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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022016250
(43)【公開日】2022-01-21
(54)【発明の名称】高周波パッケージ
(51)【国際特許分類】
H01Q 13/08 20060101AFI20220114BHJP
H05K 1/03 20060101ALI20220114BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20220114BHJP
H01Q 23/00 20060101ALI20220114BHJP
H01Q 1/40 20060101ALI20220114BHJP
【ＦＩ】
H01Q13/08
H05K1/03 630J
H01L23/12 301Z
H01Q23/00
H01Q1/40
【審査請求】未請求
【請求項の数】22
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2020203780
(22)【出願日】2020-12-08
(31)【優先権主張番号】10-2020-0083974
(32)【優先日】2020-07-08
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】龍華国際特許業務法人
(72)【発明者】
【氏名】チョイ、ジェ ウン
(72)【発明者】
【氏名】リー、ジン ウォン
(72)【発明者】
【氏名】セオ、ハエ キョ
【テーマコード（参考）】
5J021
5J045
5J046
【Ｆターム（参考）】
5J021AB06
5J021JA08
5J045DA10
5J045HA02
5J045MA07
5J046AA02
5J046AA12
5J046AB13
5J046QA02
(57)【要約】
【課題】高周波パッケージを提供する。
【解決手段】
本発明の一実施形態による高周波パッケージは、少なくとも一つの第１絶縁層と少なくとも一つの第１配線層が交互に積層された第１積層構造を有する第１連結部材と、少なくとも一つの第２絶縁層と少なくとも一つの第２配線層が交互に積層された第２積層構造を有する第２連結部材と、コア絶縁層を含み、上記第１及び第２連結部材の間に配置されるコア部材と、上記コア絶縁層によって囲まれるように配置される第１チップアンテナと、を含み、上記第１チップアンテナは、上記コア絶縁層によって囲まれるように配置される第１誘電層と、上記第１誘電層の上面上に配置されるパッチアンテナパターンと、上記第１誘電層の少なくとも一部を厚さ方向に貫通するように配置され、上記パッチアンテナパターンの給電経路を提供し、上記少なくとも一つの第１配線層に電気的に連結される給電ビアと、を含む。
【選択図】図１ａ
【解決手段】
本発明の一実施形態による高周波パッケージは、少なくとも一つの第１絶縁層と少なくとも一つの第１配線層が交互に積層された第１積層構造を有する第１連結部材と、少なくとも一つの第２絶縁層と少なくとも一つの第２配線層が交互に積層された第２積層構造を有する第２連結部材と、コア絶縁層を含み、上記第１及び第２連結部材の間に配置されるコア部材と、上記コア絶縁層によって囲まれるように配置される第１チップアンテナと、を含み、上記第１チップアンテナは、上記コア絶縁層によって囲まれるように配置される第１誘電層と、上記第１誘電層の上面上に配置されるパッチアンテナパターンと、上記第１誘電層の少なくとも一部を厚さ方向に貫通するように配置され、上記パッチアンテナパターンの給電経路を提供し、上記少なくとも一つの第１配線層に電気的に連結される給電ビアと、を含む。
【選択図】図１ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
少なくとも一つの第１絶縁層と少なくとも一つの第１配線層が交互に積層された第１積層構造を有する第１連結部材と、
少なくとも一つの第２絶縁層と少なくとも一つの第２配線層が交互に積層された第２積層構造を有する第２連結部材と、
コア絶縁層を含み、前記第１及び第２連結部材の間に配置されるコア部材と、
前記コア絶縁層によって囲まれるように配置される第１チップアンテナと、
を含み、
前記第１チップアンテナは、
前記コア絶縁層によって囲まれるように配置される第１誘電層と、
前記第１誘電層の上面上に配置されるパッチアンテナパターンと、
前記第１誘電層の少なくとも一部を厚さ方向に貫通するように配置され、前記パッチアンテナパターンの給電経路を提供し、前記少なくとも一つの第１配線層に電気的に連結される給電ビアと、を含む、高周波パッケージ。
少なくとも一つの第２絶縁層と少なくとも一つの第２配線層が交互に積層された第２積層構造を有する第２連結部材と、
コア絶縁層を含み、前記第１及び第２連結部材の間に配置されるコア部材と、
前記コア絶縁層によって囲まれるように配置される第１チップアンテナと、
を含み、
前記第１チップアンテナは、
前記コア絶縁層によって囲まれるように配置される第１誘電層と、
前記第１誘電層の上面上に配置されるパッチアンテナパターンと、
前記第１誘電層の少なくとも一部を厚さ方向に貫通するように配置され、前記パッチアンテナパターンの給電経路を提供し、前記少なくとも一つの第１配線層に電気的に連結される給電ビアと、を含む、高周波パッケージ。
【請求項2】
前記第１連結部材上において、前記給電ビアと前記少なくとも一つの第１配線層との間を連結させる電気連結構造体をさらに含み、
前記電気連結構造体は、前記少なくとも一つの第１配線層と同一の材料からなる、請求項１に記載の高周波パッケージ。
前記電気連結構造体は、前記少なくとも一つの第１配線層と同一の材料からなる、請求項１に記載の高周波パッケージ。
【請求項3】
前記第２連結部材は、前記パッチアンテナパターンの少なくとも一部に重なる領域が開口（ａｐｅｒｔｕｒｅ）の形態である、請求項１または２に記載の高周波パッケージ。
【請求項4】
前記第２連結部材は、前記第２積層構造の上面上に配置されるＳＲ層をさらに含み、
前記ＳＲ層は、前記パッチアンテナパターンの少なくとも一部に重なる孔をさらに含んでいる、請求項１から３のいずれか一項に記載の高周波パッケージ。
前記ＳＲ層は、前記パッチアンテナパターンの少なくとも一部に重なる孔をさらに含んでいる、請求項１から３のいずれか一項に記載の高周波パッケージ。
【請求項5】
前記少なくとも一つの第２配線層は、前記パッチアンテナパターンに重なるように配置されるカップリングパッチパターンを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の高周波パッケージ。
【請求項6】
前記カップリングパッチパターンと前記第１チップアンテナとの間を電気的に連結させる連結ビアをさらに含む、請求項５に記載の高周波パッケージ。
【請求項7】
前記第１チップアンテナを臨む方向に前記コア絶縁層における側面に配置されるめっき部材をさらに含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の高周波パッケージ。
【請求項8】
前記コア絶縁層が囲むスペースのうち少なくとも一部を充填するように配置される絶縁部材をさらに含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の高周波パッケージ。
【請求項9】
前記コア絶縁層の厚さは、前記少なくとも一つの第１絶縁層のうち１つの厚さよりも厚く、前記少なくとも一つの第２絶縁層のうち１つの厚さよりも厚い、請求項１から８のいずれか一項に記載の高周波パッケージ。
【請求項10】
前記コア部材は、前記コア絶縁層を貫通し、前記少なくとも一つの第１配線層と前記少なくとも一つの第２配線層との間を電気的に連結させるコアビアをさらに含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の高周波パッケージ。
【請求項11】
前記第２連結部材の上面上に配置され、前記少なくとも一つの第２配線層に電気的に連結される第２チップアンテナをさらに含む、請求項１０に記載の高周波パッケージ。
【請求項12】
前記第２チップアンテナのパッチアンテナパターンのサイズと、前記第１チップアンテナのパッチアンテナパターンのサイズは互いに異なる、請求項１１に記載の高周波パッケージ。
【請求項13】
前記第２チップアンテナの誘電層の誘電率と、前記第１チップアンテナの第１誘電層の誘電率は互いに異なる、請求項１１または１２に記載の高周波パッケージ。
【請求項14】
前記第２連結部材の上面上に配置され、前記少なくとも一つの第２配線層に電気的に連結されるインピーダンス素子をさらに含む、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の高周波パッケージ。
【請求項15】
前記第２連結部材の上面上に配置され、前記少なくとも一つの第２配線層に電気的に連結されるコネクタをさらに含む、請求項１０から１４のいずれか一項に記載の高周波パッケージ。
【請求項16】
前記第１連結部材の下面上に配置されたＲＦＩＣと、
前記第１連結部材の下面上に配置され、前記ＲＦＩＣを囲むサブ基板と、をさらに含む、請求項１から１５のいずれか一項に記載の高周波パッケージ。
前記第１連結部材の下面上に配置され、前記ＲＦＩＣを囲むサブ基板と、をさらに含む、請求項１から１５のいずれか一項に記載の高周波パッケージ。
【請求項17】
前記第１誘電層の誘電率は前記コア絶縁層の誘電率よりも高い、請求項１から１６のいずれか一項に記載の高周波パッケージ。
【請求項18】
前記第１チップアンテナは、
前記パッチアンテナパターンの上面上に配置され、前記コア絶縁層によって囲まれるように配置される第２誘電層をさらに含む、請求項１から１７のいずれか一項に記載の高周波パッケージ。
前記パッチアンテナパターンの上面上に配置され、前記コア絶縁層によって囲まれるように配置される第２誘電層をさらに含む、請求項１から１７のいずれか一項に記載の高周波パッケージ。
【請求項19】
前記少なくとも一つの第２配線層は、前記パッチアンテナパターンに重なるように配置されるカップリングパッチパターンを含み、
前記第１チップアンテナは、前記カップリングパッチパターンと前記パッチアンテナパターンとの間において前記第２誘電層の上面上に配置される上部パッチパターンをさらに含む、請求項１８に記載の高周波パッケージ。
前記第１チップアンテナは、前記カップリングパッチパターンと前記パッチアンテナパターンとの間において前記第２誘電層の上面上に配置される上部パッチパターンをさらに含む、請求項１８に記載の高周波パッケージ。
【請求項20】
前記第１チップアンテナは、
前記第１及び第２誘電層の間に配置され、前記第１及び第２誘電層よりも高い接着性を有する接着層をさらに含む、請求項１８または１９に記載の高周波パッケージ。
前記第１及び第２誘電層の間に配置され、前記第１及び第２誘電層よりも高い接着性を有する接着層をさらに含む、請求項１８または１９に記載の高周波パッケージ。
【請求項21】
前記接着層は、前記パッチアンテナパターンが配置される空洞（ａｉｒ ｃａｖｉｔｙ）を有する、請求項２０に記載の高周波パッケージ。
【請求項22】
前記パッチアンテナパターンは、前記パッチアンテナパターンの変異コア絶縁層の外側側面に対して斜め（ｏｂｌｉｑｕｅ）に配置される、請求項１から２１のいずれか一項に記載の高周波パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、高周波パッケージに関するものである。
【背景技術】
【0002】
移動通信のデータトラフィック（Ｄａｔａ Ｔｒａｆｆｉｃ）は、毎年飛躍的に増加する傾向にある。かかる飛躍的に増加するデータを無線網でリアルタイムに支援するための活発な技術開発が行われつつある。例えば、ＩｏＴ（Ｉｎｔｅｒｎｅｔ ｏｆ Ｔｈｉｎｇ）ベースのデータコンテンツ化、ＡＲ（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）、ＶＲ（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）、ＳＮＳと結合したライブＶＲ／ＡＲ、自律走行、シンクビュー（Ｓｙｎｃ Ｖｉｅｗ、超小型カメラを用いたユーザー視点からのリアルタイム映像伝送）などのアプリケーション（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ）は、大容量のデータを送受信できるようにサポートする通信（例えば、５Ｇ通信、ミリ波（ｍｍＷａｖｅ）通信など）を必要とする。
【0003】
そこで、最近５世代（５Ｇ）通信を含むミリ波（ｍｍＷａｖｅ）通信が活発に研究されており、これを円滑に実現するチップアンテナモジュールの商用化／標準化のための研究も盛んに行われている。
【0004】
高周波数帯域（例えば、２４ＧＨｚ、２８ＧＨｚ、３６ＧＨｚ、３９ＧＨｚ、６０ＧＨｚなど）のＲＦ信号は、伝達される過程で容易に吸収されて損失につながるため、通信品質が急激に低下する可能性がある。そのため、高周波数帯域の通信向けのアンテナには、従来のアンテナ技術とは異なる技術的アプローチが必要とされ、アンテナ利得（Ｇａｉｎ）の確保、アンテナとＲＦＩＣの一体化、ＥＩＲＰ（Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｒａｄｉａｔｅｄ Ｐｏｗｅｒ）の確保などのための別の電力増幅器などの特殊な技術の開発が要求される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】韓国公開特許第１０－２０１９－０１０４９７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明の課題は、高周波パッケージを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一実施形態による高周波パッケージは、少なくとも一つの第１絶縁層と少なくとも一つの第１配線層が交互に積層された第１積層構造を有する第１連結部材と、少なくとも一つの第２絶縁層と少なくとも一つの第２配線層が交互に積層された第２積層構造を有する第２連結部材と、コア絶縁層を含み、上記第１及び第２連結部材の間に配置されるコア部材と、上記コア絶縁層によって囲まれるように配置される第１チップアンテナと、を含み、上記第１チップアンテナは、上記コア絶縁層によって囲まれるように配置される第１誘電層と、上記第１誘電層の上面上に配置されるパッチアンテナパターンと、上記第１誘電層の少なくとも一部を厚さ方向に貫通するように配置され、上記パッチアンテナパターンの給電経路を提供し、上記少なくとも一つの第１配線層に電気的に連結される給電ビアと、を含むことができる。
【発明の効果】
【0008】
本発明の一実施形態による高周波パッケージは、サイズに対して比較的さらに向上したアンテナ性能（例えば、利得、帯域幅、最大出力、偏波効率）を有することができるチップアンテナを使用しながらも、チップアンテナの配置スペースを効率的に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1a】本発明の一実施形態による高周波パッケージを示す図である。
【図1b】本発明の一実施形態による高周波パッケージを示す図である。
【図1c】本発明の一実施形態による高周波パッケージを示す図である。
【図2a】本発明の一実施形態による高周波パッケージのチップアンテナの様々な構造を示す図である。
【図2b】本発明の一実施形態による高周波パッケージのチップアンテナの様々な構造を示す図である。
【図2c】本発明の一実施形態による高周波パッケージのチップアンテナの様々な構造を示す図である。
【図2d】本発明の一実施形態による高周波パッケージのチップアンテナの様々な構造を示す図である。
【図3a】本発明の一実施形態による高周波パッケージの第２連結部材の連結構造を示す図である。
【図3b】本発明の一実施形態による高周波パッケージの第２連結部材の連結構造を示す図である。
【図4a】本発明の一実施形態による高周波パッケージから第２連結部材が省略された構造の上面を示す図である。
【図4b】本発明の一実施形態による高周波パッケージから第２連結部材が省略された構造の上面を示す図である。
【図5a】本発明の一実施形態による高周波パッケージの製造方法を示す図である。
【図5b】本発明の一実施形態による高周波パッケージの製造方法を示す図である。
【図5c】本発明の一実施形態による高周波パッケージの製造方法を示す図である。
【図5d】本発明の一実施形態による高周波パッケージの製造方法を示す図である。
【図5e】本発明の一実施形態による高周波パッケージの製造方法を示す図である。
【図5f】本発明の一実施形態による高周波パッケージの製造方法を示す図である。
【図6a】本発明の一実施形態による高周波パッケージの第１連結部材の連結構造を示す図である。
【図6b】本発明の一実施形態による高周波パッケージの第１連結部材の連結構造を示す図である。
【図7】本発明の一実施形態によるチップアンテナが配列された基板の電子機器における配置を例示する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
後述する本発明の詳細な説明は、本発明が実施され得る特定の実施形態を例示として示す添付図面を参照する。これらの実施形態は、当業者が本発明を実施することができるよう、十分に詳細に説明される。本発明の様々な実施形態は、互いに異なっているが、相互排他的である必要はないことが理解されるべきである。例えば、ここに記載されている特定の形状、構造及び特性は、一実施形態に関連し、本発明の精神及び範囲を逸脱することなく、他の実施形態に実現される必要がある。また、それぞれの開示された実施形態内における個々の構成要素の位置又は配置は、本発明の精神及び範囲を逸脱することなく変更され得ることが理解されるべきである。したがって、後述する詳細な説明は、限定的な意味として取られるものではなく、本発明の範囲は、請求項が主張するものと均等なすべての範囲とともに添付された請求項によってのみ限定される。尚、図面において同様の参照符号は、いくつかの側面に渡って同一又は類似の機能を指す。
【0011】
以下では、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を容易に実施できるように、本発明の実施形態について添付された図面を参照して詳細に説明する。
【0012】
【0013】
図１ａを参照すると、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ａは、第１チップアンテナ１００ａが内蔵された構造を有することができ、第１チップアンテナ１００ａは、第１誘電層１３１ａ、パッチアンテナパターン１１０ａ、及び給電ビア１２０ａを含むことができる。
【0014】
第１誘電層１３１ａは、空気よりも高い誘電率の誘電媒質（ｍｅｄｉｕｍ）を有することができる。例えば、第１誘電層１３１ａは、セラミック（ｃｅｒａｍｉｃ）で構成されることにより、比較的高い誘電率を有することができる。
【0015】
第１チップアンテナ１００ａは、高周波パッケージ２００ａの残りの構造に対して個別に製造されて高周波パッケージ２００ａに内蔵されることができるため、第１誘電層１３１ａは、高周波パッケージ２００ａの絶縁層の材料（例えば、プリプレグ）とは異なる材料で構成されることができ、上記絶縁層よりもさらに多様であり、且つ自由な方法から選択された方法で実現されることができる。
【0016】
これにより、第１チップアンテナ１００ａは、連結部材の配線層と絶縁層の積層構造に基づいたアンテナよりもサイズに対してさらに向上したアンテナ性能（例えば、利得、帯域幅、最大出力、偏波効率）を有することができる。
【0017】
例えば、第１誘電層１３１ａは、低温同時焼成セラミック（Ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏ－ｆｉｒｅｄ ｃｅｒａｍｉｃ、ＬＴＣＣ）のようなセラミック系の物質や、ガラス（ｇｌａｓｓ）系の物質のように比較的高い誘電率を有する物質、テフロン（登録商標）（Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標））のような誘電正接が比較的低い物質で構成されることができ、マグネシウム（Ｍｇ）、シリコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、及びチタン（Ｔｉ）のうち少なくとも一つをさらに含有させることにより、より高い誘電率やさらに強い耐久性を有するように構成することができる。例えば、第１誘電層１３１ａは、Ｍｇ２Ｓｉ０４、ＭｇＡｌＯ４、ＣａＴｉＯ３を含むことができる。
【0018】
第１誘電層１３１ａの誘電率が高いほど、第１誘電層１３１ａの周辺から送信又は伝播されるＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号の波長は短くなることができる。また、ＲＦ信号の波長が短いほど、第１誘電層１３１ａのサイズはさらに小さくなることができる。これにより、本発明の一実施形態による第１チップアンテナ１００ａのサイズは小さくなることができる。尚、第１誘電層１３１ａの誘電正接が低いほど、第１誘電層１３１ａにおけるＲＦ信号のエネルギー損失が減少することができる。
【0019】
第１チップアンテナ１００ａのサイズが小さいほど、単位体積に配列されることができる第１チップアンテナ１００ａの数は多くなることができる。単位体積に配列されることができる第１チップアンテナ１００ａの数が多いほど、複数の第１チップアンテナ１００ａの単位体積に対する総利得（ｇａｉｎ）又は最大出力が高くなることができる。
【0020】
これにより、第１誘電層１３１ａの誘電率が高いほど、第１チップアンテナ１００ａのサイズに対する性能を効率的に向上させることができる。
【0021】
パッチアンテナパターン１１０ａは、第１誘電層１３１ａの上面上に配置されることができる。パッチアンテナパターン１１０ａの比較的広い上面は放射パターンを上下方向（Ｚ方向）に集中させることができるため、ＲＦ信号を上下方向に遠隔で送信及び／又は受信することができ、パッチアンテナパターン１１０ａの共振周波数ベースの帯域幅内の周波数（例えば、２４ＧＨｚ、２８ＧＨｚ、３６ＧＨｚ、３９ＧＨｚ、６０ＧＨｚ）を有するＲＦ信号を遠隔で送信及び／又は受信することができる。
【0022】
例えば、パッチアンテナパターン１１０ａは、導電性ペーストが第１誘電層１３１ａ上に塗布及び／又は充填された状態で乾燥されることによって形成されることができる。
【0023】
給電ビア１２０ａは、第１誘電層１３１ａの少なくとも一部を厚さ方向に貫通するように配置されることができ、パッチアンテナパターン１１０ａの給電経路として作用することができる。すなわち、給電ビア１２０ａは、パッチアンテナパターン１１０ａがＲＦ信号を遠隔で送信及び／又は受信する際に、パッチアンテナパターン１１０ａにおいて流れる表面電流が通過する経路を提供することができる。
【0024】
例えば、給電ビア１２０ａは、第１誘電層１３１ａ内において上下方向に延長される構造を有することができ、レーザーによって形成された第１誘電層１３１ａにおける貫通孔に導電性材料（例えば、銅、ニッケル、スズ、銀、金、パラジウムなど）が充填される過程を介して形成されることができる。
【0025】
例えば、給電ビア１２０ａは、パッチアンテナパターン１１０ａの一地点に接触することができ、設計に応じて、パッチアンテナパターン１１０ａに接触しなくても、パッチアンテナパターン１１０ａに給電経路を提供することができる。
【0026】
図１ａを参照すると、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ａは、第１連結部材２１０ａ、第２連結部材２２０ａ、及びコア部材２３０ａを含むことができる。
【0027】
第１連結部材２１０ａは、少なくとも一つの第１絶縁層２１１ａと少なくとも一つの第１配線層２１２ａが交互に積層された第１積層構造を有することができる。例えば、第１連結部材２１０ａは、第１絶縁層２１１ａに対して垂直な方向に延長された形態の第１ビア２１３ａを含むことができ、第１ ＳＲ層２１４ａをさらに含むことができる。
【0028】
例えば、第１連結部材２１０ａは、コア部材２３０ａの下側にビルドアップ（ｂｕｉｌｄ－ｕｐ）された構造を有することができる。これにより、第１連結部材２１０ａに含まれることができる第１ビア２１３ａは、下部の幅が上部の幅よりも長い構造を有することができる。
【0029】
第２連結部材２２０ａは、少なくとも一つの第２絶縁層２２１ａと少なくとも一つの第２配線層２２２ａが交互に積層された第２積層構造を有することができる。例えば、第２絶縁層２２１ａに対して垂直な方向に延長された形態の第２ビア２２３ａを含むことができ、第２ ＳＲ層２２４ａをさらに含むことができる。
【0030】
例えば、第２連結部材２２０ａは、コア部材２３０ａの上側にビルドアップ（ｂｕｉｌｄ－ｕｐ）された構造を有することができる。これにより、第２連結部材２２０ａに含まれることができる第２ビア２２３ａは、上部の幅が下部の幅よりも長い構造を有することができる。
【0031】
少なくとも一つの第１配線層２１２ａ及び少なくとも一つの第２配線層２２２ａはそれぞれ、既に設計された配線及び／又はプレーン（ｐｌａｎｅ）を含むように、対応する絶縁層の上面又は下面のうち少なくとも一部に形成されることができる。配線及び／又はプレーンはそれぞれ、第１ビア２１３ａ及び／又は第２ビア２２３ａを介して電気的に連結されることができる。
【0032】
例えば、少なくとも一つの第１配線層２１２ａ、少なくとも一つの第２配線層２２２ａ、第１ビア２１３ａ、及び第２ビア２２３ａは、金属材料（例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの導電性物質のうち少なくとも一つ）で構成されることができる。
【0033】
例えば、少なくとも一つの第１絶縁層２１１ａ、少なくとも一つの第２絶縁層２２１ａ、及びコア絶縁層２３１ａは、ＦＲ４、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ）、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又はこれらの樹脂が無機フィラーとともにガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）などの芯材に含浸された樹脂、プリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＦＲ－４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）、感光性絶縁（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ：ＰＩＤ）樹脂、一般の銅箔積層板（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ、ＣＣＬ）、又はガラスやセラミック（ｃｅｒａｍｉｃ）系の絶縁材などで実現されることができる。
【0034】
コア部材２３０ａは、コア絶縁層２３１ａを含むことができ、第１及び第２連結部材２１０ａ、２２０ａの間に配置されることができる。例えば、コア部材２３０ａは、コア絶縁層２３１ａの上面及び／又は下面上に配置されるコア配線層２３２ａを含むことができ、コア絶縁層２３１ａを貫通し、少なくとも１つの第１配線層２１２ａと少なくとも一つの第２配線層２２２ａの間を電気的に連結させるコアビア２３３ａを含むことができる。
【0035】
コア絶縁層２３１ａは、第１チップアンテナ１００ａを囲むことができる。例えば、コア絶縁層２３１ａは、貫通孔（ｔｈｒｏｕｇｈ ｈｏｌｅ）やキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）を含むことができる。第１チップアンテナ１００ａは、貫通孔やキャビティ内に配置されることにより、コア絶縁層２３１ａによって囲まれることができる。第１誘電層１３１ａもコア絶縁層２３１ａによって囲まれることができる。
【0036】
これにより、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ａは、サイズに対して比較的さらに向上したアンテナ性能（例えば、利得、帯域幅、最大出力、偏波効率）を有することができる第１チップアンテナ１００ａを使用しながらも、第１チップアンテナ１００ａの配置スペースを効率的に提供することができる。
【0037】
例えば、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ａは、上面及び／又は下面の実装スペースを用いることなく、第１チップアンテナ１００ａを用いることができるため、さらに縮小した水平方向の面積を有することができ、上面及び／又は下面の実装スペースを必要とする部品（例えば、インピーダンス素子、高周波フィルタなど）をさらに自由に且つ多く用いることができる。
【0038】
また、第１及び第２連結部材２１０ａ、２２０ａの間のコア絶縁層２３１ａ及び第１チップアンテナ１００ａをともに圧着することができるため、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ａは、第１チップアンテナ１００ａを使用しながらも、構造的安定性（例えば、反り（ｗａｒｐａｇｅ）の発生頻度、強度）も確保することができる。
【0039】
また、第１チップアンテナ１００ａは、融点が比較的低く、不安定な形態を有するはんだ（ｓｏｌｄｅｒ）がなくても、第１配線層２１２ａに電気的に連結されることができる。これにより、遠隔で送受信されるＲＦ信号が第１連結部材２１０ａと第１チップアンテナ１００ａの間を通過する際のエネルギー損失を減少させることができる。
【0040】
例えば、第１チップアンテナ１００ａは、第１連結部材２１０ａ上において給電ビア１２０ａと少なくとも一つの第１配線層２１２ａの間を連結させる電気連結構造体１６０ａをさらに含むことができる。
【0041】
電気連結構造体１６０ａは、少なくとも一つの第１配線層２１２ａと同一の材料（例えば、銅）からなることができ、第１チップアンテナ１００ａが高周波パッケージ２００ａに内蔵される前に予め配置されることができるため、さらに安定した形態を有することができる。これにより、遠隔で送受信されるＲＦ信号が第１連結部材２１０ａと第１チップアンテナ１００ａの間を通過する際のエネルギー損失をさらに減少させることができる。
【0042】
図１ａを参照すると、少なくとも一つの第２配線層２２２ａは、パッチアンテナパターン１１０ａにおいて上下方向に重なる（ｏｖｅｒｌａｐ）ように配置されるカップリングパッチパターン２２５ａを含むことができる。
【0043】
カップリングパッチパターン２２５ａは、パッチアンテナパターン１１０ａに電磁的にカップリングされることができ、パッチアンテナパターン１１０ａに追加的な共振周波数を提供することができる。これにより、パッチアンテナパターン１１０ａは、さらに広い帯域幅を有することができる。
【0044】
カップリングパッチパターン２２５ａが第１チップアンテナ１００ａから離隔して第２連結部材２２０ａに配置されるため、上下方向への第１チップアンテナ１００ａの厚さを増加させなくても、カップリングパッチパターン２２５ａに基づいて拡張した帯域幅を有することができる。
【0045】
図１ａを参照すると、コア部材２３０ａは、第１チップアンテナ１００ａを臨む方向にコア絶縁層２３１ａにおける側面に配置されるめっき部材２３５ａをさらに含むことができる。
【0046】
めっき部材２３５ａは、放射するＲＦ信号に含まれる垂直成分及び水平成分のうち水平成分を反射させることができるため、第１チップアンテナ１００ａの放射パターンをさらに上下方向（Ｚ方向）に集中させることができ、第１チップアンテナ１００ａの利得（ｇａｉｎ）をさらに向上させることができる。
【0047】
例えば、めっき部材２３５ａは、コア絶縁層２３１ａに貫通孔又はキャビティが形成され、第１チップアンテナ１００ａが配置される前に形成されることができる。
【0048】
図１ａを参照すると、コア部材２３０ａは、コア絶縁層２３１ａが囲むスペース（例えば、貫通孔、キャビティ）のうち少なくとも一部を満たすように配置される絶縁部材２４０ａをさらに含むことができる。
【0049】
これにより、コア部材２３０ａの構造的安定性をさらに向上させることができるため、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ａは、第１チップアンテナ１００ａを使用しながらも、構造的安定性（例えば、反り（ｗａｒｐａｇｅ）の発生頻度、強度）も確保することができる。
【0050】
また、絶縁部材２４０ａは、第１及び第２連結部材２１０ａ、２２０ａのビルドアップを支持することができるため、第１及び第２連結部材２１０ａ、２２０ａの構造的安定性をサポートすることができる。
【0051】
図１ｂを参照すると、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ｂは、図１ａに示すカップリングパッチパターン２２５ａ及び／又はめっき部材２３５ａが省略された構造を有することができる。また、サイズに対して比較的さらに向上したアンテナの性能を有することができる第１チップアンテナ１００ａを使用しながらも、第１チップアンテナ１００ａの配置スペースを効率的に提供することができる。
【0052】
【0053】
一方、コア絶縁層２３１ａの厚さＨ３は、少なくとも一つの第１絶縁層のうち１つの厚さＨ１よりも厚く、少なくとも一つの第２絶縁層のうち１つの厚さＨ２よりも厚くてもよい。これにより、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ｃは、第１チップアンテナ１００ａを使用しながらも、構造的安定性（例えば、反り（ｗａｒｐａｇｅ）の発生頻度、強度）をさらに向上させることができる。
【0054】
【0055】
図２ａを参照すると、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ｄの第１チップアンテナ１００ｂは、第２誘電層１３２ｂ、接着層１４０ｂ、及び上部パッチパターン１１２ｂのうち少なくとも一つをさらに含むことができる。
【0056】
第２誘電層１３２ｂは、パッチアンテナパターン１１０ｂの上面上に配置され、コア絶縁層２３１ａによって囲まれるように配置されることができる。例えば、第２誘電層１３２ｂは、第１誘電層１３１ｂと同一の方法で実現されることができ、同一の材料で構成されることができる。
【0057】
また、第２誘電層１３２ｂは、高周波パッケージ２００ｄのコア絶縁層２３１ａの材料（例えば、プリプレグ）とは異なる材料で構成されることができ、コア絶縁層２３１ａよりも多様であり、且つ自由な方法の中から選択された方法で実現されることができる。
【0058】
例えば、第２誘電層１３２ｂは、比較的高い誘電率又は比較的低い誘電正接を有する誘電媒質として作用することができ、パッチアンテナパターン１１０ｂの放射パターンをさらに上下方向（Ｚ方向）に集中させることができ、パッチアンテナパターン１１０ｂの利得をさらに向上させることができる。
【0059】
接着層１４０ｂは、第１及び第２誘電層１３１ｂ、１３２ｂの間に配置され、第１及び第２誘電層１３１ｂ、１３２ｂよりも高い接着性を有することができる。例えば、接着層１４０ｂは、接着性ポリマー（ｐｏｌｙｍｅｒ）で構成されることができる。
【0060】
これにより、第１及び第２誘電層１３１ｂ、１３２ｂの間の位置関係がさらに安定的に固定することができるため、第１及び第２誘電層１３１ｂ、１３２ｂの誘電媒質の境界条件は、パッチアンテナパターン１１０ｂの放射パターンをさらに効率的に上下方向（例えば、Ｚ方向）に集中させることができる。
【0061】
上部パッチパターン１１２ｂは、カップリングパッチパターン２２５ａとパッチアンテナパターン１１０ｂの間において第２誘電層１３２ｂの上面上に配置されることができる。
【0062】
例えば、上部パッチパターン１１２ｂは、パッチアンテナパターン１１０ｂに電磁的に結合することができ、パッチアンテナパターン１１０ｂに追加的な共振周波数を提供することができる。これにより、パッチアンテナパターン１１０ｂは、さらに広い帯域幅を有することができる。
【0063】
一例として、上部パッチパターン１１２ｂは、パッチアンテナパターン１１０ｂの水平方向のサイズと異なる水平方向のサイズを有することができ、パッチアンテナパターン１１０ｂの第１帯域幅に重ならない第２帯域幅を有することができる。
【0064】
これにより、第１チップアンテナ１００ｂは、複数の周波数帯域を有することができ、互いに異なる基本周波数を有する第１及び第２ＲＦ信号を遠隔で送信及び／又は受信することができる。
【0065】
図２ｂを参照すると、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ｅの第１チップアンテナ１００ｃは、第１ＲＦ信号の給電経路を提供する給電ビア１２０ａ、及び第２ＲＦ信号の給電経路を提供する給電ビア１２０ｃを含むことができる。
【0066】
高周波パッケージ２００ｅは、カップリングパッチパターン２２５ｂと第１チップアンテナ１００ｃとの間を電気的に連結させる連結ビア２２６ｂをさらに含むことができる。
【0067】
例えば、連結ビア２２６ｂは、カップリングパッチパターン２２５ｂに第２ＲＦ信号の給電経路を提供することができ、給電ビア１２０ｃに電気的に連結されることができる。
【0068】
連結ビア２２６ｂと給電ビア１２０ｃが連結される構造は、パッチアンテナパターン１１０ａを貫通することができ、パッチアンテナパターン１１０ａに接触しなくてもよい。
【0069】
図２ｃを参照すると、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ｆの第１チップアンテナ１００ｄの接着層１４０ｃは、パッチアンテナパターン１１０ｂが配置される空洞１４１ｂを有することができる。
【0070】
空洞１４１ｂは、接着層１４０ｃの誘電率よりもさらに低い誘電率の空気を含むことができ、比較的低い誘電率を有する誘電媒質として作用することができる。これにより、パッチアンテナパターン１１０ａのカップリングパッチパターン２２５ｂ及び／又は上部パッチパターン１１２ｂの電磁カップリングの過程において水平方向に漏れるエネルギーを削減することができる。これにより、第１チップアンテナ１００ｄのアンテナ性能をさらに向上させることができる。
【0071】
図２ｄを参照すると、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ｇの第２連結部材２２０ａにおいて、パッチアンテナパターン１１０ａのうち少なくとも一部に重なる領域２２８ａが開口（ａｐｅｒｔｕｒｅ）の形態であることができる。
【0072】
これにより、誘電媒質の境界条件が領域２２８ａの側面に形成されることができ、パッチアンテナパターン１１０ａにおいて遠隔で送受信されるＲＦ信号の水平方向の成分を屈折及び／又は反射させることにより、パッチアンテナパターン１１０ａの放射パターンを上下方向（例：Ｚ方向）にさらに集中させることができ、パッチアンテナパターン１１０ａの利得をさらに向上させることができる。
【0073】
例えば、第２ ＳＲ層２２４ａは、パッチアンテナパターン１１０ａのうち少なくとも一部に重なる領域２２８ａに形成される孔を有することができる。
【0074】
これにより、第２連結部材２２０ａの領域２２８ａにおける開口状の高さは、高周波パッケージ２００ｇの厚さを実質的に増加させなくても、さらに長くなり得るため、高周波パッケージ２００ｇの厚さに対するパッチアンテナパターン１１０ａの利得をさらに向上させることができる。
【0075】
【0076】
図３ａを参照すると、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ｈは、第２連結部材２２０ａの上面上に配置され、少なくとも一つの第２配線層２２２ａに電気的に連結されるインピーダンス素子３５０をさらに含むことができる。
【0077】
例えば、インピーダンス素子３５０は、キャパシタ又はインダクタであってもよく、インピーダンスを形成するインピーダンス本体３５１、及びインピーダンスを伝達する外部電極３５２を含むことができる。
【0078】
外部電極３５２は、実装用電気連結構造体３３１を介して第２連結部材２２０ａの上面上に実装されることができる。実装用電気連結構造体３３１は、融点が比較的低いはんだ（ｓｏｌｄｅｒ）を介してインピーダンス素子３５０と第２連結部材２２０ａとの間を接合させることができ、第２ ＳＲ層２２４ａの既に設定された位置に挿入されることができる。
【0079】
インピーダンス素子３５０は、外部電極３５２、少なくとも一つの第２配線層２２２ａ、コアビア２３３ａ、及び少なくとも一つの第１配線層２１２ａを介してインピーダンスを外部（例えば、ＲＦＩＣ）に伝達することができる。
【0080】
本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ｈは、第２連結部材２２０ａの上面上に配置され、少なくとも一つの第２配線層２２２ａに電気的に連結されるコネクタ３４０をさらに含むことができる。
【0081】
コネクタ３４０は、第１チップアンテナ１００ａを介して遠隔で送受信されるＲＦ信号の周波数よりもさらに低い周波数のベース信号の電気的経路を提供することができる。ベース信号は、コネクタ３４０、少なくとも一つの第２配線層２２２ａ、コアビア２３３ａ、及び少なくとも一つの第１配線層２１２ａを介して外部（例えば、ＲＦＩＣ）に伝達されることができ、外部（例えば、ＲＦＩＣ）においてＲＦ信号に変換されることができる。また、ＲＦ信号は、少なくとも一つの第１配線層２１２ａを介して第１チップアンテナ１００ａに伝達されて放射することができる。
【0082】
例えば、コネクタ３４０は、同軸ケーブルが物理的に結合する構造を有することができるが、これに限定されない。
【0083】
図３ｂを参照すると、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ｉは、第２連結部材２２０ａの上面上に配置され、少なくとも一つの第２配線層２２２ａに電気的に連結される第２チップアンテナ４００ａ、４００ｂをさらに含むことができる。
【0084】
第２チップアンテナ４００ａは、パッチアンテナパターン４１０ａ、給電ビア４２０ａ、誘電層４３０ａ、及び電気連結構造体４６０ａのうち少なくとも一部を含むことができ、第２チップアンテナ４００ｂは、パッチアンテナパターン４１０ｂ、給電ビア４２０ｂ、誘電層４３０ｂ、及び電気連結構造体４６０ｂのうち少なくとも一部を含むことができる。
【0085】
第２チップアンテナ４００ａ、４００ｂは、第１チップアンテナ１００ａと同一又は類似の方法で製造されることができ、実装用電気連結構造体３３２ａ、３３２ｂを介して第２連結部材２２０ａの上面上に実装されることができる。実装用電気連結構造体３３２ａ、３３２ｂは、はんだボール（ｓｏｌｄｅｒ ｂａｌｌ）やパッド（ｐａｄ）であってもよいが、これに限定されない。
【0086】
第１チップアンテナ１００ａの放射パターンと第２チップアンテナ４００ａ、４００ｂの放射パターンが互いに重なることができるため、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ｉは、第１チップアンテナ１００ａ及び第２チップアンテナ４００ａ、４００ｂの合計数に対応する利得及び最大出力を有することができる。
【0087】
第１チップアンテナ１００ａが高周波パッケージ２００ｉに内蔵されるため、高周波パッケージ２００ｉのサイズに対する第１チップアンテナ１００ａ及び第２チップアンテナ４００ａ、４００ｂの合計数が多くなることができる。
【0088】
これにより、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ｉは、サイズに対して向上した利得及び最大出力を有することができる。
【0089】
例えば、第２チップアンテナ４００ａ、４００ｂのパッチアンテナパターン４１０ａ、４１０ｂのサイズと、第１チップアンテナ１００ａのパッチアンテナパターン１１０ａのサイズは互いに異なってもよい。一例として、第２チップアンテナ４００ａ、４００ｂの誘電層４３０ａ、４３０ｂの誘電率と、上記第１チップアンテナ１００ａの第１誘電層１３１ａの誘電率は互いに異なってもよい。
【0090】
すなわち、第１チップアンテナ１００ａの第１周波数帯域と第２チップアンテナ４００ａ、４００ｂの第２周波数帯域が互いに異なり得る。結果として、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ｉは、互いに異なる複数の周波数帯域に属する第１及び第２ＲＦ信号を遠隔で送受信することができる。
【0091】
第１チップアンテナ１００ａが第２チップアンテナ４００ａ、４００ｂよりも下側に配置されることができることから、第１チップアンテナ１００ａと第２チップアンテナ４００ａ、４００ｂが互いに与える電磁干渉を減少させることができるため、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ｉは、互いに異なる複数の周波数帯域の全般的な利得（ｇａｉｎ）を向上させることができる。
【0092】
さらに、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ｉは、それぞれが１つの周波数帯域に集中するように実現された第１チップアンテナ１００ａ及び第２チップアンテナ４００ａ、４００ｂを使用しながらも、互いに異なる複数の周波数帯域に属する第１及び第２ＲＦ信号を遠隔で送受信できるため、互いに異なる複数の周波数帯域の全般的なアンテナ性能（例えば、帯域幅、最大出力、偏波効率など）を向上させることができる。
【0093】
【0094】
図４ａを参照すると、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ｋは、複数の第１チップアンテナ１００ｋを含むことができ、複数の第１チップアンテナ１００ｋがコア絶縁層２３１ａの複数の貫通孔にそれぞれ配置される構造を有することができる。
【0095】
例えば、パッチアンテナパターン１１０ｃ、第１誘電層１３１ｃ、及び貫通孔はそれぞれ多角形状であることができる。
【0096】
パッチアンテナパターン１１０ｃは、パッチアンテナパターン１１０ｃの変異コア絶縁層２３１ａの外側側面に対して斜め（ｏｂｌｉｑｕｅ）に配置されることができる。例えば、パッチアンテナパターン１１０ｃは、Ｘ－Ｙの平面において４５度回転した形態を有することができる。
【0097】
パッチアンテナパターン１１０ｃのＲＦ信号の遠隔送受信による表面電流は一辺から他辺に流れることができる。また、表面電流に対応する電界は表面電流の方向と同一であってもよく、表面電流に対応する磁界は表面電流の方向に垂直であってもよい。
【0098】
パッチアンテナパターン１１０ｃの変異コア絶縁層２３１ａの外側側面に対して斜め（ｏｂｌｉｑｕｅ）になる場合、表面電流に対応する電界及び磁界は、隣接するチップアンテナを回避するように形成されることができるため、表面電流に対応する電界及び磁界が隣接するチップアンテナに与える電磁干渉が減少することができる。これにより、複数の第１チップアンテナ１００ｋの全般的な利得を向上させることができる。
【0099】
図４ｂを参照すると、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ｌは、複数の第１チップアンテナ１００ｌを含むことができ、複数の第１チップアンテナ１００ｌの複数のパッチアンテナパターン１１０ｄ、１１０ｅは、多角形状及び／又は円形状であることができる。
【0100】
例えば、複数の第１チップアンテナ１００ｌは、比較的大きい誘電層上に複数のパッチアンテナパターン１１０ｄ、１１０ｅが形成された状態において、比較的大きい誘電層を上下方向に切断することによって製造することができる。
【0101】
【0102】
図５ａを参照すると、第１状態１２０１の高周波パッケージは、コア絶縁層１２３１の上面及び下面上に銅箔（ｃｏｐｐｅｒ ｃｌａｄ）１２３９が積層される構造を有することができる。
【0103】
第２状態１２０２の高周波パッケージは、コア絶縁層１２３１から銅箔が除去され、貫通孔及びビアホールが形成される構造を有することができる。
【0104】
第３状態１２０３の高周波パッケージは、コア絶縁層１２３１の上面及び／又は下面上にドライフィルム（ｄｒｙｆｉｌｍ）１２３８が形成される構造を有することができる。
【0105】
図５ｂを参照すると、第４状態１２０４の高周波パッケージは、コア絶縁層１２３１のビアホールにコアビア１２３３が形成され、コア絶縁層１２３１の上面及び／又は下面にコア絶縁層１２３２が形成され、コア絶縁層１２３１の貫通孔の境界面にめっき部材１２３５が形成される構造を有することができる。上記の構造は、コア部材１２３０に対応し、第１及び第２連結部材１２１０、１２２０のビルドアップのための支持基盤になり得る。
【0106】
第５状態１２０５の高周波パッケージは、コア部材１２３０の下面上に支持フィルム１２３７が配置される構造を有することができる。
【0107】
第６状態１２０６の高周波パッケージは、コア部材１２３０の貫通孔に第１チップアンテナ１１００が配置される構造を有することができ、プラズマクリーニング（ｐｌａｓｍａ ｃｌｅａｎｉｎｇ）の過程を経ることができる。第１チップアンテナ１１００は、パッチアンテナパターン１１１０、給電ビア１１２０、第１誘電層１１３１、及び電気連結構造体１１６０が組み合わされた状態において支持フィルム１２３７の上面上に配置されることができる。
【0108】
図５ｃを参照すると、第７状態１２０７の高周波パッケージは、コア部材１２３０の貫通孔及びコア部材１２３０の上面上に絶縁部材１２４０が充填される構造を有することができる。
【0109】
第８状態１２０８の高周波パッケージは、支持フィルムが除去された構造を有することができ、プラズマクリーニング（ｐｌａｓｍａ ｃｌｅａｎｉｎｇ）の過程を経ることができる。
【0110】
第９状態１２０９の高周波パッケージは、絶縁部材１２４０がコア部材１２３０の下面上に拡張した構造を有することができる。
【0111】
図５ｄを参照すると、第１０状態１２１０の高周波パッケージは、絶縁部材１２４０の上面及び下面上にビアホールが形成される構造を有することができる。
【0112】
第１１状態１２１１の高周波パッケージは、絶縁部材１２４０のビアホールに第１及び第２ビア１２１３、１２２３が形成され、絶縁部材１２４０の上面及び下面上に第１及び第２配線層１２１２、１２２２が形成される構造を有することができるとともに、表面処理過程を経ることができる。
【0113】
第１２状態１２１２の高周波パッケージは、絶縁部材１２４０の上面上にカップリングパッチパターン１２２５が形成される構造を有することができる。
【0114】
図５ｅを参照すると、第１３状態１２１３の高周波パッケージは、絶縁部材１２４０の上面及び下面上に第１及び第２絶縁層１２１１、１２２１が形成される構造を有することができる。
【0115】
第１４状態１２１４の高周波パッケージは、第１及び第２絶縁層１２１１、１２２１にビアホールが形成される構造を有することができる。
【0116】
第１５状態１２１５の高周波パッケージは、第１及び第２絶縁層１２１１、１２２１の上面及び下面上に第１及び第２配線層１２１２、１２２２が形成される構造を有することができる。
【0117】
第１３状態１２１３の高周波パッケージから第１５状態１２１５の高周波パッケージまでの過程は繰り返されることができ、第１及び第２絶縁層１２１１、１２２１ならびに第１及び第２配線層１２１２、１２２２の積層数は、上記過程の繰り返し回数に応じて決定することができる。
【0118】
図５ｆを参照すると、第１６状態１２１６の高周波パッケージは、第２絶縁層１２２１におけるカップリングパッチパターン１２２５の重なり部分が除去された構造を有することができる。
【0119】
第１７状態１２１７の高周波パッケージは、第１及び第２ ＳＲ層１２１４、１２２４が形成される構造を有することができ、第２ ＳＲ層１２２４からカップリングパッチパターン１２２５の重なり領域１２２８は除去されることができる。例えば、重なり領域１２２８は、微細粒子の衝突を介した工法（例えば、ブラス（ｂｌａｓｔ）法）やレーザー照射を介した工法で除去することができる。
【0120】
【0121】
図６ａを参照すると、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ｌは、ＲＦＩＣ ３１０及びサブ基板３７０をさらに含むことができる。
【0122】
ＲＦＩＣ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）３１０は、第１連結部材２１０ａの下面上に配置されることができ、実装用電気連結構造体３３３を介して実装されることができる。
【0123】
ＲＦＩＣ ３１０は、第１チップアンテナ１００ａにおいて、遠隔で送受信されるＲＦ信号、及びＲＦ信号の周波数よりも低い周波数のベース信号の信号処理を行うことができる。例えば、上記信号処理は、周波数変換、フィルタリング、増幅、位相制御を含むことができる。
【0124】
サブ基板３７０は、第１連結部材２１０ａの下面上に配置されＲＦＩＣ ３１０を囲むことができ、実装用電気連結構造体３３４を介して実装されることができる。
【0125】
例えば、サブ基板３７０は、サブ絶縁層３７１、サブ配線層３７２、及びサブビア３７３を含むことができ、上記ベース信号の経路又は電力供給経路として作用することができる。
【0126】
例えば、サブ基板３７０がＲＦＩＣ ３１０を囲むスペースのうち少なくとも一部は、ＰＩＥ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｎｔ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、エポキシモールディングコンパウンド（ｅｐｏｘｙ ｍｏｌｄｉｎｇ ｃｏｍｐｏｕｎｄ、ＥＭＣ）などの縫合材で充填されることができる。
【0127】
図６ｂを参照すると、本発明の一実施形態による高周波パッケージ２００ｍは、実装用電気連結構造体３３５を介してベース基板３８０上に実装されることができる。ベース基板３８０は、プリント回路基板であってもよく、ベース信号の伝送経路を含むことができる。
【0128】
図７は本発明の一実施形態によるチップアンテナが配列された基板の電子機器における配置を例示する平面図である。
【0129】
図７を参照すると、本発明の一実施形態による高周波パッケージ１００ａ－１、１００ａ－２は、電子機器７００の互いに異なる複数の端にそれぞれ隣接して配置されることができる。
【0130】
電子機器７００は、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、携帯情報端末（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルビデオカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｉｄｅｏ ｃａｍｅｒａ）、デジタルスチルカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｔｉｌｌ ｃａｍｅｒａ）、ネットワークシステム（ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｙｓｔｅｍ）、コンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、モニター（ｍｏｎｉｔｏｒ）、タブレット（ｔａｂｌｅｔ）、ラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）、ネットブック（ｎｅｔｂｏｏｋ）、テレビジョン（ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）、ビデオゲーム（ｖｉｄｅｏ ｇａｍｅ）、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、オートモーティブ（Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ）などであってもよいが、これらに限定されるものではない。
【0131】
電子機器７００は、ベース基板６００を含むことができ、ベース基板６００は、通信モデム６１０及びベースバンドＩＣ ６２０をさらに含むことができる。
【0132】
通信モデム６１０は、デジタル信号処理を行うように、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリなどのメモリチップ；セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラなどのアプリケーションプロセッサチップ、アナログ－デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップのうち少なくとも一部を含むことができる。
【0133】
ベースバンドＩＣ ６２０は、アナログ－デジタル変換、アナログ信号に対する増幅、フィルタリング、及び周波数変換を行うことでベース信号を生成することができる。ベースバンドＩＣ ６２０から入出力されるベース信号は、同軸ケーブルを介して高周波パッケージ１００ａ－１、１００ａ－２に伝達されることができ、同軸ケーブルは高周波パッケージ１００ａ－１、１００ａ－２の電気連結構造体に電気的に連結されることができる。
【0134】
例えば、上記ベース信号の周波数はベースバンドであってもよく、ＩＦ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）に対応する周波数（例えば、数ＧＨｚ）であることができる。ＲＦ信号の周波数（例えば、２８ＧＨｚ、３９ＧＨｚ）は、ＩＦよりも高くてもよく、ミリ波（ｍｍＷａｖｅ）に対応することができる。
【0135】
一方、本発明におけるＲＦ信号は、Ｗｉ－Ｆｉ（ＩＥＥＥ ８０２．１１ファミリなど）、ＷｉＭＡＸ（ＩＥＥＥ ８０２．１６ファミリなど）、ＩＥＥＥ ８０２．２０、ＬＴＥ（ｌｏｎｇ ｔｅｒｍ ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、Ｅｖ－ＤＯ、ＨＳＰＡ＋、ＨＳＤＰＡ＋、ＨＳＵＰＡ＋、ＥＤＧＥ、ＧＳＭ（登録商標）、ＧＰＳ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＤＥＣＴ、ブルートゥース（登録商標）（Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標））、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、及びそれ以降のものとして指定された任意の他の無線及び有線プロトコルが含まれるが、これらに限定されるものではない。
【0136】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、又は削除などにより本発明を多様に修正及び変更させることができるものであり、これも本発明の権利範囲内に含まれると言える。
【符号の説明】
【0137】
１００ａ、１００ｂ チップアンテナ
１１０ａ パッチアンテナパターン（ｐａｔｃｈ ａｎｔｅｎｎａ ｐａｔｔｅｒｎ）
１２０ａ 給電ビア（ｆｅｅｄ ｖｉａ）
１３１ａ 第１誘電層（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｌａｙｅｒ）
１６０ａ 電気連結構造体
２００ａ 高周波パッケージ
２１０ａ 第１連結部材
２１１ａ 少なくとも一つの第１絶縁層
２１２ａ 少なくとも一つの第１配線層
２１３ａ 第１ビア
２１４ａ 第１ ＳＲ（ｓｏｌｄｅｒ ｒｅｓｉｓｔ）層
２２１ａ 少なくとも一つの第２絶縁層
２２２ａ 少なくとも一つの第２配線層
２２３ａ 第２ビア
２２４ａ 第２ ＳＲ層
２２５ａ カップリングパッチパターン（ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｐａｔｃｈ ｐａｔｔｅｒｎ）
２３１ａ コア（ｃｏｒｅ）絶縁層
２３２ａ コア配線層
２３３ａ コアビア
２３５ａ めっき部材
２４０ａ 絶縁部材
１１０ａ パッチアンテナパターン（ｐａｔｃｈ ａｎｔｅｎｎａ ｐａｔｔｅｒｎ）
１２０ａ 給電ビア（ｆｅｅｄ ｖｉａ）
１３１ａ 第１誘電層（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｌａｙｅｒ）
１６０ａ 電気連結構造体
２００ａ 高周波パッケージ
２１０ａ 第１連結部材
２１１ａ 少なくとも一つの第１絶縁層
２１２ａ 少なくとも一つの第１配線層
２１３ａ 第１ビア
２１４ａ 第１ ＳＲ（ｓｏｌｄｅｒ ｒｅｓｉｓｔ）層
２２１ａ 少なくとも一つの第２絶縁層
２２２ａ 少なくとも一つの第２配線層
２２３ａ 第２ビア
２２４ａ 第２ ＳＲ層
２２５ａ カップリングパッチパターン（ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｐａｔｃｈ ｐａｔｔｅｒｎ）
２３１ａ コア（ｃｏｒｅ）絶縁層
２３２ａ コア配線層
２３３ａ コアビア
２３５ａ めっき部材
２４０ａ 絶縁部材
【図1a】
【図1b】
【図1c】
【図2a】
【図2b】
【図2c】
【図2d】
【図3a】
【図3b】
【図4a】
【図4b】
【図5a】
【図5b】
【図5c】
【図5d】
【図5e】
【図5f】
【図6a】
【図6b】
【図7】