(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022166789
(43)【公開日】2022-11-02
(54)【発明の名称】カーボン・ウエハー(アルトロープ)
(51)【国際特許分類】
H01L 51/30 20060101AFI20221026BHJP
H01L 51/05 20060101ALI20221026BHJP
H01L 29/16 20060101ALI20221026BHJP
H01L 29/861 20060101ALI20221026BHJP
【FI】
H01L29/28 250E
H01L29/28 100A
H01L29/16
H01L29/91 F
【審査請求】未請求
【請求項の数】4
【出願形態】書面
(21)【出願番号】P 2021093273
(22)【出願日】2021-04-21
(71)【出願人】
【識別番号】518440899
【氏名又は名称】パテントフレア株式会社
(72)【発明者】
【氏名】伊藤 学
(57)【要約】
【課題】集積回路の基板材料には、シリコンなどの半導体材料が使われている。
このシリコン製基板は「大量の電流や高い電圧に対して多くの電気エネルギーが熱エネルギーに変換されてしまい、電気伝導効率の低下など集積回路としての機能が低下する」という課題があった。
【解決手段】半導体材料であるシリコンなどと良導体であり、耐熱性も高い炭素同素体を組み合わせて集積回路の基板に加工することで、大量の電流や高い電圧に対して半導体材料から生じる集積回路機能を低下させる余分な熱エネルギー、電気エネルギーを炭素同素体材料が吸収し、半導体材料単体の基板で生じる集積回路機能の低下という課題を解決する。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
炭素同素体を集積回路の基板の材料として使用する方法。
半導体材料の機能低下を補完するために炭素同素体を使用する方法。
(炭素同素体には、グラファイト、フラーレン、ダイヤモンドなどがある。)
半導体材料として使用されているシリコンなどと組み合わせて基板材料に加工することで、半導体材料単体の基板と比較して、より導電効率の高い機能を持たせることができる。
【請求項2】
請求項1に記載の方法を使用した部品、装置。
【請求項3】
請求項2に記載の部品、装置を製造する装置。
【請求項4】
請求項2に記載の部品、装置を使用した役務、事業。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は集積回路における半導体材料の応用技術に関する
【背景技術】
【0002】
集積回路の技術
トランジスター、ダイオード、抵抗、コンデンサーなどの多数の回路素子を1個の基板に組み込んだ超小型の電子回路。
基板の半導体材料としてシリコンを使用することが多い。
【0003】
炭素同素体の物質特性
炭素だけからなる鉱物で、グラファイト、フラーレン、ダイヤモンドなどがある。
融点が高く、熱膨張性が低く、耐熱性が高い。
電気、熱の導伝性があり、化学的にも安定であることから電極、導電材、耐火剤、耐薬品材料などとして使用されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
集積回路の基板材料には、シリコンなども半導体材料が使われている。
このシリコン製基板は「大量の電流や高い電圧に対して多くの電気エネルギーが熱エネルギーに変換されてしまい、電気伝導効率の低下など集積回路としての機能が低下する」という課題があった。
【課題を解決するための手段】
【0005】
半導体材料であるシリコンなどと良導体であり、耐熱性も高い炭素同素体を組み合わせて集積回路の基板に加工することで、大量の電流や高い電圧に対して半導体材料から生じる集積回路機能を低下させる余分な熱エネルギー、電気エネルギーを炭素同素体材料が吸収し、半導体材料単体の基板で生じる集積回路機能の低下という課題を解決する。