(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022176640
(43)【公開日】2022-11-30
(54)【発明の名称】基板処理方法および基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20221122BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 651G
H01L21/304 642A
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021083171
(22)【出願日】2021-05-17
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(72)【発明者】
【氏名】真柄 啓二
【テーマコード（参考）】
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F157AA09
5F157AA69
5F157AA93
5F157AB03
5F157AB13
5F157AB34
5F157AC04
5F157AC42
5F157CB13
5F157DA21
5F157DB36
(57)【要約】
【課題】３次元構造の倒壊を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】基板処理方法はリン酸処理工程Ｓ１３と粗リンス処理工程Ｓ１５と枚葉乾燥処理工程Ｓ２３とを含む。リン酸処理工程Ｓ１３において、処理槽内のリン酸に複数の基板を浸漬させる。粗リンス処理工程Ｓ１５において、リン酸処理工程Ｓ１３の後に、複数の基板のパターン内にリン酸が残る程度に、複数の基板に付着したリン酸の一部を第１リンス液に置換する。枚葉乾燥処理工程Ｓ２３において、粗リンス処理工程Ｓ１５の後に、複数の基板を１枚ずつ乾燥させる。
【選択図】図５
【解決手段】基板処理方法はリン酸処理工程Ｓ１３と粗リンス処理工程Ｓ１５と枚葉乾燥処理工程Ｓ２３とを含む。リン酸処理工程Ｓ１３において、処理槽内のリン酸に複数の基板を浸漬させる。粗リンス処理工程Ｓ１５において、リン酸処理工程Ｓ１３の後に、複数の基板のパターン内にリン酸が残る程度に、複数の基板に付着したリン酸の一部を第１リンス液に置換する。枚葉乾燥処理工程Ｓ２３において、粗リンス処理工程Ｓ１５の後に、複数の基板を１枚ずつ乾燥させる。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
処理槽内のリン酸に複数の基板を浸漬させるリン酸処理工程と、
前記リン酸処理工程の後に、前記複数の基板のパターン内に前記リン酸が残る程度に、前記複数の基板に付着した前記リン酸の一部を第１リンス液に置換する粗リンス処理工程と、
前記粗リンス処理工程の後に、前記複数の基板を１枚ずつ乾燥させる枚葉乾燥処理工程と
を備える、基板処理方法。
前記リン酸処理工程の後に、前記複数の基板のパターン内に前記リン酸が残る程度に、前記複数の基板に付着した前記リン酸の一部を第１リンス液に置換する粗リンス処理工程と、
前記粗リンス処理工程の後に、前記複数の基板を１枚ずつ乾燥させる枚葉乾燥処理工程と
を備える、基板処理方法。
【請求項2】
請求項１に記載の基板処理方法であって、
前記粗リンス処理工程は、前記パターン内における前記リン酸の濃度が５０％以上となる状態で終了する、基板処理方法。
前記粗リンス処理工程は、前記パターン内における前記リン酸の濃度が５０％以上となる状態で終了する、基板処理方法。
【請求項3】
請求項１または請求項２に記載の基板処理方法であって、
前記粗リンス処理工程は、前記第１リンス液の温度を低下させる温度低下工程を含む、基板処理方法。
前記粗リンス処理工程は、前記第１リンス液の温度を低下させる温度低下工程を含む、基板処理方法。
【請求項4】
請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記粗リンス処理工程と前記枚葉乾燥処理工程との間において、前記複数の基板のうち前記パターンが形成されていないパターン外領域に付着した液体の少なくとも一部を除去する粗乾燥処理工程をさらに備える、基板処理方法。
前記粗リンス処理工程と前記枚葉乾燥処理工程との間において、前記複数の基板のうち前記パターンが形成されていないパターン外領域に付着した液体の少なくとも一部を除去する粗乾燥処理工程をさらに備える、基板処理方法。
【請求項5】
請求項４に記載の基板処理方法であって、
前記粗乾燥処理工程において、前記複数の基板を、前記第１リンス液よりも蒸発潜熱の小さい第２リンス液の蒸気の雰囲気に曝す、基板処理方法。
前記粗乾燥処理工程において、前記複数の基板を、前記第１リンス液よりも蒸発潜熱の小さい第２リンス液の蒸気の雰囲気に曝す、基板処理方法。
【請求項6】
請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記リン酸処理工程は、
前記複数の基板を下降させて前記処理槽内の前記リン酸に浸漬させる工程と、
第１上昇速度で前記複数の基板を上昇させて前記処理槽から前記複数の基板を引き上げる工程と
を含み、
前記粗リンス処理工程は、
前記複数の基板を下降させて前記第１リンス液に浸漬させる工程と、
前記第１上昇速度以下の第２上昇速度で前記複数の基板を上昇させて前記複数の基板を前記第１リンス液から引き上げる工程と
を含む、基板処理方法。
前記リン酸処理工程は、
前記複数の基板を下降させて前記処理槽内の前記リン酸に浸漬させる工程と、
第１上昇速度で前記複数の基板を上昇させて前記処理槽から前記複数の基板を引き上げる工程と
を含み、
前記粗リンス処理工程は、
前記複数の基板を下降させて前記第１リンス液に浸漬させる工程と、
前記第１上昇速度以下の第２上昇速度で前記複数の基板を上昇させて前記複数の基板を前記第１リンス液から引き上げる工程と
を含む、基板処理方法。
【請求項7】
請求項１から請求項６のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記粗リンス処理工程の後に、前記複数の基板を第１キャリアに搬送する第１工程と、
前記第１工程の後に、前記第１キャリアを枚葉式の処理装置のロードポートに搬送する第２工程と、
前記第２工程と前記枚葉乾燥処理工程との間で、前記ロードポートの前記第１キャリアから前記複数の基板を１枚ずつ枚葉処理部に搬送する第３工程と、
前記枚葉乾燥処理工程の後に、前記枚葉処理部から前記ロードポートの第２キャリアに基板を搬送する第４工程と
を備える、基板処理方法。
前記粗リンス処理工程の後に、前記複数の基板を第１キャリアに搬送する第１工程と、
前記第１工程の後に、前記第１キャリアを枚葉式の処理装置のロードポートに搬送する第２工程と、
前記第２工程と前記枚葉乾燥処理工程との間で、前記ロードポートの前記第１キャリアから前記複数の基板を１枚ずつ枚葉処理部に搬送する第３工程と、
前記枚葉乾燥処理工程の後に、前記枚葉処理部から前記ロードポートの第２キャリアに基板を搬送する第４工程と
を備える、基板処理方法。
【請求項8】
請求項７に記載の基板処理方法であって、
前記第１キャリアは、前記複数の基板の各々のうち前記パターンが形成されていないパターン外領域の一部に接触する吸水部材を含む、基板処理方法。
前記第１キャリアは、前記複数の基板の各々のうち前記パターンが形成されていないパターン外領域の一部に接触する吸水部材を含む、基板処理方法。
【請求項9】
処理槽を有し、複数の基板を前記処理槽内のリン酸に浸漬させるリン酸処理部と、
前記複数の基板のパターンの内部に前記リン酸が残る程度に、前記複数の基板に付着した前記リン酸の一部をリンス液に置換する粗リンス処理部と、
前記複数の基板を１枚ずつ乾燥する枚葉処理部と
を備える、基板処理装置。
前記複数の基板のパターンの内部に前記リン酸が残る程度に、前記複数の基板に付着した前記リン酸の一部をリンス液に置換する粗リンス処理部と、
前記複数の基板を１枚ずつ乾燥する枚葉処理部と
を備える、基板処理装置。
【請求項10】
請求項９に記載の基板処理装置であって、
前記複数の基板の姿勢を水平姿勢と起立姿勢との間で変換する姿勢変換部を備え、
前記リン酸処理部は、起立姿勢の前記複数の基板を前記処理槽内の前記リン酸に浸漬させ、
前記枚葉処理部は、水平姿勢の基板を乾燥処理する、基板処理装置。
前記複数の基板の姿勢を水平姿勢と起立姿勢との間で変換する姿勢変換部を備え、
前記リン酸処理部は、起立姿勢の前記複数の基板を前記処理槽内の前記リン酸に浸漬させ、
前記枚葉処理部は、水平姿勢の基板を乾燥処理する、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板処理方法および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来から、リン酸を用いて窒化シリコン膜をエッチング除去するバッチ式の処理装置が提案されている。バッチ式の処理装置は複数の基板を一括して処理するので、高いスループットで基板を処理できる。処理装置は、複数の基板に付着したリン酸をリンス液に置換するリンス処理を行う。そして、処理装置は、リンス処理後の複数の基板を一括して乾燥させる乾燥処理を行う。
【0003】
なお、本願に関連する技術として特許文献１，２を掲示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特表２０１６－５０２２７５号公報
【特許文献2】特開２０２０－１４１０６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、近年、基板に形成される３次元構造（例えばパターン）が精細となり、複数の基板に対して一括して乾燥処理を行うと、３次元構造の倒壊を招き得る。
【0006】
そこで、本開示は、３次元構造の倒壊を抑制できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
基板処理方法の第１の態様は、処理槽内のリン酸に複数の基板を浸漬させるリン酸処理工程と、前記リン酸処理工程の後に、前記複数の基板のパターン内に前記リン酸が残る程度に、前記複数の基板に付着した前記リン酸の一部を第１リンス液に置換する粗リンス処理工程と、前記粗リンス処理工程の後に、前記複数の基板を１枚ずつ乾燥させる枚葉乾燥処理工程とを備える。
【0008】
基板処理方法の第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理方法であって、前記粗リンス処理工程は、前記パターン内における前記リン酸の濃度が５０％以上となる状態で終了する。
【0009】
基板処理方法の第３の態様は、第１または第２の態様にかかる基板処理方法であって、前記粗リンス処理工程は、前記第１リンス液の温度を低下させる温度低下工程を含む。
【0010】
基板処理方法の第４の態様は、第１から第３のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記粗リンス処理工程と前記枚葉乾燥処理工程との間において、前記複数の基板のうち前記パターンが形成されていないパターン外領域に付着した液体の少なくとも一部を除去する粗乾燥処理工程をさらに備える。
【0011】
基板処理方法の第５の態様は、第４の態様にかかる基板処理方法であって、前記粗乾燥処理工程において、前記複数の基板を、前記第１リンス液よりも蒸発潜熱の小さい第２リンス液の蒸気の雰囲気に曝す。
【0012】
基板処理方法の第６の態様は、第１から第５のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記リン酸処理工程は、前記複数の基板を下降させて前記処理槽内の前記リン酸に浸漬させる工程と、第１上昇速度で前記複数の基板を上昇させて前記処理槽から前記複数の基板を引き上げる工程とを含み、前記粗リンス処理工程は、前記複数の基板を下降させて前記第１リンス液に浸漬させる工程と、前記第１上昇速度以下の第２上昇速度で前記複数の基板を上昇させて前記複数の基板を前記第１リンス液から引き上げる工程とを含む。
【0013】
基板処理方法の第７の態様は、第１から第６のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記粗リンス処理工程の後に、前記複数の基板を第１キャリアに搬送する第１工程と、前記第１工程の後に、前記第１キャリアを枚葉式の処理装置のロードポートに搬送する第２工程と、前記第２工程と前記枚葉乾燥処理工程との間で、前記ロードポートの前記第１キャリアから前記複数の基板を１枚ずつ枚葉処理部に搬送する第３工程と、前記枚葉乾燥処理工程の後に、前記枚葉処理部から前記ロードポートの第２キャリアに基板を搬送する第４工程とを備える。
【0014】
基板処理方法の第８の態様は、第７の態様にかかる基板処理方法であって、前記第１キャリアは、前記複数の基板の各々のうち前記パターンが形成されていないパターン外領域の一部に接触する吸水部材を含む。
【0015】
基板処理装置の第１の態様は、処理槽を有し、複数の基板を前記処理槽内のリン酸に浸漬させるリン酸処理部と、前記複数の基板のパターンの内部に前記リン酸が残る程度に、前記複数の基板に付着した前記リン酸の一部をリンス液に置換する粗リンス処理部と、前記複数の基板を１枚ずつ乾燥する枚葉処理部とを備える。
【0016】
基板処理装置の第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記複数の基板の姿勢を水平姿勢と起立姿勢との間で変換する姿勢変換部を備え、前記リン酸処理部は、起立姿勢の前記複数の基板を前記処理槽内の前記リン酸に浸漬させ、前記枚葉処理部は、水平姿勢の基板を乾燥処理する。
【発明の効果】
【0017】
基板処理方法の第１の態様および基板処理装置の第１ならびに第２の態様によれば、リン酸は蒸発しにくいので、粗リンス処理工程と枚葉乾燥処理工程との間で、基板の乾燥を抑制することができる。よって、乾燥に起因したパターンの倒壊を抑制することができる。
【0018】
基板処理方法の第２の態様によれば、効果的に基板の乾燥を抑制することができる。
【0019】
基板処理方法の第３の態様によれば、初期的には、第１リンス液の温度は高いので、基板の急冷を抑制でき、急冷に起因した基板のダメージを抑制できる。また、第１リンス液の温度を低下させることにより、パターン内のリン酸が第１リンス液に置換されにくくなる。よって、パターン内にリン酸を残留させやすい。
【0020】
基板処理方法の第４の態様によれば、基板のパターン外の領域に付着した液体を低減させることができる。よって、基板の搬送装置への液体の付着を抑制できる。
【0021】
基板処理方法の第５の態様によれば、第２リンス液の蒸気がパターン外領域に作用することにより、パターン外領域に付着した液体を第２リンス液に置換できる。第２リンス液は蒸発しやすいので、パターン外領域の液体を効果的に除去することができる。また、蒸気による作用では、パターンの内部のリン酸を第２リンス液には置換しにくいので、パターンの内部のリン酸を残留させることができる。よって、パターンの倒壊を適切に抑制できる。
【0022】
基板処理方法の第６の態様によれば、低い第２上昇速度で複数の基板を上昇させるので、粗リンス処理後の各基板のパターン外領域に付着する第１リンス液の量を低減させることができる。よって、基板の搬送装置への液体の付着を抑制できる。
【0023】
基板処理方法の第７の態様によれば、第１キャリアは粗リンス処理工程の後の基板を収納するので、第１キャリアは濡れる可能性があるものの、枚葉乾燥処理工程後の基板は第１キャリアとは別の第２キャリアに収納される。よって、枚葉乾燥処理工程後の基板に対する液体の付着を回避できる。
【0024】
基板処理方法の第８の態様によれば、パターン外領域に付着した液体を吸収するので、基板を搬送する搬送装置に液体が付着することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【図1】第１の実施の形態にかかる基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。
【図2】基板の３次元構造の一例を部分的かつ概略的に示す断面図である。
【図3】粗リンス処理部の構成の一例を概略的に示す図である。
【図4】枚葉処理部の構成の一例を概略的に示す図である。
【図5】第１の実施の形態にかかる基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図6】蒸気圧曲線を示すグラフである。
【図7】粗リンス処理の具体的な一例を示すフローチャートである。
【図8】第２の実施の形態にかかる粗リンス処理部の構成の一例を概略的に示す図である。
【図9】第２の実施の形態にかかる粗リンス処理部の構成の一例を概略的に示す図である。
【図10】第３の実施の形態にかかる基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図11】キャリアの構成の一例を概略的に示す正面図である。
【図12】キャリアの構成の一部の一例を概略的に示す拡大図である。
【図13】キャリアの他の構成の一部の一例を概略的に示す拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【0026】
以下、添付の図面を参照しながら、実施の形態について説明する。なお、この実施の形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本開示の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法または数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。
【0027】
相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸または面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣのうち任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣの全てを含む。
【0028】
【0029】
基板Ｗは例えば半導体基板であり、その主面には３次元構造（以下、パターンと呼ぶ）が形成される。より具体的な一例として、基板Ｗの主面には３次元ＮＡＮＤ（Not-AND）フラッシュメモリの製造途中の３次元構造が形成される。図２は、基板Ｗの３次元構造の一例を部分的かつ概略的に示す断面図である。図２の例では、基板Ｗは支持層９３を含んでいる。支持層９３は例えばシリコン層である。支持層９３の上には積層構造９０が形成されている。積層構造９０は複数の絶縁膜９１および複数の犠牲膜９２を含む。絶縁膜９１および犠牲膜９２はＺ軸方向において交互に積層されている。絶縁膜９１は例えば二酸化シリコン膜であり、犠牲膜９２は例えば窒化シリコン膜である。絶縁膜９１および犠牲膜９２の厚みは例えば１ｎｍ以上かつ５０ｎｍ以下である。また、積層構造９０には、トレンチ９４が形成されている。トレンチ９４は基板Ｗの厚み方向に沿って積層構造９０を貫通する。また、積層構造９０には、不図示のピラーが設けられる。ピラーは犠牲膜９２が除去された場合に、絶縁膜９１を支持する。ピラーの幅（基板Ｗの主面に平行な幅）は例えば１ｎｍ以上かつ５０ｎｍ以下である。
【0030】
本実施の形態では具体的な一例として、基板処理装置１０が犠牲膜９２をエッチングする場合について述べるものの、基板処理装置１０は他の処理を基板Ｗに対して行ってもよい。
【0031】
図１に示されるように、基板処理装置１０はバッチ式の第１処理装置２０と枚葉式の第２処理装置５０と装置間搬送部７０とを含んでいる。
【0032】
第１処理装置２０はロードポート２１と搬送部２２とリン酸処理部３０と粗リンス処理部４０とを含んでいる。ロードポート２１は、外部と複数の基板Ｗの受け渡しを行うための搬出入ポートである。複数の基板Ｗは可搬型の収容器（以下、キャリアと呼ぶ）Ｃ１に収納された状態で、ロードポート２１に搬入される。キャリアＣ１内において、複数の基板Ｗは、例えば、水平姿勢かつ鉛直方向に並んだ状態で収納される。ここでいう水平姿勢とは、基板Ｗの厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢である。ここでは、基板Ｗは、その表面が鉛直上方を向く姿勢でキャリアＣ１内に収納される。キャリアＣ１内に収納される基板Ｗの枚数は特に制限されないものの、例えば２５枚である。
【0033】
キャリアＣ１としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド、または、基板Ｗを外気にさらすＯＣ（Open Cassette）が採用されてもよい。
【0034】
図１の例では、ロードポート２１にはキャリアＣ２（第１キャリアに相当）も搬入されている。ロードポート２１において、キャリアＣ１およびキャリアＣ２は水平な第１配列方向において並んで配列される。キャリアＣ２は、キャリアＣ１と同様の構成を有する。ただし、後述のように、キャリアＣ２は、第１処理装置２０と第２処理装置５０との間の複数の基板Ｗの搬送に用いられる。
【0035】
図１の例では、第１処理装置２０は筐体２９を含んでおり、筐体２９の内部には、少なくとも、搬送部２２およびリン酸処理部３０および粗リンス処理部４０が設けられる。
【0036】
搬送部２２はロードポート２１とリン酸処理部３０と粗リンス処理部４０との間で複数の基板Ｗを搬送する。図１の例では、搬送部２２は搬送ロボット２３と姿勢変換部２４と搬送ロボット２５とを含む。
【0037】
搬送ロボット２３は移動機構２３２によって、キャリアＣ１およびキャリアＣ２の第１配列方向に沿って移動可能に設けられている。搬送ロボット２３はキャリアＣ１およびキャリアＣ２の各々と向かい合う位置で停止可能である。移動機構２３２は例えばモータを含むボールねじ機構等の機構を含む。
【0038】
搬送ロボット２３はロードポート２１のキャリアＣ１から未処理の複数の基板Ｗを取り出し、該複数の基板Ｗを姿勢変換部２４に渡す。例えば、搬送ロボット２３は複数のハンド２３１とハンド移動機構（不図示）とを含む。ハンド移動機構は例えばモータを含むアーム機構、昇降機構および旋回機構を有しており、ハンド２３１を水平方向および鉛直方向に移動させる。搬送ロボット２３は、キャリアＣ１と向かい合う位置において、複数のハンド２３１を移動させることにより、キャリアＣ１から複数の基板Ｗを取り出す。これにより、各ハンド２３１には１枚の基板Ｗが載置される。そして、搬送ロボット２３は、基板Ｗを保持したハンド２３１を移動させることにより、姿勢変換部２４に複数の基板Ｗを渡す。
【0039】
姿勢変換部２４は複数の基板Ｗの姿勢を水平姿勢から起立姿勢に変換する。ここでいう起立姿勢とは、基板Ｗの厚み方向が水平方向に沿う姿勢である。姿勢変換部２４は保持部材２４１と回転部材２４２と回転機構（不図示）とを含む。回転部材２４２は所定の回転軸線Ｑ２のまわりで回転可能に設けられている。回転軸線Ｑ２は水平方向に沿って延在する軸である。保持部材２４１は回転部材２４２に取り付けられており、複数の基板Ｗを保持する。回転機構はモータを含み、回転部材２４２を回転軸線Ｑ２のまわりで起立回転位置と水平回転位置との間で９０度回転させる。これにより、保持部材２４１によって保持された複数の基板Ｗの姿勢が、水平姿勢と起立姿勢との間で変換される。
【0040】
保持部材２４１は所定の長手方向に長い長尺状の形状を有しており、回転部材２４２が水平回転位置に位置する状態では、保持部材２４１の長手方向は鉛直方向に沿う。図１の例では、４つの保持部材２４１が設けられている。保持部材２４１には複数の溝（不図示）が長手方向において並んで形成される。当該溝のピッチは複数の基板Ｗのピッチと等しい。各保持部材２４１の各溝に基板Ｗの端部が挿入されることで、保持部材２４１が各基板Ｗを４点で支持する。図１の例では、水平姿勢で複数の基板Ｗを保持する姿勢変換部２４が実線で示されている。
【0041】
回転部材２４２が水平回転位置から起立回転位置に回転すると、保持部材２４１の長手方向は水平方向に沿い、基板Ｗの姿勢が水平姿勢から起立姿勢に変換される。図１の例では、起立姿勢で複数の基板Ｗを保持する姿勢変換部２４を二点鎖線で示している。
【0042】
搬送ロボット２５は姿勢変換部２４から複数の基板Ｗを受け取り、該複数の基板Ｗをリン酸処理部３０に搬送する。図１の例では、搬送ロボット２５は一対の保持部材２５１とベース２５２と開閉機構２５３とを含む。保持部材２５１はベース２５２に対して変位可能に取り付けられている。開閉機構２５３は保持部材２５１を開位置と閉位置との間で移動させる。閉位置は、２つの保持部材２５１の間隔が狭い位置であり、保持部材２５１が複数の基板Ｗを挟持する位置である。開位置は、２つの保持部材２５１の間隔が広い位置であり、保持部材２５１が複数の基板Ｗの保持を解除する位置である。開閉機構２５３は例えばモータを含む。搬送ロボット２５は移動機構２５４によって水平な搬送方向に沿って移動可能に設けられる。具体的には、移動機構２５４はベース２５２を搬送方向に沿って移動させる。これにより、保持部材２５１、ベース２５２、開閉機構２５３が一体に搬送方向に沿って移動する。移動機構２５４は例えばモータを含むボールねじ機構等の機構を含む。
【0043】
リン酸処理部３０は、複数の基板Ｗに対して一括してリン酸処理を行うバッチ式の処理装置である。図１の例では、リン酸処理部３０は処理槽３１とリフタ３２とを含む。処理槽３１はリン酸を貯留する。リフタ３２は複数の基板Ｗを受渡位置と処理位置との間で昇降させる。受渡位置は、処理槽３１の上端よりも鉛直上方の位置であって、リフタ３２と搬送ロボット２５との間で複数の基板Ｗの受け渡しを行う位置である。処理位置は、複数の基板Ｗが処理槽３１内のリン酸に浸漬する位置である。
【0044】
リフタ３２が複数の基板Ｗを処理位置に下降させることにより、複数の基板Ｗが処理槽３１内のリン酸に浸漬する。これにより、リン酸が各基板Ｗのトレンチ９４を通じて犠牲膜９２に作用し、犠牲膜９２をエッチング除去する。犠牲膜９２が除去されると、絶縁膜９１は犠牲膜９２によって支持されなくなるので、倒壊しやすくなる。
【0045】
搬送ロボット２５は、リン酸処理後の複数の基板Ｗをリン酸処理部３０から受け取り、該複数の基板Ｗを粗リンス処理部４０に搬送する。図１の例では、粗リンス処理部４０は搬送ロボット２５の搬送方向においてリン酸処理部３０と隣接する位置に設けられている。
【0046】
粗リンス処理部４０は、リン酸処理部３０によってリン酸処理された複数の基板Ｗに対して粗リンス処理を行う。粗リンス処理とは、複数の基板Ｗのパターン内（例えばトレンチ９４内および絶縁膜９１の相互間）にリン酸が残る程度に、複数の基板Ｗに付着したリン酸の一部を第１リンス液に置換する処理である。第１リンス液は例えば純水である。
【0047】
【0048】
処理槽４１は、鉛直上方に開口する箱形状を有しており、リンス液を貯留する。処理槽４１はチャンバ４９内に設けられる。チャンバ４９の上部は開閉可能な蓋（シャッタとも呼ばれ得る）が設けられる。チャンバ４９の蓋が開いた状態で、複数の基板Ｗがチャンバ４９の上部開口を通じて内部に搬入され、あるいは、チャンバ４９の内部から上部開口を通じて搬出される。
【0049】
リフタ４２は複数の基板Ｗを昇降させる。図３の例では、リフタ４２は、複数の基板Ｗを起立姿勢で保持する複数（図では３つ）の保持部材４２１と、保持部材４２１を支持するベース４２２と、ベース４２２を昇降させる昇降機構４２３とを含む。各保持部材４２１は、基板Ｗの厚み方向（図３でいう紙面垂直な方向）に沿って延在する長尺状の形状を有し、その基端部がベース４２２に取り付けられている。各保持部材４２１には複数の溝（不図示）がその長手方向において並んで形成されている。該溝のピッチは複数の基板Ｗのピッチと等しい。保持部材４２１の各溝に基板Ｗの端部が挿入されることで、複数の保持部材４２１が複数の基板Ｗを起立姿勢で保持する。ベース４２２は板状の形状を有しており、その厚み方向が保持部材４２１の長手方向に沿う姿勢で設けられる。昇降機構４２３はベース４２２を昇降させることにより、保持部材４２１によって保持された複数の基板Ｗを昇降させる。昇降機構４２３は例えばモータを含むボールねじ機構またはカム機構あるいはエアシリンダ等の機構を含む。以下では、昇降機構４２３による昇降の主体をリフタ４２として説明することがある。
【0050】
リフタ４２は複数の基板Ｗを、処理槽４１よりも鉛直上方の受渡位置と、処理槽４１内の処理位置との間で昇降させる。図３の例では、受渡位置は、チャンバ４９よりも鉛直上方の位置であり、リフタ４２と搬送部２２との間で複数の基板の受け渡しを行う位置である。図３の例では、受渡位置に位置するリフタ４２が二点鎖線で示されている。処理位置は、複数の基板Ｗが処理液に浸漬する位置である。
【0051】
リンス液供給部４３は処理槽４１に第１リンス液を供給する。図３の例では、リンス液供給部４３はノズル４３１と給液管４３２とバルブ４３３とを含む。図３の例では、ノズル４３１は処理槽４１内の下部に設けられている。給液管４３２の下流端はノズル４３１に接続され、給液管４３２の上流端はリンス液供給源に接続される。リンス液供給源は第１リンス液を貯留するタンク（不図示）を有する。
【0052】
バルブ４３３は給液管４３２に介装される。バルブ４３３が開くことにより、リンス液供給源から給液管４３２を通じてノズル４３１に第１リンス液が供給され、ノズル４３１の吐出口から処理槽４１内に第１リンス液が吐出される。バルブ４３３が閉じることにより、処理槽４１への第１リンス液の供給が終了する。
【0053】
図３の例では、給液管４３２にはヒータ４３４が設けられている。ヒータ４３４は第１リンス液を加熱する。これにより、加熱後の第１リンス液が処理槽４１に供給される。
【0054】
図３の例では、粗リンス処理部４０には、アップフロー槽４１１が設けられている。アップフロー槽４１１は、処理槽４１の上端から溢れた第１リンス液を受け止める外槽である。
【0055】
排出部４４は処理槽４１およびアップフロー槽４１１から第１リンス液を排出する。排出部４４は排液管４４１と排液管４４２とバルブ４４３とバルブ４４４とを含む。排液管４４１の上流端は処理槽４１の例えば底部に接続され、排液管４４２の上流端はアップフロー槽４１１の例えば底部に接続される。
【0056】
バルブ４４３およびバルブ４４４はそれぞれ排液管４４１および排液管４４２に介装される。バルブ４４３が開くことにより、処理槽４１内の第１リンス液は排液管４４１を通じて外部に排出され、バルブ４４３が閉じることにより、処理槽４１内の第１リンス液の排出が終了する。バルブ４４４が開くことにより、アップフロー槽４１１内の第１リンス液は排液管４４２を通じて外部に排出され、バルブ４４４が閉じることにより、アップフロー槽４１１内の第１リンス液の排出が終了する。
【0057】
粗リンス処理部４０のリフタ４２は、リン酸処理後の複数の基板Ｗを短時間だけ処理槽４１内の第１リンス液に浸漬させることにより、粗リンス処理を行うことができる。
【0058】
また、粗リンス処理中において、バルブ４３３およびバルブ４４４が開いてもよい。これによれば、リンス液供給部４３によって処理槽４１内に供給された第１リンス液は処理槽４１内を鉛直上方に向かって流れる。そして、第１リンス液は処理槽４１の上部から溢れ、アップフロー槽４１１および排液管４４１を通じて外部に排出される。このように、処理槽４１内には、鉛直上方に向かう液流（いわゆるアップフロー）が形成される。したがって、基板Ｗへの不純物の付着を抑制することができる。
【0059】
搬送ロボット２５は粗リンス処理部４０から粗リンス処理後の複数の基板Ｗを受け取り、該複数の基板Ｗを姿勢変換部２４に搬送する。姿勢変換部２４は基板Ｗの姿勢を起立姿勢から水平姿勢に変換する。搬送ロボット２３は水平姿勢の複数の基板Ｗを姿勢変換部２４から受け取り、該複数の基板Ｗをロードポート２１のキャリアＣ２に搬送する。
【0060】
装置間搬送部７０は第１処理装置２０のロードポート２１から粗リンス処理後のキャリアＣ２を取り出し、該キャリアＣ２を第２処理装置５０に搬送する。装置間搬送部７０はいずれも不図示のキャリア保持部および移動機構を含む。キャリア保持部は、キャリアＣ２を保持する部材である。キャリアＣ２の例えば上部には、キャリア保持部によって保持される被保持部材が設けられており、キャリア保持部が該非保持部材を把持する。移動機構は例えばモータを含み、キャリア保持部を第１処理装置２０と第２処理装置５０との間で移動させる。
【0061】
第２処理装置５０はロードポート５１とインデクサロボット５２と搬送ロボット５３と枚葉処理部６０とを含んでいる。ロードポート５１は、外部と複数の基板Ｗの受け渡しを行う搬出入ポートである。複数の基板ＷはキャリアＣ２に収納された状態で、装置間搬送部７０によってロードポート５１に搬入される。また、図１の例では、ロードポート５１には、キャリアＣ３（第２キャリアに相当）も搬入されている。ロードポート５１内において、キャリアＣ２およびキャリアＣ３は水平な第２配列方向において配列される。キャリアＣ３は、キャリアＣ１およびキャリアＣ２と同様の構成を有している。ただし、キャリアＣ３は第２処理装置５０から下流側装置（不図示）への複数の基板Ｗの搬送に用いられる。
【0062】
図１の例では、第２処理装置５０は筐体５９を含む。筐体５９の内部には、少なくとも、インデクサロボット５２、搬送ロボット５３および枚葉処理部６０が設けられる。
【0063】
インデクサロボット５２は、移動機構５２２によって第２配列方向に沿って移動可能に設けられており、キャリアＣ２およびキャリアＣ３の各々と向かい合う位置で停止可能である。インデクサロボット５２はハンド５２１とハンド移動機構（不図示）とを含む。インデクサロボット５２はハンド５２１を移動させることにより、ロードポート５１と搬送ロボット５３との間で基板Ｗを搬送する。
【0064】
搬送ロボット５３はインデクサロボット５２と枚葉処理部６０との間で該基板Ｗを搬送する。図１の例では、複数の枚葉処理部６０が搬送ロボット５３の周囲に設けられる。具体的には、４つの枚葉処理部６０が搬送ロボット５３を囲むように設けられている。搬送ロボット５３はハンド５３１とハンド移動機構５３２とを含む。搬送ロボット５３はハンド５３１を移動させることにより、インデクサロボット５２と枚葉処理部６０との間で該基板Ｗを搬送する。
【0065】
各枚葉処理部６０は、少なくとも、基板Ｗを１枚ずつ乾燥処理する。乾燥処理は特に制限されないものの、例えばスピンドライであってもよい。図４は、枚葉処理部６０の構成の一例を概略的に示す図である。枚葉処理部６０は基板保持部６１を含んでいる。基板保持部６１は、基板Ｗを水平姿勢で保持する。図４の例では、基板保持部６１はステージ６１１と複数のチャックピン６１２とを含んでいる。ステージ６１１は円板形状を有し、基板Ｗよりも鉛直下方に設けられる。ステージ６１１は、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。
【0066】
複数のチャックピン６１２はステージ６１１の上面に立設されている。複数のチャックピン６１２の各々は、基板Ｗの周縁に接触するチャック位置と、基板Ｗの周縁から離れた解除位置との間で変位可能に設けられる。複数のチャックピン６１２がそれぞれのチャック位置に移動すると、複数のチャックピン６１２が基板Ｗを保持する。複数のチャックピン６１２がそれぞれの解除位置に移動すると、基板Ｗの保持が解除される。
【0067】
図４の例では、基板保持部６１は回転機構６１３をさらに含んでおり、回転軸線Ｑ１のまわりで基板Ｗを回転させる。回転軸線Ｑ１は基板Ｗの中心部を通り、かつ、Ｚ軸方向に沿う軸である。例えば回転機構６１３はシャフト６１４およびモータ６１６を含む。シャフト６１４の上端はステージ６１１の下面に連結され、ステージ６１１の下面から回転軸線Ｑ１に沿って延在する。モータ６１６はシャフト６１４を回転軸線Ｑ１のまわりで回転させて、ステージ６１１および複数のチャックピン６１２を一体に回転させる。これにより、複数のチャックピン６１２によって保持された基板Ｗが回転軸線Ｑ１のまわりで回転する。このような基板保持部６１はスピンチャックとも呼ばれ得る。
【0068】
基板保持部６１が基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで高速回転させることにより、基板Ｗに付着した液体を基板Ｗの周縁から飛散させて、基板Ｗを乾燥させることができる（いわゆるスピンドライ）。
【0069】
図４の例では、枚葉処理部６０はガード６２も含んでいる。ガード６２は筒状の形状を有しており、基板保持部６１によって保持された基板Ｗを囲む。ガード６２は基板Ｗの周縁から飛散した液体を受け止める。
【0070】
図４の例では、枚葉処理部６０はノズル６３も含んでいる。ノズル６３は、乾燥処理の前の事前処理として、基板Ｗへの洗浄液およびリンス液の供給に用いられる。洗浄液は例えばＳＣ－１（アンモニア過酸化水素水混合液）を含む。リンス液は例えば純水およびイソプロピルアルコールの少なくともいずれか一方を含む。ノズル６３は移動機構６４によってノズル処理位置とノズル待機位置との間で移動可能に設けられている。ノズル処理位置は例えば基板Ｗの表面の中央部とＺ軸方向において対向する位置であり、ノズル待機位置は例えば基板Ｗよりも径方向外側の位置である。移動機構６４は例えばボールねじ機構などの機構もしくはアーム旋回機構を有する。ノズル６３がノズル処理位置に位置する状態で、回転中の基板Ｗにリンス液を吐出する。これにより、基板Ｗの表面に着液した洗浄液もしくはリンス液は遠心力を受けて基板Ｗの表面の全面に広がり、基板Ｗの周縁から外側に飛散する。これにより、基板Ｗに対する洗浄処理およびリンス処理を行うことができる。
【0071】
＜基板処理装置の動作の一例＞
図５は、基板Ｗに対する処理工程の一例を概略的に示すフローチャートである。まず、未処理の複数の基板Ｗを収納したキャリアＣ１が不図示の搬送装置によって第１処理装置２０のロードポート２１に搬入される（ステップＳ１１：ウエハ投入工程）。
図５は、基板Ｗに対する処理工程の一例を概略的に示すフローチャートである。まず、未処理の複数の基板Ｗを収納したキャリアＣ１が不図示の搬送装置によって第１処理装置２０のロードポート２１に搬入される（ステップＳ１１：ウエハ投入工程）。
【0072】
次に、搬送部２２がキャリアＣ１から複数の基板Ｗを取り出し、基板Ｗの姿勢を水平姿勢から起立姿勢に変換し、起立姿勢の複数の基板Ｗをリン酸処理部３０に搬送する（ステップＳ１２：第１バッチ搬送工程）。これにより、リン酸処理部３０のリフタ３２に複数の基板Ｗが渡される。
【0073】
次に、リン酸処理部３０が複数の基板Ｗに対して一括してリン酸処理を行う（ステップＳ１３：リン酸処理工程）。具体的には、リフタ３２が複数の基板Ｗを処理位置に下降させる。これにより、複数の基板Ｗが処理槽３１内のリン酸に浸漬する。リン酸の濃度は例えば８０％以上であり、より具体的な一例として８６％程度である。ここで、リン酸の温度は例えば１６０度程度に維持される。例えば、処理槽３１に循環配管を設け、当該循環配管にヒータを設けてもよい。当該ヒータが循環配管を流れるリン酸を加熱することにより、処理槽３１内のリン酸の温度を調整することができる。
【0074】
複数の基板Ｗが処理槽３１内のリン酸に浸漬することにより、リン酸はトレンチ９４を通じて犠牲膜９２に作用し、犠牲膜９２をエッチング除去する。
【0075】
犠牲膜９２が十分に除去されると、リフタ３２が複数の基板Ｗを受渡位置に上昇させて、複数の基板Ｗを処理槽３１から引き上げる。
【0076】
次に、搬送部２２がリン酸処理部３０のリフタ３２からリン酸処理後の複数の基板Ｗを受け取り、該複数の基板Ｗを粗リンス処理部４０に搬送する（ステップＳ１４：第２バッチ搬送工程）。これにより、粗リンス処理部４０のリフタ４２に複数の基板Ｗが渡される。
【0077】
次に、粗リンス処理部４０が複数の基板Ｗに対して一括して粗リンス処理を行う（ステップＳ１５：粗リンス処理工程）。具体的には、まず、リフタ４２が起立姿勢の複数の基板Ｗを処理位置に下降させる。これによって、複数の基板Ｗが処理槽４１内の第１リンス液に浸漬する。
【0078】
これにより、複数の基板Ｗに付着したリン酸が時間の経過とともに徐々に第１リンス液に置換される。より具体的には、基板Ｗのパターンの内部（ここでは、トレンチ９４内および絶縁膜９１の相互間）のリン酸は徐々にその開口９４１から外側に流れ、その代わりに、第１リンス液がパターンの内部に進入する。よって、パターンの内部のリン酸は比較的ゆっくりと第１リンス液に置換される。
【0079】
一方、各基板Ｗのうちパターンが形成されていないパターン外領域においては、比較的速やかにリン酸が第１リンス液に置換される。なぜなら、パターン外領域は平坦だからである。ここでいうパターン外領域は、基板Ｗの表面のうちパターンが形成されていない周縁領域、および、基板Ｗの裏面を含む。
【0080】
この粗リンス処理は、パターンの内部にリン酸が残留する程度で終了する。例えば、リフタ３２は、パターンの内部にリン酸が残留した状態で、複数の基板Ｗを受渡位置に上昇させて、複数の基板Ｗを第１リンス液から引き上げる。これにより、粗リンス処理が実質的に終了する。より具体的には、リフタ３２は、複数の基板Ｗが第１リンス液に浸漬してから規定の処理時間が経過したときに、複数の基板Ｗを第１リンス液から引き上げる。処理時間の経過は例えばタイマ回路（不図示）によって測定される。処理時間は、基板Ｗのパターンの内部にリン酸が十分に残る程度の時間に予め設定される。リン酸がパターンの内部に十分に残る程度とは、例えば、パターンの内部におけるリン酸の濃度（例えば質量濃度が５０％以上である状態をいう。つまり、パターン内のリン酸の濃度）が５０％を下回らないように、処理時間が予め設定される。この処理時間は、例えば、シミュレーションまたは実験により設定され、具体的な例として、２分から５分程度に設定される。
【0081】
以上のように、粗リンス処理によって、基板Ｗのパターンの内部には低濃度のリン酸が残留する。
【0082】
ところで、リン酸処理部３０は既述のように、複数の基板Ｗを高温のリン酸に浸漬させるので、リン酸処理後の基板Ｗは高温となる。高温の基板Ｗが低温の第１リンス液に浸漬すると、急冷に起因して基板Ｗにダメージが生じる恐れがある。
【0083】
そこで、粗リンス処理部４０は処理槽４１内の第１リンス液の温度を常温よりも高く、かつ、リン酸処理におけるリン酸の温度よりも低い温度、例えば６０℃程度に調整してもよい。例えば、ヒータ４３４が給液管４３２を流れる第１リンス液を加熱し、加熱後の第１リンス液を処理槽４１内に供給するとよい。このヒータ４２４の加熱制御により、処理槽４１内の第１リンス液の温度を調整することができる。
【0084】
これによれば、第１リンス液の温度は常温（例えば２５℃）よりも高いので、基板Ｗの急冷を抑制することができ、基板Ｗのダメージを緩和することができる。
【0085】
また、この粗リンス処理において、バルブ４３３およびバルブ４４４が開いてもよい。これによれば、ノズル４３１から処理槽４１内に供給された第１リンス液が処理槽４１内を鉛直上方に流れ、処理槽４１の上部から溢れてアップフロー槽４１１に受け止められ、排液管４４２を通じて外部に排出される。これによれば、処理槽４１内において鉛直下方から鉛直上方に向かう液流（いわゆるアップフロー）が形成される。よって、第１リンス液中の不純物が基板Ｗに付着することを抑制できる。
【0086】
次に、搬送部２２は粗リンス処理部４０のリフタ４２から複数の基板Ｗを受け取り、基板Ｗの姿勢を起立姿勢から水平姿勢に変換し、水平姿勢の複数の基板Ｗをロードポート２１のキャリアＣ２に搬送する（ステップＳ１６：第３バッチ搬送工程：第１工程に相当）。ここでは、基板Ｗは、その表面が鉛直上方を向く姿勢でキャリアＣ２内に収納される。
【0087】
次に、装置間搬送部７０が第１処理装置２０のロードポート２１からキャリアＣ２を取り出し、該キャリアＣ２を第２処理装置５０のロードポート５１に搬送する（ステップＳ２０：装置間搬送工程：第２工程に相当）。
【0088】
次に、インデクサロボット５２および搬送ロボット５３がロードポート５１のキャリアＣ２から各枚葉処理部６０に基板Ｗを順次に搬送する（ステップＳ２１：第１枚葉搬送工程：第３工程に相当）。これにより、各枚葉処理部６０の基板保持部６１が基板Ｗを水平姿勢で保持する。
【0089】
次に、枚葉処理部６０は基板Ｗに対して洗浄・リンス処理を行う（ステップＳ２２：洗浄・リンス処理工程）。具体的には、基板保持部６１が基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させ、移動機構６４がノズル６３をノズル処理位置に移動させる。そして、ノズル６３が回転中の基板Ｗの上面に第１リンス液（例えば純水）を吐出する。基板Ｗの上面に着液した第１リンス液は基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて、基板Ｗの上面を広がって、基板Ｗの周縁から外側に飛散する。これにより、基板Ｗに残留したリン酸を第１リンス液に置換することができる。次に、枚葉処理部６０は、必要に応じて、ノズル６３から洗浄液および第１リンス液をこの順で基板Ｗに向けて吐出してもよい。あるいはさらに、ノズル６３は第１リンス液よりも蒸発潜熱の小さい第２リンス液（例えばイソプロピルアルコール）を基板Ｗに向けて吐出してもよい。
【0090】
次に、枚葉処理部６０は基板Ｗに対して乾燥処理を行う（ステップＳ２３：枚葉乾燥処理工程）。具体的には、基板保持部６１が基板Ｗの回転速度を増加させる（いわゆるスピンドライ）。これにより、基板Ｗに対する乾燥処理が行われる。基板Ｗが十分に乾燥すると、基板保持部６１が基板Ｗの回転を終了する。
【0091】
次に、搬送ロボット５３およびインデクサロボット５２が枚葉処理部６０からロードポート５１のキャリアＣ３に基板Ｗを搬送する（ステップＳ２４：第２枚葉搬送工程：第４工程に相当）。
【0092】
キャリアＣ３内の基板Ｗの枚数が所定枚数（ここでは２５枚）になると、不図示の搬送装置がロードポート５１からキャリアＣ３を取り出して、該キャリアＣ３をより下流側の処理装置に搬送する。
【0093】
以上のように、基板処理装置１０によれば、バッチ式のリン酸処理部３０が複数の基板Ｗを一括してリン酸処理することができる（ステップＳ１３）。これにより、高いスループットで複数の基板Ｗの犠牲膜９２をエッチング除去することができる。特に、リン酸による犠牲膜９２の除去は時間がかかるので、複数の基板Ｗを一括して処理するバッチ式の処理は有益である。
【0094】
しかも、リン酸処理の後には粗リンス処理が行われる（ステップＳ１５）。よって、粗リンス処理後の基板Ｗのパターンの内部には、低濃度のリン酸が含まれる。このリン酸は蒸発しにくいので、粗リンス処理（ステップＳ１５）と枚葉式の処理（ステップＳ２２）との間の期間において、各基板Ｗの乾燥を抑制することができる。したがって、乾燥に起因した基板Ｗのパターンの倒壊（例えば絶縁膜９１の倒壊）を抑制または回避することができる。
【0095】
図６は、リン酸の蒸気圧曲線を示すグラフである。図６は、蒸気圧曲線を温度別のグラフＧ１からグラフＧ５で示している。グラフＧ１からグラフＧ５は、それぞれ、温度が２５℃、４０℃、６０℃、８０℃および１００℃における蒸気圧を示している。図６から理解できるように、リン酸の蒸気圧は純水（つまり、濃度０％のリン酸）よりも低い。特に、リン酸の濃度が５０％以上である場合には、蒸気圧は濃度の増加に応じてより急激に低下する。つまり、リン酸の濃度が５０％以上である場合には、リン酸の濃度が５０％未満である場合に比べて、リン酸は顕著に蒸発しにくい。よって、粗リンス処理の処理時間を、粗リンス処理後のパターン内のリン酸の濃度が５０％以上となる程度に設定することにより、粗リンス処理後の基板Ｗの乾燥をより適切に抑制することができる。
【0096】
なお、粗リンス処理（ステップＳ１５）は、パターン内のリン酸の濃度が例えば６０％以上となる状態で終了してもよく、あるいは、７０％以上となる状態で終了してもよい。
【0097】
また、粗リンス処理後の基板Ｗは枚葉処理部６０によって１枚ずつ乾燥処理される（ステップＳ２３）。枚葉式の乾燥処理では１枚ずつ基板Ｗを乾燥させるので、高い乾燥性能で基板Ｗを乾燥させることができる。よって、乾燥処理に起因した基板Ｗのパターンの倒壊を抑制または回避することができる。
【0098】
また、粗リンス処理により、基板Ｗのパターン外領域に付着したリン酸の大部分あるいは全てを第１リンス液に置換することができる。なぜなら、このパターン外領域は、パターンが設けられる領域に比べて平坦であるので、パターン外領域のリン酸は粗リンス処理であっても、第１リンス液に置換されやすい。よって、粗リンス処理において、パターン外領域におけるリン酸の大部分を第１リンス液に置換できる。
【0099】
ところで、粗リンス処理後の基板Ｗは、既述のように、搬送部２２、キャリアＣ２、インデクサロボット５２および搬送ロボット５３によって順次に保持される。これらは、パターン外領域（例えば基板Ｗの裏面）に接触して複数の基板Ｗを保持する。粗リンス処理によってパターン外領域のリン酸の大部分または全部を第１リンス液に置換できるので、これらにリン酸が付着することを抑制または回避することができる。
【0100】
また、上述の例では、第２処理装置５０にはキャリアＣ２が搬入される。つまり、粗リンス処理後の濡れた基板ＷがキャリアＣ２によって搬送される。よって、キャリアＣ２にも液体が付着し得る。そして、枚葉処理部６０によって乾燥処理が行われた基板Ｗは、搬送ロボット５３およびインデクサロボット５２によって、キャリアＣ２とは異なるキャリアＣ３に搬送される。これによれば、乾燥処理済みの基板ＷがキャリアＣ２に収納されることによる、基板Ｗに対する液体の再付着を回避することができる。
【0101】
＜キャリアＣ２の搬送＞
装置間搬送部７０は、インデクサロボット５２がキャリアＣ２から全ての基板Ｗを取り出したときに、空のキャリアＣ２をロードポート５１から取り出し、該キャリアＣ２を第１処理装置２０のロードポート２１に搬送してもよい。これにより、キャリアＣ２を、再び第１処理装置２０から第２処理装置５０への複数の基板Ｗの搬送に利用することができる。このキャリアＣ２の内部は前回の基板Ｗの搬送によって濡れ得るものの、第１処理装置２０によって処理された複数の基板Ｗは濡れているので、キャリアＣ２の内部が濡れていても、問題は生じない。
装置間搬送部７０は、インデクサロボット５２がキャリアＣ２から全ての基板Ｗを取り出したときに、空のキャリアＣ２をロードポート５１から取り出し、該キャリアＣ２を第１処理装置２０のロードポート２１に搬送してもよい。これにより、キャリアＣ２を、再び第１処理装置２０から第２処理装置５０への複数の基板Ｗの搬送に利用することができる。このキャリアＣ２の内部は前回の基板Ｗの搬送によって濡れ得るものの、第１処理装置２０によって処理された複数の基板Ｗは濡れているので、キャリアＣ２の内部が濡れていても、問題は生じない。
【0102】
＜ハンド＞
インデクサロボット５２は複数のハンド５２１を含んでいてもよい。この場合、インデクサロボット５２は往路用のハンド５２１と復路用のハンド５２１とを含んでもよい。すなわち、インデクサロボット５２は往路用のハンド５２１でキャリアＣ２から搬送ロボット５３に基板Ｗを搬送し、復路用のハンド５２１で搬送ロボット５３からキャリアＣ３に基板Ｗを搬送してもよい。これによれば、往路用のハンド５２１に基板Ｗの液体が付着しても、該ハンド５２１を介して乾燥処理済みの基板Ｗに液体が付着することを抑制または回避できる。搬送ロボット５３も同様に往路用のハンド５３１と復路用のハンド５３１とを含んでもよい。
インデクサロボット５２は複数のハンド５２１を含んでいてもよい。この場合、インデクサロボット５２は往路用のハンド５２１と復路用のハンド５２１とを含んでもよい。すなわち、インデクサロボット５２は往路用のハンド５２１でキャリアＣ２から搬送ロボット５３に基板Ｗを搬送し、復路用のハンド５２１で搬送ロボット５３からキャリアＣ３に基板Ｗを搬送してもよい。これによれば、往路用のハンド５２１に基板Ｗの液体が付着しても、該ハンド５２１を介して乾燥処理済みの基板Ｗに液体が付着することを抑制または回避できる。搬送ロボット５３も同様に往路用のハンド５３１と復路用のハンド５３１とを含んでもよい。
【0103】
＜粗リンス処理（第１リンス液の温度低下）＞
次に、粗リンス処理における温度制御の例について説明する。上述の例では、粗リンス処理において、第１リンス液の温度を常温よりも高く、かつ、リン酸処理におけるリン酸の温度よりも低い値（例えば６０℃程度）とした。これにより、リン酸処理後の高温の基板Ｗに対する急冷を抑制し、基板Ｗに対するダメージを抑制した。しかしながら、第１リンス液の温度が高いほど、リン酸から第１リンス液の置換がより速やかに進んでしまう。そして、パターンの内部のリン酸の濃度が低下し過ぎることは、粗リンス処理後の基板Ｗの乾燥抑制という点では望ましくない。
次に、粗リンス処理における温度制御の例について説明する。上述の例では、粗リンス処理において、第１リンス液の温度を常温よりも高く、かつ、リン酸処理におけるリン酸の温度よりも低い値（例えば６０℃程度）とした。これにより、リン酸処理後の高温の基板Ｗに対する急冷を抑制し、基板Ｗに対するダメージを抑制した。しかしながら、第１リンス液の温度が高いほど、リン酸から第１リンス液の置換がより速やかに進んでしまう。そして、パターンの内部のリン酸の濃度が低下し過ぎることは、粗リンス処理後の基板Ｗの乾燥抑制という点では望ましくない。
【0104】
そこで、基板処理装置１０は以下に説明するように、粗リンス処理において、第１リンス液の温度を低下させてもよい。
【0105】
図７は、粗リンス処理工程の具体的な一例を示すフローチャートである。初期的には、処理槽４１には、第１温度（例えば６０℃）のリンス液が貯留されている。そして、リフタ４２は複数の基板Ｗを処理位置に下降させ、複数の基板Ｗを処理槽４１に浸漬させる（ステップＳ１５１：浸漬工程）。これにより、粗リンス処理が実質的に開始する。初期的には、第１リンス液の温度は比較的に高いので、基板Ｗに対する急冷を抑制でき、基板Ｗのダメージを抑制できる。
【0106】
例えば、ステップＳ１５１から所定時間が経過したときに、粗リンス処理部４０は第１リンス液の温度を第２温度（例えば２５℃）に低下させる（ステップＳ１５２：温度低下工程）。具体的には、ヒータ４３４が動作を停止した状態でバルブ４３３が開く。これにより、より低温の第１リンス液がノズル４３１から処理槽４１に供給され、処理槽４１の上部から溢れた第１リンス液がアップフロー槽４１１および排液管４４２を通じて外部から排出される。これにより、処理槽４１内の第１リンス液の温度が低下する。
【0107】
そして、ステップＳ１５１から規定の処理時間が経過すると、リフタ４２が複数の基板Ｗを処理位置から受渡位置に上昇させる（ステップＳ１５３：引き上げ工程）。
【0108】
以上のように、上述の例では、粗リンス処理の途中において、第１リンス液の温度が低下する。よって、急冷に起因した基板Ｗへのダメージを抑制しつつも、リン酸から第１リンス液への置換速度を低下させることができる。したがって、パターン内のリン酸の濃度が必要以上に低下することを抑制できる。
【0109】
＜上昇速度＞
次に、リン酸処理部３０のリフタ３２が処理槽３１から複数の基板Ｗを引き上げる際の第１上昇速度と、粗リンス処理部４０のリフタ４２が処理槽４１から複数の基板Ｗを引き上げる際の第２上昇速度について述べる。なお、ここでいう第１上昇速度とは、例えば、リフタ３２による基板Ｗの上昇速度の最大値（あるいは定常値または目標値）であり、第２上昇速度は、例えば、リフタ４２による複数の基板Ｗの上昇速度の最大値（あるいは定常値または目標値）である。この第２上昇速度は第１上昇速度以下であるとよい。例えば第１上昇速度は２５ｍｍ／秒以上に設定され、第２上昇速度は２５ｍｍ／秒以下に設定される。
次に、リン酸処理部３０のリフタ３２が処理槽３１から複数の基板Ｗを引き上げる際の第１上昇速度と、粗リンス処理部４０のリフタ４２が処理槽４１から複数の基板Ｗを引き上げる際の第２上昇速度について述べる。なお、ここでいう第１上昇速度とは、例えば、リフタ３２による基板Ｗの上昇速度の最大値（あるいは定常値または目標値）であり、第２上昇速度は、例えば、リフタ４２による複数の基板Ｗの上昇速度の最大値（あるいは定常値または目標値）である。この第２上昇速度は第１上昇速度以下であるとよい。例えば第１上昇速度は２５ｍｍ／秒以上に設定され、第２上昇速度は２５ｍｍ／秒以下に設定される。
【0110】
この場合、複数の基板Ｗが低い上昇速度で処理槽４１内の第１リンス液から引き上げられる。これによれば、特に各基板Ｗのパターン外領域に付着する液体（主として第１リンス液）の量を低減させることができる。
【0111】
これによれば、粗リンス処理後の基板Ｗを保持することによる、搬送部２２、キャリアＣ２、インデクサロボット５２および搬送ロボット５３への液体の付着を抑制することができる。
【0112】
＜第２の実施の形態＞
第２の実施の形態にかかる基板処理装置１０は、粗リンス処理部４０の構成の一例を除いて、第１の実施の形態にかかる基板処理装置１０と同様である。第２の実施の形態にかかる粗リンス処理部４０を、以下では粗リンス処理部４０Ａとも呼ぶ。
第２の実施の形態にかかる基板処理装置１０は、粗リンス処理部４０の構成の一例を除いて、第１の実施の形態にかかる基板処理装置１０と同様である。第２の実施の形態にかかる粗リンス処理部４０を、以下では粗リンス処理部４０Ａとも呼ぶ。
【0113】
図８は、粗リンス処理部４０Ａの構成の一例を概略的に示す図である。粗リンス処理部４０Ａはバット４１Ａとリフタ４２Ａとリンス液供給部４３Ａと排出部４４Ａとを含んでいる。
【0114】
バット４１Ａは箱形状を有しており、その内部空間が、複数の基板Ｗを処理する処理空間に相当する。バット４１Ｂは、処理空間を形成する処理空間形成部材（あるいはチャンバ）であるとも言える。
【0115】
リフタ４２Ａはリフタ４２と同様の構造を有しており、複数の基板Ｗを受渡位置と処理位置との間で昇降させる。受渡位置は、バット４１Ａよりも鉛直上方の位置であり、搬送部２２と複数の基板Ｗの受け渡しを行う位置である。処理位置は、複数の基板Ｗが処理空間内に収納される位置である。
【0116】
リンス液供給部４３Ａは、処理空間内に位置する複数の基板Ｗに対して第１リンス液を供給する。リンス液供給部４３Ａはノズル４３１Ａと給液管４３２Ａとバルブ４３３Ａとを含む。ノズル４３１Ａはバット４１Ａ内に設けられており、処理空間内に位置する複数の基板Ｗに対して第１リンス液を吐出する。ノズル４３１Ａは、液柱状の第１リンス液を複数の基板Ｗに対して吐出するノズルであってもよく、シャワー状の第１リンス液を複数の基板Ｗに吐出するシャワーノズルであってもよく、ミスト状の第１リンス液を複数の基板Ｗに吐出するミストノズルであってもよい。
【0117】
図８の例では、ノズル４３１Ａは、処理位置に位置する複数の基板Ｗよりも鉛直上方に設けられている。また、図８の例では、一対のノズル４３１Ａが設けられている。各ノズル４３１Ａは、基板Ｗの主面に平行な水平方向（図８の左右方向）において、基板Ｗに対して互いに反対側に設けられている。つまり、一方のノズル４３１Ａは基板Ｗに対して一方側に設けられ、他方のノズル４３１Ａは基板Ｗに対して他方側に設けられている。また、基板Ｗに対して両側の各々において、複数のノズル４３１Ａが基板Ｗの厚み方向（図８の紙面垂直な方向）において並んで配列されてもよい。
【0118】
ノズル４３１Ａは給液管４３２Ａを通じてリンス液供給源に接続されている。給液管４３２Ａにはバルブ４３３Ａが介装される。バルブ４３３Ａが開くことにより、リンス液供給源から第１リンス液が給液管４３２Ａを通じてノズル４３１Ａに供給され、ノズル４３１Ａの吐出口から複数の基板Ｗに向けて吐出される。これにより、複数の基板Ｗに第１リンス液が供給される。
【0119】
第１リンス液は各基板Ｗの両主面（つまり、表面および裏面）に沿って流下する。各基板Ｗから流下した液体はバット４１Ａの底部に接続された排出部４４Ａを通じて外部に排出される。排出部４４Ａは不図示の排出管とバルブとを含む。
【0120】
図８の例では、給液管４３２Ａにはヒータ４３４Ａが設けられている。ヒータ４３４Ａは第１リンス液を加熱する。これにより、加熱後の第１リンス液がノズル４３１Ａから吐出される。ヒータ４３４Ａは、ノズル４３１Ａから吐出された第１リンス液の温度が、常温よりも高く、かつ、リン酸処理におけるリン酸の温度よりも低い温度、例えば６０℃と程度なるように、第１リンス液を加熱する。これによれば、第１リンス液による基板Ｗの急冷を抑制することができ、基板Ｗのダメージを緩和することができる。
【0121】
ノズル４３１Ａが第１リンス液を複数の基板Ｗに供給すると、第１リンス液が各基板Ｗの両主面に沿って流下するので、供給開始からの時間の経過とともに、基板Ｗの両主面に付着したリン酸は徐々に第１リンス液に置換される。つまり、粗リンス処理が行われる。
【0122】
第２の実施の形態においても、基板Ｗのパターンの内部にリン酸が十分に残る程度で粗リンス処理が終了する。具体的には、リンス液供給部４３Ａは、ノズル４３１Ａが第１リンス液の吐出を開始した時点から、規定の処理時間が経過したときに、ノズル４３１Ａからの第１リンス液の吐出を終了する。この処理時間は、パターンの内部にリン酸が十分に残る程度の時間であり、例えば、１分から２分程度に設定される。
【0123】
以上のように、第２の実施の形態では、複数の基板Ｗに向けて第１リンス液が吐出されることで、粗リンス処理が行われる。
【0124】
なお、第１の実施の形態と同様に、粗リンス処理部４０Ａは粗リンス処理中において第１リンス液の温度を低下させてもよい。例えば、ヒータ４３４Ａは粗リンス処理の途中において、発熱量を低下させてもよく、あるいは、動作を終了してもよい。
【0125】
＜第３の実施の形態＞
第３の実施の形態にかかる基板処理装置１０は、粗リンス処理部４０の構成の一例を除いて、第１の実施の形態にかかる基板処理装置１０と同様である。以下では、第３の実施の形態にかかる粗リンス処理部４０を粗リンス処理部４０Ｂとも呼ぶ。
第３の実施の形態にかかる基板処理装置１０は、粗リンス処理部４０の構成の一例を除いて、第１の実施の形態にかかる基板処理装置１０と同様である。以下では、第３の実施の形態にかかる粗リンス処理部４０を粗リンス処理部４０Ｂとも呼ぶ。
【0126】
図９は、粗リンス処理部４０Ｂの構成の一例を示している。第１の実施の形態にかかる粗リンス処理部４０と比較して、粗リンス処理部４０Ｂは蒸気供給部４６をさらに備えている。蒸気供給部４６はチャンバ４９内に第２リンス液の蒸気を供給する。第２リンス液は、第１リンス液の蒸発潜熱よりも小さい蒸発潜熱を有する液体であり、例えば、有機溶剤、より具体的には、イソプロピルアルコールである。
【0127】
蒸気供給部４６はノズル４６１と給気管４６２とバルブ４６３とを含む。ノズル４６１はチャンバ４９内において、処理槽４１の上端よりも鉛直上方に設けられている。図９の例では、一対のノズル４６１が設けられている。２つのノズル４６１は、基板Ｗの主面に平行な水平方向において、互いに間隔を空けて設けられている。
【0128】
給気管４６２はノズル４６１と蒸気供給源を接続する。バルブ４６３は給気管４６２に介装されている。バルブ４６３が開くことにより、蒸気供給源から給気管４６２を通じてノズル４６１に第２リンス液の蒸気が供給され、ノズル４６１の吐出口から、チャンバ４９の上部空間（つまり、処理槽４１よりも鉛直上方の空間）に吐出される。
【0129】
図９の例では、チャンバ４９には排気部４７が設けられている。排気部３７はチャンバ４９内のガスを排気する。図９の例では、排気部４７は排気管４７１と吸引機構４７２とを含む。排気管４７１の上流端はチャンバ４９の例えば底部に接続される。吸引機構４７２は排気管４７１に設けられており、排気管４７１を通じてチャンバ４９内のガスを吸引する。吸引機構４７２は例えばポンプである。
【0130】
図１０は、第３の実施の形態にかかる基板処理装置１０の動作の一例を示すフローチャートである。第３の実施の形態においては、第１の実施の形態と比較して、粗リンス処理（ステップＳ１５）の後に粗乾燥処理（ステップＳ１７：粗乾燥処理工程）がさらに実行される。
【0131】
粗乾燥処理とは、各基板Ｗのパターン外領域に付着した液体の少なくとも一部を除去する処理である。つまり、この粗乾燥処理では、基板Ｗのパターン内のリン酸を除去しようとしているのではなく、主として、パターン外領域に付着した液体を低減させる。
【0132】
具体的な一例として、粗リンス処理部４０Ｂは粗リンス処理後の複数の基板Ｗを第２リンス液の蒸気の雰囲気に曝す。まず、蒸気供給部４６はチャンバ４９内の上部空間に第２リンス液の蒸気を供給する。これにより、上部空間を第２リンス液の蒸気の雰囲気とすることができる。なお、蒸気供給部４６は粗乾燥処理の開始前から第２リンス液の蒸気の供給を開始してもよい。より具体的には、蒸気供給部４６は粗リンス処理（ステップＳ１５）の開始前または途中から第２リンス液の蒸気の供給を開始してもよい。これによれば、粗リンス処理中において、処理槽４１よりも上部空間に第２リンス液の蒸気雰囲気を形成することができる。
【0133】
そして、リフタ４２が複数の基板Ｗを上部空間内に上昇させると、複数の基板Ｗを第２リンス液の蒸気の雰囲気に曝すことができる。これにより、粗乾燥処理が実質的に開始する。
【0134】
第２リンス液の蒸気は基板Ｗのパターン外領域に作用することで、パターン外領域に付着した液体（主として第１リンス液）が第２リンス液に置換され、当該液体が基板Ｗから流下して、基板Ｗから除去される。また、第２リンス液は蒸発しやすいので、パターン外領域をより効果的に乾燥させることができる。その一方で、第２リンス液の蒸気による作用では、パターンの内部のリン酸は第２リンス液に置換されにくいので、第２パターン内のリン酸を残留させることができる。よって、粗乾燥処理後の基板Ｗのパターンの倒壊を抑制または回避することができる。
【0135】
そして、例えば、ステップＳ１７の開始から予め設定された時間が経過すると、蒸気供給部４６が第２リンス液の蒸気の供給を終了する。そして、チャンバ４９の蓋が開き、リフタ４２が複数の基板Ｗを受渡位置に上昇させる。
【0136】
なお、チャンバ４９の蓋が開く前に、チャンバ４９内の第２リンス液の蒸気を排気部４７によって排気してもよい。粗リンス処理部４０Ｂが、チャンバ４９内に窒素ガスを供給する窒素ガス供給部を含む場合には、チャンバ４９内に窒素ガスを供給してもよい。これにより、効果的に第２リンス液の蒸気をチャンバ４９から排出することができる。
【0137】
次に、第１の実施の形態と同様に、第３バッチ搬送工程（ステップＳ１６）以後の工程が実行される。
【0138】
以上のように、第３の実施の形態では、粗乾燥処理が行われる。この粗乾燥処理においては、パターン内のリン酸を残留させつつも、基板Ｗのパターン外領域に付着した液体の少なくとも一部を除去する。したがって、搬送部２２、キャリアＣ２、インデクサロボット５２および搬送ロボット５３の各々が基板Ｗを保持しても、キャリアＣ２および搬送装置に液体が付着することを抑制できる。よって、液体によるキャリアＣ２および搬送装置の汚染を抑制できる。
【0139】
＜第４の実施の形態＞
第４の実施の形態では、キャリアＣ２について説明する。図１１および図１２は、第４の実施の形態にかかるキャリアＣ２の構成の一例を概略的に示す図である。図１１は、キャリアＣ２の正面図を示しており、図１２は、図１１の領域Ｒ１の拡大図を示している。
第４の実施の形態では、キャリアＣ２について説明する。図１１および図１２は、第４の実施の形態にかかるキャリアＣ２の構成の一例を概略的に示す図である。図１１は、キャリアＣ２の正面図を示しており、図１２は、図１１の領域Ｒ１の拡大図を示している。
【0140】
キャリアＣ２は上部材８１と下部材８２と側壁８３とを含む。上部材８１および下部材８２は例えば板状の形状を有し、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。上部材８１および下部材８２は鉛直方向において対向して設けられている。側壁８３は、上部材８１および下部材８２の周縁どうしを連結する部材である。キャリアＣ２の一方面（紙面手前側）には側壁８３が設けられておらず開口している。キャリアＣ２の当該開口を通じて、キャリアＣ２に基板Ｗが出し入れされる。
【0141】
図１１に示すように、側壁８３の内壁面には、複数の突起８３１が鉛直方向において間隔を空けて並んで設けられている。各突起８３１は側壁８３から内方に突出する。よって、側壁８３の内壁面には、複数の溝８３２が形成される。各溝８３２は、隣り合う２つの突起８３１の間の空間に相当する。各溝８３２には基板Ｗの端部が挿入され、突起８３１によって支持される。図１２では、基板ＷがキャリアＣ２に収納された領域Ｒ１が示されている。
【0142】
図１２の例では、溝８３２の下面（つまり、突起８３１の上面）および側面には、吸水部材８３３が設けられている。吸水部材８３３は吸水性を有する部材であり、例えば、不織布もしくは珪藻土等の吸水性素材によって構成される。
【0143】
吸水部材８３３のうち溝８３２の下面に設けられる部分の一部は、基板Ｗの下面に接触して基板Ｗを支持する。つまり、吸水部材８３３は各基板Ｗのパターン外領域の一部に接触する。よって、基板Ｗの下面に付着した液体が吸水部材８３３に吸収される。また、吸水部材８３３のうち溝８３２の側面に設けられる部分の一部は基板Ｗの側面に接触し得る。この場合、基板Ｗの側面に付着した液体も吸水部材８３３によって吸収される。
【0144】
比較のために、吸水部材８３３が設けられていない構造について考察する。この場合、基板Ｗの下面に付着した液体は突起８３１に伝わり、突起８３１の上面および内周端を伝って、その一つ下の基板Ｗに落下し得る。これにより、一つ下の基板Ｗが汚染され得る。
【0145】
これに対して、第４の実施の形態では、吸水部材８３３が設けられているので、突起８３１を経由した液体の移動を抑制または回避することができる。よって、基板Ｗの汚染を抑制または回避することができる。
【0146】
さて、図１２に示すように、吸水部材８３３が溝８３２の側面にも設けられている場合、基板Ｗの側面に付着した液体が吸水部材８３３に吸収されるに際して、基板Ｗの表面の周縁部の液体も表面張力によって吸水部材８３３側に移動し、吸水部材８３３に吸収され得る。よって、基板Ｗの表面の周縁部の液体も低減させることができる。
【0147】
その一方で、この吸水部材８３３により、基板Ｗの表面のパターン内のリン酸が毛細管現象によって、基板Ｗの周縁側に移動して吸水部材８３３に吸水されることもあり得る。これは、パターンの倒壊を招くので望ましくない。
【0148】
図１３は、キャリアＣ２の他の構成の一例を概略的に示す図であり、図１１の領域Ｒ１の拡大図を示している。図１３の例では、吸水部材８３３は溝８３２の側面を避けて設けられている。つまり、溝８３２の側面の全面には、吸水部材８３３が設けられず、溝８３２の下面のみに吸水部材８３３が設けられる。これによれば、基板Ｗのパターン内のリン酸が吸水部材８３３に吸水されることをより確実に抑制できる。ひいては、パターンの倒壊をより確実に抑制することができる。
【0149】
以上のように、基板処理装置１０および基板処理方法は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この基板処理装置１０および基板処理方法がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。
【0150】
例えば、上述の例では、基板処理装置１０は、バッチ式のリン酸処理部３０および粗リンス処理部４０が筐体２９内に設けられ、枚葉式の枚葉処理部６０が筐体２９とは異なる筐体５９内に設けられている。そして、筐体２９と筐体５９との間で、装置間搬送部７０がキャリアＣ２を搬送している。しかしながら、必ずしもこれに限らない。バッチ式のリン酸処理部３０および粗リンス処理部４０と枚葉式の枚葉処理部６０が共通の筐体内に設けられてもよい。この筐体内には、粗リンス処理部４０と枚葉処理部６０との間で基板Ｗを搬送する搬送部が設けられ、当該搬送部には姿勢変換部（例えば姿勢変換部２４）が設けられる。このような単一の筐体内に、バッチ式のリン酸処理部３０、粗リンス処理部４０および枚葉式の枚葉処理部６０が設けられた基板処理装置１０は、ハイブリッド式の処理装置とも呼ばれ得る。
【0151】
また、上述の例では、基板Ｗには３次元構造（パターン）として積層構造９０が設けられているものの、必ずしもこれに限らない。３次元構造は、配線パターン、絶縁膜パターンおよび半導体パターンの少なくともいずれか一つを含む。例えば、パターンのアスペクト比が１０以上かつパターン幅が５０ｎｍ以下であるときに、パターンの倒壊が生じやすい。よってこの場合、基板処理装置１０は特に有効である。
【符号の説明】
【0152】
１０ 基板処理装置
２４ 姿勢変換部
３０ リン酸処理部
３１ 処理槽
４０ 粗リンス処理部
５０ 枚葉式の処理装置（第２処理装置）
５１ ロードポート
６０ 枚葉処理部
８３３ 吸水部材
Ｓ１３ リン酸処理工程（ステップ）
Ｓ１５ 粗リンス処理工程（ステップ）
Ｓ１５２ 温度低下工程（ステップ）
Ｓ１６ 第１工程（ステップ）
Ｓ１７ 粗乾燥処理工程（ステップ）
Ｓ２０ 第２工程（ステップ）
Ｓ２１ 第３工程（ステップ）
Ｓ２３ 枚葉乾燥処理工程（ステップ）
Ｓ２４ 第４工程（ステップ）
Ｃ２ 第１キャリア（キャリア）
Ｃ３ 第２キャリア（キャリア）
Ｗ 基板
２４ 姿勢変換部
３０ リン酸処理部
３１ 処理槽
４０ 粗リンス処理部
５０ 枚葉式の処理装置（第２処理装置）
５１ ロードポート
６０ 枚葉処理部
８３３ 吸水部材
Ｓ１３ リン酸処理工程（ステップ）
Ｓ１５ 粗リンス処理工程（ステップ）
Ｓ１５２ 温度低下工程（ステップ）
Ｓ１６ 第１工程（ステップ）
Ｓ１７ 粗乾燥処理工程（ステップ）
Ｓ２０ 第２工程（ステップ）
Ｓ２１ 第３工程（ステップ）
Ｓ２３ 枚葉乾燥処理工程（ステップ）
Ｓ２４ 第４工程（ステップ）
Ｃ２ 第１キャリア（キャリア）
Ｃ３ 第２キャリア（キャリア）
Ｗ 基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】