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧を印加すると、両者の間に位置する有機層１３０が駆動される。有機層１３０が発光層である場合、有機層１３０から光が放出され、光が第２電極１４０側又は第１電極１２０側から外部へ取り出される。
【0065】
有機層１３０が、通電によって光を放出する発光層である場合、有機層１３０は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを含んでいてもよい。
【0066】
例えば、第１電極１２０が陽極である場合、有機層１３０は、発光層と第１電極１２０との間に正孔注入輸送層を有していてもよい。正孔注入輸送層は、正孔注入機能を有する正孔注入層であってもよい。あるいは、正孔注入輸送層は、正孔輸送機能を有する正孔輸送層であってもよく、又は正孔注入機能及び正孔輸送機能の両機能を有していてもよい。正孔注入輸送層は、正孔注入層及び正孔輸送層が積層された構成を有していてもよい。
【0067】
第２電極１４０が陰極である場合、有機層１３０は、発光層と第２電極１４０との間に電子注入輸送層を有していてもよい。電子注入輸送層は、電子注入機能を有する電子注入層であってもよい。あるいは、電子注入輸送層は、電子輸送機能を有する電子輸送層であってもよく、又は電子注入機能及び電子輸送機能の両機能を有していてもよい。電子注入輸送層は、電子注入層及び電子輸送層が積層された構成を有していてもよい。
【0068】
有機層１３０が発光層である場合、有機層１３０は、発光材料を含む。発光層は、レベリング性を良くする添加剤を含んでいてもよい。発光材料には、公知の材料を用いてもよい。例えば、発光材料には、色素系材料、金属錯体系材料、又は高分子系材料を用いてもよい。
【0069】
有機層１３０の厚みは、電子と正孔とが再結合して発光できる厚みであれば任意である。有機層１３０の厚みは、例えば１ｎｍ以上であってもよい、有機層１３０の厚みは、例えば５００ｎｍ以下であってもよい。
【0070】
第２電極１４０は、金属などの、導電性を有する材料を含む。第２電極１４０は、有機層１３０の上に形成されてもよい。第２電極１４０を構成する材料には、白金、金、銀、銅、鉄、錫、クロム、アルミニウム、インジウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、クロム、又は炭素等が用いられてもよい。これらの導電性材料は、単独で用いられてもよく、又は２種類以上の材料を組み合わせて用いられてもよい。２種類以上の材料を用いる場合には、各材料からなる層が積層されてもよい。導電性材料に、２種類以上の材料を含む合金が用いられてもよい。例えば、導電性材料に、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のアルミニウム合金、アルカリ金属類又はアルカリ土類金属類の合金等が用いられてもよい。第２電極１４０を構成する材料としては、ＩＴＯと称される酸化インジウム錫、ＩＺＯと称される参加インジウム亜鉛等を用いてもよい。
【0071】
図３及び図４に示すように、第２電極１４０は、第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを含んでいてもよい。第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂはそれぞれ、パターン状に形成されている。第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂは、蒸着層の一例であってもよい。第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂは、互いに異なる蒸着マスク２０を用いる蒸着法によって形成される層であってもよい。より具体的には、第１層１４０Ａの形成に用いられる蒸着マスク２０の貫通孔２５は、第１層１４０Ａのパターンに対応するように形成されていてもよい。第２層１４０Ｂの形成に用いられる蒸着マスク２０の貫通孔２５は、第２層１４０Ｂのパターンに対応するように形成されていてもよい。第２電極１４０を、パターン状の第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂで構成することにより、設計の自由度を向上させることができる。例えば、光透過度を向上させる位置には、第２電極１４０が配置されることを容易に回避することができる。このため、有機デバイス１００の光透過度を向上させることができる。
【0072】
第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂは、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃを含む少なくとも１つの有機層１３０と平面視で重なるように広がっていてもよい。図３及び図４に示すように、第１層１４０Ａの端部と第２層１４０Ｂの端部とが部分的に重なっていてもよい。第１層１４０Ａと第２層１４０Ｂとが重なっている領域のことを、電極重なり領域１４５とも称する。第１層１４０Ａと第２層１４０Ｂとが重なることにより、第１層１４０Ａと第２層１４０Ｂとを電気的に接続することができる。
【0073】
有機デバイス１００は、有機層１３０等の基板１１０上の要素を覆う封止層（図示せず）を備えていてもよい。封止層は、有機デバイス１００の外部の水蒸気等が有機デバイス１００の内部に入ることを抑制できる。これにより、有機層１３０等が水分に起因して劣化することを抑制できる。封止層は、例えば有機材料で構成された層を含んでいてもよい。有機材料は、封止層で光の屈折が生じることを抑制するために、有機層１３０と等しい屈折率を有していてもよく、又は有機層１３０に近い屈折率を有していてもよい。有機材料は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）等の無機材料で封止されていてもよい。この場合、封止層は、有機材料の層と無機材料の層とが積層された積層構造を有していてもよい。第２電極１４０と封止層との間には、平坦化層（図示せず）が介在されていてもよい。平坦化層は、基板１１０上の要素の凹凸に入り込むことにより、封止層の密着性を向上させるための層であってもよい。
【0074】
平面視における有機層１３０の配置は、高倍率のデジタルマイクロスコープを用いて有機デバイス１００を観察することによって検出される。検出結果に基づいて、上述の占有率、面積、寸法、間隔などを算出できる。有機デバイス１００がカバーガラスなどのカバーを備える場合、カバーを取り除いた後、有機層１３０を観察してもよい。カバーは、剥がすことによって取り除かれる。
【0075】
有機デバイス１００の各構成要素の厚みは、白色干渉計を用いて有機デバイス１００の断面の画像を観察することによって測定してもよい。基板１１０の厚み、有機層１３０の厚み及び第２電極１４０の厚みの測定には、株式会社菱化システム製の白色干渉計「VertScan（登録商標）、Ｒ６５００Ｈ－Ａ３００」が用いられる。
【0076】
上述の有機デバイス１００の有機層１３０及び第２電極１４０を蒸着法によって形成する方法について説明する。
【0077】
まず、対象物としての基板に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する蒸着装置８０について、図５を参照して説明する。図５は、蒸着装置８０を示す図である。図５に示すように、蒸着装置８０は、ケーシング８１と、排気部８２と、蒸着源８３と、ヒータ８４と、回転駆動機構８５と、蒸着マスク装置１０と、を備えていてもよい。図５に示す蒸着装置８０は、回転式の蒸着装置の一例である。
【0078】
ケーシング８１は、蒸着処理を実施するための処理空間８１ａを画定していてもよい。ケーシング８１には、排気部８２が接続されていてもよい。この場合、排気部８２が処理空間８１ａ内の気体を排出することにより、処理空間８１ａの圧力が低下し、処理空間８１ａが真空雰囲気に維持される。
【0079】
蒸着源８３は、ケーシング８１内に位置している。蒸着源８３は、蒸着材料９０を蒸発させるように構成されており、例えば、るつぼとして構成されていてもよい。蒸着源８３に収容される蒸着材料９０の例としては、有機発光材料又は無機材料などが挙げられる。ヒータ８４は、蒸着源８３に収容された蒸着材料９０を加熱するように構成されている。蒸着源８３は、処理空間８１ａ内で移動しないようにケーシング８１に固定されていてもよい。
【0080】
ケーシング８１に、回転駆動機構８５が取り付けられていてもよい。回転駆動機構８５は、蒸着源８３に対して基板１１０及び蒸着マスク装置１０を回転させるように構成されていてもよい。図５に示す例では、回転駆動機構８５は、蒸着源８３の上方に位置している。回転駆動機構８５は、基板１１０及び蒸着マスク装置１０を保持するホルダー８５ａと、ホルダー８５ａをケーシング８１に対して回転する回転駆動部８５ｂと、ホルダー８５ａと回転駆動部８５ｂとを連結する回転軸８５ｃと、を含んでいてもよい。ホルダー８５ａは、後述する磁石８７を介して、基板１１０及び蒸着マスク装置１０を保持してもよい。
【0081】
蒸着マスク装置１０は、ケーシング８１の内部に位置しており、蒸着源８３と対向している。蒸着マスク装置１０は、蒸着時には、上述したホルダー８５ａに保持されてもよい。図５に示す例では、蒸着マスク装置１０は、蒸着源８３の上方に位置している。本実施の形態においては、基板１１０のうち蒸着材料９０を蒸着すべき領域は、蒸着源８３で蒸発した蒸着材料９０が到達し得る領域よりも大きくなっている。蒸着源８３の中心軸線８３ａと、蒸着マスク装置１０の回転の中心軸線１０ａとはずれていてもよい。蒸着時には、上述した回転駆動部８５ｂを駆動することにより、基板１１０及び蒸着マスク装置１０が中心軸線１０ａを中心に回転する。このようにして、基板１１０のうち蒸着材料９０を蒸着すべき領域の全体に、蒸着材料９０が到達し得る。
【0082】
蒸着装置８０は、図５に示すように、冷却板８６を備えていてもよい。冷却板８６は、蒸着マスク２０とは反対側の基板１１０の第２面１１０ｂに位置する。冷却板８６は、内部に冷媒を循環させるための流路を有していてもよい。蒸着工程では、冷却板８６で基板１１０を冷却することにより、基板１１０の温度上昇を抑制できる。蒸着マスク装置１０の詳細は、後述する。
【0083】
蒸着装置８０は、磁石８７を備えていてもよい。磁石８７は、冷却板８６の蒸着マスク２０とは反対側の面に位置する。磁石８７は、上述したホルダー８５ａに保持される。磁石８７の磁力によって蒸着マスク装置１０を基板１１０に引き寄せられ、蒸着マスク装置１０は基板１１０とともにホルダー８５ａに保持される。蒸着マスク２０は基板１１０に密着される。このことにより、基板１１０に形成される後述の有機層１３０の寸法精度や位置精度を向上できる。磁石８７の代わりに静電気力を利用する静電チャックを用いて、蒸着マスク２０を基板１１０に密着させてもよい。
【0084】
次に、蒸着マスク装置１０について図５及び図６を用いて説明する。図６は、蒸着マスク装置の平面図である。図５及び図６に示すように、蒸着マスク装置１０は、フレーム１５と、蒸着マスク２０と、を備えていてもよい。蒸着マスク２０は、フレーム１５に固定されていてもよい。フレーム１５は、蒸着マスク２０が撓むことを抑制するように、蒸着マスク２０を、マスク第２方向Ｄ２に引っ張った状態で支持する。
【0085】
蒸着マスク装置１０は、上述したように蒸着装置８０内に配置される。この場合、蒸着マスク２０は、図５に示すように、蒸着材料９０を付着させる対象物である基板１１０の第１面１１０ａに接する。蒸着マスク２０は、蒸着源８３から飛来した蒸着材料９０を通過させる複数の貫通孔２５を有する。以下の説明において、蒸着マスク２０は、第１面２０ａと、第２面２０ｂと、を含んでいてもよい。第１面２０ａは、基板１１０の側に位置する。第２面２０ｂは、第１面２０ａとは反対側に位置する。
【0086】
蒸着マスク装置１０は、図６に示すように、マスク第１方向Ｄ１に並ぶ複数の蒸着マスク２０を備えていてもよい。図６は、蒸着マスク装置１０を蒸着マスク２０の第１面２０ａの側から示す平面図である。本実施の形態において、各蒸着マスク２０は、マスク第１方向Ｄ１に直交するマスク第２方向Ｄ２に延びる矩形状の形状を有している。各蒸着マスク２０のマスク第２方向Ｄ２における両端部が、例えばスポット溶接によって、フレーム１５に固定されていてもよい。
【0087】
フレーム１５は、第１面１５ａと、第２面１５ｂと、を含んでいる。第１面１５ａは、蒸着マスク２０の側に位置する。第２面１５ｂは、第１面１５ａとは反対側に位置する。
【0088】
フレーム１５は、フレーム開口１６を含んでいてもよい。フレーム１５は、平面視で矩形枠状に形成されている。フレーム１５の内側にフレーム開口１６が形成されている。フレーム開口１６は、第１面１５ａから第２面１５ｂに延びており、フレーム１５を貫通している。平面視とは、フレーム１５の第１面１５ａ又は蒸着マスク２０の第２面２０ｂの法線方向Ｎに沿って蒸着マスク装置１０または蒸着マスク２０等を見ることを意味する。
【0089】
次に、蒸着マスク２０について、図６乃至図１５を用いて説明する。図７は、蒸着マスク装置１０の蒸着マスク２０を示す平面図であり、図８は、蒸着マスク２０の第２面２０ｂにおけるマスク第１領域Ｍ１を示す部分拡大平面図である。図９は、図８に示すＣ－Ｃ線断面図であり、図１０は、図８に示すＤ－Ｄ線断面図であり、図１１は、図８に示すＥ－Ｅ線断面図である。図１２は、蒸着マスク２０の第２面２０ｂにおけるマスク第２領域Ｍ２を示す部分拡大平面図であり、図１３は、図１２に示すＦ－Ｆ線断面図である。
【0090】
図６に示すように、蒸着マスク２０は、マスク第２方向Ｄ２を長手方向とするように矩形状に形成されていてもよい。蒸着マスク２０は、一対の耳部２１Ａ、２１Ｂと、中間部２２と、を有していてもよい。一対の耳部２１Ａ、２１Ｂは、フレーム１５に固定された部分であってもよい。耳部２１Ａは、マスク第２方向Ｄ２における蒸着マスク２０の第１端であってもよい。耳部２１Ｂは、マスク第２方向Ｄ２における蒸着マスク２０の第２端であってもよい。中間部２２は、一対の耳部２１Ａ、２１Ｂの間に位置する。
【0091】
蒸着マスク２０の中間部２２は、少なくとも１つの有効領域２３と、周囲領域２４と、を含んでいてもよい。周囲領域２４は、有効領域２３の周囲に位置する。図６に示す例において、中間部２２は、５つの有効領域２３を含む。周囲領域２４は、平面視で有効領域２３を囲む。
【0092】
１つの有効領域２３は、有機デバイス１００の１つの表示領域に対応してもよい。図６に示す各蒸着マスク２０は、複数の有効領域２３を含んでいるため、表示領域の多面付蒸着が可能である。より具体的には、図６に示す１つの蒸着マスク２０から、５つの有機デバイス１００の作製が可能である。
【0093】
有効領域２３は、例えば、平面視で略矩形状の輪郭を有していてもよい。図６に示す有効領域２３は、マスク第２方向Ｄ２を長手方向とする略矩形状の輪郭を有している。図示はしないが、有効領域２３は、有機デバイス１００の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有していてもよい。例えば、有効領域２３は、円形状の輪郭を有していてもよい。
【0094】
蒸着マスク２０は、第１面２０ａと、第２面２０ｂと、複数の貫通孔２５と、を含んでいてもよい。第１面２０ａは、フレーム１５とは反対側に位置していてもよい。第１面２０ａは、蒸着時には、基板１１０の側に位置していてもよい。第２面２０ｂは、第１面２０ａとは反対側に位置していてもよい。第２面２０ｂは、蒸着時にフレーム１５の側に位置していてもよい。
【0095】
貫通孔２５は、第１面２０ａから第２面２０ｂに延びており、蒸着マスク２０を貫通している。蒸着マスク装置１０の形態では、貫通孔２５は、平面視において、フレーム開口１６に重なる。貫通孔２５は、上述した一対の耳部２１Ａ、２１Ｂの間に位置していてもよい。貫通孔２５は、有効領域２３に位置していてもよい。貫通孔２５は、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２に並んでいてもよい。
【0096】
図７に示すように、有効領域２３に、複数の貫通孔２５で構成された貫通孔群２６が位置していてもよい。１つの有効領域２３は、１つの貫通孔群２６で構成されていてもよい。有効領域２３は、貫通孔群２６が占める領域であってもよい。貫通孔群２６は、平面視でフレーム１５のフレーム開口１６に重なっていてもよい。貫通孔群２６は、２つ以上の貫通孔２５が群を形成するように構成されていてもよい。貫通孔群２６とは、規則的に配列された複数の貫通孔２５の集合体を意味する用語として用いている。１つの貫通孔群２６を構成する外縁の貫通孔２５は、同様に規則的に配列されている複数の貫通孔２５のうち最も外側に位置する貫通孔２５である。１つの貫通孔群２６における外縁の貫通孔２５の外側には、同様に規則的に配列されて蒸着材料９０の通過を意図する貫通孔２５は存在していなくてもよい。規則的な配列の例として、例えば、後述するように、貫通孔２５は、並列配列されていてもよい。貫通孔群２６は、有効領域２３と同様に、平面視で略矩形状の輪郭を有していてもよい。
【0097】
図７に示すように、蒸着マスク２０は、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第１方向Ｄ１に交差するマスク第２方向Ｄ２を有する。マスク第１方向Ｄ１は、マスク第２方向Ｄ２に直交していてもよい。マスク第１方向Ｄ１が素子第１方向Ｇ１に沿っていてもよく、マスク第２方向Ｄ２が素子第２方向Ｇ２に沿っていてもよい。
【0098】
図７に示すように、第１面２０ａの法線方向に沿って蒸着マスク２０を見た場合、蒸着マスク２０の有効領域２３は、マスク第１領域Ｍ１及びマスク第２領域Ｍ２を含んでいてもよい。マスク第１領域Ｍ１は、有機デバイス１００の第１表示領域１０１に対応している。マスク第２領域Ｍ２は、有機デバイス１００の第２表示領域１０２に対応している。
【0099】
マスク第１領域Ｍ１は、貫通孔２５の面積の比率を示す第１開口率を有する。第１開口率は、マスク第１領域Ｍ１に位置する貫通孔２５の面積の合計を、マスク第１領域Ｍ１の面積で割ることによって算出される。マスク第２領域Ｍ２は、貫通孔２５の面積の比率を示す第２開口率を有する。第２開口率は、マスク第２領域Ｍ２に位置する貫通孔２５の面積の合計を、マスク第２領域Ｍ２の面積で割ることによって算出される。第２開口率は、第１開口率よりも小さくてもよい。
【0100】
マスク第１領域Ｍ１の面積は、第２面２０ｂにおいて、有効領域２３又は貫通孔群２６の最も外側に位置する貫通孔２５に外側から接する接線ＴＬ１（図８参照）によって画定される。この接線ＴＬ１は、第２面２０ｂにおける第２凹部３５の縁に接している。マスク第１領域Ｍ１の面積は、マスク第２領域Ｍ２の面積を含まない。マスク第２領域Ｍ２の面積は、マスク第２領域Ｍ２に接する貫通孔２５に内側から接する接線ＴＬ２（図１２参照）によって画定される。貫通孔２５の内側とは、マスク第２領域Ｍ２を中心としてみた場合の内側を意味している。接線ＴＬ２は、マスク第２領域Ｍ２の外縁を画定する線である。この接線ＴＬ２は、第２面２０ｂにおける第２凹部３５の縁に接している。
【0101】
第１開口率および第２開口率を算出するための貫通孔２５の面積は、第１面２０ａにおける貫通孔２５の面積である。
【0102】
第１開口率に対する第２開口率の比は、例えば、０．２以上でもよく、０．３以上でもよく、０．４以上でもよい。第１開口率に対する第２開口率の比は、例えば、０．６以下でもよく、０．７以下でもよく、０．８以下でもよい。第１開口率に対する第２開口率の比の範囲は、０．２、０．３及び０．４からなる第１グループ、及び／又は、０．６、０．７及び０．８からなる第２グループによって定められてもよい。第１開口率に対する第２開口率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１開口率に対する第２開口率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１開口率に対する第２開口率の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．７以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．４以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上０．８以下でもよく、０．３以上０．７以下でもよく、０．３以上０．６以下でもよく、０．３以上０．４以下でもよく、０．４以上０．８以下でもよく、０．４以上０．７以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．６以上０．７以下でもよく、０．７以上０．８以下でもよい。
【0103】
図８及び図９に示すように、マスク第１領域Ｍ１において、貫通孔２５は、第１凹部３０と、第２凹部３５と、稜線４１と、を含んでいてもよい。第２凹部３５は、第１凹部３０に連通している。このことにより、貫通孔２５は第1面２０ａから第２面２０ｂに貫通している。第１凹部３０及び第２凹部３５はそれぞれ、蒸着マスク２０の母材となる長尺金属板６４を両面からエッチングすることによって形成される。
【0104】
第１凹部３０は、第１面２０ａに位置していてもよい。第１凹部３０は、第１壁面３１を含む。第１面２０ａに沿った貫通孔２５の断面開口は、後述する稜線４１から第１面２０ａに向かって徐々に大きくなっていてもよい。第１壁面３１は、稜線４１から第１面２０ａに向かって、貫通孔２５の中心軸線ＣＬから遠ざかるように形成されていてもよい。第１壁面３１は、湾曲状に形成されていてもよい。第１壁面３１は、第１凹部３０が外側に膨らむように湾曲していてもよい。
【0105】
第２凹部３５は、第２面２０ｂに位置していてもよい。第２凹部３５は、第２壁面３６を含む。第２面２０ｂに沿った貫通孔２５の断面開口は、稜線４１から第２面２０ｂに向かって徐々に大きくなっていてもよい。第２壁面３６は、稜線４１から第２面２０ｂに向かって、貫通孔２５の中心軸線ＣＬから遠ざかるように形成されていてもよい。第２壁面３２は、湾曲状に形成されていてもよい。第２壁面３２は、第２凹部３５が外側に膨らむように湾曲していてもよい。
【0106】
第２面２０ｂにおける第２凹部３５の断面開口は、第１面２０ａにおける第１凹部３０の断面開口よりも大きくなっていてもよい。
【0107】
稜線４１は、第１凹部３０の第１壁面３１と、第２凹部３５の第２壁面３６とに接続されていてもよい。稜線４１は、貫通孔２５の内側に突き出していてもよい。稜線４１は、貫通孔２５の内側に突き出す位置に位置していてもよい。稜線４１は、平面視における貫通孔２５の周方向に延びていてもよい。稜線４１は、第２面２０ｂよりも第１面２０ａの側に位置していてもよい。第１面２０ａからの稜線４１の高さは、断面高さとも称される。断面高さは、シャドーの影響要因になり得る。稜線４１は、蒸着マスク２０の平面視において貫通孔２５の開口面積が最小になる貫通部４２を画成してもよい。
【0108】
図８に示すように、複数の貫通孔２５は、並列配列されていてもよい。複数の貫通孔２５は、平面視において、マスク第１方向Ｄ１に配列されるとともに、マスク第２方向Ｄ２に配列されていてもよい。マスク第１領域Ｍ１における複数の貫通孔２５は、マスク第１方向Ｄ１に、配列ピッチＣ１で配列されていてもよい。マスク第１領域Ｍ１における複数の貫通孔２５は、マスク第２方向Ｄ２に、配列ピッチＣ２で配列されていてもよい。貫通孔２５の配列ピッチＣ１、Ｃ２は、有機デバイス１００又は投影装置の画素密度に応じて定められていてもよい。
【0109】
配列ピッチＣ１は、例えば、２０μｍ以上でもよく、５０μｍ以上でもよく、８０μｍ以上でもよい。配列ピッチＣ１は、例えば、１１０μｍ以下でもよく、１４０μｍ以下でもよく、１７０μｍ以下でもよい。配列ピッチＣ１の範囲は、２０μｍ、５０μｍ及び８０μｍからなる第１グループ、及び／又は、１１０μｍ、１４０μｍ及び１７０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。配列ピッチＣ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。配列ピッチＣ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。配列ピッチＣ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、２０μｍ以上１７０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上１４０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上１１０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上８０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１７０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１４０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１１０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上８０μｍ以下でもよく、８０μｍ以上１７０μｍ以下でもよく、８０μｍ以上１４０μｍ以下でもよく、８０μｍ以上１１０μｍ以下でもよく、１１０μｍ以上１７０μｍ以下でもよく、１１０μｍ以上１４０μｍ以下でもよく、１４０μｍ以上１７０μｍ以下でもよい。このような配列ピッチＣ１の範囲は、１５０ｐｐｉ以上１２００ｐｐｉの表示領域に対応していてもよい。
【0110】
配列ピッチＣ２は、例えば、２０μｍ以上でもよく、５０μｍ以上でもよく、８０μｍ以上でもよい。配列ピッチＣ２は、例えば、１１０μｍ以下でもよく、１４０μｍ以下でもよく、１７０μｍ以下でもよい。配列ピッチＣ２の範囲は、２０μｍ、５０μｍ及び８０μｍからなる第１グループ、及び／又は、１１０μｍ、１４０μｍ及び１７０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。配列ピッチＣ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。配列ピッチＣ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。配列ピッチＣ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、２０μｍ以上１７０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上１４０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上１１０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上８０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１７０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１４０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１１０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上８０μｍ以下でもよく、８０μｍ以上１７０μｍ以下でもよく、８０μｍ以上１４０μｍ以下でもよく、８０μｍ以上１１０μｍ以下でもよく、１１０μｍ以上１７０μｍ以下でもよく、１１０μｍ以上１４０μｍ以下でもよく、１４０μｍ以上１７０μｍ以下でもよい。このような配列ピッチＣ２の範囲は、１５０ｐｐｉ以上１２００ｐｐｉの表示領域に対応していてもよい。
【0111】
図８に示すように、貫通孔２５は、平面視において、略矩形状の輪郭を有していてもよい。この場合、貫通孔２５の輪郭のうちの四隅は湾曲していてもよい。図８においては、貫通孔２５は、マスク第２方向Ｄ２に沿う長手方向を有していてもよい。貫通孔２５の輪郭の形状は、画素の形状に応じて任意に定められてもよい。貫通孔２５の輪郭は、例えば、六角形又は八角形などのその他の多角形の形状を有していてもよく、円形状を有していてもよい。また、貫通孔２５の輪郭の形状は、複数の形状の組み合わせであってもよい。また、貫通孔２５はそれぞれ、互いに異なる輪郭の形状を有していてもよい。貫通孔２５が多角形状の輪郭を有する場合、貫通孔２５の開口寸法は、多角形において対向する一対の辺の間の間隔としてもよい。
【0112】
図９及び図１０において、蒸着マスク２０の第１面２０ａにおける貫通孔２５の開口寸法が、符号Ｓ１及びＳ２で示されている。符号Ｓ１は、マスク第１方向Ｄ１における貫通孔２５の開口寸法であり、符号Ｓ２は、マスク第２方向Ｄ２における貫通孔２５の開口寸法である。Ｓ２がＳ１よりも大きくなっている。しかしながら、このことに限られることはなく、Ｓ１がＳ２よりも大きくてもよい。また、貫通孔２５の平面形状は正方形であってもよい。この場合、Ｓ１とＳ２は等しくなる。
【0113】
符号Ｓ１は、例えば、１０μｍ以上でもよく、３０μｍ以上でもよく、５０μｍ以上でもよい。符号Ｓ１は、例えば、７５μｍ以下でもよく、９５μｍ以下でもよく、１１５μｍ以下でもよい。符号Ｓ１の範囲は、１０μｍ、３０μｍ及び５０μｍからなる第１グループ、及び／又は、７５μｍ、９５μｍ及び１１５μｍからなる第２グループによって定められてもよい。符号Ｓ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。符号Ｓ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。符号Ｓ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１０μｍ以上１１５μｍ以下でもよく、１０μｍ以上９５μｍ以下でもよく、１０μｍ以上７５μｍ以下でもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、３０μｍ以上１１５μｍ以下でもよく、３０μｍ以上９５μｍ以下でもよく、３０μｍ以上７５μｍ以下でもよく、３０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１１５μｍ以下でもよく、５０μｍ以上９５μｍ以下でもよく、５０μｍ以上７５μｍ以下でもよく、７５μｍ以上１１５μｍ以下でもよく、７５μｍ以上９５μｍ以下でもよく、９５μｍ以上１１５μｍ以下でもよい。
【0114】
符号Ｓ２は、例えば、１０μｍ以上でもよく、３０μｍ以上でもよく、５０μｍ以上でもよい。符号Ｓ２は、例えば、７５μｍ以下でもよく、９５μｍ以下でもよく、１１５μｍ以下でもよい。符号Ｓ２の範囲は、１０μｍ、３０μｍ及び５０μｍからなる第１グループ、及び／又は、７５μｍ、９５μｍ及び１１５μｍからなる第２グループによって定められてもよい。符号Ｓ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。符号Ｓ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。符号Ｓ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１０μｍ以上１１５μｍ以下でもよく、１０μｍ以上９５μｍ以下でもよく、１０μｍ以上７５μｍ以下でもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、３０μｍ以上１１５μｍ以下でもよく、３０μｍ以上９５μｍ以下でもよく、３０μｍ以上７５μｍ以下でもよく、３０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１１５μｍ以下でもよく、５０μｍ以上９５μｍ以下でもよく、５０μｍ以上７５μｍ以下でもよく、７５μｍ以上１１５μｍ以下でもよく、７５μｍ以上９５μｍ以下でもよく、９５μｍ以上１１５μｍ以下でもよい。
【0115】
図８～図１１に示すように、隣り合う２つの第１凹部３０は、互いに離間していてもよい。マスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２のいずれにおいても、隣り合う２つの第１凹部３０は互いに離間していてもよい。隣り合う第１凹部３０の間には、第１面２０ａが残存していてもよい。平面視における各第１凹部３０の周囲に、第１面２０ａが残存していてもよい。各第１凹部３０は、第１面２０ａに囲まれていてもよい。隣り合う第１凹部３０の間に、後述する桟４３が位置していてもよい。桟４３は、隣り合う貫通孔２５の間で、金属材料がエッチングされずに残存している部分である。図８に示すように、蒸着マスク２０は、マスク第１方向Ｄ１に沿って延びる複数の桟４３と、マスク第２方向Ｄ２に沿って延びる複数の桟４３と、を含んでいてもよい。
【0116】
マスク第１領域Ｍ１において、隣り合う２つの第２凹部３５は、互いに接続されていてもよい。より具体的には、図８及び図９に示すように、マスク第１方向Ｄ１において隣り合う２つの第２凹部３５は互いに接続されていてもよい。マスク第１方向Ｄ１において隣り合う２つの第２凹部３５の間には、第２面２０ｂは残存していなくてもよい。同様に、図８及び図１０に示すように、マスク第２方向Ｄ２において隣り合う２つの第２凹部３５は互いに接続されていてもよい。マスク第２方向Ｄ２において隣り合う２つの第２凹部３５の間には、第２面２０ｂは残存していなくてもよい。
【0117】
図８及び図１１に示すように、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２のいずれにも傾斜するマスク第３方向Ｄ３において隣り合う２つの第２凹部３５は、互いに離間していてもよい。マスク第３方向Ｄ３は、平面視において貫通孔２５の対角方向に概略的に相当している。マスク第３方向Ｄ３は、図８において断面Ｅ－Ｅを示す線に沿う方向に相当している。マスク第３方向Ｄ３において隣り合う２つの第２凹部３５の間には、第２面２０ｂが残存していてもよい。隣り合う２つの第２凹部３５の間に位置する桟４３は、トップ面４４を含んでいてもよい。トップ面４４は、第２面２０ｂのうちエッチングされずに残っている部分である。トップ面４４が残存するように蒸着マスク２０を作製することにより、蒸着マスク２０の厚みｔを確保でき、蒸着マスク２０の機械的強度を向上できる。この場合、例えば搬送中等に蒸着マスク２０が変形したり破損したりすることを抑制できる。
【0118】
図８～図１１に示されているように、互いに隣り合う第２凹部３５の第２壁面３６の間に、上述した桟４３が位置している。桟４３は、互いに隣り合う第１凹部３０の第１壁面３１の間の部分から、互いに隣り合う第２凹部３５の第２壁面３６の間の部分にわたって形成されている。桟４３は、互いに隣り合う第２凹部３５の第２壁面３６を接続する接続面４５を含んでいる。平面視で周囲に他の貫通孔２５が位置している貫通孔２５を構成する第２凹部３５は、平面視において、接続面４５で囲まれている。１つの有効領域２３における外縁の貫通孔２５の外側には、桟４３は形成されていなくてもよい。
【0119】
図９に示すように、接続面４５は、マスク第１方向Ｄ１において隣り合う第２凹部３５の間に位置する尾根面４７を含んでいてもよい。マスク第１方向Ｄ１において隣り合う第２凹部３５の間に位置する尾根面４７は、第２面２０ｂに向かって凸となるように湾曲状に形成されていてもよい。尾根面は、尾根のように形成されていてもよい。図９に示す符号ｈ１は、マスク第１方向Ｄ１において隣り合う第２凹部３５の間に位置する尾根面４７の高さであって、第１面２０ａからの高さを示している。この符号ｈ１は、平面視で貫通孔２５の中心を通る断面における尾根面４７の高さである。当該断面位置からトップ面４４に向かって、尾根面４７の高さが徐々に増大してもよい。
【0120】
図１０に示すように、マスク第２方向Ｄ２において隣り合う第２凹部３５の間に尾根面４７が存在している。マスク第２方向Ｄ２において隣り合う第２凹部３５の間に位置する尾根面４７は、第２面２０ｂに向かって凸となるように湾曲状に形成されていてもよい。図１０に示す符号ｈ２は、マスク第２方向Ｄ２において隣り合う第２凹部３５の間に位置する尾根面４７の高さであって、第１面２０ａからの高さを示している。尾根面４７は、尾根のように形成されていてもよい。この符号ｈ２は、平面視で貫通孔２５の中心を通る断面における尾根面４７の高さである。当該断面位置から後述するトップ面４４に向かって、尾根面４７の高さが徐々に増大してもよい。高さｈ２は、高さｈ１よりも低くてもよい。
【0121】
図１１に示すように、上述のマスク第３方向Ｄ３において隣り合う２つの第２凹部３５の間に接続面４５が存在している。図１１に示す符号ｈ３は、マスク第３方向Ｄ３において隣り合う第２凹部３５の間に位置する接続面４５の高さであって、第１面２０ａからの高さを示している。高さｈ３は、上述した高さｈ１よりも高くてもよく、上述した高さｈ２よりも高くてもよい。
【0122】
本実施の形態においては、マスク第３方向Ｄ３において隣り合う２つの第２凹部３５の間に存在する接続面４５は、上述したトップ面４４を含んでいてもよい。トップ面４４は、第２面２０ｂのうちエッチングされずに残っている部分であるため、トップ面４４は、第２面２０ｂと同じ位置に位置している。トップ面４４は、残存している第２面２０ｂを構成している。本実施の形態における高さｈ３は、蒸着マスク２０の厚みｔに相当する。
【0123】
本実施の形態においては、高さｈ３の部分であるトップ面４４に、接続面４５の最高点４６が含まれている。言い換えると、１つの第２凹部３５を取り囲む接続面４５は、最も第２面２０ｂの側に位置するトップ面４４に含まれた最高点４６を含んでいる。本実施の形態においては、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２に複数の貫通孔２５が並列配列されているため、１つの第２凹部３５を取り囲む接続面４５は、４つのトップ面４４を含んでいる。４つのトップ面４４は、第２凹部３５に対して上述した対角方向に位置している。４つのトップ面４４は、法線方向Ｎにおいて蒸着マスク２０の第２面２０ｂと同じ位置に位置している。トップ面４４は、第２面２０ｂと同様に平坦状に形成されていてもよい。接続面４５のうちトップ面４４以外の部分は、尾根面４７として、第２面２０ｂに向かって凸となるように湾曲状に形成されていてもよい。
【0124】
本実施の形態においては、概略的には、蒸着マスク２０の第１面２０ａに対する貫通孔２５の壁面の傾斜角度が小さくなっている。貫通孔２５の傾斜角度は、上述した桟４３及び第２凹部３５の第２壁面３６によって画定される。このことについて、傾斜定義直線Ｌを用いて、以下説明する。
【0125】
傾斜定義直線Ｌは、定義断面において、接続面４５と稜線４１とに接する直線として定義される。定義断面は、接続面４５の任意の点を通るとともに蒸着マスク２０の第１面２０ａに垂直な断面である。定義断面は、平面視において当該点からの距離が最短となる稜線４１上の点を通る。
【0126】
図１１に示すように、本実施の形態においては、定義断面が最高点４６を通るとき、傾斜定義直線Ｌと第１面２０ａとがなす角度θ３が、２５°以上且つ４５°以下になっていてもよい。
【0127】
角度θ３は、例えば、２５°以上でもよく、２８°以上でもよく、３０°以上でもよい。角度θ３は、例えば、４０°以下でもよく、４２°以下でもよく、４５°以下でもよい。角度θ３を４５°以下とすることにより、貫通孔２５の断面高さをシャドーの支配的な影響要因とすることができ、シャドーの影響要因に、トップ面４４の大きさ等の他の要因が含まれることを抑制できる。角度θ３の範囲は、２５°、２８°及び３０°からなる第１グループ、及び／又は、４０°、４２°及び４５°からなる第２グループによって定められてもよい。角度θ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。角度θ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。角度θ３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、２５°以上４５°以下でもよく、２５°以上４２°以下でもよく、２５°以上４０°以下でもよく、２５°以上３０°以下でもよく、２５°以上２８°以下でもよく、２８°以上４５°以下でもよく、２８°以上４２°以下でもよく、２８°以上４０°以下でもよく、２８°以上３０°以下でもよく、３０°以上４５°以下でもよく、３０°以上４２°以下でもよく、３０°以上４０°以下でもよく、４０°以上４５°以下でもよく、４０°以上４２°以下でもよく、４２°以上４５°以下でもよい。
【0128】
図８には、桟４３のトップ面４４に位置する最高点４６を通る定義断面の一例がＥ－Ｅ線として示されている。Ｅ－Ｅ線は、上述したマスク第３方向Ｄ３に沿っている。Ｅ－Ｅ線は、貫通孔２５の中心を通っていなくてもよい。Ｅ－Ｅ線で示される定義断面は、トップ面４４の任意の点を通り、当該点から稜線４１までの平面距離が最短となる稜線４１上の点を通っている。図８においては、定義断面は直線として示されており、この定義断面において定義される傾斜定義直線Ｌと重なっている。
【0129】
本実施の形態においては、接続面４５の最高点４６がトップ面４４に位置している。トップ面４４は、法線方向Ｎにおいて第２面２０ｂと同じ位置に位置している。トップ面４４は、点ではなく、２次元的な広がりを持つ平面領域を有している。この場合、最高点４６は、平面視においてトップ面４４のうち稜線４１に最も近い点としてもよい。この場合、傾斜定義直線Ｌも、最高点４６を通ってもよい。
【0130】
図８には、マスク第１方向Ｄ１に沿う定義断面をＣ－Ｃ線で示している。Ｃ－Ｃ線は、貫通孔２５の中心を通っている。図９には、図８に示すＣ－Ｃ線に沿う定義断面が示されている。この定義断面において、接続面４５を構成する尾根面４７と稜線４１とに接する傾斜定義直線Ｌが示されている。この傾斜定義直線Ｌが延びる方向と、第１面２０ａとがなす角度が、符号θ１で示されている。この角度θ１は、上述した角度θ３と同様に２５°以上且つ４５°以下であってもよい。
【0131】
同様に、図８には、マスク第２方向Ｄ２に沿う定義断面をＤ－Ｄ線で示している。Ｄ－Ｄ線は、貫通孔２５の中心を通っている。図１０には、図８に示すＤ－Ｄ線に沿う定義断面が示されている。この定義断面において、接続面４５を構成する尾根面４７と稜線４１とに接する傾斜定義直線Ｌが示されている。この傾斜定義直線Ｌが延びる方向と、第１面２０ａとがなす角度が、符号θ２で示されている。この角度θ２は、上述した角度θ３と同様に、２５°以上且つ４５°以下であってもよい。
【0132】
上述したように、１つの第２凹部３５を取り囲む接続面４５は、４つのトップ面４４を含んでいる。４つのトップ面４４のうち対応するトップ面４４に位置する最高点４６を通る４つの定義断面が定義され得る。４つの定義断面のうちの少なくとも１つの定義断面における傾斜定義直線Ｌと第１面２０ａとがなす角度θ３が、４５°以下になっていてもよい。例えば、４つの定義断面のうちの１つの定義断面における傾斜定義直線Ｌのみと第１面２０ａとがなす角度θ３が、２５°以上且つ４５°以下であってもよい。この場合、残りの３つの定義断面における傾斜定義直線Ｌと第１面２０ａとがなす角度θ３は、４５°以下でなくてもよい。あるいは、例えば、４つの定義断面のうちの２つ又は３つの定義断面における傾斜定義直線Ｌと第１面２０ａとがなす角度θ３が、４５°以下であってもよい。この場合、残りの定義断面における傾斜定義直線Ｌと第１面２０ａとがなす角度θ３は、４５°以下でなくてもよい。
【0133】
本実施の形態においては、４つの定義断面の各々における傾斜定義直線Ｌと第１面２０ａとがなす角度θが、２５°以上且つ４５°以下になっていてもよい。この場合、接続面４５のうちトップ面４４以外の任意の点を通る定義断面における傾斜定義直線Ｌと第１面２０ａとがなす角度も、２５°以上且つ４５°以下になっていてもよい。言い換えると、接続面４５のうちの任意の点を通る定義断面における傾斜定義直線Ｌと第１面２０ａとがなす角度が、２５°以上且つ４５°以下になっていてもよい。例えば、図９に示す定義断面における傾斜定義直線Ｌと第１面２０ａとがなす角度θ１が、４５°以下になっていてもよい。例えば、図１０に示す定義断面における傾斜定義直線Ｌと第１面２０ａとがなす角度θ２が、４５°以下になっていてもよい。角度θ１は、角度θ３よりも小さくてもよい。角度θ２は、角度θ１よりも小さくてもよい。
【0134】
【0135】
マスク第２領域Ｍ２においても、マスク第１領域Ｍ１と同様にして、複数の貫通孔２５が形成されている。マスク第２領域Ｍ２における複数の貫通孔２５は、並列配列されていてもよい。マスク第２領域Ｍ２における複数の貫通孔２５は、マスク第１方向Ｄ１に、配列ピッチＣ３で配列されていてもよい。配列ピッチＣ３は、図８に示す配列ピッチＣ１よりも大きくてもよい。マスク第２領域Ｍ２における複数の貫通孔２５は、マスク第２方向Ｄ２に、配列ピッチＣ４で配列されていてもよい。配列ピッチＣ４は、図８に示す配列ピッチＣ２よりも大きくてもよい。貫通孔２５の配列ピッチＣ３、Ｃ４は、第２表示領域１０２の機能に応じて定められていてもよい。
【0136】
配列ピッチＣ３は、例えば、３５μｍ以上でもよく、７０μｍ以上でもよく、１００μｍ以上でもよい。配列ピッチＣ３は、例えば、２４０μｍ以下でもよく、２７０μｍ以下でもよく、３００μｍ以下でもよい。配列ピッチＣ３の範囲は、３５μｍ、７０μｍ及び１００μｍからなる第１グループ、及び／又は、２４０μｍ、２７０μｍ及び３００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。配列ピッチＣ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。配列ピッチＣ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。配列ピッチＣ３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、３５μｍ以上３００μｍ以下でもよく、３５μｍ以上２７０μｍ以下でもよく、３５μｍ以上２４０μｍ以下でもよく、３５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、３５μｍ以上７０μｍ以下でもよく、７０μｍ以上３００μｍ以下でもよく、７０μｍ以上２７０μｍ以下でもよく、７０μｍ以上２４０μｍ以下でもよく、７０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上３００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上２７０μｍ以下でもよく、１００μｍ以上２４０μｍ以下でもよく、２４０μｍ以上３００μｍ以下でもよく、２４０μｍ以上２７０μｍ以下でもよく、２７０μｍ以上３００μｍ以下でもよい。
【0137】
配列ピッチＣ４は、例えば、３５μｍ以上でもよく、７０μｍ以上でもよく、１００μｍ以上でもよい。配列ピッチＣ４は、例えば、２４０μｍ以下でもよく、２７０μｍ以下でもよく、３００μｍ以下でもよい。配列ピッチＣ４の範囲は、３５μｍ、７０μｍ及び１００μｍからなる第１グループ、及び／又は、２４０μｍ、２７０μｍ及び３００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。配列ピッチＣ４の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。配列ピッチＣ４の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。配列ピッチＣ４の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、３５μｍ以上３００μｍ以下でもよく、３５μｍ以上２７０μｍ以下でもよく、３５μｍ以上２４０μｍ以下でもよく、３５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、３５μｍ以上７０μｍ以下でもよく、７０μｍ以上３００μｍ以下でもよく、７０μｍ以上２７０μｍ以下でもよく、７０μｍ以上２４０μｍ以下でもよく、７０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上３００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上２７０μｍ以下でもよく、１００μｍ以上２４０μｍ以下でもよく、２４０μｍ以上３００μｍ以下でもよく、２４０μｍ以上２７０μｍ以下でもよく、２７０μｍ以上３００μｍ以下でもよい。
【0138】
マスク第２領域Ｍ２において、隣り合う２つの第２凹部３５は、互いに離間していてもよい。より具体的には、図１２及び図１３に示すように、マスク第１方向Ｄ１において隣り合う２つの第２凹部３５は互いに離間していてもよい。マスク第１方向Ｄ１において隣り合う２つの第２凹部３５の間には、第２面２０ｂは残存していてもよい。同様に、マスク第２方向Ｄ２において隣り合う２つの第２凹部３５は互いに離間していてもよい。マスク第２方向Ｄ２において隣り合う２つの第２凹部３５の間には、第２面２０ｂは残存していてもよい。同様に、上述したマスク第３方向Ｄ３において隣り合う２つの第２凹部３５は互いに離間していてもよい。マスク第３方向Ｄ３において隣り合う２つの第２凹部３５の間には、第２面２０ｂは残存していてもよい。マスク第２領域Ｍ２においては、平面視における各第２凹部３５の周囲に、第２面２０ｂが残存していてもよく、第２凹部３５は、第２面２０ｂに囲まれていてもよい。
【0139】
マスク第２領域Ｍ２において、隣り合う２つの第２凹部３５の間に位置する桟４３は、上述したトップ面４４を含んでいてもよい。
【0140】
上述のように構成されたマスク第１領域Ｍ１は、第２面２０ｂの残存している面積の比率を示す第１面残存率を有する。第１面残存率は、マスク第１領域Ｍ１に残存する第２面２０ｂの面積の合計を、上述したマスク第１領域Ｍ１の面積で割ることによって算出される。例えば、図８に示す例では、マスク第１領域Ｍ１に残存する第２面２０ｂは、斜線で示されたトップ面４４と、マスク第１領域Ｍ１の境界付近に形成された部分と、を含んでいる。上述のように構成されたマスク第２領域Ｍ２は、第２面２０ｂの残存している面積の比率を示す第２面残存率を有する。第２面残存率は、マスク第２領域Ｍ２に残存する第２面２０ｂの面積の合計を、上述したマスク第２領域Ｍ２の面積で割ることによって算出される。例えば、図１２に示す例では、マスク第２領域Ｍ２に残存する第２面２０ｂは、斜線で示された部分に相当する。第２面残存率は、第１面残存率よりも大きくてもよい。しかしながら、第２面残存率は、第１面残存率と等しくてもよい。
【0141】
第１面残存率に対する第２面残存率の比は、例えば、１．０以上でもよく、２．０以上でもよく、３．０以上でもよい。第１面残存率に対する第２面残存率の比は、例えば、８．０以下でもよく、９．０以下でもよく、１０．０以下でもよい。第１面残存率に対する第２面残存率の比の範囲は、１．０、２．０及び３．０からなる第１グループ、及び／又は、８．０、９．０及び１０．０からなる第２グループによって定められてもよい。第１面残存率に対する第２面残存率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１面残存率に対する第２面残存率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１面残存率に対する第２面残存率の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１．０以上１０．０以下でもよく、１．０以上９．０以下でもよく、１．０以上８．０以下でもよく、１．０以上３．０以下でもよく、１．０以上２．０以下でもよく、２．０以上１０．０以下でもよく、２．０以上９．０以下でもよく、２．０以上８．０以下でもよく、２．０以上３．０以下でもよく、３．０以上１０．０以下でもよく、３．０以上９．０以下でもよく、３．０以上８．０以下でもよく、８．０以上１０．０以下でもよく、８．０以上９．０以下でもよく、９．０以上１０．０以下でもよい。
【0142】
図１３に示す定義断面における傾斜定義直線Ｌと第１面２０ａとがなす角度θ４が、４５°以下になっていてもよい。角度θ４は、２５°以上且つ４５°以下であってもよい。角度θ４は、角度θ３と等しくてもよい。
【0143】
角度θ１～θ４の技術的意義について説明する。蒸着マスク２０を用いて蒸着材料９０を基板１１０に蒸着させる蒸着工程において、蒸着材料９０の一部は、蒸着源８３から基板１１０に向かって法線方向Ｎに沿って飛来する。しかしながら、法線方向Ｎに対して傾斜した方向に沿って飛来する蒸着材料９０も存在し得る。この場合、傾斜した方向に沿って飛来する蒸着材料９０の一部は、基板１１０に到達することなく蒸着マスク２０の第２面２０ｂ及び貫通孔２５の壁面に到達して付着する。貫通孔２５においては、第２凹部３５の第２壁面３６に付着しやすい。このため、基板１１０に形成される蒸着層の厚みは、貫通孔２５の壁面に近いほど薄くなり易い。このような、基板１１０への蒸着材料９０の付着が、貫通孔２５の壁面及び蒸着マスク２０の第２面２０ｂによって阻害される現象のことを、シャドーと称する。
【0144】
シャドーの発生を抑制するための対策の１つとしては、蒸着マスク２０の厚みｔを小さくすることが考えられる。このため、蒸着マスク２０の機械的強度が確保可能な程度に、厚みｔを小さくしてもよい。しかしながら、蒸着マスク２０の機械的強度を確保するためには、厚みｔを確保しながら、上述の角度θ１～θ４を小さくしてもよい。角度θ１～θ４のうち、図１１に示す角度θ３及び図１３に示す角度θ４が、最も大きくなりやすい。そこで本実施の形態では、シャドーの発生を抑制するために、上述のように、角度θ３及び角度θ４が、４５°以下に設定されている。
【0145】
蒸着マスク２０の厚みｔは、例えば、５μｍ以上でもよく、８μｍ以上でもよく、１０μｍ以上でもよく、１５μｍ以上でもよい。蒸着マスク２０の厚みｔを５μｍ以上とすることにより、蒸着マスク２０の機械的強度を確保でき、蒸着マスク２０の損傷及び変形を抑制できる。蒸着マスク２０の厚みｔは、例えば、２０μｍ以下でもよく、２５μｍ以下でもよく、３０μｍ以下でもよく、３５μｍ以下でもよい。蒸着マスク２０の厚みｔを３５μｍ以下とすることにより、シャドーの発生を抑制できる。蒸着マスク２０の厚みｔの範囲は、５μｍ、８μｍ、１０μｍ及び１５μｍからなる第１グループ、及び／又は、２０μｍ、２５μｍ、３０μｍ及び３５μｍからなる第２グループによって定められてもよい。蒸着マスク２０の厚みｔの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。蒸着マスク２０の厚みｔの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。蒸着マスク２０の厚みｔの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、５μｍ以上３５μｍ以下でもよく、５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、５μｍ以上２５μｍ以下でもよく、５μｍ以上２０μｍ以下でもよく、５μｍ以上１５μｍ以下でもよく、５μｍ以上１０μｍ以下でもよく、５μｍ以上８μｍ以下でもよく、８μｍ以上３５μｍ以下でもよく、８μｍ以上３０μｍ以下でもよく、８μｍ以上２５μｍ以下でもよく、８μｍ以上２０μｍ以下でもよく、８μｍ以上１５μｍ以下でもよく、８μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上３５μｍ以下でもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２５μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上３５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上２５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上２０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上３５μｍ以下でもよく、２０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上２５μｍ以下でもよく、２５μｍ以上３５μｍ以下でもよく、２５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、３０μｍ以上３５μｍ以下でもよい。なお厚みｔは、周囲領域２４の厚み、すなわち蒸着マスク２０のうち第１凹部３０及び第２凹部３５が形成されていない部分の厚みである。従って厚みは、蒸着マスク２０の厚みｔであると言うこともできる。
【0146】
蒸着マスク２０の材料としては、例えば、ニッケルを含む鉄合金を用いてもよい。鉄合金は、ニッケルに加えてコバルトを含んでいてもよい。例えば、蒸着マスク２０の材料として、ニッケル及びコバルトの含有量が合計で３０質量％以上且つ５４質量％以下であり、且つコバルトの含有量が０質量％以上且つ６質量％以下である鉄合金を用いてもよい。ニッケルを含む鉄合金、又はニッケル及びコバルトを含む鉄合金の具体例としては、３４質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルを含むインバー材、３０質量％以上且つ３４質量％以下のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材、又は３８質量％以上且つ５４質量％以下のニッケルを含む低熱膨張Ｆｅ－Ｎｉ系めっき合金等を挙げることができる。このような鉄合金を用いることにより、蒸着マスク２０の熱膨張係数を低くできる。例えば、基板１１０としてガラス基板が用いられる場合に、蒸着マスク２０の熱膨張係数を、ガラス基板と同等に低くできる。これにより、蒸着工程の際、基板１１０に形成される有機層１３０の寸法精度や位置精度が、蒸着マスク２０と基板１１０との間の熱膨張係数の差に起因して低下することを抑制できる。
【0147】
フレーム１５を構成する材料としては、上述した蒸着マスク２０の材料と同一でもよい。例えば、フレーム１５を構成する材料に、ニッケルを含む鉄合金を用いてもよい。
【0148】
次に、上述の蒸着マスク２０を製造する方法について説明する。
【0149】
（蒸着マスクの製造方法）
まず、長尺金属板６４を用いて蒸着マスク２０を製造する方法について、主に図１４～図２２を参照して説明する。以下に説明する蒸着マスク２０の製造方法では、図１４に示すように、長尺金属板６４が供給され、この長尺金属板６４に貫通孔２５が形成される。その後、長尺金属板６４を切断することによって枚葉状の金属板からなる蒸着マスク２０が得られる。図１４には、蒸着マスク２０を製造するための製造装置６０が示されている。図１４～図２２に示す例では、蒸着マスク２０のうちマスク第１領域Ｍ１の断面を示しているが、第２領域Ｍ２においても同様にして貫通孔２５が形成される。
まず、長尺金属板６４を用いて蒸着マスク２０を製造する方法について、主に図１４～図２２を参照して説明する。以下に説明する蒸着マスク２０の製造方法では、図１４に示すように、長尺金属板６４が供給され、この長尺金属板６４に貫通孔２５が形成される。その後、長尺金属板６４を切断することによって枚葉状の金属板からなる蒸着マスク２０が得られる。図１４には、蒸着マスク２０を製造するための製造装置６０が示されている。図１４～図２２に示す例では、蒸着マスク２０のうちマスク第１領域Ｍ１の断面を示しているが、第２領域Ｍ２においても同様にして貫通孔２５が形成される。
【0150】
より具体的には、蒸着マスク２０の製造方法は、金属板準備工程と、第１エッチング工程と、第２エッチング工程と、を含んでいてもよい。金属板準備工程においては、帯状に延びる長尺金属板６４が準備されてもよい。第１エッチング工程においては、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチング処理が長尺金属板６４に実施されてもよい。このことにより、長尺金属板６４に第１面６４ａの側から第１凹部３０が形成されてもよい。第２エッチング工程においては、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチング処理が長尺金属板６４に実施されてもよい。このことにより、長尺金属板６４に第２面６４ｂの側から第２凹部３５が形成されてもよい。長尺金属板６４に形成された第１凹部３０と第２凹部３５とが互いに連通し、長尺金属板６４に貫通孔２５が作製されてもよい。以下、各工程の詳細を説明する。
【0151】
まず、金属板準備工程として、長尺金属板６４を供給コア６１に巻き取った巻き体６２が準備されてもよい。そして、エッチング装置７０の下流側に位置する駆動ローラー７２が回転駆動されることにより、供給コア６１の巻き体６２から長尺金属板６４が巻き出されてもよい。このことにより、図１４に示すように帯状に延びる長尺金属板６４がエッチング装置７０に供給される。長尺金属板６４は、搬送ローラー７１によってエッチング装置７０に案内されてもよい。エッチング装置７０によって、以下に示す各処理が実施されてもよい。
【0152】
金属板準備工程の後、レジスト層形成工程として、図１５に示すように、長尺金属板６４の第１面６４ａ上及び第２面６４ｂ上にレジスト層６５ａ、６５ｂが形成されてもよい。レジスト層６５ａ、６５ｂは、ネガ型の感光性レジスト材料を含んでいてもよい。レジスト層６５ａ、６５ｂは、アクリル系光硬化性樹脂などの感光性レジスト材料を含む層が形成されたドライフィルムであってもよい。このようなドライフィルムは、長尺金属板６４の第１面６４ａ上及び第２面６４ｂ上に貼り付けられていてもよい。なお、レジスト層６５ａ、６５ｂは、液体レジストによって形成されていてもよい。この場合、まず、液体レジストが、長尺金属板６４の第１面６４ａ上及び第２面６４ｂ上にそれぞれ塗布されてもよい。その後、必要に応じて焼成が実施されてもよい。このことにより、レジスト層６５ａ、６５ｂが形成されてもよい。
【0153】
レジスト層形成工程の後、露光工程として、レジスト層６５ａ、６５ｂが露光されてもよい。この場合、まず、図１６に示すように、レジスト層６５ａ、６５ｂに露光マスク６６ａ、６６ｂが位置づけられてもよい。露光マスク６６ａ、６６ｂは、除去したい領域に光を透過させないように構成されてもよい。ネガ型の感光性レジスト材料の代わりに、ポジ型の感光性レジスト材料が用いられてもよい。この場合、露光マスクとして、レジスト層６５ａ、６５ｂのうちの除去したい領域に光を透過させるようにした露光マスクが用いられてもよい。その後、レジスト層６５ａ、６５ｂが露光マスク６６ａ、６６ｂを介して露光されてもよい。
【0154】
露光工程の後、現像工程として、図１７に示すように、レジスト層６５ａ、６５ｂが現像されてもよい。このことにより、図１７に示すように、長尺金属板６４の第１面６４ａ上に第１レジスト開口６７ａがパターン状に形成されてもよい。第１レジスト開口６７ａは、第１凹部３０の第１面２０ａにおける断面開口に対応する開口形状を有していてもよい。長尺金属板６４の第２面６４ｂ上に第２レジスト開口６７ｂがパターン状に形成されてもよい。第２レジスト開口６７ｂは、第２凹部３５の第２面２０ｂにおける断面開口に対応する開口形状を有していてもよい。
【0155】
露光工程と現像工程との間に、熱処理工程が実施されてもよい。熱処理工程においては、レジスト層６５ａ、６５ｂの硬度を高めるに、レジスト層６５ａ、６５ｂが加熱されてもよい。熱処理工程においては、長尺金属板６４に対するレジスト層６５ａ、６５ｂの密着強度を向上させるために、レジスト層６５ａ、６５ｂが加熱されてもよい。熱処理工程は、例えば１００℃～４００℃の温度範囲の不活性ガスの雰囲気で実施されてもよい。不活性ガスの例としては、アルゴンガス、ヘリウムガス又は窒素ガスなどが挙げられる。
【0156】
現像工程の後、第１エッチング工程として、図１８に示すように、長尺金属板６４の第１面６４ａが、第１エッチング液を用いてエッチングされてもよい。第１エッチング液は、第１レジスト開口６７ａから露出されている領域をエッチングしてもよい。例えば、第１エッチング液が、搬送される長尺金属板６４の第１面６４ａに対向するノズルから、第１レジスト開口６７ａを介して長尺金属板６４の第１面６４ａに向けて噴射されてもよい。この結果、図１８に示すように、長尺金属板６４のうちの第１レジスト開口６７ａから露出されている領域で、第１エッチング液による浸食が進む。このことにより、長尺金属板６４の第１面６４ａに多数の第１凹部３０が形成される。第１エッチング液としては、例えば塩化第２鉄溶液及び塩酸を含むエッチング液が用いられてもよい。第１エッチング液による浸食は、法線方向Ｎに進むだけでなく、法線方向Ｎに垂直な方向にも進んでいく。
【0157】
第１エッチング工程の後、樹脂被覆工程として、図１９に示すように、第１凹部３０及び第１レジスト開口６７ａが樹脂６９によって被覆されてもよい。樹脂６９は、後述する第２エッチング工程において用いられる第２エッチング液に対する耐性を有していてもよい。図１９に示す例では、形成された第１凹部３０及び第１レジスト開口６７ａが樹脂６９で封止されるとともに、レジスト層６５ａも樹脂６９で被覆される。このようにして、長尺金属板６４の第１面６４ａに、樹脂６９の層が形成されてもよい。
【0158】
樹脂被覆工程の後、第２エッチング工程として、図２０に示すように、長尺金属板６４の第２面６４ｂが、第２エッチング液を用いてエッチングされてもよい。第２エッチング液は、第２レジスト開口６７ｂから露出されている領域をエッチングしてもよい。例えば、第２エッチング液が、搬送される長尺金属板６４の第２面６４ｂに対向するノズルから、第２レジスト開口６７ｂを介して長尺金属板６４の第２面６４ｂに向けて噴射されてもよい。この結果、図２０に示すように、長尺金属板６４のうちの第２レジスト開口６７ｂから露出されている領域で、第２エッチング液による浸食が進む。このことにより、長尺金属板６４の第２面６４ｂに多数の第２凹部３５が形成されてもよい。第２エッチング工程は、第１凹部３０と第２凹部３５とが互いに連通するまで実施されてもよい。このことにより、貫通孔２５が形成される。第２エッチング液としては、上述の第１エッチング液と同様に、例えば塩化第２鉄溶液及び塩酸を含むエッチング液が用いられてもよい。第２エッチング液による浸食は、長尺金属板６４の厚み方向に進むだけでなく、長尺金属板６４の厚み方向に垂直な方向にも進んでいく。
【0159】
第２エッチング工程は、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２において隣り合う２つの第２凹部３５の第２壁面３６が、対応する２つの第２レジスト開口６７ｂの間に位置するブリッジ部６８の裏側において互いに接続されるまで実施されてもよい。このことにより、図２１に示すように、マスク第１領域Ｍ１において、２つの第２壁面３６の間に、第２面２０ｂに向かって凸となる尾根面４７が形成されてもよい。しかしながら、上述したマスク第３方向Ｄ３において隣り合う２つの第２凹部３５の第２壁面３６が、ブリッジ部６８の裏側において接続される前に、第２エッチング工程を終了してもよい。このことにより、図１１に示すように、接続面４５の最高点４６を含むトップ面４４を残存させることができる。マスク第２領域Ｍ２においては、互いに隣り合う第２凹部３５の間に、トップ面４４が形成される。トップ面４４は、第２凹部３５の周囲に形成され、第２凹部３５は、トップ面４４で囲まれる。
【0160】
第２エッチング工程の後、樹脂除去工程として、図２２に示すように、長尺金属板６４から樹脂６９が除去される。例えばアルカリ系剥離液を用いることによって、樹脂６９が除去されてもよい。アルカリ系剥離液が用いられる場合、図２２に示すように、樹脂６９と同時にレジスト層６５ａ、６５ｂも除去されてもよい。なお、樹脂６９を除去した後、樹脂６９を剥離させるための剥離液とは異なる剥離液を用いて、レジスト層６５ａ、６５ｂが除去されてもよい。
【0161】
樹脂６９が除去された長尺金属板６４は、図１４に示すように、駆動ローラー７２が回転駆動されることにより、切断装置７３へ搬送される。
【0162】
切断工程として、多数の貫通孔２５が形成された長尺金属板６４が切断装置７３によって切断される。このことにより、長尺金属板６４が個片化され、所定の長さ及び所定の幅を有する枚葉状の蒸着マスク２０が得られる。この蒸着マスク２０は、上述のようにして形成された多数の貫通孔２５を有している。
【0163】
以上のようにして、本実施の形態による蒸着マスク２０が得られる。
【0164】
本実施の形態による蒸着マスク装置１０を製造する場合、上述のようにして得られた蒸着マスク２０は、フレーム１５に固定されてもよい。より具体的には、蒸着マスク２０の第２面２０ｂが、フレーム１５の第１面１５ａに接した状態で、蒸着マスク２０がフレーム１５に固定される。蒸着マスク２０の耳部２１Ａ、２１Ｂが、例えばスポット溶接によりフレーム１５に固定されてもよい。
【0165】
蒸着マスク２０は、フレーム１５に固定される際に、マスク第２方向Ｄ２の張力が付与されてもよい。蒸着マスク２０の張力が付与されることにより、各貫通孔２５が、フレーム１５に対して位置合わせされ、所望の位置に対して許容範囲内に位置付けられてもよい。
【0166】
以上のようにして、本実施の形態による蒸着マスク装置１０が得られる。
【0167】
蒸着マスク装置１０を蒸着装置８０に取り付けて、有機デバイス１００を製造する方法について説明する。
【0168】
有機デバイス１００の製造方法は、上述した蒸着マスク装置１０を用いて基板１１０に蒸着材料９０を付着させて有機層１３０を形成する工程を備えていてもよい。より具体的には、本実施の形態による有機デバイス１００の製造方法は、準備工程と、位置合わせ工程と、密着工程と、蒸着工程と、裁断工程と、を備えていてもよい。
【0169】
まず、準備工程として、上述した蒸着マスク装置１０を準備してもよい。蒸着マスク装置１０は、蒸着装置８０に取り付けられる。また、上述した第１電極１２０が形成された基板１１０を準備してもよい。第１電極１２０は、例えば、第１電極１２０を構成する導電層をスパッタリング法などによって基板１１０に形成した後、フォトリソグラフィー法などによって導電層をパターニングすることによって形成されてもよい。平面視において隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０が基板１１０に形成されていてもよい。
【0170】
準備工程の後、位置合わせ工程として、蒸着マスク装置１０の蒸着マスク２０が基板１１０に対して位置合わせされる。位置合わせ工程においては、蒸着マスク装置１０が、図１に示す蒸着装置８０のケーシング８１内で、図示しない支持部材に支持される。蒸着マスク装置１０は、回転駆動機構８５のホルダー８５ａには保持されておらず、ホルダー８５ａよりも下方に位置づけられている。基板１１０は、ケーシング８１内で、図示しない別の支持部材に支持される。基板１１０は、蒸着マスク装置１０とホルダー８５ａとの間に位置づけられており、基板１１０と蒸着マスク装置１０とは離間している。この状態で、蒸着マスク２０の貫通孔２５の位置が、基板１１０に対して位置合わせされてもよい。
【0171】
位置合わせ工程の後、密着工程として、蒸着マスク装置１０の蒸着マスク２０が基板１１０に密着してもよい。蒸着マスク２０の第１面２０ａが、基板１１０の第１面１１０ａに密着してもよい。より具体的には、蒸着マスク装置１０を、回転駆動機構８５のホルダー８５ａの側に移動させ、回転駆動機構８５のホルダー８５ａに保持された磁石８７に吸着させる。蒸着マスク２０と磁石８７との間に、基板１１０が介在されるため、磁石８７の磁力によって蒸着マスク装置１０が基板１１０に引き寄せられる。このようにして、蒸着マスク２０の第１面２０ａが、基板１１０の第１面１１０ａに密着する。
【0172】
なお、後述するように、有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ並びに第２電極１４０の第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを形成するために、対応する複数の蒸着マスク２０が用いられる。蒸着マスク２０を交換する際には、上述した準備工程、位置合わせ工程及び密着工程がそれぞれ実施されてもよい。
【0173】
密着工程の後、蒸着工程として、基板１１０に、蒸着層が形成される。蒸着工程は、有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃを形成する有機層形成工程と、第２電極１４０を形成する電極形成工程と、を含んでいてもよい。有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃは、蒸着層の一例であり、第２電極１４０は、蒸着層の他の一例である。
【0174】
有機層形成工程として、基板１１０に、蒸着材料９０を蒸着させて有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃが形成される。有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃは、対応する蒸着マスク２０を用いる蒸着法によって形成されてもよい。蒸着材料９０は、フレーム開口１６及び蒸着マスク２０の貫通孔２５を通過することにより、基板１１０に蒸着する。
【0175】
より具体的には、図５に示す蒸着装置８０の排気部８２が駆動されて、ケーシング８１内の処理空間８１ａの圧力を下げて、真空雰囲気が形成される。ヒータ８４により蒸着源８３が加熱され、蒸着源８３に収容された蒸着材料９０が蒸発する。蒸発した蒸着材料９０は、フレーム１５のフレーム開口１６及び蒸着マスク２０の貫通孔２５を通過して、基板１１０の第１面１１０ａに到達する。第１面１１０ａに到達した蒸着材料９０は、第１面１１０ａに形成された正孔輸送層に付着する。蒸着時には、回転駆動部８５ｂが駆動されて、基板１１０及び蒸着マスク装置１０が回転する。このことにより、基板１１０うち有機層１３０が形成される領域の全体にわたって、蒸着材料９０がパターン状に付着し、所望のパターンの有機層１３０が形成される。
【0176】
一般に、蒸着装置８０においては、蒸着源８３から蒸発した蒸着材料９０は、基板１１０に向けて法線方向Ｎに沿って移動するだけでなく、法線方向Ｎに対して大きく傾斜した方向にも移動する。蒸着マスク２０の厚みｔが大きいと、傾斜した方向に移動する蒸着材料９０が、トップ面４４を含む第２面２０ｂ、第２凹部３５の第２壁面３６又は第１凹部３０の第１壁面３１に付着し易くなる。この結果、上述したシャドーが発生し、貫通孔２５を通過できない蒸着材料９０が増える。図５に示すような回転式の蒸着装置８０においては、蒸着源８３が移動せず、基板１１０が回転する。このことにより、蒸着時には、蒸着源８３からの基板１１０の各位置までの距離が変化し、基板１１０の各位置には、様々な角度で蒸着材料９０が飛来し得る。このため、本実施の形態のような蒸着マスク２０を用いることにより、シャドーの発生を効果的に抑制できる。
【0177】
これに対して本実施の形態においては、上述のように、蒸着マスク２０の第１面２０ａに対する貫通孔２５の壁面の傾斜角度が小さくなっている。より具体的には、上述のように定義された定義断面が、接続面４５の最高点４６としてのトップ面４４の最高点４６を通るときに、傾斜定義直線Ｌと蒸着マスク２０の第１面２０ａとがなす角度θ３およびθ４が、４５°以下になっている。このことにより、第２凹部３５の第２壁面３６のうち、蒸着材料９０が付着しやすいトップ面４４の近傍においても、蒸着材料９０が第２壁面３６及び第２面２０ｂに付着することを抑制できる。蒸着源８３から飛来する蒸着材料９０が、法線方向Ｎに対して大きく傾斜している場合であっても、蒸着材料９０が第２壁面３６に付着することを抑制できる。このことにより、法線方向Ｎに対して大きく傾斜する方向に飛来する蒸着材料９０であっても、貫通部４２を通過できる。貫通部４２を通過した蒸着材料９０は、基板１１０の第１面１１０ａに到達できる。
【0178】
本実施の形態においては、接続面４５、より具体的には尾根面４７のうちの任意の点を通る定義断面における傾斜定義直線Ｌと第１面２０ａとがなす角度が、４５°以下になっている。このことにより、平面視において第２凹部３５の全周にわたって、第２壁面３６及び第２面２０ｂに蒸着材料９０が付着することを抑制できる。より具体的には、平面視における任意の方向から飛来する蒸着材料が、第１面２０ａに対して４５°以下の角度をなす方向に飛来する場合であっても、蒸着材料９０が第２面２０ｂに付着することを抑制できる。このため、貫通部４２を通過できる蒸着材料９０を増やすことができる。
【0179】
有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃは、第１電極１２０と当該第１電極１２０に隣接する絶縁層１６０に跨がるように形成される。図示しないが、絶縁層１６０上において隣り合う有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃは、重なり合っていてもよい。
【0180】
本実施の形態では、有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃは、基板１１０の所望の正孔輸送層上に形成される。有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃは、対応する蒸着材料９０を用いて、別々に形成されてもよい。より具体的には、基板１１０の各表示領域において、各色の有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃが形成される。例えば、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料及び青色用の有機発光材料が１つの基板１１０にそれぞれ蒸着する。このようにして、基板１１０の各表示領域に、有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃが形成される。有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃは、基板１１０に所望の順番で形成されてもよい。有機層１３０Ａは、有機層１３０Ａのパターンに対応した貫通孔２５を有する蒸着マスク２０を用いて形成される。他の色の有機層１３０Ｂ、１３０Ｃは、各色のパターンに対応した貫通孔２５を有する蒸着マスク２０を用いて形成される。
【0181】
有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃが形成された後、有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ上に、電子輸送層及び電子注入層が形成される。
【0182】
電子輸送層及び電子注入層が形成された後、電極形成工程として、第２電極１４０が形成される。第２電極１４０は、各有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃを覆うように形成されてもよい。第２電極１４０は、有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ上において、第１電極１２０と当該第１電極１２０に隣接する絶縁層１６０に跨がるように形成される。
【0183】
より具体的には、対応する蒸着マスク２０を用いる蒸着法によって、第２電極１４０の第１層１４０Ａを形成する工程を実施してもよい。例えば、対応する蒸着マスク２０を介して金属などの導電性材料などを有機層１３０などの上に蒸着させることにより、第１層１４０Ａを形成してもよい。第１層１４０Ａは、有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃと同様に、図５に示す回転式の蒸着装置８０によって形成されてもよい。
【0184】
続いて、他の蒸着マスク２０を用いる蒸着法によって第２電極１４０の第２層１４０Ｂを形成する工程を実施してもよい。例えば、対応する蒸着マスク２０を介して金属などの導電性材料などを有機層１３０などの上に蒸着させることにより、第２層１４０Ｂを形成してもよい。第２層１４０Ｂは、有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃと同様に、図５に示す回転式の蒸着装置８０によって形成されてもよい。
【0185】
このようにして、図３及び図４に示すように、第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを含む第２電極１４０が形成される。第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを形成する順序は、特に限定されない。例えば、第２層１４０Ｂを形成した後に第１層１４０Ａを形成してもよい。
【0186】
電極形成工程の後、第２電極１４０に、上述した平坦化層及び封止層が形成される。このようにして、基板１１０に設けられた有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ等の要素が、封止層で封止される。
【0187】
平坦化層及び封止層が形成された後、裁断工程として、有機デバイス１００の表示領域毎に基板１１０が裁断されてもよい。この場合、例えば、互いに隣り合う表示領域の間で、ダイシングソーを用いて基板１１０が裁断される。
【0188】
このようにして、基板１１０に、各色の有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃが形成された表示領域を有する有機デバイス１００が得られる。
【0189】
このように本実施の形態によれば、マスク第１領域Ｍ１は、第２面２０ｂが残存している面積の比率を示す第１面残存率を有し、マスク第２領域Ｍ２は、第２面２０ｂが残存している面積の比率を示す第２面残存率を有している。第２面残存率は、第１面残存率よりも大きい。このことにより、マスク第２領域Ｍ２に占める第２凹部３５の面積を小さくし、第２面２０ｂが残存している面積を増大できる。このため、蒸着マスク２０の厚みが厚い部分を増やすことができる。この結果、蒸着マスク２０の機械的強度を向上できる。
【0190】
また、本実施の形態によれば、マスク第１領域Ｍ１は、貫通孔２５の面積の比率を示す第１開口率を有し、マスク第２領域Ｍ２は、貫通孔２５の面積の比率を示す第２開口率を有している。第２開口率は、第１開口率よりも小さい。このことにより、有機デバイス１００の第２表示領域１０２において、貫通孔２５を通過して基板１１０に付着する蒸着材料９０の蒸着面積を小さくできる。このため、基板１１０において、有機層１３０及び第２電極１４０等を構成する蒸着層の面積を小さくでき、第２表示領域１０２の第２透過率を高くできる。
【0191】
また、本実施の形態によれば、定義断面は、接続面４５の任意の点を通るとともに蒸着マスク２０の第１面２０ａに垂直な断面であって、平面視において当該点からの距離が最短となる稜線４１上の点を通る断面として定義される。傾斜定義直線は、この定義断面において接続面４５と稜線４１とに接する直線として定義される。定義断面が、接続面４５の最高点４６を通るときに、傾斜定義直線Ｌと第１面２０ａとがなす角度は、４５°以下になっている。このことにより、第２凹部３５の第２壁面３６のうち、蒸着材料９０が付着しやすい最高点４６の近傍においても、蒸着材料９０がトップ面４４に付着することを抑制できる。このため、シャドーの発生を抑制できる。
【0192】
また、本実施の形態によれば、接続面４５は、４つの最高点４６を含み、４つの最高点４６のうち対応する最高点４６を通る４つの定義断面が定義される。４つの定義断面のうちの少なくとも１つの定義断面における傾斜定義直線Ｌと第１面２０ａとがなす角度が、４５°以下になっている。このことにより、第２壁面３６のうち、蒸着材料９０が付着しやすい４つの最高点４６のうちの少なくとも１つの最高点４６の近傍において、蒸着材料９０が第２壁面３６及び第２面２０ｂに付着することを抑制できる。このため、シャドーの発生を抑制できる。
【0193】
また、本実施の形態によれば、接続面４５の最高点４６は、法線方向Ｎにおいて蒸着マスク２０の第２面２０ｂと同じ位置に位置している。この場合、傾斜定義直線Ｌと第１面２０ａとがなす角度が大きくなりやすいにも関わらず、その角度を４５°以下に設定することができる。このことにより、第２壁面３６のうち蒸着材料９０が付着しやすい最高点４６の近傍においても、蒸着材料９０が第２壁面３６及び第２面２０ｂに付着することを効果的に抑制できる。このため、シャドーの発生を効果的に抑制できる。
【0194】
また、本実施の形態によれば、傾斜定義直線Ｌは、接続面４５のうちの任意の点を通る定義断面における傾斜定義直線Ｌと第１面２０ａとがなす角度が、４５°以下になっている。このことにより、平面視において第２凹部３５の全周にわたって、第２壁面３６及び第２面２０ｂに蒸着材料９０が付着することを抑制できる。このため、シャドーの発生をより一層抑制できる。
【0195】
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明及び以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
【0196】
第１変形例について説明する。
【0197】
上述した本実施の形態においては、マスク第１領域Ｍ１に位置する１つの第２凹部３５を取り囲む接続面４５が、４つのトップ面４４を含んでいる例について説明した。しかしながら、このことに限られることはない。接続面４５が含むトップ面４４の個数は、１つ、２つ又は３つでもよく、５つ以上であってもよい。この場合においても、トップ面４４の各々に対応する定義断面のうちの少なくとも１つの定義断面における傾斜定義直線Ｌと第１面２０ａとがなす角度θ３が２５°以上且つ４５°以下になっていてもよい。
【0198】
第２変形例について説明する。
【0199】
上述した本実施の形態においては、マスク第１領域Ｍ１に位置する接続面４５の最高点４６が、法線方向Ｎにおいて蒸着マスク２０の第２面２０ｂと同じ位置に位置するトップ面４４に含まれている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはない。最高点４６は、接続面４５のうち最も第２面２０ｂの側に位置していれば、第２面２０ｂと同じ位置に位置していなくてもよい。
【0200】
例えば、図２３及び図２４に示すように、最高点４６は、第２面２０ｂよりも第１面２０ａの側に位置していてもよい。そして、接続面４５の最高点４６を通る定義断面における傾斜定義直線Ｌと蒸着マスク２０の第１面２０ａとがなす角度θ３が、２５°以上且つ４５°以下になっていてもよい。このことにより、第２凹部３５の第２壁面３６のうち、蒸着材料９０が付着しやすい最高点４６の近傍においても、蒸着材料９０が第２壁面３６及び接続面４５に付着することを抑制できる。このため、シャドーの発生を抑制できる。図２３及び図２４に示す例においては、最高点４６は、接続面４５を構成する湾曲状の尾根面４７の頂点であってもよい。図２４に示す例においても、接続面４５の最高点４６における高さｈ３は、図９に示す高さｈ１よりも高くてもよく、図１０に示す高さｈ２よりも高くてもよい。図２３及び図２４に示す接続面４５を形成する場合、第２エッチング工程は、上述したマスク第３方向Ｄにおいて隣り合う２つの第２凹部３５の第２壁面３６が、ブリッジ部６８の裏側において接続されるまで、実施されてもよい。
【0201】
第３変形例について説明する。
【0202】
上述した本実施の形態においては、マスク第１領域Ｍ１及びマスク第２領域Ｍ２に位置する複数の貫通孔２５が、並列配列されている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはない。例えば、複数の貫通孔２５は、図２５に示すように、千鳥配列されていてもよい。
【0203】
例えば、図２５に示すように、マスク第１方向Ｄ１に沿った１つの列を構成する各貫通孔２５と、当該列とマスク第２方向Ｄ２において隣り合う他の列を構成する各貫通孔２５とは、マスク第２方向Ｄ２において整列されていなくてもよい。図２５に示す例では、１つの列を構成する各貫通孔２５と、隣り合う他の列を構成する貫通孔２５とは、マスク第１方向Ｄ１においてずれて配列されており、そのずれ量が、マスク第１方向Ｄ１における配列ピッチＣ１の半分になっている。
【0204】
図２５に示す例では、１つの第２凹部３５を取り囲む接続面４５は、４つのトップ面４４を含んでいる。４つのトップ面４４は、マスク第１方向Ｄ１において第２凹部３５の両側及びマスク第２方向Ｄ２において第２凹部３５の両側に位置している。図２５に示すトップ面４４は、法線方向Ｎにおいて蒸着マスク２０の第２面２０ｂと同じ位置に位置している。トップ面４４は、第２面２０ｂと同様に平坦状に形成されていてもよい。接続面４５のうちトップ面４４以外の部分は、尾根面４７として、第２面２０ｂに向かって凸となるように湾曲状に形成されていてもよい。
【0205】
４つのトップ面４４のうち対応するトップ面４４に位置する最高点４６を通る４つの定義断面が定義される。図２５に、トップ面４４の最高点４６を通る定義断面の一例がＨ－Ｈ線及びＩ－Ｉ線として示されている。
【0206】
Ｈ－Ｈ線は、マスク第１方向Ｄ１に沿っている。Ｈ－Ｈ線は、貫通孔２５の中心を通っていてもよい。最高点４６は、平面視においてトップ面４４のうち稜線４１に最も近い点としてもよい。図２５に示すように、平面視においてトップ面４４の稜線４１に対向するマスク第２方向Ｄ２に沿う縁が、稜線４１のマスク第２方向Ｄ２に沿う部分と平行になっている場合には、トップ面４４の当該縁上の任意の点を最高点４６として定義断面を定義してもよい。Ｈ－Ｈ線で示す定義断面における傾斜定義直線Ｌと第１面２０ａとがなす角度θ１が、２５°以上且つ４５°以下になっていてもよい。
【0207】
Ｉ－Ｉ線は、マスク第２方向Ｄ２に沿っている。Ｉ－Ｉ線は、貫通孔２５の中心を通っていてもよい。最高点４６は、平面視においてトップ面４４のうち稜線４１に最も近い点としてもよい。図２５に示すように、平面視においてトップ面４４の稜線４１に対向するマスク第１方向Ｄ１に沿う縁が、稜線４１のマスク第１方向Ｄ１に沿う部分と平行になっている場合には、トップ面４４の当該縁上の任意の点を最高点４６として定義断面を定義してもよい。Ｉ－Ｉ線で示す定義断面における傾斜定義直線Ｌと第１面２０ａとがなす角度θ２が、２５°以上且つ４５°以下になっていてもよい。
【0208】
接続面４５のうちトップ面４４以外の任意の点を通る定義断面における傾斜定義直線Ｌと第１面２０ａとがなす角度も、２５°以上且つ４５°以下になっていてもよい。
【0209】
複数の貫通孔２５が千鳥配列されている場合であっても、最高点４６は、第２面２０ｂよりも第１面２０ａの側に位置していてもよい。
【0210】
第４変形例について説明する。
【0211】
上述した本実施の形態においては、有機デバイス１００の有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃが、図５に示す回転式の蒸着装置８０によって形成される例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃは、蒸着源８３が移動する蒸着装置８０等の任意の蒸着装置８０によって形成されてもよい。同様に、有機デバイス１００の第２電極１４０を構成する第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂが、図５に示す回転式の蒸着装置８０によって形成される例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂは、蒸着源８３が移動する蒸着装置８０等の任意の蒸着装置８０によって形成されてもよい。
【0212】
第５変形例について説明する。
【0213】
上述した本実施の形態においては、有機デバイス１００の第２電極１４０が、第１層１４０Ａと、第２層１４０Ｂと、を含む例について説明した。しかしながら、このことに限られることはない。例えば、第２電極１４０は、平面視において隣り合う２つの有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃに跨がるように連続的に形成されてもよい。第２電極１４０は、単一の層によって構成されていてもよい。あるいは、第２電極１４０は、３つの層を含んでいてもよい。この場合の第２電極１４０の各層は、有機層１３０Ａ～１３０Ｃに対応させて、重なるように形成されてもよい。
【0214】
第６変形例について説明する。
【0215】
上述した本実施の形態においては、マスク第１領域Ｍ１の第１面残存率が、マスク第２領域Ｍ２の第２面残存率よりも大きければ、接続面４５の構成は任意である。この場合、マスク第１領域Ｍ１に位置する１つの第２凹部３５を取り囲む接続面４５は、１つ若しくは複数のトップ面４４を含んでいてもよく、又はトップ面４４を含んでいなくてもよい。接続面４５がトップ面４４を含まない場合、第１面残存率はゼロとしてもよい。また、マスク第２領域Ｍ２に位置する１つの第２凹部３５の周囲に第２面２０ｂが残存していなくてもよい。例えば、マスク第２領域Ｍ２に位置する１つの第２凹部３５を取り囲む接続面４５は、尾根面４７を含んでいてもよい。この場合、マスク第２領域Ｍ２における接続面４５は、１つ若しくは複数のトップ面４４を含んでいてもよい。
【0216】
第７変形例について説明する。
【0217】
上述した本実施の形態においては、マスク第１領域Ｍ１の第１面残存率が、マスク第２領域Ｍ２の第２面残存率よりも大きい例について説明した。しかしながら、このことに限られることはない。例えば、第１面残存率と第２面残存率との大小関係に関わることなく、定義断面が最高点４６を通るとき、傾斜定義直線Ｌと第１面２０ａとがなす角度が、２５°以上且つ４５°以下であればよい。この場合、蒸着材料９０が蒸着マスク２０に付着することを抑制でき、シャドーの発生を抑制できる。
【0218】
なお、上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】