特開 2022-164074 配線基板及び配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022164074

(43)【公開日】2022-10-27

(54)【発明の名称】配線基板及び配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20221020BHJP

   H05K 3/38 20060101ALI20221020BHJP

   C23C 18/32 20060101ALN20221020BHJP

   C23C 18/38 20060101ALN20221020BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 N

H05K3/46 B

H05K3/38 B

C23C18/32

C23C18/38

【審査請求】未請求

【請求項の数】18

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021069307

(22)【出願日】2021-04-15

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】足立 武馬

(72)【発明者】

【氏名】箕浦 大祐

【テーマコード（参考）】

4K022

5E316

5E343

【Ｆターム（参考）】

4K022AA05

4K022AA31

4K022AA41

4K022BA08

4K022BA14

4K022CA02

4K022DA01

5E316AA02

5E316AA32

5E316AA35

5E316AA43

5E316CC04

5E316CC05

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC13

5E316CC32

5E316CC37

5E316DD12

5E316DD17

5E316DD25

5E316EE33

5E316FF07

5E316FF10

5E316FF15

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG22

5E316GG27

5E316GG28

5E316HH40

5E343AA02

5E343AA15

5E343AA16

5E343AA17

5E343BB24

5E343BB44

5E343CC48

5E343DD25

5E343DD33

5E343DD43

5E343EE52

5E343EE56

5E343GG01

(57)【要約】

【課題】配線基板の品質向上。
【解決手段】実施形態の配線基板１００は、第１導体層１１と、第１導体層１１の上に形成されている絶縁層２２と、絶縁層２２の上に形成されている第２導体層と、絶縁層２２を貫通して第１導体層１１と第２導体層とを接続する接続導体４と、第１導体層１１の表面に形成されていて第１導体層１１と絶縁層２２との密着性を向上させる被覆膜５と、を備えている。第１導体層１１は、接続導体４と接する導体パッド１ａを含み、導体パッド１ａにおける第２導体層側の表面１ａ０は、互いに異なる面粗度を有する第１領域１ａａと第２領域１ａｂとを有し、第１領域１ａａは被覆膜５に覆われており、第２領域１ａｂは接続導体４に覆われている。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１導体層と、
前記第１導体層の上に形成されている絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成されている第２導体層と、
前記絶縁層を貫通して前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する接続導体と、
前記第１導体層の表面に形成されていて前記第１導体層と前記絶縁層との密着性を向上させる被覆膜と、
を備える配線基板であって、
前記第１導体層は、前記接続導体と接する導体パッドを含み、
前記導体パッドにおける前記第２導体層側の表面は、互いに異なる面粗度を有する第１領域と第２領域とを有し、
前記第１領域は前記被覆膜に覆われており、
前記第２領域は前記接続導体に覆われている。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記第２領域は前記第１領域に囲まれている。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板であって、前記第２領域の幅は、前記導体パッドとの界面における前記接続導体の幅の７０％以上、１３０％以下である。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板であって、前記被覆膜は前記第２領域の全部を露出させている。

【請求項5】

請求項４記載の配線基板であって、前記接続導体は、前記第２領域の全部を覆っている。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板であって、前記第２領域の面粗度は前記第１領域の面粗度よりも低い。

【請求項7】

請求項６記載の配線基板であって、前記第１領域は、前記第２領域に隣接している第１部分と、前記第１部分を囲んでいて前記第１部分の面粗度よりも高い面粗度を有する第２部分と、を含んでいる。

【請求項8】

請求項７記載の配線基板であって、前記接続導体は、前記第２領域の全部及び前記第１領域の前記第１部分の全部を覆っている。

【請求項9】

請求項６記載の配線基板であって、
前記第１導体層は、さらに、前記被覆膜に覆われている配線パターンを含み、
前記配線パターンの表面は、前記第１領域の面粗度よりも低い第１面粗度を有している。

【請求項10】

請求項９記載の配線基板であって、前記第２領域は、前記第１面粗度よりも低い面粗度を有する第３部分を含んでいる。

【請求項11】

請求項９記載の配線基板であって、前記第２領域は、前記第１面粗度と略同じ面粗度を有する第４部分を含んでいる。

【請求項12】

請求項９記載の配線基板であって、前記第２領域は、前記第１面粗度よりも低い面粗度を有する第３部分と、前記第３部分を囲んでいて前記第１面粗度と略同じ面粗度を有する第４部分と、を含んでいる。

【請求項13】

導体パッドを有する第１導体層を第１絶縁層上に形成することと、
前記第１導体層の露出面を粗化することと、
前記第１導体層を覆う被覆膜を設けることと、
前記第１導体層及び前記被覆膜の上に第２絶縁層を形成することと、
前記第２絶縁層の上に第２導体層を形成することと、
前記第２絶縁層を貫通して前記導体パッドと前記第２導体層とを接続する接続導体を形成することと、
を含んでいる配線基板の製造方法であって、
前記第１導体層の露出面を粗化することは、前記導体パッドにおける前記第１絶縁層側と反対側の表面に、互いに異なる面粗度を有する第１領域と第２領域とを設けることを含み、
前記被覆膜を設けることは前記被覆膜で前記第１領域を覆うことを含み、
前記接続導体を形成することは前記接続導体で前記第２領域を覆うことを含んでいる。

【請求項14】

請求項１３記載の配線基板の製造方法であって、前記第２領域は前記第１領域よりも低い面粗度を有するように設けられる。

【請求項15】

請求項１３記載の配線基板の製造方法であって、
前記接続導体を形成することは、前記第２領域を露出させる貫通孔を前記第２絶縁層に形成することをさらに含み、
前記貫通孔は、前記第２領域の幅が、前記貫通孔における前記導体パッド側の開口幅の７０％以上、１３０％以下になるように形成される。

【請求項16】

請求項１５記載の配線基板の製造方法であって、
前記貫通孔を形成することは、前記被覆膜のうちの前記第２領域を覆っている部分を除去することを含んでいる。

【請求項17】

請求項１５記載の配線基板の製造方法であって、前記貫通孔を形成することは、前記第２領域の全部を前記貫通孔内に露出させることを含んでいる。

【請求項18】

請求項１３記載の配線基板の製造方法であって、前記接続導体は、前記第２領域の全部を覆うように形成される。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、プリント配線板に関し、低粗化又は無粗化の金属配線層の表面に化成皮膜が形成され、この化成皮膜を介して金属配線層上に絶縁樹脂層が形成されることが、開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１８－１７２７５９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示の方法によるプリント配線板では、プリント配線板の製造時や使用時に加わり得るストレスによって金属配線層と樹脂絶縁層との間で界面剥離が生じることがある。その結果、プリント配線板の品質劣化を招くことがある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、第１導体層と、前記第１導体層の上に形成されている絶縁層と、前記絶縁層の上に形成されている第２導体層と、前記絶縁層を貫通して前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する接続導体と、前記第１導体層の表面に形成されていて前記第１導体層と前記絶縁層との密着性を向上させる被覆膜と、を備えている。そして、前記第１導体層は、前記接続導体と接する導体パッドを含み、前記導体パッドにおける前記第２導体層側の表面は、互いに異なる面粗度を有する第１領域と第２領域とを有し、前記第１領域は前記被覆膜に覆われており、前記第２領域は前記接続導体に覆われている。

【0006】

本発明の配線基板の製造方法は、導体パッドを有する第１導体層を第１絶縁層上に形成することと、前記第１導体層の露出面を粗化することと、前記第１導体層を覆う被覆膜を設けることと、前記第１導体層及び前記被覆膜の上に第２絶縁層を形成することと、前記第２絶縁層の上に第２導体層を形成することと、前記第２絶縁層を貫通して前記導体パッドと前記第２導体層とを接続する接続導体を形成することと、を含んでいる。そして、前記第１導体層の露出面を粗化することは、前記導体パッドにおける前記第１絶縁層側と反対側の表面に、互いに異なる面粗度を有する第１領域と第２領域とを設けることを含み、前記被覆膜を設けることは前記被覆膜で前記第１領域を覆うことを含み、前記接続導体を形成することは前記接続導体で前記第２領域を覆うことを含んでいる。

【0007】

本発明の実施形態によれば、配線パターンに所望される特性及び配線パターンと絶縁層との密着性を確保し、しかも、導体層同士を接続する接続導体と接する導体パッドと絶縁層との界面剥離などによる配線基板の品質劣化を抑制し得ることがある。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】本発明の一実施形態における第１導体層の導体パターンの一例を示す平面図。

【図3】図１のIII部の拡大図。

【図4A】図１のIVＡ部の拡大図。

【図4B】図４Ａの導体パッドの平面図。

【図5A】本発明の一実施形態における導体パッドの面粗度の他の例を示す断面図。

【図5B】本発明の一実施形態における導体パッドの面粗度のさらに他の例を示す断面図。

【図6】本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。

【図7A】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の工程の一例を示す断面図。

【図7B】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の工程の一例を示す断面図。

【図7C】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の工程の一例を示す断面図。

【図7D】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の工程の一例を示す断面図。

【図7E】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の工程の一例を示す断面図。

【図7F】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の工程の一例を示す断面図。

【図7G】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の工程の一例を示す断面図。

【図7H】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の工程の一例を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１は一実施形態の配線基板の一例である配線基板１００を示す断面図であり、図２は、配線基板１００の第１導体層１１の一部の導体パターンの一例を示す平面図である。図１には図２のＩ－Ｉ線に重なる切断線での断面図が示されている。なお、配線基板１００は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。実施形態の配線基板の積層構造、並びに、導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１００の積層構造、並びに配線基板１００に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。

【0010】

図１に示されるように、配線基板１００は、コア基板３と、コア基板３におけるその厚さ方向において対向する２つの主面（第１面３ａ及び第２面３ｂ）それぞれの上に交互に積層されている絶縁層及び導体層を含んでいる。コア基板３は、絶縁層３２と、絶縁層３２の両面それぞれの上に形成されている導体層３１とを含んでいる。

【0011】

なお、実施形態の説明では、配線基板１００の厚さ方向において絶縁層３２から遠い側は「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、絶縁層３２に近い側は「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、絶縁層３２と反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層３２側を向く表面は「下面」とも称される。

【0012】

配線基板１００は、コア基板３の第１面３ａの上に、絶縁層２１（第１絶縁層）、第１導体層１１、絶縁層２２（第２絶縁層）、及び第２導体層１２を備えている。絶縁層２１はコア基板３の第１面３ａを覆っている。第１導体層１１は絶縁層２１の表面２１ａ上に形成されており、絶縁層２２は絶縁層２１及び第１導体層１１の上に形成されている。そして、第２導体層１２は絶縁層２２の上に形成されている。配線基板１００は、さらに、コア基板３の第２面３ｂの上に交互に積層されている２つの絶縁層２３及び２つの導体層１３を備えている。配線基板１００は、さらに、各絶縁層を貫通し、各絶縁層を介して隣接する導体層同士を接続する接続導体３３及び接続導体４を備えている。接続導体３３はコア基板３の絶縁層３２に含まれている、所謂スルーホール導体である。接続導体４は、順次ビルドアップされる絶縁層２１～２３それぞれに形成されている、所謂ビア導体である。例えば絶縁層２２に形成されている接続導体４は、第１導体層１１と第２導体層１２とを接続している。

【0013】

絶縁層２２及び第２導体層１２の上には、ソルダーレジスト６が形成されている。コア基板３の第２面３ｂ側の最表層にもソルダーレジスト６が形成されている。ソルダーレジスト６には、第２導体層１２又は導体層１３の一部を露出させる開口６ａが設けられている。ソルダーレジスト６は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などで形成される。

【0014】

絶縁層２１～２３、及び絶縁層３２は、任意の絶縁性樹脂によって形成される。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などが例示される。図１の例では、絶縁層３２は、ガラス繊維やアラミド繊維などで形成される芯材（補強材）３２ａを含んでいる。図１には示されていないが、絶縁層３２以外の各絶縁層も、ガラス繊維などからなる芯材を含み得る。各絶縁層は、さらに、シリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ、又はムライトなどの微粒子からなる無機フィラー（図示せず）を含み得る。

【0015】

第１及び第２の導体層１１、１２、導体層１３、及び導体層３１、並びに、接続導体４及び接続導体３３は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。図１の例において、導体層３１は、金属箔３１ａ、金属膜３１ｂ、及びめっき膜３１ｃを含んでいる。接続導体３３は、導体層３１と一体的に形成されていて、金属膜３１ｂ及びめっき膜３１ｃによって構成されている。一方、第１及び第２の導体層１１、１２、及び導体層１３、並びに接続導体４は、それぞれ、金属膜１０ｂ及びめっき膜１０ｃによって構成されている。各接続導体４は、それぞれの上側で接続する各導体層と一体的に形成されている。めっき膜３１ｃ、１０ｃは、例えば電解めっき膜である。金属膜３１ｂ及び金属膜１０ｂは、例えば無電解めっき膜又はスパッタリング膜であり、それぞれ、めっき膜３１ｃ及びめっき膜１０ｃが電解めっきで形成される際の給電層として機能する。各導体層は、それぞれ、所定の導体パターンを含んでいる。第１導体層１１は、導体パッド１ａを含んでいる。図１及び図２の例では、第１導体層１１は、さらに、配線パターン１ｂ及び導体パターン１ｃを含んでいる。

【0016】

導体パッド１ａは、絶縁層２２を貫通する接続導体４と接している。すなわち、導体パッド１ａは、その上に接続導体４が形成される導体パッドであり、絶縁層２２を貫通する接続導体４に対する、所謂受けパッドである。図１の例では、絶縁層２１を貫通する接続導体４と絶縁層２２を貫通する接続導体４とが積み重なるように形成されており、所謂スタックビア導体が形成されている。導体パッド１ａは、絶縁層２１を貫通する接続導体４（ビア導体）の所謂ビアパッドとして設けられている。

【0017】

配線パターン１ｂは、任意の電気信号の伝送や電力の供給に用いられる導電路として機能する導体パターンである。配線パターン１ｂは、絶縁層２１を向く表面以外の表面を絶縁層２２に覆われている。配線パターン１ｂは、例えば電気信号の所定の送信元と送信先とを単独で又は他の導体パターンと連携して接続していてもよく、電力の所定の給電元と給電先とを接続していてもよい。配線パターン１ｂは、例えば数ＧＨｚを超えるような高周波信号の伝送路であってもよい。図２に示されるように、図１の例の２つの配線パターン１ｂは、第１導体層１１内の２つの導体パッド１ｄ同士を接続している。

【0018】

導体パターン１ｃは、導体パッド１ａ及び配線パターン１ｂが形成されていない領域に広がる平板状の形体を有する導体パターンである。導体パターン１ｃは、第１導体層１１において導体パターン１ｃ以外の配線や接続パッドなどの導体が形成されない領域を略埋め尽くすように設けられる所謂ベタパターンであってもよい。導体パターン１ｃは、例えば、グランド電位又は特定の電源の電位が印加されるグランドプレーン又は電源プレーンとして用いられる。

【0019】

図１では省略されているが、図２に示されるように、配線基板１００は、さらに、第１導体層１１における絶縁層２１と反対側の表面、及び絶縁層２１の表面２１ａに形成されている被覆膜５を備えている。すなわち、第１導体層１１における第２導体層１２側の表面及び絶縁層２１の表面２１ａは、被覆膜５に覆われている。第１導体層１１の各導体パターンのうち、配線パターン１ｂは全面的に被覆膜５に覆われている。図２の例では、導体パターン１ｃも略全面的に被覆膜５に覆われている。一方、導体パッド１ａは、部分的に被覆膜５に覆われている。被覆膜５は、導体パッド１ａ上に開口５ａを有しており、開口５ａの周囲の部分で導体パッド１ａを覆っている。

【0020】

図３には、図１のIII部の拡大図が示されている。図４Ａには、図３の一部を含む図１のIVＡ部の拡大図が示され、図４Ｂには、図４Ａに示される導体パッド１ａの平面図が示されている。図３並びに図４Ａ及び図４Ｂを参照して、導体パッド１ａにおける第２導体層１２側の表面である表面１ａ０の面粗度が、被覆膜５と共に詳述される。

【0021】

図３に示されるように、被覆膜５は、第１導体層１１の表面及び絶縁層２１の表面２１ａに形成されており、第１導体層１１又は絶縁層２１と、絶縁層２２との間に介在している。被覆膜５は、第１導体層１１と絶縁層２２との密着性を向上させる。被覆膜５は、例えば、絶縁層２２を構成する樹脂などの有機材料、及び第１導体層１１を構成する金属などの無機材料の両方と結合し得る材料によって形成される。被覆膜５は、例えば、有機材料と化学結合し得る反応基及び無機材料と化学結合し得る反応基の両方を含む材料によって形成される。そのため、被覆膜５に覆われている第１導体層１１の各導体パターンと絶縁層２２とが十分な強度で密着する。被覆膜５の材料としては、トリアゾール化合物などのアゾールシラン化合物を含むシランカップリング剤が例示される。なお、被覆膜５の材料は、第１導体層１１の上に絶縁層２２が直接形成される場合と比べて、第１導体層１１と絶縁層２２との密着強度を高め得るものであればよく、シランカップリング剤に限定されない。

【0022】

図３に示されるように、本実施形態では、配線パターン１ｂの表面のうちの絶縁層２２と向かい合っている表面１ｂ１（以下、単に「表面１ｂ１」とも称される）は、被覆膜５に覆われている。図３の例では、導体パターン１ｃの表面のうちの絶縁層２２と向かい合う表面１ｃ１（以下、単に「表面１ｃ１」とも称される）も被覆膜５に覆われている。従って、被覆膜５がない場合と比べて配線パターン１ｂ及び導体パターン１ｃと絶縁層２２との密着性が高められている。従って、配線パターン１ｂや導体パターン１ｃからの絶縁層２２の浮きや剥離が生じ難いと考えられる。

【0023】

被覆膜５は、導体パッド１ａを部分的に覆っている。具体的には、導体パッド１ａの表面のうちの絶縁層２２と向かい合っている領域が被覆膜５に覆われている。導体パッド１ａと絶縁層２２との間には被覆膜５が介在しているので、導体パッド１ａ上においても、絶縁層２２の浮きや剥離が生じ難いと考えられる。

【0024】

一方、導体パッド１ａの表面１ａ０の内方部（中央部）は、被覆膜５に覆われずに被覆膜５の開口５ａ内に露出している。表面１ａ０における開口５ａ内の部分は接続導体４に覆われている。すなわち、導体パッド１ａの表面１ａ０のうちの被覆膜５に覆われていない部分において、接続導体４と導体パッド１ａとが接続されている。そのため、被覆膜５を構成する例えばシランカップリング剤のような有機材料を介さずに、導体パッド１ａを構成する銅などの金属と接続導体４を構成する銅などの金属とが直接接している。従って、導体パッド１ａと接続導体４との界面において金属同士による機械的に強固で電気的抵抗の小さい接合が得られていると考えられる。

【0025】

先に参照された図１では省略されているが、図３に示されるように、導体パッド１ａ、配線パターン１ｂ、及び導体パターン１ｃそれぞれの表面のうちの絶縁層２２と向かい合っている表面は、凹凸を有し得る。配線パターン１ｂの表面１ｂ１上の凹凸の高低差は、導体パッド１ａの表面１ａ０の一部（例えば被覆膜５に被覆されている部分）の凹凸の高低差よりも小さく、表面１ｂ１は比較的低い面粗度（第１面粗度）を有している。

【0026】

一般に、面粗度の高い表面を有する配線パターンでは、高周波信号の伝送において、表皮効果の影響による実質的なインピーダンスの増加によって伝送特性が低下することがある。また、例えば１０μｍ／１０μｍ（配線幅／配線間隔）程度以下のファインな配線パターンでは、その表面が高度に粗化されると、設計上の配線幅や厚さに対して粗化後に所望の寸法が得られないことがある。これに対して本実施形態では、配線パターン１ｂの表面１ｂ１は、比較的低い面粗度、少なくとも導体パッド１ａの表面１ａ０の一部よりも低い面粗度を有しているので、高い面粗度に起因する高周波伝送特性の低下などの問題が生じ難いと考えられる。

【0027】

一方、比較的低い面粗度の表面を有する導体層とその表面上に形成される絶縁層との間に得られる所謂アンカー効果の作用は比較的小さいので、導体層と絶縁層との剥離が生じ易いことがある。しかし本実施形態の配線パターン１ｂの表面１ｂ１は被覆膜５に覆われているので、配線パターン１ｂと絶縁層２２との間の剥離は生じ難いと考えられる。図３の例では、導体パターン１ｃの表面１ｃ１は、配線パターン１ｂの表面１ｂ１上の凹凸の高低差と同程度の高低差の凹凸を有しており、表面１ｂ１の面粗度と略同じ面粗度を有している。導体パターン１ｃにおいても良好な高周波伝送特性が得られると考えられる。

【0028】

図３及び図４Ａに示されるように、導体パッド１ａの表面１ａ０における中央部よりも外側の領域の凹凸の高低差は、配線パターン１ｂの表面１ｂ１が有する凹凸の高低差よりも大きい。すなわち、導体パッド１ａの表面１ａ０は、配線パターン１ｂの表面１ｂ１が有する第１面粗度よりも高い面粗度を有する領域（第１領域１ａａ）を有しており、第１面粗度は第１領域１ａａの面粗度よりも低い。第１領域１ａａは、第１面粗度よりも高い面粗度を有するように粗化されている。第１領域１ａａは例えばマイクロエッチングなどによって粗化されている。

【0029】

図３及び図４Ａの例において第１領域１ａａは被覆膜５に部分的に覆われている。第１領域１ａａは、図４Ａに示されるように、開口５ａにおいて被覆膜５から露出している第１部分１ａ１と、被覆膜５に覆われている第２部分１ａ２とを含んでいる。第１部分１ａ１は、絶縁層２２にも覆われずに接続導体４に覆われている。一方、被覆膜５に覆われている第２部分１ａ２は、被覆膜５を介して絶縁層２２にも覆われている。図４Ａの例において第１部分１ａ１と第２部分１ａ２は互いに異なる面粗度を有している。第２部分１ａ２は、第１部分１ａ１の面粗度よりも高い面粗度（第２面粗度）を有している。第２部分１ａ２上の凹凸の凹部は被覆膜５で充填されている。

【0030】

導体パッド１ａの表面１ａ０は、さらに、第１領域１ａａよりも内方側に、配線パターン１ｂの表面１ｂ１が有する凹凸の高低差以下の高低差の凹凸を有する領域を含んでいる。すなわち、表面１ａ０は、第１領域１ａａに加えて、配線パターン１ｂの表面１ｂ１が有する第１面粗度と略同じか、第１面粗度よりも低い面粗度を有する領域（第２領域１ａｂ）を有している。このように本実施形態では、導体パッド１ａの表面１ａ０は、互いに異なる面粗度を有する第１領域１ａａと第２領域１ａｂとを有している。第１領域１ａａは比較的高い面粗度を有し、第２領域１ａｂは比較的低い面粗度を有する。第２領域１ａｂの面粗度は第１領域１ａａの面粗度よりも低い。第２領域１ａｂ、並びに、配線パターン１ｂの表面１ｂ１（及び導体パターン１ｃの表面１ｃ１）は、これら各表面のために積極的に設けられた工程で粗化されていなくてもよい。第２領域１ａｂ並びに表面１ｂ１（及び表面１ｃ１）の凹凸は、めっき膜１０ｃの粒界やめっき膜１０ｃの形成時のめっきレジストの表面の凹凸によって生じていてもよい。

【0031】

図３及び図４Ａの例では、導体パッド１ａの第２領域１ａｂは、配線パターン１ｂの表面１ｂ１が有する第１面粗度よりも低い面粗度を有する部分（第３部分）を含んでいる。具体的には、第２領域１ａｂ全体が第１面粗度よりも低い面粗度を有している。なお、図３及び図４Ａでは、配線パターン１ｂの表面１ｂ１の面粗度との違いを示すべく第２領域１ａｂが平坦に描かれているが、第２領域１ａｂは平坦面でなくてもよく、第１面粗度以下の任意の面粗度に応じた凹凸を有し得る。また本実施形態の配線基板１００において第２領域１ａｂ全体が、配線パターン１ｂの表面１ｂ１の面粗度（第１面粗度）と略同じ面粗度を有していてもよく、第２領域１ａｂが第１面粗度と略同じ面粗度を有する部分（第４部分）を含んでいてもよい。

【0032】

図３及び図４Ａの例では、導体パッド１ａの表面１ａ０のうちの第２部分１ａ２以外の部分は開口５ａ内に位置している。従って、被覆膜５は、導体パッド１ａの表面１ａ０のうちの第２領域１ａｂの全部、及び、第１領域１ａａの第１部分１ａ１の全部を、開口５ａに露出させている。接続導体４は、その開口５ａ全体に渡って形成されているので、導体パッド１ａの第２領域１ａｂ、及び第１領域１ａａの第１部分１ａ１それぞれの全部を覆っている。第１部分１ａ１上の凹凸の凹部、及び、第２領域１ａｂ上の図示されていない凹凸の凹部は、接続導体４を構成する金属膜１０ｂで充填されている。

【0033】

図４Ａ及び図４Ｂに示されるように、導体パッド１ａの表面１ａ０において第２領域１ａｂは第１領域１ａａに囲まれている。第１領域１ａａは、第２領域１ａｂよりも表面１ａ０の縁部側に位置していて、平面視における全方位において第２領域１ａｂを囲んでいる。第１領域１ａａは、ゼロよりも大きい幅Ｗ１を有している。すなわち、導体パッド１ａの表面１ａ０において、第２領域１ａｂと導体パッド１ａの外縁との間には、第１領域１ａａが介在している。なお「平面視」は、配線基板１００をその厚さ方向に沿う視線に沿って視ることを意味している。

【0034】

導体パッド１ａの第１領域１ａａの第１部分１ａ１は、第２部分１ａ２よりも内方に位置していて第２領域１ａｂと隣接している。一方、第２部分１ａ２は、平面視において接続導体４を囲むと共に、第１部分１ａ１を囲んでいる。第２部分１ａ２は、平面視における全方位において第１部分１ａ１を囲んでいる。すなわち、導体パッド１ａの表面１ａ０において、第１部分１ａ１と、導体パッド１ａの外縁との間には、第１部分１ａ１の面粗度よりも高い面粗度（第２面粗度）を有している第２部分１ａ２が介在している。同様に、導体パッド１ａの表面１ａ０において、接続導体４と導体パッド１ａの外縁との間には、比較的高い面粗度を有する第１領域１ａａが介在しており、特に、第１部分１ａ１の面粗度よりも高い第２面粗度を有している第２部分１ａ２が介在している。

【0035】

実施形態の配線基板１００では、導体パッド１ａの表面１ａ０の第１領域１ａａが比較的高い面粗度を有するように粗化されている。第１領域１ａａは、平面視で接続導体４を囲んでいる。そのため、「ハローイング」とも称される導体パッド１ａと絶縁層２２との間の剥離が抑制されると考えられる。具体的には、導体パッド１ａと絶縁層２２との界面への意図せぬ液体の浸入が、比較的高い面粗度を有する第１領域１ａａの凹凸によって防がれる。その結果、そのような液体の浸入によって引き起こされ得る導体パッド１ａと絶縁層２２との剥離が抑制されることがある。

【0036】

詳述すると、配線基板１００の製造工程では、接続導体４の形成のために絶縁層２２に設けられた貫通孔４ａの内壁が、各種の処理溶液やめっき液になどに晒されることがある。そしてそれらの液体が、貫通孔４ａの内壁から導体パッド１ａと絶縁層２２との界面に浸入し、導体パッド１ａと絶縁層２２との剥離を引き起こすことがある。しかし本実施形態では、導体パッド１ａの表面１ａ０は、貫通孔４ａと導体パッド１ａの外縁との間に、第１領域１ａａ（図３及び図４Ａの例では第１領域１ａａのうちの第２部分１ａ２）を有している。そのため、導体パッド１ａと絶縁層２２との剥離を引き起こし得る意図せぬ液体の浸入が、比較的高い面粗度を有する導体パッド１ａの第１領域１ａａの凹凸によって防がれる。図３などの例では、そのような液体の浸入が、第１領域１ａａのうちの第２面粗度を有する第２部分１ａ２の凹凸によって防がれる。

【0037】

さらに本実施形態では、第１導体層１１を覆う被覆膜５の溶解による品質の劣化が生じ難いと考えられる。前述したように、配線基板１００の製造工程では、絶縁層２２に設けられた貫通孔４ａの内壁は各種の液体に晒され得る。その液体が導体パッド１ａと絶縁層２２との界面に浸入すると、浸入した液体が被覆膜５を溶解させることがある。その場合、被覆膜５が貫通孔４ａ内に溶出して接続導体４と導体パッド１ａとの接続不良を引き起こしたり、被覆膜５の溶解箇所において第１導体層１１と絶縁層２２との剥離が発生したりすることがある。しかし本実施形態では、そのような被覆膜５の溶解をもたらし得る意図せぬ液体の浸入が、比較的高い面粗度を有する導体パッド１ａの第１領域１ａａの凹凸によって防がれる。従って被覆膜５が溶解し難い。すなわち、第１導体層１１と絶縁層２２とが剥離し難い。また、貫通孔４ａ内への被覆膜５の溶出による接続導体４と導体パッド１ａとの接続不良も生じ難い。

【0038】

加えて本実施形態では、導体パッド１ａの表面１ａ０が、第１領域１ａａよりも内側に、比較的低い面粗度を有する第２領域１ａｂを有しているので、絶縁層２２と導体パッド１ａとの剥離がさらに生じ難いと考えられる。詳述すると、導体パッド１ａの表面１ａ０は、その面粗度に応じた放射率を有していて、高い面粗度を有するほど高い放射率を有し得る。換言すると、導体パッド１ａの表面１ａ０は、高い面粗度を有しているほど、レーザー光などの電磁波から高度に吸熱し、その結果、導体パッド１ａの温度が上昇する。

【0039】

一方、接続導体４を形成するための貫通孔４ａは、後述されるように、例えばレーザー光を照射することによって形成され得る。レーザー光は、接続導体４の受けパッドである導体パッド１ａの表面１ａ０の中央部に向けて照射される。従って、導体パッド１ａの表面１ａ０の全面が第１領域１ａａのような比較的高い面粗度を有していると、導体パッド１ａの温度が上昇し易い。その結果、被覆膜５と絶縁層２２との間の熱膨張率の違いによって被覆膜５と絶縁層２２との間で界面剥離が生じることがある。

【0040】

しかし本実施形態では、導体パッド１ａの表面１ａ０は、比較的高い第２面粗度を有する第１領域１ａａの内側に、比較的低い面粗度を有する第２領域１ａｂを備えている。そのため、貫通孔４ａの形成のためにレーザー光のような電磁波が導体パッド１ａに向けて照射されても、表面１ａ０の全面が第１領域１ａａの面粗度と同じ面粗度を有している場合と比べて、導体パッド１ａの温度が上昇し難い。従って、被覆膜５と絶縁層２２との界面剥離、すなわち絶縁層２２と導体パッド１ａとの剥離が一層生じ難いと考えられる。

【0041】

配線基板１００では、前述したように、配線パターン１ｂにおいて良好な伝送特性及び絶縁層２２との十分な密着性が得られる。しかも、接続導体４と接する導体パッド１ａと絶縁層２２との剥離などによる品質劣化を抑制することができる。このように本実施形態によれば、配線パターンに所望される特性及び配線パターンと絶縁層との密着性を確保し、しかも、導体層同士を接続する接続導体に接する導体層と絶縁層との剥離などによる配線基板の品質劣化を抑制し得ることがある。

【0042】

導体パッド１ａの温度上昇の抑制、及び、導体パッド１ａと絶縁層２２との界面への液体の浸入防止の両立のためには、導体パッド１ａの表面１ａ０の第１領域１ａａの面粗度と第２領域１ａｂの面粗度との差は大きい方が好ましいと考えられる。表面１ａ０の第２領域１ａｂは、配線パターン１ｂの表面１ｂ１が有する第１面粗度以下の面粗度を有し得る。例えば、導体パッド１ａの第１領域１ａａが第２部分１ａ２において有する第２面粗度は、例えば配線パターン１ｂの表面１ｂ１の第１面粗度よりも１００％以上高い。その場合、導体パッド１ａと絶縁層２２との界面への液体の浸入を防ぎながら、絶縁層２２と導体パッド１ａとの間の剥離をもたらすような導体パッド１ａの温度上昇を防ぎ得ることがある。加えて、配線パターン１ｂにおいて、数ＧＨｚオーダーの高周波信号に対する良好な伝送特性が得られることがある。

【0043】

第２面粗度は、第１面粗度の２００％以上、１２００％以下であってもよい。その場合、導体パッド１ａの粗化工程が過剰な時間を必要とせず、また、粗化工程中の絶縁層２１などへのダメージも少ないと考えられる。第１面粗度は、例えば、算術平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ以上、０．１５μｍ以下である。第２面粗度は、例えば、算術平均粗さ（Ｒａ）で０．３μｍ以上、０．６μｍ以下である。すなわち、導体パッド１ａの第１領域１ａａの第２部分１ａ２の算術平均粗さ（Ｒａ）は、配線パターン１ｂの表面１ｂ１又は導体パッド１ａの第２領域１ａｂの算術平均粗さ（Ｒａ）の２倍以上である。

【0044】

第２領域１ａｂの大きさは、貫通孔４ａの形成時の導体パッド１ａの温度上昇が抑制され得るように選択される。好ましくは、平面視における貫通孔４ａの面積が大きいほど、第２領域１ａｂの面積は大きい。第２領域１ａｂの幅Ｗ２は、導体パッド１ａとの界面における接続導体４の幅（すなわち貫通孔４ａの幅）Ｗ３の例えば７０％以上であり、好ましくは８０％以上である。第２領域１ａｂが、この程度の比率の幅Ｗ２を有していると、貫通孔４ａの形成時の導体パッド１ａの温度上昇による絶縁層２２と導体パッド１ａとの剥離が抑制され易い。

【0045】

なお、導体パッド１ａの表面１ａ０の第２領域１ａｂ、接続導体４、及び貫通孔４ａそれぞれの「幅」は、第２領域１ａｂ、接続導体４、及び貫通孔４ａそれぞれの平面視における外周上の任意の２点間の最長距離である。第２領域１ａｂ、接続導体４、及び貫通孔４ａは、それぞれ、任意の平面形状を有し得る。例えば第２領域１ａｂが円形の平面形状を有する場合、第２領域１ａｂの幅は、第２領域１ａｂの平面形状における直径である。

【0046】

図４Ａの例では、接続導体４は、第１導体層１１側において第２導体層１２側よりも細くなるテーパー形状を有している。接続導体４が図４Ａの例のようなテーパー形状を有する場合、第２領域１ａｂの幅Ｗ２は、第２導体層１２との界面における接続導体４の幅Ｗ４の例えば６０％以上であってもよく、好ましくは接続導体４の幅Ｗ４の７０％以上であってもよい。

【0047】

第２領域１ａｂが、接続導体４の幅Ｗ３の７０％以上の幅Ｗ２を有し、絶縁層２２の厚さが例えば３０μｍ～１００μｍ程度である場合の円形の平面形状を有する接続導体４の幅（ボトム幅）Ｗ３としては、２０μｍ以上、９０μｍ以下が例示される。またその場合の接続導体４の幅（トップ幅）Ｗ４としては、３０μｍ以上、１００μｍ以下が例示される。

【0048】

後述されるように、第２領域１ａｂの幅Ｗ２は、接続導体４の幅Ｗ３よりも大きくてもよい。すなわち、第２領域１ａｂの面積は、導体パッド１ａとの界面における接続導体４の面積（すなわち貫通孔４ａの開口面積）よりも大きくてもよい。貫通孔４ａの形成位置が多少ばらついても、平面視において全体が第２領域１ａｂ内に収まるように接続導体４を形成することができる。その場合、第２領域１ａｂの幅Ｗ２は、接続導体４の幅Ｗ３（すなわち導体パッド１ａとの界面における貫通孔４ａの幅）の、例えば１３０％以下であり、好ましくは１２０％以下である。導体パッド１ａが配線基板１００のサイズに影響を及ぼすほど過大になり難いと考えられる。

【0049】

図５Ａ及び図５Ｂには、本実施形態の配線基板における導体パッド１ａの他の例が示されている。図５Ａは、導体パッド１ａの他の例における図１のIVＡ部に相当する部分の拡大図である。図５Ｂは、導体パッド１ａのさらに他の例における導体パッド１ａの拡大図である。図５Ａ及び図５Ｂにおいて図１に示される例と同様の構成要素には、図４Ａにおいて付された符号と同じ符号が付されるか適宜省略され、その再度の説明は省略される。図５Ａ及び図５Ｂは、それぞれ、表面１ａ０の面粗度に関する導体パッド１ａの他の例を示している。

【0050】

図５Ａの例において導体パッド１ａの表面１ａ０は、図４Ａの例と同様に、互いに異なる面粗度を有する第１領域１ａａと第２領域１ａｂとを有している。図５Ａの例においても、第１領域１ａａは配線パターン１ｂの表面１ｂ１（図３参照）が有する第１面粗度よりも高い面粗度を有しており、第２領域１ａｂは第１面粗度以下の面粗度を有している。第２領域１ａｂは第１領域１ａａに囲まれている。第１領域１ａａは、例えば、図４Ａの例における第１領域１ａａの第２部分１ａ２と同じ第２面粗度を有し得る。

【0051】

被覆膜５は、第１領域１ａａ及び導体パッド１ａの側面を覆っている。被覆膜５は、第１領域１ａａ上に開口５ａを有しており、開口５ａの周囲の部分で第１領域１ａａの周縁部を覆っている。第２領域１ａｂ、及び第１領域１ａａのうちの第２領域１ａｂの近傍の部分は、被覆膜５の開口５ａに露出している。第１領域１ａａのうちの被覆膜５の開口５ａに露出している部分及び第２領域１ａｂの周縁部は絶縁層２２に直接覆われている。そして、第２領域１ａｂの内方部（中央部）は接続導体４に接続されている。すなわち、接続導体４は、第２領域１ａｂのうちの被覆膜５及び絶縁層２２のいずれにも覆われていない第２領域１ａｂの一部を覆っている。

【0052】

図５Ａの例の第２領域１ａｂは、配線パターン１ｂの表面１ｂ１（図３参照）が有する第１面粗度よりも低い面粗度を有する第３部分１ａ３と、第１面粗度と略同じ面粗度を有する第４部分１ａ４と、を含んでいる。第４部分１ａ４は第３部分１ａ３を囲んでいる。第３部分１ａ３が被覆膜５に覆われずに開口５ａ内に露出していて接続導体４に覆われている。一方、第４部分１ａ４は、第１領域１ａａに隣接していて、第１領域１ａａの一部と共に、被覆膜５を介さずに絶縁層２２に直接覆われている。なお、図５Ａでは、第４部分１ａ４の面粗度との違いを示すべく第３部分１ａ３が平坦に描かれているが、第３部分１ａ３は平坦面でなくてもよく、第１面粗度以下の任意の面粗度に応じた凹凸を有し得る。

【0053】

図５Ａの例のように、導体パッド１ａの第２領域１ａｂの幅Ｗ２は、導体パッド１ａとの界面における接続導体４の幅Ｗ３よりも大きくてもよい。換言すれば、第２領域１ａｂの面積は、導体パッド１ａとの界面における接続導体４の面積よりも大きくてもよく、導体パッド１ａと接続導体４との界面全体が第２領域１ａｂ内に収まっていてもよい。例えば、第２領域１ａｂの幅Ｗ２は、図５Ａの例のように、第２導体層１２との界面における接続導体４の幅Ｗ４と略同じであってもよく、接続導体４の幅Ｗ４よりも大きくてもよい。低い面粗度を有する第２領域１ａｂが広いので、導体パッド１ａの温度上昇が抑制され易いと考えられる。

【0054】

図５Ａの例においても、導体パッド１ａと絶縁層２２との界面への意図せぬ液体の浸入は、比較的高い面粗度（例えば第２面粗度）を有する第１領域１ａａの凹凸によって防がれる。また、表面１ａ０において被覆膜５よりも内側に第１領域１ａａの一部が存在するので、液体の浸入による被覆膜５の溶解も第１領域１ａａの凹凸によって防がれる。

【0055】

導体パッド１ａの表面１ａ０の第２領域１ａｂの幅は、図５Ｂの例のように、導体パッド１ａとの界面における接続導体４の幅Ｗ３と略同じであってもよい。図５Ｂの例においても表面１ａ０は、比較的低い面粗度を有する第２領域１ａｂと、第２領域１ａｂを囲んでいて比較的高い面粗度を有する第１領域１ａａとを有している。そして被覆膜５は、表面１ａ０のうちの第１領域１ａａだけをその全部に渡って覆い、第２領域１ａｂの全部を開口５ａに露出させている。接続導体４は、開口５ａに露出する第２領域１ａｂにおいて導体パッド１ａと接続していて第２領域１ａｂの全部を覆っている。第２領域１ａｂ全体が配線パターン１ｂの表面１ｂ１（図３参照）の面粗度よりも低い面粗度を有している。図５Ｂの例においても、貫通孔４ａの形成時の導体パッド１ａの温度上昇が抑制され、導体パッド１ａと絶縁層２２との界面への意図せぬ液体の浸入は第１領域１ａａの凹凸によって防がれる。すなわち、導体パッド１ａと絶縁層２２との界面剥離が生じ難い。

【0056】

図６には、本実施形態の配線基板の他の例が示されている。図６は、本実施形態の配線基板の他の例における図１のIII部に相当する部分の拡大図である。図６において図１に示される例と同様の構成要素には、図３おいて付された符号と同じ符号が付されるか適宜省略され、その再度の説明は省略される。

【0057】

図６の例では、導体パターン１ｃの表面１ｃ１も、導体パッド１ａの表面１ａ０の第２部分１ａ２と同様に、配線パターン１ｂの表面１ｂ１が有する第１面粗度よりも高い面粗度（例えば第２部分１ａ２と同じ第２面粗度）を有するように粗化されている。表面１ｃ１は、さらに被覆膜５によって覆われている。従って、導体パターン１ｃと絶縁層２２との界面剥離が一層生じ難いと考えられる。このように導体パターン１ｃの表面１ｃ１も、例えば第２面粗度を有するように粗化されていてもよい。なお導体パターン１ｃは被覆膜５に覆われていなくてもよい。

【0058】

つぎに、一実施形態の配線基板の製造方法が、図１の配線基板１００を例に用いて図７Ａ～図７Ｈを参照して説明される。

【0059】

図７Ａに示されるように、コア基板３の絶縁層３２となる絶縁層と、この絶縁層の両表面にそれぞれ積層された金属箔３１ａを含む出発基板（例えば両面銅張積層板）が用意され、コア基板３の導体層３１及び接続導体３３が形成される。例えばドリル加工又は炭酸ガスレーザー光の照射によって接続導体３３の形成位置に貫通孔が形成され、その貫通孔内及び金属箔３１ａ上に無電解めっき又はスパッタリングなどによって金属膜３１ｂが形成される。そして金属膜３１ｂを給電層として用いる電解めっきによってめっき膜３１ｃが形成される。その結果、３層構造の導体層３１、及び２層構造の接続導体３３が形成される。その後、サブトラクティブ法によって導体層３１をパターニングすることによって所定の導体パターンを備えるコア基板３が得られる。

【0060】

そして、絶縁層２１（第１絶縁層）及び絶縁層２３が、コア基板３の第１面３ａ上及び第２面３ｂ上にそれぞれ形成される。絶縁層２１及び絶縁層２３の形成では、例えばフィルム状のエポキシ樹脂が、コア基板３の上に積層され、加熱及び加圧される。絶縁層２１及び絶縁層２３は、フィルム状のエポキシ樹脂に限らず、ＢＴ樹脂、又はフェノール樹脂などの任意の樹脂によって形成され得る。絶縁層２１及び絶縁層２３には、接続導体４を形成すべく貫通孔４ａが、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。

【0061】

本実施形態の配線基板の製造方法は、図７Ａに示されるように、導体パッド１ａを有する第１導体層１１を絶縁層２１上に形成することを含んでいる。図７Ａの例では、さらに配線パターン１ｂ及び導体パターン１ｃを含む第１導体層１１が形成されている。コア基板３の第２面３ｂ側には導体層１３が形成される。絶縁層２１及び絶縁層２３それぞれには接続導体４が形成される。第１導体層１１、導体層１３、及び接続導体４は、例えばセミアディティブ法を用いて形成される。すなわち、貫通孔４ａ内、並びに、絶縁層２１及び絶縁層２３の表面上に、例えば無電解めっきによって金属膜１０ｂが形成される。金属膜１０ｂの上に、導体パッド１ａ、配線パターン１ｂ、及び導体パターン１ｃに対応する開口、又は、導体層１３に含まれるべき導体パターンに対応する開口を有するめっきレジスト（図示せず）が設けられる。そして、金属膜１０ｂを給電層として用いる電解めっきによって、めっきレジストの開口内にめっき膜１０ｃが形成される。その結果、第１導体層１１及び導体層１３それぞれが形成される。貫通孔４ａ内には接続導体４が形成される。その後、めっきレジストが、例えば水酸化ナトリウムなどのアルカリ性剥離剤を用いて除去され、さらに、金属膜１０ｂにおいてめっき膜１０ｃに覆われずに露出している部分がエッチングなどによって除去される。

【0062】

本実施形態の配線基板の製造方法は、図７Ｂ及び図７Ｃに示されるように、第１導体層１１の表面のうちの絶縁層２１と接していない領域である露出面を部分的に粗化することを含んでいる。図７Ｃは、図７ＢのVIIＣ部における導体パッド１ａの露出面の粗化処理後の拡大図である。本実施形態において第１導体層１１の露出面を粗化することは、導体パッド１ａの表面１ａ０（絶縁層２１側と反対側の表面）に、互いに異なる面粗度を有する第１領域１ａａと第２領域１ａｂとを設けることを含んでいる。図７Ｃの例では、粗化されている第１領域１ａａと粗化されていない第２領域１ａｂとが設けられる。従って第２領域１ａｂは、第１領域１ａａよりも低い面粗度を有するように設けられている。換言すると、第１導体層１１の露出面を部分的に粗化することは、粗化されていない非粗化領域（第２領域１ａｂ）を導体パッド１ａの表面１ａ０に残すことを含み得る。第１領域１ａａ及び第２領域１ａｂを設けることによって、後工程における各種の処理溶液やめっき液による導体パッド１ａと絶縁層２２（図７Ｅ参照）との界面への浸入や、導体パッド１ａの温度上昇が抑制される。その結果、導体パッド１ａと絶縁層２２との間の界面剥離が防がれることがある。

【0063】

また図７Ｃの例では、配線パターン１ｂ以外の第１導体層１１の露出面が粗化される。配線パターン１ｂの表面１ｂ１が粗化されないので、高周波伝送特性に優れた配線パターン１ｂを得ることができる。そのため、図７Ｂ及び図７Ｃに示されるように、第１導体層１１の露出面の粗化において、配線パターン１ｂ、及び、導体パッド１ａの表面１ａ０における第２領域１ａｂとなるべき領域を覆うレジスト膜Ｒ１が設けられる。図１の配線基板１００では導体パターン１ｃの表面も粗化されないので、図７Ｂ及び図７Ｃのレジスト膜Ｒ１は導体パターン１ｃも覆うように設けられている。

【0064】

レジスト膜Ｒ１は、例えば感光性樹脂を含むフィルムの積層によって形成される。レジスト膜Ｒ１には、露光及び現像などのフォトリソグラフィ技術を用いて、少なくとも導体パッド１ａにおける第１領域１ａａとなるべき領域を露出させる開口Ｒ１ａが設けられる。レジスト膜Ｒ１は、例えば、前述した第１導体層１１の形成に用いられるめっきレジスト（図示せず）と同様の材料で形成される。その後、例えば、黒化処理又はブラウン処理と呼ばれる表面酸化処理や、酸性の溶剤を用いたマイクロエッチング処理などの任意の方法によって、第１導体層１１の露出面が粗化される。

【0065】

導体パッド１ａの第２領域１ａｂは、後工程で形成される接続導体４（図７Ｈ参照）と重なる位置に設けられる。図７Ｃの例では、第２領域１ａｂは、表面１ａ０のうちの接続導体４と接続されるべき領域１ａ５の幅（導体パッド１ａとの界面における接続導体４の幅）よりも小さい幅Ｗ２を有するように設けられている。すなわち、領域１ａ５よりも小さい面積を有していて領域１ａ５に含まれる第２領域１ａｂが設けられている。なお、実施形態の配線基板の製造方法では、導体パッド１ａとの界面における接続導体４の幅と同じか又は大きな幅Ｗ２を有する第２領域１ａｂが設けられてもよい。

【0066】

導体パッド１ａの第１領域１ａａは、例えば、導体パッド１ａの第２領域１ａｂの面粗度、及び、配線パターン１ｂの表面１ｂ１の面粗度（第１面粗度）よりも高い面粗度（第２面粗度）を有するように粗化され得る。導体パッド１ａの第１領域１ａａは、例えば、算術平均粗さ（Ｒａ）で、０．３μｍ以上、０．６μｍ以下の面粗度を有するように粗化される。導体パッド１ａの露出面の粗化後、レジスト膜Ｒ１は、例えば水酸化ナトリウムなどのアルカリ性剥離剤を用いて除去される。

【0067】

図７Ｄに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、第１導体層１１を覆う被覆膜５を設けることを含んでいる。図７Ｄは、図７Ｃと同様の部分における被覆膜５の形成後の状態を示している。被覆膜５を設けることは、導体パッド１ａの第１領域１ａａを被覆膜５で覆うことを含んでいる。図７Ｄの例では、導体パッド１ａ及び導体パターン１ｃを含む第１導体層１１全体、並びに絶縁層２１の表面２１ａを覆う被覆膜５が形成されている。被覆膜５は、第１導体層１１と、後工程で形成される絶縁層２２（図７Ｅ参照）との密着性を向上させる。導体パッド１ａにおいても絶縁層２２との密着性を高めることができる。被覆膜５は、例えば、シランカップリング剤などの、有機材料及び無機材料の両方と結合し得る材料を含む液体への第１導体層１１及び絶縁層２１の浸漬や、そのような液体の噴霧（スプレーイング）によって形成される。しかし、被覆膜５の形成方法は任意であり、被覆膜５を構成する材料への浸漬や、その材料の噴霧に限定されない。

【0068】

図７Ｅ及び図７Ｆに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、第１導体層１１及び被覆膜５の上に絶縁層２２（第２絶縁層）を形成することを含んでいる。なお、図７Ｆには図７ＥにおけるVIIＦ部の拡大図が示されている。絶縁層２２の形成によって、一旦、導体パッド１ａ全体が絶縁層２２に覆われる。コア基板３の第２面３ｂ側には、さらに絶縁層２３が形成される。絶縁層２２及び絶縁層２３は、絶縁層２１と同様に、例えば、フィルム状のエポキシ樹脂の積層、並びに加熱及び加圧によって形成される。

【0069】

絶縁層２２及び絶縁層２３には、後工程で接続導体４（図７Ｇ参照）を形成するための貫通孔４ａが、例えば炭酸ガスレーザーのようなレーザー光の照射などによって形成される。導体パッド１ａの領域１ａ５（接続導体４と接続されるべき領域）の上の絶縁層２２に貫通孔４ａが形成される。貫通孔４ａの形成によって、第２領域１ａｂ（非粗化領域）が貫通孔４ａ内に露出する。このように後工程で接続導体４を形成することは、第２領域１ａｂを露出させる貫通孔４ａを絶縁層２２に形成することを含み得る。

【0070】

図７Ｆの例のように、導体パッド１ａが被覆膜５に覆われている場合、貫通孔４ａを形成するための例えばレーザー光の照射によって、レーザー光に照射された部分の被覆膜５が気化や昇華などにより除去される。具体的には、被覆膜５のうちの導体パッド１ａの領域１ａ５を覆っている部分が除去される。導体パッド１ａの領域１ａ５は第２領域１ａｂ（非粗化領域）と少なくとも部分的に重なっている。従って、貫通孔４ａを形成することは、被覆膜５のうちの第２領域１ａｂを覆っている部分を除去することを含み得る。

【0071】

本実施形態では、貫通孔４ａの形成時にレーザー光が照射される導体パッド１ａの表面１ａ０に第２領域１ａｂ（非粗化領域）が設けられているので、導体パッド１ａにおけるレーザー光からの吸熱量を少なくすることができる。前述したように、導体パッド１ａと絶縁層２２との間の界面剥離が抑制される。一方、レーザー光に照射される導体パッド１ａの表面１ａ０が被覆膜５に覆われていると、レーザー光の照射によって生じる被覆膜５の溶解液が、導体パッド１ａと絶縁層２２との界面に浸透して界面剥離などをもたらすことがある。しかし本実施形態によれば、粗化工程によって導体パッド１ａの表面１ａ０に比較的高い面粗度を有する第１領域１ａａが設けられるので、そのような溶解液の浸透が防がれる。

【0072】

貫通孔４ａは、第２領域１ａｂの幅Ｗ２が、貫通孔４ａにおける導体パッド１ａ側の開口幅（すなわち後工程で形成される接続導体４の幅）Ｗ３の、例えば７０％以上、１３０％以下、好ましくは８０％以上、１２０％以下になるように形成される。このように貫通孔４ａが形成されると、導体パッド１ａの温度上昇による絶縁層２２と導体パッド１ａとの界面剥離が抑制されると考えられる。また、配線基板のサイズに影響を及ぼすほど導体パッド１ａが過大になり難いと考えられる。

【0073】

図７Ｆの例では、第２領域１ａｂの幅Ｗ２よりも大きな開口幅を有する貫通孔４ａが形成されている。そのため、第２領域１ａｂの全部が貫通孔４ａ内に露出されている。また、導体パッド１ａの表面１ａ０における貫通孔４ａの内壁付近には、第１領域１ａａの一部（第１部分１ａ１）が貫通孔４ａの内壁に沿って露出している。一方、第１領域１ａａにおいて第１部分１ａ１よりも外周側の部分（第２部分１ａ２）は、第１部分１ａ１を囲むと共に、貫通孔４ａを囲んでいる。一方、第２部分１ａ２は被覆膜５及び絶縁層２２に覆われている。

【0074】

貫通孔４ａの形成後、好ましくは、貫通孔４ａの形成によって生じた樹脂残渣（スミア）を除去するデスミア処理が行われる。例えばアルカリ性過マンガン酸溶液などの処理液に貫通孔４ａの内壁を晒すことによって貫通孔４ａ内のスミアが除去される。このデスミア処理のための処理液による、導体パッド１ａと絶縁層２２との界面への浸入が、導体パッド１ａの粗化された第１領域１ａａ、特に第２部分１ａ２の凹凸によって防がれる。また、貫通孔４ａの形成において絶縁層２２と導体パッド１ａとの間の界面剥離が生じているとデスミア処理でその界面剥離が拡大し得るが、本実施形態では、前述したように貫通孔４ａの形成時の導体パッド１ａの温度上昇が抑制される。従って、デスミア処理による界面剥離の発生や拡大は起こり難い。

【0075】

図７Ｇ及び図７Ｈに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、絶縁層２２の上に第２導体層１２を形成することと、絶縁層２２を貫通して導体パッド１ａと第２導体層２２とを接続する接続導体４を形成することとを含んでいる。なお、コア基板３の第２面３ｂ側には、さらに、導体層１３及び接続導体４が形成される。図７Ｈには、図７ＧのVIIＨ部の拡大図が示されている。

【0076】

第２導体層１２及び接続導体４の形成において、好ましくは、ソフトエッチング処理が行われる。ソフトエッチング処理によって、第２導体層１２及び接続導体４が形成される表面（絶縁層２２の表面及び貫通孔４ａ内に露出する導体パッド１ａの表面１ａ０）の酸化膜などが除去される。またこのソフトエッチング処理によって、導体パッド１ａの表面１ａ０のうちの第２領域１ａｂの面粗度及び貫通孔４ａ内に露出している第１領域１ａａの第１部分１ａ１の面粗度を低下させることができる。例えば図１の配線基板１００が製造される場合は、このソフトエッチング処理によって、第２領域１ａｂが、配線パターン１ｂの表面１ｂ１の面粗度（第１面粗度）よりも低い面粗度を有するように平坦化されてもよい。また、第１領域１ａａの第１部分１ａ１が、第２部分１ａ２の面粗度（第２面粗度）よりも低い面粗度を有するように平坦化されてもよい。

【0077】

第２導体層１２及び接続導体４の形成におけるソフトエッチング処理は、導体パッド１ａの表面１ａ０のうちの貫通孔４ａ内に露出している部分の面粗度が略低下しない程度に行われてもよい。その場合、導体パッド１ａの第２領域１ａｂは、配線パターン１ｂの表面１ｂ１と略同じ面粗度（第１面粗度）を有し得る。また、第１領域の第１部分１ａ１は、第２部分１ａ２と略同じ面粗度（第２面粗度）を有し得る。

【0078】

第２導体層１２、及び、絶縁層２２を貫通する接続導体４は、それぞれ、例えば、前述した第１導体層１１、及び、絶縁層２１を貫通する接続導体４の形成方法と同様の方法で形成される。例えば、第２導体層１２、及び絶縁層２２を貫通する接続導体４、並びにコア基板３の第２面３ｂ側にさらに形成される導体層１３及び接続導体４は、セミアディティブ法によって形成される。絶縁層２２を貫通する接続導体４は、貫通孔４ａ内に形成される。その結果、導体パッド１ａの第２領域１ａｂ（非粗化領域）を少なくとも部分的に覆う接続導体４が形成される。図７Ｈの例では、第２領域１ａｂの全体を覆うように接続導体４が形成される。このように本実施形態において接続導体４は、導体パッド１ａの表面１ａ０のうちの第２領域１ａｂの全部を覆うように形成されてもよい。

【0079】

セミアディティブ法による絶縁層２２への接続導体４の形成では、図７Ｈに示されるように、貫通孔４ａ内に例えば無電解めっきによって金属膜１０ｂが形成され、さらに電解めっきによってめっき膜１０ｃが形成される。本実施形態の配線基板の製造方法では、金属膜１０ｂの形成時の導体パッド１ａと絶縁層２２との界面へのめっき液の浸入が、導体パッド１ａの表面１ａ０のうちの粗化された第１領域１ａａの凹凸によって防がれる。めっき液の浸透による、導体パッド１ａと絶縁層２２との界面剥離などの不具合が防止されると考えられる。

【0080】

図１の配線基板１００が製造される図７Ｇ及び図７Ｈの例では、図７Ｇに示されるように、ソルダーレジスト６が形成される。ソルダーレジスト６には第２導体層１２又は導体層１３の一部を露出させる開口６ａが設けられる。ソルダーレジスト６及び開口６ａは、例えば感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像とによって形成される。

【0081】

以上の工程を経る事によって、図１の例の配線基板１００が完成する。ソルダーレジスト６の開口６ａ内に露出する第２導体層１２又は導体層１３の一部の表面上には、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。

【0082】

なお、先に参照した図５Ａの例の導体パッド１ａが形成される場合は、図７Ｃに例示の工程において、導体パッド１ａの表面１ａ０のうちの接続導体４と接続されるべき領域１ａ５の全体及び領域１ａ５の周囲の部分を覆うレジスト膜Ｒ１が形成される。すなわち、導体パッド１ａの表面１ａ０の領域１ａ５よりも大きい遮蔽部を領域１ａ５に対応する位置に有するレジスト膜Ｒ１が形成される。

【0083】

そして、図７Ｄに例示の工程において、その領域１ａ５よりも大きい遮蔽部よりもさらに大きな遮蔽部で領域１ａ５がマスクされた状態で、被覆膜５が形成される。結果として、導体パッド１ａの全体ではなくその一部が、開口５ａを有する被覆膜５で覆われる。このように本実施形態の配線基板の製造方法において被覆膜５を形成することは、被覆膜５で部分的に導体パッド１ａを覆うことを含み得る。なお、図７Ｄの例と同様に導体パッド１ａ全体を覆う被覆膜５が形成された後、絶縁層２２の形成の前に、例えばレーザー光の照射やプラズマ処理によって導体パッド１ａ上の被覆膜５の一部が除去されてもよい。その結果、被覆膜５の開口５ａが形成されてもよい。

【0084】

また、図５Ｂの例の導体パッド１ａが形成される場合は、図７Ｃに例示の工程において、導体パッド１ａの表面１ａ０の領域１ａ５と略同じ大きさの遮蔽部を領域１ａ５の真上に有するマスクＲ１が形成される。なお、図５Ａ及び図５Ｂの例の導体パッド１ａが形成される場合も、絶縁層２２を貫通する接続導体４の形成において、導体パッド１ａの露出面の面粗度が略低下しない程度にソフトエッチングが行われてもよい。その場合、第２領域１ａｂ全体が、配線パターン１ｂの表面１ｂ１と略同じ面粗度（第１面粗度）を有し得る。

【0085】

また、先に参照した図６の例の配線基板が製造される場合は、図７Ｃに例示の工程において、導体パターン１ｃを覆うレジスト膜Ｒ１が設けられずに第１導体層１１の露出面が粗化される。そして図７Ｄに例示の工程と同様に、第１導体層１１全体、及び絶縁層２１の露出面に被覆膜５が形成される。

【0086】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は任意の積層構造を有し得る。例えば実施形態の配線基板はコア基板を含まないコアレス基板であってもよい。実施形態の配線基板は、任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。第１導体層１１は配線基板の積層構造上の任意の階層に存在し得る。配線基板に含まれる複数の導体層の全部又は一部の複数の導体層が、第１導体層１１に含まれているような導体パッド１ａ、配線パターン１ｂ、及び導体パターン１ｃを含んでいてもよい。導体パッド１ａは、第１導体層１１の下層の絶縁層（配線基板１００における絶縁層２１）を貫通する接続導体のビアパッドでなくてもよい。また、接続導体４は、図１などの例のようなテーパー形状を有していなくてもよい。

【0087】

実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば第１及び第２の導体層１１、１２はフルアディティブ法によって形成されてもよい。第１及び第２の絶縁層２１、２２は、フィルム状の樹脂に限らず、任意の形態の樹脂を用いて形成され得る。第２導体層１２及び接続導体４の形成におけるソフトエッチング処理は行われなくてもよい。また、絶縁層２２以外の絶縁層には接続導体が形成されなくてもよい。実施形態の配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。

【符号の説明】

【0088】

１００ 配線基板
１１ 第１導体層
１２ 第２導体層
１ａ 導体パッド
１ａ０ 表面
１ａ１～１ａ４ 第１部分～第４部分
１ａａ 第１領域
１ａｂ 第２領域
１ｂ 配線パターン
１ｂ１ 表面
２１ 絶縁層（第１絶縁層）
２２ 絶縁層（第２絶縁層）
３３ 接続導体（スルーホール導体）
４ 接続導体（ビア導体）
４ａ 貫通孔
５ 被覆膜
５ａ 開口
Ｗ２ 第２領域の幅
Ｗ３ 導体パッドとの界面における接続導体の幅

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図5A】

【図5B】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図7D】

【図7E】

【図7F】

【図7G】

【図7H】