特開 2022-180181 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022180181

(43)【公開日】2022-12-06

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 25/07 20060101AFI20221129BHJP

   H01L 23/04 20060101ALI20221129BHJP

   H01L 23/28 20060101ALI20221129BHJP

【ＦＩ】

H01L25/04 C

H01L23/04 E

H01L23/28 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021087136

(22)【出願日】2021-05-24

(71)【出願人】

【識別番号】000005234

【氏名又は名称】富士電機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002918

【氏名又は名称】弁理士法人扶桑国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】大長 規浩

(72)【発明者】

【氏名】百瀬 文彦

【テーマコード（参考）】

4M109

【Ｆターム（参考）】

4M109AA01

4M109DA07

4M109EA12

(57)【要約】

【課題】外部から接続端子の締結時に損傷の発生を防止できる。
【解決手段】バスバー６０は、収納部に対向して配置され、ナットのネジ孔に対向する開口部６３ａを有する締結領域６３と、締結領域６３より外側の一部に複数の外部接続端子２４と接続された接合領域６１ａ，６１ｂとを備える。さらに、封止本体部は、バスバー６０の側壁と隣接する突起部２０ａ，２０ｂを備える。これにより、ボルトをナット７０に対して時計回りに回転させて、バスバー６０も時計回りに回転しようとしても、突起部２０ｂ，２０ａにより、バスバー６０の回転が抑制される。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

主面と前記主面に対して外側を向いて開口した収納部とを備え、内包された半導体チップと前記半導体チップと電気的に接続されたピン状の複数の外部接続端子と、を含む封止本体部と、
ネジ孔を有し前記収納部に収納されたナットと、
前記収納部に対向して配置され、前記ナットのネジ孔に対向する開口部を有する締結領域と、前記締結領域より外側の一部に前記複数の外部接続端子と接続された接合領域とを備えた板状の金属板と、
を備え、
前記封止本体部は、前記金属板の側壁と隣接する突起部を備える、
半導体装置。

【請求項2】

前記金属板の前記締結領域の前記収納部に対向する面の反対側の第１上面は、前記接合領域の前記主面に対向する面の反対側の第２上面より前記主面から離間している、
請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

前記金属板は、前記締結領域と前記接合領域とを連結する連結領域をさらに有する、
請求項２に記載の半導体装置。

【請求項4】

前記突起部は、前記封止本体部のおもて面に対して、前記金属板の各辺における開口部を中心とした回転方向に面する当接領域の側部に設けられる、
請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記突起部は、前記当接領域の側部に複数、形成されている、
請求項４に記載の半導体装置。

【請求項6】

前記突起部は、前記当接領域を含んで前記金属板の外周部を囲んで形成されている、
請求項４または５に記載の半導体装置。

【請求項7】

前記収納部は、前記締結領域の裏面の手前まで、外側に突出して前記主面に形成されている、
請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体装置。

【請求項8】

主面と前記主面に対して外側を向いて開口した収納部とを備え、内包された半導体チップと前記半導体チップと電気的に接続されたピン状の複数の外部接続端子と、を含む封止本体部と、
ネジ孔を有し前記収納部に収納されたナットと、
前記収納部に対向して配置され、前記ナットのネジ孔に対向する開口部を有する締結領域と、前記締結領域より外側の一部に前記複数の外部接続端子と接続された接合領域とを備え、前記主面に対して前記締結領域が前記接合領域よりも外側に突出している板状の金属板と、
を備え、
前記封止本体部において、前記収納部が形成された対向面が前記主面から外側に突出しており、前記接合領域との間の前記締結領域に嵌合されている、
半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置は、パワーデバイス及びパワーデバイスに電気的に接続されている複数の外部接続端子を樹脂で封止している。パワーデバイスは、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）である。複数の外部接続端子は半導体装置のおもて面から垂直に延伸しており、バスバーが取り付けられる（例えば、特許文献１を参照）。

【0003】

バスバーは、例えば、以下のように取り付けられる。半導体装置のおもて面から垂直に延伸する、平板状であって貫通孔が形成された主端子をおもて面側に折り曲げて、当該貫通孔にバスバーをボルトにより締結することが行われている（例えば、特許文献２を参照）。

【0004】

また、ボルトの締結方法の一例として、ボルトの締結時にボルトが回転しないように、端子ナットを覆って支持可能な凹部を備えた端子ナットカバーが用いられている（例えば、特許文献３を参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１７－１１２２５０号公報

【特許文献2】特許第６５１６０２４号公報

【特許文献3】特開平０９－６９６０３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

上記の半導体装置では外部接続端子に、中央部に貫通孔が形成されたバスバーが接合されて、当該バスバーに外部装置の接続端子（別のバスバー）をボルトで締結する際、ボルトの回転に伴って、バスバーも回転することがある。しかし、バスバーが外部接続端子に接合されているため、バスバーの回転に伴って、外部接続端子のバスバーとの接合箇所が曲がってしまって変形してしまうことがある。また、外部接続端子の変形に伴い、外部接続端子を支持する箇所の樹脂にひび割れ等の損傷が発生してしまうと、絶縁性の低下を招くおそれがある。このため、半導体装置の信頼性が低下してしまう。

【0007】

本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、外部から接続端子の締結時に損傷の発生を防止できる半導体装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一観点によれば、主面と前記主面に対して外側を向いて開口した収納部とを備え、内包された半導体チップと前記半導体チップと電気的に接続されたピン状の複数の外部接続端子と、を含む封止本体部と、ネジ孔を有し前記収納部に収納されたナットと、前記収納部に対向して配置され、前記ナットのネジ孔に対向する開口部を有する締結領域と、前記締結領域より外側の一部に前記複数の外部接続端子と接続された接合領域とを備えた板状の金属板と、を備え、前記封止本体部は、前記金属板の側壁と隣接する突起部を備える、半導体装置が提供される。

【発明の効果】

【0009】

開示の技術によれば、外部から接続端子の締結時に損傷の発生を防止して、半導体装置の信頼性の低下を抑制する。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】第１の実施の形態の半導体装置の平面図である。

【図2】第１の実施の形態の半導体装置の側面図である。

【図3】第１の実施の形態の半導体装置の断面図である。

【図4】第１の実施の形態のバスバーが取り付けられた半導体装置の要部平面図である。

【図5】第１の実施の形態のバスバーが取り付けられた半導体装置の断面図である。

【図6】第１の実施の形態の変形例１－１のバスバーが取り付けられた半導体装置の要部平面図である。

【図7】第１の実施の形態の変形例１－２のバスバーが取り付けられた半導体装置の要部平面図である。

【図8】第１の実施の形態の変形例１－３のバスバーが取り付けられた半導体装置の要部平面図である。

【図9】第１の実施の形態の変形例１－４のバスバーが取り付けられた半導体装置の要部平面図である。

【図10】第１の実施の形態の変形例１－５のバスバーが取り付けられた半導体装置の要部平面図である。

【図11】第１の実施の形態の変形例１－６のバスバーが取り付けられた半導体装置の要部平面図である。

【図12】第１の実施の形態の別のバスバーが取り付けられた半導体装置の断面図である。

【図13】第２の実施の形態のバスバーが取り付けられた半導体装置の断面図である。

【図14】第２の実施の形態のバスバーが取り付けられた半導体装置の要部平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、図面を参照して、実施の形態について説明する。なお、以下の説明において、「おもて面」及び「上面」とは、図の半導体装置１において、上側（＋Ｚ方向）を向いたＸ－Ｙ面を表す。同様に、「上」とは、図の半導体装置１において、上側（＋Ｚ方向）の方向を表す。「裏面」及び「下面」とは、図の半導体装置１において、下側（－Ｚ方向）を向いたＸ－Ｙ面を表す。同様に、「下」とは、図の半導体装置１において、下側（－Ｚ方向）の方向を表す。必要に応じて他の図面でも同様の方向性を意味する。「おもて面」、「上面」、「上」、「裏面」、「下面」、「下」、「側面」は、相対的な位置関係を特定する便宜的な表現に過ぎず、本発明の技術的思想を限定するものではない。例えば、「上」及び「下」は、必ずしも地面に対する鉛直方向を意味しない。つまり、「上」及び「下」の方向は、重力方向に限定されない。また、以下の説明において「主成分」とは、８０ｖｏｌ％以上含む場合を表す。

【0012】

［第１の実施の形態］
第１の実施の形態で用いられる半導体装置の一例について、図１～図３を用いて説明する。図１は、第１の実施の形態の半導体装置の平面図であり、図２は、第１の実施の形態の半導体装置の側面図であり、図３は、第１の実施の形態の半導体装置の断面図である。なお、図２は、図１の一点鎖線Ｘ－Ｘにおける断面図を示している。なお、一点鎖線Ｘ－Ｘは、半導体装置１の中心を通る長手方向に沿った中心線でもある。図３は、図１の一点鎖線Ｙ－Ｙにおける断面図を示している。但し、図３は、半導体装置１の内部の図示は省略している。

【0013】

半導体装置１は、直方体状の封止本体部１０を備え、封止本体部１０のおもて面１１から外部接続端子２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２３～２５がおもて面１１に対して鉛直上方（＋Ｚ方向）に延伸している。

【0014】

封止本体部１０は、平面視で、略矩形状のおもて面１１の四方が側壁１０ａ～１０ｄで囲まれている。また、側壁１０ａ，１０ｃは、封止本体部１０の短手方向、側壁１０ｂ，１０ｄは、封止本体部１０の長手方向にそれぞれ対応している。なお、側壁１０ａ～１０ｄの四隅の接続箇所は、必ずしも、直角でなくてもよく、Ｒ形状を成しても、面取りされていてもよい。おもて面１１と側壁１０ａ～１０ｄとの繋ぎ目も、必ずしも、直角でなくてもよく、Ｒ形状を成しても、面取りされていてもよい。

【0015】

おもて面１１には、一点鎖線Ｘ－Ｘ（中心線）に沿って、締結孔１０ｅ，１０ｆ及びナット収納台１３～１５が形成されている。締結孔１０ｅ，１０ｆは、封止本体部１０のおもて面１１に対して、側壁１０ａ，１０ｃ側にそれぞれ封止本体部１０を貫通して形成されている。半導体装置１を所定の領域に取り付ける際に、締結孔１０ｅ，１０ｆを通してネジにより当該所定の領域に取り付けられる。

【0016】

ナット収納台１３～１５は、直方体状であって、おもて面１１に一体的に形成されている。ナット収納台１３～１５のおもて面である対向面１３ｂ～１５ｂは、平面視で、例えば、八角形を成している。対向面１３ｂ～１５ｂは、八角形に限らず、後述する収納部１３ａ～１５ａの形成が許容できる領域があればよく、多角形、円形でもよい。対向面１３ｂ～１５ｂが平面視で多角形の場合には、角部がＲ形状を成しても、面取りされていてもよい。また、対向面１３ｂ～１５ｂは、おもて面１１よりもおもて面１１に対して上方（＋Ｚ方向）に位置している。ナット収納台１３～１５の対向面１３ｂ～１５ｂに収納部１３ａ～１５ａが形成されている。収納部１３ａ～１５ａは、ナットが完全に収納可能に外側（＋Ｚ方向）に開口された領域である。収納部１３ａ～１５ａは、内部に貫通しておらず、窪んだ形状を成している。収納部１３ａ～１５ａの平面視の形状は、ボルトの形状に対応している。収納部１３ａ～１５ａの平面視の形状は、図１の場合は、六角形を成している。

【0017】

また、おもて面１１には、平面視で、ナット収納台１３～１５を挟み、一点鎖線Ｘ－Ｘに線対称を成すように、外部接続端子２３～２５がそれぞれ３本ずつ、おもて面１１に対して鉛直上方に延伸している。また、外部接続端子２３～２５は、おもて面１１に一体的に形成された端子台１２ｂ～１２ｄのおもて面から延伸している。端子台１２ｂ～１２ｄは、ナット収納台１３～１５を挟んでそれぞれ形成され、直方体状を成している。具体的には、平面視で、側壁１０ｂ，１０ｄに沿って、ナット収納台１３～１５のＹ方向の長さ程度の長辺を備える直方体状を成している。例えば、ナット収納台１４に対して、その両側（側壁１０ｂ，１０ｄ側）に端子台１２ｃから３本の外部接続端子２４がそれぞれ延伸している。

【0018】

また、おもて面１１には、外部接続端子２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂが側壁１０ｃ側に、おもて面１１に対して鉛直上方に延伸している。また、外部接続端子２１ａ，２２ａは、おもて面１１の側壁１０ｄ側に一体的に形成された端子台１２ａのおもて面から延伸している。外部接続端子２１ｂ，２２ｂは、おもて面１１の側壁１０ｂ側に一体的に形成された端子台１２ａのおもて面から延伸している。

【0019】

このようにナット収納台１３～１５及び端子台１２ａ～１２ｄがおもて面１１に一体的に形成された封止本体部１０は、所定の金型内に後述する半導体チップ等を含んで樹脂で封止することで構成されている。このような樹脂は、熱可塑性樹脂を主成分として構成されている。熱可塑性樹脂は、例えば、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンサクシネート樹脂、ポリアミド樹脂、または、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂である。

【0020】

さらに、おもて面１１には、ナット収納台１３～１５に対して、突起部２０ａ，２０ｂが一体的にそれぞれ形成されている。例えば、ナット収納台１４に対して、側壁１０ｄの側壁１０ａ側に突起部２０ｂが、側壁１０ｂの側壁１０ｃ側に突起部２０ａがそれぞれ形成されている。すなわち、突起部２０ａ，２０ｂは、ナット収納台１４の収納部１４ａに対して点対称の位置に形成されている。なお、突起部２０ａ，２０ｂは、図ではハッチングが付されているものの、封止本体部１０と同じ材質により構成されていてもよい。突起部２０ａ，２０ｂの詳細については後述する。

【0021】

半導体装置１は、封止本体部１０により、絶縁回路基板３０ａ，３０ｂと第１半導体チップ４１ａ，４１ｂ及び第２半導体チップ４２ａ，４２ｂとプリント回路基板５５とが封止されている。絶縁回路基板３０ａ，３０ｂは、絶縁板３１と絶縁板３１の裏面に設けられた金属板３２と絶縁板３１のおもて面に設けられた回路板３３とを含んでいる。絶縁板３１及び金属板３２は、平面視で矩形状である。また、絶縁板３１及び金属板３２は、角部がＲ形状や、Ｃ形状に面取りされていてもよい。金属板３２のサイズは、平面視で、絶縁板３１のサイズより小さく、絶縁板３１の内側に形成されている。絶縁板３１は、絶縁性を備え、熱伝導性に優れた材質により構成されている。このような絶縁板３１は、セラミックスまたは絶縁樹脂により構成されている。セラミックスは、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素である。絶縁樹脂は、例えば、紙フェノール基板、紙エポキシ基板、ガラスコンポジット基板、ガラスエポキシ基板である。絶縁板３１の厚さは、０．２ｍｍ以上、２．５ｍｍ以下である。

【0022】

金属板３２は、絶縁板３１よりも面積が小さく、回路板３３が形成されている領域の面積よりも広く、絶縁板３１と同様に矩形状を成している。また、角部がＲ形状や、Ｃ形状に面取りされていてもよい。金属板３２は、絶縁板３１のサイズより小さく、絶縁板３１の縁部を除いた全面に形成されている。金属板３２は、熱伝導性に優れた金属を主成分として構成されている。金属は、例えば、銅、アルミニウムまたは、少なくともこれらの一種を含む合金である。また、金属板３２の厚さは、０．１ｍｍ以上、２．５ｍｍ以下である。金属板３２の耐食性を向上させるために、めっき処理を行ってもよい。この際、用いられるめっき材は、例えば、ニッケル、ニッケル－リン合金、ニッケル－ボロン合金である。

【0023】

回路板３３は、導電性に優れた金属により構成されている。このような金属は、例えば、銅、アルミニウム、または、少なくともこれらの一種を主成分とする合金である。また、回路板３３の厚さは、０．１ｍｍ以上、２．０ｍｍ以下である。回路板３３の表面に対して、耐食性を向上させるために、めっき処理を行ってもよい。この際、用いられるめっき材は、例えば、ニッケル、ニッケル－リン合金、ニッケル－ボロン合金である。なお、図２に示す回路板３３は一例である。必要に応じて、回路板３３の個数、形状、大きさ等を適宜選択してもよい。

【0024】

このような構成を有する絶縁回路基板３０ａ，３０ｂとして、例えば、ＤＣＢ（Direct Copper Bonding）基板、ＡＭＢ（Active Metal Brazed）基板、樹脂絶縁基板を用いることができる。

【0025】

半導体装置１では、絶縁回路基板３０ａ，３０ｂの金属板３２の裏面が表出されている。このような半導体装置１の裏面に接合部材を介して冷却ユニットを取り付けてもよい。ここで用いられる接合部材は、はんだ、ろう材、または、金属焼結体である。はんだは、鉛フリーはんだが用いられる。鉛フリーはんだは、例えば、錫、銀、銅、亜鉛、アンチモン、インジウム、ビスマスの少なくとも２つを含む合金を主成分とする。さらに、はんだには、添加物が含まれてもよい。添加物は、例えば、ニッケル、ゲルマニウム、コバルトまたはシリコンである。はんだは、添加物が含まれることで、濡れ性、光沢、結合強度が向上し、信頼性の向上を図ることができる。ろう材は、例えば、アルミニウム合金、チタン合金、マグネシウム合金、ジルコニウム合金、シリコン合金の少なくともいずれかを主成分とする。絶縁回路基板３０ａ，３０ｂは、このような接合部材を用いたろう付け加工で接合することができる。金属焼結体は、例えば、銀及び銀合金を主成分とする。または、接合部材は、サーマルインターフェースマテリアルであってよい。サーマルインターフェースマテリアルは、例えば、エラストマーシート、ＲＴＶ（Room Temperature Vulcanization）ゴム、ゲル、フェイズチェンジ材などを含む接着材である。このようなろう材またはサーマルインターフェースマテリアルを介して冷却ユニットに取り付けることで、半導体装置１の放熱性を向上させることができる。なお、冷却ユニットは、例えば、複数のフィンから構成されるヒートシンク並びに水冷による冷却装置を適用することができる。ヒートシンクは、熱伝導性に優れたアルミニウム、鉄、銀、銅、または、少なくともこれらの一種を含む合金により構成される。そして、耐食性を向上させるために、例えば、ニッケル等の材料をめっき処理等によりヒートシンクの表面に形成してもよい。具体的には、ニッケルの他に、ニッケル－リン合金、ニッケル－ボロン合金等がある。

【0026】

第１半導体チップ４１ａ，４１ｂ及び第２半導体チップ４２ａ，４２ｂは、シリコンまたは炭化シリコンから構成されるパワーデバイス素子を含んでいる。また、第１半導体チップ４１ａ，４１ｂ及び第２半導体チップ４２ａ，４２ｂの厚さは、例えば、４０μｍ以上、２５０μｍ以下である。パワーデバイス素子は、スイッチング素子またはダイオード素子である。

【0027】

第１半導体チップ４１ａ，４１ｂは、スイッチング素子を含む。スイッチング素子は、例えば、ＩＧＢＴ、パワーＭＯＳＦＥＴである。このような第１半導体チップ４１ａ，４１ｂは、例えば、裏面に主電極としてドレイン電極（または、コレクタ電極）を、おもて面に、制御電極及び主電極としてゲート電極及びソース電極（または、エミッタ電極）をそれぞれ備えている。

【0028】

第２半導体チップ４２ａ，４２ｂは、ダイオード素子を含む。ダイオード素子は、例えば、ＳＢＤ（Schottky Barrier Diode）、ＰｉＮ（Ｐ-intrinsic-Ｎ）ダイオード等のＦＷＤ（Free Wheeling Diode）である。このような第２半導体チップ４２ａ，４２ｂは、裏面に主電極としてカソード電極を、おもて面に主電極としてアノード電極をそれぞれ備えている。

【0029】

第１半導体チップ４１ａ，４１ｂ及び第２半導体チップ４２ａ，４２ｂは、必要に応じて、スイッチング素子及びダイオード素子の少なくともいずれかが選択されて、その裏面側が所定の回路板３３上に接合部材により機械的、かつ、電気的に接合される。ここで用いられる接合部材は、はんだ、または、金属焼結体である。はんだは、鉛フリーはんだが用いられる。鉛フリーはんだは、例えば、錫、銀、銅、亜鉛、アンチモン、インジウム、ビスマスの少なくとも２つを含む合金を主成分とする。さらに、はんだには、添加物が含まれてもよい。添加物は、例えば、ニッケル、ゲルマニウム、コバルトまたはシリコンである。はんだは、添加物が含まれることで、濡れ性、光沢、結合強度が向上し、信頼性の向上を図ることができる。金属焼結体で用いられる金属は、例えば、銀及び銀合金である。

【0030】

また、第１，第２半導体チップ４１ａ，４２ａ及び第１，第２半導体チップ４１ｂ，４２ｂに代えて、ＩＧＢＴ及びＦＷＤの機能を合わせ持つＲＣ（Reverse-Conducting）－ＩＧＢＴを用いてもよい。

【0031】

プリント回路基板５５は、絶縁層と当該絶縁層のおもて面及び裏面の少なくとも一方に配線パターンが構成されている金属層とを含んでいる。絶縁層は、基材と当該基材に含浸させた樹脂とを含んでいる。基材は、例えば、紙またはガラス布、または、これらを含んでいるものである。樹脂は、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂である。具体例としては、紙フェノール基板、紙エポキシ基板、ガラスエポキシ基板、複合基材エポキシ基板、ガラスポリイミド基板である。金属層は、導電性に優れた金属により構成されている。このような金属は、例えば、銅、アルミニウム、または、少なくともこれらの一種を主成分とする合金である。このようなプリント回路基板５５が絶縁回路基板３０ａ，３０ｂのおもて面に所定の間隔を空けて対向配置されている。

【0032】

また、導電ポスト５１ａ，５１ｂが、プリント回路基板５５と第１半導体チップ４１ａ，４１ｂ及び第２半導体チップ４２ａ，４２ｂとの間を電気的に接続している。導電ポスト５２ａ，５２ｂは、プリント回路基板５５と絶縁回路基板３０ａ，３０ｂとの間を電気的に接続している。導電ポスト５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂは、円柱状または角柱状を成している。導電ポスト５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂは、導電性に優れた材質により構成されている。このような材質として、例えば、銀、銅、ニッケル、または、少なくともこれらの一種を含む合金等により構成されている。

【0033】

また、外部接続端子２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２３～２５は、円柱状または角柱状を成している。いわゆる、ピン状を成している。外部接続端子２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２３～２５の下端部は、絶縁回路基板３０ａ，３０ｂに電気的かつ機械的に接合されている。外部接続端子２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２３～２５の上端部は既述の通り、封止本体部１０のおもて面１１から鉛直上方に延伸している。このような外部接続端子２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２３～２５は、以下のように接続されている。外部接続端子２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂは、半導体装置１のスイッチングを制御するための制御端子である。外部接続端子２１ａ，２１ｂは、第１半導体チップ４１ａ，４１ｂの制御電極と電気的に接続された制御端子（Ｇ１，Ｇ２端子）である。外部接続端子２２ａ，２２ｂは、第１半導体素子４１ａ，４１ｂのエミッタ電極と電気的に接続された電流センス端子（Ｅ１ｓ，Ｅ２ｓ端子）である。また、外部接続端子２３，２４，２５は、主電流が入出力する主端子である。外部接続端子２３は、第１半導体素子４１ａのコレクタ電極と電気的に接続され、プラス側の入力電流が流れる入力端子（Ｐ端子）である。外部接続端子２４は、後述する第１半導体チップ４１ｂのエミッタ電極と電気的に接続され、マイナス側の入力電流が流れる入力端子（Ｎ端子）である。外部接続端子２５は、第１半導体チップ４１ａのエミッタ電極及び第１半導体素子４１ｂのコレクタ電極と電気的に接続され、出力電流が流れる出力端子（Ｏ端子）である。外部接続端子２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２３～２５もまた、導電性に優れた材質により構成されている。このような材質として、例えば、銀、銅、ニッケル、または、少なくともこれらの一種を含む合金等により構成されている。

【0034】

次に、ナット収納台１３～１５ごとにバスバーが取り付けられた半導体装置１について図４及び図５を用いて説明する。なお、ここでは、ナット収納台１４に対してバスバーが取り付けられた場合について説明する。ナット収納台１３，１５に対しても同様にバスバーを取り付けることができる。

【0035】

図４は、第１の実施の形態のバスバーが取り付けられた半導体装置の要部平面図であり、図５は、第１の実施の形態のバスバーが取り付けられた半導体装置の断面図である。なお、図４は、半導体装置１のナット収納台１４に対して取り付けられたバスバー６０の周囲を拡大して表示している。また、図５は、バスバー６０が取り付けられた際の図１の一点鎖線Ｙ－Ｙにおける断面図である。なお、図４では、収納部１４ａに、ネジ孔７１が中心部に形成され、平面視で六角形のナット７０が収納されている場合を示している。

【0036】

バスバー６０は、ナット収納台１４に対向して配置されている。バスバー６０は、接合領域６１ａ，６１ｂと連結領域６２ａ，６２ｂと締結領域６３とを含み、それぞれ平面視で矩形状を成し、また、全体としても矩形状を成している。バスバー６０は、平面視で、短辺６０ａ，６０ｃ及び長辺６０ｂ，６０ｄにより四方が囲まれている。したがって、バスバー６０は、短辺６０ａ，６０ｃが封止本体部１０の側壁１０ｄ，１０ｂに平行であって、長辺６０ｂ，６０ｄが側壁１０ａ，１０ｃに平行となるように、ナット収納台１４に設けられている。

【0037】

接合領域６１ａ，６１ｂは、バスバー６０の両側部に設けられている。接合領域６１ａ，６１ｂは、外部接続端子２４の上端部が突出されて、はんだにより接合されている。締結領域６３は、ナット収納台１４に対向配置して、接合領域６１ａ，６１ｂよりも鉛直上方（＋Ｚ方向）に突出している。締結領域６３は、接合領域６１ａ，６１ｂから延伸する外部接続端子２４の上端部よりも鉛直上方（＋Ｚ方向）に位置する。また、締結領域６３は、平面視で、ナット収納台１４の収納部１４ａに対向する開口部６３ａが開口されている。開口部６３ａは、平面視で、例えば、図４に示されるように、ナット収納台１４の収納部１４ａを取り囲むことができる程度の面積である。また、この際、開口部６３ａは、ナット７０に対向している。連結領域６２ａ，６２ｂは、接合領域６１ａ，６１ｂのそれぞれに対向する側部と連結領域６２ａ，６２ｂの側壁１０ｂ，１０ｄ側の側部とを一体的に連結する。

【0038】

このようなバスバー６０は、導電性に優れた金属を主成分として構成されている。金属は、例えば、銅、アルミニウムまたは、少なくともこれらの一種を含む合金である。また、バスバー６０の耐食性を向上させるために、めっき処理を行ってもよい。この際、用いられるめっき材は、例えば、ニッケル、ニッケル－リン合金、ニッケル－ボロン合金である。バスバー６０は、例えば、平板から打ち抜きにより平板状の部材を形成して、プレス加工により、接合領域６１ａ，６１ｂと連結領域６２ａ，６２ｂと締結領域６３との各部が構成される。

【0039】

さらに、バスバー６０の長辺６０ｂ，６０ｄに対して、突起部２０ｂ，２０ａが当接しておもて面１１に形成されている。特に、突起部２０ｂ，２０ａは、開口部６３ａを中心として点対称の位置に形成されている。また、突起部２０ｂ，２０ａは、長辺６０ｂ，６０ｄの当接領域Ｓｂ，Ｓｄにそれぞれ当接している。なお、突起部２０ｂ，２０ａは、必ずしも、バスバー６０に当接する必要はない。突起部２０ｂ，２０ａは、バスバー６０に対して多少の隙間が空くように設けられていてもよい。また、突起部２０ｂ，２０ａの高さは、側面視で、おもて面１１からバスバー６０のおもて面の高さよりも高い必要がある。第１の実施の形態であれば、突起部２０ｂ，２０ａの上端部は、少なくとも、外部接続端子２４に接合されたバスバー６０の接合領域６１ａ，６１ｂよりも上位に位置する。また、突起部２０ｂ，２０ａは、平面視で正方形状である柱状を成している。これは一例であって、平面視で多角形状、円形、楕円形である柱状でもよい。また、突起部２０ｂ，２０ａのサイズは、後述するように、バスバー６０の回転を抑制できる強度が維持できればよい。

【0040】

このようにして半導体装置１のナット収納台１４に対して取り付けられたバスバー６０に対して、外部から、別のバスバー（接続端子）が取り付けられる。そして、ボルト（図示を省略）が接続端子及びバスバー６０の開口部６３ａを貫通して、収納部１４ａ内のナットに締結される。この際、締結されるボルトは、図４に示される破線の矢印の方向である時計回りに回転して、収納部１４ａ内のナットに締結される。

【0041】

ここで、仮に、突起部２０ｂ，２０ａが形成されていない場合について説明する。ボルトを時計回りに回転して締結すると、ボルトの回転に伴って、バスバー６０も時計回りに回転することがある。この場合、バスバー６０に接合された外部接続端子２４が、回転するバスバー６０から力を受ける。このため、外部接続端子２４が変形してしまう場合がある。または、変形する外部接続端子２４を支持する端子台１２ｃにも応力が掛かり、亀裂が生じ、亀裂から割れてしまい、絶縁性が保てなくなる。

【0042】

他方、半導体装置１では、封止本体部１０のおもて面１１において、バスバー６０がナット収納台１４に対向し、外部接続端子２４に接合されて、バスバー６０の長辺６０ｂ，６０ｄの短辺６０ａ，６０ｃ側に当接するように突起部２０ｂ，２０ａが形成されている。このため、ボルトを時計回りに回転させて、バスバー６０も時計回りに回転しようとしても、突起部２０ｂ，２０ａにより、バスバー６０の回転が抑制される。したがって、外部接続端子２４に対してバスバー６０から力が掛からず、変形することが防止される。さらには、外部接続端子２４を維持する端子台１２ｃに対する応力が抑制され、封止本体部１０が割れることもなく、絶縁性が維持される。

【0043】

また、突起部２０ｂ，２０ａは、バスバー６０を取り付ける際の位置合わせの役割も果たすことができる。このため、バスバー６０を外部接続端子２４に対して容易に位置合わせでき、バスバー６０と外部接続端子２４とを容易に接合することが可能となる。

【0044】

上記半導体装置は、おもて面１１と当該おもて面１１に対して外側を向いて開口した収納部１３ａ～１５ａとを備え、第１，第２半導体チップ４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂと、第１，第２半導体チップ４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂと電気的に接続された複数の外部接続端子２３～２５と、を有する封止本体部１０と、ネジ孔７１を有し、収納部１３ａ～１５ａに収納されたナット７０と、収納部１３ａ～１５ａに対向して配置され、ナットのネジ穴に対向する開口部６３ａを有する締結領域６３と、締結領域６３より外側の一部に複数の外部接続端子２３～２５と接続された接合領域６１ａ，６１ｂとを備えたバスバー６０と、を備える。さらに、封止本体部１０は、バスバー６０の側壁と隣接する突起部２０ａ，２０ｂを備える。これにより、ボルトをナット７０に対して時計回りに回転させて、バスバー６０も時計回りに回転しようとしても、突起部２０ｂ，２０ａにより、バスバー６０の回転が抑制される。したがって、外部接続端子２３～２５に対してバスバー６０から力が掛からず、変形することが防止される。さらには、外部接続端子２３～２５を維持する端子台１２ｂ～１２ｄに対する応力が抑制され、封止本体部１０が割れることもなく、絶縁性が維持される。この結果、半導体装置１の信頼性の低下を抑制することができる。

【0045】

すなわち、突起部２０ａ，２０ｂは、バスバー６０の回転を抑制することができる箇所に形成される必要がある。このためには、突起部２０ａ，２０ｂは図４に示される位置並びに個数に限らず、また、ブロック状に限らない。バスバー６０はボルト（ナット７０）を中心にして時計回りに回転する。このため、突起部は、おもて面１１に対して、バスバー６０の長辺６０ｂ，６０ｄ及び短辺６０ａ，６０ｃの開口部６３ａを中心とした時計回り方向（締結方向）に面する当接領域Ｓａ～Ｓｄの側部に設けられる必要がある。すなわち、例えば、当接領域Ｓａとは、バスバー６０の短辺６０ａの中心から、時計回り方向に回転する短辺６０ａの左側の端部までの範囲である。同様に、当接領域Ｓｂ～Ｓｄとは、バスバー６０の長辺６０ｂ、短辺６０ｃ、長辺６０ｄの中心から、時計回り方向に回転する長辺６０ｂ、短辺６０ｃ、長辺６０ｄの左側の端部までの範囲である。当接領域Ｓａ～Ｓｄにおいて、特に、回転モーメントを考慮して、外側の側部に設けられることが好ましい。そこで、以下では突起部の様々な形状並びに形成位置について説明する。なお、以下の変形例でも、ナット収納台１４に対してバスバー６０を取り付ける場合を例に挙げている。ナット収納台１３，１５でも同様に突起部の形成を適用することができる。

【0046】

（変形例１－１）
変形例１－１の半導体装置１について、図６を用いて説明する。図６は、第１の実施の形態の変形例１－１のバスバーが取り付けられた半導体装置の要部平面図である。変形例１－１の半導体装置では、突起部２０ｂが平面視でＵ字状を成して、バスバー６０の短辺６０ａ及び長辺６０ｂ，６０ｄの短辺６０ａ側を囲んで、おもて面１１に形成されている。また、突起部２０ａが平面視でＵ字状を成して、バスバー６０の短辺６０ｃ及び長辺６０ｂ，６０ｄの短辺６０ｃ側を囲んで、おもて面１１に形成されている。したがって、突起部２０ｂは、バスバー６０の当接領域Ｓａと当接領域Ｓｂの一部との側部に形成されている。突起部２０ａは、バスバー６０の当接領域Ｓｃと当接領域Ｓｄの一部との側部に形成されている。また、変形例１－１の突起部２０ｂ，２０ａの上端部は、外部接続端子２４に接合されたバスバー６０の接合領域６１ａ，６１ｂよりも上位に位置する。

【0047】

変形例１－１でも、ボルトをナット７０に対して時計回りに回転させて、バスバー６０も時計回りに回転しようとしても、突起部２０ｂ，２０ａにより、バスバー６０の回転が抑制される。さらに、変形例１－１の場合、例えば、半導体装置１の搬送時や取り扱い時に、バスバー６０が外部からの衝撃を受けても、位置ずれが防止される。したがって、外部接続端子２４に対してバスバー６０から力が掛からず、変形することが防止される。さらには、外部接続端子２４を維持する端子台１２ｃに対する応力が抑制され、封止本体部１０が割れることもなく、絶縁性が維持される。この結果、半導体装置１の信頼性の低下を抑制することができる。

【0048】

また、突起部２０ｂ，２０ａは、図４の場合よりも、バスバー６０を外部接続端子２４に対して容易に位置合わせでき、バスバー６０と外部接続端子２４とを容易に接合することが可能となる。

【0049】

（変形例１－２）
変形例１－２の半導体装置１について、図７を用いて説明する。図７は、第１の実施の形態の変形例１－２のバスバーが取り付けられた半導体装置の要部平面図である。変形例１－２の半導体装置では、突起部２０ｂが平面視でＬ字状を成して、バスバー６０の短辺６０ａの長辺６０ｂ側及び長辺６０ｂの短辺６０ａ側に当接するように、おもて面１１に形成されている。また、突起部２０ａが平面視でＬ字状を成して、バスバー６０の短辺６０ｃの長辺６０ｄ側及び長辺６０ｄの短辺６０ｃ側に当接するように、おもて面１１に形成されている。したがって、突起部２０ｂは、バスバー６０の当接領域Ｓｂに形成されている。突起部２０ａは、バスバー６０の当接領域Ｓｄに形成されている。また、変形例１－２の突起部２０ｂ，２０ａの上端部は、外部接続端子２４に接合されたバスバー６０の接合領域６１ａ，６１ｂよりも上位に位置する。

【0050】

変形例１－２でも、ボルトをナット７０に対して時計回りに回転させて、バスバー６０も時計回りに回転しようとしても、突起部２０ｂ，２０ａにより、バスバー６０の回転が抑制される。特に、突起部２０ｂ，２０ａは、当接領域Ｓｂ，Ｓｄの外側に当接されている。このため、図４の場合よりも確実にバスバー６０の回転を抑制する。さらに、変形例１－２の場合、バスバー６０が外部からの衝撃を受けても、位置ずれが防止される。したがって、外部接続端子２４に対してバスバー６０から力が掛からず、変形することが防止される。さらには、外部接続端子２４を維持する端子台１２ｃに対する応力が抑制され、封止本体部１０が割れることもなく、絶縁性が維持される。この結果、半導体装置１の信頼性の低下を抑制することができる。

【0051】

また、突起部２０ｂ，２０ａは、図４の場合よりも、バスバー６０を外部接続端子２４に対して容易に位置合わせでき、バスバー６０と外部接続端子２４とを容易に接合することが可能となる。

【0052】

（変形例１－３）
変形例１－３の半導体装置１について、図８を用いて説明する。図８は、第１の実施の形態の変形例１－３のバスバーが取り付けられた半導体装置の要部平面図である。変形例１－３の半導体装置では、突起部２０ｂが平面視でＩ字状を成して、バスバー６０の長辺６０ｂの中心を跨いで当接するように、おもて面１１に形成されている。また、突起部２０ａが平面視でＩ字状を成して、バスバー６０の長辺６０ｄの中心を跨いで当接するように、おもて面１１に形成されている。したがって、突起部２０ｂは、バスバー６０の当接領域Ｓｂに形成されている。突起部２０ａは、バスバー６０の当接領域Ｓｄに形成されている。また、変形例１－３の突起部２０ｂ，２０ａの上端部は、外部接続端子２４に接合されたバスバー６０の接合領域６１ａ，６１ｂよりも上位に位置する。

【0053】

変形例１－３でも、ボルトをナット７０に対して時計回りに回転させて、バスバー６０も時計回りに回転しようとしても、突起部２０ｂ，２０ａにより、バスバー６０の回転が抑制される。さらに、変形例１－３の場合、バスバー６０が外部から、特に、Ｙ方向に対する衝撃を受けても、位置ずれが防止される。したがって、外部接続端子２４に対してバスバー６０から力が掛からず、変形することが防止される。さらには、外部接続端子２４を維持する端子台１２ｃに対する応力が抑制され、封止本体部１０が割れることもなく、絶縁性が維持される。この結果、半導体装置１の信頼性の低下を抑制することができる。

【0054】

また、突起部２０ｂ，２０ａは、バスバー６０を取り付ける際の位置合わせの役割も果たすことができる。このため、バスバー６０を外部接続端子２４に対して容易に位置合わせでき、バスバー６０と外部接続端子２４とを容易に接合することが可能となる。

【0055】

（変形例１－４）
変形例１－４の半導体装置１について、図９を用いて説明する。図９は、第１の実施の形態の変形例１－４のバスバーが取り付けられた半導体装置の要部平面図である。変形例１－４の半導体装置では、突起部２０ｂが平面視でＩ字状を成して、バスバー６０の短辺６０ａの中心を跨いで当接するように、おもて面１１に形成されている。また、突起部２０ａが平面視でＩ字状を成して、バスバー６０の短辺６０ｃの中心を跨いで当接するように、おもて面１１に形成されている。したがって、突起部２０ｂは、バスバー６０の当接領域Ｓａに形成されている。突起部２０ａは、バスバー６０の当接領域Ｓｃに形成されている。また、変形例１－４の突起部２０ｂ，２０ａの上端部は、外部接続端子２４に接合されたバスバー６０の接合領域６１ａ，６１ｂよりも上位に位置する。

【0056】

変形例１－４でも、ボルトをナット７０に対して時計回りに回転させて、バスバー６０も時計回りに回転しようとしても、突起部２０ｂ，２０ａにより、バスバー６０の回転が抑制される。さらに、変形例１－４の場合、バスバー６０が外部から、特に、Ｘ方向に対する衝撃、影響を受けても、位置ずれが防止される。したがって、外部接続端子２４に対してバスバー６０から力が掛からず、変形することが防止される。さらには、外部接続端子２４を維持する端子台１２ｃに対する応力が抑制され、封止本体部１０が割れることもなく、絶縁性が維持される。この結果、半導体装置１の信頼性の低下を抑制することができる。

【0057】

また、突起部２０ｂ，２０ａは、バスバー６０を取り付ける際の位置合わせの役割も果たすことができる。このため、バスバー６０を外部接続端子２４に対して容易に位置合わせでき、バスバー６０と外部接続端子２４とを容易に接合することが可能となる。

【0058】

（変形例１－５）
変形例１－５の半導体装置１について、図１０を用いて説明する。図１０は、第１の実施の形態の変形例１－５のバスバーが取り付けられた半導体装置の要部平面図である。変形例１－５の半導体装置では、突起部２０ｂが平面視でＩ字状を成して、バスバー６０の短辺６０ａの中心付近に当接するように、おもて面１１に形成されている。また、突起部２０ａが平面視でＩ字状を成して、バスバー６０の短辺６０ｃの中心付近に当接するように、おもて面１１に形成されている。したがって、突起部２０ｂは、バスバー６０の当接領域Ｓａに形成されている。突起部２０ａは、バスバー６０の当接領域Ｓｃに形成されている。また、変形例１－５の突起部２０ｂ，２０ａの上端部は、外部接続端子２４に接合されたバスバー６０の接合領域６１ａ，６１ｂよりも上位に位置する。

【0059】

変形例１－５でも、ボルトをナット７０に対して時計回りに回転させて、バスバー６０も時計回りに回転しようとしても、突起部２０ｂ，２０ａにより、バスバー６０の回転が抑制される。さらに、変形例１－５の場合、バスバー６０が外部から、特に、Ｘ方向に対する衝撃、影響を受けても、位置ずれが防止される。したがって、外部接続端子２４に対してバスバー６０から力が掛からず、変形することが防止される。さらには、外部接続端子２４を維持する端子台１２ｃに対する応力が抑制され、封止本体部１０が割れることもなく、絶縁性が維持される。この結果、半導体装置１の信頼性の低下を抑制することができる。

【0060】

また、突起部２０ｂ，２０ａは、バスバー６０を取り付ける際の位置合わせの役割も果たすことができる。このため、バスバー６０を外部接続端子２４に対して容易に位置合わせでき、バスバー６０と外部接続端子２４とを容易に接合することが可能となる。

【0061】

（変形例１－６）
変形例１－６の半導体装置１について、図１１を用いて説明する。図１１は、第１の実施の形態の変形例１－６のバスバーが取り付けられた半導体装置の要部平面図である。変形例１－６の半導体装置では、突起部２０が平面視でバスバー６０の短辺６０ａ，６０ｃ及び長辺６０ｂ，６０ｄに沿って当接するように、おもて面１１に形成されている。したがって、突起部２０は、バスバー６０の当接領域Ｓａ～Ｓｄの側部に形成されている。また、変形例１－６の突起部２０の上端部は、少なくとも、外部接続端子２４に接合されたバスバー６０の接合領域６１ａ，６１ｂよりも上位に位置する。

【0062】

変形例１－６でも、ボルトをナット７０に対して時計回りに回転させて、バスバー６０も時計回りに回転しようとしても、突起部２０により、バスバー６０の回転が抑制される。さらに、変形例１－６の場合、バスバー６０の全周に形成されているため、バスバー６０が外部から衝撃を受けても、位置ずれがより確実に防止される。したがって、外部接続端子２４に対してバスバー６０から力が掛からず、変形することが防止される。さらには、外部接続端子２４を維持する端子台１２ｃに対する応力が抑制され、封止本体部１０が割れることもなく、絶縁性が維持される。この結果、半導体装置１の信頼性の低下を抑制することができる。

【0063】

また、突起部２０は、バスバー６０を取り付ける際の位置合わせの役割も果たすことができる。このため、バスバー６０を外部接続端子２４に対して容易に位置合わせでき、バスバー６０と外部接続端子２４とを容易に接合することが可能となる。

【0064】

なお、第１の実施の形態の半導体装置１に含まれるバスバー６０は、図５に示されるように、全体に渡って厚さが一定である。また、締結領域６３のおもて面が、封止本体部１０のおもて面１１に対して接合領域６１ａ，６１ｂのおもて面よりも鉛直上方に突出している。バスバー６０は、この場合に限らず、例えば、図１２に示されるような形態でもよい。図１２は、第１の実施の形態の別のバスバーが取り付けられた半導体装置の断面図である。図１２に示す半導体装置１は、バスバー６０以外は、図５に示した半導体装置１と同様の構成を成している。図１２に示すバスバー６０は、接合領域６１ａ，６１ｂと締結領域６３とを含んでいる。締結領域６３の裏面と接合領域６１ａ，６１ｂの裏面とは同一平面を成して、締結領域６３に接合領域６１ａ，６１ｂが一体的に接続されている。また、締結領域６３の厚さが接合領域６１ａ，６１ｂよりも厚く構成されている。このため、締結領域６３のおもて面は、接合領域６１ａ，６１ｂのおもて面よりも鉛直上方に位置している。このような図１２に示されるバスバー６０でも外部の接続端子をボルトにより締結することができる。また、この場合でも、図４並びに変形例１－１～１－６の突起部２０ａ，２０ｂ，２０を形成することができ、同様の効果が得られる。

【0065】

また、図４並びに変形例１－１～１－６の突起部２０ａ，２０ｂ，２０は、適宜、組み合わせて形成してもよい。例えば、変形例１－２の突起部２０ａ，２０ｂ（図７）と変形例１－５の突起部２０ａ，２０ｂ（図１０）とを形成してもよい。

【0066】

［第２の実施の形態］
第２の実施の形態の半導体装置について、図１３及び図１４を用いて説明する。図１３は、第２の実施の形態のバスバーが取り付けられた半導体装置の断面図であり、図１４は、第２の実施の形態のバスバーが取り付けられた半導体装置の要部平面図である。なお、図１３及び図１４は、第２の実施の形態の半導体装置１において第１の実施の形態の図３及び図４に対応している。また、図１４では、ナット収納台１４の対向面１４ｂを締結領域６３に破線で示している。

【0067】

第２の実施の形態では、第１の実施の形態の半導体装置１（図１～図５）において、突起部２０ａ，２０ｂが形成されておらず、ナット収納台１３～１５が、バスバー６０の裏面に当接するまでおもて面１１に対して鉛直上方（＋Ｚ方向）に突出している。すなわち、図１３及び図１４に示されるように、ナット収納台１４の対向面１４ｂの側壁１０ｂ，１０ｄ側の辺１４ｂ１，１４ｂ２がバスバー６０の裏面側の連結領域６２ａ，６２ｂの間で挟持されている。すなわち、ナット収納台１４の対向面１４ｂの辺１４ｂ１，１４ｂ２は、締結領域６３及び連結領域６２ａ，６２ｂの境界領域から連結領域６２ａ，６２ｂ及び接合領域６１ａ，６１ｂの境界領域の間で挟持されることになる。

【0068】

また、この際、ナット収納台１４の対向面１４ｂの辺１４ｂ１，１４ｂ２は、図１３に示されるように、締結領域６３及び連結領域６２ａ，６２ｂの境界領域に当接して、当該境界領域で挟持されることが好ましい。この場合には、ナット収納台１４の対向面１４ｂは、連結領域６２ａ，６２ｂにより、確実に挟持される。このため、バスバー６０の開口部６３ａと収納部１４ａとの位置ずれも防止される。

【0069】

なお、ナット収納台１４の対向面１４ｂの辺１４ｂ１，１４ｂ２は、バスバー６０の連結領域６２ａ，６２ｂに必ずしも当接される必要はない。後述するように、バスバー６０の回転を略抑制できれば、ナット収納台１４の対向面１４ｂの辺１４ｂ１，１４ｂ２と、バスバー６０の連結領域６２ａ，６２ｂとの間に多少の隙間があってもよい。

【0070】

このようなバスバー６０に対して、第１の実施の形態で説明したように、外部から、接続端子を取り付けて、ボルトで接続端子及びバスバー６０の開口部６３ａを貫通して、ボルトを時計回りに回転させて、ボルトを収納部１４ａ内のナットに締結される。この際、ボルトを時計回りに回転させるに伴って、バスバー６０も時計回りに回転しようとしても、バスバー６０の連結領域６２ａ，６２ｂがナット収納台１４の対向面１４ｂの辺１４ｂ１，１４ｂ２により、バスバー６０の回転が抑制される。したがって、外部接続端子２４に対してバスバー６０から力が掛からず、変形することが防止される。さらには、外部接続端子２４を維持する端子台１２ｃに対する応力が抑制され、封止本体部１０が割れることもなく、絶縁性が維持される。

【0071】

なお、第２の実施の形態の半導体装置１に対して、第１の実施の形態並びに変形例１－１～１－６の突起部２０ａ，２０ｂ，２０を必要に応じて形成してもよい。これにより、バスバー６０の回転をより確実に抑制することができるようになる。

【符号の説明】

【0072】

１ 半導体装置
１０ 封止本体部
１０ａ～１０ｄ 側壁
１０ｅ，１０ｆ 締結孔
１１ おもて面
１２ａ～１２ｄ 端子台
１３～１５ ナット収納台
１３ａ～１５ａ 収納部
１３ｂ～１５ｂ 対向面
１４ｂ１，１４ｂ２ 辺
２０，２０ａ，２０ｂ 突起部
２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２３～２５ 外部接続端子
３０ａ，３０ｂ 絶縁回路基板
３１ 絶縁板
３２ 金属板
３３ 回路板
４１ａ，４１ｂ 第１半導体素子
４２ａ，４２ｂ 第２半導体素子
５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂ 導電ポスト
５５ プリント回路基板
６０ バスバー
６０ａ，６０ｃ 短辺
６０ｂ，６０ｄ 長辺
６１ａ，６１ｂ 接合領域
６２ａ，６２ｂ 連結領域
６３ 締結領域
６３ａ 開口部
７０ ナット
７１ ネジ孔

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】