2022-164487 発光装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022164487

(43)【公開日】2022-10-27

(54)【発明の名称】発光装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/62 20100101AFI20221020BHJP

   H01L 23/02 20060101ALI20221020BHJP

【ＦＩ】

H01L33/62

H01L23/02 F

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021070005

(22)【出願日】2021-04-16

(71)【出願人】

【識別番号】000131430

【氏名又は名称】シチズン電子株式会社

(71)【出願人】

【識別番号】000001960

【氏名又は名称】シチズン時計株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100099759

【弁理士】

【氏名又は名称】青木 篤

(74)【代理人】

【識別番号】100123582

【弁理士】

【氏名又は名称】三橋 真二

(74)【代理人】

【識別番号】100114018

【弁理士】

【氏名又は名称】南山 知広

(74)【代理人】

【識別番号】100180806

【弁理士】

【氏名又は名称】三浦 剛

(74)【代理人】

【識別番号】100160716

【弁理士】

【氏名又は名称】遠藤 力

(72)【発明者】

【氏名】相原 健志

(72)【発明者】

【氏名】秋山 貴

(72)【発明者】

【氏名】原 博昭

(72)【発明者】

【氏名】内村 仁

【テーマコード（参考）】

5F142

【Ｆターム（参考）】

5F142AA56

5F142BA02

5F142BA32

5F142CA03

5F142CA16

5F142CB12

5F142CB18

5F142CB23

5F142CC02

5F142CC14

5F142CC23

5F142CD02

5F142CD17

5F142CD32

5F142CF13

5F142DB16

5F142DB24

5F142FA03

(57)【要約】

【課題】駆動装置と発光素子とが一体化され且つ小型化が可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、離隔して配置される金属製の第１電極１１及び第２電極１２と、表面に配置されるアノード、及び裏面に配置されるカソードを有し、アノードとカソードとの間に電流が供給されることに応じて発光する発光素子１６と、第１電極及びアノードに接続される第１端子３１、カソードに接続される第２端子３２、第２電極１２に接続された第３端子３３及び第４端子３４、並びに第２端子３２と第３端子３３及び第４端子３４との間に流れる駆動電流を制御する駆動素子５１及び５２を有し、第２電極１２に実装された半導体装置１５と、第１電極１１及び第２電極１２の表面、第１端子３１の一部、並びに第３端子３３及び第４端子３４を覆うように配置される樹脂製のフレーム１８とを有し、第２電極１２、半導体装置１５及び発光素子１６は、重畳して配置される。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

離隔して配置される金属製の第１電極及び第２電極と、
表面に配置されるアノード、及び裏面に配置されるカソードを有し、前記アノードと前記カソードとの間に電流が供給されることに応じて発光する発光素子と、
前記第１電極及び前記アノードに接続される第１端子、前記カソードに接続される第２端子、前記第２電極に接続された第３端子及び第４端子、並びに前記第２端子と前記第３端子及び前記第４端子との間に流れる駆動電流を制御する駆動素子を有し、前記第２電極に実装された半導体装置と、
前記第１電極及び前記第２電極の表面、前記第１端子の一部、並びに前記第３端子及び前記第４端子を覆うように配置される樹脂製のフレームと、を有し、
前記第２電極、前記半導体装置及び前記発光素子は、重畳して配置される、ことを特徴とする発光装置。

【請求項2】

前記半導体装置を前記第２電極に接着する接着シートを更に有する、請求項１に記載の発光装置。

【請求項3】

前記フレームは、前記半導体装置の外縁を覆うように配置される、請求項２に記載の発光装置。

【請求項4】

前記第１電極と前記第１端子との間、並びに前記第２電極と前記第３端子及び前記第４端子のそれぞれとの間を接続する複数のボンディングワイヤを更に有し、
前記フレームは、前記複数のボンディングワイヤを覆うように配置される、請求項３に記載の発光装置。

【請求項5】

前記フレームは、
前記半導体装置の辺のそれぞれに平行に延伸する第１壁部、第２壁部、第３壁部及び第４壁部と、
前記第１壁部、前記第２壁部、前記第３壁部及び前記第４壁部に囲まれ、且つ前記発光素子が視認可能な開口部が中央に形成される支持面と、を有し、
前記半導体装置と前記支持面との間を接続する壁面は、前記半導体装置から前記支持面に向かうに従って前記開口部の面積が大きくなるように傾斜する、請求項３又は４に記載の発光装置。

【請求項6】

前記支持面に支持され、前記発光素子から出射された光を拡散する拡散板を更に有し、
前記拡散板の表面の高さは、前記フレームの上面の高さよりも低い、請求項５に記載の発光装置。

【請求項7】

前記第２電極は、矩形の基部、前記基部の対向する一対の辺から突出する第１突出部及び第２突出部並びに前記基部の他の一辺から突出する第３突出部を有し、
前記第１突出部、前記第２突出部及び前記第３突出部は、前記フレームが充填される凹部が裏面に形成される、請求項１～６の何れか一項に記載の発光装置。

【請求項8】

前記第１突出部及び前記第２突出部は、外縁に沿って複数の切欠きが形成される、請求項７に記載の発光装置。

【請求項9】

前記凹部は、前記複数の切欠きのそれぞれに端部が接するように形成される、請求項８に記載の発光装置。

【請求項10】

前記第１突出部及び前記第２突出部は、長手方向の端部に突起部が形成される、請求項７～９の何れか一項に記載の発光装置。

【請求項11】

前記半導体装置は、複数の電極に実装される、請求項１～１０の何れか一項に記載の発光装置。

【請求項12】

前記フレームは、前記発光素子の外縁を覆うように配置される、請求項１～１１の何れか一項に記載の発光装置。

【請求項13】

前記半導体装置の上に実装される電子部品を更に有する、請求項１～１２の何れか一項に記載の発光装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、発光装置に関する。

【背景技術】

【0002】

垂直共振器面発光レーザ（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser、ＶＣＳＥＬ）において、動作特性及び温度特性を改善させる種々の技術が知られている。例えば、特許文献１には、ＶＣＳＥＬと、抵抗が正の温度特性を有し且つＶＣＳＥＬに直列接続される抵抗素子とを有する発光装置が記載される。特許文献１に記載される発光装置は、ＶＣＳＥＬに直列接続される抵抗素子がＶＣＳＥＬのインピーダンス特性の温度変化を補償することで、インピーダンス不整合による高周波ノイズの発生及び駆動信号の劣化を防止することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００９－１０５２４０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１に記載される発光装置は、発光装置と別体の駆動装置によって駆動されるため、発光素子に加えて駆動装置を内蔵したときに発光装置のサイズが大きくなる。

【0005】

本発明は、このような課題を解決するものであり、駆動装置と発光素子とが一体化され且つ小型化が可能な発光装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明に係る発光装置は、離隔して配置される金属製の第１電極及び第２電極と、表面に配置されるアノード、及び裏面に配置されるカソードを有し、アノードとカソードとの間に電流が供給されることに応じて発光する発光素子と、第１電極及びアノードに接続される第１端子、カソードに接続される第２端子、第２電極に接続された第３端子及び第４端子、並びに第２端子と第３端子及び第４端子との間に流れる駆動電流を制御する駆動素子を有し、第２電極に実装された半導体装置と、第１電極及び第２電極の表面、第１端子の一部、並びに第３端子及び第４端子を覆うように配置される樹脂製のフレームとを有し、第２電極、半導体装置及び発光素子は、重畳して配置される。

【0007】

さらに、本発明に係る発光装置では、半導体装置を第２電極に接着する接着シートを更に有することが好ましい。

【0008】

さらに、本発明に係る発光装置では、フレームは、半導体装置の外縁を覆うように配置されることが好ましい。

【0009】

さらに、本発明に係る発光装置では、第１電極と第１端子との間、並びに第２電極と第３端子及び第４端子のそれぞれとの間を接続する複数のボンディングワイヤを更に有し、フレームは、複数のボンディングワイヤを覆うように配置されることが好ましい。

【0010】

さらに、本発明に係る発光装置では、フレームは、半導体装置の辺のそれぞれに平行に延伸する第１壁部、第２壁部、第３壁部及び第４壁部と、第１壁部、第２壁部、第３壁部及び第４壁部に囲まれ、且つ発光素子が視認可能な開口部が中央に形成される支持面と、を有し、半導体装置と支持面との間を接続する壁面は、半導体装置から支持面に向かうに従って開口部の面積が大きくなるように傾斜することが好ましい。

【0011】

さらに、本発明に係る発光装置では、支持面に支持され、発光素子から出射された光を拡散する拡散板を更に有し、拡散板の表面の高さは、フレームの上面の高さよりも低いことが好ましい。

【0012】

さらに、本発明に係る発光装置では、第２電極は、矩形の基部、基部の対向する一対の辺から突出する第１突出部及び第２突出部並びに基部の他の一辺から突出する第３突出部を有し、第１突出部、第２突出部及び第３突出部は、フレームが充填される凹部が裏面に形成されることが好ましい。

【0013】

さらに、本発明に係る発光装置では、第１突出部及び第２突出部は、外縁に沿って複数の切欠きが形成されることが好ましい。

【0014】

さらに、本発明に係る発光装置では、凹部は、複数の切欠きのそれぞれに端部が接するように形成されることが好ましい。

【0015】

さらに、本発明に係る発光装置では、第１突出部及び第２突出部は、長手方向の端部に突起部が形成されることが好ましい。

【0016】

さらに、本発明に係る発光装置では、半導体装置は、複数の電極に実装されることが好ましい。

【0017】

さらに、本発明に係る発光装置では、フレームは、発光素子の外縁を覆うように配置されることが好ましい。

【0018】

さらに、本発明に係る発光装置では、半導体装置の上に実装される電子部品を更に有することが好ましい。

【発明の効果】

【0019】

本発明に係る発光装置は、駆動装置と発光素子とが一体化されると共に、小型化が可能である。

【図面の簡単な説明】

【0020】

【図1】実施形態に係る発光装置の斜視図である。

【図2】拡散板を除く図１に示す発光装置の斜視図である。

【図3】拡散板及びフレームを除く図１に示す発光装置の斜視図である。

【図4】図１に示すＡ－Ａ線に沿う発光装置の断面図である。

【図5】図３に示す第２電極を裏面から見た斜視図である。

【図6】図１に示すフレームの斜視図である。

【図7】図１に示す発光装置の回路図である。

【図8】図１に示す発光装置の製造方法を示すフローチャートである。

【図9】図８に示す電極準備工程に対応する平面図である。

【図10】図８に示す半導体装置実装工程に対応する平面図である。

【図11】図８に示す発光素子実装工程に対応する平面図である。

【図12】図８に示すワイヤボンディング工程に対応する平面図である。

【図13】図８に示すフレーム形成工程に対応する平面図である。

【図14】第１変形例に係る発光装置の断面図である。

【図15】第２変形例に係る発光装置の断面図である。

【図16】第３変形例に係る発光装置の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0021】

以下、図面を参照して、本発明に係る発光装置について説明する。ただし、本発明の技術的範囲はそれらの実施の形態には限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶ点に留意されたい。

【0022】

図１は実施形態に係る発光装置の斜視図であり、図２は拡散板を除く図１に示す発光装置の斜視図であり、図３は拡散板及びフレームを除く図１に示す発光装置の斜視図であり、図４は図１に示すＡ－Ａ線に沿う発光装置の断面図である。

【0023】

発光装置１は、第１電極１１と、第２電極１２と、９個の監視制御電極１３と、一対のダミー電極１４と、半導体装置１５と、発光素子１６と、拡散板１７と、フレーム１８と、複数のボンディングワイヤ１９とを有するリードフレームパッケージである。発光装置１では、第２電極１２、半導体装置１５及び発光素子１６は、重畳して配置される。半導体装置１５は、矩形の平面形状を有し、第１辺２１、第２辺２２、第３辺２３及び第４辺２４を有する。

【0024】

第１電極１１、第２電極１２、９個の監視制御電極１３及び一対のダミー電極１４のそれぞれは、アルミニウム及び銅等の放熱性が高い導電性部材で形成され、互いに離隔して配置される。第１電極１１は、長手方向が延伸する略矩形状の平面形状を有し、矩形の平面形状を有する半導体装置１５の第１辺２１の延伸方向に平行に長手方向が延伸するように配置される。第１電極１１は、第１辺２１の延伸方向に沿って配置される複数のボンディングワイヤ１９を介して半導体装置１５の表面に配置される第１端子３１を介して発光素子１６のアノードに電気的に接続される。

【0025】

第１電極１１は、第２電極１２対向する辺と反対の辺に沿って６個の切欠き１１ａが形成される。また、第１電極１１は、裏面に凹部１１ｂが形成される。凹部１１ｂは、６個の切欠き１１ａのそれぞれと端部が接するように形成される。第１電極１１の長手方向の端部、及び第２電極１２に対向する辺には、突起部１１ｃが形成される。

【0026】

図５は、第２電極１２を裏面から見た斜視図である。

【0027】

第２電極１２は、半導体装置１５が実装され、基部１２ａと、半導体装置１５の第２辺２２、第３辺２３及び第４辺のそれぞれに近接して配置される第１突出部１２ｂ、第２突出部１２ｃ及び第３突出部１２ｄを有する。第２電極１２は、一端が第１突出部１２ｂ、第２突出部１２ｃ及び第３突出部１２ｄに接続される複数のボンディングワイヤ１９を介して半導体装置１５に電気的に接続される。第２電極１２は、金属を含有する樹脂材等の熱伝導率が高い接着部材を介して半導体装置１５に熱的に接続される。

【0028】

基部１２ａは、矩形の平面形状を有し、対向する一対の辺から第１突出部１２ｂ及び第２突出部１２ｃが突出するように配置されると共に、他の一辺から第３突出部１２ｄが突出するように配置される。第１突出部１２ｂ、第２突出部１２ｃ及び第３突出部１２ｄが配置されない辺は、第１電極１１に対向する。

【0029】

第１突出部１２ｂは、基部１２ａの一辺に沿って延伸するように配置され、基部１２ａに接する辺と反対の辺である外縁に沿って３個の第１切欠き１２ｂ１が形成される。また、第１突出部１２ｂは、裏面に第１凹部１２ｂ２が形成される。第１凹部１２ｂ２は、基部１２ａとの間に形成されると共に、３個の切欠き１２ｂ１のそれぞれと端部が接するように形成される。第１突出部１２ｂの長手方向の端部には、一対の第１突起部１２ｂ３が形成される。

【0030】

第２突出部１２ｃは、第１突出部１２ｂと同様に、基部１２ａの一辺に沿って延伸するように配置され、基部１２ａに接する辺と反対の辺である外縁に沿って３個の第２切欠き１２ｃ１が形成される。また、第２突出部１２ｃは、裏面に第２凹部１２ｃ２が形成される。第２凹部１２ｃ２は、基部１２ａとの間に形成されると共に、３個の切欠き１２ｃ１のそれぞれと端部が接するように形成される。第２突出部１２ｃの長手方向の端部には、一対の第２突起部１２ｃ３が形成される。

【0031】

第３突出部１２ｄは、基部１２ａの一辺の中央部に配置され、基部１２ａに接する辺と反対の辺である外縁に沿って１個の第３切欠き１２ｄ１が形成される。また、第３突出部１２ｄは、裏面に第３凹部１２ｄ２が形成される。第３凹部１２ｄ２は、基部１２ａとの間に形成されると共に、切欠き１２ｄ１と端部が接するように形成される。第２突出部１２ｃの切欠き１２ｄ１が形成される辺に直交する一対の辺には、一対の第３突起部１２ｄ３が形成される。

【0032】

９個の監視制御電極１３のうち、５個の監視制御電極１３は、第１突出部１２ｂと第３突出部１２ｄとの間に半導体装置１５の第２辺２２及び第４辺２４に沿うように配置される。９個の監視制御電極１３の他の４個の監視制御電極１３は、第２突出部１２ｃと第３突出部１２ｄとの間に半導体装置１５の第３辺２３及び第４辺２４に沿うように配置される。９個の監視制御電極１３のそれぞれは、ボンディングワイヤ１９を介して半導体装置１５に電気的に接続される。

【0033】

一対のダミー電極１４は、第１電極１１の長手方向の両端のそれぞれに第１電極１１から離隔して配置される。

【0034】

９個の監視制御電極１３及び一対のダミー電極１４は、同一の形状を有する。９個の監視制御電極１３及び一対のダミー電極１４は、矩形状の平面形状を有し、外側に向かって突起する突起部が３辺に形成される。

【0035】

半導体装置１５は、第１端子３１と、第２端子３２と、第３端子３３と、第４端子３４と、第５端子３５と、９個の監視制御端子３６とを有し、発光素子１６のアノードとカソードとの間に駆動電流を監視制御する。

【0036】

半導体装置１５は、接着シート１５ａを介して第２電極１２に接合される。接着シート１５ａは、熱伝導率が高いフィラーや金属を含有するアクリル樹脂やエポキシ樹脂等の接着用合成樹脂を矩形状の基材の両面に配置した高い熱伝導率を有する接着部材であり、半導体装置１５の裏面の形状と略一致する。接着シート１５ａの厚みは、例えば、１００μｍより薄くてよく、５０μｍより薄くてよい。半導体装置１５が発光素子１６点灯時の発熱により温度上昇したときに、半導体装置１５の熱を１２に効率よく伝えるため、接着シート１５ａの厚みは、より薄くなることが好ましく、例えば１５μｍであってもよい。なお、接着シート１５ａの厚みが１５μｍより薄くなると、製造工程でハンドリングするときに破損する恐れがある。

【0037】

第１端子３１は、矩形の平面形状を有し、第１電極１１に対向する第１辺２１に沿って半導体装置１５の表面に配置される。第１端子３１の第１電極１１に対向する第１辺２１に沿う辺の長さは、発光素子１６の第１電極１１に対向する第１辺２１に沿う辺よりも長い方が好ましい。発光素子１６の少なくとも１つの辺のほぼ全てに配置されるアノード端子からのワイヤの数を最大とすることができ、配線抵抗による電圧降下が抑制される。また、第１端子３１の第１電極１１に対向する第１辺２１に直交する辺の長さは、発光素子１６の第１電極１１に対向する第１辺２１に沿う辺よりも短い方が好ましい。経路が短くなるので、配線抵抗による電圧降下が抑制される。なお、第１端子３１の第１電極１１に対向する第１辺２１に直交する辺の長さは、半導体装置１５及び発光素子１６のサイズに応じて決定され、第１電極１１に対向する第１辺２１に沿う辺よりも長くてもよく、同一であってもよい。第１端子３１の第１辺２１に近接する領域には、第１電極１１と第１端子３１との間を電気的に接続する複数のボンディングワイヤ１９が第１辺２１の延伸方向に沿って配置される。第１端子３１の第１辺２１から離隔する領域には、第１電極１１と発光素子１６のアノードとの間を電気的に接続する複数のボンディングワイヤ１９が第１辺２１の延伸方向に沿って配置される。

【0038】

第２端子３２は、矩形の平面形状を有し、半導体装置１５の表面の中央に配置される。第２端子３２には、発光素子１６が実装され、第２端子３２と発光素子１６のカソードとの間が電気的に接続される。

【0039】

第３端子３３及び第４端子３４のそれぞれは、第１辺２１に直交する第２辺２２及び第３辺２３に長手方向が延伸する矩形状の平面形状を有し、第２辺２２及び第３辺２３のそれぞれに沿って半導体装置１５の表面に配置される。第３端子３３には、第１突出部１２ｂと第３端子３３との間を電気的に接続する複数のボンディングワイヤ１９が第２辺２２の延伸方向に沿って配置される。第４端子３４には、第２突出部１２ｃと第４端子３４との間を電気的に接続する複数のボンディングワイヤ１９が第３辺２３の延伸方向に沿って配置される。

【0040】

第５端子３５は、円形の平面形状を有し、第４辺２４の中央部の近傍に配置される。第５端子３５には、第３突出部１２ｄと第５端子３５との間を電気的に接続するボンディングワイヤ１９が配置される。

【0041】

９個の監視制御端子３６のそれぞれは、円形の平面形状を有し、第２辺２２、第３辺２３及び第４辺の近傍に配置される。９個の監視制御端子３６のそれぞれには、９個の監視制御電極１３との間を電気的に接続するボンディングワイヤ１９が配置される。

【0042】

半導体装置１５は、複雑な回路構成が可能な片面の配線板とも言え、配線設計の自由度が高い。なお、配線設計の自由度が高いとは、配線の幅が１μｍ以上、５μｍ以上、又は１０μｍ以上であり、５０μｍ以下、１００μｍ以下、又は２００μｍよりも狭くてよく、配線のピッチが１μｍ以上、５μｍ以上、又は１０μｍ以上であり、５０μｍ以下、１００μｍ以下、又は２００μｍよりも狭く構成された配線があることである。また、例えば、半導体装置１５の各辺の好適な位置に、第１端子３１、第２端子３２、第３端子３３、第４端子３４、第５端子３５、９個の監視制御端子３６を容易に配置できる。このとき、ワイヤ長が最短となるように、それぞれの端子の近傍に、第１電極１１、第２電極１２、監視制御電極１３、ダミー電極１４を配置することも容易であり、各端子と各電極のワイヤ長を最短にできるから、ボンディングワイヤ１９が断線するリスクが低くなる。また、各電極の配置が容易であるから、配線設計の自由度が低いリードフレームを使用できる。なお、配線設計の自由度が低いとは、例えば、配線の幅が２００μｍ以上、又は３００μｍ以上であり、配線のピッチが２００μｍ以上である。リードフレームは、例えば、銅などの金属材料で構成されてもよく、単一や単層の金属材料で構成されてもよく、また、表層には、全周に渡って、金及び銀などのメッキが形成されてもよい。

【0043】

発光素子１６は、ＶＣＳＥＬとも称され、レーザ光を出射する複数のエミッタが表面に等間隔にアレイ状に配置される。発光素子１６は、例えば３６４（２６×１４）個のエミッタを有し、３６４個のエミッタは、０．０３８５ｍｍのピッチで配列される。発光素子１６は、表面に配置されるアノードと、裏面に配置されるカソードとを有し、アノードとカソードとの間に電流が供給されることに応じて発光する。

【0044】

拡散板１７は、例えばポリアリレート樹脂等の熱可塑性樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂、及びエポキシ樹脂等の紫外線硬化樹脂で形成された光透過性部材である。拡散板１７の表面の高さは、フレーム１８の上面の高さよりも低い。拡散板１７の表面及び裏面の少なくとも一方には、発光素子１６から出射された光を拡散するシボ加工等された拡散面が形成される。拡散板１７は、発光素子１６から出射された光を成形及び均一化することで、所望の配光分布を有する光を出射する。拡散板１７は、発光装置１の発光効率が低下しないように発光素子１６から出射された光を取り込むことが好ましい。拡散板１７が取り込む光の取込量は、９０％以上が好ましく、９５％以上が更に好ましい。

【0045】

図６は、フレーム１８の斜視図である。

【0046】

フレーム１８は、黒色の樹脂製の部材であり、第１壁部４１と、第２壁部４２と、第３壁部４３と、第４壁部４４と、支持面４５と、第１凸部４６と、第２凸部４７とを有する。フレーム１８は、第１電極１１及び第２電極１２の表面、及び第１端子３１の一部、及び第３端子３３及び第４端子３４を覆うように配置される。なお、第１電極１１、第２電極１２、監視制御電極１３及びダミー電極１４の底面は、フレーム１８に覆われない。フレーム１８の底面は、第１電極１１、第２電極１２、監視制御電極１３及びダミー電極１４の底面と同一面を形成する。第１電極１１、第２電極１２、監視制御電極１３及びダミー電極１４の底面は、例えば、不図示のヒートシンクに面接触可能であるから、大きな放熱経路を有すると言える。

【0047】

第１壁部４１、第２壁部４２、第３壁部４３及び第４壁部４４のそれぞれは、半導体装置１５の第１辺２１、第２辺２２、第３辺２３及び第４辺２４のそれぞれに平行に延伸する。支持面４５は、第１壁部４１、第２壁部４２、第３壁部４３及び第４壁部４４に囲まれ、且つ発光素子１６が視認可能な矩形の開口部４８が中央に形成される。

【0048】

第１壁部４１の底部には、第１電極１１及び一対のダミー電極１４が篏合される。フレーム１８を形成する樹脂は、第１電極１１の６個の切欠き１１ａ、凹部１１ｂ及び突起部１１ｃのそれぞれに篏合される。また、フレーム１８を形成する樹脂は、一対のダミー電極１４の突起部に篏合される。

【0049】

第２壁部４２の底部には、第２電極１２の第１突出部１２ｂ及び１個の監視制御電極１３が篏合される。フレーム１８を形成する樹脂は、第１突出部１２ｂの３個の切欠き１２ｂ１、第１凹部１２ｂ２及び一対の第１突起部１２ｂ３のそれぞれに篏合される。また、フレーム１８を形成する樹脂は、監視制御電極１３の突起部に篏合される。

【0050】

第３壁部４３の底部には、第２電極１２の第２突出部１２ｃ及び１個の監視制御電極１３が篏合される。フレーム１８を形成する樹脂は、第２突出部１２ｃの３個の切欠き１２ｃ１、第２凹部１２ｃ２及び一対の第２突起部１２ｃ３のそれぞれに篏合される。また、フレーム１８を形成する樹脂は、監視制御電極１３の突起部に篏合される。

【0051】

第４壁部４４の底部には、第２電極１２の第３突出部１２ｄ及び７個の監視制御電極１３が篏合される。フレーム１８を形成する樹脂は、第３突出部１２ｄの切欠き１２ｄ１、第３凹部１２ｄ２及び一対の第３突起部１２ｄ３のそれぞれに篏合される。また、フレーム１８を形成する樹脂は、監視制御電極１３の突起部に篏合される。

【0052】

開口部４８を囲む支持面４５の内縁から下方に向かって延伸する壁面４９の端部は、半導体装置１５の表面に接する。壁面４９の端部が半導体装置１５の表面に接することで、開口部４８を囲む支持面４５の内縁は、発光装置１を平面視したときに、内縁が半導体装置１５に重畳するように配置される。

【0053】

すなわち、フレーム１８は、半導体装置１５の外縁を覆うように配置される。より具体的には、フレーム１８は、半導体装置１５の端子と第１電極１１～監視制御電極１３との間を接続する複数のボンディングワイヤ１９を覆うように配置される。

【0054】

半導体装置１５と支持面４５との間を接続する壁面４９は、半導体装置１５から支持面４５に向かうに従って第１壁部４１、第２壁部４２、第３壁部４３及び第４壁部４４に近接し、開口部４８の面積が大きくなるように傾斜する。

【0055】

第１凸部４６は、第２壁部４２に対向する第３壁部４３の方向に突出するように、第２壁部４２の内壁の中央部に配置される。第２凸部４７は、第３壁部４３に対向する第２壁部４２の方向に突出するように、第３壁部４３の内壁の中央部に配置される。第１凸部４６及び第２凸部４７のそれぞれは、拡散板１７の端部に対向するように配置される。

【0056】

図７は、発光装置１の回路図である。

【0057】

半導体装置１５は、第１電流制御素子５１と、第２電流制御素子５２と、監視制御回路５３とを更に有する。半導体装置１５は、発光素子１６に直列接続される第１電流制御素子５１及び第２電流制御素子５２を制御すると共に、監視制御回路５３が発光素子１６に流れる電流等を監視することで、発光素子１６の発光を監視制御する。

【0058】

第１電流制御素子５１及び第２電流制御素子５２は、ｎ型の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor、ＭＯＳＦＥＴ）である。第１電流制御素子５１及び第２電流制御素子５２は、発光素子１６を介して第２端子３２と第３端子３３及び第４端子３４に流れる駆動電流を制御する駆動素子である。

【0059】

第１電流制御素子５１のゲートは、監視制御端子３６の１つを介して監視制御電極１３の１つに接続される。第１電流制御素子５１のソースは第２電流制御素子５２のドレインに接続され、第１電流制御素子５１のドレインは第２端子３２を介して発光素子１６のカソードに接続される。第２電流制御素子５２のゲートは監視制御回路５３に接続され、第２電流制御素子５２のソースは第３端子３３及び第４端子３４を介して第２電極に接続される。

【0060】

第１電流制御素子５１は、監視制御電極１３に印加される電流設定信号に基づいて、発光素子１６のアノードとカソードとの間及び第１電流制御素子５１のソースとドレインとの間に流れる駆動電流の電流量を制御する。

【0061】

第２電流制御素子５２は、監視制御回路５３によって生成される周期信号に基づいてオンオフすることで、発光素子１６のアノードとカソードとの間及び第２電流制御素子５２のソースとドレインとの間に流れる駆動電流を所定の周期でオンオフする。

【0062】

監視制御回路５３は、電流駆動回路５４と、温度監視回路５５と、電流監視回路５６と、光量監視回路５７とを有する。電流駆動回路５４は、監視制御端子３６を介して監視制御電極１３から入力される信号に基づいて周期信号を生成し、生成した周期信号を第２電流制御素子５２のゲートに印加する。監視制御回路５３は、監視制御端子３６から電源電圧が供給されると共に、第５端子３５を介して第２電極１２に接続されることで、接地される。

【0063】

温度監視回路５５は、サーミスタを有し、半導体装置１５の表面に配置される発光素子１６の温度を測定し、サーミスタによって測定される温度が所定のしきい値温度を越えたとき、警報信号を監視制御端子３６を介して監視制御電極１３から出力する。光量監視回路５７は、発光素子１６から出射される光の光量を示す光量信号が不図示の光電変換素子から入力され、入力される光量信号に対応する光量が所定の光量範囲を外れたとき、警報信号を監視制御端子３６を介して監視制御電極１３から出力する。なお、監視制御回路５３は、電流駆動回路５４、温度監視回路５５、電流監視回路５６及び光量監視回路５７を有するが、実施形態に係る発光装置では、監視制御回路５３は、電流駆動回路５４と、温度監視回路５５、電流監視回路５６及び光量監視回路５７を有していなくてもよい。また、実施形態に係る発光装置では、監視制御回路５３は、電流駆動回路５４と、温度監視回路５５、電流監視回路５６及び光量監視回路５７の少なくとも１つを有してもよい。

【0064】

図８は、発光装置１の製造方法を示すフローチャートである。図９は図８に示す電極準備工程に対応する平面図であり、図１０は図８に示す半導体装置実装工程に対応する平面図であり、図１１は図８に示す発光素子実装工程に対応する平面図である。図１２は図８に示すワイヤボンディング工程に対応する平面図であり、図１３は図８に示すフレーム形成工程に対応する平面図である。図８～１３を参照して、単一の発光装置１が製造される製造方法が説明されるが、図８～１３を参照して説明される製造方法と同様な製造方法によって複数の発光装置１が製造されてもよい。

【0065】

まず、電極準備工程において、第１電極１１、第２電極１２、複数の監視制御電極１３及び一対のダミー電極１４のそれぞれは、互いに離隔する所定の位置に配置される（Ｓ１０１）。

【0066】

次いで、半導体装置実装工程において、半導体装置１５は、第２電極１２に実装される（Ｓ１０２）。半導体装置１５は、金属を含有する樹脂材等の熱伝導率が高い接着シート１５ａを介して第２電極１２の表面に接着することで、第２電極１２に実装される。

【0067】

次いで、ワイヤボンディング工程において、第１電極１１等の電極と第１端子３１等の端子の間がボンディングワイヤ１９によって電気的に接続される（Ｓ１０３）。第１電極１１等の電極と第１端子３１等の端子の間がボンディングワイヤ１９によって電気的に接続されることで、外部装置に電気的に接続可能な電極と、半導体装置１５との間が電気的に接続される。

【0068】

次いで、フレーム形成工程において、フレーム１８は、第１電極１１及び第２電極１２の表面、及び第１端子３１の一部、及び第３端子３３及び第４端子３４を覆うように形成される（Ｓ１０４）。フレーム１８は、フレーム１８の形状に対応する形状を有する金型にフレーム１８の原材料を注入した後に、フレーム１８の原材料を加熱して固化することで、形成される。

【0069】

次いで、発光素子実装工程において、発光素子１６は、半導体装置１５の表面に配置される第２端子３２に実装される（Ｓ１０５）。発光素子１６は、金錫はんだ等の導電性の接着部材を介して第２端子３２の表面に接着することで、第２端子３２に実装される。発光素子１６は、第２電極１２及び半導体装置１５に重畳して配置される。次いで、第１端子３１と発光素子１６のアノードの間がボンディングワイヤ１９によって電気的に接続される。フレーム１８によって、第１電極１１等の電極と第１端子３１等の端子の間のボンディングワイヤ１９は覆われているから、発光素子実装工程における外力から保護され、ボンディングワイヤ１９の断線リスクを低減できる。

【0070】

そして、拡散板実装工程において、拡散板１７は、フレーム１８の支持面４５に実装される（Ｓ１０６）ことで、発光装置１は製造される。拡散板１７は、シリコーン樹脂等の樹脂材料により形成される接着剤を介して支持面４５に接着することで、支持面４５に実装される。発光素子１６及び第１端子３１と発光素子１６のアノードの間を接続するボンディングワイヤ１９は、フレーム１８の凹部である開口部４８で囲まれているから、拡散板１７を実装するときの外力による破損のリスクは低い。

【0071】

発光装置１は、発光素子１６が発光素子を駆動する駆動装置である半導体装置１５に重畳するように配置されるので、半導体装置１５と発光素子１６とが一体化され且つ小型化が可能である。また、発光装置１は、発光素子１６が重畳して配置される半導体装置１５を接地する第２電極１２が半導体装置１５及び発光素子１６に重畳して配置されるので、更なる小型化が可能である。

【0072】

また、発光装置１では、発光中に発光素子１６から放射される熱は、半導体装置１５を介して、熱伝導率が高い材料で形成される第２電極１２に放熱されるので、発光装置１は、良好な放熱特性を有する。発光素子１６から放射される熱は、第２端子３２、第１配線層６１、第１電流制御素子５１及びシリコン基板６０を介して第２電極１２に放熱される。

【0073】

また、発光装置１では、第１電極１１と第１端子３１との間は、複数のボンディングワイヤ１９によって接続される。例えば、第１端子３１に発光素子１６を実装するとき、半導体装置１５の第１辺２１からはみ出さないように、第１辺２１の上端から離隔した位置に配置されるので、離隔した距離だけボンディングワイヤ１９の長さが長くなる。また、発光素子１６と第１電極１１との間を接続するボンディングワイヤ１９は、半導体装置１５の第１辺の上端に触れないように第１辺の上端の発光素子１６から離れる方向へ離隔させるから、離隔した距離だけワイヤが長くなる。一方、発光装置１は、第１端子の第１辺２１の近傍にボンディングワイヤ１９が配置できるから、発光装置１は、第１端子３１に発光素子１６を実装したときよりも、第１電極１１と第１端子３１との間の配線の抵抗による電圧降下が抑制される。例えば、発光素子１６から第１電極１１へのワイヤは半導体装置１５の第１辺の上端に触れないように第１辺の上端の発光素子１６から離れる方向へ離隔させるから、離隔した距離だけボンディングワイヤ１９の長さが長くなる。一方、発光装置１は、発光素子１６から発光素子の高さだけ低い位置にある第１端子３１にボンディングワイヤ１９を直接接続でき、面積の大きく配線抵抗が小さい第１端子３１を経由して、前述のワイヤ経路で第１電極１１に接続できるから、発光装置１は、発光素子１６と第１電極１１との間をボンディングワイヤ１９により接続したときよりも、第１電極１１とアノードとの間の配線抵抗による電圧降下が抑制される。また、発光装置１では、第２電極１２と第３端子３３及び第４端子３４のそれぞれとの間は、複数のボンディングワイヤ１９によって接続されるので、接地される第２電極１２と半導体装置１５との間の配線抵抗による電圧上昇が抑制される。

【0074】

また、発光装置１では、第１端子３１は第１電極１１に対向する第１辺２１に沿って配置され、第２端子３２は半導体装置１５の表面の中央に配置され、第３端子３３及び第４端子３４は第２辺２２及び第３辺２３に沿って配置される。発光装置１では、第１端子３１と、第２端子３２と、第３端子３３及び第４端子３４とを離隔して配置することで、第１端子３１、第２端子３２、第３端子３３及び第４端子３４の間に流れる駆動電流が干渉して、駆動電流にノイズが発生するおそれを低くすることができる。

【0075】

さらに、発光装置１は、監視制御回路５３に接続される複数の監視制御端子３６は、第４辺２４に沿って配置されるので、監視制御回路５３から入出力される信号に駆動電流が干渉してノイズが発生するおそれを低くすることができる。また、複数の監視制御端子３６のそれぞれに接続される監視制御電極１３は、第４辺に沿って配置されるので、監視制御回路５３から入出力される信号に駆動電流が干渉して、駆動電流にノイズが発生するおそれを更に低くすることができる。

【0076】

また、発光装置１では、第１電極１１及び第２電極１２の表面、第１端子３１の一部、並びに前記第３端子及び第４端子は、ワイヤボンディング工程の後に配置される樹脂製のフレーム１８によって覆われる。発光装置１は、枠材として機能するフレーム１８を配置する前にワイヤボンディング工程が実行されるので、ワイヤボンディング工程における離隔距離を確保することなく小型化が可能である。

【0077】

また、発光装置１は、第２電極１２及び半導体装置１５がフレーム１８によって固定されるので、第２電極１２と半導体装置１５との間の接着強度がフレーム１８によって補強され、半導体装置１５が第２電極１２から剥離することを防止できる。

【0078】

また、発光装置１では、拡散板１７は、第１壁部４１、第２壁部４２、第３壁部４３及び第４壁部４４に囲まれ且つ発光素子１６が視認可能な開口部４８が中央に形成される支持面４５によって支持される。発光装置１では、拡散板１７が支持面４５によって支持されるので、製造コストが高い拡散板１７の大きさを最小化できるので、発光装置１の製造コストを低減することができる。

【0079】

また、発光装置１では、フレーム１８は、拡散板１７を挟むように配置される一対の第１凸部４６及び第２凸部４７を有するので、発光装置１を製造するときに、拡散板１７の実位置を容易に決定することができる。

【0080】

また、発光装置１では、半導体装置１５は、接着シート１５ａによって第２電極１２に接着されるので、接着時に半導体装置１５の底面全体に接着層を設けることができ、また半導体装置１５の底面から半導体装置１５の側面を絶縁物質である接着剤が這い上がって半導体装置１５の表面に達するおそれはない。発光装置１では、半導体装置１５は、接着シート１５ａによって第２電極１２に接着されるので、絶縁物質である接着剤が半導体装置１５の表面に達するおそれはなく、半導体装置１５の表面に外縁に沿って第１端子３１～監視制御端子３６を配置可能である。発光装置１では、第１端子３１～監視制御端子３６は、半導体装置１５の表面に外縁に沿って配置されるので、第１端子３１～監視制御端子３６のそれぞれと、第１電極１１～監視制御電極１３との間を接続するボンディングワイヤ１９の長さを短くできる。発光装置１では、第１端子３１～監視制御端子３６と第１電極１１～監視制御電極１３との間を接続するボンディングワイヤ１９の長さが短くなるので、ボンディングワイヤ１９により生じる寄生インピーダンスが小さくなり、発光装置１の電気特性が向上する。

【0081】

また、発光装置１では、半導体装置１５は、接着シート１５ａによって第２電極１２に接着されるので、接着時に半導体装置１５の底面全体に接着層を設けることができ、また、半導体装置１５の底面から第２電極の外縁方向への接着層の広がりを抑制できる。絶縁物質である接着剤が半導体装置１５の底面の側面からはみ出さないので、第３端子３３及び第４端子３４のそれぞれと第２電極１２の間を接続する複数のボンディングワイヤ１９の第２電極１２での接続位置を半導体装置１５に近接させることができ、複数のボンディングワイヤ１９の長さを短くできる。発光装置１では、第３端子３３及び第４端子３４のそれぞれと第２電極１２との間を接続するボンディングワイヤ１９の長さが短くなるので、ボンディングワイヤ１９により生じる寄生インピーダンスが小さくなり、発光装置１の電気特性が向上する。

【0082】

また、発光装置１では、フレーム１８は、半導体装置１５の外縁を覆うように配置されるので、半導体装置１５は、接着シート１５ａに加えてフレーム１８によって固定される。接着シート１５ａは、半導体装置１５からの発熱を効率よく第２電極１２に伝えるために厚みを薄くしたことと、半導体装置１５の側面への這い上がりを抑制したから、半導体装置１５の側面を這い上がり第２電極１２に半導体装置１５を強固に接着する接着剤よりも接着力が弱いので、接着シート１５ａのみによって半導体装置１５を固定したとき、第２電極１２から半導体装置１５が剥離するおそれがある。発光装置１では、半導体装置１５は、接着シート１５ａに加えてフレーム１８によって固定されることで、第２電極１２からが剥離するおそれを低くすることができる。

【0083】

また、発光装置１では、フレーム１８は、半導体装置１５の端子と第１電極１１～監視制御電極１３との間を接続する複数のボンディングワイヤ１９を覆うように配置されるので、ボンディングワイヤ１９は、フレーム１８によって固定される。発光装置１では、ボンディングワイヤ１９は、フレーム１８によって固定されるので、半導体装置１５の端子と第１電極１１～監視制御電極１３から剥離して電気的な接続が遮断されるおそれを低くすることができる。

【0084】

また、発光装置１では、半導体装置１５と支持面４５との間を接続する壁面４９は、半導体装置１５から支持面４５に向かうに従って開口部４８の面積が大きくなるように傾斜する。発光装置１では、壁面４９が支持面４５に向かうに従って開口部４８の面積が大きくなるように傾斜するので、第１電極１１と第１端子３１との間をワイヤボンディングするときに、フレーム１８がワイヤボンディング装置と干渉するおそれを低くすることができる。

【0085】

また、発光装置１では、拡散板１７の表面の高さは、フレーム１８上面の高さよりも低いので、発光装置１の周囲に配置される機器に拡散板１７が接触して拡散板１７が破損するおそれを低くすることができる。

【0086】

また、発光装置１では、第１電極１１は、フレーム１８が充填される凹部１１ｂが裏面に形成されるので、フレーム１８によって強固に固定される。また、発光装置１では、第１突出部１２ｂ、第２突出部１２ｃ及び第３突出部１２ｄは、フレーム１８が充填される第１凹部１２ｂ２、第２凹部１２ｃ２及び第３凹部１２ｄ２が裏面に形成されるので、第２電極１２はフレーム１８によって強固に固定される。

【0087】

また、発光装置１では、第１電極１１は、フレーム１８が充填される６個の切欠き１１ａが形成されるので、フレーム１８によって更に強固に固定される。また、発光装置１では、第１突出部１２ｂ、第２突出部１２ｃ及び第３突出部１２ｄは、フレーム１８が充填される第１切欠き１２ｂ１、第２切欠き１２ｃ１及び第３切欠き１２ｄ１が形成されるので、第２電極１２はフレーム１８によって更に強固に固定される。

【0088】

また、発光装置１では、第１電極１１は、突起部１１ｃが形成されるので、フレーム１８との接続がアンカー効果によって強化される。また、発光装置１では、第１突出部１２ｂ、第２突出部１２ｃ及び第３突出部１２ｄは、フレーム１８が充填される第１突起部１２ｂ３、第２突起部１２ｃ３及び第３突起部１２ｄ３が形成されるので、フレーム１８との接続がアンカー効果によって強化される。また、発光装置１では、監視制御電極１３及びダミー電極１４は、突起部が３辺に形成されるので、フレーム１８との接続がアンカー効果によって強化される。

【0089】

発光装置１では、半導体装置１５の上面の外縁をフレーム１８で覆うことによって、半導体装置１５を第２電極１２方向へ押し込むことができる。また、第２電極１２に第１突出部１２ｂ～第３突出部１２ｄと、第１切欠き１２ｂ１～第３切欠き１２ｄ１を設け、それぞれをフレーム１８で覆うことによって、第２電極１２を半導体装置１５方向へ押し込むことができる。つまり、フレーム１８は、半導体装置１５、接着シート１５ａ及び第２電極１２を上下方向で挟み込むことで、半導体装置１５と第２電極１２の剥離を防止している。なお、第２電極１２の厚みを部分的に薄くし、フレーム１８を配置しているから、第２電極１２の下面を全て覆うときより製品全体を薄くできる。また、第２電極１２の下面は、半導体装置１５より大きい面積でフレーム１８に覆われていない部分が露出しているから、例えば、不図示のヒートシンクへ接続することによって、良好な放熱性が得られる。

【0090】

発光装置１では、半導体装置１５は、第２電極１２のみに実装されるが、実施形態に係る発光装置では、半導体装置１５は、２以上の電極に実装されてもよい。

【0091】

図１４は、第１変形例に係る発光装置の断面図である。図１４は図１に示すＡ－Ａ線に沿う断面図に対応する断面図である。

【0092】

第１変形例に係る発光装置２は、第２電極６２及び監視制御電極６３を第２電極１２及び監視制御電極１３の代わりに有することが発光装置１と相違する。第２電極６２及び監視制御電極６３以外の発光装置２の構成要素の構成及び機能は、同一符号が付された発光装置１の構成要素の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。

【0093】

第２電極６２及び監視制御電極６３のそれぞれは、長さが第２電極１２及び監視制御電極１３と相違する。半導体装置１５は第２電極６２に実装されると共に、監視制御電極６３に実装される。フレーム１８は、半導体装置１５と接着シート１５ａを下方向へ、第２電極６２を上方向へ押し込み、各部材を上下方向で挟み込むことで、半導体装置１５と第２電極６２の剥離を防止する。また、フレーム１８は、半導体装置１５と接着シート１５ａを下方向へ、監視制御電極６３を上方向へ押し込み、各部材を上下方向で挟み込むことで、半導体装置１５と監視制御電極６３の剥離を防止するから、ボンディングワイヤ１９の断線も防止できる。また、例えば、第２電極６２と監視制御電極６３の間に応力が加わったとき、半導体装置１５と接着シート１５ａが、第２電極６２と監視制御電極６３の表面を支持するから、第２電極６２と監視制御電極６３の表面を断面視したときに略同一面に保持でき、製品の変形を抑制できる。

【0094】

また、発光装置１では、フレーム１８は、半導体装置１５の外縁を覆うように配置されるが、実施形態に係る発光装置では、フレームは、半導体装置１５に加えて発光素子１６の外縁を覆うように配置されてもよい。

【0095】

図１５は、第２変形例に係る発光装置の断面図である。図１５は図１に示すＡ－Ａ線に沿う断面図に対応する断面図である。

【0096】

第２変形例に係る発光装置３は、フレーム６８をフレーム１８の代わりに有することが発光装置１と相違する。フレーム６８以外の発光装置３の構成要素の構成及び機能は、同一符号が付された発光装置１の構成要素の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。

【0097】

フレーム６８は、半導体装置１５に加えて発光素子１６の外縁を覆うように配置されることがフレーム１８と相違する。発光素子１６の外縁を覆うように配置されること以外のフレーム６８の構成及び機能は、フレーム１８の構成及び機能と同様なので、ここでは詳細な説明は省略する。

【0098】

発光装置３は、フレーム６８が発光素子１６の外縁を覆うように配置されるので、指向性が狭い光を出射することができる。発光装置３は、フレーム６８によって、第２電極１２、接着シート１５ａ、半導体装置１５及び発光素子１６を上下方向で挟み込むことができ、剥離を防止できる。

【0099】

また、発光装置１では、半導体装置１５の上には、発光素子１６のみが実装されるが、実施形態に係る発光装置では、半導体装置１５の上には、フォトダイオード、コンデンサ及び抵抗等の電子部品が発光素子１６と共に実装されてもよい。半導体装置１５の上に実装されたコンデンサ及び抵抗等の電子部品は、フレーム１８に覆われていてもよい。半導体装置１５の上に実装されたフォトダイオード等の電子部品は、透光性の受光感度の影響の少ない樹脂などを用いたフレーム１８に覆われていてもよい。

【0100】

図１６は、第３変形例に係る発光装置の断面図である。図１６は図１に示すＡ－Ａ線に沿う断面図に対応する断面図である。

【0101】

第３変形例に係る発光装置４は、半導体装置６５及びフォトダイオード６６を有することが発光装置１と相違する。半導体装置６５及びフォトダイオード６６以外の発光装置４の構成要素の構成及び機能は、同一符号が付された発光装置１の構成要素の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。

【0102】

半導体装置６５は、フォトダイオード６６に電気的に接続される端子が表面に配置されることが半導体装置１５と相違する。フォトダイオード６６に電気的に接続される端子が表面に配置されること以外の半導体装置６５の構成及び機能は、半導体装置１５の構成及び機能と同様なので、ここでは詳細な説明は省略する。

【0103】

フォトダイオード６６は、光電変換素子であり、発光素子１６が発光するときに、発光素子１６から出射される光の光量を示す光量信号を半導体装置６５に出力する。半導体装置６５の光量監視回路５７は、光量信号がフォトダイオード６６から入力され、入力される光量信号に対応する光量が所定の光量範囲を外れたとき、警報信号を監視制御端子３６を介して監視制御電極１３から出力する。

【符号の説明】

【0104】

１～４ 発光装置
１１ 第１電極
１２、６２ 第２電極
１３、６３ 監視制御電極
１４ ダミー電極
１５、６５ 半導体装置
１６ 発光素子
１７ 拡散板
１８、６８ フレーム

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】