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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022017077
(43)【公開日】2022-01-25
(54)【発明の名称】温度検出装置
(51)【国際特許分類】
H02M 1/00 20070101AFI20220118BHJP
H02M 7/48 20070101ALI20220118BHJP
【ＦＩ】
H02M1/00 R
H02M7/48 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2020120154
(22)【出願日】2020-07-13
(71)【出願人】
【識別番号】000000011
【氏名又は名称】株式会社アイシン
(74)【代理人】
【識別番号】110002871
【氏名又は名称】特許業務法人坂本国際特許商標事務所
(72)【発明者】
【氏名】中村 恭士
【テーマコード（参考）】
5H740
5H770
【Ｆターム（参考）】
5H740BA11
5H740MM08
5H740PP02
5H770AA21
5H770DA03
5H770HA06X
5H770LA04X
5H770QA40
(57)【要約】
【課題】Ｎ個の半導体素子あたりの端子数を比較的少なくしつつ、Ｎ個の半導体素子の温度を個別に検出する。
【解決手段】電力変換器に含まれる複数の半導体素子（Ｑ１）に関する温度を検出する温度検出装置（５０）であって、ｋ、Ｎを２以上の整数としたとき、Ｎ個の半導体素子に対して設けられ、Ｎの２倍よりも少ないｋ個の端子（２０Ａ、２０Ｋ、２０Ｌ、２０Ｍ）に電気的に接続される電気回路（５１、５１Ａ～５１Ｈ）と、Ｎ個の半導体素子のそれぞれに対応付けて設けられるＮ組の１つ以上の温度検出素子（３１～３６）とを備え、ｋ個の端子により形成される一の対の端子の間に、Ｎ組のうちの２つの組の１つ以上の温度検出素子が、互いに対して逆向きにかつ並列に電気的に接続される、温度検出装置が開示される。
【選択図】図２
【解決手段】電力変換器に含まれる複数の半導体素子（Ｑ１）に関する温度を検出する温度検出装置（５０）であって、ｋ、Ｎを２以上の整数としたとき、Ｎ個の半導体素子に対して設けられ、Ｎの２倍よりも少ないｋ個の端子（２０Ａ、２０Ｋ、２０Ｌ、２０Ｍ）に電気的に接続される電気回路（５１、５１Ａ～５１Ｈ）と、Ｎ個の半導体素子のそれぞれに対応付けて設けられるＮ組の１つ以上の温度検出素子（３１～３６）とを備え、ｋ個の端子により形成される一の対の端子の間に、Ｎ組のうちの２つの組の１つ以上の温度検出素子が、互いに対して逆向きにかつ並列に電気的に接続される、温度検出装置が開示される。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電力変換器に含まれる複数の半導体素子に関する温度を検出する温度検出装置であって、
ｋ、Ｎを２以上の整数としたとき、Ｎ個の前記半導体素子に対して設けられ、Ｎの２倍よりも少ないｋ個の端子に電気的に接続される電気回路と、
Ｎ個の前記半導体素子のそれぞれに対応付けて設けられるＮ組の１つ以上の温度検出素子とを備え、
ｋ個の前記端子により形成される一の対の端子の間に、Ｎ組のうちの２つの組の１つ以上の温度検出素子が、互いに対して逆向きにかつ並列に電気的に接続される、温度検出装置。
ｋ、Ｎを２以上の整数としたとき、Ｎ個の前記半導体素子に対して設けられ、Ｎの２倍よりも少ないｋ個の端子に電気的に接続される電気回路と、
Ｎ個の前記半導体素子のそれぞれに対応付けて設けられるＮ組の１つ以上の温度検出素子とを備え、
ｋ個の前記端子により形成される一の対の端子の間に、Ｎ組のうちの２つの組の１つ以上の温度検出素子が、互いに対して逆向きにかつ並列に電気的に接続される、温度検出装置。
【請求項2】
ｋは、ｋ≧Ｎ／２＋１を満たす最小の整数である、請求項１に記載の温度検出装置。
【請求項3】
前記電気回路は、切替信号に応答して、Ｎ組のそれぞれの組ごとに、一の組の１つ以上の温度検出素子に対して順方向となる電流を、切り替えて生成する、請求項１又は２に記載の温度検出装置。
【請求項4】
前記電気回路は、ｋ個の前記端子に電気的に接続されるスイッチ回路部を含み、
前記スイッチ回路部は、前記切替信号に応答して、Ｎ組のそれぞれの組ごとに、前記順方向となる電流を切り替えて生成する、請求項３に記載の温度検出装置。
前記スイッチ回路部は、前記切替信号に応答して、Ｎ組のそれぞれの組ごとに、前記順方向となる電流を切り替えて生成する、請求項３に記載の温度検出装置。
【請求項5】
前記スイッチ回路部は、Ｎ＋２個のスイッチを備える、請求項４に記載の温度検出装置。
【請求項6】
ｋ、Ｎがともに３であり、３個の前記端子は、１対だけ、前記一の対の端子を形成し、
３個の前記端子のうちの、前記一の対の端子を形成する一の端子と、前記一の対の端子を形成しない一の端子との間に、前記２つの組とは異なる残りの１つの組の１つ以上の温度検出素子が電気的に接続される、請求項１から５のうちのいずれか１項に記載の温度検出装置。
３個の前記端子のうちの、前記一の対の端子を形成する一の端子と、前記一の対の端子を形成しない一の端子との間に、前記２つの組とは異なる残りの１つの組の１つ以上の温度検出素子が電気的に接続される、請求項１から５のうちのいずれか１項に記載の温度検出装置。
【請求項7】
ｋ、Ｎがともに３であり、３個の前記端子は、前記一の対の端子を、３対、形成する態様で、３つの組の１つ以上の温度検出素子をデルタ結線する、請求項１から５のうちのいずれか１項に記載の温度検出装置。
【請求項8】
Ｎが４以上であり、前記２つの組は、互いに１つ以上の温度検出素子を共有しない態様で、Ｎ／２の整数部分の数だけ形成され、
ｋ個の前記端子は、Ｎ／２の整数部分の数の前記一の対の端子を形成し、各対は、ｋ個の前記端子のうちの共通の一の端子を含む、請求項１から５のうちのいずれか１項に記載の温度検出装置。
ｋ個の前記端子は、Ｎ／２の整数部分の数の前記一の対の端子を形成し、各対は、ｋ個の前記端子のうちの共通の一の端子を含む、請求項１から５のうちのいずれか１項に記載の温度検出装置。
【請求項9】
前記切替信号は、電圧値が第１の値と、前記第１の値よりも低い第２の値の間で切り替わる信号を含み、
前記電気回路は、
前記一の対の端子のうちの一方の端子に電気的に接続され、単電源で動作し、前記切替信号に応答して、前記一の対の端子のうちの前記一方の端子から他方の端子に向かう第１方向の電流を生成する状態と、前記一の対の端子のうちの前記他方の端子から前記一方の端子に向かう第２方向の電流を生成する状態との間で、切り替わる定電流生成回路部と、
前記他方の端子に電気的に接続され、前記他方の端子の電位を、前記第１の値と前記第２の値との間の第３の値に維持するように動作する中間電位生成部とを含む、請求項３に記載の温度検出装置。
前記電気回路は、
前記一の対の端子のうちの一方の端子に電気的に接続され、単電源で動作し、前記切替信号に応答して、前記一の対の端子のうちの前記一方の端子から他方の端子に向かう第１方向の電流を生成する状態と、前記一の対の端子のうちの前記他方の端子から前記一方の端子に向かう第２方向の電流を生成する状態との間で、切り替わる定電流生成回路部と、
前記他方の端子に電気的に接続され、前記他方の端子の電位を、前記第１の値と前記第２の値との間の第３の値に維持するように動作する中間電位生成部とを含む、請求項３に記載の温度検出装置。
【請求項10】
前記電気回路は、電圧情報生成部を更に含み、
前記電圧情報生成部は、Ｎ組のそれぞれの組ごとに、順方向の電流が生成されるときに現れる１つ以上の温度検出素子の両端電圧を表す電圧情報を生成する、請求項１から９のうちのいずれか１項に記載の温度検出装置。
前記電圧情報生成部は、Ｎ組のそれぞれの組ごとに、順方向の電流が生成されるときに現れる１つ以上の温度検出素子の両端電圧を表す電圧情報を生成する、請求項１から９のうちのいずれか１項に記載の温度検出装置。
【請求項11】
前記電圧情報生成部は、
基準波生成部と、
前記基準波生成部により生成される基準波と、前記両端電圧との関係に基づいて、前記電圧情報を生成する比較処理部とを含む、請求項１０に記載の温度検出装置。
基準波生成部と、
前記基準波生成部により生成される基準波と、前記両端電圧との関係に基づいて、前記電圧情報を生成する比較処理部とを含む、請求項１０に記載の温度検出装置。
【請求項12】
前記電力変換器は、インバータであり、
前記半導体素子は、半導体チップの形態であり、
Ｎ個の前記半導体素子は、互いに対して並列に接続され、前記インバータの各相に係る高電位側アームと低電位側アームのうちの、一のアームを形成する、請求項１から１１のうちのいずれか１項に記載の温度検出装置。
前記半導体素子は、半導体チップの形態であり、
Ｎ個の前記半導体素子は、互いに対して並列に接続され、前記インバータの各相に係る高電位側アームと低電位側アームのうちの、一のアームを形成する、請求項１から１１のうちのいずれか１項に記載の温度検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、温度検出装置に関する。
【背景技術】
【0002】
電力変換器の各アームが、並列に電気的に接続される２つの半導体素子により形成される構成において、当該２つの半導体素子のそれぞれに対応付けて温度検出ダイオードが、対の端子の間に、同一の向きにかつ並列に電気的に接続される技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】国際公開第ＷＯ２０１７／１６９６９３号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、上記のような従来技術では、２つの半導体素子のそれぞれに対応付けて温度検出ダイオードが設けられるものの、対の端子の間に２つの温度検出ダイオードを同じ向きにかつ直列に電気的に接続するので、当該２つの半導体素子の温度を個別に検出できない。すなわち、対の端子を介して各温度検出ダイオードに対して順方向の電流を同時に流すことで現れる対の端子の間の電圧は、２つの半導体素子の個別の温度を表すものではなく、両者の平均的な温度を表す。なお、１対の端子に代えて、２対の端子を用いれば、各温度検出ダイオードに対して個別に電流を流すことができるので、２つの半導体素子の温度を個別に検出できるものの、端子数が比較的多くなる。
【0005】
そこで、１つの側面では、本開示は、Ｎ個の半導体素子あたりの端子数を比較的少なくしつつ、Ｎ個の半導体素子の温度を個別に検出することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
１つの側面では、電力変換器に含まれる複数の半導体素子に関する温度を検出する温度検出装置であって、
ｋ、Ｎを２以上の整数としたとき、Ｎ個の前記半導体素子に対して設けられ、Ｎの２倍よりも少ないｋ個の端子に電気的に接続される電気回路と、
Ｎ個の前記半導体素子のそれぞれに対応付けて設けられるＮ組の１つ以上の温度検出素子とを備え、
ｋ個の前記端子により形成される一の対の端子の間に、Ｎ組のうちの２つの組の１つ以上の温度検出素子が、互いに対して逆向きにかつ並列に電気的に接続される、温度検出装置が提供される。
ｋ、Ｎを２以上の整数としたとき、Ｎ個の前記半導体素子に対して設けられ、Ｎの２倍よりも少ないｋ個の端子に電気的に接続される電気回路と、
Ｎ個の前記半導体素子のそれぞれに対応付けて設けられるＮ組の１つ以上の温度検出素子とを備え、
ｋ個の前記端子により形成される一の対の端子の間に、Ｎ組のうちの２つの組の１つ以上の温度検出素子が、互いに対して逆向きにかつ並列に電気的に接続される、温度検出装置が提供される。
【発明の効果】
【0007】
１つの側面では、本開示によれば、Ｎ個の半導体素子あたりの端子数を比較的少なくしつつ、Ｎ個の半導体素子の温度を個別に検出することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】電動車両用モータ駆動システムの全体構成の一例を示す図である。
【図2】温度検出装置が接続される半導体チップの端子の説明図である。
【図3】比較例による構成を概略的に示す図である。
【図4】温度検出装置５０の構成を概略的に示す図である。
【図5】温度検出装置の電気回路の一例を示す概略図である。
【図12】変形例による電気回路を示す概略図である。
【図13】スイッチ回路部を利用した電気回路を示す概略図である。
【図15】３並列接続の構成に係るスイッチ回路部の説明図である。
【図17】３並列接続の構成に係るスイッチ回路部の説明図である。
【図19】４並列接続の構成に係るスイッチ回路部の説明図である。
【図21】５並列接続の構成に係るスイッチ回路部の説明図である。
【図23】６並列接続の構成に係るスイッチ回路部の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、添付図面を参照しながら各実施例について詳細に説明する。
【0010】
ここでは、まず、本実施例による温度検出装置の説明に先立って、本実施例による温度検出装置が適用されるのが好適な電動車両用モータ駆動システム１について説明する。なお、電動車両用モータ駆動システム１に関する図１及び図２以降の各図の説明において、特に言及しない限り、各種の要素間の“接続”という用語は、“電気的な接続”を意味する。
【0011】
図１は、電動車両用モータ駆動システム１の全体構成の一例を示す図である。モータ駆動システム１は、高圧バッテリ２の電力を用いて走行用モータ５（主機）を駆動することにより車両を駆動させるシステムである。なお、電動車両は、電力を用いて走行用モータ５を駆動して走行するものであれば、その方式や構成の詳細は任意である。電動車両は、典型的には、動力源がエンジンと走行用モータ５であるハイブリッド自動車や、動力源が走行用モータ５のみである電気自動車を含む。以下、車両とは、特に言及しない限り、モータ駆動システム１が搭載される車両を指す。
【0012】
モータ駆動システム１は、図１に示すように、高圧バッテリ２、平滑コンデンサ３と、インバータ４（電力変換器の一例）、走行用モータ５、及びインバータ制御装置６を備える。
【0013】
高圧バッテリ２は、電力を蓄積して直流電圧を出力する任意の蓄電装置であり、ニッケル水素バッテリ、リチウムイオンバッテリや電気２重層キャパシタ等の容量性素子を含んでよい。高圧バッテリ２は、典型的には、定格電圧が１００Ｖを超えるバッテリであり、定格電圧が例えば２８８Ｖである。
【0014】
インバータ４は、正極ラインと負極ラインとの間に互いに並列に配置されるＵ相、Ｖ相、Ｗ相の各アームを含む。Ｕ相アームはスイッチング素子（本例ではＩＧＢＴ：Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）Ｑ１、Ｑ２の直列接続を含み、Ｖ相アームはスイッチング素子（本例ではＩＧＢＴ）Ｑ３、Ｑ４の直列接続を含み、Ｗ相アームはスイッチング素子（本例ではＩＧＢＴ）Ｑ５、Ｑ６の直列接続を含む。また、各スイッチング素子Ｑ１～Ｑ６のコレクタ－エミッタ間には、それぞれ、エミッタ側からコレクタ側に電流を流すようにダイオードＤ１１～Ｄ１６が配置される。なお、スイッチング素子Ｑ１～Ｑ６は、ＭＯＳＦＥＴ（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のような、ＩＧＢＴ以外の他のスイッチング素子であってもよい。
【0015】
本実施例では、図１に示すように、Ｕ相アームにおいて、上アーム（高電位側アーム）は、２組のスイッチング素子Ｑ１及びダイオードＤ１１が並列に接続され、下アーム（低電位側アーム）は、２組のスイッチング素子Ｑ２及びダイオードＤ１２が並列に接続される。Ｖ相アーム及びＷ相アームについても同様である。すなわち、インバータ４は、Ｕ、Ｖ、Ｗ相の相ごとに、３組のスイッチング素子Ｑ１～Ｑ６及びダイオードＤ１１～Ｄ１６を含む。なお、他の実施例では、２組に代えて３組以上のスイッチング素子Ｑ１（スイッチング素子Ｑ２～Ｑ６も同様）とダイオードＤ１１とが並列に接続されてもよい。以下では、このように、各相における高電位側アーム及び低電位側アームのそれぞれにおいて、Ｎ組（Ｎは２以上の整数）のスイッチング素子とダイオードとが並列に接続される構成を、「Ｎ並列接続の構成」とも称する。
【0016】
なお、本実施例では、一例として、スイッチング素子Ｑ１（スイッチング素子Ｑ２～Ｑ６についても同様）はダイオードＤ１１を内蔵したチップの形態で実現され、「半導体チップ１１」とも称する。
【0017】
走行用モータ５は、例えば３相の交流モータであり、Ｕ、Ｖ、Ｗ相の３つのコイルの一端が中性点で共通接続される。Ｕ相コイルの他端は、スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の中点Ｍ１に接続され、Ｖ相コイルの他端は、スイッチング素子Ｑ３、Ｑ４の中点Ｍ２に接続され、Ｗ相コイルの他端は、スイッチング素子Ｑ５、Ｑ６の中点Ｍ３に接続される。スイッチング素子Ｑ１のコレクタと負極ラインとの間には、平滑コンデンサ３が接続される。
【0018】
インバータ制御装置６には、走行用モータ５を流れる電流を検出する電流センサ（図示せず）等の各種センサが接続される。インバータ制御装置６は、各種センサからのセンサ情報に基づいて、インバータ４を制御する。インバータ制御装置６は、例えばＣＰＵ、ＲＯＭ、メインメモリ（全て図示せず）などを含み、インバータ制御装置６の各種機能は、ＲＯＭ等に記録された制御プログラムがメインメモリに読み出されてＣＰＵにより実行されることによって実現される。インバータ４の制御方法は、任意であるが、基本的には、Ｕ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ１、Ｑ２が互いに逆相でオン／オフし、Ｖ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ３、Ｑ４が互いに逆相でオン／オフし、Ｗ相に係る２つのスイッチング素子Ｑ５、Ｑ６が互いに逆相でオン／オフする。
【0019】
なお、図１に示す例では、モータ駆動システム１は、単一の走行用モータ５を備えているが、追加のモータ（発電機を含む）を備えてもよい。この場合、追加のモータ（複数も可）は、対応するインバータと共に、走行用モータ５及びインバータ４と並列な関係で、高圧バッテリ２に接続されてもよい。また、図１に示す例では、モータ駆動システム１は、ＤＣ／ＤＣコンバータを備えていないが、高圧バッテリ２とインバータ４の間にＤＣ／ＤＣコンバータを備えてもよい。
【0020】
高圧バッテリ２と平滑コンデンサ３との間には、図１に示すように、高圧バッテリ２から電力供給を遮断するための遮断用スイッチ９が設けられる。遮断用スイッチ９は、半導体スイッチやリレー等で構成されてもよい。遮断用スイッチ９は、常態でオン状態であり、例えば車両の衝突検出時等にオフとされる。なお、遮断用スイッチ９のオン／オフの切換はインバータ制御装置６により実現されてもよいし、他の制御装置により実現されてもよい。
【0021】
本実施例では、インバータ制御装置６は、インバータ４の各半導体チップ１１の温度を検出する温度検出装置５０を含む。なお、変形例では、以下で説明する温度検出装置５０の機能の一部又は全部は、インバータ制御装置６とは異なる処理装置により実現されてもよい。
【0022】
図２は、温度検出装置５０が接続される半導体チップ１１の端子の説明図であり、Ｕ相の高電位側アームの２つの半導体チップ１１の構成を概略的に示す図である。図３は、比較例による同構成を概略的に示す図である。なお、図２及び図３では、Ｕ相の高電位側アームの構成を代表して説明するが、他のアームについても同様である。
【0023】
Ｕ相の高電位側アームは、２並列接続の構成に対応して、２つの半導体チップ１１を有し、２つの半導体チップ１１のそれぞれに対応付けて温度センシング部１１０－１、１１０－２が設けられる。２つの半導体チップ１１のそれぞれは、温度センシング部１１０－１、１１０－２を内蔵する。以下では、このようなＮ並列接続の構成に対応してＮ組で設けられる半導体チップ１１のそれぞれを区別する場合、参照符号の後に「－１」・・・「－Ｎ」を付する場合がある。また、以下では、半導体チップ１１は、特に言及しない限り、半導体チップ１１－１から１１－Ｎのうちの任意の一方を表す。
【0024】
温度センシング部１１０－１、１１０－２は、共通の２つの端子２０Ａ、２０Ｋの間に接続される。なお、図２では、半導体チップ１１のセンスエミッタ端子２０Ｓや、ゲートに接続される端子２０Ｇ、エミッタに接続される端子２０Ｅ等のような他の端子が示されている。以下では、端子数ｋとは、温度センシング部に関する端子（図２では、端子２０Ａ、２０Ｋ）の数を表す。従って、端子数ｋは、センスエミッタ端子２０Ｓ等の他の端子の数は含まない。
【0025】
温度センシング部１１０－１は、１つ以上の第１温度検出ダイオード３１を有し、温度センシング部１１０－２は、１つ以上の第２温度検出ダイオード３２を有する。図２に示す例では、第１温度検出ダイオード３１及び第２温度検出ダイオード３２は、それぞれ、３つずつ設けられるが、数は任意である。以下では、特に言及しない限り、第１温度検出ダイオード３１とは、３つの第１温度検出ダイオード３１の全体を指し、第２温度検出ダイオード３２も同様である。従って、例えば、第１温度検出ダイオード３１の両端電圧とは、３つの第１温度検出ダイオード３１全体としての両端電圧（すなわち２つの端子２０Ａ、２０Ｋの間の電圧）を意味する。
【0026】
第１温度検出ダイオード３１及び第２温度検出ダイオード３２は、例えばそれぞれＳｉダイオードであってよい。本実施例では、図２に示すように、第１温度検出ダイオード３１及び第２温度検出ダイオード３２は、２つの端子２０Ａ、２０Ｋの間に、互いに対して逆向きにかつ並列に接続される。図２に示す例では、第１温度検出ダイオード３１は、アノード側が端子２０Ａ側になるように、２つの端子２０Ａ、２０Ｋの間に接続され、第２温度検出ダイオード３２は、アノード側が端子２０Ｋ側になるように、２つの端子２０Ａ、２０Ｋの間に接続される。
【0027】
なお、図３に示す比較例では、第１温度検出ダイオード３１’は、２つの端子２０Ａ－１、２０Ｋ－１の間に接続され、第２温度検出ダイオード３２’は、別の２つの端子２０Ａ－２、２０Ｋ－２の間に接続されている。この場合、端子数ｋ＝４（＝Ｎ×２、Ｎ＝２）となり、図２に示す本実施例のｋ＝２に比べて端子数ｋが多くなる点で不利となる。換言すると、本実施例によれば、図３に示すような比較例に比べて、端子数ｋを低減でき、低コスト化やインバータ制御装置６の小型化を図ることができる。
【0028】
図４は、温度検出装置５０の構成を概略的に示す図である。
【0029】
本実施例による温度検出装置５０は、電気回路５１と、マイコン（マイクロコンピュータの略）５２と、上述した温度センシング部１１０－１、１１０－２とを含む。
【0030】
電気回路５１は、２つの端子２０Ａ、２０Ｋに接続される。電気回路５１は、端子２０Ａから端子２０Ｋに向かう第１方向の電流と、端子２０Ｋから端子２０Ａに向かう第２方向の電流とを、切り替えて生成可能である。
【0031】
第１方向の電流は、第１温度検出ダイオード３１に対する順方向の電流である。第１方向の電流は、好ましくは、定電流である。すなわち、電気回路５１は、好ましくは、定電流源を含む。第１方向の電流が生成されると、第１温度検出ダイオード３１の両端電圧（温度センシング信号）は、第１温度検出ダイオード３１の近傍の温度（≒半導体チップ１１の温度）に応じた値となる。
【0032】
電気回路５１は、第１方向の電流を生成した状態で得られる電圧情報（第１温度検出ダイオード３１の両端電圧の情報）をマイコン５２に与える。以下、この電圧情報を区別のための「第１電圧情報」と称する。第１電圧情報は、両端電圧（温度センシング信号）のＡ／Ｄ（アナログデジタル）変換値の形態であってもよいし、後述するようなＤｕｔｙ値の形態であってもよい。
【0033】
第２方向の電流は、第２温度検出ダイオード３２に対する順方向の電流である。第２方向の電流は、好ましくは、定電流である。すなわち、電気回路５１は、好ましくは、定電流源を含む。第２方向の電流が生成されると、第２温度検出ダイオード３２の両端電圧（温度センシング信号）は、第２温度検出ダイオード３２の近傍の温度（≒半導体チップ１１の温度）に応じた値となる。
【0034】
電気回路５１は、第２方向の電流を生成した状態で得られる電圧情報（第２温度検出ダイオード３２の両端電圧の情報）をマイコン５２に与える。以下、この電圧情報を区別のための「第２電圧情報」と称する。第２電圧情報は、両端電圧（温度センシング信号）のＡ／Ｄ変換値の形態であってもよいし、後述するようなＤｕｔｙ値の形態であってもよい。
【0035】
マイコン５２は、第１電圧情報に基づいて、半導体チップ１１－１に関する温度情報を得る。また、マイコン５２は、第２電圧情報に基づいて、半導体チップ１１－２に関する温度情報を得る。
【0036】
このようにして、本実施例によれば、温度検出装置５０が第１方向の電流と第２方向の電流を生成できる電気回路５１を備えるので、第１温度検出ダイオード３１の両端電圧に基づいて半導体チップ１１－１に関する温度情報を、第２温度検出ダイオード３２の両端電圧に基づいて半導体チップ１１－２に関する温度情報を、それぞれ個別に得ることができる。
【0037】
また、本実施例によれば、２つの端子２０Ａ、２０Ｋの間に、第１温度検出ダイオード３１及び第２温度検出ダイオード３２が逆向きかつ並列に接続されるので、比較的少ない端子数ｋ（例えば図３に示す比較例に比べて少ない端子数ｋ）で、２つの半導体チップ１１－１、１１－２に関する温度情報を個別に得ることができる。
【0038】
図４に示す例では、マイコン５２は、電流切替部５２０と、温度算出処理部５２１と、制限要求生成部５２２とを含む。なお、電流切替部５２０、温度算出処理部５２１、及び制限要求生成部５２２は、マイコン５２のＣＰＵ（図示せず）がメモリ（図示せず）内のプログラムを実行することで実現できる。
【0039】
電流切替部５２０は、第１方向の電流と第２方向の電流とを切り替えるための切替信号を電気回路５１に与える（図４の矢印Ｓ１参照）。電気回路５１は、かかる切替信号を受けると、切替信号に応答して、第１方向の電流を生成する状態と、第２方向の電流を生成する状態との間で状態遷移する。
【0040】
温度算出処理部５２１は、電気回路５１から得られる電圧情報（第１電圧情報及び第２電圧情報）（図４の矢印Ｓ２参照）に基づいて、半導体チップ１１に関する温度の算出値を導出する。
【0041】
図４に示す例では、温度算出処理部５２１は、第１温度算出処理部５２１１と、第２温度算出処理部５２１２とを含む。
【0042】
第１温度算出処理部５２１１は、電気回路５１から得られる第１電圧情報に基づいて、半導体チップ１１－１に関する温度の算出値を算出する。なお、第１温度検出ダイオード３１の両端電圧と周辺温度との関係はあらかじめ既知であるので、当該関係に基づいて当該温度の算出値を得ることができる。
【0043】
第２温度算出処理部５２１２は、電気回路５１から得られる第２電圧情報に基づいて、半導体チップ１１－２に関する温度の算出値を算出する。
【0044】
制限要求生成部５２２は、第１温度算出処理部５２１１により算出される半導体チップ１１－１に関する温度の算出値と、第２温度算出処理部５２１２により算出される半導体チップ１１－２に関する温度の算出値のうちの、大きい方の算出値が所定閾値以上であるか否かを判定する。そして、制限要求生成部５２２は、大きい方の算出値が所定閾値Ｔｔｈ以上であると判定した場合に、インバータ４の動作に対する制限を要求する制限要求を出力する。制限要求が生成されると、インバータ制御装置６は、当該制限要求に応答して、例えば要求トルクの上限値を低減する処理や、インバータ４の各スイッチング素子Ｑ１～Ｑ６の駆動デューティを低減する処理等のような、半導体チップ１１の温度を低減するための処理を実行する。
【0045】
このようにして、図４に示す例によれば、各半導体チップ１１の温度を個別に表す電圧情報に基づいて、制限要求が生成されるので、例えば２つ以上の半導体チップ１１の平均温度に基づいて同様の制限要求が生成されるような比較例（図示せず）に比べて、制限要求を生成する頻度を低減することが可能である。
【0046】
具体的には、本実施例では、半導体チップ１１－１、１１－２のうちの高い方の温度の算出値が所定閾値Ｔｔｈ以上である場合に制限要求が生成されるのに対して、比較例では、２つ以上の半導体チップ１１の平均温度が所定閾値Ｔｔｈ’以上である場合に制限要求が生成される。ここで、２つ以上の半導体チップ１１の平均温度が例えば温度Ｔ１であるとき、各半導体チップ１１の個別の温度は、平均温度Ｔ１に対して異なりうる。例えば、各半導体チップ１１の温度は、平均温度Ｔ１に対して最大でα℃（＞０℃）だけ異なりうる。この場合、比較例において、本実施例と同様にいずれかの半導体チップ１１に関する温度が所定閾値Ｔｔｈに対応する温度以上である場合に確実に制限要求が生成されるようにするためには、比較例の所定閾値Ｔｔｈ’は、所定閾値Ｔｔｈよりもα以上小さくする必要性がある。従って、比較例では、２つ以上の半導体チップ１１のそれぞれの温度が、所定閾値Ｔｔｈ’に対応する温度である場合であって、所定閾値Ｔｔｈに対応する温度よりも有意に低い場合でも、制限要求が生成されることになる。これに対して、本実施例によれば、各半導体チップ１１の温度を個別に評価できるので、かかるマージンαをなくして、制限要求が生成される可能性（又は頻度）を低減できる。換言すると、本実施例によれば、所定閾値Ｔｔｈを比較的高く設定でき、インバータ４の出力上限を高めることができる。
【0047】
なお、本実施例では、温度算出処理部５２１は、上述したように、第１温度算出処理部５２１１及び第２温度算出処理部５２１２を備えるが、第１温度算出処理部５２１１により算出される半導体チップ１１－１に関する温度の算出値と、第２温度算出処理部５２１２により算出される半導体チップ１１－２に関する温度の算出値との平均値が別途算出されてもよい。
【0048】
次に、図５以降を参照して、温度検出装置５０の電気回路５１の具体的な構成例について説明する。
【0049】
図５は、温度検出装置５０の電気回路５１の一例を示す概略図である。図５には、電気回路５１以外の関連構成（第１温度検出ダイオード３１や、第２温度検出ダイオード３２、マイコン５２）も併せて示されている。なお、電気回路５１は、例えば高圧バッテリ２からの高圧電位を扱う電子部品が配置される高圧領域に配置されるので、低圧領域に配置されるマイコン５２との間には、絶縁トランシーバ６０が設けられる。
【0050】
電気回路５１は、定電流生成回路部５１０と、中間電位生成部５１２と、電圧情報生成部５１３とを含む。
【0051】
定電流生成回路部５１０は、マイコン５２からの切替信号（矢印Ｓ１）に応答して、第１方向の定電流を生成する状態と、第２方向の定電流を生成する状態との間で、切り替わる。
【0052】
定電流生成回路部５１０は、好ましくは、単電源（図５の“Ｖｃｃ”参照）に基づいて動作する。これにより、負電源を追加的に用いる場合（後出の図１２参照）に比べて、回路規模やコストの低減を図ることができる。なお、単電源は、車載の低圧バッテリ（図示せず）に基づいて生成されてよい。
【0053】
中間電位生成部５１２は、端子２０Ｋに接続される。中間電位生成部５１２は、単電源の電源電圧Ｖｃｃと０Ｖとの間の中間電位（図５の“Ｖｃｃ／２”参照）を生成する。具体的には、中間電位生成部５１２は、端子２０Ｋの電位が中間電位に維持されるように動作する。なお、中間電位生成部５１２は、定電流生成回路部５１０と同様、単電源（図示せず）に係る電源電圧に基づいて動作してよい。
【0054】
電圧情報生成部５１３は、端子２０Ａに接続され、端子２０Ａに生じる電圧を表す電圧情報を生成する。なお、端子２０Ａに生じる電圧は、定電流生成回路部５１０により第１方向の定電流が生成されている状態では、第１温度検出ダイオード３１の両端電圧に応じた電圧値となり、定電流生成回路部５１０により第２方向の定電流が生成されている状態では、第２温度検出ダイオード３２の両端電圧に応じた電圧値となる。従って、端子２０Ａに生じる電圧を表す電圧情報は、実質的に、第１温度検出ダイオード３１の両端電圧を表す第１電圧情報と、第２温度検出ダイオード３２の両端電圧を表す第２電圧情報とを含む。
【0055】
図５に示す例では、電圧情報生成部５１３は、基準波生成部５１３１と、比較処理部５１３２とを含む。
【0056】
基準波生成部５１３１は、基準波を生成する。基準波は、周期的に振幅が変化する波形を有する。本実施例では、一例として、基準波は、三角波である。なお、変形例では、三角波に代えて、鋸波等が利用されてもよい。
【0057】
比較処理部５１３２は、基準波生成部５１３１により生成される三角波と、端子２０Ａに生じる電圧波形との関係を表す情報を、電圧情報として生成する。例えば、比較処理部５１３２は、コンパレータを含み、基準波生成部５１３１により生成される三角波と、端子２０Ａに生じる電圧波形との比較結果を表す情報を、電圧情報として生成してよい。
【0058】
このような図５に示す電気回路５１によれば、定電流生成回路部５１０と中間電位生成部５１２を備えるので、双方向の定電流（第１方向及び第２方向の定電流）を選択的に生成できる。また、定電流生成回路部５１０が単電源で動作するので、比較的回路規模の小さい構成を実現できる。
【0059】
図６は、図５に示す電気回路５１の構成の実現例を示す図である。図７Ａから図７Ｄは、図６に示す実現例の説明図であり、各種の波形を示す図である。具体的には、図７Ａは、横軸に時間をとり、縦軸に電圧をとり、切替信号Ｖｉの波形と中間電位Ｖｍの波形を示す図である。図７Ｂは、横軸に時間をとり、縦軸に電流をとり、第１温度検出ダイオード３１又は第２温度検出ダイオード３２を流れる電流（以下、「ダイオード電流Ｉｆ」とも称する）の波形を示す図である。図７Ｃは、横軸に時間をとり、縦軸に電圧をとり、三角波ＶＴの波形と、端子２０Ａに生じる電圧Ｖｆの波形とを示す図である。図７Ｄは、横軸に時間をとり、縦軸に電圧をとり、電圧情報生成部５１３からの比較結果の出力（電圧情報）ｃｍｐの波形を示す図である。なお、図７Ａから図７Ｄの縦軸に示す数値はあくまで一例であり、適宜変更されてよい。
【0060】
図６に示す例では、定電流生成回路部５１０は、ハウランド式の定電流源（Ｈｏｗｌａｎｄ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｕｍｐ）を含む。定電流生成回路部５１０には、中間電位Ｖｍと、切替信号Ｖｉとが入力される。定電流生成回路部５１０は、オペアンプ５１０１と、各種の抵抗Ｒ１からＲ５及びコンデンサＣ３とを含む。
【0061】
オペアンプ５１０１の反転入力端子には、オペアンプ５１０１の出力電圧Ｖ０と中間電位Ｖｍの差が、抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ５とで分圧されて入力される。具体的には、オペアンプ５１０１の反転入力端子には、以下の電圧Ｖｎが入力される。
Ｖｎ＝（Ｒ２×Ｖ０＋Ｒ５×Ｖｍ）／（Ｒ２＋Ｒ５） 式（１）
また、オペアンプ５１０１の非反転入力端子には、以下の関係式を満たす電圧Ｖｐが入力される。
Ｖｐ＝Ｖ０－Ｒ４×｛Ｉｆ＋（Ｖｐ－Ｖｉ）／Ｒ１｝－Ｒ３×（Ｖｐ－Ｖｉ）／Ｒ１ 式（２）
式（２）から電圧Ｖｐは、以下の通りとなる。
Ｖｐ＝Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ３＋Ｒ４）×Ｖ０＋（Ｒ３＋Ｒ４）／（Ｒ１＋Ｒ３＋Ｒ４）×Ｖｉ－Ｒ１×Ｒ４／（Ｒ１＋Ｒ３＋Ｒ４）×Ｉｆ 式（３）
この場合、オペアンプ５１０１のバーチャルショート（Ｖｐ＝Ｖｎ）を考慮しつつ、抵抗Ｒ１からＲ５について、Ｒ１＝Ｒ２、かつ、Ｒ５＝Ｒ３＋Ｒ４の条件下では、ダイオード電流Ｉｆは、以下の通りとなる。
Ｉｆ＝（Ｒ４＋Ｒ３）×（Ｖｉ－Ｖｍ）／Ｒ１／Ｒ４ 式（４）
なお、切替信号Ｖｉは、図７Ａに示すように、中間電位Ｖｍの２倍の５Ｖ（第１の値の一例）と、０Ｖ（第２の値の一例）との間で電圧値が切り替わる信号である。なお、５Ｖ等の具体的な数値は、上述したように、あくまで一例であり、適宜変更されてよい。式（４）からわかるように、Ｖｉ＝５Ｖのときは、ダイオード電流Ｉｆは正の電流（すなわち第１方向の電流）となり、Ｖｉ＝０Ｖのときは、ダイオード電流Ｉｆは負の電流（すなわち第２方向の電流）となる（図７Ａ及び図７Ｂ参照）。
Ｖｎ＝（Ｒ２×Ｖ０＋Ｒ５×Ｖｍ）／（Ｒ２＋Ｒ５） 式（１）
また、オペアンプ５１０１の非反転入力端子には、以下の関係式を満たす電圧Ｖｐが入力される。
Ｖｐ＝Ｖ０－Ｒ４×｛Ｉｆ＋（Ｖｐ－Ｖｉ）／Ｒ１｝－Ｒ３×（Ｖｐ－Ｖｉ）／Ｒ１ 式（２）
式（２）から電圧Ｖｐは、以下の通りとなる。
Ｖｐ＝Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ３＋Ｒ４）×Ｖ０＋（Ｒ３＋Ｒ４）／（Ｒ１＋Ｒ３＋Ｒ４）×Ｖｉ－Ｒ１×Ｒ４／（Ｒ１＋Ｒ３＋Ｒ４）×Ｉｆ 式（３）
この場合、オペアンプ５１０１のバーチャルショート（Ｖｐ＝Ｖｎ）を考慮しつつ、抵抗Ｒ１からＲ５について、Ｒ１＝Ｒ２、かつ、Ｒ５＝Ｒ３＋Ｒ４の条件下では、ダイオード電流Ｉｆは、以下の通りとなる。
Ｉｆ＝（Ｒ４＋Ｒ３）×（Ｖｉ－Ｖｍ）／Ｒ１／Ｒ４ 式（４）
なお、切替信号Ｖｉは、図７Ａに示すように、中間電位Ｖｍの２倍の５Ｖ（第１の値の一例）と、０Ｖ（第２の値の一例）との間で電圧値が切り替わる信号である。なお、５Ｖ等の具体的な数値は、上述したように、あくまで一例であり、適宜変更されてよい。式（４）からわかるように、Ｖｉ＝５Ｖのときは、ダイオード電流Ｉｆは正の電流（すなわち第１方向の電流）となり、Ｖｉ＝０Ｖのときは、ダイオード電流Ｉｆは負の電流（すなわち第２方向の電流）となる（図７Ａ及び図７Ｂ参照）。
【0062】
また、図６に示す例では、中間電位生成部５１２は、オペアンプ５１２１と、各種の抵抗Ｒ６からＲ８及びコンデンサＣ１、Ｃ２とを含む。オペアンプ５１２１の非反転入力端子には、抵抗Ｒ６、Ｒ７で分圧される電源電圧Ｖｃｃが入力される。オペアンプ５１２１の反転入力端子には、オペアンプ５１２１の出力端子が、抵抗Ｒ８及びコンデンサＣ２の並列回路を介して接続（帰還）される。中間電位生成部５１２は、上述したように５Ｖの半分の２．５Ｖ（第３の値の一例）の中間電位Ｖｍを維持するように動作する。
【0063】
また、図６に示す例では、電圧情報生成部５１３は、三角波生成回路である基準波生成部５１３１と、コンパレータである比較処理部５１３２とを含む。
【0064】
基準波生成部５１３１は、切替信号Ｖｉの切り替え周期よりも有意に短い周期で三角波ＶＴを発生する。三角波ＶＴの振幅は、電圧Ｖｆの取りうる範囲をカバーするように設定され、図７Ｃでは５Ｖである。比較処理部５１３２には、図７Ｃに示すように、三角波ＶＴと、電圧Ｖｆとが入力される。なお、電圧Ｖｆは、ダイオード電流Ｉｆと、第１温度検出ダイオード３１又は第２温度検出ダイオード３２の近傍の温度とに依存した値となる。ダイオード電流Ｉｆは、定電流であるので、電圧Ｖｆは、実質的に、第１温度検出ダイオード３１又は第２温度検出ダイオード３２の近傍の温度のみに依存した値となる。なお、電圧Ｖｆは、図７Ｃに示すように、Ｖｉ＝５Ｖのときと、Ｖｉ＝０Ｖのときで、中間電位Ｖｍに対応する２．５Ｖを中心として反転する。
【0065】
このような図６に示す例によれば、例えば図７Ａに示すように切替信号Ｖｉが５Ｖと０Ｖとの間で切り替わると、それに応じて、図７Ｂに示すように、ダイオード電流Ｉｆは正の電流（すなわち第１方向の電流）と負の電流（すなわち第２方向の電流）とで切り替わる。その結果、図７Ｃに示すように、中間電位Ｖｍに対応する２．５Ｖを中心として反転する電圧Ｖｆが生成され、図７Ｄに示すように、切替信号Ｖｉが５Ｖであるときの出力（第１電圧情報）ｃｍｐと、切替信号Ｖｉが０Ｖであるときの出力（第２電圧情報）ｃｍｐとを得ることができる。
【0066】
図８は、図６に示す比較処理部５１３２からの出力に基づく温度の算出値の導出方法の説明図である。図８は、横軸に温度を取り、縦軸に出力Ｄｕｔｙ比をとったときの、出力Ｄｕｔｙ比と温度との関係を表す特性図である。図８には、切替信号Ｖｉが５Ｖであるときの出力（第１電圧情報）ｃｍｐに基づく特性８０１と、切替信号Ｖｉが０Ｖであるときの出力（第２電圧情報）ｃｍｐに基づく特性８０２と、がそれぞれ示される。
【0067】
出力Ｄｕｔｙ比は、比較処理部５１３２からの出力Ｄｕｔｙの波形（図７Ｄ）から導出されるパラメータであり、出力Ｄｕｔｙにおけるオン時間のデューティ比（所定時間あたりのオン時間の時間的な割合）を表す。オン時間は、電圧Ｖが三角波ＶＴを超えている時間に対応する。
【0068】
例えば、切替信号Ｖｉが５Ｖであるときの出力Ｄｕｔｙ比の値は、電圧Ｖｆが大きいほど（第１温度検出ダイオード３１での電圧降下が大きいほど）大きくなる。電圧Ｖｆは、上述したように、実質的に、第１温度検出ダイオード３１の近傍の温度のみに依存した値を持つので、出力Ｄｕｔｙ比の値は、図８に示すように、温度と対応付けることができる。具体的には、切替信号Ｖｉが５Ｖである場合、図８に特性８０１で示すように、出力Ｄｕｔｙ比の値が小さくなるほど、温度が高くなる線形的な関係となる。従って、このような線形的な特性８０１を利用して、第１電圧情報に基づき温度の算出値を導出できる。例えば、切替信号Ｖｉが５Ｖであるときの出力Ｄｕｔｙ比の値が約６５％であるとき、温度の算出値１４０℃を得ることができる。
【0069】
また、切替信号Ｖｉが０Ｖであるときの出力Ｄｕｔｙ比の値は、電圧Ｖｆが小さいほど（第２温度検出ダイオード３２での電圧降下が大きいほど）小さくなる。電圧Ｖｆは、上述したように、実質的に、第２温度検出ダイオード３２の近傍の温度のみに依存した値を持つので、出力Ｄｕｔｙ比の値は、図８に示すように、温度と対応付けることができる。具体的には、切替信号Ｖｉが０Ｖである場合、図８に特性８０２で示すように、出力Ｄｕｔｙ比の値が大きくなるほど、温度が高くなる線形的な関係となる。従って、このような特性８０２を利用して、第２電圧情報に基づき温度の算出値を導出できる。例えば、切替信号Ｖｉが０Ｖであるときの出力Ｄｕｔｙ比の値が約３５％であるとき、温度の算出値１４０℃を得ることができる。
【0070】
なお、図８に示すような特性８０１、８０２は、第１温度検出ダイオード３１及び第２温度検出ダイオード３２を形成する素子の仕様書に基づく特性であってもよいし、実測値に基づく特性であってもよい。上述した温度算出処理部５２１は、図８に示すような特性８０１、８０２に基づいて、温度の算出値を導出できる。
【0071】
なお、図７Ｄからわかるように、切替信号Ｖｉが０Ｖと５Ｖとの間で切り替わる際は、出力Ｄｕｔｙ比の値の精度が一時的に悪くなる。従って、温度算出処理部５２１は、切替信号Ｖｉが０Ｖと５Ｖとの間で切り替わってから所定時間経過の出力Ｄｕｔｙ比の値に基づいて、温度の算出値を導出してよい。
【0072】
図９は、図５に示す電気回路５１の構成の他の実現例として、電気回路５１Ａを示す図である。図１０Ａから図１０Ｄは、図９に示す実現例の説明図であり、前出の図７Ａから図７Ｄと同様の各種の波形を示す図である。ただし、図１０Ｃは、三角波ＶＴに代えて、オフセットが付与された三角波ＶＴＯの波形を示す。
【0073】
図９に示す電気回路５１Ａは、図６に示した電気回路５１に対して、電圧情報生成部５１３が電圧情報生成部５１３Ａで置換された点が異なる。図９に示す電気回路５１Ａにおいて他の構成要素は、図６と同様であってよく、同一の参照符号を付して説明を省略する場合がある。
【0074】
電圧情報生成部５１３Ａは、図６に示した電圧情報生成部５１３に対して、オフセット生成部５１３３が追加された点が主に異なる。すなわち、電圧情報生成部５１３Ａは、基準波生成部５１３１及び比較処理部５１３２に加えて、オフセット生成部５１３３を備える。
【0075】
オフセット生成部５１３３は、切替信号に応答して、三角波のオフセットを変化させる。この結果、図１０Ｃに示すように、オフセットが変化する三角波ＶＴＯが生成される。
【0076】
具体的には、オフセット生成部５１３３は、図９に示すように、基準波生成部５１３１と比較処理部５１３２との間に接続される。オフセット生成部５１３３は、抵抗Ｒ１０、Ｒ１１を備え、抵抗Ｒ１０、Ｒ１１の間に、比較処理部５１３２を形成するコンパレータの反転入力端子が接続される。すなわち、抵抗Ｒ１０は、一端が、比較処理部５１３２を形成するコンパレータの反転入力端子が接続され、他端が基準波生成部５１３１に接続される。また、抵抗Ｒ１１は、一端に切替信号Ｖｉが入力され、他端が、比較処理部５１３２を形成するコンパレータの反転入力端子が接続される。なお、抵抗Ｒ１０、Ｒ１１は抵抗値が同じであるとする。この場合、比較処理部５１３２を形成するコンパレータの反転入力端子には、抵抗Ｒ１０、Ｒ１１で分圧される差分電圧（三角波ＶＴと切替信号Ｖｉとの間の差分電圧）に応じて、以下のような電圧ＶＴＯが入力される。
ＶＴＯ＝（ＶＴ＋Ｖｉ）／２ 式（５）
この場合、オフセット生成部５１３３は、図１０Ｃに示すように、切替信号Ｖｉが５Ｖであるときは、２．５Ｖのオフセットを有する三角波ＶＴＯを生成し、切替信号Ｖｉが０Ｖであるときは、０Ｖのオフセットを有する三角波ＶＴＯ（すなわちオフセットなしの三角波ＶＴＯ）を生成する。
ＶＴＯ＝（ＶＴ＋Ｖｉ）／２ 式（５）
この場合、オフセット生成部５１３３は、図１０Ｃに示すように、切替信号Ｖｉが５Ｖであるときは、２．５Ｖのオフセットを有する三角波ＶＴＯを生成し、切替信号Ｖｉが０Ｖであるときは、０Ｖのオフセットを有する三角波ＶＴＯ（すなわちオフセットなしの三角波ＶＴＯ）を生成する。
【0077】
このような図９に示す例によっても、上述した図６に示す例と同様、例えば図１０Ａに示すように切替信号Ｖｉが５Ｖと０Ｖとの間で切り替わると、それに応じて、図１０Ｂに示すように、ダイオード電流Ｉｆは正の電流（すなわち第１方向の電流）と負の電流（すなわち第２方向の電流）とで切り替わる。その結果、図１０Ｃに示すように、中間電位Ｖｍに対応する２．５Ｖを中心として反転する電圧Ｖｆが生成され、図１０Ｄに示すように、切替信号Ｖｉが５Ｖであるときの出力（第１電圧情報）ｃｍｐと、切替信号Ｖｉが０Ｖであるときの出力（第２電圧情報）ｃｍｐとを得ることができる。
【0078】
特に、図９に示す例によれば、上述したように、三角波ＶＴＯは、切替信号Ｖｉに応答してオフセットが０Ｖと２．５Ｖとの間で切り替わるので、より精度の高い温度の算出値を得ることができる。
【0079】
具体的には、図９に示す例では、図１０Ｃに示すように２．５Ｖを中心として反転する電圧Ｖｆに対して、当該反転方向に合わせてオフセットが変化する三角波ＶＴＯを、比較処理部５１３２に入力できる。すなわち、切替信号Ｖｉ＝５Ｖのときは、電圧Ｖｆは、中間電位２．５Ｖよりも高い電圧値となる。このため、０Ｖと５Ｖとの間で振動する三角波ＶＴよりも、２．５Ｖと５Ｖの間で振動する三角波ＶＴＯの方が、単位時間あたりの三角波ＶＴＯの電圧変化が小さくなるので、精度の良い比較結果を得ることができる。また、同様に、切替信号Ｖｉ＝０Ｖのときは、電圧Ｖｆは、中間電位２．５Ｖよりも低い電圧値となる。このため、０Ｖと５Ｖとの間で振動する三角波ＶＴよりも、０Ｖと２．５Ｖの間で振動する三角波ＶＴＯの方が、単位時間あたりの三角波ＶＴＯの電圧変化が小さくなるので、精度の良い比較結果を得ることができる。なお、この効果については、以下で図１１を参照して説明する特性１１０１、１１０２からも理解できる。
【0080】
図１１は、図９に示す比較処理部５１３２からの出力に基づく温度の算出値の導出方法の説明図である。図１１は、横軸に温度を取り、縦軸に出力Ｄｕｔｙ比をとったときの、出力Ｄｕｔｙ比と温度との関係を表す特性図である。図１１には、切替信号Ｖｉが５Ｖであるときの出力（第１電圧情報）ｃｍｐに基づく特性１１０１と、切替信号Ｖｉが０Ｖであるときの出力（第２電圧情報）ｃｍｐに基づく特性１１０２と、がそれぞれ示される。
【0081】
図１１に示すように、特性１１０１及び特性１１０２は、それぞれ、図８に示した特性８０１及び特性８０２と同様の傾向を示すが、図８に示した特性８０１及び特性８０２よりも傾きが大きくなる。これは、上述したように、切替信号Ｖｉ＝０Ｖのときは、０Ｖと５Ｖとの間で振動する三角波ＶＴよりも、０Ｖと２．５Ｖの間で振動する三角波ＶＴＯの方が、単位時間あたりの三角波ＶＴＯの電圧変化が小さくなるためである。換言すると、５Ｖの振幅で特定の温度範囲をカバーするよりも、２．５Ｖの振幅で同じ特定の温度範囲をカバーする方が、単位電圧変化あたりの温度変化量を大きくする（２倍にする）ことができる。この結果、図８に示した特性８０１及び特性８０２よりも、精度の高い温度の算出値を得ることができる。
【0082】
図１２は、負電源を利用した変形例による電気回路５１Ｂを概略的に示す図である。
【0083】
変形例による電気回路５１Ｂは、図５等に示した電気回路５１に対して、定電流生成回路部５１０が定電流生成回路部５１０Ｂで置換され、かつ、中間電位生成部５１２が省略された点が異なる。
【0084】
定電流生成回路部５１０Ｂは、上述した定電流生成回路部５１０に対して、負電源（Ｖｅｅ参照）を更に利用する点が異なる。すなわち、定電流生成回路部５１０Ｂは、正負の両電源に基づいて動作する。
【0085】
このような変形例によっても、負電源を用いることで回路規模が比較的大きくなるものの、上述した実施例と同様の効果を得ることができる。
【0086】
次に、図１３以降を参照して、スイッチ回路部を利用した電気回路について説明する。
【0087】
【0088】
電気回路５１Ｃは、図５等に示した電気回路５１に対して、定電流生成回路部５１０が定電流生成回路部５１０Ｃで置換され、かつ、中間電位生成部５１２が省略された点が異なる。
【0089】
定電流生成回路部５１０Ｃは、単方向定電流源５１７に接続されるスイッチ回路部５１１Ｃにより形成される。
【0090】
スイッチ回路部５１１Ｃは、互いに直列に接続された対のスイッチＳＷ１、ＳＷ３と、互いに直列に接続された対のスイッチＳＷ２、ＳＷ４とを含む。対のスイッチＳＷ１、ＳＷ３と、対のスイッチＳＷ２、ＳＷ４とは、互いに対して並列に、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）とグランドの間に接続される。そして、対のスイッチＳＷ１、ＳＷ３の間は、端子２０Ａに接続され、対のスイッチＳＷ２、ＳＷ４の間は、端子２０Ｋに接続される。なお、各スイッチＳＷ１～ＳＷ４は、半導体素子（トランジスタ等）により実現されてもよいし、リレー等により実現されてもよい。
【0091】
また、電気回路５１Ｃは、切替信号に基づいて、スイッチ回路部５１１Ｃを制御するスイッチ制御部５１６Ｃを有する。スイッチ制御部５１６Ｃは、論理回路により形成され、例えば図１４に示すような動作論理表に基づいて動作する。この場合、マイコン５２からの切替信号は、ｂｉｔ０（最下位ビット）の電圧レベル（Ｈｉｇｈ又はＬｏｗ）をスイッチ制御部５１６Ｃに与える。
【0092】
スイッチ制御部５１６Ｃに与えられる電圧レベルがＬｏｗの状態は、第１方向の電流（第１温度検出ダイオード３１に対して順方向の電流）を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｃは、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ４をオンとし、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ３をオフとするように機能する。スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ４がオンし、かつ、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ３がオフすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ１、第１温度検出ダイオード３１、及びスイッチＳＷ４を通ってグランドに流れる電流（第１温度検出ダイオード３１に対する順方向の電流）が生成され、第１電圧情報が生成される。
【0093】
スイッチ制御部５１６Ｃに与えられる電圧レベルがＨｉｇｈの状態は、第２方向の電流（第２温度検出ダイオード３２に対して順方向の電流）を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｃは、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ４をオフとし、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ３をオンとするように機能する。スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ４がオフし、かつ、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ３がオンすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ２、第２温度検出ダイオード３２、及びスイッチＳＷ３を通ってグランドに流れる電流（第２温度検出ダイオード３２に対する順方向の電流）が生成され、第２電圧情報が生成される。
【0094】
なお、図１３に示す例では、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ４がオンし、かつ、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ３がオフした状態では、図１３に示すように、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ａに生じる電圧が入力される。また、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ４がオフし、かつ、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ３がオンした状態では、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ｋに生じる電圧が入力される。この場合、温度算出処理部５２１は、図８に示した特性８０１に基づいて、温度の算出値を導出できる。
【0095】
このような図１３に示す電気回路５１Ｃによっても、上述した電気回路５１と同様の効果を得ることができる。
【0096】
次に、図１５以降を参照して、２並列接続の構成以外の場合のスイッチ回路部について説明する。
【0097】
図１５は、３並列接続の構成に係るスイッチ回路部５１１Ｄの説明図であり、当該スイッチ回路部５１１Ｄを利用した電気回路５１Ｄを概略的に示す図である。図１６は、図１５に示すスイッチ回路部５１１Ｄを制御するための論理回路に係る動作論理表の図である。
【0098】
３並列構成では、電気回路５１Ｄには、図１５に示すように、第１温度検出ダイオード３１及び第２温度検出ダイオード３２に加えて、第３温度検出ダイオード３３（温度センシング部１１０－３）が接続される。第３温度検出ダイオード３３は、第１温度検出ダイオード３１が半導体チップ１１－１に内蔵されるのと同様、半導体チップ１１－３（図示せず）に内蔵される。
【0099】
第１温度検出ダイオード３１及び第２温度検出ダイオード３２は、上述した２並列接続の構成と同様、２つの端子２０Ａ、２０Ｋの間に、互いに対して逆向きにかつ並列に接続される。
【0100】
第３温度検出ダイオード３３は、アノード側が端子２０Ｋ側になるように、２つの端子２０Ｋ、２０Ｌ間に接続される。図１５に示す例では、第３温度検出ダイオード３３は、３つずつ設けられるが、数は任意である。以下では、特に言及しない限り、第３温度検出ダイオード３３とは、３つの第３温度検出ダイオード３３の全体を指す。従って、例えば、第３温度検出ダイオード３３の両端電圧とは、３つの第３温度検出ダイオード３３全体としての両端電圧（すなわち２つの端子２０Ｋ、２０Ｌの間の電圧）を意味する。
【0101】
このように、図１５では、３つの端子２０Ａ、２０Ｋ、２０Ｌは、端子２０Ａ、２０Ｋが対となり、端子２０Ａ、２０Ｋの間に第１温度検出ダイオード３１及び第２温度検出ダイオード３２が、互いに対して逆向きにかつ並列に接続され、かつ、第３温度検出ダイオード３３が接続される。そして、３つの端子２０Ａ、２０Ｋ、２０Ｌのうちの、対の端子を形成する一の端子２０Ｋと、対の端子を形成しない一の端子２０Ｌとの間に、第３温度検出ダイオード３３が接続される。これにより、３つの半導体チップ１１－１から１１－３（図示せず）に関する温度情報を個別に得るための端子数ｋを効率的に低減できる。ただし、変形例では、端子２０Ｋは、２つの端子Ｋ１、Ｋ２（図示せず）で代替されてもよい。例えば、端子２０Ｋに代えて、２つの端子Ｋ１、Ｋ２を利用する場合、端子Ｋ１には、第１温度検出ダイオード３１及び第２温度検出ダイオード３２が接続され、端子Ｋ２には、第３温度検出ダイオード３３が接続されてよい。このような場合でも、端子数ｋ＝４となり、ｋ＝３から１だけ増加するだけに留まり、第１温度検出ダイオード３１から第３温度検出ダイオード３３のそれぞれに対して２つずつ端子を設ける場合の端子数ｋ＝６に比べて、端子数ｋを有意に低減できる。
【0102】
電気回路５１Ｄは、図５等に示した電気回路５１に対して、定電流生成回路部５１０が定電流生成回路部５１０Ｄで置換され、かつ、中間電位生成部５１２が省略された点が異なる。
【0103】
定電流生成回路部５１０Ｄは、単方向定電流源５１７に接続されるスイッチ回路部５１１Ｄにより形成される。
【0104】
スイッチ回路部５１１Ｄは、互いに直列に接続された対のスイッチＳＷ１、ＳＷ３と、互いに直列に接続された対のスイッチＳＷ２、ＳＷ４とを含む。対のスイッチＳＷ１、ＳＷ３と、対のスイッチＳＷ２、ＳＷ４とは、互いに対して並列に、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）とグランドの間に接続される。そして、対のスイッチＳＷ１、ＳＷ３の間は、端子２０Ａに接続され、対のスイッチＳＷ２、ＳＷ４の間は、端子２０Ｋに接続される。
【0105】
スイッチ回路部５１１Ｄは、更にスイッチＳＷ５を含む。スイッチＳＷ５は、一端が端子２０Ｌに接続され、他端がグランドに接続される。なお、スイッチＳＷ５は、半導体素子（トランジスタ等）により実現されてもよいし、リレー等により実現されてもよい。
【0106】
また、電気回路５１Ｄは、切替信号に基づいて、スイッチ回路部５１１Ｄを制御するスイッチ制御部５１６Ｄを有する。スイッチ制御部５１６Ｄは、論理回路により形成され、例えば図１６に示すような動作論理表に基づいて動作する。この場合、マイコン５２からの切替信号は、ｂｉｔ０及びｂｉｔ１のそれぞれの電圧レベル（Ｈｉｇｈ又はＬｏｗ）の組み合わせをスイッチ制御部５１６Ｄに与える。切替信号は、第１温度検出ダイオード３１に対して順方向の電流を生成する状態と、第２温度検出ダイオード３２に対して順方向の電流を生成する状態と、第３温度検出ダイオード３３に対して順方向の電流を生成する状態との間で、電気回路５１Ｄを状態遷移させる。
【0107】
具体的には、スイッチ制御部５１６Ｄに与えられるｂｉｔ０及びｂｉｔ１の双方の電圧レベルがＬｏｗの状態は、第１温度検出ダイオード３１に対する順方向の電流を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｄは、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ４をオンとし、スイッチＳＷ２、スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ５をオフとするように機能する。スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ４がオンし、かつ、スイッチＳＷ２、スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ５がオフすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ１、第１温度検出ダイオード３１、及びスイッチＳＷ４を通ってグランドに流れる電流（第１温度検出ダイオード３１に対する順方向の電流）が生成され、第１電圧情報が電圧情報生成部５１３により生成される。
【0108】
スイッチ制御部５１６Ｄに与えられるｂｉｔ０及びｂｉｔ１の電圧レベルがそれぞれＨｉｇｈ及びＬｏｗの状態は、第２温度検出ダイオード３２に対する順方向の電流を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｄは、スイッチＳＷ１、スイッチＳＷ４及びスイッチＳＷ５をオフとし、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ３をオンとするように機能する。スイッチＳＷ１、スイッチＳＷ４及びスイッチＳＷ５がオフし、かつ、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ３がオンすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ２、第２温度検出ダイオード３２、及びスイッチＳＷ３を通ってグランドに流れる電流（第２温度検出ダイオード３２に対する順方向の電流）が生成され、第２電圧情報が電圧情報生成部５１３により生成される。
【0109】
スイッチ制御部５１６Ｄに与えられるｂｉｔ０及びｂｉｔ１の電圧レベルがそれぞれＬｏｗ及びＨｉｇｈの状態は、第３温度検出ダイオード３３に対する順方向の電流を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｄは、スイッチＳＷ１、スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ４をオフとし、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ５をオンとするように機能する。スイッチＳＷ１、スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ４がオフし、かつ、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ５がオンすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ２、第３温度検出ダイオード３３、及びスイッチＳＷ５を通ってグランドに流れる電流（第３温度検出ダイオード３３に対する順方向の電流）が生成され、第３温度検出ダイオード３３の両端電圧の情報（第３電圧情報）が電圧情報生成部５１３により生成される。
【0110】
なお、図１５に示す例では、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ４がオンし、かつ、スイッチＳＷ２、スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ５がオフした状態では、図１５に示すように、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ａに生じる電圧が入力される。また、スイッチＳＷ１、スイッチＳＷ４及びスイッチＳＷ５がオフし、かつ、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ３がオンした状態では、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ｋに生じる電圧が入力される。また、スイッチＳＷ１、スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ４がオフし、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ５がオンした状態では、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ｋに生じる電圧が入力される。この場合、温度算出処理部５２１は、図８に示した特性８０１に基づいて、温度の算出値を導出できる。
【0111】
このような図１５に示す電気回路５１Ｄによれば、３並列接続の構成においても、上述した電気回路５１と同様の効果を得ることができる。なお、端子数ｋについても、端子２０Ａ、２０Ｋに加えて端子２０Ｌが追加されるだけであるので、ｋ＝３で留まる。従って、比較的少ない端子数ｋで、３つの半導体チップ１１－１、１１－２、１１－３（図示せず）に関する温度情報を個別に得ることができる。
【0112】
図１７は、３並列接続の構成に係るスイッチ回路部５１１Ｅの説明図であり、当該スイッチ回路部５１１Ｅを利用した電気回路５１Ｅを概略的に示す図である。図１８は、図１７に示すスイッチ回路部５１１Ｅを制御するための論理回路に係る動作論理表の図である。
【0113】
３並列構成では、電気回路５１Ｅには、図１７に示すように、第１温度検出ダイオード３１及び第２温度検出ダイオード３２に加えて、第３温度検出ダイオード３３（温度センシング部１１０－３）が接続される。第３温度検出ダイオード３３は、第１温度検出ダイオード３１が半導体チップ１１－１に内蔵されるのと同様、半導体チップ１１－３（図示せず）に内蔵される。
【0114】
第１温度検出ダイオード３１は、アノード側が端子２０Ａ側になるように、２つの端子２０Ａ、２０Ｋの間に接続される。第２温度検出ダイオード３２は、アノード側が端子２０Ｋ側になるように、２つの端子２０Ｋ、２０Ｌ間に接続される。第３温度検出ダイオード３３は、アノード側が端子２０Ｌ側になるように、２つの端子２０Ｌ、２０Ａ間に接続される。
【0115】
このように、図１７では、３つの端子２０Ａ、２０Ｋ、２０Ｌがデルタ結線により３対の端子（端子２０Ａ、２０Ｋの第１対、端子２０Ｋ、２０Ｌの第２対、端子２０Ｌ、２０Ａの第３対）を形成する。そして、第１対の端子２０Ａ、２０Ｋの間に第１温度検出ダイオード３１及び第２温度検出ダイオード３２が、互いに対して逆向きにかつ並列に接続され、かつ、第３温度検出ダイオード３３が接続される。また、第２対の端子２０Ｋ、２０Ｌの間に第２温度検出ダイオード３２及び第３温度検出ダイオード３３が、互いに対して逆向きにかつ並列に接続され、かつ、第１温度検出ダイオード３１が接続される。また、第３対の端子２０Ｌ、２０Ａの間に第３温度検出ダイオード３３及び第１温度検出ダイオード３１が、互いに対して逆向きにかつ並列に接続され、かつ、第２温度検出ダイオード３２が接続される。この場合、３つの端子２０Ａ、２０Ｋ、２０Ｌは、第１温度検出ダイオード３１、第２温度検出ダイオード３２及び第３温度検出ダイオード３３の間に接続される。具体的には、端子２０Ａは、第１温度検出ダイオード３１及び第３温度検出ダイオード３３の間に接続され、端子２０Ｋは、第１温度検出ダイオード３１及び第２温度検出ダイオード３２の間に接続され、端子２０Ｌは、第２温度検出ダイオード３２及び第３温度検出ダイオード３３の間に接続される。
【0116】
電気回路５１Ｅは、図５等に示した電気回路５１に対して、定電流生成回路部５１０が定電流生成回路部５１０Ｅで置換され、かつ、中間電位生成部５１２が省略された点が異なる。
【0117】
定電流生成回路部５１０Ｅは、単方向定電流源５１７に接続されるスイッチ回路部５１１Ｅにより形成される。
【0118】
スイッチ回路部５１１Ｅは、互いに直列に接続された対のスイッチＳＷ１、ＳＷ４と、互いに直列に接続された対のスイッチＳＷ２、ＳＷ５と、互いに直列に接続された対のスイッチＳＷ３、ＳＷ６と、を含む。対のスイッチＳＷ１、ＳＷ４と、対のスイッチＳＷ２、ＳＷ５と、対のスイッチＳＷ３、ＳＷ６とは、互いに対して並列に、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）とグランドの間に接続される。そして、対のスイッチＳＷ１、ＳＷ４の間は、端子２０Ａに接続され、対のスイッチＳＷ２、ＳＷ５の間は、端子２０Ｋに接続され、対のスイッチＳＷ３、ＳＷ６の間は、端子２０Ｌに接続される。なお、スイッチＳＷ６は、半導体素子（トランジスタ等）により実現されてもよいし、リレー等により実現されてもよい。なお、図１７に示す電気回路５１Ｅでは、スイッチＳＷ６が１つ増加する分だけ図１５に示した電気回路５１Ｄよりも回路規模が大きくなる。
【0119】
また、電気回路５１Ｅは、切替信号に基づいて、スイッチ回路部５１１Ｅを制御するスイッチ制御部５１６Ｅを有する。スイッチ制御部５１６Ｅは、論理回路により形成され、例えば図１８に示すような動作論理表に基づいて動作する。この場合、マイコン５２からの切替信号は、ｂｉｔ０及びｂｉｔ１のそれぞれの電圧レベル（Ｈｉｇｈ又はＬｏｗ）の組み合わせをスイッチ制御部５１６Ｅに与える。切替信号は、第１温度検出ダイオード３１に対して順方向の電流を生成する状態と、第２温度検出ダイオード３２に対して順方向の電流を生成する状態と、第３温度検出ダイオード３３に対して順方向の電流を生成する状態との間で、電気回路５１Ｅを状態遷移させる。
【0120】
具体的には、スイッチ制御部５１６Ｅに与えられるｂｉｔ０及びｂｉｔ１の双方の電圧レベルがＬｏｗの状態は、第１温度検出ダイオード３１に対する順方向の電流を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｅは、スイッチＳＷ１からスイッチＳＷ６のうちの、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ５だけをオンとし、他をオフとするように機能する。スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ５だけがオンすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ１、第１温度検出ダイオード３１、及びスイッチＳＷ５を通ってグランドに流れる電流（第１温度検出ダイオード３１に対する順方向の電流）が生成され、第１電圧情報が電圧情報生成部５１３により生成される。
【0121】
スイッチ制御部５１６Ｅに与えられるｂｉｔ０及びｂｉｔ１の電圧レベルがそれぞれＨｉｇｈ及びＬｏｗの状態は、第２温度検出ダイオード３２に対する順方向の電流を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｅは、スイッチＳＷ１からスイッチＳＷ６のうちの、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ６だけをオンとし、他をオフとするように機能する。スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ６だけがオンすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ２、第２温度検出ダイオード３２、及びスイッチＳＷ６を通ってグランドに流れる電流（第２温度検出ダイオード３２に対する順方向の電流）が生成され、第２電圧情報が電圧情報生成部５１３により生成される。
【0122】
スイッチ制御部５１６Ｅに与えられるｂｉｔ０及びｂｉｔ１の電圧レベルがそれぞれＬｏｗ及びＨｉｇｈの状態は、第３温度検出ダイオード３３に対する順方向の電流を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｅは、スイッチＳＷ１からスイッチＳＷ６のうちの、スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ４だけをオンとし、他をオフとするように機能する。スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ４だけがオンすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ３、第３温度検出ダイオード３３、及びスイッチＳＷ４を通ってグランドに流れる電流（第３温度検出ダイオード３３に対する順方向の電流）が生成され、第３温度検出ダイオード３３の両端電圧の情報（第３電圧情報）が電圧情報生成部５１３により生成される。
【0123】
なお、図１７に示す例では、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ５だけがオンした状態では、図１７に示すように、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ａに生じる電圧が入力される。また、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ６だけがオンした状態では、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ｋに生じる電圧が入力される。また、スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ４だけがオンした状態では、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ｌに生じる電圧が入力される。この場合、温度算出処理部５２１は、図８に示した特性８０１に基づいて、温度の算出値を導出できる。
【0124】
このような図１７に示す電気回路５１Ｅによれば、３並列接続の構成においても、上述した電気回路５１と同様の効果を得ることができる。なお、端子数ｋについても、端子２０Ａ、２０Ｋに加えて端子２０Ｌが追加されるだけであるので、ｋ＝３で留まる。従って、比較的少ない端子数ｋで、３つの半導体チップ１１－１、１１－２、１１－３（図示せず）に関する温度情報を個別に得ることができる。
【0125】
図１９は、４並列接続の構成に係るスイッチ回路部５１１Ｆの説明図であり、当該スイッチ回路部５１１Ｆを利用した電気回路５１Ｆを概略的に示す図である。図２０は、図１９に示すスイッチ回路部５１１Ｆを制御するための論理回路に係る動作論理表の図である。
【0126】
４並列構成では、電気回路５１Ｆには、図１９に示すように、第１温度検出ダイオード３１、第２温度検出ダイオード３２、及び第３温度検出ダイオード３３に加えて、第４温度検出ダイオード３４（温度センシング部１１０－４）が接続される。第４温度検出ダイオード３４は、第１温度検出ダイオード３１が半導体チップ１１－１に内蔵されるのと同様、半導体チップ１１－４（図示せず）に内蔵される。
【0127】
第１温度検出ダイオード３１及び第２温度検出ダイオード３２は、上述した２並列接続の構成と同様、２つの端子２０Ａ、２０Ｋの間に、互いに対して逆向きにかつ並列に接続される。
【0128】
第３温度検出ダイオード３３及び第４温度検出ダイオード３４は、２つの端子２０Ｋ、２０Ｌの間に、互いに対して逆向きにかつ並列に接続される。具体的には、第３温度検出ダイオード３３は、アノード側が端子２０Ｋ側になるように、２つの端子２０Ｋ、２０Ｌ間に接続される。第４温度検出ダイオード３４は、アノード側が端子２０Ｌ側になるように、２つの端子２０Ｋ、２０Ｌ間に接続される。図１９に示す例では、第４温度検出ダイオード３４は、３つずつ設けられるが、数は任意である。以下では、特に言及しない限り、第４温度検出ダイオード３４とは、３つの第４温度検出ダイオード３４の全体を指す。
【0129】
このように図１９に示す例では、３つの端子２０Ａ、２０Ｋ、２０Ｌは、２対の２つの端子（端子２０Ａ、２０Ｋの第１対と、端子２０Ｋ、２０Ｌの第２対）を形成し、２対のうちの一の対と他の一の対とは、共通の一の端子２０Ｋを含む。これにより、４つの半導体チップ１１－１から１１－４（図示せず）に関する温度情報を個別に得るための端子数ｋを効率的に低減できる。ただし、変形例では、端子２０Ｋは、２つの端子Ｋ１、Ｋ２（図示せず）で代替されてもよい。例えば、端子２０Ｋに代えて、２つの端子Ｋ１、Ｋ２を利用する場合、端子Ｋ１には、第１温度検出ダイオード３１及び第２温度検出ダイオード３２が接続され、端子Ｋ２には、第３温度検出ダイオード３３及び第４温度検出ダイオード３４が接続されてよい。このような場合でも、端子数ｋ＝４となり、ｋ＝３から１だけ増加するだけに留まり、第１温度検出ダイオード３１から第４温度検出ダイオード３４のそれぞれに対して２つずつ端子を設ける場合の端子数ｋ＝８に比べて、端子数ｋを有意に低減できる。
【0130】
電気回路５１Ｆは、図５等に示した電気回路５１に対して、定電流生成回路部５１０が定電流生成回路部５１０Ｆで置換され、かつ、中間電位生成部５１２が省略された点が異なる。
【0131】
定電流生成回路部５１０Ｆは、単方向定電流源５１７に接続されるスイッチ回路部５１１Ｆにより形成される。
【0132】
スイッチ回路部５１１Ｆは、互いに直列に接続された対のスイッチＳＷ１、ＳＷ４と、互いに直列に接続された対のスイッチＳＷ２、ＳＷ５と、互いに直列に接続された対のスイッチＳＷ３、ＳＷ６と、を含む。対のスイッチＳＷ１、ＳＷ４と、対のスイッチＳＷ２、ＳＷ５と、対のスイッチＳＷ３、ＳＷ６とは、互いに対して並列に、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）とグランドの間に接続される。そして、対のスイッチＳＷ１、ＳＷ４の間は、端子２０Ａに接続され、対のスイッチＳＷ２、ＳＷ５の間は、端子２０Ｋに接続され、対のスイッチＳＷ３、ＳＷ６の間は、端子２０Ｌに接続される。
【0133】
また、電気回路５１Ｆは、切替信号に基づいて、スイッチ回路部５１１Ｆを制御するスイッチ制御部５１６Ｆを有する。スイッチ制御部５１６Ｆは、論理回路により形成され、例えば図２０に示すような動作論理表に基づいて動作する。この場合、マイコン５２からの切替信号は、ｂｉｔ０及びｂｉｔ１のそれぞれの電圧レベル（Ｈｉｇｈ又はＬｏｗ）の組み合わせをスイッチ制御部５１６Ｆに与える。切替信号は、第１温度検出ダイオード３１に対して順方向の電流を生成する状態と、第２温度検出ダイオード３２に対して順方向の電流を生成する状態と、第３温度検出ダイオード３３に対して順方向の電流を生成する状態と、第４温度検出ダイオード３４に対して順方向の電流を生成する状態との間で、電気回路５１Ｆを状態遷移させる。
【0134】
具体的には、スイッチ制御部５１６Ｆに与えられるｂｉｔ０及びｂｉｔ１の双方の電圧レベルがＬｏｗの状態は、第１温度検出ダイオード３１に対する順方向の電流を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｆは、スイッチＳＷ１からスイッチＳＷ６のうちの、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ５だけをオンとし、他をオフとするように機能する。スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ５だけがオンすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ１、第１温度検出ダイオード３１、及びスイッチＳＷ５を通ってグランドに流れる電流（第１温度検出ダイオード３１に対する順方向の電流）が生成され、第１電圧情報が電圧情報生成部５１３により生成される。
【0135】
スイッチ制御部５１６Ｆに与えられるｂｉｔ０及びｂｉｔ１の電圧レベルがそれぞれＨｉｇｈ及びＬｏｗの状態は、第２温度検出ダイオード３２に対する順方向の電流を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｆは、スイッチＳＷ１からスイッチＳＷ６のうちの、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ４だけをオンとし、他をオフとするように機能する。スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ４だけがオンすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ２、第２温度検出ダイオード３２、及びスイッチＳＷ４を通ってグランドに流れる電流（第２温度検出ダイオード３２に対する順方向の電流）が生成され、第２電圧情報が電圧情報生成部５１３により生成される。
【0136】
スイッチ制御部５１６Ｆに与えられるｂｉｔ０及びｂｉｔ１の電圧レベルがそれぞれＬｏｗ及びＨｉｇｈの状態は、第３温度検出ダイオード３３に対する順方向の電流を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｆは、スイッチＳＷ１からスイッチＳＷ６のうちの、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ６だけをオンとし、他をオフとするように機能する。スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ６だけがオンすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ２、第３温度検出ダイオード３３、及びスイッチＳＷ６を通ってグランドに流れる電流（第３温度検出ダイオード３３に対する順方向の電流）が生成され、第３温度検出ダイオード３３の両端電圧の情報（第３電圧情報）が電圧情報生成部５１３により生成される。
【0137】
スイッチ制御部５１６Ｆに与えられるｂｉｔ０及びｂｉｔ１の双方の電圧レベルがＨｉｇｈの状態は、第４温度検出ダイオード３４に対する順方向の電流を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｆは、スイッチＳＷ１からスイッチＳＷ６のうちの、スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ５だけをオンとし、他をオフとするように機能する。スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ５だけがオンすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ３、第４温度検出ダイオード３４、及びスイッチＳＷ５を通ってグランドに流れる電流（第４温度検出ダイオード３４に対する順方向の電流）が生成され、第４温度検出ダイオード３４の両端電圧の情報（第４電圧情報）が電圧情報生成部５１３により生成される。
【0138】
なお、図１９に示す例では、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ５だけがオンした状態では、図１９に示すように、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ａに生じる電圧が入力される。また、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ４だけがオンした状態では、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ｋに生じる電圧が入力される。また、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ６だけがオンした状態では、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ｋに生じる電圧が入力される。また、スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ５だけがオンした状態では、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ｌに生じる電圧が入力される。この場合、温度算出処理部５２１は、図８に示した特性８０１に基づいて、温度の算出値を導出できる。
【0139】
このような図１９に示す電気回路５１Ｆによれば、４並列接続の構成においても、上述した電気回路５１と同様の効果を得ることができる。なお、端子数ｋについても、端子２０Ａ、２０Ｋに加えて端子２０Ｌが追加されるだけであるので、ｋ＝３で留まる。従って、比較的少ない端子数ｋで、４つの半導体チップ１１－１、１１－２、１１－３、１１－４（図示せず）に関する温度情報を個別に得ることができる。
【0140】
図２１は、５並列接続の構成に係るスイッチ回路部５１１Ｇの説明図であり、当該スイッチ回路部５１１Ｇを利用した電気回路５１Ｇを概略的に示す図である。図２２は、図２１に示すスイッチ回路部５１１Ｇを制御するための論理回路に係る動作論理表の図である。
【0141】
５並列構成では、電気回路５１Ｇには、図２１に示すように、第１温度検出ダイオード３１、第２温度検出ダイオード３２、第３温度検出ダイオード３３及び第４温度検出ダイオード３４に加えて、第５温度検出ダイオード３５（温度センシング部１１０－５）が接続される。第５温度検出ダイオード３５は、第１温度検出ダイオード３１が半導体チップ１１－１に内蔵されるのと同様、半導体チップ１１－５（図示せず）に内蔵される。
【0142】
第１温度検出ダイオード３１及び第２温度検出ダイオード３２は、上述した２並列接続の構成と同様、２つの端子２０Ａ、２０Ｋの間に、互いに対して逆向きにかつ並列に接続される。
【0143】
第３温度検出ダイオード３３及び第４温度検出ダイオード３４は、上述した４並列接続の構成（図１９）と同様、２つの端子２０Ｋ、２０Ｌの間に、互いに対して逆向きにかつ並列に接続される。
【0144】
第５温度検出ダイオード３５は、アノード側が端子２０Ｋ側になるように、２つの端子２０Ｋ、２０Ｍの間に接続される。図２１に示す例では、第５温度検出ダイオード３５は、３つずつ設けられるが、数は任意である。以下では、特に言及しない限り、第５温度検出ダイオード３５とは、３つの第５温度検出ダイオード３５の全体を指す。
【0145】
このように図２１に示す例では、３つの端子２０Ａ、２０Ｋ、２０Ｌは、２対の２つの端子（端子２０Ａ、２０Ｋの第１対と、端子２０Ｋ、２０Ｌの第２対）を形成し、２対は、共通の一の端子２０Ｋを含む。端子２０Ｋには、第２温度検出ダイオード３２、第３温度検出ダイオード３３及び第５温度検出ダイオード３５のアノード側が接続されるとともに、第１温度検出ダイオード３１及び第４温度検出ダイオード３４のカソード側が接続される。これにより、５つの半導体チップ１１－１から１１－５（図示せず）に関する温度情報を個別に得るための端子数ｋを効率的に低減できる。ただし、変形例では、端子２０Ｋは、３つの端子Ｋ１から端子Ｋ３（図示せず）や、２つの端子Ｋ１、Ｋ２（図示せず）で代替されてもよい。例えば、端子２０Ｋに代えて、３つの端子Ｋ１から端子Ｋ３を利用する場合、端子Ｋ１には、第１温度検出ダイオード３１及び第２温度検出ダイオード３２が接続され、端子Ｋ２には、第３温度検出ダイオード３３及び第４温度検出ダイオード３４が接続され、端子Ｋ３には、第５温度検出ダイオード３５が接続されてよい。このような場合でも、端子数ｋ＝６となり、ｋ＝４から２だけ増加するだけに留まり、第１温度検出ダイオード３１から第５温度検出ダイオード３５のそれぞれに対して２つずつ端子を設ける場合の端子数ｋ＝１０に比べて、端子数ｋを有意に低減できる。
【0146】
電気回路５１Ｇは、図５等に示した電気回路５１に対して、定電流生成回路部５１０が定電流生成回路部５１０Ｇで置換され、かつ、中間電位生成部５１２が省略された点が異なる。
【0147】
定電流生成回路部５１０Ｇは、単方向定電流源５１７に接続されるスイッチ回路部５１１Ｇにより形成される。
【0148】
スイッチ回路部５１１Ｇは、互いに直列に接続された対のスイッチＳＷ１、ＳＷ４と、互いに直列に接続された対のスイッチＳＷ２、ＳＷ５と、互いに直列に接続された対のスイッチＳＷ３、ＳＷ６と、を含む。対のスイッチＳＷ１、ＳＷ４と、対のスイッチＳＷ２、ＳＷ５と、対のスイッチＳＷ３、ＳＷ６とは、互いに対して並列に、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）とグランドの間に接続される。そして、対のスイッチＳＷ１、ＳＷ４の間は、端子２０Ａに接続され、対のスイッチＳＷ２、ＳＷ５の間は、端子２０Ｋに接続され、対のスイッチＳＷ３、ＳＷ６の間は、端子２０Ｌに接続される。
【0149】
また、スイッチ回路部５１１Ｇは、更にスイッチＳＷ７を含む。スイッチＳＷ７は、一端が端子２０Ｍに接続され、他端がグランドに接続される。なお、スイッチＳＷ７は、半導体素子（トランジスタ等）により実現されてもよいし、リレー等により実現されてもよい。
【0150】
また、電気回路５１Ｇは、切替信号に基づいて、スイッチ回路部５１１Ｇを制御するスイッチ制御部５１６Ｇを有する。スイッチ制御部５１６Ｇは、論理回路により形成され、例えば図２２に示すような動作論理表に基づいて動作する。この場合、マイコン５２からの切替信号は、ｂｉｔ０、ｂｉｔ１及びｂｉｔ２のそれぞれの電圧レベル（Ｈｉｇｈ又はＬｏｗ）の組み合わせをスイッチ制御部５１６Ｇに与える。切替信号は、第１温度検出ダイオード３１に対して順方向の電流を生成する状態と、第２温度検出ダイオード３２に対して順方向の電流を生成する状態と、第３温度検出ダイオード３３に対して順方向の電流を生成する状態と、第４温度検出ダイオード３４に対して順方向の電流を生成する状態と、第５温度検出ダイオード３５に対して順方向の電流を生成する状態との間で、電気回路５１Ｇを状態遷移させる。
【0151】
具体的には、スイッチ制御部５１６Ｇに与えられるｂｉｔ０からｂｉｔ２の各電圧レベルがＬｏｗの状態は、第１温度検出ダイオード３１に対する順方向の電流を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｇは、スイッチＳＷ１からスイッチＳＷ７のうちの、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ５だけをオンとし、他をオフとするように機能する。スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ５だけがオンすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ１、第１温度検出ダイオード３１、及びスイッチＳＷ５を通ってグランドに流れる電流（第１温度検出ダイオード３１に対する順方向の電流）が生成され、第１電圧情報が電圧情報生成部５１３により生成される。
【0152】
スイッチ制御部５１６Ｇに与えられるｂｉｔ０、ｂｉｔ１及びｂｉｔ２の電圧レベルがそれぞれＨｉｇｈ、Ｌｏｗ及びＬｏｗの状態は、第２温度検出ダイオード３２に対する順方向の電流を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｇは、スイッチＳＷ１からスイッチＳＷ７のうちの、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ４だけをオンとし、他をオフとするように機能する。スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ４だけがオンすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ２、第２温度検出ダイオード３２、及びスイッチＳＷ４を通ってグランドに流れる電流（第２温度検出ダイオード３２に対する順方向の電流）が生成され、第２電圧情報が電圧情報生成部５１３により生成される。
【0153】
スイッチ制御部５１６Ｇに与えられるｂｉｔ０、ｂｉｔ１及びｂｉｔ２の電圧レベルがそれぞれＬｏｗ、Ｈｉｇｈ及びＬｏｗの状態は、第３温度検出ダイオード３３に対する順方向の電流を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｇは、スイッチＳＷ１からスイッチＳＷ７のうちの、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ６だけをオンとし、他をオフとするように機能する。スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ６だけがオンすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ２、第３温度検出ダイオード３３、及びスイッチＳＷ６を通ってグランドに流れる電流（第３温度検出ダイオード３３に対する順方向の電流）が生成され、第３温度検出ダイオード３３の両端電圧の情報（第３電圧情報）が電圧情報生成部５１３により生成される。
【0154】
スイッチ制御部５１６Ｇに与えられるｂｉｔ０、ｂｉｔ１及びｂｉｔ２の電圧レベルがそれぞれＨｉｇｈ、Ｈｉｇｈ及びＬｏｗの状態は、第４温度検出ダイオード３４に対する順方向の電流を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｇは、スイッチＳＷ１からスイッチＳＷ７のうちの、スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ５だけをオンとし、他をオフとするように機能する。スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ５だけがオンすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ３、第４温度検出ダイオード３４、及びスイッチＳＷ５を通ってグランドに流れる電流（第４温度検出ダイオード３４に対する順方向の電流）が生成され、第４温度検出ダイオード３４の両端電圧の情報（第４電圧情報）が電圧情報生成部５１３により生成される。
【0155】
スイッチ制御部５１６Ｇに与えられるｂｉｔ０、ｂｉｔ１及びｂｉｔ２の電圧レベルがそれぞれＬｏｗ、Ｌｏｗ及びＨｉｇｈの状態は、第５温度検出ダイオード３５に対する順方向の電流を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｇは、スイッチＳＷ１からスイッチＳＷ７のうちの、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ７だけをオンとし、他をオフとするように機能する。スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ７だけがオンすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ２、第５温度検出ダイオード３５、及びスイッチＳＷ７を通ってグランドに流れる電流（第５温度検出ダイオード３５に対する順方向の電流）が生成され、第５温度検出ダイオード３５の両端電圧の情報（第５電圧情報）が電圧情報生成部５１３により生成される。
【0156】
なお、図２１に示す例では、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ５だけがオンした状態では、図２１に示すように、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ａに生じる電圧が入力される。また、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ４だけがオンした状態では、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ｋに生じる電圧が入力される。また、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ６だけがオンした状態では、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ｋに生じる電圧が入力される。また、スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ５だけがオンした状態では、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ｌに生じる電圧が入力される。また、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ７だけがオンした状態では、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ｋに生じる電圧が入力される。この場合、温度算出処理部５２１は、図８に示した特性８０１に基づいて、温度の算出値を導出できる。
【0157】
このような図２１に示す電気回路５１Ｇによれば、５並列接続の構成においても、上述した電気回路５１と同様の効果を得ることができる。なお、端子数ｋについても、端子２０Ａ、２０Ｋに加えて端子２０Ｌ及び端子２０Ｍが追加されるだけであるので、ｋ＝４で留まる。従って、比較的少ない端子数ｋで、５つの半導体チップ１１－１、１１－２、１１－３、１１－４、１１－５（図示せず）に関する温度情報を個別に得ることができる。
【0158】
図２３は、６並列接続の構成に係るスイッチ回路部５１１Ｈの説明図であり、当該スイッチ回路部５１１Ｈを利用した電気回路５１Ｈを概略的に示す図である。図２４は、図２３に示すスイッチ回路部５１１Ｈを制御するための論理回路に係る動作論理表の図である。
【0159】
６並列構成では、電気回路５１Ｈには、図２３に示すように、第１温度検出ダイオード３１、第２温度検出ダイオード３２、第３温度検出ダイオード３３、第４温度検出ダイオード３４及び第５温度検出ダイオード３５に加えて、第６温度検出ダイオード３６（温度センシング部１１０－６）が接続される。第６温度検出ダイオード３６は、第１温度検出ダイオード３１が半導体チップ１１－１に内蔵されるのと同様、半導体チップ１１－６（図示せず）に内蔵される。
【0160】
第１温度検出ダイオード３１及び第２温度検出ダイオード３２は、上述した２並列接続の構成と同様、２つの端子２０Ａ、２０Ｋの間に、互いに対して逆向きにかつ並列に接続される。
【0161】
第３温度検出ダイオード３３及び第４温度検出ダイオード３４は、上述した４並列接続の構成（図１９）と同様、２つの端子２０Ｋ、２０Ｌの間に、互いに対して逆向きにかつ並列に接続される。
【0162】
第５温度検出ダイオード３５及び第６温度検出ダイオード３６は、２つの端子２０Ｋ、２０Ｍの間に、互いに対して逆向きにかつ並列に接続される。図２３に示す例では、第６温度検出ダイオード３６は、３つずつ設けられるが、数は任意である。以下では、特に言及しない限り、第６温度検出ダイオード３６とは、３つの第６温度検出ダイオード３６の全体を指す。
【0163】
このように図２３に示す例では、３つの端子２０Ａ、２０Ｋ、２０Ｌは、３対の２つの端子（端子２０Ａ、２０Ｋの第１対と、端子２０Ｋ、２０Ｌの第２対、端子２０Ｋ、２０Ｍ）を形成し、３対は、共通の一の端子２０Ｋを含む。すなわち、端子２０Ｋには、第２温度検出ダイオード３２、第３温度検出ダイオード３３及び第５温度検出ダイオード３５のアノード側が接続されるとともに、第１温度検出ダイオード３１、第４温度検出ダイオード３４及び第６温度検出ダイオード３６のカソード側が接続される。これにより、６つの半導体チップ１１－１から１１－６（図示せず）に関する温度情報を個別に得るための端子数ｋを効率的に低減できる。ただし、変形例では、端子２０Ｋは、３つの端子Ｋ１から端子Ｋ３（図示せず）や、２つの端子Ｋ１、Ｋ２（図示せず）で代替されてもよい。例えば、端子２０Ｋに代えて、３つの端子Ｋ１から端子Ｋ３を利用する場合、端子Ｋ１には、第１温度検出ダイオード３１及び第２温度検出ダイオード３２が接続され、端子Ｋ２には、第３温度検出ダイオード３３及び第４温度検出ダイオード３４が接続され、端子Ｋ３には、第５温度検出ダイオード３５及び第６温度検出ダイオード３６が接続されてよい。このような場合でも、端子数ｋ＝６となり、ｋ＝４から２だけ増加するだけに留まり、第１温度検出ダイオード３１から第６温度検出ダイオード３６のそれぞれに対して２つずつ端子を設ける場合の端子数ｋ＝１２に比べて、端子数ｋを有意に低減できる。
【0164】
電気回路５１Ｈは、図５等に示した電気回路５１に対して、定電流生成回路部５１０が定電流生成回路部５１０Ｈで置換され、かつ、中間電位生成部５１２が省略された点が異なる。
【0165】
定電流生成回路部５１０Ｈは、単方向定電流源５１７に接続されるスイッチ回路部５１１Ｈにより形成される。
【0166】
スイッチ回路部５１１Ｈは、互いに直列に接続された対のスイッチＳＷ１、ＳＷ５と、互いに直列に接続された対のスイッチＳＷ２、ＳＷ６と、互いに直列に接続された対のスイッチＳＷ３、ＳＷ７と、互いに直列に接続された対のスイッチＳＷ４、ＳＷ８と、を含む。各対は、互いに対して並列に、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）とグランドの間に接続される。そして、対のスイッチＳＷ１、ＳＷ５の間は、端子２０Ａに接続され、対のスイッチＳＷ２、ＳＷ６の間は、端子２０Ｋに接続され、対のスイッチＳＷ３、ＳＷ７の間は、端子２０Ｌに接続され、対のスイッチＳＷ４、ＳＷ８の間は、端子２０Ｍに接続される。なお、スイッチＳＷ８は、半導体素子（トランジスタ等）により実現されてもよいし、リレー等により実現されてもよい。
【0167】
また、電気回路５１Ｈは、切替信号に基づいて、スイッチ回路部５１１Ｈを制御するスイッチ制御部５１６Ｈを有する。スイッチ制御部５１６Ｈは、論理回路により形成され、例えば図２４に示すような動作論理表に基づいて動作する。この場合、マイコン５２からの切替信号は、ｂｉｔ０、ｂｉｔ１及びｂｉｔ２のそれぞれの電圧レベル（Ｈｉｇｈ又はＬｏｗ）の組み合わせをスイッチ制御部５１６Ｈに与える。切替信号は、第１温度検出ダイオード３１に対して順方向の電流を生成する状態と、第２温度検出ダイオード３２に対して順方向の電流を生成する状態と、第３温度検出ダイオード３３に対して順方向の電流を生成する状態と、第４温度検出ダイオード３４に対して順方向の電流を生成する状態と、第５温度検出ダイオード３５に対して順方向の電流を生成する状態と、第６温度検出ダイオード３６に対して順方向の電流を生成する状態との間で、電気回路５１Ｈを状態遷移させる。
【0168】
具体的には、スイッチ制御部５１６Ｈに与えられるｂｉｔ０からｂｉｔ２の各電圧レベルがＬｏｗの状態は、第１温度検出ダイオード３１に対する順方向の電流を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｈは、スイッチＳＷ１からスイッチＳＷ８のうちの、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ６だけをオンとし、他をオフとするように機能する。スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ６だけがオンすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ１、第１温度検出ダイオード３１、及びスイッチＳＷ６を通ってグランドに流れる電流（第１温度検出ダイオード３１に対する順方向の電流）が生成され、第１電圧情報が電圧情報生成部５１３により生成される。
【0169】
スイッチ制御部５１６Ｈに与えられるｂｉｔ０、ｂｉｔ１及びｂｉｔ２の電圧レベルがそれぞれＨｉｇｈ、Ｌｏｗ及びＬｏｗの状態は、第２温度検出ダイオード３２に対する順方向の電流を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｈは、スイッチＳＷ１からスイッチＳＷ８のうちの、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ５だけをオンとし、他をオフとするように機能する。スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ５だけがオンすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ２、第２温度検出ダイオード３２、及びスイッチＳＷ５を通ってグランドに流れる電流（第２温度検出ダイオード３２に対する順方向の電流）が生成され、第２電圧情報が電圧情報生成部５１３により生成される。
【0170】
スイッチ制御部５１６Ｈに与えられるｂｉｔ０、ｂｉｔ１及びｂｉｔ２の電圧レベルがそれぞれＬｏｗ、Ｈｉｇｈ及びＬｏｗの状態は、第３温度検出ダイオード３３に対する順方向の電流を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｈは、スイッチＳＷ１からスイッチＳＷ８のうちの、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ７だけをオンとし、他をオフとするように機能する。スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ７だけがオンすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ２、第３温度検出ダイオード３３、及びスイッチＳＷ７を通ってグランドに流れる電流（第３温度検出ダイオード３３に対する順方向の電流）が生成され、第３温度検出ダイオード３３の両端電圧の情報（第３電圧情報）が電圧情報生成部５１３により生成される。
【0171】
スイッチ制御部５１６Ｈに与えられるｂｉｔ０、ｂｉｔ１及びｂｉｔ２の電圧レベルがそれぞれＨｉｇｈ、Ｈｉｇｈ及びＬｏｗの状態は、第４温度検出ダイオード３４に対する順方向の電流を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｈは、スイッチＳＷ１からスイッチＳＷ８のうちの、スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ６だけをオンとし、他をオフとするように機能する。スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ６だけがオンすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ３、第４温度検出ダイオード３４、及びスイッチＳＷ６を通ってグランドに流れる電流（第４温度検出ダイオード３４に対する順方向の電流）が生成され、第４温度検出ダイオード３４の両端電圧の情報（第４電圧情報）が電圧情報生成部５１３により生成される。
【0172】
スイッチ制御部５１６Ｈに与えられるｂｉｔ０、ｂｉｔ１及びｂｉｔ２の電圧レベルがそれぞれＬｏｗ、Ｌｏｗ及びＨｉｇｈの状態は、第５温度検出ダイオード３５に対する順方向の電流を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｈは、スイッチＳＷ１からスイッチＳＷ８のうちの、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ８だけをオンとし、他をオフとするように機能する。スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ８だけがオンすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ２、第５温度検出ダイオード３５、及びスイッチＳＷ８を通ってグランドに流れる電流（第５温度検出ダイオード３５に対する順方向の電流）が生成され、第５温度検出ダイオード３５の両端電圧の情報（第５電圧情報）が電圧情報生成部５１３により生成される。
【0173】
スイッチ制御部５１６Ｈに与えられるｂｉｔ０、ｂｉｔ１及びｂｉｔ２の電圧レベルがそれぞれＨｉｇｈ、Ｌｏｗ及びＨｉｇｈの状態は、第６温度検出ダイオード３６に対する順方向の電流を生成する状態に対応する。この場合、スイッチ制御部５１６Ｈは、スイッチＳＷ１からスイッチＳＷ８のうちの、スイッチＳＷ４及びスイッチＳＷ６だけをオンとし、他をオフとするように機能する。スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ６だけがオンすると、単方向定電流源５１７からスイッチＳＷ４、第６温度検出ダイオード３６、及びスイッチＳＷ６を通ってグランドに流れる電流（第６温度検出ダイオード３６に対する順方向の電流）が生成され、第６温度検出ダイオード３６の両端電圧の情報（第６電圧情報）が電圧情報生成部５１３により生成される。
【0174】
なお、図２３に示す例では、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ６だけがオンした状態では、図２３に示すように、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ａに生じる電圧が入力される。また、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ５だけがオンした状態では、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ｋに生じる電圧が入力される。また、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ７だけがオンした状態では、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ｋに生じる電圧が入力される。また、スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ６だけがオンした状態では、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ｌに生じる電圧が入力される。また、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ８だけがオンした状態では、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ｋに生じる電圧が入力される。また、スイッチＳＷ４及びスイッチＳＷ６だけがオンした状態では、比較処理部５１３２（コンパレータの非反転入力端子）には、端子２０Ｍに生じる電圧が入力される。この場合、温度算出処理部５２１は、図８に示した特性８０１に基づいて、温度の算出値を導出できる。
【0175】
このような図２３に示す電気回路５１Ｈによれば、６並列接続の構成においても、上述した電気回路５１と同様の効果を得ることができる。なお、端子数ｋについても、端子２０Ａ、２０Ｋに加えて端子２０Ｌ及び端子２０Ｍが追加されるだけであるので、ｋ＝４で留まる。従って、比較的少ない端子数ｋで、６つの半導体チップ１１－１、１１－２、１１－３、１１－４、１１－５、１１－６（図示せず）に関する温度情報を個別に得ることができる。
【0176】
このようにしてＮ並列接続の構成においては、各種のスイッチ回路部５１１Ｃから５１１Ｈを利用して、比較的少ない端子数ｋで、Ｎ個の半導体チップ１１－１から１１－Ｎ（図示せず）に関する温度情報を個別に得ることができる。この場合、端子数ｋは、ｋ≧Ｎ／２＋１を満たす最小の整数とすることができる。なお、この場合、上記に不等式の右辺の“１”は、上記のスイッチ回路部（例えば、スイッチ回路部５１１Ｃ、５１１Ｄ、５１１Ｆから５１１Ｈ）においては、端子２０Ｋに対応し、右辺の“Ｎ／２”の整数部分は、端子２０Ｋと、当該端子２０Ｋと対をなす各端子との間に、Ｎ組（Ｎが偶数）又はＮ－１組（Ｎが奇数）の温度検出ダイオードが、２組ごとに（余った場合は１組だけ）、逆向きかつ並列に接続された状態に対応する。また、スイッチ回路部におけるスイッチ数ｍは、ｍ＝Ｎ＋２のときに最小となる。この場合、最小限の数のスイッチ数ｍのスイッチ回路部５１１Ｃ、５１１Ｄ、５１１Ｆから５１１Ｈを利用して、複数の半導体チップに関する温度情報を個別に得ることができる。
【0177】
また、Ｎ並列接続の構成においても、電圧情報生成部５１３は、Ｎ個の半導体チップ１１のそれぞれごとに設けられるのではなく、Ｎ個の半導体チップ１１に共通に設けられる。これにより、基板（図示せず）の面積を効率的に利用して、当該基板に電圧情報生成部５１３やスイッチ回路部等の各種電子部品を実装できる。
【0178】
以上、各実施例について詳述したが、特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。また、前述した実施例の構成要素を全部又は複数を組み合わせることも可能である。
【0179】
例えば、上述した各実施例では、Ｎ個の半導体チップ１１－１から１１－Ｎは、６つのアーム（３相のそれぞれにおける高電位側アームと低電位側アーム）のうちの、一のアームにおける互いに並列に接続される半導体チップであるが、これに限られない。例えば、６つのアーム（３相のそれぞれにおける高電位側アームと低電位側アーム）に、それぞれ１つずつ半導体チップ１１が設けられる構成において、図２３に示す電気回路５１Ｈが実現されてもよい。あるいは、６つのアーム（３相のそれぞれにおける高電位側アームと低電位側アーム）に、それぞれ１つずつ半導体チップ１１が設けられる構成において、図１５又は図１７に示す電気回路５１Ｄ又は電気回路５１Ｅがそれぞれ２組設けられてもよいし、図１３に示す電気回路５１Ｃが３組設けられてもよい。
【0180】
また、上述した実施例では、温度検出素子としてＳｉダイオードのようなダイオードが用いられるが、温度検出素子としては、ＰＮＰトランジスタのような他の素子が用いられてもよい。
【0181】
また、上述した実施例では、温度検出装置５０による温度検出対象は、主機用のインバータ４の半導体チップ１１であるが、他の電力変換器の半導体チップにも適用可能である。例えば、補機用のインバータやＤＣ／ＤＣコンバータのような電力変換器の半導体チップにも適用可能である。
【0182】
＜付記＞
以上の実施例に関し、更に以下を開示する。なお、以下で記載する効果のうちの、一の形態に対する追加的な各形態に係る効果は、当該追加的な各形態に起因した付加的な効果である。
以上の実施例に関し、更に以下を開示する。なお、以下で記載する効果のうちの、一の形態に対する追加的な各形態に係る効果は、当該追加的な各形態に起因した付加的な効果である。
【0183】
（１）一の形態は、電力変換器に含まれる複数の半導体素子（Ｑ１）に関する温度を検出する温度検出装置（５０）であって、
ｋ、Ｎを２以上の整数としたとき、Ｎ個の前記半導体素子に対して設けられ、Ｎの２倍よりも少ないｋ個の端子（２０Ａ、２０Ｋ、２０Ｌ、２０Ｍ）に電気的に接続される電気回路（５１、５１Ａ～５１Ｈ）と、
Ｎ個の前記半導体素子のそれぞれに対応付けて設けられるＮ組の１つ以上の温度検出素子（３１～３６）とを備え、
ｋ個の前記端子により形成される一の対の端子の間に、Ｎ組のうちの２つの組の１つ以上の温度検出素子が、互いに対して逆向きにかつ並列に電気的に接続される、温度検出装置である。
ｋ、Ｎを２以上の整数としたとき、Ｎ個の前記半導体素子に対して設けられ、Ｎの２倍よりも少ないｋ個の端子（２０Ａ、２０Ｋ、２０Ｌ、２０Ｍ）に電気的に接続される電気回路（５１、５１Ａ～５１Ｈ）と、
Ｎ個の前記半導体素子のそれぞれに対応付けて設けられるＮ組の１つ以上の温度検出素子（３１～３６）とを備え、
ｋ個の前記端子により形成される一の対の端子の間に、Ｎ組のうちの２つの組の１つ以上の温度検出素子が、互いに対して逆向きにかつ並列に電気的に接続される、温度検出装置である。
【0184】
本形態によれば、各組の１つ以上の温度検出素子に対して対の端子を設ける場合に比べて、Ｎ個の半導体素子あたりの端子数を比較的少なくしつつ、Ｎ個の半導体素子の温度を個別に検出することが可能となる。
【0185】
（２）また、本形態においては、好ましくは、ｋは、ｋ≧Ｎ／２＋１を満たす最小の整数である。
【0186】
この場合、Ｎ個の半導体素子あたりの端子数の最小化を図りつつ、Ｎ個の半導体素子の温度を個別に検出することが可能となる。
【0187】
（３）また、本形態においては、好ましくは、前記電気回路は、切替信号に応答して、Ｎ組のそれぞれの組ごとに、一の組の１つ以上の温度検出素子に対して順方向となる電流を、切り替えて生成する。
【0188】
この場合、切替信号により順次、Ｎ個の半導体素子の温度を個別に検出することが可能となる。
【0189】
（４）また、本形態においては、好ましくは、前記電気回路は、ｋ個の前記端子に電気的に接続されるスイッチ回路部（５１１Ｃ～５１１Ｈ）を含み、
前記スイッチ回路部は、前記切替信号に応答して、Ｎ組のそれぞれの組ごとに、前記順方向となる電流を切り替えて生成する。
前記スイッチ回路部は、前記切替信号に応答して、Ｎ組のそれぞれの組ごとに、前記順方向となる電流を切り替えて生成する。
【0190】
この場合、スイッチ回路部を利用して、Ｎ個の半導体素子あたりの端子数を比較的少なくしつつ、Ｎ個の半導体素子の温度を個別に検出することが可能となる。
【0191】
（５）また、本形態においては、好ましくは、前記スイッチ回路部は、Ｎ＋２個のスイッチ（ＳＷ１～ＳＷ８）を備える。
【0192】
この場合、スイッチ回路部の回路規模の最小化を図りつつ、Ｎ組のそれぞれの組ごとに、一の組の１つ以上の温度検出素子に対して順方向となる電流を、切り替えて生成できる。
【0193】
（６）また、本形態においては、好ましくは、ｋ、Ｎがともに３であり、３個の前記端子は、１対だけ、前記一の対の端子（２０Ａ、２０Ｋ）を形成し、
３個の前記端子のうちの、前記一の対の端子を形成する一の端子と、前記一の対の端子を形成しない一の端子（２０Ｌ）との間に、前記２つの組とは異なる残りの１つの組の１つ以上の温度検出素子（３３）が電気的に接続される。
３個の前記端子のうちの、前記一の対の端子を形成する一の端子と、前記一の対の端子を形成しない一の端子（２０Ｌ）との間に、前記２つの組とは異なる残りの１つの組の１つ以上の温度検出素子（３３）が電気的に接続される。
【0194】
この場合、３並列接続の構成において、Ｎ個の半導体素子あたりの端子数の最小化とともにスイッチ回路部の回路規模の最小化を図りつつ、Ｎ組のそれぞれの組ごとに、一の組の１つ以上の温度検出素子に対して順方向となる電流を、切り替えて生成できる。
【0195】
（７）また、本形態においては、好ましくは、ｋ、Ｎがともに３であり、３個の前記端子は、前記一の対の端子を、３対、形成する態様で、３つの組の１つ以上の温度検出素子をデルタ結線する。
【0196】
この場合、３並列接続の構成において、Ｎ個の半導体素子あたりの端子数の最小化を図りつつ、Ｎ組のそれぞれの組ごとに、一の組の１つ以上の温度検出素子に対して順方向となる電流を、切り替えて生成できる。
【0197】
（８）また、本形態においては、好ましくは、Ｎが４以上であり、前記２つの組は、互いに１つ以上の温度検出素子を共有しない態様で、Ｎ／２の整数部分の数だけ形成され、
ｋ個の前記端子は、Ｎ／２の整数部分の数の前記一の対の端子を形成し、各対は、ｋ個の前記端子のうちの共通の一の端子を含む。
ｋ個の前記端子は、Ｎ／２の整数部分の数の前記一の対の端子を形成し、各対は、ｋ個の前記端子のうちの共通の一の端子を含む。
【0198】
この場合、４並列接続以上の構成において、Ｎ個の半導体素子あたりの端子数の最小化とともにスイッチ回路部の回路規模の最小化を図りつつ、Ｎ組のそれぞれの組ごとに、一の組の１つ以上の温度検出素子に対して順方向となる電流を、切り替えて生成できる。
【0199】
（９）また、本形態においては、好ましくは、前記切替信号は、電圧値が第１の値と、前記第１の値よりも低い第２の値の間で切り替わる信号を含み、
前記電気回路は、
前記一の対の端子のうちの一方の端子に電気的に接続され、単電源（Ｖｃｃ）で動作し、前記切替信号に応答して、前記一の対の端子のうちの前記一方の端子から他方の端子に向かう第１方向の電流を生成する状態と、前記一の対の端子のうちの前記他方の端子から前記一方の端子に向かう第２方向の電流を生成する状態との間で、切り替わる定電流生成回路部（５１０、５１０Ａ）と、
前記他方の端子に電気的に接続され、前記他方の端子の電位を、前記第１の値と前記第２の値との間の第３の値に維持するように動作する中間電位生成部（５１２）とを含む。
前記電気回路は、
前記一の対の端子のうちの一方の端子に電気的に接続され、単電源（Ｖｃｃ）で動作し、前記切替信号に応答して、前記一の対の端子のうちの前記一方の端子から他方の端子に向かう第１方向の電流を生成する状態と、前記一の対の端子のうちの前記他方の端子から前記一方の端子に向かう第２方向の電流を生成する状態との間で、切り替わる定電流生成回路部（５１０、５１０Ａ）と、
前記他方の端子に電気的に接続され、前記他方の端子の電位を、前記第１の値と前記第２の値との間の第３の値に維持するように動作する中間電位生成部（５１２）とを含む。
【0200】
この場合、定電流生成回路部により双方向（第１方向及び第２方向）の定電流を生成できるので、精度の高い温度情報を得ることができる。また、負電源を追加的に利用する場合に比べて、回路規模を小さくできる。また、中間電位生成部を利用することで、例えばスイッチ回路部を利用する場合に比べて、回路規模を小さくできる。
【0201】
（１０）また、本形態においては、好ましくは、前記電気回路は、電圧情報生成部（５１３）を更に含み、
前記電圧情報生成部は、Ｎ組のそれぞれの組ごとに、順方向の電流が生成されるときに現れる１つ以上の温度検出素子の両端電圧を表す電圧情報を生成する。
前記電圧情報生成部は、Ｎ組のそれぞれの組ごとに、順方向の電流が生成されるときに現れる１つ以上の温度検出素子の両端電圧を表す電圧情報を生成する。
【0202】
この場合、Ｎ個の半導体素子の温度を個別に表す電圧情報を生成できる。
【0203】
（１１）また、本形態においては、好ましくは、前記電圧情報生成部は、
基準波生成部（５１３１）と、
前記基準波生成部により生成される基準波と、前記両端電圧との関係に基づいて、前記電圧情報を生成する比較処理部（５１３２）とを含む。
基準波生成部（５１３１）と、
前記基準波生成部により生成される基準波と、前記両端電圧との関係に基づいて、前記電圧情報を生成する比較処理部（５１３２）とを含む。
【0204】
この場合、基準波を利用して、Ｎ個の半導体素子の温度を個別に表す電圧情報を生成できる。
【0205】
（１２）また、本形態においては、好ましくは、前記電力変換器は、インバータ（４）であり、
前記半導体素子は、半導体チップ（１１）の形態であり、
Ｎ個の前記半導体素子は、互いに対して並列に接続され、前記インバータの各相に係る高電位側アームと低電位側アームのうちの、一のアームを形成する。
前記半導体素子は、半導体チップ（１１）の形態であり、
Ｎ個の前記半導体素子は、互いに対して並列に接続され、前記インバータの各相に係る高電位側アームと低電位側アームのうちの、一のアームを形成する。
【0206】
この場合、インバータの各アームが、Ｎ個の半導体素子の並列接続を含む場合に、例えばアームごとに、Ｎ個の半導体素子あたりの端子数を比較的少なくしつつ、Ｎ個の半導体素子の温度を個別に検出することが可能となる。
【符号の説明】
【0207】
１ 電動車両用モータ駆動システム
２ 高圧バッテリ
３ 平滑コンデンサ
４ インバータ
５ 走行用モータ
６ インバータ制御装置
９ 遮断用スイッチ
１１（１１－１～１１－Ｎ） 半導体チップ
２０Ａ 端子
２０Ｋ 端子
２０Ｌ 端子
２０Ｍ 端子
３１ 第１温度検出ダイオード
３２ 第２温度検出ダイオード
３３ 第３温度検出ダイオード
３４ 第４温度検出ダイオード
３５ 第５温度検出ダイオード
３６ 第６温度検出ダイオード
５０ 温度検出装置
５１、５１Ａ～５１Ｈ 電気回路
５２ マイコン（マイクロコンピュータの略）
６０ 絶縁トランシーバ
１１０－１～１１０－６ 温度センシング部
１４０ 算出値
５１０、５１０Ｂ～５１０Ｈ 定電流生成回路部
５１１Ｃ～５１１Ｈ スイッチ回路部
５１２ 中間電位生成部
５１３ 電圧情報生成部
５１３Ａ 電圧情報生成部
５１６Ｃ～５１６Ｈ スイッチ制御部
５１７ 単方向定電流源
５２０ 電流切替部
５２１ 温度算出処理部
５２２ 制限要求生成部
５１０１ オペアンプ
５１２１ オペアンプ
５１３１ 基準波生成部
５１３２ 比較処理部
５１３３ オフセット生成部
５２１１ 第１温度算出処理部
５２１２ 第２温度算出処理部
ＳＷ１～ＳＷ８ スイッチ
２ 高圧バッテリ
３ 平滑コンデンサ
４ インバータ
５ 走行用モータ
６ インバータ制御装置
９ 遮断用スイッチ
１１（１１－１～１１－Ｎ） 半導体チップ
２０Ａ 端子
２０Ｋ 端子
２０Ｌ 端子
２０Ｍ 端子
３１ 第１温度検出ダイオード
３２ 第２温度検出ダイオード
３３ 第３温度検出ダイオード
３４ 第４温度検出ダイオード
３５ 第５温度検出ダイオード
３６ 第６温度検出ダイオード
５０ 温度検出装置
５１、５１Ａ～５１Ｈ 電気回路
５２ マイコン（マイクロコンピュータの略）
６０ 絶縁トランシーバ
１１０－１～１１０－６ 温度センシング部
１４０ 算出値
５１０、５１０Ｂ～５１０Ｈ 定電流生成回路部
５１１Ｃ～５１１Ｈ スイッチ回路部
５１２ 中間電位生成部
５１３ 電圧情報生成部
５１３Ａ 電圧情報生成部
５１６Ｃ～５１６Ｈ スイッチ制御部
５１７ 単方向定電流源
５２０ 電流切替部
５２１ 温度算出処理部
５２２ 制限要求生成部
５１０１ オペアンプ
５１２１ オペアンプ
５１３１ 基準波生成部
５１３２ 比較処理部
５１３３ オフセット生成部
５２１１ 第１温度算出処理部
５２１２ 第２温度算出処理部
ＳＷ１～ＳＷ８ スイッチ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【図8】
【図9】
【図10A】
【図10B】
【図10C】
【図10D】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】