特開 2022-174413 電気光学パネルの温度検出方法、表示装置、及び電気光学装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022174413

(43)【公開日】2022-11-24

(54)【発明の名称】電気光学パネルの温度検出方法、表示装置、及び電気光学装置

(51)【国際特許分類】

   G01K 7/01 20060101AFI20221116BHJP

   G02F 1/133 20060101ALI20221116BHJP

   G02F 1/13 20060101ALI20221116BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20221116BHJP

   G03B 21/16 20060101ALI20221116BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20221116BHJP

   G03B 21/14 20060101ALI20221116BHJP

   G03B 21/00 20060101ALI20221116BHJP

   H04N 5/74 20060101ALI20221116BHJP

【ＦＩ】

G01K7/01 C

G02F1/133 580

G02F1/13 505

G09F9/00 304Z

G09F9/00 304B

G03B21/16

G09F9/30 349Z

G03B21/14 Z

G03B21/00 E

H04N5/74 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021080196

(22)【出願日】2021-05-11

(71)【出願人】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100179475

【弁理士】

【氏名又は名称】仲井 智至

(74)【代理人】

【識別番号】100216253

【弁理士】

【氏名又は名称】松岡 宏紀

(74)【代理人】

【識別番号】100225901

【弁理士】

【氏名又は名称】今村 真之

(72)【発明者】

【氏名】▲高▼橋 成也

【テーマコード（参考）】

2F056

2H088

2H193

2K203

5C058

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

2F056JT06

2F056JT08

2H088EA14

2H088EA15

2H088EA68

2H088HA05

2H088HA06

2H088HA08

2H088HA13

2H088HA24

2H088HA28

2H193ZA04

2H193ZG02

2H193ZG16

2H193ZH18

2H193ZH34

2H193ZH69

2H193ZH74

2H193ZR04

2K203FA03

2K203FA23

2K203FA34

2K203FA43

2K203FA62

2K203GB26

2K203HA79

2K203LA03

2K203LA22

2K203LA47

2K203LA56

2K203MA12

5C058BA35

5C058EA02

5C058EA11

5C058EA26

5C058EA52

5C094AA34

5C094BA03

5C094BA43

5C094CA19

5C094DB02

5C094FB14

5C094HA05

5C094HA08

5C094JA04

5G435AA12

5G435BB12

5G435CC09

5G435EE47

5G435EE49

5G435GG44

5G435HH13

5G435HH20

5G435LL07

5G435LL08

5G435LL12

5G435LL14

5G435LL15

5G435LL17

(57)【要約】

【課題】信頼性を向上させることが可能な電気光学パネルの温度検出方法、表示装置、及び電気光学装置を提供する。
【解決手段】液晶パネルの温度検出方法であって、液晶パネルには、少なくともポリシリコンを用いて形成されたダイオードを有する温度検出素子が配置されており、温度検出素子に検出電流Ｉ₃を流す工程と、検出電流Ｉ₃に応じた温度検出素子の順方向電圧を計測する工程と、を含み、検出電流Ｉ₃は、定電流Ｉ₁に、定電流Ｉ₁よりも大きいパルス状電流を間欠的に重畳させた電流である。
【選択図】図８

【特許請求の範囲】

【請求項1】

電気光学パネルの温度検出方法であって、
前記電気光学パネルには、半導体層を用いて形成されたダイオードを有する温度検出素子が配置されており、
前記温度検出素子に検出電流を流す工程と、
前記検出電流に応じた前記温度検出素子の順方向電圧を計測する工程と、
を含み、
前記検出電流は、所定の定電流に、前記所定の定電流よりも大きいパルス状電流を間欠的に重畳させた電流である、電気光学パネルの温度検出方法。

【請求項2】

請求項１に記載の電気光学パネルの温度検出方法であって、
前記計測する工程は、前記温度検出素子に前記パルス状電流を流したタイミングに計測する、電気光学パネルの温度検出方法。

【請求項3】

請求項１又は請求項２に記載の電気光学パネルの温度検出方法であって、
前記パルス状電流は、１段目よりも２段目の電流値が大きくなる、少なくとも２段階の階段状のパルス電流である、電気光学パネルの温度検出方法。

【請求項4】

請求項３に記載の電気光学パネルの温度検出方法であって、
前記１段目の電流値は、前記２段目の電流値の略半分の電流値である、電気光学パネルの温度検出方法。

【請求項5】

請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学パネルの温度検出方法であって、
前記所定の定電流は、１００ｎＡ以下である、電気光学パネルの温度検出方法。

【請求項6】

請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学パネルの温度検出方法であって、
前記半導体層は、ポリシリコンである、電気光学パネルの温度検出方法。

【請求項7】

電気光学パネルと、
前記電気光学パネルに半導体層を用いて形成されたダイオードを有する温度検出素子と、
前記温度検出素子に流す検出電流を制御する電流制御部と、
前記検出電流に応じた前記温度検出素子の順方向電圧を計測する温度算出部と、
を備え、
前記検出電流は、所定の定電流に、前記所定の定電流よりも大きいパルス状電流を間欠的に重畳させた電流である、表示装置。

【請求項8】

請求項７に記載の表示装置であって、
前記電気光学パネルによって生成された透過像をシフトさせるシフトデバイスと、
前記電気光学パネルを冷却する冷却ファンと、を備える、表示装置。

【請求項9】

電気光学パネルと、
前記電気光学パネルに半導体層を用いて形成されたダイオードを有する温度検出素子と、
前記温度検出素子に検出電流を制御する電流制御部と、
前記検出電流に応じた前記温度検出素子の順方向電圧を計測する温度算出部と、
を備え、
前記検出電流は、所定の定電流に、前記所定の定電流よりも大きいパルス状電流を間欠的に重畳させた電流である、電気光学装置。

【請求項10】

請求項９に記載の電気光学装置であって、
前記電流制御部は、前記電気光学パネルと電気的に接続されたフレキシブル基板に設けられている、電気光学装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電気光学パネルの温度検出方法、表示装置、及び電気光学装置に関する。

【背景技術】

【0002】

電気光学パネルとして、例えば、プロジェクターなどに用いられる液晶パネルの温度を検出する方法が知られている。
例えば、特許文献１には、温度検出素子として用いられるダイオードに対して温度を検出することが可能な電流値の定電流を流し、ダイオードに定電流が流れている際に、ダイオードの順方向電圧からダイオードの温度を導出する方法が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２０－１８７１０２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、温度検出素子としてのダイオードに所定の電流値の定電流を流し続けるとダイオードの特性が変動し、正確な温度が検出できない場合がある。特に、ダイオードの構造や形成材質によって、特性が大きく変動しやすい。一方、電流値を小さくすると、パネル駆動信号に起因するノイズにより、正確な温度が検出できなくなるという課題がある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

電気光学パネルの温度検出方法は、前記電気光学パネルには、ダイオードを有する温度検出素子が配置されており、前記温度検出素子に検出電流を流す工程と、前記検出電流に応じた前記温度検出素子の順方向電圧を計測する工程と、を含み、前記検出電流は、所定の定電流にパルス状電流を間欠的に重畳させた電流である。

【0006】

表示装置は、電気光学パネルと、電気光学パネルに半導体層を用いて形成されたダイオードを有する温度検出素子と、温度検出素子に流す検出電流を制御する電流制御部と、検出電流に応じた温度検出素子の順方向電圧を計測する温度算出部と、を備え、検出電流は、所定の定電流に、前記所定の定電流よりも大きいパルス状電流を間欠的に重畳させた電流である。

【0007】

電気光学装置は、電気光学パネルと、電気光学パネルに半導体層を用いて形成されたダイオードを有する温度検出素子と、温度検出素子に検出電流を制御する電流制御部と、検出電流に応じた温度検出素子の順方向電圧を計測する温度算出部と、を備え、検出電流は、所定の定電流に、前記所定の定電流よりも大きいパルス状電流を間欠的に重畳させた電流である。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】表示装置としてのプロジェクターの構成を示す概略図。

【図2】電気光学装置としての液晶装置の構成を示す斜視図。

【図3】液晶装置の構成を示す平面図。

【図4】温度検出素子を含む定電流回路の電気的な構成を示す回路図。

【図5】ダイオードの温度特性を示すグラフ。

【図6】ダイオードにおける通電時間と電圧シフト量との関係を示すグラフ。

【図7】温度検出方法の概略を示す図。

【図8】第１実施形態の温度検出方法を示すタイミングチャート。

【図9】ダイオードに電流を流したときの電流波形を示す図。

【図10】第２実施形態の温度検出方法を示すタイミングチャート。

【図11】第３実施形態の温度検出方法を示すタイミングチャート。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下の各図においては、互いに直交する３つの軸をＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸として説明する。Ｘ軸に沿う方向を「Ｘ方向」、Ｙ軸に沿う方向を「Ｙ方向」、Ｚ軸に沿う方向を「Ｚ方向」とし、矢印の方向が＋方向であり、＋方向と反対の方向を－方向とする。なお、＋Ｚ方向を「上」又は「上方」、－Ｚ方向を「下」又は「下方」ということもあり、＋Ｚ方向から見ることを平面視あるいは平面的ともいう。また、Ｚ方向＋側の面を上面、これと反対側となるＺ方向－側の面を下面として説明する。

【0010】

さらに、以下の説明において、例えば基板に対して、「基板上に」との記載は、基板の上に接して配置される場合、基板の上に他の構造物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接して配置され、一部が他の構造物を介して配置される場合のいずれかを表すものとする。

【0011】

まず、図１を参照しながら、表示装置としてのプロジェクター１０００の構成を説明する。

【0012】

図１に示すように、プロジェクター１０００は、電気光学パネルとしての液晶パネル１００Ｒと、液晶パネル１００Ｇと、液晶パネル１００Ｂとを含む。また、プロジェクター１０００には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット２１０２が設けられている。このランプユニット２１０２から出射された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によって、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の３原色に分離される。このうち、Ｒの光は液晶パネル１００Ｒに、Ｇの光は液晶パネル１００Ｇに、Ｂの光は液晶パネル１００Ｂに、それぞれ入射する。

【0013】

なお、Ｂの光路は、他の赤や緑と比較して長い。したがって、Ｂの光は、光路での損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３、及び出射レンズ２１２４からなるリレーレンズ系２１２１を介して液晶パネル１００Ｂに導かれる。

【0014】

液晶パネル１００Ｒは、マトリクス状に配列する画素回路を有し、Ｒに対応するデータ信号に基づいて、上記画素回路の液晶素子を透過した光、即ち、液晶素子による変調光によってＲの透過像を生成する。同様に、液晶パネル１００Ｇは、Ｇに対応するデータ信号に基づいてＧの透過像を生成する。液晶パネル１００Ｂは、Ｂに対応するデータ信号に基づいてＢの透過像を生成する。

【0015】

液晶パネル１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂによってそれぞれ生成された各色の透過像は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム２１１２において、ＲおよびＢの光は９０度に屈折する一方、Ｇの光は直進する。したがって、各色の画像が合成された後、シフトデバイス２３００を介して投射レンズ２１１４に入射する。シフトデバイス２３００は、ダイクロイックプリズム２１１２からの出射方向の光軸をシフトさせる。投射レンズ２１１４は、シフトデバイス２３００を介した合成像を、スクリーン２１２０に拡大して投射する。シフトデバイス２３００は、映像フレームに同期して光軸をシフトさせるので情報量を高めた映像表示を実現する。この場合、映像フレーム数を増加させる必要がある。この際に液晶応答が問題になるので、液晶応答の影響を抑制するために液晶パネル１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂの温度管理が重要となる。

【0016】

プロジェクター１０００は、制御部６０と、冷却ファン４１と、を備えている。

【0017】

制御部６０は、電流制御部６１と、温度算出部６２と、処理部６３と、管理温度値格納部６５と、管理温度比較部６６と、冷却ファン制御部６７と、を備えている。電流制御部６１、温度算出部６２、管理温度値格納部６５、管理温度比較部６６、および冷却ファン制御部６７は、電子回路によって実現されるが、処理部６３に含めてもよい。

【0018】

電流制御部６１は、液晶パネル１００に形成された温度検出素子１１０に流す電流の電流値を制御する。後述するように、制御する電流値は、例えば、定電流Ｉ₁、定電流Ｉ₂、検出電流Ｉ₃の３種類の電流値を制御する。所定の定電流Ｉ₁は、例えば、１００ｎＡ以下である。検出電流Ｉ₃は、温度検出素子１１０を構成するダイオードにより順方向電圧Ｖ_Fを検出可能な電流である。定電流Ｉ₂は、検出電流Ｉ₃の電流値の略半分の電流値である。

【0019】

温度算出部６２は、温度検出素子１１０によって得られた順方向電圧Ｖ_Fから温度を算出する。具体的には、後述するように、順方向電圧Ｖ_Fと温度との関係が紐づけされたデータに基づいて温度検出素子１１０の温度を算出する。

【0020】

処理部６３は、コンピュータープログラムとしての制御プログラムを実行することにより、種々の処理を行うプロセッサーを含む。処理部６３は、図示しない記憶部を有し、ＲＡＭ（Random Access Memory）及びＲＯＭ（Read Only Memory）等のメモリーを備えて構成される。ＲＡＭは、各種データ等の一時記憶に用いられ、ＲＯＭは、温度検出素子１１０に流す電流値を制御するための制御プログラムや制御データ等を記憶する。

【0021】

管理温度値格納部６５は、液晶パネル１００に配置された温度検出素子１１０における上限の温度値データが格納されている。

【0022】

管理温度比較部６６は、温度検出素子１１０の温度と、管理温度値格納部６５に格納された管理温度値データと、を比較する。管理温度比較部６６は、温度検出素子１１０が管理温度値の上限を超えないように冷却ファン制御部６７による制御を決定する。冷却ファン制御部６７は、例えば、ＰＷＭ（パルス幅変調）動作によって実効駆動電圧を調整し、冷却ファン４１の風量を制御する。即ち、液晶パネル１００の温度を、適正な温度になるように冷却し、液晶応答の変化を抑制する。

【0023】

なお、液晶パネル１００Ｒ，１００Ｂによる透過像は、ダイクロイックプリズム２１１２により反射した後に投射される。液晶パネル１００Ｇによる透過像は、直進して投射される。したがって、液晶パネル１００Ｒ，１００Ｂによる各透過像は、液晶パネル１００Ｇの透過像に対して左右反転した関係となる。

【0024】

次に、図２を参照しながら、電気光学装置としての液晶装置５００の構成を説明する。

【0025】

以降の実施形態では、画素ごとに薄膜トランジスター（Thin Film Transistor）を備えたアクティブ駆動型の液晶装置５００を例に挙げて説明する。この液晶装置５００は、例えば、プロジェクター１０００の光変調手段（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

【0026】

図２に示すように、液晶装置５００は、電気光学パネルとしての液晶パネル１００とフレキシブル基板２００を含む。液晶パネル１００は、互いに対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層（図示せず）と、を有する。

【0027】

素子基板１０は、対向基板２０よりも一回り大きい。素子基板１０と対向基板２０とは、対向基板２０の外縁部に沿って額縁状に配置されたシール材（図示せず）を介して貼り合わされ、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて、液晶層が構成されている。

【0028】

素子基板１０の張り出し部１０ａには、フレキシブル基板２００が電気的に接続されている。フレキシブル基板２００は、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの可撓性基板である。なお、フレキシブル基板２００には、例えば、駆動ＩＣ２１０が実装されている。

【0029】

次に、図３～図５を参照しながら、液晶パネル１００の温度を検出するため、液晶パネル１００に内蔵された温度検出素子１１０について説明する。

【0030】

図３に示すように、温度検出素子１１０は、液晶パネル１００の表示領域Ｅの外側、例えば、非表示領域Ｅ１の外側（紙面左下）に配置されている。

【0031】

本実施形態では、温度検出素子１１０は、画素ごとに形成される薄膜トランジスターと同様に、半導体層としてポリシリコンを用いて形成される。図４に示すように、温度検出素子１１０は、温度変化の感度を高めるために、直列に接続された複数のダイオードを備えている。また、温度検出素子１１０には、ポリシリコンを用いて形成された静電気保護回路１１１が接続されている。

【0032】

温度検出素子１１０の両端には、各端子１１２，１１３から延在する配線が電気的に接続されている。一方の端子１１２から順方向の定電流を供給すると、温度検出素子１１０に電流が流れる。定電流は、例えば、フレキシブル基板２００に配置された駆動ＩＣ２１０を経由して、所定の電流値の電流が供給される。また、温度検出素子１１０により、順方向電圧Ｖ_Fが検出される。

【0033】

図５は、温度検出素子１１０の温度特性の一例を示す。図５において、温度検出素子１１０の温度特性は、横軸に温度検出素子１１０の温度を示しており、縦軸に温度検出素子１１０の順方向電圧Ｖ_Fを示している。

【0034】

温度検出素子１１０を構成するダイオードの順方向電圧Ｖ_Fは、実線で示すように、温度によって略直線的に変化する。従って、２つの端子１１２，１１３間の電圧が温度によって変化するので、２つの端子１１２，１１３間の電圧を検出すれば、温度を求めることができる。

【0035】

図６は、温度検出素子１１０に流す電流の通電時間と順方向電圧Ｖ_Fシフト量との関係の一例である。

【0036】

図６に示すグラフは、横軸に通電時間（Ｈ）を示し、縦軸に順方向電圧Ｖ_Fシフト量（ｍＶ）を示し、温度検出素子１１０に流す電流を、６００ｎＡ、１．２μＡ、３μＡ、６μＡとした場合の比較を示している。

【0037】

温度検出素子１１０に流す電流は、通電時間が長くなるに従って、順方向電圧Ｖ_Fのシフト量が大きくなる。また、温度検出素子１１０に流す電流値が大きくなるに従って、順方向電圧Ｖ_Fのシフト量も大きくなる。つまり、温度検出素子１１０に、一定の高い電流を流し続け、トータルの電流量が大きくなると、順方向電圧Ｖ_Fの変動も大きくなり、温度検出素子１１０、即ち、液晶パネル１００の温度が正確に求められなくなる。よって、温度検出素子１１０に流すトータルの電流量を小さくすることが望ましい。

【0038】

図７は、半導体層を用いて形成されたダイオードを有する温度検出素子が配置された液晶パネル１００の温度検出方法であり、温度検出素子に検出電流を流す工程と、検出電流に応じた前記温度検出素子の順方向電圧を計測する工程と、が実行される。次に、図８を参照しながら、第１実施形態の液晶パネル１００の温度検出方法について説明する。

【0039】

図８に示すタイミングチャートは、温度検出素子１１０に電流を流すタイミングを示しており、横軸に時間を示し、縦軸に電流値を示している。電流値は、縦軸の上側に行くに従って大きな電流値となっている。

【0040】

まず、図８に示すように、温度検出（計測）を行わないとき、温度検出素子１１０には、例えば、所定の定電流としての１００ｎＡ以下の定電流Ｉ₁が流れている。

【0041】

次に、時間ｔ１では、温度検出素子１１０に検出電流Ｉ₃を流すために、電流制御部６１は、温度検出素子１１０に流れる電流値を制御する。ここで、検出電流Ｉ₃とは、温度検出素子１１０を構成するダイオードが温度を検出可能な定電流のことをいう。また、検出電流Ｉ₃とは、定電流Ｉ₁に、定電流Ｉ₁よりも大きいパルス状電流を間欠的に重畳させた電流をいう。また、パルス状電流とは、１段目（定電流Ｉ₁）よりも２段目（検出電流Ｉ₃）の電流値が大きくなる、少なくとも２段階の階段状のパルス電流のことをいう。

【0042】

次に、時間ｔ２では、温度検出素子１１０の温度を検出する。具体的には、温度検出素子１１０に流れる電流値が検出電流Ｉ₃に達しているので、このタイミングで、温度算出部６２により、温度検出素子１１０の温度を計測（算出）する。

【0043】

次に、時間ｔ３では、温度検出素子１１０の温度計測を時間ｔ２において実施したため、電流制御部６１は、電流値を検出電流Ｉ₃から定電流Ｉ₁に切り替える。

【0044】

次に、時間ｔ４、時間ｔ５、時間ｔ６において、上記した時間ｔ１、時間ｔ２、時間ｔ３と同様に電流値を切り替え、温度検出素子１１０の温度を計測する。なお、計測する間隔、具体的には、時間ｔ２から時間ｔ５の時間は、例えば、１秒である。つまり、１秒間隔で温度計測を行う。

【0045】

このような温度検出方法を行うことにより、従来のように、温度検出素子１１０に検出電流Ｉ₃を流し続けている場合と比較して、温度検出素子１１０に流すトータルの電流量を、少なくすることができる。よって、温度検出素子１１０を構成するダイオードの特性変化を抑えることが可能となり、正確な温度を計測することができる。更に、温度を計測するときには、定電流Ｉ₁から検出電流Ｉ₃に切り替えるので、ノイズによる影響を抑えることができる。

【0046】

次に、温度算出部６２によって算出された温度と、管理温度値格納部６５に格納されている管理温度値データとを、管理温度比較部６６によって比較する。冷却ファン制御部６７は、液晶パネル１００が適正な温度になるように、冷却ファン４１の動作を制御する。

【0047】

次に、図９を参照しながら、温度検出素子１１０に流れる実際の電流値の波形について具体的に説明する。

【0048】

図９に示すように、時間ｔ１において、電流制御部６１は、温度検出素子１１０に流れる電流値が検出電流Ｉ₃になるように制御する。なお、温度検出素子１１０は、ノイズ対策として、定電流の出力ラインに図示しないキャパシタが接続されている。このため、単純に定電流をＯＮ／ＯＦＦした場合は、図９に示すような波形となり、キャパシタの充放電時間を考慮する必要がでてくる。

【0049】

つまり、異なる２つの定電流を切り替えると、電流値の切り替えが素早く追従してくれない。具体的には、図９に示すように、電流値を変化させたときの立ち上がりと立ち下がりがなまってしまう。よって、温度を計測するタイミングは、検出電流Ｉ₃が安定する、なるべく時間ｔ３に近い方が好ましい。なお、充放電にかかる時間は、例えば、０．０２秒～０．１秒程度である。

【0050】

以上述べたように、本実施形態の液晶パネル１００の温度検出方法は、液晶パネル１００には、ポリシリコンを用いて形成されたダイオードを有する温度検出素子１１０が配置されており、温度検出素子１１０に検出電流Ｉ₃を流す工程と、検出電流Ｉ₃に応じた温度検出素子１１０の順方向電圧Ｖ_Fを計測する工程と、を含み、検出電流Ｉ₃は、定電流Ｉ₁に、定電流Ｉ₁よりも大きいパルス状電流を間欠的に重畳させた電流である。

【0051】

この方法によれば、定電流Ｉ₁を小さく設定することにより、順方向電圧Ｖ_Fの特性変化を抑制することが可能となり、さらに、温度検出時には、間欠的に温度検出に必要な電流がパルス状電流として流れるため、ノイズによる影響を低減することができる。特に、特性が大きく変動しやすいポリシリコンによるダイオードを温度検出素子１１０として用いた場合でも、正確な温度を検出することができる。

【0052】

また、液晶パネル１００の温度検出方法において、計測する工程は、温度検出素子１１０にパルス状電流を流したタイミングに計測することが好ましい。この方法によれば、パルス状電流が定電流Ｉ₁よりも大きいので、ノイズによる影響を抑えながら、温度を検出することができる。

【0053】

また、液晶パネル１００の温度検出方法において、定電流Ｉ₁は、１００ｎＡ以下であることが好ましい。この方法によれば、定電流Ｉ₁が１００ｎＡ以下なので、温度検出にかかるトータルの電流量を抑えることが可能となり、ダイオードの特性が変動することを抑えることができる。

【0054】

また、本実施形態の液晶装置５００は、上記に記載の液晶パネル１００の温度検出方法を用いており、液晶パネル１００と電気的に接続されたフレキシブル基板２００を有し、フレキシブル基板２００には、温度検出素子１１０に流す電流の電流値を制御する駆動ＩＣ２１０が設けられている。この構成によれば、ノイズによる影響を抑えながら正確な温度を検出することが可能な液晶装置５００を提供することができる。

【0055】

また、本実施形態のプロジェクター１０００は、液晶ライトバルブとして、上記の液晶装置５００が用いられているので、信頼性の高いプロジェクター１０００を提供することができる。

【0056】

次に、図１０を参照しながら、第２実施形態の液晶パネル１００の温度検出方法について説明する。

【0057】

図１０に示すように、第２実施形態の液晶パネル１００の温度検出方法は、定電流Ｉ₂と検出電流Ｉ₃を用いて温度の計測を行っている部分が、第１実施形態の液晶パネルの温度検出方法と異なっている。その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。

【0058】

第２実施形態の液晶パネル１００の温度検出方法は、図１０に示すように、まず、温度の計測を行わない時間ｔ０では、温度検出素子１１０に定電流Ｉ₂を流す。定電流Ｉ₂は、上記したように、検出電流Ｉ₃の略半分の電流値である。

【0059】

このように、計測するとき以外では、所定の定電流Ｉ₁よりも大きい定電流を流しておくことにより、図９に示すような、検出電流Ｉ₃が立ち上がり始めて安定するまでの時間を少なくすることができる。つまり、早く検出電流Ｉ₃にすることが可能となり、時間ｔ２において、安定した状態で温度を計測することができる。

【0060】

次に、時間ｔ３では、温度の計測が終了したため、検出電流Ｉ₃から定電流Ｉ₂に電流値を小さくする。その後、時間ｔ４、時間ｔ５、時間ｔ６において、上記と同様に温度の計測を行う。

【0061】

このように、温度の計測を行うとき以外は、定電流Ｉ₂にしておくことにより、温度計測のときに、早く検出電流Ｉ₃に切り替えることができる。よって、温度検出素子１１０の温度を安定した状態で計測することができる。ここでいう検出電流Ｉ₃とは、１段目（定電流Ｉ₂）よりも２段目（検出電流Ｉ₃）の電流値が大きくなる２段階の階段状のパルス電流のことをいう。

【0062】

以上述べたように、第２実施形態の液晶パネル１００の温度検出方法によれば、定電流Ｉ₂の電流値は、検出電流Ｉ₃の電流値の略半分の電流値である。この方法によれば、定電流Ｉ₁から検出電流Ｉ₃に急激に電流値を変化させる場合と比較して、検出電流Ｉ₃の電流値へ速やかに変化させることができる。よって、温度検出素子１１０の温度を安定した状態で計測することができる。

【0063】

次に、図１１を参照しながら、第３実施形態の液晶パネル１００の温度検出方法について説明する。

【0064】

図１１に示すように、第３実施形態の液晶パネル１００の温度検出方法は、定電流Ｉ₁、定電流Ｉ₂、検出電流Ｉ₃の順に階段状に電流値を上昇させて温度の計測を行っている部分が、第１実施形態の液晶パネルの温度検出方法と異なっている。その他の構成については概ね同様である。このため第３実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。

【0065】

第３実施形態の液晶パネル１００の温度検出方法は、図１１に示すように、まず、温度の計測を行わない時間ｔ０では、温度検出素子１１０に定電流Ｉ₁を流す。

【0066】

次に、時間ｔ１では、温度検出素子１１０に流す電流を、定電流Ｉ₁から定電流Ｉ₂に切り替える。つまり、次の工程において計測を行うために検出電流Ｉ₃にするための準備段階である。なお、上記したように、定電流Ｉ₂は、検出電流Ｉ₃の略半分の電流値である。

【0067】

次に、時間ｔ２では、温度検出素子１１０に流す電流を、定電流Ｉ₂から検出電流Ｉ₃に切り替える。事前の時間ｔ１において、定電流Ｉ₂に切り替えておいたため、検出電流Ｉ₃に素早く切り替えることが可能となる。

【0068】

次に、時間ｔ３では、温度検出素子１１０の温度を計測する。続いて、時間ｔ４では、温度検出素子１１０に流す電流値を検出電流Ｉ₃から定電流Ｉ₁に切り替える。

【0069】

このように、温度の計測を行うときは検出電流Ｉ₃にし、計測を行う前には準備段階の定電流Ｉ₂にし、それ以外は定電流Ｉ₁にするので、温度検出段階では安定した状態で計測でき、トータルの電流量を少なくすることができる。ここでいう検出電流Ｉ₃とは、１段目（定電流Ｉ₂）よりも２段目（検出電流Ｉ₃）の電流値が大きくなる、少なくとも２段階の階段状のパルス電流のことをいう。

【0070】

以上述べたように、第３実施形態の液晶パネル１００の温度検出方法によれば、定電流Ｉ₁、定電流Ｉ₂、検出電流Ｉ₃と階段状に定電流を変化させるので、徐々に定電流を上昇させることが可能となり、検出電流Ｉ₃へ速やかに変化させることができる。更に、第２実施形態の方法と比較して、トータルの電流量を少なくすることができる。

【0071】

以下、上記した実施形態の変形例を説明する。

【0072】

上記したように、検出温度に応じて冷却ファン４１を動作させていたが、これに限定されず、冷却ファン４１を動作させず、液晶パネル１００の温度を検出するのみでもよい。

【0073】

上記したように、冷却ファン４１を動作させることに限定されず、例えば、液晶パネル１００の温度が管理温度よりも低い場合は、ヒーターなどを用いて液晶パネル１００を加熱するようにしてもよい。

【0074】

フレキシブル基板２００に配置された駆動ＩＣ２１０によって温度検出素子１１０に流す電流値を制御したが、これに限定されず、液晶装置５００に接続された外部の装置によって電流値を制御するようにしてもよい。

【0075】

また、電気光学装置として液晶装置５００を例に説明したが、これに限定されず、例えば、有機ＥＬ装置やプラズマディスプレイ、電子ペーパー（ＥＰＤ）などに適用するようにしてもよい。

【0076】

また、表示装置としてプロジェクター１０００を例に説明したが、これに限定されず、例えば、ＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、ＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどでもよい。

【符号の説明】

【0077】

１０…素子基板、１０ａ…張り出し部、２０…対向基板、４１…冷却ファン、６０…制御部、６１…電流制御部、６２…温度算出部、６３…処理部、６５…管理温度値格納部、６６…管理温度比較部、６７…冷却ファン制御部、１００，１００Ｂ，１００Ｇ，１００Ｒ…液晶パネル、１１０…温度検出素子、１１１…静電気保護回路、１１２，１１３…端子、２００…フレキシブル基板、２１０…駆動ＩＣ、５００…電気光学装置としての液晶装置、１０００…表示装置としてのプロジェクター、２１０２…ランプユニット、２１０６…ミラー、２１０８…ダイクロイックミラー、２１１２…ダイクロイックプリズム、２１１４…投射レンズ、２１２０…スクリーン、２１２１…リレーレンズ系、２１２２…入射レンズ、２１２３…リレーレンズ、２１２４…出射レンズ、２３００…シフトデバイス。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】