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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022165536
(43)【公開日】2022-11-01
(54)【発明の名称】メモリシステム
(51)【国際特許分類】
G11C 5/14 20060101AFI20221025BHJP
【ＦＩ】
G11C5/14 100
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021070912
(22)【出願日】2021-04-20
(71)【出願人】
【識別番号】318010018
【氏名又は名称】キオクシア株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100176599
【弁理士】
【氏名又は名称】高橋 拓也
(74)【代理人】
【識別番号】100205095
【弁理士】
【氏名又は名称】小林 啓一
(74)【代理人】
【識別番号】100208775
【弁理士】
【氏名又は名称】栗田 雅章
(72)【発明者】
【氏名】棚村 祐悟
(72)【発明者】
【氏名】熊谷 建吾
(57)【要約】 （修正有）
【課題】蓄電装置の実装面積の削減を図る半導体記憶装置を搭載したメモリシステムを提供する。
【解決手段】メモリシステムであるＳＳＤ３－１、２は、不揮発性メモリと、コントローラと、少なくとも外部電源から供給される電圧を用いて複数の電源電圧を生成し、コントローラと不揮発性メモリに供給することが可能な電源回路と、複数の電源電圧の中の１つの充電電圧から第１のエネルギが充電可能である蓄電装置（ＰＬＰコンデンサ１５－１、２）と、蓄電装置と外部メモリシステムに含まれる外部蓄電装置とを接続し、前記外部メモリシステムとエネルギを共有することが可能なエネルギ共有ピン６４－１、２と、を有する。電源回路は、外部メモリシステムとエネルギを共有し、外部電源から供給される電圧が第１の閾値電圧より低い場合に、第１のエネルギより大きなエネルギを用いて複数の電源電圧をコントローラ及び不揮発性メモリに供給することが可能である。
【選択図】図５
【解決手段】メモリシステムであるＳＳＤ３－１、２は、不揮発性メモリと、コントローラと、少なくとも外部電源から供給される電圧を用いて複数の電源電圧を生成し、コントローラと不揮発性メモリに供給することが可能な電源回路と、複数の電源電圧の中の１つの充電電圧から第１のエネルギが充電可能である蓄電装置（ＰＬＰコンデンサ１５－１、２）と、蓄電装置と外部メモリシステムに含まれる外部蓄電装置とを接続し、前記外部メモリシステムとエネルギを共有することが可能なエネルギ共有ピン６４－１、２と、を有する。電源回路は、外部メモリシステムとエネルギを共有し、外部電源から供給される電圧が第１の閾値電圧より低い場合に、第１のエネルギより大きなエネルギを用いて複数の電源電圧をコントローラ及び不揮発性メモリに供給することが可能である。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリを制御するコントローラと、
前記コントローラに接続され、少なくとも外部電源から供給される電圧を用いて複数の
電源電圧を生成し、前記複数の電源電圧を前記コントローラ及び前記不揮発性メモリに供
給することが可能である電源回路と、
前記電源回路に接続され、前記複数の電源電圧の中の１つの電源電圧である充電電圧か
ら第１のエネルギが充電可能である蓄電装置と、
前記電源回路に接続され、前記蓄電装置と外部メモリシステムに含まれる外部蓄電装置
とを接続し、前記外部メモリシステムとエネルギを共有することが可能なエネルギ共有ピ
ンと、
を有し、
前記電源回路は、前記エネルギ共有ピンを介して前記外部メモリシステムとエネルギを
共有し、前記外部電源から供給される電圧が第１の閾値電圧より低い場合に、前記第１の
エネルギより大きなエネルギを用いて前記複数の電源電圧を前記コントローラ及び前記不
揮発性メモリに供給することが可能な
メモリシステム。
前記不揮発性メモリを制御するコントローラと、
前記コントローラに接続され、少なくとも外部電源から供給される電圧を用いて複数の
電源電圧を生成し、前記複数の電源電圧を前記コントローラ及び前記不揮発性メモリに供
給することが可能である電源回路と、
前記電源回路に接続され、前記複数の電源電圧の中の１つの電源電圧である充電電圧か
ら第１のエネルギが充電可能である蓄電装置と、
前記電源回路に接続され、前記蓄電装置と外部メモリシステムに含まれる外部蓄電装置
とを接続し、前記外部メモリシステムとエネルギを共有することが可能なエネルギ共有ピ
ンと、
を有し、
前記電源回路は、前記エネルギ共有ピンを介して前記外部メモリシステムとエネルギを
共有し、前記外部電源から供給される電圧が第１の閾値電圧より低い場合に、前記第１の
エネルギより大きなエネルギを用いて前記複数の電源電圧を前記コントローラ及び前記不
揮発性メモリに供給することが可能な
メモリシステム。
【請求項2】
前記蓄電装置は、
少なくとも１つのコンデンサと、
前記少なくとも１つのコンデンサと前記電源回路とを接続するヒューズと、
を含む請求項１に記載のメモリシステム。
少なくとも１つのコンデンサと、
前記少なくとも１つのコンデンサと前記電源回路とを接続するヒューズと、
を含む請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項3】
前記ヒューズは過電流が流れると溶断される金属ヒューズ、又は過電流が検出されると
非導通となる電子ヒューズである
請求項２に記載のメモリシステム。
非導通となる電子ヒューズである
請求項２に記載のメモリシステム。
【請求項4】
前記蓄電装置と前記外部蓄電装置に充電可能な合計エネルギである第２のエネルギの値
を測定する容量測定回路をさらに有し、
前記コントローラは、前記容量測定回路で測定した前記第２のエネルギの値と、前記外
部電源から供給される電圧が前記第１の閾値電圧より低い場合に、前記メモリシステムが
前記不揮発性メモリへの書き込みを完了させるために必要な通常のエネルギと、前記外部
メモリシステムが前記外部メモリシステムに含まれる不揮発性メモリへの書き込みを完了
させるために必要な通常のエネルギとの合計である第３のエネルギの値とを比較し、不良
判定を行う
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のメモリシステム。
を測定する容量測定回路をさらに有し、
前記コントローラは、前記容量測定回路で測定した前記第２のエネルギの値と、前記外
部電源から供給される電圧が前記第１の閾値電圧より低い場合に、前記メモリシステムが
前記不揮発性メモリへの書き込みを完了させるために必要な通常のエネルギと、前記外部
メモリシステムが前記外部メモリシステムに含まれる不揮発性メモリへの書き込みを完了
させるために必要な通常のエネルギとの合計である第３のエネルギの値とを比較し、不良
判定を行う
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のメモリシステム。
【請求項5】
前記コントローラは、前記第２のエネルギの値が前記第３のエネルギの値未満である場
合、前記エネルギ共有ピンで接続された前記メモリシステム及び前記外部メモリシステム
を不良と判定する
請求項４に記載のメモリシステム。
合、前記エネルギ共有ピンで接続された前記メモリシステム及び前記外部メモリシステム
を不良と判定する
請求項４に記載のメモリシステム。
【請求項6】
前記コントローラは、前記メモリシステムの電源投入時に前記不良判定を行う
請求項４又は請求項５に記載のメモリシステム。
請求項４又は請求項５に記載のメモリシステム。
【請求項7】
前記電源回路は、前記外部電源から供給される電圧が前記第１の閾値電圧より低い場合
に、
前記メモリシステムが前記不揮発性メモリへの書き込みを完了させるために必要とす
る第４のエネルギの値が、前記第１のエネルギの値以下である前記蓄電装置に充電された
第５のエネルギの値以下の場合は、前記蓄電装置から前記第４のエネルギを取り出し、前
記第４のエネルギを用いて前記複数の電源電圧を前記コントローラ及び前記不揮発性メモ
リに供給し、
前記第４のエネルギの値が前記第５のエネルギの値より大きい場合は、前記蓄電装置
と前記外部蓄電装置とから前記第４のエネルギを取り出し、前記第４のエネルギを用いて
前記複数の電源電圧を前記コントローラ及び前記不揮発性メモリに供給する
請求項４に記載のメモリシステム。
に、
前記メモリシステムが前記不揮発性メモリへの書き込みを完了させるために必要とす
る第４のエネルギの値が、前記第１のエネルギの値以下である前記蓄電装置に充電された
第５のエネルギの値以下の場合は、前記蓄電装置から前記第４のエネルギを取り出し、前
記第４のエネルギを用いて前記複数の電源電圧を前記コントローラ及び前記不揮発性メモ
リに供給し、
前記第４のエネルギの値が前記第５のエネルギの値より大きい場合は、前記蓄電装置
と前記外部蓄電装置とから前記第４のエネルギを取り出し、前記第４のエネルギを用いて
前記複数の電源電圧を前記コントローラ及び前記不揮発性メモリに供給する
請求項４に記載のメモリシステム。
【請求項8】
揮発性メモリをさらに有し、
前記コントローラは、前記揮発性メモリに格納されたデータを前記不揮発性メモリへ書
き込む
請求項１に記載のメモリシステム。
前記コントローラは、前記揮発性メモリに格納されたデータを前記不揮発性メモリへ書
き込む
請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項9】
前記コントローラは、前記揮発性メモリに格納されたデータの前記不揮発性メモリへの
書き込みが完了する前に、前記外部電源から供給される電圧が前記第１の閾値電圧より低
い場合に、前記蓄電装置又は前記外部蓄電装置のエネルギを用いて、前記データの前記不
揮発性メモリへの書き込みを完了させる
請求項８に記載のメモリシステム。
書き込みが完了する前に、前記外部電源から供給される電圧が前記第１の閾値電圧より低
い場合に、前記蓄電装置又は前記外部蓄電装置のエネルギを用いて、前記データの前記不
揮発性メモリへの書き込みを完了させる
請求項８に記載のメモリシステム。
【請求項10】
前記電源装置に接続され、前記電源装置と前記エネルギ共有ピンとの接続を制御するこ
とが可能なスイッチと、
前記スイッチにより前記電源装置と前記エネルギ共有ピンとが分離された場合に、前記
第１のエネルギの値を測定することが可能な容量測定回路と、
をさらに有し、
前記容量測定回路は、前記コントローラが、ホストデバイスから、前記第１のエネルギ
の測定を指示するコマンドを受信したことに応じて前記第１のエネルギを測定し、
前記コントローラは、前記ホストデバイスから、前記蓄電装置と前記外部蓄電装置とに
充電可能な合計エネルギである第２のエネルギの値を含む情報を取得し、
前記コントローラは、前記第２のエネルギの値と、前記外部電源から供給される電圧が
前記第１の閾値電圧より低い場合に、前記メモリシステムが前記不揮発性メモリへの書き
込みを完了させるために必要な通常のエネルギと、前記外部メモリシステムが前記外部メ
モリシステムに含まれる不揮発性メモリへの書き込みを完了させるために必要な通常のエ
ネルギとの合計である第３のエネルギの値とを比較し、不良判定を行う
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のメモリシステム。
とが可能なスイッチと、
前記スイッチにより前記電源装置と前記エネルギ共有ピンとが分離された場合に、前記
第１のエネルギの値を測定することが可能な容量測定回路と、
をさらに有し、
前記容量測定回路は、前記コントローラが、ホストデバイスから、前記第１のエネルギ
の測定を指示するコマンドを受信したことに応じて前記第１のエネルギを測定し、
前記コントローラは、前記ホストデバイスから、前記蓄電装置と前記外部蓄電装置とに
充電可能な合計エネルギである第２のエネルギの値を含む情報を取得し、
前記コントローラは、前記第２のエネルギの値と、前記外部電源から供給される電圧が
前記第１の閾値電圧より低い場合に、前記メモリシステムが前記不揮発性メモリへの書き
込みを完了させるために必要な通常のエネルギと、前記外部メモリシステムが前記外部メ
モリシステムに含まれる不揮発性メモリへの書き込みを完了させるために必要な通常のエ
ネルギとの合計である第３のエネルギの値とを比較し、不良判定を行う
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のメモリシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、メモリシステムに関する。
【背景技術】
【0002】
不揮発性メモリを備えるメモリシステムが広く普及している。このようなメモリシステ
ムの一例として、フラッシュメモリを備えるＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖ
ｅ）が知られている。
ムの一例として、フラッシュメモリを備えるＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖ
ｅ）が知られている。
【0003】
ある種のＳＳＤは、意図しない外部電源の遮断が起きた場合に、揮発性メモリから不揮
発性メモリへ書き込み途中のデータが消失しないように、ＰＬＰ（Ｐｏｗｅｒ Ｌｏｓｓ
Ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ）機能を備える。ＰＬＰ機能を実行するためには、ＳＳＤの内部
にバックアップ電源を設ける必要がある。バックアップ電源として、例えば、少なくとも
１つのコンデンサを含む蓄電装置が用いられる。ＳＳＤは、蓄電装置のエネルギを利用し
て不揮発性メモリへのデータの書き込みを完了させ、書き込み途中のデータの消失を防ぐ
。
発性メモリへ書き込み途中のデータが消失しないように、ＰＬＰ（Ｐｏｗｅｒ Ｌｏｓｓ
Ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ）機能を備える。ＰＬＰ機能を実行するためには、ＳＳＤの内部
にバックアップ電源を設ける必要がある。バックアップ電源として、例えば、少なくとも
１つのコンデンサを含む蓄電装置が用いられる。ＳＳＤは、蓄電装置のエネルギを利用し
て不揮発性メモリへのデータの書き込みを完了させ、書き込み途中のデータの消失を防ぐ
。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】米国特許出願公開第２０２０／００８１６３０号明細書
【特許文献2】特開２０１８－１０５５７号公報
【特許文献3】米国特許第１０４０１９３５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の一実施形態では、半導体記憶装置を搭載したメモリシステムの、蓄電装置の実
装面積の削減を図る。
装面積の削減を図る。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本実施形態のメモリシステムは、不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリを制御するコ
ントローラと、前記コントローラに接続され、少なくとも外部電源から供給される電圧を
用いて複数の電源電圧を生成し、前記複数の電源電圧を前記コントローラ及び前記不揮発
性メモリに供給することが可能である電源回路と、前記電源回路に接続され、前記複数の
電源電圧の中の１つの電源電圧である充電電圧から第１のエネルギが充電可能である蓄電
装置と、前記電源回路に接続され、前記蓄電装置と外部メモリシステムに含まれる外部蓄
電装置とを接続し、前記外部メモリシステムとエネルギを共有することが可能なエネルギ
共有ピンと、を有する。前記電源回路は、前記エネルギ共有ピンを介して前記外部メモリ
システムとエネルギを共有し、前記外部電源から供給される電圧が第１の閾値電圧より低
い場合に、前記第１のエネルギより大きなエネルギを用いて前記複数の電源電圧を前記コ
ントローラ及び前記不揮発性メモリに供給することが可能である。
ントローラと、前記コントローラに接続され、少なくとも外部電源から供給される電圧を
用いて複数の電源電圧を生成し、前記複数の電源電圧を前記コントローラ及び前記不揮発
性メモリに供給することが可能である電源回路と、前記電源回路に接続され、前記複数の
電源電圧の中の１つの電源電圧である充電電圧から第１のエネルギが充電可能である蓄電
装置と、前記電源回路に接続され、前記蓄電装置と外部メモリシステムに含まれる外部蓄
電装置とを接続し、前記外部メモリシステムとエネルギを共有することが可能なエネルギ
共有ピンと、を有する。前記電源回路は、前記エネルギ共有ピンを介して前記外部メモリ
システムとエネルギを共有し、前記外部電源から供給される電圧が第１の閾値電圧より低
い場合に、前記第１のエネルギより大きなエネルギを用いて前記複数の電源電圧を前記コ
ントローラ及び前記不揮発性メモリに供給することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】第１の実施形態に係るメモリシステムを含む情報処理システムの構成の一例を示すブロック図
【図2】第１の実施形態に係るメモリシステムの構成の一例を示すブロック図
【図3】第１の実施形態に係るメモリシステム中の蓄電装置の構成の一例を示す回路図
【図4】第１の実施形態に係るメモリシステム中の蓄電装置の構成の別な一例を示す回路図
【図5】第１の実施形態に係るメモリシステムを複数接続した構成の一例を示すブロック図
【図6】第１の実施形態に係るメモリシステムの処理の一例を示すシーケンス図
【図7】第１の実施形態に係るメモリシステムの中の電源回路の処理の一例を示すフローチャート
【図8】第２の実施形態に係るメモリシステムを複数接続した構成の一例を示すブロック図
【図9】第３の実施形態に係るメモリシステムの中の電源回路の処理の一例を示すフローチャート
【図10】第４の実施形態に係るメモリシステムの構成の一例を示すブロック図
【図11】第４の実施形態に係るメモリシステムを複数接続した構成の一例を示すブロック図
【図12】第４の実施形態に係るメモリシステムを含む情報処理システムの処理の一例を示すシーケンス図
【図13】第４の実施形態に係るメモリシステムの処理の一例を示すシーケンス図
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、発明を実施するための実施形態について説明する。なお、以下の説明において、
「接続」は二つの構成要素が直接に接続されることのみならず、他の要素を介して接続さ
れることも意味する。
「接続」は二つの構成要素が直接に接続されることのみならず、他の要素を介して接続さ
れることも意味する。
【0009】
【0010】
図１は、第１の実施形態に係るメモリシステムを含む情報処理システムの構成の一例を
示すブロック図である。本実施形態では、メモリシステムの一例としてＳＳＤが用いられ
る。図１に示すように、情報処理システム１は、ホストデバイス（以下、単にホストと称
する）２と複数のＳＳＤ３（ＳＳＤ３－１、ＳＳＤ３－２、ＳＳＤ３－３、・・・、ＳＳ
Ｄ３－Ｎ）を含む。
示すブロック図である。本実施形態では、メモリシステムの一例としてＳＳＤが用いられ
る。図１に示すように、情報処理システム１は、ホストデバイス（以下、単にホストと称
する）２と複数のＳＳＤ３（ＳＳＤ３－１、ＳＳＤ３－２、ＳＳＤ３－３、・・・、ＳＳ
Ｄ３－Ｎ）を含む。
【0011】
ホスト２は、ＳＳＤ３にアクセスする外部機器としての情報処理装置である。ホスト２
は、大量かつ多様なデータをＳＳＤ３に保存するサーバ（ストレージサーバ）であっても
良いし、パーソナルコンピュータであっても良い。
は、大量かつ多様なデータをＳＳＤ３に保存するサーバ（ストレージサーバ）であっても
良いし、パーソナルコンピュータであっても良い。
【0012】
ＳＳＤ３は、ホスト２として機能する情報処理装置のメインストレージとして使用され
得る。本実施形態では、ＳＳＤ３は、この情報処理装置の外部に設けられ、この情報処理
装置にケーブルを介して接続されているが、ネットワークを介して接続されても良い。ま
た、ＳＳＤ３は、この情報処理装置に内蔵されても良い。
得る。本実施形態では、ＳＳＤ３は、この情報処理装置の外部に設けられ、この情報処理
装置にケーブルを介して接続されているが、ネットワークを介して接続されても良い。ま
た、ＳＳＤ３は、この情報処理装置に内蔵されても良い。
【0013】
図２は、第１の実施形態に係るメモリシステムの構成の一例を示すブロック図である。
本実施形態のメモリシステムは、不揮発性メモリにデータを書き込むように、及び不揮発
性メモリからデータを読み出すように構成された半導体ストレージデバイスである。不揮
発性メモリの一例は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、ＮＯＲ型フラッシュメモリ、ＭＲＡ
Ｍ（Ｍａｇｎｅｔｏ－ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ
）、ＰＲＡＭ（Ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｇｅ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ
）、ＲｅＲＡＭ（Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、
ＦｅＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ
）を含む。本実施形態では、不揮発性メモリの一例として、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ
（以下、単にフラッシュメモリと称する）が用いられる。
本実施形態のメモリシステムは、不揮発性メモリにデータを書き込むように、及び不揮発
性メモリからデータを読み出すように構成された半導体ストレージデバイスである。不揮
発性メモリの一例は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、ＮＯＲ型フラッシュメモリ、ＭＲＡ
Ｍ（Ｍａｇｎｅｔｏ－ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ
）、ＰＲＡＭ（Ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｇｅ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ
）、ＲｅＲＡＭ（Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、
ＦｅＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ
）を含む。本実施形態では、不揮発性メモリの一例として、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ
（以下、単にフラッシュメモリと称する）が用いられる。
【0014】
図２に示すように、ＳＳＤ３は、コントローラ１１、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａ
ｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２、フラッシュメモリ１３、電源回路１４、
ＰＬＰコンデンサ１５、コネクタ１６等を備える。
ｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２、フラッシュメモリ１３、電源回路１４、
ＰＬＰコンデンサ１５、コネクタ１６等を備える。
【0015】
コントローラ１１は、フラッシュメモリ１３を制御するように構成されたメモリコント
ローラとして機能する。コントローラ１１は、ＳｏＣ（Ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ａ Ｃｈｉ
ｐ）のような回路によって実現され得る。コントローラ１１は、ホスト２からのコマンド
に従って、フラッシュメモリ１３にデータを書き込んだり、フラッシュメモリ１３からデ
ータを読み出したりする。
ローラとして機能する。コントローラ１１は、ＳｏＣ（Ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ａ Ｃｈｉ
ｐ）のような回路によって実現され得る。コントローラ１１は、ホスト２からのコマンド
に従って、フラッシュメモリ１３にデータを書き込んだり、フラッシュメモリ１３からデ
ータを読み出したりする。
【0016】
ＤＲＡＭ１２は、揮発性メモリの一例である。ＤＲＡＭ１２は、例えばＤＤＲ３Ｌ（Ｄ
ｏｕｂｌｅ Ｄａｔａ Ｒａｔｅ ３ Ｌｏｗ ｖｏｌｔａｇｅ）規格のＤＲＡＭである
。ＤＲＡＭ１２には、ライトバッファと、リードバッファとが設けられても良い。ライト
バッファは、フラッシュメモリ１３に書き込まれるデータを一時的に格納するためのバッ
ファ領域である。リードバッファは、フラッシュメモリ１３から読み出したデータを一時
的に格納するためのバッファ領域である。
ｏｕｂｌｅ Ｄａｔａ Ｒａｔｅ ３ Ｌｏｗ ｖｏｌｔａｇｅ）規格のＤＲＡＭである
。ＤＲＡＭ１２には、ライトバッファと、リードバッファとが設けられても良い。ライト
バッファは、フラッシュメモリ１３に書き込まれるデータを一時的に格納するためのバッ
ファ領域である。リードバッファは、フラッシュメモリ１３から読み出したデータを一時
的に格納するためのバッファ領域である。
【0017】
ＤＲＡＭ１２は、コントローラ１１の外部に設けられても良いし、コントローラ１１の
内部に設けられても良い。なお、揮発性メモリとしては、ＤＲＡＭ１２の代わりに、より
高速アクセスが可能なＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏ
ｒｙ）が用いられても良い。
内部に設けられても良い。なお、揮発性メモリとしては、ＤＲＡＭ１２の代わりに、より
高速アクセスが可能なＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏ
ｒｙ）が用いられても良い。
【0018】
フラッシュメモリ１３は、複数のフラッシュメモリチップを含んでいても良い。フラッ
シュメモリ１３は、マトリクス状に配置された複数のメモリセルを含むメモリセルアレイ
を含む。フラッシュメモリ１３は、二次元構造であっても良いし、三次元構造であっても
良い。
シュメモリ１３は、マトリクス状に配置された複数のメモリセルを含むメモリセルアレイ
を含む。フラッシュメモリ１３は、二次元構造であっても良いし、三次元構造であっても
良い。
【0019】
フラッシュメモリ１３が含むメモリセルアレイは、複数のブロックを含む。各々のブロ
ックは複数のページを含む。ブロックは、データ消去動作の最小の単位として機能する。
ページの各々は、同一ワード線に接続された複数のメモリセルを含む。ページは、データ
書き込み動作及びデータ読み出し動作の単位である。１ページ分のデータが、書き込み単
位のデータ又は読み出し単位のデータであり、ＤＲＡＭ１２に格納される。
ックは複数のページを含む。ブロックは、データ消去動作の最小の単位として機能する。
ページの各々は、同一ワード線に接続された複数のメモリセルを含む。ページは、データ
書き込み動作及びデータ読み出し動作の単位である。１ページ分のデータが、書き込み単
位のデータ又は読み出し単位のデータであり、ＤＲＡＭ１２に格納される。
【0020】
書き込みの場合は、ＤＲＡＭ１２から読み出された１ページの書き込み単位のデータが
フラッシュメモリ１３に書き込まれる。そのため、書き込み途中で意図せずに外部電源が
遮断された場合、バックアップ電源が存在しないと、ＤＲＡＭ１２内の書き込み途中のデ
ータが失われる。本実施形態では、バックアップ電源であるＰＬＰコンデンサ１５が用意
されている。外部電源の意図しない遮断が起きた場合に、コントローラ１１はＰＬＰコン
デンサ１５を用いてＤＲＡＭ１２内の書き込み途中のデータをフラッシュメモリ１３に書
き込むことができる。
フラッシュメモリ１３に書き込まれる。そのため、書き込み途中で意図せずに外部電源が
遮断された場合、バックアップ電源が存在しないと、ＤＲＡＭ１２内の書き込み途中のデ
ータが失われる。本実施形態では、バックアップ電源であるＰＬＰコンデンサ１５が用意
されている。外部電源の意図しない遮断が起きた場合に、コントローラ１１はＰＬＰコン
デンサ１５を用いてＤＲＡＭ１２内の書き込み途中のデータをフラッシュメモリ１３に書
き込むことができる。
【0021】
ページの代わりにワード線をデータ書き込み動作又はデータ読み出し動作の単位として
も良い。この場合、１ワード線のデータが書き込み単位のデータ又は読み出し単位のデー
タである。
も良い。この場合、１ワード線のデータが書き込み単位のデータ又は読み出し単位のデー
タである。
【0022】
電源回路１４は、コントローラ１１やＤＲＡＭ１２、フラッシュメモリ１３、ＰＬＰコ
ンデンサ１５等を含むＳＳＤ３の各デバイスで必要な複数の電源電圧を、外部電源（図示
しない）から供給される単一又は複数の外部電源電圧を用いて生成する。また、電源回路
１４は、ＰＬＰコンデンサ１５から供給されるエネルギを用いて、ＳＳＤ３の少なくとも
１つのデバイスで必要な複数の電源電圧を生成することも可能である。電源回路１４は単
一又は複数の集積回路であっても良い。電源回路を構成する集積回路はＰＭＩＣ（Ｐｏｗ
ｅｒ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）と称されること
もある。
ンデンサ１５等を含むＳＳＤ３の各デバイスで必要な複数の電源電圧を、外部電源（図示
しない）から供給される単一又は複数の外部電源電圧を用いて生成する。また、電源回路
１４は、ＰＬＰコンデンサ１５から供給されるエネルギを用いて、ＳＳＤ３の少なくとも
１つのデバイスで必要な複数の電源電圧を生成することも可能である。電源回路１４は単
一又は複数の集積回路であっても良い。電源回路を構成する集積回路はＰＭＩＣ（Ｐｏｗ
ｅｒ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）と称されること
もある。
【0023】
電源回路１４の種々の状態を示す情報がコントローラ１１に送信される。コントローラ
１１は、ホスト２からのコマンド、又は電源回路１４からの種々の情報に従って、電源回
路１４が生成する電源電圧の値を制御する制御信号を生成する。コントローラ１１は、生
成した制御信号を電源回路１４に送信する。これによりＳＳＤ３の各デバイスへ印加され
る複数の電源電圧の生成がコントローラ１１により制御される。
１１は、ホスト２からのコマンド、又は電源回路１４からの種々の情報に従って、電源回
路１４が生成する電源電圧の値を制御する制御信号を生成する。コントローラ１１は、生
成した制御信号を電源回路１４に送信する。これによりＳＳＤ３の各デバイスへ印加され
る複数の電源電圧の生成がコントローラ１１により制御される。
【0024】
電源回路１４とコントローラ１１との間の通信は所定の通信規格に従って行われる。電
源回路１４とコントローラ１１との間の通信規格は、例えばシリアル通信規格に従っても
良い。シリアル通信規格の一例はＩ２Ｃ（Ｉｎｔｅｒ－Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃ
ｕｉｔ）方式である。本明細書では、電源回路１４とコントローラ１１との間の通信規格
はＩ２Ｃ方式に従うとする。
源回路１４とコントローラ１１との間の通信規格は、例えばシリアル通信規格に従っても
良い。シリアル通信規格の一例はＩ２Ｃ（Ｉｎｔｅｒ－Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃ
ｕｉｔ）方式である。本明細書では、電源回路１４とコントローラ１１との間の通信規格
はＩ２Ｃ方式に従うとする。
【0025】
電源回路１４は、さらに、ＰＬＰコンデンサ１５の容量を測定することが可能な容量測
定回路４１を含む。容量測定回路４１は、例えば、コンデンサ５１に充電されたエネルギ
から一定の電流を流し、コンデンサ５１の電圧が１Ｖ下がる時間を測定することで、ＰＬ
Ｐコンデンサ１５の容量を測定することが可能である。本実施形態において、容量測定回
路４１は電源回路１４に内蔵されているが、この限りではない。
定回路４１を含む。容量測定回路４１は、例えば、コンデンサ５１に充電されたエネルギ
から一定の電流を流し、コンデンサ５１の電圧が１Ｖ下がる時間を測定することで、ＰＬ
Ｐコンデンサ１５の容量を測定することが可能である。本実施形態において、容量測定回
路４１は電源回路１４に内蔵されているが、この限りではない。
【0026】
電源回路１４には、少なくとも１つのコンデンサ５１を含むＰＬＰコンデンサ１５が接
続されている。ＰＬＰコンデンサ１５は、蓄電装置の一例である。コンデンサ５１の一例
としては、例えば電気二重層コンデンサ、導電性高分子アルミ電解コンデンサ、導電性高
分子タンタル固体電界コンデンサ等を利用することができる。
続されている。ＰＬＰコンデンサ１５は、蓄電装置の一例である。コンデンサ５１の一例
としては、例えば電気二重層コンデンサ、導電性高分子アルミ電解コンデンサ、導電性高
分子タンタル固体電界コンデンサ等を利用することができる。
【0027】
ＰＬＰコンデンサ１５は、意図しない外部電源の遮断が起きた場合に、データ保護のた
めのエネルギを電源回路１４に供給する。電源回路１４は、ＰＬＰコンデンサ１５のエネ
ルギを用いて、フラッシュメモリ１３、コントローラ１１及びＤＲＡＭ１２に対して電源
電圧を電源遮断後の一定時間供給する。ＰＬＰコンデンサ１５のエネルギは、電源回路１
４で生成された複数の電源電圧の中の１つである充電電圧から充電される。
めのエネルギを電源回路１４に供給する。電源回路１４は、ＰＬＰコンデンサ１５のエネ
ルギを用いて、フラッシュメモリ１３、コントローラ１１及びＤＲＡＭ１２に対して電源
電圧を電源遮断後の一定時間供給する。ＰＬＰコンデンサ１５のエネルギは、電源回路１
４で生成された複数の電源電圧の中の１つである充電電圧から充電される。
【0028】
ホスト２からＳＳＤ３に送信されたデータは、ＤＲＡＭ１２に一時的に格納され、例え
ば、フラッシュメモリ１３への書き込み単位のデータ量まで格納されると、データがフラ
ッシュメモリ１３に書き込まれる。フラッシュメモリ１３への書き込みが完了すると、Ｄ
ＲＡＭ１２に格納されていたデータは消去される。
ば、フラッシュメモリ１３への書き込み単位のデータ量まで格納されると、データがフラ
ッシュメモリ１３に書き込まれる。フラッシュメモリ１３への書き込みが完了すると、Ｄ
ＲＡＭ１２に格納されていたデータは消去される。
【0029】
ＰＬＰ機能を実行する時に使用されるエネルギは、ＤＲＡＭ１２に格納されているデー
タ量による。そのため、ＤＲＡＭ１２にフラッシュメモリ１３への書き込み単位のデータ
量が格納され、フラッシュメモリ１３に書き込まれる直前の状態で意図しない外部電源の
遮断が起きた場合、ＰＬＰ機能を実行するためのエネルギは最大となる。また、通常時に
意図しない外部電源の遮断が起きた場合、ＰＬＰ機能を実行するためのエネルギはＤＲＡ
Ｍ１２に格納されているデータ量により様々である。通常時とは、ＤＲＡＭ１２にフラッ
シュメモリ１３への書き込み単位のデータ量が格納されていない状態である。以下では、
通常時に意図しない外部電源の遮断が起きた場合に必要とされるエネルギの平均値を通常
のエネルギと称する。
タ量による。そのため、ＤＲＡＭ１２にフラッシュメモリ１３への書き込み単位のデータ
量が格納され、フラッシュメモリ１３に書き込まれる直前の状態で意図しない外部電源の
遮断が起きた場合、ＰＬＰ機能を実行するためのエネルギは最大となる。また、通常時に
意図しない外部電源の遮断が起きた場合、ＰＬＰ機能を実行するためのエネルギはＤＲＡ
Ｍ１２に格納されているデータ量により様々である。通常時とは、ＤＲＡＭ１２にフラッ
シュメモリ１３への書き込み単位のデータ量が格納されていない状態である。以下では、
通常時に意図しない外部電源の遮断が起きた場合に必要とされるエネルギの平均値を通常
のエネルギと称する。
【0030】
ＰＬＰコンデンサ１５の容量は、ＰＬＰ機能を実行するために必要な最大のエネルギを
充電可能な容量より少なく設定されている。すなわち、ＰＬＰコンデンサ１５に充電可能
なエネルギである第１のエネルギは、ＰＬＰ機能を実行するために必要な最大のエネルギ
よりも小さい。ＰＬＰ機能を実行するために必要な通常のエネルギは、ＰＬＰ機能を実行
するために必要な最大のエネルギの数分の一程度である。そのため、ＳＳＤ３がＰＬＰ機
能を実行するために最大のエネルギを必要としない場合は、ＰＬＰコンデンサ１５に充電
可能なエネルギが最大のエネルギより小さくても、ＳＳＤ３はＰＬＰ機能を実行すること
が可能である。
充電可能な容量より少なく設定されている。すなわち、ＰＬＰコンデンサ１５に充電可能
なエネルギである第１のエネルギは、ＰＬＰ機能を実行するために必要な最大のエネルギ
よりも小さい。ＰＬＰ機能を実行するために必要な通常のエネルギは、ＰＬＰ機能を実行
するために必要な最大のエネルギの数分の一程度である。そのため、ＳＳＤ３がＰＬＰ機
能を実行するために最大のエネルギを必要としない場合は、ＰＬＰコンデンサ１５に充電
可能なエネルギが最大のエネルギより小さくても、ＳＳＤ３はＰＬＰ機能を実行すること
が可能である。
【0031】
ＰＬＰコンデンサ１５は、ヒューズ５２を含む。コンデンサ５１は、直列に接続される
ヒューズ５２を介して電源回路１４に接続されている。ヒューズ５２は、一定電流以上の
過電流が流れると溶断される金属ヒューズを用いて構成されている。ヒューズ５２が溶断
されると、ヒューズ５２を交換しない限り、コンデンサ５１は電源回路１４から切り離さ
れたままである。なお、ヒューズ５２は金属ヒューズに限らず、過電流が検出されると非
導通となる電子ヒューズを用いて構成されても良い。なお、ＰＬＰコンデンサ１５がヒュ
ーズ５２を含む構成について説明したが、ＰＬＰコンデンサ１５はヒューズ５２を含まな
くても良い。
ヒューズ５２を介して電源回路１４に接続されている。ヒューズ５２は、一定電流以上の
過電流が流れると溶断される金属ヒューズを用いて構成されている。ヒューズ５２が溶断
されると、ヒューズ５２を交換しない限り、コンデンサ５１は電源回路１４から切り離さ
れたままである。なお、ヒューズ５２は金属ヒューズに限らず、過電流が検出されると非
導通となる電子ヒューズを用いて構成されても良い。なお、ＰＬＰコンデンサ１５がヒュ
ーズ５２を含む構成について説明したが、ＰＬＰコンデンサ１５はヒューズ５２を含まな
くても良い。
【0032】
コネクタ１６は、ホスト２を含む外部機器とＳＳＤ３とを接続したり、情報処理システ
ム１に含まれるＳＳＤ３同士を接続したりするための接続端子である。ホスト２や情報処
理システム１に含まれる別のＳＳＤ３とコネクタ１６とは、本実施形態では、ケーブルを
介して接続される。コネクタ１６は、電源電圧供給ピン６１、グランドピン６２、信号ピ
ン６３、エネルギ共有ピン６４、通信ピン６５等を備える。
ム１に含まれるＳＳＤ３同士を接続したりするための接続端子である。ホスト２や情報処
理システム１に含まれる別のＳＳＤ３とコネクタ１６とは、本実施形態では、ケーブルを
介して接続される。コネクタ１６は、電源電圧供給ピン６１、グランドピン６２、信号ピ
ン６３、エネルギ共有ピン６４、通信ピン６５等を備える。
【0033】
電源電圧供給ピン６１は、外部電源から供給される単一又は複数の外部電源電圧を電源
回路１４に供給することが可能な端子である。グランドピン６２は、ＳＳＤ３をグランド
に接続することが可能な端子である。信号ピン６３は、ホスト２との間で、各種制御信号
及びデータ信号を送受信することが可能な端子である。エネルギ共有ピン６４は、電源回
路１４に接続され、情報処理システム１に含まれる複数のＳＳＤ３に各々含まれるＰＬＰ
コンデンサ１５同士を接続し、接続された複数のＳＳＤ３との間でエネルギを共有するこ
とが可能な端子である。すなわち、電源回路１４は、エネルギ共有ピン６４を介して接続
された複数のＳＳＤ３とエネルギを共有し、共有されたエネルギを用いて、フラッシュメ
モリ１３、コントローラ１１及びＤＲＡＭ１２に対して電源電圧を電源遮断後の一定時間
供給するとしてもよい。通信ピン６５は、エネルギ共有ピン６４を介して接続された複数
のＳＳＤ３同士を接続し、例えば、Ｉ２Ｃ方式等の通信規格に従って情報を通信すること
が可能な端子である。情報は、エネルギ共有ピン６４を介して接続された複数のＳＳＤ３
の合計台数等を含む。
回路１４に供給することが可能な端子である。グランドピン６２は、ＳＳＤ３をグランド
に接続することが可能な端子である。信号ピン６３は、ホスト２との間で、各種制御信号
及びデータ信号を送受信することが可能な端子である。エネルギ共有ピン６４は、電源回
路１４に接続され、情報処理システム１に含まれる複数のＳＳＤ３に各々含まれるＰＬＰ
コンデンサ１５同士を接続し、接続された複数のＳＳＤ３との間でエネルギを共有するこ
とが可能な端子である。すなわち、電源回路１４は、エネルギ共有ピン６４を介して接続
された複数のＳＳＤ３とエネルギを共有し、共有されたエネルギを用いて、フラッシュメ
モリ１３、コントローラ１１及びＤＲＡＭ１２に対して電源電圧を電源遮断後の一定時間
供給するとしてもよい。通信ピン６５は、エネルギ共有ピン６４を介して接続された複数
のＳＳＤ３同士を接続し、例えば、Ｉ２Ｃ方式等の通信規格に従って情報を通信すること
が可能な端子である。情報は、エネルギ共有ピン６４を介して接続された複数のＳＳＤ３
の合計台数等を含む。
【0034】
図３は、第１の実施形態に係るメモリシステム中の蓄電装置の構成の一例を示す回路図
である。上述の説明では、ＰＬＰコンデンサ１５は単数のコンデンサ５１から構成され、
コンデンサ５１は直列に接続されたヒューズ５２を介して電源回路１４と接続されるとし
た。しかしこれに限定されず、図３に示すように、ＰＬＰコンデンサ１５は、並列に接続
された複数のコンデンサ５１ａ、５１ｂ、５１ｃを含んでも良い。さらに、複数のコンデ
ンサ５１ａ、５１ｂ、５１ｃは、並列に接続された複数のコンデンサ５１ａ、５１ｂ、５
１ｃと直列に接続されたヒューズ５２を介して電源回路１４に接続されても良い。
である。上述の説明では、ＰＬＰコンデンサ１５は単数のコンデンサ５１から構成され、
コンデンサ５１は直列に接続されたヒューズ５２を介して電源回路１４と接続されるとし
た。しかしこれに限定されず、図３に示すように、ＰＬＰコンデンサ１５は、並列に接続
された複数のコンデンサ５１ａ、５１ｂ、５１ｃを含んでも良い。さらに、複数のコンデ
ンサ５１ａ、５１ｂ、５１ｃは、並列に接続された複数のコンデンサ５１ａ、５１ｂ、５
１ｃと直列に接続されたヒューズ５２を介して電源回路１４に接続されても良い。
【0035】
図４は、第１の実施形態に係るメモリシステム中の蓄電装置の構成の別な一例を示す回
路図である。図４に示すように、並列に接続された複数のコンデンサ５１ａ、５１ｂ、５
１ｃは、複数のコンデンサ５１ａ、５１ｂ、５１ｃの各々に直列に接続された複数のヒュ
ーズ５２ａ、５２ｂ、５２ｃを介して電源回路１４に接続されてもよい。
路図である。図４に示すように、並列に接続された複数のコンデンサ５１ａ、５１ｂ、５
１ｃは、複数のコンデンサ５１ａ、５１ｂ、５１ｃの各々に直列に接続された複数のヒュ
ーズ５２ａ、５２ｂ、５２ｃを介して電源回路１４に接続されてもよい。
【0036】
並列に接続されるコンデンサ５１の数は３個に限定されない。複数のコンデンサ５１を
用いてＰＬＰコンデンサ１５を構成することにより、比較的小型のコンデンサ５１を使う
ことができる。単一のコンデンサ５１ではＰＬＰ機能を実行するために必要なエネルギを
充電できなくても、複数のコンデンサ５１を並列に接続することにより、ＰＬＰ機能を実
行するために必要なエネルギをＰＬＰコンデンサ１５に充電することができる。複数のコ
ンデンサ５１を用いてＰＬＰコンデンサ１５を構成する場合、複数のコンデンサ５１に充
電可能なエネルギの合計は第１のエネルギである。
用いてＰＬＰコンデンサ１５を構成することにより、比較的小型のコンデンサ５１を使う
ことができる。単一のコンデンサ５１ではＰＬＰ機能を実行するために必要なエネルギを
充電できなくても、複数のコンデンサ５１を並列に接続することにより、ＰＬＰ機能を実
行するために必要なエネルギをＰＬＰコンデンサ１５に充電することができる。複数のコ
ンデンサ５１を用いてＰＬＰコンデンサ１５を構成する場合、複数のコンデンサ５１に充
電可能なエネルギの合計は第１のエネルギである。
【0037】
図５は第１の実施形態に係るメモリシステムを複数接続した構成の一例を示すブロック
図である。図５を参照して、本実施形態に係る２つのメモリシステムがエネルギ共有ピン
を介して接続された構成を説明する。以下、説明の便宜上、ＰＬＰコンデンサ１５に充電
可能なエネルギである第１のエネルギの数値を記載したが、これらの数値は一例であり、
任意に変更可能である。また、１台のＳＳＤ３でＰＬＰ機能を実行する時に必要な最大の
エネルギ及び通常のエネルギの数値も一例であり、任意に変更可能である。また、エネル
ギ共有ピン６４を介して接続されたＳＳＤ３の充電可能な合計エネルギである第２のエネ
ルギの数値も一例であり、任意に変更可能である。また、エネルギ共有ピン６４を介して
接続された複数のＳＳＤ３それぞれのＰＬＰ機能を実行するために必要な通常のエネルギ
の合計である第３のエネルギの数値も一例であり、任意に変更可能である。
図である。図５を参照して、本実施形態に係る２つのメモリシステムがエネルギ共有ピン
を介して接続された構成を説明する。以下、説明の便宜上、ＰＬＰコンデンサ１５に充電
可能なエネルギである第１のエネルギの数値を記載したが、これらの数値は一例であり、
任意に変更可能である。また、１台のＳＳＤ３でＰＬＰ機能を実行する時に必要な最大の
エネルギ及び通常のエネルギの数値も一例であり、任意に変更可能である。また、エネル
ギ共有ピン６４を介して接続されたＳＳＤ３の充電可能な合計エネルギである第２のエネ
ルギの数値も一例であり、任意に変更可能である。また、エネルギ共有ピン６４を介して
接続された複数のＳＳＤ３それぞれのＰＬＰ機能を実行するために必要な通常のエネルギ
の合計である第３のエネルギの数値も一例であり、任意に変更可能である。
【0038】
図５に示すように、ホスト２（図示しない）に接続されたＳＳＤ３－１とＳＳＤ３－２
とが、エネルギ共有ピン６４－１とエネルギ共有ピン６４－２とを介して接続されている
。また、ＳＳＤ３－１とＳＳＤ３－２とが、通信ピン６５－１と通信ピン６５－２とを介
して接続されている。本実施形態では、エネルギ共有ピン６４及び通信ピン６５で接続さ
れるＳＳＤ３が２台であるが、３台以上であっても良い。
とが、エネルギ共有ピン６４－１とエネルギ共有ピン６４－２とを介して接続されている
。また、ＳＳＤ３－１とＳＳＤ３－２とが、通信ピン６５－１と通信ピン６５－２とを介
して接続されている。本実施形態では、エネルギ共有ピン６４及び通信ピン６５で接続さ
れるＳＳＤ３が２台であるが、３台以上であっても良い。
【0039】
本実施形態の説明において、動作の中心となるＳＳＤ３－１を内部メモリシステム、本
実施形態に係るメモリシステムではあるが、内部メモリシステムではない別のメモリシス
テムであるＳＳＤ３－２を外部メモリシステムと称する。また、ＳＳＤ３－１に含まれる
ＰＬＰコンデンサ１５－１を内部ＰＬＰコンデンサ、ＳＳＤ３－２に含まれるＰＬＰコン
デンサ１５－２を外部ＰＬＰコンデンサと称する。
実施形態に係るメモリシステムではあるが、内部メモリシステムではない別のメモリシス
テムであるＳＳＤ３－２を外部メモリシステムと称する。また、ＳＳＤ３－１に含まれる
ＰＬＰコンデンサ１５－１を内部ＰＬＰコンデンサ、ＳＳＤ３－２に含まれるＰＬＰコン
デンサ１５－２を外部ＰＬＰコンデンサと称する。
【0040】
本実施形態のＳＳＤ３において、ＰＬＰ機能を実行するためには、例えば、最大時に６
０ｍＪ、通常時に２０ｍＪのエネルギが必要である。内部ＰＬＰコンデンサ１５－１及び
外部ＰＬＰコンデンサ１５－２には、例えば、各々４０ｍＪのエネルギを充電可能である
。したがって、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－２に充電
可能な合計エネルギは８０ｍＪである。
０ｍＪ、通常時に２０ｍＪのエネルギが必要である。内部ＰＬＰコンデンサ１５－１及び
外部ＰＬＰコンデンサ１５－２には、例えば、各々４０ｍＪのエネルギを充電可能である
。したがって、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－２に充電
可能な合計エネルギは８０ｍＪである。
【0041】
【0042】
図６は、第１の実施形態に係るメモリシステムの処理の一例を示すシーケンス図である
。図６を参照して、電源投入時に不良判定を行うＳＳＤ３－１の処理を説明する。なお、
不良判定は、電源投入時ではなく、任意のタイミングで行っても良い。
。図６を参照して、電源投入時に不良判定を行うＳＳＤ３－１の処理を説明する。なお、
不良判定は、電源投入時ではなく、任意のタイミングで行っても良い。
【0043】
ＳＳＤ３－１の電源が投入されると、コントローラ１１－１は、まずエネルギ共有ピン
６４を介して接続された複数のＳＳＤ３の合計台数を検出する。
６４を介して接続された複数のＳＳＤ３の合計台数を検出する。
【0044】
コントローラ１１－１は、通信ピン６５を介して、エネルギ共有ピン６４を介して接続
されたＳＳＤ３と通信をする（Ｓ１１０）。本実施形態では、コントローラ１１－１は、
コントローラ１１－２と通信をする。コントローラ１１－１は、エネルギ共有ピン６４を
介して接続されたＳＳＤ３の合計台数を、通信ピン６５を介して検出する（Ｓ１２０）。
本実施形態では、エネルギ共有ピン６４を介して接続された複数のＳＳＤ３の合計台数は
２台である。
されたＳＳＤ３と通信をする（Ｓ１１０）。本実施形態では、コントローラ１１－１は、
コントローラ１１－２と通信をする。コントローラ１１－１は、エネルギ共有ピン６４を
介して接続されたＳＳＤ３の合計台数を、通信ピン６５を介して検出する（Ｓ１２０）。
本実施形態では、エネルギ共有ピン６４を介して接続された複数のＳＳＤ３の合計台数は
２台である。
【0045】
コントローラ１１－１は、合計台数を検出すると、エネルギ共有ピン６４を介して接続
されたＳＳＤ３に充電可能な合計エネルギである第２のエネルギの測定を指示するコマン
ドを電源回路１４－１に発行する（Ｓ１３０）。
されたＳＳＤ３に充電可能な合計エネルギである第２のエネルギの測定を指示するコマン
ドを電源回路１４－１に発行する（Ｓ１３０）。
【0046】
電源回路１４－１は、エネルギ共有ピン６４を介して接続された複数のＳＳＤ３に充電
可能な合計エネルギの測定を指示するコマンドを受信すると、容量測定回路４１－１を用
いて、充電可能な合計エネルギを測定する（Ｓ１４０）。電源回路１４－１は、測定した
合計エネルギの値をコントローラ１１－１に送信する。本実施形態において、第２のエネ
ルギは、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－２に充電可能な
合計エネルギである。本実施形態において、第２のエネルギである合計エネルギは８０ｍ
Ｊである。
可能な合計エネルギの測定を指示するコマンドを受信すると、容量測定回路４１－１を用
いて、充電可能な合計エネルギを測定する（Ｓ１４０）。電源回路１４－１は、測定した
合計エネルギの値をコントローラ１１－１に送信する。本実施形態において、第２のエネ
ルギは、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－２に充電可能な
合計エネルギである。本実施形態において、第２のエネルギである合計エネルギは８０ｍ
Ｊである。
【0047】
本実施形態では、ＳＳＤ３－１及びＳＳＤ３－２において、各々のヒューズ５２－１及
びヒューズ５２－２が溶断されていない場合、コンデンサ５１－１及びコンデンサ５１－
２は電源回路１４－１と接続されたままである。そのため、内部ＰＬＰコンデンサ１５－
１及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－２に充電されたエネルギを電源回路１４－１に送るこ
とが可能である。
びヒューズ５２－２が溶断されていない場合、コンデンサ５１－１及びコンデンサ５１－
２は電源回路１４－１と接続されたままである。そのため、内部ＰＬＰコンデンサ１５－
１及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－２に充電されたエネルギを電源回路１４－１に送るこ
とが可能である。
【0048】
本実施形態ではＳＳＤ３－１の容量測定回路４１－１を用いて充電可能な合計エネルギ
を測定しているが、エネルギ共有ピン６４を介して接続された複数のＳＳＤ３のうち任意
の１台のＳＳＤ３の容量測定回路４１を用いて充電可能な合計エネルギを測定しても良い
。また、本実施形態では、容量測定回路４１－１を用いて測定した充電可能な合計エネル
ギの値をコントローラ１１－１に送信したが、通信ピン６５を用いて、容量測定回路４１
－１を用いて測定した充電可能な合計エネルギの値を、エネルギ共有ピン６４を介して接
続された別のＳＳＤ３に伝えても良い。
を測定しているが、エネルギ共有ピン６４を介して接続された複数のＳＳＤ３のうち任意
の１台のＳＳＤ３の容量測定回路４１を用いて充電可能な合計エネルギを測定しても良い
。また、本実施形態では、容量測定回路４１－１を用いて測定した充電可能な合計エネル
ギの値をコントローラ１１－１に送信したが、通信ピン６５を用いて、容量測定回路４１
－１を用いて測定した充電可能な合計エネルギの値を、エネルギ共有ピン６４を介して接
続された別のＳＳＤ３に伝えても良い。
【0049】
コントローラ１１－１は、測定された充電可能な合計エネルギの値を電源回路１４－１
から受信する。そして、受信した充電可能な合計エネルギの値が、エネルギ共有ピン６４
を介して接続された複数のＳＳＤ３それぞれのＰＬＰ機能を実行するために必要な通常の
エネルギの合計値以上であるか判定する（Ｓ１５０）。なお、本実施形態では、エネルギ
共有ピン６４を介して接続された複数のＳＳＤ３それぞれのＰＬＰ機能を実行するために
必要な通常のエネルギの合計値を基準としたが、これに限定されず、任意の値を基準とし
ても良い。
から受信する。そして、受信した充電可能な合計エネルギの値が、エネルギ共有ピン６４
を介して接続された複数のＳＳＤ３それぞれのＰＬＰ機能を実行するために必要な通常の
エネルギの合計値以上であるか判定する（Ｓ１５０）。なお、本実施形態では、エネルギ
共有ピン６４を介して接続された複数のＳＳＤ３それぞれのＰＬＰ機能を実行するために
必要な通常のエネルギの合計値を基準としたが、これに限定されず、任意の値を基準とし
ても良い。
【0050】
充電可能な合計エネルギの値が、エネルギ共有ピン６４を介して接続された複数のＳＳ
Ｄ３それぞれのＰＬＰ機能を実行するために必要な通常のエネルギの合計値未満の場合、
コントローラ１１－１は、エネルギ共有ピン６４を介して接続された複数のＳＳＤ３を全
て不良と判定する。本実施形態では、例えば、コントローラ１１－１は、ＳＳＤ３－１及
びＳＳＤ３－２を不良と判定する。充電可能な合計エネルギの値が、エネルギ共有ピン６
４を介して接続された複数のＳＳＤ３それぞれのＰＬＰ機能を実行するために必要な通常
エネルギの合計値以上である場合、エネルギ共有ピン６４を介して接続された複数のＳＳ
Ｄ３はホスト２のメインストレージとして用いられる。
Ｄ３それぞれのＰＬＰ機能を実行するために必要な通常のエネルギの合計値未満の場合、
コントローラ１１－１は、エネルギ共有ピン６４を介して接続された複数のＳＳＤ３を全
て不良と判定する。本実施形態では、例えば、コントローラ１１－１は、ＳＳＤ３－１及
びＳＳＤ３－２を不良と判定する。充電可能な合計エネルギの値が、エネルギ共有ピン６
４を介して接続された複数のＳＳＤ３それぞれのＰＬＰ機能を実行するために必要な通常
エネルギの合計値以上である場合、エネルギ共有ピン６４を介して接続された複数のＳＳ
Ｄ３はホスト２のメインストレージとして用いられる。
【0051】
図７は、第１の実施形態に係るメモリシステムの中の電源回路の処理の一例を示すフロ
ーチャートである。図７を参照して、ＳＳＤ３－１及びＳＳＤ３－２において意図しない
外部電源の遮断が起きた場合のＳＳＤ３－１における電源回路１４－１の動作について説
明する。本実施形態では、ＳＳＤ３－１及びＳＳＤ３－２において意図しない外部電源の
遮断が起きた場合について説明するが、いずれかのＳＳＤ３において単独で意図しない外
部電源の遮断が起きた場合についても同様である。内部ＰＬＰコンデンサ１５－１及び外
部ＰＬＰコンデンサ１５－２は各々４０ｍＪずつ充電されているものとする。
ーチャートである。図７を参照して、ＳＳＤ３－１及びＳＳＤ３－２において意図しない
外部電源の遮断が起きた場合のＳＳＤ３－１における電源回路１４－１の動作について説
明する。本実施形態では、ＳＳＤ３－１及びＳＳＤ３－２において意図しない外部電源の
遮断が起きた場合について説明するが、いずれかのＳＳＤ３において単独で意図しない外
部電源の遮断が起きた場合についても同様である。内部ＰＬＰコンデンサ１５－１及び外
部ＰＬＰコンデンサ１５－２は各々４０ｍＪずつ充電されているものとする。
【0052】
ホスト２は、ユーザから電源遮断の指示を受けると、実際に電源遮断する前に、電源遮
断の予告通知をＳＳＤ３に送る。コントローラ１１は、この予告通知に応答して、ＤＲＡ
Ｍ１２に格納されている書き込み途中のデータをフラッシュメモリ１３へ書き込む。書き
込みが完了すると、コントローラ１１は書き込みの完了報告をホスト２に送る。ホスト２
は、この完了報告を待って電源遮断を行う。そのため、書き込み途中のデータが消失する
ことがない。
断の予告通知をＳＳＤ３に送る。コントローラ１１は、この予告通知に応答して、ＤＲＡ
Ｍ１２に格納されている書き込み途中のデータをフラッシュメモリ１３へ書き込む。書き
込みが完了すると、コントローラ１１は書き込みの完了報告をホスト２に送る。ホスト２
は、この完了報告を待って電源遮断を行う。そのため、書き込み途中のデータが消失する
ことがない。
【0053】
しかし、停電等によりホスト２の電源が意図せずに遮断される場合、ホスト２は電源遮
断の予告通知をＳＳＤ３に送ることができない。この場合、コントローラ１１は、予告通
知を受信しないので、書き込み途中のデータのフラッシュメモリ１３への書き込みを、外
部電源の供給が終了するまでに完了することができない場合が起こり得る。
断の予告通知をＳＳＤ３に送ることができない。この場合、コントローラ１１は、予告通
知を受信しないので、書き込み途中のデータのフラッシュメモリ１３への書き込みを、外
部電源の供給が終了するまでに完了することができない場合が起こり得る。
【0054】
この意図しない外部電源の遮断に対応するために、バックアップ電源としてＰＬＰコン
デンサ１５を用いたＰＬＰ機能が実行される。
デンサ１５を用いたＰＬＰ機能が実行される。
【0055】
電源回路１４－１は、外部電源から供給される電圧が第１の閾値電圧より低いか否か判
断する（Ｓ２１０）。第１の閾値電圧は、例えば、ＳＳＤ３の各デバイスで必要な複数の
電源電圧を生成するために電源回路１４－１が必要とする電圧未満の電圧である。外部電
源から供給される電圧が第１の閾値電圧以上であると判断した場合（Ｓ２１０；ＮＯ）、
電源回路１４－１は、ステップＳ２１０を繰り返す。外部電源から供給される電圧が第１
の閾値電圧より低いと判断した場合（Ｓ２１０；ＹＥＳ）、電源回路１４－１は、意図し
ない外部電源の遮断が起きたと判断する。意図しない外部電源の遮断が起きた場合、ＳＳ
Ｄ３－１及びＳＳＤ３－２で同時に最大のエネルギが必要になることは稀である。本実施
形態では、例えば、ＳＳＤ３－１では最大時の６０ｍＪ、ＳＳＤ３－２では通常時の２０
ｍＪのエネルギが必要であるとする。
断する（Ｓ２１０）。第１の閾値電圧は、例えば、ＳＳＤ３の各デバイスで必要な複数の
電源電圧を生成するために電源回路１４－１が必要とする電圧未満の電圧である。外部電
源から供給される電圧が第１の閾値電圧以上であると判断した場合（Ｓ２１０；ＮＯ）、
電源回路１４－１は、ステップＳ２１０を繰り返す。外部電源から供給される電圧が第１
の閾値電圧より低いと判断した場合（Ｓ２１０；ＹＥＳ）、電源回路１４－１は、意図し
ない外部電源の遮断が起きたと判断する。意図しない外部電源の遮断が起きた場合、ＳＳ
Ｄ３－１及びＳＳＤ３－２で同時に最大のエネルギが必要になることは稀である。本実施
形態では、例えば、ＳＳＤ３－１では最大時の６０ｍＪ、ＳＳＤ３－２では通常時の２０
ｍＪのエネルギが必要であるとする。
【0056】
ＳＳＤ３－１では６０ｍＪのエネルギが必要であるが、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１
には４０ｍＪのエネルギしか充電できず、４０ｍＪ充電されていてもエネルギが足りない
。一方で、ＳＳＤ３－２では２０ｍＪのエネルギが必要であるが、外部ＰＬＰコンデンサ
１５－２には４０ｍＪのエネルギが充電されている。そこで、電源回路１４－１は、エネ
ルギ共有ピン６４を介して接続された内部ＰＬＰコンデンサ１５－１及び外部ＰＬＰコン
デンサ１５－２からエネルギを取り出す（Ｓ２２０）。本実施形態では、電源回路１４－
１は、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－２から合計８０ｍ
Ｊのエネルギを取り出すことができる。
には４０ｍＪのエネルギしか充電できず、４０ｍＪ充電されていてもエネルギが足りない
。一方で、ＳＳＤ３－２では２０ｍＪのエネルギが必要であるが、外部ＰＬＰコンデンサ
１５－２には４０ｍＪのエネルギが充電されている。そこで、電源回路１４－１は、エネ
ルギ共有ピン６４を介して接続された内部ＰＬＰコンデンサ１５－１及び外部ＰＬＰコン
デンサ１５－２からエネルギを取り出す（Ｓ２２０）。本実施形態では、電源回路１４－
１は、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－２から合計８０ｍ
Ｊのエネルギを取り出すことができる。
【0057】
電源回路１４－１は、取り出したエネルギからＳＳＤ３－１の各デバイスで必要な電源
電圧を生成する（Ｓ２３０）。電源回路１４－１は、取り出した合計エネルギの８０ｍＪ
のうち、ＳＳＤ３－１では６０ｍＪを用いる。コントローラ１１－１は、生成された電源
電圧を用いてＤＲＡＭ１２－１に格納されている書き込み途中のデータをフラッシュメモ
リ１３－１へ書き込む。
電圧を生成する（Ｓ２３０）。電源回路１４－１は、取り出した合計エネルギの８０ｍＪ
のうち、ＳＳＤ３－１では６０ｍＪを用いる。コントローラ１１－１は、生成された電源
電圧を用いてＤＲＡＭ１２－１に格納されている書き込み途中のデータをフラッシュメモ
リ１３－１へ書き込む。
【0058】
（効果）
以上のように、本実施形態によれば、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１と外部ＰＬＰコン
デンサ１５－２とが接続され、ＳＳＤ３－１とＳＳＤ３－２とがエネルギを共有すること
で、ＰＬＰコンデンサ１５のエネルギを有効に活用することができる。つまり、１台のＳ
ＳＤ３あたりに実装されるＰＬＰコンデンサ１５の容量を小さくすることができる。
以上のように、本実施形態によれば、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１と外部ＰＬＰコン
デンサ１５－２とが接続され、ＳＳＤ３－１とＳＳＤ３－２とがエネルギを共有すること
で、ＰＬＰコンデンサ１５のエネルギを有効に活用することができる。つまり、１台のＳ
ＳＤ３あたりに実装されるＰＬＰコンデンサ１５の容量を小さくすることができる。
【0059】
図２に示す例のように、単数のコンデンサ５１を用いたＰＬＰコンデンサ１５の場合、
比較的小型のコンデンサ５１を用いることができる。図３及び図４に示す例のように、複
数のコンデンサ５１ａ、５１ｂ、５１ｃを含むＰＬＰコンデンサ１５では、実装されるコ
ンデンサの数を減らすことができる。具体的に、ＰＬＰ機能を実行するために必要な最大
のエネルギである６０ｍＪを、１つあたり２０ｍＪのエネルギを充電可能なコンデンサ５
１を用いて供給する例を説明する。１台のＳＳＤ３で供給するためには、３つのコンデン
サ５１を有するＰＬＰコンデンサ１５をＳＳＤ３に設ける必要がある。しかし、２台のＳ
ＳＤ３でエネルギを共有して供給するためには、２つのコンデンサ５１を有するＰＬＰコ
ンデンサ１５を各々のＳＳＤ３に設ければ良い。したがって、ＰＬＰコンデンサ１５の実
装面積を小さくすることができる。
比較的小型のコンデンサ５１を用いることができる。図３及び図４に示す例のように、複
数のコンデンサ５１ａ、５１ｂ、５１ｃを含むＰＬＰコンデンサ１５では、実装されるコ
ンデンサの数を減らすことができる。具体的に、ＰＬＰ機能を実行するために必要な最大
のエネルギである６０ｍＪを、１つあたり２０ｍＪのエネルギを充電可能なコンデンサ５
１を用いて供給する例を説明する。１台のＳＳＤ３で供給するためには、３つのコンデン
サ５１を有するＰＬＰコンデンサ１５をＳＳＤ３に設ける必要がある。しかし、２台のＳ
ＳＤ３でエネルギを共有して供給するためには、２つのコンデンサ５１を有するＰＬＰコ
ンデンサ１５を各々のＳＳＤ３に設ければ良い。したがって、ＰＬＰコンデンサ１５の実
装面積を小さくすることができる。
【0060】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態が第１の実施形態と異なる点
は、エネルギ共有ピン及び通信ピンで接続されるメモリシステムの台数を変更したことで
ある。このエネルギ共有ピン及び通信ピンで接続されるメモリシステムの台数以外の構成
は、第１の実施形態のメモリシステムと同様であるので、同一部分には同一符号を付して
詳細な説明は省略する。
次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態が第１の実施形態と異なる点
は、エネルギ共有ピン及び通信ピンで接続されるメモリシステムの台数を変更したことで
ある。このエネルギ共有ピン及び通信ピンで接続されるメモリシステムの台数以外の構成
は、第１の実施形態のメモリシステムと同様であるので、同一部分には同一符号を付して
詳細な説明は省略する。
【0061】
第２の実施形態のメモリシステムの構成を、図８を参照して説明する。図８は、第２の
実施形態に係るメモリシステムを複数接続した構成の一例を示すブロック図である。図８
を参照して、本実施形態に係る３つのメモリシステムがエネルギ共有ピン６４を介して接
続された構成を説明する。以下では説明の便宜上、ＰＬＰコンデンサ１５に充電可能なエ
ネルギである第１のエネルギの数値を記載したが、これらの数値は一例であり、任意に変
更可能である。また、１台のＳＳＤ３でＰＬＰ機能を実行するために必要な最大のエネル
ギ及び通常のエネルギの数値も一例であり、任意に変更可能である。また、複数のＳＳＤ
３の充電可能な合計エネルギである第２のエネルギの数値も一例であり、任意に変更可能
である。
実施形態に係るメモリシステムを複数接続した構成の一例を示すブロック図である。図８
を参照して、本実施形態に係る３つのメモリシステムがエネルギ共有ピン６４を介して接
続された構成を説明する。以下では説明の便宜上、ＰＬＰコンデンサ１５に充電可能なエ
ネルギである第１のエネルギの数値を記載したが、これらの数値は一例であり、任意に変
更可能である。また、１台のＳＳＤ３でＰＬＰ機能を実行するために必要な最大のエネル
ギ及び通常のエネルギの数値も一例であり、任意に変更可能である。また、複数のＳＳＤ
３の充電可能な合計エネルギである第２のエネルギの数値も一例であり、任意に変更可能
である。
【0062】
図８に示すように、ホスト２（図示しない）に接続されたＳＳＤ３－１、ＳＳＤ３－２
及びＳＳＤ３－３がエネルギ共有ピン６４－１、エネルギ共有ピン６４－２及びエネルギ
共有ピン６４－３を介して接続されている。また、ＳＳＤ３－１、ＳＳＤ３－２及びＳＳ
Ｄ３－３が、通信ピン６５－１、通信ピン６５－２及び通信ピン６５－３を介して接続さ
れている。本実施形態では、エネルギ共有ピン６４及び通信ピン６５で接続されるＳＳＤ
３が３台であるが、これに限定されない。
及びＳＳＤ３－３がエネルギ共有ピン６４－１、エネルギ共有ピン６４－２及びエネルギ
共有ピン６４－３を介して接続されている。また、ＳＳＤ３－１、ＳＳＤ３－２及びＳＳ
Ｄ３－３が、通信ピン６５－１、通信ピン６５－２及び通信ピン６５－３を介して接続さ
れている。本実施形態では、エネルギ共有ピン６４及び通信ピン６５で接続されるＳＳＤ
３が３台であるが、これに限定されない。
【0063】
ここで、動作の中心となるＳＳＤ３－１を内部メモリシステム、本実施形態に係るメモ
リシステムではあるが、内部メモリシステムではない別のメモリシステムであるＳＳＤ３
－２及びＳＳＤ３－３を外部メモリシステムと称する。また、ＳＳＤ３－１に含まれるＰ
ＬＰコンデンサ１５－１を内部ＰＬＰコンデンサ、ＳＳＤ３－２に含まれるＰＬＰコンデ
ンサ１５－２及びＳＳＤ３－３に含まれるＰＬＰコンデンサ１５－３を外部ＰＬＰコンデ
ンサと称する。
リシステムではあるが、内部メモリシステムではない別のメモリシステムであるＳＳＤ３
－２及びＳＳＤ３－３を外部メモリシステムと称する。また、ＳＳＤ３－１に含まれるＰ
ＬＰコンデンサ１５－１を内部ＰＬＰコンデンサ、ＳＳＤ３－２に含まれるＰＬＰコンデ
ンサ１５－２及びＳＳＤ３－３に含まれるＰＬＰコンデンサ１５－３を外部ＰＬＰコンデ
ンサと称する。
【0064】
本実施形態のＳＳＤにおいて、ＰＬＰ機能を実行するためには、例えば、最大時に６０
ｍＪ、通常時に２０ｍＪのエネルギが必要である。内部ＰＬＰコンデンサ１５－１、外部
ＰＬＰコンデンサ１５－２及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－３には、例えば、各々４０ｍ
Ｊのエネルギを充電可能である。したがって、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１、外部ＰＬ
Ｐコンデンサ１５－２及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－３に充電可能な合計エネルギは１
２０ｍＪである。
ｍＪ、通常時に２０ｍＪのエネルギが必要である。内部ＰＬＰコンデンサ１５－１、外部
ＰＬＰコンデンサ１５－２及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－３には、例えば、各々４０ｍ
Ｊのエネルギを充電可能である。したがって、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１、外部ＰＬ
Ｐコンデンサ１５－２及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－３に充電可能な合計エネルギは１
２０ｍＪである。
【0065】
（効果）
以上のように、本実施形態によれば、ＰＬＰコンデンサ１５を共有するＳＳＤ３の台数
を増やして３台にすることにより、第１の実施形態に係るメモリシステムと比べて、より
大きなエネルギが必要となった場合にも必要なエネルギが供給されることが可能である。
また、２台のＳＳＤ３が同時に最大のエネルギを必要とした場合であっても、２台のＳＳ
Ｄ３がＰＬＰ機能を実行するために必要なエネルギが、接続された複数（３台）のＰＬＰ
コンデンサ１５に充電されているエネルギの合計を超えていない場合は、ＰＬＰ機能を実
行するために必要なエネルギが供給されることが可能である。
以上のように、本実施形態によれば、ＰＬＰコンデンサ１５を共有するＳＳＤ３の台数
を増やして３台にすることにより、第１の実施形態に係るメモリシステムと比べて、より
大きなエネルギが必要となった場合にも必要なエネルギが供給されることが可能である。
また、２台のＳＳＤ３が同時に最大のエネルギを必要とした場合であっても、２台のＳＳ
Ｄ３がＰＬＰ機能を実行するために必要なエネルギが、接続された複数（３台）のＰＬＰ
コンデンサ１５に充電されているエネルギの合計を超えていない場合は、ＰＬＰ機能を実
行するために必要なエネルギが供給されることが可能である。
【0066】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態が第２の実施形態と異なる点
は、エネルギ共有ピン及び通信ピンで接続される外部メモリシステムとのエネルギ共有方
法を変更したことである。このエネルギ共有ピン及び通信ピンで接続される外部メモリシ
ステムとのエネルギ共有方法以外の構成は、第２の実施形態のメモリシステムと同様であ
るので、同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
次に、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態が第２の実施形態と異なる点
は、エネルギ共有ピン及び通信ピンで接続される外部メモリシステムとのエネルギ共有方
法を変更したことである。このエネルギ共有ピン及び通信ピンで接続される外部メモリシ
ステムとのエネルギ共有方法以外の構成は、第２の実施形態のメモリシステムと同様であ
るので、同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【0067】
（動作例）
第３の実施形態のメモリシステムの動作を、図９を参照して説明する。以下では説明の
便宜上、ＰＬＰコンデンサ１５に充電可能なエネルギである第１のエネルギの数値を記載
したが、これらの数値は一例であり、任意に変更可能である。また、１台のＳＳＤ３でＰ
ＬＰ機能を実行するために必要な最大のエネルギ、及び、通常のエネルギの数値も一例で
あり、任意に変更可能である。また、エネルギ共有ピン６４を介して接続された複数のＳ
ＳＤ３それぞれのＰＬＰ機能を実行するために必要なエネルギの数値、及び、１台のＳＳ
Ｄ３のＰＬＰ機能を実行するために必要なエネルギである第４のエネルギも一例であり、
任意に変更可能である。さらに、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１に充電されたエネルギで
ある第５のエネルギも一例であり、任意に変更可能である。
第３の実施形態のメモリシステムの動作を、図９を参照して説明する。以下では説明の
便宜上、ＰＬＰコンデンサ１５に充電可能なエネルギである第１のエネルギの数値を記載
したが、これらの数値は一例であり、任意に変更可能である。また、１台のＳＳＤ３でＰ
ＬＰ機能を実行するために必要な最大のエネルギ、及び、通常のエネルギの数値も一例で
あり、任意に変更可能である。また、エネルギ共有ピン６４を介して接続された複数のＳ
ＳＤ３それぞれのＰＬＰ機能を実行するために必要なエネルギの数値、及び、１台のＳＳ
Ｄ３のＰＬＰ機能を実行するために必要なエネルギである第４のエネルギも一例であり、
任意に変更可能である。さらに、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１に充電されたエネルギで
ある第５のエネルギも一例であり、任意に変更可能である。
【0068】
図９は、第３の実施形態に係るメモリシステムの中の電源回路の処理の一例を示すフロ
ーチャートである。図９を参照して、エネルギ共有ピン６４を介して接続された３台のＳ
ＳＤ３のうちＳＳＤ３－１及びＳＳＤ３－２において意図しない外部電源の遮断が起きた
場合のＳＳＤ３－１における電源回路１４－１の動作について説明する。本実施形態にお
いて、意図しない外部電源の遮断が起きるメモリシステムは、ＳＳＤ３－１及びＳＳＤ３
－２に限定されない。ＳＳＤ３－１、ＳＳＤ３－２及びＳＳＤ３－３全てにおいて意図し
ない外部電源の遮断が起きる場合においても、いずれか１台のＳＳＤ３において意図しな
い外部電源の遮断が起きる場合においても同様の動作である。
ーチャートである。図９を参照して、エネルギ共有ピン６４を介して接続された３台のＳ
ＳＤ３のうちＳＳＤ３－１及びＳＳＤ３－２において意図しない外部電源の遮断が起きた
場合のＳＳＤ３－１における電源回路１４－１の動作について説明する。本実施形態にお
いて、意図しない外部電源の遮断が起きるメモリシステムは、ＳＳＤ３－１及びＳＳＤ３
－２に限定されない。ＳＳＤ３－１、ＳＳＤ３－２及びＳＳＤ３－３全てにおいて意図し
ない外部電源の遮断が起きる場合においても、いずれか１台のＳＳＤ３において意図しな
い外部電源の遮断が起きる場合においても同様の動作である。
【0069】
本実施形態のＳＳＤ３において、ＰＬＰ機能を実行するためには、例えば、最大時に６
０ｍＪ、通常時に２０ｍＪのエネルギが必要である。内部ＰＬＰコンデンサ１５－１、外
部ＰＬＰコンデンサ１５－２及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－３は、例えば、各々４０ｍ
Ｊのエネルギを充電可能である。内部ＰＬＰコンデンサ１５－１、外部ＰＬＰコンデンサ
１５－２及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－３に充電可能な合計エネルギは１２０ｍＪであ
り、各々４０ｍＪずつ充電されているものとする。
０ｍＪ、通常時に２０ｍＪのエネルギが必要である。内部ＰＬＰコンデンサ１５－１、外
部ＰＬＰコンデンサ１５－２及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－３は、例えば、各々４０ｍ
Ｊのエネルギを充電可能である。内部ＰＬＰコンデンサ１５－１、外部ＰＬＰコンデンサ
１５－２及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－３に充電可能な合計エネルギは１２０ｍＪであ
り、各々４０ｍＪずつ充電されているものとする。
【0070】
電源回路１４－１は、外部電源から供給される電圧が第１の閾値電圧より低いか否か判
断する（Ｓ２１０）。外部電源から供給される電圧が第１の閾値電圧以上であると判断し
た場合（Ｓ２１０；ＮＯ）、電源回路１４－１は、ステップＳ２１０を繰り返す。外部電
源から供給される電圧が第１の閾値電圧より低いと判断した場合（Ｓ２１０；ＹＥＳ）、
電源回路１４－１は、意図しない外部電源の遮断が起きたと判断する。
断する（Ｓ２１０）。外部電源から供給される電圧が第１の閾値電圧以上であると判断し
た場合（Ｓ２１０；ＮＯ）、電源回路１４－１は、ステップＳ２１０を繰り返す。外部電
源から供給される電圧が第１の閾値電圧より低いと判断した場合（Ｓ２１０；ＹＥＳ）、
電源回路１４－１は、意図しない外部電源の遮断が起きたと判断する。
【0071】
続いて、電源回路１４－１は、ＳＳＤ３－１のＰＬＰ機能を実行するために必要なエネ
ルギである第４のエネルギが、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１に充電されたエネルギであ
る第５のエネルギ以下であるか判断する（Ｓ３１０）。
ルギである第４のエネルギが、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１に充電されたエネルギであ
る第５のエネルギ以下であるか判断する（Ｓ３１０）。
【0072】
第４のエネルギが第５のエネルギ以下である場合、すなわちＳＳＤ３－１のＰＬＰ機能
を実行するために必要なエネルギが内部ＰＬＰコンデンサ１５－１に充電されたエネルギ
で足りる場合（Ｓ３１０；ＹＥＳ）、電源回路１４－１は、内部ＰＬＰコンデンサ１５－
１からエネルギを取り出す（Ｓ３２０）。内部ＰＬＰコンデンサ１５－１に充電されたエ
ネルギで足りない場合（Ｓ３１０；ＮＯ）、コントローラ１１－１はコントローラ１１－
２と通信し、ＳＳＤ３－１及びＳＳＤ３－２においてＰＬＰ機能を実行するためにそれぞ
れのＳＳＤ３が必要とするエネルギの値を共有する。電源回路１４－１は、ＳＳＤ３－１
及びＳＳＤ３－２のＰＬＰ機能を実行するために必要なエネルギが内部ＰＬＰコンデンサ
１５－１及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－２に充電された合計エネルギ以下であるか判断
する（Ｓ３３０）。
を実行するために必要なエネルギが内部ＰＬＰコンデンサ１５－１に充電されたエネルギ
で足りる場合（Ｓ３１０；ＹＥＳ）、電源回路１４－１は、内部ＰＬＰコンデンサ１５－
１からエネルギを取り出す（Ｓ３２０）。内部ＰＬＰコンデンサ１５－１に充電されたエ
ネルギで足りない場合（Ｓ３１０；ＮＯ）、コントローラ１１－１はコントローラ１１－
２と通信し、ＳＳＤ３－１及びＳＳＤ３－２においてＰＬＰ機能を実行するためにそれぞ
れのＳＳＤ３が必要とするエネルギの値を共有する。電源回路１４－１は、ＳＳＤ３－１
及びＳＳＤ３－２のＰＬＰ機能を実行するために必要なエネルギが内部ＰＬＰコンデンサ
１５－１及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－２に充電された合計エネルギ以下であるか判断
する（Ｓ３３０）。
【0073】
内部ＰＬＰコンデンサ１５－１及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－２に充電された合計エ
ネルギで足りる場合（Ｓ３３０；ＹＥＳ）、電源回路１４－１は、内部ＰＬＰコンデンサ
１５－１及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－２からエネルギを取り出す（Ｓ３４０）。内部
ＰＬＰコンデンサ１５－１及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－２に充電された合計エネルギ
で足りない場合（Ｓ３３０；ＮＯ）、電源回路１４－１は、ＳＳＤ３－１及びＳＳＤ３－
２のＰＬＰ機能を実行するために必要なエネルギが、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１、外
部ＰＬＰコンデンサ１５－２及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－３に充電された合計エネル
ギ以下であるか判断する（Ｓ３５０）。
ネルギで足りる場合（Ｓ３３０；ＹＥＳ）、電源回路１４－１は、内部ＰＬＰコンデンサ
１５－１及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－２からエネルギを取り出す（Ｓ３４０）。内部
ＰＬＰコンデンサ１５－１及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－２に充電された合計エネルギ
で足りない場合（Ｓ３３０；ＮＯ）、電源回路１４－１は、ＳＳＤ３－１及びＳＳＤ３－
２のＰＬＰ機能を実行するために必要なエネルギが、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１、外
部ＰＬＰコンデンサ１５－２及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－３に充電された合計エネル
ギ以下であるか判断する（Ｓ３５０）。
【0074】
内部ＰＬＰコンデンサ１５－１、外部ＰＬＰコンデンサ１５－２及び外部ＰＬＰコンデ
ンサ１５－３に充電された合計エネルギで足りる場合（Ｓ３５０；ＹＥＳ）、電源回路１
４－１は、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１、外部ＰＬＰコンデンサ１５－２、及び外部Ｐ
ＬＰコンデンサ１５－３からエネルギを取り出す（Ｓ３６０）。内部ＰＬＰコンデンサ１
５－１、外部ＰＬＰコンデンサ１５－２及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－３に充電された
合計エネルギで足りない場合（Ｓ３５０；ＮＯ）、ＰＬＰ機能を実行することができない
ＳＳＤ３が生じる（Ｓ３７０）。電源回路１４－１は、ＰＬＰ機能を実行することができ
ないＳＳＤ３が生じることをコントローラ１１－１に通知しても良い。また、コントロー
ラ１１－１は、ＰＬＰ機能を実行することができないＳＳＤ３が生じることをホスト２に
通知しても良い。
ンサ１５－３に充電された合計エネルギで足りる場合（Ｓ３５０；ＹＥＳ）、電源回路１
４－１は、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１、外部ＰＬＰコンデンサ１５－２、及び外部Ｐ
ＬＰコンデンサ１５－３からエネルギを取り出す（Ｓ３６０）。内部ＰＬＰコンデンサ１
５－１、外部ＰＬＰコンデンサ１５－２及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－３に充電された
合計エネルギで足りない場合（Ｓ３５０；ＮＯ）、ＰＬＰ機能を実行することができない
ＳＳＤ３が生じる（Ｓ３７０）。電源回路１４－１は、ＰＬＰ機能を実行することができ
ないＳＳＤ３が生じることをコントローラ１１－１に通知しても良い。また、コントロー
ラ１１－１は、ＰＬＰ機能を実行することができないＳＳＤ３が生じることをホスト２に
通知しても良い。
【0075】
本実施形態では、ＳＳＤ３－１において最大時の６０ｍＪ、ＳＳＤ３－２において通常
時の２０ｍＪが必要であるとする。全てのＳＳＤ３（ＳＳＤ３－１、ＳＳＤ３－２）にお
いてＰＬＰ機能を実行するために必要な８０ｍＪのエネルギが、内部ＰＬＰコンデンサ１
５－１及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－２に充電された合計エネルギ８０ｍＪで足りる場
合（Ｓ３３０；ＹＥＳ）、電源回路１４－１は、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１及び外部
ＰＬＰコンデンサ１５－２からエネルギを取り出す（Ｓ３４０）。
時の２０ｍＪが必要であるとする。全てのＳＳＤ３（ＳＳＤ３－１、ＳＳＤ３－２）にお
いてＰＬＰ機能を実行するために必要な８０ｍＪのエネルギが、内部ＰＬＰコンデンサ１
５－１及び外部ＰＬＰコンデンサ１５－２に充電された合計エネルギ８０ｍＪで足りる場
合（Ｓ３３０；ＹＥＳ）、電源回路１４－１は、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１及び外部
ＰＬＰコンデンサ１５－２からエネルギを取り出す（Ｓ３４０）。
【0076】
電源回路１４－１は、取り出したエネルギからＳＳＤ３－１の各デバイスで必要な電源
電圧を生成する（Ｓ２３０）。電源回路１４－１は、取り出した合計エネルギの８０ｍＪ
のうち、ＳＳＤ３－１では６０ｍＪを用いる。コントローラ１１－１は、生成された電源
電圧を用いてＤＲＡＭ１２－１に格納されている書き込み途中のデータをフラッシュメモ
リ１３－１へ書き込む。
電圧を生成する（Ｓ２３０）。電源回路１４－１は、取り出した合計エネルギの８０ｍＪ
のうち、ＳＳＤ３－１では６０ｍＪを用いる。コントローラ１１－１は、生成された電源
電圧を用いてＤＲＡＭ１２－１に格納されている書き込み途中のデータをフラッシュメモ
リ１３－１へ書き込む。
【0077】
（効果）
以上のように、本実施形態によれば、エネルギ共有ピン６４を介して接続している複数
のＳＳＤ３において、ＰＬＰ機能を実行するために必要なエネルギを、複数のＳＳＤ３の
うちの、いくつかのＳＳＤ３のＰＬＰコンデンサ１５からエネルギを取り出す。このこと
で、第１の実施形態と比較して、ＰＬＰコンデンサ１５のエネルギをより有効に活用する
ことができる。そのため、エネルギを取り出さなかったＰＬＰコンデンサ１５は再度充電
する必要がない。
以上のように、本実施形態によれば、エネルギ共有ピン６４を介して接続している複数
のＳＳＤ３において、ＰＬＰ機能を実行するために必要なエネルギを、複数のＳＳＤ３の
うちの、いくつかのＳＳＤ３のＰＬＰコンデンサ１５からエネルギを取り出す。このこと
で、第１の実施形態と比較して、ＰＬＰコンデンサ１５のエネルギをより有効に活用する
ことができる。そのため、エネルギを取り出さなかったＰＬＰコンデンサ１５は再度充電
する必要がない。
【0078】
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態について説明する。第４の実施形態が第１の実施形態と異なる点
は、メモリシステムのコネクタ及びコネクタ周辺の構成と、電源投入時に不良判定を行う
ＳＳＤ３－１の処理を変更したことである。メモリシステムのコネクタ及びコネクタ周辺
の構成と、電源投入時に不良判定を行うＳＳＤ３－１の処理を変更したこと以外の構成は
、第１の実施形態のメモリシステムと同様であるので、同一部分には同一符号を付して詳
細な説明は省略する。
次に、第４の実施形態について説明する。第４の実施形態が第１の実施形態と異なる点
は、メモリシステムのコネクタ及びコネクタ周辺の構成と、電源投入時に不良判定を行う
ＳＳＤ３－１の処理を変更したことである。メモリシステムのコネクタ及びコネクタ周辺
の構成と、電源投入時に不良判定を行うＳＳＤ３－１の処理を変更したこと以外の構成は
、第１の実施形態のメモリシステムと同様であるので、同一部分には同一符号を付して詳
細な説明は省略する。
【0079】
（構成）
図１０は、第４の実施形態に係るメモリシステムの構成の一例を示すブロック図である
。図１０に示すように、ＳＳＤ３は、コントローラ１１、ＤＲＡＭ１２、フラッシュメモ
リ１３、電源回路１４、ＰＬＰコンデンサ１５、コネクタ１６、スイッチ１７等を備える
。
図１０は、第４の実施形態に係るメモリシステムの構成の一例を示すブロック図である
。図１０に示すように、ＳＳＤ３は、コントローラ１１、ＤＲＡＭ１２、フラッシュメモ
リ１３、電源回路１４、ＰＬＰコンデンサ１５、コネクタ１６、スイッチ１７等を備える
。
【0080】
コントローラ１１は、フラッシュメモリ１３を制御するように構成されたメモリコント
ローラとして機能する。コントローラ１１はＳｏＣ（Ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ａ Ｃｈｉｐ
）のような回路によって実現され得る。コントローラ１１は、ホスト２からのコマンドに
従って、フラッシュメモリ１３にデータを書き込んだり、フラッシュメモリ１３からデー
タを読み出したりする。また、コントローラ１１はスイッチ１７のオン状態とオフ状態を
切り替える。
ローラとして機能する。コントローラ１１はＳｏＣ（Ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ａ Ｃｈｉｐ
）のような回路によって実現され得る。コントローラ１１は、ホスト２からのコマンドに
従って、フラッシュメモリ１３にデータを書き込んだり、フラッシュメモリ１３からデー
タを読み出したりする。また、コントローラ１１はスイッチ１７のオン状態とオフ状態を
切り替える。
【0081】
コネクタ１６は、ホスト２を含む外部機器とＳＳＤ３とを接続したり、情報処理システ
ム１に含まれるＳＳＤ３同士を接続したりする接続端子である。ホスト２や情報処理シス
テム１に含まれる別のＳＳＤ３とコネクタ１６は、本実施形態では、ケーブルを介して接
続される。コネクタ１６は、電源電圧供給ピン６１、グランドピン６２、信号ピン６３、
エネルギ共有ピン６４等を備える。
ム１に含まれるＳＳＤ３同士を接続したりする接続端子である。ホスト２や情報処理シス
テム１に含まれる別のＳＳＤ３とコネクタ１６は、本実施形態では、ケーブルを介して接
続される。コネクタ１６は、電源電圧供給ピン６１、グランドピン６２、信号ピン６３、
エネルギ共有ピン６４等を備える。
【0082】
電源電圧供給ピン６１は、外部電源から供給される単一又は複数の外部電源電圧を電源
回路１４に供給することが可能な端子である。グランドピン６２はＳＳＤ３をグランドに
接続することが可能な端子である。信号ピン６３は、ホスト２との間で、各種制御信号及
びデータ信号を送受信することが可能な端子である。エネルギ共有ピン６４は、電源回路
１４に接続され、情報処理システム１に含まれる複数のＳＳＤ３に各々含まれるＰＬＰコ
ンデンサ１５同士を接続し、接続された複数のＳＳＤ３との間でエネルギを共有すること
が可能な端子である。本実施形態では、ＳＳＤ３の情報は、信号ピン６３を介してホスト
２に伝えられる。ホスト２に伝えられたＳＳＤ３の情報は、情報処理システム１に含まれ
る別のＳＳＤ３に伝えられることが可能である。情報は、例えば、ＰＬＰコンデンサ１５
に充電可能なエネルギの値や、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１及び外部ＰＬＰコンデンサ
１５－２に充電可能な合計エネルギの値を含む。
回路１４に供給することが可能な端子である。グランドピン６２はＳＳＤ３をグランドに
接続することが可能な端子である。信号ピン６３は、ホスト２との間で、各種制御信号及
びデータ信号を送受信することが可能な端子である。エネルギ共有ピン６４は、電源回路
１４に接続され、情報処理システム１に含まれる複数のＳＳＤ３に各々含まれるＰＬＰコ
ンデンサ１５同士を接続し、接続された複数のＳＳＤ３との間でエネルギを共有すること
が可能な端子である。本実施形態では、ＳＳＤ３の情報は、信号ピン６３を介してホスト
２に伝えられる。ホスト２に伝えられたＳＳＤ３の情報は、情報処理システム１に含まれ
る別のＳＳＤ３に伝えられることが可能である。情報は、例えば、ＰＬＰコンデンサ１５
に充電可能なエネルギの値や、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１及び外部ＰＬＰコンデンサ
１５－２に充電可能な合計エネルギの値を含む。
【0083】
スイッチ１７は、電源回路１４に接続され、電源回路１４とエネルギ共有ピン６４とを
接続したり（オン状態）、分離したり（オフ状態）する。スイッチ１７は、例えば、不良
判定を行う時にオフ状態となるが、基本的にはオン状態である。
接続したり（オン状態）、分離したり（オフ状態）する。スイッチ１７は、例えば、不良
判定を行う時にオフ状態となるが、基本的にはオン状態である。
【0084】
図１１は、第４の実施形態に係るメモリシステムが複数接続された構成の一例を示すブ
ロック図である。図１１を参照して、本実施形態に係る２つのメモリシステムがエネルギ
共有ピンを介して接続された構成を説明する。
ロック図である。図１１を参照して、本実施形態に係る２つのメモリシステムがエネルギ
共有ピンを介して接続された構成を説明する。
【0085】
図１１に示すように、ホスト２（図示しない）に接続されたＳＳＤ３－１とＳＳＤ３－
２とが、エネルギ共有ピン６４－１とエネルギ共有ピン６４－２とを介して接続されてい
る。本実施形態では、エネルギ共有ピン６４で接続されるＳＳＤ３が２台であるが、３台
以上であっても良い。
２とが、エネルギ共有ピン６４－１とエネルギ共有ピン６４－２とを介して接続されてい
る。本実施形態では、エネルギ共有ピン６４で接続されるＳＳＤ３が２台であるが、３台
以上であっても良い。
【0086】
本実施形態の説明において、動作の中心となるＳＳＤ３－１を内部メモリシステム、本
実施形態に係るメモリシステムではあるが、内部メモリシステムではない別のメモリシス
テムであるＳＳＤ３－２を外部メモリシステムと称する。また、ＳＳＤ３－１に含まれる
ＰＬＰコンデンサ１５－１を内部ＰＬＰコンデンサ、ＳＳＤ３－２に含まれるＰＬＰコン
デンサ１５－２を外部ＰＬＰコンデンサと称する。
実施形態に係るメモリシステムではあるが、内部メモリシステムではない別のメモリシス
テムであるＳＳＤ３－２を外部メモリシステムと称する。また、ＳＳＤ３－１に含まれる
ＰＬＰコンデンサ１５－１を内部ＰＬＰコンデンサ、ＳＳＤ３－２に含まれるＰＬＰコン
デンサ１５－２を外部ＰＬＰコンデンサと称する。
【0087】
（動作例）
図１２は、第４の実施形態に係るメモリシステムを含む情報処理システムの処理の一例
を示すシーケンス図である。図１２を参照して、電源投入時に不良判定を行うホスト２と
ＳＳＤ３－１の処理を説明する。なお、不良判定は、電源投入時ではなく、任意のタイミ
ングで行っても良い。
図１２は、第４の実施形態に係るメモリシステムを含む情報処理システムの処理の一例
を示すシーケンス図である。図１２を参照して、電源投入時に不良判定を行うホスト２と
ＳＳＤ３－１の処理を説明する。なお、不良判定は、電源投入時ではなく、任意のタイミ
ングで行っても良い。
【0088】
ＳＳＤ３－１の電源が投入されると、ホスト２は、エネルギ共有ピン６４を介して接続
された複数のＳＳＤ３の台数を検出する（Ｓ４１０）。本実施形態において、エネルギ共
有ピン６４を介して接続されたＳＳＤ３は２台である。
された複数のＳＳＤ３の台数を検出する（Ｓ４１０）。本実施形態において、エネルギ共
有ピン６４を介して接続されたＳＳＤ３は２台である。
【0089】
続いて、ホスト２は、ＳＳＤ３で充電可能なエネルギの測定を指示するコマンドをＳＳ
Ｄ３－１に発行する（Ｓ４２０）。本実施形態では、ホスト２は、エネルギ共有ピン６４
を介して接続されたＳＳＤ３－２に対しても同様に、ＳＳＤ３で充電可能なエネルギの測
定を指示するコマンドを発行する。
Ｄ３－１に発行する（Ｓ４２０）。本実施形態では、ホスト２は、エネルギ共有ピン６４
を介して接続されたＳＳＤ３－２に対しても同様に、ＳＳＤ３で充電可能なエネルギの測
定を指示するコマンドを発行する。
【0090】
ＳＳＤ３－１は、ＳＳＤ３で充電可能なエネルギの測定を指示するコマンドを受信する
と、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１に充電可能なエネルギである第１のエネルギを測定す
る（Ｓ４３０）。ＳＳＤ３－１は、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１に充電可能なエネルギ
の値を、ホスト２に送信する。
と、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１に充電可能なエネルギである第１のエネルギを測定す
る（Ｓ４３０）。ＳＳＤ３－１は、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１に充電可能なエネルギ
の値を、ホスト２に送信する。
【0091】
ホスト２は、ＳＳＤ３－１から内部ＰＬＰコンデンサ１１－１に充電可能なエネルギの
値を受信する。また、ホスト２は、ＳＳＤ３－２からも同様に外部ＰＬＰコンデンサ１１
－２に充電可能なエネルギの値を受信する。続いて、ホスト２は、受信した内部ＰＬＰコ
ンデンサ１１－１及び外部ＰＬＰコンデンサ１１－２に充電可能なエネルギの値を合計す
る。そして、ホスト２は、充電可能な合計エネルギである第２のエネルギの値を伝えるコ
マンドをＳＳＤ３－１に発行して、充電可能な合計エネルギの値を伝える（Ｓ４４０）。
値を受信する。また、ホスト２は、ＳＳＤ３－２からも同様に外部ＰＬＰコンデンサ１１
－２に充電可能なエネルギの値を受信する。続いて、ホスト２は、受信した内部ＰＬＰコ
ンデンサ１１－１及び外部ＰＬＰコンデンサ１１－２に充電可能なエネルギの値を合計す
る。そして、ホスト２は、充電可能な合計エネルギである第２のエネルギの値を伝えるコ
マンドをＳＳＤ３－１に発行して、充電可能な合計エネルギの値を伝える（Ｓ４４０）。
【0092】
ＳＳＤ３－１は、充電可能な合計エネルギの値を伝えるコマンドを受信し、充電可能な
合計エネルギの値を受け取る。ＳＳＤ３－１のコントローラ１１－１は、充電可能な合計
エネルギの値が、エネルギ共有ピン６４を介して接続された複数のＳＳＤ３それぞれのＰ
ＬＰ機能を実行するために必要な通常のエネルギの合計値以上であるか判定し、判定結果
をホスト２に通知する（Ｓ４５０）。
合計エネルギの値を受け取る。ＳＳＤ３－１のコントローラ１１－１は、充電可能な合計
エネルギの値が、エネルギ共有ピン６４を介して接続された複数のＳＳＤ３それぞれのＰ
ＬＰ機能を実行するために必要な通常のエネルギの合計値以上であるか判定し、判定結果
をホスト２に通知する（Ｓ４５０）。
【0093】
充電可能な合計エネルギの値が、エネルギ共有ピン６４を介して接続された複数のＳＳ
Ｄ３それぞれのＰＬＰ機能を実行するために必要な通常のエネルギの合計値以上である場
合、エネルギ共有ピン６４を介して接続された複数のＳＳＤ３はホスト２のメインストレ
ージとして用いられる。充電可能な合計エネルギの値が、エネルギ共有ピン６４を介して
接続された複数のＳＳＤ３それぞれのＰＬＰ機能を実行するために必要な通常のエネルギ
の合計値未満の場合、コントローラ１１－１は、エネルギ共有ピン６４を介して接続され
た複数のＳＳＤ３を全て不良と判定する。本実施形態では、例えば、コントローラ１１－
１は、ＳＳＤ３－１及びＳＳＤ３－２を不良と判定する。コントローラ１１－１は、例え
ば、不良判定の結果をホスト２に送信しても良い。
Ｄ３それぞれのＰＬＰ機能を実行するために必要な通常のエネルギの合計値以上である場
合、エネルギ共有ピン６４を介して接続された複数のＳＳＤ３はホスト２のメインストレ
ージとして用いられる。充電可能な合計エネルギの値が、エネルギ共有ピン６４を介して
接続された複数のＳＳＤ３それぞれのＰＬＰ機能を実行するために必要な通常のエネルギ
の合計値未満の場合、コントローラ１１－１は、エネルギ共有ピン６４を介して接続され
た複数のＳＳＤ３を全て不良と判定する。本実施形態では、例えば、コントローラ１１－
１は、ＳＳＤ３－１及びＳＳＤ３－２を不良と判定する。コントローラ１１－１は、例え
ば、不良判定の結果をホスト２に送信しても良い。
【0094】
本実施形態ではＳＳＤ３－１のコントローラ１１－１を用いて不良判定を行ったが、エ
ネルギ共有ピン６４を介して接続された複数のＳＳＤ３のうち任意の１台のＳＳＤ３のコ
ントローラ１１を用いて不良判定を行っても良い。あるいは、ホスト２が各々のＳＳＤ３
から受信した充電可能なエネルギの値を合計した後、ホスト２が、エネルギ共有ピン６４
を介して接続された複数のＳＳＤ３それぞれのＰＬＰ機能を実行するために必要な通常の
エネルギの合計値以上であるか判定しても良い。
ネルギ共有ピン６４を介して接続された複数のＳＳＤ３のうち任意の１台のＳＳＤ３のコ
ントローラ１１を用いて不良判定を行っても良い。あるいは、ホスト２が各々のＳＳＤ３
から受信した充電可能なエネルギの値を合計した後、ホスト２が、エネルギ共有ピン６４
を介して接続された複数のＳＳＤ３それぞれのＰＬＰ機能を実行するために必要な通常の
エネルギの合計値以上であるか判定しても良い。
【0095】
【0096】
コントローラ１１－１は、ＳＳＤ３－１で充電可能なエネルギの測定を指示するコマン
ドを受信すると、スイッチ１７をオフ状態にし、エネルギ共有ピン６４－１と内部ＰＬＰ
コンデンサ１５－１を分離する（Ｓ４３１）。エネルギ共有ピン６４－１と内部ＰＬＰコ
ンデンサ１５－１を分離することで、電源回路１４－１は、内部ＰＬＰコンデンサ１５－
１に充電可能なエネルギを測定することが可能となる。
ドを受信すると、スイッチ１７をオフ状態にし、エネルギ共有ピン６４－１と内部ＰＬＰ
コンデンサ１５－１を分離する（Ｓ４３１）。エネルギ共有ピン６４－１と内部ＰＬＰコ
ンデンサ１５－１を分離することで、電源回路１４－１は、内部ＰＬＰコンデンサ１５－
１に充電可能なエネルギを測定することが可能となる。
【0097】
コントローラ１１－１は、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１に充電可能なエネルギの測定
を指示するコマンドを、電源回路１４－１に発行する（Ｓ４３２）。
を指示するコマンドを、電源回路１４－１に発行する（Ｓ４３２）。
【0098】
電源回路１４－１は、内部ＰＬＰコンデンサ１５－１に充電可能なエネルギの測定を指
示するコマンドをコントローラ１１－１から受信すると、充電可能なエネルギを、容量測
定回路４１－１を用いて測定する（Ｓ４３３）。電源回路１４－１は、測定された内部Ｐ
ＬＰコンデンサ１５－１に充電可能なエネルギの値をコントローラ１１－１に送信する。
示するコマンドをコントローラ１１－１から受信すると、充電可能なエネルギを、容量測
定回路４１－１を用いて測定する（Ｓ４３３）。電源回路１４－１は、測定された内部Ｐ
ＬＰコンデンサ１５－１に充電可能なエネルギの値をコントローラ１１－１に送信する。
【0099】
コントローラ１１－１は、測定された内部ＰＬＰコンデンサ１５－１に充電可能なエネ
ルギの値を電源回路１４－１から受信すると、スイッチ１７をオン状態にし、エネルギ共
有ピン６４－１と内部ＰＬＰコンデンサ１５－１を再び接続する（Ｓ４３４）。また、コ
ントローラ１１－１は、測定された内部ＰＬＰコンデンサ１５－１に充電可能なエネルギ
の値をホスト２に送信する。
ルギの値を電源回路１４－１から受信すると、スイッチ１７をオン状態にし、エネルギ共
有ピン６４－１と内部ＰＬＰコンデンサ１５－１を再び接続する（Ｓ４３４）。また、コ
ントローラ１１－１は、測定された内部ＰＬＰコンデンサ１５－１に充電可能なエネルギ
の値をホスト２に送信する。
【0100】
（効果）
以上のように、本実施形態によれば、通信ピン６５をなくしスイッチ１７を設けること
で、ＰＬＰコンデンサ１５の実装面積を抑えることに加え、通信ピン６５の実装面積を考
慮する必要がない。
以上のように、本実施形態によれば、通信ピン６５をなくしスイッチ１７を設けること
で、ＰＬＰコンデンサ１５の実装面積を抑えることに加え、通信ピン６５の実装面積を考
慮する必要がない。
【0101】
以上説明した少なくとも１つの実施形態のメモリシステムによれば、複数のＳＳＤでＰ
ＬＰコンデンサを接続し、エネルギを共有することにより、ＰＬＰコンデンサの実装面積
を削減することができる。
ＬＰコンデンサを接続し、エネルギを共有することにより、ＰＬＰコンデンサの実装面積
を削減することができる。
【0102】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したも
のであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その
他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の
省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や
要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる
。
のであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その
他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の
省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や
要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる
。
【符号の説明】
【0103】
１…情報処理システム、２…ホスト、３…ＳＳＤ、１１…コントローラ、１２…ＤＲＡ
Ｍ、１３…フラッシュメモリ、１４…電源回路、１５…ＰＬＰコンデンサ、１６…コネク
タ、１７…スイッチ、４１…容量測定回路、５１…コンデンサ、５２…ヒューズ、６１…
電源電圧供給ピン、６２…グランドピン、６３…信号ピン、６４…エネルギ共有ピン、６
５…通信ピン。
Ｍ、１３…フラッシュメモリ、１４…電源回路、１５…ＰＬＰコンデンサ、１６…コネク
タ、１７…スイッチ、４１…容量測定回路、５１…コンデンサ、５２…ヒューズ、６１…
電源電圧供給ピン、６２…グランドピン、６３…信号ピン、６４…エネルギ共有ピン、６
５…通信ピン。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】