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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022174463
(43)【公開日】2022-11-24
(54)【発明の名称】ボンディング装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/60 20060101AFI20221116BHJP
【ＦＩ】
H01L21/60 311T
【審査請求】未請求
【請求項の数】4
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021080272
(22)【出願日】2021-05-11
(71)【出願人】
【識別番号】000253019
【氏名又は名称】澁谷工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100156199
【弁理士】
【氏名又は名称】神崎 真
(72)【発明者】
【氏名】北川 雅人
【テーマコード（参考）】
5F044
【Ｆターム（参考）】
5F044KK01
5F044LL01
5F044PP15
5F044PP16
5F044PP17
5F044PP19
5F044QQ03
5F044RR12
(57)【要約】
【課題】 半導体チップと基板との接合部分の周囲の空気を高いレベルで不活性ガスに置換することができる。
【解決手段】 上記ボンディングヘッド５の保持部５ａに隣接して設けられた噴射口より不活性ガスを噴射させるガス供給手段１７を備えたボンディング装置３に関する。
上記噴射口（スリットＳ）を上記ボンディングヘッド５の保持部５ａを囲繞するように設け、当該スリットＳの一部を、他の部分の幅狭スリットＳＳよりも不活性ガスの噴出流量を大きく設定した幅広スリットＳＬとし、上記幅広スリットＳＬと幅狭スリットＳＳとから噴射した不活性ガスによって上記半導体チップ１と基板２との接合部分を囲繞するエアカーテンＣを形成するとともに、上記幅広スリットＳＬから噴射された不活性ガスによって上記半導体チップ１と基板２との間を流通する流れを形成する。
【選択図】 図１
【解決手段】 上記ボンディングヘッド５の保持部５ａに隣接して設けられた噴射口より不活性ガスを噴射させるガス供給手段１７を備えたボンディング装置３に関する。
上記噴射口（スリットＳ）を上記ボンディングヘッド５の保持部５ａを囲繞するように設け、当該スリットＳの一部を、他の部分の幅狭スリットＳＳよりも不活性ガスの噴出流量を大きく設定した幅広スリットＳＬとし、上記幅広スリットＳＬと幅狭スリットＳＳとから噴射した不活性ガスによって上記半導体チップ１と基板２との接合部分を囲繞するエアカーテンＣを形成するとともに、上記幅広スリットＳＬから噴射された不活性ガスによって上記半導体チップ１と基板２との間を流通する流れを形成する。
【選択図】 図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を支持するボンディングステージと、半導体チップを保持する保持部を備えたボンディングヘッドと、上記ボンディングヘッドの保持部に隣接して設けられた噴射口と、当該噴射口より不活性ガスを噴射させるガス供給手段とを備えたボンディング装置において、
上記噴射口を上記ボンディングヘッドの保持部を囲繞するように設け、当該噴射口の一部を、他の部分の小噴射口よりも不活性ガスの噴出流量を大きく設定した大噴射口とし、
上記大噴射口と小噴射口とから噴射した不活性ガスによって上記半導体チップと基板との接合部分を囲繞するエアカーテンを形成するとともに、上記大噴射口から噴射された不活性ガスが上記半導体チップと基板との間を流通する流れを形成するようにしたことを特徴とするボンディング装置。
上記噴射口を上記ボンディングヘッドの保持部を囲繞するように設け、当該噴射口の一部を、他の部分の小噴射口よりも不活性ガスの噴出流量を大きく設定した大噴射口とし、
上記大噴射口と小噴射口とから噴射した不活性ガスによって上記半導体チップと基板との接合部分を囲繞するエアカーテンを形成するとともに、上記大噴射口から噴射された不活性ガスが上記半導体チップと基板との間を流通する流れを形成するようにしたことを特徴とするボンディング装置。
【請求項2】
上記噴射口をボンディングヘッドに保持部に沿って設けたスリットによって形成し、
上記大噴射口を構成するスリットを、上記小噴射口を構成するスリットよりも幅広に設定したことを特徴とする請求項１に記載のボンディング装置。
上記大噴射口を構成するスリットを、上記小噴射口を構成するスリットよりも幅広に設定したことを特徴とする請求項１に記載のボンディング装置。
【請求項3】
上記ボンディングヘッドの保持部における上記半導体チップ吸着保持する吸着面を略四角形に形成し、上記噴射口を上記保持部を構成する４つの辺に沿って設けた４つの上記スリットによって構成し、
このうちひとつまたはふたつのスリットを上記大噴射口とすることを特徴とする請求項２に記載のボンディング装置。
このうちひとつまたはふたつのスリットを上記大噴射口とすることを特徴とする請求項２に記載のボンディング装置。
【請求項4】
上記噴射口を上記ボンディングヘッドの保持部を無端状に囲繞するように形成したことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のボンディング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はボンディング装置に関し、詳しくは半導体チップを基板に接合する際に、上記半導体チップと基板との接合部分の周囲の空気を不活性ガスに置換するガス供給手段を備えたボンディング装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、半導体チップを保持する保持部を備えたボンディングヘッドと、基板を支持するボンディングステージとを備え、半導体チップを基板に密着させて接合するボンディング装置が知られている。
ここで、半導体チップを基板上に加熱して接合するボンディング装置の場合、半導体チップと基板との接合部分の酸化による接合不良を防止するため、上記接合部分の周囲の空気を不活性ガスに置換することが行われている（特許文献１、２）。
特許文献１、２のボンディング装置では、半導体チップを保持するボンディングヘッドに不活性ガスを噴射する噴射口を設けることにより、上記接合部分の周囲にエアカーテンを形成し、当該エアカーテンの内側に不活性ガスを充満させるようになっている。
ここで、半導体チップを基板上に加熱して接合するボンディング装置の場合、半導体チップと基板との接合部分の酸化による接合不良を防止するため、上記接合部分の周囲の空気を不活性ガスに置換することが行われている（特許文献１、２）。
特許文献１、２のボンディング装置では、半導体チップを保持するボンディングヘッドに不活性ガスを噴射する噴射口を設けることにより、上記接合部分の周囲にエアカーテンを形成し、当該エアカーテンの内側に不活性ガスを充満させるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１１－１０８９９０号公報
【特許文献2】特開２０１５－１５３８０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら特許文献１、２のボンディング装置では、半導体チップを囲繞する噴射口から同じ噴出流量で不活性ガスを噴射しているため、エアカーテンの中央部分で不活性ガスの滞留が生じてしまい、この部分に残存していた酸素を含む空気を完全に排除できない場合があった。
このような問題に鑑み、半導体チップと基板との接合部分の周囲の空気を高いレベルで不活性ガスに置換することが可能なボンディング装置を提供するものである。
このような問題に鑑み、半導体チップと基板との接合部分の周囲の空気を高いレベルで不活性ガスに置換することが可能なボンディング装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
すなわち請求項１の発明にかかるボンディング装置は、基板を支持するボンディングステージと、半導体チップを保持する保持部を備えたボンディングヘッドと、上記ボンディングヘッドの保持部に隣接して設けられた噴射口と、当該噴射口より不活性ガスを噴射させるガス供給手段とを備えたボンディング装置において、
上記噴射口を上記ボンディングヘッドの保持部を囲繞するように設け、当該噴射口の一部を、他の部分の小噴射口よりも不活性ガスの噴出流量を大きく設定した大噴射口とし、
上記大噴射口と小噴射口とから噴射した不活性ガスによって上記半導体チップと基板との接合部分を囲繞するエアカーテンを形成するとともに、上記大噴射口から噴射された不活性ガスが上記半導体チップと基板との間を流通する流れを形成するようにしたことを特徴としている。
上記噴射口を上記ボンディングヘッドの保持部を囲繞するように設け、当該噴射口の一部を、他の部分の小噴射口よりも不活性ガスの噴出流量を大きく設定した大噴射口とし、
上記大噴射口と小噴射口とから噴射した不活性ガスによって上記半導体チップと基板との接合部分を囲繞するエアカーテンを形成するとともに、上記大噴射口から噴射された不活性ガスが上記半導体チップと基板との間を流通する流れを形成するようにしたことを特徴としている。
【発明の効果】
【0006】
上記発明によれば、ボンディングヘッドの保持部を囲繞するように設けた噴射口によって、半導体チップと基板との接合部分の周囲にエアカーテンを形成することができ、エアカーテンの内側への空気の流入を防止することができる。
さらに、上記噴射口の一部を噴出流量の大きな大噴射口とすることで、上記大噴射口から流出した不活性ガスが上記半導体チップと基板との間を流通して小噴射口に向かう流れを形成することとなる。
その結果、半導体チップと基板との間の空気を上記不活性ガスの流れによって排除することができ、接合部分の空気を高いレベルで不活性ガスへと置換することにより、接合部分の酸化を防止することができる。
さらに、上記噴射口の一部を噴出流量の大きな大噴射口とすることで、上記大噴射口から流出した不活性ガスが上記半導体チップと基板との間を流通して小噴射口に向かう流れを形成することとなる。
その結果、半導体チップと基板との間の空気を上記不活性ガスの流れによって排除することができ、接合部分の空気を高いレベルで不活性ガスへと置換することにより、接合部分の酸化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本実施例にかかるボンディング装置の断面図
【図2】ボンディングヘッドを下方から見た図
【図3】第２実施例における噴射口の配置を説明する図
【図4】第３実施例における噴射口の配置を説明する図
【図5】第４実施例における噴射口の配置を説明する図
【図6】第５実施例における噴射口の配置を説明する図
【図7】第６実施例における噴射口の配置を説明する図
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図示実施例について説明すると、図１は半導体チップ１を基板２に接合するボンディング装置３を示しており、基板２を支持するボンディングステージ４と、半導体チップ１を保持する保持部５ａを備えたボンディングヘッド５と、上記ボンディングヘッド５を移動させる移動手段６とを備え、これらは図示しない制御手段によって制御されるようになっている。
上記半導体チップ１は、図２に示すように略正方形を有しており、半導体チップ１の裏面には複数の電極１ａが設けられるとともに、各電極１ａにはハンダからなるバンプＢが形成されている。
また上記基板２は上記半導体チップ１よりも大きく形成されており、当該基板２の表面の所要の位置には、上記半導体チップ１の電極１ａと同じ配置で電極２ａが設けられており、各電極２ａにはハンダからなるバンプＢが形成されている。
そして上記半導体チップ１を保持したボンディングステージ４が移動手段６によって移動し、半導体チップ１をボンディングステージ４に支持された基板２の所要の位置に密着させると、上記バンプＢを溶融させて半導体チップ１と基板２とを接合するようになっている。
上記半導体チップ１は、図２に示すように略正方形を有しており、半導体チップ１の裏面には複数の電極１ａが設けられるとともに、各電極１ａにはハンダからなるバンプＢが形成されている。
また上記基板２は上記半導体チップ１よりも大きく形成されており、当該基板２の表面の所要の位置には、上記半導体チップ１の電極１ａと同じ配置で電極２ａが設けられており、各電極２ａにはハンダからなるバンプＢが形成されている。
そして上記半導体チップ１を保持したボンディングステージ４が移動手段６によって移動し、半導体チップ１をボンディングステージ４に支持された基板２の所要の位置に密着させると、上記バンプＢを溶融させて半導体チップ１と基板２とを接合するようになっている。
【0009】
上記ボンディングステージ４は上記基板２よりも広い面積を有しており、図示しない吸着手段によってその上面で基板２を吸着保持するようになっている。なお、上記移動手段６として、ボンディングステージ４を水平方向に移動させるＸ－Ｙテーブルを備えていてもよい。
上記ボンディングヘッド５は、図示しないハウジングの内部に上記半導体チップ１に向けてレーザ光Ｌを照射するレーザ光照射手段１１を備えている。
また上記ハウジングの下部には、上記半導体チップ１を負圧によって吸着保持する上記保持部５ａと、当該保持部５ａの周囲に設けられて不活性ガスによるエアカーテンＣを形成する噴射部５ｂと、上記エアカーテンＣ内の酸素濃度を計測する計測部５ｃとが設けられている。
上記レーザ光照射手段１１はレーザ光Ｌを下方に向けて照射し、保持部５ａの下面に吸着保持された半導体チップ１にレーザ光Ｌを照射することで、当該半導体チップ１および基板２の電極１ａ、１ｂに形成された上記バンプＢを溶融させるものとなっている。
なお、上記レーザ光照射手段１１に代えて、パルスヒーター等の公知の加熱手段を用いて、上記半導体チップ１および基板２の電極１ａ、１ｂに形成された上記バンプＢを溶融させるようにしてもよい。
そして上記移動手段６は、上記ボンディングヘッド５を水平方向（Ｘ－Ｙ方向）に移動させるとともに、上下方向（Ｚ方向）に昇降させるように構成され、さらにボンディングヘッド５ごと上記半導体チップ１を回転させる回転機構を備えている。
上記ボンディングヘッド５は、図示しないハウジングの内部に上記半導体チップ１に向けてレーザ光Ｌを照射するレーザ光照射手段１１を備えている。
また上記ハウジングの下部には、上記半導体チップ１を負圧によって吸着保持する上記保持部５ａと、当該保持部５ａの周囲に設けられて不活性ガスによるエアカーテンＣを形成する噴射部５ｂと、上記エアカーテンＣ内の酸素濃度を計測する計測部５ｃとが設けられている。
上記レーザ光照射手段１１はレーザ光Ｌを下方に向けて照射し、保持部５ａの下面に吸着保持された半導体チップ１にレーザ光Ｌを照射することで、当該半導体チップ１および基板２の電極１ａ、１ｂに形成された上記バンプＢを溶融させるものとなっている。
なお、上記レーザ光照射手段１１に代えて、パルスヒーター等の公知の加熱手段を用いて、上記半導体チップ１および基板２の電極１ａ、１ｂに形成された上記バンプＢを溶融させるようにしてもよい。
そして上記移動手段６は、上記ボンディングヘッド５を水平方向（Ｘ－Ｙ方向）に移動させるとともに、上下方向（Ｚ方向）に昇降させるように構成され、さらにボンディングヘッド５ごと上記半導体チップ１を回転させる回転機構を備えている。
【0010】
上記保持部５ａは、透明な２枚のプレート１２と、当該プレート１２の外周部分を保持するホルダ１３とを備えており、また保持部５ａには負圧を供給する負圧供給手段１４が接続されている。
上記２枚のプレート１２はレーザ光照射手段１１からのレーザ光Ｌを透過させる石英やガラス等の透明な素材によって構成されており、図２に示すように上記半導体チップ１よりも大きな面積を有した略正方形を有している。
上記２枚のプレート１２の間には、当該プレート１２の外周縁に沿って無端状に設けられたスペーサ１５が設けられており、これにより２枚のプレート１２の間に空間が形成されるようになっている。
上記ホルダ１３は、上記２枚のプレート１２およびスペーサ１５を囲繞するように設けられ、上記レーザ光照射手段１１が照射したレーザ光Ｌが上記２枚のプレート１２を上方から下方へと透過するのを許容するようになっている。
上記２枚のプレート１２はレーザ光照射手段１１からのレーザ光Ｌを透過させる石英やガラス等の透明な素材によって構成されており、図２に示すように上記半導体チップ１よりも大きな面積を有した略正方形を有している。
上記２枚のプレート１２の間には、当該プレート１２の外周縁に沿って無端状に設けられたスペーサ１５が設けられており、これにより２枚のプレート１２の間に空間が形成されるようになっている。
上記ホルダ１３は、上記２枚のプレート１２およびスペーサ１５を囲繞するように設けられ、上記レーザ光照射手段１１が照射したレーザ光Ｌが上記２枚のプレート１２を上方から下方へと透過するのを許容するようになっている。
【0011】
また上記ホルダ１３および上記スペーサ１５には、上記負圧供給手段１４に連通する負圧通路１４ａが形成されており、当該負圧通路１４ａを介して供給された負圧は上記プレート１２とプレート１２との間に形成された空間に流入するようになっている。
上記２枚のプレート１２のうち、下方側に設けられたプレート１２の略中央部には上下方向に貫通穴１２ａが形成されており、上記貫通穴１２ａの位置に上記半導体チップ１が位置すると、上記空間に供給された負圧によって当該半導体チップ１がプレート１２の下面に吸着されるようになっている。
そして上記負圧供給手段１４は上記制御手段によって制御され、負圧の供給を制御することで上記半導体チップ１の吸着保持および解除を行うことが可能となっている。
上記２枚のプレート１２のうち、下方側に設けられたプレート１２の略中央部には上下方向に貫通穴１２ａが形成されており、上記貫通穴１２ａの位置に上記半導体チップ１が位置すると、上記空間に供給された負圧によって当該半導体チップ１がプレート１２の下面に吸着されるようになっている。
そして上記負圧供給手段１４は上記制御手段によって制御され、負圧の供給を制御することで上記半導体チップ１の吸着保持および解除を行うことが可能となっている。
【0012】
上記噴射部５ｂは、上記保持部５ａを構成するホルダ１３のさらに外周を囲繞するフレーム１６によって構成され、当該フレーム１６は開口部が内側を向いた断面略コ字型を有している。
これにより、フレーム１６と上記ホルダ１３の外周面との間には上記ホルダ１３を無端状に囲繞する空間が形成され、当該空間には上記フレーム１６に形成されたガス通路１７ａを介してガス供給手段１７が接続されている。
上記ガス供給手段１７は上記半導体チップ１と基板２とを接合する際に、酸化による接合不良が生じないようにするため、窒素ガスなどの不活性ガスを供給するようになっている。
本実施例において、上記ガス通路１７ａは図２に示すように上記フレーム１６の四隅に設けられており、上記ガス供給手段１７から分岐配管を介して各ガス通路１７ａに接続されている。
そして、上記フレーム１６の下部には、上記ホルダ１３の外周面との間に噴射口としてのスリットＳが形成されており、このスリットＳは上記フレーム１６の内側に形成される空間に連通することで、上記空間に供給された不活性ガスを下方に向けて噴射するようになっている。
これにより、フレーム１６と上記ホルダ１３の外周面との間には上記ホルダ１３を無端状に囲繞する空間が形成され、当該空間には上記フレーム１６に形成されたガス通路１７ａを介してガス供給手段１７が接続されている。
上記ガス供給手段１７は上記半導体チップ１と基板２とを接合する際に、酸化による接合不良が生じないようにするため、窒素ガスなどの不活性ガスを供給するようになっている。
本実施例において、上記ガス通路１７ａは図２に示すように上記フレーム１６の四隅に設けられており、上記ガス供給手段１７から分岐配管を介して各ガス通路１７ａに接続されている。
そして、上記フレーム１６の下部には、上記ホルダ１３の外周面との間に噴射口としてのスリットＳが形成されており、このスリットＳは上記フレーム１６の内側に形成される空間に連通することで、上記空間に供給された不活性ガスを下方に向けて噴射するようになっている。
【0013】
図２に示すように、上記スリットＳは略正方形を有した上記保持部５ａの各辺に対応する位置に設けられており、より具体的には上記ホルダ１３の外周縁に沿って無端状に略正方形に形成されたものとなっている。
そして本実施例のボンディング装置３では、図示左方に位置する１つのスリットＳを大噴射口としての幅広スリットＳＬとし、他の３つのスリットＳを小噴射口としての幅狭スリットＳＳとしている。
本実施例では、上記幅広スリットＳＬの幅を５ｍｍに設定し、幅狭スリットＳＳの幅を０．５ｍｍに設定しており、幅広スリットＳＬの開口面積を幅狭スリットＳＳに対して１０倍程度に設定したものとなっている。
このような構成とすることにより、上記幅広スリットＳＬからはガス供給手段１７より供給される不活性ガスを上記幅狭スリットＳＳよりも大きな噴出流量で噴射することが可能となっている。
ここで本実施例では、上記幅広スリットＳＬからの不活性ガスの噴出流量を幅狭スリットＳＳの噴出流量よりも大きくするため、上記フレーム１６に形成したガス通路１７ａのうち、幅広スリットＳＬに隣接して設けた２つのガス通路１７ａ（図２において図示左方に位置）を、当該幅広スリットＳＬに接近した位置に設けたものとなっている。
そして本実施例のボンディング装置３では、図示左方に位置する１つのスリットＳを大噴射口としての幅広スリットＳＬとし、他の３つのスリットＳを小噴射口としての幅狭スリットＳＳとしている。
本実施例では、上記幅広スリットＳＬの幅を５ｍｍに設定し、幅狭スリットＳＳの幅を０．５ｍｍに設定しており、幅広スリットＳＬの開口面積を幅狭スリットＳＳに対して１０倍程度に設定したものとなっている。
このような構成とすることにより、上記幅広スリットＳＬからはガス供給手段１７より供給される不活性ガスを上記幅狭スリットＳＳよりも大きな噴出流量で噴射することが可能となっている。
ここで本実施例では、上記幅広スリットＳＬからの不活性ガスの噴出流量を幅狭スリットＳＳの噴出流量よりも大きくするため、上記フレーム１６に形成したガス通路１７ａのうち、幅広スリットＳＬに隣接して設けた２つのガス通路１７ａ（図２において図示左方に位置）を、当該幅広スリットＳＬに接近した位置に設けたものとなっている。
【0014】
上記計測部５ｃは、上記保持部５ａによって保持された半導体チップ１の周囲の空気が不活性ガスによって置換されているか否かを、酸素濃度測定手段１８を用いて計測するものとなっている。
上記保持部５ａにおける下方側に設けられたプレート１２には、吸着保持される半導体チップ１の周囲に４つの吸引口１２ｂが形成されており、当該吸引口１２ｂは上方側のプレート１２およびスペーサ１５に形成された測定通路１８ａを介して上記酸素濃度測定手段１８に接続されている。
上記酸素濃度測定手段１８は、上記吸引口１２ｂから保持部５ａの下方の空間の空気を吸引するとともに、吸引した空気中の酸素濃度を測定するものとなっており、上記制御手段は測定結果に基づいて半導体チップ１の周囲の空気が不活性ガスによって置換されているか否かを判定するものとなっている。
制御手段は、半導体チップ１の周囲の空気が不活性ガスによって十分に置換されていないと判断した場合には、上記移動手段６を制御してボンディングヘッド５とボンディングステージ４との間隔を狭くしたり、上記ガス供給手段１７による不活性ガスの噴射量を増大させるようになっている。
ここで酸素濃度測定手段１８は、半導体チップ１の周囲に形成した４つの吸引口１２ｂから同時に空気を吸引して、半導体チップ１の周囲の酸素濃度を一体的に計測することが可能であるが、切換弁等を用いることにより、各吸引口１２ｂから個別に空気を吸引して、各吸引口１２ｂの周囲の酸素濃度をピンポイントで測定することが可能である。
なお、本実施例では上記吸引口１２ｂを、吸着保持されている半導体チップ１の各辺に隣接した合計４か所に設けているが、保持部５ａの形成された範囲内であって、半導体チップ１の吸着に支障をきたさない位置であれば、その位置および数は適宜変更することが可能である。
上記保持部５ａにおける下方側に設けられたプレート１２には、吸着保持される半導体チップ１の周囲に４つの吸引口１２ｂが形成されており、当該吸引口１２ｂは上方側のプレート１２およびスペーサ１５に形成された測定通路１８ａを介して上記酸素濃度測定手段１８に接続されている。
上記酸素濃度測定手段１８は、上記吸引口１２ｂから保持部５ａの下方の空間の空気を吸引するとともに、吸引した空気中の酸素濃度を測定するものとなっており、上記制御手段は測定結果に基づいて半導体チップ１の周囲の空気が不活性ガスによって置換されているか否かを判定するものとなっている。
制御手段は、半導体チップ１の周囲の空気が不活性ガスによって十分に置換されていないと判断した場合には、上記移動手段６を制御してボンディングヘッド５とボンディングステージ４との間隔を狭くしたり、上記ガス供給手段１７による不活性ガスの噴射量を増大させるようになっている。
ここで酸素濃度測定手段１８は、半導体チップ１の周囲に形成した４つの吸引口１２ｂから同時に空気を吸引して、半導体チップ１の周囲の酸素濃度を一体的に計測することが可能であるが、切換弁等を用いることにより、各吸引口１２ｂから個別に空気を吸引して、各吸引口１２ｂの周囲の酸素濃度をピンポイントで測定することが可能である。
なお、本実施例では上記吸引口１２ｂを、吸着保持されている半導体チップ１の各辺に隣接した合計４か所に設けているが、保持部５ａの形成された範囲内であって、半導体チップ１の吸着に支障をきたさない位置であれば、その位置および数は適宜変更することが可能である。
【0015】
以下、上記構成を有するボンディング装置３の動作を説明すると、最初に、制御手段は上記移動手段６によってボンディングヘッド５を図示しないチップ供給手段へと移動させ、ボンディングヘッド５は上記負圧供給手段１４からの負圧によって、上記半導体チップ１を上記保持部５ａに吸着保持する。
一方、制御手段は図示しない基板供給手段によって、上記ボンディングステージ４の所要の位置に上記基板２を供給し、ボンディングステージ４は当該基板２を吸着保持する。
続いて、制御手段は図示しない撮影手段を用いて、上記ボンディングヘッド５に吸着保持された半導体チップ１と、上記ボンディングステージ４に保持された基板２とを撮影し、これらの相対的な位置関係を認識する。
その後、制御手段は上記移動手段６によってボンディングヘッド５をボンディングステージ４の上方へと移動させ、その際、半導体チップ１の電極１ａの位置と、基板２の電極２ａの位置とが一致するよう、半導体チップ１の水平方向における位置の微調整と、水平面内における回転を行う。
一方、制御手段は図示しない基板供給手段によって、上記ボンディングステージ４の所要の位置に上記基板２を供給し、ボンディングステージ４は当該基板２を吸着保持する。
続いて、制御手段は図示しない撮影手段を用いて、上記ボンディングヘッド５に吸着保持された半導体チップ１と、上記ボンディングステージ４に保持された基板２とを撮影し、これらの相対的な位置関係を認識する。
その後、制御手段は上記移動手段６によってボンディングヘッド５をボンディングステージ４の上方へと移動させ、その際、半導体チップ１の電極１ａの位置と、基板２の電極２ａの位置とが一致するよう、半導体チップ１の水平方向における位置の微調整と、水平面内における回転を行う。
【0016】
図１は、ボンディングヘッド５に保持された半導体チップ１がボンディングステージ４に支持された基板２における当該半導体チップ１の接合位置の上方（例えば、ボンディングヘッド５とボンディングステージ４との間の隙間の量が５ｍｍとなる位置）に位置した状態を示している。
半導体チップ１が基板２における接合位置の上方に位置すると、制御手段は上記ガス供給手段１７により不活性ガスを供給し、不活性ガスはガス通路１７ａを介して上記フレーム１６の内部に形成された空間に供給され、フレーム１６とホルダ１３との隙間に形成された噴射口としてのスリットＳから下方に向けて噴射される。
図２に示すように、スリットＳから噴射された不活性ガスは、下方に位置する基板２やボンディングステージ４の表面に衝突すると、基板２やボンディングステージ４に沿って広がるように流れる。
上記スリットＳは保持部５ａを囲繞するように設けられていることから、噴射された不活性ガスは当該保持部５ａに吸着保持された半導体チップ１と上記基板２との接合位置を囲繞する層流のエアカーテンＣを形成するようになっている。
本実施例では、上記スリットＳを上記保持部５ａを無端状に囲繞するように設けているため、エアカーテンＣを途切れなく形成することが可能となっている。
エアカーテンＣを形成することで、エアカーテンＣの外部からの空気の流入を防止して、半導体チップ１と基板２とを接合する際に、接合部分が酸化しないようにすることができる。
また、ボンディングヘッド５とボンディングステージ４との間に流入した不活性ガスは、上記半導体チップ１と基板２との間の空間に充満することで、それまで存在していた酸素を外部に排除するようになっている。
半導体チップ１が基板２における接合位置の上方に位置すると、制御手段は上記ガス供給手段１７により不活性ガスを供給し、不活性ガスはガス通路１７ａを介して上記フレーム１６の内部に形成された空間に供給され、フレーム１６とホルダ１３との隙間に形成された噴射口としてのスリットＳから下方に向けて噴射される。
図２に示すように、スリットＳから噴射された不活性ガスは、下方に位置する基板２やボンディングステージ４の表面に衝突すると、基板２やボンディングステージ４に沿って広がるように流れる。
上記スリットＳは保持部５ａを囲繞するように設けられていることから、噴射された不活性ガスは当該保持部５ａに吸着保持された半導体チップ１と上記基板２との接合位置を囲繞する層流のエアカーテンＣを形成するようになっている。
本実施例では、上記スリットＳを上記保持部５ａを無端状に囲繞するように設けているため、エアカーテンＣを途切れなく形成することが可能となっている。
エアカーテンＣを形成することで、エアカーテンＣの外部からの空気の流入を防止して、半導体チップ１と基板２とを接合する際に、接合部分が酸化しないようにすることができる。
また、ボンディングヘッド５とボンディングステージ４との間に流入した不活性ガスは、上記半導体チップ１と基板２との間の空間に充満することで、それまで存在していた酸素を外部に排除するようになっている。
【0017】
そして本実施例のボンディング装置３では、上記保持部５ａを囲繞する４つのスリットＳのうち、一つを大噴射口としての幅広スリットＳＬとし、その他を小噴射口としての幅狭スリットＳＳとしている。
このような構成とすることで、図１に示すように、噴出流量の大きな幅広スリットＳＬからエアカーテンＣの内側に流れた不活性ガスが、当該幅広スリットＳＬに対して半導体チップ１を挟んで対向した位置に設けた、噴出流量の小さな幅狭スリットＳＳに向けて流通して、ボンディングヘッド５の下方で半導体チップ１を横切るような層流である主流を形成するようになっている。
特に、ボンディングヘッド５に保持された半導体チップ１が基板２の上方に位置している状態では、この不活性ガスの流れ（主流）が半導体チップ１と基板２との間を通過するため、それまで存在していた酸素を含む空気を高いレベルで排除することができる。
これに対し、保持部５ａを囲繞する４つのスリットＳからの不活性ガスの噴出流量が等しいと、エアカーテンＣの内側に噴射された不活性ガスがエアカーテンＣの中央部分、すなわち半導体チップ１と基板２との間で滞留してしまい、それまで存在していた酸素を含む空気が排除されない場合があった。
このような構成とすることで、図１に示すように、噴出流量の大きな幅広スリットＳＬからエアカーテンＣの内側に流れた不活性ガスが、当該幅広スリットＳＬに対して半導体チップ１を挟んで対向した位置に設けた、噴出流量の小さな幅狭スリットＳＳに向けて流通して、ボンディングヘッド５の下方で半導体チップ１を横切るような層流である主流を形成するようになっている。
特に、ボンディングヘッド５に保持された半導体チップ１が基板２の上方に位置している状態では、この不活性ガスの流れ（主流）が半導体チップ１と基板２との間を通過するため、それまで存在していた酸素を含む空気を高いレベルで排除することができる。
これに対し、保持部５ａを囲繞する４つのスリットＳからの不活性ガスの噴出流量が等しいと、エアカーテンＣの内側に噴射された不活性ガスがエアカーテンＣの中央部分、すなわち半導体チップ１と基板２との間で滞留してしまい、それまで存在していた酸素を含む空気が排除されない場合があった。
【0018】
このようにして、半導体チップ１と基板２との間の空間が不活性ガスによって置換されると、制御手段は上記レーザ光照射手段１１を制御してレーザ光Ｌを半導体チップ１に照射し、上記半導体チップ１のバンプＢを溶融させ、その後ボンディングヘッド５を下降させることにより、半導体チップ１を基板２に密着させる。
半導体チップ１を基板２に密着させると、レーザ光照射手段１１によるレーザ光Ｌの照射を停止させ、その後溶融したバンプＢが冷却されて固化し、半導体チップ１と基板２とが接合されると、制御手段は負圧供給手段１４による負圧の供給を停止するとともに、ボンディングヘッド５を上昇させて、半導体チップ１より離脱させる。
なお、上記噴射口より不活性ガスを噴射して上記エアカーテンＣおよび主流を形成している間に、上記レーザ光照射手段１１がレーザ光Ｌを照射して、半導体チップ１を予熱するようにしてもよく、あるいは、ボンディングヘッド５を下降させて半導体チップ１が基板２に密着した状態で、上記レーザ光照射手段１１がレーザ光Ｌを照射するようにしてもよい。
半導体チップ１を基板２に密着させると、レーザ光照射手段１１によるレーザ光Ｌの照射を停止させ、その後溶融したバンプＢが冷却されて固化し、半導体チップ１と基板２とが接合されると、制御手段は負圧供給手段１４による負圧の供給を停止するとともに、ボンディングヘッド５を上昇させて、半導体チップ１より離脱させる。
なお、上記噴射口より不活性ガスを噴射して上記エアカーテンＣおよび主流を形成している間に、上記レーザ光照射手段１１がレーザ光Ｌを照射して、半導体チップ１を予熱するようにしてもよく、あるいは、ボンディングヘッド５を下降させて半導体チップ１が基板２に密着した状態で、上記レーザ光照射手段１１がレーザ光Ｌを照射するようにしてもよい。
【0019】
ここで、半導体チップ１と基板２との間の空間を不活性ガスによって置換する際には、図１に示す上記ボンディングヘッド５とボンディングステージ４との間の隙間量や、上記ガス供給手段１７が上記噴射部５ｂより噴射させる不活性ガスの流量を適切に設定する必要がある。
例えば、上記隙間量を大きく設定してしまうと、上記幅広スリットＳＬから幅狭スリットＳＳに向かう上記主流を形成しやすくなるものの、エアカーテンＣの外部から大気が侵入する可能性が高くなってしまう。
また上記噴射部５ｂから噴射する不活性ガスの流量を大きく設定してしまうと、上記エアカーテンＣの内側における不活性ガスの置換率を高められるものの、当該不活性ガスによって半導体チップ１や基板２が冷却されてしまうため、不活性ガスの加熱手段を追加する必要が生じるなど、装置コストの上昇につながってしまう。
そこで、本実施例のボンディング装置３では、上記酸素濃度測定装置１８によってエアカーテンＣの内側の酸素濃度を測定し、制御手段はエアカーテンＣの内側の酸素濃度が所望の濃度に達していないと判定した場合、不活性ガスによる置換が不十分であると判定する。
その場合、制御手段は上記移動手段６によってボンディングヘッド５を下降させて上記隙間量を小さくするとともに、上記ガス供給手段１７による不活性ガスの流量を増大させるフィードバック制御を行う。
このとき、隙間量と不活性ガスの流量について好適な設定範囲をあらかじめ設定しておき、制御手段はこの設定値に基づいて隙間量または流量の少なくともいずれか一方を変更するような制御を行うようにしてもよい。
また、フィードバック制御を行わずに、予め半導体チップ１や基板２の品種ごとに、予め好適な隙間量および流量を制御手段に登録しておき、ボンディング装置３によって対応する品種をボンディングする際に、撮影手段を介しての自動の品種判別や、オペレーターによる手動選択によって隙間量と流量を選択するようにしてもよい。
例えば、上記隙間量を大きく設定してしまうと、上記幅広スリットＳＬから幅狭スリットＳＳに向かう上記主流を形成しやすくなるものの、エアカーテンＣの外部から大気が侵入する可能性が高くなってしまう。
また上記噴射部５ｂから噴射する不活性ガスの流量を大きく設定してしまうと、上記エアカーテンＣの内側における不活性ガスの置換率を高められるものの、当該不活性ガスによって半導体チップ１や基板２が冷却されてしまうため、不活性ガスの加熱手段を追加する必要が生じるなど、装置コストの上昇につながってしまう。
そこで、本実施例のボンディング装置３では、上記酸素濃度測定装置１８によってエアカーテンＣの内側の酸素濃度を測定し、制御手段はエアカーテンＣの内側の酸素濃度が所望の濃度に達していないと判定した場合、不活性ガスによる置換が不十分であると判定する。
その場合、制御手段は上記移動手段６によってボンディングヘッド５を下降させて上記隙間量を小さくするとともに、上記ガス供給手段１７による不活性ガスの流量を増大させるフィードバック制御を行う。
このとき、隙間量と不活性ガスの流量について好適な設定範囲をあらかじめ設定しておき、制御手段はこの設定値に基づいて隙間量または流量の少なくともいずれか一方を変更するような制御を行うようにしてもよい。
また、フィードバック制御を行わずに、予め半導体チップ１や基板２の品種ごとに、予め好適な隙間量および流量を制御手段に登録しておき、ボンディング装置３によって対応する品種をボンディングする際に、撮影手段を介しての自動の品種判別や、オペレーターによる手動選択によって隙間量と流量を選択するようにしてもよい。
【0020】
以下、図３～図７は、第２～第６実施例にかかるボンディング装置３を示し、いずれも第１実施例に対して上記ボンディングヘッド５に設けた上記噴射口の形状を異ならせたものとなっている。なお以下の各実施例においても上記吸引口１２ｂを用いてエアカーテンＣの内側の酸素濃度を測定しているが、当該構成についての説明は省略するものとする。
図３に示す第２実施例のボンディング装置３においても、ボンディングヘッド５の保持部５ａは略正方形を有しており、また本実施例の上記噴射口は当該保持部５ａに沿って設けた４つのスリットＳによって構成したものとなっている。
本実施例においても、一つのスリットＳを幅広スリットＳＬとし、その他の３つを幅狭スリットＳＳとしているが、第１実施例と異なり、各スリットＳの両端部同士は接続されておらず、保持部５ａを無端状に囲繞したものとはなっておらず、それぞれ独立している。
ただし、上記幅広スリットＳＬおよび幅狭スリットＳＳは、上記保持部５ａに吸着保持される半導体チップ１の幅に合わせて設定されており、半導体チップ１が破線で示すように保持部５ａの内側で回転した状態で保持された場合であっても、その両端部と同程度の長さが確保されるようになっている。
このような構成とすることで、第１実施例と同様、上記幅広スリットＳＬから噴射される不活性ガスの流れを半導体チップ１と基板２との間に形成することができ、半導体チップ１と基板２との間の空気を高いレベルで不活性ガスに置換することができる。
なお、本実施例では隣接するスリットＳ同士が連結されておらず、保持部５ａを無端状に囲繞していないが、スリットＳの長さを半導体チップ１の両端部の長さに合わせて設けているため、半導体チップ１の周囲に上記エアカーテンＣを形成することができる。
図３に示す第２実施例のボンディング装置３においても、ボンディングヘッド５の保持部５ａは略正方形を有しており、また本実施例の上記噴射口は当該保持部５ａに沿って設けた４つのスリットＳによって構成したものとなっている。
本実施例においても、一つのスリットＳを幅広スリットＳＬとし、その他の３つを幅狭スリットＳＳとしているが、第１実施例と異なり、各スリットＳの両端部同士は接続されておらず、保持部５ａを無端状に囲繞したものとはなっておらず、それぞれ独立している。
ただし、上記幅広スリットＳＬおよび幅狭スリットＳＳは、上記保持部５ａに吸着保持される半導体チップ１の幅に合わせて設定されており、半導体チップ１が破線で示すように保持部５ａの内側で回転した状態で保持された場合であっても、その両端部と同程度の長さが確保されるようになっている。
このような構成とすることで、第１実施例と同様、上記幅広スリットＳＬから噴射される不活性ガスの流れを半導体チップ１と基板２との間に形成することができ、半導体チップ１と基板２との間の空気を高いレベルで不活性ガスに置換することができる。
なお、本実施例では隣接するスリットＳ同士が連結されておらず、保持部５ａを無端状に囲繞していないが、スリットＳの長さを半導体チップ１の両端部の長さに合わせて設けているため、半導体チップ１の周囲に上記エアカーテンＣを形成することができる。
【0021】
図４に示す第３実施例のボンディング装置３は、保持部５ａに沿って４つのスリットＳを備えているが、上記第２実施例におけるボンディング装置３に対し、保持部５ａに沿って設けたスリットＳの両端部同士が接続され、保持部５ａが無端状に囲繞されたものとなっている。
一方、本実施例では上記第１実施例におけるボンディング装置３と異なり、上記幅広スリットＳＬの形成されたスリットＳについては、当該幅広スリットＳＬの形成される範囲を上記半導体チップ１の保持される幅に合わせて設け、当該幅広スリットＳＬの両側に幅狭スリットＳＳを形成したものとなっている。
このような構成とすることにより、幅広スリットＳＬを半導体チップ１の保持される範囲に設けることで、不活性ガスによる流れを半導体チップの保持されている範囲に集中させることが可能となり、またスリット同士を連結したことでエアカーテンＣを途切れなく形成することができる。
一方、本実施例では上記第１実施例におけるボンディング装置３と異なり、上記幅広スリットＳＬの形成されたスリットＳについては、当該幅広スリットＳＬの形成される範囲を上記半導体チップ１の保持される幅に合わせて設け、当該幅広スリットＳＬの両側に幅狭スリットＳＳを形成したものとなっている。
このような構成とすることにより、幅広スリットＳＬを半導体チップ１の保持される範囲に設けることで、不活性ガスによる流れを半導体チップの保持されている範囲に集中させることが可能となり、またスリット同士を連結したことでエアカーテンＣを途切れなく形成することができる。
【0022】
図５に示す第４実施例のボンディング装置３の噴射口は、第２実施例と同様、上記保持部５ａに沿って設けた４つのスリットＳによって構成されたものとなっている。
本実施例では、上記第２実施例に対し、上記幅広スリットＳＬを二つ備えており、当該幅広スリットＳＬを上記保持部５ａを挟んで対向した位置に設け、幅狭スリットＳＳを幅広スリットＳＬに対して直交した位置に設けている。
このような構成とすることで、対向した位置に設けられた幅広スリットＳＬから噴射された不活性ガスは、半導体チップ１と基板２との間を流れた後に幅狭スリットＳＳに向けて流れることにより、半導体チップ１と基板２との間の空気を不活性ガスに高いレベルで置換することができる。
なお、第４実施例においても、第２実施例に対する第３実施例のように、スリットＳを無端状に接続して、エアカーテンＣを途切れなく形成するようにしてもよい。
本実施例では、上記第２実施例に対し、上記幅広スリットＳＬを二つ備えており、当該幅広スリットＳＬを上記保持部５ａを挟んで対向した位置に設け、幅狭スリットＳＳを幅広スリットＳＬに対して直交した位置に設けている。
このような構成とすることで、対向した位置に設けられた幅広スリットＳＬから噴射された不活性ガスは、半導体チップ１と基板２との間を流れた後に幅狭スリットＳＳに向けて流れることにより、半導体チップ１と基板２との間の空気を不活性ガスに高いレベルで置換することができる。
なお、第４実施例においても、第２実施例に対する第３実施例のように、スリットＳを無端状に接続して、エアカーテンＣを途切れなく形成するようにしてもよい。
【0023】
図６に示す第５実施例のボンディング装置３は、第２実施例と同様上記保持部５ａに沿って設けた４つのスリットＳによって構成されたものとなっている。
本実施例では、上記第４実施例と同様、上記幅広スリットＳＬを二つ備えているが、本実施例では幅広スリットＳＬを保持部５ａにおける隣接する２つの辺に設け、幅狭スリットＳＳを保持部５ａの中心を挟んで対向した隣接する２つの辺に設けたものとなっている。
このような構成とすることで、隣接する２辺に設けられた幅広スリットＳＬから噴射された不活性ガスは、半導体チップ１と基板２との間を流れた後に、対向する２辺の幅狭スリットＳＳに向けて流れることから、半導体チップ１と基板２との間の空気を不活性ガスに高いレベルで置換することができる。
なお、第５実施例においても、第２実施例に対する第３実施例のように、スリットＳを無端状に接続して、エアカーテンＣを途切れなく形成するようにしてもよい。
本実施例では、上記第４実施例と同様、上記幅広スリットＳＬを二つ備えているが、本実施例では幅広スリットＳＬを保持部５ａにおける隣接する２つの辺に設け、幅狭スリットＳＳを保持部５ａの中心を挟んで対向した隣接する２つの辺に設けたものとなっている。
このような構成とすることで、隣接する２辺に設けられた幅広スリットＳＬから噴射された不活性ガスは、半導体チップ１と基板２との間を流れた後に、対向する２辺の幅狭スリットＳＳに向けて流れることから、半導体チップ１と基板２との間の空気を不活性ガスに高いレベルで置換することができる。
なお、第５実施例においても、第２実施例に対する第３実施例のように、スリットＳを無端状に接続して、エアカーテンＣを途切れなく形成するようにしてもよい。
【0024】
図７に示す第６実施例のボンディング装置３は、上記保持部５ａが円形を有しており、半導体チップ１はその中央部に吸着保持されるようになっている。そして上記噴射口は上記保持部５ａを無端状に囲繞する円形のスリットＳによって構成されている。
そして本実施例では、上記スリットの一部をその他の部分より広い幅広スリットＳＬとし、その他の部分を幅狭スリットＳＳとしており、幅広スリットＳＬと幅狭スリットＳＳとの間の幅は徐々に変化するように形成している。
上記幅広スリットＳＬの長さは、スリットＳの全周に対して２０～２５％程度の割合で形成されており、このような構成とすることで、上記幅広スリットＳＬから噴射される不活性ガスが半導体チップ１と基板２との間を通過し、これらの間に介在する空気を不活性ガスに高いレベルで置換することができる。
そして本実施例では、上記スリットの一部をその他の部分より広い幅広スリットＳＬとし、その他の部分を幅狭スリットＳＳとしており、幅広スリットＳＬと幅狭スリットＳＳとの間の幅は徐々に変化するように形成している。
上記幅広スリットＳＬの長さは、スリットＳの全周に対して２０～２５％程度の割合で形成されており、このような構成とすることで、上記幅広スリットＳＬから噴射される不活性ガスが半導体チップ１と基板２との間を通過し、これらの間に介在する空気を不活性ガスに高いレベルで置換することができる。
【0025】
上述した各実施例では、噴射口を保持部５ａを構成するホルダ１３と噴射部５ｂを構成するフレーム１６との間に形成したスリットＳによって構成し、当該スリットＳの幅を異ならせることで、幅広スリットＳＬを大噴射口に、幅狭スリットＳＳを小噴射口としている。
これに対し、上記スリットＳの幅をすべて同じ幅に設定した場合であっても、所要のスリットＳとその他のスリットＳが異なる噴射流量で不活性ガスを噴射するようにすれば、上記構成以外の構成を採用することができる。
例えば、上記ガス供給手段１７が所要のスリットＳに対して大流量で不活性ガスを供給して、当該スリットＳを大噴射口とし、それ以外のスリットＳに対してはそれよりも小流量で不活性ガスを供給することにより、当該スリットＳを小噴射口とすることができる。
また、噴射口の形状を上記スリットＳとせずに、保持部５ａに沿って設けた複数の噴射ノズルによって構成し、所要の噴射ノズルから噴射される不活性ガスからの噴射流量を異ならせることで、各噴射ノズルを上記大噴射口や小噴射口に設定することができる。
この場合においても、上記各実施例に示すように大噴射口と小噴射口とを配置することで、上記実施例と同様、半導体チップ１と基板２との接合部分の周囲にエアカーテンＣを形成するとともに、半導体チップ１と基板２との間に不活性ガスによる流れを形成し、これらの間に位置する空気を高いレベルで置換することができる。
これに対し、上記スリットＳの幅をすべて同じ幅に設定した場合であっても、所要のスリットＳとその他のスリットＳが異なる噴射流量で不活性ガスを噴射するようにすれば、上記構成以外の構成を採用することができる。
例えば、上記ガス供給手段１７が所要のスリットＳに対して大流量で不活性ガスを供給して、当該スリットＳを大噴射口とし、それ以外のスリットＳに対してはそれよりも小流量で不活性ガスを供給することにより、当該スリットＳを小噴射口とすることができる。
また、噴射口の形状を上記スリットＳとせずに、保持部５ａに沿って設けた複数の噴射ノズルによって構成し、所要の噴射ノズルから噴射される不活性ガスからの噴射流量を異ならせることで、各噴射ノズルを上記大噴射口や小噴射口に設定することができる。
この場合においても、上記各実施例に示すように大噴射口と小噴射口とを配置することで、上記実施例と同様、半導体チップ１と基板２との接合部分の周囲にエアカーテンＣを形成するとともに、半導体チップ１と基板２との間に不活性ガスによる流れを形成し、これらの間に位置する空気を高いレベルで置換することができる。
【符号の説明】
【0026】
１ 半導体チップ ２ 基板
３ ボンディング装置 ４ ボンディングステージ
５ ボンディングヘッド ５ａ 保持部
５ｂ 噴射部 １１ レーザ光照射手段
１２ プレート １３ ホルダ
１４ 負圧供給手段 １６ フレーム
１７ ガス供給手段 Ｂ バンプ
Ｌ レーザ光 Ｓ スリット（噴射口）
ＳＬ 幅広スリット（大噴射口） ＳＳ 幅狭スリット（小噴射口）
Ｃ エアカーテン
３ ボンディング装置 ４ ボンディングステージ
５ ボンディングヘッド ５ａ 保持部
５ｂ 噴射部 １１ レーザ光照射手段
１２ プレート １３ ホルダ
１４ 負圧供給手段 １６ フレーム
１７ ガス供給手段 Ｂ バンプ
Ｌ レーザ光 Ｓ スリット（噴射口）
ＳＬ 幅広スリット（大噴射口） ＳＳ 幅狭スリット（小噴射口）
Ｃ エアカーテン
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】