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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022168440
(43)【公開日】2022-11-08
(54)【発明の名称】配線基板、表示装置及び配線基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20221031BHJP
G02F 1/1343 20060101ALI20221031BHJP
H01L 29/786 20060101ALI20221031BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 336
G09F9/30 338
G02F1/1343
H01L29/78 616U
H01L29/78 617L
H01L29/78 616V
H01L29/78 617M
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021073901
(22)【出願日】2021-04-26
(71)【出願人】
【識別番号】000005049
【氏名又は名称】シャープ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001036
【氏名又は名称】弁理士法人暁合同特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】林 公彦
(72)【発明者】
【氏名】寺内 崇
(72)【発明者】
【氏名】松本 龍児
(72)【発明者】
【氏名】板倉 良次
(72)【発明者】
【氏名】市川 雅士
(72)【発明者】
【氏名】佐々木 一成
(72)【発明者】
【氏名】数見 理
(72)【発明者】
【氏名】森広 和利
【テーマコード（参考）】
2H092
5C094
5F110
【Ｆターム（参考）】
2H092GA29
2H092GA60
2H092JA26
2H092JA40
2H092JA44
2H092JA46
2H092JB24
2H092JB33
2H092JB38
2H092JB56
2H092KB04
2H092MA13
5C094AA43
5C094BA03
5C094BA27
5C094BA43
5C094DA13
5C094DB10
5C094EA10
5C094FB12
5C094FB15
5F110AA03
5F110BB01
5F110DD02
5F110EE02
5F110EE11
5F110EE14
5F110HK02
5F110HK17
5F110HK21
5F110NN03
5F110NN24
5F110QQ19
(57)【要約】
【課題】配線抵抗の低減を図るとともに基板の変形を抑制する。
【解決手段】アレイ基板１２は、ガラス基板１２ＧＳと、ガラス基板１２ＧＳ上に積層される第１金属膜Ｆ１からなりガラス基板１２ＧＳの板面に沿って延在する第１ゲート配線構成部１５Ａと、少なくともガラス基板１２ＧＳ上に積層される第１絶縁膜Ｆ２であって、第１ゲート配線構成部１５Ａと重畳するよう配されて第１ゲート配線構成部１５Ａに沿って延在する第１開口Ｆ２Ａを有する第１絶縁膜Ｆ２と、少なくとも第１金属膜Ｆ１上に積層される第２金属膜Ｆ３からなり第１ゲート配線構成部１５Ａに沿って延在していて第１ゲート配線構成部１５Ａと共にゲート配線１５を構成する第２ゲート配線構成部１５Ｂであって、少なくとも一部が第１開口Ｆ２Ａと重畳するよう配されて第１ゲート配線構成部１５Ａに接する第２ゲート配線構成部１５Ｂと、を備える。
【選択図】図３
【解決手段】アレイ基板１２は、ガラス基板１２ＧＳと、ガラス基板１２ＧＳ上に積層される第１金属膜Ｆ１からなりガラス基板１２ＧＳの板面に沿って延在する第１ゲート配線構成部１５Ａと、少なくともガラス基板１２ＧＳ上に積層される第１絶縁膜Ｆ２であって、第１ゲート配線構成部１５Ａと重畳するよう配されて第１ゲート配線構成部１５Ａに沿って延在する第１開口Ｆ２Ａを有する第１絶縁膜Ｆ２と、少なくとも第１金属膜Ｆ１上に積層される第２金属膜Ｆ３からなり第１ゲート配線構成部１５Ａに沿って延在していて第１ゲート配線構成部１５Ａと共にゲート配線１５を構成する第２ゲート配線構成部１５Ｂであって、少なくとも一部が第１開口Ｆ２Ａと重畳するよう配されて第１ゲート配線構成部１５Ａに接する第２ゲート配線構成部１５Ｂと、を備える。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板上に積層される第１導電膜からなり前記基板の板面に沿って延在する第１配線構成部と、
少なくとも前記基板上に積層される第１絶縁膜であって、前記第１配線構成部と重畳するよう配されて前記第１配線構成部に沿って延在する開口を有する第１絶縁膜と、
少なくとも前記第１導電膜上に積層される第２導電膜からなり前記第１配線構成部に沿って延在していて前記第１配線構成部と共に配線を構成する第２配線構成部であって、少なくとも一部が前記開口と重畳するよう配されて前記第１配線構成部に接する第２配線構成部と、を備える配線基板。
前記基板上に積層される第１導電膜からなり前記基板の板面に沿って延在する第１配線構成部と、
少なくとも前記基板上に積層される第１絶縁膜であって、前記第１配線構成部と重畳するよう配されて前記第１配線構成部に沿って延在する開口を有する第１絶縁膜と、
少なくとも前記第１導電膜上に積層される第２導電膜からなり前記第１配線構成部に沿って延在していて前記第１配線構成部と共に配線を構成する第２配線構成部であって、少なくとも一部が前記開口と重畳するよう配されて前記第１配線構成部に接する第２配線構成部と、を備える配線基板。
【請求項2】
前記第１導電膜は、前記基板よりも熱膨張係数が高く、前記第１絶縁膜は、前記基板よりも熱膨張係数が低い請求項１記載の配線基板。
【請求項3】
少なくとも前記第１絶縁膜及び前記第２導電膜上に積層される第２絶縁膜を備えており、
前記第２導電膜は、前記基板よりも熱膨張係数が高く、前記第２絶縁膜は、前記基板よりも熱膨張係数が低い請求項２記載の配線基板。
前記第２導電膜は、前記基板よりも熱膨張係数が高く、前記第２絶縁膜は、前記基板よりも熱膨張係数が低い請求項２記載の配線基板。
【請求項4】
前記基板は、ガラスからなり、前記第１導電膜及び前記第２導電膜は、共に銅を含有する請求項２または請求項３記載の配線基板。
【請求項5】
前記第１導電膜及び前記第２導電膜は、同一材料からなる請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項6】
前記第２配線構成部は、一部が前記開口とは非重畳とされて前記第１絶縁膜上に積層されており、
前記第１導電膜及び前記第１絶縁膜は、膜厚が等しい請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の配線基板。
前記第１導電膜及び前記第１絶縁膜は、膜厚が等しい請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項7】
少なくとも前記第１絶縁膜及び前記第２導電膜上に積層される第２絶縁膜であって、前記第２配線構成部の一部と重畳するよう配されるコンタクトホールを有する第２絶縁膜と、
少なくとも前記第２導電膜及び前記第２絶縁膜上に積層される第３導電膜からなり一部が前記コンタクトホールと重畳するよう配されて前記第２配線構成部に接する接続部と、を備える請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の配線基板。
少なくとも前記第２導電膜及び前記第２絶縁膜上に積層される第３導電膜からなり一部が前記コンタクトホールと重畳するよう配されて前記第２配線構成部に接する接続部と、を備える請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項8】
前記第２導電膜及び前記第２絶縁膜は、膜厚が等しい請求項７記載の配線基板。
【請求項9】
前記第１配線構成部及び前記第２配線構成部は、線幅方向について互いに部分的に非重畳となるよう配される請求項７または請求項８記載の配線基板。
【請求項10】
少なくとも前記第１絶縁膜及び前記第２導電膜上に積層される第２絶縁膜を備えており、
前記第２配線構成部は、前記第１配線構成部よりも幅狭とされる請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の配線基板。
前記第２配線構成部は、前記第１配線構成部よりも幅狭とされる請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項11】
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の配線基板と、前記配線基板に対向するよう配される対向基板と、を備える表示装置。
【請求項12】
基板上に第１導電膜を成膜し前記第１導電膜をパターニングして、前記基板の板面に沿って延在する第１配線構成部を形成する第１配線構成部形成工程と、
少なくとも前記第１導電膜上に第２導電膜を成膜し前記第２導電膜をパターニングして、前記第１配線構成部に沿って延在していて前記第１配線構成部に接することで前記第１配線構成部と共に配線を構成する第２配線構成部を形成する第２配線構成部形成工程と、を備える配線基板の製造方法。
少なくとも前記第１導電膜上に第２導電膜を成膜し前記第２導電膜をパターニングして、前記第１配線構成部に沿って延在していて前記第１配線構成部に接することで前記第１配線構成部と共に配線を構成する第２配線構成部を形成する第２配線構成部形成工程と、を備える配線基板の製造方法。
【請求項13】
前記第１配線構成部形成工程と前記第２配線構成部形成工程との間に行われる工程であって、前記基板及び前記第１導電膜上に第１絶縁膜を成膜して、前記第１配線構成部と重畳するよう配されて前記第１配線構成部に沿って延在する開口が形成されるよう前記第１絶縁膜をパターニングする第１絶縁膜形成工程を備えており、
前記第２配線構成部形成工程では、少なくとも一部が前記開口と重畳するよう配されて前記第１配線構成部に接するよう前記第２配線構成部を形成する請求項１２記載の配線基板の製造方法。
前記第２配線構成部形成工程では、少なくとも一部が前記開口と重畳するよう配されて前記第１配線構成部に接するよう前記第２配線構成部を形成する請求項１２記載の配線基板の製造方法。
【請求項14】
前記第１配線構成部形成工程では、前記基板よりも熱膨張係数が高い前記第１導電膜を成膜し、前記第１絶縁膜形成工程では、前記基板よりも熱膨張係数が低い前記第１絶縁膜を成膜する請求項１３記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書が開示する技術は、配線基板、表示装置及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、液晶表示装置の一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載の液晶表示装置は、ＴＦＴおよび配線上に透明樹脂からなる層間絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜上に下層のソース電極配線等と重なりを持つ画素電極が形成された構造を有するＴＦＴアレイにおいて、ゲート電極層上に形成されるゲート絶縁膜がアモルファスシリコン等からなる半導体層と同一パターンに形成された構造とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００６－２２７６４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上記した特許文献１に記載された液晶表示装置の製造に際しては、透明絶縁性基板上に金属膜としてクロムを成膜し、フォトリソグラフィ法により形成したレジストを用いてパターニングして、ゲート電極配線、ゲート電極及び共通配線を形成している。ところで、ゲート電極配線や共通配線などの配線に係る配線抵抗を低減するには、例えば透明絶縁性基板上に金属膜を成膜する際の膜厚を大きく設定することが考えられる。ところが、透明絶縁性基板上に膜厚が大きな金属膜を成膜すると、成膜に伴う温度上昇が過大となるため、透明絶縁性基板と金属膜との熱膨張係数の相違に起因して透明絶縁性基板に大きな応力が作用し、透明絶縁性基板に反りなどの変形が生じるおそれがあった。
【0005】
本明細書に記載の技術は、上記のような事情に基づいて完成されたものであって、配線抵抗の低減を図るとともに基板の変形を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
（１）本明細書に記載の技術に関わる配線基板は、基板と、前記基板上に積層される第１導電膜からなり前記基板の板面に沿って延在する第１配線構成部と、少なくとも前記基板上に積層される第１絶縁膜であって、前記第１配線構成部と重畳するよう配されて前記第１配線構成部に沿って延在する開口を有する第１絶縁膜と、少なくとも前記第１導電膜上に積層される第２導電膜からなり前記第１配線構成部に沿って延在していて前記第１配線構成部と共に配線を構成する第２配線構成部であって、少なくとも一部が前記開口と重畳するよう配されて前記第１配線構成部に接する第２配線構成部と、を備える。
【0007】
（２）また、上記配線基板は、上記（１）に加え、前記第１導電膜は、前記基板よりも熱膨張係数が高く、前記第１絶縁膜は、前記基板よりも熱膨張係数が低くてもよい。
【0008】
（３）また、上記配線基板は、上記（２）に加え、少なくとも前記第１絶縁膜及び前記第２導電膜上に積層される第２絶縁膜を備えており、前記第２導電膜は、前記基板よりも熱膨張係数が高く、前記第２絶縁膜は、前記基板よりも熱膨張係数が低くてもよい。
【0009】
（４）また、上記配線基板は、上記（２）または上記（３）に加え、前記基板は、ガラスからなり、前記第１導電膜及び前記第２導電膜は、共に銅を含有してもよい。
【0010】
（５）また、上記配線基板は、上記（１）から上記（４）のいずれかに加え、前記第１導電膜及び前記第２導電膜は、同一材料からなってもよい。
【0011】
（６）また、上記配線基板は、上記（１）から上記（５）のいずれかに加え、前記第２配線構成部は、一部が前記開口とは非重畳とされて前記第１絶縁膜上に積層されており、前記第１導電膜及び前記第１絶縁膜は、膜厚が等しくてもよい。
【0012】
（７）また、上記配線基板は、上記（１）から上記（６）のいずれかに加え、少なくとも前記第１絶縁膜及び前記第２導電膜上に積層される第２絶縁膜であって、前記第２配線構成部の一部と重畳するよう配されるコンタクトホールを有する第２絶縁膜と、少なくとも前記第２導電膜及び前記第２絶縁膜上に積層される第３導電膜からなり一部が前記コンタクトホールと重畳するよう配されて前記第２配線構成部に接する接続部と、を備えてもよい。
【0013】
（８）また、上記配線基板は、上記（７）に加え、前記第２導電膜及び前記第２絶縁膜は、膜厚が等しくてもよい。
【0014】
（９）また、上記配線基板は、上記（７）または上記（８）に加え、前記第１配線構成部及び前記第２配線構成部は、線幅方向について互いに部分的に非重畳となるよう配されてもよい。
【0015】
（１０）また、上記配線基板は、上記（１）から上記（９）のいずれかに加え、少なくとも前記第１絶縁膜及び前記第２導電膜上に積層される第２絶縁膜を備えており、前記第２配線構成部は、前記第１配線構成部よりも幅狭とされてもよい。
【0016】
（１１）本明細書に記載の技術に関わる表示装置は、上記（１）から上記（１０）のいずれかに記載の配線基板と、前記配線基板に対向するよう配される対向基板と、を備える。
【0017】
（１２）本明細書に記載の技術に関わる配線基板の製造方法は、基板上に第１導電膜を成膜し前記第１導電膜をパターニングして、前記基板の板面に沿って延在する第１配線構成部を形成する第１配線構成部形成工程と、少なくとも前記第１導電膜上に第２導電膜を成膜し前記第２導電膜をパターニングして、前記第１配線構成部に沿って延在していて前記第１配線構成部に接することで前記第１配線構成部と共に配線を構成する第２配線構成部を形成する第２配線構成部形成工程と、を備える。
【0018】
（１３）また、上記配線基板の製造方法は、上記（１２）に加え、前記第１配線構成部形成工程と前記第２配線構成部形成工程との間に行われる工程であって、前記基板及び前記第１導電膜上に第１絶縁膜を成膜して、前記第１配線構成部と重畳するよう配されて前記第１配線構成部に沿って延在する開口が形成されるよう前記第１絶縁膜をパターニングする第１絶縁膜形成工程を備えており、前記第２配線構成部形成工程では、少なくとも一部が前記開口と重畳するよう配されて前記第１配線構成部に接するよう前記第２配線構成部を形成してもよい。
【0019】
（１４）また、上記配線基板の製造方法は、上記（１３）に加え、前記第１配線構成部形成工程では、前記基板よりも熱膨張係数が高い前記第１導電膜を成膜し、前記第１絶縁膜形成工程では、前記基板よりも熱膨張係数が低い前記第１絶縁膜を成膜してもよい。
【発明の効果】
【0020】
本明細書に記載の技術によれば、配線抵抗の低減を図るとともに基板の変形を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【図1】実施形態１に係る液晶パネルなどを示す平面図
【図2】液晶パネルの画素の配列を示す回路図
【図3】液晶パネルを構成するアレイ基板におけるゲート配線及びソース配線の交差箇所をＹ軸方向に沿って切断した断面図
【図4】液晶パネルを構成するアレイ基板におけるゲート配線及びソース配線の交差箇所をＸ軸方向に沿って切断した断面図
【図7】実施形態２に係るアレイ基板における配線及び接続部の接続箇所をＹ軸方向に沿って切断した断面図
【図8】実施形態３に係るアレイ基板におけるゲート配線をＹ軸方向に沿って切断した断面図
【図9】実施形態４に係るアレイ基板における配線及び接続部の接続箇所をＹ軸方向に沿って切断した断面図
【図10】実施形態５に係るアレイ基板における配線及び接続部の接続箇所をＹ軸方向に沿って切断した断面図
【図11】実施形態６に係るアレイ基板におけるドレイン電極及び画素電極の接続箇所をＹ軸方向に沿って切断した断面図
【発明を実施するための形態】
【0022】
＜実施形態１＞
実施形態１を図１から図６Ｄによって説明する。本実施形態では、液晶パネル（表示装置）１０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。
実施形態１を図１から図６Ｄによって説明する。本実施形態では、液晶パネル（表示装置）１０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。
【0023】
図１は、液晶パネル１０の平面図である。本実施形態に係る液晶パネル１０は、図１に示すように、全体として平面形状が縦長の略方形状とされる。なお、液晶パネル１０の平面形状は、縦長の略方形状だけでなく、横長の略方形状や円形等の異形でもよい。この液晶パネル１０は、その短辺方向がＸ軸方向と、長辺方向がＹ軸方向と、板厚方向がＺ軸方向と、それぞれ一致している。液晶パネル１０は、バックライト装置（照明装置）から照射される照明光を利用して画像を表示することが可能とされる。液晶パネル１０は、画面の中央側部分が、画像が表示される表示領域ＡＡとされるのに対し、画面における表示領域ＡＡを取り囲む額縁状の外周側部分が、画像が表示されない非表示領域ＮＡＡとされる。なお、図１において一点鎖線により囲った範囲が表示領域ＡＡである。
【0024】
液晶パネル１０は、図１に示すように、ほぼ透明で優れた透光性を有するガラス製の一対の基板１１，１２を有する。液晶パネル１０は、一対の基板１１，１２の間に、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層を挟持した構成とされる。一対の基板１１，１２のうち、表側に配されるものが対向基板１１であり、裏側に配されるものがアレイ基板（配線基板）１２である。対向基板１１及びアレイ基板１２は、いずれもガラス基板（基板）１１ＧＳ，１２ＧＳの内面側に各種の膜が積層形成されてなるものとされる。ガラス基板１１ＧＳ，１２ＧＳは、主な材料として例えば無アルカリガラスを含む。このうちのアレイ基板１２は、長辺寸法が対向基板１１の同寸法よりも大きくされており、長辺方向についての一方の端部が対向基板１１に対して重なり合うことがなく、そこにドライバ（接続部品）１３及びフレキシブル基板（接続部品）１４が実装されている。ドライバ１３は、内部に駆動回路を有するＬＳＩチップからなり、アレイ基板１２の実装領域に対してＣＯＧ（Chip On Glass）実装されており、フレキシブル基板１４によって伝送される各種信号を処理する。フレキシブル基板１４は、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂等）からなる基材上に多数本の配線パターン（図示せず）を形成した構成とされ、一端側がアレイ基板１２に、他端側が外部のコントロール基板（信号供給源）に、それぞれ接続されている。コントロール基板から供給される各種信号は、フレキシブル基板１４を介して液晶パネル１０に伝送される。
【0025】
図２は、アレイ基板１２の表示領域ＡＡにおける画素配列を示す回路図である。アレイ基板１２の表示領域ＡＡにおける内面側には、図２に示すように、格子状をなす多数本ずつのゲート配線（走査配線）１５及びソース配線（画像配線）１６が配設されており、それぞれの交差部位付近にＴＦＴ（スイッチング素子）１７及び画素電極１８が設けられている。ゲート配線１５は、表示領域ＡＡを横断する形で概ねＸ軸方向に沿って延在して各ＴＦＴ１７のゲート電極１７Ａに接続されるのに対し、ソース配線１６は、表示領域ＡＡを縦断する形で概ねＹ軸方向に沿って延在して各ＴＦＴ１７のソース電極１７Ｂに接続される。ゲート配線１５は、Ｙ軸方向に沿って複数が間隔を空けて並んで配されるのに対し、ソース配線１６は、Ｘ軸方向に沿って複数が間隔を空けて配される。ＴＦＴ１７及び画素電極１８は、複数個ずつＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って規則的に並んでマトリクス状（行列状）に平面配置されており、ＴＦＴ１７のドレイン電極（画素接続部）１７Ｃに画素電極１８が接続されている。ＴＦＴ１７は、ソース電極１７Ｂとドレイン電極１７Ｃとに接続されるチャネル部１７Ｄを有する。そして、ＴＦＴ１７は、ゲート配線１５に供給される走査信号に基づいて駆動され、それに伴ってソース配線１６に供給される画像信号（データ信号）に基づいた電位が画素電極１８に充電される。また、対向基板１１の表示領域ＡＡにおける内面側には、各画素電極１８と重畳する形で配されて赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）を呈する３色のカラーフィルタが設けられるとともに隣り合うカラーフィルタ間を仕切る遮光部（ブラックマトリクス）などが設けられている。また、赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）に加えて、黄色（Ｙ）や白色（Ｗ）を含む４色のカラーフィルタが設けられる場合もある。
【0026】
図３及び図４は、いずれもアレイ基板１２におけるゲート配線１５及びソース配線１６の交差箇所の断面図である。図３は、ソース配線１６の延在方向（Ｙ軸方向）に沿う断面図であるのに対し、図４は、ゲート配線１５の延在方向（Ｘ軸方向）に沿う断面図である。アレイ基板１２のガラス基板（基板）１２ＧＳ上には、図３及び図４に示すように、第１金属膜（第１導電膜）Ｆ１と、第１絶縁膜Ｆ２と、第２金属膜（第２導電膜）Ｆ３と、第２絶縁膜Ｆ４と、第３金属膜（第３導電膜）Ｆ５と、第３絶縁膜Ｆ６と、第４金属膜（第４導電膜）Ｆ７と、第４絶縁膜Ｆ８と、が下層側（ガラス基板１２ＧＳ側）から順に積層されている。
【0027】
第１金属膜Ｆ１及び第２金属膜Ｆ３は、いずれも銅を含有していて同一材料とからなり、例えば純銅からなる。第１金属膜Ｆ１及び第２金属膜Ｆ３は、ゲート配線１５及びＴＦＴ１７のゲート電極１７Ａなどを構成する。従って、ゲート配線１５は、第１金属膜Ｆ１からなる第１ゲート配線構成部（第１配線構成部）１５Ａと、第２金属膜Ｆ３からなる第２ゲート配線構成部（第２配線構成部）１５Ｂと、の積層構造とされており、ゲート電極１７Ａも同様の積層構造とされる。第３金属膜Ｆ５及び第４金属膜Ｆ７は、いずれも銅を含有していて同一材料からなり、例えば純銅からなる。つまり、第３金属膜Ｆ５及び第４金属膜Ｆ７は、第１金属膜Ｆ１及び第２金属膜Ｆ３と同一材料からなる。第３金属膜Ｆ５及び第４金属膜Ｆ７は、ソース配線１６及びＴＦＴ１７のソース電極１７Ｂ及びドレイン電極１７Ｃなどを構成する。従って、ソース配線１６は、第３金属膜Ｆ５からなる第１ソース配線構成部（第１配線構成部）１６Ａと、第４金属膜Ｆ７からなる第２ソース配線構成部（第２配線構成部）１６Ｂと、の積層構造とされており、ソース電極１７Ｂ及びドレイン電極１７Ｃも同様の積層構造とされる。
【0028】
第１絶縁膜Ｆ２及び第２絶縁膜Ｆ４は、いずれも無機絶縁材料であって同一材料からなり、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる。第３絶縁膜Ｆ６及び第４絶縁膜Ｆ８は、いずれも無機絶縁材料であって同一材料からなり、例えば窒化ケイ素からなる。つまり、第３絶縁膜Ｆ６及び第４絶縁膜Ｆ８は、第１絶縁膜Ｆ２及び第２絶縁膜Ｆ４と同一材料からなる。なお、アレイ基板１２には、ＴＦＴ１７のチャネル部１７Ｄを構成する半導体膜が第２絶縁膜Ｆ４と第３金属膜Ｆ５との間に積層されている。また、アレイ基板１２には、画素電極１８を構成する透明電極膜が第４絶縁膜Ｆ８上に積層され、さらには液晶層に含まれる液晶分子を配向させるための配向膜が透明電極膜上に積層されている。
【0029】
ここで、仮に第１金属膜Ｆ１（第３金属膜Ｆ５）の膜厚と第２金属膜Ｆ３（第４金属膜Ｆ７）の膜厚とを足し合わせた大きさの膜厚の金属膜をガラス基板１２ＧＳ上に積層してその金属膜によってゲート配線１５（ソース配線１６）を構成した場合には、製造に際してガラス基板１２ＧＳ上に金属膜を成膜するのに伴う温度上昇が過大となるため、ガラス基板１２ＧＳと金属膜との熱膨張係数の相違に起因してガラス基板１２ＧＳに大きな応力が作用し、ガラス基板１２ＧＳに反りなどの変形が生じるおそれがある。ガラス基板１２ＧＳに変形が生じると、アレイ基板１２を対向基板１１に対して貼り合わせる際に位置ずれが生じるおそれがある他、アレイ基板１２の製造過程において用いられるフォトマスクに対してガラス基板１２ＧＳが位置ずれしてしまってフォトマスクのパターンが適切に転写されなくなるおそれがある。これら以外にも、ガラス基板１２ＧＳに傷が付いたり割れが生じたりする不具合が生じるおそれがあり、ガラス基板１２ＧＳを搬送装置により搬送する際に異常が生じるおそれがある。このような事態を避けるには、例えばゲート配線１５（ソース配線１６）の線幅を大きく設定することで配線抵抗の低減を図ることが考えられるものの、それでは互いに交差するゲート配線１５とソース配線１６とにより囲まれた領域により画定される画素の開口率が低下する問題が生じてしまう。
【0030】
これに対し、本実施形態に係るゲート配線１５を構成する第１ゲート配線構成部１５Ａ及び第２ゲート配線構成部１５Ｂは、図３及び図４に示すように、共に概ねＸ軸方向に沿って延在していて平面に視て互いに重畳するよう配されている。そして、第１ゲート配線構成部１５Ａを構成する第１金属膜Ｆ１の上層側で且つ第２ゲート配線構成部１５Ｂを構成する第２金属膜Ｆ３の下層側に位置する第１絶縁膜Ｆ２には、第１ゲート配線構成部１５Ａ及び第２ゲート配線構成部１５Ｂの双方に対して重畳する位置に第１開口（開口）Ｆ２Ａが形成されている。第１開口Ｆ２Ａは、第１ゲート配線構成部１５Ａ及び第２ゲート配線構成部１５Ｂに並行するよう概ねＸ軸方向に沿って延在しており、第１ゲート配線構成部１５Ａ及び第２ゲート配線構成部１５Ｂの全長・全幅にわたって重畳するよう配されている。この第１開口Ｆ２Ａは、アレイ基板１２の板面内における複数のゲート配線１５の配列と同様に、Ｙ軸方向について画素電極１８（画素）の長辺寸法分程度の間隔を空けて複数が並んで配されている。従って、第２ゲート配線構成部１５Ｂは、第１ゲート配線構成部１５Ａに対して全長・全幅にわたって第１開口Ｆ２Ａを通して接している。
【0031】
このように、第１ゲート配線構成部１５Ａを構成する第１金属膜Ｆ１の膜厚や第２ゲート配線構成部１５Ｂを構成する第２金属膜Ｆ３の膜厚は、ゲート配線１５の厚さよりも小さくなっている。その上で、第１絶縁膜Ｆ２は、第１ゲート配線構成部１５Ａに沿って延在していて第２ゲート配線構成部１５Ｂが重畳配置される第１開口Ｆ２Ａを有しているから、第１金属膜Ｆ１及び第２金属膜Ｆ３を連続して成膜してからこれらの金属膜Ｆ１，Ｆ３を一括してパターニングせずとも、第１ゲート配線構成部１５Ａ及び第２ゲート配線構成部１５Ｂの電気的な接続を図ることができる。従って、製造に際して第１金属膜Ｆ１の成膜及びパターニングと、第２金属膜Ｆ３の成膜及びパターニングと、を別途に行うことが可能となるので、ガラス基板１２ＧＳ上に第１金属膜Ｆ１を成膜するのに伴う温度上昇が抑制されるとともに、第１金属膜Ｆ１及び第１絶縁膜Ｆ２上に第２金属膜Ｆ３を成膜するのに伴う温度上昇が抑制される。その結果、ガラス基板１２ＧＳに作用する応力が緩和され、ガラス基板１２ＧＳに変形が生じ難くなる。ガラス基板１２ＧＳに変形が生じ難くなれば、アレイ基板１２を対向基板１１に対して貼り合わせる際に位置ずれが生じ難くなるので、製造される液晶パネル１０の表示品位が良好なものとなる。それ以外にも、アレイ基板１２の製造過程において用いられるフォトマスクに対してガラス基板１２ＧＳが位置ずれし難くなるから、フォトマスクのパターンが適切に転写されて良品率が向上する。また、ガラス基板１２ＧＳに傷が付いたり割れが生じたりする不具合が生じ難くなる。また、ガラス基板１２ＧＳを搬送装置により搬送する際に異常が生じ難くなる。しかも、第１ゲート配線構成部１５Ａ及び第２ゲート配線構成部１５Ｂの積層構造とされるゲート配線１５の厚さは、第１金属膜Ｆ１の膜厚と第２金属膜Ｆ３の膜厚とを足し合わせた大きさとなるから、線幅を広くしなくても配線抵抗を十分に低下させることができる。これにより、互いに交差するゲート配線１５とソース配線１６とにより囲まれた領域により画定される画素の開口率を高く保つことができる。
【0032】
同様に、本実施形態に係るソース配線１６を構成する第１ソース配線構成部１６Ａ及び第２ソース配線構成部１６Ｂは、図３及び図４に示すように、共に概ねＹ軸方向に沿って延在していて平面に視て互いに重畳するよう配されている。そして、第１ソース配線構成部１６Ａを構成する第３金属膜Ｆ５の上層側で且つ第２ソース配線構成部１６Ｂを構成する第４金属膜Ｆ７の下層側に位置する第３絶縁膜Ｆ６には、第１ソース配線構成部１６Ａ及び第２ソース配線構成部１６Ｂの双方に対して重畳する位置に第２開口（開口）Ｆ６Ａが形成されている。第２開口Ｆ６Ａは、第１ソース配線構成部１６Ａ及び第２ソース配線構成部１６Ｂに並行するよう概ねＸ軸方向に沿って延在している。第２開口Ｆ６Ａは、第１ソース配線構成部１６Ａ及び第２ソース配線構成部１６Ｂに並行するよう概ねＹ軸方向に沿って延在しており、第１ソース配線構成部１６Ａ及び第２ソース配線構成部１６Ｂの全長・全幅にわたって重畳するよう配されている。この第２開口Ｆ６Ａは、アレイ基板１２の板面内における複数のソース配線１６の配列と同様に、Ｘ軸方向について画素電極１８（画素）の短辺寸法分程度の間隔を空けて複数が並んで配されている。従って、第２ソース配線構成部１６Ｂは、第１ソース配線構成部１６Ａに対して全長・全幅にわたって第２開口Ｆ６Ａを通して接している。
【0033】
このように、第１ソース配線構成部１６Ａを構成する第３金属膜Ｆ５の膜厚や第２ソース配線構成部１６Ｂを構成する第４金属膜Ｆ７の膜厚は、ソース配線１６の厚さよりも小さくなっている。その上で、第３絶縁膜Ｆ６は、第１ソース配線構成部１６Ａに沿って延在していて第２ソース配線構成部１６Ｂが重畳配置される第２開口Ｆ６Ａを有しているから、第３金属膜Ｆ５及び第４金属膜Ｆ７を連続して成膜してからこれらの金属膜Ｆ５，Ｆ７を一括してパターニングせずとも、第１ソース配線構成部１６Ａ及び第２ソース配線構成部１６Ｂの電気的な接続を図ることができる。従って、製造に際して第３金属膜Ｆ５の成膜及びパターニングと、第４金属膜Ｆ７の成膜及びパターニングと、を別途に行うことが可能となるので、ガラス基板１２ＧＳ上に第３金属膜Ｆ５を成膜するのに伴う温度上昇が抑制されるとともに、第３金属膜Ｆ５及び第３絶縁膜Ｆ６上に第４金属膜Ｆ７を成膜するのに伴う温度上昇が抑制される。その結果、ガラス基板１２ＧＳに作用する応力が緩和され、ガラス基板１２ＧＳに変形が生じ難くなる。しかも、第１ソース配線構成部１６Ａ及び第２ソース配線構成部１６Ｂの積層構造とされるソース配線１６の厚さは、第３金属膜Ｆ５の膜厚と第４金属膜Ｆ７の膜厚とを足し合わせた大きさとなるから、線幅を広くしなくても配線抵抗を十分に低下させることができる。
【0034】
また、ガラス基板１２ＧＳが主な材料として例えば無アルカリガラスを含むのに対し、第１金属膜Ｆ１及び第２金属膜Ｆ３は、同じ純銅からなり、さらには第１絶縁膜Ｆ２及び第２絶縁膜Ｆ４は、同じ窒化ケイ素からなる。無アルカリガラスの熱膨張係数は、３．１７～３．８×１０－６／℃程度であり、純銅の熱膨張係数は、１６．８×１０－６／℃程度であり、窒化ケイ素の熱膨張係数は、２．４～２．９×１０－６／℃程度である。従って、第１金属膜Ｆ１及び第２金属膜Ｆ３は、ガラス基板１２ＧＳよりも熱膨張係数が高く、第１絶縁膜Ｆ２及び第２絶縁膜Ｆ４は、ガラス基板１２ＧＳよりも熱膨張係数が低い。このようにすれば、第１金属膜Ｆ１からなる第１ゲート配線構成部１５Ａとガラス基板１２ＧＳとの熱膨張係数が相違することに起因してガラス基板１２ＧＳに作用する応力と、第１絶縁膜Ｆ２とガラス基板１２ＧＳとの熱膨張係数が相違することに起因してガラス基板１２ＧＳに作用する応力と、が逆向きの関係となる。これにより、ガラス基板１２ＧＳに残留し得る応力がより低減されるので、ガラス基板１２ＧＳに変形がより生じ難くなる。同様に、第２金属膜Ｆ３からなる第２ゲート配線構成部１５Ｂとガラス基板１２ＧＳとの熱膨張係数が相違することに起因してガラス基板１２ＧＳに作用する応力と、第２絶縁膜Ｆ４とガラス基板１２ＧＳとの熱膨張係数が相違することに起因してガラス基板１２ＧＳに作用する応力と、が逆向きの関係となる。これにより、ガラス基板１２ＧＳに残留し得る応力がさらに低減されるので、ガラス基板１２ＧＳに変形がさらに生じ難くなる。特に、ガラス基板１２ＧＳの熱膨張係数と、第１金属膜Ｆ１及び第２金属膜Ｆ３の熱膨張係数と、が大きく相違しているものの、上記のようにしてガラス基板１２ＧＳに残留し得る応力が十分に低減されるので、ガラス基板１２ＧＳに変形が生じ難くなっている。
【0035】
また、第１金属膜Ｆ１及び第２金属膜Ｆ３は、同一材料からなるので、互いに接する第１ゲート配線構成部１５Ａ及び第２ゲート配線構成部１５Ｂにより構成されるゲート配線１５を、擬似的に膜厚が大きな金属膜により構成されている、と見なすことが可能となる。従って、仮に第１金属膜と第２金属膜とが異なる材料からなる場合に比べると、ゲート配線１５に係る配線抵抗を低減する上で好適となる。しかも、第１金属膜Ｆ１及び第２金属膜Ｆ３を成膜などする際の生産条件や生産設備を共通化することができるとともに、第１金属膜Ｆ１及び第２金属膜Ｆ３の材料費が低減される。このような作用及び効果は、同一材料からなる第３金属膜Ｆ５及び第４金属膜Ｆ７に関しても同様である。また、第１絶縁膜Ｆ２及び第２絶縁膜Ｆ４が同一材料からなるので、第１絶縁膜Ｆ２及び第２絶縁膜Ｆ４を成膜などする際の生産条件や生産設備を共通化することができるとともに、第１絶縁膜Ｆ２及び第２絶縁膜Ｆ４の材料費が低減される。このような作用及び効果は、同一材料からなる第３絶縁膜Ｆ６及び第４絶縁膜Ｆ８に関しても同様である。
【0036】
ところで、第１ゲート配線構成部１５Ａ及び第２ゲート配線構成部１５Ｂは、図３及び図４に示すように、いずれも延在方向と直交する切断面に係る断面形状が略台形状をなしており、上底の幅寸法が下底の幅寸法よりもそれぞれ小さい。なお、第１ゲート配線構成部１５Ａ及び第２ゲート配線構成部１５Ｂは、上底の幅寸法がほぼ同一であるとともに下底の幅寸法がほぼ同一である。第１ゲート配線構成部１５Ａ及び第２ゲート配線構成部１５Ｂがこのような断面形状とされる理由は、製造過程においてベタ状をなす第１金属膜Ｆ１及び第２金属膜Ｆ３を選択的にエッチングすることで、第１ゲート配線構成部１５Ａ及び第２ゲート配線構成部１５Ｂを形成しているためである。これに対し、第１絶縁膜Ｆ２は、第１開口Ｆ２Ａの断面形状が、第１ゲート配線構成部１５Ａの断面形状とほぼ同一とされており、第１開口Ｆ２Ａの上底の幅寸法が第１ゲート配線構成部１５Ａの上底の幅寸法とほぼ同一であり、第１開口Ｆ２Ａの下底の幅寸法が第１ゲート配線構成部１５Ａの下底の幅寸法とほぼ同一である。従って、第２ゲート配線構成部１５Ｂは、線幅方向の両側縁が、第１絶縁膜Ｆ２の第１開口Ｆ２Ａの開口縁上に積層されていて第１開口Ｆ２Ａとは非重畳の位置関係となる。その上で、第１金属膜Ｆ１及び第１絶縁膜Ｆ２は、膜厚が等しくされているので、第２ゲート配線構成部１５Ｂのうち、第１開口Ｆ２Ａと重畳するよう配されて第１ゲート配線構成部１５Ａに接する部分と、第１開口Ｆ２Ａとは非重畳とされて第１絶縁膜Ｆ２上に積層される部分と、の間に段差が生じるのが避けられている。これにより、第２ゲート配線構成部１５Ｂのカバレッジが良好なものとなる。なお、ソース配線１６を構成する第１ソース配線構成部１６Ａ及び第２ソース配線構成部１６Ｂの各断面形状は、上記したゲート配線１５と同様であり、第３絶縁膜Ｆ６の第２開口Ｆ６Ａの断面形状は、上記した第１絶縁膜Ｆ２の第１開口Ｆ２Ａの断面形状と同様であり、第２ソース配線構成部１６Ｂは、線幅方向の両側縁が、第３絶縁膜Ｆ６の第２開口Ｆ６Ａの開口縁上に積層されていて第２開口Ｆ６Ａとは非重畳の位置関係となっている。その上で、第３金属膜Ｆ５及び第３絶縁膜Ｆ６は、膜厚が等しくされているので、第２ソース配線構成部１６Ｂのカバレッジが良好なものとなる効果が得られている。
【0037】
本実施形態に係る液晶パネル１０は以上のような構造であり、続いて液晶パネル１０を構成するアレイ基板１２の製造方法について説明する。アレイ基板１２の製造方法は、第１ゲート配線構成部１５Ａを形成する第１ゲート配線構成部形成工程（第１配線構成部形成工程）と、第１絶縁膜Ｆ２を成膜してパターニングする第１絶縁膜形成工程と、第２ゲート配線構成部１５Ｂを形成する第２ゲート配線構成部形成工程（第２配線構成部形成工程）と、第２絶縁膜Ｆ４を少なくとも成膜する第２絶縁膜形成工程と、第１ソース配線構成部１６Ａを形成する第１ソース配線構成部形成工程と、第３絶縁膜Ｆ６を成膜してパターニングする第３絶縁膜形成工程と、第２ソース配線構成部１６Ｂを形成する第２ソース配線構成部形成工程と、第４絶縁膜Ｆ８を少なくとも成膜する第４絶縁膜形成工程と、を少なくとも含む。各工程について図５Ａから図６Ｄを用いて順次に説明する。
【0038】
第１ゲート配線構成部形成工程では、図５Ａに示すように、ガラス基板１２ＧＳ上にベタ状の第１金属膜Ｆ１を成膜する。成膜された第１金属膜Ｆ１上に感光性材料からなるレジスト膜Ｒ１を塗布し、そのレジスト膜Ｒ１を、フォトマスクを介して露光してから現像することで、図５Ｂに示すように、レジスト膜Ｒ１をパターニングする。そして、パターニングされたレジスト膜Ｒ１を介して第１金属膜Ｆ１をエッチングすることで、第１金属膜Ｆ１がパターニングされ、図５Ｃに示すように、第１ゲート配線構成部１５Ａが形成される。このとき、ＴＦＴ１７のゲート電極１７Ａなども形成されている。
【0039】
第１絶縁膜形成工程では、図５Ｄに示すように、ガラス基板１２ＧＳ及び第１金属膜Ｆ１上にベタ状の第１絶縁膜Ｆ２を成膜する。成膜された第１絶縁膜Ｆ２上に感光性材料からなるレジスト膜を塗布し、そのレジスト膜を、フォトマスクを介して露光してから現像することで、レジスト膜をパターニングする。そして、パターニングされたレジスト膜を介して第１絶縁膜Ｆ２をエッチングすることで、第１絶縁膜Ｆ２がパターニングされ、図５Ｅに示すように、第１開口Ｆ２Ａが形成される。形成された第１開口Ｆ２Ａは、第１ゲート配線構成部１５Ａに沿って延在している。第１絶縁膜Ｆ２のパターニングに際しては、第１絶縁膜Ｆ２のうちの第１金属膜Ｆ１からなる第１ゲート配線構成部１５Ａ上に乗り上げた部分が選択的に除去されている。これにより、第１ゲート配線構成部１５Ａ及び第１絶縁膜Ｆ２の上面同士が殆ど継ぎ目無く連続した１つの平面を構成する。
【0040】
第２ゲート配線構成部形成工程では、図６Ａに示すように、第１金属膜Ｆ１及び第１絶縁膜Ｆ２上にベタ状の第２金属膜Ｆ３を成膜する。成膜された第２金属膜Ｆ３のうちの第１絶縁膜Ｆ２の第１開口Ｆ２Ａに対して重畳する部分が第１金属膜Ｆ１からなる第１ゲート配線構成部１５Ａに接する。成膜された第２金属膜Ｆ３上に感光性材料からなるレジスト膜Ｒ２を塗布し、そのレジスト膜Ｒ２を、フォトマスクを介して露光してから現像することで、図６Ｂに示すように、レジスト膜Ｒ２をパターニングする。そして、パターニングされたレジスト膜Ｒ２を介して第２金属膜Ｆ３をエッチングすることで、第２金属膜Ｆ３がパターニングされ、図６Ｃに示すように、第２ゲート配線構成部１５Ｂが形成される。このとき、ＴＦＴ１７のソース電極１７Ｂ及びドレイン電極１７Ｃなども形成されている。形成された第２ゲート配線構成部１５Ｂは、第１ゲート配線構成部１５Ａに沿って延在していて第１開口Ｆ２Ａを通して第１ゲート配線構成部１５Ａに対して全長・全幅にわたって接している。これにより、第１ゲート配線構成部１５Ａ及び第２ゲート配線構成部１５Ｂの積層構造とされるゲート配線１５が形成される。
【0041】
第２絶縁膜形成工程では、図６Ｄに示すように、第１絶縁膜Ｆ２及び第２金属膜Ｆ３上にベタ状の第２絶縁膜Ｆ４を成膜する。成膜された第２絶縁膜Ｆ４にコンタクトホールなどを開口形成する必要がある場合には、第２絶縁膜Ｆ４上にレジスト膜を塗布し、そのレジスト膜を露光・現像してパターニングした後に、レジスト膜を介して第２絶縁膜Ｆ４をエッチングする。第２絶縁膜Ｆ４にコンタクトホールなどを開口形成する必要がない場合は、上記のような第２絶縁膜Ｆ４のパターニングを行うことがない。
【0042】
第１ソース配線構成部形成工程では、第２絶縁膜Ｆ４上に第３金属膜Ｆ５を成膜し、第１ゲート配線構成部形成工程と同様にして第３金属膜Ｆ５をパターニングすることで、第１ソース配線構成部１６Ａを形成する（図４を参照）。第３絶縁膜形成工程では、第２絶縁膜Ｆ４及び第３金属膜Ｆ５上に第３絶縁膜Ｆ６を成膜し、第１絶縁膜形成工程と同様にして第３絶縁膜Ｆ６をパターニングすることで、第１ソース配線構成部１６Ａに沿って延在する第２開口Ｆ６Ａを形成する。第２ソース配線構成部形成工程では、第３金属膜Ｆ５及び第３絶縁膜Ｆ６上に第４金属膜Ｆ７を成膜し、第２ゲート配線構成部形成工程と同様にして第４金属膜Ｆ７をパターニングすることで、第１ソース配線構成部１６Ａに沿って延在する第２ソース配線構成部１６Ｂを形成する。形成された第２ソース配線構成部１６Ｂは、第２開口Ｆ６Ａを通して第１ソース配線構成部１６Ａに対して全長・全幅にわたって接している。これにより、第１ソース配線構成部１６Ａ及び第２ソース配線構成部１６Ｂの積層構造とされるソース配線１６が形成される。第４絶縁膜形成工程では、第３絶縁膜Ｆ６及び第４金属膜Ｆ７上に第２絶縁膜形成工程と同様にして第４絶縁膜Ｆ８を成膜する。
【0043】
以上のようにして形成されたゲート配線１５は、第１ゲート配線構成部１５Ａ及び第２ゲート配線構成部１５Ｂの積層構造とされているから、第１ゲート配線構成部形成工程にて成膜される第１金属膜Ｆ１の膜厚と、第２ゲート配線構成部形成工程にて成膜される第２金属膜Ｆ３の膜厚と、がいずれもゲート配線１５の厚さよりも小さくなっている。従って、第１ゲート配線構成部形成工程においてガラス基板１２ＧＳ上に第１金属膜Ｆ１を成膜するのに伴う温度上昇が抑制されるとともに、第２ゲート配線構成部形成工程において第１金属膜Ｆ１及び第１絶縁膜Ｆ２上に第２金属膜Ｆ３を成膜するのに伴う温度上昇が抑制されるようになっている。その結果、ガラス基板１２ＧＳに作用する応力が緩和され、ガラス基板１２ＧＳに変形が生じ難くなっている。
【0044】
しかも、第１ゲート配線構成部形成工程と第２ゲート配線構成部形成工程との間に行われる第１絶縁膜形成工程では、第１ゲート配線構成部１５Ａに沿って延在していて第２ゲート配線構成部１５Ｂが重畳配置される第１開口Ｆ２Ａを形成しているから、第１金属膜Ｆ１及び第２金属膜Ｆ３を連続して成膜してからこれらの金属膜Ｆ１，Ｆ３を一括してパターニングせずとも、第１ゲート配線構成部１５Ａ及び第２ゲート配線構成部１５Ｂの電気的な接続を図ることができる。従って、第１ゲート配線構成部形成工程と第２ゲート配線構成部形成工程とを別途に行うことができるので、ガラス基板１２ＧＳ上に第１金属膜Ｆ１を成膜するのに伴う温度上昇が抑制されるとともに、第１金属膜Ｆ１及び第１絶縁膜Ｆ２上に第２金属膜Ｆ３を成膜するのに伴う温度上昇が抑制される。その結果、ガラス基板１２ＧＳに作用する応力が緩和され、ガラス基板１２ＧＳに変形が生じ難くなる。
【0045】
さらには、第１ゲート配線構成部形成工程では、ガラス基板１２ＧＳよりも熱膨張係数が高い第１金属膜Ｆ１を成膜し、第１絶縁膜形成工程では、ガラス基板１２ＧＳよりも熱膨張係数が低い第１絶縁膜Ｆ２を成膜しているから、第１ゲート配線構成部形成工程において第１金属膜Ｆ１とガラス基板１２ＧＳとの熱膨張係数が相違することに起因してガラス基板１２ＧＳに作用する応力と、第１絶縁膜形成工程において第１絶縁膜Ｆ２とガラス基板１２ＧＳとの熱膨張係数が相違することに起因してガラス基板１２ＧＳに作用する応力と、が逆向きの関係となる。これにより、ガラス基板１２ＧＳに残留し得る応力がより低減されるので、ガラス基板１２ＧＳに変形がより生じ難くなる。
【0046】
以上説明したように本実施形態のアレイ基板（配線基板）１２は、ガラス基板（基板）１２ＧＳと、ガラス基板１２ＧＳ上に積層される第１金属膜（第１導電膜）Ｆ１からなりガラス基板１２ＧＳの板面に沿って延在する第１ゲート配線構成部（第１配線構成部）１５Ａと、少なくともガラス基板１２ＧＳ上に積層される第１絶縁膜Ｆ２であって、第１ゲート配線構成部１５Ａと重畳するよう配されて第１ゲート配線構成部１５Ａに沿って延在する第１開口（開口）Ｆ２Ａを有する第１絶縁膜Ｆ２と、少なくとも第１金属膜Ｆ１上に積層される第２金属膜（第２導電膜）Ｆ３からなり第１ゲート配線構成部１５Ａに沿って延在していて第１ゲート配線構成部１５Ａと共にゲート配線（配線）１５を構成する第２ゲート配線構成部（第２配線構成部）１５Ｂであって、少なくとも一部が第１開口Ｆ２Ａと重畳するよう配されて第１ゲート配線構成部１５Ａに接する第２ゲート配線構成部１５Ｂと、を備える。
【0047】
このようにすれば、ガラス基板１２ＧＳ上に積層される第１金属膜Ｆ１からなりガラス基板１２ＧＳの板面に沿って延在する第１ゲート配線構成部１５Ａと、少なくとも第１金属膜Ｆ１上に積層される第２金属膜Ｆ３からなり第１ゲート配線構成部１５Ａに沿って延在する第２ゲート配線構成部１５Ｂと、によりゲート配線１５が構成される。第２ゲート配線構成部１５Ｂは、少なくともガラス基板１２ＧＳ上に積層される第１絶縁膜Ｆ２において第１ゲート配線構成部１５Ａに沿って延在する第１開口Ｆ２Ａに対して少なくとも一部が重畳するよう配されているので、第１開口Ｆ２Ａを通して第１ゲート配線構成部１５Ａに接することで第１ゲート配線構成部１５Ａとの電気的な接続が図られる。このような構成のゲート配線１５の厚さは、第１金属膜Ｆ１の膜厚と第２金属膜Ｆ３の膜厚とを足し合わせた大きさとなるから、線幅を広くしなくても配線抵抗を十分に低下させることができる。
【0048】
ここで、仮に第１金属膜Ｆ１の膜厚と第２金属膜Ｆ３の膜厚とを足し合わせた大きさの膜厚の金属膜（導電膜）をガラス基板１２ＧＳ上に積層してその金属膜によってゲート配線１５を構成した場合には、製造に際してガラス基板１２ＧＳ上に金属膜を成膜するのに伴う温度上昇が過大となるため、ガラス基板１２ＧＳと金属膜との熱膨張係数の相違に起因してガラス基板１２ＧＳに大きな応力が作用し、ガラス基板１２ＧＳに変形が生じるおそれがある。
【0049】
その点、ゲート配線１５は、第１金属膜Ｆ１からなる第１ゲート配線構成部１５Ａと、第２金属膜Ｆ３からなる第２ゲート配線構成部１５Ｂと、により構成されており、第１金属膜Ｆ１及び第２金属膜Ｆ３の各膜厚がゲート配線１５の厚さよりも小さくなっている。その上で、第１絶縁膜Ｆ２は、第１ゲート配線構成部１５Ａに沿って延在していて第２ゲート配線構成部１５Ｂが重畳配置される第１開口Ｆ２Ａを有しているから、第１金属膜Ｆ１及び第２金属膜Ｆ３を連続して成膜してからこれらの金属膜Ｆ１，Ｆ３を一括してパターニングせずとも、第１ゲート配線構成部１５Ａ及び第２ゲート配線構成部１５Ｂの電気的な接続を図ることができる。従って、製造に際して第１金属膜Ｆ１の成膜及びパターニングと、第２金属膜Ｆ３の成膜及びパターニングと、を別途に行うことが可能となるので、ガラス基板１２ＧＳ上に第１金属膜Ｆ１を成膜するのに伴う温度上昇が抑制されるとともに、少なくとも第１金属膜Ｆ１上に第２金属膜Ｆ３を成膜するのに伴う温度上昇が抑制される。その結果、ガラス基板１２ＧＳに作用する応力が緩和され、ガラス基板１２ＧＳに変形が生じ難くなる。
【0050】
また、第１金属膜Ｆ１は、ガラス基板１２ＧＳよりも熱膨張係数が高く、第１絶縁膜Ｆ２は、ガラス基板１２ＧＳよりも熱膨張係数が低い。このようにすれば、第１金属膜Ｆ１からなる第１ゲート配線構成部１５Ａとガラス基板１２ＧＳとの熱膨張係数が相違することに起因してガラス基板１２ＧＳに作用する応力と、第１絶縁膜Ｆ２とガラス基板１２ＧＳとの熱膨張係数が相違することに起因してガラス基板１２ＧＳに作用する応力と、が逆向きの関係となる。これにより、ガラス基板１２ＧＳに残留し得る応力がより低減されるので、ガラス基板１２ＧＳに変形がより生じ難くなる。
【0051】
また、少なくとも第１絶縁膜Ｆ２及び第２金属膜Ｆ３上に積層される第２絶縁膜Ｆ４を備えており、第２金属膜Ｆ３は、ガラス基板１２ＧＳよりも熱膨張係数が高く、第２絶縁膜Ｆ４は、ガラス基板１２ＧＳよりも熱膨張係数が低い。このようにすれば、第２金属膜Ｆ３からなる第２ゲート配線構成部１５Ｂとガラス基板１２ＧＳとの熱膨張係数が相違することに起因してガラス基板１２ＧＳに作用する応力と、第２絶縁膜Ｆ４とガラス基板１２ＧＳとの熱膨張係数が相違することに起因してガラス基板１２ＧＳに作用する応力と、が逆向きの関係となる。これにより、ガラス基板１２ＧＳに残留し得る応力がさらに低減されるので、ガラス基板１２ＧＳに変形がさらに生じ難くなる。
【0052】
また、ガラス基板１２ＧＳは、ガラスからなり、第１金属膜Ｆ１及び第２金属膜Ｆ３は、共に銅を含有する。このようにすれば、ガラスからなるガラス基板１２ＧＳの熱膨張係数と、共に銅を含有する第１金属膜Ｆ１及び第２金属膜Ｆ３の熱膨張係数と、が大きく相違するものの、第１ゲート配線構成部１５Ａ及び第１絶縁膜Ｆ２からガラス基板１２ＧＳに作用する応力が逆向きの関係となることで、ガラス基板１２ＧＳに残留し得る応力が十分に低減され、それによりガラス基板１２ＧＳに変形が生じ難くなっている。
【0053】
また、第１金属膜Ｆ１及び第２金属膜Ｆ３は、同一材料からなる。このようにすれば、互いに接する第１ゲート配線構成部１５Ａ及び第２ゲート配線構成部１５Ｂにより構成されるゲート配線１５を、擬似的に膜厚が大きな金属膜（導電膜）により構成されている、と見なすことが可能となる。これにより、ゲート配線１５に係る配線抵抗を低減する上でより好適となる。第１金属膜Ｆ１及び第２金属膜Ｆ３を成膜などする際の生産条件や生産設備を共通化することができる。また、第１金属膜Ｆ１及び第２金属膜Ｆ３の材料費が低減される。
【0054】
また、第２ゲート配線構成部１５Ｂは、一部が第１開口Ｆ２Ａとは非重畳とされて第１絶縁膜Ｆ２上に積層されており、第１金属膜Ｆ１及び第１絶縁膜Ｆ２は、膜厚が等しい。このようにすれば、第２ゲート配線構成部１５Ｂのうち、第１開口Ｆ２Ａと重畳するよう配されて第１ゲート配線構成部１５Ａに接する部分と、第１開口Ｆ２Ａとは非重畳とされて第１絶縁膜Ｆ２上に積層される部分と、の間に段差が生じるのが避けられる。これにより、第２ゲート配線構成部１５Ｂのカバレッジが良好なものとなる。
【0055】
本実施形態の液晶パネル（表示装置）１０は、上記記載のアレイ基板１２と、アレイ基板１２に対向するよう配される対向基板１１と、を備える。このような液晶パネル１０によれば、アレイ基板１２を構成するガラス基板１２ＧＳに変形が生じ難くなっているから、アレイ基板１２に対する対向基板１１の位置関係が適正化され易くなる。これにより、表示品位が良好なものとなる。
【0056】
本実施形態のアレイ基板１２の製造方法は、ガラス基板１２ＧＳ上に第１金属膜Ｆ１を成膜し第１金属膜Ｆ１をパターニングして、ガラス基板１２ＧＳの板面に沿って延在する第１ゲート配線構成部１５Ａを形成する第１ゲート配線構成部形成工程（第１配線構成部形成工程）と、少なくとも第１金属膜Ｆ１上に第２金属膜Ｆ３を成膜し第２金属膜Ｆ３をパターニングして、第１ゲート配線構成部１５Ａに沿って延在していて第１ゲート配線構成部１５Ａに接することで第１ゲート配線構成部１５Ａと共にゲート配線１５を構成する第２ゲート配線構成部１５Ｂを形成する第２ゲート配線構成部形成工程（第２配線構成部形成工程）と、を備える。
【0057】
このようにすれば、第１ゲート配線構成部形成工程が行われると、ガラス基板１２ＧＳ上に第１金属膜Ｆ１が成膜され、その第１金属膜Ｆ１がパターニングされることで、ガラス基板１２ＧＳの板面に沿って延在する第１ゲート配線構成部１５Ａが形成される。第２ゲート配線構成部形成工程が行われると、少なくとも第１金属膜Ｆ１上に第２金属膜Ｆ３が成膜され、その第２金属膜Ｆ３がパターニングされることで、第１ゲート配線構成部１５Ａに沿って延在する第２ゲート配線構成部１５Ｂが形成される。これら第１ゲート配線構成部１５Ａ及び第２ゲート配線構成部１５Ｂが互いに接することでゲート配線１５が構成される。このような構成のゲート配線１５の厚さは、第１金属膜Ｆ１の膜厚と第２金属膜Ｆ３の膜厚とを足し合わせた大きさとなるから、線幅を広くしなくても配線抵抗を十分に低下させることができる。
【0058】
ここで、仮に第１金属膜Ｆ１の膜厚と第２金属膜Ｆ３の膜厚とを足し合わせた大きさの膜厚の金属膜をガラス基板１２ＧＳ上に積層してその金属膜によってゲート配線１５を構成した場合には、製造に際してガラス基板１２ＧＳ上に金属膜を成膜するのに伴う温度上昇が過大となるため、ガラス基板１２ＧＳと金属膜との熱膨張係数の相違に起因してガラス基板１２ＧＳに大きな応力が作用し、ガラス基板１２ＧＳに変形が生じるおそれがある。
【0059】
その点、ゲート配線１５は、第１ゲート配線構成部形成工程にて第１金属膜Ｆ１をパターニングして形成される第１ゲート配線構成部１５Ａと、第２ゲート配線構成部形成工程にて第２金属膜Ｆ３をパターニングして形成される第２ゲート配線構成部１５Ｂと、により構成されているから、第１金属膜Ｆ１及び第２金属膜Ｆ３の各膜厚がゲート配線１５の厚さよりも小さくなっている。従って、第１ゲート配線構成部形成工程においてガラス基板１２ＧＳ上に第１金属膜Ｆ１を成膜するのに伴う温度上昇が抑制されるとともに、第２ゲート配線構成部形成工程において少なくとも第１金属膜Ｆ１上に第２金属膜Ｆ３を成膜するのに伴う温度上昇が抑制され、その結果ガラス基板１２ＧＳに作用する応力が緩和され、ガラス基板１２ＧＳに変形が生じ難くなる。
【0060】
また、第１ゲート配線構成部形成工程と第２ゲート配線構成部形成工程との間に行われる工程であって、ガラス基板１２ＧＳ及び第１金属膜Ｆ１上に第１絶縁膜Ｆ２を成膜して、第１ゲート配線構成部１５Ａと重畳するよう配されて第１ゲート配線構成部１５Ａに沿って延在する第１開口Ｆ２Ａが形成されるよう第１絶縁膜Ｆ２をパターニングする第１絶縁膜形成工程を備えており、第２ゲート配線構成部形成工程では、少なくとも一部が第１開口Ｆ２Ａと重畳するよう配されて第１ゲート配線構成部１５Ａに接するよう第２ゲート配線構成部１５Ｂを形成する。このようにすれば、第１ゲート配線構成部形成工程が行われた後に第１絶縁膜形成工程が行われると、ガラス基板１２ＧＳ及び第１金属膜Ｆ１上に第１絶縁膜Ｆ２が成膜され、その第１絶縁膜Ｆ２がパターニングされることで、第１ゲート配線構成部１５Ａに沿って延在する第１開口Ｆ２Ａが形成される。その後、第２ゲート配線構成部形成工程が行われ、第２金属膜Ｆ３がパターニングされると、第１開口Ｆ２Ａに対して少なくとも一部が重畳するよう配される第２ゲート配線構成部１５Ｂが形成される。第２ゲート配線構成部１５Ｂは、第１開口Ｆ２Ａを通して第１ゲート配線構成部１５Ａに接することで第１ゲート配線構成部１５Ａとの電気的な接続が図られる。このように、第１ゲート配線構成部形成工程と第２ゲート配線構成部形成工程との間に行われる第１絶縁膜形成工程では、第１ゲート配線構成部１５Ａに沿って延在していて第２ゲート配線構成部１５Ｂが重畳配置される第１開口Ｆ２Ａを形成しているから、第１金属膜Ｆ１及び第２金属膜Ｆ３を連続して成膜してからこれらの金属膜Ｆ１，Ｆ３を一括してパターニングせずとも、第１ゲート配線構成部１５Ａ及び第２ゲート配線構成部１５Ｂの電気的な接続を図ることができる。従って、第１ゲート配線構成部形成工程と第２ゲート配線構成部形成工程とを別途に行うことができるので、ガラス基板１２ＧＳ上に第１金属膜Ｆ１を成膜するのに伴う温度上昇が抑制されるとともに、第１金属膜Ｆ１及び第１絶縁膜Ｆ２上に第２金属膜Ｆ３を成膜するのに伴う温度上昇が抑制される。その結果、ガラス基板１２ＧＳに作用する応力が緩和され、ガラス基板１２ＧＳに変形が生じ難くなる。
【0061】
また、第１ゲート配線構成部形成工程では、ガラス基板１２ＧＳよりも熱膨張係数が高い第１金属膜Ｆ１を成膜し、第１絶縁膜形成工程では、ガラス基板１２ＧＳよりも熱膨張係数が低い第１絶縁膜Ｆ２を成膜する。このようにすれば、第１ゲート配線構成部形成工程において第１金属膜Ｆ１とガラス基板１２ＧＳとの熱膨張係数が相違することに起因してガラス基板１２ＧＳに作用する応力と、第１絶縁膜形成工程において第１絶縁膜Ｆ２とガラス基板１２ＧＳとの熱膨張係数が相違することに起因してガラス基板１２ＧＳに作用する応力と、が逆向きの関係となる。これにより、ガラス基板１２ＧＳに残留し得る応力がより低減されるので、ガラス基板１２ＧＳに変形がより生じ難くなる。
【0062】
＜実施形態２＞
実施形態２を図７によって説明する。この実施形態２では、アレイ基板１１２に備わる配線１９に対して接続部２０が接続される構成を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
実施形態２を図７によって説明する。この実施形態２では、アレイ基板１１２に備わる配線１９に対して接続部２０が接続される構成を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【0063】
本実施形態に係るアレイ基板１１２には、図７に示すように、下層側に配される配線１９と、配線１９よりも上層側に配されていて配線１９に接続される接続部２０と、が設けられている。配線１９は、概ねＸ軸方向に沿って延在しており、第１金属膜Ｆ１０１からなる第１配線構成部１９Ａと、第２金属膜Ｆ１０３からなる第２配線構成部１９Ｂと、の積層構造とされる。第１配線構成部１９Ａ及び第２配線構成部１９Ｂは、互いに全長・全幅にわたって重畳するとともに互いに並行する形で延在している。第１金属膜Ｆ１０１と第２金属膜Ｆ１０３との間に介在する第１絶縁膜Ｆ１０２には、第１配線構成部１９Ａ及び第２配線構成部１９Ｂに対して重畳する位置に第１開口Ｆ１０２Ａが形成されている。この第１開口Ｆ１０２Ａは、第１配線構成部１９Ａ及び第２配線構成部１９Ｂに沿って延在しており、第１開口Ｆ１０２Ａを通して第２配線構成部１９Ｂが全長・全幅にわたって第１配線構成部１９Ａに接している。
【0064】
接続部２０は、配線１９と交差するよう概ねＹ軸方向に沿って延在しており、第３金属膜Ｆ１０５からなる。第２金属膜Ｆ１０３と第３金属膜Ｆ１０５との間に介在する第２絶縁膜Ｆ１０４には、第２配線構成部１９Ｂ及び接続部２０の一部ずつに対して重畳する位置にコンタクトホールＦ１０４Ａが形成されている。コンタクトホールＦ１０４Ａは、第２配線構成部１９Ｂ及び接続部２０の各全幅にわたって重畳するものの第２配線構成部１９Ｂ及び接続部２０の各延在方向については部分的に重畳するような開口範囲とされる。接続部２０は、延在方向についての一部がコンタクトホールＦ１０４Ａを通して第２配線構成部１９Ｂの延在方向についての一部に接している。これにより、配線１９と接続部２０との電気的な接続が図られている。以上のような構成によれば、仮に第２絶縁膜Ｆ１０４が非形成とされていて第３金属膜Ｆ１０５が第２金属膜Ｆ１０３上に積層される場合に比べると、接続部２０のうち、コンタクトホールＦ１０４Ａと重畳するよう配されて第２配線構成部１９Ｂに接する部分と、コンタクトホールＦ１０４Ａとは非重畳とされて第２絶縁膜Ｆ１０４上に積層される部分と、の間に生じ得る段差が緩和される。これにより、接続部２０のカバレッジが良好なものとなる。
【0065】
その上で、第２金属膜Ｆ１０３及び第２絶縁膜Ｆ１０４は、膜厚が等しくされているから、接続部２０のうち、コンタクトホールＦ１０４Ａと重畳するよう配されて第２配線構成部１９Ｂに接する部分と、コンタクトホールＦ１０４Ａとは非重畳とされて第２絶縁膜Ｆ１０４上に積層される部分と、の間に段差が生じるのが避けられる。これにより、接続部２０のカバレッジがより良好なものとなる。
【0066】
以上説明したように本実施形態によれば、少なくとも第１絶縁膜Ｆ１０２及び第２金属膜Ｆ１０３上に積層される第２絶縁膜Ｆ１０４であって、第２配線構成部１９Ｂの一部と重畳するよう配されるコンタクトホールＦ１０４Ａを有する第２絶縁膜Ｆ１０４と、少なくとも第２金属膜Ｆ１０３及び第２絶縁膜Ｆ１０４上に積層される第３金属膜（第３導電膜）Ｆ１０５からなり一部がコンタクトホールＦ１０４Ａと重畳するよう配されて第２配線構成部１９Ｂに接する接続部２０と、を備える。このようにすれば、仮に第２絶縁膜Ｆ１０４が非形成とされていて第３金属膜Ｆ１０５が第２金属膜Ｆ１０３上に積層される場合に比べると、接続部２０のうち、コンタクトホールＦ１０４Ａと重畳するよう配されて第２配線構成部１９Ｂに接する部分と、コンタクトホールＦ１０４Ａとは非重畳とされて第２絶縁膜Ｆ１０４上に積層される部分と、の間に生じ得る段差が緩和される。これにより、接続部２０のカバレッジが良好なものとなる。
【0067】
また、第２金属膜Ｆ１０３及び第２絶縁膜Ｆ１０４は、膜厚が等しい。このようにすれば、接続部２０のうち、コンタクトホールＦ１０４Ａと重畳するよう配されて第２配線構成部１９Ｂに接する部分と、コンタクトホールＦ１０４Ａとは非重畳とされて第２絶縁膜Ｆ１０４上に積層される部分と、の間に段差が生じるのが避けられる。これにより、接続部２０のカバレッジがより良好なものとなる。
【0068】
＜実施形態３＞
実施形態３を図８によって説明する。この実施形態３では、上記した実施形態１から第２ゲート配線構成部２１５Ｂの構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
実施形態３を図８によって説明する。この実施形態３では、上記した実施形態１から第２ゲート配線構成部２１５Ｂの構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【0069】
本実施形態に係るゲート配線２１５を構成する第１ゲート配線構成部２１５Ａ及び第２ゲート配線構成部２１５Ｂは、図８に示すように、上記した実施形態１との比較において、線幅方向についての両端縁の傾斜角度が急になっていて切り立ったような断面形状となっている。そして、第２ゲート配線構成部２１５Ｂは、第１ゲート配線構成部２１５Ａよりも幅狭とされている。従って、第１ゲート配線構成部２１５Ａ及び第２ゲート配線構成部２１５Ｂにおける線幅方向についての各端縁が切り立ったような断面形状となっていても、第１ゲート配線構成部２１５Ａ及び第２ゲート配線構成部２１５Ｂの各端縁が擬似的に傾斜角度が緩やかな傾斜状の断面形状となる。これにより、少なくとも第１絶縁膜Ｆ２０２及び第２金属膜Ｆ２０３上に積層される第２絶縁膜Ｆ２０４のカバレッジが良好なものとなる。
【0070】
以上説明したように本実施形態によれば、少なくとも第１絶縁膜Ｆ２０２及び第２金属膜Ｆ２０３上に積層される第２絶縁膜Ｆ２０４を備えており、第２ゲート配線構成部２１５Ｂは、第１ゲート配線構成部２１５Ａよりも幅狭とされる。このようにすれば、仮に第１ゲート配線構成部２１５Ａ及び第２ゲート配線構成部２１５Ｂにおける線幅方向についての各端縁が切り立ったような断面形状となった場合でも、第２ゲート配線構成部２１５Ｂが第１ゲート配線構成部２１５Ａよりも幅狭とされることで、互いに接する第１ゲート配線構成部２１５Ａ及び第２ゲート配線構成部２１５Ｂの各端縁が擬似的に傾斜状の断面形状となる。これにより、少なくとも第１絶縁膜Ｆ２０２及び第２金属膜Ｆ２０３上に積層される第２絶縁膜Ｆ２０４のカバレッジが良好なものとなる。
【0071】
＜実施形態４＞
実施形態４を図９によって説明する。この実施形態４では、上記した実施形態２から配線３１９の構成などを変更したものを示す。なお、上記した実施形態２と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
実施形態４を図９によって説明する。この実施形態４では、上記した実施形態２から配線３１９の構成などを変更したものを示す。なお、上記した実施形態２と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【0072】
本実施形態に係る第２絶縁膜Ｆ３０４は、図９に示すように、その膜厚が第２金属膜Ｆ３０３の膜厚よりも大きくなっている。従って、第３金属膜Ｆ３０５からなる接続部３２０は、第２絶縁膜Ｆ３０４のコンタクトホールＦ３０４Ａと重畳する部分が、コンタクトホールＦ３０４Ａとは非重畳となる部分に対して段差状に落ち込んでいる。ところで、製造過程において第２絶縁膜Ｆ３０４にコンタクトホールＦ３０４Ａを形成する際には、コンタクトホールＦ３０４Ａが正規の位置から位置ずれする可能性がある。
【0073】
そこで、本実施形態に係る配線３１９は、第１配線構成部３１９Ａ及び第２配線構成部３１９Ｂが、線幅方向について互いに部分的に非重畳となるよう配される構成とされる。詳しくは、第２配線構成部３１９Ｂは、第１配線構成部３１９Ａに対して図９に示す右側に位置ずれした配置となっている。これにより、第１配線構成部３１９Ａのうちの図９に示す左側の端部が第２配線構成部３１９Ｂに対して非重畳となるのに対し、第２配線構成部３１９Ｂのうちの図９に示す右側の端部が第１配線構成部３１９Ａに対して非重畳となる。このようにすれば、仮に第１配線構成部及び第２配線構成部が線幅方向について互いに非重畳とならない配置とされる場合に比べると、平面に視た配線３１９の形成範囲が線幅方向について拡張される。従って、第２絶縁膜Ｆ３０４のコンタクトホールＦ３０４Ａが線幅方向について正規の位置から位置ずれした場合でも、配線３１９に対する接続部３２０の接触面積が十分に確保される確実性が高くなる。
【0074】
以上説明したように本実施形態によれば、第１配線構成部３１９Ａ及び第２配線構成部３１９Ｂは、線幅方向について互いに部分的に非重畳となるよう配される。このようにすれば、仮に第１配線構成部及び第２配線構成部が線幅方向について互いに非重畳とならない配置とされる場合に比べると、平面に視た配線３１９の形成範囲が拡張されることになる。従って、例えば第２絶縁膜Ｆ３０４のコンタクトホールＦ３０４Ａが線幅方向について位置ずれした場合でも、配線３１９に対する接続部３２０の接触面積が十分に確保される確実性が高くなる。
【0075】
＜実施形態５＞
実施形態５を図１０によって説明する。この実施形態５では、上記した実施形態２に記載の構成を前提として画素電極４１８とドレイン電極４１７Ｃとの接続構造を示す。なお、上記した実施形態２と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
実施形態５を図１０によって説明する。この実施形態５では、上記した実施形態２に記載の構成を前提として画素電極４１８とドレイン電極４１７Ｃとの接続構造を示す。なお、上記した実施形態２と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【0076】
本実施形態に係るアレイ基板４１２は、図１０に示すように、第２絶縁膜Ｆ４０４及び第３金属膜Ｆ４０５上に積層される第１透明電極膜（第１導電膜）Ｆ９と、第１透明電極膜Ｆ９上に積層される第２透明電極膜（第２導電膜）Ｆ１０と、第２透明電極膜Ｆ１０上に積層される第３透明電極膜（第３導電膜）Ｆ１１と、少なくとも第３金属膜Ｆ４０５上に積層される第３絶縁膜（第１絶縁膜）Ｆ４０６と、第３透明電極膜Ｆ１１及び第３絶縁膜Ｆ４０６上に積層される第４透明電極膜（第４導電膜）Ｆ１２と、を備える。このうち、第３金属膜Ｆ４０５がドレイン電極４１７Ｃを構成し、第４透明電極膜Ｆ１２が画素電極４１８を構成している。そして、第３絶縁膜Ｆ４０６には、ドレイン電極４１７Ｃ及び画素電極４１８の一部ずつと重畳する位置に第３開口Ｆ４０６Ｂが形成されている。第３開口Ｆ４０６Ｂと重畳する位置には、第１透明電極膜Ｆ９からなる第１中間電極（第１配線構成部）２１と、第２透明電極膜Ｆ１０からなる第２中間電極（第２配線構成部）２２と、第３透明電極膜Ｆ１１からなる第３中間電極（第３配線構成部）２３と、が設けられている。第１中間電極２１、第２中間電極２２及び第３中間電極２３は、第３開口Ｆ４０６Ｂにおいて互いに重畳するとともに積層されている。第１中間電極２１がドレイン電極４１７Ｃに接するとともに第３中間電極２３が画素電極４１８に接することで、ドレイン電極４１７Ｃと画素電極４１８との電気的な接続が図られている。
【0077】
第３絶縁膜Ｆ４０６は、その膜厚が、第１透明電極膜Ｆ９、第２透明電極膜Ｆ１０及び第３透明電極膜Ｆ１１の各膜厚の合計とほぼ等しくなっている。これにより、第３絶縁膜Ｆ４０６の上面と第３透明電極膜Ｆ１１の上面とがほぼ段差無く面一状をなしている。従って、画素電極４１８のうち、第３開口Ｆ４０６Ｂと重畳するよう配されて第３中間電極２３に接する部分と、第３開口Ｆ４０６Ｂとは非重畳とされて第３絶縁膜Ｆ４０６上に積層される部分と、の間に段差が生じるのが避けられる。これにより、画素電極４１８のカバレッジが良好なものとなる。そして、第４透明電極膜Ｆ１２上に配向膜が積層される際には、配向膜の濡れ性が良好なものとなる。
【0078】
＜実施形態６＞
実施形態６を図１１によって説明する。この実施形態６では、上記した実施形態２から配線５１９の構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態２と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
実施形態６を図１１によって説明する。この実施形態６では、上記した実施形態２から配線５１９の構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態２と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【0079】
本実施形態に係る配線５１９は、図１１に示すように、第１金属膜Ｆ５０１からなる第１配線構成部５１９Ａと、第２金属膜Ｆ５０３からなる第２配線構成部５１９Ｂと、第３金属膜Ｆ５０５からなる第３配線構成部５１９Ｃと、の積層構造とされる。第１配線構成部５１９Ａ、第２配線構成部５１９Ｂ及び第３配線構成部５１９Ｃは、互いに全長・全幅にわたって重畳するとともに互いに並行する形で延在している。第１金属膜Ｆ５０１と第２金属膜Ｆ５０３との間に介在する第１絶縁膜Ｆ５０２には、第１配線構成部５１９Ａ及び第２配線構成部５１９Ｂに対して重畳する位置に第１開口Ｆ５０２Ａが形成されている。同様に、第２金属膜Ｆ５０３と第３金属膜Ｆ５０５との間に介在する第２絶縁膜Ｆ５０４には、第２配線構成部５１９Ｂ及び第３配線構成部５１９Ｃに対して重畳する位置に第４開口Ｆ５０４Ｂが形成されている。これら第１開口Ｆ５０２Ａ及び第４開口Ｆ５０４Ｂは、第１配線構成部５１９Ａ、第２配線構成部５１９Ｂ及び第３配線構成部５１９Ｃに沿って延在している。第１開口Ｆ５０２Ａを通して第２配線構成部５１９Ｂが全長・全幅にわたって第１配線構成部５１９Ａに接するのに対し、第４開口Ｆ５０４Ｂを通して第３配線構成部５１９Ｃが全長・全幅にわたって第２配線構成部５１９Ｂに接している。
【0080】
以上のように、配線５１９の厚さは、第１金属膜Ｆ５０１、第２金属膜Ｆ５０３及び第３金属膜Ｆ５０５の各膜厚を足し合わせた大きさとなるから、上記した実施形態１に比べて、配線抵抗をさらに低下させることができる。しかも、製造に際して第１金属膜Ｆ５０１の成膜及びパターニングと、第２金属膜Ｆ５０３の成膜及びパターニングと、第３金属膜Ｆ５０５の成膜及びパターニングと、を別途に行うことが可能となるので、ガラス基板５１２ＧＳ上に各金属膜Ｆ５０１，Ｆ５０３，Ｆ５０５をそれぞれ成膜するのに伴う温度上昇が抑制され、その結果、ガラス基板５１２ＧＳに作用する応力が緩和され、ガラス基板５１２ＧＳに変形が生じ難くなっている。さらには、第１金属膜Ｆ５０１、第２金属膜Ｆ５０３及び第３金属膜Ｆ５０５は、いずれもガラス基板５１２ＧＳよりも熱膨張係数が高く、第１絶縁膜Ｆ５０２、第２絶縁膜Ｆ５０４及び第３絶縁膜Ｆ５０６は、いずれもガラス基板５１２ＧＳよりも熱膨張係数が低いことから、各金属膜Ｆ５０１，Ｆ５０３，Ｆ５０５をそれぞれ成膜する際にガラス基板５１２ＧＳに作用する応力と、各絶縁膜Ｆ５０２，Ｆ５０４，Ｆ５０６をそれぞれ成膜する際にガラス基板５１２ＧＳに作用する応力と、が逆向きの関係となる。これにより、ガラス基板５１２ＧＳに残留し得る応力がより低減されるので、ガラス基板５１２ＧＳに変形がより生じ難くなる。
【0081】
また、第３絶縁膜Ｆ５０６には、第３配線構成部５１９Ｃ及び接続部５２０の一部ずつに対して重畳する位置にコンタクトホールＦ５０６Ｃが形成されている。コンタクトホールＦ５０６Ｃは、第３配線構成部５１９Ｃ及び接続部５２０の各全幅にわたって重畳するものの第３配線構成部５１９Ｃ及び接続部５２０の各延在方向については部分的に重畳するような開口範囲とされる。接続部５２０は、延在方向についての一部がコンタクトホールＦ５０６Ｃを通して第３配線構成部５１９Ｃの延在方向についての一部に接している。これにより、配線５１９と接続部５２０との電気的な接続が図られている。
【0082】
＜他の実施形態＞
本明細書が開示する技術は、上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も技術的範囲に含まれる。
本明細書が開示する技術は、上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も技術的範囲に含まれる。
【0083】
（１）第１金属膜Ｆ１，Ｆ１０１，Ｆ５０１及び第２金属膜Ｆ３，Ｆ１０３，Ｆ２０３，Ｆ３０３，Ｆ５０３は、同一材料に限らず、異なる材料であってもよい。例えば第１金属膜Ｆ１，Ｆ１０１，Ｆ５０１及び第２金属膜Ｆ３，Ｆ１０３，Ｆ２０３，Ｆ３０３，Ｆ５０３のいずれか一方の材料が純銅とされ、他方の材料が銅合金とされてもよい。
【0084】
（２）第１金属膜Ｆ１，Ｆ１０１，Ｆ５０１及び第２金属膜Ｆ３，Ｆ１０３，Ｆ２０３，Ｆ３０３，Ｆ５０３の少なくとも一方は、銅以外の金属材料からなり、銅を含有していなくてもよい。
【0085】
（３）第１金属膜Ｆ１，Ｆ１０１，Ｆ５０１及び第２金属膜Ｆ３，Ｆ１０３，Ｆ２０３，Ｆ３０３，Ｆ５０３の少なくとも一方は、金属材料以外の導電性材料を含んでいてもよい。その場合、第１金属膜Ｆ１，Ｆ１０１，Ｆ５０１及び第２金属膜Ｆ３，Ｆ１０３，Ｆ２０３，Ｆ３０３，Ｆ５０３の少なくとも一方が金属材料を含んでいなくてもよい。
【0086】
（４）第１絶縁膜Ｆ２，Ｆ１０２，Ｆ２０２，Ｆ５０２及び第２絶縁膜Ｆ４，Ｆ１０４，Ｆ２０４，Ｆ３０４，Ｆ４０４，Ｆ５０４の少なくとも一方は、窒化ケイ素以外の無機絶縁材料からなり、窒化ケイ素を含有していなくてもよい。
【0087】
（５）第１絶縁膜Ｆ２，Ｆ１０２，Ｆ２０２，Ｆ５０２及び第２絶縁膜Ｆ４，Ｆ１０４，Ｆ２０４，Ｆ３０４，Ｆ４０４，Ｆ５０４の少なくとも一方は、有機絶縁材料からなるようすることも可能である。
【0088】
（６）ガラス基板１２ＧＳ，５１２ＧＳに代えて合成樹脂製の基板を用いることも可能である。その場合、基板の材料としては、光透過性を有するものを用いるのが表示性能を担保する上で好ましいが、表示性能が不要な場合は必ずしもその限りではない。
【0089】
（７）実施形態１及び実施形態３に記載の構成において、ゲート配線１５，２１５が３以上の金属膜を積層した構成であってもよい。
【0090】
（８）実施形態２に記載の構成において、接続部２０は、第３金属膜Ｆ１０５及び第４金属膜Ｆ１０７の積層構造であってもよい。実施形態４，６に記載の接続部３２０，５２０の構成についても同様に変更可能である。
【0091】
（９）実施形態４に記載の構成において、配線３１９が３以上の金属膜を積層した構成であってもよい。
【0092】
（１０）実施形態５に記載の構成において、第３開口Ｆ４０６Ｂと重畳する位置に４以上の中間電極が積層される構成であってもよい。
【0093】
（１１）実施形態６に記載の構成において、配線５１９が４以上の金属膜を積層した構成であってもよい。
【0094】
（１２）液晶パネル１０以外の表示パネル（例えば有機ＥＬ表示パネルなど）に備わるアレイ基板１２，１１２，４１２であってもよい。
【0095】
（１３）表示パネル以外のパネルに用いられる配線基板であってもよい。
【符号の説明】
【0096】
１０…液晶パネル（表示装置）、１１…対向基板、１２，１１２，４１２…アレイ基板（配線基板）、１２ＧＳ，５１２ＧＳ…ガラス基板（基板）、１５，２１５…ゲート配線（配線）、１５Ａ，２１５Ａ…第１ゲート配線構成部（第１配線構成部）、１５Ｂ，２１５Ｂ…第２ゲート配線構成部（第２配線構成部）、１９，３１９，５１９…配線、１９Ａ，３１９Ａ，５１９Ａ…第１配線構成部、１９Ｂ，３１９Ｂ，５１９Ｂ…第２配線構成部、２０，３２０，５２０…接続部、２１…第１中間電極（第１配線構成部）、２２…第２中間電極（第２配線構成部）、Ｆ１，Ｆ１０１，Ｆ５０１…第１金属膜（第１導電膜）、Ｆ２，Ｆ１０２，Ｆ２０２，Ｆ５０２…第１絶縁膜、Ｆ２Ａ，Ｆ１０２Ａ，Ｆ５０２Ａ…第１開口（開口）、Ｆ３，Ｆ１０３，Ｆ２０３，Ｆ３０３，Ｆ５０３…第２金属膜（第２導電膜）、Ｆ４，Ｆ１０４，Ｆ２０４，Ｆ３０４，Ｆ４０４，Ｆ５０４…第２絶縁膜、Ｆ５，Ｆ１０５，Ｆ３０５，Ｆ４０５，Ｆ５０５…第３金属膜（第３導電膜）、Ｆ９…第１透明電極膜（第１導電膜）、Ｆ１０…第２透明電極膜（第２導電膜）、Ｆ１４Ａ，Ｆ３０４Ｂ…コンタクトホール
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図5E】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】