特開 2022-163818出願番号 特願 2021-68880
炭化珪素半導体装置の製造方法
公報発行日 2022年10月27
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2022-163818 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】良品率を向上させることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】炭化珪素からなる半導体ウェハのエピタキシャル層の結晶欠陥の種類、大きさ、位置を検出する。次に、所定の素子構造が形成されて半導体ウェハから個片化された個々の半導体チップから、半導体ウェハの結晶欠陥の位置情報に基づいて、結晶欠陥を含まない半導体チップと、拡張欠陥（フランク型欠陥、キャロット型欠陥）のみを含む半導体チップと、を良品候補として選別し、異物欠陥および三角欠陥を含む半導体チップを不良チップとして除去する。次に、すべての良品候補の半導体チップについて電気特性を検査する。次に、予め取得した良品規格に基づいて、すべての良品候補の半導体チップの規格判定を行い、良品となる半導体チップを選別する。
【選択図】図４
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、良品率を向上させることができ、チップコストを低減させることができるという効果を奏する。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
選択図 図4出願人が指定した本件の代表的な図
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