特開 2022-163949 電子部品のウエハ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022163949

(43)【公開日】2022-10-27

(54)【発明の名称】電子部品のウエハ

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/12 20100101AFI20221020BHJP

【ＦＩ】

H01L33/12

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021069105

(22)【出願日】2021-04-15

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】武政 健一

(72)【発明者】

【氏名】山田 一幸

(72)【発明者】

【氏名】浅田 圭介

(72)【発明者】

【氏名】磯野 大樹

【テーマコード（参考）】

5F241

【Ｆターム（参考）】

5F241AA40

5F241CA75

5F241CA77

(57)【要約】

【課題】容易に平坦化することが可能な電子部品のウエハを提供する。
【解決手段】第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有するサファイア基板と、前記第１面側に位置する複数の電子部品と、を備え、前記サファイア基板は、隣り合う前記電子部品の間に位置する溝部を有し、前記溝部は、平面視で直線状に延出している、電子部品のウエハ。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有するサファイア基板と、
前記第１面側に位置する複数の電子部品と、を備え、
前記サファイア基板は、隣り合う前記電子部品の間に位置する溝部を有し、
前記溝部は、平面視で直線状に延出している、電子部品のウエハ。

【請求項2】

前記溝部は、前記第１面に形成されている、請求項１に記載の電子部品のウエハ。

【請求項3】

前記溝部は、前記第２面に形成されている、請求項１に記載の電子部品のウエハ。

【請求項4】

前記サファイア基板は、外周縁を有し、
前記溝部は、前記外周縁まで延出している、請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子部品のウエハ。

【請求項5】

前記溝部は、第１方向に延出し前記第１方向と交差する第２方向に並んだ複数の第１溝部と、第２方向に延出し前記第１方向に並んだ複数の第２溝部と、を有し、
前記電子部品は、平面視で、隣り合う２本の前記第１溝部と、隣り合う２本の前記第２溝部とによって囲まれている、請求項１乃至４の何れか１項に記載の電子部品のウエハ。

【請求項6】

前記サファイア基板は、前記第１面に形成された複数の突起部を有し、
前記溝部の深さは、前記突起部の高さより大きい、請求項１乃至５の何れか１項に記載の電子部品のウエハ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、電子部品のウエハに関する。

【背景技術】

【0002】

一般に、自発光素子である発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を用いたＬＥＤ表示装置が知られているが、近年では、より高精細化した表示装置として、マイクロＬＥＤと称される微小なダイオード素子を用いた表示装置が開発されている。このマイクロＬＥＤ表示装置は、従来の液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置とは異なり、表示領域にチップ状の多数のマイクロＬＥＤが実装されて形成されるため、高精細化と大型化の両立が容易であり、次世代の表示装置として注目されている。

【0003】

チップ状の多数のマイクロＬＥＤを表示領域に実装する方法としては、レーザーリフトオフ（ＬＬＯ：Ｌａｓｅｒ Ｌｉｆｔ Ｏｆｆ）を利用した方法が知られている。複数のマイクロＬＥＤは、表示領域に実装される前にはサファイア基板上に形成されている。しかしながら、ＬＬＯによってマイクロＬＥＤをサファイア基板から剥離する際に、サファイア基板に反りが生じている場合、レーザー光が所望の位置に照射されない恐れがある。これを解消するために、サファイア基板の全面を押し付けて、サファイア基板の反りを平坦化する方法が知られている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１９－８３２８０号公報

【特許文献2】米国特許第１０７７０４２６号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本実施形態の目的は、容易に平坦化することが可能な電子部品のウエハを提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本実施形態によれば、第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有するサファイア基板と、前記第１面側に位置する複数の電子部品と、を備え、前記サファイア基板は、隣り合う前記電子部品の間に位置する溝部を有し、前記溝部は、平面視で直線状に延出している、電子部品のウエハが提供される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、表示装置の構成を概略的に示す斜視図である。

【図2】図２は、回路基板の構成を概略的に示す断面図である。

【図3】図３は、ウエハの構成を概略的に示す断面図である。

【図4】図４は、本実施形態に係る実装方法の第１工程を示す図である。

【図5】図５は、本実施形態に係る実装方法の第２工程を示す図である。

【図6】図６は、本実施形態に係る実装方法の第３工程を示す図である。

【図7】図７は、本実施形態に係る実装方法の第４工程を示す図である。

【図8】図８は、本実施形態に係る実装方法の第５工程を示す図である。

【図9】図９は、本実施形態に係るウエハを示す平面図である。

【図10】図１０は、ウエハの変形例を示す断面図である。

【図11】図１１は、サファイア基板の詳細な構成を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0009】

図１は、表示装置ＤＳＰの構成を概略的に示す斜視図である。
本明細書においては、図示したように第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、第３方向Ｚを定義する。第２方向Ｙは、第１方向Ｘに対して垂直な方向であり、第３方向Ｚは、第１方向Ｘ、第２方向Ｙに対して垂直な方向である。第１方向Ｘと第２方向Ｙは、垂直に交わっているが、垂直以外の角度で交わってもよい。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端に向かう方向を「上」と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を「下」と称する。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰや製造装置などを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。

【0010】

本明細書においては、電子部品として、表示装置ＤＳＰに用いるＬＥＤチップ（発光素子）を一例として説明する。
以下、本明細書においては、表示装置ＤＳＰが自発光素子であるマイクロＬＥＤを用いたマイクロＬＥＤ表示装置である場合について説明する。
図１に示すように、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、プリント回路基板ＰＣＢ１及びＰＣＢ２、及び、駆動ＩＣチップ２を備えている。

【0011】

表示パネルＰＮＬは、一例では矩形状である。図示した例では、表示パネルＰＮＬの短辺ＥＸは第１方向Ｘと平行であり、表示パネルＰＮＬの長辺ＥＹは第２方向Ｙと平行である。第３方向Ｚは、表示パネルＰＮＬの厚さ方向に相当する。表示パネルＰＮＬの主面は、第１方向Ｘと第２方向Ｙとにより規定されるＸ－Ｙ平面に平行である。表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの外側の非表示領域ＮＤＡと、を有している。図示した例では、非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡを囲んでいる。表示パネルＰＮＬは、非表示領域ＮＤＡに端子領域ＭＴを有している。端子領域ＭＴは、表示パネルＰＮＬの短辺ＥＸに沿って設けられ、表示パネルＰＮＬを外部装置などと電気的に接続するための端子を含んでいる。

【0012】

表示領域ＤＡは、画像を表示する領域であり、例えばマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、発光素子（マイクロＬＥＤ）及び発光素子を駆動するためのスイッチング素子などを含んでいる。

【0013】

プリント回路基板ＰＣＢ１は、端子領域ＭＴの上に実装され、表示パネルＰＮＬと電気的に接続されている。プリント回路基板ＰＣＢ１は、例えばフレキシブルプリント回路基板である。プリント回路基板ＰＣＢ２は、例えばプリント回路基板ＰＣＢ１の下方においてプリント回路基板ＰＣＢ１と接続されている。プリント回路基板ＰＣＢ２は、例えばリジットなプリント回路基板である。

【0014】

駆動ＩＣチップ２は、プリント回路基板ＰＣＢ１上に実装されている。なお、駆動ＩＣチップ２は、プリント回路基板ＰＣＢ１の下に実装されてもよいし、表示パネルＰＮＬの非表示領域ＮＤＡに実装されてもよいし、プリント回路基板ＰＣＢ２に実装されてもよい。駆動ＩＣチップ２は、例えばプリント回路基板ＰＣＢ１及びＰＣＢ２を介して図示しない制御基板と接続されている。駆動ＩＣチップ２は、制御基板から出力される映像信号に基づいて、複数の画素ＰＸを駆動し表示パネルＰＮＬに画像を表示する制御を実行する。

【0015】

以下では、上記した表示パネルＰＮＬのベース基板となる回路基板ＣＢに対して発光素子ＬＥＤを実装する方法を説明する。より詳しくは、図３に示すウエハＷＦから発光素子ＬＥＤをレーザーリフトオフ（ＬＬＯ）により剥離して、図２に示す回路基板ＣＢに実装する方法について説明する。

【0016】

まず、図２及び図３を参照して、回路基板ＣＢ及びウエハＷＦの構成について説明する。

【0017】

図２は、回路基板ＣＢの構成を概略的に示す断面図である。
回路基板ＣＢは、絶縁基板１０、複数の端子部１１、及び、複数の接合部材１２を備えている。本実施形態の回路基板ＣＢにおいては、例えばガラス基板である絶縁基板１０上に、発光素子を駆動するためのスイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成されている。回路基板ＣＢは、バックプレーン基板、ＴＦＴ基板、アレイ基板などと称されることもある。

【0018】

絶縁基板１０は、面１０Ａと、面１０Ａの反対側の面１０Ｂと、を有している。図示を省略しているが、絶縁基板１０上には、発光素子ＬＥＤを駆動するためのスイッチング素子や各種配線パターンが形成されている。

【0019】

複数の端子部１１は、絶縁基板１０の面１０Ａ側に位置している。１つの端子部１１は、１組の第１電極１１Ａ及び第２電極１１Ｂによって構成されている。端子部１１は、例えば、表示装置ＤＳＰに実装される発光素子ＬＥＤと同数だけ形成されている。端子部１１は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）などの金属材料、及び、これらの金属材料の積層体で形成されている。１組の第１電極１１Ａ及び第２電極１１Ｂのうち少なくとも１つは、１つの画素ＰＸのスイッチング素子に接続されている。

【0020】

複数の接合部材１２は、それぞれ端子部１１の上に配置されている。１つの接合部材１２は、１組の第１接合部材１２Ａ及び第２接合部材１２Ｂによって構成されている。第１接合部材１２Ａは、第１電極１１Ａの上に位置している。第２接合部材１２Ｂは、第２電極１１Ｂの上に位置している。接合部材１２は、端子部１１と、後述する発光素子ＬＥＤの端子部２２とを接合するための部材である。詳細については後述するが、接合部材１２は、４００ｎｍ～３０００ｎｍの波長帯のレーザー光が照射されると、レーザーアブレーションにより加熱・溶融する金属材料で形成されており、例えばＳｎ（スズ）、Ａｇ（銀）などの金属材料で形成されている。接合部材１２は、半田部材と称されてもよい。また、図示した例では、接合部材１２は端子部１１に設けられているが、後述する発光素子ＬＥＤの端子部２２に設けられていてもよい。

【0021】

図３は、ウエハＷＦの構成を概略的に示す断面図である。
ウエハＷＦは、サファイア基板２０、及び、複数の発光素子（電子部品）ＬＥＤを備えている。サファイア基板２０は、面（第１面）２０Ａと、面２０Ａの反対側の面（第２面）２０Ｂと、を有している。サファイア基板２０は、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）で形成されている。

【0022】

複数の発光素子ＬＥＤは、サファイア基板２０の面２０Ａ側に位置している。発光素子ＬＥＤは、発光層２１及び端子部２２を備えている。

【0023】

発光層２１は、図示しない剥離層を介してサファイア基板２０の面２０Ａに固着されている。端子部２２は、発光層２１の上に配置されている。１つの端子部２２は、１組の第１電極２２Ａ及び第２電極２２Ｂによって構成されている。第１電極２２Ａ及び第２電極２２Ｂは、一方がアノード電極に相当し、もう一方がカソード電極に相当する。端子部２２は、回路基板ＣＢ側に配置された接合部材１２により端子部１１に接合され、端子部１１と電気的に接続される。端子部２２は、バンプと称されてもよい。

【0024】

サファイア基板２０は、溝部ＴＲを有している。図示した例では、溝部ＴＲは、面２０Ａに形成されている。溝部ＴＲは、隣り合う発光素子ＬＥＤの間に位置している。すなわち、溝部ＴＲは、発光素子ＬＥＤと重ならない位置に形成されている。溝部ＴＲは、例えば、エッチング、レーザー加工、カッターなどによる物理的な切削などによって形成される。

【0025】

次に、図４乃至図８を参照して、発光素子ＬＥＤを回路基板ＣＢに実装する実装方法について説明する。以下、本明細書では、上述した回路基板ＣＢ及びウエハＷＦを積層したものをワークＷＫと称することとする。

【0026】

図４は、本実施形態に係る実装方法の第１工程を示す図である。第１工程は、ステージＳＴ上にワークＷＫを載置する工程を示している。なお、回路基板ＣＢの端子部１１及び接合部材１２と、ウエハＷＦの発光素子ＬＥＤとはそれぞれ簡略化した一層として図示している。

【0027】

まず、実装装置１００の構成について説明する。実装装置１００は、ウエハＷＦ上の発光素子ＬＥＤを回路基板ＣＢに実装するための装置である。

【0028】

実装装置１００は、ワークＷＫが載置されるステージＳＴ、加圧ジグ４１、レーザー装置６０、及び、駆動部ＤＲを備えている。
ステージＳＴは、ワークＷＫを支持する支持面ＳＴＡを有している。

【0029】

加圧ジグ４１は、ステージＳＴと第３方向Ｚに対向している。加圧ジグ４１は、ステージＳＴとの間でワークＷＫを加圧するように構成されている。加圧ジグ４１は、支持面ＳＴＡと第３方向Ｚに対向する窓部４１Ａを有している。窓部４１Ａは、例えば透明な材料で形成され、レーザー光を透過する。

【0030】

レーザー装置６０は、第１レーザー光源ＬＳ１、第２レーザー光源ＬＳ２、光学系ＯＳ、及び、レーザーヘッド６０Ａを備えている。第１レーザー光源ＬＳ１は、第１レーザー光ＬＺ１を出射する。第２レーザー光源ＬＳ２は、第２レーザー光ＬＺ２を出射する（図６及び図７参照）。光学系ＯＳは、例えば、第１レーザー光ＬＺ１及び第２レーザー光ＬＺ２の光路を調整するミラーなどを有している。レーザー装置６０は、レーザーヘッド６０Ａから第１レーザー光ＬＺ１及び第２レーザー光ＬＺ２を出射する。

【0031】

駆動部ＤＲは、加圧ジグ４１の駆動を制御する第１駆動部ＤＲ１、及び、レーザー装置６０の駆動を制御する第２駆動部ＤＲ２を備えている。第１駆動部ＤＲ１は、加圧ジグ４１を支持面ＳＴＡに対して垂直方向Ｖに移動させる。ここで垂直方向Ｖは、第３方向Ｚと平行な方向である。第２駆動部ＤＲ２は、レーザー装置６０から第１レーザー光ＬＺ１及び第２レーザー光ＬＺ２を出射させる。また、第２駆動部ＤＲ２は、例えば、レーザーヘッド６０Ａを移動させる。

【0032】

ここで、第１工程について説明する。回路基板ＣＢ及びウエハＷＦが重なって構成されたワークＷＫをステージＳＴと加圧ジグ４１との間に載置する。なお、ワークＷＫをステージＳＴ上に載置した後に加圧ジグ４１をワークＷＫ上に配置してもよい。回路基板ＣＢ及びウエハＷＦは、絶縁基板１０の面１０Ａと、サファイア基板２０の面２０Ａとが対向するように重ねられている。絶縁基板１０の面１０Ｂは、支持面ＳＴＡに接している。サファイア基板２０の面２０Ｂは、加圧ジグ４１と対向している。また、ワークＷＫをステージＳＴ上に載置する際には、回路基板ＣＢとウエハＷＦとの位置合わせが行われる。

【0033】

本実施形態では、ウエハＷＦに反りが生じた場合を想定している。すなわち、回路基板ＣＢとウエハＷＦとの間には、部分的に隙間ＧＰが生じている。図示した例では、隙間ＧＰは、ワークＷＫの周縁部ＣＡに行くほど増大している。一方、ワークＷＫの中央部ＭＡにおいては、回路基板ＣＢとウエハＷＦとは接している。つまり、ワークＷＫの中央部ＭＡにおいては、発光素子ＬＥＤの端子部２２が接合部材１２に接触している。

【0034】

図５は、本実施形態に係る実装方法の第２工程を示す図である。第２工程は、加圧ジグ４１によって、ワークＷＫをステージＳＴ側に加圧する工程を示している。
第１駆動部ＤＲ１は、加圧ジグ４１をステージＳＴ側へ垂直方向Ｖに移動させる。すなわち、第１駆動部ＤＲ１は、加圧ジグ４１でサファイア基板２０を回路基板ＣＢ側に加圧していく。これにより、サファイア基板２０が平坦化される。加圧ジグ４１は、ステージＳＴとの間でワークＷＫを固定している。回路基板ＣＢの端子部１１とウエハＷＦの端子部２２とが重畳した状態でワークＷＫが固定されている。窓部４１Ａは、サファイア基板２０の面２０Ｂに接している。
このように、サファイア基板２０の反りを矯正し回路基板ＣＢとウエハＷＦとを密着させることで、発光素子ＬＥＤを回路基板ＣＢに接合可能な状態にすることができる。

【0035】

サファイア基板２０は剛性の高い材料によって形成されているため、サファイア基板２０を平坦化する際には大きな荷重が必要である。そのため、加圧ジグ４１には、サファイア基板２０を平坦化する荷重に耐えることが可能な材料、かつ、発光素子ＬＥＤの接合・剥離のためのレーザー光を透過させることが可能な材料を用いる必要があり、材料の選定が困難である。

【0036】

本実施形態によれば、サファイア基板２０は、溝部ＴＲを有している。そのため、サファイア基板２０の剛性を低下させることができる。溝部ＴＲと重なる位置においてサファイア基板２０が曲がりやすくなり、サファイア基板２０を平坦化する際に必要な荷重を低減させることができる。これにより、加圧ジグ４１に用いる材料の幅を広げることができる。

【0037】

なお、ウエハＷＦは、溝部ＴＲを有することで、反りの原因となるサファイア基板２０と発光素子ＬＥＤとの間の応力が低減されるため、加圧ジグ４１によって加圧される前に平坦化している場合がある。また、溝部ＴＲの深さや幅は、サファイア基板２０の反りの程度に応じて調整されてもよい。例えば、サファイア基板２０の反りが小さい程、溝部ＴＲの深さや幅を小さくし、サファイア基板２０の反りが大きい程、溝部ＴＲの深さや幅を大きくするなどの調整をしてもよい。

【0038】

図６は、本実施形態に係る実装方法の第３工程を示す図である。第３工程は、第１レーザー光ＬＺ１をワークＷＫに照射する工程を示している。
第２駆動部ＤＲ２は、レーザー装置６０を駆動してレーザーヘッド６０Ａから第１レーザー光ＬＺ１を出射させる。レーザー装置６０は、加圧ジグ４１の窓部４１Ａを通して第１レーザー光ＬＺ１をワークＷＫに照射し、発光素子ＬＥＤを回路基板ＣＢに接合する。すなわち、レーザーアブレーションにより接合部材１２を加熱・溶融させることで、回路基板ＣＢの端子部１１と、ウエハＷＦの端子部２２とが接合される。より具体的には、第１電極２２Ａは、第１接合部材１２Ａによって、第１電極１１Ａに接合される。また、第２電極２２Ｂは、第２接合部材１２Ｂによって、第２電極１１Ｂに接合される。第１レーザー光ＬＺ１の波長帯は、４００ｎｍ～３０００ｎｍである。

【0039】

図７は、本実施形態に係る実装方法の第４工程を示す図である。第４工程は、第２レーザー光ＬＺ２をワークＷＫに照射する工程を示している。
第２駆動部ＤＲ２は、レーザー装置６０を駆動してレーザーヘッド６０Ａから第２レーザー光ＬＺ２を出射させる。レーザー装置６０は、加圧ジグ４１の窓部４１Ａを通して第２レーザー光ＬＺ２をワークＷＫに照射し、サファイア基板２０から発光素子ＬＥＤを剥離する。すなわち、発光素子ＬＥＤをサファイア基板２０に固着している図示しない剥離層はレーザーアブレーションにより昇華しサファイア基板２０から剥離される。第２レーザー光ＬＺ２は、第１レーザー光ＬＺ１とは異なる波長帯を有している。第２レーザー光ＬＺ２の波長帯は、２００ｎｍ～３６６ｎｍである。

【0040】

図８は、本実施形態に係る実装方法の第５工程を示す図である。第５工程は、加圧ジグ４１を移動させる工程を示している。
第１駆動部ＤＲ１は、加圧ジグ４１を垂直方向Ｖに移動させてサファイア基板２０から離間させる。つまり、加圧ジグ４１は、ステージＳＴから離間する側に、垂直方向Ｖに移動する。加圧ジグ４１がワークＷＫから離間したことで、サファイア基板２０の反りの状態が図４に示した状態に戻る。図に示すように、発光素子ＬＥＤは、サファイア基板２０から離間している。

【0041】

図９は、本実施形態に係るウエハＷＦを示す平面図である。
ウエハＷＦの外形は、円状である。つまり、サファイア基板２０の外形は、円状である。なお、ウエハＷＦの平面的な形状はこの例に限らない。複数の発光素子ＬＥＤは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に並んでいる。

【0042】

溝部ＴＲは、平面視で格子状である。溝部ＴＲは、第１方向Ｘに延出し第２方向Ｙに並んだ複数の第１溝部ＴＲ１と、第２方向Ｙに延出し第１方向Ｘに並んだ複数の第２溝部ＴＲ２と、を有している。第１溝部ＴＲ１及び第２溝部ＴＲ２は、それぞれ平面視で直線状に延出している。１つの発光素子ＬＥＤは、平面視で、隣り合う２本の第１溝部ＴＲ１と、隣り合う２本の第２溝部ＴＲ２とによって囲まれている。サファイア基板２０は、外周縁ＰＬを有している。溝部ＴＲは、外周縁ＰＬまで延出している。

【0043】

なお、図示した例では、全ての発光素子ＬＥＤを囲むように第１溝部ＴＲ１及び第２溝部ＴＲ２が形成されているが、第１溝部ＴＲ１は第２方向Ｙに複数個毎の発光素子ＬＥＤを介して形成されていてもよいし、第２溝部ＴＲ２は第１方向Ｘに複数個毎の発光素子ＬＥＤを介して形成されていてもよい。また、サファイア基板２０の反りの程度によって、第１溝部ＴＲ１及び第２溝部ＴＲ２の本数を調整してもよい。例えば、サファイア基板２０の反りが大きい程、第１溝部ＴＲ１及び第２溝部ＴＲ２の本数を多く形成し、サファイア基板２０の反りが小さい程、第１溝部ＴＲ１及び第２溝部ＴＲ２の本数を少なく形成するなどの調整をしてもよい。

【0044】

図１０は、ウエハＷＦの変形例を示す断面図である。図１０に示す構成は、図３に示した構成と比較して、溝部ＴＲが面２０Ｂに形成されている点で相違している。
溝部ＴＲは、隣り合う発光素子ＬＥＤの間に位置している。すなわち、溝部ＴＲは、発光素子ＬＥＤと重ならない位置に形成されている。これにより、上記した第１レーザー光ＬＺ１及び第２レーザー光ＬＺ２を面２０Ｂ側から照射する際に、第１レーザー光ＬＺ１及び第２レーザー光ＬＺ２が発光素子ＬＥＤに到達する前に溝部ＴＲによって拡散されるのを抑制することができる。

【0045】

図１１は、サファイア基板２０の詳細な構成を示す図である。
図１１（ａ）は、ウエハＷＦを示す断面図である。サファイア基板２０は、面２０Ａに形成された複数の微小な突起部ＰＲを有している。このように、複数の微小な突起部ＰＲを有するサファイア基板２０は、例えば、ＰＳＳ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｓａｐｐｈｉｒｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）と称される。突起部ＰＲは、サファイア基板２０の全面に形成されている。突起部ＰＲは、例えば、円錐型、釣鐘型、ドーム型などの形状に形成されている。例えば、溝部ＴＲと突起部ＰＲは、同一工程によって形成されてもよく、その場合、溝部ＴＲと突起部ＰＲはエッチングによって形成される。

【0046】

発光素子ＬＥＤは、突起部ＰＲの上に成膜されることで形成される。発光素子ＬＥＤは、複数の突起部ＰＲと重なっている。発光素子ＬＥＤのサファイア基板２０と接している面ＬＡは、突起部ＰＲの形状に沿った窪みＤＰを有している。発光素子ＬＥＤに複数の窪みＤＰが形成されることにより、発光素子ＬＥＤから発光された光を面ＬＡで散乱・拡散することができる。つまり、発光素子ＬＥＤの正面輝度を向上することができる。

【0047】

突起部ＰＲは、高さＨを有している。高さＨは、突起部ＰＲの頂部ＴＰと隣り合う突起部ＰＲの間の谷間ＶＬの底部ＢＴ１との間の高さに相当する。また、溝部ＴＲは、深さＤを有している。深さＤは、突起部ＰＲの頂部ＴＰと溝部ＴＲの底部ＢＴ２との間の深さに相当する。溝部ＴＲの深さＤは、突起部ＰＲの高さＨより大きい。つまり、底部ＢＴ２は、底部ＢＴ１より面２０Ｂ側に位置している。本実施形態の溝部ＴＲは、隣り合う突起部ＰＲの間に形成される谷間ＶＬとは異なっている。

【0048】

図１１（ｂ）は、発光素子ＬＥＤの面ＬＡを示す平面図である。窪みＤＰは、規則的に並んでいる。窪みＤＰの形成位置は、突起部ＰＲの形成位置と同一であるため、突起部ＰＲも規則的に並んでいる。突起部ＰＲ及び窪みＤＰは、平面視で発光素子ＬＥＤより小さく形成されている。

【0049】

以上説明したように、本実施形態によれば、容易に平坦化することが可能な電子部品のウエハを得ることができる。
なお、本明細書においては、電子部品として発光素子を例に説明したが、本実施形態は発光素子以外の電子部品に対しても適用可能である。

【0050】

また、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0051】

ＷＦ…ウエハ、ＬＥＤ…発光素子、２０Ａ、２０Ｂ…面、２０…サファイア基板、
ＴＲ…溝部、ＰＬ…外周縁、ＴＲ１…第１溝部、ＴＲ２…第２溝部、ＰＲ…突起部、
Ｄ…深さ、Ｈ…高さ。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】