１０・・・半導体基板、１１，１１ａ，１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ・・・ウェル領域、１２・・・エミッタ領域、１４・・・ベース領域、１５・・・コンタクト領域、１６・・・蓄積領域、１７・・・プラグ領域、１８・・・ドリフト領域、２０・・・バッファ領域、２１・・・おもて面、２２・・・コレクタ領域、２３・・・裏面、２４・・・コレクタ電極、２５・・・接続部、３０，３０ａ，３０ｂ，３０ｃ、３０ｄ・・・ダミートレンチ部、３１・・・延伸部分、３２・・・ダミー絶縁膜、３３・・・接続部分、３４・・・ダミー導電部、３８・・・層間絶縁膜、４０・・・ゲートトレンチ部、４１・・・延伸部分、４２・・・ゲート絶縁膜、４３・・・接続部分、４４・・・ゲート導電部、４８・・・ゲートランナー、４９・・・コンタクトホール、５０・・・ゲート金属層、５２・・・エミッタ電極、５３・・・電流センスエミッタ電極、５４・・・コンタクトホール、５６・・・コンタクトホール、５７・・・コンタクトホール、５８・・・コンタクトホール、６０・・・メサ部、６１・・・メサ部、７０・・・トランジスタ部、７５・・・境界領域、８０・・・ダイオード部、８２・・・カソード領域、８５・・・ライフタイム制御領域、９２・・・ガードリング、９３・・・分離領域、１００・・・半導体装置、１０２・・・端辺、１６０・・・活性領域、１８０・・・外周領域、１９０・・・エッジ終端領域、２１０・・・電流センス部、２１４・・・エミッタ非配置領域、２１６・・・エミッタ配置領域、２１６ａ・・・端部、２１６ｂ・・・端部、２１８・・・センストランジスタ非照射領域、２２０・・・センストランジスタ照射領域、２２２・・・無効領域、２３０・・・パッシベーション層、２３２・・・開口部