特開2022-163750パワーモジュール、パワーモジュールに搭載可能な回路ブロック、回路定数の調整方法及びパワーモジュールの製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022163750
(43)【公開日】2022-10-27
(54)【発明の名称】パワーモジュール、パワーモジュールに搭載可能な回路ブロック、回路定数の調整方法及びパワーモジュールの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 25/07 20060101AFI20221020BHJP
H01L 25/00 20060101ALI20221020BHJP
H02M 7/48 20070101ALN20221020BHJP
【ＦＩ】
H01L25/04 C
H01L25/00 B
H02M7/48 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021068765
(22)【出願日】2021-04-15
(71)【出願人】
【識別番号】000002037
【氏名又は名称】新電元工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100110858
【弁理士】
【氏名又は名称】柳瀬 睦肇
(74)【代理人】
【識別番号】100172627
【弁理士】
【氏名又は名称】宮澤 亘
(72)【発明者】
【氏名】湧口 純弥
【テーマコード（参考）】
5H770
【Ｆターム（参考）】
5H770DA03
5H770DA41
5H770HA02X
5H770KA05X
5H770LA02X
5H770QA01
5H770QA06
5H770QA08
5H770QA27
(57)【要約】
【課題】寄生インダクタンスに対する回路定数の設定を容易にしたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】本発明は、絶縁基板１１上に配置され、第１回路素子を有するモジュール内部回路と、前記絶縁基板上に配置された第１導電部及び第２導電部と、前記第１回路素子の一方端側に位置する前記第１導電部に一端が接合された第１接続ピン１６と、前記第１回路素子の他方端側に位置する前記第２導電部に一端が接合された第２接続ピン１７と、前記モジュール内部回路等を封止した第１樹脂１８と、第１回路素子に交換可能に電気的に接続された回路ブロック１９を含み、回路ブロックは、第２回路素子２１を有し、第１接続ピンの他端１６ｂ側及び第２接続ピンの他端１７ｂ側は、第１樹脂から突出され、回路ブロックは、第１接続ピン及び第２接続ピンにより接続されるパワーモジュールである。
【選択図】図１
【解決手段】本発明は、絶縁基板１１上に配置され、第１回路素子を有するモジュール内部回路と、前記絶縁基板上に配置された第１導電部及び第２導電部と、前記第１回路素子の一方端側に位置する前記第１導電部に一端が接合された第１接続ピン１６と、前記第１回路素子の他方端側に位置する前記第２導電部に一端が接合された第２接続ピン１７と、前記モジュール内部回路等を封止した第１樹脂１８と、第１回路素子に交換可能に電気的に接続された回路ブロック１９を含み、回路ブロックは、第２回路素子２１を有し、第１接続ピンの他端１６ｂ側及び第２接続ピンの他端１７ｂ側は、第１樹脂から突出され、回路ブロックは、第１接続ピン及び第２接続ピンにより接続されるパワーモジュールである。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に配置され、第１回路素子を有するモジュール内部回路と、
前記絶縁基板上に配置され、前記第１回路素子の一方端に電気的に接続された第１導電部と、
前記絶縁基板上に配置され、前記第１回路素子の他方端に電気的に接続された第２導電部と、
前記第１導電部における前記第１回路素子の一方端側に位置し、前記第１導電部に一端が接合された第１接続ピンと、
前記第２導電部における前記第１回路素子の他方端側に位置し、前記第２導電部に一端が接合された第２接続ピンと、
前記モジュール内部回路、前記第１導電部、前記第２導電部、前記第１接続ピンの一端側、及び、前記第２接続ピンの一端側を封止した第１樹脂と、
前記第１回路素子に交換可能に電気的に接続された回路ブロックと、
を含み、
前記回路ブロックは、第２回路素子を有し、
前記第１接続ピンの他端側及び前記第２接続ピンの他端側は、前記第１樹脂から突出され、
前記回路ブロックは、前記第１接続ピン及び前記第２接続ピンにより接続されることを特徴とするパワーモジュール。
前記絶縁基板上に配置され、第１回路素子を有するモジュール内部回路と、
前記絶縁基板上に配置され、前記第１回路素子の一方端に電気的に接続された第１導電部と、
前記絶縁基板上に配置され、前記第１回路素子の他方端に電気的に接続された第２導電部と、
前記第１導電部における前記第１回路素子の一方端側に位置し、前記第１導電部に一端が接合された第１接続ピンと、
前記第２導電部における前記第１回路素子の他方端側に位置し、前記第２導電部に一端が接合された第２接続ピンと、
前記モジュール内部回路、前記第１導電部、前記第２導電部、前記第１接続ピンの一端側、及び、前記第２接続ピンの一端側を封止した第１樹脂と、
前記第１回路素子に交換可能に電気的に接続された回路ブロックと、
を含み、
前記回路ブロックは、第２回路素子を有し、
前記第１接続ピンの他端側及び前記第２接続ピンの他端側は、前記第１樹脂から突出され、
前記回路ブロックは、前記第１接続ピン及び前記第２接続ピンにより接続されることを特徴とするパワーモジュール。
【請求項2】
請求項１において、
前記第２回路素子の一方端は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続され、
前記第２回路素子の他方端は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続され、
前記回路ブロックは、前記パワーモジュール上で第２樹脂により封止されていることを特徴とするパワーモジュール。
前記第２回路素子の一方端は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続され、
前記第２回路素子の他方端は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続され、
前記回路ブロックは、前記パワーモジュール上で第２樹脂により封止されていることを特徴とするパワーモジュール。
【請求項3】
請求項１又は２において、
前記第２回路素子は、コンデンサと抵抗を有し、
前記抵抗の一端は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記抵抗の他端は前記コンデンサの第１電極に電気的に接続され、前記コンデンサの第２電極は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュール。
前記第２回路素子は、コンデンサと抵抗を有し、
前記抵抗の一端は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記抵抗の他端は前記コンデンサの第１電極に電気的に接続され、前記コンデンサの第２電極は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュール。
【請求項4】
請求項３において、
前記第１回路素子は、第１スイッチング素子、第２スイッチング素子、第３導電部及び第４導電部を有し、
前記第１スイッチング素子の一方端は前記第１導電部に電気的に接続され、前記第１スイッチング素子の他方端は前記第２導電部に電気的に接続され、前記第２導電部は前記第３導電部に電気的に接続され、前記第３導電部は前記第２スイッチング素子の一方端に電気的に接続され、前記第２スイッチング素子の他方端は前記第４導電部に電気的に接続されていることを特徴とするパワーモジュール。
前記第１回路素子は、第１スイッチング素子、第２スイッチング素子、第３導電部及び第４導電部を有し、
前記第１スイッチング素子の一方端は前記第１導電部に電気的に接続され、前記第１スイッチング素子の他方端は前記第２導電部に電気的に接続され、前記第２導電部は前記第３導電部に電気的に接続され、前記第３導電部は前記第２スイッチング素子の一方端に電気的に接続され、前記第２スイッチング素子の他方端は前記第４導電部に電気的に接続されていることを特徴とするパワーモジュール。
【請求項5】
請求項１又は２において、
前記第２回路素子は、ゲートドライバーを有し、
前記第２接続ピンの一端は前記第１回路素子の制御端子に電気的に接続され、
前記ゲートドライバーの制御入力端子は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記ゲートドライバーの出力端子は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュール。
前記第２回路素子は、ゲートドライバーを有し、
前記第２接続ピンの一端は前記第１回路素子の制御端子に電気的に接続され、
前記ゲートドライバーの制御入力端子は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記ゲートドライバーの出力端子は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュール。
【請求項6】
請求項１又は２において、
前記第２回路素子は、第３スイッチング素子を有し、
前記第２接続ピンの一端は前記第１回路素子の制御端子に電気的に接続され、
前記第３スイッチング素子の第１電極は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記第３スイッチング素子の第２電極は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュール。
前記第２回路素子は、第３スイッチング素子を有し、
前記第２接続ピンの一端は前記第１回路素子の制御端子に電気的に接続され、
前記第３スイッチング素子の第１電極は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記第３スイッチング素子の第２電極は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュール。
【請求項7】
請求項１又は２において、
前記第１回路素子は、抵抗、ホール素子及びカレントトランスを備えた電流検出回路を有し、
前記第２回路素子は、過電流検出回路を有し、
前記第１接続ピンの一端は前記電流検出回路の第１端子に電気的に接続され、前記第２接続ピンの一端は前記電流検出回路の第２端子に電気的に接続され、
前記過電流検出回路の第１端子は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記過電流検出回路の第２端子は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュール。
前記第１回路素子は、抵抗、ホール素子及びカレントトランスを備えた電流検出回路を有し、
前記第２回路素子は、過電流検出回路を有し、
前記第１接続ピンの一端は前記電流検出回路の第１端子に電気的に接続され、前記第２接続ピンの一端は前記電流検出回路の第２端子に電気的に接続され、
前記過電流検出回路の第１端子は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記過電流検出回路の第２端子は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュール。
【請求項8】
第１接続ピン及び第２接続ピンそれぞれの他端が突出した、回路ブロック交換可能なパワーモジュールに電気的に接続される回路ブロックであり、
前記回路ブロックは第２回路素子を有し、
前記第２回路素子の一方端は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、
前記第２回路素子の他方端は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュールに搭載可能な回路ブロック。
前記回路ブロックは第２回路素子を有し、
前記第２回路素子の一方端は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、
前記第２回路素子の他方端は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュールに搭載可能な回路ブロック。
【請求項9】
請求項８において、
前記第２回路素子は、コンデンサと抵抗を有し、
前記抵抗の一端は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記抵抗の他端は前記コンデンサの第１電極に電気的に接続され、前記コンデンサの第２電極は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュールに搭載可能な回路ブロック。
前記第２回路素子は、コンデンサと抵抗を有し、
前記抵抗の一端は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記抵抗の他端は前記コンデンサの第１電極に電気的に接続され、前記コンデンサの第２電極は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュールに搭載可能な回路ブロック。
【請求項10】
請求項８において、
前記第２回路素子は、ゲートドライバーを有し、
前記ゲートドライバーの制御入力端子は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記ゲートドライバーの出力端子は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュールに搭載可能な回路ブロック。
前記第２回路素子は、ゲートドライバーを有し、
前記ゲートドライバーの制御入力端子は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記ゲートドライバーの出力端子は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュールに搭載可能な回路ブロック。
【請求項11】
請求項８において、
前記第２回路素子は、第３スイッチング素子を有し、
前記第３スイッチング素子の第１電極は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記第３スイッチング素子の第２電極は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュールに搭載可能な回路ブロック。
前記第２回路素子は、第３スイッチング素子を有し、
前記第３スイッチング素子の第１電極は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記第３スイッチング素子の第２電極は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュールに搭載可能な回路ブロック。
【請求項12】
請求項８において、
前記第２回路素子は、過電流検出回路を有し、
前記過電流検出回路の第１端子は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記過電流検出回路の第２端子は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュールに搭載可能な回路ブロック。
前記第２回路素子は、過電流検出回路を有し、
前記過電流検出回路の第１端子は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記過電流検出回路の第２端子は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュールに搭載可能な回路ブロック。
【請求項13】
回路ブロック交換可能なパワーモジュールに、請求項８から１２のいずれか一項に記載の回路ブロックを前記第１接続ピン及び前記第２接続ピンによって電気的に接続する工程（ａ）と、
前記工程（ａ）に記載の回路ブロックの前記第２回路素子を調整する工程（ｂ）と、
前記工程（ｂ）によって調整された第２回路素子を有する回路ブロックを、前記第１接続ピン及び前記第２接続ピンによって前記工程（ａ）に記載のパワーモジュールに電気的に接続する工程（ｃ）と、
を有することを特徴とする回路定数の調整方法。
前記工程（ａ）に記載の回路ブロックの前記第２回路素子を調整する工程（ｂ）と、
前記工程（ｂ）によって調整された第２回路素子を有する回路ブロックを、前記第１接続ピン及び前記第２接続ピンによって前記工程（ａ）に記載のパワーモジュールに電気的に接続する工程（ｃ）と、
を有することを特徴とする回路定数の調整方法。
【請求項14】
回路ブロック交換可能なパワーモジュールに、請求項８から１２のいずれか一項に記載の回路ブロックを前記第１接続ピン及び前記第２接続ピンによって電気的に接続する工程（ａ）と、
前記パワーモジュール上で前記回路ブロックを第２樹脂により封止する工程（ｂ）と、
を有することを特徴とするパワーモジュールの製造方法。
前記パワーモジュール上で前記回路ブロックを第２樹脂により封止する工程（ｂ）と、
を有することを特徴とするパワーモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、パワーモジュール、パワーモジュールに搭載可能な回路ブロック、回路定数の調整方法及びパワーモジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来のパワーモジュールは、例えばパワー半導体、回路部品（回路ブロック）、放熱板、絶縁材、基板、絶縁用樹脂等から構成されている。具体的な従来のパワーモジュールは、チップ状態のパワー半導体と回路部品を最短距離で接続し、絶縁機能を持ったコンパクトな電力変換回路を構成することができる。
【0003】
しかし、従来のパワーモジュールは、基板を絶縁用樹脂で覆うため、内部の回路ブロックを変更してパワーモジュールの回路定数と定格を決定するための試行錯誤をすることが容易ではない。
【0004】
このような試行錯誤は、パワーモジュールが元々持っている接続端子で行うことが可能な場合もあるが、高周波の流れる回路部品を接続端子経由で実施しても、内部基板上の回路部品の接続位置と接続端子までの距離による寄生インダクタンスが加わるため、最適な回路定数を求めることが困難である。
【0005】
また、顧客毎に異なる回路定数のパワーモジュールが必要な場合に、回路ブロックを変更することが容易ではない。
なお、従来のパワーモジュールに関連する技術が特許文献１に記載されている。
なお、従来のパワーモジュールに関連する技術が特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２０１４－７２３１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明の種々の態様は、寄生インダクタンスに対する回路定数の設定を容易にしたパワーモジュールを提供することを目的とする。
また、本発明の種々の態様は、回路ブロックを変更するだけで、顧客毎に回路定数の異なるパワーモジュールを提供することを目的とする。
また、本発明の種々の態様は、回路ブロックを変更するだけで、顧客毎に回路定数の異なるパワーモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
以下に本発明の種々の態様について説明する。
【0009】
［１］絶縁基板と、
前記絶縁基板上に配置され、第１回路素子を有するモジュール内部回路と、
前記絶縁基板上に配置され、前記第１回路素子の一方端に電気的に接続された第１導電部と、
前記絶縁基板上に配置され、前記第１回路素子の他方端に電気的に接続された第２導電部と、
前記第１導電部における前記第１回路素子の一方端側に位置し、前記第１導電部に一端が接合された第１接続ピンと、
前記第２導電部における前記第１回路素子の他方端側に位置し、前記第２導電部に一端が接合された第２接続ピンと、
前記モジュール内部回路、前記第１導電部、前記第２導電部、前記第１接続ピンの一端側、及び、前記第２接続ピンの一端側を封止した第１樹脂と、
前記第１回路素子に交換可能に電気的に接続された回路ブロックと、
を含み、
前記回路ブロックは、第２回路素子を有し、
前記第１接続ピンの他端側及び前記第２接続ピンの他端側は、前記第１樹脂から突出され、
前記回路ブロックは、前記第１接続ピン及び前記第２接続ピンにより接続されることを特徴とするパワーモジュール。
前記絶縁基板上に配置され、第１回路素子を有するモジュール内部回路と、
前記絶縁基板上に配置され、前記第１回路素子の一方端に電気的に接続された第１導電部と、
前記絶縁基板上に配置され、前記第１回路素子の他方端に電気的に接続された第２導電部と、
前記第１導電部における前記第１回路素子の一方端側に位置し、前記第１導電部に一端が接合された第１接続ピンと、
前記第２導電部における前記第１回路素子の他方端側に位置し、前記第２導電部に一端が接合された第２接続ピンと、
前記モジュール内部回路、前記第１導電部、前記第２導電部、前記第１接続ピンの一端側、及び、前記第２接続ピンの一端側を封止した第１樹脂と、
前記第１回路素子に交換可能に電気的に接続された回路ブロックと、
を含み、
前記回路ブロックは、第２回路素子を有し、
前記第１接続ピンの他端側及び前記第２接続ピンの他端側は、前記第１樹脂から突出され、
前記回路ブロックは、前記第１接続ピン及び前記第２接続ピンにより接続されることを特徴とするパワーモジュール。
【0010】
［２］上記［１］において、
前記第２回路素子の一方端は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続され、
前記第２回路素子の他方端は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続され、
前記回路ブロックは、前記パワーモジュール上で第２樹脂により封止されていることを特徴とするパワーモジュール。
前記第２回路素子の一方端は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続され、
前記第２回路素子の他方端は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続され、
前記回路ブロックは、前記パワーモジュール上で第２樹脂により封止されていることを特徴とするパワーモジュール。
【0011】
［３］上記［１］又は［２］において、
前記第２回路素子は、コンデンサと抵抗を有し、
前記抵抗の一端は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記抵抗の他端は前記コンデンサの第１電極に電気的に接続され、前記コンデンサの第２電極は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュール。
前記第２回路素子は、コンデンサと抵抗を有し、
前記抵抗の一端は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記抵抗の他端は前記コンデンサの第１電極に電気的に接続され、前記コンデンサの第２電極は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュール。
【0012】
［４］上記［３］において、
前記第１回路素子は、第１スイッチング素子、第２スイッチング素子、第３導電部及び第４導電部を有し、
前記第１スイッチング素子の一方端は前記第１導電部に電気的に接続され、前記第１スイッチング素子の他方端は前記第２導電部に電気的に接続され、前記第２導電部は前記第３導電部に電気的に接続され、前記第３導電部は前記第２スイッチング素子の一方端に電気的に接続され、前記第２スイッチング素子の他方端は前記第４導電部に電気的に接続されていることを特徴とするパワーモジュール。
前記第１回路素子は、第１スイッチング素子、第２スイッチング素子、第３導電部及び第４導電部を有し、
前記第１スイッチング素子の一方端は前記第１導電部に電気的に接続され、前記第１スイッチング素子の他方端は前記第２導電部に電気的に接続され、前記第２導電部は前記第３導電部に電気的に接続され、前記第３導電部は前記第２スイッチング素子の一方端に電気的に接続され、前記第２スイッチング素子の他方端は前記第４導電部に電気的に接続されていることを特徴とするパワーモジュール。
【0013】
［５］上記［１］又は［２］において、
前記第２回路素子は、ゲートドライバーを有し、
前記第２接続ピンの一端は前記第１回路素子の制御端子に電気的に接続され、
前記ゲートドライバーの制御入力端子は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記ゲートドライバーの出力端子は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュール。
前記第２回路素子は、ゲートドライバーを有し、
前記第２接続ピンの一端は前記第１回路素子の制御端子に電気的に接続され、
前記ゲートドライバーの制御入力端子は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記ゲートドライバーの出力端子は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュール。
【0014】
［６］上記［１］又は［２］において、
前記第２回路素子は、第３スイッチング素子を有し、
前記第２接続ピンの一端は前記第１回路素子の制御端子に電気的に接続され、
前記第３スイッチング素子の第１電極は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記第３スイッチング素子の第２電極は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュール。
前記第２回路素子は、第３スイッチング素子を有し、
前記第２接続ピンの一端は前記第１回路素子の制御端子に電気的に接続され、
前記第３スイッチング素子の第１電極は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記第３スイッチング素子の第２電極は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュール。
【0015】
［７］上記［１］又は［２］において、
前記第１回路素子は、抵抗、ホール素子及びカレントトランスを備えた電流検出回路を有し、
前記第２回路素子は、過電流検出回路を有し、
前記第１接続ピンの一端は前記電流検出回路の第１端子に電気的に接続され、前記第２接続ピンの一端は前記電流検出回路の第２端子に電気的に接続され、
前記過電流検出回路の第１端子は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記過電流検出回路の第２端子は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュール。
前記第１回路素子は、抵抗、ホール素子及びカレントトランスを備えた電流検出回路を有し、
前記第２回路素子は、過電流検出回路を有し、
前記第１接続ピンの一端は前記電流検出回路の第１端子に電気的に接続され、前記第２接続ピンの一端は前記電流検出回路の第２端子に電気的に接続され、
前記過電流検出回路の第１端子は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記過電流検出回路の第２端子は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュール。
【0016】
［８］第１接続ピン及び第２接続ピンそれぞれの他端が突出した、回路ブロック交換可能なパワーモジュールに電気的に接続される回路ブロックであり、
前記回路ブロックは第２回路素子を有し、
前記第２回路素子の一方端は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、
前記第２回路素子の他方端は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュールに搭載可能な回路ブロック。
前記回路ブロックは第２回路素子を有し、
前記第２回路素子の一方端は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、
前記第２回路素子の他方端は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュールに搭載可能な回路ブロック。
【0017】
［９］上記［８］において、
前記第２回路素子は、コンデンサと抵抗を有し、
前記抵抗の一端は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記抵抗の他端は前記コンデンサの第１電極に電気的に接続され、前記コンデンサの第２電極は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュールに搭載可能な回路ブロック。
前記第２回路素子は、コンデンサと抵抗を有し、
前記抵抗の一端は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記抵抗の他端は前記コンデンサの第１電極に電気的に接続され、前記コンデンサの第２電極は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュールに搭載可能な回路ブロック。
【0018】
［１０］上記［８］において、
前記第２回路素子は、ゲートドライバーを有し、
前記ゲートドライバーの制御入力端子は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記ゲートドライバーの出力端子は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュールに搭載可能な回路ブロック。
前記第２回路素子は、ゲートドライバーを有し、
前記ゲートドライバーの制御入力端子は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記ゲートドライバーの出力端子は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュールに搭載可能な回路ブロック。
【0019】
［１１］上記［８］において、
前記第２回路素子は、第３スイッチング素子を有し、
前記第３スイッチング素子の第１電極は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記第３スイッチング素子の第２電極は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュールに搭載可能な回路ブロック。
前記第２回路素子は、第３スイッチング素子を有し、
前記第３スイッチング素子の第１電極は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記第３スイッチング素子の第２電極は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュールに搭載可能な回路ブロック。
【0020】
［１２］上記［８］において、
前記第２回路素子は、過電流検出回路を有し、
前記過電流検出回路の第１端子は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記過電流検出回路の第２端子は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュールに搭載可能な回路ブロック。
前記第２回路素子は、過電流検出回路を有し、
前記過電流検出回路の第１端子は前記第１接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成され、前記過電流検出回路の第２端子は前記第２接続ピンの他端に電気的に接続可能に構成されていることを特徴とするパワーモジュールに搭載可能な回路ブロック。
【0021】
［１３］回路ブロック交換可能なパワーモジュールに、請求項８から１２のいずれか一項に記載の回路ブロックを前記第１接続ピン及び前記第２接続ピンによって電気的に接続する工程（ａ）と、
前記工程（ａ）に記載の回路ブロックの前記第２回路素子を調整する工程（ｂ）と、
前記工程（ｂ）によって調整された第２回路素子を有する回路ブロックを、前記第１接続ピン及び前記第２接続ピンによって前記工程（ａ）に記載のパワーモジュールに電気的に接続する工程（ｃ）と、
を有することを特徴とする回路定数の調整方法。
前記工程（ａ）に記載の回路ブロックの前記第２回路素子を調整する工程（ｂ）と、
前記工程（ｂ）によって調整された第２回路素子を有する回路ブロックを、前記第１接続ピン及び前記第２接続ピンによって前記工程（ａ）に記載のパワーモジュールに電気的に接続する工程（ｃ）と、
を有することを特徴とする回路定数の調整方法。
【0022】
［１４］回路ブロック交換可能なパワーモジュールに、請求項８から１２のいずれか一項に記載の回路ブロックを前記第１接続ピン及び前記第２接続ピンによって電気的に接続する工程（ａ）と、
前記パワーモジュール上で前記回路ブロックを第２樹脂により封止する工程（ｂ）と、
を有することを特徴とするパワーモジュールの製造方法。
前記パワーモジュール上で前記回路ブロックを第２樹脂により封止する工程（ｂ）と、
を有することを特徴とするパワーモジュールの製造方法。
【発明の効果】
【0023】
本発明の種々の態様によれば、寄生インダクタンスに対する回路定数の設定を容易にしたパワーモジュールを提供することができる。
また、本発明の種々の態様によれば、回路ブロックを変更するだけで、顧客毎に回路定数の異なるパワーモジュールを提供することができる。
また、本発明の種々の態様によれば、回路ブロックを変更するだけで、顧客毎に回路定数の異なるパワーモジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図1】（Ａ）は、本発明の一態様に係るパワーモジュール２１を模式的に示す斜視図、（Ｂ）は、（Ａ）に示すパワーモジュール２１及びそのパワーモジュール２１に接続される回路ブロック１９を示す断面図である。
【図2】（Ａ）は、モジュール内部回路を示す図であり、（Ｂ）は、モジュール内部回路と回路ブロックとの接続関係を説明する模式図である。
【図3】（Ａ）は、図１（Ａ）に示すパワーモジュール２０に図１（Ｂ）に示す回路ブロック１９を取り付けた後に回路ブロック１９を第２樹脂３１で封止した状態を示す斜視図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に示す回路ブロック１９が第２樹脂３１で封止された状態を示す断面図である。
【図4】モジュール内部回路１３ａであって、スイッチング回路の電源ラインのデカップリングコンデンサとダンパー抵抗を示す回路図である。
【図5】（Ａ）は、回路ブロック１９がモジュール内部回路１３ｂに接続される構成を説明するための模式的な回路図、（Ｂ）は、モジュール内部回路１３ｂであって、ゲートドライバーを示す回路図である。
【図6】過電流検出時のフェイルセーフの回路図である。
【発明を実施するための形態】
【0025】
以下では、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【0026】
図１（Ａ）は、本発明の一態様に係るパワーモジュール２１を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示すパワーモジュール２１及びそのパワーモジュール２１に接続される回路ブロック１９を示す断面図である。
【0027】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すパワーモジュール２０は絶縁基板１１を有する。絶縁基板１１上には、図２（Ａ）、（Ｂ）に示す第１回路素子１２を有するモジュール内部回路１３が配置されている。第１回路素子１２は第１スイッチング素子（例えばＭＯＳＦＥＴ）である。
【0028】
絶縁基板上１１上には第１導電部１４が配置されており、第１導電部１４は第１スイッチング素子１２の一方端１２ａに電気的に接続されている。図２（Ｂ）に示すように、第１導電部１４は、例えば銅クリップにより形成されている。
【0029】
絶縁基板１１上には第２導電部１５が配置されており、第２導電部１５は第１スイッチング素子１２の他方端１２ｂに電気的に接続されている。第２導電部１５は、例えば銅パターンにより形成されている。なお、図２（Ｂ）に示す参照符号１２ａ、１２ｂは接続ピンの位置を示している。
【0030】
図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第１接続ピン１６の一端１６ａは第１スイッチング素子１２もしくは第１導電部１４に接合されており、その接合部は第１導電部１４における第１スイッチング素子１２の一方端１２ａ側に位置している。つまり、第１接続ピン１６の一端１６ａは、第１導電部１４における第１スイッチング素子１２の一方端１２ａ側に接合されている。
【0031】
また、第１接続ピン１６の一端１６ａと第１導電部１４との接合方法は、はんだ付け又は溶接による接合を用いることができる。また、接合ではなく、第１接続ピン１６が第１導電部１４と一体化して形成されてもよい。
【0032】
第２接続ピン１７の一端１７ａは第２導電部１５に接合されており、その接合部は第２導電部１５における第１スイッチング素子１２の他方端１２ｂ側に位置している。つまり、第２接続ピン１７の一端１７ａは、第２導電部１５における第１スイッチング素子１２の他方端１２ｂ側に接合されている。
【0033】
また、第２接続ピン１７の一端１７ａと第２導電部１５との接合方法は、はんだ付け又は溶接による接合を用いることができる。また、接合ではなく、第２接続ピン１７が第２導電部１５と一体化して形成されてもよい。
【0034】
モジュール内部回路１３、第１導電部１４、第２導電部１５、第１接続ピン１６の一端１６ａ側、及び、第２接続ピン１７の一端１７ａ側は、図１（Ａ）、（Ｂ）に示す第１樹脂１８により封止されている。
【0035】
なお、第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７の各々は、導電性のある材料（例えば銅などの金属）により形成されているとよい。また、第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７の各々の形状は、丸い棒状、四角い棒状などであるとよく、図１では直線形状の接続ピンを示しているが、曲げられている部分があっても良い。
【0036】
【0037】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、回路ブロック１９は、第１スイッチング素子１２に交換可能に電気的に接続されている。別言すれば、パワーモジュール２０は、交換可能に接続された回路ブロック１９を有している。
【0038】
【0039】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第１接続ピン１６の他端１６ｂ側及び第２接続ピン１７の他端１７ｂ側は、第１樹脂１８から突出されている。
【0040】
回路ブロック１９は、第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７により接続される。
【0041】
本実施形態による回路ブロック交換可能なパワーモジュールによれば、モジュール内部回路１３の第１回路素子１２である第１スイッチング素子１２の一方端１２ａに電気的に接続された第１接続ピン１６及び第１スイッチング素子１２の他方端１２ｂに電気的に接続された第２接続ピン１７それぞれの他端１６ｂ，１７ｂ側は前記第１樹脂１８から突出している。そのため、第２回路素子２１を有する回路ブロック１９を用意することで、第１樹脂１８から突出した第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７によって回路ブロックの第２回路素子２１を容易にパワーモジュールの第１スイッチング素子１２に電気的に接続できる。第２回路素子２１を調整した回路ブロック１９を複数用意することで、パワーモジュールの回路定数を決定するための試行錯誤が容易になる。図２に示すように、第１導電部１４の第１スイッチング素子１２の一方端１２ａ側に位置する部分に第１接続ピン１６の一端１６ａを接合し、第２導電部１５の第１スイッチング素子１２の他方端１２ｂ側に位置する部分に第２接続ピン１７の一端１７ａを接合することで、第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７を第１スイッチング素子１２と最短距離になるように設置する。これにより、寄生インダクタンスを低減できる。このような第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７によって回路ブロック１９の第２回路素子２１と第１スイッチング素子１２を接続するため、低減した寄生インダクタンスに対する回路定数の設定が可能となる。
【0042】
図２（Ｂ）に示すように、第２回路素子２１の一方端２１ａは第１接続ピン１６の他端１６ｂに電気的に接続されている。
【0043】
第２回路素子２１の他方端２１ｂは第２接続ピン１７の他端１７ｂに電気的に接続されている。なお、図２（Ｂ）に示す参照符号２１ａ、２１ｂは接続ピンの位置を示している。
【0044】
図３（Ａ）は、図１（Ａ）に示すパワーモジュール２０に図１（Ｂ）に示す回路ブロック１９を取り付けた後に回路ブロック１９を第２樹脂３１で封止した状態を示す斜視図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示す回路ブロック１９が第２樹脂３１で封止された状態を示す断面図である。
【0045】
第１接続ピン１６の他端１６ｂと第２回路素子２１の一方端２１ａとの接続方法は、回路ブロック１９をパワーモジュール２０から交換可能とする場合、ソケット５１ａ，５１ｂを用いることができる。ソケット５１ａは第１接続ピン１６の他端１６ｂ側が挿入され、ソケット５１ｂは第２接続ピン１７の他端１７ｂ側が挿入されるようになっている（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）参照）。また、回路定数の設定等が終了した後であって、回路ブロック１９を交換する必要がない場合は、第１接続ピン１６の他端１６ｂと第２回路素子２１の一方端２１ａとの接合方法は、はんだ付け又は溶接による接合を用いることができる。また、接合ではなく、第１接続ピン１６の他端１６ｂが回路ブロック１９と一体化して形成されてもよい。
【0046】
回路ブロック１９は、パワーモジュール２０上で第２樹脂３１により封止されている（図３参照）。
【0047】
本実施形態のパワーモジュールによれば、寄生インダクタンスに対する好適な回路定数を設定できた回路ブロック１９をパワーモジュール２０の第１回路素子１２に電気的に接続し、その回路ブロック１９をパワーモジュール２０上で第２樹脂により封止することで、顧客毎に違った回路定数のパワーモジュールを提供できる。
【0048】
図２（Ａ）は、モジュール内部回路１３であって、３相インバータのＣＲスナバを示す回路図である。図２（Ｂ）は、回路ブロック１９がモジュール内部回路１３に接続される構成を説明するための模式的な回路図である。図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第２回路素子２１は、コンデンサ３２と抵抗３３を有している。
【0049】
図２（Ｂ）に示すように、抵抗３３の一端は第１接続ピン１６の他端１６ｂに電気的に接続可能に構成されている。この抵抗３３の他端はコンデンサ３２の第１電極に電気的に接続されている。このコンデンサ３２の第２電極は第２接続ピン１７の他端１７ｂに電気的に接続可能に構成されている。
【0050】
本実施形態によれば、ＣＲスナバのコンデンサ３２及び抵抗３３を有する回路ブロック１９を用意することで、図１に示す第１樹脂１８から突出した第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７によって回路ブロック１９のコンデンサ３２及び抵抗３３を容易にパワーモジュールの第１スイッチング素子１２に電気的に接続することができる。コンデンサ３２及び抵抗３３を調整した回路ブロック１９を複数用意することで、パワーモジュールの回路定数を決定するための試行錯誤が容易になる。また、第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７によって回路ブロック１９のコンデンサ３２及び抵抗３３と第１スイッチング素子１２を接続するため、低減した寄生インダクタンスに対する回路定数の設定が可能となる。
【0051】
図４は、モジュール内部回路１３ａであって、スイッチング回路の電源ラインのデカップリングコンデンサとダンパー抵抗を示す回路図である。図４に示す第１回路素子１２ｄは、第１スイッチング素子３４及び第２スイッチング素子３５と、図２（Ｂ）に示す第３導電部３６及び第４導電部３７を有している。
【0052】
第１スイッチング素子３４の一方端は、図２（Ｂ）に示すように、第１導電部１４に電気的に接続され、第１スイッチング素子３４の他方端は第２導電部１５に電気的に接続されている。第２導電部１５は第３導電部３６に電気的に接続されている。第３導電部３６は第２スイッチング素子３５の一方端に電気的に接続され、第２スイッチング素子３５の他方端は第４導電部３７に電気的に接続されている。なお、第１導電部１４及び第３導電部３６それぞれは、例えば銅クリップにより形成されている。また、第２導電部１５及び第４導電部３７それぞれは、例えば銅パターンにより形成されている。
【0053】
本実施形態によれば、デカップリングコンデンサ３２ａ及びダンパー抵抗３３ａを有する回路ブロック１９を用意することで、図１に示す第１樹脂１８から突出した第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７によって回路ブロック１９のデカップリングコンデンサ３２ａ及びダンパー抵抗３３ａを容易にパワーモジュールの第１スイッチング素子３４及び第２スイッチング素子３５に電気的に接続することができる。デカップリングコンデンサ３２ａ及びダンパー抵抗３３ａを調整した回路ブロック１９を複数用意することで、パワーモジュールの回路定数を決定するための試行錯誤が容易になる。また、第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７によって回路ブロック１９のデカップリングコンデンサ３２ａ及びダンパー抵抗３３ａと第１スイッチング素子３４及び第２スイッチング素子３５を接続するため、低減した寄生インダクタンスに対する回路定数の設定が可能となる。
【0054】
図５（Ａ）は、回路ブロック１９がモジュール内部回路１３ｂに接続される構成を説明するための模式的な回路図である。図５（Ｂ）は、モジュール内部回路１３ｂであって、ゲートドライバーを示す回路図である。第２回路素子２１は、ゲートドライバー３８を有している。
【0055】
図５（Ａ）に示すように、第２接続ピン１７の一端１７ａは第１スイッチング素子１２の制御端子１２ｃに電気的に接続されている。
【0056】
ゲートドライバー３８の制御入力端子３９は第１接続ピン１６の他端１６ｂに電気的に接続可能に構成されている。ゲートドライバー３８の出力端子４０は第２接続ピン１７の他端１７ｂに電気的に接続可能に構成されている。
【0057】
本実施形態によれば、ゲートドライバー３８を有する回路ブロック１９を用意することで、図１に示す第１樹脂１８から突出した第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７によって回路ブロック１９のゲートドライバー３８を容易にパワーモジュールの第１スイッチング素子１２に電気的に接続することができる。ゲートドライバー３８を調整した回路ブロック１９を複数用意することで、パワーモジュールの回路定数を決定するための試行錯誤が容易になる。また、第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７によって回路ブロック１９のゲートドライバー３８と第１スイッチング素子１２を接続するため、低減した寄生インダクタンスに対する回路定数の設定が可能となる。
【0058】
図６は、過電流検出時のフェイルセーフの回路図である。第２回路素子２１は、第３スイッチング素子としてのバイポーラトランジスタ４１を有している。
【0059】
第２接続ピン１７の一端は第１回路素子としての第１スイッチング素子１２の制御端子に電気的に接続されている。
【0060】
第３スイッチング素子としてのバイポーラトランジスタ４１の第１電極としてのエミッタ電極４３は第１接続ピン１６の他端に電気的に接続可能に構成されている。第３スイッチング素子としてのバイポーラトランジスタ４１の第２電極としてのコレクタ電極４２は第２接続ピン１７の他端に電気的に接続可能に構成されている。
【0061】
図６に示すモジュール内部回路は、抵抗、ホール素子及びカレントトランスを備えた第１回路素子としての電流検出回路４５を有している。
【0062】
第２回路素子２１は、過電流検出回路４４を有している。
【0063】
図１に示す第１接続ピン１６の一端１６ａは電流検出回路４５の第１端子に電気的に接続されており、第２接続ピン１７の一端１７ａは電流検出回路４５の第２端子に電気的に接続されている。
【0064】
過電流検出回路４４の第１端子は、図１に示す第１接続ピン１６の他端１６ｂに電気的に接続可能に構成されている。過電流検出回路４４の第２端子は、図１に示す第２接続ピン１７の他端１７ｂに電気的に接続可能に構成されている。
【0065】
本実施形態によれば、過電流検出回路４４を有する回路ブロック１９を用意することで、図１に示す第１樹脂１８から突出した第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７によって回路ブロック１９の過電流検出回路４４を容易にパワーモジュールの電流検出回路４５に電気的に接続することができる。過電流検出回路４４を調整した回路ブロック１９を複数用意することで、パワーモジュールの回路定数を決定するための試行錯誤が容易になる。また、第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７によって回路ブロック１９の過電流検出回路４４と電流検出回路４５を接続するため、低減した寄生インダクタンスに対する回路定数の設定が可能となる。
【0066】
図１に示すように、回路ブロック１９は、回路ブロック交換可能なパワーモジュール２０に電気的に接続されるものであり、そのパワーモジュール２０は第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７それぞれの他端１６ｂ，１７ｂが突出している。
【0067】
【0068】
第２回路素子２１の一方端２１ａは、第１接続ピン１６の他端１６ｂに電気的に接続可能に構成されている。
【0069】
第２回路素子２１の他方端２１ｂは前記第２接続ピン１７の他端１７ｂに電気的に接続可能に構成されている。
【0070】
本実施形態によれば、回路ブロック交換可能なパワーモジュール２０を用意する。この回路ブロック交換可能なパワーモジュール２０は、第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７それぞれの他端１６ｂ，１７ｂが突出している。第２回路素子２１を有する回路ブロック１９を用意し、第２回路素子２１の一方端２１ａは第１接続ピン１６の他端１６ａに電気的に接続可能に構成され、第２回路素子２１の他方端２１ｂは第２接続ピン１７の他端１７ｂに電気的に接続可能に構成されている。このような回路ブロック１９は回路ブロック交換可能なパワーモジュール２０に電気的に接続できるため、様々な回路ブロックを準備することができ、顧客毎に異なる回路定数のパワーモジュールを実現できる。
【0071】
図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第２回路素子２１は、コンデンサ３２と抵抗３３を有している。
【0072】
図２（Ｂ）に示すように、抵抗３３の一端は第１接続ピン１６の他端１６ｂに電気的に接続可能に構成されている。この抵抗３３の他端はコンデンサ３２の第１電極に電気的に接続されている。このコンデンサ３２の第２電極は第２接続ピン１７の他端１７ｂに電気的に接続可能に構成されている。
【0073】
本実施形態によれば、ＣＲスナバのコンデンサ３２及び抵抗３３を有する回路ブロック１９を用意することで、図１に示す第１樹脂１８から突出した第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７によって回路ブロック１９のコンデンサ３２及び抵抗３３を容易にパワーモジュールの第１スイッチング素子１２に電気的に接続することができる。コンデンサ３２及び抵抗３３を調整した回路ブロック１９を複数用意することで、パワーモジュールの回路定数を決定するための試行錯誤が容易になる。また、第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７によって回路ブロック１９のコンデンサ３２及び抵抗３３と第１スイッチング素子１２を接続するため、低減した寄生インダクタンスに対する回路定数の設定が可能となる。
【0074】
図５（Ａ）、（Ｂ）に示す第２回路素子２１は、ゲートドライバー３８を有している。
【0075】
ゲートドライバー３８の制御入力端子３９は第１接続ピン１６の他端１６ｂに電気的に接続可能に構成されている。ゲートドライバー３８の出力端子４０は第２接続ピン１７の他端１７ｂに電気的に接続可能に構成されている。
【0076】
本実施形態によれば、ゲートドライバー３８を有する回路ブロック１９を用意することで、図１に示す第１樹脂１８から突出した第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７によって回路ブロック１９のゲートドライバー３８を容易にパワーモジュールの第１スイッチング素子１２に電気的に接続することができる。ゲートドライバー３８を調整した回路ブロック１９を複数用意することで、パワーモジュールの回路定数を決定するための試行錯誤が容易になる。また、第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７によって回路ブロック１９のゲートドライバー３８と第１スイッチング素子１２を接続するため、低減した寄生インダクタンスに対する回路定数の設定が可能となる。
【0077】
図６に示す第２回路素子２１は、第３スイッチング素子としてのバイポーラトランジスタ４１を有している。
【0078】
第３スイッチング素子としてのバイポーラトランジスタ４１の第１電極としてのエミッタ電極４３は第１接続ピン１６の他端に電気的に接続可能に構成されている。第３スイッチング素子としてのバイポーラトランジスタ４１の第２電極としてのコレクタ電極４２は第２接続ピン１７の他端に電気的に接続可能に構成されている。
【0079】
図６に示す第２回路素子２１は、過電流検出回路４４を有している。
【0080】
過電流検出回路４４の第１端子は、図１に示す第１接続ピン１６の他端１６ｂに電気的に接続可能に構成されている。過電流検出回路４４の第２端子は、図１に示す第２接続ピン１７の他端１７ｂに電気的に接続可能に構成されている。
【0081】
本実施形態によれば、過電流検出回路４４を有する回路ブロック１９を用意することで、図１に示す第１樹脂１８から突出した第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７によって回路ブロック１９の過電流検出回路４４を容易にパワーモジュールの電流検出回路４５に電気的に接続することができる。過電流検出回路４４を調整した回路ブロック１９を複数用意することで、パワーモジュールの回路定数を決定するための試行錯誤が容易になる。また、第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７によって回路ブロック１９の過電流検出回路４４と電流検出回路４５を接続するため、低減した寄生インダクタンスに対する回路定数の設定が可能となる。
【0082】
以下に回路定数の調整方法について説明する。
【0083】
まず、回路ブロック交換可能なパワーモジュール２０に、前述した回路ブロック１９を第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７によって電気的に接続する（工程（ａ））。
【0084】
上記の工程（ａ）に記載の回路ブロック１９の第２回路素子２１を調整する（工程（ｂ））。
【0085】
上記の工程（ｂ）によって調整された第２回路素子２１を有する回路ブロック１９を、第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７によって工程（ａ）に記載のパワーモジュール２０に電気的に接続する（工程（ｃ））。
【0086】
上記の回路定数の調整方法によれば、回路ブロック１９の第２回路素子２１を調整する工程（ｂ）を有するため、調整された第２回路素子２１を有する回路ブロック１９を、第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７によって工程（ａ）に記載のパワーモジュール２０に電気的に接続することができる。従って、顧客毎に異なる回路定数のパワーモジュールを提供することができる。
【0087】
以下にパワーモジュールの製造方法について説明する。
【0088】
回路ブロック交換可能なパワーモジュール２０に、請求項３に記載の回路ブロック１９を第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７によって電気的に接続する（工程（ａ））。
【0089】
図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、パワーモジュール２０上で回路ブロック１９を第２樹脂（31）により封止する（工程（ｂ））。
【0090】
上記のパワーモジュールの製造方法によれば、回路ブロック交換可能なパワーモジュール２０に、請求項３に記載の回路ブロック１９を第１接続ピン１６及び第２接続ピン１７によって電気的に接続し、パワーモジュール２０上で回路ブロック１９を第２樹脂（31）により封止する。これにより、顧客毎に異なる回路定数のパワーモジュールが必要な場合でも、回路ブロックの変更だけで済むため、生産調整が容易になり、生産性が向上する。
【符号の説明】
【0091】
１１ 絶縁基板
１２，１２ｄ 第１回路素子
１２ａ 第１回路素子の一方端
１２ｂ 第１回路素子の他方端
１２ｃ 制御端子
１３ モジュール内部回路
１４ 第１導電部
１５ 第２導電部
１６ 第１接続ピン
１６ａ 第１接続ピンの一端
１６ｂ 第１接続ピンの他端
１７ 第２接続ピン
１７ａ 第２接続ピンの一端
１７ｂ 第２接続ピンの他端
１８ 第１樹脂
１９ 回路ブロック
２０ パワーモジュール
２１ 第２回路素子
２１ａ 第２回路素子の一方端
２１ｂ 第２回路素子の他方端
３１ 第２樹脂
３２，３２ａ コンデンサ
３３，３３ａ 抵抗
３４ 第１スイッチング素子
３５ 第２スイッチング素子
３６ 第３導電部
３７ 第４導電部
３８ ゲートドライバー
３９ 制御入力端子
４０ ゲートドライバーの出力端子
４１ 第３スイッチング素子
４２ 第３スイッチング素子の第２電極
４３ 第３スイッチング素子の第１電極
４４ 過電流検出回路
４５ 電流検出回路
１２，１２ｄ 第１回路素子
１２ａ 第１回路素子の一方端
１２ｂ 第１回路素子の他方端
１２ｃ 制御端子
１３ モジュール内部回路
１４ 第１導電部
１５ 第２導電部
１６ 第１接続ピン
１６ａ 第１接続ピンの一端
１６ｂ 第１接続ピンの他端
１７ 第２接続ピン
１７ａ 第２接続ピンの一端
１７ｂ 第２接続ピンの他端
１８ 第１樹脂
１９ 回路ブロック
２０ パワーモジュール
２１ 第２回路素子
２１ａ 第２回路素子の一方端
２１ｂ 第２回路素子の他方端
３１ 第２樹脂
３２，３２ａ コンデンサ
３３，３３ａ 抵抗
３４ 第１スイッチング素子
３５ 第２スイッチング素子
３６ 第３導電部
３７ 第４導電部
３８ ゲートドライバー
３９ 制御入力端子
４０ ゲートドライバーの出力端子
４１ 第３スイッチング素子
４２ 第３スイッチング素子の第２電極
４３ 第３スイッチング素子の第１電極
４４ 過電流検出回路
４５ 電流検出回路
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】