特開 2022-163272 半導体装置及び電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022163272

(43)【公開日】2022-10-26

(54)【発明の名称】半導体装置及び電子機器

(51)【国際特許分類】

   G06F 11/10 20060101AFI20221019BHJP

【ＦＩ】

G06F11/10 662

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021068109

(22)【出願日】2021-04-14

(71)【出願人】

【識別番号】000116024

【氏名又は名称】ローム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001933

【氏名又は名称】弁理士法人 佐野特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】森 竜哉

(57)【要約】

【課題】センサの出力が誤った値になったおそれがあることを知らせることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置（１００）は、センサ（１Ｂ）と、不揮発性メモリ（２）と、前記不揮発性メモリから読みだされるデータに基づき前記センサのキャリブレーションを行うように構成される制御部（４）と、前記データに不正があるか否かを判定するように構成される判定部（３）と、前記判定部によって前記データに不正があると判定された場合に、前記データに不正があることを外部に通知するように構成される通知部（５）と、を備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

センサと、
不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリから読みだされるデータに基づき前記センサのキャリブレーションを行うように構成される制御部と、
前記データに不正があるか否かを判定するように構成される判定部と、
前記判定部によって前記データに不正があると判定された場合に、前記データに不正があることを外部に通知するように構成される通知部と、
を備える、半導体装置。

【請求項2】

前記制御部は、前記不揮発性メモリからの前記データの読み出しを周期的に行うように構成され、
前記通知部は、前記判定部によって前記データに不正があると判定された後に前記データに不正がないと判定された場合に、前記データに不正があることを外部に通知することを停止するように構成される、請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

入力信号を出力信号に変換するように構成される変換部を備え、
前記通知部は、
前記出力信号と前記データに不正があることを示す通知とを択一的に選択するように構成される選択部と、
前記選択部の出力を外部に送出するように構成される出力端子と、を含む、請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。

【請求項4】

前記通知は定電圧である、請求項３に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記定電圧は前記半導体装置の電源電圧である、請求項４に記載の半導体装置。

【請求項6】

請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体装置を備える、電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書中に開示されている発明は、半導体装置及び電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体装置には各種のセンサが設けられる。例えば、過電流保護等を目的として電流センサが設けられる。

【0003】

センサの検出精度を向上させるために、不揮発性メモリに記憶されているデータを用いてセンサのキャリブレーションが行われることがある（例えば特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１０－６３３２５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、不揮発性メモリに記憶されているデータを用いたセンサのキャリブレーションでは、不揮発性メモリからのデータ読み出し時に不正が発生すると、センサの出力が誤った値になるおそれがある。従来技術では、不揮発性メモリからのデータ読み出し時に不正が発生したこと、すなわち、センサの出力が誤った値になったおそれがあることを外部装置またはユーザが知る術がなかった。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本明細書中に開示されている半導体装置は、センサと、不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリから読みだされるデータに基づき前記センサのキャリブレーションを行うように構成される制御部と、前記データに不正があるか否かを判定するように構成される判定部と、前記判定部によって前記データに不正があると判定された場合に、前記データに不正があることを外部に通知するように構成される通知部と、を備える。

【0007】

本明細書中に開示されている電子機器は、上記半導体装置を備える。

【発明の効果】

【0008】

本明細書中に開示されている半導体装置及び電子機器によれば、センサの出力が誤った値になったおそれがあることを半導体装置の外部に知らせることができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、一実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す図である。

【図2】図２は、変換部の入力信号及び出力信号の一例を示すタイムチャートである。

【図3】図３は、アナログ回路及び制御部の動作例を示すフローチャートである。

【図4】図４は、フラグ及び出力端子に印加される電圧の一例を示すタイムチャートである。

【図5】図５は、フラグ生成回路の一構成例を示す図である。

【図6】図６は、電子機器の概略構成例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

図１は、一実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す図である。図１に示す半導体装置１００は、アナログ回路１と、不揮発性メモリ２と、判定部３と、制御部４と、出力端子Ｔ１と、を備える。

【0011】

アナログ回路１は、アナログ信号を処理する回路である。アナログ回路１は、変換部１Ａと、電流センサ１Ｂと、セレクタ１Ｃと、を備える。つまり、半導体装置１００は、変換部１Ａと、電流センサ１Ｂと、セレクタ１Ｃと、を備える。

【0012】

変換部１Ａは、入力信号を出力信号に変換するように構成される。例えば、変換部１Ａは磁気センサである。変換部１Ａは磁気センサである場合、当該磁気センサによって検出された磁束密度が変換部１Ａの入力信号ＳＩＮ（図２参照）となり、変換部１Ａにおいて当該磁束密度が電圧に変換され、当該電圧が変換部１Ａの出力信号ＳＯＵＴ（図２参照）となる。図２の上部グラフの横軸は時間を表しており、図２の上部グラフの縦軸は磁束密度を表している。図２の下部グラフの横軸は時間を表しており、図２の下部グラフの縦軸は電圧値を表している。

【0013】

電流センサ１Ｂは、変換部１Ａの所定位置を流れる電流を検出するように構成される。電流センサ１Ｂの出力は例えば半導体装置１００の過電流保護に用いられる。電流センサ１Ｂにおいて電流を検出する方式は特に限定されない。

【0014】

セレクタ１Ｃは、変換部１Ａの出力信号と半導体装置１００の電源電圧ＶＤＤとを択一的に選択する。なお、図１では図示していないが、半導体装置１００は、電源電圧ＶＤＤが印加されるように構成される電源端子と、グラウンド電位に接続されるように構成されるグラウンド端子と、を備える。

【0015】

不揮発性メモリ２は、例えばＯＴＰ（One Time Programmable）メモリである。不揮発性メモリ２は、電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データを記憶している。不揮発性メモリ２は、電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データのみならず、ＥＣＣ（Error Correction Code）も出力する。

【0016】

判定部３は、不揮発性メモリ２から読みだされる電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正があるか否かを判定するように構成される。本実施形態では、判定部３は、不揮発性メモリ２から読みだされる電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正があるか否かを、不揮発性メモリ２から出力されるＥＣＣに基づき判定するように構成される。また、本実施形態では、判定部３は、不揮発性メモリ２から読みだされる電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正がある場合、不揮発性メモリ２から出力されるＥＣＣに基づき誤り訂正を試みるように構成される。なお、本実施形態とは異なり、判定部３は、不揮発性メモリ２から読みだされる電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正があるか否かをＥＣＣ以外の手法で判定するように構成されてもよい。

【0017】

制御部４は、不揮発性メモリ２から読みだされる電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに基づき、電流センサ１Ｂのキャリブレーションを行うように構成される。電流センサ１Ｂのキャリブレーションの方式は特に限定されないが、例えば、電流センサ１Ｂが電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに応じてゲインを調整する方式、例えば、電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに応じて電流センサ１Ｂの駆動電流を調整する方式などを挙げることができる。電流センサ１Ｂのキャリブレーションが行われることによって、電流センサ１Ｂの検出精度を向上させることができる。

【0018】

セレクタ１Ｃ及び出力端子Ｔ１によって通知部５が構成される。つまり、半導体装置１００は、通知部５を備える。通知部５は、判定部３によって電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正があると判定された場合に、電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正があることを半導体装置１００の外部に通知するように構成される。

【0019】

半導体装置１００が通知部５を備える構成であるため、半導体装置１００は、電流センサ１Ｂの出力が誤った値になったおそれがあることを半導体装置１００の外部に知らせることができる。したがって、電流センサ１Ｂの出力が誤った値になったおそれがあることを外部装置またはユーザが把握することができ、外部装置またはユーザが適切な対応を実行することができる。

【0020】

また、通知部５がセレクタ１Ｃ及び出力端子Ｔ１を備える構成であるため、変換部１Ａの出力信号を出力する出力端子Ｔ１を、電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正があることを示す通知を出力する端子としても利用できる。つまり、電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正があることを示す通知を出力する専用端子を設ける必要がないため、半導体装置１００の小型化及び低コスト化を図ることができる。

【0021】

なお、本実施形態とは異なり、電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正があることを示す通知を出力する専用端子を半導体装置１００に設けてもよい。

【0022】

本実施形態では、電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正があることを示す通知は、定電圧である。ここで、定電圧とは、理想的な状態において一定である電圧を意味しており、実際には温度変化等により僅かに変動し得る電圧である。電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正があることを示す通知が定電圧である場合、半導体装置１００は、電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正があることを示す通知を容易に生成することができる。

【0023】

より詳細には、本実施形態では、電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正があることを示す通知は、半導体装置１００の電源電圧ＶＤＤである。半導体装置１００は、電源電圧ＶＤＤとグラウンド電位との間の電圧によって駆動する。電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正があることを示す通知が半導体装置１００の電源電圧ＶＤＤである場合、変換部１Ａの出力信号と電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正があることを示す通知との判別が容易になる。

【0024】

図３は、アナログ回路１及び制御部４の動作例を示すフローチャートである。半導体装置１００に電源電圧ＶＤＤが供給されて半導体装置１００が起動すると、図３に示すフローチャートの動作が開始する。

【0025】

アナログ回路１では、まず始めに変換部１Ａが入力信号を取り込む（ステップＳ１０）。次に、変換部１Ａが入力信号を出力信号に変換する（ステップＳ２０）。次に、セレクタ１Ｃが変換部１Ａの出力信号と半導体装置１００の電源電圧ＶＤＤとを択一的に選択する（ステップＳ３０）。

【0026】

制御部４からアナログ回路１に出力されるフラグが「エラー有り」を示す場合、セレクタ１Ｃは半導体装置１００の電源電圧ＶＤＤを選択する。一方、制御部４からアナログ回路１から出力されるフラグが「エラー無し」を示す場合、セレクタ１Ｃは変換部１Ａの出力信号を選択する。ここで、「エラー有り」とは、電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正があることを意味しており、「エラー無し」とは、電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正がないことを意味している。

【0027】

次に、変換部１Ａの出力信号又は半導体装置１００の電源電圧ＶＤＤが出力端子Ｔ１から半導体装置１００の外部に送出される（ステップＳ４０）。ステップＳ４０の処理が終わると、ステップＳ１０に戻る。

【0028】

制御部４では、まず始めに不揮発性メモリ２から電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データを読み出す（ステップＳ１１０）。そして、判定部３において、不揮発性メモリ２から読みだされた電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正があるか否かが判定される。

【0029】

次に、制御部４は、不揮発性メモリ２から読みだされる電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに基づき、電流センサ１Ｂのキャリブレーションを行うとともに、アナログ回路１に出力するフラグの内容を判定部３の判定結果に応じて「エラー有り」又は「エラー有り」のいずれに設定する（ステップＳ１２０）。

【0030】

次に、制御部４は、ステップＳ１１０でのデータ読み出しから一定時間ＰＴ１が経過しているか否かを判定する（ステップＳ１３０）。ステップＳ１１０でのデータ読み出しから一定時間ＰＴ１が経過していれば、制御部４は、再度ステップＳ１１０の処理を実行する。つまり、制御部４は、不揮発性メモリ２から電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データを周期的に読み出す。

【0031】

上述した通り、制御部４からアナログ回路１に出力されるフラグが「エラー有り」を示す場合、セレクタ１Ｃは半導体装置１００の電源電圧ＶＤＤを選択する。一方、制御部４からアナログ回路１から出力されるフラグが「エラー無し」を示す場合、セレクタ１Ｃは変換部１Ａの出力信号を選択する。つまり、通知部５は、判定部３によって電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正があると判定された後に電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正がないと判定された場合に、電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正があることを外部に通知することを停止するように構成される。

【0032】

したがって、制御部４からアナログ回路１に出力されるフラグ及び出力端子Ｔ１に印加される電圧の電圧値は、例えば図４に示すようになる。つまり、半導体装置１００は、不揮発性メモリ２から読みだされた電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正がなくなると、自動的に通常動作（出力端子Ｔ１から変換部１Ａの出力信号を出力する動作）に復帰することができる。図４の上部グラフの横軸は時間を表しており、図４の上部グラフの縦軸はフラグの設定内容を表している。図４の下部グラフの横軸は時間を表しており、図４の下部グラフの縦軸は電圧値を表している。

【0033】

図５は、フラグ生成回路の一構成例を示す図である。図５に示すフラグ生成回路４Ａは、制御部４の内部に設けられる。

【0034】

フラグ生成回路４Ａは、電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データが５つのアドレスが必要なデータである場合の回路構成例である。判定部３は、電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データのアドレス毎に不正があるか否かを判定し、制御部４によって指定されたアドレスの判定結果Ｊ１をフラグ生成回路４Ａに出力する。

【0035】

フラグ生成回路４Ａは、セレクタ４１Ａ～４１Ｅと、ラッチ４２Ａ～４２Ｅと、ＯＲゲート４３と、ラッチ４４と、ＯＲゲート４５と、を備える。ラッチ４２Ａ～４２Ｅ及び４４は、制御部４の内部で生成されるクロック信号ＣＬＯＣＫに基づいて動作する。

【0036】

セレクタ４１Ａの第１入力端子がラッチ４２Ａの出力端子及びＯＲゲート４３の第１入力端子に接続される。同様に、セレクタ４１Ｂの第１入力端子がラッチ４２Ｂの出力端子及びＯＲゲート４３の第２入力端子に接続される。同様に、セレクタ４１Ｃの第１入力端子がラッチ４２Ｃの出力端子及びＯＲゲート４３の第３入力端子に接続される。同様に、セレクタ４１Ｄの第１入力端子がラッチ４２Ｄの出力端子及びＯＲゲート４３の第４入力端子に接続される。同様に、セレクタ４１Ｅの第１入力端子がラッチ４２Ｅの出力端子及びＯＲゲート４３の第５入力端子に接続される。セレクタ４１Ａ～４１Ｅの出力端子はそれぞれラッチ４２Ａ～４２Ｅの入力端子に接続される。

【0037】

上述した判定結果Ｊ１は、セレクタ４１Ａ～４１Ｅそれぞれの第２入力端子に供給される。セレクタ４１Ａは、制御部４が第１アドレスを指定しているときに上述した判定結果Ｊ１を選択して出力し、制御部４が第１アドレスを指定していないときにラッチ４２Ａの出力を選択して出力する。セレクタ４１Ｂは、制御部４が第２アドレスを指定しているときに上述した判定結果Ｊ１を選択して出力し、制御部４が第２アドレスを指定していないときにラッチ４２Ｂの出力を選択して出力する。セレクタ４１Ｃは、制御部４が第３アドレスを指定しているときに上述した判定結果Ｊ１を選択して出力し、制御部４が第３アドレスを指定していないときにラッチ４２Ｃの出力を選択して出力する。セレクタ４１Ｄは、制御部４が第４アドレスを指定しているときに上述した判定結果Ｊ１を選択して出力し、制御部４が第４アドレスを指定していないときにラッチ４２Ｄの出力を選択して出力する。セレクタ４１Ｅは、制御部４が第５アドレスを指定しているときに上述した判定結果Ｊ１を選択して出力し、制御部４が第５アドレスを指定していないときにラッチ４２Ｅの出力を選択して出力する。

【0038】

ＯＲゲート４３の出力端子は、ラッチ４４の入力端子及びＯＲゲート４５の第１入力端子に接続される。ラッチ４４の出力端子はＯＲゲート４５の第２入力端子に接続される。ＯＲゲート４５の出力端子からフラグが出力される。

【0039】

フラグ生成回路４Ａは、電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データのいずれかのアドレスに不正がある場合に、フラグの内容を「エラー有り」に設定することができる。

【0040】

半導体装置１００は、電子機器全般に搭載することができる。図６は、電子機器の概略構成例を示す図である。図６に示す構成の電子回路の個数及びＤＣ／ＤＣコンバータはあくまで一例である。例えば、図６に示す構成とは異なり、電子回路１０７を廃止して、電子回路の個数とＤＣ／ＤＣコンバータとが同数である構成にしてもよい。図６に示す電子機器２００は、半導体装置１００と、入力端子１０１と、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）１０２と、マイクロコンピュータ１０３と、ＤＣ／ＤＣコンバータ１０４～１０６と、電子回路１０７～１１０と、を備える。入力端子１０１には、直流電圧である入力電圧ＶＩＮが供給される。入力電圧ＶＩＮは、ＭＯＳＦＥＴ１０２、ＭＯＳＦＥＴ１０２よりも上流（入力端子１０１に近い）の電源ライン、及びＭＯＳＦＥＴ１０２よりも下流（入力端子１０１から遠い）の電源ラインを介して、電子回路１０７及びＤＣ／ＤＣコンバータ１０４～１０６に供給される。電子回路１０７は、入力電圧ＶＩＮを電源電圧として用いる。ＤＣ／ＤＣコンバータ１０４は、入力電圧ＶＩＮを入力電圧ＶＩＮとは値が異なる直流電圧Ｖ１に変換し、直流電圧Ｖ１を電子回路１０８に供給する。電子回路１０８は、直流電圧Ｖ１を電源電圧として用いる。ＤＣ／ＤＣコンバータ１０５は、入力電圧ＶＩＮを入力電圧ＶＩＮとは値が異なる直流電圧Ｖ２に変換し、直流電圧Ｖ２を電子回路１０９に供給する。電子回路１０９は、直流電圧Ｖ２を電源電圧として用いる。ＤＣ／ＤＣコンバータ１０６は、入力電圧ＶＩＮを入力電圧ＶＩＮとは値が異なる直流電圧Ｖ３に変換し、直流電圧Ｖ３を電子回路１１０に供給する。電子回路１１０は、直流電圧Ｖ３を電源電圧として用いる。半導体装置１００は、ＭＯＳＦＥＴ１０２よりも下流（入力端子１０１から遠い）の電源ラインを流れる電流を磁気センサ（図１中の変換部１Ａ）によって検知する。マイクロコンピュータ１０３は、半導体装置１００の出力端子Ｔ１から出力される信号に基づき、ＭＯＳＦＥＴ１０２を制御する。具体的には、マイクロコンピュータ１０３は、ＭＯＳＦＥＴ１０２よりも下流（入力端子１０１から遠い）の電源ラインを流れる電流が過電流である場合に、ＭＯＳＦＥＴ１０２をオフにする。なお、図６に示す構成とは異なり、半導体装置１００は、ＭＯＳＦＥＴ１０２よりも上流（入力端子１０１に近い）の電源ラインを流れる電流を磁気センサ（図１中の変換部１Ａ）によって検知してもよい。半導体装置１００は、不揮発性メモリ２から読みだされた電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正がなくなると、自動的に通常動作（出力端子Ｔ１から変換部１Ａの出力信号を出力する動作）に復帰することができる構成であるため、特に電源の頻繁なＯＮ／ＯＦＦの無い産業機器等の電子機器に適している。電源の頻繁なＯＮ／ＯＦＦの無い産業機器としては、例えば携帯電話網の無線基地局などを挙げることができる。図６に示す電子機器２００が携帯電話網の無線基地局である場合、電子回路１０７～１１０として、アンテナ用の回路、高周波信号を中間周波信号又はベースバンド信号に変換する変換回路、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等が電子機器２００に搭載される。

【0041】

なお、本発明の構成は、上記実施形態のほか、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。上記実施形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。

【0042】

上述した実施形態では、電流センサ１Ｂのキャリブレーション用データに不正があるか否かが判定されたが、電流センサ以外のセンサのキャリブレーション用データに不正があるか否かが判定されてもよい。

【0043】

また、本実施形態とは異なり、誤り訂正によって誤りが訂正された場合は、キャリブレーション用データに不正がないと判定するようにしてもよい。

【0044】

また、半導体装置１００において、磁気センサのキャリブレーションも不揮発性メモリ２に記憶された磁気センサのキャリブレーション用データを用いて行ってもよく、磁気センサのキャリブレーション用データに不正がある場合も半導体装置１００が外部に通知するようにしてもよい。

【0045】

以上説明した半導体装置（１００）は、センサ（１Ｂ）と、不揮発性メモリ（２）と、前記不揮発性メモリから読みだされるデータに基づき前記センサのキャリブレーションを行うように構成される制御部（４）と、前記データに不正があるか否かを判定するように構成される判定部（３）と、前記判定部によって前記データに不正があると判定された場合に、前記データに不正があることを外部に通知するように構成される通知部（５）と、を備える構成（第１の構成）である。

【0046】

上記第１の構成である半導体装置は、センサの出力が誤った値になったおそれがあることを半導体装置の外部に知らせることができる。したがって、センサの出力が誤った値になったおそれがあることを外部装置またはユーザが把握することができ、外部装置またはユーザが適切な対応を実行することができる。

【0047】

上記第１の構成である半導体装置において、前記制御部は、前記不揮発性メモリからの前記データの読み出しを周期的に行うように構成され、前記通知部は、前記判定部によって前記データに不正があると判定された後に前記データに不正がないと判定された場合に、前記データに不正があることを外部に通知することを停止するように構成される構成（第２の構成）であってもよい。

【0048】

上記第２の構成である半導体装置は、不揮発性メモリから読みだされるデータに不正がなくなると、自動的に通常動作に復帰することができる。つまり、通常動作に復帰するためのリセット動作が不要になる。

【0049】

上記第１又は第２の構成である半導体装置は、入力信号を出力信号に変換するように構成される変換部（１Ａ）を備え、前記通知部は、前記出力信号と前記データに不正があることを示す通知とを択一的に選択するように構成される選択部（１Ｃ）と、前記選択部の出力を外部に送出するように構成される出力端子（Ｔ１）と、を含む構成（第３の構成）であってもよい。

【0050】

上記第３の構成である半導体装置は、不揮発性メモリから読みだされるデータに不正があることを示す通知を出力する専用端子を設ける必要がないため、小型化及び低コスト化を図ることができる。

【0051】

上記第３の構成である半導体装置において、前記通知は定電圧である構成（第４の構成）であってもよい。

【0052】

上記第４の構成である半導体装置は、不揮発性メモリから読みだされるデータに不正があることを示す通知を容易に生成することができる。

【0053】

上記第４の構成である半導体装置において、前記定電圧は前記半導体装置の電源電圧である構成（第５の構成）であってもよい。

【0054】

上記第５の構成である半導体装置では、変換部の出力信号と不揮発性メモリから読みだされるデータに不正があることを示す通知との判別が容易になる。

【0055】

以上説明した電子機器（２００）は、上記第１～第５いずれかの構成である半導体装置を備える構成（第６の構成）である。

【0056】

上記第６の構成である電子機器は、センサの出力が誤った値になったおそれがあることを半導体装置の外部に知らせることができる。

【符号の説明】

【0057】

１ アナログ回路
１Ａ 変換部
１Ｂ 電流センサ
１Ｃ セレクタ
２ 不揮発性メモリ
３ 判定部
４ 制御部
４Ａ フラグ生成回路
４１Ａ～４１Ｅ セレクタ
４２Ａ～４２Ｅ、４４ ラッチ
４３、４５ ＯＲゲート
５ 通知部
Ｔ１ 出力端子
１００ 半導体装置
１０１ 入力端子
１０２ ＭＯＳＦＥＴ
１０３ マイクロコンピュータ
１０４～１０６ ＤＣ／ＤＣコンバータ
１０７～１１０ 電子回路
２００ 電子機器

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】