特開 2022-167591 配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022167591

(43)【公開日】2022-11-04

(54)【発明の名称】配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/09 20060101AFI20221027BHJP

   H05K 3/00 20060101ALI20221027BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20221027BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20221027BHJP

【ＦＩ】

H05K1/09 C

H05K3/00 N

H05K3/46 B

H05K3/46 N

H05K3/46 S

H01L23/12 F

H01L23/12 Q

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021073482

(22)【出願日】2021-04-23

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】清水 恵介

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 康平

【テーマコード（参考）】

4E351

5E316

【Ｆターム（参考）】

4E351AA02

4E351AA03

4E351BB01

4E351BB33

4E351CC06

4E351CC07

4E351DD04

4E351DD12

4E351DD19

4E351DD20

4E351GG09

4E351GG20

5E316AA15

5E316AA43

5E316CC04

5E316CC05

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC13

5E316CC31

5E316CC32

5E316CC33

5E316CC37

5E316CC38

5E316DD23

5E316DD24

5E316EE31

5E316FF04

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH07

5E316HH33

5E316JJ02

5E316JJ03

(57)【要約】

【課題】外部の部品との信頼性の高い接続が可能な配線基板の提供。
【解決手段】実施形態の配線基板の製造方法は、導体パッド１２ｐ１、１２ｐ２を含む導体層１２０上に絶縁層１１０を形成することと、絶縁層１１０に、導体パッド１２ｐ１を露出させる第１開口１１０ａ及び導体パッド１２ｐ２を露出させる第２開口１１０ｂを形成することと、絶縁層１１０上に第１開口１１０ａ及び第２開口１１０ｂを覆う被覆層Ｆを設けることと、第１開口１１０ａ上の被覆層Ｆに第３開口Ｆｏを形成することと、第３開口Ｆｏに露出する第１導体パッド１２ｐ１の表面に第１導体層１２０の材料と異なる材料を用いて保護膜ＰＦを形成することと、被覆層Ｆを除去することと、第２導体パッド１２ｐ２上に導体ポストを形成することと、を含む。導体ポストは、第１導体層１２０を構成する材料と同じ材料を用いて形成される。
【選択図】図４Ｈ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１導体パッド及び第２導体パッドを含む第１導体層を形成することと、
前記第１導体層上に第１樹脂絶縁層を形成することと、
前記第１樹脂絶縁層に、前記第１導体パッドを露出させる第１開口及び前記第２導体パッドを露出させる第２開口を形成することと、
前記第１樹脂絶縁層上に前記第１開口及び前記第２開口を覆う被覆層を設けることと、
前記第１開口上の前記被覆層に第３開口を形成することと、
前記第３開口に露出する前記第１導体パッドの表面に前記第１導体層の材料と異なる材料を用いて保護膜を形成することと、
前記被覆層を除去することと、
前記第２導体パッド上に導体ポストを形成することと、
を含む、配線基板の製造方法であって、
前記導体ポストは、前記第１導体層を構成する材料と同じ材料を用いて形成される。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記第３開口は、前記被覆層の前記第１導体パッドと反対側からのレーザー光の照射によって形成される。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記第１導体層及び前記導体ポストは銅を含む材料で形成される。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記第１導体層は銅を含む材料で形成され、前記保護膜はニッケル、パラジウム、及び金を含む材料で形成される。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記第３開口の径は、前記第１開口の径よりも小さく形成される。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記導体ポストを形成することは、前記導体ポストの表面にニッケル及び錫を含む層を形成することを含んでいる。

【請求項7】

請求項１記載の配線基板の製造方法であって、
前記配線基板の厚さ方向における前記第１導体層の前記第１樹脂絶縁層と反対側に第２導体層を形成することと、
前記第２導体層を被覆する第２樹脂絶縁層を形成することと、
前記第２樹脂絶縁層に前記第２導体層を露出させる第４開口を形成することと、
前記第１導体パッドへの前記保護膜の形成と共に、前記第４開口に露出する前記第２導体層の表面に前記保護膜と同じ材料を用いて保護膜を形成することと、
をさらに含んでいる。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は配線基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、メタルポストを備える基板が開示されている。メタルポストはソルダーレジスト層に形成される開放部内に露呈する接続パッド上に形成されており、開放部を充填している。メタルポストは基板が備える接続パッドの全てに形成されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１０－１２９９９６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示されている基板では、接続パッドすべての上にメタルポストが形成される。基板の接続パッドが形成されている面に、形状の異なる複数の電子部品を搭載することが困難な場合があると考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の実施形態である配線基板の製造方法は、第１導体パッド及び第２導体パッドを含む第１導体層を形成することと、前記第１導体層上に第１樹脂絶縁層を形成することと、前記第１樹脂絶縁層に、前記第１導体パッドを露出させる第１開口及び前記第２導体パッドを露出させる第２開口を形成することと、前記第１樹脂絶縁層上に前記第１開口及び前記第２開口を覆う被覆層を設けることと、前記第１開口上の前記被覆層に第３開口を形成することと、前記第３開口に露出する前記第１導体パッドの表面に前記第１導体層の材料と異なる材料を用いて保護膜を形成することと、前記被覆層を除去することと、前記第２導体パッド上に導体ポストを形成することと、を含んでいる。前記導体ポストは、前記第１導体層を構成する材料と同じ材料を用いて形成される。

【0006】

本発明の実施形態によれば、保護膜に被覆される導体パッドと、保護膜を介さずに導体パッド上に直接形成される導体ポストとを同一の部品実装面に有する配線基板が提供され得る。形状の異なる複数の電子部品を同一の面において信頼性高く接続することが可能な配線基板が提供され得る。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の実施形態の方法により製造される配線基板の一例を示す断面図。

【図2】図１に示される断面図の部分拡大図。

【図3】本発明の実施形態の方法により製造される配線基板の他の例を示す断面図。

【図4A】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図4B】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図4C】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図4D】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図4E】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図4F】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図4G】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図4H】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す部分拡大図。

【図4I】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図4J】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す部分拡大図。

【図4K】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本発明の一実施形態である配線基板の製造方法により製造される配線基板が図面を参照しながら説明される。なお、以下、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、本発明の特徴が理解され易いように描かれている。図１には、実施形態の製造方法によって製造される配線基板の一例として、配線基板１の断面図が示されている。

【0009】

図１に示される例の配線基板１は、絶縁層（コア絶縁層）１０１と、コア絶縁層１０１の両面に形成された導体層（コア導体層）１０２を含むコア基板１００を有している。コア基板１００の両面上には、それぞれ、絶縁層及び導体層が交互に積層されている。図示の例では、コア基板１００の一方の面Ｆ１上には、絶縁層１１及び導体層１２、１２０が積層された第１ビルドアップ部１０が形成されている。また、コア基板１００の他方の面Ｆ２上には、絶縁層２１及び導体層２２、２２０が積層された第２ビルドアップ部２０が形成されている。

【0010】

第１ビルドアップ部１０上には、ソルダーレジスト層１１０が形成されている。第２ビルドアップ部２０上には、ソルダーレジスト層２１０が形成されている。ソルダーレジスト層１１０には開口１１０ａ、１１０ｂが形成され、開口１１０ａ、１１０ｂ内には第１ビルドアップ部１０における最も外側の導体層１２０が有する導体パッド１２ｐ１、１２ｐ２が露出している。ソルダーレジスト層２１０には開口２１０ａが形成され、開口２１０ａ内には第２ビルドアップ部２０における最も外側の導体層２２０が有する導体パッド２２ｐが露出している。

【0011】

配線基板１における、第１ビルドアップ部１０の最外の導体層１２０が有する複数の導体パッド１２ｐ１、１２ｐ２のうち、導体パッド１２ｐ２の上には導体ポスト１４ｐが形成されている。導体ポスト１４ｐは、導体パッド１２ｐ２をその内部に露出させる開口１１０ｂを充填して配線基板１の最外の面の一部を構成する。実施形態の製造方法により製造される配線基板においては、詳しくは図２を参照して後述されるように、その上に導体ポスト１４ｐが形成されずに配線基板１の最表面に露出する導体パッド１２ｐ１の上面には保護膜ＰＦが形成される。また、その上に導体ポスト１４ｐが形成される導体パッド１２ｐ２の上面には保護膜ＰＦは形成されず、導体ポスト１４ｐは導体パッド１２ｐ２上に直接形成されている。

【0012】

実施形態の配線基板の製造方法、及び製造される配線基板の説明においては、配線基板１における第１ビルドアップ部１０の最も外側の導体層１２０は第１導体層１２０とも称される。第１導体層１２０を被覆するソルダーレジスト層１１０は第１樹脂絶縁層１１０とも称される。また、配線基板１における第２ビルドアップ部２０における最も外側の導体層２２０は、第２導体層２２０とも称され、第２導体層２２０を被覆するソルダーレジスト層２１０は第２樹脂絶縁層２１０とも称される。第１導体層１２０に含まれる複数の導体パッド１２ｐ１、１２ｐ２のうち、配線基板１の表面に露出している導体パッド１２ｐ１は第１導体パッド１２ｐ１とも称され、第１導体パッド１２ｐ１を露出させる開口１１０ａは第１開口１１０ａとも称される。その上に導体ポスト１４ｐが形成されている導体パッド１２ｐ２は、第２導体パッド１２ｐ２とも称され、導体ポスト１４ｐで充填される開口１１０ｂは、第２開口１１０ｂとも称される。第２導体層２２０に含まれる導体パッド２２ｐを露出させる第２樹脂絶縁層２１０の開口２１０ａは、第４開口２１０ａとも称される。

【0013】

なお、配線基板１及び配線基板１の製造方法の説明においては、コア絶縁層１０１から遠い側を、「上」、「上側」、「外側」、又は「外」と称し、コア絶縁層１０１に近い側を、「下」、「下側」、「内側」、又は「内」と称する。また、各絶縁層及び導体層において、コア基板１００と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア基板１００側を向く表面は「下面」とも称される。従って、実施形態の製造方法によって製造される配線基板の説明では、第１導体層１２０の、第１樹脂絶縁層１１０の第１及び第２開口１１０ａ、１１０ｂから露出する面は、第１及び第２導体パッド１２ｐ１、１２ｐ２の上面とも称され、導体ポスト１４ｐの第１導体層１２０と反対側の面は、導体ポスト１４ｐの上面とも称される。第２導体層２２０の、第２樹脂絶縁層２１０の第４開口２１０ａから露出する面は、導体パッド２２ｐの上面とも称される。

【0014】

図示される例において、導体パッド１２ｐ１、１２ｐ２、ソルダーレジスト層１１０、及び導体ポスト１４ｐそれぞれの露出面によって構成される、配線基板１の最も外側の表面は、第１面Ｆａと称される。配線基板１における、第１面Ｆａと反対側の、ソルダーレジスト層２１０及び導体パッド２２ｐそれぞれの露出面によって構成される最も外側の表面は、第２面Ｆｂと称される。すなわち、配線基板１は、配線基板１の厚さ方向と直交する方向に広がる２つの表面として第１面Ｆａ、及び第１面Ｆａの反対面である第２面Ｆｂを有している。

【0015】

配線基板１が有する各導体層１０２、１２、１２０、２２、２２０は、任意の導体パターンを有するようにパターニングされている。図示の例では、第１導体層１２０において、第１面Ｆａに露出する第１導体パッド１２ｐ１は、配線基板１の使用時において配線基板１に実装され得る部品が有する接続用の端子と電気的及び機械的に接続し得るパターンに形成されている。また、第１導体層１２０において、第２導体パッド１２ｐ２は、配線基板１の使用時において配線基板１に実装され得る部品の接続端子と、導体バンプ１４ｐを介して接続可能なパターンに形成されている。

【0016】

すなわち、第１面Ｆａを構成する導体パッド１２ｐ１及び導体ポスト１４ｐ、は外部の部品が配線基板１に搭載される際の接続部として使用され、配線基板１の第１面Ｆａは複数の部品が搭載され得る部品実装面であり得る。導体ポスト１４ｐ及び導体パッド１２ｐ１には、例えば、はんだなどの接合材（図示せず）を介して外部の部品の電極が電気的及び機械的に接続され得る。外部の部品として、例えばベアチップ半導体などの電子部品が部品実装面に実装され得る。配線基板１の使用時において、第１導体パッド１２ｐ１に接続され得る部品と、第２導体パッド１２ｐ２に接続される部品とは、異なり得る。

【0017】

図１に示される例の配線基板１における、第１面Ｆａに対して反対側の面である第２面Ｆｂは、例えば任意の電気機器のマザーボードなどの外部要素に配線基板１が実装される場合に、外部要素に接続される接続面であり得る。また、第２面Ｆｂは、第１面Ｆａと同様に、半導体集積回路装置のような電子部品が実装される部品実装面であってもよい。第２面Ｆｂを構成する導体パッド２２ｐは、これらに限定されない任意の基板、電気部品、又は機構部品などと接続され得る。第２面Ｆｂを構成する導体パッド２２ｐの上面には、第１面Ｆａを構成する第１導体パッド１２ｐ１の上面に形成される保護膜ＰＦと同様の保護膜ＰＦが形成され得る。

【0018】

コア基板１００の絶縁層１０１には、コア基板１００における一方の面Ｆ１を構成する導体層１０２と他方の面Ｆ２を構成する導体層１０２とを接続するスルーホール導体１０３が形成されている。絶縁層１１、２１のそれぞれには、絶縁層１１、２１それぞれを挟む導体層同士を接続するビア導体１３、２３が形成されている。図示の例では、スルーホール導体１０３は、一方の面Ｆ１及び他方の面Ｆ２の両側からコア基板１００の厚さにおける中央部分に向かって縮径するテーパー形状を有し、各ビア導体１３、２３は、配線基板の外側から内側に向かって縮径するテーパー形状を有している。スルーホール導体１０３は長さ方向（コア基板１００の厚さ方向）において径の大きさが略同一に形成されてもよく、あるいは、片方の面から他方の面に向って（例えば、一方の面Ｆ１から他方の面Ｆ２に向って）縮径するテーパー形状を有してもよい。

【0019】

導体層１０２、１２、１２０、２２、２２０、ビア導体１３、２３、スルーホール導体１０３、及び導体ポスト１４ｐは、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され、例えば、銅箔などの金属箔、及び／又は、めっき若しくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって構成される。導体層１０２、１２、１２０、２２、２２０、ビア導体１３、２３、スルーホール導体１０３、及び導体ポスト１４ｐは、図１では単層構造で示されているが、２つ以上の金属層を有する多層構造を有し得る。例えば、絶縁層１０１の表面上に形成されている導体層１０２は、金属箔、金属膜（例えば無電解めっき膜）、及びめっき膜（例えば電解めっき膜）を含む３層構造を有し得る。また、導体層１２、１２０、２２、２２０、ビア導体１３、２３、スルーホール導体１０３、並びに導体ポスト１４ｐは、例えば、金属膜及び電解めっき膜を含む２層構造を有し得る。

【0020】

絶縁層１０１、１１、２１は、それぞれ、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成される。各絶縁層は、ガラス繊維などの補強材（芯材）及び／又はシリカ、アルミナなどの無機フィラーを含んでいてもよい。ソルダーレジスト層１１０、２１０は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成され得る。

【0021】

図２には、図１において一点鎖線で囲まれる、第１導体パッド１２ｐ１、第２導体パッド１２ｐ２、及び導体ポスト１４ｐを含む領域IIを拡大した拡大図が示されている。なお、図示される拡大図においては、導体層１２、１２０が金属膜１２ａ及び電解めっき膜１２ｂの２層を含む例が示されている。配線基板１の第１導体層１２０における、第１導体パッド１２ｐ１の上面には保護膜ＰＦが形成されている。保護膜ＰＦは、第１導体パッド１２ｐ１を構成する材料（例えば銅）とは異なる材料（例えば、ニッケル、パラジウム、金、錫など）を用いて形成されている。

【0022】

保護膜ＰＦとしては、無電解めっき法により形成される多層構造の膜が例示される。図示される例では、保護膜ＰＦは、下地層ｐｆ１、中間層ｐｆ２、及び表面層ｐｆ３の３層構造を有しており、第１導体層１２０が銅を含んでいる場合には、例えば、下地層ｐｆ１はニッケルを含み、中間層ｐｆ２はパラジウムを含み、表面層ｐｆ３は金を含む。なお、この保護膜ＰＦは配線基板１の第１面Ｆａを構成する第１導体パッド１２ｐ１に加えて、第２面Ｆｂを構成する導体パッド２２ｐ（図１参照）の表面にも形成され得る。

【0023】

一方、その上に導体ポスト１４ｐが形成される第２導体パッド１２ｐ２の上面には、保護膜ＰＦは形成されない。第２導体パッド１２ｐ２の上面には、直接、導体ポスト１４ｐ（具体的には導体ポスト１４ｐを構成する金属膜１４ｐａ）が形成される。図示される例では、導体ポスト１４ｐは金属膜１４ｐａ及び電解めっき膜１４ｐｂの２層構造で構成されており、導体ポスト１４ｐを構成する金属膜１４ｐａ及び電解めっき膜１４ｐｂは、第２導体パッド１２ｐ２と同じ材料（例えば銅）を含んでいる。

【0024】

実施形態の製造方法により製造される配線基板では、第１導体層１２０を構成する第１導体パッド１２ｐ１及び第２導体パッド１２ｐ２のうち、配線基板１の表面に露出する第１導体パッド１２ｐ１の上面は、保護膜ＰＦで被覆される。保護膜ＰＦは第１導体パッド１２ｐ１を構成する材料と異種の材料で構成される。また、第２導体パッド１２ｐ２の上面には保護膜ＰＦは形成されず、第２導体パッド１２ｐ２を構成する材料と同種の材料で構成される導体ポスト１４ｐが、第２導体パッド１２ｐ２上に直接形成される。この構成により、部品実装面である第１面Ｆａには、異なる形状の（具体的には、接続端子の形態の異なる）複数の部品が良好な品質で接続される場合がある。

【0025】

具体的には、外部の部品が接続され得る第１導体パッド１２ｐ１の表面は保護膜ＰＦにより被覆されることで、表面の腐食や酸化が抑制され得る。また、第２導体パッド１２ｐ２と導体ポスト１４ｐとの接合は、同種の材料が接合されることに因り比較的高い強度で実現され得る。従って、保護膜ＰＦにより表面状態が良好な第１導体パッド１２ｐ１と外部の部品との接続が良好に実現され得ると同時に、導体ポスト１４ｐと第２導体パッド１２ｐ２との比較的強度の高い接合により、導体ポスト１４ｐを介した、第２導体パッド１２ｐ２と部品との接続が信頼性高く実現され得る。

【0026】

図示されるように、導体ポスト１４ｐの上面には、めっき層ＰＬが形成され得る。めっき層ＰＬにより、導体ポスト１４ｐと外部の部品の接続端子との間に介在し得る接続部材（例えばはんだ）と導体ポスト１４ｐとの濡れ性が向上することがある。図示されるめっき層ＰＬは下層ｐｌ１及び上層ｐｌ２の２層構造を有しており、導体ポスト１４ｐが銅を含む場合、例えば、下層ｐｌ１はニッケルを含み、上層ｐｌ２は錫を含み得る。

【0027】

上述の図１及び図２を参照した説明では、第１面Ｆａ及び第２面Ｆｂのうち第１面Ｆａのみに導体ポスト１４ｐが形成される配線基板１の例が説明されたが、導体ポストは第１面Ｆａ及び第２面Ｆｂの両方において形成されてもよい。第１面Ｆａ及び第２面Ｆｂの両方において導体ポスト１４ｐが形成される例が、図３に配線基板１ａとして示される。配線基板１ａにおける第１面Ｆａには、第１導体パッド１２ｐ１、及び第２導体パッド１２ｐ２上に形成された導体ポスト１４ｐが露出している。配線基板１ａにおける第２面Ｆｂには、第３導体パッド２２ｐ１、及び第４導体パッド２２ｐ２上に形成された導体ポスト２４ｐが露出している。

【0028】

図示される配線基板１ａでは、上述された配線基板１と同様に、第１導体パッド１２ｐ１上には保護膜ＰＦが形成され、第２導体パッド１２ｐ２の上面（すなわち第２導体パッド１２ｐ２と導体ポスト１４ｐの界面）には保護膜ＰＦは形成されない。第３導体パッド２２ｐ１には第１導体パッド１２ｐ１の表面に形成される保護膜ＰＦと同じ材料及び構造の保護膜ＰＦが形成され、その上に導体ポスト２４ｐが形成される第４導体パッド２２ｐ２には保護膜ＰＦは形成されない。このように、配線基板１ａの両面（第１面Ｆａ及び第２面Ｆｂ）において導体パッド１２ｐ１、２２ｐ１及び導体ポスト１４ｐ、２４ｐが露出している構成により、配線基板１ａの両面において複数の電子部品を信頼性高く実装することが可能になる場合がある。

【0029】

図４Ａ～図４Ｋを参照して、図１に示される配線基板１が製造される場合を例に、実施形態の配線基板の製造方法が説明される。先ず、図４Ａに示されるように、コア基板１００が用意される。コア基板１００の用意では、例えば、コア絶縁層１０１を含む両面銅張積層板が用意される。そしてサブトラクティブ法などによって所定の導体パターンを含む導体層１０２を絶縁層１０１の両面に形成すると共に、スルーホール導体１０３を絶縁層１０１内に形成することによってコア基板１００が用意される。

【0030】

次いで、図４Ｂに示されるように、コア基板１００の一方の面Ｆ１上に絶縁層１１が形成され、その絶縁層１１上に導体層１２が積層される。コア基板１００の他方の面Ｆ２上には絶縁層２１が形成され、その絶縁層２１上に導体層２２が積層される。例えば各絶縁層１１、２１は、フィルム状の絶縁性樹脂を、コア基板１００上に熱圧着することによって形成される。導体層１２、２２は、絶縁層１１、２１に例えばレーザー光によって形成され得る開口１３ａ、２３ａを充填するビア導体１３、２３と同時に、セミアディティブ法などの任意の導体パターンの形成方法を用いて形成される。

【0031】

続いて、図４Ｃに示されるように、コア基板１００の一方の面Ｆ１及び他方の面Ｆ２の外側には、上述の絶縁層１１及び導体層１２の積層と同様の方法で、さらに絶縁層及び導体層の積層が繰り返され、第１ビルドアップ部１０及び第２ビルドアップ部２０が形成される。第１ビルドアップ部１０における最も外側の第１導体層１２０は、第１導体パッド１２ｐ１及び第２導体パッド１２ｐ２を含むパターンに形成される。第２ビルドアップ部２０における最も外側の第２導体層２２０は、導体パッド２２ｐを含むパターンに形成される。

【0032】

次いで、図４Ｄに示されるように、第１ビルドアップ部１０の最外の導体層である第１導体層１２０の上面を被覆する第１樹脂絶縁層（ソルダーレジスト層）１１０が形成される。併せて、第２ビルドアップ部２０の最外の導体層である第２導体層２２０の上面を被覆する第２樹脂絶縁層（ソルダーレジスト層）２１０が形成される。例えば、スプレーコーティング、カーテンコーティング、又はフィルム貼り付けなどによって、感光性を有するエポキシ樹脂膜が第１及び第２導体層１２０、２２０上に形成される。露光及び現像により、第１樹脂絶縁層１１０には第１開口１１０ａ及び第２開口１１０ｂが形成され、第２樹脂絶縁層には第４開口２１０ａが形成される。第１樹脂絶縁層１１０の第１開口１１０ａには第１導体パッド１２ｐ１が露出し、第２開口１１０ｂには第２導体パッド１２ｐ２が露出する。第２樹脂絶縁層２１０の第４開口２１０ａからは導体パッド２２ｐが露出する。

【0033】

次いで、図４Ｅに示されるように、第１樹脂絶縁層（ソルダーレジスト層）１１０上に被覆層Ｆが形成される。被覆層Ｆによって第１開口１１０ａ及び第２開口１１０ｂが閉塞される。被覆層Ｆは、続く第１導体層１２０の表面へ選択的にめっき膜を形成する工程において、第２導体パッド１２ｐ２をめっき液からマスキングする。被覆層Ｆは、例えば、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）を含む樹脂フィルムであり得る。

【0034】

次いで、図４Ｆに示されるように、被覆層Ｆに、第１開口１１０ａに連通する第３開口Ｆｏが形成され、第１導体パッド１２ｐ１が露出する。

【0035】

第３開口Ｆｏは、被覆層Ｆの第３開口Ｆｏが形成されるべき箇所に対応した位置に、例えば炭酸ガスレーザー又はＹＡＧレーザーなどのレーザー光を、被覆層Ｆの上側から照射することで形成され得る。例えば、レーザー光は平面視において開口１１０ａと重なる領域の内側に照射され、被覆層Ｆに形成される第３開口Ｆｏは、図示されるように、その径が開口１１０ａの径よりも小さい。これにより、レーザー光による第１樹脂絶縁層１１０の損傷が回避され得る。なお、第３開口Ｆｏを有する被覆層Ｆの形成は、上述の樹脂フィルムの配置及びレーザー光による穿孔に限定されず、第１樹脂絶縁層１１０上への感光性ドライフィルムの形成、及び、露光並びに現像による開口Ｆｏの形成が実施されてもよい。

【0036】

次いで、図４Ｇに示されるように、第３開口Ｆｏ及び第１開口１１０ａから露出する第１導体パッド１２ｐ１の表面に保護膜ＰＦが形成される。併せて、第２面Ｆｂの第４開口２１０ａから露出する導体パッド２２ｐの表面に保護膜ＰＦが形成される。保護膜ＰＦは、例えば無電解めっきによって形成され、第１及び第２導体層１２０、２２０を構成する材料（例えば銅）とは異なる材料（例えば、ニッケル、パラジウム、金など）を用いて形成される。保護膜ＰＦを形成する工程において、第２導体パッド１２ｐ２をその内側に露呈させる第２開口１１０ｂは被覆層Ｆによって閉塞されている。従って、第２導体パッド１２ｐ２は保護膜ＰＦを形成する工程において、めっき液とは遮断され、よって、第２導体パッド１２ｐ２の表面には保護膜ＰＦは形成されない。すなわち、第１導体層１２０が有する複数の第１及び第２導体パッド１２ｐ１、１２ｐ２のうち、第１導体パッド１２ｐ１のみに選択的に保護膜ＰＦが形成される。

【0037】

図４Ｇに示される、実施形態の製造方法における保護膜ＰＦを形成する工程が、図４Ｇの領域Ｈの拡大図である図４Ｈを参照して詳述される。図４Ｈに示されるように、第１導体パッド１２ｐ１の表面に、下地層ｐｆ１、中間層ｐｆ２、及び表面層ｐｆ３の３層から構成される保護膜ＰＦが形成される例が説明される。

【0038】

先ず、被覆層Ｆの第３開口Ｆｏから露出する、例えば、銅を含む第１導体パッド１２ｐ１の上面の脱脂及び酸化膜除去の処理が行われた後に、下地層ｐｆ１として、例えば無電解ニッケルめっき層が形成される。例えば、ニッケル化合物及びヒドラジンなどを含む無電解ニッケルめっき液が用いられ、無電解ニッケルめっき層が第１導体パッド１２ｐ１の表面に形成される。続いて、下地層ｐｆ１の表面に、中間層ｐｆ２として無電解パラジウムめっき層が形成される。例えば、パラジウム化合物及び次亜リン酸化合物などを含む還元型無電解パラジウムめっき液を使用して、無電解パラジウムめっき層が形成される。続いて、中間層ｐｆ２上に、表面層ｐｆ３として、例えば無電解金めっき層が形成される。例えば、金化合物及びヘキサメチレンテトラミンなどを含む還元型無電解金メッキ液を使用して、無電解金メッキ層が形成される。下地層ｐｆ１、中間層ｐｆ２、表面層ｐｆ３夫々の層厚は、めっき液の濃度、温度、浸漬時間などによって調整され得る。

【0039】

第１導体パッド１２ｐ１への保護膜ＰＦの形成後、被覆層Ｆが第１樹脂絶縁層１１０から除去される。図４Ｉに示されるように、被覆層Ｆの除去により、第２導体パッド１２ｐ２が第２開口１１０ｂから露出し、第１導体層１２０に含まれるすべての導体パッド１２ｐ１、１２ｐ２は露出した状態となる。

【0040】

次いで、被覆層Ｆの除去によって露出する第２導体パッド１２ｐ２上に導体ポスト１４ｐが形成される。図４Ｊには、導体ポスト１４ｐを形成する工程における、第２導体パッド１２ｐ２近傍の拡大図が示されている。導体ポスト１４ｐの形成には、例えばセミアディティブ法が用いられ得る。図示されるように、第１導体層１２０を構成する材料と同じ材料（例えば銅）を含む金属膜１４ｐａが、第１樹脂絶縁層１１０の上面及び開口１１０ａ、１１０ｂの内面に形成される。金属膜１４ｐａは、例えば、無電解めっき又はスパッタリングによって形成され得る。

【0041】

続いてめっきレジストＰＲが金属膜１４ｐａ上に形成され、露光及び現像によって導体ポスト１４ｐが形成されるべき位置に対応して、第２開口１１０ｂに連通して第２導体ポスト１２ｐ２を露出させる開口ＰＲｏが形成される。続いて、金属膜１４ｐａをシード層とする電解めっきにより電解めっき膜１４ｐｂが形成される。電解めっき膜１４ｐｂの上面にはめっき層ＰＬが形成され得る。めっき層ＰＬは、例えば、図示されるように下層ｐｌ１と上層ｐｌ２の２層構造とされ、下層ｐｌ１は例えば電解ニッケルめっきによって形成され、上層ｐｌ２は例えば電解錫めっきによって形成される。

【0042】

電解めっき膜１４ｐｂ及びめっき層ＰＬの形成後、めっきレジストＰＲが除去され、めっきレジストＰＲの除去によって露出する金属膜１４ｐａが強塩基溶液を使用するクイックエッチングにより除去される。これにより、図４Ｋに示されるように、第１面Ｆａに、表面に保護膜ＰＦが形成された第１導体パッド１２ｐ１、及び、第２導体パッド１２ｐ２上に形成された導体ポスト１４ｐが露出する配線基板１の形成が完了する。

【0043】

配線基板１の製造方法では、第１導体層１２０に含まれる複数の導体パッド１２ｐ１、１２ｐ２のうち、一部の導体パッド１２ｐ１の上面は保護膜ＰＦで保護される。一方、第２導体パッド１２ｐ２上には、第２導体パッド１２ｐ２に含まれる材料と同じ材料を用いて、導体ポスト１４ｐが直接形成される。第２導体パッド１２ｐ２と導体ポスト１４ｐとは強固に接合され得る。従って、先述したような、部品実装面である第１面Ｆａに複数の部品を信頼性高く実装し得る配線基板１が提供され得る。なお、導体パッド１２ｐ１、２２ｐへの保護膜ＰＦの形成後、導体ポスト１４ｐを形成する工程中、第２導体層２２０が露出する第２面Ｆｂは、例えばＰＥＴなどの適切な保護板により適切に保護され得る。

【0044】

実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。本実施形態の製造方法では、少なくとも、第１樹脂絶縁層１１０の開口１１０ａ、１１０ｂから露出する複数の導体パッド１２ｐ１、１２ｐ２のうち、被覆層Ｆの開口Ｆｏから露出する導体パッド１２ｐ１の表面にのみ選択的に保護膜ＰＦが形成され、導体ポスト１４ｐが導体パッド１２ｐ２上に直接形成されればよい。従って、実施形態の製造方法によって製造される配線基板は、コア基板１００の両面に第１及び第２ビルドアップ部１０、２０が形成される態様に限定されず、コア基板１００の形成、及び、第２ビルドアップ部２０の形成は省略されてよい。

【0045】

例えば、導体ポスト１４ｐを形成する方法は、金属膜１４ｐａの形成及び金属膜１４ｐａをシード層とした電解めっきに限られず、無電解めっきにより導体ポスト１４ｐが形成される場合がある。先に説明された製造方法の条件や順序などは適宜変更され得る。現に製造される配線基板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてよい。例えば、図３に示される配線基板１ａが製造される場合には、第２導体層２２０に含まれる第４導体パッド２２ｐ２は、第２導体パッド１２ｐ２と同様に、第２樹脂絶縁層２１０上に形成される被覆層によりマスクされ得る。被覆層に形成される開口から露出する第３導体パッド２２ｐ１の表面にのみ選択的に保護膜ＰＦが形成され、第４導体パッド２２ｐ２上に保護膜ＰＦを介さずに導体ポスト２４ｐが形成され得る。

【符号の説明】

【0046】

１、１ａ 配線基板
１１、２１、１０１ 絶縁層
１２、２２、１０２ 導体層
１２ｐ１ 導体パッド（第１導体パッド）
１２ｐ２ 導体パッド（第２導体パッド）
２２ｐ 導体パッド
１４ｐ 導体ポスト
１１０ ソルダーレジスト層（第１樹脂絶縁層）
２１０ ソルダーレジスト層（第２樹脂絶縁層）
１１０ａ 開口（第１開口）
１１０ｂ 開口（第２開口）
２１０ａ 開口（第４開口）
１２０ 導体層（第１導体層）
２２０ 導体層（第２導体層）
Ｆ 被覆層
Ｆｏ 開口（第３開口）
ＰＦ 保護膜
ＰＬ めっき膜

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図4G】

【図4H】

【図4I】

【図4J】

【図4K】