特開 2022-166579 磁気記録再生装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022166579

(43)【公開日】2022-11-02

(54)【発明の名称】磁気記録再生装置

(51)【国際特許分類】

   G11B 5/39 20060101AFI20221026BHJP

   G11B 5/72 20060101ALI20221026BHJP

   G11B 5/41 20060101ALI20221026BHJP

   G11B 5/31 20060101ALI20221026BHJP

   G11B 5/02 20060101ALI20221026BHJP

   G11B 5/82 20060101ALI20221026BHJP

【ＦＩ】

G11B5/39

G11B5/72

G11B5/41 C

G11B5/31 Z

G11B5/02 Z

G11B5/82

【審査請求】未請求

【請求項の数】2

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021071860

(22)【出願日】2021-04-21

(71)【出願人】

【識別番号】000002004

【氏名又は名称】昭和電工株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】末岡 義人

(72)【発明者】

【氏名】糸数 浩司

(72)【発明者】

【氏名】清木 規矢

(72)【発明者】

【氏名】▲高▼▲崎▼ 通崇

【テーマコード（参考）】

5D006

5D034

5D091

【Ｆターム（参考）】

5D006AA02

5D006DA03

5D006EA03

5D006FA02

5D034BA02

5D034BB00

5D091AA10

5D091HH17

(57)【要約】      （修正有）

【課題】磁気ヘッドへの汚染物の転写を低減できる磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】磁気記録再生装置１は、円盤状の磁気記録媒体２と、磁気記録媒体２を回転駆動するモータ３と、磁気記録媒体２に対する情報の読み出しを行う磁気ヘッド素子と情報の書き込みを行う磁気ヘッド素子とを有する磁気ヘッド４と、情報の読み出しを行う磁気ヘッド素子に所定のバイアス電圧を供給するバイアス回路と、を備える。磁気記録媒体は、基板上に磁性層と炭素保護層をこの順で有する。バイアス回路は、磁気記録媒体の電位に対し、－０．２Ｖ～－１．０Ｖの電圧を磁気ヘッド素子に供給する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

円盤状の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を回転駆動するモータと、
前記磁気記録媒体に対する情報の読み出しを行う磁気ヘッド素子と前記情報の書き込みを行う磁気ヘッド素子とを有する磁気ヘッドと、
前記情報の読み出しを行う磁気ヘッド素子に所定のバイアス電圧を供給するバイアス回路と、を備え、
前記磁気記録媒体は、基板上に磁性層と炭素保護層をこの順で有し、
前記バイアス回路は、前記磁気記録媒体の電位に対し、－０．２Ｖ～－１．０Ｖの電圧を前記磁気ヘッド素子に供給する磁気記録再生装置。

【請求項2】

前記磁気ヘッド素子に供給する電圧が、－０．３Ｖ～－０．７Ｖである請求項１に記載の磁気記録再生装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、磁気記録再生装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

ハードディスクドライブ、各種記録メディア等の記録媒体に各種データを記録して保管するため、磁気記録再生装置が広く使用されている。磁気記録再生装置は、磁気記録媒体に対して情報の読み書きに用いられる磁気ヘッドを備えている。磁気ヘッドは、書き込み用ヘッドと読み出し用ヘッドの２つで構成され、磁気記録媒体の表面を浮上走行しながら情報の読み書きを行う。

【0003】

書き込み用ヘッドは、コイルと磁性体を組み合わせた電磁石であり、アクセス領域の微小化に伴いコイルをエッチングによって磁性体の表面に生成した薄膜ヘッドが用いられている。

【0004】

読み出し用ヘッドには、磁気抵抗効果の利用により高い感度を持つＭＲヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｈｅａｄ）、巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲヘッド （Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｈｅａｄ）、トンネル磁気抵抗効果を利用したＴＭＲヘッド （Ｔｕｎｎｅｌ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｈｅａｄ）等が用いられる。中でも、ＴＭＲヘッドは、ＴＭＲ素子を２つの電極で挟んだ基本構造を有し、この２つの電極間の電流変化により磁気情報の読み出しを行う。

【0005】

２つの電極間には、通常は０．２Ｖ程度の電圧が印加されており、この２つの電極は磁気記録媒体との対向面に露出している。そのため、磁気記録媒体との放電を防ぐため、例えば、電極の一端を磁気記録媒体と接続することで、実質的に同電位にする磁気ディスクメモリ装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】再公表特許ＷＯ００／０５７４０４号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

磁気ヘッドの浮上量は、磁気記録媒体の記録密度の向上に伴って更に小さくなってきている。磁気ヘッドの浮上量が小さい場合、磁気記録媒体上に少しでも汚染物が存在したり、環境由来による化学物質が存在すると、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの接触又は近接浮上により、磁気ヘッド側に汚染物が付着又は転写される。このような磁気ヘッドの汚染物は、磁気ヘッドの記録再生特性を低下させるばかりでなく、磁気ヘッドの浮上安定性を損ない、ひいては磁気ヘッドの破壊の原因ともなる。

【0008】

本発明の一態様は、上記事情に鑑みてなされたものであり、磁気ヘッドへの汚染物の転写を低減できる磁気記録再生装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明に係る磁気記録再生装置の一態様は、円盤状の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を回転駆動するモータと、前記磁気記録媒体に対する情報の読み出しを行う磁気ヘッド素子と前記情報の書き込みを行う磁気ヘッド素子とを有する磁気ヘッドと、前記情報の読み出しを行う磁気ヘッド素子に所定のバイアス電圧を供給するバイアス回路と、を備え、前記磁気記録媒体は、基板上に磁性層と炭素保護層をこの順で有し、前記バイアス回路は、前記磁気記録媒体の電位に対し、－０．２Ｖ～－１．０Ｖの電圧を前記磁気ヘッド素子に供給する。

【発明の効果】

【0010】

本発明に係る磁気記録再生装置の一態様は、磁気ヘッドへの汚染物の転写を低減できる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の実施形態に係る磁気記録再生装置の構成を示す模式図である。

【図2】磁気記録媒体と磁気ヘッドとを模式的に示す図である。

【図3】磁気ヘッドと磁気記録媒体との間の電位差とΔタッチダウンパワーとの関係を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。なお、説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては同一の符号を付して、重複する説明は省略する。また、図面における各部材の縮尺は実際とは異なる場合がある。本明細書において数値範囲を示す「～」は、別段の断わりがない限り、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。

【0013】

＜磁気記録再生装置＞
本発明の実施形態に係る磁気記録再生装置は、円盤状の磁気記録媒体と、磁気記録媒体を回転駆動するモータと、磁気記録媒体に対する情報の読み出し、又は書き込みを行う磁気ヘッド素子と、情報の読み出しを行う磁気ヘッド素子に所定のバイアス電圧を供給するバイアス回路を有し、磁気記録媒体は、基板上に磁性層と炭素保護層をこの順で有し、バイアス回路は、磁気記録媒体の電位に対し、－０．２Ｖ～－１．０Ｖの範囲内の電圧を磁気ヘッド素子に供給する。本実施形態に係る磁気記録再生装置は、上記のような構成を有することで、磁気記録媒体の汚染に起因する磁気ヘッドの汚染及び破損を低減できる。

【0014】

磁気記録媒体の表面に存在する汚染物は、磁気記録媒体の製造工程において外部（例えば、周囲環境又は磁気記録媒体のハンドリング）から取り込まれることが多いと考えられていた。そのため、磁気記録媒体の製造環境をよりクリーンにすることで、磁気記録媒体の表面に存在する汚染物の低減が試みられていた。

【0015】

一方で、磁気記録再生装置に求められる記録密度はますます高まり、磁気記録媒体の表面における磁気ヘッド浮上量はますます小さくなってきているため、従来の方法では除去できない極微少の汚染物が問題となりはじめていた。

【0016】

本願発明者は、磁気ヘッドに付着する極微少の汚染物の発生原因を解析したところ、かなり多くの比率を占める汚染物が、磁気記録媒体の炭素保護層から発生した炭素や窒化炭素より生成される生成物であり、これらが磁気記録媒体と磁気ヘッドの間に存在する電位により磁気ヘッドに付着することを見出した。また、これらの付着物は負の電荷を有し、磁気記録媒体と磁気ヘッドの間に存在する電位により磁気ヘッドに付着し易いことを見出した。本願発明者は、情報の読み出しを行う磁気ヘッド素子に所定のバイアス電圧を供給するバイアス回路を設け、このバイアス回路により、磁気記録媒体の電位に対し、－０．２Ｖ～－１．０Ｖの範囲内の電圧を磁気ヘッド素子に供給することで、磁気記録媒体の炭素保護層に由来して生じる付着物が磁気ヘッドに付着することを低減できることを見出した。

【0017】

図１は、本発明の実施形態に係る磁気記録再生装置の構成を示す模式図である。図１に示すように、本実施形態に係る磁気記録再生装置１は、円盤状の磁気記録媒体２と、磁気記録媒体２を回転駆動するモータ３と、磁気記録媒体２に対する情報の読み出し及び書きこみを行う磁気ヘッド４と、磁気ヘッド４を磁気記録媒体２上から退避させるランプ機構５を備えている。

【0018】

なお、図１は、磁気ヘッド４を用いて磁気記録媒体２に対する情報の読み出し又は書きこみを行っている状態を示しているが、磁気ヘッド４は、モータ３による磁気記録媒体２の回転によって生じた空気の渦によって磁気記録媒体２の主面上を垂直方向に浮上すると共に、ボイスコイルモータ７によって、磁気記録媒体２の表面と平行方向に駆動される。

【0019】

図２は、磁気記録媒体２と磁気ヘッド４とを模式的に示す図である。図２に示すように、磁気記録媒体２は、非磁性基板２１、磁性層２２、炭素保護層２３、潤滑剤層２４を非磁性基板２１の上にこの順に積層して備える。また、磁気記録媒体２は、接地されている。

【0020】

磁気ヘッド４は、ヘッドアッセンブリ８のジンバル９の先端に設けられている。磁気ヘッド４は、磁気記録媒体２に対する情報の読み出しを行う磁気ヘッド素子４１Ａと、書き込みを行う磁気ヘッド素子４１Ｂと、一対の電極４２Ａ及び４２Ｂを有している。一対の電極４２Ａ及び４２Ｂは、プリアンプ４３に接続されており、読み出しを行う磁気ヘッド素子４１Ａからの出力信号はプリアンプ４３に送られる。また、電極４２Ａとプリアンプ４３とを接続する配線Ｌ１には、バイアス回路４４が接続されている。バイアス回路４４によって、磁気記録媒体２の接地電位に対し、電極４２Ａ及び４２Ｂには－０．２Ｖ～－１．０Ｖの範囲内の電圧が印加される。

【0021】

読み出しを行う磁気ヘッド素子４１Ａの抵抗値は、通常は２０Ω程度であり、それに流すバイアス電流は１０ｍＡ程度であるため、磁気ヘッド素子４１Ａの電極４２Ａ及び４２Ｂ同士の間には０．２Ｖ程度の電位差が生ずる。

【0022】

一般に、磁気記録再生装置では、磁気記録媒体との放電を防ぐため、磁気ヘッド素子の電極の一端を磁気記録媒体と接続する。そのため、磁気ヘッド素子４１Ａ及び４１Ｂと磁気記録媒体２の間には絶対値で０～０．２Ｖの電位差が生じ、磁気ヘッド素子の両電極間には絶対値で０～０．２Ｖの電位差が生じる。

【0023】

一方で、本願発明者の検討によると、磁気ヘッド素子４１Ａ及び４１Ｂと磁気記録媒体２の間に生ずる０～０．２Ｖの電位差が仮に負であっても、この電位差では炭素保護層２３から発生した負の電荷を有する炭素及び窒化炭素の汚染物質が磁気ヘッド４に付着することを十分に抑制できない可能性が高いことに着目した。磁気ヘッド４の汚染を防ぐためには、磁気ヘッド素子４１Ａ及び４１Ｂには磁気記録媒体２の電位に対し、絶対値で０．２Ｖ以上、好ましくは絶対値で０．３Ｖ以上の負の電位を印加する必要がある。磁気ヘッド素子４１Ａ及び４１Ｂと磁気記録媒体２との間の負の電位が大きいほど、炭素保護層２３から発生した炭素及び窒化炭素の負の電荷をもつイオン性物質の付着を低減できる。しかし、負の電位が大きくなりすぎると、正の電荷をもつ別のイオン性物質の付着を招くこととなり、磁気ヘッド素子４１Ａ及び４１Ｂと磁気記録媒体２との間の放電の危険性も高まる。よって、磁気ヘッド素子４１Ａ及び４１Ｂと磁気記録媒体２との間の負の電位は、絶対値で１．０Ｖ以下、好ましくは絶対値で０．７Ｖ以下にする。

【0024】

そこで、情報の読み出しを行う磁気ヘッド素子４１Ａは、その両端を２つの電極４２Ａ及び４２Ｂで挟んだ構造を有するが、磁気ヘッド素子４１Ａ及び４１Ｂと、電極４２Ａ及び４２Ｂ及びとの全体において、磁気記録媒体２の接地電位に対して、－０．２Ｖ～－１．０Ｖの範囲内の電位、より好ましくは－０．３Ｖ～－０．７Ｖの範囲内の電位とする。

【0025】

なお、磁気記録媒体２は、非磁性基板２１、磁性層２２、炭素保護層２３及び潤滑剤層２４を含むこと以外に、他の層を含んでもよい。例えば、磁気記録媒体２は、非磁性基板２１と磁性層２２との間に、密着層、軟磁性下地層、シード層、配向制御層等を必要に応じて適宜備えてよい。軟磁性下地層は、例えば、第１軟磁性層、中間層及び第２軟磁性層を含んで構成されてもよい。配向制御層は、１層でもよいし、２層（例えば、第１の配向制御層、第２の配向制御層等）以上でもよい。密着層、軟磁性下地層、シード層、配向制御層等を形成する材料は、磁気記録媒体に使用される一般的な材料を用いることができる。

【0026】

磁気記録媒体２の製造方法の一例について説明する。磁気記録媒体２の製造方法は、非磁性基板２１上に磁性層２２を形成する工程と、磁性層２２の上に炭素保護層２３を形成する工程と、炭素保護層２３の上に潤滑剤層２４を形成する工程とを少なくとも含む。

【0027】

非磁性基板２１としては、Ａｌ、Ａｌ合金等の金属材料からなる基体上に、ＮｉＰ又はＮｉＰ合金からなる膜が形成されたもの等を用いることができる。また、非磁性基板２１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂等の非金属材料からなるものを用いてもよいし、この非金属材料からなる基体上にＮｉＰ又はＮｉＰ合金の膜を形成したものを用いてもよい。

【0028】

磁性層２２としては、Ｃｏ－Ｃｒ系、Ｃｏ－Ｃｒ－Ｔａ系、Ｃｏ－Ｃｒ－Ｐｔ系、Ｃｏ－Ｃｒ－Ｐｔ－Ｔａ系、Ｃｏ－Ｃｒ－Ｐｔ－Ｂ－Ｔａ系合金等からなる層が用いられる。磁性層２２は、従来の公知のいかなる方法によって形成してもよい。

【0029】

磁性層２２の厚さは、５ｎｍ～１００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは６ｎｍ～５０ｎｍであり、さらに好ましくは７ｎｍ～２２ｎｍである。磁性層２２の厚さが、上記の好ましい範囲内であれば、高記録密度化を図れる。

【0030】

なお、本明細書において、磁性層２２の厚さとは、磁性層２２の主面に垂直な方向の長さをいう。磁性層２２の厚さは、例えば、磁性層２２の断面において、任意の場所を測定した時の厚さである。磁性層２２の断面において、任意の場所で数カ所測定した場合は、これらの測定箇所の厚さの平均値としてもよい。以下、他の層も磁性層２２の厚さと同様の測定方法を用いることができる。

【0031】

磁性層２２は、非磁性基板２１の上にスパッタリング法等により形成できる。

【0032】

磁性層２２は、複数積層して含んでもよい。この場合、それぞれの磁性層２２同士の間には、非磁性層を含んでよい。非磁性層は、磁気記録媒体に使用される一般的な材料を用いて形成してよい。それぞれの磁性層２２は、同一種類の材料を用いて形成されてもよいし、異なる種類の材料を用いて形成されてもよい。

【0033】

炭素保護層２３は、磁性層２２を保護すると共に、磁気ヘッド４の摺動性を高める機能を有する。炭素保護層２３は、炭素、窒化炭素、水素化炭素、水素化窒化炭素等の従来の公知の材料を使用できる。

【0034】

炭素保護層２３の厚さは、１ｎｍ～１０ｎｍの範囲内であるのが、高記録密度状態で使用した場合の、磁気的スペーシングの低減又は耐久性の点から好ましい。ここで、磁気的スペーシングは、磁気ヘッド４の素子部と磁性層２２との距離を表す。磁気的スペーシングが狭くなるほど電磁変換特性は向上する。

【0035】

炭素保護層２３の成膜方法としては、通常、カーボンターゲット材を用いるスパッタ法や、エチレンやトルエン等の炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、イオンビーム蒸着（ＩＢＤ）法が用いられ、さらにはこれらの方法を組み合わせて複層の構成となっていてもよい。

【0036】

潤滑剤層２４の厚さは、１ｎｍ～３ｎｍの範囲内であることが好ましい。

【0037】

潤滑剤層２４は、液体潤滑剤層を用いて形成できる。液体潤滑剤層としては、化学的に安定で、低摩擦で、低吸着性を有するものが好適に用いられ、パーフルオロポリエーテル構造を有する化合物を含むパーフルオロポリエーテル系潤滑剤等のフッ素樹脂系潤滑剤が用いられることが好ましい。

【0038】

潤滑剤層２４は、炭素保護層２３の上に塗布法等により形成できる。

【0039】

このように、磁気記録再生装置１は、非磁性基板２１上に磁性層２２と炭素保護層２３をこの順で有する磁気記録媒体２と、モータ３と、磁気ヘッド素子４１Ａ及び４１Ｂを有する磁気ヘッド４と、バイアス回路４４を備え、バイアス回路４４は、磁気記録媒体２の電位に対し、－０．２Ｖ～－１．０Ｖの電圧を磁気ヘッド素子４１Ａ及び４１Ｂに供給している。磁気記録再生装置１は、炭素保護層２３から発生した炭素及び窒化炭素の負の電荷をもつイオン性物質の磁気ヘッド素子４１Ａ及び４１Ｂへの付着を低減できると共に、正の電荷をもつ別のイオン性物質の磁気ヘッド素子４１Ａ及び４１Ｂへの付着を低減できる。そのため、磁気記録再生装置１は、磁気ヘッド４へのイオン性物質等の汚染物の転写を低減することができる。これにより、磁気記録再生装置１は、情報の読み出し及び書き込みを確実に行うことができるため、安定した磁気記録再生特性を有することができる。さらに、磁気記録再生装置１は、磁気記録媒体２の汚染に起因する磁気ヘッド４の汚染及び破損を生じ難くすることができるため、優れた耐環境性を有することができる。

【0040】

磁気記録再生装置１は、磁気ヘッド素子４１Ａ及び４１Ｂに供給する電圧を－０．３Ｖ～－０．７Ｖにできる。これにより、磁気記録再生装置１は、炭素保護層２３から発生した炭素及び窒化炭素の負の電荷をもつイオン性物質及び正の電荷をもつ別のイオン性物質の磁気ヘッド素子４１Ａ及び４１への付着をより低減できるため、磁気ヘッド４への汚染物の転写をより確実に低減できる。

【0041】

磁気記録再生装置１は、上記のような特性を有することにより、磁気ヘッドと磁気記録媒体との距離が狭くなり、磁気ヘッドの浮上量がさらに小さくなっても磁気ヘッド４への汚染物の転写を低減しながら使用できる。よって、磁気記録再生装置１は、更に高い記録密度を有する磁気記録再生装置に好適に用いることができる。

【実施例0042】

以下、実施例及び比較例を示して実施形態を更に具体的に説明するが、実施形態はこれらの実施例及び比較例により限定されるものではない。

【0043】

（磁気記録媒体の製造）
洗浄済みのガラス基板（ＨＯＹＡ社製、外形２．５インチ）を、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（Ｃ－３０４０、アネルバ社製）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０^－５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した。

【0044】

その後、このガラス基板の上に、スパッタリング法によりＣｒターゲットを用いて厚さ１０ｎｍの密着層を成膜した。

【0045】

次に、スパッタリング法により、密着層の上に軟磁性下地層を形成した。軟磁性下地層としては、第１軟磁性層と中間層と第２軟磁性層とを成膜した。まず、Ｃｏ－２０Ｆｅ－５Ｚｒ－５Ｔａ｛Ｆｅ含有量：２０原子％、Ｚｒ含有量：５原子％、Ｔａ含有量５原子％、残部Ｃｏ｝のターゲットを用いて、１００℃以下の基板温度で、厚さ２５ｎｍの第１軟磁性層を成膜した。次に、第１軟磁性層の上に、厚さ０．７ｎｍのＲｕからなる中間層を成膜した。その後、中間層の上に、厚さ２５ｎｍのＣｏ－２０Ｆｅ－５Ｚｒ－５Ｔａからなる第２軟磁性層を成膜した。

【0046】

次に、軟磁性下地層の上に、スパッタリング法によりＮｉ－６Ｗ｛Ｗ含有量：６原子％、残部Ｎｉ｝ターゲットを用いて、厚さ５ｎｍのシード層を成膜した。

【0047】

その後、シード層の上に、スパッタリング法により第１の配向制御層として、スパッタ圧力を０．８Ｐａとして厚さ１０ｎｍのＲｕ層を成膜した。次に、第１の配向制御層上に、スパッタリング法により第２の配向制御層として、スパッタ圧力を１．５Ｐａとして厚さ１０ｎｍのＲｕ層を成膜した。

【0048】

続いて、第２の配向制御層の上に、スパッタリング法により９１（Ｃｏ１５Ｃｒ１６Ｐｔ）－６（ＳｉＯ_２）－３（ＴｉＯ_２）｛Ｃｒ含有量：１５原子％、Ｐｔ含有量：１６原子％、残部Ｃｏの合金を９１ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２からなる酸化物を６ｍｏｌ％、ＴｉＯ_２からなる酸化物を３ｍｏｌ％｝からなる第１磁性層を、スパッタ圧力を２Ｐａとして厚さ９ｎｍで成膜した。

【0049】

次に、第１磁性層の上に、スパッタリング法により８８（Ｃｏ３０Ｃｒ）－１２（ＴｉＯ_２）｛Ｃｒ含有量３０原子％、残部Ｃｏの合金を８８ｍｏｌ％、ＴｉＯ_２からなる酸化物を１２ｍｏｌ％｝からなる非磁性層を厚さ０．３ｎｍで成膜した。

【0050】

その後、非磁性層の上に、スパッタリング法により９２（Ｃｏ１１Ｃｒ１８Ｐｔ）－５（ＳｉＯ_２）－３（ＴｉＯ_２）｛Ｃｒ含有量１１原子％、Ｐｔ含有量１８原子％、残部Ｃｏの合金を９２ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２からなる酸化物を５ｍｏｌ％、ＴｉＯ_２からなる酸化物を３ｍｏｌ％｝からなる第２磁性層を、スパッタ圧力を２Ｐａとして厚さ６ｎｍで成膜した。

【0051】

その後、第２磁性層の上に、スパッタリング法によりＲｕからなる非磁性層を厚さ０．３ｎｍで成膜した。

【0052】

次いで、非磁性層の上に、スパッタリング法によりＣｏ－２０Ｃｒ－１４Ｐｔ－３Ｂ｛Ｃｒ含有量２０原子％、Ｐｔ含有量１４原子％、Ｂ含有量３原子％、残部Ｃｏ｝からなるターゲットを用いて、スパッタ圧力を０．６Ｐａとして第３磁性層を厚さ７ｎｍで成膜した。

【0053】

次に、イオンビーム法により窒化炭素（窒素含有量は５原子％）からなる厚さ３ｎｍの保護層を成膜した。

【0054】

次に、ディップコート法により、第３磁性層の上に、１．４ｎｍのパーフルオロポリエーテル系の液体潤滑剤と塗布して潤滑層を形成し、磁気記録媒体を製造した。

【0055】

（磁気記録媒体のシーク評価）
製造した磁気記録媒体を用いて、図１の構造の磁気記録再生装置を製造しシーク評価を行った。磁気記録再生装置内はヘリウムで充填した。充填圧力は５３２ｔｏｒｒとした。磁気記録再生装置を６０℃の環境下に設置し、磁気記録媒体の回転数を７２００ｒｐｍ、磁気ヘッドを半径３２ｍｍの位置で浮上走行させ、磁気ヘッド素子の絶対値で高電位側と、磁気記録媒体との間の電位差を、＋１．０Ｖ、＋０．８Ｖ、＋０．６Ｖ、＋０．４Ｖ、０、－０．３Ｖ、－０．７Ｖ、－１．０Ｖと変化させ、各条件下で磁気ヘッドを９００秒間定点浮上させて、磁気ヘッドに付着する汚染物質量の評価を行った。汚染物質量の評価は、磁気ヘッドのΔタッチダウンパワーを測定することによって行った。

【0056】

Δタッチダウンパワーとは、磁気ヘッドの読み込み素子部近傍に内蔵したヒーターの熱膨張を利用して読み込み素子を磁気記録媒体表面に近づけ、最終的に読み込み素子が磁気記録媒体に接触（タッチダウン）したときのヒーターへの印加パワーを指す。磁気ヘッドに付着する汚染物質量が増えるほど、Δタッチダウンパワーの絶対値は大きくなる。

【0057】

図３に磁気ヘッドと磁気記録媒体との間の電位差とΔタッチダウンパワーとの関係を示す。図３に示すように、磁気ヘッド素子の絶対値で高電位側と磁気記録媒体との間の電位差が－０．７Ｖ及び－１．０Ｖの時には、Δタッチダウンパワーがほとんどゼロであった。この図から、磁気記録媒体の電位に対し、－０．２Ｖ～－１．０Ｖ、より好ましくは、－０．３Ｖ～－０．７Ｖの電圧を磁気ヘッド素子に供給することで、磁気ヘッドに汚染物が付着することを低減できるといえる。

【0058】

以上の通り、実施形態を説明したが、上記実施形態は、例として提示したものであり、上記実施形態により本発明が限定されるものではない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の組み合わせ、省略、置き換え、変更等を行うことが可能である。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0059】

１ 磁気記録再生装置
２ 磁気記録媒体
３ モータ
４ 磁気ヘッド
５ ランプ機構
７ ボイスコイルモータ
８ ヘッドアッセンブリ
９ ジンバル
２１ 非磁性基板
２２ 磁性層
２３ 炭素保護層
２４ 潤滑剤層
４１Ａ、４１Ｂ 磁気ヘッド素子
４２Ａ、４２Ｂ 電極
４３ プリアンプ
４４ バイアス回路

【図1】

【図2】

【図3】