特開2022-177293IP Force 特許公報全文掲載

ホーム > 特許ランキング > 富士電機株式会社 > 特開2022-177293

技術分野

半導体装置

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】半導体装置におけるスイッチング特性等の特性を改善することが好ましい。
【解決手段】半導体基板に設けられた第１導電型のドリフト領域と、半導体基板の上面と前記ドリフト領域との間に設けられた第２導電型のベース領域と、半導体基板の上面側に設けられたトレンチ部と、半導体基板の内部においてトレンチ部に挟まれたメサ部と、半導体基板の上面に設けられた層間絶縁膜と、層間絶縁膜の上方に設けられ、メサ部と接続された第１電極と、トレンチ部の下端よりも深い位置に底面が形成された第２導電型のウェル領域と、を備え、トレンチ部は、前記ウェル領域に挟まれた内側領域において、第１方向に長手を有する非部分トレンチと、第１方向に長手を有し、第１方向の直線上に設けられ非部分トレンチと平行な複数の部分トレンチと、を有し、第１方向において隣り合う一方の部分トレンチの下方から他方の部分トレンチの下方まで、半導体基板の下面に露出する共通の下面側半導体領域が設けられている半導体装置。
【選択図】図６

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

半導体装置におけるスイッチング特性等の特性を改善することが好ましい。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するために、本発明の第一の態様においては、半導体基板を備える半導体装置を提供する。半導体装置は、半導体基板に設けられたドリフト領域を備えてよい。半導体装置は、半導体基板の上面とドリフト領域との間に設けられた第２導電型のベース領域を備えてよい。半導体装置は、半導体基板の上面側に設けられたトレンチ部を備えてよい。半導体装置は、半導体基板の内部においてトレンチ部に挟まれたメサ部を備え・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の一つの半導体装置１００の一例を示す上面図である。
【図2】 図１における領域Ａの拡大図である。
【図3】 図２におけるｂ－ｂ断面の一例を示す図である。
【図4】 図１におけるｃ－ｃ断面の一例を示す図である。
【図5】 半導体基板１０の上面２１における、ウェル領域１１の配置例を示す図である。
【図6】 図５における領域Ｄを拡大した上面図である。
【図7】 図６におけるｅ－ｅ断面の一例を示す図である。
【図8】 図６におけるｆ－ｆ断面の一例を示す図である。
【図9】 領域Ｄの他の例を示す図である。
【図10】 図９におけるｅ－ｅ断面の一例である。
【図11】 図９におけるｆ－ｆ断面の一例である。
【図12】 ｅ－ｅ断面の他の例を示す図である。
【図13】 ｆ－ｆ断面の他の例を示す図である。
【図14】 上面視におけるコンタクトホール５４の配置例を示す図である。
【図15】 領域Ｄの他の例を示す図である。
【図16】 領域Ｄの他の例を示す図である。
【図17】 領域Ｄの他の例を示す図である。
【図18A】 ゲートトレンチ部４０が部分トレンチ２２２に分離している場合の、ゲート配線の配置例を示す図である。
【図18B】 図１８Ａにおけるｇ－ｇ断面の一例である。
【図19A】 ゲートトレンチ部４０が部分トレンチ２２２に分離している場合の、ゲート配線の他の配置例を示す図である。
【図19B】 図１９Ａにおけるｇ'－ｇ'断面の一例である。
【図19C】 図１９Ａにおけるｇ''－ｇ''断面の一例である。
【図20】 部分トレンチ用配線１３２の他の配置例を示す図である。
【図21】 図２０におけるｈ－ｈ断面の一例を示す図である。
【図22】 図２０におけるｊ－ｊ断面の一例を示す図である。
【図23】 部分トレンチ用配線１３２およびエミッタ電極５２の他の配置例を示す図である。
【図24】 図２３の例におけるＸＺ断面の一例を示す。
【図25A】 部分トレンチ用配線１３２およびエミッタ電極５２の他の配置例を示す図である。
【図25B】 図２５Ａの例における半導体装置１００のＸＺ断面の一例を示す。
【図26】 領域Ｄの他の構造例を示す図である。
【図27A】 半導体装置１００の上面図を示している。
【図27B】 図２７Ａにおけるｎ－ｎ断面およびｏ－ｏ断面を示す図である。
【図27C】 図２７Ａにおけるｎ－ｎ断面およびｏ－ｏ断面の他の例を示す図である。
【図28A】 半導体装置１００の上面図を示している。
【図28B】 図２８Ａにおけるｐ－ｐ断面およびｑ－ｑ断面を示す図である。
【図28C】 図２８Ａにおけるｐ－ｐ断面およびｑ－ｑ断面の他の例を示す図である。

選択図 図6出願人が指定した本件の代表的な図

１０・・・半導体基板、１１・・・ウェル領域、１２・・・エミッタ領域、１４・・・ベース領域、１５・・・コンタクト領域、１６・・・蓄積領域、１８・・・ドリフト領域、２０・・・バッファ領域、２１・・・上面、２２・・・コレクタ領域、２３・・・下面、２４・・・コレクタ電極、２９・・・直線部分、３０・・・ダミートレンチ部、３１・・・先端部、３２・・・ダミー絶縁膜、３４・・・ダミー導電部、３６・・・絶縁膜、３７・・・保護膜、３８・・・層間絶縁膜、３９・・・直線部分、４０・・・ゲートトレンチ部、４１・・・先端部、４２・・・ゲート絶縁膜、４４・・・ゲート導電部、５２・・・エミッタ電極、５４、５５、５７・・・コンタクトホール、６０、６１・・・メサ部、７０・・・トランジスタ部、８０・・・ダイオード部、８１・・・延長領域、８２・・・カソード領域、９０・・・エッジ終端構造部、９２・・・ガードリング、９４・・・フィールドプレート、１００・・・半導体装置、１０２・・・端辺、１１２・・・ゲートパッド、１３０・・・外周ゲート配線、１３１・・・活性側ゲート配線、１３２・・・部分トレンチ用配線、１４０・・・外周ウェル領域、１４１・・・活性側ウェル領域、１６０・・・活性部、１７４・・・チャネルストッパ、２０２・・・部分トレンチ、２０４・・・第１トレンチ間領域、２０６・・・第２トレンチ間領域、２０８・・・埋没トレンチ、２１０・・・等電位面、２１２・・・突出部、２２２・・・部分トレンチ

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

［広告欄］

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります

Copyright © Science Impact Inc. All Rights Reserved.