特開 2022-164200 多層配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022164200

(43)【公開日】2022-10-27

(54)【発明の名称】多層配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20221020BHJP

   H01L 23/13 20060101ALI20221020BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20221020BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 G

H05K3/46 C

H05K3/46 Q

H01L23/12 C

H01L23/12 N

H01L23/12 Q

【審査請求】未請求

【請求項の数】3

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021069538

(22)【出願日】2021-04-16

(71)【出願人】

【識別番号】000004547

【氏名又は名称】日本特殊陶業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100160691

【弁理士】

【氏名又は名称】田邊 淳也

(74)【代理人】

【識別番号】100157277

【弁理士】

【氏名又は名称】板倉 幸恵

(74)【代理人】

【識別番号】100182718

【弁理士】

【氏名又は名称】木崎 誠司

(72)【発明者】

【氏名】白木 文男

(72)【発明者】

【氏名】金 光柱

(72)【発明者】

【氏名】長谷川 達也

(72)【発明者】

【氏名】西田 智弘

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA12

5E316AA15

5E316AA29

5E316AA32

5E316AA43

5E316CC08

5E316CC10

5E316CC18

5E316CC32

5E316CC37

5E316CC38

5E316CC55

5E316DD22

5E316DD34

5E316EE24

5E316EE29

5E316FF07

5E316FF13

5E316FF14

5E316FF18

5E316HH05

5E316JJ02

(57)【要約】

【課題】多層配線基板に搭載された素子間での通信を高速化する。
【解決手段】セラミック基板と、セラミック基板の上面に設けられた第１配線層部と、第１配線層部の上面に設けられた第２配線層部と、を有し、第２配線層部の上面に設けられたパッドとセラミック基板の下面に設けられたパッドとが電気的に接続されている多層配線基板では、第２配線層部は、素子を搭載するための素子搭載エリアを自身の上面に有するとともに、第１配線層部の上面に複数設けられており、複数の第２配線層部のうち少なくとも２つは、第１配線層部の内部に形成される第１連結配線によって、互いに有する素子搭載エリアが電気的に接続されている。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

セラミック基板と、
前記セラミック基板の上面に設けられた第１配線層部と、
前記第１配線層部の上面に設けられた第２配線層部と、
を有し、
前記第２配線層部の上面に設けられたパッドと前記セラミック基板の下面に設けられたパッドとが電気的に接続されている多層配線基板であって、
前記第２配線層部は、素子を搭載するための素子搭載エリアを自身の上面に有するとともに、前記第１配線層部の上面に複数設けられており、
前記複数の第２配線層部のうち少なくとも２つは、前記第１配線層部の内部に形成される第１連結配線によって、互いに有する前記素子搭載エリアが電気的に接続されている、多層配線基板。

【請求項2】

前記複数の第２配線層部のうち少なくとも１つは、前記素子搭載エリアを自身の上面に複数有するとともに、自身が有する前記複数の素子搭載エリアのうち少なくとも２つは、前記第２配線層部の内部に形成される第２連結配線によって、互いに電気的に接続されている、請求項１に記載の多層配線基板。

【請求項3】

配線密度は、前記第２配線層部において最も大きく、前記セラミック基板において最も小さい、請求項１または請求項２に記載の多層配線基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、多層配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

多層配線回路部に複数の半導体チップが搭載された多層配線回路モジュールが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された多層配線回路モジュールでは、第１の絶縁層と第２の絶縁層とにそれぞれ簡易的な設備と作業とによるフォト・リソグラフ処理が施され、解像度の高いビアホール溝と配線溝とが形成されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００４－３９８６７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１に記載された多層配線回路モジュールでは、複数の半導体チップは、多層配線回路部の下面に接着されたマザー基板を介して導通しているため、複数の半導体チップ（素子）間での通信の高速化には、改善の余地があった。

【0005】

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、多層配線基板に搭載された素子間での通信を高速化することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現できる。

【0007】

（１）本発明の一形態によれば、セラミック基板と、前記セラミック基板の上面に設けられた第１配線層部と、前記第１配線層部の上面に設けられた第２配線層部と、を有し、前記第２配線層部の上面に設けられたパッドと前記セラミック基板の下面に設けられたパッドとが電気的に接続されている多層配線基板を提供する。この多層配線基板では、前記第２配線層部は、素子を搭載するための素子搭載エリアを自身の上面に有するとともに、前記第１配線層部の上面に複数設けられており、前記複数の第２配線層部のうち少なくとも２つは、前記第１配線層部の内部に形成される第１連結配線によって、互いに有する前記素子搭載エリアが電気的に接続されている。

【0008】

この構成によれば、セラミック基板の下面に形成されたパッドを介して異なる第２配線層部の素子搭載エリアが電気的に接続される場合と比較して、異なる第２配線層部の素子搭載エリア間の回路長を短くできる。これにより、素子搭載エリアに搭載された素子（例えば半導体）間の通信を高速化できる。また、本構成によれば、第１配線層部の上面に、複数の第２配線層部が搭載されている。第２配線層部が１つの大きな配線層部として形成されることにより、第１配線層部に対して第２配線層部を搭載する際の位置ずれを抑制できる。また、第２配線層部が複数の配線層部に分けられることにより、熱膨張係数の差に起因する第１配線層部からの剥がれの発生を抑制できる。

【0009】

（２）上記態様の多層配線基板において、前記複数の第２配線層部のうち少なくとも１つは、前記素子搭載エリアを自身の上面に複数有するとともに、自身が有する前記複数の素子搭載エリアのうち少なくとも２つは、前記第２配線層部の内部に形成される第２連結配線によって、互いに電気的に接続されてもよい。
この構成によれば、第２配線層部の素子搭載エリアに形成されたパッド間の電気的接続が、セラミック基板の下面に形成されたパッドや第１配線層部を介して接続される場合と比較して、回路長を短くでき、高速通信が可能になる。

【0010】

（３）上記態様の多層配線基板において、配線密度は、前記第２配線層部において最も大きく、前記セラミック基板において最も小さくてもよい。
この構成によれば、第２配線層部が位置する多層配線基板の上面側ほどより微細化した高ピッチのファンアウト構造を実現できる。

【0011】

なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、多層配線基板、セラミック配線基板、多層配線基板の製造方法、およびこれらを備えるシステム等の形態で実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本発明の実施形態の多層配線基板を概略斜視図である。

【図2】図１における断面Ａ－Ａの概略図である。

【図3】多層配線基板の製造方法のフローチャートである。

【図4】第１配線層部の製造方法のフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0013】

＜実施形態＞
１．多層配線基板の構成：
図１は、本発明の実施形態の多層配線基板１００を概略斜視図である。図１に示されるように、多層配線基板１００は、セラミック基板２０と、セラミック基板２０の上面２０Ｔに設けられた第１配線層部１０と、第１配線層部１０の上面１０Ｔに設けられた４つの第２配線層部３０～６０と、セラミック基板２０の下面２０Ｂに接着されている複数のパッド７０と、を備えている。

【0014】

本実施形態の多層配線基板１００では、２つの第２配線層部３０，４０間は、第１配線層部１０内に形成された第１連結配線により、第２配線層部３０，４０の上面３０Ｔ，４０Ｔに形成された素子搭載エリアが電気的に接続されている。これにより、第２配線層部３０，４０の素子搭載エリアは、セラミック基板２０の下面２０Ｂに接着されたパッド７０を介さずに電気的に接続されているため、高速通信が可能になる。

【0015】

図１に示されるように、セラミック基板２０と、第１配線層部１０と、４つの第２配線層部３０～６０とのそれぞれは、矩形状の平板形状を有している。４つの第２配線層部３０～６０の上面３０Ｔ～６０Ｔは、図示されていない１つ以上の半導体などの素子を搭載するための素子搭載エリアとして機能する。上面３０Ｔ～６０Ｔには、搭載された素子と電気的に接続するための複数のパッド３５，４５，５５，６５が形成されている。第１配線層部１０の上面１０Ｔには、第２配線層部３０～６０の下面３０Ｂ～６０Ｂに形成された電極、または、搭載される半導体等の素子に接続するための複数の電極１５が形成されている。

【0016】

本実施形態では、図１および図２に示され、それぞれが対応している直交座標系ＣＳが定義されている。直交座標系ＣＳでは、多層配線基板１００の厚さ方向がＺ軸方向と定義されている。矩形状の第１配線層部１０の各辺に平行な軸として、Ｚ軸方向に直交するＸ軸とＹ軸とのそれぞれが定義されている。なお、図１，２では、各基板の厚さ方向に沿う寸法を拡大している。

【0017】

図２は、図１における断面Ａ－Ａの概略図である。図２に示されるように、セラミック基板２０は、セラミックからなるセラミック層２１と、上面２０Ｔ側に形成された所定パターンを有する配線層２０Ｌと、下面２０Ｂに接着されている各パッド７０と配線層２０Ｌとを電気的に接続するための複数のビア２０Ｖと、を備えている。本実施形態では、セラミック基板２０の下面２０Ｂに接着されているパッド７０と、第２配線層部３０～６０の上面に形成されたパッド３５，４５，５５，６５とは、電気的に接続されている。セラミック層２１は、熱膨張率が比較的低いガラス－セラミック、ムライト、ＢＮ、またはＡｌＮからなる。配線層２０Ｌおよびビア２０Ｖは、Ｃｕ（銅）と、Ａｇ（銀）と、ＣｕまたはＡｇを主成分とする合金とのいずれかで形成されている。

【0018】

第１配線層部１０は、４つの積層された樹脂基板１１～１４を備えている。具体的には、セラミック基板２０の上面２０Ｔに設けられた第１樹脂基板１１と、第１樹脂基板１１の上面に設けられた第２樹脂基板１２と、第２樹脂基板１２の上面に設けられた第３樹脂基板１３と、第３樹脂基板１３の上面に設けられた第４樹脂基板１４と、を備えている。本実施形態の樹脂基板１１～１４のそれぞれの厚さは、５０μｍである。樹脂基板１１～１４のそれぞれは、図示されていない厚さが５～６μｍの溶融接着層により互いに接着されている。

【0019】

第１樹脂基板１１の下面は、セラミック基板２０の上面２０Ｔに設けられた配線層２０Ｌに電気的に接続している。第１樹脂基板１１は、厚さ方向に貫通するビア１１Ｖを備えている。第２樹脂基板１２は、下面側に形成された所定パターンの配線層１２Ｌと、厚さ方向に貫通して配線層１２Ｌに電気的に接続しているビア１２Ｖと、を備えている。配線層１２Ｌは、第１樹脂基板１１のビア１１Ｖに接続している。第３樹脂基板１３は、下面側に形成された所定パターンの配線層１３Ｌと、厚さ方向に貫通して配線層１３Ｌに電気的に接続しているビア１３Ｖと、を備えている。配線層１３Ｌは、第２樹脂基板１２のビア１２Ｖに接続している。第４樹脂基板１４は、下面側に形成された所定パターンの配線層１４Ｌと、厚さ方向に貫通して配線層１４Ｌに電気的に接続しているビア１４Ｖと、上面１０Ｔに形成された電極１５と、を備えている。配線層１４Ｌは、第３樹脂基板１３のビア１３Ｖに接続している。この結果、第１配線層部１０の上面１０Ｔに形成された電極１５と、セラミック基板２０の下面２０Ｂに接着されたパッド７０とが、電気的に接続される。

【0020】

図２に示されるように、第２樹脂基板１２が有する配線層１２Ｌは、第１配線層部１０の上面１０Ｔに平行（ＸＹ平面に平行）に延びる連結配線１２Ｌ１を備えている。同じように、第３樹脂基板１３は、ＸＹ平面に平行に延びる連結配線１３Ｌ１，１３Ｌ２を備えている。第３樹脂基板１３が有する連結配線１３Ｌ１は、ビア１３Ｖ，１４Ｖを介して、２つの第２配線層部３０，４０を電気的に接続する。同じように、第２樹脂基板１２が有する連結配線１２Ｌ１と、第３樹脂基板１３が有する連結配線１３Ｌ２とは、ビア１２Ｖ，１３Ｖ，１４Ｖを介して、２つの第２配線層部３０，４０を電気的に接続する。

【0021】

第２配線層部３０は、３つの積層された樹脂基板３１～３３を備えている。具体的には、第１配線層部１０の上面１０Ｔに設けられた第１樹脂基板３１と、第１樹脂基板３１の上面に設けられた第２樹脂基板３２と、第２樹脂基板３２の上面に設けられた第３樹脂基板３３と、を備えている。なお、第２配線層部４０は、第２配線層部３０と同じ構成を備えるため、第２配線層部４０の説明は省略する。本実施形態の樹脂基板３１～３３のそれぞれの厚さは、５０μｍである。樹脂基板３１～３３のそれぞれは、図示されていない厚さが５～６μｍの溶融接着層により互いに接着されている。

【0022】

第１樹脂基板３１は、第１配線層部１０の上面１０Ｔに設けられた複数の電極１５に電気的に接続し、厚さ方向に貫通するビア３１Ｖを備えている。第２樹脂基板３２は、下面側に形成された所定パターンの配線層３２Ｌと、厚さ方向に貫通して配線層３２Ｌに電気的に接続しているビア３２Ｖと、を備えている。配線層３２Ｌは、第１樹脂基板３１のビア３１Ｖに接続している。第３樹脂基板３３は、下面側に形成された所定パターンの配線層３３Ｌと、厚さ方向に貫通して配線層３３Ｌに電気的に接続しているビア３３Ｖと、を備えている。配線層３３Ｌは、第２樹脂基板３２のビア３２Ｖに接続している。この結果、第２配線層部３０の上面に形成されたパッド３５と、セラミック基板２０の下面２０Ｂに接着されたパッド７０とが、電気的に接続される。

【0023】

第３樹脂基板３３が有する配線層３２Ｌは、第２配線層部３０の上面３０Ｔに平行（ＸＹ平面に平行）に延びる連結配線３３Ｌ１を備えている。第３樹脂基板３３が有する連結配線３３Ｌ１は、ビア３３Ｖを介して、パッド３５１とパッド３５２とを電気的に接続する。すなわち、素子搭載エリアとして機能する上面３０Ｔに形成されたパッド３５１とパッド３５２とは、第２配線層部３０内に形成された連結配線３３Ｌ１によって、互いに電気的に接続されている。これにより、パッド３５１とパッド３５２との電気的接続では、セラミック基板２０の下面２０Ｂに形成されたパッド７０を介する場合と比較して、回路長を短くできる。なお、連結配線３３Ｌ１は、第２連結配線として機能する。

【0024】

また、第２配線層部３０の上面３０Ｔに形成されたパッド３５３と、第２配線層部４０の上面４０Ｔに形成されたパッド４５１とは、第１配線層部１０内に形成された連結配線１３Ｌ２によって、互いに電気的に接続されている。同じように、第２配線層部３０の上面３０Ｔに形成されたパッド３５４と、第２配線層部４０の上面４０Ｔに形成されたパッド４５２とは、第１配線層部１０内に形成された連結配線１２Ｌ１，１３Ｌ１によって、互いに電気的に接続されている。すなわち、異なる第２配線層部３０，４０の上面３０Ｔ，４０Ｔが形成する素子搭載エリアは、第１配線層部１０内に形成された連結配線１３Ｌ１等により電気的に接続している。これにより、パッド３５３とパッド４５１との電気的接続、および、パッド３５４とパッド４５２との電気的接続では、セラミック基板２０の下面２０Ｂに形成されたパッド７０を介する場合と比較して、回路長を短くできる。なお、連結配線１２Ｌ１，１３Ｌ１，１３Ｌ２は、第１連結配線として機能する。第１配線層部１０が備える配線層１２Ｌ～１４Ｌおよびビア１１Ｖ～１４Ｖと、第２配線層部３０が備える配線層３１Ｌ～３３Ｌおよびビア３１Ｖ～３３Ｖとは、Ｃｕ（銅）と、Ａｇ（銀）と、ＣｕまたはＡｇを主成分とする合金とのいずれかで形成されている。

【0025】

本実施形態では、第２配線層部３０の各樹脂基板３２，３３に形成された配線層３２Ｌ，３３Ｌおよびパッド３５の配線密度は、第１配線層部１０の各樹脂基板１２～１４に形成された配線層１２Ｌ～１４Ｌおよび電極１５の配線密度よりも大きく形成されている。また、配線層１２Ｌ～１４Ｌの配線密度は、セラミック基板２０の上面２０Ｔに形成された配線層２０Ｌの配線密度よりも大きく形成されている。すなわち、本実施形態では、配線密度は、第２配線層部３０において最も大きく、セラミック基板２０において最も小さい。

【0026】

２．多層配線基板の製造方法：
図３は、多層配線基板１００の製造方法のフローチャートである。図３に示されるように、多層配線基板１００の製造フローでは、第１配線層部１０が作製される（ステップＳ１）。図４は、第１配線層部１０の製造方法のフローチャートである。図４に示されるように、第１配線層部１０の製造フローでは、初めに、各樹脂基板１１～１４が用意される（ステップＳ１１）。

【0027】

用意された各樹脂基板１１～１４に対して、それぞれの配線パターンに対応したエッチングレジスト層が形成される（ステップＳ１２）。用意された各樹脂基板１１～１４のＣｕ箔の表面全体に感光性樹脂フィルムが貼り付けられ、感光性樹脂フィルムの上面に配線パターンが形成された露光用マスクが配置される。露光用マスクを介して、感光性樹脂フィルムに対し紫外線などが露光される。さらに、露光用マスクが除去された後、感光性樹脂フィルムごとに現像（エッチング）が施され、エッチングレジスト層が形成される。

【0028】

各樹脂基板１１～１４の片面に電極１５または配線層１２Ｌ～１４Ｌが形成される（ステップＳ１３）。形成されたエッチングレジスト層を介して、各樹脂基板１１～１４のＣｕ箔のうち、エッチングレジスト層ごとのパターンから外部に露出する部分がエッチングして除去された後、エッチングレジスト層が剥離液との接触により除去される。これにより、各樹脂基板１１～１４の片面に電極１５または配線層１２Ｌ～１４Ｌが形成される。特に、配線層１２Ｌ，１３Ｌは、複数の電極１５間を、連結配線１２Ｌ１，１３Ｌ１，１３Ｌ２と、ビア１２Ｖ～１４Ｖとを介して導通するようなパターンとして形成される。このようにすることで、例えば第２配線層部３０のパッド３５３と第２配線層部４０のパッド４５１との電気的接続のように、回路長を短くできる。

【0029】

次に、各樹脂基板１１～１４に対してビアホールが形成される（ステップＳ１４）。電極１５と配線層１２Ｌ～１４Ｌとのそれぞれにおける所定の位置に対して、各樹脂基板１１～１４の厚さ方向に沿ったレーザ加工が施され、複数のビアホールが形成される。なお、レーザ加工に代えて、公知の打ち抜き加工によりビアホールが形成されてもよい。

【0030】

ビアホールにビア１１Ｖ～１４Ｖが形成される（ステップＳ１５）。形成されたビアホールのそれぞれにＣｕ粉末またはＡｇ粉末を主成分とする導電性ペーストが、ペースト印刷充填装置を用いて充填される。充填後に、各樹脂基板１１～１４に対して、約１５０℃で１時間程度加熱されて脱脂処理が行われ、複数のビア１１Ｖ～１４Ｖが形成される。

【0031】

ビア１１Ｖ～１４Ｖが形成された各樹脂基板１１～１４は、積層されて接着される（ステップＳ１６）。各樹脂基板１１～１４が接着される面（片面または両面）に溶融接着層が形成され、各樹脂基板１１～１４が接着される。

【0032】

図３のステップＳ１の処理が行われると、第２配線層部３０～６０が作製される（ステップＳ２）。第２配線層部３０～６０のそれぞれの製造方法は、第１配線層部１０と同じであるため、説明を省略する。第２配線層部３０は、規程のサイズにダイシングされて製造される。

【0033】

次に、セラミック基板２０が作製される（ステップＳ３）。ガラスおよびアルミナ（セラミック）を主成分とするグリーンシートが用意される。用意されたグリーンシートにおける所定の位置に対して、公知の打ち抜き加工により複数のビアホールが形成される。形成された各ビアホールにＣｕ粉末またはＡｇ粉末を含む導電性ペーストが吸引・充填されて、未焼成のビア２０Ｖが形成される。なお、打抜き加工に代えて、レーザ加工によりビアホールが形成されてもよい。ビアホールが形成されたグリーンシートの表面に、上記同様の導電性ペーストがスクリーン印刷により所定のパターンで印刷され、グリーンシートの裏面にパッド７０が形成され、未焼成の配線層２０Ｌが形成される。グリーンシートが焼成されることにより、セラミック基板２０が作製される。

【0034】

作製されたセラミック基板２０と、第１配線層部１０と、第２配線層部３０～６０とが熱プレス工程により接合される（ステップＳ４）。第１配線層部１０の下面１０Ｂと、第１配線層部１０の上面１０Ｔのうち第２配線層部３０～６０が搭載される部分と、第２配線層部３０～６０の下面３０Ｂ～６０Ｂとのそれぞれに溶融接着層が形成される。その後、セラミック基板２０と、第１配線層部１０と、第２配線層部３０～６０とに対して、厚み方向に沿って、約３００℃で且つ約２０ｋｇ／ｃｍ²の圧力を加える熱プレス工程が行われる。これにより、セラミック基板２０と、第１配線層部１０と、第２配線層部３０～６０とが接合される。

【0035】

接合後に、各電極１５，３５，４５，５５，６５およびパッド７０にメッキ膜が被覆される（ステップＳ５）。セラミック基板２０の下面２０Ｂに形成されたパッド７０と、第１配線層部１０の上面１０Ｔに形成された電極１５と、第２配線層部３０～６０の上面３０Ｔ～６０に形成されたパッド３５，４５，５５，６５とに対して、電解Ｎｉ（ニッケル）メッキおよび電解Ａｕ（金）メッキが順次施される。これにより、所定の厚さのＮｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜の２層の膜が、電極１５等に被覆される。以上の工程が行われることにより、図１に示される多層配線基板１００が製造される。

【0036】

以上説明したように、本実施形態の多層配線基板１００は、セラミック基板２０と、セラミック基板２０の上面２０Ｔに設けられた第１配線層部１０と、第１配線層部１０の上面１０Ｔに設けられた４つの第２配線層部３０～６０と、を備えている。異なる第２配線層部３０，４０の上面３０Ｔ，４０Ｔが形成する素子搭載エリアは、第１配線層部１０内に形成された連結配線１３Ｌ１等により電気的に接続している。そのため、本実施形態の多層配線基板１００では、セラミック基板２０の下面２０Ｂに形成されたパッド７０を介して異なる第２配線層部３０，４０の素子搭載エリアが電気的に接続される場合と比較して、素子搭載エリア間の回路長を短くできる。これにより、素子搭載エリアに搭載された半導体間の通信を高速化できる。また、本実施形態の多層配線基板１００では、第１配線層部１０の上面１０Ｔに、複数の第２配線層部３０～６０が搭載されている。第２配線層部３０～６０が１つの大きな配線層部として形成されることにより、第１配線層部１０に対して第２配線層部３０を搭載する際の位置ずれを抑制できる。また、第２配線層部３０が複数の配線層部に分けられることにより、熱膨張係数の差に起因する第１配線層部１０からの剥がれの発生を抑制できる。

【0037】

また、本実施形態の第２配線層部３０では、素子搭載エリアとして機能する上面３０Ｔに形成されたパッド３５１とパッド３５２とは、第２配線層部３０内に形成された連結配線３３Ｌ１によって、互いに電気的に接続されている。そのため、第２配線層部３０の上面３０Ｔに形成されたパッド３５１とパッド３５２とが、セラミック基板２０の下面２０Ｂに形成されたパッド７０や第１配線層部１０を介して電気的に接続される場合と比較して、回路長を短くでき、高速通信が可能になる。

【0038】

また、本実施形態の多層配線基板１００では、配線密度は、第２配線層部３０において最も大きく、セラミック基板２０において最も小さい。これにより、上面側ほどより微細化した高ピッチのファンアウト構造を実現できる。

【0039】

＜本実施形態の変形例＞
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。

【0040】

上記実施形態では、多層配線基板１００の一例について説明したが、多層配線基板１００は、第１配線層部１０内に形成された連結配線が異なる第２配線層部３０～６０が形成する素子搭載エリア間を電気的に接続する範囲で変形可能である。上記実施形態では、セラミック基板２０は、１つのセラミック層２１から構成されていたが、複数のセラミック層が積層されていてもよい。第１配線層部１０の上面１０Ｔに搭載される第２配線層部３０～６０の数や大きさについては変形可能である。例えば、第２配線層部３０～６０は、異なる形状を有しており、矩形状以外の多角形状を有していてもよい。第１配線層部１０内に形成された連結配線は、複数の配線層１２Ｌ～１４Ｌのいずれに形成されていてもよい。

【0041】

図３および図４に示される製造方法は、一例であって、別の方法により多層配線基板１００等が製造されてもよい。例えば、第１配線層部１０と第２配線層部３０～６０との少なくとも１つが、ビルドアップ工法により製造されてもよい。ビルドアップ工法の一例では、用意された各樹脂基板に対して、ポリイミド塗布、ビア形成、シード層形成、レジスト形成、Ｃｕメッキ、レジスト剥離、シード層エッチングが繰り返されて規定の層数の配線層部が形成される。図３のステップＳ４に示されるように、セラミック基板２０と、第１配線層部１０と、第２配線層部３０～６０とは、熱プレス工程により一度に接合されたが、各部材が順次接合されてもよい。上記実施形態における第１配線層部１０の各樹脂基板１１～１４の厚さ及び第２配線層部３０の各樹脂基板３１～３３の一例であり、変形可能である。各部材を接合するための溶融接着層は、半田やＣｕピラーなど周知の接着剤を採用できる。

【0042】

以上、実施形態、変形例に基づき本態様について説明してきたが、上記した態様の実施の形態は、本態様の理解を容易にするためのものであり、本態様を限定するものではない。本態様は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本態様にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。

【符号の説明】

【0043】

１０…第１配線層部
１０Ｂ…第１配線層部の下面
１０Ｔ…第１配線層部の上面
１１…第１樹脂基板
１２Ｌ～１４Ｌ…第１配線層部の配線層
１１Ｖ～１４Ｖ…第１配線層部のビア
１２…第２樹脂基板
１２Ｌ１，１３Ｌ１，１３Ｌ２…連結配線（第１連結配線）
１３…第３樹脂基板
１４…第４樹脂基板
１５…第１配線層部の電極
２０…セラミック基板
２０Ｂ…セラミック基板の下面
２０Ｌ…セラミック基板の配線層
２０Ｔ…セラミック基板の上面
２０Ｖ…セラミック基板のビア
２１…セラミック層
３０～６０…第２配線層部
３０Ｂ…第２配線層部の下面
３０Ｔ～６０Ｔ…第２配線層部の上面（素子搭載エリア）
３１…第１樹脂基板
３１Ｌ～３３Ｌ…第２配線層部の配線層
３１Ｖ～３３Ｖ…第２配線層部のビア
３２…第２樹脂基板
３３…第３樹脂基板
３３Ｌ１…連結配線（第２連結配線）
３５，７０，３５１～３５４，４５１，４５２…パッド
１００…多層配線基板
ＣＳ…直交座標系

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】