特開 2022-166601 電子部品および情報読み取り方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022166601

(43)【公開日】2022-11-02

(54)【発明の名称】電子部品および情報読み取り方法

(51)【国際特許分類】

   B22F 3/11 20060101AFI20221026BHJP

   H01F 27/00 20060101ALI20221026BHJP

   G06K 19/06 20060101ALI20221026BHJP

   B22F 3/105 20060101ALN20221026BHJP

【ＦＩ】

B22F3/11 A

H01F27/00 Q

G06K19/06 159

B22F3/105

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021071921

(22)【出願日】2021-04-21

(71)【出願人】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001494

【氏名又は名称】前田・鈴木国際特許弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】乾 京介

(72)【発明者】

【氏名】豊田 晃正

(72)【発明者】

【氏名】外海 透

(72)【発明者】

【氏名】小柳 佑市

【テーマコード（参考）】

4K018

5E070

【Ｆターム（参考）】

4K018AA24

4K018BA13

4K018BB04

4K018CA11

4K018CA29

4K018DA21

4K018HA01

4K018KA42

5E070AA01

5E070BB03

5E070DA13

5E070DA20

(57)【要約】

【課題】簡便な方法で形成することが可能であり、しかも情報の読み取りエラーが少ない表示領域を有する電子部品を提供すること。
【解決手段】素子本体４は、金属粒子１２が分散している金属粒子分散体１５を有し、金属粒子分散体１５は、その表面に、表示領域１０を有し、表示領域１０は、金属粒子分散体１５の基準表面Ｌから所定深さの凹部１０ａを有し、所定深さＬは、金属粒子分散体１５に含まれる金属粒子１２のＤ５０よりも深い。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

素子本体を有する電子部品であって、
前記素子本体は、金属粒子が分散している金属粒子分散体を有し、
前記金属粒子分散体は、その表面に、表示領域を有し、
前記表示領域は、前記金属粒子分散体の基準表面から所定深さの凹部を有し、
前記所定深さは、前記金属粒子分散体に含まれる金属粒子のＤ９０よりも浅いことを特徴とする電子部品。

【請求項2】

素子本体を有する電子部品であって、
前記素子本体は、金属粒子が分散している金属粒子分散体を有し、
前記金属粒子分散体は、その表面に、表示領域を有し、
前記表示領域は、前記金属粒子分散体の基準表面から所定深さの凹部を有し、
前記所定深さは、前記金属粒子分散体に含まれる金属粒子のＤ５０よりも深いことを特徴とする電子部品。

【請求項3】

前記凹部の開口幅を前記所定深さで割ったアスペクト比が２より大きく５．５より小さいことを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品。

【請求項4】

前記凹部の内表面には、樹脂リッチ部分が存在する請求項１～３のいずれかに記載の電子部品。

【請求項5】

素子本体を有する電子部品であって、
前記素子本体は、焼結粒子が分散している焼結粒子分散体を有し、
前記焼結粒子分散体は、その表面に、表示領域を有し、
前記表示領域は、前記焼結粒子分散体の基準表面から所定深さの凹部を有し、
前記所定深さは、前記焼結粒子分散体に含まれる焼結粒子のＤ９０よりも浅いことを特徴とする電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、情報の書き込みが容易で読み取りエラーが少ない表示領域を有する電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

たとえば特許文献１にも示すように、電子部品の表面には、表示領域が設けられ、その電子部品の型番、製造ロット番号、電子部品の性能を示す識別記号、あるいは電子部品の向きなどの識別記号などの記号や文字が書き込まれることがある。このような表示領域に設けられる文字や記号（バーコードや二次元コードなども含む）は、レーザ刻印により形成されることがある。

【0003】

しかも表示部に書き込まれている文字や記号の誤認識を防ぐために、電子部品の表面に深くレーザで刻印することが推奨されている。従来では、電子部品の素子本体を構成する粒子の粒径とは関係なく、電子部品の表面に比較的に深く刻印しないと、表示部の読み取りが困難になることが常識であった。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１８－５６４７５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、簡便な方法で形成することが可能であり、しかも情報の読み取りエラーが少ない表示領域を有する電子部品を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記目的を達成するために、本発明者等は、鋭意検討した結果、電子部品の素子本体を構成する粒子の粒径との関係で所定深さが決められた凹部を表示領域に形成することで、比較的に精度よく情報の読み取りが可能になることを見出し、本発明を完成させるに至った。

【0007】

すなわち、本発明の第１の観点に係る電子部品は、
素子本体を有する電子部品であって、
前記素子本体は、金属粒子が分散している金属粒子分散体を有し、
前記金属粒子分散体は、その表面に、表示領域を有し、
前記表示領域は、前記金属粒子分散体の基準表面から所定深さの凹部を有し、
前記所定深さは、前記金属粒子分散体に含まれる金属粒子のＤ９０よりも浅いことを特徴とする。

【0008】

また、発明の第２の観点に係る電子部品は、
素子本体を有する電子部品であって、
前記素子本体は、焼結粒子が分散している焼結粒子分散体を有し、
前記焼結粒子分散体は、その表面に、表示領域を有し、
前記表示領域は、前記焼結粒子分散体の基準表面から所定深さの凹部を有し、
前記所定深さは、前記焼結粒子分散体に含まれる焼結粒子のＤ９０よりも浅いことを特徴とする。

【0009】

本発明の電子部品によれば、電子部品の素子本体の表面に、たとえばレーザなどにより深く刻印するのではなく、金属粒子分散体（または焼結粒子分散体／以下同様）に含まれる金属粒子（または焼結粒子／以下同様）の粒度分布に応じて、その金属粒子のＤ９０よりも浅い凹部を表示領域に形成する。このように構成することで、情報の読み取り精度が向上することが本発明者等により見出された。

【0010】

また、凹部は、たとえばレーザ光などのエネルギー光を照射することで形成される。その際のレーザ光の出力は、従来のレーザ光の出力よりも小さくてよく、しかも、短時間の照射で形成することができる。このため、バーコードや二次元コードなどの表示を、素子本体の表面に直接に容易に書き込むことが可能である。また、微細な表示パターンの形成も可能になり、ごく小さな電子部品への表示領域の形成も可能になる。

【0011】

発明の第３の観点に係る電子部品は、
素子本体を有する電子部品であって、
前記金属粒子分散体は、その表面に、表示領域を有し、
前記表示領域は、前記金属粒子分散体の基準表面から所定深さの凹部を有し、
前記所定深さは、前記金属粒子分散体に含まれる金属粒子のＤ５０よりも深いことを特徴とする。

【0012】

このように構成することで、情報の読み取り精度が向上することが本発明者等により見出された。また、凹部は、たとえばレーザ光などのエネルギー光を照射することで形成される。その際のレーザ光の出力は、従来のレーザ光の出力よりも小さくてよく、しかも、短時間の照射で形成することができる。このため、バーコードや二次元コードなどの表示を、素子本体の表面に直接に容易に書き込むことが可能である。また、微細な表示パターンの形成も可能になり、ごく小さな電子部品への表示領域の形成も可能になる。

【0013】

好ましくは、前記凹部の開口幅を前記所定深さで割ったアスペクト比が２より大きく５．５より小さい。このように構成することで、情報の読み取り精度が、さらに向上することが本発明者等により見出された。

【0014】

前記金属粒子分散体は、前記樹脂中に前記金属粒子が分散してある部分でもよく、あるいは、金属粒子単独で分散してある部分でもよい。凹部の内表面には、樹脂リッチ部分が存在してもよく、素子本体の表面にも、樹脂リッチ部分が存在してもよい。

【0015】

本発明の電子部品からの情報読み取り方法は、
上記のいずれかに記載の電子部品の表示領域に、赤色光、または赤色光の波長よりも波長が短い特定光を照射し、その反射光から前記表示領域に含まれている情報を読み取ることを特徴とする。特定光の波長は、好ましくは緑色光の波長以下、さらに好ましくは青色光の波長以下、特に好ましくはＵＶ光である。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】図１は本発明の一実施形態に係る電子部品の概略断面図である。

【図2】図２は図１に示す表示領域の拡大断面図である。

【図3】図３は本発明の実施例および比較例における凹部の深さとアスペクト比（ＡＳ比）と読み取り率の関係を示す概略図である。

【図4】図４は本発明の比較例における凹部の深さとアスペクト比（ＡＳ比）と読み取り率の関係を示す概略図である。

【図5】図５は本発明の実施例および比較例における凹部の深さと読み取り率の関係を示すグラフである。

【図6】図６は本発明の実施例および比較例における凹部のアスペクト比（ＡＳ比）と読み取り率の関係を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。

【0018】

図１に示すように、本発明の実施形態に係る電子部品としてのインダクタ２は、略直方体形状（略六面体）からなる素子本体４を有する。

【0019】

素子本体４は、上面４ａと、上面４ａとはＺ軸方向の反対側に位置する底面４ｂと、Ｘ軸に沿って相互に反対側に位置する端面４ｃ，４ｄと、図示されないＹ軸に沿って相互に反対側に位置する側面とを有する。素子本体４の寸法は、特に限定されない。たとえば、素子本体４のＸ軸方向の寸法を１．２～６．５ｍｍとすることができ、Ｙ軸方向の寸法を０．６～６．５ｍｍとすることができ、高さ（Ｚ軸）方向の寸法を、０．５～５．０ｍｍとすることができる。

【0020】

素子本体４の底面４ｂには、一対の端子電極８が形成してある。一対の端子電極８は、Ｘ軸方向で離反して形成してあり、互いに絶縁してある。各端子電極８は、素子本体４の底面４ｂのみでなく、それぞれの近くに位置する端面４ｃ，４ｄにも連続するように形成してある。

【0021】

本実施形態のインダクタ２では、この端子電極８に対して、図示しない配線などを介して外部回路が接続可能となっている。また、インダクタ２は、はんだや導電性接着剤などの接合部材を用いて、回路基板などの各種基板の上に実装可能となっている。基板に実装する場合、素子本体４の底面４ｂが実装面となり、端子電極８と基板とが、接合部材により接合される。

【0022】

素子本体４は、その内部において、コイル部５を有している。このコイル部５は、導体としてのワイヤ６をコイル状に巻回することで構成してある。本実施形態の図１において、コイル部５は、一般的なノーマルワイズで巻回された空芯コイルであるが、ワイヤ６の巻回方式は、これに限定されない。たとえば、ワイヤ６をα巻きした空芯コイルや、フラット巻またはエッジワイズ巻きした空芯コイルであってもよい。

【0023】

ワイヤ６は、主として銅などの低抵抗な金属を含む導体部と、その導体部の外周を覆う絶縁被膜とで構成してある。より具体的に、導体部は、無酸素銅やタフピッチ銅などの純銅、リン青銅や黄銅、丹銅、ベリリウム銅、銀－銅合金などの銅を含む合金、もしくは、銅被覆鋼線などで構成される。一方、絶縁被膜は、電気絶縁性を有していればよく、特に限定されない。たとえば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル、ナイロン、ポリエステルなど、もしくは、上記のうち少なくとも２種の樹脂を混合した合成樹脂が例示される。また、本実施形態において、ワイヤ６は、図１に示すように、丸線であり、導体部の断面形状が、円形となっているが、丸線に限らず、平角線などであってもよい。

【0024】

図２に示すように、本実施形態における素子本体４は、たとえば金属粒子１２と、樹脂１４とを含む圧粉体で構成することができる。金属粒子１２は、磁性材料であればよく、特に限定されない。たとえば、Ｆｅ－Ｎｉ合金、Ｆｅ－Ｓｉ合金、Ｆｅ－Ｃｏ合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金、Ｆｅを含むアモルファス合金、Ｆｅを含むナノ結晶合金など、その他の軟磁性合金が例示される。なお、金属粒子１２には、適宜、副成分が添加してあってもよい。

【0025】

素子本体４に含まれる金属粒子１２については、そのメディアン径（Ｄ５０）を０．１μｍ～１００μｍ程度とすることができ、好ましくは、５μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上である。Ｄ５０の上限は、好ましくは２０μｍ以下、さらに好ましくは１５μｍ以下である。このような粒度分布である場合に、後述する凹部１０ａの深さとの関係で、表示領域１０におけるデータの読み取り率が向上する。

【0026】

また、金属粒子１２は、Ｄ５０が１０μｍ～５０μｍの大粒子と、Ｄ５０が１μｍ～９μｍの中粒子と、Ｄ５０が０．３μｍ～０．９μｍの小粒子とを混ぜ合わせて構成してもよい。上記のような３種の粒子群の組合せの他に、大粒子と中粒子との組み合わせ、大粒子と小粒子との組み合わせ、中粒子と小粒子との組み合わせなどであってもよい。なお、大粒子と中粒子と小粒子とは、全て同種の材質で構成してもよく、あるいは異なる材質で構成することもできる。

【0027】

上記のように複数の粒子群を混ぜ合わせる場合、各粒子群の含有割合は、特に制限されない。たとえば、３種の粒子群（大粒子と中粒子と小粒子）を混ぜ合わせる場合、素子本体４の断面において、大粒子、中粒子、および小粒子が占める面積の総和を１００％とすると、大粒子が占める面積は５％～３０％とすることが好ましく、中粒子が占める面積は０％～３０％とすることが好ましく、小粒子が占める面積は５０％～９０％とすることが好ましい。金属粒子１２を、複数の粒子群で構成することで、素子本体４に含まれる金属粒子１２の充填率を高めることができる。その結果、透磁率や渦電流損失、直流重畳特性などのインダクタ２の諸特性が向上する。

【0028】

なお、金属粒子１２の粒径、粒度分布、および、各粒子群が占める面積は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）や走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）などで素子本体４の断面を観察し、得られた断面写真をソフトウェアにより画像解析することで測定できる。その際、金属粒子１２の粒径は、円相当径換算で計測することが好ましい。

【0029】

また、素子本体４に含まれる金属粒子１２は、当該粒子間が互いに絶縁されていてもよい。絶縁する方法としては、たとえば、粒子表面に絶縁被膜を形成する方法が挙げられる。絶縁被膜としては、樹脂または無機材料で形成する被膜、および、熱処理により粒子表面を酸化して形成する酸化被膜が挙げられる。樹脂または無機材料で絶縁被膜を形成する場合、樹脂としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。

【0030】

無機材料としては、リン酸マグネシウム、リン酸カルシウム、リン酸亜鉛、リン酸マンガンなどのリン酸塩、ケイ酸ナトリウムなどのケイ酸塩（水ガラス）、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウ酸塩ガラス、硫酸塩ガラスなどが挙げられる。なお、金属粒子１２の絶縁被膜の厚みは、５ｎｍ～２００ｎｍであることが好ましい。絶縁被膜を形成することで、粒子間の絶縁性を高めることができ、インダクタ２の耐電圧を向上させることができる。

【0031】

また、素子本体４に含まれる樹脂１４としては、特に制限されないが、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、フラン樹脂、アルキド樹脂、ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂などの熱硬化性樹脂、または、アクリル樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）などの熱可塑性樹脂などを用いることができる。樹脂１４の含有量は、金属粒子１００重量部に対して、２．０重量部～１０重量部とすることができる。

【0032】

図１に示すように、コイル部５を構成するワイヤ６の両端である一対のリード部６ａは、それぞれ、コイル部５から素子本体４の外面（たとえば底面４ｂ）に露出して端子電極８，８とそれぞれ接続してある。リード部６ａは、いずれもワイヤ６で構成してあるが、底面４ｂに露出した箇所では、ワイヤ６の外周側に存在する絶縁被膜が除去されて、ワイヤ６の導体部が露出している。

【0033】

本実施形態において、端子電極８は、樹脂電極層を有していてもよい。また、端子電極８は、樹脂電極層とその他の電極層とを有する積層構造であってもよい。端子電極８を積層構造とする場合、樹脂電極層は、素子本体４の底面４ｂと接触する部分に位置し、その他の電極層は、単層でも複数層でもよく、その材質は特に限定されない。たとえば、その他の電極層は、Ｓｎ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属、または、これらの金属元素のうち少なくとも１種を含む合金で構成することができ、メッキやスパッタリングにより形成することができる。また、端子電極８の全体の厚みは、平均で、３μｍ～６０μｍとすることが好ましく、樹脂電極層の厚みは、１μｍ～５０μｍとすることが好ましい。

【0034】

端子電極８の樹脂電極層には、樹脂成分と導体粉末とが含まれる。樹脂電極層における樹脂成分は、エポキシ樹脂やフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂で構成される。一方、導体粉末は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎなどの金属粒子末、または、上記のうち少なくとも１種を含む合金の金属粒子末で構成することができ、特にＡｇを主成分として含むことが好ましい。

【0035】

また、導体粉末の形状は、球に近い形状、長球状、不規則なブロック状、針状、扁平状とすることができ、特に、針状もしくは扁平状であることが好ましい。本実施形態において、扁平状の粒子とは、樹脂電極層の断面において、アスペクト比（短手方向の長さに対する長手方向の長さの比）が２～３０である粒子を意味する。なお、導体粉末の平均粒径は、ＳＥＭやＳＴＥＭで樹脂電極層の断面を観察し、得られる断面写真を画像解析することで測定できる。その測定に際して、導体粉末の平均粒径は、最大長さ換算で算出する。

【0036】

樹脂電極層の断面において、樹脂成分および導体粉末が占める合計面積を１００％とすると、導体粉末が占める面積は、６０％以下であることが好ましい。

【0037】

本実施形態では、素子本体４の上面４ａ（その他の面でもよい）に、単一または複数の表示領域１０が形成してある。それぞれの表示領域１０の面積は、特に限定されなず、素子本体４の上面４ａの面積に対して、たとえば１／２０～１８／２０程度である。

【0038】

図２に示すように、素子本体４は、樹脂１４の中に磁性体の金属粒子１２が分散してある金属粒子分散体１５で構成してある。素子本体４を金型の内部で成形して作る場合には、素子本体４の外面が金型と接触する表面となり、その外面の一部である上面４ａは、金型の内面に沿った平面となり、多少の表面粗さを有するが、基準平面Ｌを規定することができる。基準平面Ｌは、たとえば凹部１０ａが形成されていない素子本体４の表面をＪＩＳ Ｂ０６０１などで測定した表面粗さの中心線（平均線）を含む平面と規定することもできる。

【0039】

本実施形態では、表示領域１０では、素子本体４の上面４ａに、たとえば二次元バーコードなどの識別表示パターンに対応する少なくとも単一の凹部１４ａが形成してある。凹部１４ａは、すり鉢状に形成され、上面４ａの基準平面Ｌに対して、Ｚ軸方向に凹んでおり、所定深さＤ１と、所定の開口幅Ｗ１とを有する。所定深さＤ１は、基準平面Ｌからの凹部１０ａの最大深さとして定義される。また、開口幅Ｗ１は、凹部１０ａを含む断面写真において、基準平面Ｌに沿って測定した凹部１０ａの開口部の長さ（Ｘ軸、Ｙ軸またはそれらの中間に沿う長さ）として定義される。

【0040】

本実施形態では、所定パターンの凹部１０ａは、たとえばレーザ光の照射などにより形成される。具体的には、レーザ光を所定の表示パターンで、素子本体４の上面４ａに照射する。そのことにより、素子本体４の上面に、所定パターンの凹部１０ａが形成される。なお、凹部１０ａの内表面には、素子本体４の内部に比較して微粉が多く観察される傾向にある。

【0041】

また、レーザが照射されない部分は、凹部１６が形成されずに基準平面Ｌに沿った平面となり、金属粒子１２の粒径や樹脂１４の表面厚みのバラツキなどに応じて、多少の微細な凹凸は存在する。なお、本実施形態では、凹部１０ａの内表面または凹部１０ａが形成されていない素子本体４の表面には、樹脂リッチ部分１４ａが存在していてもよい。

【0042】

樹脂リッチ部分１４ａの樹脂１４の厚みは、特に限定されないが、好ましくは１μｍ以上であってもよく、３０μｍ以下程度が好ましい。凹部１０ａの内表面で、樹脂リッチ部分１４は、比較的大きな金属粒子１２の回りに形成されてもよく、凹部１０ａの内表面で、金属粒子１２が直接に露出しなくてもよい。

【0043】

本実施形態では、凹部１６の所定深さＤ１は、好ましくは金属粒子分散体１５に含まれる金属粒子１２のＤ９０よりも浅く、さらに好ましくはＤ８０よりも浅い。また好ましくは、凹部１６の所定深さＤ１は、金属粒子分散体１５に含まれる金属粒子１２のＤ５０よりも深く、さらに好ましくはＤ６０よりも深い。また、凹部１０ａの開口幅Ｗ１を所定深さＤ１で割ったアスペクト比（ＡＳ比）は、好ましくは、２より大きく５．５より小さく、さらに好ましくは、２．４～５．４である。

【0044】

凹部１０ａにより形成される表示パターンにより表される記号は、文字や数字、あるいはバーコード、二次元コード、データマトリックスコード、ＱＲコード（登録商標）、Ａｚｔｅｃコード、ｍａｘｉコードなどが例示されるが、これらに限定されない。また、これらの記号により読み取ることができる情報も、特に限定されず、たとえば電子部品の型番、製造ロット番号、電子部品の性能を示す識別記号、あるいは電子部品の向きなどの識別記号、製造日、製造場所、製造方法、材料などが例示される。

【0045】

次に、本実施形態のインダクタ２の製造方法について、説明する。

【0046】

まず、素子本体４を作成する。素子本体４には、コイル部５がインサート成形される。素子本体４は、加熱加圧成形などのプレス法や、射出成形法などによって成形される。素子本体４を構成する原料としては、成形時に流動性がある複合材料が用いられる。具体的には、金属粒子１２の原料粉と、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂などのバインダとを混錬した複合材料を用いる。

【0047】

この複合材料には、適宜、溶媒、分散剤などが添加してあってもよい。また、図２に示す金属粒子１２を、大粒子と中粒子と小粒子とで構成する場合、金属粒子１２の原料粉全体に占める各粒子の配合比率は、所定の比率であることが好ましい。具体的に、大粒子の配合比率が５０ｗｔ％～９０ｗｔ％であることが好ましく、中粒子の配合比率が５ｗｔ％～３０ｗｔ％であることが好ましく、小径粉の配合比率が０ｗｔ％～３０ｗｔ％であることが好ましい。

【0048】

次に、素子本体４の底面４ｂの一部に露出しているリード部６ａ，６ａの絶縁被膜を除去した後に、それぞれに対応して端子電極８，８を底面４ｂに形成し、リード部６ａ，６ａと端子電極８，８とを、それぞれ接続する。

【0049】

端子電極８，８の形成は、たとえば以下のようにして行う。まず、素子本体４の底面４ｂの一部に、樹脂電極用ペーストを、印刷法などの手法によって塗布する。この際、樹脂電極用ペーストは、リード部６ａが露出している底面４ｂを、それぞれ覆うように塗布する。

【0050】

なお、樹脂電極用ペーストには、樹脂成分となるバインダと、導体粉末となる金属原料粉末が含まれている。本実施形態において、金属原料粉末は、平均粒径が１μｍ～１０μｍであることが好ましく、３μｍ～５μｍであることがより好ましい。

【0051】

素子本体４に樹脂電極用ペーストを塗布した後、素子本体４を所定の条件で加熱処理し、ペースト中のバインダ（樹脂成分）を硬化させる。加熱処理の条件は、使用するバインダの種類により適宜設定すればよい。こうして、素子本体４の底面４ｂおよび端面４ｃ，４ｄに樹脂電極層が形成される。樹脂電極層の外面には、適宜、メッキ膜やスパッタ膜を形成してもよい。たとえば、樹脂電極層の外面に、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎなどのメッキ膜を形成して端子電極８，８を形成してもよい。以上のようにして、素子本体４に一対の端子電極８が形成されたインダクタ２が得られる。

【0052】

その後に、あるいは、端子電極８が形成される前に、たとえば素子本体４の上面４ａで端子電極８，８が形成されていない部分に、たとえばレーザを照射して、表示領域１０を形成する。

【0053】

レーザ光を所定の表示パターンで、素子本体４の上面４ａに照射する。そのことにより、図２に示すように、所定パターンの凹部１６が素子本体４の上面４ａに形成される。レーザ光などのエネルギー光の出力やショット数は、特に限定されず、凹部１６が所定深さＤ１とＡＳ比となるように決定される。

【0054】

なお、凹部１０ａでは、たとえば隣接する金属粒子１２間の隙間などに樹脂１４が含まれる場合や、樹脂１４で多少覆われている金属粒子１２も残ることがある。あるいは樹脂リッチ部分１４ａが形成されてもよい。

【0055】

表示領域１０の表示パターンを形成するために使用するレーザ光は、波長が４００ｎｍ以下であることが好ましい。すなわち、照射するレーザ光は、グリーンレーザ光（波長：５３２ｎｍ）よりも短波長なＵＶレーザ光などであることが好ましい。上記のように短波長なレーザを使用することで、上記の凹部１０ａを形成しやすい。

【0056】

本実施形態のインダクタ２では、素子本体１４の外面（たとえば上面４ａ）に、たとえばレーザ光などにより深く刻印するのではなく、金属粒子分散体１５に含まれる金属粒子１２の粒度分布に応じて、その金属粒子１２のＤ９０よりも浅い凹部１０ａを表示領域１０に形成する。このように構成することで、情報の読み取り精度が向上する。

【0057】

また、凹部１０ａは、たとえばレーザ光などのエネルギー光を照射することで形成される。その際のレーザ光の出力は、従来のレーザ光の出力よりも小さくてよく、しかも、短時間の照射で形成することができる。このため、バーコードや二次元コードなどの表示を、素子本体４の表面に直接に容易に書き込むことが可能である。また、微細な表示パターンの形成も可能になり、ごく小さな電子部品への表示領域の形成も可能になる。また、凹部１０ａのＡＳ比を所定範囲とすることで、情報の読み取り精度が、さらに向上する。

【0058】

本実施形態のインダクタ２からの情報読み取り方法では、上述したインダクタ２の表示領域１０に、赤色光、または赤色光の波長よりも波長が短い特定光を照射し、その反射光から表示領域１０に含まれている情報を読み取ることができる。

【0059】

照明光としては、一般的には、赤色光を用いることが好ましいが、赤色光の波長よりも波長が短い特定光の波長を有することで、表示領域１０での文字や記号の認識が容易になる。特に、特定光の波長は、好ましくは緑色光（Ｇ）の波長以下、さらに好ましくは青色光（Ｂ）の波長以下、特に好ましくはＵＶ光である。

【0060】

なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。

【0061】

たとえば、上述した実施形態では、表示領域１０は、素子本体４の上面４ａに形成してあるが、その他の外面（ただし、端子電極８，８が形成されていない素子本体４の外面）、たとえば素子本体４の側面や底面４ｂに形成してもよい。

【0062】

また、素子本体４は、コイル部６を内蔵していなくてもよく、たとえばＦＴ型、ＥＴ型、ＥＩ型、ＵＵ型、ＥＥ型、ＥＥＲ型、ＵＩ型、ドラム型、トロイダル型、ポット型、カップ型のコア自体であってもよい。

【0063】

また、本発明に係る電子部品は、インダクタに限定されず、トランス、チョークコイル、コモンモードフィルタ、コンデンサなどの電子部品、もしくは、インダクタ素子とコンデンサ素子などの他の素子とを組み合わせた複合電子部品であってもよい。さらに、素子本体を構成する金属粒子分散体の金属粒子は、磁性粒子に限らず、磁性を持たない金属粒子であってもよく、セラミックスなど金属以外の粒子（たとえば焼結粒子）であってもよい。

【実施例0064】

以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。

【0065】

実施例１

【0066】

図１および図２に示す素子本体４のサンプルを複数製造した。各素子本体４のＸ－Ｚ軸の断面を観察し、８０×８０μｍの範囲内の断面写真で、金属粒子１２の粒度分布はＳＥＭにより求めた。１０個のサンプルにおける平均のＤ５０は、１２．７μｍであった。また、Ｄ９０は、４１．０μｍであった。

【0067】

同じ条件で作製した素子本体４の上面４ａに、異なる条件で、レーザ照射を行い、相互に異なる深さＤ１と異なるアスペクト比（ＡＳ比）の凹部１０ａから成る二次元バーコードの表示領域１０の試料１～６および１０～１５を作成し、読み取り率を測定した。結果を図３と図４に示す。

【0068】

なお、読み取り率の測定に際しては、二次元コードリーダを用いて表示領域１０から情報の読み取りを５～２０回行い、書き込んだデータとの一致を確認した。たとえば読み取り率１００％とは、書き込んだデータとの一致が、読み取り回数の全数で一致していることを示す。

【0069】

図３および図４において、パワー１００％とは、レーザ光の出力を示し、試料番号１を基準として１００％とし、その他の試料番号のパワーは、試料番号１でのレーザ光の出力に対しての割合で示した。また、印字回数で、３００％とは、試料番号１を基準として、レーザ光のショット数が３回という意味であり、同じパターンの凹部１０ａに沿ってのレーザ光のショット数が３回の場合を３００％とした。

【0070】

図３および図４において、スピードとは、所定パターンの凹部１０ａに沿ってレーザ光を照射する速度を示し、照射速度が遅いほど、凹部１０ａの所定深さＤ１が深くなる傾向にある。図３および図４に示すデータから、所定深さ（堀込深さ）Ｄ１と読み取り率との関係を示すグラフを図５に示し、また、ＡＳ比と読み取り率との関係を示すグラフを図６に示す。

【0071】

図５に示すように、凹部１６の所定深さＤ１は、好ましくは金属粒子分散体１５に含まれる金属粒子１２のＤ９０よりも浅く、さらに好ましくはＤ８０よりも浅いことで、読み取り率が向上することが確認できた。また、凹部１６の所定深さＤ１は、金属粒子分散体１５に含まれる金属粒子１２のＤ５０よりも深く、さらに好ましくはＤ６０よりも深いことで、読み取り率が向上することが確認できた。

【0072】

なお、本実施例では、凹部１６の所定深さＤ１は、４１μｍよりも小さいことが好ましく、さらに好ましくは３０μｍより小さく、好ましくは１２．７μｍより大きく、さらに好ましくは２０μｍよりも大きい。

【0073】

また、図６に示すように、凹部１０ａのアスペクト比（ＡＳ比）は、好ましくは、２より大きく５．５より小さく、さらに好ましくは、２．４～５．４である。

【符号の説明】

【0074】

２ … インダクタ
４ … 素子本体
４ａ … 上面
４ｂ … 底面
４ｃ，４ｄ … 端面
５ … コイル部
６ … ワイヤ
６ａ … リード部
８ … 端子電極
１０… 表示領域
１０ａ… 凹部
１２… 金属粒子
１４… 樹脂
１４ａ… 樹脂リッチ部分
１５… 金属粒子分散体
Ｌ… 基準表面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【手続補正書】

【提出日】2022-04-22

【手続補正1】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0011】

発明の第３の観点に係る電子部品は、
素子本体を有する電子部品であって、
前記素子本体は、金属粒子が分散している金属粒子分散体を有し、
前記金属粒子分散体は、その表面に、表示領域を有し、
前記表示領域は、前記金属粒子分散体の基準表面から所定深さの凹部を有し、
前記所定深さは、前記金属粒子分散体に含まれる金属粒子のＤ５０よりも深いことを特徴とする。

【手続補正2】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２３

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0023】

ワイヤ６は、主として銅などの低抵抗な金属を含む導体部と、その導体部の外周を覆う絶縁被膜とで構成してある。より具体的に、導体部は、無酸素銅やタフピッチ銅などの純銅、リン青銅や黄銅、丹銅、ベリリウム銅、銀－銅合金などの銅を含む合金、もしくは、銅被覆鋼線などで構成される。一方、絶縁被膜は、電気絶縁性を有していればよく、特に限定されない。たとえば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ナイロン、ポリエステルなど、もしくは、上記のうち少なくとも２種の樹脂を混合した合成樹脂が例示される。また、本実施形態において、ワイヤ６は、図１に示すように、丸線であり、導体部の断面形状が、円形となっているが、丸線に限らず、平角線などであってもよい。

【手続補正3】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0041】

また、レーザが照射されない部分は、凹部１０ａが形成されずに基準平面Ｌに沿った平面となり、金属粒子１２の粒径や樹脂１４の表面厚みのバラツキなどに応じて、多少の微細な凹凸は存在する。なお、本実施形態では、凹部１０ａの内表面または凹部１０ａが形成されていない素子本体４の表面には、樹脂リッチ部分１４ａが存在していてもよい。

【手続補正4】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４３

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0043】

本実施形態では、凹部１０ａの所定深さＤ１は、好ましくは金属粒子分散体１５に含まれる金属粒子１２のＤ９０よりも浅く、さらに好ましくはＤ８０よりも浅い。また好ましくは、凹部１０ａの所定深さＤ１は、金属粒子分散体１５に含まれる金属粒子１２のＤ５０よりも深く、さらに好ましくはＤ６０よりも深い。また、凹部１０ａの開口幅Ｗ１を所定深さＤ１で割ったアスペクト比（ＡＳ比）は、好ましくは、２より大きく５．５より小さく、さらに好ましくは、２．４～５．４である。

【手続補正5】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４７

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0047】

この複合材料には、適宜、溶媒、分散剤などが添加してあってもよい。また、図２に示す金属粒子１２を、大粒子と中粒子と小粒子とで構成する場合、金属粒子１２の原料粉全体に占める各粒子の配合比率は、所定の比率であることが好ましい。具体的に、大粒子の配合比率が５０ｗｔ％～９０ｗｔ％であることが好ましく、中粒子の配合比率が５ｗｔ％～３０ｗｔ％であることが好ましく、小粒子の配合比率が０ｗｔ％～３０ｗｔ％であることが好ましい。

【手続補正6】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５３

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0053】

レーザ光を所定の表示パターンで、素子本体４の上面４ａに照射する。そのことにより、図２に示すように、所定パターンの凹部１０ａが素子本体４の上面４ａに形成される。レーザ光などのエネルギー光の出力やショット数は、特に限定されず、凹部１０ａが所定深さＤ１とＡＳ比となるように決定される。

【手続補正7】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５６

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0056】

本実施形態のインダクタ２では、素子本体４の外面（たとえば上面４ａ）に、たとえばレーザ光などにより深く刻印するのではなく、金属粒子分散体１５に含まれる金属粒子１２の粒度分布に応じて、その金属粒子１２のＤ９０よりも浅い凹部１０ａを表示領域１０に形成する。このように構成することで、情報の読み取り精度が向上する。

【手続補正8】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0071】

図５に示すように、凹部１０ａの所定深さＤ１は、好ましくは金属粒子分散体１５に含まれる金属粒子１２のＤ９０よりも浅く、さらに好ましくはＤ８０よりも浅いことで、読み取り率が向上することが確認できた。また、凹部１０ａの所定深さＤ１は、金属粒子分散体１５に含まれる金属粒子１２のＤ５０よりも深く、さらに好ましくはＤ６０よりも深いことで、読み取り率が向上することが確認できた。

【手続補正9】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0072】

なお、本実施例では、凹部１０ａの所定深さＤ１は、４１μｍよりも小さいことが好ましく、さらに好ましくは３０μｍより小さく、好ましくは１２．７μｍより大きく、さらに好ましくは２０μｍよりも大きい。