(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022173969
(43)【公開日】2022-11-22
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 29/78 20060101AFI20221115BHJP
H01L 21/265 20060101ALI20221115BHJP
H01L 21/336 20060101ALI20221115BHJP
H01L 29/861 20060101ALI20221115BHJP
H01L 29/12 20060101ALI20221115BHJP
H01L 29/06 20060101ALI20221115BHJP
H01L 29/739 20060101ALI20221115BHJP
【ＦＩ】
H01L29/78 652N
H01L21/265 Z
H01L29/78 301D
H01L29/91 D
H01L29/91 F
H01L29/78 652T
H01L29/78 652P
H01L29/78 652F
H01L29/78 652S
H01L29/78 655A
H01L29/78 655F
H01L29/06 301G
H01L29/06 301V
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021092078
(22)【出願日】2021-06-01
(31)【優先権主張番号】P 2021079530
(32)【優先日】2021-05-10
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000003078
【氏名又は名称】株式会社東芝
(74)【代理人】
【識別番号】100108062
【弁理士】
【氏名又は名称】日向寺 雅彦
(74)【代理人】
【識別番号】100168332
【弁理士】
【氏名又は名称】小崎 純一
(74)【代理人】
【識別番号】100146592
【弁理士】
【氏名又は名称】市川 浩
(74)【代理人】
【識別番号】100157901
【弁理士】
【氏名又は名称】白井 達哲
(74)【代理人】
【識別番号】100172188
【弁理士】
【氏名又は名称】内田 敬人
(74)【代理人】
【識別番号】100197538
【弁理士】
【氏名又は名称】竹内 功
(72)【発明者】
【氏名】西尾 譲司
(72)【発明者】
【氏名】太田 千春
【テーマコード（参考）】
5F140
【Ｆターム（参考）】
5F140AC23
5F140BA02
5F140BD05
5F140BD07
5F140BD09
5F140BD11
5F140BF05
5F140BF10
5F140BJ05
(57)【要約】
【課題】特性を安定化できる半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、炭化珪素部材を含む。炭化珪素部材は、ダイオード及びトランジスタの少なくともいずれかを含む動作領域と、第１元素を含む第１元素領域と、を含む。第１元素領域は、第１領域及び第２領域を含む。第１領域から第２領域への第１方向は、炭化珪素部材の［１－１００］方向に沿う。動作領域は第１方向において第１領域と第２領域との間にある。第１元素領域は、炭化珪素部材の［１１－２０］方向に沿う第２方向において動作領域と重なる領域を含まない。または、第１元素領域は、第２方向において動作領域と重なる第３領域を含み、第１領域の第１方向に沿う第１長さは、第３領域の第２方向に沿う第３長さよりも長く、第２領域の第１方向に沿う第２長さは、第３長さよりも長い。
【選択図】図１
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、炭化珪素部材を含む。炭化珪素部材は、ダイオード及びトランジスタの少なくともいずれかを含む動作領域と、第１元素を含む第１元素領域と、を含む。第１元素領域は、第１領域及び第２領域を含む。第１領域から第２領域への第１方向は、炭化珪素部材の［１－１００］方向に沿う。動作領域は第１方向において第１領域と第２領域との間にある。第１元素領域は、炭化珪素部材の［１１－２０］方向に沿う第２方向において動作領域と重なる領域を含まない。または、第１元素領域は、第２方向において動作領域と重なる第３領域を含み、第１領域の第１方向に沿う第１長さは、第３領域の第２方向に沿う第３長さよりも長く、第２領域の第１方向に沿う第２長さは、第３長さよりも長い。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
炭化珪素部材を備え、
前記炭化珪素部材は、
ダイオード及びトランジスタの少なくともいずれかを含む動作領域と、
Ａｒ、Ｖ、Ａｌ及びＢよりなる群から選択された少なくとも１つの第１元素を含む第１元素領域と、
を含み、
前記第１元素領域は、第１領域及び第２領域を含み、前記第１領域から前記第２領域への第１方向は、前記炭化珪素部材の［１－１００］方向に沿い、前記動作領域は前記第１方向において前記第１領域と前記第２領域との間にあり、
前記第１元素領域は、前記炭化珪素部材の［１１－２０］方向に沿う第２方向において前記動作領域と重なる領域を含まない、または、前記第１元素領域は、前記第２方向において前記動作領域と重なる第３領域を含み、前記第１領域の前記第１方向に沿う第１長さは、前記第３領域の前記第２方向に沿う第３長さよりも長く、前記第２領域の前記第１方向に沿う第２長さは、前記第３長さよりも長い、半導体装置。
前記炭化珪素部材は、
ダイオード及びトランジスタの少なくともいずれかを含む動作領域と、
Ａｒ、Ｖ、Ａｌ及びＢよりなる群から選択された少なくとも１つの第１元素を含む第１元素領域と、
を含み、
前記第１元素領域は、第１領域及び第２領域を含み、前記第１領域から前記第２領域への第１方向は、前記炭化珪素部材の［１－１００］方向に沿い、前記動作領域は前記第１方向において前記第１領域と前記第２領域との間にあり、
前記第１元素領域は、前記炭化珪素部材の［１１－２０］方向に沿う第２方向において前記動作領域と重なる領域を含まない、または、前記第１元素領域は、前記第２方向において前記動作領域と重なる第３領域を含み、前記第１領域の前記第１方向に沿う第１長さは、前記第３領域の前記第２方向に沿う第３長さよりも長く、前記第２領域の前記第１方向に沿う第２長さは、前記第３長さよりも長い、半導体装置。
【請求項2】
前記第１長さは、前記第３長さの１０倍以上５０倍以下であり、
前記第２長さは、前記第３長さの１０倍以上５０倍以下である、請求項１記載の半導体装置。
前記第２長さは、前記第３長さの１０倍以上５０倍以下である、請求項１記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第１領域における前記第１元素の濃度は、１．６７×１０１９ｃｍ－３以上５×１０１９ｃｍ－３以下であり、
前記第２領域における前記第１元素の濃度は、１．６７×１０１９ｃｍ－３以上５×１０１９ｃｍ－３以下である、請求項１または２に記載の半導体装置。
前記第２領域における前記第１元素の濃度は、１．６７×１０１９ｃｍ－３以上５×１０１９ｃｍ－３以下である、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第１領域における基底面転位の密度は、前記動作領域における基底面転位の密度よりも高く、
前記第２領域における基底面転位の密度は、前記動作領域における前記基底面転位の前記密度よりも高い、請求項１～３のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記第２領域における基底面転位の密度は、前記動作領域における前記基底面転位の前記密度よりも高い、請求項１～３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第１領域及び前記第２領域は基底面転位を含み、
前記動作領域は基底面転位を含まない、請求項１～３のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記動作領域は基底面転位を含まない、請求項１～３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第１長さは、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する第３方向に沿う前記炭化珪素部材の厚さの１０倍以上５０倍以下である、請求項１～５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項7】
前記炭化珪素部材は、第２元素領域をさらに含み、
前記第２元素領域は、Ｂ、Ａｌ及びＧａよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第２元素を含み、
前記第２元素領域は、第１部分領域、第２部分領域、第３部分領域及び第４部分領域を含み、
前記第１部分領域は、前記第１方向において、前記第１領域と前記動作領域との間にあり、
前記第２部分領域は、前記第１方向において、前記動作領域と前記第２領域との間にあり、
前記動作領域は、前記第２方向において前記第３部分領域と前記第４部分領域との間にある、請求項１～５のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記第２元素領域は、Ｂ、Ａｌ及びＧａよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第２元素を含み、
前記第２元素領域は、第１部分領域、第２部分領域、第３部分領域及び第４部分領域を含み、
前記第１部分領域は、前記第１方向において、前記第１領域と前記動作領域との間にあり、
前記第２部分領域は、前記第１方向において、前記動作領域と前記第２領域との間にあり、
前記動作領域は、前記第２方向において前記第３部分領域と前記第４部分領域との間にある、請求項１～５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第１長さは、前記第１部分領域の前記第１方向に沿う長さの２０倍以上であり、
前記第２長さは、前記第２部分領域の前記第１方向に沿う長さの２０倍以上である、請求項７記載の半導体装置。
前記第２長さは、前記第２部分領域の前記第１方向に沿う長さの２０倍以上である、請求項７記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第２元素領域は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面において前記動作領域を囲む、請求項７または８に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記炭化珪素部材は、前記第３領域を含み、
前記第３部分領域は、前記第３領域と前記動作領域との間にある、請求項７～８のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記第３部分領域は、前記第３領域と前記動作領域との間にある、請求項７～８のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項11】
前記炭化珪素部材は、第４領域を含み、
前記第４部分領域は、前記動作領域と前記第４領域との間にあり、
前記第１長さは、前記第４領域の前記第２方向に沿う第４長さよりも長く、
前記第２長さは、前記第４長さよりも長い、
請求項１０記載の半導体装置。
前記第４部分領域は、前記動作領域と前記第４領域との間にあり、
前記第１長さは、前記第４領域の前記第２方向に沿う第４長さよりも長く、
前記第２長さは、前記第４長さよりも長い、
請求項１０記載の半導体装置。
【請求項12】
前記炭化珪素部材は、第３元素領域をさらに含み、
前記第３元素領域は、Ｎ、Ｐ及びＡｓよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第３元素を含み、
前記第３元素領域は、第５部分領域、第６部分領域、第７部分領域及び第８部分領域を含み、
前記第５部分領域は、前記第１領域と前記第１部分領域との間にあり、
前記第６部分領域は、前記第２部分領域と前記第２領域との間にあり、
前記第３部分領域は、前記第７部分領域と前記動作領域との間にあり、
前記第４部分領域は、前記動作領域と前記第８部分領域との間にある、請求項７～９のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記第３元素領域は、Ｎ、Ｐ及びＡｓよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第３元素を含み、
前記第３元素領域は、第５部分領域、第６部分領域、第７部分領域及び第８部分領域を含み、
前記第５部分領域は、前記第１領域と前記第１部分領域との間にあり、
前記第６部分領域は、前記第２部分領域と前記第２領域との間にあり、
前記第３部分領域は、前記第７部分領域と前記動作領域との間にあり、
前記第４部分領域は、前記動作領域と前記第８部分領域との間にある、請求項７～９のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項13】
前記第１長さは、前記第５部分領域の前記第１方向に沿う長さの２０倍以上であり、
前記第２長さは、前記第６部分領域の前記第１方向に沿う長さの２０倍以上である、請求項１２記載の半導体装置。
前記第２長さは、前記第６部分領域の前記第１方向に沿う長さの２０倍以上である、請求項１２記載の半導体装置。
【請求項14】
前記炭化珪素部材は、前記第３領域を含み、
前記第７部分領域は、前記第３領域と前記第３部分領域との間にある、
請求項１２または１３に記載の半導体装置。
前記第７部分領域は、前記第３領域と前記第３部分領域との間にある、
請求項１２または１３に記載の半導体装置。
【請求項15】
前記炭化珪素部材は、第４領域を含み、
前記第８部分領域は、前記第４部分領域と前記第４領域との間にあり、
前記第１長さは、前記第４領域の前記第２方向に沿う第４長さよりも長く、
前記第２長さは、前記第４長さよりも長い、
請求項１４記載の半導体装置。
前記第８部分領域は、前記第４部分領域と前記第４領域との間にあり、
前記第１長さは、前記第４領域の前記第２方向に沿う第４長さよりも長く、
前記第２長さは、前記第４長さよりも長い、
請求項１４記載の半導体装置。
【請求項16】
電極を備え、
前記電極は、前記ダイオード及び前記トランジスタの前記少なくともいずれかに電気的に接続され、
前記第１元素領域は、前記電極に対して浮遊状態である、請求項１～１５のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記電極は、前記ダイオード及び前記トランジスタの前記少なくともいずれかに電気的に接続され、
前記第１元素領域は、前記電極に対して浮遊状態である、請求項１～１５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項17】
前記トランジスタは、第１電極と、第２電極と、第３電極と、絶縁部と、を含み、
前記第１電極から前記第２電極への積層方向は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差し、
前記動作領域の少なくとも一部は、前記積層方向において前記第１電極と前記第３電極との間にあり、
前記動作領域は、
第１導電形の第１半導体領域と、
第２導電形の第２半導体領域と、
前記第１導電形の第３半導体領域と、
を含み、
前記第１半導体領域は、第１半導体部分及び第２半導体部分を含み、
前記第２半導体部分から前記第３電極への方向は前記積層方向に沿い、
前記第２半導体部分から前記第１半導体部分への交差方向は、前記積層方向と交差し、
前記第１半導体部分から前記第３半導体領域への方向は、前記積層方向に沿い、
前記第２半導体領域は、第３半導体部分及び第４半導体部分を含み、
前記第３半導体部分は、前記積層方向において前記第１半導体部分と前記第３半導体領域との間にあり、
前記第４半導体部分は、前記交差方向において、前記第２半導体部分の一部と前記第３半導体領域との間にあり、
前記第１電極は、前記第１半導体領域と電気的に接続され、
前記第２電極は、前記第３半導体領域と電気的に接続され、
前記絶縁部の少なくとも一部は、前記第２半導体部分と前記第３電極との間、及び前記第４半導体部分と前記第３電極との間にある、請求項１～１６のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記第１電極から前記第２電極への積層方向は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差し、
前記動作領域の少なくとも一部は、前記積層方向において前記第１電極と前記第３電極との間にあり、
前記動作領域は、
第１導電形の第１半導体領域と、
第２導電形の第２半導体領域と、
前記第１導電形の第３半導体領域と、
を含み、
前記第１半導体領域は、第１半導体部分及び第２半導体部分を含み、
前記第２半導体部分から前記第３電極への方向は前記積層方向に沿い、
前記第２半導体部分から前記第１半導体部分への交差方向は、前記積層方向と交差し、
前記第１半導体部分から前記第３半導体領域への方向は、前記積層方向に沿い、
前記第２半導体領域は、第３半導体部分及び第４半導体部分を含み、
前記第３半導体部分は、前記積層方向において前記第１半導体部分と前記第３半導体領域との間にあり、
前記第４半導体部分は、前記交差方向において、前記第２半導体部分の一部と前記第３半導体領域との間にあり、
前記第１電極は、前記第１半導体領域と電気的に接続され、
前記第２電極は、前記第３半導体領域と電気的に接続され、
前記絶縁部の少なくとも一部は、前記第２半導体部分と前記第３電極との間、及び前記第４半導体部分と前記第３電極との間にある、請求項１～１６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項18】
前記動作領域は、前記第２導電形の基体を含み、
前記基体は、前記第１電極と前記第１半導体領域との間にある、請求項１７記載の半導体装置。
前記基体は、前記第１電極と前記第１半導体領域との間にある、請求項１７記載の半導体装置。
【請求項19】
前記ダイオードは、第１電極及び第２電極を含み、
前記第１電極から前記第２電極への積層方向は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差し、
前記動作領域の少なくとも一部は、前記積層方向において前記第１電極と前記第２電極との間にあり、
前記動作領域は、
第１導電形の第１半導体領域と、
第２導電形の第２半導体領域と、
を含み、
前記第１半導体領域は、前記第１電極と前記第２電極との間にあり、
前記第２半導体領域は、前記第１半導体領域と前記第２電極との間にあり、
前記第１電極は、前記第１半導体領域と電気的に接続され、
前記第２電極は、前記第２半導体領域と電気的に接続された、請求項１～１６のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記第１電極から前記第２電極への積層方向は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差し、
前記動作領域の少なくとも一部は、前記積層方向において前記第１電極と前記第２電極との間にあり、
前記動作領域は、
第１導電形の第１半導体領域と、
第２導電形の第２半導体領域と、
を含み、
前記第１半導体領域は、前記第１電極と前記第２電極との間にあり、
前記第２半導体領域は、前記第１半導体領域と前記第２電極との間にあり、
前記第１電極は、前記第１半導体領域と電気的に接続され、
前記第２電極は、前記第２半導体領域と電気的に接続された、請求項１～１６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項20】
前記第１長さ及び前記第２長さのそれぞれは、１０μｍ以上である、請求項１～１９のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
例えば、炭化珪素を含む半導体装置がある。半導体装置において、安定した特性が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１９－０７５４１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の実施形態は、特性を安定化できる半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の実施形態によれば、半導体装置は、炭化珪素部材を含む。前記炭化珪素部材は、ダイオード及びトランジスタの少なくともいずれかを含む動作領域と、Ａｒ、Ｖ、Ａｌ及びＢよりなる群から選択された少なくとも１つの第１元素を含む第１元素領域と、を含む。前記第１元素領域は、第１領域及び第２領域を含む。前記第１領域から前記第２領域への第１方向は、前記炭化珪素部材の［１－１００］方向に沿う。前記動作領域は前記第１方向において前記第１領域と前記第２領域との間にある。前記第１元素領域は、前記炭化珪素部材の［１１－２０］方向に沿う第２方向において前記動作領域と重なる領域を含まない。または、前記第１元素領域は、前記第２方向において前記動作領域と重なる第３領域を含み、前記第１領域の前記第１方向に沿う第１長さは、前記第３領域の前記第２方向に沿う第３長さよりも長く、前記第２領域の前記第１方向に沿う第２長さは、前記第３長さよりも長い。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【0008】
【0009】
【0010】
炭化珪素部材８０は、炭化珪素（ＳｉＣ）を含む。炭化珪素部材８０は、動作領域８０Ａと、第１元素領域８１と、を含む。動作領域８０Ａは、ダイオード及びトランジスタの少なくともいずれかを含む。動作領域８０Ａの例については、後述する。
【0011】
第１元素領域８１は、第１元素を含む。第１元素は、Ａｒ、Ｖ、Ａｌ及びＢよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１元素領域８１は、例えば、ＳｉＣと、第１元素と、を含む。
【0012】
第１元素領域８１は、第１領域８１ａ及び第２領域８１ｂを含む。第１領域８１ａから第２領域８１ｂへの第１方向は、炭化珪素部材８０の［１－１００］方向に沿う。
【0013】
この明細書において、「［１－１００］」などの表記において、「－」は、「－」の後の数字に「バー」が付されることを示す。
【0014】
第１方向（［１－１００］方向）をＹ軸方向とする。Ｙ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｙ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＺ軸方向とする。
【0015】
Ｘ軸方向は、［１１－２０］方向に対して傾斜しても良い（後述する図４などを参照）。Ｘ軸方向と［１１－２０］方向との間の角度は、例えば、０度以上１０度以下で良い。このように、Ｘ軸方向は、［１１－２０］方向に対して小さい角度で傾斜しつつ、［１１－２０］方向に沿って良い。
【0016】
動作領域８０Ａは、第１方向（Ｙ軸方向）において、第１領域８１ａと第２領域８１ｂとの間にある。
【0017】
第１元素領域８１は、例えば、炭化珪素部材８０の［１１－２０］方向に沿う第２方向において動作領域８０Ａと重なる領域を含まない。第２方向は、例えば、Ｘ軸方向に対応する。
【0018】
または、後述するように、第１元素領域８１は、第２方向（Ｘ軸方向）において動作領域８０Ａと重なる領域（後述する第３領域など）を含んでも良い。この場合は、第３領域の幅は、第１領域８１ａ及び第２領域８１ｂの幅よりも小さい。第１元素領域８１が第３領域などを含む場合の例については、後述する。
【0019】
図１及び図２に例示する半導体装置１１０においては、第１元素領域８１は、［１１－２０］方向に沿う第２方向において動作領域８０Ａと重なる領域を含まない。半導体装置１１０においては、［１－１００］方向に沿う第１方向（Ｙ軸方向）において動作領域８０Ａと重なる第１領域８１ａ及び第２領域８１ｂが設けられる。第１領域８１ａ及び第２領域８１ｂは、動作に寄与しない。実施形態において、第１領域８１ａ及び第２領域８１ｂは、半導体装置１１０の特性を安定させる機能を有する。
【0020】
図２に示すように、炭化珪素部材８０は、基体１０ｓと、基体１０ｓの上に設けられた第１半導体領域１０と、を含む。基体１０ｓは、例えばＳｉＣ基板である。第１半導体領域１０は、例えば、ｎ形のＳｉＣ層である。例えば、基体１０ｓ中に、基底面転位７１（ＢＰＤ：basal plane dislocation）が存在する。基底面転位７１は、基体１０ｓの{０００１}面に沿う。基底面転位７１に起因して、半導体装置１１０の動作中に積層欠陥が生じる。積層欠陥により、半導体装置１１０における動作電圧が変化する。例えば、順電圧Ｖｆが変化し、Ｖｆ劣化が生じる。例えば、積層欠陥により耐圧が低下する場合がある。基底面転位７１を抑制することが好ましい。
【0021】
本願発明者の検討の結果、基底面転位７１が炭化珪素部材８０中をグライド（移動）することがわかった。例えば、基底面転位７１は、図１に示す矢印８８Ａ及び矢印８８Ｂの方向（［１－１００］方向に沿う方向）に沿ってグライドする。基底面転位７１が動作領域８０Ａに到達すると、動作中に積層欠陥が形成され、上記のように動作が不安定になる。
【0022】
基底面転位７１のグライドは、例えば、動作領域８０Ａなどにおいて炭化珪素部材８０への不純物の導入処理（例えばイオン注入）、及び、その後の熱処理などにより生じ易い。基底面転位７１のグライドは、例えば、これらの処理により生じる炭化珪素部材８０中の応力が関係している可能性がある。
【0023】
本願発明者の検討の結果、基底面転位７１のグライドは、上記の第１元素領域８１を設けることで抑制できることがわかった。上記のように、基底面転位７１は、［１－１００］方向に沿う第１方向に沿ってグライドする。このため、基底面転位７１のグライドを抑制する第１元素領域８１は、動作領域８０Ａを基準にして第１方向の位置に設けられる。すなわち、第１方向において動作領域８０Ａを挟むように第１領域８１ａ及び第２領域８１ｂが設けられる。これにより、第１領域８１ａ及び第２領域８１ｂにおいて、基底面転位７１のグライドの速度が実質的に０になる。第１領域８１ａ及び第２領域８１ｂにより、基底面転位７１が動作領域８０Ａに到達することが抑制できる。第１領域８１ａ及び第２領域８１ｂによるグライドの抑制は、例えば、これらの領域により応力が緩和されることが１つの原因であると考えられる。
【0024】
第１元素領域８１（第１領域８１ａ及び第２領域８１ｂ）は、半導体装置１１０の動作に寄与しない領域である。第１元素領域８１の面積は、実用的に可能な限り小さいことが好ましい。これにより、例えば、単位面積あたりの動作電流を大きくできる。例えば、コストを抑制できる。より実用的な半導体装置が得られる。
【0025】
半導体装置１１０においては、グライドの抑制のための第１元素領域８１として、第１領域８１ａ及び第２領域８１ｂが設けられる。そして、第１元素領域８１は、［１１－２０］方向に沿う第２方向において動作領域８０Ａと重なる領域を含まない。これにより、特性が安定で、第１元素領域８１の面積が小さく実用的な半導体装置が提供できる。
【0026】
図３は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式図である。
図３に示すように、実施形態に係る半導体装置１１１も炭化珪素部材８０を含む。この例においても、炭化珪素部材８０は、動作領域８０Ａと、第１元素領域８１と、を含む。半導体装置１１１においては、第１元素領域８１は、第１領域８１ａ、第２領域８１ｂ及び第３領域８１ｃを含む。この例では、第１元素領域８１は、第４領域８１ｄを含む。半導体装置１１１におけるこれ以外の構成は、半導体装置１１０と同様で良い。
図３に示すように、実施形態に係る半導体装置１１１も炭化珪素部材８０を含む。この例においても、炭化珪素部材８０は、動作領域８０Ａと、第１元素領域８１と、を含む。半導体装置１１１においては、第１元素領域８１は、第１領域８１ａ、第２領域８１ｂ及び第３領域８１ｃを含む。この例では、第１元素領域８１は、第４領域８１ｄを含む。半導体装置１１１におけるこれ以外の構成は、半導体装置１１０と同様で良い。
【0027】
第１領域８１ａから第２領域８１ｂへの第１方向は、炭化珪素部材８０の［１－１００］方向に沿う。この場合も、動作領域８０Ａは、第１方向において第１領域８１ａと第２領域８１ｂとの間にある。第３領域８１ｃは、［１１－２０］方向に沿う第２方向において動作領域８０Ａと重なる。例えば、動作領域８０Ａは、第２方向において、第３領域８１ｃと第４領域８１ｄとの間にある。
【0028】
第３領域８１ｃ及び第４領域８１ｄの面積は、第１領域８１ａ及び第２領域８１ｂの面積よりも小さい。
【0029】
例えば、図１及び図３に示すように、第１領域８１ａの第１方向に沿う長さを第１長さＬ１とする。第２領域８１ｂの第１方向に沿う長さを第２長さＬ２とする。既に説明したように、第１方向は、［１－１００］方向に沿う。
【0030】
例えば、図１及び図３に示すように、第３領域８１ｃの第２方向に沿う長さを第３長さＬ３とする。第４領域８１ｄの第２方向に沿う長さを第４長さＬ４とする。既に説明したように、第２方向は、［１１－２０］方向に沿う。
【0031】
実施形態においては、第１長さＬ１は、第３長さＬ３よりも長い。第２長さＬ２は、第３長さＬ３よりも長い。第１長さＬ１は、第４長さＬ４よりも長い。第２長さＬ２は、第４長さＬ４よりも長い。第１長さＬ１及び第２長さＬ２が長いことで、基底面転位７１のグライドが効果的に抑制できる。第３長さＬ３及び第４長さＬ４が短いことで、単位面積あたりの動作電流を大きくできる。例えば、コストを抑制できる。より実用的な半導体装置が得られる。
【0032】
実施形態において、第１長さＬ１は、例えば、第３長さＬ３の１０倍以上４０倍以下であることが好ましい。第２長さＬ２は、第３長さＬ３の１０倍以上４０倍以下であることが好ましい。第１長さＬ１は、例えば、第４長さＬ４の１０倍以上４０倍以下であることが好ましい。第２長さＬ２は、第４長さＬ４の１０倍以上４０倍以下であることが好ましい。これにより、基底面転位７１のグライドを効果的に抑制しつつ、半導体装置の面積を効果的に小さくできる。
【0033】
実施形態において、第１長さＬ１及び第２長さＬ２のそれぞれは、例えば、１０μｍ以上であることが好ましい。これにより、グライドした基底面転位７１が動作領域８０Ａに到達することを抑制できる。第１長さＬ１及び第２長さＬ２のそれぞれは、２０μｍ以上でも良い。グライドした基底面転位７１が動作領域８０Ａに到達することをより確実に抑制できる。第１長さＬ１及び第２長さＬ２のそれぞれは、例えば、１０００μｍ以下で良い。第１長さＬ１及び第２長さＬ２のそれぞれが１０００μｍを超えると、例えば、グライドした基底面転位７１が動作領域８０Ａに到達する効果が飽和する。
【0034】
第１領域８１ａにおける第１元素の濃度は、例えば、１×１０１５ｃｍ－２以上３×１０１５ｃｍ－２以下であることが好ましい。第２領域８１ｂにおける第１元素の濃度は、例えば、１×１０１５ｃｍ－２以上３×１０１５ｃｍ－２以下であることが好ましい。このような濃度により、基底面転位７１のグライドが効果的に抑制される。
【0035】
実施形態において、第１領域８１ａ及び第２領域８１ｂにより基底面転位７１が動作領域８０Ａに到達することが抑制できる。例えば、第１領域８１ａにおける基底面転位７１の密度は、動作領域８０Ａにおける基底面転位７１の密度よりも高い。例えば、第２領域８１ｂにおける基底面転位７１の密度は、動作領域８０Ａにおける基底面転位７１の密度よりも高い。
【0036】
例えば、図２に示すように、第１領域８１ａ及び第２領域８１ｂは基底面転位７１を含み、動作領域８０Ａは基底面転位７１を含まなくても良い。
【0037】
図２に示すように、第３方向に沿う炭化珪素部材８０の厚さを厚さＷ１とする。第３方向は、例えばＺ軸方向に沿う。第３方向は、第１方向及び第２方向を含む平面と交差する。実施形態において、第１長さＬ１は、炭化珪素部材８０の厚さＷ１の１０倍以上５０倍以下であることが好ましい。例えば、厚さＷ１が厚いときにおける適切な第１長さＬ１は、厚さＷ１が薄いときにおける適切な第１長さＬ１よりも短くても良い。
【0038】
実施形態において、複数の半導体装置に対応する複数の構造体が１つのウェーハに形成され、複数の構造体が分断されて複数の半導体装置が製造されても良い。分断工程において、複数の半導体装置の少なくとも１つの端部を基点として基底面転位７１が乗じる場合がある。このような基底面転位７１もグライドする可能性がある。このような基底面転位７１に基づいて積層欠陥が成長する場合もある。実施形態に係る上記の第１元素領域８１により、このような基底面転位７１が動作領域８０Ａに到達することが抑制できる。
【0039】
図１及び図３に示すように、炭化珪素部材８０は、第２元素領域８２を含んでも良い。第２元素領域８２は、第２元素を含む。第２元素は、例えば、Ｂ、Ａｌ及びＧａよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２元素領域８２は、ｐ形である。例えば、第２元素領域８２は、第１部分領域８２ａ、第２部分領域８２ｂ、第３部分領域８２ｃ及び第４部分領域８２ｄを含む。
【0040】
第１部分領域８２ａは、第１方向（［１－１００］方向）において、第１領域８１ａと動作領域８０Ａとの間にある。第２部分領域８２ｂは、第１方向において、動作領域８０Ａと第２領域８１ｂとの間にある。動作領域８０Ａは、第２方向（［１１－２０］方向）において、第３部分領域８２ｃと第４部分領域８２ｄとの間にある。
【0041】
第２元素領域８２は、例えば、接合終端領域である。第２元素領域８２により、例えば、高い耐圧が得やすくなる。
【0042】
第１部分領域８２ａの第１方向に沿う長さを長さＬＬ１とする。第２部分領域８２ｂの第１方向に沿う長さを長さＬＬ２とする。第３部分領域８２ｃの第２方向に沿う長さを長さＬＬ３とする。第４部分領域８２ｄの第２方向に沿う長さを長さＬＬ４とする。これらの長さ（幅）は、第１長さＬ１などよりも十分に短い。
【0043】
例えば、第１長さＬ１は、第１部分領域８２ａの長さＬＬ１の２０倍以上であることが好ましい。第２長さＬ２は、第２部分領域８２ｂの長さＬＬ２の１倍よりも長いことが好ましい。例えば、第１長さＬ１及び第２長さＬ２のそれぞれは、第３部分領域８２ｃの長さＬＬ３の１倍よりも長いことが好ましい。第１長さＬ１及び第２長さＬ２のそれぞれは、第４部分領域８２ｄの長さＬＬ４の１倍よりも長いことが好ましい。
【0044】
【0045】
図３に示すように、炭化珪素部材８０が第３領域８１ｃを含む場合、第３部分領域８２ｃは、第２方向において第３領域８１ｃと動作領域８０Ａとの間にある。炭化珪素部材８０が第４領域８１ｄを含む場合、第４部分領域８２ｄは、第２方向において動作領域８０Ａと第４領域８１ｄとの間にある。既に説明したように、第１長さＬ１は、第４領域８１ｄの第２方向に沿う第４長さＬ４よりも長い。第２長さＬ２は、第４長さＬ４よりも長い。
【0046】
図１及び図３に示すように、炭化珪素部材８０は、第３元素領域８３をさらに含んでも良い。第３元素領域８３は、第３元素を含む。第３元素は、Ｎ、Ｐ及びＡｓよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３元素領域８３は、例えばｎ形である。第３元素領域８３は、第５部分領域８３ｅ、第６部分領域８３ｆ、第７部分領域８３ｇ及び第８部分領域８３ｈを含む。
【0047】
第５部分領域８３ｅは、第１方向において、第１領域８１ａと第１部分領域８２ａとの間にある。第６部分領域８３ｆは、第１方向において、第２部分領域８２ｂと第２領域８１ｂとの間にある。第３部分領域８２ｃは、第２方向において、第７部分領域８３ｇと動作領域８０Ａとの間にある。第４部分領域８２ｄは、第２方向において、動作領域８０Ａと第８部分領域８３ｈとの間にある。
【0048】
第５部分領域８３ｅの第１方向に沿う長さを長さＬＬ５とする。第６部分領域８３ｆの第１方向に沿う長さを長さＬＬ６とする。第７部分領域８３ｇの第２方向に沿う長さを長さＬＬ７とする。第８部分領域８３ｈの第２方向に沿う長さを長さＬＬ８とする。
【0049】
第１長さＬ１は、第５部分領域８３ｅの長さＬＬ５の１倍よりも長いことが好ましい。第２長さＬ２は、第６部分領域８３ｆの長さＬＬ６の２０倍以上であることが好ましい。第１長さＬ１及び第２長さＬ２のそれぞれは、第７部分領域８３ｇの長さＬＬ７の２０倍以上であることが好ましい。第１長さＬ１及び第２長さＬ２のそれぞれは、第８部分領域８３ｈの長さＬＬ８の２０倍以上であることが好ましい。
【0050】
図３に示すように、炭化珪素部材８０が第３領域８１ｃを含む場合、第７部分領域８３ｇは、第２方向において第３領域８１ｃと第３部分領域８２ｃとの間にある。炭化珪素部材８０が第４領域８１ｄを含む場合、第８部分領域８３ｈは、第２方向において第４部分領域８２ｄと第４領域８１ｄとの間にある。第１長さＬ１は、第４領域８１ｄの第２方向に沿う第４長さＬ４よりも長い。第２長さＬ２は、第４長さＬ４よりも長い。
【0051】
第２元素領域８２及び第３元素領域８３は、例えば、終端領域８０Ｔ（図２参照）に含まれる。第２元素領域８２は、第３元素領域８３から離れて良い。
【0052】
図２に示すように、第１領域８１ａは、Ｚ軸方向に沿う長さｔ１を有する。Ｚ軸方向は、第１方向及び第２方向を含む平面と交差する。第２領域８１ｂは、Ｚ軸方向に沿う長さｔ２を有する。長さｔ１は、第１領域８１ａの厚さに対応する。長さｔ２は、第２領域８１ｂの厚さに対応する。長さｔ１及び長さｔ２のそれぞれは、例えば、第２元素領域８２の厚さ（Ｚ軸方向に沿う長さ）の０．２倍以上１０倍以下で良い。長さｔ１及び長さｔ２のそれぞれは、例えば、第３元素領域８３の厚さ（Ｚ軸方向に沿う長さ）の０．２倍以上１０倍以下で良い。
【0053】
図１及び図３に示すように、半導体装置１１０または半導体装置１１１は、電極５０Ｅを含んでも良い。電極５０Ｅは、動作領域８０Ａに設けられるダイオード及びトランジスタの上記の少なくともいずれかに電気的に接続される。第１元素領域８１は、電極５０Ｅに対して浮遊状態であることが好ましい。これにより、正孔注入が抑制される。第１元素領域８１が導電性であるに、第１元素領域８１が電極５０Ｅに対して浮遊状態であることで、通電時における順方向電圧劣化を抑制し易くなる。
【0054】
図４は、第１実施形態に係る半導体装置の一部を例示する模式的断面図である。
図４は、図１のＢ１－Ｂ２線断面図である。図４は、動作領域８０Ａの少なくとも一部に対応する。図４に示すように、この例では、動作領域８０Ａは、トランジスタ１０Ｔを含む。
図４は、図１のＢ１－Ｂ２線断面図である。図４は、動作領域８０Ａの少なくとも一部に対応する。図４に示すように、この例では、動作領域８０Ａは、トランジスタ１０Ｔを含む。
【0055】
トランジスタ１０Ｔは、第１電極５１と、第２電極５２と、第３電極５３と、絶縁部６１と、を含む。第１電極５１から第２電極５２への積層方向は、第１方向及び第２方向を含む平面（実質的にＸ－Ｙ平面）と交差する。積層方向は、例えば、Ｚ軸方向である。
【0056】
炭化珪素部材８０の動作領域８０Ａの少なくとも一部は、積層方向（Ｚ軸方向）において第１電極５１と第３電極５３との間にある。動作領域８０Ａは、第１導電形の第１半導体領域１０と、第２導電形の第２半導体領域２０と、第１導電形の第３半導体領域３０と、を含む。第１導電形は、ｎ形及びｐ形の一方である。第２導電形は、ｎ形及びｐ形の他方である。以下では、第１導電形がｎ形で、第２導電形がｐ形とする。
【0057】
第１半導体領域１０及び第３半導体領域３０は、ＳｉＣと、第４元素と、を含む。第４元素は、Ｎ、Ｐ及びＡｓよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２半導体領域２０は、ＳｉＣと、第５元素と、を含む。第５元素は、Ｂ、Ａｌ及びＧａよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【0058】
第１半導体領域１０は、第１半導体部分１０ａ及び第２半導体部分１０ｂを含む。第２半導体部分１０ｂから第３電極５３への方向は、積層方向（Ｚ軸方向）に沿う。第２半導体部分１０ｂから第１半導体部分１０ａへの交差方向は、積層方向（Ｚ軸方向）と交差する。この例では、交差方向は、Ｘ軸方向に対応する。
【0059】
第１半導体部分１０ａから第３半導体領域３０への方向は、積層方向（Ｚ軸方向）に沿う。第２半導体領域２０は、第３半導体部分２０ｃ及び第４半導体部分２０ｄを含む。第３半導体部分２０ｃは、積層方向（Ｚ軸方向）において第１半導体部分１０ａと第３半導体領域３０との間にある。第４半導体部分２０ｄは、交差方向（Ｘ軸方向）において、第２半導体部分１０ｂの一部と、第３半導体領域３０と、の間にある。
【0060】
第１電極５１は、第１半導体領域１０と電気的に接続される。第２電極５２は、第３半導体領域３０と電気的に接続される。絶縁部６１の少なくとも一部は、第２半導体部分１０ｂと第３電極５３との間、及び、第４半導体部分２０ｄと第３電極５３との間にある。
【0061】
半導体装置１１０において、第１電極５１と第２電極５２との間に流れる電流は、第３電極５３の電位により制御できる。第３電極５３の電位は、第２電極５２の電位を基準とした電位で良い。第１電極５１は、例えば、ドレイン電極として機能する。第２電極５２は、例えば、ソース電極として機能する。第３電極５３は、ゲート電極として機能する。基体１０ｓは、例えば、第１導電形である。半導体装置１１０は、例えば、ＭＯＳＦＥＴである。
【0062】
この例では、第２半導体領域２０は、第５半導体部分２０ｅを含む。Ｘ軸方向において、第３半導体領域３０は、第４半導体部分２０ｄと第５半導体部分２０ｅとの間にある。第２電極５２は、第５半導体部分２０ｅと電気的に接続される。半導体装置１１１における動作領域８０Ａも、図４に例示した構成と同様の構成を有して良い。
【0063】
図５は、第１実施形態に係る半導体装置の一部を例示する模式的断面図である。
図５は、図１のＢ１－Ｂ２線に対応する断面図である。図５は、動作領域８０Ａの少なくとも一部に対応する。図５に示すように、実施形態に係る半導体装置１１２において、動作領域８０Ａは、トランジスタ１０Ｔを含む。
図５は、図１のＢ１－Ｂ２線に対応する断面図である。図５は、動作領域８０Ａの少なくとも一部に対応する。図５に示すように、実施形態に係る半導体装置１１２において、動作領域８０Ａは、トランジスタ１０Ｔを含む。
【0064】
図５に示すように、半導体装置１１２において、炭化珪素部材８０の動作領域８０Ａは、第２導電形（ｐ形）の基体１０ｓＡを含む。基体１０ｓＡは、第１電極５１と第１半導体領域１０との間にある。半導体装置１１２は、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）である。半導体装置１１２において上記を除く構成（第１元素領域８１など）は、半導体装置１１０及び１１１における構成と同様で良い。
【0065】
（第２実施形態）
図６は、第２実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図６には、動作領域８０Ａ及び終端領域８０Ｔが例示されている。図６に示すように、実施形態に係る半導体装置１１３において、動作領域８０Ａは、ダイオード１０Ｄを含む。
図６は、第２実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図６には、動作領域８０Ａ及び終端領域８０Ｔが例示されている。図６に示すように、実施形態に係る半導体装置１１３において、動作領域８０Ａは、ダイオード１０Ｄを含む。
【0066】
図６に示すように、ダイオード１０Ｄは、第１電極５１及び第２電極５２を含む。第１電極５１から第２電極５２への積層方向（Ｚ軸方向）は、第１方向及び第２方向を含む平面（実質的にＸ－Ｙ平面）と交差する。炭化珪素部材８０の動作領域８０Ａの少なくとも一部は、積層方向（Ｚ軸方向）において第１電極５１と第２電極５２との間にある。
【0067】
動作領域８０Ａは、第１導電形の第１半導体領域１０と、第２導電形の第２半導体領域２０と、を含む。第１半導体領域１０は、第１電極５１と第２電極５２との間にある。第２半導体領域２０は、第１半導体領域１０と第２電極５２との間にある。第１電極５１は、第１半導体領域１０と電気的に接続される。第２電極５２は、第２半導体領域２０と電気的に接続される。第１電極５１は、例えば、カソード電極である。第２電極５２は、例えば、アノード電極である。
【0068】
半導体装置１１３において、動作領域８０Ａ及び終端領域８０Ｔを除く部分は、半導体装置１１０と同様で良い。半導体装置１１３において、炭化珪素部材８０は、第１元素領域８１（例えば、第１領域８１ａ及び第２領域８１ｂ）を含む。半導体装置１１３においても、基底面転位７１のグライドが抑制される。特性を安定にできる半導体装置が提供できる。
【0069】
実施形態において、第１電極５１及び第２電極５２の少なくともいずれかは、例えば、Ａｌ、Ｃｕ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。例えば、第３電極５３（例えばゲート電極）は、ＴｉＮ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｗ、及びＴａＳｉＮよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。絶縁部６１は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム及び酸化ハフニウムよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【0070】
実施形態において、不純物濃度に関する情報は、例えば、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry）などにより得られる。上記において、不純物濃度は、例えば、キャリア濃度でも良い。不純物濃度の相対的な高低に関する情報は、例えば、ＳＣＭ（Scanning Capacitance Microscopy)により得られるキャリア濃度の相対的な高低に関する情報に基づいて得ることができる。
【0071】
第１領域８１ａにおける第１元素の濃度は、例えば、１．６７×１０１９ｃｍ－３以上５×１０１９ｃｍ－３以下であることが好ましい。第２領域８１ｂにおける第１元素の濃度は、例えば、１．６７×１０１９ｃｍ－３以上５×１０１９ｃｍ－３以下であることが好ましい。このような濃度により、基底面転位７１のグライドが効果的に抑制される。
【0072】
１つの例において、第１領域８１ａにおける第１元素のドーズ量は、例えば、１×１０１５ｃｍ－２以上３×１０１５ｃｍ－２以下である。１つの例において、第２領域８１ｂにおける第１元素のドーズ量は、例えば、１×１０１５ｃｍ－２以上３×１０１５ｃｍ－２以下である。このようなドーズ量により、基底面転位７１のグライドが効果的に抑制される。これらの領域への第１元素の導入は、例えばイオン注入などにより行われて良い。第１領域８１ａ及び第２領域８１ｂの厚さ（長さｔ１及び長さｔ２：図２参照）は、例えば、０．４μｍ以上０．８μｍ以下（例えば、約０．６μｍなど）である。
【0073】
例えば、第１領域８１ａ及び第２領域８１ｂにおける第１元素の濃度（単位：ｃｍ－３）は、第２元素領域８２（第１部分領域８２ａ、第２部分領域８２ｂ、第３部分領域８２ｃ及び第４部分領域８２ｄなど）における第２元素（Ｂ、ＡｌまたはＧａなど）の濃度（単位：ｃｍ－３）の１倍以上２０倍以下であることが好ましい。
【0074】
例えば、第１領域８１ａ及び第２領域８１ｂにおける第１元素の濃度（単位：ｃｍ－３）は、第３元素領域８３（第５部分領域８３ｅ、第６部分領域８３ｆ、第７部分領域８３ｇ及び第８部分領域８３ｈなど）における第３元素（Ｎ、ＰまたはＡｓなど）の濃度（単位：ｃｍ－３）の１０倍以上２００倍以下であることが好ましい。
【0075】
図２に示すように、第１半導体領域１０は、Ｚ軸方向において第１領域８１ａと重なる部分を含む。第１領域８１ａ及び第２領域８１ｂの厚さ（長さｔ１及び長さｔ２のぞれぞれ）は、例えば、第１半導体領域１０のうちで、Ｚ軸方向において第１領域８１ａと重なる部分の厚さ（Ｚ軸方向に沿う長さ）の１／１００以上１／１５以下であることが好ましい。
【0076】
実施形態によれば、特性を安定にできる半導体装置を提供することができる。
【0077】
本願明細書において、「電気的に接続される状態」は、複数の導電体が物理的に接してこれら複数の導電体の間に電流が流れる状態を含む。「電気的に接続される状態」は、複数の導電体の間に、別の導電体が挿入されて、これらの複数の導電体の間に電流が流れる状態を含む。
【0078】
本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
【0079】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体装置に含まれる炭化珪素部材、半導体領域、基体、電極及び絶縁部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【0080】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【0081】
その他、本発明の実施の形態として上述した半導体装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【0082】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【0083】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0084】
１０…第１半導体領域、 １０Ｄ…ダイオード、 １０Ｔ…トランジスタ、 １０ａ、１０ｂ…第１、第２半導体部分、 １０ｓ、１０ｓＡ…基体、 ２０…第２半導体領域、 ２０ｃ～２０ｅ…第３～第５半導体部分、 ３０…第３半導体領域、 ５０Ｅ…電極、 ５１～５３…第１～第３電極、 ６１…絶縁部、 ７１…基底面転位、 ８０…炭化珪素部材、 ８０Ａ…動作領域、 ８０Ｔ…終端領域、 ８１…第１元素領域、 ８１ａ～８１ｄ…第１～第４領域、 ８２…第２元素領域、 ８２ａ～８２ｄ…第１～第４部分領域、 ８３…第３元素領域、 ８３ｅ～８３ｈ…第５～第８部分領域、 ８８Ａ、８８Ｂ…矢印、 １１０～１１３…半導体装置、 Ｌ１～Ｌ４…第１～第４長さ、 ＬＬ１～ＬＬ８…長さ、 Ｗ１…厚さ、 ｔ１、ｔ２…長さ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】