前記高周波誘導加熱ヘッドを複数個設け、これら複数の高周波誘導加熱ヘッドには、一つの加熱コイルから高周波磁束を供給する構成とした請求項1に記載の蓋つき容器用封止装置。
前記高周波誘導加熱ヘッドは、Cの字形状の一端部が第1の磁気ギャップ形成部、Cの字形状の他端部が第2の磁気ギャップ形成部となる構成とし、前記Cの字形状のCの字内部空間を、前記加熱コイルが貫通した構成とした請求項2に記載の蓋つき容器用封止装置。
前記容器の開口部、およびこの開口部を覆う蓋は矩形形状とし、矩形形状の複数辺に、それぞれ、別の高周波誘導加熱ヘッドを配置する構成とした請求項3に記載の蓋つき容器用封止装置。
前記容器の開口部、およびこの開口部を覆う蓋は矩形形状とし、矩形形状の複数辺の中央部に、それぞれ、別の高周波誘導加熱ヘッドを配置する構成とした請求項4に記載の蓋つき容器用封止装置。
前記容器の開口部、およびこの開口部を覆う蓋は矩形形状とし、矩形形状の4辺に、それぞれ、別の高周波誘導加熱ヘッドを配置する構成とした請求項2、または3に記載の蓋つき容器用封止装置。
前記容器の開口部、およびこの開口部を覆う蓋は矩形形状とし、矩形形状の第1辺の中央部に、第1の高周波誘導加熱ヘッドを配置し、前記矩形形状の第2辺の中央部に、第2の高周波誘導加熱ヘッドを配置し、前記矩形形状の第3辺の中央部に、第3の高周波誘導加熱ヘッドを配置し、前記矩形形状の第4辺の中央部に、第4の高周波誘導加熱ヘッドを配置する構成とした請求項6に記載の蓋つき容器用封止装置。
前記第1、第2、第3、第4の高周波誘導加熱ヘッドは、前記蓋の中心部分の外周において、90度の間隔で放射状に配置され、前記蓋の中心部分には、前記蓋を、容器の開口部に対して押圧する押圧手段を設けた請求項7に記載の蓋つき容器用封止装置。
前記高周波誘導加熱ヘッドの第1の磁気ギャップ形成部は、蓋の外周部から、蓋の外周部外方へと延びる水平面を有し、前記第2の磁気ギャップ形成部は、容器の側面外周において、容器の開口部側が蓋の外周部外方に離れ、容器の底面側が蓋の外周部に近接する形状とした請求項1から10のいずれか一つに記載の蓋つき容器用封止装置。
請求項1から11のいずれか一つに記載の蓋つき容器用封止装置の保持手段によって、導電性封止体を介して、開口部に、蓋が被せられた状態の容器を保持し、次に、高周波誘導加熱ヘッドの第1の磁気ギャップ形成部を、前記蓋の、容器の開口部側とは反対側の面の外周部近傍、第2の磁気ギャップ形成部を、前記開口部に隣接する容器の側面部近傍に、それぞれ配置し、その後、前記加熱コイルから高周波誘導加熱ヘッドに高周波磁束を供給する蓋つき容器の封止方法。
本発明は、例えば、半導体素子、各種センサー、MEMS、光学素子などの機能部品を、蓋つき容器内に密封状態で収納させるための蓋つき容器用封止装置と、それを用いた封止方法に関するものである。
例えば、水、油、液状薬剤、金属粉などが付着すると、劣化する虞がある半導体素子、各種センサー、MEMS、光学素子などの機能部品は、蓋つき容器内に密封状態で収納されることがある。
つまり、半導体素子、各種センサー、MEMS、光学素子などの機能部品を、容器の開口部から、容器内に収納させ、その後、容器の開口部を蓋で覆い、前記容器内に機能部品を密封状態で収納するのである。
この場合、容器開口部の開口縁と、蓋の間には、環状の封止材が配置され、その封止材に、容器外からレーザーを照射したり、容器外から熱風を吹き付けたりして、前記封止材を溶融させ、容器の開口部に、封止材を介して蓋を固定し、容器を密封状態としている。
また、別の方法として、蓋が装着された容器を高温炉内に配置し、高温炉によって前記蓋、容器とともに、封止材を高温化し、前記封止材を溶融させ、容器の開口部に、封止材を介して蓋を固定し、容器を密封状態とするものも有る。
これらの技術に類似する先行文献としては、例えば下記特許文献1、特許文献2が存在する。
そして、この目的を達成するために本発明の蓋つき容器用封止装置は、開口部に、熱溶融性の導電性封止体を介して、蓋が、被せられた状態の容器を、保持する保持手段と、前記導電性封止体を溶融させる加熱手段と、を備え、前記加熱手段は、高周波誘導加熱ヘッドと、この高周波誘導加熱ヘッドに高周波磁束を供給する加熱コイルと、を有し、前記高周波誘導加熱ヘッドは、前記蓋の、容器の開口部とは反対側の面の外周部近傍に配置される第1の磁気ギャップ形成部、前記開口部に隣接する容器の側面部に配置され、前記第1の磁気ギャップ形成部との間で磁気ギャップを形成する第2の磁気ギャップ形成部と、を有する構成としたものである。
また、前記高周波誘導加熱ヘッドを複数個設け、これら複数の高周波誘導加熱ヘッドには、一つの加熱コイルから高周波磁束を供給する構成としたものである。
さらに、前記高周波誘導加熱ヘッドは、Cの字形状の一端部が第1の磁気ギャップ形成部、Cの字形状の他端部が第2の磁気ギャップ形成部となる構成とし、前記Cの字形状のCの字内部空間を、前記加熱コイルが貫通した構成としたものである。
また、前記容器の開口部、およびこの開口部を覆う蓋は矩形形状とし、矩形形状の複数辺に、それぞれ、別の高周波誘導加熱ヘッドを配置する構成としたものである。
さらに、前記容器の開口部、およびこの開口部を覆う蓋は矩形形状とし、矩形形状の複数辺の中央部に、それぞれ、別の高周波誘導加熱ヘッドを配置する構成としたものである。
また、前記容器の開口部、およびこの開口部を覆う蓋は矩形形状とし、矩形形状の4辺に、それぞれ、別の高周波誘導加熱ヘッドを配置する構成としたものである。
さらに、前記容器の開口部、およびこの開口部を覆う蓋は矩形形状とし、矩形形状の第1辺の中央部に、第1の高周波誘導加熱ヘッドを配置し、前記矩形形状の第2辺の中央部に、第2の高周波誘導加熱ヘッドを配置し、前記矩形形状の第3辺の中央部に、第3の高周波誘導加熱ヘッドを配置し、前記矩形形状の第4辺の中央部に、第4の高周波誘導加熱ヘッドを配置する構成としたものである。
また、前記第1、第2、第3、第4の高周波誘導加熱ヘッドは、前記蓋の中心部分の外周において、90度の間隔で放射状に配置され、前記蓋の中心部分には、前記蓋を、容器の開口部に対して押圧する押圧手段を設けたものである。
さらに、前記保持手段は、容器を、その開口部を上方にした状態で、保持する構成としたものである。
また、前記蓋の上面の中心部には、この蓋を、容器の開口部に対して押圧する押圧手段を設けたものである。
さらに、前記高周波誘導加熱ヘッドの第1の磁気ギャップ形成部は、蓋の外周部から、蓋の外周部外方へと延びる水平面を有し、前記第2の磁気ギャップ形成部は、容器の側面外周において、容器の開口部側が蓋の外周部外方に離れ、容器の底面側が蓋の外周部に近接する形状とした。
また、本発明の蓋つき容器の封止方法は、蓋つき容器用封止装置の保持手段によって、導電性封止体を介して、開口部に、蓋が被せられた状態の容器を保持し、次に、高周波誘導加熱ヘッドの第1の磁気ギャップ形成部を、前記蓋の、容器の開口部側とは反対側の面の外周部近傍、第2の磁気ギャップ形成部を、前記開口部に隣接する容器の側面部に、それぞれ配置し、その後、前記加熱コイルから高周波誘導加熱ヘッドに高周波磁束を供給するものである。
以上のように本発明の蓋つき容器用封止装置は、開口部に、熱溶融性の導電性封止体を介して、蓋が、被せられた状態の容器を、保持する保持手段と、前記導電性封止体を溶融させる加熱手段と、を備え、前記加熱手段は、高周波誘導加熱ヘッドと、この高周波誘導加熱ヘッドに高周波磁束を供給する加熱コイルとを有し、前記高周波誘導加熱ヘッドは、前記蓋の、容器の開口部とは反対側の面の外周部近傍に配置される第1の磁気ギャップ形成部、前記開口部に隣接する容器の側面部に配置され、前記第1の磁気ギャップ形成部との間で磁気ギャップを形成する第2の磁気ギャップ形成部と、を有する構成としたものであるので、容器内に収納される機能部品の性能が劣化すのを抑制することができる。
すなわち、本発明においては、容器の開口部において蓋との間に配置された熱溶融性の導電性封止体は、高周波誘導加熱ヘッドの第1、第2の磁気ギャップ形成部間の磁気ギャップにおいて磁束による誘導加熱で溶融するので、溶融状態の導電性封止体が容器内に飛散することは無く、この結果として、容器内に収納される機能部品の性能が劣化すのを抑制することができる。
また、容器の開口部において蓋との間に配置された熱溶融性の導電性封止体は、高周波誘導加熱ヘッドの第1、第2の磁気ギャップ形成部間の磁気ギャップにおいて磁束による誘導加熱で溶融するので、容器内が高温化することも無く、この結果からも、容器内に収納される機能部品の性能が劣化すのを抑制することができる。
さらに、レーザー照射や熱風照射は、極めて精度の求められる作業となるので、作業性も悪いものとなるが、本発明では、導電性封止体の近傍に高周波誘導加熱ヘッドを配置するだけなので、作業性の良いものとなる。
<実施の形態1>
以下、本発明の一実施形態を、添付図面を用いて説明する。
図1~
図4は、本発明の一実施形態にかかる蓋つき容器用封止装置1を示している。
蓋つき容器用封止装置1の構造理解を助けるために、先ずは、
図1~
図4の関係について説明する。
図1は、容器用封止装置1を正面から見た図である。
図2は、
図1の右側斜め方向から容器用封止装置1を見た図である。
図3は、
図1の背面側から容器用封止装置1を見た図である。
図4は、
図1の左側から容器用封止装置1を見た図である。
容器用封止装置1は、これらの
図1~
図4に示す上方側の本体2と、下方側の保持手段3、とによって構成されている。
図5~
図10は本体2部分の構成を説明するための図であり、本体2部分の構造理解を助けるために、先ずは、
図1~
図4の関係について説明する。
図5、
図7、
図10は、本体2を、
図2の方向から見た図である。
図6は、本体2を、
図1の方向から見た図である。
図8は、本体2を、
図3の方向から見た図である。
図9は、本体2を、
図4の方向から見た図である。
次に、これらの
図5~
図10を用いて本体2について、詳述する。
本体2は、上ケース4と、この上ケース4の下方に配置した下ケース5を有する。
上ケース4は、
図5に示す正面板4a、右側面板4b、背面板4c、左側面板4d、下板4e、上板4fと、により構成された矩形の箱型形状となっている。
正面板4aと右側面板4bは、
図5、
図7に示すネジ6によって結合されている。
また、右側面板4bと背面板4cは、
図8に示すネジ7によって結合されている。
さらに、背面板4cと左側面板4dは、
図8に示すネジ8によって結合されている。
また、左側面板4dと正面板4aは、
図9に示すネジ9によって結合されている。
さらに、背面板4cと下板4eは、
図8に示すネジ10によって結合されている。
また、上板4fは、
図5に示すネジ11によって、右側面板4bと背面板4cと左側面板4dに結合されている。
以上の構成により、上ケース4は、
図5に示す正面板4a、右側面板4b、背面板4c、左側面板4d、下板4e、上板4fと、により構成された矩形の箱型形状となっている。
なお、上ケース4は、
図8に示す背面板4cのネジ孔11aを利用し、背面側に設けた装置基台(図示せず)に固定されている。
この装置基台は縦方向に取り付け面を有し、その取り付け面には位置決めピン(図示せず)が設けられ、この位置決めピンに、
図8に示す背面板4cの位置決め孔11bを嵌合させることで、上ケース4を装置基台に位置決めし、その後、装置基台の背面側から上記背面板4cのネジ孔11aにネジ(図示せず)を螺合させ、これによって上ケース4を、
図8に示す背面板4cを介して装置基台(図示せず)に固定している。
次に、
図7、
図8から理解されるように、下ケース5内から下方に、加熱コイル12が引き出された構成となっている。
また、
図5、
図10に示すように、上ケース4内には、加熱コイル12と共振させるためのコンデンサ13と、前記加熱コイル12に冷却水を循環させるための水路結合体14が収納されている。
なお、水路結合体14は加熱コイル12への通電体の機能も有し、上板4fに設けた電源コネクター15からの配線(図面の煩雑化を避けるために図示せず)は、ネジ16を利用し、水路結合体14に電気的に接続されている。
また、水路結合体14は、
図6~
図10に示すように、上板4f上に引き出され、この部分で水路管(図示せず)が連結される構成となっている。
左右の水路結合体14は、いずれも、銅製で、上下方向に、水路が形成され、この水路の上端は水路結合体14に連通し、また、水路の下端はコンデンサ13側に開口した状態となっている。
また、コンデンサ13の下には、
図5、
図10のように、銅製の水路結合体17が配置されている。
左右の水路結合体17の、それぞれの水路の上端は、それに対応する側の水路結合体14側に開口し、水路結合体17の水路の上端と、水路結合体14の水路の下端の結合部分には、Oリング18が介在され、この部分の水密構造が取られている。
なお、水路結合体17の水路の下端は、下方に開口した状態となっている。
また、コンデンサ13と水路結合体14間には、銅製の端子板19が配置されている。
以上の構成で、
図5、
図10から理解されるように、左右の水路結合体14、端子板19は、それぞれ4本のネジ20によってコンデンサ13に固定、一体化され、コンデンサ13と加熱コイル12の電気的な接続も行えるようになっている。
また、水路結合体14をネジ21で、水路結合体17に結合することで、水路結合体14の水路と、水路結合体17が連通することになる。
前記のようにネジ20、21によって一体化されたコンデンサ13、左右の水路結合体14、17、端子板19は、
図8に示す背面板4cの外側からネジ22をねじ込むことで、この背面板4cに保持された状態となっている。
そして、この状態においては、左右の水路結合体17に対応する下板4e部分には
図5に示すように、開口部23が設けられ、前記水路結合体17の下端の中央部分は、前記下板4eの開口部23を介して下方に臨んだ状態となっている。
次に、上ケース4の下方に配置された下ケース5部分について、
図11~
図15を用いて説明する。
上記下板4eにおいて、水路結合体17に対応する部分の開口部23には、
図14に示すように、左右の結合体24、25が下方から嵌合され、ネジ26、27によって、左右の銅製の水路結合体17の下端に結合されている。
結合体24、25には加熱コイル12の一端側と、他端側が、電気的、機械的に接続された状態となっている。
具体的には、加熱コイル12は、銅管製であるが、その一端側には、
図14、
図15に示すように太い銅管28の下端が、溶接部29において溶接により、固定されている。
銅管28の上端は、溶接部30において結合体24に、溶接により、固定されている。
一方、加熱コイル12の他端側は、銅製の基体31下面の溶接部32に、溶接により、固定されている。
基体31の加熱コイル12の他端側を溶接した部分には、上下方向の貫通孔33が形成されている。
貫通孔33に対応し、基体31上面には、太い銅管34の下端が、溶接部35において溶接により、固定されている。
また、銅管34の上端は、溶接部36において結合体25に、溶接により、固定されている。
なお、銅管28が貫通する基体31部分においては、銅管28の外周に絶縁筒37が設けられ、これにより基体31部分において、加熱コイル12の一端、他端間における電気的短絡が発生しないようにしている。
また、結合体24、25には、それぞれ銅管28、34の水路に連結される貫通孔(図示せず)が設けられており、各貫通孔と水路結合体17の水路間には、
図14に示すOリング38が設けられ、この部分の水密状態を確保している。
前記結合体25と基体31間には、
図11、
図12、
図14に示すように、補強体39が設けられている。
この補強体39はコの字状となっており、上側の水平部分は、ネジ27によって結合体25とともに水路結合体17に固定されている。
また、補強体39の下側の水平部分は、ネジ40によって基体31に固定されている。
基体31の下面には、上下面が開口した角筒状の下ケース5が配置されている。
この下ケース5の上下開口縁には、外周方向に延出した鍔5a、5bが形成されており、上側の鍔5a部分に、
図11のように、下方から基体31に向けてネジ41を締め付けることにより、下ケース5を基体31に固定している。
また、下側の鍔5bには、
図11のように、上方からネジ42を締め付けることにより、下ケース5の下端に基体43を固定している。
下ケース5内においては、
図12、
図13に示すように加熱コイル12が下方に貫通した状態となっており、また、下ケース5内の基体43上には押圧手段44が配置されている。
先ず、基体43上には、
図13に示すように、矩形状の貫通孔45が設けられている。
また、この貫通孔45の一つのコーナー部分から、基体43の外周方向には、加熱コイル12を下方へと垂下させるための開口部46が設けられている。
前記貫通孔45には、棒状の押圧部47が貫通状態で配置される。
この押圧部47の上端には、この押圧部47よりも外径の大きな摺動部48が一体化され、さらに摺動部48の上端には、この摺動部48よりも外径の大きな摺動部49が一体化されている。
また、摺動部49上には軸体50の下端が固定されている。
また、貫通孔45の外周で、基体43上には軸体51の下端が固定されている。
そして、これら二つの軸体50、51部分に貫通孔52を有する錘53を、その貫通孔52を軸体50、51に合わせ、摺動部49上まで垂下させることで、押圧部47の下端による下方への押圧力を調整する構成となっている。
本実施形態では、重量が同じの二つの錘53を用いているが、重量が異なる錘53を、選択的に用いることもできる。
基体43の下方には、加熱手段を構成する、
図11~
図17に示す四つの高周波誘導加熱ヘッド54と、これら四つの高周波誘導加熱ヘッド54に高周波磁束を供給する一つの加熱コイル12が配置されている。
高周波誘導加熱ヘッド54は、例えばフェライトのような軟磁性体で構成されたもので、Cの字形状となっている。
つまり、四つの高周波誘導加熱ヘッド54は、それぞれが、Cの字形状の一端部が第1の磁気ギャップ形成部54a、Cの字形状の他端部が第2の磁気ギャップ形成部54bとなる構成であり、第1の磁気ギャップ形成部54a、第2の磁気ギャップ形成部54b間が磁気ギャップとなる。
また、前記四つの高周波誘導加熱ヘッド54のCの字状の内部空間54cを、
図11のように、前記加熱コイル12が貫通した状態となっている。
このような構成にすべく、
図18のごとく、各高周波誘導加熱ヘッド54のCの字形状の上部に、位置決部55を、ネジ56とナット57で固定している。
また、
図17に示すように基体43の下面側で、貫通孔45の外周には前記位置決部55を嵌合させる凹部58が設けられている。
したがって、四つの凹部58に、それぞれ高周波誘導加熱ヘッド54の位置決部55を嵌合させ、
図16、
図17の様に、基体43の上方から、基体43を貫通させて、ネジ59を位置決部55に締め付ければ、四つの高周波誘導加熱ヘッド54が、基体43の下側で、貫通孔45の外周に、等間隔で配置されることになる。
この時、四つの高周波誘導加熱ヘッド54の第1の磁気ギャップ形成部54a、第2の磁気ギャップ形成部54b、磁気ギャップは、ともに、貫通孔45の内方に向けて配置された構成となる。
また、以上の構成にすれば、矩形形状の貫通孔45の各辺の中心部に、第1の磁気ギャップ形成部54a、第2の磁気ギャップ形成部54bによる磁気ギャップが配置された状態となる。
また、このような状態で、前記四つの高周波誘導加熱ヘッド54のCの字内部空間54cを、前記加熱コイル12が貫通した状態となっている。
つまり、加熱コイル12は、
図10、
図14、
図15からも理解されるように、貫通孔45の外周方向における基体43部分に設けた開口部46を、下方へと垂下し、その後、貫通孔45方向へと、水平方向に曲げられた形状となっている。
したがって、上記四つの高周波誘導加熱ヘッド54を基体43に固定する前に、各高周波誘導加熱ヘッド54のCの字内部空間54c内に、磁気ギャップを介して、加熱コイル12が配置された状態とし、その後、上述のように四つの凹部58に、それぞれ高周波誘導加熱ヘッド54の位置決部55を嵌合させ、
図16、
図17の様に、基体43の上方から、基体43を貫通させて、ネジ59を位置決部55に締め付ければ、
図12のように、四つの高周波誘導加熱ヘッド54のCの字内部空間54c内に、加熱コイル12が配置された構成となる。
また、四つの高周波誘導加熱ヘッド54の配置関係を上方から見ると、
図19~
図21の様に、四つの高周波誘導加熱ヘッド54の中心部には、
図13に示した棒状の押圧部47が上下動できる空間60が形成させた状態となっている。
上記貫通孔45の下方には上述のごとく、高周波誘導加熱ヘッド54が位置決部55にネジ56とナット57で固定されているが、四つの位置決部55の内方は、貫通孔45内方側へと張り出した状態となっている。
但し、四つの位置決部55の内方を、貫通孔45内方側へと張り出した状態としても、
図13に示した棒状の押圧部47が上下動できる空間60が形成させた状態となっている。
つまり、棒状の押圧部47は四つの位置決部55、高周波誘導加熱ヘッド54の内方側に形成されている空間60を介して上下動できる状態となっている。
また、この押圧部47の上下動を案内するために、
図13に示した摺動部48は、
図13に示す四つの位置決部55内方間に形成される四角形の空間55a内壁に摺動案内されるようになっている。
また、摺動部49は、四角形の貫通孔45を上下方向に摺動案内されるようになっている。
但し、摺動部49の外径は、空間55aの外径よりも大きいので、四つの位置決部55の上面に当接し、これにより、棒状の押圧部47の下方への落下防止が図れる構成となっている。
高周波誘導加熱ヘッド54の下方には、
図1~
図4に示した保持手段3として、
図22~
図27に示す容器61を保持する保持手段62が設けられている。
本実施形態で用いる容器61は、例えば、ガラスやセラミックで形成された矩形状の箱形状となっており、上面に開口部63が設けられ、内部には、例えば、半導体素子、各種センサー、MEMS、光学素子などの機能部品が収納されている。
また、開口部63の開口縁には、
図26に示すように、例えば、はんだや、ろう材等の材料よりなる矩形枠状の導電性封止体64が配置され、その上に矩形状の蓋65が配置され、前記導電性封止体64を高周波誘導加熱ヘッド54による誘導加熱で溶融させ、これによって、容器61内に、半導体素子、各種センサー、MEMS、光学素子などの機能部品を密封する。
なお、導電性封止体64に対応する容器61の開口部63の開口縁、および蓋65の下面部分には、導電性封止体64の形状と類似する矩形枠状の封止容易化膜(図示せず)が、蒸着などによって形成されている。
これは、封止時に用いることが知られているもので、下層は、例えばニッケル層、上層は、金メッキ層などよりなる。
つまり、容器61の開口部63の開口縁には、ニッケル層、金メッキ層の封止容易化膜、次に、導電性封止体64、次に、金メッキ層、ニッケル層の封止容易化膜、蓋65が配置された状態で、導電性封止体64を溶融させ、容器61の開口部63が、蓋65で封止されるのである。
次に、保持手段62について説明する。
この保持手段62は、
図22に示すように、円柱形状で、その上面に容器61の位置決めをするための矩形状の凹部66が設けられている。
この凹部66に容器61をセットする時には、保持手段62は下方に下がった状態となっている。
つまり、保持手段62は上下動する構成となっているが、その上下動構成は、一般的な構成であるので、説明の煩雑化を避けるために、詳しい構成は省略する。
保持手段62における特徴部分について説明を続ける。
保持手段62の上面で、凹部66の外周部分には、
図21~
図27に示す二つの保持手段67が対向した状態で配置されている。
保持手段67は、シーソー動作をする長い基体68と、基体68をシーソー動作させるために基体68の長手方向の中央部を軸支した軸支部69とを有する。
基体68の軸支部69の外側(凹部66とは反対側)の上面には、操作桿70が上方に向けて配置されている。
また、基体68の軸支部69の外側(凹部66とは反対側)の下面には、ばねなどの上方付勢体71が配置されている。
一方、基体68の軸支部69の内側(凹部66側)の先端部分には、蓋65が容器61の開口部63上に適切に配置された状態を保つための直角状態の保持爪72が配置されている。
以上の構成において、保持手段62が高周波誘導加熱ヘッド54の下方に下がった状態で、
図23の様に、凹部66内に容器61の下部を入れ、容器61の位置決めをする。
この時、保持手段62は高周波誘導加熱ヘッド54の下方に移動された状態であるので、凹部66内に、容器61の下部を入れる作業は行いやすい。
なお、凹部66内に容器61の下部を入れる作業時は、予め、容器61の開口縁に導電性封止体64をセットした状態で行う方が良い。
また、保持手段62は高周波誘導加熱ヘッド54の下方に移動された状態であるので、操作桿70は、基体43の下面による押圧操作を受けていない。
このため、基体68の外側は上方付勢体71で押され、その結果として、保持爪72は
図24の様に、容器61の開口部63と略同じ高さで、
図25の様に、容器61に近接した状態となっている。
この状態で、容器61の開口部63に、
図27のように、導電性封止体64を介して蓋65を装着すると、蓋65のずれは、保持爪72で抑制され、その結果として、容器61の開口部63と、蓋65との関係は安定した状態となる。
次に、保持手段62を高周波誘導加熱ヘッド54側へと上昇移動させると、
図19の様に操作桿70が基体43の下面による押圧操作を受け、その結果として、保持爪72は蓋65の外周方向で、若干上方に移動することとなる。
つまり、この状態では保持爪72による蓋65のずれ防止作用は解除されるが、この様に、保持手段62を高周波誘導加熱ヘッド54側へと上昇移動させると、上記押圧部47が錘53の荷重を受けて蓋65の上面を容器61の開口部63へと押圧することになるので、蓋65の位置ずれは起きにくい。
このような状態になると加熱コイル12に、コンデンサ13とによる高周波電流が印加され、その結果、高周波誘導加熱ヘッド54の第1の磁気ギャップ形成部54a、第2の磁気ギャップ形成部54b間に高周波磁束が流れることになる。
つまり、高周波誘導加熱ヘッド54は、前記蓋65の、容器61の開口部63とは反対側の面の外周部近傍に配置される第1の磁気ギャップ形成部54aと、前記開口部63に隣接する容器61の側面部に配置され、前記第1の磁気ギャップ形成部54aとの間で磁気ギャップを形成する第2の磁気ギャップ形成部54bと、を有する構成としている。
このため、
図28、
図29に示すように、容器61の開口部63の開口縁に配置した導電性封止体64部分に磁束が集中して流れ、僅か1秒程度で、それを溶融させ、その結果として、容器61の開口部63を、導電性封止体64を介して蓋65で密封することが出来る。
この時、導電性封止体64自身が発熱することにより溶融するので、レーザー照射や温風照射の様に、溶融した導電性封止体64が容器61内に飛散することは無く、その結果として、容器61内に収納した機能部品が劣化することは無い。
また、発熱するのは導電性封止体64だけで、しかもわずかな時間だけの発熱であるので、容器61の高温化が起きず、その結果として、容器61内に収納した機能部品が劣化することは無い。
さらに、レーザー照射や熱風照射は、極めて精度の求められる作業となるので、作業性も悪いものとなるが、本実施形態では、導電性封止体64の近傍に高周波誘導加熱ヘッド54を配置するだけなので、作業性の良いものとなる。
また、高周波誘導加熱ヘッド54による誘導加熱は、上記容器61の開口部63の開口縁と、蓋65の下面側に設けた金属製の封止容易化膜(例えば、ニッケル層上に金メッキ層を設けた物)にもおよび、その結果として、導電性封止体64が短時間で溶融し、しかも、容器61の開口部63の開口縁、および、蓋65に対する密着性の高いものとなり、これにより密封効果の高いものとなる。
また、本実施形態の高周波誘導加熱ヘッド54の第1の磁気ギャップ形成部54aは、
図28から理解されるように、蓋65の外周部から、蓋65の外周部外方へと延びる水平面を有している。
これは、先ず蓋65側においては、蓋65の大きさに対して柔軟に対応できるようにするためである。
また、高周波誘導加熱ヘッド54の前記第2の磁気ギャップ形成54bは、容器61の側面外周において、容器61の開口部63側が蓋65の外周部外方に離れ、容器61の底面側が蓋65の外周部に近接する形状としている。
これは、第1の磁気ギャップ形成部54aから第2の磁気ギャップ形成部54bへの磁束、または第2の磁気ギャップ形成部54bから第1の磁気ギャップ形成部54aへの磁束が、導電性封止体64に対して多く供給されるようにするためである。
また、本実施形態では、高周波誘導加熱ヘッド54を4個設け、これら複数の高周波誘導加熱ヘッド54には、一つの加熱コイル12から高周波磁束を供給する構成としたので、コンパクトな構成とすることが出来る。
また、本実施形態では、容器61の開口部63、およびこの開口部63を覆う蓋65は矩形形状とし、矩形形状の複数辺に、それぞれ、別の高周波誘導加熱ヘッド54を配置したので、矩形状容器61の一辺ごとが高周波誘導加熱ヘッド54で加熱されるので、加熱時間が短時間となる。
また、矩形形状の複数辺の中央部に、それぞれ、別の高周波誘導加熱ヘッド54を配置すると、矩形状のコーナー部分では、両側からの熱伝導が起き、短時間で、コーナー部分の導電性封止体64も溶融することが出来る。
また、本実施形態では、4個の高周波誘導加熱ヘッド54は、前記蓋65の中心部分の外周において、90度の間隔で放射状に配置され、前記蓋65の中心部分には、前記蓋65を、容器61の開口部63に対して押圧する押圧手段44を設けたので、蓋65の位置ずれが発生せず、効率的に容器61の密封作業が行える。
また、保持手段62は、容器61を、その開口部63を上方にした状態で、保持する構成としたので、蓋65の押圧手段44の構造も簡単なものに出来る。
勿論、保持手段62は、容器61を、その開口部63を側方、あるいは下方にした状態で、保持する構成としても良い。
但し、その場合には、高周波誘導加熱ヘッド54は、その開口部63に対向する方向に配置する必要がある。
なお、本実施形態の容器用封止装置1においても、容器61と蓋65部分を覆う、小容量の真空チャンバーを設ければ、先行文献1、2と同様に、容器61内に不活性ガス、例えば窒素ガスを入れた状態で、蓋65で密封することが出来る。
本発明は、例えば、半導体素子、各種センサー、MEMS、光学素子などの機能部品を、蓋つき容器内に密封状態で収納させるための蓋つき容器用封止装置と、それを用いた封止方法に活用できる。