特開 2022-162488 多層配線基板及び多層配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022162488

(43)【公開日】2022-10-24

(54)【発明の名称】多層配線基板及び多層配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20221017BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021067404

(22)【出願日】2021-04-12

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100112472

【弁理士】

【氏名又は名称】松浦 弘

(74)【代理人】

【識別番号】100202223

【弁理士】

【氏名又は名称】軸見 可奈子

(72)【発明者】

【氏名】谷口 普崇

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA12

5E316AA15

5E316AA43

5E316BB16

5E316CC04

5E316CC08

5E316CC32

5E316DD02

5E316DD12

5E316DD25

5E316DD32

5E316DD33

5E316EE33

5E316FF07

5E316FF15

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH40

5E316JJ06

(57)【要約】      （修正有）

【課題】金属バリの発生を抑えることが可能な多層配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多層配線基板の厚さ方向の途中に位置する第１の導電層１３Ａよりも、表裏の一方の面である第１面１０Ｆ側の一部が除去されて、第１面に開口し、かつ、第１の導電層が底面に露出するキャビティ２０を有する多層配線基板１０であって、キャビティを多層配線基板の第１の側面１０Ｍに開放する側面開口２０Ｋと、キャビティの底面２０Ｍのうち、側面開口側の縁部が切削加工されてなる段差部３４と、を備える。第１の導電層よりも、多層配線基板の表裏の他方の面である第２面１０Ｓ側に配置される導電層のうち、キャビティの底面に対して最も近くに位置する導電層１３Ｂは、段差部の段差面３８よりも第１の側面から離れている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

多層配線基板のうち厚さ方向の途中に位置する第１の導電層よりも多層配線基板の表裏の一方の面である第１面側の一部が除去されて、前記第１面に開口しかつ前記第１の導電層が底面に露出するキャビティを有する多層配線基板であって、
前記キャビティを前記多層配線基板の第１の側面に開放する側面開口と、
前記キャビティの底面のうち前記側面開口側の縁部が切削加工されてなる段差部と、を備え、
前記第１の導電層よりも前記多層配線基板の表裏の他方の面である第２面側に配置される導電層のうち前記キャビティの底面に対して最も近くに位置する導電層は、前記段差部の段差面よりも前記第１の側面から離れている。

【請求項2】

請求項１に記載の多層配線基板であって、
前記第１の導電層よりも前記第２面側に配置される導電層のうち前記キャビティの底面に対して最も近くに位置する導電層は、前記段差部の段差面よりも、前記第１の側面から３００μｍ以上離れている。

【請求項3】

請求項１又は２に記載の多層配線基板であって、
前記第１の導電層よりも前記第２面側に配置される全ての導電層は、前記段差部の段差面よりも前記第１の側面から離れている。

【請求項4】

請求項３に記載の多層配線基板であって、
前記第１の導電層よりも前記第２面側に配置される全ての導電層は、前記段差部の段差面よりも、前記第１の側面から３００μｍ以上離れている。

【請求項5】

請求項１から４の何れか１の請求項に記載の多層配線基板であって、
前記段差部の下段面は、多層配線基板に含まれる絶縁層の厚さ方向の途中に位置している。

【請求項6】

請求項１から５の何れか１の請求項に記載の多層配線基板であって、
前記キャビティの底面の外縁部に形成され、前記段差部と共に前記キャビティの底面の前記第１の導電層を囲み、前記段差部の前記下段面に連続する溝底面を有する切削加工溝を備える。

【請求項7】

請求項１から６の何れか１の請求項に記載の多層配線基板であって、
前記第１の導電層のうち前記キャビティの底面に露出する部分は、部品搭載用のパッドを形成している。

【請求項8】

請求項１から７の何れか１の請求項に記載の多層配線基板であって、
前記キャビティは、平面視四角形状をなし、前記キャビティの一辺のみに前記側面開口を備える。

【請求項9】

多層配線基板の表裏の一方の面である第１面から前記多層配線基板の厚さ方向の途中の第１の導電層を通過する位置までルータを突入しかつ閉ループの軌跡を描くようにルータを走らせてから、前記閉ループの内側部分における前記第１の導電層より前記第１面側の部分を除去し、前記第１面に開口しかつ前記第１の導電層を底面に露出させかつ前記底面の縁部に切削加工溝を有するキャビティを形成することを含む多層配線基板の製造方法であって、
前記第１の導電層よりも前記表裏の他方の面である第２面側に配置される導電層のうち前記第１の導電層に対して最も近くに位置する第２の導電層を、多層配線基板の第１の側面から第１距離以上離れた配置にすることと、
前記閉ループの一部に多層配線基板の前記第１の側面側の外縁部が含まれかつ、その外縁部では前記第１の側面から前記第１距離未満の距離に収まる範囲が切削されるようにルータを走らせて、前記キャビティに、前記第１の側面に前記キャビティを開放する側面開口と、前記切削開口溝が前記側面開口側に開放されてなる段差部とを形成することと、を含む。

【請求項10】

請求項９に記載の多層配線基板の製造方法であって、
前記第１の導電層よりも前記第２面側に配置される全ての導電層を、前記第１の側面から前記第１距離より離れた配置にすることを含む。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、キャビティを有する多層配線基板及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、この種の多層配線基板として、多層配線基板の一部を除去してキャビティを形成するために切削加工が行われるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１２－１４６９８３号公報（図１、図２等）

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、上記した多層配線基板に対し、キャビティを多層配線基板の一側面に開口した構造にしたいという要請がある。しかしながら、そのような構造では、キャビティの側面開口における導電層の一部が金属バリとなって多層配線基板に残り、その金属バリが後工程で離脱して不具合が発生することが懸念される。そこで、本開示では、金属バリの発生を抑えることが可能な技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様に係る多層配線基板は、多層配線基板のうち厚さ方向の途中に位置する第１の導電層よりも多層配線基板の表裏の一方の面である第１面側の一部が除去されて、前記第１面に開口しかつ前記第１の導電層が底面に露出するキャビティを有する多層配線基板であって、前記キャビティを前記多層配線基板の第１の側面に開放する側面開口と、前記キャビティの底面のうち前記側面開口側の縁部が切削加工されてなる段差部と、を備え、前記第１の導電層よりも前記多層配線基板の表裏の他方の面である第２面側に配置される導電層のうち前記キャビティの底面に対して最も近くに位置する導電層は、前記段差部の段差面よりも前記第１の側面から離れている。

【0006】

本開示の一態様に係る多層配線基板の製造方法は、多層配線基板の表裏の一方の面である第１面から前記多層配線基板の厚さ方向の途中の第１の導電層を通過する位置までルータを突入しかつ閉ループの軌跡を描くようにルータを走らせてから、前記閉ループの内側部分における前記第１の導電層より前記第１面側の部分を除去し、前記第１面に開口しかつ前記第１の導電層を底面に露出させかつ前記底面の縁部に切削加工溝を有するキャビティを形成することを含む多層配線基板の製造方法であって、前記第１の導電層よりも前記表裏の他方の面である第２面側に配置される導電層のうち前記第１の導電層に対して最も近くに位置する第２の導電層を、多層配線基板の第１の側面から第１距離以上離れた配置にすることと、前記閉ループの一部に多層配線基板の前記第１の側面側の外縁部が含まれかつ、その外縁部では前記第１の側面から前記第１距離未満の距離に収まる範囲が切削されるようにルータを走らせて、前記キャビティに、前記第１の側面に前記キャビティを開放する側面開口と、前記切削開口溝が前記側面開口側に開放されてなる段差部とを形成することと、を含む。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本開示の一実施形態の多層配線基板の側断面図

【図2】多層配線基板の平面図

【図3】多層配線基板の製造工程を示す拡大側断面図

【図4】多層配線基板の製造工程を示す側断面図

【図5】多層配線基板の製造工程を示す側断面図

【図6】多層配線基板の製造工程を示す側断面図

【図7】多層配線基板の製造工程を示す側断面図

【図8】多層配線基板の製造工程を示す側断面図

【図9】多層配線基板の製造工程を示す側断面図

【図10】多層配線基板の製造工程を示す側断面図

【図11】多層配線基板の製造工程を示す平面図

【図12】多層配線基板の製造工程を示す側断面図

【図13】多層配線基板の製造工程を示す側断面図

【図14】多層配線基板の製造工程を示す拡大側断面図

【発明を実施するための形態】

【0008】

図１に示されるように、本開示の一実施形態の多層配線基板１０は、絶縁層と導電層が交互に積層される積層構造を有する。具体的には、多層配線基板１０の積層構造では、コア基板１１の表裏の一方の面である第１面１１Ｆ上に第１ビルドアップ部１２Ａが積層され、コア基板１１の表裏の他方の面である第２面１１Ｓ上に第２ビルドアップ部１２Ｂが積層されている。

【0009】

コア基板１１は、絶縁層としての絶縁性基材１１Ｋに表裏の両側（第１面１１Ｆ側と第２面１１Ｓ）から導電層１３Ａ，１３Ｂが積層されてなる。第１面１１Ｆの導電層１３Ａと、第２面１１Ｓの導電層１３Ｂとは、それぞれ所定パターンに形成され、絶縁性基材１１Ｋを貫通するスルーホール導体１４によって接続されている。なお、以下では、第１面１１Ｆの導電層１３Ａを「第１の導電層１３Ａ」、第２面１１Ｓの導電層１３Ｂを「第２の導電層１３Ｂ」と適宜いうこととする。

【0010】

第１ビルドアップ部１２Ａと第２ビルドアップ部１２Ｂは、それぞれコア基板１１側から層間絶縁層１５と導電層１６とが交互に積層されている構造を有する。隣り合う導電層１６同士は、層間絶縁層１５を貫通する複数のビア導体１５Ｄによって接続されている。ビア導体１５Ｄは、コア基板１１に近づくにつれて縮径されるテーパー状になっている。層間絶縁層１５は、例えば、プリプレグ（ガラスクロス等の繊維からなる心材を樹脂含侵してなるＢステージの樹脂シート）又はビルドアップ基板用の絶縁フィルム（心材を有さず、例えば、無機フィラーを含む熱硬化性樹脂からなるフィルム）で構成されている。

【0011】

第１ビルドアップ部１２Ａ及び第２ビルドアップ部１２Ｂの導電層１６のうち最も外側（最もコア基板１１から離れた側）に配置される最外の導電層１６上には、ソルダーレジスト層１７が形成されている。各ソルダーレジスト層１７は、多層配線基板１０の最外層を構成する。ソルダーレジスト層１７には、開口部１７Ａが形成され、上記最外の導電層１６のうち開口部１７Ａによってソルダーレジスト層１７から露出する部分によりパッド１８が形成されている。

【0012】

多層配線基板１０の表裏の一方の面である第１面１０Ｆには、キャビティ２０が開口している。キャビティ２０は、多層配線基板１０のうち厚さ方向の途中に位置する導電層（本実施形態では、コア基板１１の第１の導電層１３Ａ）より第１面１０Ｆ側の一部が除去されてなる。本実施形態では、キャビティ２０は、第１ビルドアップ部１２Ａを貫通し、キャビティ２０の底面２０Ｍに、コア基板１１の第１面１１Ｆを露出させている。具体的には、キャビティ２０の底面２０Ｍには、コア基板１１の第１の導電層１３Ａが露出し、その露出部分により、部品搭載用のパッド２１が形成されている。本実施形態の例では、第１の導電層１３Ａの上記露出部分は、ベタパターンになっている。なお、パッド２１には、キャビティ２０に収容される電子部品１００が搭載される。

【0013】

キャビティ２０には、多層配線基板１０の第１の側面１０Ｍに開口する側面開口２０Ｋが形成されている。図２に示されるように、本実施形態では、キャビティ２０は、平面視四角形状をなし、キャビティ２０の１辺のみに、側面開口２０Ｋが設けられている。キャビティ２０は、キャビティ２０の残りの３辺側からは、第１ビルドアップ部１２Ａに囲まれている。

【0014】

図１及び図２に示されるように、キャビティ２０の底面２０Ｍのうち側面開口２０Ｋ側の縁部には、段差部３４が形成されている。本実施形態の例では、段差部３４は、キャビティ２０の底面２０Ｍの上記開放されている１辺の縁部が、段付き状に陥没するように切削加工されてなり、上記１辺に直線状に延びている。詳細には、段差部３４の段差面３８が、ルータの側面により切削され、段差部３４において段差面３８により一段下げられた下段面３４Ｍが、ルータの先端面により切削されている。下段面３４Ｍは、多層配線基板１０の第１の側面１０Ｍと連絡されている。本実施形態の例では、段差部３４の下段面３４Ｍは、コア基板１１の絶縁性基材１１Ｋの厚さ方向の途中に位置している。

【0015】

なお、本実施形態の例では、キャビティ２０の内壁面４０が、切削加工により形成される切削加工面になっている。例えば、この切削加工面は、ルータの側面加工で形成される。キャビティ２０の内壁面４０は、キャビティ２０のうち側面開口２０Ｋが設けられていない３辺に設けられている。

【0016】

なお、本実施形態の例では、キャビティ２０の底面２０Ｍの外縁部には、溝３０が形成されている。溝３０は、ルータの先端部により形成された切削加工溝になっている。溝３０（詳細には、溝３０の内面）は、キャビティ２０の内壁面４０に連続して形成されている。溝３０の内面は、溝底面３０Ｍと、溝３０の溝幅方向で対向する溝外周面３０Ｇ及び溝内周面３０Ｎと、からなる。溝外周面３０Ｇは、キャビティ２０の内壁面４０の延長上に配置されていて、内壁面４０と連続している。本実施形態の例では、溝３０は、キャビティ２０のうち側面開口２０Ｋが設けられていない３辺に設けられている。溝３０は、段差部３４と連絡されて、段差部３４と共にキャビティ２０の底面２０Ｍの中央部分を包囲している。

【0017】

なお、本実施形態の例では、キャビティ２０の底面２０Ｍのうち段差部３４と溝３０とに囲まれた四角形状の部分全体が、上述の部品搭載用のパッド２１になっている。なお、段差部３４と溝３０とに囲まれた部分の一部のみにパッド２１が設けられていてもよい。

【0018】

本実施形態の例では、段差部３４の下段面３４Ｍと、溝３０の溝底面３０Ｍとは、コア基板１１の第１面１１Ｆから同じ深さに配置されて（図１参照）、連続している。段差部３４と溝３０は、コア基板１１の第１の導電層１３Ａを貫通する深さに形成されている。本実施形態の例では、段差部３４の下段面３４と溝３０の溝底面３０Ｍは、コア基板１１の絶縁性基材１１Ｋの厚さ方向の途中に位置している。従って、段差部３４の下段面３４Ｍと溝３０の溝底面３０Ｍとには、絶縁性基材１１Ｋが露出していて、導電層は露出していない。

【0019】

図１に示されるように、コア基板１１の第１の導電層１３Ａよりも、多層配線基板１０の表裏の他方の面（第１面１０Ｆと反対側の面）である第２面１０Ｓ側には、複数の導電層が設けられている。図３に示されるように、これら複数の導電層のうち、キャビティ２０の底面２０Ｍに最も近くに位置する導電層、即ち、コア基板１１の第２の導電層１３Ｂは、多層配線基板１０の厚さ方向に段差部３４が投影された領域から離れて配置されている。具体的には、第２の導電層１３Ｂは、段差部３４の段差面３８よりも第１の側面１０Ｍから離れていて、第２の導電層１３Ｂと第１の側面１０Ｍとの間の距離Ｌ１が、段差部３４の段差面３８と第１の側面１０Ｍとの間の距離Ｌ２よりも長くなっている。例えば、第２の導電層１３Ｂは、段差部３４の段差面３８よりも、第１の側面１０Ｍから３００μｍ以上離れていることが好ましい（即ち、距離Ｌ１と距離Ｌ２の差が、３００μｍ以上であることが好ましい）。

【0020】

本実施形態の例では、第１の導電層１３Ａよりも多層配線基板１０の第２面１０Ｓ側に位置する全ての導電層（即ち、第２の導電層１３Ｂと、導電層１６）は、多層配線基板１０の厚さ方向に段差部３４が投影された領域に対して離れて配置されている。具体的には、これら全ての導電層は、段差部３４の段差面３８よりも第１の側面１０Ｍから離れている。つまり、これら全ての導電層と第１の側面１０Ｍとの距離のうち最小の距離（本実施形態では、距離Ｌ１）が、段差部３４の段差面３８と第１の側面１０Ｍとの間の距離Ｌ２よりも長くなっている。従って、段差部３４の段差面３８には、絶縁層（本実施形態の例では、絶縁性基材１１Ｋ）が露出していて、第２の導電層１３Ｂ等の導電層は露出していない。なお、例えば、第１の導電層１３Ａよりも第２面１０Ｓ側に位置する全ての導電層は、段差部３４の段差面３８よりも、第１の側面１０Ｍから３００μｍ以上離れていることが好ましい。

【0021】

なお、本実施形態の例では、第１の導電層１３Ａよりも第２面１０Ｓ側に位置する導電層（第２の導電層１３Ｂ及び導電層１６）は、多層配線基板１０の厚さ方向で溝３０と重ならないように配置されている。これら導電層は、多層配線基板１０の厚さ方向に溝３０が投影された領域に対して、間隔Ｘを開けて配置されている（例えば、間隔Ｘは、３００μｍ以上であることが好ましい）。従って、溝３０の内面のうち溝外周面３０Ｇ及び溝内周面３０Ｎ面には、絶縁層（本実施形態の例では、絶縁性基材１１Ｋ）が露出していて、導電層は露出していない。

【0022】

本実施形態の多層配線基板１０は、例えば、以下のようにして製造される。
（１）図４（Ａ）に示されるように、絶縁性基材１１Ｋの表裏の両面に銅箔１１Ｃがラミネートされている銅張積層板１１Ｚが用意される。なお、絶縁性基材１１Ｋは、例えば、エポキシ樹脂又はＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂と、ガラスクロスとを含んでいる。

【0023】

（２）図４（Ｂ）に示されるように、銅張積層板１１Ｚの両面にレーザが照射され貫通孔１４Ｈが形成される。

【0024】

（３）無電解めっき処理が行われ、銅箔１１Ｃ上と貫通孔１４Ｈの内面に無電解めっき膜（図示せず）が形成される。

【0025】

（４）図４（Ｃ）に示されるように、表裏の銅箔１１Ｃ上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト５０が形成される。なお、めっきレジスト５０は、後述するように、絶縁性基材１１が切断される面でありかつ多層配線基板１０の第１の側面１０Ｍが形成される切断予定面Ｍから、第２の導電層１３Ｂが第１距離Ｄ１以上離れて形成されるように配置される。

【0026】

（５）電解めっき処理が行われ、図４（Ｄ）に示されるように、電解めっきが貫通孔１４Ｈ内に充填されてスルーホール導体１４が形成されると共に、銅箔１１Ｃ上の無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト５０から露出している部分に電解めっき膜１３Ｄが積層される。

【0027】

（６）めっきレジスト５０が除去されると共に、めっきレジスト５０の下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔１１Ｃが除去される。すると、図５（Ａ）に示されるように、残された電解めっき膜１３Ｄ、無電解めっき膜及び銅箔１１Ｃにより、絶縁性基材１１Ｋの表裏の一方の面と他方の面とに、それぞれに第１の導電層１３Ａと第２の導電層１３Ｂが形成される。このとき、第２の導電層１３Ｂは、切断予定面Ｍから第１距離Ｄ１よりも離れた位置に形成される。また、第１の導電層１３Ａと第２の導電層１３Ｂとがスルーホール導体１４によって接続される。このようにして、コア基板１１が形成される。

【0028】

（７）図５（Ｂ）に示されるように、コア基板１１の第１面１１Ｆ上の一部に剥離層５１が敷設される。剥離層５１は、例えば、剥離フィルムで構成され、四角形状になっている。剥離層５１は、剥離層５１の１辺の外縁部が上記切断予定面Ｍに沿うように配置される。なお、例えば、コア基板１１の第１の導電層１３Ａは、剥離層５１全体の下に配置されるように形成しておく。

【0029】

（８）図５（Ｃ）に示されるように、コア基板１１の両面に層間絶縁層１５としてのプリプレグと銅箔５２が積層されてから、加熱プレスされる。すると、コア基板１１の両面上に層間絶縁層１５が形成される。なお、上記加熱プレスの際、コア基板１１の表裏の両面において、導電層１３Ａ，１３Ｂのパターンの非形成部分がプリプレグの樹脂により埋められる。なお、層間絶縁層１５として、プリプレグの代わりにビルドアップ基板用の絶縁フィルムを用いてもよい。この場合、ビルドアップ基板用の絶縁フィルムの上に、銅箔５２を積層することなく、直接、後述の（１１）における無電解めっき処理により無電解めっき膜を形成することができる。

【0030】

（９）図６（Ａ）に示すように、コア基板１１の両面の層間絶縁層１５に、レーザが照射されて、層間絶縁層１５を貫通する複数のビアホール１５Ｈが形成される。例えば、これら複数のビアホール１５Ｈは、剥離層５１に対してコア基板１１の板面方向（厚さ方向と直交する方向）にずれた位置に形成される。

【0031】

（１０）無電解めっき処理が行われ、各層間絶縁層１５上に積層されている銅箔５２上と、ビアホール１５Ｈの内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。

【0032】

（１１）図６（Ｂ）に示すように、各層間絶縁層１５に積層されている銅箔５２上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト５３が形成される。めっきレジスト５３は、コア基板１１の第２面１１Ｓ側の導電層１６が、切断予定面Ｍから第１距離Ｄ１よりも離れて形成されるように配置される。また、例えば、めっきレジスト５３は、下記（１３）で、導電層１６が、剥離層５１の真上に形成されないように、層間絶縁層１５のうち剥離層５１の真上に配置される部分全体を覆うように形成される。

【0033】

（１２）電解めっき処理が行われ、電解めっきがビアホール１５Ｈ内に充填されてビア導体１５Ｄが形成される（図７（Ａ）参照）。次いで、めっきレジスト５３が剥離されると共に、めっきレジスト５３の下側の無電解めっき膜及び銅箔５２が除去される。すると、図７（Ｂ）に示すように、層間絶縁層１５上に残された電解めっき膜１６Ｄ、無電解めっき膜及び銅箔５２により、導電層１６が形成される。このとき、コア基板１１の第２面１１Ｓ側の導電層１６は、切断予定面Ｍから第１距離Ｄ１以上（例えば、３００μｍ以上）離れた位置に形成される。

【0034】

（１３）上述した（９）～（１２）と同様の工程が繰り返され、図８に示すように、コア基板１１の導電層１３上に層間絶縁層１５と導電層１６とが交互に所定の層数ずつ積層される。また、積層方向で隣り合う導電層１６同士が、層間絶縁層１５を貫通するビア導体１５Ｄによって接続される。これにより、コア基板１１の第１面１１Ｆ上に第１ビルドアップ部１２Ａが形成されると共に、コア基板１１の第２面１１Ｓ上に第２ビルドアップ部１２Ｂが形成される。

【0035】

（１４）図９に示されるように、コア基板１１から表裏の両側で最も離れている最外の導電層１６上にそれぞれソルダーレジスト層１７が積層される。

【0036】

（１５）図１０に示されるように、コア基板１１の表裏の両面のソルダーレジスト層１７の所定箇所に、例えば、レーザ加工やフォトリソグラフィー処理により、開口部１７Ａが形成される。そして、最外の導電層１６のうち開口部１７Ａによりソルダーレジスト層１７から露出した部分でパッド１８が形成される。

【0037】

（１６）図１１に示されるように、第１ビルドアップ部１２Ａ上のソルダーレジスト層１７の上から剥離層５１を通過して第１の導電層１３Ａを通過する位置まで（例えば、コア基板１１の途中まで）ルータ６０が突入する。そして、閉ループの軌跡を描くようにルータ６０が走らされる。具体的には、ルータ６０は、剥離層５１の外縁部に沿って四角形の枠状に走らされ、環状の凹部５４が形成される。この環状の凹部５４の１辺部は、上記切断予定面Ｍと重なる。言い換えれば、上記閉ループに、多層配線基板１０の第１の側面１０Ｍ側の外縁部となる部分が含まれるように、ルータ６０が走らされる。そして、環状の凹部５４の上記１辺部は、切断予定面Ｍから第１距離Ｄ１未満の距離に収まる範囲が切削されることで形成される。また、第２の導電層１３Ｂと第２のビルドアップ部１２Ｂの全ての導電層１６とは、コア基板１１の厚さ方向から見たときに、環状の凹部５４と重ならないように形成され、環状の凹部５４から離れて（例えば、３００μｍ以上離れて）配置される。なお、ルータ６０は、その回転軸方向が、コア基板１１の厚さ方向となるように配置される。

【0038】

（１７）層間絶縁層１５、導電層１６、ソルダーレジスト層１７、及び剥離層５１のうち、環状の凹部５４の内側に配置される部分が除去されて、キャビティ２０が形成される（図１２及び図１３参照）。すると、コア基板１１の第１面１１Ｆの導電層１３のうち環状の凹部５４の内側に配置されていた部分が露出して、その露出部分によりパッド２１が形成される。また、凹部５４のうち導電層１３（パッド２１）より深い部分がパッド２１を取り囲む環状の切削加工溝３０Ａとなって残される。このようにして、親基板９０が得られる。

【0039】

（１８）次に、親基板９０をルータ６０により切断予定面Ｍで切断して多層配線基板１０を形成する。図１２及び図１３に示されるように、切断予定面Ｍは、親基板９０のうち、切削加工溝３０Ａの１辺部において溝幅方向の途中位置に設定される。切断予定面Ｍで親基板９０が切断されると、この切断面から、多層配線基板１０の第１の側面１０Ｍが形成されると共に（図１及び図２参照）、キャビティ２０を第１の側面１０Ｍに開放する側面開口２０Ｋが形成される。また、ルータ６０により切断された切削加工溝３０Ａの１辺部の残った部分が多層配線基板１０の第１の側面１０Ｍに開放されて段差部３４が形成されると共に、切削加工溝３０Ａの残りの３辺部が上述の溝３０として残される。このとき、第２の導電層１３Ｂは、段差部３４の段差面３８よりも第１の側面１０Ｍから離れた状態に形成される。なお、親基板９０を切断するルータは、上記（１６）においてキャビティ２０の内壁面４０及び溝３０を形成するためのルータ６０とは異なるものであってもよい。

【0040】

（１９）パッド２１に、例えば、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっきや有機保護膜（ＯＳＰ）の形成等の表面処理がなされる。以上により、多層配線基板１０が完成する。

【0041】

本実施形態の多層配線基板１０の構造及びその製造方法に関する説明は以上である。次に多層配線基板１０の作用効果について説明する。本実施形態の多層配線基板１０では、キャビティ２０の底面２０Ｍのうち側面開口２０Ｋ側の縁部が切削加工されてなる段差部３４を有するので、この多層配線基板１０を製造する際には、キャビティ２０の底面２０Ｍに露出する第１の導電層１３Ａを通過する位置まで、切削加工を行うルータ６０が突入することになる。これにより、キャビティ２０の底面２０Ｍの第１の導電層１３Ａの一部が金属バリとなって多層配線基板１０に残ることを防ぐことが可能となる。また、多層配線基板１０のうち、第１の金属層１３Ａよりも第２面１０Ｓ側で、キャビティ２０の底面２０Ｍに対して最も近くに位置する第２の導電層１３Ｂは、キャビティ２０の側面開口２０Ｋが開口する第１の側面１０Ｍから段差部３４の段差面３８よりも離れている。従って、ルータ６０の多層配線基板１０に対する突入深さのばらつきにより、ルータ６０の先端が第２の導電層１３Ｂの深さとなっても、第２の導電層１３Ｂがルータ６０で切削されることを防ぐことが可能となり、第２の導電層１３Ｂが金属バリとして多層配線基板１０に残ることを防ぐことが可能となる。これらにより、本実施形態の多層配線基板１０では、金属バリの発生を抑えることができる。なお、第２の導電層１３Ｂが、段差部３４の段差面３８よりも第１の側面１０Ｍから３００μｍ以上離れている構成とすれば、金属バリの発生をより抑制可能となる。

【0042】

本実施形態の多層配線基板１０では、段差部３４の下段面３４Ｍに絶縁層（絶縁性基材１１Ｋ）が露出し、導電層（第２導電層１３Ｂ）が露出しない。従って、キャビティ２０の底面２０Ｍの部品搭載用のパッド２１にめっき処理が行われる場合に、段差部３４の下段面３４Ｍにめっきが析出することを抑制可能となる。また、溝３０の溝底面３０Ｍにも、導電層（第２の導電層１３Ｂ）が露出しないので、パッド２１にめっき処理が行われる場合に、溝３０の溝底面３０Ｍにめっきが析出することを抑制可能となる。

【0043】

［他の実施形態］
（１）キャビティ２０が、四角形状の多層配線基板１０の角部に設けられてもよい。この場合、平面視四角形状のキャビティ２０の２辺が開放され、この２辺に側面開口２０Ｋが形成される。キャビティ２０の残りの２辺には、内壁面４０が形成される。なお、キャビティ２０の３辺が開放されてもよい。

【0044】

（２）上記実施形態では、キャビティ２０が、平面視四角形状であるが、これに限定されず、例えば、四角形以外の多角形状であってもよい。この場合でも、キャビティ２０を多層配線基板１０の第１の側面１０Ｍに開放する側面開口２０Ｋが設けられていればよい。

【0045】

（３）上記実施形態において、多層配線基板１０を形成するための親基板９０の切断を、ルータの代わりにカッターで行ってもよい。

【0046】

（４）上記実施形態において、キャビティ２０の底面２０Ｍに、溝３０が設けられていなくてもよい。

【0047】

（５）上記実施形態の多層配線基板の製造方法では、ルータ６０が、コア基板１１まで突入しているが、ルータ６０がコア基板１１とは別の層間絶縁層１５まで突入して、段差部３４の下段面３４Ｍが、その層間絶縁層１５に形成されていてもよい。また、キャビティ２０の底面２０Ｍにコア基板１１が配置されていなくてもよく、キャビティ２０の底面２０Ｍが、第１ビルドアップ部１２Ａに設けられていてもよいし、第２ビルドアップ部１２Ｂに設けられていてもよい。また、コア基板１１が設けられていなくてもよい。

【0048】

（６）上記実施形態では、第１の導電層１３Ａよりも第２面１０Ｓ側の導電層（導電層１３Ｂ及び導電層１６）の全てが、段差部３４の下段面３４Ｍに重ならない位置に配置されていたが、それら導電層のうち少なくとも１つの導電層が、下段面３４Ｍに多層配線基板１０の板面方向（厚さ方向と直交する方向）で重なっていてもよい。

【0049】

（７）上記実施形態では、パッド２１が、キャビティ２０の底面２０Ｍのうち外縁部を除く全体に設けられていたが、キャビティ２０の底面２０Ｍのうち外縁部を除く一部にのみ設けられていてもよい。

【0050】

（８）上記実施形態では、キャビティ２０の４辺部を、ルータ６０で形成しているが、例えば、キャビティ２０の４辺部のうち第１の側面１０Ｍに開放される１辺部のみをルータ６０で形成し、キャビティ２０の残りの３辺部をレーザ加工により形成してもよい。即ち、環状の凹部５４のうち第１の側面１０Ｍに開放される１辺部を少なくともルータ６０により形成し、環状の凹部５４の残りの部分を、レーザ照射により形成してもよい。

【0051】

（９）上記実施形態では、環状の凹部５４に囲まれる部分の除去を、剥離により行っているが、例えば、レーザ照射により行ってもよい。

【0052】

（１０）上記実施形態では、多層配線基板１０が、親基板９０が切断されて形成されていたが、親基板９０が切断されずに親基板９０の縁部にキャビティ２０が形成されることで、キャビティ２０が第１の側面１０Ｍに開放された多層配線基板１０が形成されてもよい。

【0053】

なお、本明細書及び図面には、特許請求の範囲に含まれる技術の具体例が開示されているが、特許請求の範囲に記載の技術は、これら具体例に限定されるものではなく、具体例を様々に変形、変更したものも含み、また、具体例から一部を単独で取り出したものも含む。

【符号の説明】

【0054】

１０ 多層配線基板
１０Ｆ 第１面
１０Ｓ 第２面
１３Ａ 第１の導電層
１３Ｂ 第２の導電層
２０ キャビティ
２０Ｍ 底面
２０Ｋ 側面開口
２１ パッド
３０ 溝
３４ 段差部
３４Ｍ 下段面
３８ 段差面
６０ ルータ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】